日本物理学会第76回年次大会（2021年）

1: Pd-Si系、Pd-SiO₂系粒子の形態と構造に関する研究; 東北学院大工; 鈴木仁志, 津田陸登, 後藤紘貴, 小松豊
2: 多軸制御RHEEDシステムの構築による立体構造任意表面の逆空間マップ評価; 奈良先端大先端科学, 阪大産研^A, 米子高専^B; 髙橋駿太, 山本幸弘, Liliany N. Pamasi, 清水智也, 服部梓^A, 田中秀和^A, 桃野浩樹^B, 服部賢
3: 2成分系による2次元コロイド結晶形成; 金沢大IMC; 佐藤正英
4: 鉄の気相からの凝縮核生成の分子動力学計算; 東北大理; 田中今日子
5: 原子状水素曝露したTiO₂(110)表面の構造・電子状態と光触媒活性; 東学大, 京大院理^A, 東理大理^B, 東大生研^C, 原研先端基礎研^D; 藤本将秀, 松本益明, 長塚直樹^A, 山口友一^B, 内田悠生^B, 工藤昭彦^B, 福谷克之^{C, D}
6: 二次元飛行時間型アナライザを用いた超高速時間・角度分解レーザー光電子分光システムの開発; 東大物性研; 佐藤祐輔, 栗原貴之, 板谷治郎, 松田巌
7: Cu(001)表面上のFe薄膜に及ぼす酸素・窒素サーファクタントの影響; 東工大物質理工, 東工大理^A, 東大物性研^B; 木村彰博, 森井七生, 佐藤圭介, 長友慶, 小澤健一^A, 小森文夫^B, 飯盛拓嗣^B, 平山博之^A, 中辻寛
8: n-type Si(111)√3×√3-B表面上のBi(110)超薄膜の電子状態; 東工大物質理工, 東工大理^A, 東大物性研^B; 中村玲雄, 勝俣錬, 潮田亮太^A, 大内拓実, 小森文夫^B, 飯盛拓嗣^B, 平山博之^A, 中辻寛
9: Si(111)√3×√3-(Bi,In)表面の電子状態; 東工大物質理工, 東工大理^A, KEK-PF^B, 東大物性研^C; 勝俣錬, 中村玲雄, 金野達, 木村彰博, 大内拓実, 永友慶, 田中和也, 下川裕理, 小澤健一^A, 間瀬一彦^B, 小森文夫^C, 飯盛拓嗣^C, 平山博之^A, 中辻寛
10: 低温で生成したイットリウム水素化物の点接合分光実験; 九大院工; 山口大志, 宮川一慶, 高田弘樹, 稲垣祐次, 河江達也
11: ヘキサベンゾコロネン誘導体(HB-HBC)吸着によるSi(111)-Ag表面IET構造の局所変化; 横浜市大院生命ナノ; 元島順, 鈴木奈央子, 横山崇
12: 原子秩序ファセット表面をもつ多様な三次元Si構造の創成; 奈良先端大, 阪大産研^A, 大連交通大^B; 東嵩晃, Aydar Irmikimov, 楊浩邦, 阪井雄也, Emilia E. Hashamova, 服部梓^A, 大坂藍^A, 田中秀和^A, 郭方准^B, X. Q. Shi^B, 服部賢
13: Si(110)3×2-Bi表面の構造解析; 東工大物質理工, 東工大理^A, 産総研^B; 諸貫亮太, 大内拓実, 永友慶, 森井七生, 金野達, 白澤徹郎^B, 平山博之^A, 中辻寛
14: Pb/Si(111)-√3×√3表面超構造における構造の原子密度依存性：全反射高速陽電子回折法とデータ駆動科学による構造解析; 早大先進理工, 鳥取大院工^A, KEK物構研SPF^B; 濱田雅史, 辻川夕貴, 武田智也, 阪田大志郎^A, 望月出海^B, 星健夫^A, 兵頭俊夫^B, 高山あかり
^●15: Sum Frequency Generation Vibrational Spectroscopy of Polyimide Containing Steroidal Structure Side Chains; Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech., JSR Corp.^A; Thi Trinh Nguyen, Thi Thu Hien Khuat, Goro Mizutani, Yoshitaka Murakami^A, Takashi Okada^A
16: 共役系サイズ変調による単分子の電気伝導度と電子構造変化; 東工大院理; 一色裕次, 西野智昭, 藤井慎太郎
17: 多孔質金における孔の熱粗大化に対する気圧の影響; 東北学院大, 産総研^A; 桑野聡子, 笠原務, 熊谷勇真, 小野文裕, 古関健人, 齋藤雅史, 真舘渉, 渡邊竜也, 文堂司, 赤間浩大, 菊池雅樹, 山口有朋^A
18: グラフェン担持白金ナノ微粒子触媒における酸素還元反応の第一原理分子動力学シミュレーション; 量研量子ビーム; 池田隆司
19: Cu(001)上のアラニン分子吸着における表面電子状態の変化; 宇大工; 岩井秀和
^●20: Electronic Band Structures of Puckered Group-V Two-Dimensional Materials: Group Theoretical Analysis; Grad. Sch. of Nat. Sci. and Tech. Kanazawa Univ.^A, Fac. of Math. and Phy., Kanazawa Univ.^B, Phys Dept., Inst. Tech. Bandung^C; Muhammad Y.H. Widianto^A, Aflah Zaharo^{A, C}, Nuning A. P. Namari^A and Mineo Saito^B
21: 有機分子を吸着させたチタニアナノシートの第一原理分子動力学計算; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 吉次大地, 小川大介, 福島省吾, 高良明英, 島村孝平^A, 原正大^A, 船津麻美^A, 下條冬樹^A
^●22: Challenge of molecular reaction induced by hot carriers on MOS structure; Grad. Sch. Sci. Tech., Nara Inst. Sci. Tech.; Yang Haobang, Mio Nishida, Higashi Takaaki, Aydar Irmikimov, Ken Hattori
^●23: Radio Frequency (RF) caused Splitting of Bogoliubov Quasiparticles in NbSe₂; Dept. of Chemistry, Grad. Sch. of Sci., Tohoku Univ., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.^A; Mohammad Ikram Hossain, Ferdous Ara^A, Syed Mohammad Fakruddin Shahed^A, Tsuyoshi Takaoka^A, Tadahiro Komeda^A
24: 原子層ラシュバ型超伝導体の電子輸送研究; 北大理, 物材機構^A, 阪大工^B, 千葉大融合^C, 東大物性研^D; 横田健太^A, 吉澤俊介^A, 小林宇宏^B, 中田慶隆^C, 矢治光一郎^{A, D}, 小森文夫^D, 辛埴^D, 坂本一之^B, 内橋隆^A
25: Ⅳ族2次元物質のバンド構造：2重群に基づく解析; 金沢大自然, 金沢大理工^A, アスムス^B; 山口悠樹, Thomas Ariasoca, Salsabila Amanda Putri, 斎藤峯雄^A, 田上勝規^B
^●26: Cu/SiC(0001)上に成長したディラックノーダルライン物質Cu2Siの結晶成長とその評価; 東大理, Jiaotong Univ.^A; Liu Shengpeng, 保原麗, 秋山了太, 長谷川修司, W. X. Zhang^A, J. Z. Zhang^A, C. Liu^A
27: InSb/α-Sn(111)/InSb(111)Bのトポロジカル界面電子状態; 阪大理, 阪大生命^A, 分子研^B; 仲矢透, 大坪嘉之^A, 中村拓人, 木村真一^{A, B}
28: 低温での金基板とグラファイト基板のナノ滑り摩擦の測定Ⅱ; 電通大基盤理工, 愛教大物理^A; 藤塚聡, 財部彩, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠^A, 三浦浩治^A

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ポスターセッション