日本物理学会第76回年次大会（2021年）

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 青学大・電気電子; 春山純志
2: （一般シンポジウム講演）スピントロニクスの人工神経回路網応用; 東北大・通研; 深見俊輔
3: （一般シンポジウム講演）トポロジカル材料を用いた超低損失スピン素子の提案; 東北大・金材研; 野村健太郎
4: （一般シンポジウム講演）強化学習による量子制御; 東京大学・物理; 上田正仁

5: （一般シンポジウム講演）ニューラルネットワーク用ハードウエアとスピン波リザバーコンピューテイング; 東京大学・電気系; 廣瀬明
6: （一般シンポジウム講演）物理リザバー・コンピューティングのダイナミクス; IBM東京基礎研究所; 山根敏志
7: （一般シンポジウム講演）ニューロミメティックコンピューティングのためのハードウェア基礎技術; 東京大学・生研; 河野崇
8: （一般シンポジウム講演）まとめ; 東京大学・ニューロインテリジェンス国際研究機構; 合原一幸

1: アンドープGaAs/AlGaAs量子井戸構造を用いた面内P-(i)-N接合の作製と評価; 阪大産研, ボーフム大学^A; 柳谷諭, 藤田高史, 福田源希, J. Ritzmann^A, Arne Ludwig^A, Andreas Dirk Wieck^A, 大岩顕
2: Nb/V/Ta超伝導人工格子における非相反臨界電流; 京大化研, 京大理^A; 河原崎諒, 宮坂優太, 安藤冬希, 李恬, 池田侑平^A, 石塚淳^A, 成田秀樹, 久富隆佑, 塩田陽一, 森山貴広, 大同暁人^A, 柳瀬陽一^A, 小野輝男
^●3: アンダーソン絶縁体におけるバルク光電流3; 東工大理, 東大工^A, 理研CEMS^C; 石塚大晃, 永長直人^{A, B}
^●4: Symmetry-engineered van der Waals interface with in-plane electronic polarization and spontaneous photovoltaic effect; QPEC & Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, Nanjing Univ.^B, NIMS^C, RIKEN CEMS^D; Yu Dong^A, Toshiya Ideue^A, Takatoshi Akamatsu^A, Ling Zhou^B, Sota Kitamura^A, Mao Yoshii^A, Masaru Onga^A, Yuji Nakagawa^A, Kenji Watanabe^C, Takashi Taniguchi^C, Junwei Huang^B, Takahiro Morimoto^A, Hongtao Yuan^B, Yoshihiro Iwasa^{A, D}
5: アンドープGaAs/AlGaAs電子量子ドットにおけるパウリスピン閉塞の観測と光照射下の安定性の研究; 阪大産研, ルール大ボーフム^A, 東北大工^B; 福田源希, 林亮太, 藤田高史, Julian Ritzmann^A, Arne Ludwig^A, 好田誠^B, 新田淳作^B, Andreas D Wieck^A, 大岩顕
6: 横型量子ドット上の表面プラズモンアンテナの設計と特性評価; 阪大産研, ルール大ボーフム^A; 深井利央, 酒井裕司, 藤田高史, 木山治樹, Arne Ludwig^A, Andreas Dirk Wieck^A, 大岩顕

7: エピタキシャルAl/InAs量子井戸構造を用いた量子ポイントコンタクト付きジョセフソン接合の特性; 阪大産研, カリフォルニア大サンタバーバラ校^A; 井手西広樹, 木山治樹, 林望, Mihir Pendharkar^A, Chris J. Palmstrøm^A, 大岩顕
8: 数値くりこみ群によるボゾンの粒子浴に接続された超伝導量子ビットの解析; 三重大院工, アアルト大学^A; 寺谷義道, 内海裕洋, Dmitry S. Golubev^A
9: 金属超薄膜における電場侵入効果; 阪大理^A, 物材機構^B, 阪大CSRN^C, JST-PRESTO^D, 東大理^E; 岩切秀一^A, 杉本聡志^B, 新見康洋^{A, C}, 葛西伸哉^{B, D}, 小林研介^{A, E}
10: トップゲート付き超伝導体/InAs二次元電子ガス/超伝導体接合の輸送特性; 東大物性研; 鬼嵜誠, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾
11: 音響電流を用いた金属二次元伝導の研究; 東大理; 川田拓弥, 河口真志, 林将光

1: トポロジカル超伝導におけるヘリカルクーパー対により引き起こされる異常スピンネルンスト効果; 阪大院基礎工, 東北大理^A, ルイジアナ州立大学^B; 松下太樹, 安藤慈英, 正木祐輔^A, 水島健, 藤本聡, Ilya Vekhter^B
2: トポロジカル結晶超伝導体表面におけるマヨラナスピン流; 名大理; 山崎勇樹, 船戸匠, 山影相
3: 2次元カイラルp波超伝導体における内因性異常熱Hall効果; 阪大院基礎工; 安藤慈英, 丸尾昂平, 水島健, 藤本聡
4: 結晶対称性に保護された超伝導渦中のマヨラナ状態; 理研CEMS^A, 理研^B; 小林伸吾^A, 古崎昭^{A, B}
5: トポロジカル超伝導体における内因性逆スピンホール効果; 阪大院基礎工; 荻原惇, 松下太樹, ^○水島健
6: 準結晶におけるトポロジカル超伝導; 東理大理, Univ. of Saskatchewan^A; Rasoul Ghadimi, 杉本貴則, Kaori Tanaka^A, ^○遠山貴巳

7: ノーダルライン半金属におけるホール電導度と磁場角度依存性; 東大理, IFWドレスデン^A; 立石幾真, Viktor Koenye^A, 松浦弘泰, 小形正男
8: フロケディラック半金属におけるエッジ状態の境界条件依存性; 筑波大院数物, 筑波大数物系^A, 筑波大計算科学セ^B; 張博源, ^○日野健一^A, 前島展也^B
9: ワイル半金属における内因性・外因性ホール効果と縦伝導度; 東北大金研; 小林浩二, 野村健太郎
10: トポロジカルディラック半金属の表面状態を介したスピン輸送理論; 原子力機構先端基礎, BAQIS^A, 東北大金研^B, 東北大CSRN^C; 荒木康史, 三澤貴宏^A, 野村健太郎^{B, C}

1: （若手奨励賞）（若手奨励賞）若手奨励賞選考報告および授賞式; 筑波大数理物質; 岡田晋
2: （若手奨励賞）（若手奨励賞）有機強相関電子系における新奇電子相の開拓と制御に関する研究; 東大工; 大池広志
3: （若手奨励賞）（若手奨励賞）第一原理計算に基づく高圧下における硫化水素超伝導相の研究; 東大理; 明石遼介

4: （企画講演）分子性固体における物性研究の新展開 (第14回若手奨励賞); 分子研; 山本浩史
5: （企画講演）有機導体における強相関トポロジカル相の発見; 東北大金研; 平田倫啓
6: （企画講演）電荷自由度と幾何学的フラストレーションがもたらす新奇相の理論的研究; 立命館大総研機構; 渡部洋

1: （共催シンポジウム講演）概要と趣旨説明; 東大工・CSRN, 電気系; 田中雅明
2: （共催シンポジウム講演）電子スピン波情報担体創発に向けた物性開拓; 東北大工; 好田誠
3: （共催シンポジウム講演）スピントロニクス素子における電流誘起トルク; 慶大理工; 安藤和也
4: （共催シンポジウム講演）オールエピタキシャル単結晶ヘテロ接合を用いた新スピン機能創成; 東大工; 大矢忍
5: （共催シンポジウム講演）集積スピンサイバーフィジカルシステムによる力覚センシングに向けた取り組み; 阪大産研; 千葉大地

6: （共催シンポジウム講演）反強磁性体テラヘルツスピントロニクスに向けて; 京大化研; 森山貴広
7: （共催シンポジウム講演）量子ネットワークに向けた量子ドットを使った光子ースピン量子インターフェースの研究; 阪大産研; 大岩顕
8: （共催シンポジウム講演）半導体量子ドットを用いた電子スピン状態の測定と制御; 東北大通研; 大塚朋廣
9: （共催シンポジウム講演）ダイヤモンドNV中心を用いた核スピン検出と制御; 理研CEMS; 阿部英介
10: （共催シンポジウム講演）マグノンを使ったマイクロ波ー光変換器の展望; 東大先端研; 宇佐見康二

1: 非エルミートなチャーン絶縁体におけるバルク—境界対応; 広大院先進; 高根美武
2: 非エルミートWeyl半金属におけるカイラル磁気表皮効果; 京大基研; 中村大地, 別所拓実, 佐藤昌利
3: 量子異常下ディフェクト触媒効果としての非エルミート表皮効果; 京大基研; 大熊信之, 佐藤昌利
4: PT対称な系における非エルミート版ファブリー・ペロー共鳴; 広大先進理工, 東大生産研^A; 生部賢, 倉本啓一, ^○井村健一郎, 羽田野直道^A
5: 非エルミートトポロジカル場の理論; 東大理, 京大基研^A, プリンストン大^B; 川畑幸平, 塩崎謙^A, 笠真生^B

6: 非エルミート表皮効果の臨界現象のスケーリング則; 東工大^A, 元素戦略セ^B; 横溝和樹^A, 村上修一^{A, B}
^●7: 取　　消
8: 2種の2次元高次トポロジカル表皮効果; 東北大情報, 東工大理^A; 奥川亮, 高橋亮^A, 横溝和樹^A
9: 拡散現象におけるバルク-エッジ対応; 筑波大数理; 吉田恒也, 初貝安弘
10: 量子ウォーク系におけるバルクエッジ対応の破; 京大基研^A, 北海道大^B; 別所拓実^A, 望月健^B, 小布施秀明^B, 佐藤昌利^A

1: グラフェンにおける光誘起異常Hall効果の理論的研究; 筑波大計科セ, Beihang Univ.^A, Max-Planck Inst.^B; 佐藤駿丞, P. Tang^A, M. A. Sentef^B, U. De Giovannini^B, H. Hübener^B, A. Rubio^B
2: 斜め照射光渦ビームによる強磁場下2次元電子ガスの電流誘起の選択則とそのメカニズム; 工学院大, 放送大^A; 高橋浩久, 岸根順一郎^A
3: アニオン秩序を示す有機電子型強誘電体(TMTTF)₂BF₄におけるドメイン構造の光励起ダイナミクス; 東北大院理^A, 岡山理大理^B, Stuttgart大^C; 伊藤弘毅^A, 岸田晶穂^A, 川上洋平^A, 山本薫^B, Martin Dressel^C, 岩井伸一郎^A
4: 二次元拡張ハバード模型の光学伝導度の時間依存密度行列繰り込み群法による研究; 東理大理, 理研^A; 新城一矢, 玉城善貴, 曽田繁利^A, 遠山貴巳
5: スピンクロスオーバー相転移を示す複合磁性材料における、励起波長依存性をもった2つの光誘起状態; 東工大理, 神戸大理^A, 自治医大^B, KEK物構研^C; 中野真之介, 石川忠彦, 田久保耕, 沖本洋一, 腰原伸也, 東亮介^A, 宮脇敦大^A, 高橋一志^A, 佐藤文菜^B, 一柳光平^C, 深谷亮^C

6: （米沢賞受賞記念講演）相転移特性にもとづく新機能物性の開拓; 筑波大数理物質; 所裕子
^●7: （チュートリアル講演）Skyrmion lattice in chiral magnets using resonant elastic soft x-ray scattering; Diamond Light Source; van der Laan Gerrit

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 理研 CEMS; 多々良源
2: （一般シンポジウム講演）結晶カイラリティとフォノン; 放送大; 岸根順一郎
3: （一般シンポジウム講演）結晶カイラリティとスピン; 大阪府大; 戸川欣彦
4: （一般シンポジウム講演）反転対称性とスキルミオン格子形成; 東大新領域; 車地崇

5: （一般シンポジウム講演）原子核衝突でみる回転とスピンとカイラリティ; 東大理; 福嶋健二
6: （一般シンポジウム講演）カイラル結晶でのカイラル輸送現象と物質への応用; 東工大理; 村上修一
7: （一般シンポジウム講演）空間反転対称性が破れた電子流体における異常電磁応答：カイラル流体とのアナロジー; 京大理; 兎子尾理貴

1: RashbaおよびDresselhausスピン軌道相互作用競合下のSiGe量子井戸に閉じ込められた3種正孔のスピンテクスチャとBerry位相; 早大理工; 東条樹, 武田京三郎
2: ZnSnAs2中にドープされたMn原子の局所構造と磁性; 阪大院工; 下村忠央, 木崎栄年, 森川良忠
3: Graphene/FePd(001)表面上の第一原理電子状態計算; 神戸大工, 東北大CIES・工・CSRN・CSIS^A; 植本光治, 安達隼人, 永沼博^A, 小野倫也
4: CoFe-InGaAs複合系におけるスピンバルブ伝導の磁場方位・ゲート電圧依存性; 大阪工大, 北陸先端大^A; 山田省二, 藤元章, 添田幸伸^A, 赤堀誠志^A
5: 金属中電子のカイラル流体-流体力学を用いた角運動量生成理論-; 理研CEMS; 舟木博志, 多々良源
6: 超伝導体の内因的非相反臨界電流; 京大理; 大同暁人, 池田侑平, 柳瀬陽一

7: 空間反転対称性が破れたⅣ族原子層における電流誘起スピン偏極; 北大工; 大原浩平, 明楽浩史
8: 二重量子井戸における反平行スピンホール流の交流応答; 北大院工; 石川俊也, 明楽浩史
9: 三重障壁構造における電流誘起スピン偏極とスピン流; 北大院工^A, 横河電機^B; 鈴木雄太^{A, B}, 北川雄真^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A
10: narrow-gap半導体のNernst効果の非自明な温度依存性の起源; 東大工, 理研^A; 増木亮太, 野本拓也, 有田亮太郎^A

1: エニオンポンプのバルクエッジ対応; 筑波大数理; 工藤耕司, 久野義人, 初貝安弘
2: パイロクロア格子上の高次トポロジカルモット絶縁体; 理研R-CCS^A, 筑波大数理^B, 理研^C, 理研CEMS^D; 大塚雄一^A, 吉田恒也^B, 工藤耕司^B, 初貝安弘^B, 柚木清司^{A, C, D}
3: カゴメ格子上の電子系における磁気秩序; 東北大金研^A, 原研先端基礎研^B, 東北大CSRN^C; 渡邉成^A, 荒木康史^B, 野村健太郎^{A, C}
4: トポロジカル絶縁体におけるグリーン関数のゼロとエッジ状態の関係; BAQIS, 東大工^A; 三澤貴宏, 山地洋平
5: 相対論的および非相対論的な系におけるカイラル渦効果; 分子研, 理研仁科セ^A, 慶應大^B; 下出敦夫, 豆田和也^A, 早田智也^B
6: ステップインピーダンス共振器におけるヘリカルラッティンジャー液体の高周波輸送特性; パリ高等師範学校; Alexandre Gourmelon, ^○鎌田大, Jean-Marc Berroir, Gwendal Fève, Bernard Plaçais, Erwann Bocquillon

7: 単層黒リンのエッジおよびコーナー状態; 阪大理; 人見将, 川上拓人, 越野幹人
8: 磁場中の3次元ディラック・フェルミオンのコーナー状態; 茨大理工; 浅賀孝一, 福井隆裕
9: 絶縁体の多極子とコーナー電荷の関係; 東大物工; 渡辺悠樹
10: 1次元Fibonacci-Rice-Mele 模型でのでの電荷輸送; 東大工; 吉井真央, 北村想太, 森本高裕
11: 時間反転対称かつ空間反転対称な系におけるトンネルスピン流; 東大理; 鈴木裕太
12: 磁場中における空間反転対称性の破れた電子流体力学の定式化; 京大理; 佐野涼太郎, 兎子尾理貴, 川上則雄
13: 非平衡定常状態におけるトンネル電流の理論と非相反応答への応用; 東大工^A, 理研CEMS^B; 北村想太^A, 永長直人^{A, B}, 森本高裕^A

1: 有機半導体の電荷輸送における分子間振動と分子内振動の影響; 筑波大数物, NEC^A; 石井宏幸, 小林伸彦, 広瀬賢二^A
2: 有機半導体PE-BTBT-C_nにおける固相-液晶相間の競合と2次元キャリア輸送; 東大工, 産総研^A; 二階堂圭, 北原暁, 井上悟, 東野寿樹^A, 松岡悟志, 荒井俊人, 長谷川達生
^●3: Investigation of carrier dynamics in C₁₀-DNBDT-NW FET by low-temperature charge modulation spectroscopy; Dep. of Adv. Mat. Sci., Univ. of Tokyo^A, AIST^B, NIMS^C, JST PRESTO^D; Yang Han^A, Tatsuya Miyamoto^A, Noriaki Kida^A, Nobutaka Osakabe^A, Junto Tsurumi^C, Shun Watanabe^{A, D}, Toshihiro Okamoto^{A, D}, Jun Takeya^A, Hiroshi Okamoto^{A, B}
4: 有機半導体レーザの利得損失と共振状態; 東北大, AIMR^A, 北京量子信息科学研究院^B, インド教育研究院^C, 東北大院理^D; 谷垣勝己^{A, B}, カナガセカラン, サンガベル^C, 下谷秀和^D

5: 低パワーレーザー照射による少数原子層MoS₂への室温量子スピンホール相創出; 青学大理工, 東大物性研^A, 東大機械^B, Univ. Texas^C, Aarhus Univ^D, Univ. Autónoma de Madrid^E, 東大生研^F; 桂川直樹, 西澤実起, 中村武智^A, 井ノ上大樹^B, S.Pakdel^{C, D}, 丸山茂夫^B, 勝本信吾^A, J.J. Palacios^{D, E}, 春山純志^F
6: 原子層ノンドープBi₂Te₃ナノメッシュの細孔エッジ起因磁性; 青学大理工^A, 東大物性研^B, 東大生研^C; 小林隆^A, 峰彰秀^A, 徳田隆弘^A, 橋本義昭^B, 勝本信吾^B, 春山純志^{A, C}
7: 少数層MoS₂へのレーザー照射による一次元ショットキー接合創製とその特異な光応答; 青学大理工, 東大物性研^A, 東大機械^B, 東大生研^C; 長嶺泰, 佐藤純, Y. Quian^B, 井ノ上大樹^B, 中村武智^A, 丸山茂夫^B, 勝本信吾^A, 春山純志^C
8: 薄膜グラファイトにおける磁場に周期的な抵抗振動効果; 東大物性研; 田縁俊光, 長田俊人
9: スマネン分子が挿入された二層グラフェンの電子状態; 筑波大数理; 丸山実那, 岡田晋
^●10: Dynamics of a neon atom around the graphene edge under a positive electric field; Univ. of Tsukuba; 高燕林, 岡田晋
11: グラフェン上吸着芳香族分子における電子相関効果による断熱ポテンシャル面の理論的評価; 阪大基礎工; 大石泰弘, 草部浩一

1: 2重量子ドットの光電流におけるアハラノフ・ボーム効果; 慶大理工; 西田篤史, ^○江藤幹雄
^●2: Phase measurement in Kondo regime using double quantum dot in parallel II; 慶大理工, 東大物性研^A; Zhang Yujie, Rui Sakano^A, and Mikio Eto
3: 非対称なトンネル結合を持つ SU(4)量子ドット系における3体Fermi流体補正; 大阪市大理^A, 三重大院工^B, 東大物性研^C, 大阪市大 NITEP^D; 堤和彦^A, 寺谷義道^B, 阪野塁^C, 小栗章^{A, D}
4: 斥力U無限大不純物Anderson模型における高次Fermi流体補正; 大阪市大理, 三重大院工^A, 大阪市大 NITEP^B, 東大物性研^C; 和氣康平, 寺谷義道^A, 小栗章^B, 阪野塁^C
5: 非線形熱電輸送と定常熱力学へのS行列アプローチと拡張; 筑波大数理物質; 谷口伸彦
6: 量子ラビ模型を介した熱輸送; 東大物性研; 山本剛史, 加藤岳生
7: 量子ホールエッジチャネルを用いた量子ドット熱電機関における仕事率のトンネル速度依存性; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B; 小沼亮太^A, Chaojing Lin^A, 秦徳郎^A, 南陽貴^A, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A
8: GaN FET中量子ドット形成のチャネル長依存性; 東北大通研, ローム^A; 阿部峰也, 北田孝仁, 伊藤範和^A, 田中岳利^A, 中原健^A, 大塚朋廣

1: （企画講演）モアレ物質の新奇な物性; 阪大理; 越野幹人
2: twisted2層グラフェンにおけるPomeranchuk効果と集団的励起によるエントロピー; UCSB, Brown Univ.^A, NIMS^B, Weizmann^C; 斎藤優, Fangyuan Yang, Jingyuan Ge, Xiaoxue Liu^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, J.I.A. Li^A, Erez Berg^C, Andrea F. Young
3: ツイスト二層/二層グラフェンの第二電荷中性点における磁気抵抗振動の電場変調; 東大生研^A, 阪大理^B, 物材機構^C, CREST-JST^D; 金田譲^A, 増渕覚^A, 越野幹人^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, 町田友樹^{A, D}
4: AB積層4層グラフェンにおけるモアレ超格子の電子構造と輸送現象; 広大先進理工^A, 物材機構^B; 向井文哉, 堀井幸多^A, 中須賀智彰^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 八木隆多^A
5: 取　　消

6: 2層グラフェンの量子ホール反強磁性相の相転移と伝導機構; 東大工, NIMS^A, 理研CEMS^B; 田中未羽子, 谷口尚^A, 渡邊賢司^A, 樽茶清悟^B, 山本倫久^B
7: 強誘電物質でアシストされた2層グラフェン量子ポイントコンタクトの輸送特性; 千葉大院物質, 成均館大^A, 物材機構^B, SUNYバッファロー^C, アリゾナ州立大^D; 紙田祐吉, 坂梨昂平, 紙田祐吉, G.-H.Kim^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, J.P.バード^C, D.K.フェリー^D, 青木伸之
8: 極性超伝導体3R-TaSe₂の超伝導物性; 東大院工^A, 理研CEMS^B; 武藏摩紀^A, 田中勇貴^A, 松岡秀樹^{A, B}, 岩佐義宏^{A, B}, 中野匡規^{A, B}
9: グラフェン/WS2ジョセフソン接合における強いスピン軌道相互作用による強固な超伝導電流の観測; パリ・サクレー大, インペリアルカレッジ・ロンドン^A, 物材機構^B; 若村太郎, N. J. Wu, A. D. Chepelianskii, S. Gueron, M. Och^A, M. Ferrier, 谷口尚^B, 渡邊賢司^B, C. Mattevi^A, H. Bouchiat

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 産総研; 柳澤孝
2: （一般シンポジウム講演）非平衡近藤効果のFermi流体論：三体相関による補正; 大阪市大理; 小栗章
3: （一般シンポジウム講演）量子液体における三体相関の実験的検出; 東大理/阪大理; 小林研介
4: （一般シンポジウム講演）トポロジカル近藤絶縁体の電子状態; 阪大生命機能; 木村真一

5: （一般シンポジウム講演）冷却原子を用いた量子スピン輸送の研究; 京大理; 髙橋義朗
6: （一般シンポジウム講演）近藤効果と共形場理論; ブルゴーニュ大; 木村太郎
7: （一般シンポジウム講演）超高密度物質における重いフレーバー不純物とQCD近藤効果; 慶應大自然セ; 安井繁宏
8: （一般シンポジウム講演）冷却原子系における非エルミート近藤効果; 東大理; 中川大也
9: （一般シンポジウム講演）光格子中のアルカリ土類型原子気体における近藤効果の実時間ダイナミックス; 近大理工; 段下一平

1: （共催シンポジウム講演）材料研究のジャンプを目指して; 東工大・元素戦略センター; 細野秀雄
2: （共催シンポジウム講演）高性能多結晶材料創製に向けた多結晶材料情報学の開拓; 名大・工学研究科; 宇佐美徳隆
3: （共催シンポジウム講演）新規半導体・誘電体の開拓に向けたデータ駆動型材料探索; 東工大・科学技術創成; 大場史康
4: （共催シンポジウム講演）計算・データ科学を用いた磁気抵抗素子新材料の創出; 東北大・材料科学高等研; 水上成美

5: （共催シンポジウム講演）熱可塑性エラストマーにおける動的ネットワークのトポロジー解析; 東工大・物質理工; 中嶋健
6: （共催シンポジウム講演）理論化学・データ科学を利用した固体触媒の研究・開発を目指して; 北大・触媒科学研; 清水研一

1: 元素置換したノーダルライン半金属CaAgPに現れる高移動度キャリアと超伝導; 名大院工, 名大院理^A, 東工大フロンティア研^B, 京大工^C; 岡本佳比古, 三枝一茂, 篠田祐作, 山影相^A, 山川洋一^A, 笹川崇男^B, 片山尚幸, 高津浩^C, 陰山洋^C, 竹中康司
2: Pd置換したノーダルライン半金属CaAgPにおける電界効果と超伝導; 名大院工, 名大IMaSS^A; 長坂翔太, 矢野力三^A, 三枝一茂, 岡本佳比古, 竹中康司, 柏谷聡
3: ディラック半金属候補物質BaMg₂Bi₂の高分解能ARPES; 東北大院理^A, JSTさきがけ^B, 東北大CSRN^C, 東北大WPI-AIMR^D, 分子研^E, 総研大^F, 高エ研物構研^G, 量研機構^H, 東北大多元研^I, 京産大物理^J; 高根大地^A, 久保田雄也^A, 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 坪野竜治^A, 菅原克明^{A, B}, 中山耕輔^{A, B}, 相馬清吾^{C, D}, 出田真一郎^E, 田中清尚^{E, F}, 北村未歩^G, 堀場弘司^{G, H}, 組頭広志^{G, I}, 高橋隆^{A, C, D}, 瀬川耕司^J, 佐藤宇史^{A, C, D}
4: NMRによるDirac半金属BaMnX₂ (X=Bi, Sb) の量子ホール状態の観測; 名大院理, 阪大院理^A, JSTさきがけ^B; 熊崎将司, 清水康弘, 伊藤正行, 近藤雅起^A, 酒井英明^{A, B}, 花咲徳亮^A
5: 磁性ディラック半金属EuMnBi2における反強磁性転移と電荷ダイナミクス; 筑波大^A, 阪大理^B, 阪大基礎工^C, 東北大金研^D, SPring8^E, 東大工^F, 理研CEMS^G; 西山裕樹^A, 酒井英明^B, 中川賢人^B, 花咲徳亮^B, 石渡晋太郎^C, 増田英俊^D, 越智正之^B, 黒木和彦^B, 井口敏^D, 佐々木孝彦^D, 池本夕佳^E, 森脇太郎^E, 上田健太郎^F, 十倉好紀^{F, G}, 藤岡淳^A
6: 線ノード型ディラック半金属Cu₂Sbの単結晶育成と磁気輸送特性評価; 東工大フロンティア研; 和田智也, 笹川崇男

7: NaAlSi単結晶の合成と超伝導特性評価; 東北大多元研, 東大物性研^A; 山田高広, 平井大悟郎^A, 山根久典, 広井善二^A
8: トポロジカルノーダルライン半金属NaAlSiにおけるエッジ状態の可能性; 東大物性研, 東北大多元研^A; 山田高広^A, 平井大悟郎, 山根久典^A, ^○広井善二
9: カイラルな結晶構造を持つIrGe₄のdHvA効果の測定; 都立大院理; 中村直貴, 千葉優馬, 東中隆二, 青木勇二, 松田達磨
10: 空間反転対称性の破れた磁性体M(Nb/Ta)₃S₆の単結晶育成および磁気輸送特性; 東工大フロンティア研; 岡崎尚太, 笹川崇男
11: 角度分解光電子分光で調べる空間反転対称性の破れた反強磁性体CoNb₃S₆の電子構造; 東大物性研, 東工大フロンティア研^A, 理研CEMS^B, 東大工^C, 東大理^D, 分子研UVSOR^E, JASRI^F; 田中宏明, 岡崎尚太^A, 黒田健太, 平山元昭^B, 野本拓也^C, 見波将^D, 野口亮, 新井陽介, 出田真一郎^E, 田中清尚^E, 室隆桂之^F, 有田亮太郎^{B, C}, 笹川崇男^A, 近藤猛
12: ルチル構造酸化物RuO2におけるトポロジカル物性開拓; 東工大フロンティア研; 中川貴大, 笹川崇男

1: 巨視的二次元電子系における電流ゆらぎへの局在状態の寄与; 東大先進研, 東大総合文化, 阪大全教^A; 久保賢太郎, 浅野建一^A, 清水明
2: Hofstadter butterfly上のフラクタル欠陥状態; 阪大理; 松木義幸, 池田一毅, 越野幹人
3: InAs/GaSb二次元系の伝導とゲート静電容量; 東大物性研; 橋本義昭, 鬼嵜誠, 遠藤彰, 中村壮智, 勝本信吾
4: 温度に依存する現象の抵抗3倍高調波を利用した高感度測定; 東大物性研; 遠藤彰, 勝本信吾, 家泰弘
5: スピン軌道相互作用を用いた並走エッジチャネル間のビームスプリッター; 東大物性研; 清水貴勢, 中村壮智, 遠藤彰, 勝本信吾

6: エッジマグネトプラズモン分子の高周波伝導特性計算; NTT物性研; 佐々木健一
7: 占有率2の量子ホールエッジチャネルにおけるホットエレクトロン注入による非熱的状態; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B; 平澤太一^A, ^○鈴木光太郎^A, 秦徳郎^A, 佐藤裕也^A, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A
8: 分数-整数量子ホール界面における固有伝播モード形成メカニズム; NTT物性研^A, JST PRESTO^B, 東北大理^C; 橋坂昌幸^{A, B}, 伊藤拓哉^C, 秋保貴文^A, 佐々木智^A, 柴田尚和^C, 村木康二^A
9: 量子ポイントコンタクトのν=3/2構造：センターゲートの重要性; 東北大理, Indonesia Inst. of Sci.^A, 東北大CSRN^B, 東北大CSIS^C, 量子科学技術研究開発機構^D; 金野遼大, 早渕恭章, Annisa Noorhidayati, M. Hamzah Fauzi^A, 柴田尚和, 橋本克之^{B, C}, 平山祥郎^{B, C, D}
10: 量子ポイントコンタクトのν=3/2構造：温度、磁場、充填率依存性; 東北大理, Indonesia Inst. of Sci.^A, 東北大CSRN^B, 東北大CSIS^C, 量子科学技術研究開発機構^D; 早渕恭章, 金野遼太, Annisa Noorhidayati, M. Hamzah Fauzi^A, 柴田尚和, 橋本克之^{B, C}, 平山祥郎^{B, C, D}

1: レーザー偏光に依存したカーボンナノチューブのフェムト秒ダイナミクス; 産総研; 宮本良之
^●2: Analytical Estimation of Color Center Density Formed in Air-Suspended Single-Walled Carbon Nanotubes; Quantum Optoelectronics Res. Team, RIKEN Center for Advanced Photonics^A, Dept. of Chemistry and Biochemistry, Univ. of Maryland, Col. Park^B, Nanoscale Quantum Photonics Lab., RIKEN Cluster for Pioneering Res.^C, Dept. of Mechanical Eng., The Univ. of Tokyo^D, Energy NanoEng. Lab., Nat’l. Inst. of Advanced Industrial Sci. and Tech. (AIST)^E, Maryland NanoCenter, Univ. of Maryland, Col. Park^F; Daichi Kozawa^A, Xiaojian Wu^B, Akihiro Ishii^{A, C}, Jacob Fortner^B, Keigo Otsuka^C, Rong Xiang^D, Taiki Inoue^D, Shigeo Maruyama^{D, E}, YuHuang Wang^{B, F}, Yuichiro K. Kato^{A, C}
3: CNT間相互作用によるCNTバンドルの電子構造変調; 筑波大数理; 岡田晋, 丸山実那, 高燕林
4: ソーダライト中のアルカリ金属クラスターのミュオンナイトシフト; 茨大理工, CROSS^A, TRIUMF-CMMS^B, ブリティッシュコロンビア大^C, チュンアン大^D; 中野岳仁, 馬場洋行, 大石一城^A, Yipeng Cai^{B, C}, Sungwon Yoon^{B, D}, 小嶋健児^{B, C}
5: 進化的アルゴリズムによる水素化物高温超伝導の探索：カリウム-スカンジウム-水素系; 物材機構, 産総研^A; 石河孝洋, 三宅隆^A
6: 第一原理計算による高圧カルコゲンのpost-bcc構造の探索; 阪大ナノセンター, 近大高専^A, ラトガース大^B; 下司雅章, 舩島洋紀^A, Gayan Prasad Hettiarachchi^B
7: 高密度シリコン水素化合物における金属化と超伝導の第一原理計算; 東北大通研; 阿部和多加

1: Growth of Fe silicide nanofilms on Si surfaces studied with cross-sectional TEM; Nara Inst. Sci. Technol., Osaka Univ.; Aydar Irmikimov, Shunya Ichikawa, Takaaki Higashi, Emilia Hashamova, HaoBang Yang, Azusa Hattori^A, Ken Hattori
2: Si(551)基板上に形成されたSi(15 17 3)3x1ファセット表面の表面構造解析; 東北大多元研^A, 東北大国際放射光^B, 東北大理^C, 奈良先端大先端^D, 阪大産研^E, 東北大工^F; 青山大晃^A, 内藤完^A, 中塚聡平^A, 小川修一^{A, B}, 虻川匡司^{A, B}, 江口豊明^C, 服部賢^D, 服部梓^E, 黒田理人^F
3: RHEEDによる表面水素の位置決定と必要な回折条件; 東大生研^A, 原研先端基礎研^B; 川村隆明^A, 深谷有喜^B, 福谷克之^{A, B}
4: X線CTR散乱による√7×√3-In-rect/Si(111)√3×√3-Bの界面構造の測定; 東工大理, 高輝度光科学研究センター^A, 東工大物質理工^B; 荻野嵩大, 田尻寛男^A, 中辻寬^B, 平山博之
5: 表面X線散乱による低温蒸着した黒燐構造Bi超薄膜の成長過程観察; 産総研, 東工大^A; 白澤徹郎, 潮田亮太^A, 中辻寛^A, 平山博之^A
6: Bi/Si(111)表面上におけるFeBr₂原子層超薄膜の成長と電子状態; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也

^●7: Regulation of asymmetric interlayer distributions of carriers in Twisted Bilayer Graphene and dynamics; ISSP, the Univ. of Tokyo, Sungkyunkwan Univ.^A, Office of Univ. Prof., the Univ. of Tokyo^B, RIEC Tohoku Univ.^C; Yuhao Zhao, Takeshi Suzuki, Takushi Iimori, Sung Joon Ahn^A, Joung Real Ahn^A, Jiadi Xu, Qianhui Ren, Masami Fujisawa, Teruto Kanai, Jiro Itatani, Kozo Okazaki, Shik Shin^B, Hirokazu Fukidome^C, Fumio Komori, Iwao Matsuda
^●8: Non-centrosymmetric Electronic Structures of Defects in WTe2; Dept. of Electrophysics, Nat’l. Chiao Tung Univ., Taiwan^A, Int’l. Center for Materials Nanoarchitectonics, Nat’l. Inst. for Materials Sci.^B, Grad. Sch. of Human and Environmental Studies, Kyoto Univ.^C; Wan-Hsin Chen^A, Naoya Kawakami^A, Jhe-Jhih Lin^A, Hsiang-I Huang^A, Ryuichi Arafune^B, Noriaki Takagi^C, Chun-Liang Lin^A
9: 窒素・燐ドープした欠陥構造を有するグラフェンのプロパン脱水素触媒効果; 阪大基礎工; 秋山尚平, 草部浩一, Yusuf Wicaksono
10: 液体水素中の金属ナノコンタクトで観測される異常なフォノン励起; 九大院工; 宮川一慶, 高田弘樹, 山口大志, 稲垣祐次, 河江達也
11: トポロジカル絶縁体の表面伝導の制御; IFP, TU Wien, 東大物性研^B, 広大先進理工^C; M. Taupin, G. Eguchi, M. Budnowski, A. Steiger-Thirsfeld^A, Y. Ishida^B, K. Kuroda^{B, C}, S. Shin^B, A. Kimura^C, S. Paschen
12: トポロジカル近藤絶縁体SmB₆(001)表面における異方的表面電子状態; 阪大生命, 阪大院理^A, Synchrotron SOLEIL^B, 茨城大理^C, 分子研^D; 大坪嘉之^A, P. Le Fevre^B, F. Bertran^B, 伊賀文俊^C, 木村真一^{A, D}

1: （若手奨励賞）領域4若手奨励賞授賞式; 大阪市大理; 小栗章
2: （若手奨励賞）非エルミート物理における対称性とトポロジー; 東大理; 川畑幸平
3: （若手奨励賞）トポロジカル絶縁体薄膜における量子輸送現象の実験的研究; 理研 CEMS; 吉見龍太郎

4: シリコン3量子ビットプロセッサー(I); 理研CEMS, 東工大^A; 野入亮人, 武田健太, 中島峻, 米田淳^A, 小林嵩, 樽茶清悟
5: シリコン3量子ビットプロセッサー (II); 理研CEMS, 東工大^A; 武田健太, 野入亮人, 中島峻, 米田淳^A, 小林嵩, 樽茶清悟
6: 2×2量子ドットアレイにおける個別スピン操作のための微小磁石の設計; 阪大工; 中村駿吾, 大岩顕, 木山治樹
7: 三重量子ドットとスピン軌道相互作用を利用したGaAs中の単一電子スピン共鳴の研究; 阪大産研, ルール大ボーフム^A; 藤田高史, 松本雄太, Arne Ludwig^A, Andreas D. Wieck^A, 大岩顕
8: 準安定電荷状態の緩和時間制御によるスピン読み出しの高忠実度化; 阪大産研, フローニンゲン大^A, ルール大ボーフム^B; 木山治樹, D. van Hien^A, A. Ludwig^B, A. D. Wieck^B, 大岩顕
9: スピン量子ビットのための電荷計のフィードバック制御; 理科大院理^A, 理研CEMS^B, 東大工^C; 上原義裕^{A, B}, 中島峻^B, 小嶋洋平^{B, C}, 野入亮人^B, 武田健太^B, 小林嵩^B, 樽茶清悟^{A, B}

^●1: （一般シンポジウム講演）Introduction; Osaka Univ.; Takeshi Mizushima
^●2: （一般シンポジウム講演）Theory of odd-frequency pairing at the interface of topological superconductor; Nagoya Univ., Dept. Appl. Phys. (Theory); Shun Tamura
^●3: （一般シンポジウム講演）Theory of anomalous proximity effect by odd-frequency pairing; Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1; Satoshi Ikegaya
^●4: （一般シンポジウム講演）Proximity effect of magnetically doped topological insulator via conductance measurement; Nagoya Univ., Dept. Appl. Phys. (Experiment); Rikizo Yano
^●5: （一般シンポジウム講演）Theory of paramagnetic Meissner effect due to odd-frequency paring; Tokyo Tech, Dept. Phys.; Takehito Yokoyama

^●6: （一般シンポジウム講演）Experimental detection of anomalous Meissner effect by proximity induced odd-frequency pairing; Laboratory for Muon Spin Spectroscopy, Paul Scherrer Institute; Salman Zaher
^●7: （一般シンポジウム講演）STS investigation of odd-frequency pairing induced by a magnetic impurity; Institut des NanoSciences de Paris, Sorbonne Universite; Cren Tristan
^●8: （一般シンポジウム講演）Physical properties of odd-frequency pair potentials; Landau Institute for Theoretical Physics; Fominov Yakov
^●9: （一般シンポジウム講演）Theory of surface induced odd-frequency gap functions; Nagoya Univ., Dept. Phys.; Kontani Hiroshi

1: （共催シンポジウム講演）はじめに：材料探索のための離散幾何解析学; 東北大理・数学; 小谷元子
2: （共催シンポジウム講演）高次トポロジカル物質と超弦理論; 阪大理・物理; 橋本幸士
3: （共催シンポジウム講演）幾何学における有限次元近似と指数定理; 東大数理; 古田幹雄
4: （共催シンポジウム講演）共連続構造と3次元トポロジー; 埼大理工; 下川航也
5: （共催シンポジウム講演）粗視化シミュレーションと深層学習による熱可塑性エラストマー弾性特性の高速予測; 産総研・CD-FMat; 青柳岳司

6: （共催シンポジウム講演）離散曲面論とその材料科学への応用; 名大多元数理; 内藤久資
7: （共催シンポジウム講演）セラミックスナノコンポジット極小曲面薄膜の合成; 名大院工・物質プロセス; 髙見誠一
8: （共催シンポジウム講演）高分子材料のネットワーク解析; 立教大人工知能; 大西立顕
9: （共催シンポジウム講演）トポロジーの道具としての深層学習; 名大・未来社会; 一木輝久

1: ラインノード物質CaSb₂の常伝導状態における^121/123Sb-NMR/NQR; 京大院理; 髙橋秀光, 北川俊作, 石田憲二, 川口真世, 池田敦俊, 米澤進吾, 前野悦輝
2: ラインノード物質CaSb₂における圧力に対する超伝導転移温度の非単調な変化; 京大院理; 北川俊作, 石田憲二, 川口真世, 池田敦俊, 米澤進吾, 前野悦輝
3: Impact of Sb doping on critical parameters of PdTe type-Ⅱ superconductor; Res. Inst. for Interdisciplinary Sci., Okayama Univ.; Li Chen, Ando Ide, Kaya Kobayashi
4: 分子線エピタキシー法によるSn_1-xIn_xTe(0 ≤ x ≤ 0.66)薄膜の作製と超伝導特性; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C; 増子真^A, 吉見龍太郎^B, 塚崎敦^C, 川村稔^B, 高橋圭^B, 川崎雅司^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}

^●5: Visualization of the strain-induced topological phase transition in a quasi-one-dimensional superconductor TaSe3; Univ. of Tokyo^A, Osaka Univ.^B, Hokkaido Univ.^C, Tokyo Univ. of Sci.^D, Gakushuin Univ.^E, NIMS^F, SLAC^G, CEMS^H; Chun Lin^A, Masayuki Ochi^B, Ryo Noguchi^A, Kenta Kuroda^A, Masahito Sakoda^C, Atsushi Nomura^D, Masakatsu Tsubota^E, Peng Zhang^A, Cedric Bareille^A, Kifu Kurokawa^A, Yosuke Arai^A, Kaishu Kawaguchi^A, Hiroaki Tanaka^A, Koichiro Yaji^{A, F}, Ayumi Harasawa^A, Makoto Hashimoto^G, Donghui Lu^G, Shik Shin^A, Ryotaro Arita^{A, H}, Satoshi Tanda^C, Takeshi Kondo^A
6: FeTe_0.6Se_0.4薄膜素子の輸送特性; 阪大理^A, 東大理^B, 阪大CSRN^C; 中村瞭弥^A, 渡邉杜^A, 徳田将志^A, 坂井康介^A, 中島正道^A, 小林研介^{A, B}, 新見康洋^{A, C}
7: トポロジカル超伝導体Cu_xBi₂Se₃の作製と物性測定II; 岡山大院自然; 横山武蔵, 西垣颯, 俣野和明, 神戸高志, 鄭国慶
8: 超低温走査トンネル分光によるRashba系表面超構造の超伝導状態観察; 理研 CEMS^A, JST さきがけ^B, 早大先進理工^C, 物材機構^D, 東大物性研^E, 東大理^F; 町田理^{A, B}, 吉村優輝^C, 中村友謙^D, 花栗哲郎^A, 長谷川幸雄^E, 長谷川修司^F, 高山あかり^C
^●9: Striking enhancement of upper critical field of d-wave CeCoIn₅ with atomic layer thickness; 京大院理; 彭浪, 佐野大樹, 高橋敏史, 板東涼, 末次祥大, 笠原成, 寺嶋孝仁, 笠原裕一, 松田祐司

1: 第III種ディラック粒子を有する格子模型の構成法; 筑波大数理; 溝口知成, 初貝安弘
2: 2H型金属遷移金属ダイカルコゲナイドの電子状態を記述する3軌道有効模型; 京都先端; 羽部哲朗

3: ベリー曲率と軌道磁気モーメントに関連した低磁場極限での磁気抵抗; IFW Dresden, 東大理^A; Viktor Konye, ^○小形正男^A
4: 二次元ディラック電子系の電磁双対性：大きな軌道反磁性と量子化されたコンダクタンスを結ぶ関係; 東大理, 理研^A; 前橋英明, 藤山茂樹^A, 小形正男
^●5: Effect of Trigonal Warping on anti-Klein Tunnelling in Bilayer Graphene; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{B, C}
6: 第Ⅳ・Ⅴ族遷移金属ダイカルコゲナイドの電気伝導特性; 成蹊大理工; 相良俊洋, 富谷光良, 坂本昇一
7: IV族原子層のツイスト積層構造におけるスピン流; 北大院工^A, 横河電機^B; 北川雄真^{A, B}, 鈴木雄太^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A
8: グラフェン・ナノコンストリクションの電気伝導におけるひずみ導入効果の理論; 秋田大教育文化, 奈良女子大理^A, 筑波大数理物質^B; 林正彦, 吉岡英生^A, 友利ひかり^B, 神田晶申^B

1: 時間分解ARPESで調べる電荷密度波物質VTe₂の光誘起トポロジカル表面状態; 東大工^A, 東大物性研^B, 阪大理^C, 阪大基礎工^D, 東大特別教授室^E; 三石夏樹^A, 鈴木剛^B, 上谷学^A, 渡邉真莉^B, 任千慧^B, 劉珂成^B, 藤澤正美^B, 金井輝人^B, 板谷治郎^B, 酒井英明^C, 高橋英史^D, 石渡晋太郎^D, 岡崎浩三^B, 辛埴^E, 石坂香子^A
^●2: Magnetic properties of Cr₃Te₄ epitaxial thin films at the 2D limit; Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B; Yue Wang^A, Masaki Nakano^{A, B}, Satoshi Yoshida^A, Hideki Matsuoka^{A, B}, Kyoko Ishizaka^{A, B}, Yoshihiro Iwasa^{A, B}
3: Cr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の二次元磁気特性; 東大院工, 理研CEMS^A; 真島裕貴, Saika Bruno Kenichi, 松岡秀樹^A, 中野匡規^A, 吉田訓, 石坂香子^A, 岩佐義宏^A
^●4: Electronic structure of Cr_xNbSe₂ epitaxial thin films studied by angle-resolved photoemission spectroscopy; Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B, KEK-PF^C, IMRAM-Tohoku Univ.^D; Bruno Kenichi Saika^A, Satoshi Hamao^A, Yuki Majima^A, Hideki Matsuoka^B, Masaki Nakano^{A, B}, Satoshi Yoshida^A, Masato Sakano^A, Koji Horiba^{C, D}, Hiroshi Kumigashira^{C, D}, Yoshihiro Iwasa^{A, B}, Kyoko Ishizaka^{A, B}
^●5: Scanning Tunneling Spectroscopic Observations of the Correlated Non-symmorphic Dirac Semimetal BaNiS₂; RIKEN CEMS^A, Dept. of Phys. & Astronomy, Univ. of Manchester, United Kingdom^B, Neutron Sci. and Tech. Center, Comprehensive Res. Organization for Sci. and Society (CROSS)^C, Dept. of Phys., Nat’l. Cheng-Kung Univ., Taiwan^D; Christopher J. Butler^A, Yuhki Kohsaka^A, M. S. Bahramy^B, Tetsuo Hanaguri^A, Shinichi Shamoto^{C, D}
6: 原子層1T'-MoTe₂における電子状態の観測と層数依存性; 東大工^A, 東大生産研^B, 理研CEMS^C 東工大フロンティア研^D, 物材機構^E, CREST-JST^F; 田中佑磨^A, 増渕覚^B, 坂野昌人^A, 野本拓也^A, 有田亮太郎^{A, C}, 岡崎尚太^D, 笹川崇男^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, 武田和大^A, 大池広志^A, 賀川史敬^{A, C}, 町田友樹^{B, F}, 石坂香子^{A, C}

7: Co₃In_xSn_2-xS₂における輸送現象の第一原理計算に基づく解析; 東北大金研; 柳有起, 池田絢哉, 藤原宏平, 野村健太郎, 塚﨑敦, 鈴木通人
8: 磁性ワイル半金属Co₃Sn₂S₂薄片における巨大異常ホール効果と高移動度電子の観測; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東大理^C, 東北大理^D, 東大東京カレッジ^E; 藤代有絵子^A, 田中未羽子^A, 茂木将孝^A, 金子良夫^B, 横澤多峻元^A, 金澤直也^A, 見波将^C, 是常隆^D, 有田亮太郎^{A, B}, 樽茶清吾^B, 山本倫久^B, 十倉好紀^{A, B, E}
9: Pb(Bi,Sb)₂Te₄トポロジカル絶縁体における準粒子干渉; 東大生産研, 物材機構^A; 服部裕也, 徳本有紀, 鷺坂恵介^A, 枝川圭一
10: Bi₂Se₃/Cr₂Ge₂Te₆におけるディラックギャップ：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, JST PRESTO^D, 高エ研物構研^E, 量研機構^F, 東北大多元研^G, 東大総合文化^H, 東大物工^I; 加藤剛臣^A, 伊東直洋^A, 川上竜平^A, 菅原克明^{A, B, C, D}, 相馬清吾^{B, C}, 中山耕輔^{A, D}, 北村未歩^E, 堀場弘司^{E, F}, 組頭広志^{E, G}, 高橋隆^{A, B, C}, 塩見雄毅^H, 齊藤英治^{B, C, I}, 佐藤宇史^{A, B, C}
11: 転写法を用いて作成したBi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3/Cr₂Ge₂Te₆における磁気抵抗効果の観測; 東北大院理, 東北大 AIMR^A, BAQIS^B; 永田一将, 松下ステファン悠^A, Xing Chen Pan^A, Kim Khuong Huynh^A, 谷垣勝己^{A, B}

1: 平行積層二層BNにおける強誘電性; マサチューセッツ工科大学, 物材機構^A; 安田憲司, Xirui Wang, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, Pablo Jarillo-Herrero
2: MoTe₂原子層薄膜の微細電子構造：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, JST-PRESTO^D; 猿田康朗^A, 川上竜平^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 菅原克明^{A, B, C, D}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
3: VTe₂薄膜の擬一次元的フェルミ面とCDW相：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, JST-PRESTO^D; 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 田口大樹^A, 猿田康朗^A, 菅原克明^{A, B, C, D}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
4: IrTe₂微小結晶における確率的相転移ダイナミクスの実空間観測; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東大東京カレッジ^C; 武田和大^A, 大池広志^{A, B}, 上谷学^B, 十倉好紀^{A, B, C}, 賀川史敬^{A, B}

5: CVDグラフェンナノリボンにおける単一量子ドット形成; 東北大通研, 東北大院工^A; 北田孝仁, 阿部峰也, 瀬尾瑞樹^A, 佐藤尚郁^A, 篠﨑基矢, 相澤拓海, 武藤由依, 金子俊郎^A, 加藤俊顕^A, 大塚朋廣
6: 3次元グラフェン構造体の電子物性; 岡山理大理, 筑波大数理^A, 東北大院理^B, 東北大AIMR^C, 阪大理^D, 東北大金研^E, 東大理^F, 理研仁科セ^G, ジョンズ・ホプキンズ大^H; 田邉洋一, 伊藤良一^A, 菅原克明^{B, C}, 越野幹人^D, 木村尚次郎^E, 内藤智也^{F, G}, イサックジョンソン^H, 高橋隆^C, 陳明偉^{C, H}
7: 異種材料を積層させたグラフェンのガスセンシング特性; 大工大ナノ材研, 大阪産業技術研究所^A, 千葉工大^B, 物材機構^C, ジョージア工科大学^D; 藤元章, 前田翔児, 井須亮太, 柏木行康^A, 玉井聡行^A, 竹内美洋^B, 菅洋志^B, 小山政俊, 小池一歩, 矢野満明, 塚越一仁^C, Eric M. Vogel^D

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明　Opening remarks; 量研放射光セ　SRRC, QST; 岩澤英明　Hideaki Iwasawa
2: （一般シンポジウム講演）3GeV次世代放射光施設の光源性能　Design and status of a new 3 GeV synchrotron light source in Japan; 量研次世代セ　ASLS, QST; 高橋正光　Masamitsu Takahashi
3: （一般シンポジウム講演）軟X線〜テンダーX線オペランド計測で拓く触媒表面科学　Catalytic surface science opened by operando measurements using both soft and tender X-rays; 東北大SRIS　SRIS, Tohoku Univ.; 山本達　Susumu Yamamoto
4: （一般シンポジウム講演）コヒーレント共鳴軟X線散乱によるトポロジカル磁気テクスチャの研究　Coherent resonant soft X-ray scattering study of topological magnetic textures; 物材機構　NIMS; 山崎裕一　Yuichi Yamasaki

^●5: （一般シンポジウム講演）Submicron angle-resolved photoemission spectroscopy on operating electronic device; Univ. of Washington; David Cobden
^●6: （一般シンポジウム講演）Recent advances in magnetic soft X-ray spectromicroscopy; Lawrence Berkeley National Laboratory; Peter Fischer
^●7: （一般シンポジウム講演）Advances in ultrahigh energy resolution soft X-ray RIXS for studying low energy excitations; Diamond Light Source; Kejin Zhou

1: （共催シンポジウム講演）はじめに（趣旨説明）; 東理大・基礎工; 田村隆治
2: （共催シンポジウム講演）ハイパーマテリアルの構造; 北大・工; 高倉洋礼
3: （共催シンポジウム講演）ハイパーマテリアルの磁性; 東理大・基礎工; 田村隆治
4: （共催シンポジウム講演）ハイパーマテリアルの磁気秩序と有効模型; 東理大・理; 杉本貴則
5: （共催シンポジウム講演）半導体ハイパーマテリアルの探索; 東大・新領域; 岩崎祐昂

6: （共催シンポジウム講演）ハイパーマテリアルの超伝導; 名大・理; 出口和彦
7: （共催シンポジウム講演）超伝導ハイパーマテリアルにおける相関効果; 岡大・異分野基礎研; 竹森那由多
8: （共催シンポジウム講演）ハイパーマテリアルの分子動力学シミュレーション; 東大・生研; 枝川圭一
9: （共催シンポジウム講演）金属酸化物からなるハイパーマテリアル超薄膜の創製; 名大・工; 柚原淳司
10: （共催シンポジウム講演）ファンデルワールスハイパーマテリアルの対称性と物性; 東大・工; 井手上敏也

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領域4