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領域別プログラム

領域9

16日 B41会場　16aB41　9:00〜11:45

領域9
表面・界面電子物性

1: In超薄膜と遷移金属フタロシアニンの界面電子状態; 京大院理; 松原燦, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
2: SmB₆(001)表面の構造安定性と表面電子状態; 東大物性研, 阪大産研^A, ユーリッヒ研究センター^B, マインツ大^C, デュイスブルク大^D, 茨城大^E; 宮町俊生, 菅滋正^{A, B}, 飯盛拓嗣, Martin Ellguth^C, Christian Tusche^{B, D}, Claus M. Schneider^{B, D}, 伊賀文俊^E, 小森文夫
3: Si(110)3×2-Bi表面の電子状態; 東工大物質理工, 東工大理^A, KEK-PF^B, 東大物性研^C; 金野達, 勝俣錬, 木村彰博, 中村玲雄, 山崎詩郎^A, 小澤健一^A, 間瀬一彦^B, 飯盛拓嗣^C, 小森文夫^C, 平山博之^A, 中辻寛
4: 合金吸着Si(111)-B表面の電子状態; 東工大物質理工; 馬場啓太, 合田義弘
5: Mn, Te蒸着Bi₂Te₃の構造と電子状態の蒸着量依存性; 東工大理, 分子研^A, 東工大物質^B; 深澤拓朗, 日下翔太郎, 角田一樹, 一ノ倉聖, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, 清水亮太^B, 一杉太郎^B, ^○平原徹
6: Au 4f光電子表面内殻シフトピーク強度の光エネルギー依存性; 分子研; 松井文彦, 牧田誠二, 松田博之

休憩　（10:30〜10:45)

7: （若手奨励賞）氷の表面融解機構の解明; 北大・低温研; 村田憲一郎
8: （若手奨励賞）固体表面の対称性の破れに誘起される水分子集合体の新奇な水素結合構造物性の開拓; 分子研; 杉本敏樹

16日 B42会場　16aB42　9:00〜12:30

領域9
表面物理化学

1: FM-AFMによるシュテルン層における2価カチオンの分布の解析; 立命館大理工, 京大工^A; 荒木優希, 小林圭^A, 山田啓文^A
2: 原子間力顕微鏡によるCu(110)表面上の水分子クラスターの構造解明; 東大新領域, 阪大工^A; 塩足亮隼, 菊池明日香^A, 森川良忠^A, 濱田幾太郎^A, 杉本宜昭
3: イリジウムとその合金における表面脱離消耗の評価; 東工大物質理工^A, 石福金属^B; Seo Insung^A, 横田俊介^B, 今井庸介^B, 合田義弘^A
4: 金属アスペリティ摩擦のメソスケール機構解明に関するSPHシミュレーション; 都市大^A, 兵庫県大^B; 杉村奈都子^{A, B}, Le Van Sang^B, 三原雄司^A, 鷲津仁志^B
5: （招待講演）ケルビンプローブ力顕微鏡(KPFM)による半導体表面における原子スケール表面電位計測の進展; 阪大工; 菅原康弘

休憩　（10:30〜10:45)

^●6: Ternary alloy PdRuIr as NO reduction catalyst: Analysis from DFT-based study; Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col., Univ. of San Carlos^A, Osaka Univ.^B, Univ. of Tokyo^C; Susan Meñez Aspera, Ryan Lacdao Arevalo^A, Hiroshi Nakanishi^{B, C}, Hideaki Kasai^B
7: 金属イオンを吸着した酸化グラフェンの化学状態分析; 立命館大理工, 量子機構^A; 髙岡航大, 圓谷志郎^A, 境誠司^A, 光原圭, 滝沢優
8: 表面近傍でのメラニン色素の挙動; 明石高専, 阪大工^A, 九大^B; 笠井秀明^{, A}, 岸田良^B
9: 二酸化チタン表面におけるポーラロンの空間分布とプロトンの拡散; 東大生研, 原研先端基礎研^A; 長塚直樹, 加藤紘一, Wilde Markus, 小倉正平, 福谷克之^A
10: Rh₂Cナノ粒子における水電解水素発生反応の触媒活性; 明石高専^A, 阪大工^B, 東大生研^C, サンカルロス大理^D, 阪大^E; 中西寛^{A, B, C}, Susan Meñez Aspera^A, Ryan Lacdao Arevalo^{A, D}, Ronald Z. Pascual^A, 笠井秀明^{A, E}
11: 金属表面への分子吸着に対するH/D同位体効果の理論解析に向けたCPLB法の開発; 横浜市大院生命ナノ^A, 横浜市大DS^B; 坂上弘輝^A, 石元孝佳^A, 立川仁典^{A, B}
12: ZnO系半導体ガスセンサのパルスジェットｰTPDによる大気圧下酸素吸着に関する解析; 物材機構, 東京理科大; 鈴木拓, 安達裕, 坂口勲, 中村穂, 大橋英幸, 相見晃久, 藤本憲次郎

16日 B41会場　16pB41　13:30〜17:15

領域9，領域1，領域7，領域10，領域11
ハイドロジェノミクス−変幻自在な水素を活かすサイエンス

1: （共催シンポジウム講演）錯体水素化物のリチウム超イオン伝導機能と蓄電デバイス応用　−ハイドロジェノミクスでの挑戦−; 東北大WPI-AIMR/金研; 折茂慎一
2: （共催シンポジウム講演）イットリウム酸水素化物薄膜成長と光誘起絶縁体—金属転移; 東工大物質理工; 清水亮太
3: （共催シンポジウム講演）高プロトン導電性高分子薄膜：分子設計とエネルギーデバイスへの応用; 山梨大クリーンエネ研; 宮武健治
4: （共催シンポジウム講演）水素と電子のカップリングによる物性制御; 東大物性研; 森初果

休憩　（15:30〜15:45)

5: （共催シンポジウム講演）高効率物質変換のための無機ナノ粒子の創製; 九大　I2CNER; 山内美穂
6: （共催シンポジウム講演）金属表面における水素のサブサーフェス拡散・反応制御; 東大生産研; 小倉正平
7: （共催シンポジウム講演）計測とシミュレーションの水素データ同化; 東大理; 常行真司

17日 B41会場　17aB41　9:00〜12:30

領域9
結晶成長

1: 変形できる基板上での吸着島の脱濡れ; 金沢大IMC; 佐藤正英
^●2: Surface melting on grain boundaries of polycrystalline ice thin films; 北大低温研; Jialu Chen, Ken-ichiro Murata, Ken Nagashima, Gen Sazaki
3: 国際協力による微小重力環境下でのケイ酸塩微粒子の均質核生成実験; 北大低, 宇宙研^A; 木村勇気, 斎藤史明, 中坪俊一^A, 千貝健, 森章一, 稲富裕光^A
4: 過冷却水液滴の結晶化理論モデル; 東北大理/日大, 北大低温研^A; 田中今日子, 木村勇気^A
5: 氷プリズム面の格子気体模型とその相転移温度：密度行列繰り込み群計算; 大阪電通大工; 阿久津典子
6: 第一原理計算によるTMG分解反応の考察; 名大院工, 名大未来研^A; 榊原聡真, 洗平昌晃^A, 叶正, 新田州吾^A, 本田善央^A, 天野浩^A, 白石賢二^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: （招待講演）DNAガイドのナノ粒子結晶化; 名大　未来材料・システム研究所; 田川美穂
8: 微小重力下におけるグルコースイソメラーゼ結晶の成長速度; 徳島大院, AES^A, JSF^B, 丸和栄養^C, JAMSS^D, 阪大院工^E, JAXA^F; 鈴木良尚, 二宮愛, 福山誠二郎^A, 島岡太郎^B, 永井正恵^B, 伊中浩治^C, 曽根武彦^D, 和知慎吾^D, 塚本勝男^E, 荒井康智^F
9: 油脂等温結晶化中の融解を伴う多形転移キネティクス; 広大総合科, 静岡県立大^A, 広大生物圏^B; 田口健, 戸田昭彦, 本同宏成^A, 上野聡^B, 佐藤清隆^B
10: 高分子結晶化過程で起こる微結晶凝集体の成長キネティクス; 京大院人環, 広大院総科^A, 立命館大理工^B; 小西隆士, 田所大輔, 田口健^A, 深尾浩次^B, 宮本嘉久
11: タンパク質結晶のねじれと結晶サイズとの相関; 横浜市大院生命ナノ, 高エネ研^A, 横浜創英大^B; 阿部満理奈, 鈴木凌, 平野馨一^A, 小島謙一^B, 橘勝
12: 標準試料校正を施した電子回折逆空間マッピング法の二次元・三次元系への適用; 奈良先端大先端科学, 阪大産研^A; 山本幸弘, 西田翔太, L.N. Pamasi, 髙橋駿太, 服部梓^A, 田中秀和^A, 服部賢

17日 PS2会場　17aPS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

70: α-Al₂O₃!LaTeX$(11\overline{2}0)$上のNb薄膜の作製とSTM観察; 東工大理; 小林俊博, 田中友晃, 一ノ倉聖, 平原徹
71: SrTiO₃(001)上への√5×√5-Fe超構造の作成とXPS測定; 東工大理; 田中友晃, 一ノ倉聖, 平原徹
72: 三次元構造体の任意表面の逆空間マップ評価に向けたRHEEDシステムの構築; 奈良先端大先端科学, 阪大産研^A, 米子高専^B; 髙橋駿太, 山本幸弘, Liliany.N. Pamasi, 服部梓^A, 田中秀和^A, 桃野浩樹^B, 服部賢
73: Cu₃Pt(111)表面の電子状態分析; 立命館大理工; 吉見桃子, 井手和真, 八木健, 光原圭, 滝沢優
74: 角度分解光電子分光法による二層グラフェンへのPb蒸着量依存性; 早大先進理工, 佐賀大SLセ^A, 物材機構^B; 辻川夕貴, 横井佑典, 坂本実可子, 今村真幸^A, 高橋和敏^A, 内橋隆^B, 高山あかり
75: ノーダルライン半金属単層Cu₂Si/Si(111)の電子状態の解明; 早大先進理工, 東大物性研^A, 佐賀大SLセ^B, 東大特別教授室^C; 坂本実可子, 鈴木剛^A, 辻川夕貴, 濱田雅史, 徐佳笛^A, 任千慧^A, 佐藤祐輔^A, 今村真幸^B, 高橋和敏^B, 藤澤正美^A, 金井輝人^A, 板谷治郎^A, 岡﨑浩三^A, 辛埴^C, 松田巌^A, 高山あかり
76: Li 添加2層MoS₂ における超伝導に対するひずみの影響の第一原理解析 II; 東大工^A, 分子研^B; マノープーボディン^A, 南谷英美^B, 渡邉聡^A
77: CuPcの蒸着量に依存したIn/Si(111)-(sqrt(7)x sqrt(3))表面のフェルミ面変化; 千葉大院融合, 阪大院工^A, 物材機構^B; 下ヶ橋龍之介, 小林宇宏^A, 内橋隆^B, 坂本一之^A
78: Mg蒸着によるPb/Si(111)表面の構造と電子状態の変化; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
^●79: Analysis of the Electronic States for model Photocatalyst Au/TiO2(320)’s step structure by Optical Second Harmonic Generation (SHG) Spectroscopy; Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST); Xiaopeng Liu, Peiyang Gong, Haque Mohammad, Khuat Thi Thu Hien, Goro Mizutani
80: 液体水素に浸したMgナノコンタクトの電気伝導特性異常; 九大工, 九大院工^A, 金沢大教育^B; 六本木雅生, 宮川一慶^A, 山口大志^A, 辻井宏之^B, 稲垣祐次^A, 河江達也^A
^●81: Si(111)とSiC(0001)とグラフェンに成長した層状SnSe₂の輸送特性; 東大理; Hongrui Huang, 秋山了太, 長谷川修司
82: 低温で水素化したイットリウムナノ接合を用いた点接合分光実験; 九大院工, 金沢大教育^A; 宮川一慶, 高田弘樹, 六本木雅生, 山口大志, 稲垣祐次, 辻井宏之^A, 河江達也
83: 電子フォノン相互作用行列要素の高効率計算手法の開発; 東大院工, 分子研^A; 原田樹, 渡邉聡, 南谷英美^A
84: 第一原理計算によるGe_1-x Sbx Teの構造安定性と電子状態と熱電特性の相関; 九大院理; 舩島洋紀
85: 第一原理計算による酸水素化物のヒドリド伝導機構解析; 東工大; 内藤慶太郎, 多田朋史, 細野秀雄
86: Bi₂O₃/CdO界面の2次元電子状態; 佐賀大SLセ, 佐賀大院工^A; 高橋和敏, 西村昭彦^A, 今村真幸, Jang Hyo Chang^A, 田中徹^A, 山本勇, 東純平
87: 強磁場下における磁気溶液堆積法による超高密度薄膜形成の分子シミュレーションによる検証; 和歌山高専; 西田翔, 早坂良, 大村高弘
88: SiC(0001)表面の水素エッチング; 福教大物理, 福大工^A; 濱崎利也, 柳生数馬^A, 鈴木孝将^A, 栃原浩^A, 三谷尚
89: Ge(001)上に化学吸着したPTCDA分子のホッピング機構と遷移状態構造のDFT計算; 福岡大工, 九州大総理工; 塩田知弥, 水上渉, 栃原浩, 柳生数馬, 鈴木孝将, 青木百合子
90: ニューラルネットワークポテンシャルを用いたAg吸着Si(001)表面の構造の解析; 東大工, トロント大工^A, 分子研^B; 森下広隆, William Huxter^A, Chandra Singh^A, Jun Nogami^A, 清水康司, 南谷英美^B, ^○渡邉聡
91: 走査型トンネル顕微鏡の探針電場増強を用いた分光システムの構築; 兵庫県立大院物質理; 相賀則宏, 竹内佐年
92: Si(111)7x7基板上における奇数層高さBi(110)島の出現; 東工大理, 東工大物質理工^A, 産総研^B; 潮田亮太, 長瀬謙太郎, 荻野嵩大, 車尾ヴァレンティン基, 中辻寛^A, 白澤徹郎^B, 平山博之
93: エレクトロスプレー蒸着したドナー性ベンジルビオロゲン(BV)分子の低温STM観察; 横浜市大生命ナノ; 島田剛志, 横山崇
94: W(112)上のホウ素吸着構造; 九大総理工; 亀岡泰治, 今村祐輔, 水野清義, ^○中川剛志
95: Si(001)基板上のSi{111}ピラミッド構造の作製と表面LEED観察; 奈良先端大, 阪大産研^A; 東嵩晃, A.N.Irmikimov, L.N. Pamasi, 山本幸弘, 髙橋駿太, 服部梓^A, 田中秀和^A, 服部賢
^●96: Investigation of unrubbed surfaces of polyimide containing steroidal structure side chains using optical second harmonic generation; Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech., JSR Corp.^A; Thi Trinh Nguyen, Yu Sheng, Shinya Asakura, Thi Thu Hien Khuat, Goro Mizutani, Yoshitaka Murakami, Takashi Okada
97: Si(001)表面における分子状酸素の吸着構造; 和大シス工^A, 物材機構^B; 門脇菜穂^{A, B}, 小田将人^{A, B}, 奈良純^B
98: CO暴露によるCu/rutile-TiO₂の電子状態変化; 立命館大理工; 井手和真, 八木健, 光原圭, 滝沢優
99: 金水溶液界面での水素のダイナミクス; 物性研; 片岡佑太, 杉野修
100: Si(111)-√7×√3-In表面上の金属有機構造体の形成による表面構造相転移II; 福岡大工, Warwick大理^A, Duisburg-Essen大理^B; 鈴木孝将, J. Lawrence^A, J. M. Morbec^B, P. Kratzer^B, G. Costantini^A
101: Cu(997)表面におけるギ酸の吸着とフォルメート生成：LT-STMとXPSによる研究; 東大物性研; 松田智貴, 中野紫苑, 長田渉, 崔永賢, 土原悠, 田中駿介, 向井孝三, ^○吉信淳
102: XPSとTPDによるPt(997)表面におけるメタンの吸着と反応の研究; 東大物性研, 阪大工^A; 崔永賢, Septia Putra Eka^A, 濱田幾太郎^A, 濱本雄治^A, 森川良忠^A, 向井孝三, 田中駿介, 吉信淳
103: アナターゼ型二酸化チタン単結晶表面でのエッジとテラスの光触媒活性の比較; 広島大理, 広島大院理^A, 東工大理^B; 廣森慧太, 中島伸夫^A, 小澤健一^B
104: 水素還元処理した酸化マグネシウムナノ粒子の研究; 九州シンクロトロン光研究センター, 産総研^A, 千葉大^B, 広島大^C; 小林英一, 阪東恭子^A, 奥平幸司^B, 高橋修^C
105: 核反応法による非蒸発ゲッター材料への水素の吸収・放出特性の研究; 東学大, 東大生研^A, 原研^B, 横国大^C, 高エ機構^D, 総研大^E; 岡田朋大, ^○松本益明, Markus Wilde^A, 福谷克之^{A, B}, 佐藤裕太^C, 大野真也^C, 間瀬一彦^{D, E}
^●106: Development of the multi-mirror system for element-selective magneto-optical effects using X-ray free electron laser; 東大物性研, JASRI^A, 理研^B, 真空光学^C; 荒木実穂子, P. Manset, 明角淳志^C, 宮脇淳, 小瀬川友香, S.El.Moussaoui, 久保田雄也^{A, B}, 大和田成起^{A, B}, 矢橋牧名^{A, B}, 松田巌
107: Regulation of asymmetric interlayer distributions of carriers in Twisted Bilayer Graphene and dynamics; 東大物性研, Sungkyunkwan Univ.^A, 東大特別教授室^B, 東北大通研^C; Yuhao Zhao, Takeshi Suzuki, Takushi Iimori, Sung Joon Ahn^A, Joung Real Ahn^A, Jiadi Xu, Qianhui Ren, Masami Fujisawa, Teruto Kanai, Jiro Itatani, Kozo Okazaki, Shik Shin^B, Hirokazu Fukidome^C, Fumio Komori, Iwao Matsuda
108: ハイブリッドグラフェン/チタニアナノシートの電子状態に関する第一原理的研究; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 小川大介, 小林遥希, 原正大^A, 船津麻美^A, 下條冬樹^A
109: 高周波電磁場におけるスピン偏極走査トンネル顕微鏡; 東大物性研, 南カリフォルニア大^A; 土師将裕, 佐藤優大, 楊鈜翔, 浅川寛太, 高橋晋^A, 長谷川幸雄
110: 磁性超薄膜のジャロシンスキー守谷相互作用の第一原理計算; 金沢大NanoMaRi, 金沢大理工^A, 東北大理^B; 石井史之, 山口直也, 見波将, 澤端日華瑠, 吉田靖雄^A, 是常隆^B
111: Ag(111)表面上におけるゲルマネン-スタネン二次元ヘテロ構造の創製と界面構造; 名大院工, 名大高等研^A, 名大未来研^B, エクス-マルセイユ大^C; 荻窪剛, 柚原淳司, 大田晃生^A, 洗平昌晃^{A, B}, 黒澤昌志^A, Guy Le Lay^{A, C}
112: 酸化チタンナノシートの構造に対する加熱の影響; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 嘉月悠人, 船津麻美^A, 原正大^A
113: グラフェン/水酸化ニッケルナノシート複合素子における電気伝導; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 志手大輝, 嘉月悠人, 上地清太, 伊田進太郎^A, 原正大^A
^●114: Electronic structure of asymmetrically doped twisted multilayer graphene; Kyushu Univ.^A, Univ. of Tokyo^B; Anton Visikovskiy^A, Hitoshi Imamura^A, Fumio Komori^B, Satoru Tanaka^A
115: Ag(111)薄膜上のゲルマネンの第一原理電子状態計算; 放送大教養, NIMS^A, 新潟大院自然^B; 川井弘之, 鈴木誠也^A, 関川卓也^B
^●116: トポロジカル結晶絶縁体(Pb,Sn)Se(001)表面における異方的な電気伝導特性; 東大理, ポーランド科学アカデミー^A; 郭宇嘯, 秋山了太, 保原麗, 遠山晴子, Grzegorz Mazur^A, Tomasz Dietl^A, 長谷川修司
117: 強磁性トポロジカル絶縁体サンドイッチ構造Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/(Bi_1-xSb_x)₂Te₃/ Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/Si(111)の電気伝導特性; 東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Sch. of Natural Sci., Far Eastern Federal Univ.^B; 高城拓也, 秋山了太, I. A. Kibirev^{A, B}, A. V. Matetskiy^{A, B}, 遠山晴子, 中西亮介, 樋渡功太, A. V. Zotov^{A, B}, A. A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司
118: Bi2Se3上へのBi蒸着による偏光誘起光電流の変調; 東大理; ファンディ, 保原麗, 秋山了太, 長谷川修司
119: サブミクロンピラー表面でのマクロスケール超潤滑II; 愛教大, 静岡大^A, 東大^B; 石井義記, 和田義之, 石川誠^A, 柳澤亮人^B, 渡辺宜朗^B, 野村政宏^B, ^○三浦浩治
120: AT-cut 水晶振動子を利用した C60 単結晶のナノすべり摩擦II; 電通大基盤理工, 愛教大物理領域^A; 佐々木凌一, 鈴木勝, 谷口淳子, 佐々木成朗, 石川誠^A, 三浦浩治^A
121: 低温での金基板とグラファイト基板のナノ滑り摩擦の測定; 電通大, 基盤理工; 藤塚聡, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠^A, 三浦浩治^A
122: XAFSスペクトルの自動解析プログラム開発; 青山学院大理工, 千葉大融合理工^A; 福井紗彩, 向後純也^A, 二木かおり^A, 高橋慧, 中田恭子
123: 電極の変位速度の変調による単分子-金属間相互作用の制御; 東工大院理; 一色裕次, 藤井慎太郎, 西野智昭, 木口学

17日 B41会場　17pB41　13:30〜16:50

領域9，領域3，領域4
表面界面の非対称性と非相反機能

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 物材機構・MANA; 荒船竜一
2: （一般シンポジウム講演）非線形非相反応答の理論; 理研; 永長直人
3: （一般シンポジウム講演）空間反転対称性の破れたファンデルワールス結晶における非相反伝導; 東大工; 井手上敏也
4: （一般シンポジウム講演）SACLAによる軟X線非線形光学現象の開拓; ヘルムホルツ研究センター, ドレスデン強磁場研究所; 山本真吾

休憩　（15:05〜15:20)

5: （一般シンポジウム講演）非対称性が誘起するスピントロニクス物性; 京大化研; 小野輝男
6: （一般シンポジウム講演）マグノン、フォノン、電流の非相反性とその逆効果; 東北大金研; 新居陽一
7: （一般シンポジウム講演）表面科学から見た非相反現象; 東大物性研; 長谷川幸雄

18日 B41会場　18pB41　13:30〜16:50

領域9，領域5，領域10，領域11
表面・界面でのエネルギー変換・輸送の科学

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 産総研・物質計測標準研究部門ナノ構造化材料評価グループ; 白澤徹郎
2: （一般シンポジウム講演）全固体電池の界面におけるイオン・電子輸送現象; 東工大; 一杉太郎
3: （一般シンポジウム講演）固液界面とトライボロジー; 京大院工; 平山朋子
4: （一般シンポジウム講演）環境セルを利用した液相および固液界面のＸ線光電子分光計測; 物材機構・先端解析研究拠点; 増田卓也

休憩　（15:05〜15:20)

5: （一般シンポジウム講演）X線顕微鏡を用いた材料機能のheterogeneityの観察とパーシステントホモロジーによる解析; 高エ研; 木村正雄
6: （一般シンポジウム講演）スピンカロリトロニクスに基づく熱エネルギー変換・輸送; 物材機構・磁性スピントロニクス材料研究拠点; 内田健一
7: （一般シンポジウム講演）ナノスケールおよび界面における熱伝導の計測; 産総研・物質計測標準研究部門熱物性標準研究グループ; 八木貴志

19日 B41会場　19aB41　9:00〜12:00

領域9
原子層物質科学

1: 原子層TiSe_2-x薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C; 菅原克明^{A, B, C}, 中田優樹^A, 川上竜平^A, 佐藤匠^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
2: SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態について II; 東大物性研, 九大院工^A, 東工大総理工^B, 高エネ研^C; 飯盛拓嗣, 今村均^A, 魚谷亮介^A, 宮町俊生, 服部琢磨, 中辻寛^B, 間瀬一彦^C, 梶原隆司^A, Visikovskiy Anton^A, 田中悟^A, 小森文夫
3: Li-インターカレーションによる単層グラフェン/SiCの二層化とフラットバンドの占有; 東工大理, 分子研UVSOR^A, 東工大物質^B; 橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 日下翔太郎, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, 清水亮太^B, 一杉太郎^B, 平原徹
4: 角度分解光電子分光によるSi基板上銅シリサイドにおける電子状態のアニール温度依存性; 早大先進理工, 佐賀大SLセ^A, 東大物性研^B; 高山あかり, 坂本実可子, 中司湧星, 今村真幸^A, 高橋和敏^A, 松田巌^B
5: アルカリ金属蒸着によるRh薄膜上単原子層hBNの価電子帯シフト; 東工大理, Physik-Institut, Universität Zürich^A, 東工大物質^B; 一ノ倉聖, Hemmi Adrian^A, 清水亮太^B, 一杉太郎^B, Greber Thomas^A, 平原徹
6: Al(111)基板上のシリコン原子層の電子構造; 東大物性研^A, 原子力機構先端基礎研^B, ソルボンヌ大^C, ISM-CNR^D, KEK-PF^E, 国立清華大^F, 兵庫県大高度研^G; 佐藤祐輔^A, 深谷有喜^B, M. Cameau^C, A.K, Kundu^D, 志賀大亮^E, 湯川龍^E, 堀場弘司^E, C.H. Chen^F, A. Huang^F, H.T. Jeng^F, M. D'angelo^C, 組頭広志^E, 新部正人^{A, G}, 松田巌^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: Ag(110)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造; 名大院工, あいちSR^A, 名大高等研^B, エクス-マルセイユ大^C; 志満津宏樹, 高倉将一^A, 仲武昌史^A, 大田晃生^B, Guy Le Lay^C, 柚原淳司
^●8: Thermal Stability of Ultrathin GeOx Film Grown on Ge Substrates; Natl. Chiao Tung Univ.; Y. C. Yang, Y. H. Tsai, H. T. Liu, S. Y. Wang, C. L. Lin, C. H. Chien
9: Si(111)微傾斜面上のPb単原子層超伝導相における面直臨界磁場の増大; 東大物性研, 物材機構^A; 佐藤優大, 土師将裕, 内橋隆^A, 長谷川幸雄
^●10: Unique growth mode observed in a Pb thin film on the 3-fold surface of an i-Ag-In-Yb quasicrystal; Tokyo Univ. of Sci., Univ. of Liverpool^A, Tohoku Univ.^B; Sam Coates, Stuart Thorn^A, Ronan McGrath^A, Hem Raj Sharma^A, An Pang Tsai^B
^●11: Non-centrosymmetric Electronic Structures of Defects on WTe₂; Natl. Chiao Tung Univ., MANA-NIMS^A, Kyoto Univ.^B; W. H. Chen, N. Kawakami, H. I. Huang, Y. H. Yen, R. Arafune^A, N. Takagi^B, ^○C. L. Lin

19日 B42会場　19aB42　9:00〜12:00

領域9
表面・界面構造物性

1: 原子間力顕微鏡によるシリセンT相の高分解能観察; 東大新領域; 小野田穣, 馮凌瑜, 籔押慶祐, ^○杉本宜昭
2: 原子間力顕微鏡による氷表面の局所構造の観察; 東大新領域, 国立交通大学^A; 岩田孝太, 川上直也^A, 塩足亮隼, 杉本宜昭
3: Si(111)-Ag表面上に配列したヘキサベンゾコロネン誘導体の低温STM観察; 横浜市大生命ナノ; 元島順, 鈴木奈央子, 横山崇
4: 走査トンネル顕微鏡によるCu(111)基板上における三角格子窒化鉄膜のひずみ観察; 東大物性研; 服部卓磨, 飯盛拓嗣, 河村紀一, 宮町俊生, 小森文夫
5: Ge(111)√3×√3-Agと同時に形成した三角形状島からのAg追加蒸着による超構造への成長; 横浜市大生命ナノ; 菊地努, 横山崇
6: Si(110)-16×2再構成構造とSi(110)-1×1水素終端構造との表面ストレス対比; 原子力機構先端研; 朝岡秀人, 矢野雅大, 寺澤知潮, 保田諭

休憩　（10:30〜10:45)

7: Si(111)√3×√3-Ag表面に対するBRAESプロファイルの入射エネルギー依存性; 大同大工, 名大工^A, 名大工^B, 東北大多元研^C; 堀尾吉已, 中原仁^A, 柚原淳司^B, 高桑雄二^C
8: 全反射高速陽電子回折(TRHEPD)実験データ解析によるSi₄O₅N₃ / 6H-SiC (0001)-(√3×√3) R30°表面構造決定; 鳥取大院工, 九大院工^A, KEK物構研^B; 田中和幸, 尾家翔太郎^A, 望月出海^B, 田中悟^A, 兵頭俊夫^B, 星健夫
9: 反射電子回折ロッキング・カーブのPd表面の水素位置依存性; 東大生研; 川村隆明, 福谷克之
10: 実空間密度汎関数法によるSiC表面ステップの構造と安定性の解明; 名大未来研^A, クロスアビリティ^B; 制野かおり^{A, B}, 押山淳^A
11: 原子状水素曝露による二酸化チタン単結晶表面の黒色変化; 東学大, 東大生研^A, 原研先端基礎研^B; 藤本将秀, 山﨑史也, 渡邊隆太郎, 松本益明, 長塚直樹^A, Wilde Markus^A, 福谷克之^A,B

19日 B42会場　19pB42　13:30〜14:45

領域9（1〜2番目のみ領域3と合同）
表面磁性・ダイナミクス・ナノ構造物性

1: 磁場掃引時にGinzburg-Landauモデル上に現れる二次元磁気ドメインパターン; 東大院総文, 東大先進^A; 中西亮, 福島孝治^A
2: STMによるNbSe₂表面の特異な超伝導を応用した吸着Tbフタロシアニン分子スピン検出; 群馬高専, 東北大多元研^A; 塚原規志, Md. Ikram Hossain^A, Fakruddin Shahed^A, Ara, Ferdous^A, 米田忠弘^A
3: 弱く相互作用する分子スピンの表面幾何配置に依存した磁性; 物材機構 MANA; 櫻井亮, ^○P. Koley, 青野正和
4: 走査トンネル顕微鏡を用いた単一分子の精密レーザー分光; 理研, Northwestern Univ.^A; 今田裕, 今井みやび, 三輪邦之^A, 金有洙
5: フタロシアニンとフラーレン薄膜の積層順が及ぼす光励起キャリアダイナミクスへの影響; 東工大理, 東北大多元^A, 総研大^B, 千葉大^C, 高エ研^D, 東大物性研^E; 小澤健一, 山本達^A, 宮澤徹也^B, 矢野敬太^C, 間瀬一彦^{B, D}, 松田巌^E