日本物理学会2020年秋季大会

5: 磁場中の量子ポイントコンタクトにおける核スピン分極のゲート電圧依存性; 茨大工; 青野友祐, 小峰啓史
6: 寄生容量を考慮した電子回路モデルによるノイズ測定用低温HEMT増幅器の評価; NTT物性科学基礎研^A, 阪大理^B, JST PRESTO^C, 東大理知の物理学研究センター^D; Lee Sanghyun^{A, B}, 橋坂昌幸^{A, C}, 秋保貴史^A, 小林研介^{B, D}, 村木康二^A
7: 磁気トンネル接合における非線形輸送; 阪大理^A, 物材機構^B, 中国科学院大学Kavli-ITS^C, 東大物性研^D, 阪大CSRN^E, JST-PRESTO^F, 東大理^G; 岩切秀一^A, 杉本聡志^B, 大湊友也^C, 加藤岳夫^D, 松尾衛^C, 新見康洋^{A, E}, 葛西伸哉^{B, F}, 小林研介^{A, G}
8: ホッピング伝導における電位分散の温度依存性; NTT物性研, 筑波大^A; 林稔晶, 都倉康弘^A, 藤原聡
9: 室温におけるp型Siピエゾ抵抗効果の2バンド分離モデル; 徳文大理工; 松田和典, 生田壮馬, 宇山裕貴, 梶山博司

1: モアレ・グラフェンにおける電子フォノン相互作用の制御性; マサチューセッツ工科大学^A, 東大工^B; 石塚大晃^{A, B}, Ali Fahimniya^B, Leonid Levitov^B
2: ツイスト二層グラフェンにおけるモアレスライドとトポロジカル電荷ポンプのバルクエッジ対応; 阪大理; 藤本大仁, 越野幹人
3: ツイスト二重二層グラフェンにおけるホフスタッターの蝶と量子ホール効果; YU Shanghai^A, 大阪大理^B, East China Normal Univ.^C; J. A. Crosse^A, ^○中辻直斗^B, 越野幹人^B, Pilkyung Moon^{A, C}
^●4: Novel conditionally bound states and anti-Klein tunnelling in bilayer graphene; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{B, C}
5: グラフェンおよび遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるカイラルなブロッホ電子による整流効果; マサチューセッツ工科大, ハーバード大^A; 磯部大樹, Su-Yang Xu^A, Liang Fu
6: 化学修飾されたACNTおよびZCNTの電子状態; 成蹊大理工; 石井克明, 富谷光良, 坂本昇一
7: ネットワーク系における輸送現象; 浦項工大, 東大物性研^A; Jongjun M. Lee, ^○押川正毅^A, Gil-Young Cho

8: 3次元グラファイン-Nにおけるトポロジカルノード線半金属状態; 阪大院理; 川上拓人, 野村高史, 越野幹人
9: グラフェンナノリボンの多端子接合におけるトポロジカル局在状態; 阪大院理; 玉置弦, 川上拓人, 越野幹人
10: グラフェンナノリボンの電気伝導特性; 成蹊大理工; 澁谷航, 富谷光良, 坂本昇一
11: 強束縛近似を用いたグラフェンナノロードの電気伝導計算; 北大院工; 工藤聖浩, 江上喜幸
12: h-BN双晶界面に由来するHelical channels; 北大院工; 石川達也, 江上喜幸^A, 明楽浩史^A
13: IV族原子層積層構造におけるスピンホール流; 北大院工^A, 横河電機^B; 北川雄真^{A, B}, 鈴木雄太^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A
14: 原子層ヘテロ接合系における透過率のバレー依存性; 北大院工; 石川俊也, 明楽浩史

^●1: （招待講演）Topological materials: theory, prediction, and detection; 東工大理; Tiantian Zhang
2: qeirreps：Quantum ESPRESSOをもとにブロッホ波動関数の既約表現を求めるオープンソースプログラム; 東大物工, 理研CEMS^A; 松ヶ谷明史, 小野清志郎, 野村悠祐^A, 渡辺悠樹
3: トポロジカル超伝導相の対称性指標と物質探索; 東大工, 京大基研^A, MIT^B; 小野清志郎, 塩崎謙^A, Hoi Chun Po^B
^●4: First-principle material design of topological magnetic electrides; Univ. of Tokyo, RIEKN^A, Sapienza Univ. of Rome^B; Tonghua Yu, Motoaki Hirayama^A, Jose Flores-Livas^B, Takuya Nomoto, Ryotaro Arita^A
5: 深層学習によるバンドギャップ推定について; 情報通信研究機構; 紺野友彦

6: 面心立方格子におけるノーダルライン半金属とトポロジカル結晶絶縁体; 東大理, プリンストン大^A; 立石幾真, Benjamin J. Wieder^A
7: Cd₃As₂におけるスピン分裂ランダウ準位の非摂動理論; 電通大基盤理工; 猪崎優喜, 伏屋雄紀
8: 線ノード半金属におけるトポロジカル圧電効果; 阪大基礎工, Max Planck Inst.^A; 松下太樹, 藤本聡, Andreas. P. Schnyder^A
9: トポロジカルディラック半金属におけるスピンホール効果の理論研究; 京大基研, 名大工^A; 田口勝久, ^○大島大介^A, 山口悠介^A, 橋本樹, 田仲由喜夫^A, 佐藤昌利
10: 強磁性電極を接続したトポロジカルディラック半金属の異常ホール磁気抵抗効果; 東北大金研; 小林浩二, 野村健太郎
11: Type-I及びType-IIワイル半金属における磁気抵抗効果の違いに関する研究; 北大電子研; 森島一輝, 近藤憲治
12: 2次のType-II Weyl半金属で現れるFermi arc; 北大電子研; 小森至瑠, 近藤憲治

1: 量子異常ホール絶縁体‐通常絶縁体相転移の電流スケーリング; 理研CEMS^A, 東大工^B, 東北大金研^C, 東京カレッジ^D; 川村稔^A, 茂木将孝^B, 吉見龍太郎^A, 塚崎敦^C, 小塚裕介^B, 高橋圭^A, 川﨑雅司^{A, B}, 十倉好紀^{A, B, D}
2: 磁性トポロジカル絶縁体Cr(Bi,Sb)2Te3における量子異常ホール効果の標準応用に向けた普遍性検証; 産総研^A, 理研CEMS^B, 東大工^C, 東北大金研^D, 東大^E; 岡崎雄馬^A, 大江武彦^A, 川村稔^B, 吉見龍太郎^B, 中村秀司^A, 高田真太郎^A, 茂木将孝^C, 高橋圭^B, 塚崎敦^D, 川崎雅司^{B, C}, 十倉好紀^{B, C, E}, 金子晋久^A
3: 強磁性トポロジカル絶縁体サンドイッチ構造Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/(Bi_1-xSb_x)₂Te₃/ Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄/Si(111)のフェルミ準位制御による電気伝導特性変調; 東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Sch. of Natural Sci., Far Eastern Federal Univ.^B, 東工大理^C; 高城拓也, 秋山了太, I. A. Kibirev^{A, B}, A. V. Matetskiy^{A, B}, 遠山晴子, 中西亮介, 樋渡功太, 平原徹^C, 深澤拓朗^C, A. V. Zotov^{A, B}, A. A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司
4: EuS/SnTeヘテロ接合における近接高温強磁性トポロジカル結晶絶縁体界面状態; 東大理, 筑波大数理^A, アルバック^B, CROSS^C; 秋山了太, 渡邉和己, 嶋野武^A, 友弘雄太^A, 渡邉拓斗^A, 石川諒^B, 阿久津和宏^C, 飯田一樹^C, 黒田眞司^A, 長谷川修司
5: トポロジカル絶縁体/強磁性体ヘテロ構造のディラック電子状態::高分解能 ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, 東大総合文化^D, 東大物工^E; 加藤剛臣^A, 伊東直洋^A, 川上竜平^A, 久保田雄也^A, 田口大樹^A, 坪野竜治^A, 菅原克明^{A, B, C}, 相馬清吾^{B, C}, 中山耕輔^A, 高橋隆^{A, B, C}, 塩見雄毅^D, 齊藤英治^{B, C, E}, 佐藤宇史^{A, B, C}
6: 転写法によるBi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3/Cr₂Ge₂Te₆ヘテロ構造の作製と異常ホール効果の観測; 東北大院理, 東北大AIMR^A; 永田一将, 松下ステファン悠^A, Xin Chen Pan^A, Kim Khuong Huynh^A, 谷垣勝己^A
7: 磁性トポロジカル絶縁体表面を介した近接効果の制御; 名大工, 東工大フロンティア研^A, モスクワ工科大^B, 産総研^C, 北大工^D; 矢野力三, 津村公平, 廣瀬陽代^A, 山本將裕, Stolyarov Vasily^B, 柏谷裕美^C, 田仲由喜夫, 浅野泰寛^D, 笹川崇男^A, 柏谷聡

8: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃上のPb薄膜における走査トンネル分光; 理研CEMS^A, JSTさきがけ^B, 東北大院理^C, 東北大CSRN^D, 東北大WPI-AIMR^E, 東工大フロンティア研^F; 町田理^{A, B}, 菅原克明^{C, D, E}, 幸坂祐生^A, 佐藤宇史^{C, D, E}, 笹川崇男^F, 花栗哲郎^A
9: Fiber Bragg gratingによるSr_xBi₂Se₃の超伝導転移温度近傍での多軸熱膨張測定; 京大院理, Inst. of Phys., Univ. of Cologne^A; 谷口諒, 米澤進吾, Zhiwei Wang^A, 安藤陽一^A, 前野悦輝
10: トポロジカル近藤絶縁体SmB6の点接合アンドレエフ反射実験; 九大院工, 茨城大院理工^A; 原田琢良, 志賀雅亘, 高橋拓也, 稲垣祐次, 伊賀文俊^A, 河江達也
11: カイラル構造を持つ化合物 (Nb/Ta)(Si/Ge)₂ の結晶育成と超伝導特性; 東工大フロンティア研; 星銅優汰, 小柳海人, 笹川崇男
12: 擬一次元電荷密度波化合物NbTe₄の電子状態II; 東大工^A, 東工大フロンティア研^B, PF-KEK^C, 東北大多元研^D, 広大放射光セ^E; 三石夏樹^A, 千葉正義^B, 坂野昌人^A, 堀場弘司^C, 組頭広志^{C, D}, 宮本幸治^E, 奥田太一^E, 笹川崇男^B, 石坂香子^A
13: Pb(Bi,Sb)₂(Te,Se)₄トポロジカル絶縁体の作製と電気抵抗測定; 東大生研; 杉本恭一, 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一
14: Pb(Bi,Sb)₂Te₄ トポロジカル絶縁体における表面電子物性; 東大生研; 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一

1: 非平衡近藤系における準粒子衝突積分と電流ノイズの微視的Fermi流体論; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 三重大院工^C, 東大物性研^D; 小栗章^{A, B}, 寺谷義道^C, 阪野塁^D
2: N個の局在準位を持つ量子ドットを透過する電流および電流揺らぎに表れる非線形Fermi流体補正; 三重大院工, 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 東大物性研^C; 寺谷義道, 小栗章^{A, B}, 阪野塁^C
3: 1/(N-1) 展開によるSU(N) Anderson 不純物模型の解析：非平衡輸送に対する3体相関の効果; 三重大院工, 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 東大物性研^C; 寺谷義道, 小栗章^{A, B}, 阪野塁^C
4: SU(2)近藤効果における温度誘起電流ノイズ; 慶大理工; 長谷川雅大, 齊藤圭司
5: 量子ドット高周波反射測定のノイズ解析; 東北大通研, 理研CEMS^A, ルール大学ボーフム^B; 篠﨑基矢, 武藤由依, 北田孝仁, 中島峻^A, Matthieu R. Delbecq^A, 米田淳^A, 武田健太^A, 野入亮人^A, 伊藤匠^A, Arne Ludwig^B, Andreas D. Wieck^B, 樽茶清悟^A, 大塚朋廣
6: ベイズ手法による量子ドット電荷状態推定のノイズ依存性; 東北大通研, 理研CEMS^A; 武藤由依, 篠﨑基矢, 北田孝仁, 永安修也^A, 中島峻^A, Matthieu R. Delbecq^A, 米田淳^A, 武田健太^A, 野入亮人^A, Sen Li^A, 伊藤匠^A, 樽茶清悟^A, 大塚朋廣

7: ナノ系の非線形熱電輸送と非平衡熱力学; 筑波大数物; 谷口伸彦
8: 巨視系における電流ゆらぎの位置依存性; 東大先進研, 東大総合文化, 阪大理^A; 久保賢太郎, 浅野建一^A, 清水明
9: ランダムネスのあるジョセフソン接合列におけるマイクロ波散乱; 東大物性研, Yale Univ.^A, Univ. Grenoble Alpes, CEA^B; 山本剛史, Leonid Glazman^A, Manuel Houzet^B
10: 三角形三重量子ドット系における非局所Andreev散乱と近藤効果; 大阪市大理^A, 三重大院工^B, 大阪市大NITEP^C, NTT物性基礎研^D, 先端力学シミュレーション研究所^E; 橋本将史^A, 寺谷義道^B, 小栗章^{A, C}, 山田康博^D, 田中洋一^E
11: 電子正孔非対称な量子ドットにおける非線形電流の磁場依存性に関する近藤スケーリング; 大阪市大理^A, 三重大院工^B, 大阪市大NITEP^C, 東大物性研^D; 堤和彦^A, 寺谷義道^B, 小栗章^{A, C}, 阪野塁^D
12: シリコン量子ドットにおける電子スピン量子非破壊測定; 理研CEMS^A, ニューサウスウェールズ大^B, 東工大^C; 米田淳^{A, B}, 武田健太^A, 野入亮人^A, 中島峻^A, Sen Li^A, 神岡純^C, 小寺哲夫^C, 樽茶清悟^A
13: 機械学習による量子ドットの電荷状態推定; LeapMind, 東北大通研^A, 理研CEMS^B, ルール大学ボーフム^C; 中曽拓, ^○篠﨑基矢^A, 相澤拓海^A, 北田孝仁^A, 武藤由依^A, 中島峻^B, Matthieu R. Delbecq^B, 米田淳^B, 武田健太^B, 野入亮人^B, 伊藤匠^B, Arne Ludwig^C, Andreas D. Wieck^C, 樽茶清悟^B, 兼村厚範, 大塚朋廣^A

1: （企画講演）領域4若手奨励賞：審査概要と受賞者紹介; 東工大理; 藤澤利正
2: （企画講演）極性半導体および超伝導ナノチューブによる非相反磁気輸送; 東大工; 井手上敏也
3: （企画講演）砒化物ディラック半金属薄膜の量子輸送現象に関する実験的研究; 東大工; 打田正輝
4: （企画講演）マヨラナフラットバンドを有するトポロジカル超伝導体の理論研究; 理研 CEMS; 小林伸吾

5: Weyl超伝導における外因性熱Hall効果とラインノードによる熱Hall現象の抑制機構; 阪大基礎工; 木村直志, ^○松下太樹, 水島健, 藤本聡
6: 超伝導遷移金属ダイカルコゲナイドに生じるアンドレーエフ束縛状態; 名大工; 柘植ブライアン, 矢田圭司, 田仲由喜夫
7: 異方的超伝導体接合における熱電効果の理論; アールト大学, 名大工^A, マドリード自治大学^B; Tony Savander, ^○田村駿^A, Christian Flindt, 田仲由喜夫^A, Pablo Burset^B
8: d+ip波超伝導体接合の微分コンダクタンスの理論; 名大院工; 高畠優飛, 鈴木修, 田仲由喜夫
9: ルテニウム酸化物超伝導体/金属接合の微分コンダクタンス; 名大院工^A, 京大基研^B; 鈴木修^A, 佐藤昌利^B, 田仲由喜夫^A
10: 空間反転対称性の破れとスピン軌道相互作用のある多軌道系におけるJosephson接合の理論; 名大工, CNR-SPIN, c/o Univ. of Salerno^A; 深谷優梨, 矢田圭司, 田仲由喜夫, Paola Gentile^A, Mario Cuoco^A
11: Kitaev鎖モデルにおける不純物散乱効果の理論－局所状態密度と奇周波数ペアに対する影響－; 名大理, 名大工^A; Sparsh Mishra, 田村駿^A, 小林晃人, ^○田仲由喜夫^A

1: 多角形の構造欠陥を周期的に導入したグラフェンの電子物性; 東工大理; 田口裕太, 斎藤晋
2: アルカリ超酸化物NaO₂の圧力効果 II; 岡山大理, 広大院先進理工^A, 茨城大理工^B, 理研仁科セ^C; 宮島瑞樹, 長谷川巧^A, 中野岳仁^B, 渡邊功雄^C, 荻田典男^A, 小林達生, 神戸高志
3: Snの高圧相の第一原理計算; 阪大ナノセンター, 近大高専; 下司雅章, 舩島洋紀
4: 水素クラスレートハイドレートの第一原理分子動力学シミュレーションIV; 量研量子ビーム; 池田隆司

^●5: Diameter-dependent Photoluminescence Properties in Color Centers of Air-Suspended Single-Walled Carbon Nanotubes; Quantum Optoelectronics Res. Team, RIKEN Center for Advanced Photonics^A, Dept. of Chem. and Biochem., Univ. of Maryland, Col. Park^B, Nanoscale Quantum Photonics Lab., RIKEN Cluster for Pioneering Res.^C, Dept. of Mechanical Eng., The Univ. of Tokyo^D, Energy NanoEng. Lab., Nat’l. Inst. of Advanced Industrial Sci. and Tech. (AIST)^E, Maryland NanoCenter, Univ. of Maryland, Col. Park^F; Daichi Kozawa^A, Xiaojian Wu^B, Akihiro Ishii^{A, C}, Jacob Fortner^B, Keigo Otsuka^C, Rong Xiang^D, Taiki Inoue^D, Shigeo Maruyama^{D, E}, YuHuang Wang^{B, F}, Yuichiro K. Kato^{A, C}
6: グラフェンナノリボンにおける励起子とプラズモン; 岩手大理工; 瓜生誠司
7: Electronic properties of monolayer graphene under an electric field; Res. Inst. for Interdisciplinary Sci., Okayama Univ., Res. Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.^A; Lei Zhi, Hidenori Goto, Akari Miura, Ritsuko Eguchi, Takao Nishikawa^A, Shizuo Tokito^A, Yoshihiro Kubozono
8: Hybrid汎関数を用いたh-BN原子膜における不純物状態の研究; 東工大理, McGill Univ.^A; 芳賀太史, S. Yuan^A, K. H. Bevan^A, 斎藤晋
9: hBN/グラフェン/hBN3層系における二重周期構造とその電子構造; 阪大理; 岡裕樹, 越野幹人
10: グラフェンで生じるフリーデル振動と多層CNTの抵抗値の関係; 産総研, ADMAT^A; 稲葉工, 森本崇宏, 山崎悟志^A, 岡崎俊哉

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 北大理; 網塚浩
2: （一般シンポジウム講演）UTe2の基礎物性; 東北大金研; 青木大
3: （一般シンポジウム講演）パルス磁場下磁化、比熱測定によるメタ磁性転移の研究; 東大物性研; 三宅厚志
4: （一般シンポジウム講演）熱伝導率で見た準粒子低エネルギー励起; 阪大基礎工; 井澤公一
5: （一般シンポジウム講演）角度回転比熱測定からの超伝導ギャップ構造; 中央大理工; 橘高俊一郎

6: （一般シンポジウム講演）NMRによる磁気励起; 原子力機構先端研; 徳永陽
7: （一般シンポジウム講演）超伝導状態のNMR; 京大理; 石田憲二
8: （一般シンポジウム講演）強磁性超伝導体の理論　超流動3He A相との類似性; 立命館大理工; 町田一成
9: （一般シンポジウム講演）UTe2における絶縁体金属転移とバンド構造、トポロジカル超伝導; 京大理; 柳瀬陽一
10: （一般シンポジウム講演）多極子クーパー対とワイル超伝導の側面; 阪大基礎工; 藤本聡

1: カイラルエッジチャネル間の相互作用による緩和と相関; 筑波大数理物質^A, TREMS^B; 小澤槙也^A, 吉田恭^A, 都倉康弘^{A, B}
2: エッジマグネトプラズモン結晶のバンド構造; NTT物性研; 佐々木健一, 橋坂昌幸, 熊田倫雄, 村木康二
3: テラヘルツ共振器によるGaAs2次元電子系量子ホール磁気伝導への反作用の観測; 東大生研, 東大ナノ量子機構^A; 黒山和幸, 權晋寛^A, 荒川泰彦^A, 平川一彦
4: 自家製HEMTを用いた雑音相互相関測定用電流アンプ; NTT物性研^A, 東大物性研^B, JST PRESTO^C; 清水貴勢^{A, B}, 橋坂昌幸^{A, C}, 秋保貴史^A, 勝本信吾^B, 村木康二^A

5: 円偏波空洞共振器を用いた動的伝導度測定による量子ホール効果の研究; 阪大理^A, 阪大CSRN^B; 荒川智紀^{A, B}, 新見康洋^{A, B}
6: 分数量子ホールエッジ状態の実空間・実時間観察; 東北大理^A, 物材機構^B, 東北大CSRN^C; 神山晃範^A, 松浦雅広^A, John N. Moore^A, 間野高明^B, 野田武司^B, 遊佐剛^{A, C}
7: 量子ポイント接合を用いた量子ホールエッジチャネルの熱輸送制御; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B; 小沼亮太^A, Chaojing Lin^A, 秦徳郎^A, 平澤太一^A, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A
8: 整数/分数量子ホールY接合における電荷波束の分数化現象; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B; Chaojing Lin^A, 橋坂昌幸^B, 秋保貴史^B, 村木康二^B, ^○藤澤利正^A
9: 分数電荷準粒子のアンドレーエフ反射; NTT物性研^A, JST PRESTO^B, CNRS^C; 橋坂昌幸^{A, B}, Thibaut Jonckheere^C, 秋保貴史^A, 佐々木智^A, Jerome Rech^C, Thierry Martin^C, 村木康二^A

1: ファンデルワールスヘテロ界面におけるバルク光起電力効果の積層角度依存性; 東大院工^A, 南京大^B, ケース・ウェスタン・リザーブ大学^C, 理研CEMS^D; 井手上敏也^A, 赤松孝俊^A, Zhou Ling^B, 北村想太^A, 恩河大^A, 中川裕治^A, Joseph Laurienzo^C, Junwei Huang^B, 森本高裕^A, Hongtao Yuan^B, 岩佐義宏^{A, D}
2: Cr_1/3NbSe₂エピタキシャル薄膜の磁性; 東大院工, 理研CEMS^A; 真島裕貴, Saika Bruno Kenichi, 松岡秀樹, 中野匡規^A, 吉田訓, 石坂香子^A, 岩佐義宏^A
^●3: Electronic structure of Cr_1/3NbSe₂ epitaxial thin films studied by angle-resolved photoemission spectroscopy; Sch. of Eng., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B; Bruno Kenichi Saika^A, Yuki Majima^A, Hideki Matsuoka^A, Masaki Nakano^{A, B}, Satoshi Yoshida^A, Masato Sakano^A, Yoshihiro Iwasa^{A, B}, Kyoko Ishizaka^{A, B}
^●4: Angle-resolved photoemission spectroscopy study of single-layer TaTe₂ grown by molecular-beam epitaxy; Sch. of Eng., Univ. of Tokyo^A, OIST^B, RIKEN CEMS^C; Bruno Kenichi Saika^A, Satoshi Yoshida^A, Natsuki Mitsuishi^A, Masato Sakano^A, Yuita Fujisawa^B, Yoshinori Okada^B, Yue Wang^A, Hideki Matsuoka^A, Masaki Nakano^{A, C}, Yoshihiro Iwasa^{A, C}, Kyoko Ishizaka^{A, C}
5: 強磁性NbSe₂の異常ホール効果(実験); 東大院工^A, 北大工^B, 理研CEMS^C, 阪大理^D; 松岡秀樹^A, 羽部哲朗^B, 岩佐義宏^{A, C}, 越野幹人^D, 中野匡規^{A, C}
6: 強磁性NbSe₂の異常ホール効果 (理論); 北大工^A, 東大院工^B, 理研CEMS^C, 阪大理^D; 羽部哲朗^A, 松岡秀樹^B, 岩佐義宏^{B, C}, 中野匡規^{B, C}, 越野幹人^D

7: 多層VTe₂薄膜の擬一次元的電子構造：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 川上竜平^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 猿田康朗^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
8: MoTe₂原子層薄膜の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 猿田康朗^A, 川上竜平^A, 田口大樹^A, 加藤剛臣^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
9: 高分解能ARPESによる単層・多層NbTe₂薄膜の電子状態; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C; 田口大樹^A, 川上竜平^A, 加藤剛臣^A, 猿田康明^A, 菅原克明^{A, B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
^●10: Exotic Bound States and Dynamics of Electron-Phonon Coupling Observed in 1T-TaS₂ Using Scanning Tunneling Microscopy; RIKEN Center for Emergent Matter Sci.^A, Quantum-Phase Electronics Center and Dept. of Applied Phys., The Univ. of Tokyo^B; Christopher J. Butler^A, Masaro Yoshida^A, Tetsuo Hanaguri^A, Yoshihiro Iwasa^{A, B}
11: NbSe₃薄膜における電荷密度波スライディング特性; 阪大理^A, 東大理^B, 阪大CSRN^C; 藤原浩司^A, 岩切秀一^A, 横井雅彦^A, 渡邉杜^A, 小林研介^{A, B}, 新見康洋^{A, C}
12: ワイル半金属WTe₂の高純度単結晶における超巨大磁気抵抗と量子振動Ⅱ; 東工大フロンティア研; 岡崎尚太, 笹川崇男
13: 原子層WTe2における層数依存した電子状態の観測; 東大工^A, 東大生産研^B, 理研CEMS^C, 東工大フロンティア研^D, 物材機構^E, CREST-JST^F; 田中佑磨^A, 増渕覚^B, 坂野昌人^A, 大島敦史^A, 野本拓也^A, 有田亮太郎^{A, C}, 岡崎尚太^D, 笹川崇男^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, 町田友樹^{B, F}, 石坂香子^{A, C}

1: 映進対称性に守られたトポロジカル相のZ2不変量の理論とその相の実現への提案; 東工大理^A, 京大基研^B; キムヒジェ^A, 塩崎謙^B, ^○村上修一^A
2: 平方根トポロジカル絶縁体の高次トポロジカル絶縁体への拡張; 筑波大数理; 溝口知成, 久野義人, 初貝安弘
3: らせん構造をもつトポロジカル物質の電流誘起軌道磁化; 東工大理; 大隅健, 村上修一
4: 高次トポロジカル絶縁体におけるコーナー状態の侵入長; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 荒井宣裕^A, 村上修一^{A, B}
5: 反強磁性体における空間反転対称性に守られた空間反転対称でないヒンジ状態の出現; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 田中悠太朗^A, 高橋亮^A, Tiantian Zhang^{A, B}, 村上修一^{A, B}
6: 高次トポロジカル結晶絶縁体における一般化されたコーナー電荷公式; 東工大理, 東工大元素戦略研究セ^A; 高橋亮, 村上修一^A

7: Thue-Morse格子上の電子系のZ₂ Berry phaseを用いたトポロジカルな特徴付け; 東大理; 坪田祥一, 赤城裕, 桂法称
8: スペクトラルバルク端対応における不純物効果の理論; 名大工, 埼玉大理^A; 田村駿, 星野晋太郎^A, 田仲由喜夫
9: 擬スピン3/2超伝導の表面状態密度：ボゴリューボフフェルミ面の効果; 名大院工, 理研CEMS^A; 金澤彰太郎, 小林伸吾^A, 田仲由喜夫, 川口由紀
10: キタエフスピン液体におけるトポロジカルZ₂不変量; 阪大基礎工; 山田昌彦
11: 変形ハニカム格子模型のトポロジカルπ-flux状態と時間発展; NIMS-MANA^A, ケンブリッジ大^B; 苅宿俊風^A, Robert-Jan Slager^B
12: 非相反Landau-Zenerトンネリング; 東大工^A, 理研^B; 北村想太^A, 永長直人^{A, B}, 森本高裕^A

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 東北大院理・光電子固体物性研究室; 菅原克明
2: （一般シンポジウム講演）高集積グラフェンナノリボンの合成と成長ダイナミクス; 東北大院工; 加藤俊顕
3: （一般シンポジウム講演）大面積ツイスト２層グラフェンの作製と電子状態評価; 九大院工; 田中悟
4: （一般シンポジウム講演）グラフェンの熱電効果; 名大工; 竹延大志

5: （一般シンポジウム講演）グラフェンプラズモンの電気的制御; NTT基礎研; 熊田倫雄
6: （一般シンポジウム講演）hBN/グラフェン超格子の量子輸送: バレーホール状態、超伝導、単一電子伝導; 東電院工; 森山悟士
7: （一般シンポジウム講演）原子層物質における円偏光物性; 東北大院理・物性理論研究室; 齋藤理一郎

1: BdGハミルトニアンに対する非エルミートブロッホ理論の構築; 東工大理^A, 東工大元素戦略セ^B; 横溝和樹^A, 村上修一^{A, B}
2: 非エルミート例外エッジモードとそのアクティブマターへの応用; 東大工; 曽根和樹, 蘆田祐人, 沙川貴大
3: 非エルミート表皮効果の諸問題について; 京大基研; 大熊信之, 佐藤昌利
4: 高次非エルミート表皮効果; 東大理, 京大基研^A; 川畑幸平, 佐藤昌利^A, 塩崎謙^A
5: 非エルミート系における対称性指標; 京大基研; 塩崎謙

6: Lieb格子のバネ質点模型におけるトポロジカルモード; 筑波大数理; 若尾洋正, 吉田恒也, 溝口知成, 初貝安弘
7: 複素値相互作用における非エルミート分数量子ホール状態; 筑波大数理; 吉田恒也, 工藤耕司, 初貝安弘
8: 量子開放系での分数量子ホール状態の特徴付け; 筑波大数理, 東大院理^A; 吉田恒也, 工藤耕司, 桂法称^A, 初貝安弘
9: カイラル対称性を有する一次元開放フロケ系におけるバルクエッジ対応; 北大工, 京大理^A; 望月健, 金多景, 川上則雄^A, 小布施秀明
10: フロケ系・非エルミート系における拡張されたニールセン=二宮の定理; 京大基研; 別所拓実, 佐藤昌利
11: フロケトポロジカル絶縁体におけるディラック半金属状態; 筑波大院数物研究科, 筑波大計算セ^A, 筑波大数物系^B; 張博源, 前島展也^{A, B}, 日野健一^{B, A}

1: 弱磁場磁気抵抗：一般論とディラック系への応用; 東大理; 小形正男, Viktor Könye
^●2: Microscopic theory of magnetoconductivity at low magnetic fields in terms of Berry curvature and orbital magnetic moment; Univ. of Tokyo; Viktor Konye, Masao Ogata
3: 非相対論的フェルミオンとディラックフェルミオンが結合した系の帯磁率; 原子力機構, 阪大RCNP^A, 理研iTHEMS^B, 慶應大自然セ^C; 荒木康史, 末永大輝^A, 鈴木渓, 安井繁宏^{B, C}
4: 空間反転対称性が破れた高伝導金属における非局所的異常輸送現象; 京大理^A, カリフォルニア大学バークレー校理^B; 兎子尾理貴^A, 高三和晃^B, 川上則雄^A
5: 反転対称性の破れた準周期ヘテロ接合系における分極の理論; 東大工; 吉井真央, 北村想太, 森本高裕
6: 層状ディラック磁性体BaMnBi₂における面内極性歪に敏感なスピン・バレー結合状態; 阪大院理^A, JSTさきがけ^B, 東大物性研^C, 阪大先端強磁場^D; 近藤雅起^A, 酒井英明^{A, B}, 越智正之^A, 栗原綾佑^C, 小島達弘^A, 三宅厚志^C, 徳永将史^C, 黒木和彦^A, 木田孝則^D, 萩原政幸^D, 藤村飛雄吾^A, 中川賢人^A, 村川寛^A, 花咲徳亮^A

7: 時間反転対称ならせん分子接合におけるスピンフィルター; 三重大工, テルアビブ大^A; 内海裕洋, O. Entin-Wohlman, A. Aharony
8: 原子層フォスフォレンにおける電流誘起スピン偏極; 北大工; 氏家勇, 明楽浩史
9: 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるスピン注入によるバレー偏極スピン流生成; 中国科学院大学Kavli-ITS; 大湊友也, 藤本純治, 松尾衛
10: RashbaおよびDresselhausスピン軌道相互作用共存下のSiGe量子井戸内正孔におけるスピンテクスチャおよびBerry曲率; 早大先進; 東条樹, 武田京三郎
11: ゲート付きCoFe-InGaAsスピンバルブ素子における輸送解析; OIT, JAIST^A; 山田省二, 藤本章, 添田幸伸^A, 赤堀誠志^A
12: らせん状原子鎖における電流誘起スピン偏極とスピン偏極電流; 北大工; 矢田部優哉, 明楽浩史
13: 空間反転対称性をもつ二重量子井戸構造におけるスピンホール流; 北大院工^A, 横河電機^B; 鈴木雄太^{A, B}, 北川雄真^{A, B}, 手塚信一郎^B, 明楽浩史^A

1: 捩れ積層グラフェンにおける弱局在効果の捩れ角依存性; 東大物性研; 柏木聖生, 佐藤光幸, 内田和人, 田縁俊光, 長田俊人
2: 二重モアレグラフェンにおけるサイクロトロン共鳴吸収; 東大生研^A, 物材機構^B, CREST-JST^C; 小野寺桃子^A, 木下圭^A, 守谷頼^A, 増渕覚^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^{B, A}, 町田友樹^{A, C}
3: モアレ超格子二重量子ドット素子における量子ホール効果と単一キャリア輸送特性; 物材機構, 群馬大^A, 東京電機大^B; 岩崎拓哉, 中払周, 若山裕, 渡邊賢司, 谷口尚, 守田佳史^A, 森山悟士^B
4: 励起子電荷センシングによる二次元半導体モアレ超格子における強相関電子状態の発見; ETH Zurich, 物材機構^A; 島崎佑也, Ido Schwartz, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, Martin Kroner, Atac Imamoglu
5: トンネル結合した二層系二次元半導体材料における層間-層内励起子混成の電界制御; ETH Zurich, 物材機構^A; 島崎佑也, Ido Schwartz, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, Martin Kroner, Atac Imamoglu
6: 薄膜グラファイトの伝導特性に対するhBNを用いた表面保護効果; 東大物性研; 田縁俊光, 柏木聖生, 内田和人, 長田俊人

7: 第3のゲート構造を有する2層グラフェン量子ポイントコンタクトの作製と特性評価; 千葉大院物質, 成均館大^A, 物材機構^B, SUNYバッファロー^C, アリゾナ州立大^D; 青木伸之, 村瀬健太郎, 坂梨昂平, 紙田祐吉, G.-H.キム^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, J.P.バード^C, D.K.フェリー^D
8: グラフェンバリスティック開放系量子ドットにおける量子伝導現象; 千葉大工, 蘭州大^A, ASU^B, バッファロー大^C, SKKU^D, 物材機構^E; 坂梨昂平, X. Chen^A, 和田直人, D. K. Ferry^B, J. P. Bird^C, G-h. Kim^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, L. Huang^A, 青木伸之
9: CVDグラフェンナノリボンにおける量子ドット形成; 東北大通研, 東北大院工^A; 北田孝仁, 阿部峰也, 篠﨑基矢, 瀬尾瑞樹^A, 金子俊郎^A, 加藤俊顕^A, 大塚朋廣
10: エッチンググラフェンのおける弱局在効果の増幅; 阪大理^A, アンリツ先端研^B, 東大低温科学研究センター^C, 東大理知の物理学センター^D, 阪大CSRN^E; 花田尚輝^A, 岩切秀一^A, 浅野拓也^A, 松井朋裕^B, 福山寛^C, 小林研介^{A, D}, 新見康洋^{A, E}
11: Ybインターカレートグラフェン/SiCの磁気特性; 東大理; 鄭帝洪, ^○秋山了太, V. Jort, 遠藤由大, 渡邉和己, 遠山晴子, 高城拓也, 保原麗, 長谷川修司
12: 3次元ディラック物質黒リンにおけるランダウ量子化の考察; 兵庫県立大院理, 東北大金研^A; 藤井拓斗, 中井祐介, 上田光一, 赤浜裕一, 平田倫啓^A, 水戸毅, 長谷川泰正

1: Fe₃X (X = Ga, Al)における室温巨大異常ネルンスト効果; 東大理, 東北大理^A, 東大物性研^B, 東大工^C, 理研CEMS^D, 金沢大ナノ^E; 酒井明人, 見波将, 是常隆^A, Taishi Chen^B, 肥後友也^B, Yangming Wang^B, 野本拓也^C, 平山元昭^D, 三輪真嗣^B, 浜根大輔^B, 石井史之^E, 有田亮太郎^C, 中辻知
2: Fe₃X (X=Ga, Al)における異常ネルンスト効果の第一原理計算; 東大理, 東北大理^A, 理研CEMS^B, 東大工^C, 金沢大NanoMaRi^D; 見波将, 是常隆^A, 野本拓也^B, 平山元昭^C, 石井史之^D, 有田亮太郎^{B, C}
3: ワイル反強磁性体Mn₃Snの異常ホール効果の評価; 名大工; 木原俊哉, 矢野力三, 柏谷聡
4: 放射光角度分解光電子分光によるカゴメ格子積層結晶Fe₃Sn₂の電子状態観測：バルク電子構造の3次元性; 東大物性研, 沖縄科技大^A, Diamond Light Source^B, JASRI^C; 田中宏明, 藤澤唯太^A, 黒田健太, 野口亮, 櫻木俊輔, Cédric Bareille, Barnaby Smith^A, Cephise Cacho^B, Sung Won Jung^B, 室隆桂之^C, 岡田佳憲^A, 近藤猛
^●5: 強相関ディラック半金属CaIrO3における巨大横磁気抵抗のキャリア密度依存性; 東大工^A, 筑波大^B, 理研CEMS^C, 東京カレッジ^D; 山田林介^A, 藤岡淳^B, 川村稔^C, 酒井志朗^C, 平山元昭^C, 有田亮太郎^{A, C}, 大川達也^A, 橋爪大輔^C, 星野学^C, 十倉好紀^{A, C, D}
6: Sbドープしたディラック半金属Cd₃As₂薄膜におけるスピン軌道相互作用の増大; 東大工^A, JSTさきがけ^B, 理研CEMS^C; 中澤佑介^A, 打田正輝^{A, B}, 西早辰一^A, 大野瑞貴^A, 佐藤慎^A, 川﨑雅司^{A, C}
7: 種々のトポロジカル相を有する擬一次元ビスマスハライドの単結晶育成と輸送特性; 東工大フロンティア研; 小林賢, 高橋敬成, 笹川崇男
8: ARPESとマイクロ波インピーダンス顕微鏡で解明する擬一次元ビスマスハライドの積層依存トポロジカル相; 東大物性研^A, 東工大フロンティア研^B, テキサス大物理^C, 理研CEMS^D, 阪大院理^E, 産総研^F, 物材機構^G, Elettra^H, Diamond Light Source^I, SLAC^J, 東大特別教授室^K, 東大工^L; 野口亮^A, 小林賢^B, 黒田健太^A, 高橋敬成^B, Z. Jiang^C, Z. Xu^C, D. Lee^C, 平山元昭^D, 越智正之^E, 白澤徹郎^F, P. Zhang^A, C. Lin^A, C. Bareille^A, 櫻木俊輔^A, 田中宏明^A, 國定聡^A, 黒川輝風^A, 矢治光一郎^G, 原沢あゆみ^A, V. Kandyba^H, A. Giampietri^H, A. Barinov^H, T. Kim^I, C. Cacho^I, 橋本信^J, D. Lu^J, 辛埴^{A, K}, 有田亮太郎^{D, L}, K. Lai^C, 笹川崇男^B, 近藤猛^A

9: ラインノード物質CaSb₂の超伝導の発見; 京大院理; 川口真世, 池田敦俊, 鯉渕駿, 小畑慶人, 米澤進吾, 前野悦輝
10: ラインノード物質CaSb₂の^121/123Sb-NMR/NQR; 京大院理; 髙橋秀光, 北川俊作, 石田憲二, 川口真世, 池田敦俊, 米澤進吾, 前野悦輝
11: ラインノード物質CaSb₂の圧力下電気抵抗測定; 京大院理; 北川俊作, 石田憲二, 川口真世, 池田敦俊, 米澤進吾, 前野悦輝
12: 磁性トポロジカル半金属EuSb₂薄膜における二次元量子伝導; 東大工^A, JSTさきがけ^B, 東大物性研^C, 理研CEMS^D, 東大理^E; 大野瑞貴^A, 打田正輝^{A, B}, 栗原綾佑^{C, D}, 見波将^E, 中澤佑介^A, 佐藤慎^A, Markus Kriener^D, 三宅厚志^C, 田口康二郎^D, 有田亮太郎^{A, D}, 徳永将史^{C, D}, 川﨑雅司^{A, D}
13: 反強磁性ハーフホイスラーGdPtBiの電子状態観測：高分解能ARPES; 東北大院理^A, MIT^B, 東北大CSRN^C, 東北大WPI-AIMR^D, 阪大産研^E, JSTさきがけ^F, IFW ドレスデン^G, ドレスデン工科大^H, KEK物構研^I, DIAMOND Light Source^J, 東北大多元研^K; 高根大地^A, 鈴木健士^B, 相馬清吾^{C, D}, 山内邦彦^E, 中山耕輔^{A, F}, 堀健太郎^A, C. X. Trang^A, Emile D. L. Rienks^{G, H}, 北村未歩^I, C. Cacho^J, T. Kim^J, 堀場弘司^I, 組頭広志^{I, K}, 小口多美夫^E, 高橋隆^{A, C, D}, J. G. Checkelsky^B, 佐藤宇史^{A, C, D}
14: 量子極限下におけるBiのサイクロトロン共鳴; 物材機構, 電気通信大^A, 東大物性研^B; 竹端寛治, 今中康貴, 山田暉馨^A, 伏屋雄紀^A, 木下雄斗^B, 徳永将史^B
15: 精密決定されたランダウ準位に基づくBi磁気抵抗の異方性解析; 電通大基盤理工; 山田暉馨, 伏屋雄紀

1: （招待講演）質量を持つフェルミオンで理解する指数定理; 阪大理; 深谷英則
2: θ項を含む4次元SU(2)ゲージ理論の複素ランジュバン解析; 総研大^A, KEK^B, YITP^C, 徳山高専^D; 松本祥^A, 畠山洸太^B, 平沢光昭^A, 本多正純^C, 伊藤祐太^D, 西村淳^{A, B}, Atis Yosprakob^A
3: 格子フェルミオンにおけるカシミール効果：ナイーブ、ウィルソン、ドメインウォール; 総研大^A, KEK^B, DESY^C, JAEA^D; 石川力^{A, B}, 中山勝政^C, ^○鈴木渓^D
4: 場の分解の方法を用いて構成されるゲージ不変な質量項をヤン=ミルズ理論に加えた模型について; KEK理論センター, 高エネ機構・計算^A, 総研大^B, 千葉大理^C; 松戸竜太郎, 柴田章博^{A, B}, 西野尚吾^C, 近藤慶一^C
5: ゲージ不変なBEH機構に基づくゲージ不変な質量項を有するSU(2)Yang-Mills理論におけるクォークの閉じ込め; 高エネ機構計算^A, 総研大^B, 千葉大理^C, KEK理論センター^D; 柴田章博^{A, B}, 近藤慶一^C, 西野尚吾^C, 松戸竜太郎^D

6: 物理点2+1フレーバー格子QCDによる核子構造の研究; 東北大理^A, 理研R-CCS^B, 広大院理^C, 筑波大計セ^D, 筑波大数理^E; 辻竜太朗^A, 青木保道^B, 石川健一^C, 藏増嘉伸^D, 佐々木勝一^A, 新谷栄吾^D, 山崎剛^E
7: All-to-all propagatorを用いたHAL QCD法のメソン-バリオン系への応用; 京大基研; 村上耕太郎, 青木慎也 for HAL QCD Collaboration
8: B → D^(*)ℓν崩壊による|V_cb|の決定; KEK^A, 総研大^B, 理研RCCS^C, York Univ.^D, 阪大理^E; 金児隆志^{A, B}, 青木保道^C, Gabliera Bailas^A, Brian Colquhoun^D, 深谷英則^E, 橋本省二^{A, B}, Jonna Koponen^A (JLQCD Collaboration)
9: 格子QCDにおけるヤン-ミルズ勾配流法のグルーボール質量測定への応用II; 東北大理; 酒井啓太, 佐々木勝一
10: Nucleon isovector charges and couplings from domain-wall lattice QCD at physical mass; 高エ研, 総研大^A, 理研BNL研究センター^B; 太田滋生^{A, B}
11: 格子ゲージ理論によるグルーボール間相互作用の研究 [4]; マサチューセッツ大, FEFU^A, 国士舘大理工^B; 山中長閑, 中村純^A, 若山将征^B
12: 格子QCDへの応用に向けたCentral-branch Wilson fermionの研究; 秋田大理工^A, 慶應大自然セ^B; 三角樹弘^{A, B}, 湯本純^A

1: （招待講演）Nonperturbative formulation of anomaly inflow; 東北大理; 米倉和也
2: Higher-form symmetries and 3-group in an axion-photon system; KEK^A, 総研大^B, 理研iTHEMS^C, 慶應大日吉物理^D, 慶應大自然セ^E; 日高義将^{A, B, C}, 新田宗土^{D, E}, ^○横倉諒^{A, E}
3: アイソスピンRoberge-Weiss点における2カラーQCDの’t Hooftアノマリーとその有限密度・有限温度相図; 東工大理^A, 理研^B, 京大基研^C, 慶應自然セ^D, 高知大^E, 阪大RCNP^F; 古澤拓也^{A, B}, 谷崎佑弥^C, 伊藤悦子^{D, E, F}
4: Anomalous transport independent of gauge fields; Fudan U.; 川口眞実也, ^○菊池謙
5: 4次元超対称非線形シグマ模型におけるコンペンセイター場とアノマリー; 奈良女大理; 近藤綾, 高橋智彦

6: 量子異常項を通した再加熱過程; 総研大^A, KEK^B; 北澤良久^{A, B}
7: ドレスされた漸近状態の再定式化と漸近対称性; 名大理, 名大KMI^A; 古郡秀雄, 野尻伸一^A
8: パルス状電場下の動的Schwinger効果; 早大先進理工; 岩村海飛, 落合誠, 中里弘道
9: 汎関数繰り込み群によるO(N)模型におけるBardeen-Moshe-Bander現象の有限Nでの起源の研究; パリ大学LPTMC^A, 九大理^B; Fleming Claude^A, Bertrand Delamotte^A, ^○藪中俊介^B
10: スカラー場の一般的な汎関数くりこみ群によるε展開; 静大理; 松本雅巳, 田中豪太, 土屋麻人
11: 離散ハイゼンベルグ群における自己同型群の構造; 福井大工; 田中渓太, 橋本貴明

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