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領域別プログラム

領域7

16日 A33会場　16aA33　9:00〜12:15

領域7
ディラック系1

1: α-(BETS)₂I₃の核磁気緩和率の異方性; 理研; 藤山茂樹, 加藤礼三
2: α-(BETS)2I3の電子状態のX線回折および第一原理計算による解析; 名大院工, 熊大院先導機構^A, 福島県立医大^B, 分子研^C; 澤博, 鬼頭俊介, 圓谷貴夫^A, 開康一^B, 中村敏和^C
3: α-(BETS)₂I₃のトポロジカル物性に関する第一原理計算; 熊大院先導機構, 金沢大自然^A, 金沢大NanoMaRi^B, 名大理^C; 圓谷貴夫, 澤端日華瑠^A, 石井史之^{A, B}, 鈴村順三^C
4: α-(BETS)₂I₃の絶縁体相における電子間相互作用の効果; 名大理, 東大物性研^A, 名大院工^B; 小林晃人, 大木大悟, 吉見一慶^A, 鬼頭俊介^B, 澤博^B
5: α-(BETS)₂I₃における伝導面平行磁場下¹³C NMR研究; 東大工, 福島医大総合科学教育研究センター^A, 理研^B; 関根孝彦, 岸田直也, 須波圭史, 宮川和也, 開康一^A, 加藤礼三^B, 鹿野田一司
6: α-BETS₂I₃の基板上薄片結晶における量子振動の観測; 東邦大理, 理研^A, 分子研^B; 川椙義高, 上辺将士^A, 増田光, 田嶋尚也, 山本浩史^B, 加藤礼三^A, 西尾豊, 梶田晃示

休憩　（10:30〜10:45)

7: 有機ディラック電子系の面内磁気抵抗効果; 東邦大理^A, 理研^B, 愛媛大院理工^C; 小原遼太郎^A, 川椙義高^{A, B}, 加藤礼三^B, 内藤俊雄^C, 西尾豊^A, 梶田晃示^A, 田嶋尚也^{A, B}
8: 有機ディラック電子系における量子輸送現象の圧力効果; 東邦大^A, 理研^B, 分子研^B; 鵜野澤佳成^A, 川椙義高^{A, B}, 須田理行^C, 山本浩史^{B, C}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A, 田嶋尚也^{A, B}
9: 有機電荷移動錯体α-(BEDT-TTF)₂I₃における圧力下のラマン散乱スペクトル; 名古屋大工; 高橋紀揮, 中村優斗, 岸田英夫
10: 質量のない擬二次元ディラック電子系の軌道電流に起因する核磁気緩和; 東大理, 東理大^A; 前橋英明, 広沢智紀, 小形正男, 福山秀敏^A
11: 2次元ディラック電子系のリフシッツ転移近傍の量子振動; 熊本大教育, 兵庫県立大物質理^A; 岸木敬太, 長谷川泰正^A
12: 有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序転移近傍における伝導率異方性; 名大理; 大木大悟, 小林晃人

16日 A33会場　16pA33　13:30〜14:45

領域7
ディラック系2

1: 3次元有機トポロジカル半金属におけるカイラル量子異常の理論; 京大人環; 森成隆夫
2: 3次元有機トポロジカル半金属におけるカイラル量子異常の実験; 東邦大理^A, 理研^B; 田嶋尚也^{A, B}, 鵜野澤佳成^A, 小原遼太郎^A, 川椙義高^{A, B}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A
3: τ型有機導体のランダウ準位とトポロジー; 東大物性研; 長田俊人
4: 単一成分分子性導体[Pt(dmdt)₂]の強束縛模型およびディラックノーダルラインの物性; 名大理, 日大文理^A; 川村泰喜, 大木大悟, 周彪^A, 小林昭子^A, 小林晃人
5: 高圧下での単一成分分子性導体[Pd(dddt)₂]におけるノーダルライン半金属の物性II; Nagoya Univ., RIKEN^A; 鈴村順三, 加藤礼三^A

16日 A42会場　16pA42　13:30〜17:00

領域4（1〜3番目，7〜10番目のみ領域7と合同）
遷移金属カルコゲナイド

1: 2次元原子層物質テルレンにおける弱磁場磁気抵抗効果; 東工大理学院, 豊田理研, 成均館大学; 安藤恒也
2: 遷移金属ダイカルコゲナイドの金属-半導体面内接合における電子輸送現象の理論的解析; 北大工; 羽部哲朗
3: 2層WSe2の異方的酸化; 阪大ナノ, NIMS^A, 埼玉大院^B, 阪大産研^C; 塩谷広樹, 塚越一仁^A, 上野啓司^B, 大岩顕^C
4: CrドープNbSe₂エピタキシャル薄膜の輸送特性; 東大院工, 理研CEMS^A; 真島裕貴, 松岡秀樹, 中野匡規^A, Saika Bruno Kenichi, 吉田訓, 石坂香子^A, 岩佐義宏^A
5: 表面弾性波照射により生じる超伝導NbSe₂薄膜の負抵抗状態の起源; 阪大院理^A, 東大院理^B; 横井雅彦^A, 藤原聖士^A, 河村智哉^A, 荒川智紀^A, 青山和司^A, 福山寛^B, 小林研介^{A, B}, 新見康洋^A
6: NbSe₃薄膜における電荷密度波特性; 阪大理^A, 東大理^B, 阪大CSRN^C; 藤原浩司^A, 岩切秀一^A, 横井雅彦^A, 渡邉杜^A, 小林研介^{A, B}, 新見康洋^{A, C}

休憩　（15:00〜15:15)

7: 電場誘起によるMoTe₂の局所構造相転移領域の作製と電気特性評価; 東北大理, 東北大CSRN^A, 東北大CSIS^B; 佐藤竜晟, 橋本克之^A, 平山祥郎^{A, B}
8: NbTe₂薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 田口大樹^A, 中田優樹^A, 川上竜平^A, 佐藤匠^A, 加藤剛臣^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
9: 単層及び多層VTe₂薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 川上竜平^A, 中田優樹^A, 佐藤匠^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
10: 原子層モット絶縁体1T-NbSe₂および1T-TaSe₂の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, Dept. Phys., Tsinghua Univ.^D, NSRRC^E; 中田優樹^A, 菅原克明^{A, B, C}, Changhua Bao^D, Shaohua Zhou^D, Pei-Yu Chuang^E, Cheng-Maw Cheng^E, 高橋隆^{A, B, C}, Ashish Chainani^E, Shuyun Zhou^D, 佐藤宇史^{A, B, C}
11: ミスフィット層状化合物(PbSe)_1+δ(TiSe₂)₂における準粒子干渉; 理研CEMS, 岡山大物理^A, 岡山大基礎研^B; 幸坂祐生, 上野哲平^A, 町田理, 花栗哲郎, 秋光純^B, 小林夏野^{A, B}
12: Bi-Nb-Se層状misfit積層化合物における構造と超伝導Ⅱ; 岡山大物理^A, 岡山大異分野基礎科学研^B; 白田雅治^A, 秋光純^B, 小林夏野^{A, B}
13: 1T-TaS₂における絶縁性の起源; 理研CEMS^A, 東大工^B; C. J. Butler^A, 吉田将郎^A, ^○花栗哲郎^A, 岩佐義宏^{A, B}

16日 B41会場　16pB41　13:30〜17:15

領域9，領域1，領域7，領域10，領域11
ハイドロジェノミクス−変幻自在な水素を活かすサイエンス

1: （共催シンポジウム講演）錯体水素化物のリチウム超イオン伝導機能と蓄電デバイス応用　−ハイドロジェノミクスでの挑戦−; 東北大WPI-AIMR/金研; 折茂慎一
2: （共催シンポジウム講演）イットリウム酸水素化物薄膜成長と光誘起絶縁体—金属転移; 東工大物質理工; 清水亮太
3: （共催シンポジウム講演）高プロトン導電性高分子薄膜：分子設計とエネルギーデバイスへの応用; 山梨大クリーンエネ研; 宮武健治
4: （共催シンポジウム講演）水素と電子のカップリングによる物性制御; 東大物性研; 森初果

休憩　（15:30〜15:45)

5: （共催シンポジウム講演）高効率物質変換のための無機ナノ粒子の創製; 九大　I2CNER; 山内美穂
6: （共催シンポジウム講演）金属表面における水素のサブサーフェス拡散・反応制御; 東大生産研; 小倉正平
7: （共催シンポジウム講演）計測とシミュレーションの水素データ同化; 東大理; 常行真司

16日 E33会場　16pE33　13:45〜17:15

領域5（1〜5番目のみ領域7と合同）
光誘起相転移1

1: 6 fs単一サイクル近赤外パルスによる有機超伝導体の第2、第3高調波発生II; 東北大院理^A, 分子研^B, 名大院工^C, 東北大金研^D, 中央大理工^E; 川上洋平^A, 天野辰哉^A, 伊藤弘毅^A, 川口玄太^B, 山本浩史^B, 中村優斗^C, 岸田英夫^C, 佐々木孝彦^D, 石原純夫^A, 米満賢治^E, 岩井伸一郎^A
2: アニオン秩序を示す有機電子型強誘電体(TMTTF)₂X (X = ReO₄,BF₄)の光励起電荷ダイナミクス; 東北大院理^A, 岡山理大理^B, Stuttgart大^C; 伊藤弘毅^A, 佐野聡太^A, 岸田晶穂^A, 川上洋平^A, 山本薫^B, Martin Dressel^C, 岩井伸一郎^A
3: 強く光照射した後に電荷振動が同期する現象に対する相互作用と乱雑さの効果; 中大理工; 島田利哉, 米満賢治
4: テラヘルツパルスによるκ型ET塩のモット絶縁体−電荷秩序転移と金属化; 東大新領域^A, 東大工^B, 分子科学研究所^C, 東大物性研^D, 産総研^E; 梁生平^A, 高村直幹^A, 吉持遥人^B, 須田理行^C, 山本浩史^C, 宮川和也^B, 鹿野田一司^B, 森初果^D, 宮本辰也^A, 岡本博^{A, E}
5: 1次元モット絶縁体において予想されるブリーチングおよびアンチブリーチング効果; KEK物構研; 岩野薫, 山口辰威

休憩　（15:00〜15:15)

6: テラヘルツ時間領域分光によるダイヤモンドの励起子微細構造の解明; 京大院理^A, 京大iCeMS^B; 市井智章^A, 中暢子^A, 田中耕一郎^{A, B}
7: 高純度ダイヤモンドにおける励起子寿命に対する表面再結合モデル; 京大院理, 和大シス工^A, Element Six^B, ウプサラ大^C; 小西一貴, 秋元郁子^A, Ian Friel^B, J. Isberg^C, 中暢子
8: 弱結合の束縛励起子における鏡映対称スペクトル; 京大理^A, 早大理工^B, ベルサイユ大GEMaC, CNRS^C, LSPM-CNRS, パリ第13大^D; 久保佳希^A, 高畑光善^{A, B}, Solange Temgoua^C, Riadh Issaoui^D, Julien Barjon^C, ^○中暢子^A
9: CsPbBr₃単結晶における励起子局在化と励起子-LOフォノン相互作用の増強; 東大物性研, 華東師範大学^A; 柴田桂成, 顔驥宇^A, 挾間優治, 陳少強^A, 秋山英文
10: 単層WSe₂における共鳴二次発光の励起エネルギー依存性; 京大院理^A, 物材機構^B, 首都大院理工^C, 京大iCeMS^D; 草場哲^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 柳和宏^C, 田中耕一郎^{A, D}
11: アントラセン薄膜中に閉じ込められたフレンケル励起子の超高速輻射緩和の理論; 阪大院基礎工^A, 阪府大院工^B; 鈴木匡彦^A, 横山知大^A, 石原一^{A, B}
12: GaN薄膜における励起子−電子散乱発光の空間分解特性; 阪市大院工; 天見亮太, 中山正昭
13: 励起子絶縁相における集団励起モードへの電子格子相互作用の影響と観測可能性; 東工大, Flatiron Inst.^A, ケンブリッジ大^B, コロンビア大^C, フリブール大^D; 村上雄太, Denis Golez^A, Paolo Andrich^B, Hope Bretscher^B, 金子竜也^C, 古賀昌久, Andy Millis^{A, C}, Philipp Werner^D

16日 PSB2会場　16pPSB　15:30〜17:30

領域7
領域7ポスターセッション

121: β^″-(ET)₂[(H₂O)(NH₄)₂Cr(C₂O₄)₃]・18-crown-6の強磁場超伝導状態Ⅱ; 筑波大院数理物質^A, 物材機構^B, 東北大金研^C, Nottingham Trent Univ.^D, 阪大院理^E; 森定恭平^{A, B}, 杉浦栞理^C, 寺嶋太一^B, Toby Blundell^D, Lee Martin^D, 圷広樹^E, 中澤康浩^E, 宇治進也^{A, B}
122: 有機ディラック電子系におけるN=0ランダウ準位間の電子相関効果; 名大理; 谷雄大, 小林晃人
123: α-BETS₂I₃の電場誘起金属状態の研究; 阪大院理; 野本哲也, 山下智史, 圷広樹, 中澤康浩
124: 擬二次元三角格子性有機導体κ-(BEST)₂Cu₂(CN)₃の合成と基礎物性; 埼玉大理^A, 埼玉大院理工^B; 櫻井健人^A, 綱川仁志^B, 小林拓矢^B, 谷口弘三^B
125: λ型有機導体におけるBEDSe-TTF分子置換による反強磁性相の拡張; 埼玉大院理工, 理研仁科セ^A, 芝工大工^B; 伊藤有咲, 小林拓矢, 谷口弘三, 佐藤一彦, 綱川仁志, 渡邊功雄^A, Dita Puspita Sari^B
126: μSR法による層状有機反強磁性絶縁体β'-(BEDSe-TTF)₂X(X=ICl₂,IBr₂)の研究; 埼玉大院理工^A, 埼玉大理^B, 原子力機構先端研^C, 東工大理^D, KEK物構研^E, 総研大^F; 渋谷淳^A, 綱川仁志^A, 大島美由紀^B, 小松宏彰^A, 小林拓矢^A, 谷口弘三^A, 佐藤一彦^A, 髭本亘^{C, D}, 幸田章宏^{E, F}
127: 擬一次元有機導体(DMET-TTF)₂AuBr₂ の電子物性(2); 北大院理; 飯田瑶平, 佐々木義明, 土屋智敬, 澤田賢志, 松永悟明, 河本充司, 野村一成
128: 変分モンテカルロ法によるTMTSF系における基底状態の数値的研究; ENS Paris Saclay^A, 理研^B, 東大物性研^C, 理研CEMS^D; Mateo Fontaine^{A, B}, 三澤貴宏^C, 妹尾仁嗣^{B, D}
129: 複合反強磁性体のスケーリング理論と臨界指数; 広大院先端; 嶋原浩
130: 拡張三角格子磁性体における平均場理論とπd電子系への適用; 広大院先端; 河野佑紀, 嶋原浩
131: 金属有機構造体における酸素吸着に誘起されたスピンアイス状態と磁化の温度依存性の理論的研究; 東大理; 徳宿邦夫, 松浦弘泰, Viktor Könye, 小形正男
136: 擬一次元有機導体HMTSF-TCNQの異常物性の理論的研究; 東大理; 宮藤大輔, 松浦弘泰, 小形正男
137: 1次元交互積層型電荷移動錯体の比熱に関する理論的研究; 奈良女子大理; 上平美紗稀, 土射津昌久, 吉岡英生
138: TTF-CAの分子内振動励起によるフォノン駆動フロッケ状態の形成とイオン性−中性転移; 東大院新領域^A, 北大院理^B, 北大院総化^C, 産総研^D; 鈴木博貴^A, 大瀧貴史^A, 園直樹^A, 森本剛史^A, 宮本辰也^A, 高橋幸裕^{B, C}, 貴田徳明^A, 岡本博^{A, D}
139: 放射光X線回折を用いたτ型有機伝導体の構造解析; 名大工, 阪市大院理^A; 原武史, 鬼頭俊介, 片山尚幸, 吉野治一^A, 澤博
140: 電気化学ドーピング下における発光ポリマーF8T2のラマン分光特性; 早大先理, ケルン大^A, ハイデルベルグ大^B, 名大応物^C; 松木啓一郎, Daniele Fazzi^A, Felix Berger^B, Jana Zaumseil^B, 坂上知^C, 竹延大志^C
141: 配列した金属型単層カーボンナノチューブ薄膜のホール効果; 首都大理; 堀内加奈子, 岡田遼太朗, 河合英輝, 上治寛, 蓬田陽平, Weilu Gao, 河野淳一郎, 柳和宏
142: カイラリティの異なる単層カーボンナノチューブの熱電物性; 首都大理; 蓬田陽平, 生駒栞奈, 一ノ瀬遥太, 柳和宏
143: 単層カーボンナノチューブにおける一次元的な熱電物性; 首都大理, ライス大^A, 東理大^B; 一ノ瀬遥太, 吉田朱里, 堀内加奈子, 福原健吾, 小松夏実^A, Weilu Gao^A, 蓬田陽平, 松原愛帆^B, 山本貴博^B, 河野淳一郎^A, 柳和宏
144: グラファイトにおける200テスラまでの強磁場磁気抵抗測定; 東大工, 物性研^A; 下起敬史, 厳正輝, 野村肇宏^A, 小濱芳允^A
145: タングステン系オクタシアノ磁性金属錯体における熱膨張特性; 筑波大院数理, 東大院理^A; 前田直孝, 大越慎一^A, 所裕子
146: 鉄クロム系ヘキサシアノ錯体磁性薄膜における表面形状と磁気特性; 筑波大院数理, 東大院理化^A; 矢作祐士, 大越慎一^A, 所裕子
147: 第一原理計算に基づく低分子有機熱電材料の特性評価; 東大院工; 大野雅央, 渡邉聡
148: 有機強誘電体ジヒドロキシ安息香酸に対する理論ならびに実験的研究; 産総研CD-FMat, 産総研電子光^A; 下位幸弘, 堀内佐智雄^A, 都築誠二
149: ペンタセンFETのゲートバイアス変調スペクトルに対するベイズ分光; 熊大院自然, 熊大理^A, 阪市大院理^B, 熊大パルス^C; 東山享平, 岩満一功^A, 鐘本勝一^B, 赤井一郎^C

17日 A33会場　17aA33　9:00〜12:15

領域7
電荷秩序，非平衡，中性イオン性転移

1: 分子性有機導体α''-(BEDT-TTF)₂Rb_1.2Co(SCN)₄の磁気誘電効果と磁場中赤外分光; 東北大金研^A, 山梨大工^B, SPring-8/JASRI^C; 井口敏^A, 森田康太郎^A, 工藤勇希^A, 米山直樹^B, 池本夕佳^C, 森脇太郎^C, 佐々木孝彦^A
2: 分子性有機導体α''-(BEDT-TTF)₂Rb_1.2Co(SCN)₄の圧力下赤外分光測定; 東北大金研^A, 山梨大工^B, SPring-8/JASRI^C; 工藤勇希^A, 井口敏^A, 米山直樹^B, 池本夕佳^C, 森脇太郎^C, 佐々木孝彦^A
3: ラマン散乱を用いたθ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄の電荷の結晶化の観察III; 東大工; 村瀬秀明, 荒井俊人, 平川友也, 長谷川達生, 宮川和也, 鹿野田一司
4: 電場制御によるθ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄の電荷ガラス状態; 阪大院理; 山下智史, 野本哲也, 圷広樹, 中澤康浩
5: 電流印加下急冷による (d₈-DMe-DCNQI)₂Cuの準安定状態の発現; 東理大理, 東北大金研^A, 理研^B; 園部裕貴, 関澤拓也, 房前勲, 山本陸, 古川哲也^A, 伊藤哲明, 加藤礼三^B
6: 3パルスポンププローブ分光で探る有機分子結晶における非平衡下でのモット絶縁相形成; 北大院工, Jozef Stefan Inst.^A, 埼玉大理^B, 兵庫県立大物質理^C; 土屋聡, Tomaz Mertelj^A, Dragan Mihailovic^A, 谷口弘三^B, 山田順一^C, 戸田泰則

休憩　（10:30〜10:45)

7: 貼付け4端子FET測定による(BEDT-TTF)₂I₃のゲート電界誘起金属-絶縁体転移; 千葉大工, 千葉大先進科学^A, 千葉大共用機器セ^B; 酒井正俊, 佐野照輝, 武田陸, 上田高寛, 岡田悠悟^A, 桝飛雄真^B, 工藤一浩
8: 1次元有機導体[DM-MeDH-TTP]₂X系の低温電子状態; 分子研^A, 茨城大院理工^B; 中村敏和^A, 江幡健太^B, 宮本尚^B, 西川浩之^B
9: 一軸性圧縮下におけるβ’[H₃(Cat-EDO-TTF)₂]BF₄の電気抵抗測定; 東大物性研, 熊本大院先端^A; 菅井祐太, ^○出倉駿, 上田顕^A, 吉田順哉, 郷地順, 上床美也, 浅井晋一郎, 益田隆嗣, 今城周作, 金道浩一, 森初果
10: 一次元量子強誘電状態におけるトポロジカル欠陥の量子輸送; 東大物性研, 産総研^A, 東大工^B, 理研CEMS^C; 今城周作, 三宅厚志, 栗原綾佑, 徳永将史, 金道浩一, 堀内佐智雄^A, 賀川史敬^{B, C}
11: 電子型強誘電体TTF-CAの圧力下ソリトンダイナミクス; 東大工, 産総研^A, 理研^B, 東大新領域^C; 須波圭史, 竹原陵介, 加藤木章浩, 宮川和也, 堀内佐智雄^A, 加藤礼三^B, 宮本辰也^C, 岡本博^{A, C}, 鹿野田一司
12: 量子モンテカルロ法によるTTF-QCl₄類似物質における量子常誘電相と高温・高圧下のイオン性常誘電相の研究 II; 名工大工; 嵯峨拓哉, 大村周, ^○高橋聡

17日 A32会場　17pA32　13:30〜16:55

領域7，領域5
電子相関効果が紡ぎ出す非平衡現象の新展開：電荷ガラスから光誘起相転移まで

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 東大物性研; 森初果
2: （一般シンポジウム講演）電荷秩序の融解−フラストレーションと光誘起ダイナミクス; 理化学研究所; 妹尾仁嗣
3: （一般シンポジウム講演）強相関電子ガラスにおける幾何学的フラストレーションとランダムネス効果; 東大新領域・物質系・凝縮系量子相物理学; 橋本顕一郎
4: （一般シンポジウム講演）非平衡動力学に基づいた不揮発量子相制御; 東大物工; 大池広志

休憩　（15:10〜15:25)

5: （一般シンポジウム講演）強相関電子系フロッケ・エンジニアリングの可能性と展望; マックスプランク研究所; 岡隆史
6: （一般シンポジウム講演）強相関金属、超伝導体における非平衡フォトニクス; 東北大理; 岩井伸一郎
7: （一般シンポジウム講演）中赤外強電場パルスで誘起される非平衡電子状態と相転移; 東大新領域・物質系・量子物性科学; 岡本博

17日 A33会場　17pA33　13:45〜16:45

領域7
分子・界面デバイス

1: 単結晶有機半導体・ポリマー界面における化学ドーピングとESRによる評価; NIMS^A, 東大新領域^B, JSTさきがけ^C; 鶴見淳人^A, 山下侑^{A, B}, 岡本敏宏^{B, C}, 渡邉峻一郎^{B, C}, 竹谷純一^{A, C}
2: ホッピング運動によるESRの不均一幅の尖鋭化に及ぶすキャリアのトラップでの滞在時間分布の効果; 産総研^A, 筑波大^B; 関和彦^A, 丸本一弘^B
3: 高移動度分子材料C₈-BTBTにおけるキャリア波導関数の空間広がり; 豊田理研, 名大院工^A, 産総研^B, 東北大院理^C, 理研^D; 黒田新一, 田中久暁^A, 下位幸弘^B, 瀧宮和男^{C, D}
4: 有機半導体単結晶への高密度キャリアドーピングと低温電子輸送; 東大新領域^A, JSTさきがけ^B; 糟谷直孝^A, 渡邉峻一郎^{A, B}, 竹谷純一^A
5: 層状結晶性有機半導体Ph-BTNT-Cn単結晶トランジスタの異方的キャリア輸送; 東大院工, 産総研^A; 荒井俊人, 井上悟, 東野寿樹^A, 長谷川達生

休憩　（15:00〜15:15)

6: 有機半導体単結晶における負性ピエゾ抵抗効果と分子振動解析; 東大新領域^A, 産総研OPERANDO OIL^B, 物質機構^C, JST さきがけ^D; 渡邉峻一郎^{A, B}, 八重樫圭太^A, 鶴見淳人^{A, C}, 熊谷翔平^A, 岡本敏宏^{A, B, D}, 竹谷純一^{A, B, C}
7: 機械学習による有機半導体の構造研究IV; 東大新領域, 筑波大数物^A, 豊橋技科大^B, NEC^C, CONFLEX^D; 新津直幸, 沢辺千鶴, 三谷真人, 石井宏幸^A, 小林伸彦^A, 後藤仁志^B, 広瀬賢二^C, 小畑繁昭^D, 中山尚史^D, 渡邉峻一郎, 岡本敏宏, 竹谷純一
8: 量子ダイナミクスによる有機半導体の電荷・熱輸送計算; 筑波大数物, NEC^A; 石井宏幸, 小林伸彦, 広瀬賢二^A
9: 有機FETにおけるゲート誘起スペクトル解析のためのベイズ分光法II; 熊大理, 熊大院自然^A, 阪市大院理^B, 熊大パルス^C; 岩満一功, 東山享平^A, 鐘本勝一^B, 赤井一郎^C
10: 有機半導体レーザ：レーザ発振とASE; 東北大AIMR^A, 東北大院理^B, Indian Inst. of Sci. Education and Res. (IISER)^C; 谷垣勝己^{A, B}, カナガセカランサンガベル^C, 三浦大輝^B, 下谷秀和^B
11: 一重項復活機構による有機結晶中の励起子の長距離拡散; 東大先端研; 田村宏之, 東屋航紀

18日 A32会場　18pA32　13:30〜17:25

領域7（8番目のみ領域8と合同）
領域7 日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

1: （若手奨励賞）若手奨励賞選考報告および授賞式; 分子科学研究所; 山本浩史
2: （若手奨励賞）有機導体における強相関トポロジカル相の発見; 東北大・金研; 平田倫啓
3: （若手奨励賞）電荷自由度と幾何学的フラストレーションがもたらす新奇相の理論的研究; 理研; 渡部洋

休憩　（14:40〜14:55)

4: 層状有機超伝導体β”-(ET)₂SF₅CH₂CF₂SO₃の渦糸ダイナミクスによる異常面間抵抗; 東北大金研, 物材機構^A, アルゴンヌ国立研究所^B, 広工大^C; 杉浦栞理, 寺嶋太一^A, J. A. Schlueter^B, 安塚周磨^C, 宇治進也^A
5: 有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brのゼロ磁場下⁶³Cu-NQRによる研究; 埼玉大院理工, 北大院理^A; 小澤宏彬, ^○小林拓矢, 綱川仁志, 生沼浩介, 佐藤一彦, 谷口弘三, 河本充司^A
6: 三角格子系EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の圧力下三重項超伝導検証のための低パワー・高精度ナイトシフト測定; 東理大理, 東北大金研^A, 理研^B; 市川直樹, 北又大貴, 大内俊一郎, 齋藤悠貴, 山本陸, 古川哲也^A, 伊藤哲明, 加藤礼三^B
7: Bilayer型分子性導体(ETTM-STF)₂X (X=BF₄, ClO₄)の磁気的性質; 理研; 南舘孝亮, 上辺将士, 崔亨波, 加藤礼三
^●8: Distortion of Nodal Lines in the Superconducting Gap Symmetry of Organic Superconductor λ-(BETS)₂GaCl₄; Shibaura Inst. of Tech.^A, RIKEN^B, Institut Teknologi Sepuluh Nopember Indonesia^C, Fukushima Med. Univ.^D, Ibaraki Univ.^E, Osaka Univ.^F, ISIS United Kingdom^G; Dita Puspita Sari^{A, B}, Retno Asih^C, Ko-ichi Hiraki^D, Takehito Nakano^E, Yasuo Nozue^F, Adrian Hillier^G, Yasuyuki Ishii^A, Isao Watanabe^B
9: λ-(BETS)₂GaBr_0.75Cl_3.25の ¹³C-NMR; 北大院理, 埼玉大理^A; 石川貴子, 澤田賢志, 大沼彰浩, ^○河本充司, 小林拓矢
10: π-d電子系λ-(BEST)₂FeCl₄の電子スピン共鳴; 理研, 北大理^A; 大島勇吾, Taehoon Lee^A, 崔亨波, 加藤礼三
11: λ-(BEDT-STF)₂Fe_xGa_1-xCl₄混晶系の相図と内部磁場; 北大院理; 福岡脩平, 春山和希, 井原慶彦, 河本充司
12: 超高圧下における単一成分分子性結晶[M(dsddt)₂] (M=Ni, Au; dsddt = 5,6-dihydro-1,4-diselenin- 2,3-dithiolate)の電気的性質; 理研; 崔亨波, 上辺将士, 加藤礼三

18日 A33会場　18pA33　14:55〜16:25

領域7
ナノチューブ・高圧物性

1: 半導体単層カーボンナノチューブの非縮退コヒーレントフォノン分光II; 東北大理, 首都大理^A; 松井大海, 河合英樹^A, 柳和宏^A, ^○吉澤雅幸
2: 金属的単層カーボンナノチューブバンドルの時間分解発光測定; 名大工^A, 名大院工^B, 首都大院理^C; 梅脇展輝^A, 斉藤健輔^B, 宮田耕充^C, 岸田英夫^B, 小山剛史^B
3: 静水圧力下における氷VII相単結晶および粉末X線回折測定; 岐阜大工, 名大シンクロトロン^A, 名大院工^B; 佐々木重雄, 加藤雄哉, 永江峰幸^A, 丹羽健^B, 高平遥介
4: 水素クラスレートハイドレートの第一原理分子動力学シミュレーションIII; 量研量子ビーム, 理研; 池田隆司
^●5: Nonempirical seeking of the minimum energy escape paths in solids: Application to H3S under pressure; Dept. of Phys., Univ. of Tokyo; Yuri S. Nagornov, Ryosuke Akashi
6: 第一原理計算による高圧テルルのbcc-fcc構造相転移と準安定構造dhcpの存在性; 阪大ナノセンター, 九大理^A; 下司雅章, 舩島洋紀^A

19日 A32会場　19aA32　9:00〜12:30

領域7
モット絶縁体，スピン液体

1: 量子スピン液体EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂における熱伝導率測定データの不一致について; 理研, 名大工^A; 加藤礼三, 崔亨波, 井ノ上大嗣, 鬼頭俊介^A, 澤博^A
2: Pd(dmit)₂系分子性導体に対する第一原理有効Hamiltonianの系統的解析; 東大物性研, 熊本大院先導機構^A; 吉見一慶, 三澤貴宏, 圓谷貴夫^A
3: 混晶系量子スピン液体物質κ-(BEDT-TTF)₂Ag_2xCu_2(1-x)(CN)₃の分光学的研究; 名大院工^A, 京大院理^B, 豊田理研^C; 中村優斗^A, 吉田幸大^B, 前里光彦^B, 齋藤軍治^C, 岸田英夫^A
4: X線照射時間依存したκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの磁性の¹³C-NMR研究; 東理大理, 東北大金研^A, 東大工^B; 山本陸, 古川哲也^A, 宮川和也^B, 佐々木孝彦^A, 鹿野田一司^B, 伊藤哲明
5: ¹H NMRによるX線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの磁気秩序抑制過程の観測IV; 東大院工, 埼玉大院理工^A, 東北大金研^B; 浦井瑞紀, 宮川和也, 谷口弘三^A, 佐々木孝彦^B, 鹿野田一司
6: ダイマーモット系 κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]X (X=Cl, Br)における格子ダイナミクス; CROSS^A, 東北大金研^B, Goethe-Univ.^C, MPI-CPfS^D, ILL^E; 松浦直人^A, 小林亮太^B, 黒子めぐみ^B, 井口敏^B, 佐々木孝彦^B, Elena Gati^C, Benedikt Hartmann^C, Jens Müller^C, Oliver Stockert^D, Michael Lang^C, and A. Piovano^E

休憩　（10:30〜10:45)

7: 傾斜エックス線照射した有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの赤外分光; 東北大金研, 山梨大工^A, 東北大WPI-AIMR^B, SPring-8/JASRI^C; 佐々木孝彦, 佐藤直道, 古川哲也, 杉浦栞理, 井口敏, 米山直樹^A, L. Kang^B, 赤木和人^B, 池本夕佳^C, 森脇太郎^C
8: κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]BrのX線照射欠陥モデルと分子動力学; 東北大WPI-AIMR, 名工大^A, 東北大金研^B; 赤木和人, Artoni Kevin R Ang^A, Lijing Kang, 林好一^A, 佐々木孝彦^B
^●9: X-ray fluorescence holography of X-ray irradiation defects in κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Br; Nagoya Inst. Tech.^A, Hiroshima City Univ.^B, WPI-AIMR, Tohoku Univ.^C, IMR, Tohoku Univ.^D; Artoni Ang^A, Riho Marumi^A, Koji Kimura^A, Naohisa Happo^B, Kazuto Akagi^C, Takahiko Sasaki^D, Kouichi Hayashi^A
^●10: Magnetic properties of an organic Mott insulator (BEDT-TTF)Cu[N(CN)₂]₂; IMR, Tohoku Univ.^A, Univ. of Yamanashi^B, RIKEN^C, Kumamoto Univ.^D, SPring-8, JASRI^E; M. K. Nuryadin^A, S. Iguchi^A, N. Yoneyama^B, Y. Oshima^C, T. Tsumuraya^D, T. Moriwaki^E, Y. Ikemoto^E and T. Sasaki^A
11: κ型分子性導体におけるスピン分裂の数値的検証II; 理研^A, 理研CEMS^B, 早大高等研^C; 妹尾仁嗣^{A, B}, 中惇^C
12: κ-ET系Hg-Br塩の強磁性的振る舞い; 東大総合文化; 堀田知佐
13: 真性モット絶縁体β-(BEDT-TTF)TaF₆の輸送特性; 東工大物質理工, 東工大院理工^A; 川本正, 倉田浩平^A, 森健彦

19日 A33会場　19aA33　9:15〜12:15

領域7（1〜5番目，7〜9番目のみ領域4と合同）
グラフェン関連

1: Band engineering of bilayer graphene using electron-transfer and electric-field effects; Res. Inst. for Interdisciplinary Sci., Okayama Univ., Res. Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.^A; Lei Zhi, Hidenori Goto, Akihisa Takai, Ritsuko Eguchi, Takao Nishikawa^A, Shizuo Tokito^A, Yoshihiro Kubozono
2: 4層グラフェン/hBNヘテロ構造を用いた量子ドットの電子輸送特性; 日大工^A, 物材機構^B; 伊藤博仁^A, 加藤拓^A, 岩崎拓哉^B, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 森山悟士^B, 羽田野剛司^A
3: ツイスト型二層グラフェンFETの作製と磁気輸送特性評価; 千葉大物質, 成均館大^A, 物材機構^B, バッファロー大^C; 和田直人, 坂梨昂平, G.-H.Kim^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, J.P.バード^D, 青木伸之
4: グラフェンへの電界効果キャリアドーピングにおける電荷注入層としての吸着子; 大阪府立大工^A, JSTさきがけ^B; 野内亮^{A, B}, 池田京一郎^A
5: グラフェン上の分子の吸着特性と電子物性; 東工大理; 藤本義隆, 斎藤晋

休憩　（10:30〜10:45)

6: MoS₂に吸着した金属フタロシアニンが形成する電子状態とMoS₂-FETへの光照射効果; 東北大院理^A, 東北大多元研^B; 和泉廣樹^A, 高岡毅^B, アラムイフェクハルル^A, ^○米田忠弘^B
7: グラフェン波動関数位相と基板での光電子散乱のARPESによる観察; 阪大産研, 広大HiSOR^A; 田中慎一郎, 有田将司^A, 島田賢也^A
8: 多層グラフェンと共に加圧した水素の示すフォノンの異常; 岩手大理工, 岩手大院総合^A, NIMS; 中山敦子, 高橋陸^A, 夏谷由美子^A, 中野智志^B
9: N層グラフェン光物性におけるコヒーレンスピーク; NTT物性科学基礎研; 佐々木健一
10: HOPG基板剥離表面のHRTEM-EELS解析; 東理大, 物材機構^A; 宮澤薫一, 長井拓郎^A, 木本浩司^A, 吉武優, 田中優実
^●11: STM/S study of epitaxial graphene on SiC(000-1) etched by H-plasma; Grad. Sch. of Sci., UTokyo^A, CRC, UTokyo^B; A. E. B Amend^A, T. Matsui^A, Hiroshi Fukuyama^{A, B}