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領域別プログラム

領域9

10日 K21会場　10aK21　9:30〜12:00

領域9
表面化学・表面ダイナミクス

1: NiおよびRuステップ表面におけるメタンドライリフォーミング触媒機構; 明石高専^A, 東大生研^B, 阪大工^C, 阪大^D; Ryan Lacdao Arevalo^A, ^○中西寛^{A, B, C}, Susan Meñez Aspera^A, 笠井秀明^{A, D}
2: MXene担持金属単原子膜の酸素還元反応及びギ酸脱水素化反応における触媒活性; 北大院工; 國貞雄治, 坂口紀史
^●3: Surface Compositions of Pt-Pd/Pd(111) Alloys in the Presence of O and OH during Oxygen Reduction Reaction; Nat'l Inst. of Tech., Akashi College, Univ. of Tokyo^A, Kyushu Univ.^B, Univ. of Philippines Los Baños^C, Osaka Univ.^D; Bhume Chantaramolee, Susan Meñez Aspera, Ryan Lacdao Arevalo, Elvis Flaviano Arguelles^A, Ryo Kishida^B, Allan Abraham Bustria Padama^C, Hideaki Kasai^D, Hiroshi Nakanishi^A
4: イオンビーム照射した炭素担体上のPtナノ粒子触媒の界面電子構造; 量研, 原子力機構^A; 岡﨑宏之, 出崎亮, 越川博, 松村大樹^A, 山本春也, 前川康成, 八巻徹也

休憩　（10:30〜10:45)

5: Ptステップ表面におけるメタンの吸着と活性化; 東大物性研, 阪大工^A; 崔永賢, Septia Putra Eka^A, 濱田幾太郎^A, 濱本雄治^A, 森川良忠^A, 向井孝三, 田中駿介, ^○吉信淳
6: CO₂の水素化によるエタノール生成機構; 筑波大数物; 武安光太郎, Bappi Paul, 齋藤竜一, 中村潤児
7: スピン偏極水素原子ビームの開発と評価; 東大生研; 小倉正平, 長屋勇輝, 福谷克之
8: タングステン中における水素同位体交換ダイナミクス; 大阪大, マックス・プランクプラズマ物理研究所^A; Heun Tae Lee, 上田良夫, Johannes Bauer^A, Thomas Schwarz-Selinger^A
9: Pdナノ薄膜における電気伝導特性とプロトン－電子相互作用の水素量依存性; 東大生研, 東工大物質理工学院^A; 小澤孝拓, 笹原悠輝^A, 清水亮太^A, 小倉正平, 一杉太郎^A, 福谷克之

10日 PSB会場　10pPSB　15:30〜17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: ピラー表面でのマクロスケール超潤滑; 愛教大, 静岡大^A, 東大^B; 石井義記, 和田範之, 石川誠^A, 柳澤亮人^B, 野村政宏^B, ^○三浦浩治
2: AT-CUT 水晶振動子を利用した C₆₀ 単結晶のナノすべり摩擦; 電通大基盤理工, 愛教大物理領域^A; 佐々木凌一, 仙海翼, 谷口淳子, 佐々木成郎, 石川誠^A, 三浦浩治^A
3: 二次元トポロジカル絶縁体の欠陥物性に関する理論計算; 東大院工, 分子研^A; 原聡一郎, 渡邉聡, 南谷英美^A
4: X-ray Photoelectron Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy Study of Lanthanide Phthalocyanine Double-Decker Complexes on Au (111); 東北大理, 東北大多元研^A; Hossain Mohammad Ikram, Islam Saifula, S.M.F. Shahed^A, ^○T. Takaoka^A, T. Komeda^A
5: SiC(0001)上に成長した青リンの構造と伝導特性; 東大理; 秋山了太, 佐藤瞬亮, 遠藤由大, 長谷川修司
6: Ag-SiO₂系のホイスカー粒子の形態とその構造; 東北学院大工; 津田陸登, 脇澤尚大, 鈴木仁志
7: Cu(111)上に成長させたh-BN膜における成長様式・電子状態の層数依存性; 東工大理, 東工大物質理工^A; 山上剛史, 四ツ谷壮一郎, 山崎詩郎, 中辻寛^A, 平山博之
8: Al(111)基板上のシリセンの電子構造の研究; 東大物性研, 原子力機構先端基礎研^A, ソルボンヌ大^B, 清華大^C, 兵庫県大高度研^D; 佐藤祐輔, 深谷有喜^A, M. Cameau^B, C.H. Chen^C, A. Huang^C, H.T. Jeng^C, M. D'angelo^B, 新部正人^D, 松田巌
9: ビスマス超薄膜における半金属－半導体転移の微視的機構の解明; 東大物性研^A, Univ. Marburg^B, 広大放射光^C, 中国科学院^D, NSRRC^E, Univ. Missouri^F, Nat'l Tsing Hua Univ.^G, Univ. Illinois^H; 伊藤俊^{A, B}, 有田将司^C, 春山潤^A, Baojie Feng^D, Wei-Chuan Chen^E, 生天目博文^C, 谷口雅樹^C, Cheng-Maw Cheng^E, Guang Bian^F, Shu-Jung Tang^{E, G}, Tai-Chang Chiang^H, 杉野修^A, 小森文夫^A, 松田巌^A
10: STM/STSによる水素終端Si(110)表面の局所電子状態評価; 東北大院理, 東北大学際研^A, 東理大理^B; 芳賀健也, 江口豊明, 松下ステファン悠, 福井邦虎, 伊藤隆^A, 胡春平^B, 渡辺一之^B, 須藤彰三
11: Bi₂Te₃におけるファンデルワールス界面の電子状態と電気伝導; 京大院理; 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
12: 不活性化したシリコン基板上の鉄フタロシアニン薄膜の磁気特性; 横国大院工, 分子研^A; 大野真也, 小川新, 高柳周平, 高木康多^A, 上村洋平^A, 横山利彦^A
^●13: Melamine Doped Multilayer MoS₂-Field Effect Transistors; Tohoku Univ., Grad. Sch. of Sci., IMRAM, Tohoku Univ.^A; Mamun Muhammad Shamim Al, Hiroki Waizumi, Tsuyoshi Takaoka^A, Iftekhar Md Alam, Yudai Tanaka, Tadahiro Komeda^A
14: Ar⁺ sputteringによるLi_3+xV_1-xSi_xO₄の電子状態分析; 立命館大理工; 疋田祐介, 伊原諒, 光原圭, 滝沢優
15: 第一原理計算によるSmTiO₃/SrTiO₃(001)界面構造の電子状態解析; 千葉大院融; 徳弘達也, Peter Krueger
16: In/Si(111)上金属フタロシアニンの電子状態と基板-分子間相互作用; 京大院理; 松原燦, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
17: スピンカイラリティによって誘起される巨大Chern数の第一原理的研究; 金沢大自然, 金沢大NanoMaRi^A; 澤端日華瑠, 見波将, 山口直也, 石井史之^A
18: Ag(110)上における蒸着量に依存したコロネン分子自己組織化; 横浜市大生命ナノ; 元島順, 横山崇
19: 金属リチウムの電子状態分析; 立命館大理工; 伊原諒, 光原圭, 滝沢優
20: 標準試料を用いた電子回折トモグラフィ三次元逆空間マッピングの校正; 奈良先端科学大, 阪大産研^A; 山本幸弘, 西田翔太, 竹本昌平, Liliany Noviyanty Pamasi, Aydar Nailevich, 服部賢, 大門寛, 服部梓^A, 田中秀和^A
21: SrTiO₃(100), (111)表面での2次元物質成長; 京大院理; 寺川成海, 力丸英史, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
22: 半導体ガスセンサのパルスジェットによる動作環境中表面分析に関する検討; NIMS; 鈴木拓, 安達裕, 坂口勲
23: 金表面上への水素吸着と量子力学; 東大物性研; 片岡佑太, 杉野修
^●24: Computational study of ultra-thin epitaxial aluminium oxide on SiC(0001); Kyushu Univ., Univ.of Tokyo^A, Nat’l. Inst. of Advanced Industrial Sci. and Tech.^B; Anton Visikovskiy, Shotaro Oie, Takashi Kajiwara, Takushi Iimori^A, Tetsuroh Shirasawa^B, Fumio Komori^A, Satoru Tanaka
^●25: First-principles Calculation of the Formation of Surface Alloys on Ag(111)-√3×√3 R30^° Surface; Kanazawa Univ.; Monika Nur, Naoya Yamaguchi, Fumiyuki Ishii
26: Si(111)-√7×√3-In表面上のペンタセン吸着; 福岡大工; 鈴木孝将, 柳生数馬, 栃原浩
27: DFTによるCu(111)表面に吸着したイリジウム(III)錯体の理論的解析; 千葉大院融; 中澤芳洋, P Krueger, 横田健太, 山田豊和
28: 高温下における水酸化ニッケルナノシートに関する第一原理的研究; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 小林遥希, 原正大^A, 船津麻美^A, 伊田進太郎^A, 下條冬樹^A
29: 有限温度TDDFT-MD法によるレーザー刺激電界原子蒸発に対する熱効果の研究; 東理大理; 内田一樹, 鈴木康光, 渡辺一之
30: 4-MBA/Au上における還元脱離反応のpH依存性; 横国大院理工, 横国大院工^A, 横国大理工^B; 池田夏紀, 清水一樹^A, 村上貴広^B, 大野真也, 田中正俊^A
31: グラフェンのナノスケール摩擦の異方性における積層界面の効果; 電通大情報理工, 電通大院基盤理工^A; 平尾佳那絵, Phil Alexander^A, 岡本遼路^A, 大向秀弥^A, 佐々木成朗^A
32: 軽元素置換グラフェン上での金属単原子触媒の安定性と酸素還元活性; 北大院工; 長谷川瞬, 國貞雄治, 坂口紀史
33: フラーレン/グラフェン超潤滑界面におけるエネルギー散逸; 電通大情報理工, 電通大院基盤理工^A, 愛教大物理^B; 和泉達也, 梶晧彦^A, 渡邉章嗣^A, 鈴木勝^A, 三浦浩治^B, 佐々木成朗^A
34: Black TiO₂の水素分布と電子状態; 東京学芸大, 東大生研^A, 原研先端基礎研^B; 藤本将秀, 松本益明, 長塚直樹^A, 福谷克之^{A, B}
35: Li 添加2層MoS₂ における超伝導に対するひずみの影響の第一原理解析; 東大工, 分子研^A; マノープーボディン, 南谷英美^A, 渡邉聡
36: XAFS法による鉄ナノ粒子の酸化初期過程の研究; 九州シンクロトロン光研究センター, 産総研^A; 小林英一, 阪東恭子^A, 岡島敏浩
37: 多探針法を用いた局所電気伝導度計測によるプルシアンブルー類似体の酸化依存電気伝導度の評価; 山梨大工; 白木一郎, 大村貴輝, 大木祐太
^●38: Surface Characterization of a Rubbed Polyimide Film Containing Steroidal Structure Side Chains by Using Sum Frequency Generation; Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST), JSR Corporation^A; Trinh Nguyen, Hien Khuat, Goro Mizutani, Yoshitaka Murakami^A, Takashi Okada^A
39: 高周波走査トンネル顕微鏡によるCu(111)表面上のCo島状構造の強磁性共鳴モデル構築と測定; 東大物性研, 南カリフォルニア大学^A; 佐藤優大, Yang Hung-Hsiang, 浅川寛太, 高橋晋^A, 長谷川幸雄
40: スピン偏極STM用2D磁場印加機構の開発とスピン方向検出への応用; 北大理; 佐藤美銀, 下田晨人, 松山秀生
41: Cu(001)表面上Co単原子の近藤効果のCu格子の歪みに対する応答のSTM測定; 東大新領域^A, 東大物性研^B, 分子研^C; 岩田孝太^{A, B}, 宮町俊生^B, 南谷英美^C, 小森文夫^B
42: スピン偏極STMによるCr(001)表面スピン方向の定量検出の試み; 北大理; 下田晨人, 佐藤美銀, 松山秀生
43: 鉄系超伝導体LiFeAsにおける欠陥の第一原理計算; 東大院工, 分子研^A; 樽岡裕司, 南谷英美^A, 渡邉聡
44: Agナノクラスターにおけるプラズモンのエネルギー分散測定; 東北大院理; 山崎大輝, 三田雅典, 松下ステファン悠, 芳賀健也, 江口豊明, 須藤彰三
45: Bi₂Se₃表面に不純物の吸着及び欠陥のあるモデルの理論的な解析; 千葉大院融^A, 阪大院生工^B, 千葉大MCRC^C; 樊澄^A, 坂本一之^{A, B, C}, クリューガーピーター^{A, C}
46: 偏極中性子反射率法を用いたEuS/SnTeおよびEuS/PbTeヘテロ界面における磁化の測定; 東大理, 筑波大院数理^A, CROSS^B; 渡邉和己, 友弘雄太^A, 嶋野武^A, 石川諒^A, 秋山了太, 阿久津和宏^B, 飯田一樹^B, 黒田眞司^A, 長谷川修司
47: Ni(111)表面に形成した多層グラフェンの電子構造と原子構造; 山梨大教育; 長島礼人
48: K修飾されたCaインターカレートグラフェン/SiCの輸送特性; 東大理; 遠藤由大, 鄭帝洪, 秋山了太, 長谷川修司
49: その場電気伝導測定による原子層グラフェンにおける輸送特性の歪み効果の研究; 早大先進理工, 東大理^A; 高山あかり, 堀内拓夢, 保原麗^A
50: Yb蒸着されたグラフェン/SiCにおける強磁性の発現; 東大理; 鄭帝洪, フェルバケルヨルト, 遠藤由大, 遠山晴子, 渡邉和己, 秋山了太, 長谷川修司
51: グラフェンにおける電子フォノン相互作用行列要素の第一原理解析; 東大院工, 分子研^A; 原田樹, 渡邉聡, 南谷英美^A
52: グラフェン電極を用いたチタニアナノシートの伝導特性; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 井上大希, 上地清太, 志手大輝, 嘉月悠人, 船津麻美^A, 原正大^A
53: 酸化チタンナノシート表面における吸着水のAFM観察; 熊大院自然, 熊大院先端^A; 上地清太, 井上大希, 嘉月悠人, 志手大輝, 船津麻美^A, 原正大^A
54: 多孔質アルミナ基板上グラフェンの酸化による化学状態変化; 立命館大理工, 量子機構^A; 髙岡航大, 圓谷志郎^A, 境誠司^A, 光原圭, 滝沢優
55: 単分子接合の電流電圧特性と動的な電子状態の解明; 東工大院理; 一色裕次, 藤井慎太郎, 木口学

11日 K15会場　11aK15　9:00〜12:00

領域9
表面界面電子物性
（表面超伝導・ラシュバ効果）

1: 超高真空中での電気伝導測定によるFeSe超薄膜/SrTiO₃の超伝導の研究：界面の磁性原子による影響; 東工大理, 東工大物質^A; Asger Pedersen, ^○一ノ倉聖, 田中友晃, 清水亮太^A, 一杉太郎^A, 平原徹
2: SrTiO₃(001)-c(6×2)上の単層FeSeの超伝導特性; 東工大理, 東工大物質^A; 田中友晃, 秋山健太, 一ノ倉聖, 清水亮太^A, 一杉太郎^A, 平原徹
3: Pb単原子層超伝導相におけるステップの影響; 東大物性研; 佐藤優大, 大黒文和, 浅川寛太, 長谷川幸雄
4: Bi/GaSb(110)-(2×1)表面の非占有電子状態におけるRashba型スピン軌道相互作用; 阪大生命^A, 阪大院理^B, 佐賀大SLセンター^C; 大坪嘉之^{A, B}, 徳舛直樹^B, 中村拓人^B, 渡邊浩^{A, B}, 今村真幸^C, 東順平^C, 高橋和敏^C, 木村真一^{A, B}
5: Ag/Au(111)の量子井戸状態におけるRashba効果の第一原理的研究; 東大物性研; 河村光晶, 野口亮, 黒田健太, 尾崎泰助, 近藤猛
6: 角度分解光電子分光によるSi(111)基板上Cu₂Si層の電子状態の解明; 早大先進理工, 東大物性研^A; 坂本実可子, 辻川夕貴, 濱田雅史, 松田巌^A, 高山あかり

休憩　（10:30〜10:45)

7: （招待講演）光電子ホログラフィーで切り拓く局所物性科学の新展開; 公益財団法人豊田理化学研究所; 大門寛
8: ホイスラー化合物の熱電物性の第一原理計算; 筑波大数物, NIMS MANA^A, NIMS RCSM^B, NEC^C, NIMS CFSN^D; 髙木博和, 小林一昭^A, 下野昌人^B, 小林伸彦, 広瀬賢二^C, 辻井直人^{A, D}, 森孝雄^{A, D}
9: 酸化物に接合された金属薄膜への分子吸着挙動; 岡山大院自然, 産総研^A, 本田技研^B, 東工大フロ研^C, INPT^D; 狩野旬, 押目典宏^A, 廣瀬哲^B, 上田剛慈, 安井伸太郎^C, 浜嵜容丞^C, 伊藤満^C, 三上仁志^B, 池田直, 藤井達生, 柏原浩大, Julien Schneider^D
10: 水素化TiO₂表面の水素分布と電子状態; 東大生研; 長塚直樹, Markus Wilde, 大橋由季, 福谷克之

11日 K21会場　11aK21　9:00〜12:00

領域9
表面界面構造

1: 高分解能原子間力顕微鏡によるNi(111)表面上の水単層膜の構造決定; 東大新領域, 日本製鉄^A; 塩足亮隼, 神尾浩史^A, 杉本宜昭
2: Cu(110)上における水クラスターの密度汎関数理論による研究; 阪大工, 東大新領域^A; 菊池明日香, 塩足亮隼^A, 杉本宜昭^A, 森川良忠, 濱田幾太郎
3: Ge(111)-Ag表面のSTM/STS観察; 横浜市大生命ナノ; 菊地努, 横山崇
4: Si(111)表面上のIn単原子層金属の一軸性不整合構造と金属絶縁体転移; 京大院理; 寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也
5: Si(001)基板上のβ-FeSi₂(100)ナノカーペットの面内歪み評価II; 奈良先端大先端科学, 阪大産研^A; 竹本昌平, ^○服部賢, 染田政明, 大門寛, 服部梓^A, 田中秀和^A
6: ボルツマン機械学習による結晶構造の計算; 筑波大数物, NEC^A; 髙木博和, 小林伸彦, 広瀬賢二^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: 全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法による単原子層銅シリサイドCu/Si(111)の構造解析; 早大先進理工, 鳥取大工^A, KEK物構研^B; 中司湧星, 田中和幸^A, 篠原彩, 望月出海^B, 星健夫^A, 兵頭俊夫^B, 高山あかり
8: 金属上の水素位置に依存したRHEED強度変化; 東大生研; 川村隆明, 福谷克之
9: Si(111)√3 x √3-B基板上に低温蒸着したBi超薄膜の室温アニールによる構造変化; 東工大理, 東工大物質理工^A; 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛^A, 平山博之
10: 金(111)面におけるペリレン－臭素間の電荷移動; 東京農工大工, ICU^A, 千葉大工^B, KEK-PF^C; 遠藤理, 田旺帝^A, 中村将志^B, 雨宮健太^C, 尾崎弘行
11: 加熱によるSrTiO₃(001)の電子状態分析; 立命館大理工; 八木健, 光原圭, 滝沢優

11日 D16会場　11pD16　13:30〜17:00

領域4（1番目チュートリアル講演のみ領域8，領域9と合同）
トポロジカル絶縁体（実験）

1: （チュートリアル講演）高品質3次元トポロジカル絶縁体の合成と応用; 東北大理; 谷垣勝己
2: Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3薄膜における熱電特性の膜厚依存性; 東北大院理^A, 東北大 AIMR^B; 永田一将^A, 松下ステファン悠^A, Kim Khuong Huynh^B, 谷垣勝己^{A, B}
3: Sn-Bi_1.1Sb_0.9Te₂Sにおける表面ディラック電子による量子ホール効果とゼーベック係数; 東北大院理^A, 東北大AIMR^B; 松下ステファン悠^A, 市村翔^A, 永田一将^A, Kim-Kuong Huynh^B, 谷垣勝己^{A, B}
4: コルビノ型電極配置による高絶縁性トポロジカル絶縁体の単一表面伝導特性評価; 産総研^A, 東工大フロンティア研^B; 三澤哲郎^{A, B}, 福山康弘^A, 中村秀司^A, 岡崎雄馬^A, 名坂成昭^B, 江連大貴^B, 金子晋久^A, 浦野千春^A, 笹川崇男^B

休憩　（15:00〜15:15)

5: トポロジカル絶縁体表面における半整数量子ホール伝導度の検出; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C; 茂木将孝^A, 岡村嘉大^A, 川村稔^B, 吉見龍太郎^B, 安田憲司^A, 森本高裕^A, 塚崎敦^C, 高橋圭^B, 高橋陽太郎^{A, B}, 永長直人^{A, B}, 川崎雅司^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}
6: 磁性トポロジカル絶縁体MnBi₂Te₄の結晶作製と電気伝導評価; 東大生研; 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一
7: 室温強磁性トポロジカル絶縁体MnTe/ (Bi_1-xSb_x)₂Te₃の電気伝導特性; 東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Sch. of Natural Sci., Far Eastern Federal Univ.^B; 高城拓也, 秋山了太, I. A. Kibirev^{A, B}, A. V. Matetskiy^{A, B}, 遠山晴子, 中西亮介, 樋渡功太, A. V. Zotov^{A, B}, A. A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司
8: 磁気近接相互作用による量子異常ホール効果の観測; 理研CEMS, 東大工^A, 東北大金研^B; 吉見龍太郎, 渡邊竜太^A, 川村稔, 茂木将孝^A, 塚﨑敦^B, 于秀珍, 中島清美, 高橋圭, 川﨑雅司^A, 十倉好紀^A
9: 積層トポロジカル絶縁体薄膜のディラック電子制御：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, 阪大産研^D; 佐藤匠^A, 中田優樹^A, 菅原克明^{A, B, C}, 相馬清吾^{B, C}, 高坂祟雄^D, 山内邦彦^D, 小口多美夫^D, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
10: Bi_1-xSb_xにおける²⁰⁹Bi核スピン格子緩和率測定; 名大院理, 東工大フロンティア研^A, Princeton Univ.^B; 渡邊幸裕, 清水康弘, 伊藤正行, 江連大貴^A, 笹川崇男^A, Robert.J. Cava^B
11: 化学エッチングしたTeの(0001)表面における量子輸送現象; 岡大院自然, 岡山大基礎研^A, 東大物性研^B; 秋葉和人, 浅田翔一朗, 小林夏野^A, 小林達生, 肥塚遼^B, 徳永将史^B

11日 K15会場　11pK15　13:25〜17:15

領域9，領域5
表面・界面プローブで切り開く電池材料の物理

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 東工大理; 小澤健一
2: （一般シンポジウム講演）放射光を用いたリチウムイオン二次電池の反応解析; 京大人環; 内本喜晴
3: （一般シンポジウム講演）電子顕微鏡を用いた電池材料のLi評価; 産総研RIECEN; 田口昇
4: （一般シンポジウム講演）電池材料のLiイオン拡散：NMRおよびSIMSによる自己拡散係数測定; 物材機構エネ環拠点; 桑田直明
5: （一般シンポジウム講演）計算分子技術Red Moon法による二次電池電解液開発に向けた理論的研究; 名大院情報; 長岡正隆

休憩　（15:20〜15:35)

6: （一般シンポジウム講演）Liイオン電池電極材料のオペランド軟X線分光; 産総研省エネルギー研究部門; 朝倉大輔
7: （一般シンポジウム講演）XAFSイメージングによる実固体触媒の可視化; 名大院理; 松井公佑
8: （一般シンポジウム講演）走査プローブ顕微鏡による蓄電池の材料物性および反応機構の解明; 京大産官学; 湊丈俊
9: （一般シンポジウム講演）MXenes電極中の負の誘電効果に関する電気二重層キャパシタの研究; 産総研CD-FMat; 安藤康伸

12日 K15会場　12aK15　9:00〜12:00

領域9
表面界面電子物性
（トポロジカル物質）

1: 磁性トポロジカル絶縁体ヘテロ構造Mn,Te/Bi₂Te₃における磁性と構造; 東工大理, 東大工^A, JAEA/Spring-8^B, NIMS^C, 産総研^D, 筑波大数物^E; 平原徹, 日下翔太郎, 深澤拓郎, 一ノ倉聖, 小林正起^A, 竹田幸治^B, 佐々木泰祐^C, 宝野和博^C, 白澤徹郎^D, 友弘雄太^E, 黒田眞司^E
2: トポロジカルヘテロ接合Pb/Bi/TlBiSe₂の高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, 京産大理^D, 阪大産研^E; 渡邉育子^A, Chi Xuan Trang^A, 菅原克明^{A, C}, 相馬清吾^{B, C}, 中山耕輔^A, 瀬川耕司^D, 山内邦彦^E, 小口多美夫^E, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
3: TlBi(S_1-x-Se_x)₂の温度誘起トポロジカル相転移の光電子分光による研究; 広大院理^A, 広大放射セ^B; 今井健人^A, 加藤和貴^A, Jiahua Chen^A, 宮本幸治^B, 木村昭夫^{A, B}, 奥田太一^B
4: カイラルトポロジカル半金属CoSiの表面電子状態のARPES観測; 東北大院理^A, ケルン大^B, 東北大CSRN^C, 東北大WPI-AIMR^D, DIAMOND Light Source^E, KEK物構研^F, 東北大多元研^G; 高根大地^A, Zhiwei Wang^B, 相馬清吾^{C, D}, 中山耕輔^A, 中村剛慶^A, 追沼暉^A, 中田優樹^A, 岩澤英明^E, Cephise Cacho^E, Timur Kim^E, 堀場弘司^F, 組頭広志^{F, G}, 高橋隆^{A, C, D}, 安藤陽一^B, 佐藤宇史^{A, C, D}
5: CdO(001)上Bi超薄膜の角度分解光電子分光; 佐賀大SLセ; 西村昭彦, 今村真幸, 山本勇, 東純平, 高橋和敏
6: 第一原理計算を用いた第二種ワイル半金属候補物質MoTe₂の表面状態の解析; 千葉大院融, LMU^A, 西ボヘミア大^B, 阪大院生工^C; 小野凌太, Alberto Marmodoro^A, Jan Minár^B, 中田慶隆, Hubert Ebert^A, Juergen Braun^A, 坂本一之^C, Peter Krueger

休憩　（10:30〜10:45)

7: SiC(0001)表面に成長したグラフェン膜へのロジウム原子インターカレーション(2); 福岡大工; 柳生数馬, 栃原浩, 鈴木孝将
8: 角度分解光電子分光によるPb蒸着グラフェンの電子状態の研究; 早大先進理工, 物材機構^A; 辻川夕貴, 坂本実可子, 横井佑典, 内橋隆^A, 高山あかり
9: SiC(0001)上のツイストグラフェンの電子状態について; 東大物性研, 九大院工^A, 東工大総理工^B, 高エネ研^C; 飯盛拓嗣, 今村均^A, 魚谷亮介^A, 宮町俊生, 中辻寛^B, 間瀬一彦^C, 梶原隆司^A, Visikovskiy Anton^A, 田中悟^A, 小森文夫
10: 第一原理計算による新規の炭素単原子層構造の探索III; 琉球大理; 稲岡毅, 仲榮真雄基
11: Ag(111)表面上におけるゲルマネン-スタネン二次元ヘテロ構造; 名大院工, 名大高等研^A, 名大未来研^B, エクス-マルセイユ大^C; 荻窪剛, 柚原淳司, 大田晃生^A, 洗平昌晃^{A, B}, 黒澤昌志^A, Guy Le Lay^C

12日 K21会場　12aK21　9:00〜12:15

領域9
結晶成長

1: カイネティック係数のファセット化したマクロステップ高さ依存性1：ステップ・ドロプレット・ゾーン; 大阪電通大工; 阿久津典子
2: カイネティック係数のファセット化したマクロステップ高さ依存性2：ステップ・ファセティング・ゾーン; 大阪電通大工; 阿久津典子
3: Si(110)-16×2構造生成に伴う面内異方性のその場観察; 原子力機構先端研; 朝岡秀人, 矢野雅大, 寺澤知潮, 保田諭
4: X線反射率測定法による鉄不働態膜構造の時間発展; 阪大基礎工, 東北大理^A, 高輝度セ^B, 日本製鉄先端技術研^C; 藤井宏昌, 若林裕助^A, 田尻寛男^B, 土井教史^C
5: 国際協力による微小重力環境下での炭化チタン粒子の均質核生成実験; 北大低, 宇宙研^A; 木村勇気, 斎藤史明, 中坪俊一^A, 千貝健, 森章一, 稲富裕光^A
6: 球状パッチ粒子の作る2次元構造と形成過程; 金大IMC; 佐藤正英

休憩　（10:30〜10:45)

7: （招待講演）結晶成長プロセス最適化における機械学習の活用; 名大未来研; 宇治原徹
8: メタダイナミクス法による結晶形成シミュレーションII; 産総研; 灘浩樹
9: ネマチックガラスからの異常結晶成長機構II; 京大院人環; 小西隆士, 宮本嘉久
10: 取　　消
11: 生分解性高分子poly lactic acid 薄膜・表面の結晶化、選択配向性のX線回折を用いた観察; 関学大理工; 山形俊平, 阪口文哉, 高橋功

12日 D10会場　12pD10　13:30〜17:00

領域3（10番目のみ領域4と合同，11〜13番目のみ領域9と合同）
表面界面・薄膜・人工格子・ナノ粒子磁性

1: 強磁性体/強誘電体ヘテロ界面によって発現する磁気特性; 兵県大^A, 理研^B, 岐大^C, JASRI^D; 山口明啓^{A, B}, 中村遼^{A, B}, 三枝峻也^{A, B}, 中尾愛子^A, 内海裕一^A, 山田啓介^C, 大浦正樹^B, 大河内拓雄^{D, B}
2: 強磁性体/強誘電体ヘテロ界面に誘起される磁気状態の電流応答特性; 兵県大^A, 理研^B, 岐大^C, JASRI^D, KAIST^E; 中村遼^{A, B}, 三枝峻也^{A, B}, 中尾愛子^A, 内海裕一^A, 山田啓介^C, 大浦正樹^B, 大河内拓雄^{D, B}, Lee Taekhyeon^E, Kim Kab-Jin^E, 山口明啓^{A, B}
3: Ptナノ粒子のNMRによる研究：磁場依存性; 京大院物理, 京大院化学^A; 奥野友則, 真砂全宏, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平^A, 小林浩和^A, 北川宏^A
4: X線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー効果測定でみるCo/Pt薄膜の光誘起磁化ダイナミクス; 東大物性研^A, 東大理^B, JASRI^C, 理研^D, 東北大金研^E; 山本航平^{A, B}, Souliman El Moussaoui^A, 平田靖透^{A, B}, 山本達^{A, B}, 久保田雄也^{C, D}, 大和田成起^{C, D}, 矢橋牧名^{D, C}, 松田巌^{A, B}, 関剛斎^E, 高梨弘毅^E, 和達大樹^{A, B}
5: CoFeB/MgOおよびCoFeB/Ta界面におけるスピン・軌道磁化の磁化反転挙動; 群馬大理工, JASRI^A; 櫻井浩, 拝詞建人, 柴山茜, 鈴木宏輔, 星和志, 辻成希^A, 櫻井吉晴^A
6: PEG包含Co-Zn ferriteナノ微粒子の交流磁場中における熱散逸効果および第三高調波測定; 横国大院理工^A, 横国大院環情^B, 阪大院理^C; 大嶋晃人^A, 神田康平^B, 一柳優子^{A, C}

休憩　（15:00〜15:15)

7: 逆ペロブスカイト窒化物Mn₃(Ni_1-xCu_x)N薄膜における異常ホール効果の観測; 名古屋大, Augsburg大^A, Colorado州立大^B; 羽尻哲也, Kan Zhao^A, Hua Chen^B, 三木竜太, Philipp Gegenwart^A, 浅野秀文
8: ゼーマン型スピン軌道相互作用による磁気異方性; 原子力機構先端基礎; 家田淳一, 山本慧
^●9: Intrinsic ferromagnetic 2D honeycomb-kagome monolayer of Cr₂O₃; Univ. of Tsukuba, Kobe Univ.^A; Arqum Hashmi, Kenta Nakanishi, Tomoya Ono^A
10: 2次元磁性体Cr₂Ge₂Te₆/酸化物2層膜の磁気特性; 東北大AIMR^A, パデュ大学物理天文^B; 井土宏^A, A. E. Llacsahuanga Allcca^B, X. C. Pan^A, 谷垣勝巳^A, Y. P. Chen^{A, B}
11: ナノ構造スラブ系の磁気異方性計算とラシュバ効果; 金沢大理工, 金沢大自然^A; 小田竜樹, インドラパルデデ^A, 吉川大輝^A, 金川朋賢^A, 北岡優也^A, 小幡正雄
12: 水素修飾による窒化銅表面上のCo単一原子のスピン状態変化; 東大物性研, KIT^A; 宮町俊生, Thomas Gozlinski^A, Wulf Wulfhekel^A, 小森文夫
13: 第一原理計算によるネオジム磁石の主相・粒界相界面の磁気結合解析; 東工大物質理工; 寺澤麻子, 合田義弘

12日 K15会場　12pK15　13:30〜16:55

領域9，領域4，領域7
表面と原子層を融合した新しい2次元物質科学に向けて

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 物材機構; 内橋隆
2: （一般シンポジウム講演）角度分解光電子分光とその場伝導測定で探る表面原子層の超伝導; 早稲田大; 高山あかり
3: （一般シンポジウム講演）表面超構造で制御する原子層の電子物性; 東大物性研; 松田巌
4: （一般シンポジウム講演）表面X線回折による二次元物質の構造解明; 産総研; 白澤徹郎

休憩　（15:10〜15:25)

5: （一般シンポジウム講演）MBEで切り拓く2次元物質の創発物性; 東大; 中野匡規
6: （一般シンポジウム講演）2次元物質の新しい光機能; 名大; 竹延大志
7: （一般シンポジウム講演）ツイスト積層２次元物質の電子・フォノン物性; 阪大; 越野幹人

13日 K15会場　13aK15　9:00〜12:00

領域9（1番のみ領域4と合同）
表面ナノ構造物性・顕微分光

1: スピン偏極STM発光分光法を用いた原子精度でのスピン注入と磁気二色性の観測; 理研; 山本駿玄, 今田裕, 金有洙
2: 単一分子接合系における光電変換に関する理論解析; ノースウエスタン大学^A, 理研SISL^B, 東大新領域^C, カリフォルニア大学サンディエゴ校^D; 三輪邦之^{A, B}, 今田裕^B, 木村謙介^{B, C}, 今井みやび^{B, C}, 金有洙^B, Michael Galperin^D
3: 4,4’-ビピリジン単分子接合における電気計測と分光計測を利用した金属-分子界面構造の制御と観察; 東工大理^A, 物材研MANA^B, JSTさきがけ^C; 小林柊司^A, 金子哲^{A, C}, 塚越一仁^B, 木口学^A
4: 4-アミノチオフェノール単分子接合における表面増強ラマン散乱強度のバイアス電圧依存性; 東工大理^A, 物材機構 MANA^B, JSTさきがけ^C; 金子哲^{A, C}, 安良岡浩司^A, 塚越一仁^B, 木口学^A
5: 金属探針による吸着CO分子の振動状態の変化; 金沢大理工, DIPC^A, Regensburg Univ.^B, Linnaeus Univ.^C; 岡林則夫, Thomas Frederiksen^A, Ferdinand Huber^B, Sonia Matencio^B, Magnus Paulsson^C, Franz J Giessibl^B
6: Ag(111)上の固体酸素の走査型プローブ顕微鏡観察; 東大新領域; 杉本宜昭, 木村光男

休憩　（10:30〜10:45)

^●7: Scanning tunneling Microscopy study of Electronic and Spin states of Single molecule magnet.; Dept. Chem., Tohoku Univ., IMRAM, Tohoku Univ.^A; Islam Saiful, S.M.F. Shahed^A, Tadahiro Komeda^A, Keiichi Katoh,　Masahiro Yamashita
8: Cu(001)基板上の窒化コバルト鉄膜の作製と構造評価; 東大物性研; 服部卓磨, 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 小森文夫
9: コア-シェル型Co-Niナノ構造における電子定在波の形成; 東北大AIMR, 東北大多元研^A; 岡博文, 米田忠弘^A
10: β-FeSi₂/Si(001)表面のトンネル分光測定; 物材機構, 横浜国大^A; 鷺坂恵介, 艸分倫子, 青柳良英^A, 大野真也^A
11: Fe/水素終端Si(111)界面形成初期段階の微視的構造と局所電子状態; 東北大院理; 江口豊明, 川口諒, 須藤彰三