日本物理学会第76回年次大会（2021年）

1: 有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃およびα-(BETS)₂I₃の絶縁体化機構; 名大理, 東大物性研^A, 北京量子信息科学研究院^B; 大木大悟, 小林晃人, 吉見一慶^A, 三澤貴宏^B
2: 新規電荷移動錯体κ-(BEST)₂Cu₂(CN)₃の基礎物性と圧力下電気抵抗; 埼玉大院理工^A, 埼玉大研究機構^B; 櫻井健人^A, 小林拓矢^A, 谷口弘三^A, 佐藤一彦^A, 道村真司^{A, B}, 小坂昌史^A
^●3: X-ray irradiation effect on spin-singlet transition in organic salt (BEDT-TTF)Cu[N(CN)₂]₂; Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Univ. of Yamanashi^A, RIKEN^B, Kumamoto Univ.^C, SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.^D; M. K. Nuryadin, S. Iguchi, N. Yoneyama^A, Y. Oshima^B, T. Tsumuraya^C, T. Moriwaki^D, Y. Ikemoto^D and T. Sasaki
4: 傾斜エックス線照射により分子欠陥を導入した強相関分子性導体の赤外反射スペクトル測定; 東北大金研, 山梨大工^A, SPring-8/JASRI^B; 佐藤直道, 桐野友輝, 井口敏, 古川哲也, 杉浦栞理, 米山直樹^A, 池本夕佳^B, 森脇太郎^B, 佐々木孝彦
5: 一次元1/4充填有機導体におけるビーム状電場パルスを用いたソリトン対の生成; 大阪市大工; 杉田太樹, 寺井章
6: 擬一次元有機導体(DMET-TTF)₂AuBr₂ の電子物性Ⅳ; 北大院理; 加藤大賀, 飯田瑶平, 佐々木義明, 澤田賢志, 松永悟明, 河本充司, 野村一成
7: 拡張空間異方的三角格子における基底状態の磁気相図と有機反強磁性体への適用; 広大院先端, 広大院先進理工^A; 河野佑紀, 嶋原浩^A
8: 半導体型ナノ材料における熱電物性の一次元性; 都立大, 東理大^A, 早大^B, 名大^C; 一ノ瀬遥太, 松原愛帆^A, 蓬田陽平, 吉田朱里, 上治寛, 金橋魁利^B, 蒲江^C, 竹延大志^C, 山本貴博^A, 柳和宏
9: FeCrCr系ヘキサシアノ金属錯体薄膜における表面磁化状態の観察; 筑波大院数理, 東大理化^A; 矢作祐士, 中川幸祐^A, 大越慎一^A, 所裕子
10: 新規有機電荷移動錯体(BEST)₂CuCl₂における10 K級圧力誘起超伝導の発見; 埼玉大院理工, 東大物性研^A; 菅原佳哉, 天川智之, 小林拓矢, 谷口弘三, 佐藤一彦, 郷地順^A, 上床美也^A
11: 層状有機超伝導体β”-(ET)₂[(H₂O)(NH₄)₂Cr(C₂O₄)₃]・18-crown-6におけるFFLO超伝導; 東北大金研, 筑波大^A, 物材機構^B, Nottingham Trent Univ.^C, 阪大院理^D; 杉浦栞理, 森定恭平^{A, B}, 寺嶋太一^B, Toby Blundell^C, Lee Martin^C, 圷広樹^D, 中澤康浩^D, 宇治進也^{A, B}, 佐々木孝彦
12: 有機超伝導体β-(BEDT-TTF)₂I₃における光励起キャリアダイナミクスの温度特性; 北大院工, 埼玉大理^A; 永田憲正, 土屋聡, 中川紘一, 谷口弘三^A, 戸田泰則
13: 1次元1/4 filled SSH-拡張ハバードモデルにおける基底状態と励起状態の解析; 山形大院, 山形大^A, 名工大院^B; 小野真衣香, 安東秀峰^A, 高橋聡^B, 富田憲一^A
14: 1/2充填バンド構造を有する(TMTTF)X系の結晶構造; 名大院工, 分子研^A; 張力東, 鬼頭俊介, 片山尚幸, 中村敏和^A, 澤博
15: カーボンナノチューブのフォトエミッション; 千葉大, 東大; 山本蒼波, Peter Krueger, 柳沢啓史
16: 蝶ネクタイ型ナノグラフェンにおける電子状態のドーピング効果; 成蹊大理工; 飯田怜央, 富谷光良, 坂本昇一
17: センサー感応膜への応用を想定したナノグラフェン膜の電気特性; 室工大院工; 小山内蓮, 柴山義行
18: Pd(dmit)2塩の第一原理ハミルトニアンの有限温度依存性; 東大物性研, 北京量子信息科学研究院^A, 熊本大院先導機構^B; 吉見一慶, 三澤貴宏^A, 圓谷貴夫^B
19: 高圧下におけるC₂₈H₂₅N₃O₃Sの発光特性と構造; 室蘭工大; 武田圭生, 夏見浩志郎, 林純一
20: ベイズ分光を用いた有機FETのゲート電圧変調スペクトル解析とその成分選択; 熊大技術部, 熊大院自然^A, 熊大産ナノ研^B, 阪市大院理^C; 岩満一功, 東山享平^A, 熊添博之^B, 鐘本勝一^C, 赤井一郎^B

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