日本物理学会2020年秋季大会

1: モアレ・グラフェンにおける電子フォノン相互作用の制御性; マサチューセッツ工科大学^A, 東大工^B; 石塚大晃^{A, B}, Ali Fahimniya^B, Leonid Levitov^B
2: ツイスト二層グラフェンにおけるモアレスライドとトポロジカル電荷ポンプのバルクエッジ対応; 阪大理; 藤本大仁, 越野幹人
3: ツイスト二重二層グラフェンにおけるホフスタッターの蝶と量子ホール効果; YU Shanghai^A, 大阪大理^B, East China Normal Univ.^C; J. A. Crosse^A, ^○中辻直斗^B, 越野幹人^B, Pilkyung Moon^{A, C}
^●4: Novel conditionally bound states and anti-Klein tunnelling in bilayer graphene; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{B, C}
5: グラフェンおよび遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるカイラルなブロッホ電子による整流効果; マサチューセッツ工科大, ハーバード大^A; 磯部大樹, Su-Yang Xu^A, Liang Fu
6: 化学修飾されたACNTおよびZCNTの電子状態; 成蹊大理工; 石井克明, 富谷光良, 坂本昇一
7: ネットワーク系における輸送現象; 浦項工大, 東大物性研^A; Jongjun M. Lee, ^○押川正毅^A, Gil-Young Cho

8: 3次元グラファイン-Nにおけるトポロジカルノード線半金属状態; 阪大院理; 川上拓人, 野村高史, 越野幹人
9: グラフェンナノリボンの多端子接合におけるトポロジカル局在状態; 阪大院理; 玉置弦, 川上拓人, 越野幹人
10: グラフェンナノリボンの電気伝導特性; 成蹊大理工; 澁谷航, 富谷光良, 坂本昇一
11: 強束縛近似を用いたグラフェンナノロードの電気伝導計算; 北大院工; 工藤聖浩, 江上喜幸
12: h-BN双晶界面に由来するHelical channels; 北大院工; 石川達也, 江上喜幸^A, 明楽浩史^A
13: IV族原子層積層構造におけるスピンホール流; 北大院工^A, 横河電機^B; 北川雄真^{A, B}, 鈴木雄太^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A
14: 原子層ヘテロ接合系における透過率のバレー依存性; 北大院工; 石川俊也, 明楽浩史

1: 電荷モデルを用いた1次元モット絶縁体ET-F₂TCNQにおける励起子準位構造と電場変調差分スペクトルの理論解析; KEK物構研, 東大新領域^A, 北大理^B, 東大工^C, 産総研^D; 山口辰威, 宮本辰也^A, 高村直幹^A, 貴田徳明^A, 高橋幸裕^B, 長谷川達生^C, 岩野薫, 岡本博^{A, D}
2: 中性イオン性相転移を示す新規一次元鎖状高分子単結晶における光誘起電荷移動ダイナミクス; 東工大理学院^A, 東北大金研^B; 石川忠彦^A, 佐野史弥^A, 田久保耕^A, 沖本洋一^A, 腰原伸也^A, 杜毅軟^B, 高橋優介^B, 高坂亘^B, 宮坂等^B
3: ダイマー格子における電荷振動の光誘起同期現象に対するサイト間相互作用の効果; 中大理工; 島田利哉, ^○米満賢治
4: テラヘルツパルスによるκ型ET塩のモット絶縁体-電荷秩序転移と金属化Ⅱ; 東大新領域^A, 東大工^B, 分子研^C, 東大物性研^D, 産総研^E; 梁生平^A, 高村直幹^A, 吉持遥人^B, 須田理行^C, 山本浩史^C, 宮川和也^B, 鹿野田一司^B, 森初果^D, 宮本辰也^A, 岡本博^{A, E}

5: 三角格子反強磁性体CuFeO₂における3重縮退した磁気ドメインのイメージング; 東大工, 理研CEMS^A, 東京カレッジ^B; 井口照悟, 関真一郎^A, 十倉好紀^{A, B}, 高橋陽太郎^A
6: 空間反転対称性の破れた励起子絶縁体の集団励起モードと光学応答; Columbia Univ.^A, 東工大^B, Flatiron Inst.^C; 金子竜也^A, Zhiyuan Sun^A, 村上雄太^B, Denis Golez^C, Andrew Millis^{A, C}
7: 強磁性ラインノード半金属Fe₃GeTe₂薄膜における異常ホール効果の分光研究; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東大理^C, 東北大金研^D; 加藤喜大^A, 岡村嘉大^A, 見波将^{B, C}, 藤村怜香^A, 茂木将孝^B, 吉見龍太郎^B, 塚﨑敦^D, 高橋圭^B, 川﨑雅司^{A, B}, 有田亮太郎^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}, 高橋陽太郎^{A, B}
8: コニカル磁性相が示す非線形光学応答の数値的研究; 東大工; 奥村駿, 森本高裕, 加藤康之, 求幸年
9: 光照射したα-RuCl₃のFloquet理論による解析; 中大理工; 荒川直也, 米満賢治
10: 強誘電半導体(Pb,Sn)Te薄膜における電子・格子ダイナミクス; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C; 半田光^A, 岡村嘉大^A, 吉見龍太郎^B, 塚﨑敦^C, 高橋圭^B, 川﨑雅司^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}, 高橋陽太郎^{A, B}

1: ダイマーモット系 κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]X (X=Cl, Br)における格子ダイナミクス II; CROSS^A, 東北大金研^B, Goethe-Univ.^C, MPI-CPfS^D, ILL^E; 松浦直人^A, 小林亮太^B, 黒子めぐみ^B, 井口敏^B, 佐々木孝彦^B, Elena Gati^C, Benedikt Hartmann^C, Jens Müller^C, Oliver Stockert^D, Michael Lang^C, and A. Piovano^E
2: ¹H/¹³C NMRによる量子双極子液体物質κ-(ET)₂Hg(SCN)₂Brの磁性研究; 東大院工, JHU^A, 東大物性研^B, IPCP^C; 浦井瑞紀, 宮川和也, Natalia Drichko^{A, B}, Elena I. Zhilyaeva^C, Svetlana A. Torunova^C, Rimma N. Lyubovskaya^C, 鹿野田一司
^●3: Studies of spin states in (BEDT-TTF)Cu[N(CN)₂]₂ by electron spin resonance; Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Univ. of Yamanashi^A, RIKEN^B, Kumamoto Univ.^C, SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst.^D; M. K. Nuryadin, S. Iguchi, N. Yoneyama^A, Y. Oshima^B, T. Tsumuraya^C, T. Moriwaki^D, Y. Ikemoto^D and T. Sasaki
4: κ-ET₂Hg(SCN)₂Brの強磁性; 東大総合文化; 堀田知佐

5: 擬1次元Mott絶縁体(ETTM-STF)₂Au(CN)₂の構造と電子物性; 理研; 上辺将士, 南舘孝亮, 崔亨波, 加藤礼三
6: κ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Brの圧力下磁場侵入長測定Ⅱ; 東大工; 若松浩大, 宮川和也, 鹿野田一司
7: κ型分子性導体における反強磁性スピン分裂と強相関効果; 理研^A, 理研CEMS^B, 早大高等研^C; 妹尾仁嗣^{A, B}, 中惇^C
8: 分子性有機導体α''-(BEDT-TTF)₂Rb_1.2Co(SCN)₄の磁気誘電効果と磁場中赤外分光2; 東北大金研^A, 山梨大工^B, SPring-8/JASRI^C; 井口敏^A, 森田康太郎^A, 工藤勇希^A, 米山直樹^B, 池本夕佳^C, 森脇太郎^C, 佐々木孝彦^A
9: 分子性有機導体α''-(BEDT-TTF)₂Rb_1.2Co(SCN)₄の圧力下赤外分光測定2; 東北大金研^A, 山梨大工^B, SPring-8/JASRI^C; 工藤勇希^A, 井口敏^A, 米山直樹^B, 池本夕佳^C, 森脇太郎^C, 佐々木孝彦^A

1: 擬2次元分子性導体α-(BETS)₂I₃の常圧下におけるディラックバンド分散とスピン軌道相互作用の効果; 熊大院先導, 名大工^A, 金沢大院自然^B, 金沢大NanoMaRi^C, 名大理^D, 福島県立医大^E, 分子研^F; 圓谷貴夫, 鬼頭俊介^A, 澤端日華瑠^B, 石井史之^C, 鈴村順三^D, 開康一^E, 中村敏和^F, 澤博^A
2: 常圧二次元ディラク電子系α-(BETS)₂I₃の軌道磁性; 理研, 東大理^A, 熊大院先導^B; 藤山茂樹, 前橋英明^A, 崔亨波, 圓谷貴夫^B, 小形正男^A, 加藤礼三
3: 有機導体α-(BETS)₂I₃の多軌道模型による解析; 名大理, 東大物性研^A, 名大院工^B; 小林晃人, 大木大悟, 吉見一慶^A, 鬼頭俊介^B, 澤博^B
4: 有機ディラック電子系の面内磁気抵抗効果; 東邦大理^A, 愛媛大院理工^B, 東理大理工^C, 理研^D; 小原遼太郎^A, 土居龍生^B, 内藤俊雄^B, 田村雅史^C, 加藤礼三^D, 川椙義高^A, 西尾豊^A, 梶田晃示^A, 田嶋尚也^A

5: 有機ディラック電子系の低温問題; 東邦大理^A, 理研^B; 田嶋尚也^A, 小原遼太郎^A, 鵜野澤佳成^A, 加藤礼三^B, 川椙義高^A, 西尾豊^A, 梶田晃示^A
6: 有機ディラック電子系における量子輸送現象の圧力効果; 東邦大理^A, 京大工^B, 分子研^C, 理研^D; 鵜野澤佳成^A, 須田理行^B, 山本浩史^{C, D}, 加藤礼三^D, 川椙義高^A, 西尾豊^A, 梶田晃示^A, 田嶋尚也^A
7: 有機ディラック電子系におけるトポロジカル輸送現象; 東大物性研; 長田俊人, アンディカ・キスワンディ
8: 単一成分分子性導体[Pt(dmdt)₂]のエッジにおける電子相関効果; 名大理, 日大文理^A; 川村泰喜, 周彪^A, 小林昭子^A, 小林晃人

1: 多角形の構造欠陥を周期的に導入したグラフェンの電子物性; 東工大理; 田口裕太, 斎藤晋
2: アルカリ超酸化物NaO₂の圧力効果 II; 岡山大理, 広大院先進理工^A, 茨城大理工^B, 理研仁科セ^C; 宮島瑞樹, 長谷川巧^A, 中野岳仁^B, 渡邊功雄^C, 荻田典男^A, 小林達生, 神戸高志
3: Snの高圧相の第一原理計算; 阪大ナノセンター, 近大高専; 下司雅章, 舩島洋紀
4: 水素クラスレートハイドレートの第一原理分子動力学シミュレーションIV; 量研量子ビーム; 池田隆司

^●5: Diameter-dependent Photoluminescence Properties in Color Centers of Air-Suspended Single-Walled Carbon Nanotubes; Quantum Optoelectronics Res. Team, RIKEN Center for Advanced Photonics^A, Dept. of Chem. and Biochem., Univ. of Maryland, Col. Park^B, Nanoscale Quantum Photonics Lab., RIKEN Cluster for Pioneering Res.^C, Dept. of Mechanical Eng., The Univ. of Tokyo^D, Energy NanoEng. Lab., Nat’l. Inst. of Advanced Industrial Sci. and Tech. (AIST)^E, Maryland NanoCenter, Univ. of Maryland, Col. Park^F; Daichi Kozawa^A, Xiaojian Wu^B, Akihiro Ishii^{A, C}, Jacob Fortner^B, Keigo Otsuka^C, Rong Xiang^D, Taiki Inoue^D, Shigeo Maruyama^{D, E}, YuHuang Wang^{B, F}, Yuichiro K. Kato^{A, C}
6: グラフェンナノリボンにおける励起子とプラズモン; 岩手大理工; 瓜生誠司
7: Electronic properties of monolayer graphene under an electric field; Res. Inst. for Interdisciplinary Sci., Okayama Univ., Res. Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.^A; Lei Zhi, Hidenori Goto, Akari Miura, Ritsuko Eguchi, Takao Nishikawa^A, Shizuo Tokito^A, Yoshihiro Kubozono
8: Hybrid汎関数を用いたh-BN原子膜における不純物状態の研究; 東工大理, McGill Univ.^A; 芳賀太史, S. Yuan^A, K. H. Bevan^A, 斎藤晋
9: hBN/グラフェン/hBN3層系における二重周期構造とその電子構造; 阪大理; 岡裕樹, 越野幹人
10: グラフェンで生じるフリーデル振動と多層CNTの抵抗値の関係; 産総研, ADMAT^A; 稲葉工, 森本崇宏, 山崎悟志^A, 岡崎俊哉

1: ファンデルワールスヘテロ界面におけるバルク光起電力効果の積層角度依存性; 東大院工^A, 南京大^B, ケース・ウェスタン・リザーブ大学^C, 理研CEMS^D; 井手上敏也^A, 赤松孝俊^A, Zhou Ling^B, 北村想太^A, 恩河大^A, 中川裕治^A, Joseph Laurienzo^C, Junwei Huang^B, 森本高裕^A, Hongtao Yuan^B, 岩佐義宏^{A, D}
2: Cr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の磁性; 東大院工, 理研CEMS^A; 真島裕貴, Saika Bruno Kenichi, 松岡秀樹, 中野匡規^A, 吉田訓, 石坂香子^A, 岩佐義宏^A
^●3: Electronic structure of Cr_1/3NbSe₂ epitaxial thin films studied by angle-resolved photoemission spectroscopy; Sch. of Eng., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B; Bruno Kenichi Saika^A, Yuki Majima^A, Hideki Matsuoka^A, Masaki Nakano^{A, B}, Satoshi Yoshida^A, Masato Sakano^A, Yoshihiro Iwasa^{A, B}, Kyoko Ishizaka^{A, B}
^●4: Angle-resolved photoemission spectroscopy study of single-layer TaTe₂ grown by molecular-beam epitaxy; Sch. of Eng., Univ. of Tokyo^A, OIST^B, RIKEN CEMS^C; Bruno Kenichi Saika^A, Satoshi Yoshida^A, Natsuki Mitsuishi^A, Masato Sakano^A, Yuita Fujisawa^B, Yoshinori Okada^B, Yue Wang^A, Hideki Matsuoka^A, Masaki Nakano^{A, C}, Yoshihiro Iwasa^{A, C}, Kyoko Ishizaka^{A, C}
5: 強磁性NbSe₂の異常ホール効果(実験); 東大院工^A, 北大工^B, 理研CEMS^C, 阪大理^D; 松岡秀樹^A, 羽部哲朗^B, 岩佐義宏^{A, C}, 越野幹人^D, 中野匡規^{A, C}
6: 強磁性NbSe₂の異常ホール効果 (理論); 北大工^A, 東大院工^B, 理研CEMS^C, 阪大理^D; 羽部哲朗^A, 松岡秀樹^B, 岩佐義宏^{B, C}, 中野匡規^{B, C}, 越野幹人^D

7: 多層VTe₂薄膜の擬一次元的電子構造：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 川上竜平^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 猿田康朗^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
8: MoTe₂原子層薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 猿田康朗^A, 川上竜平^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
9: 高分解能ARPESによる単層・多層NbTe₂薄膜の電子状態; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 田口大樹^A, 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 猿田康明^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
^●10: Exotic Bound States and Dynamics of Electron-Phonon Coupling Observed in 1T-TaS₂ Using Scanning Tunneling Microscopy; RIKEN Center for Emergent Matter Sci.^A, Quantum-Phase Electronics Center and Dept. of Applied Phys., The Univ. of Tokyo^B; Christopher J. Butler^A, Masaro Yoshida^A, Tetsuo Hanaguri^A, Yoshihiro Iwasa^{A, B}
11: NbSe₃薄膜における電荷密度波スライディング特性; 阪大理^A, 東大理^B, 阪大CSRN^C; 藤原浩司^A, 岩切秀一^A, 横井雅彦^A, 渡邉杜^A, 小林研介^{A, B}, 新見康洋^{A, C}
12: ワイル半金属WTe₂の高純度単結晶における超巨大磁気抵抗と量子振動Ⅱ; 東工大フロンティア研; 岡崎尚太, 笹川崇男
13: 原子層WTe2における層数依存した電子状態の観測; 東大工^A, 東大生産研^B, 理研CEMS^C, 東工大フロンティア研^D, 物材機構^E, CREST-JST^F; 田中佑磨^A, 増渕覚^B, 坂野昌人^A, 大島敦史^A, 野本拓也^A, 有田亮太郎^{A, C}, 岡崎尚太^D, 笹川崇男^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, 町田友樹^{B, F}, 石坂香子^{A, C}

1: 電気二重層トランジスタを用いた有機半導体単結晶薄膜における2次元ホールガスの形成と低温キャリア輸送; 東大^A, JSTさきがけ^B; 糟谷直孝^A, 岡本敏宏^{A, B}, 渡邉峻一郎^{A, B}, 竹谷純一^A
2: トラップレス単結晶有機FETにおける弱束縛励起子を介したキャリア誘起巨大退色効果; 東大工, 産総研^A; 松岡悟志, 堤潤也^A, 長谷川達生
3: 有機FETにおけるゲート誘起スペクトル解析のためのベイズ分光法III; 熊大技術部, 熊大院自然^A, 熊大産ナノ研^B, 阪市大院理^C; 岩満一功, 東山享平^A, 熊添博之^B, 鐘本勝一^C, 赤井一郎^B
4: MoS₂ FET チャンネルに吸着したフォトクロミック分子の光化学反応によるFET特性変化; 東北大院理^A, 東北大多元研^B; シャミンママン樹^A, 高岡毅^B, 田中悠太^A, アラムイフェクハルル^A, 和泉廣樹^A, ^○米田忠弘^B

5: 有機半導体レーザ：電流励起と光励起; 東北大材料研^A, 東北大院理^B, IISER India^C; 谷垣勝己^A, 三浦大輝^B, Thangavel Kanagasekaran^C, 下谷秀和^B
6: ゲート変調イメージング法の非染色バイオイメージングへの応用; 産総研; 堤潤也

1: （共催シンポジウム講演）錯体水素化物のリチウム超イオン伝導機能と蓄電デバイス応用 −ハイドロジェノミクスでの挑戦−; 東北大WPI-AIMR/金研; 折茂慎一
2: （共催シンポジウム講演）イットリウム酸水素化物薄膜成長と光誘起絶縁体—金属転移; 東工大物質理工; 清水亮太
3: （共催シンポジウム講演）高プロトン導電性高分子薄膜：分子設計とエネルギーデバイスへの応用; 山梨大クリーンエネルギーセ; 宮武健治
4: （共催シンポジウム講演）水素と電子のカップリングによる物性制御; 東大物性研; 森初果

5: （共催シンポジウム講演）高効率物質変換のための無機ナノ粒子の創製; 九大カーボンニュートラルエネルギー研; 山内美穂
6: （共催シンポジウム講演）金属表面における水素のサブサーフェス拡散・反応制御; 東京電機大; 小倉正平
7: （共催シンポジウム講演）計測とシミュレーションの水素データ同化; 東大理; 常行真司

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 東北大院理・光電子固体物性研究室; 菅原克明
2: （一般シンポジウム講演）高集積グラフェンナノリボンの合成と成長ダイナミクス; 東北大院工; 加藤俊顕
3: （一般シンポジウム講演）大面積ツイスト２層グラフェンの作製と電子状態評価; 九大院工; 田中悟
4: （一般シンポジウム講演）グラフェンの熱電効果; 名大工; 竹延大志

5: （一般シンポジウム講演）グラフェンプラズモンの電気的制御; NTT基礎研; 熊田倫雄
6: （一般シンポジウム講演）hBN/グラフェン超格子の量子輸送: バレーホール状態、超伝導、単一電子伝導; 東電院工; 森山悟士
7: （一般シンポジウム講演）原子層物質における円偏光物性; 東北大院理・物性理論研究室; 齋藤理一郎

1: 有機金属(HMTTeF)(Et2TCNQ)(THF)xのラマン散乱スペクトルの温度依存性; 名大院工^A, 京大院理^B, 豊田理研^C; 佐滝祥介^A, 中村優斗^A, 吉田幸大^B, 齋藤軍治^C, 岸田英夫^A
2: 中性-イオン性転移物質TTF-CAの圧力下強誘電相におけるポーラロン; 東大工, 産総研^A, 理研^B, 東大新領域^C; 須波圭史, 竹原陵介, 加藤木章浩, 宮川和也, 堀内佐智雄^A, 加藤礼三^B, 宮本辰也^C, 岡本博^{A, C}, 鹿野田一司
3: 取　　消
4: 中性‐イオン性転移物質TTF-CAの熱伝導度測定; 東工大^A, CREST^B, 産総研^C, 東北大^D; 竹原陵介^{A, B}, 堀内佐智雄^C, 西野智昭^{A, B}, 星野哲久^D, 芥川智行^{B, D}, 庄子良晃^{A, B}, 福島孝典^{A, B}

5: 量子スピン液体EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂における熱伝導率測定データの不一致について II; 理研; 加藤礼三, 上辺将士, 崔亨波
6: 量子スピン液体EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の単結晶¹³C NMR; 理研; 藤山茂樹, 加藤礼三
7: θ-(BEDT-TTF)₂CsCo(SCN)₄の低温熱容量・輸送能測定; 阪大院理; 野本哲也, 山下智史, 圷広樹, 中澤康浩
8: 取　　消
9: ルブレン単結晶の電界効果熱起電力; 東工大物質理工; 清田泰裕, 川本正, ^○森健彦

1: 捩れ積層グラフェンにおける弱局在効果の捩れ角依存性; 東大物性研; 柏木聖生, 佐藤光幸, 内田和人, 田縁俊光, 長田俊人
2: 二重モアレグラフェンにおけるサイクロトロン共鳴吸収; 東大生研^A, 物材機構^B, CREST-JST^C; 小野寺桃子^A, 木下圭^A, 守谷頼^A, 増渕覚^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^{B, A}, 町田友樹^{A, C}
3: モアレ超格子二重量子ドット素子における量子ホール効果と単一キャリア輸送特性; 物材機構, 群馬大^A, 東京電機大^B; 岩崎拓哉, 中払周, 若山裕, 渡邊賢司, 谷口尚, 守田佳史^A, 森山悟士^B
4: 励起子電荷センシングによる二次元半導体モアレ超格子における強相関電子状態の発見; ETH Zurich, 物材機構^A; 島崎佑也, Ido Schwartz, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, Martin Kroner, Atac Imamoglu
5: トンネル結合した二層系二次元半導体材料における層間-層内励起子混成の電界制御; ETH Zurich, 物材機構^A; 島崎佑也, Ido Schwartz, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, Martin Kroner, Atac Imamoglu
6: 薄膜グラファイトの伝導特性に対するhBNを用いた表面保護効果; 東大物性研; 田縁俊光, 柏木聖生, 内田和人, 長田俊人

7: 第3のゲート構造を有する2層グラフェン量子ポイントコンタクトの作製と特性評価; 千葉大院物質, 成均館大^A, 物材機構^B, SUNYバッファロー^C, アリゾナ州立大^D; 青木伸之, 村瀬健太郎, 坂梨昂平, 紙田祐吉, G.-H.キム^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, J.P.バード^C, D.K.フェリー^D
8: グラフェンバリスティック開放系量子ドットにおける量子伝導現象; 千葉大工, 蘭州大^A, ASU^B, バッファロー大^C, SKKU^D, 物材機構^E; 坂梨昂平, X. Chen^A, 和田直人, D. K. Ferry^B, J. P. Bird^C, G-h. Kim^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, L. Huang^A, 青木伸之
9: CVDグラフェンナノリボンにおける量子ドット形成; 東北大通研, 東北大院工^A; 北田孝仁, 阿部峰也, 篠﨑基矢, 瀬尾瑞樹^A, 金子俊郎^A, 加藤俊顕^A, 大塚朋廣
10: エッチンググラフェンのおける弱局在効果の増幅; 阪大理^A, アンリツ先端研^B, 東大低温科学研究センター^C, 東大理知の物理学センター^D, 阪大CSRN^E; 花田尚輝^A, 岩切秀一^A, 浅野拓也^A, 松井朋裕^B, 福山寛^C, 小林研介^{A, D}, 新見康洋^{A, E}
11: Ybインターカレートグラフェン/SiCの磁気特性; 東大理; 鄭帝洪, ^○秋山了太, V. Jort, 遠藤由大, 渡邉和己, 遠山晴子, 高城拓也, 保原麗, 長谷川修司
12: 3次元ディラック物質黒リンにおけるランダウ量子化の考察; 兵庫県立大院理, 東北大金研^A; 藤井拓斗, 中井祐介, 上田光一, 赤浜裕一, 平田倫啓^A, 水戸毅, 長谷川泰正

1: 真性モット絶縁体β-(BEDT-TTF)TaF₆とζ-(BEDT-TTF)PF₆; 東工大物質, 東工大院理工^A; 川本正, 倉田浩平^A, 森健彦
2: 混晶系量子スピン液体物質κ-(BEDT-TTF)₂Ag_2xCu_2(1-x)(CN)₃の分光学的研究Ⅱ; 名大院工^A, 京大院理^B, 豊田理研^C; 中村優斗^A, 吉田幸大^B, 前里光彦^B, 北川宏^B, 齋藤軍治^C, 岸田英夫^A
3: ラマン分光によるθ-(ET)₂RbZn(SCN)₄の電荷液体相の電荷密度分布の解析; 東大工; 村瀬秀明, 荒井俊人, 長谷川達生, 宮川和也, 鹿野田一司
4: π-d系物質λ-(BEDT-STF)₂FeCl₄の誘電特性; 北大院理, 北大電子研^A; 福岡脩平, 伊藤悠馬, 高橋仁徳^A, 松永悟明, 井原慶彦, 河本充司

5: 傾斜エックス線照射により分子欠陥を導入したκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの赤外反射スペクトル測定; 東北大金研, 山梨大工^A, SPring-8/JASRI^B; 佐藤直道, 桐野友輝, 井口敏, 古川哲也, 杉浦栞理, 米山直樹^A, 池本夕佳^B, 森脇太郎^B, 佐々木孝彦
6: 傾斜エックス線照射した分子性有機導体κ-(BEDT-TTF)₂Xの赤外分光; 東北大金研, 山梨大工^A, 東北大WPI-AIMR^B, SPring-8/JASRI^C; 佐々木孝彦, 佐藤直道, 古川哲也, 杉浦栞理, 井口敏, 米山直樹^A, L. Kang^B, 赤木和人^B, 池本夕佳^C, 森脇太郎^C
7: κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]BrのX線照射欠陥モデルと分子動力学II; 東北大WPI-AIMR, 名工大^A, 東北大金研^B; 赤木和人, Artoni Kevin R Ang^A, Lijing Kang, 林好一^A, 佐々木孝彦^B
^●8: X-ray fluorescence holography of X-ray irradiation defects in κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Br II; Nagoya Inst. Tech.^A, Hiroshima City Univ.^B, WPI-AIMR, Tohoku Univ.^C, IMR, Tohoku Univ.^D; Artoni Kevin R. Ang^A, Riho Marumi^A, Koji Kimura^A, Naohisa Happo^B, Kazuto Akagi^C, Takahiko Sasaki^D, Kouichi Hayashi^A
9: エックス線照射した分子性ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃における赤外分光; 東北大金研, 山梨大工^A, SPring-8/JASRI^B; 桐野友輝, 佐藤直道, 井口敏, 古川哲也, 杉浦栞理, 米山直樹^A, 池本夕佳^B, 森脇太郎^B, 佐々木孝彦

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