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領域別プログラム

領域9

9日 C115会場　9aC115　9:15〜12:15

領域9
結晶成長

1: 水素終端Si(110)表面のエッチング過程V：KS方程式による解析; 東北大院理, 理研^A; 川本絵里奈, 川勝年洋, 松下ステファン悠, 山田太郎^A, ^◯須藤彰三
2: ファセット化したマクロステップと共存する微斜面上「ステップ」の非平衡定常状態における成長速度; 大阪電通大工; 阿久津典子
3: 不純物による微斜面上のステップの不安定化－不純物と吸着原子の蒸発の効果－; 金沢大IMC; 佐藤正英
4: 短距離相互作用する二元系DNA被覆ナノ粒子の作る二次元構造; 金沢大IMC; 佐藤正英
5: 結晶粉砕実験における鏡像体過剰率と結晶サイズ分布II; 立命館大理工, 愛工大自然^A; 勝野弘康, 上羽牧夫^A

休憩　（10:30〜10:45)

6: （招待講演）高速周波数変調原子間力顕微鏡を用いたカルサイト結晶溶解過程の原子スケールその場観察; 金沢大院・自然科学; 福間剛士
^●7: The emergence of quasi-liquid layers on ice polycrystal thin films; 北大低温研; Jialu Chen, Ken Nagashima, Ken-ichiro Murata, Gen Sazaki
8: グラフェン化学気相成長過程の微視的解析IV.原料ガスの活性化効果; 東大新領域, 東大理^A; 斉木幸一朗, 平良隆信^A, 小幡誠司
9: 化学固定種結晶を使ったグルコースイソメラーゼ結晶のらせん成長丘の生成とその場観察; 徳島大工, 徳島大院社会産業理工^A; 村雲由美子, 栁谷伸一郎^A, ^◯鈴木良尚^A
10: 脂質分子間化合物結晶の準安定多形成長キネティクス; 広大院総科, 広大院生物圏^A; 田口健, 戸田昭彦, 本同宏成^A, 上野聡^A, 佐藤清隆^A

9日 K104会場　9aK104　9:00〜12:30

領域4（1番目のみ領域9と合同）
グラフェン関連
（理論）

^●1: Topological Dirac semimetallic phases in transition metal dichalcogenides; Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B, St. Andrews Univ.^C, Seoul Nat. Univ.^D, Tokyo Inst. Tech.^E, Suranaree Univ. Tech.^F; Mohammad Saeed Bahramy^{A, B}, Oliver Clark^C, Bohn-Jung Yang^D, Jiagui Feng^C, Lewis Bawden^C, Jon Riley^C, Igor Marković^C, Takao Sasagawa^E, Worawat Meevasana^F, Peter Wahl^C, Philip King^C
^●2: Symmetry breaking in 2 dimensional curved lattices; Keio Univ.^A, Univ. of Porto^B, IST Lisbon^C; Antonino Flachi^A, Eduardo V. Castro^B, Pedro Ribeiro^C, Vincenzo Vitagliano^A
3: ディラック電子系物質の分極テンソルとプラズマモード; 東大理, 東理大理^A; 前橋英明, 小形正男, 福山秀敏^A
4: 不純物下のワイル半金属における軌道核スピン緩和率とその臨界点近傍での振る舞いの研究; 東大理; 広沢智紀, 前橋英明, 小形正男
5: バルク中のトポロジカルな線状の束縛状態; 東工大理^A, 東工大TIES^B, CREST-JST^C; 竹市学^A, 村上修一^{A, B, C}
6
7: Cantor集合型超格子ポテンシャルに入射するGraphene中の電子の透過特性; 九大総理工; 小川名太一, 坂口英継

休憩　（10:45〜11:00)

^●8: Valley asymmetric currents in bilayer graphene; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{A, C}
9: 二次元半導体におけるバレー依存した磁気抵抗効果; 理研CEMS, テキサス大^A; 関根聡彦, Allan MacDonald^A
10: 3次元グラフィジインにおけるトポロジカル半金属構造; 阪大理; 野村高史, 越野幹人
11: IV族単原子層ナノリボンへの電解効果とリボン幅依存性; 名大工^A, 名大未来研^B, 名大高等研究院^C; 服部綾実^A, 矢田圭司^A, 洗平昌晃^{B, C, A}, 田仲由喜夫^A
12: 非一様磁気構造を持つワイル半金属におけるスピントルクの理論; 理研CEMS, 東北大金研^A; 紅林大地, 野村健太郎^A
13: トポロジカルディラック半金属における格子歪みによる非線形スピンホール効果; 東北大金研, 東北大学際研; 荒木康史

9日 PSA会場　9pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: ビスマス擬立方表面の作製と反射スペクトル測定; 学園大工電; 鈴木隆介, 岡田駿, 川島駿, 中田清志郎, ^◯菅原滋晴
2: Si(001)表面上に形成されるβ-FeSi₂(100)ナノカーペットの成長途中の室温STM観; 奈良先端大物質創成; 市川峻也, 楊昊宇, 竹本昌平, 染田政明, 服部賢, 大門寛
3: CaCO₃超微粒子の結晶成長の直接観察; 立命館大理工; 墻内千尋, 齋藤嘉夫
4: Cr-SiO系ホイスカー粒子の成長条件; 東北学院大工; 津田陸登, 佐藤瑞基, 鈴木仁志
5: 完全結晶の成長に影響する不純物と核形成様式; 阪市大理; 七里公毅
6: ノルセサイトの水溶液成長の温度依存性; 山口大工; 麻川明俊, 畝田廣志, 越後至, 小松隆一
7: 輸送気相法ジアセチレン結晶の固相重合最適条件の二重性が表面モルフォロジー変化に及ぼす影響; 愛院大教養物理; 城貞晴
^●8: Bose-metal behavior in epitaxial FeSe thin films grown on SrTiO3; Dept. of Phys., The Univ. of Tokyo; SP Liu, Y Takeuchi, JL Wang, R Akiyama, S Hasegawa
9: Ag超薄膜/Si(111)基板界面wetting layerの結晶化に伴う量子井戸準位のエネルギーシフト; 東工大理, 東工大物質理工^A; 菅原喜周, 板倉悠太, 山崎詩郎, 中辻寛^A, 平山博之
10: 対称性の違いによる窒化鉄単原子層膜の局所電子状態と磁性の変化; 東大物性研, 分子研^A, 総研大^B; 服部卓磨, 宮町俊生, 飯盛拓嗣, 高木康多^{A, B}, 上村洋平^{A, B}, 横山利彦^{A, B}, 小森文夫
11: 多重散乱理論によるCO on Pt(111)のARPESの理論解析; 千葉大院融; 鈴木悠人, Peter Kruger
12: SmTiO₃/SrTiO₃界面電子構造の理論研究; 千葉大院融; 徳弘達也
13: 表面一次元原子鎖Au/Ge(001)の二次元電子状態II; 東大物性研, Synchrotron SOLEIL^A, 阪大生命^B, 阪大院理^C, 東工大総理工^D; 矢治光一郎, 湯川龍, 金聖憲, 大坪嘉之^{A, B, C}, Patrick Le Févre^A, François Bertran^A, Amina Taleb-Ibrahimi^A, 松田巌, 中辻寛^D, 辛埴, 小森文夫
14: InAs(110)表面上の擬一次元的Biにおける異方的Rashba効果II; 阪大理^A, 阪大生命^B, 東大物性研^C; 中村拓人^A, 大坪嘉之^{B, A}, 山下雄紀^A, 徳舛直樹^A, 矢治光一郎^C, 原沢あゆみ^C, 小森文夫^C, 辛埴^C, 木村真一^{B, A}
15: In/Si(111)表面に吸着した金属内包フタロシアニン分子のLEED観察と電気伝導度変化; 京大院理; 八田振一郎, 綾遥奈, 奥山弘, 有賀哲也
16: Si(001)表面における分子状酸素の安定構造; 和歌山大シス工; 門脇菜穂, 柿原大嗣, 古木凌太, J. ANDERSON, 小田将人
17: 酸化物強誘電体/金属界面におけるラシュバ係数の第一原理計算; 金沢大自然^A, 金沢大数物^B; 杉田恵^A, 山口直也^A, 石井史之^B
18: バンドアンフォールディングを用いたBi/Ag表面合金系におけるラシュバ効果の第一原理的解析; 金沢大自然, 東大物性研^A, 金沢大数物^B; 山口直也, Chi-Cheng Lee^A, 尾崎泰助^A, 石井史之^B
19: プルシアンブルー類似体の鉄酸化状態に依存した局所電気伝導度の多探針法計測 IV; 山梨大工; 大村貴輝, 内野博仁, 白木一郎
20: Bi薄膜のトポロジカル絶縁体相における歪みと電界効果の第一原理計算; 金沢大自然, 金沢大数物^A; 澤端日華瑠, 山口直也, 石井史之^A
21: Bi(111)表面状態の角度分解光電子マッピングにおける円2色性; 佐賀大SLセ; 高橋和敏, 今村真幸, 山本勇, 東純平
22: 局所融解法によるカーボンナノチューブ担持探針の準備の試み; 山梨大工; 川辺拓実, 竹内嵩裕, 秋山幸次郎, 白木一郎
23: ATカット水晶振動子を利用したC₆₀単結晶のナノすべり摩擦の測定; 電通大基盤理工, 愛教大^A; 佐々木凌一, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 三浦浩治^A, 石川誠^A, 仙海翼
24: 音叉型水晶振動子を用いたフラーレン単結晶のナノすべり摩擦の測定; 電気通信大基盤理工; 仙海翼, 佐々木凌一, 谷口淳子, 佐々木成朗, 鈴木勝, 石川誠, 三浦浩治
25: Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造; 名大院工, あいちSR^A; 志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史^A, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志
26: Nd₂Fe₁₄Bの表面構造に対する第一原理計算; 東工大物質理工; 塩沢知春, 合田義弘
27: SiC(0001)面上に形成した(3√3×3√3)R30°構造; 九大院工, 東大物性研^A; 尾家翔太郎, 梶原隆司, Anton Visikovskiy, 安藤寛, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫^A, 田中悟
28: 陽電子回折実験向け解析ソフトウェアの高度化; 鳥取大^A, 高エネ研^B, 兵庫県立大^C; 田中和幸^A, 星健夫^A, 一宮彪彦^B, 望月出海^B, 三木一司^C, 兵頭俊夫^B
29: 水素雰囲気下の加熱による酸化マグネシウムの欠陥; 九州シンクロトロン光研究セ, 産総研^A; 小林英一, 阪東恭子^A, 垣内田洋^A, 岡島敏浩
30: TiO₂-酸性溶液界面における酸素還元反応の第一原理計算; 東大物性研; 山本良幸, 笠松秀輔, 杉野修
31: Si(001)-2×1表面上のペンタセン薄膜成長のSTM観察; 福岡大工; 鈴木孝将, 柳生数馬, 栃原浩
32: 導電性高分子P3HT薄膜の界面構造を用いたエピタキシャル成長; 関学大院理工; 片江良, 高瀬真優, 高橋功
33: SiC(0001)上のドメインフリーXenes (X=Sn, Sb, Pb, Bi)作製のためのSiN界面層; 九大院工, 東大物性研^A, 九大院総理工^B; 安藤寛, Anton Visikovskiy, 梶原隆司, 尾家翔太郎, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫^A, Md Kabiruzzaman^B, 中川剛志^B, 水野清義^B, 田中悟
34: 高繰り返し超短パルスレーザーを用いた高効率な超高速スピンダイナミクス測定システムの構築; 東大物性研^A, NHK放送技研^B; 伊藤俊^A, 乙津聡夫^A, 河村紀一^{A, B}, 山本達^A, 谷峻太郎^A, 小森文夫^A, 小林洋平^A, 松田巌^A
35: 単原子合金触媒Pd/Cu(111)の作製とフォルメート種の水素化反応; 東大物性研, 東大院総合文化; 徳永拓馬, 吉本真也, 向井孝三, 小板谷貴典, 吉信淳
36: ゲート電圧印加による水素吸蔵合金系Si-MOSからのガス脱離II; 奈良先端大物質創成; 西田美緒, 川北修平, 広田望, 楊昊宇, 服部賢, 大門寛
37: 非断熱第一原理分子動力学法による遷移金属ダイカルコゲナイドの光誘起ダイナミクス; 熊大院自然, 熊大院先端^A, 南カリフォルニア大学^B; 熊添博之, Aravind Krishnamoorthy^B, Lindsay Bassman^B, Rajiv K. Kalia^B, Aiichiro Nakano^B, 下條冬樹^A, Priya Vashishta^B
38: TDDFT法による原子層からの二次電子放出機構：構成原子種と層数依存性; 東理大理; 上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之
39: レーザー照射下電界原子蒸発への有限温度効果：実時間TDDFTシミュレーション; 東理大理; 内田一樹, 鈴木康光, 渡辺一之
40: 第一原理計算に基づく様々な置換基によるポリエチレンの比誘電率への影響; 熊大院自然, 九産大理工^A, 南カリフォルニア大^B, 熊大院先端^C; 福島省吾, 熊添博之, 三澤賢明^A, S. Tiwari^B, 下條冬樹^C, Rajiv K. Kalia^B, A. Nakano^B, P. Vashishta^B
41: 低温で生成した金属水素化物ナノコンタクトの電流－電圧特性異常; 九大院工, 東工大理^A, 金沢大教育^B, 九大院総理工^C; 高田弘樹, 家永紘一郎^A, 稲垣祐次, 辻井宏之^B, 河江達也
42: 磁化の面内2成分検出用磁性探針によるスピン偏極STM観察; 北大理; 下田晨人, 佐藤佑樹, 草薙一輝, 松山秀生
43: 銅(001)面上の鉄超薄膜の結晶成長とその磁性; 東大物性研^A, NHK放送技研^B; 河村紀一^{A, B}, 小森文夫^A
44: 鉄系超伝導体LiFeAsにおける欠陥の第一原理計算; 東大院工; 樽岡裕司, 南谷英美, 渡邉聡
45: Pd中の水素量子拡散の観測; 東大生研, 東工大物質理工学院^A; 小澤孝拓, 清水亮太^A, 小倉正平, 一杉太郎^A, 福谷克之
46: 原子間力顕微鏡を用いた氷表面の原子分解能観察; 東大新領域; 川上直也, 塩足亮隼, 杉本宜昭
47: 擬一次元物質β-Bi₄I₄における弱いトポロジカル絶縁体相の発見とそのトポロジカル相制御; 東大物性研, 東工大フロンティア研^A, 阪大院理^B, 産総研^C, 東大工^D, Diamond Light Source^E, 理研CEMS^F; 野口亮, 高橋敬成^A, 黒田健太, 越智正之^B, 白澤徹郎^C, C. Bareille, 坂野昌人^D, 中山充大, 矢治光一郎, 原沢あゆみ, 岩澤英明^E, P. Dudin^E, T. Kim^E, M. Hoesch^E, 辛埴, 有田亮太郎^F, 笹川崇男^A, 近藤猛
48: ヘテロ接合作製によるトポロジカル表面状態の制御; 東工大理; 日下翔太郎, 平原徹
49: 偏極中性子反射率法を用いたFe/SnTeヘテロ構造界面における強磁性近接効果の観測; 東大理, 筑波大院数理^A, CROSS^B; 渡邉和己, 石川諒^A, 秋山了太, 阿久津和宏^B, 飯田一樹^B, 黒田眞司^A, 長谷川修司
^●50: Atomic and electronic structure of periodically curved graphene on (1-100) m-plane surface of SiC; Kyushu Univ.; Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka
51: SiC(0001)表面に成長したグラフェン膜へのロジウム原子インターカレーション; 福岡大工; 柳生数馬, 栃原浩, 鈴木孝将
52: 酸化マンガンナノシートの磁性の第一原理的研究; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 福留凌輔, 原正大^A, 船津麻美^A, 下條冬樹^A
53: グラフェン/酸化チタンナノシート複合素子における伝導特性; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 吉田優介, 井上大希, 上地清太, 船津麻美^A, 原正大^A

10日 C115会場　10aC115　9:00〜12:15

領域9
ナノチューブ・グラフェン・表面局所光学現象・水素ダイナミクス

1: Cu電極に架橋した水単分子の光化学反応; 東工大理; 木口学, 金子哲
2: 電気伝導特性と SERS スペクトルの同時連続計測によるBDT単分子接合の構造変化の解明; 東工大理; 小林柊司, 金子哲, 木口学
3: Ta₂O₅原子スイッチにおける量子化伝導度の観測; 東工大院理; 相場諒, 金子哲, 木口学
^●4: Si/Ge界面系に対する大規模第一原理分子動力学II; 物材機構^A, ロンドン大学(UCL)^B; 林建波^A, D. R. Bowler^B, 宮崎剛^A
5: 非平衡グリーン関数法によるナノコンタクト系の電子輸送計算; 筑波大数物^A, NEC^B; 高木博和^A, 小林伸彦^A, 広瀬賢二^B
6: 取　　消

休憩　（10:30〜10:45)

7: Al(111)基板上のシリセンの原子配置; 原子力機構先端基礎研^A, 東大物性研^B, 東大生研^C; 深谷有喜^A, 松田巌^B, 福谷克之^{A, C}
8: 急冷により電気特性が変化したSiC(0001)面上成長グラフェンに対する表面X線回折; 阪大基礎工, 名大未来研^A, 名大工^B; 角達也, 永井和樹, 穴田壮人, 若林裕助, 包建峰^A, 寺澤知潮^A, 乗松航^B, 楠美智子^A
9: 6H-SiC(0001)基板上のマクロファセットに作成されたグラフェンの電子状態; 東大物性研, 東工大総理工^A, 高エネ研^B, 九大院工^C; 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 岩田孝太, 服部卓磨, 中辻寛^A, 間瀬一彦^B, 福間洸平^C, 平山楓^C, 梶原隆司^C, Anton Visikovsliy^C, 田中悟^C, 小森文夫
10: 多孔質アルミナ基板上の酸化グラフェンの化学状態分析; 立命館大理工, 量子機構^A; 高岡航大, 圓谷志郎^A, 境誠司^A, 光原圭, 滝沢優
11: 高エネルギーイオン照射法によるグラフェン化合物の作製; 量子機構^A, 東北大^B, 九州大^C, 立命館大^D; 圓谷志郎^A, 水口将輝^B, 渡邉英雄^C, 滝沢優^D, 李松田^A, 楢本洋^A, 境誠司^A
12: TiNナノ結晶における水素の拡散機構の第一原理計算による検討; 北大院工; 國貞雄治, 青木芳尚, 倉千晴, 朱春宇, 幅崎浩樹

10日 C116会場　10aC116　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性

1: 第一原理計算による新規の炭素単原子層構造の探索; 琉球大理; 稲岡毅
2: 2層グラフェン上のTaSe₂原子層の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C; 菅原克明^{A, B, C}, 中田優樹^A, 吉澤拓也^A, 梅本侑煇^A, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, C}
3: 二光子光電子分光によるアナターゼ型二酸化チタン(101)表面における水素誘起励起電子状態; 東大生研; 長塚直樹, 櫻井敦教, 大橋由季, 芦原聡, 福谷克之
4: SrTiO₃(001)上に担持したCuナノ粒子の電子状態分析; 立命館大理工; 八木健, 柚山大地, 青木駿尭, 光原圭, 滝沢優
5: Ir(110)表面における高温酸化過程の第一原理計算; 東工大物質理工^A, 石福金属興業^B; Insung Seo^A, 横田俊介^B, 今井庸介^B, 合田義弘^A
6: 周期系の計算による時間反転LEED状態; お茶の水大理; 小林功佳

休憩　（10:30〜10:45)

7: インジウム原子層超伝導体Si(111)-√7×√3-Inの構造決定; 産総研, 物材機構^A, 学芸大^B; 白澤徹郎, 吉澤俊介^A, 内橋隆^A, 高橋敏男^B
8: RHEEDによるInP(111)表面構造解析; 大同大工, 名大院工^A, 東北大多元研^B; 堀尾吉已, 柚原淳司^A, 高桑雄二^B
^●9: Oxygen adsorption induces surface segregation on (111) facet of Pt skin on metal surfaces; Nat’l. Inst. of Tech., Akashi College, Kyushu Univ.^A, Osaka Univ.^B; Bhume Chantaramolee, Ryo Kishida^A, Hideaki Kasai^B
^●10: Hydrogen Adsorption on Pt(111) Revisited from Random Phase Approximation; Inst. for Solid State Phys., The Univ. of Tokyo^A, Int’l. Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA) and Global Res. Center for Environment and Energy based on Nanomaterials Sci. (GREEN), Nat’l. Inst. for Materials Sci.^B, Dept. of Precision Sci. and Tech., Grad. School of Eng., Osaka Univ.^C; Lei Yan^A, Yang Sun^B, Yoshiyuki Yamamoto^A, Shusuke Kasamatsu^A, Ikutaro Hamada^{B, C} and Osamu Sugino^A
11: Si/SiO₂界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発; 名大工^A, 名大未来研^B; 又賀誠^A, 洗平昌晃^{A, B}, 名倉拓哉^A, 白石賢二^{A, B}
12: Cu(111)表面上のグラフェンの相互回転角の理論的解明; 福教大物理; 三谷尚
13: ガブリエルグラフを用いたアモルファスNd-Fe合金の構造特性解析; 東工大物質理工; 寺澤麻子, 合田義弘

10日 K106会場　10aK106　9:00〜12:15

領域4（1番目チュートリアル講演のみ領域5，8，9と合同。9番目のみ領域8と合同。）
チュートリアル・トポロジカル超伝導体
（実験）

1: （チュートリアル講演）トポロジカル絶縁体・半金属の電子構造; 東北大院理; 佐藤宇史
2: 擬一次元ビスマス化合物の単結晶育成と超伝導特性; 東工大フロンティア研; 松川慶太朗, 笹川崇男
3: 二次元ビスマス正方格子を含む層状化合物の単結晶育成と超伝導特性; 東工大フロンティア研; 村瀬正恭, 笹川崇男
4: トポロジカル絶縁体界面における非相反超伝導電流; 東大工, 理研CEMS^A, 東北大金研^B; 安田憲司, 安田寛徳, 吉見龍太郎^A, 塚﨑敦^B, 高橋圭^A, 永長直人^A, 川﨑雅司^A, 十倉好紀^A

休憩　（10:30〜10:45)

5: トポロジカル超伝導体候補物質Tl₂Mo₆Se₆の高分解能ARPES; 東北大院理^A, ケルン大物理^B, 東北大CSRN^C, 東北大WPI-AIMR^D, IFWドレスデン^E, ドレスデン工科大^F; 中山耕輔^A, Z. Wang^B, C. X. Trang^A, 相馬清吾^{C, D}, Emile D. L. Rienks^{E, F}, 高橋隆^{A, C, D}, 安藤陽一^B, 佐藤宇史^{A, C}
^●6: Electronic states of superconducting Pb thin film on Tl-based topological insulator studied by ARPES; Dept. Phys., Tohoku Univ.^A, WPI-AIMR, Tohoku Univ.^B, CSRN, Tohoku Univ.^C, Kyoto Sango Univ.^D, and Univ. Cologne^E; C. X. Trang^A, N. Shimamura^A, T. Nakamura^A, K. Nakayama^A, K. Sugawara^{B, C}, S. Souma^{B, C}, T. Takahashi^{A, B, C}, K. Segawa^D, Y. Ando^E, and T. Sato^{A, C}
7: 磁性ドープ3Dトポロジカル絶縁体/超伝導体接合特性の電極間距離依存性; 名大工, 産総研^A, 東工大フロンティア研^B, 北大工^C; 矢野力三, 津村公平, 小柳正男^A, 柏谷裕美^A, 廣瀬陽代^B, 浅野泰寛^C, 笹川崇男^B, 柏谷聡
8: トポロジカル絶縁体(Bi_1-xSb_x)₂Te₃のジョセフソン接合を流れる超伝導電流のゲート制御; 東大工, PennState Univ.^A, 理研^B; 武重有祐, 松尾貞茂, Russell S. Deacon^B, 上田健人, 佐藤洋介, Yi-Fan Zhao^A, Ling Zhang^A, Cui-Zu Chang^A, 石橋幸治^B, 樽茶清悟
9: J=3/2フェルミオン系Half-Heusler化合物における超伝導ギャップ構造; 東大新領域, Polish Academy of Sci.^A; 石原滉大, 竹中崇了, 繆逸杰, 水上雄太, D. Kaczorowski^A, 芝内孝禎
10: ルテニウム酸化物における超伝導絶縁体転移と臨界指数; 北大物理^A, 北大トポロジー^B, 北大エネマテセ^C, 北大応物^D; 延兼啓純^{A, B}, 柳原興世^A, 小笠原優仁^A, 國貞雄治^C, 能村貴宏^C, 秋山友宏^{B, C}, 野村一成^A, 浅野泰寛^{B, D}, 丹田聡^{B, D}

10日 B105会場　10pB105　13:30〜17:15

領域5，領域9，領域4，領域8
光で切り拓く新しいトポロジカル物性科学　New topological science developed with light

1: （一般シンポジウム講演）はじめに　opening; 東大物性研; 近藤猛　Takeshi Kondo
2: （一般シンポジウム講演）トポロジカル物性科学に向けた物質開拓　Material development for topological science; 東工大フロンティア研; 笹川崇男　Takao Sasagawa
3: （一般シンポジウム講演）磁性元素ドープされたトポロジカル絶縁体の強磁性電子状態　Carrier-mediated ferromagnetism in the magnetic topological insulator; 広大理; 木村昭夫　Akio Kimura
4: （一般シンポジウム講演）空間反転対称性の破れたワイル半金属の光学特性　Optical property of inversion-symmetry broken Weyl semimetals; 阪大生命; 木村真一　Shin-ichi Kimura

休憩　（14:55〜15:10)

5: （一般シンポジウム講演）ワイル磁性体の巨大磁気光学効果　Giant magneto-optical effect in Weyl Magnet; 東京大学物性研究所量子物質研究グループ; 肥後友也　Tomoya Higo
^●6: （一般シンポジウム講演）Observation of topological superconductivity in iron-based superconductor; 東京大学物性研究所極限コヒーレント光科学研究センター; Zhang Peng
7: （一般シンポジウム講演）第一原理計算による新しいトポロジカル半金属相の開拓　Exploring novel topological semimetal phases by first principle calculations; 理研CEMS; 平山元昭　Motoaki Hirayama
8: （一般シンポジウム講演）トポロジカル半金属における電子構造の直接観測　Observation of topological electronic structures in semimetals; 東北大CSRN; 相馬清吾　Seigo Soma
9: （一般シンポジウム講演）CDWが引き起こすトポロジカル相転移　Topological transition induced by CDW; 東大工; 石坂香子　Kyoko Ishizaka

10日 C115会場　10pC115　13:45〜16:30

領域9
表面界面構造・表面ナノ構造量子物性

1: STMによる近藤効果の測定を通じた格子歪みの評価; 東大物性研, 東大院工^A; 岩田孝太, 宮町俊生, 南谷英美^A, 小森文夫
2: 窒素吸着Cu(001)表面上でのFeNi原子層成長の蒸着時温度依存性; 東大物性研, 東理大基礎工^A; 川口海周, 高橋優樹^A, 服部卓磨, 宮町俊生, 小嗣真人^A, 小森文夫
3: Ag(111)表面上のシリセンの高分解能AFMイメージング; 東大新領域, 東大物性研^A; 馮凌瑜, 藪押慶祐, 小野田穣, ^◯杉本宜昭, 福田将大^A, 尾崎泰助^A
4: 第一原理計算による原子間力顕微鏡の探針とシリセン表面の原子間の化学結合力評価; 東大物性研, 東大新領域^A; 福田将大, 馮凌瑜^A, 藪押慶祐^A, 小野田穣^A, 杉本宜昭^A, 尾崎泰助
5: CO分子とCu(111)表面との間の結合の金属探針による切断; 金沢大理工^A, レーゲンスブルグ大^B; 岡林則夫^{A, B}, Angelo Peronio^B, Ferdinand Huber^B, Sonia Matencio^B, Franz J. Giessibl^B

休憩　（15:00〜15:15)

6: 2H-NbSe₂表面上のTbフタロシアニン分子の吸着状態; 東北大多元物質科学研; 塚原規志, 米田忠弘
^●7: 取　　消
8: Si(111)√3×√3-B基板上に低温蒸着したビスマス超薄膜のアニールによる構造変化; 東工大理, 東工大物質理工^A; 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛^A, 平山博之
9: 異なる単層構造を持つGaSeの構造と電子状態に関する第一原理計算; 北陸先端大, 東大物性研^A; 新田寛和, 米澤隆宏, 高村（山田）由起子, 尾崎泰助^A
10: 表面ナノ構造でのフォノン超潤滑; 愛教大, 静岡大^A, 電通大^B, 東大^C; 和田範之, 石川誠^A, 鈴木勝^B, 志賀拓摩^C, 塩見淳一郎^C, ^◯三浦浩治

11日 B206会場　11aB206　9:00〜12:00

領域8（11番目のみ領域4，領域9と合同）
磁性理論

1: LDA+DMFT法による重い電子系の多極子感受率; 埼玉大理工, 東北大金研^A, 立命館大理工^B; 星野晋太郎, 鈴木通人^A, 池田浩章^B
2: セリウム系重い電子化合物に対するLDA+DMFTの適用; 立命館大理工, 埼玉大理工^A, 東北大金研^B; 池田浩章, 星野晋太郎^A, 鈴木通人^B
3: LDA+DMFT法によるYb系化合物の価数状態と準粒子スペクトル; 東北大金研, 埼玉大理工^A, 立命館大理工^B; 鈴木通人, 星野晋太郎^A, 池田浩章^B
4: CeCoIn₅ の高磁場・低温超伝導相内の反強磁性秩序への不純物効果; 京大院理; 丹下真希, 池田隆介
5: Ce化合物共鳴X線発光分光による近藤1重項形成プロセスの理論研究; JASRI, 阪府大院工^A; 雀部矩正, 魚住孝幸^A
6: 半金属的伝導バンド構造を持つ近藤格子の超伝導発現機構; 埼玉大理工, 理研CEMS^A; 飯村翔馬, 平山元昭^A, 星野晋太郎

休憩　（10:30〜10:45)

7: 2チャンネルアンダーソン格子模型における四極子秩序と超伝導II; 阪大院基礎工, 阪大先端強磁場^A; 鶴田篤史, 三宅和正^A
8: 第一原理計算によるPr1-2-20系のRKKY相互作用と四極子秩序; 新潟大院自然, 東理大理工^A, 新潟大理^B; 飯塚優人, 山田武見^A, 半澤克郎^A, 大野義章^B
9: 1次元2チャンネル近藤格子模型の有効模型における量子相転移と基底状態; 東北大理; 紅林遊野, 柴田尚和
10: 重い電子系におけるトポロジカル・ミラー磁性体：セミメタル&ハーフメタル; 京大理^A, 筑波大数理^B; 木村和博^A, 吉田恒也^B, 川上則雄^A
11: 重い電子系におけるバルクトポロジカルフェルミアーク; 原子力機構シ計セ, Fudan Univ.^A, Massachusetts Inst. of Tech.^B; 永井佑紀, Yang. Qi^A, 磯部大樹^B, Vladyslav Kozii^B, Liang Fu^B

11日 C115会場　11aC115　9:00〜12:15

領域9
表面界面ダイナミクス

1: Ni表面におけるメタン分解反応：耐コーキング被毒触媒デザインを目指して; 明石高専^A, 阪大工^B, 東大生研^C, 阪大^D; Ryan Lacdao Arevaloa^A, ^◯中西寛^{A, B, C}, Susan Meñez Aspera^A, Elvis Flaviano Arguelles^A, Vera Khoirunisa^A, 笠井秀明^{A, D}
2: 電界印加時のBCC Fe(001)におけるFeおよびCuの表面拡散の第一原理計算; 電中研; 大沼敏治
3: 分子動力学シミュレーションによる金基板自己組織化単分子膜の振動解析; 名工大工; 浦長瀬正幸, 尾形修司
4: In/Si(111)表面上のフタロシアニン分子における分子間相関の被覆率依存性; 京大院理; 八田振一郎, 綾遥奈, 奥山弘, 有賀哲也
5: 波長分散型X線CTR散乱法によるBi超薄膜成長過程の原子レベル構造解析; 産総研, 学芸大^A; 白澤徹郎, Wolfgang Voegeli^A, 溜池裕太^A, 荒川悦雄^A, 高橋敏男^A
6: 取　　消

休憩　（10:30〜10:45)

7: （招待講演）固体表面の対称性の破れに誘起される水分子凝集系の配向秩序と電荷移動ダイナミクス; 分子研; 杉本敏樹
8: 赤外吸収による水素終端Si(110)-(1×1)表面のH-Si伸縮振動モードの解析 III; 東北大院理, 東北大 AIMR^A, 東大物性研^B; 江口豊明, 赤木和人^A, 河野純子, 川本絵里奈, 芳賀健也, 吉信淳^B, 須藤彰三
9: 原子間力顕微鏡によるCu(110)表面上のNO単分子のトグルスイッチ制御; 東大新領域; 塩足亮隼, 尾谷卓史, 杉本宜昭
10: 散射雑音より小さな揺らぎの計測法と応用; 慶大日吉物理; 三井隆久, 青木健一郎
11: 表面融解の性質の測定と解析; 慶應義塾大日吉物理; 青木健一郎, 三井隆久

11日 C116会場　11pC116　13:30〜17:25

領域9，領域5
時間分解プローブを駆使した表面・界面科学及び結晶成長の進展と展望

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 山口大工; 麻川明俊
2: （一般シンポジウム講演）原子間力顕微鏡でリアルタイム可視化する生体/人工超分子の重合ダイナミクス; 名大理; 内橋貴之
3: （一般シンポジウム講演）時間分解光電子顕微鏡による2次元半導体の光キャリアダイナミクス観察; 高エネ研; 福本恵紀
4: （一般シンポジウム講演）X線自由電子レーザーSACLAを用いたアナターゼ型TiO2ナノ粒子のフェムト秒時間分解X線吸収分光; 農工大院工; 三沢和彦

休憩　（15:10〜15:25)

5: （一般シンポジウム講演）プラズモニックナノプローブを用いた生体分子の時分割１分子イメージング; 分子研; 飯野亮太
6: （一般シンポジウム講演）放射光X線を用いた有機薄膜トランジスタのその場観察技術開発（結晶成長からオペランド計測まで）; JASRI/SPring-8; 渡辺剛
7: （一般シンポジウム講演）高温真空レーザー顕微鏡を用いたSiC溶液成長界面のナノスケールステップダイナミクス; 東北大院工; 松本祐司
8: （一般シンポジウム講演）電子・光照射によるシリサイド形成反応と半導体フォトカソードを用いたパルス電子顕微鏡の開発; 阪大超高圧電顕; 市川修平

11日 K201会場　11pK201　13:30〜17:15

領域横断（理事会）
60 years of Physical Review Letters（Condensed Matter）
American Physical Society

^●1: （共催シンポジウム講演）Opening address and aim of the symposium; CEA, Saclay, France; Chaté Hugues
^●2: （共催シンポジウム講演）60 years of PRL: looking back and forward; Physical Review Letters, APS; Samindranath Mitra
^●3: （共催シンポジウム講演）Exotic phenomena caused by spin-orbit coupling; Sci. Eng., Waseda Univ.; Akari Takayama
^●4: （共催シンポジウム講演）Magnetic skyrmions : Particles and Strings; CEMS, RIKEN; Shinichiro Seki
^●5: （共催シンポジウム講演）Spin Mechatronics - A.Einstein meets Spintronics -; RIKEN, CEMS; Sadamichi Maekawa

休憩　（15:30〜15:45)

^●6: （共催シンポジウム講演）The KPZ universality class: a glimpse of different physical problems from interface experiments; Dept.Phys. UT; Kazumasa Takeuchi
^●7: （共催シンポジウム講演）Mathematical Physics of Quantum Spin Chains: Haldane Phenomena, AKLT Model, and Topological Phase Transition; Sci. Gakushuin Univ.; Hal Tasaki
^●8: （共催シンポジウム講演）Cold Atom Quantum Simulator; Dept. Sci., Kyoto Univ.; Yoshiro Takahashi

12日 C116会場　12aC116　9:30〜12:15

領域9
表面界面電子物性

1: Ge(111)基板上Pbの2次元構造と超伝導特性; 東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, School of Natural Sci., Far Eastern Federal Univ.^B; 遠山晴子, H. Huang, 中村友謙, L. V. Bondarenko^A, A. Y. Tupchaya^A, D. V. Gruznev^A, 高山あかり, A.V. Zotov^{A, B}, A.A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司
2: 単層FeSeの超伝導特性におけるSrTiO₃基板の表面超構造依存性; 東工大理; 田中友晃, 秋山健太, 芳野諒, 一ノ倉聖, 平原徹
3: 磁性半導体CuFeS₂の熱電性能の最適化; 筑波大数物^A, NIMS MANA^B, NIMS RCSM^C, NEC^D; 高木博和, 小林一昭, 下野昌人, 小林伸彦, 広瀬賢二, 辻井直人, 森孝雄
4: スマネン誘導体を用いた高い伝導性と安定性をあわせもつ単分子接合の作製; 東工大理, 埼玉大院理工^A; 岩根まどか, 藤井慎太郎, 木口学, 古川俊輔^A, 斎藤雅一^A

休憩　（10:30〜10:45)

5: 磁性トポロジカル絶縁体ヘテロ構造における強磁性とサイズ効果の協奏・競合; 東工大理, 筑波大数理物質^A; 奥山裕磨, 石川諒^A, 黒田眞司^A, ^◯平原徹
6: トポロジカル絶縁体TlBiSe₂上のBi(111)薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, 京産大理^D; 渡邉育子^A, Chi Xuan Trang^A, 中村剛慶^A, 菅原克明^{A, C}, 相馬清吾^{B, C}, 中山耕輔^A, 瀬川耕司^D, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B}
7: Bi原子吸着In原子鎖における新奇1次元Rashba効果の第一原理的研究; 東工大物質理工; 田中友規, 合田義弘
8: In/Si(111)-(√7×√3)のフェルミ面における特異なラシュバスピンテクスチャ; 千葉大院融合, 東大物性研^A, Univ. Wisconsin-Milwaukee^B, 物材機構^C, 千葉大院工^D; 小林宇宏, 中田慶隆, 矢治光一郎^A, 獅子堂達也^B, 吉澤俊介^C, 小森文夫^A, 辛埴^A, 内橋隆^C, 坂本一之^D
9: Si(111)表面上のIn単原子層金属の形成と電子状態; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
10: レーザーSARPESによる銀薄膜の量子井戸準位に依存したスピン分裂の観測; 東大物性研; 野口亮, 黒田健太, 矢治光一郎, 原沢あゆみ, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 辛埴, 近藤猛

12日 C117会場　12aC117　9:00〜11:45

領域3（後半6〜10番目のみ領域9と合同）
ナノ粒子・薄膜・人工格子磁性・表面界面磁性

1: 横磁場によるスキルミオン格子の変形; 名大院工; 中島拓朗, 小山莉央, 川口由紀
2: 金属ナノ粒子(Pd, Pt)のNMRによる研究; 京大院物理, 京大院化学^A; 奥野友則, 米川和志, 真砂全宏, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平^A, 小林浩和^A, 北川宏^A
3: Pt L端時間分解X線磁気円二色性測定でみるFePt薄膜の磁化ダイナミクス; 東大物性研^A, 東大理^B, JASRI^C, 分子研^D, KEK物構研^E, 兵県大理^F, 理研^G, 東北大金研^H; 山本航平^{A, B}, 久保田雄也^C, 平田靖透^{A, B}, 田久保耕^A, 上村洋平^D, 深谷亮^E, 田中健太^F, 西村渉^F, 大河内拓雄^C, 鈴木基寛^C, 片山哲夫^C, 富樫格^C, 足立伸一^E, 玉作賢治^G, 矢橋牧名^{C, G}, 田中義人^F, 関剛斎^H, 高梨弘毅^H, 和達大樹^{A, B}
^●4: Investigation of Ir magnetism in LaMnO₃/SrIrO₃ superlattices by hard X-ray magnetic circular dichroism; Univ. of Tokyo, Tsinghua Univ.^A, SPring-8/JASRI^B, Beijing Normal Univ.^C, Nanyang Technological Univ.^D; Yujun Zhang, Liang Wu^A, Motohiro Suzuki^B, Yasuyuki Hirata, Kohei Yamagami, Keisuke Ikeda, Kohei Yamamoto, Xin Liu^C, Jinxing Zhang^C, X. Renshaw Wang^D, Yuanhua Lin^A, Cewen Nan^A, Hiroki Wadati
5: 1次元マグノニック結晶におけるトポロジカルな静磁波モード形成; 東大先端研, 北京大量子材料^A; 中田陽介, 進藤龍一^A, 中村泰信, 宇佐見康二

休憩　（10:15〜10:30)

6: Si基板上に作製したCoFe2O4/Al2O3多層膜界面における磁気的デッドレイヤーの起源とその修復; 東大理, 東大工^A, 広大院先端物質^B, KEK物構研^C, 東大CSRN^D; 野中洋亮, 若林勇希^A, 芝田悟朗, 坂本祥哉, 池田啓祐, 池震棟, 万宇軒, 鈴木雅弘, 田中新^B, 酒巻真粧子^C, 雨宮健太^C, 田中雅明^{A, D}, 中根了昌^A, 藤森淳
7: Cu K吸収端共鳴X線磁気散乱によるCo/Cu(001)多層膜中のCu層の磁気構造; 奈良先端大物質; 岩下晃大, 細糸信好, 吉田明弘, 小西卓, 軸屋喜智
8: Co K吸収端共鳴X線磁気散乱によるFe/Au/CoO膜の交換磁気異方性と間接交換相互作用; 奈良先端大先端科学技術; 吉田明弘, ^◯細糸信好
9: 遷移金属の吸着に伴う量子井戸バンドの変調を用いたPd(100)超薄膜の磁性制御; 東大物性研, 慶大理工^A, 島根大総合理工^B; 櫻木俊輔^A, 影島博之^B, 佐藤徹哉^A
10: 有機金属錯体ナノクラスターの分子磁性; 物材機構MANA; 櫻井亮, P. Koley, 青野正和