Google Calender及びロゴはGoogle LLC の商標または登録商標です。

領域別プログラム

領域7

14日 D209会場　14aD209　9:15〜12:30

領域4（11〜12番目のみ領域7と合同）
グラフェン・遷移金属カルコゲナイド

1: トポロジカルな状態をもつ水素修飾グラフェンの第一原理計算; 熊大先端科学; 横井裕之
2: ギャップのあるグラフェンにおける軌道磁性; 東大理; 尾崎壮駿, 小形正男
3: キャリア密度の空間変調によるグラフェンプラズモンの閉じ込め制御; NTT物性基礎研; Ngoc Han Tu, 佐々木智, 高村真琴, ^◯熊田倫雄
^●4: Reflection-induced Valley Polarisation in Bilayer Graphene; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{B, C}
5: 三層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴吸収の電界制御; 東大生研^A, 物材機構^B, CREST-JST^C; 小野寺桃子^A, 荒井美穂^A, 木下圭^A, 増渕覚^A, 守谷頼^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 町田友樹^{A, C}

休憩　（10:30〜10:45)

6: Vセレン化物エピタキシャル薄膜の磁性II; 東大院工, 理研CEMS^A; 中野匡規, 吉田訓, Mohammad Saeed Bahramy^A, 王越, 松岡秀樹, 真島裕貴, 大東祐汰, 柏原悠太, 坂野昌人, 石坂香子^A, 岩佐義宏^A
7: 二次元磁性体を用いたファン・デア・ワールスヘテロ界面における磁気輸送特性; 東大院工^A, 理研CEMS^B; 松岡秀樹^A, 中野匡規^A, 岩佐義宏^{A, B}
8: TaSe₂エピタキシャル薄膜の輸送特性; 東大院工^A, 理研CEMS^B; 田中勇貴^A, 松岡秀樹^A, 中野匡規^A, 岩佐義宏^{A, B}
9: 3d遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜における電子構造の研究; 東大院工^A, 理研 CEMS^B; 吉田訓^A, 中野匡規^A, 松岡秀樹^A, 真島裕貴^A, 王越^A, 大東祐汰^A, 坂野昌人^A, 岩佐義宏^{A, B}, 石坂香子^{A, B}
10: 流体環境下における二硫化モリブデン電界効果トランジスタの動作特性; 東北大院理, 東北大院理^A, 東北大多元研^B; Nguyen Tat Trung, 鷲田一樹^A, 和泉廣樹^A, Iftekhar Md Alam^A, Mamun Muhanmmad Shamin Al^A, 高岡毅^B, 米田忠弘^B
11: 取　　消
12: 単層TaSe₂のARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C; 中田優樹^A, 吉澤拓哉^A, 菅原克明^{A, B, C}, 梅本侑輝^A, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, C}

14日 N-PS会場　14aN-PS　10:00〜12:00

領域7
領域7ポスターセッション

1: α”-(BEDT-TTF)₂Rb_1.2Co(SCN)₄のバンドフィリングの効果; 東北大金研, 山梨大工^A; 森田康太郎, 井口敏, 山田修平, 米山直樹^A, 佐々木孝彦
2: 紫外レーザー光電子分光による有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂の電子状態研究; 阪大院基礎工^A, 東大工^B, 理研^C; 祖利目和明^A, 右衛門佐寛^A, 梶原聖^A, 近藤広康^A, 竹内裕加里^A, 宮川和也^B, 鹿野田一司^B, 藤原秀紀^A, 関山明^A, 木須孝幸^{A, C}
3: β”-(ET)₂[(H₂O)(NH₄)₂Cr(C₂O₄)₃]･18-crown-6の異方的超伝導; 筑波大院数理物質^A, 物材機構^B, Nottingham Trent Univ.^C, 阪大理^D; 森定恭平^{A, B}, 杉浦栞理^B, 寺嶋太一^B, Lee Martin^C, 圷広樹^D, 中澤康浩^D, 宇治進也^{A, B}
4: BEDT-TTF分子系電荷秩序絶縁体の電荷ガラス形成能に与える乱れ効果; 東北大金研, SPring-8/JASRI^A, 分子研^B; 佐々木孝彦, 大藏聖, 橋本顕一郎, 小林亮太, 唐金雄也, 池本夕佳^A, 森脇太郎^A, 須田理行^B, 山本浩史^B
5: π電子−プロトン相関型Cat-TTF系電荷移動塩の圧力下電気抵抗測定; 東大物性研; 菅井祐太, 上田顕, 高倉知将, 土居諒平, 吉田順哉, 横森創, 出倉駿, 郷地順, 上床美也, 浅井晋一郎, 益田隆嗣, 森初果
6: 一次元モット絶縁体ET-F₂TCNQにおけるテラヘルツ電場誘起相転移の探索; 東大院新領域^A, 産総研^B, 北大院理^C, 北大院総化^D, 東大工^E; 高村直幹^A, 寺重翼^B, 浅田和規^A, 宮本辰也^A, 貴田徳明^A, 高橋幸裕^{C, D}, 長谷川達生^{B, E}, 岡本博^{A, B}
7: 複合磁性体の臨界現象の理論; 広島大院先端; 嶋原浩
8: 拡張近藤格子模型における摂動論と準2次元有機導体への適用; 広大院先端; 河野佑紀, 嶋原浩
9: パイエルス絶縁体の局所的光励起によるソリトン対生成; 阪市大工; 山下明, 廣川健一, 寺井章
10: 位相制御中赤外パルス励起による一次元モット絶縁体系のサブサイクル分光; 東大院新領域^A, 東大工^B, 産総研^C; 北尾貴之^A, 山川貴士^B, 園直樹^A, 森本剛史^A, 宮本辰也^A, 岡本博^{A, C}
11: 導電性高分子のフェルミレベル制御と熱電変換特性; 早大先進^A, 名大院工^B, Dongguk Univ.^C, 北大電子研^D; 金橋魁利^A, 竹腰直哉^B, 中嶋大志^B, Yong-Young Noh^C, 太田裕道^D, 田中久暁^B, 竹延大志^{A, B}
12: 単層カーボンナノチューブにおけるTHz高次高調波発生のキャリア注入依存性; 首都大理工, 京大理^A, iCeMS^B; 西留比呂幸, 永井恒平^A, 一ノ瀬遥太, 福原健吾, 野崎純司, 枝淳子, 大久保瞳, 蓬田陽平, 田中耕一郎^{A, B}, 柳和宏
13: 単層カーボンナノチューブ薄膜の熱電物性：直径分布; 首都大理^A, 神奈川大工^B, JST CREST^C, 兵庫県立大理^D; 林大介^A, 本郷直也^A, 客野遥^B, 宮田耕充^{A, C}, 中井祐介^D, 真庭豊^A
14: 2.45GHz電磁波を用いたカーボンナノウォールの成長; 岡大院自然^A, 岡大工^B, 龍谷工^C, 九工大工^D, 岡大異分野研究コア^E; 青柳佑海人^A, 小椋裕美^B, 藤原孝将^A, 小野裕介^A, 大久保貴広^A, 大久保智子^A, 西川雅仁^C, 森正和^C, 堀部陽一^D, 仁科勇太^{A, D}, 狩野旬^A, 池田直^A
15: 磁性不純物がランダムに分布した二次元蜂の巣格子模型の輸送特性; 奈良女子大理, 秋田大教育^A; 辰己智子, 吉岡英生, 林正彦^A
^●16: Optical characterization of graphene based sheets by electrochemical exfoliation; 台湾嘉義大電子物理, 台湾嘉義大応用化学^A; 林立弘, 藍永智, 黃正良^A
17: 非平衡グリーン関数法によるドープされたVA族原子層半導体物質の第一原理熱電計算; 東理大理; 吉里政志, 鈴木康光, 渡辺一之
18: 単層および2層グラフェンの熱電効果の理論; 東理大院工, 東理大総研院^A, 東理大^B; 掘井耀, 笹岡健二^A, 山本貴博, 福山秀敏^B
19: ゼオライトLSX中のNa-Kクラスターが示すフェリ磁性の高圧Heガス下におけるμSR; 茨大理工, ベトナム国家大^A, 理研仁科セ^B, スラバヤ工科大^C, 芝工大理工^D, ISIS-RAL^E; 中野岳仁, Luu Manh Kien^A, 渡邊功雄^B, Retno Asih^C, 石井康之^D, Mark Kibble^E, Christopher Goodway^E, Colin Offer^E, Robert Done^E
20: 取　　消
21: 取　　消
^●22: Thermoelectric properties of organic semiconductors; Dept. of Phys. Tohoku Univ.^A, Tohoku Univ. AIMR^B; Qiu Lingwei^A, Stephane Yu Matsushita^A, Katsumi Tanigaki^{A, B}
23: 導電性単糸電極と平板電極との間の放電; 大阪技術研; 平井学
24: 分子接合形成プロセスによる伝導状態の変化; 東工大院理; 一色裕次, 藤井慎太郎, 木口学

14日 B211会場　14pB211　13:45〜16:45

領域7
有機ディラック系・擬一次元系

1: 有機ディラック電子系の低温電子状態; 東邦大理^A, 理研^B; 田嶋尚也^{A, B}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A
2: 有機ディラック電子系の中間圧力状態; 東邦大^A, 理研^B, 愛媛大院理工^C; 鵜野澤佳成^A, 中居隼風^A, 田嶋^{A, B}, 内藤俊雄^C, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A
3: 有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力下磁化率測定; 物材機構; 鴻池貴子, 寺嶋太一, 杉浦栞理, 廣瀬陽代, 菊川直樹, 宇治進也
4: 強相関ディラック電子系 α-(BEDT-TTF)₂I₃ における NMR 測定と理論計算による圧力効果の研究 2; 東北大金研, 東大工^A, 名大理^B, 東理大理工^C; 平田倫啓, 劉東^A, 石川恭平^A, 大木大悟^B, 小林晃人^B, 宮川和也^A, 田村雅史^C, 鹿野田一司^A
5: 第一原理計算によるα-(BEDT-TTF)₂I₃とα-(BETS)₂I₃の圧力下における構造と電子状態; 熊本大院先導, 熊本大教育^A; 圓谷貴夫, 岸木敬太^A
6: 2次元有機導体の補償金属相の量子振動; 熊本大教育, 兵庫県立大物質理^A; 岸木敬太, 長谷川泰正^A

休憩　（15:15〜15:30)

7: 有機導体α-(BETS)₂I₃の電子状態-有限質量ディラック電子系の可能性-; 名大理, 東大物性研^A; 小林晃人, 大木大悟, 吉見一慶^A
8: 有機ディラック電子系におけるN=0ランダウ状態のスピン分裂とバレー分裂; 名大理; 谷雄大, 小林晃人
9: 有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃の熱電効果における電子間相互作用の効果; 名大理, 豊田高専^A; 大木大悟, 大森有希子^A, 小林晃人
10: α-ET₂I₃の電荷秩序温度近傍におけるトポロジー変化とゼーベック係数; 東理大工, 東理大^A; 山本貴博, 福山秀敏^A
11: 擬一次元有機導体のSDW転移とゼーベック係数; 電通大基盤理工; 浅香雄哉, 辻村昌希, 伏屋雄紀

14日 D207会場　14pD207　13:45〜17:00

領域7
分子・界面デバイス

1: 有機半導体の価電子帯構造におけるSHOMOの効果; 筑波大数物, 東大新領域^A; 黒田悠暉, 石井宏幸, 吉野さやか, 三谷真人^A, 岡本敏宏^A, 竹谷純一^A, 小林伸彦
2: 機械学習による有機半導体の構造研究III; 東大新領域, 筑波大数物^A, 豊橋技科大^B, NEC^C, CONFLEX^D; 新津直幸, 沢辺千鶴, 三谷真人, 石井宏幸^A, 小林伸彦^A, 後藤仁志^B, 広瀬賢二^C, 小畑繁昭^D, 中山尚史^D, 渡邉峻一郎, 岡本敏宏, 竹谷純一
3: 波束拡散法を用いた有機半導体の熱電物性計算; 筑波大数物, NEC^A; 石井宏幸, 小林伸彦, 広瀬賢二^A
4: MoS₂ FET チャンネルへの分子ドーピングと光照射効果; 東北大院理^A, 東北大多元研^B; 鷲田一樹^A, 高岡毅^B, グエンタットル^A, アラムイフェクハルル^A, 塚本一平^A, 和泉廣樹^A, ^◯米田忠弘^B
5: ルブレンのフォノン分散関係の測定; 阪大基礎工, 名工大院工^A, JASRI^B, 東大新領域^C; 吉見光平, 若林裕助, 中神秀麻^A, 木村耕治^A, 林好一^A, 筒井智嗣^B, 糟谷直孝^C, 渡邉峻一郎^C, 竹谷純一^C
6: 電気二重層エレクトレットを利用した振動発電素子; 電中研; 小野新平, Moir Camilla, 三輪一元

休憩　（15:15〜15:30)

7: 層状結晶性有機半導体の結晶-結晶転移とアルキル鎖層秩序の役割; 東大院工^A, 日本化薬^B, 産総研^C, 埼玉工大工^D; 荒井俊人^A, 井上悟^B, 東野寿樹^C, 田中睦生^D, 長谷川達生^{A, C}
8: 層状結晶性有機半導体Ph-BTBT-C10の低温輸送特性III; 東大物工, 産総研FLEC^A, 日本化薬^B; 浜井貴将, 荒井俊人, 峯廻洋美^A, 井上悟^{A, B}, 長谷川達生^A
9: 光ポンプ・テラヘルツ波プローブ分光による有機半導体C₁₀-DNBDT-NWのキャリア伝導機構の研究III; 産総研^A, 東大工^B, 東大院新領域^C, NIMS^D; 寺重翼^A, 丸池文哉^B, 大瀧貴史^C, 森本剛史^C, 宮本辰也^C, 貴田徳明^C, 鶴見淳人^D, 渡邉峻一郎^C, 岡本敏宏^C, 竹谷純一^C, 岡本博^{A, C}
10: ゲート変調イメージングによる単結晶有機FETの電子状態マッピング解析; 東大工, 産総研^A; 松岡悟志, 吉永翼, 堤潤也^A, 長谷川達生
11: 移　　動
12: 電流注入型有機半導体DFBレーザー; 東北大理^A, 東北大AIMR^B; 下谷秀和^A, カナガセカランサンガベル^B, 小貫駿^A, 三浦大輝^A, 谷垣勝己^{A, B}

15日 B211会場　15aB211　9:00〜12:00

領域7
モット絶縁体・スピン液体

1: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Hg(SCN)₂X, (X = Br, Cl)における磁化率・磁気トルク測定; 東大物性研^A, JHU^B, 物材機構^C, IPCP^D; 山下穣^A, 杉井かおり^A, 下澤雅明^A, 上田顕^A, 森初果^A, Natalia Drichko^{A, B}, 杉浦栞理^C, 寺嶋太一^C, 宇治進也^C, Elena I. Zhilyaeva^D, Svetlana A. Torunova^D, Rimma N. Lyubovskaya^D
2: 有機モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Clにおける非フェルミ液体的挙動とそのドーピング非対称性; 理研^A, SISSA^B, 名大院工^C, 理研CCS^D, 理研CEMS^E, 分子研^F; 川椙義高^A, 関和弘^B, 蒲江^C, 竹延大志^C, 柚木清司^{A, D, E}, 山本浩史^F, 加藤礼三^A
3: ¹H NMRによるX線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの磁気秩序抑制過程の観測III; 東大院工, 東理大理^A, 埼玉大院理工^B, 東北大金研^C; 浦井瑞紀, 古川哲也^A, 宮川和也, 谷口弘三^B, 斉藤みく^C, 佐々木孝彦^C, 鹿野田一司
4: κ型分子性導体における対称性の破れと輸送特性; 早大高等研, 北大理^A, 明大理工^B, 東大工^C, 理研^D, 理研CEMS^E; 中惇, 速水賢^A, 楠瀬博明^B, 柳有起^B, 求幸年^C, 妹尾仁嗣^{D, E}
^●5: X-ray irradiation effect on a genuine organic Mott insulator (BEDT-TTF)Cu[N(CN)₂]₂; Inst. for Materials Res., Tohoku Univ.^A, Univ. of Yamanashi^B, SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.^C; M. K. Nuryadin^A, S. Iguchi^A, K. Hashimoto^A, K. Itoh^A, N. Yoneyama^B, T. Moriwaki^C, Y. Ikemoto^C and T. Sasaki^A
^●6: High pressure infrared study of a monomer Mott insulator (ET)Ag₄(CN)₅; Kyoto Univ., Tokushima Univ.^A, SPring-8^B, Nagoya Univ.^C; Andhika Kiswandhi, Mitsuhiko Maesato, Shinya Tomeno, Yukihiro Yoshida, Hidekazu Okamura^A, Yuka Ikemoto^B, Hideo Kishida^C, Gunzi Saito, and Hiroshi Kitagawa

休憩　（10:30〜10:45)

7: ランダムネスを有するスピン液体系におけるNMRスペクトル不均一幅と磁気励起の関係の考察; 東理大理; 伊藤哲明, 山本陸, 古川哲也
8: X線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの¹³C-NMRスペクトルの線幅増大と磁気励起の関係; 東理大理, 東大工^A, 東北大金研^B; 山本陸, 古川哲也, 伊藤哲明, 宮川和也^A, 佐々木孝彦^B
9: κ-(BEDT-TTF)₂Ag₂(CN)₃の低波数ラマン散乱スペクトルII; 名大院工^A, 名城大農^B, 京大院理^C, 豊田理研^D; 中村優斗^A, 長屋宏樹^A, 平松孝章^B, 吉田幸大^{B, C}, 齋藤軍治^{B, D}, 岸田英夫^A
10: 水素結合型モット絶縁体Cat-EDT系における量子常誘電・常磁性状態; 東大物性研, 物材機構^A, 筑波大数理物質^B, 東北大金研^C; 藤井桜子, 下澤雅明, 近藤潤, 杉井かおり, 山下穣, 上田顕, 森初果, 杉浦栞理^{A, B}, 寺嶋太一^A, 宇治進也^{A, B}, 橋本顕一郎^C, 井口敏^C, 佐々木孝彦^C
11: 量子スピン液体候補物質κ-H₃(Cat-EDT-TTF)₂の低温熱伝導度; 東大理; 徳永睦月, 松浦弘泰, 小形正男

15日 D207会場　15aD207　9:15〜12:15

領域7（後半6〜11番目のみ領域4と合同）
グラフェン・グラファイト関連（実験）

1: 収束イオンビーム微細加工によるNbSe₂劈開膜の超伝導転移温度の低下; 筑波大数理物質, 物材機構^A; 友利ひかり, 星直樹, 井上大, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, 神田晶申
2: イオン液体によりドーピングした単層グラフェンのラマン散乱分光II; 名大院工^A, 九大GIC^B; 犬飼大樹^A, 小山剛史^A, 河原憲治^B, 吾郷浩樹^B, 岸田英夫^A
3: スピン偏極陽電子ビームによるグラフェン/強磁性薄膜のスピン偏極の検出; 量研; 河裾厚男, 宮下敦巳, 前川雅樹, 萩原聡, 和田健, 李松田, 境誠司
4: アークプラズマガンにより作製したPtナノ粒子-カーボン基盤界面のHRTEM-EELS解析; 東理大, 物材機構^A; 宮澤薫一, 長井拓郎^A, 木本浩司^A, 吉武優, 田中優実
5: 破壊型パルス強磁場下におけるグラファイトの磁気抵抗とその測定手法の開発; 東大工, 物性研^A; 下起敬史, 小濱芳允^A, 嶽山正二郎^A

休憩　（10:30〜10:45)

6: 分子吸着によるグラフェンの散乱効果; 岡山大基礎研; 高井彰久, 後藤秀徳, 内山貴生, Zhi Lei, 江口律子, 久保園芳博
7: 高分解能電子エネルギー損失分光法によるグラファイトの電子格子相互作用マトリックスエレメントの計測; 阪大産研, ユーリッヒ総合研究所PGI-3^A; 田中慎一郎, F.C. Bocquet^A, F. S. Tautz^A
8: 単層カーボンナノチューブ膜の定常法による熱伝導率測定; 東大低温セ; 藤井武則
9: 三層グラフェン/h-BN/単層グラフェントンネル接合におけるバンド間共鳴トンネルの観測; 東大生研^A, 物材機構^B, CREST-JST^C; 瀬尾優太^A, 増渕覚^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 町田友樹^{A, C}
10: 教師無し機械学習による剥離グラフェンの自動分類; 東大生研^A, CREST-JST^B; 増渕覚^A, 町田友樹^{A, B}
11: 窒素ドープした3次元ナノ多孔質グラフェンの輸送特性; 東北大院理^A, 筑波大数理物質^B, 東北大AIMR^C; 田邉洋一^A, 伊藤良一^B, 谷垣勝己^{A, C}

15日 F202会場　15aF202　9:15〜11:55

領域3（9番目招待講演のみ領域7，領域8と合同）
磁気共鳴・実験技術開発

1: 高感度放射光メスバウアー回折装置の開発; 帝京大理工, 量子研^A, 京大複合原子力^B, 岡大理^C, 京産大理^D; 中村真一, 三井隆也^A, 黒葛真行^B, 藤原孝将^C, 下村晋^D
2: Observation of Dicke cooperativity in magnetic interactions; Osaka Univ., JST PRESTO, Rice Univ.^A; Motoaki Bamba, Xinwei Li^A, Junichiro Kono^A
3: 球状強磁性絶縁体中の静磁モードを用いた2マグノンブリルアン散乱の観測; 東大先端研^A, JSTさきがけ^B, 理研CEMS^C; 久富隆佑^A, 中田陽介^A, Arnaud Gloppe^A, 野口篤史^{A, B}, 山崎歴舟^A, 宇佐見康二^A, 中村泰信^{A, C}
4: 高出力光源ジャイロトロンを用いたミリ波帯パルスESRシステムの開発; 福井大遠赤セ; 光藤誠太郎, 河野海志, 堂野壱暉, 林哉汰, 石川裕也, 藤井裕
5: パルス磁場中での誘電率測定; 東大物性研, 東大新領域^A; 三宅厚志, 木村健太^A, 三田村裕幸, 木村剛^A, 徳永将史

休憩　（10:30〜10:45)

6: パルス強磁場下での熱伝導測定手法の開発; 東大物性研, 阪大基礎工^A; 小濱芳允, 井澤公一^A, 松尾晶, 金道浩一
7: スロープトップパルス磁場を用いた磁場掃引NMRスペクトル測定によるLi₂Cr₃SbO₈の磁気構造の研究; 北大院理, 東大物性研^A; 井原慶彦, 荒島洸樹, 松井一樹^A, 金道浩一^A, 小濱芳允^A
8: キラル磁性体CrNb₃S₆において観測されたスパイク状ESRシグナルの試料サイズ依存性; 阪大先端強磁場^A, 分子研^B, 岡山大基礎研^C, 広大キラル物性拠^D, 放送大院文化科学^E, 阪府大院工^F, 九工大院工^G, 広島大院理^H, 茨城大院理工^I, 阪大院理^J; 澤田祐也^A, 吉澤大智^B, 高阪勇輔^{C, D}, 秋光純^{C, D}, 岸根順一郎^{D, E}, 島本雄介^F, 戸川欣彦^{D, F}, 美藤正樹^{D, G}, 井上克也^{D, H}, 中野岳仁^I, 野末泰夫^J, 萩原政幸^{A, D}
9: （招待講演）メンブレン型メカニカルデバイスを用いた高感度磁気測定及び電子スピン共鳴測定; 神戸大先端, JSTさきがけ（JST-PRESTO）; 高橋英幸

15日 B211会場　15pB211　15:15〜17:00

領域7
dmit・単一分子性導体・bilayer系

1: 三角格子系EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の¹³C核の超微細結合定数による[Pd(dmit)₂]₂分子内電荷分布の定量的決定; 東理大理, 理研^A; 北又大貴, 鈴木完明, 市川直樹, 古川哲也, 伊藤哲明, 加藤礼三^A
2: 分子伝導体EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂に対する異方的圧力効果と電界効果測定; 理研, 分子研^A; 南舘孝亮, 川椙義高, 山本浩史^A, 加藤礼三
3: Valence Bond Solid物質EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の磁気励起; 理研, 北大理^A; 大島勇吾, Kim Sunghyun^A, 加藤礼三
4: 単一分子種伝導体Zn(tmdt)₂の圧力下¹³C NMR測定; 東大工, 日大文理^A; 高橋泰賀, 須波圭史, 宮川和也, 周彪^A, 小林昭子^A, 鹿野田一司
5: 単一成分分子性結晶[Au(dddt)₂]とその類縁体の結晶構造および伝導性; 理研, Oxford Univ.^A; 崔亨波, 上辺将士, Yeung Hamish^A, 加藤礼三
6: 単一成分分子性導体[Pt(hfdt)₂]の新しい多形結晶の構造と伝導物性; 理研, 熊大院先導機構^A; 加藤礼三, 崔亨波, 川椙義高, 圓谷貴夫^A
7: 非対称ドナー分子が構築するBilayerタイプ分子性導体の合成と電子物性; 理研; 上辺将士, 崔亨波, 加藤礼三

15日 K306会場　15pK306　13:45〜17:45

領域7
領域7日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

1: （若手奨励賞）若手奨励賞選考報告及び授賞式; 名大工; 竹延大志
2: （若手奨励賞）強相関電子系分子性物質における長距離クーロン相互作用がもたらす電荷揺らぎの研究; 東北大金研; 橋本顕一郎
3: （若手奨励賞）有機半導体における電荷・スピン輸送の研究; 東大院新領域; 渡邉峻一郎

休憩　（14:55〜15:15)

4: DFT+U法の磁性分子間相互作用への適用; 東大理, 東大物性研^A; 吉田英隆, 笠松秀輔^A, 杉野修^A
5: 交互積層型有機電荷移動錯体のトランジスタ; 東工大物質理工学院, 産総研FLEC^A; 森健彦, 佐藤諒之介, 眞田怜, 飯嶋広大, 劉東昊, 東野寿樹^A, 川本正
6: 水素クラスレートハイドレートの第一原理分子動力学シミュレーション; 量研量子ビーム, 理研; 池田隆司
7: 20 GPaまでの氷VII相単結晶高圧ブリュアン散乱測定; 岐阜大工; 佐々木重雄, 佐藤駿, 林紗輝, 加藤雄哉, 高平遥介, 松岡岳洋