日本物理学会2019年秋季大会

1: 自由エネルギー計算に基づく六方晶Siの結晶多形の研究; 東工大理; 北玲男, 豊田雅之, 斎藤晋
^●2: Cyclotron Resonance in InxGa1-xN/AlGaN Heterostructures; NIMS^A, Hokkaido Univ.^B; Dickson Kindole^{A, B}, Yasutaka Imanaka^{A, B}, Kanji Takehana^A, Masatomo Sumiya^A
3: 光学フォノンエネルギー近傍におけるInGaAs二次元電子系のサイクロトロン共鳴; 物材機構, 大阪工大^A, 北陸先端大^B, 阪大^C; 今中康貴, Dickson Kindole, 竹端寛治, 山田省二^A, 赤堀誠志^B, 日高志郎^C
4: InGaAs 2次元電子ガス2層系におけるスピン軌道相互作用の機構解明; 大阪工大, 阪大^A, 北陸先端大^B; 山田省二, 藤元章, 日高志郎^A, 赤堀誠志^B
5: InAs/GaSb量子井戸におけるスピン軌道相互作用に由来する異方的な電気伝導度の観測; NTT物性研; 入江宏, Dyon van Dinter, 秋保貴史, 小野満恒二, 村木康二
6: 三方晶Teにおける電流誘起NMRシフトの磁場極性依存性と電流誘起磁性の関係; 東理大理, 岡山大基礎研^A; 小笠原直輝, 渡邉悠太, 田中光児, 古川哲也, 小林夏野^A, 伊藤哲明

7: Rashba電子系におけるスリット型電子干渉実験の理論研究; 東大工, 早大先進理工^A; 清水宏太郎, 望月維人^A
8: Rashba外場により変調されたIV族半導体量子二次元系における正孔間相互作用とスピン歳差II; 早大理工; 東条樹, 武田京三郎
9: (111)非対称二重量子井戸におけるスピン緩和スイッチング; 北大工; 飯島智徳, 江上喜幸, 明楽浩史
10: 空間反転対称性が破れたスタネンにおける電流誘起スピン偏極; 北大院工; 大原浩平, 明楽浩史
11: 曲率を持つ原子鎖における電流誘起スピン偏極とスピン偏極電流; 北大院工; 矢田部優哉, 明楽浩史
12: カイラル誘起スピン選択性の量子動力学的研究; 分子研^A, プリンストン大^B, 総研大^C; 加藤彰人^A, 池田龍志^{A, B}, 石崎章仁^{A, C}
13: 強い電場による真空や半導体からの自発的なスピン流生成; Fudan Univ.^A, UCAS^B, RIKEN^B, JAEA^B; 田屋英俊^A, Xu-Guang HUANG^A, 松尾衛^B

1: 単層黒リンのトポロジカルエッジ状態; 阪大理; 人見将, 越野幹人
2: 2DSSHモデルにおけるトポロジカルエッジ状態の解析計算; 関西学院大理工; 尾花大地, LIU Feng, 若林克法
3: 2次元トポロジカル絶縁体における散逸的スピンポンピング; 原子力機構, 東大物性研^A, 東北大金研^B; 荒木康史, 三澤貴宏^A, 野村健太郎^B
4: 二次元量子ウォークにおける time-glide symmetry に守られたエッジ状態; 北大工, 京大基研^A; 望月健, 別所拓実^A, 佐藤昌利^A, 小布施秀明
5: Layer constructionによる映進対称性を持つ系のトポロジカル不変量; 東工大理^A, 京大基研^B, 東工大元素戦略研究セ^C; Heejae Kim^A, 塩崎謙^B, 村上修一^{A, C}
6: 高次トポロジカル絶縁体における境界条件の変化に伴うヒンジ状態の出現; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 田中悠太朗^A, 高橋亮^A, 村上修一^{A, B}

7: ノーダルライン物質の物性; 東大理; 小形正男, 松浦弘泰, 立石幾真
8: 強磁性トポロジカル半金属における相図：面内磁化の下で安定に存在する線ノード; 中国科学院大学Kavli-ITS, 名大理^A, 東北大金研^B; 大湊友也, 山影相^A, 野村健太郎^B
9: 磁性ワイル半金属における磁気構造と電荷分布の相関; 中国科学院大学Kavli-ITS, 東北大金研^A; 大湊友也, 野村健太郎^A
10: ワイル半金属中のランダムな磁区による磁気抵抗効果; 東北大金研; 小林浩二, 野村健太郎
11: アンチペロブスカイト系ディラック半金属における磁気円二色性; 京大基研; 田口勝久, 川上拓人, 佐藤昌利
12: Berry曲率を有する系における輸送現象を記述する温度勾配を含んだ量子動力学方程式の導出とその応用; 理研CEMS^A, 東大工^B; 関根聡彦^A, 永長直人^{A, B}

1: トポロジカル超伝導体の表面状態の分類; 京大基研; 塩崎謙
2: トポロジカル超伝導元素TlにおけるカイラルMajoranaモード; 理研CEMS^A, 東大工^B; 平山元昭^A, 野本拓也^B, 有田亮太郎^B
3: 量子異常ホール・異方的超伝導体ハイブリッド系における表面状態; 名大工, 名大高等研^A; 大橋良伊, 小林伸吾^A, 田仲由喜夫
4: 反強磁性金属とd波超伝導体の接合に関する研究; 名古屋大工; 鈴木克弘, 田村駿, 田仲由喜夫
5: 異軌道間トポロジカル超伝導状態における酸化物界面系のジョセフソン接合の理論; 名大工, SPIN-CNR^A; 深谷優梨, 田村駿, 矢田圭司, 田仲由喜夫, Paola Gentile^A, Mario Cuoco^A
6: ラシュバナノワイヤーの接合系におけるジョセフソン電流の計算; 名大工; 高木大治郎, 田仲由喜夫

7: トポロジカル結晶超伝導体におけるマヨラナクラマース対の電磁気応答の理論; 名大理, 名大高等研^A, 名大工^B; 山崎勇樹, 小林伸吾^{A, B}, 山影相
8: クラスDトポロジカル超伝導体におけるMajorana Braiding Dynamicsと非可換統計性; 阪大院基礎工; 三野巧, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡
9: Weyl半金属における非エルミート効果とLandau準位のスペクトル崩壊; 阪大基礎工, 原子力機構シ計セ^A, 理研AIP^B; 松下太樹, 水島健^{A, B}, 藤本聡
10: 取　　消
11: 超伝導Sr₂RuO₄のスピン一重項-三重項混成状態におけるトンネルコンダクタンス; 名大工; 矢田圭司, 鈴木修, 田仲由喜夫, 柏谷聡
12: カイラル対称性のある系における奇周波数超伝導クーパー対の研究2; 名大工, 埼玉大理^A; 田村駿, 星野晋太郎^A, 田仲由喜夫
13: トポロジカル超伝導体における異常近接効果の研究; 名古屋大工; 田村駿, 田仲由喜夫

1: τ型有機導体におけるディラック電子とトポロジカルギャップ; 東大物性研; 長田俊人
2: 常圧masslessディラック電子系Pt(dmdt)₂の¹³C NMR測定; 東大工, 日大文理^A; 関根孝彦, 須波圭史, 竹原陵介, 宮川和也, 周彪^A, 小林昭子^A, 鹿野田一司
3: α-(BETS)₂I₃の¹³C NMR; 理研; 藤山茂樹, 加藤礼三
4: 有機導体α-(BETS)₂I₃の低温相における電子間相互作用の効果; 名大理, 東大物性研^A, 名大院工^B; 小林晃人, 大木大悟, 吉見一慶^A, 澤博^B, 鬼頭俊介^B
5: α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力下のバンド構造と電子比熱の理論; 熊本大教育, 兵庫県立大物質理学^A; 岸木敬太, 今福晴仁, 築出啓太, 長谷川泰正^A
6: 有機導体α-(BEDT-TTF)₂I₃における電子相関効果と温度圧力相図; 早大先進理工, 東大理^A; 田中康寛, 小形正男^A
7: 有機ディラック電子系におけるエキシトニック不安定性の研究; 東北大金研, 名大理^A, 東大物工^B, 東理大理工^C; 平田倫啓, 大木大吾^A, 小林晃人^A, 宮川和也^B, 鹿野田一司^B, 田村雅史^C

8: 有機ディラック電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力下磁化率と抵抗測定; 物材機構; 鴻池貴子, 寺嶋太一, 杉浦栞理, 廣瀬陽代, 菊川直樹, 宇治進也
9: 有機ディラック電子系の高磁場下輸送現象; 東邦大^A, 理研^B, 分子研^C, 東北大^D; 鵜野澤佳成^A, 川椙義高^{A, B}, 須田理行^C, 山本浩史^{B, C}, 加藤礼三^B, 木俣基^D, 西尾豊^A, 梶田晃示^A, 田嶋尚也^{A, B}
10: 有機ディラック電子系α-(BETS)2I3とα-(BEDT-STF)2I3の輸送特性; 東邦大理^A, 理研^B, 愛媛大院理工^C; 小原遼太郎^A, 川椙義高^{A, B}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A, 田嶋尚也^{A, B}
11: 有機ディラック電子系alpha-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序近傍における輸送現象; 名大理, 豊田高専^A; 大木大悟, 大森有希子^A, 小林晃人
12: α-ET₂I₃のゼーベック係数に対する電荷秩序効果; 東理大工, 東理大^A; 山本貴博, 福山秀敏^A
13: ゼーベック係数へのフェーゾン・ドラッグ効果; 東京理科大, 東大理^A; 福山秀敏, 小形正男^A

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 東京工業大学理学院（東工大理学院化学）; 沖本洋一
2: （一般シンポジウム講演）高次高調波によるアト秒パルス発生の現状と展望; 東京大学物性研究所（東大物性研（実験））; 板谷治郎
3: （一般シンポジウム講演）半導体・金属薄膜からの高次高調波発生; 京都大学理学部（京大理）; 内田健人
4: （一般シンポジウム講演）強相関金属・超伝導体における高調波発生の非摂動機構; 東北大理学部（東北大理（実験））; 岩井伸一郎
5: （一般シンポジウム講演）超伝導体からのテラヘルツ高調波発生; 東京大学低温センター（東大低セ）; 島野亮

6: （一般シンポジウム講演）Floquet理論を用いた固体高次高調波の研究; 東京大学物性研究所（東大物性研（理論））; 池田達彦
7: （一般シンポジウム講演）強相関電子系およびスピン系における高次高調波発生; 東京工業大学理学院（東工大理学院物理）; 村上雄太
8: （一般シンポジウム講演）低次元相関電子系の高次高調波発生とその機構; 東北大理学部（東北大理（理論））; 石原純夫
9: （一般シンポジウム講演）まとめ; 東京大学本部（東大本部）; 辛埴

43: ディラック半金属EuMnBi₂の量子ホール状態における²⁰⁹Bi NMR; 名大院理, 東北大金研^A, 阪大理^B, 阪大基礎工^C, JSTさきがけ^D; 熊崎将司, 清水康弘, 伊藤正行, 増田英俊^A, 酒井英明^{B, D}, 石渡晋太郎^{C, D}
44: コルビノ型電極による量子アンチドットの微小電流測定; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B; 秦徳郎^A, 内野智貴^A, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A
45: SU(N)Anderson模型の非線形感受率の1/(N-1)展開; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B; 一町ほのか^A, 寺谷義道^A, 小栗章^{A, B}
46: 3重量子ドット系の近藤領域におけるAndreev散乱と非局所伝導度; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^{A, B}, NTT物性基礎研^C, 先端力学シミュレーション研究所^D; 橋本将史^A, 寺谷義道^A, 小栗章^{A, B}, 山田康博^C, 田中洋一^D
47: ジグザグ型グラフェンナノリボンの電気伝導特性; 成蹊大理工; 澁谷航, 富谷光良, 坂本昇一
48: 30^@にねじれた2層グラフェン準結晶の量子ホール効果; 九大総理工; 小川名太一, 坂口英継
49: Z形グラフェンナノリボン量子ドット接合のギャップ内状態に対する欠陥の影響; 岐阜大院自然; 志知佑紀, 青木正人
50: ホウ素をドープしたヘテロ接合をもつグラフェンナノリボンのギャップ内状態; 岐阜大院自然; 上田悠貴, 青木正人
51: 空間反転対称性が破れた結晶における電子流体力学; 京大理, カリフォルニア大学バークレー校^A; 兎子尾理貴, 高三和晃^A, 川上則雄
^●52: Temperature-dependant negative differential resistance in graphene-based transistors; Nanoelectronics Group, Dept. of Eng. Sci. and Ocean Eng., Nat’l Taiwan Univ.; Peng Tseng, Wen-Jeng Hsueh
53: アームチェア型CNT/BNNTの電気伝導特性; 成蹊大理工; 石井克明, 富谷光良, 坂本昇一
54: 4層グラフェンにおける伝導度測定および雑音測定; 阪大理^A, 東大知の物理学研究センター^B; Lee Sanghyun^A, 浅野拓也^A, 坂井康介^A, 新見康洋^A, 小林研介^{A, B}
55: グラフェンにおける周期的キャリア密度変調を用いたプラズモン制御; NTT物性基礎研; 吉岡克将, Ngoc Han Tu, 佐々木智, 高村真琴, 熊田倫雄
56: 雑音測定を用いたグラフェン量子ホールブレークダウン前駆現象検出の試み; 阪大理, 阪大CSRN^A, 東大知の物理学センター^B; 坂井康介, Lee Sanghyun, 浅野拓也, 荒川智紀^A, 新見康洋^A, 小林研介^B
57: 高温超伝導体Bi2212/グラフェン接合素子の作製; 阪大理^A, NIMS^B, 東大知の物理学研究センター^C, 阪大CSRN^D; 鈴木将太¹, 岩崎拓哉², 森山悟士², 中払周², 若山裕², 宮坂茂樹¹, 田島節子¹, 小林研介^{1, 3}, 新見康洋^{1, 4}
58: 二重正方格子型円形凹みを持つグラフェンの磁気抵抗; 中大理工; 和田優希, 渡邉寛人, ^○若林淳一
59: カイラル構造を持つIrGe₄の単結晶育成と物性測定; 首都大院理; 千葉優馬, 大村瑠美, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
60: ノーダルライン半金属CaAgPの元素置換効果II; 名大院工, 名大院理^A; 三枝一茂, 岡本佳比古, 山影相^A, 山川洋一^A, 竹中康司
61: 第一原理計算によるスピンバレートポロジカル相を示すヘテロ界面の物質設計; 阪大産研; 嶋津亮真, 山内邦彦, 小口多美夫
62: MBEにより成長した磁性トポロジカル結晶絶縁体(Sn,Mn)Te薄膜の構造解析と磁化特性; 筑波大数理物質^A, 東大理^B, 高エネ研^C; 友弘雄太^A, ^○嶋野武^A, 秋山了太^B, 仁谷浩明^C, 黒田眞司^A
63: ゼロギャップ組成(Pn,Sn)TeへのMn添加磁性混晶の薄膜成長と磁化特性; 筑波大数理物質^A, 東大理^B; 嶋野武^A, 友弘雄太^A, 秋山了太^B, 黒田眞司^B
64: Bi/Ni薄膜における超伝導特性の細線幅依存性; 阪大理^A, 阪大CSRN^B, 復旦大学物理系^C, 東大理^D; 徳田将志^A, 岩下孔明^A, 壁谷奈津紀^A, 谷口祐紀^A, 荒川智紀^{A, B}, 新見康洋^{A, B}, 小林研介^{A, D}, Gong Xin-Xin^C, Yue Di^C, Jin Xiao-Feng^C
65: ワイル半金属WTe₂のNMRによる磁気特性の研究; 名大院理; 横尾理樹, 清水康弘, 伊藤正行
66: 原子層超伝導ZrTe_3-xSe_x薄膜における電気伝導特性; 阪大院理^A, 阪大CSRN^B, 東大知の物理学研究センター^C; 藤原聖士^A, 横井雅彦^A, 荒川智紀^{A, B}, 小林研介^{A, C}, 新見康洋^{A, B}

^●1: Spin polarised transmission of holes through a potential barrier in transition metal dichalcogenides; Univ. of Leicester^A, Univ. of Tokyo^B, AIST^C; P. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{B, C}
2: ミスフィット層状化合物(PbSe)_1+δ(TiSe₂)₂における高次元密度波; 理研CEMS, 岡山大物理^A, 岡山大基礎研^B; 幸坂祐生, 上野哲平^A, 町田理, 花栗哲郎, 秋光純^B, 小林夏野^{A, B}
3: NbSe₂超薄膜におけるPauli極限-軌道極限のクロスオーバー; 東大院工^A, 理研CEMS^B, 東大物性研^C, 東北大金研^D; 松岡秀樹^A, 中野匡規^{A, B}, 小濱芳允^{A, C}, 王越^A, 柏原悠太^A, 吉田訓^A, 松井一樹^C, 下起敬史^A, 大内拓^D, 石坂香子^{A, B}, 野島勉^D, 川﨑雅司^{A, B}, 岩佐義宏^{A, B}
4: TaSe₂薄膜におけるエピタキシャル歪みと輸送特性; 東大院工^A, 理研CEMS^B; 田中勇貴^A, 松岡秀樹^A, 中野匡規^{A, B}, 岩佐義宏^{A, B}
5: ファンデアワールス・ヘテロ界面におけるゼーマン型スピン軌道相互作用を用いた磁性変調; 東大院工^A, 理研CEMS^B, 原子力機構^C; 松岡秀樹^A, 中野匡規^{A, B}, 山本慧^C, 家田淳一^C, 岩佐義宏^{A, B}
^●6: Magnetic properties of atomically-thin chromium telluride thin films grown by molecular-beam epitaxy; Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B; Yue Wang^A, Masaki Nakano^{A, B}, Satoshi Yoshida^A, Hideki Matsuoka^A, Kyoko Ishizaka^{A, B}, Yoshihiro Iwasa^{A, B}

7: VX₂(X= Se,Te)原子層薄膜のCDW転移：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C; 菅原克明^{A, B, C}, 中田優樹^A, 藤井和樹^A, 中山耕輔^A, 相馬清吾^{B, C}, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
8: ガスセンサー応用に向けた二硫化モリブデンとグラフェンのファンデルワールスヘテロ接合; 大工大工^A, 大工大ナノ材研^B, 兵庫医大物理^C; 藤元章^{A, B}, 前田翔児^{A, B}, 井須亮太^{A, B}, 阪本恵一^A, 俣野健太郎^A, 寺澤大樹^C, 福田昭^C, 小山政俊^{A, B}, 原田義之^{A, B}, 小池一歩^{A, B}, 佐々誠彦^{A, B}, 矢野満明^{A, B}
9: 1T-HfTe₂における次元性制御：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, NSRRC^D, 阪大産研^E, 埼玉大院理工^F; 中田優樹^A, 菅原克明^{A, B, C}, Ashish Chainani^D, 山内邦彦^E, 中山耕輔^A, 相馬清吾^{B, C}, Pei-Yu Chuang^D, Cheng-Maw Cheng^D, 小口多美夫^E, 上野啓司^F, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
10: 単層遷移金属ダイカルコゲナイド超伝導体－半導体面内接合における電気伝導特性の理論的解析; 北大工; 羽部哲朗
11: MoS₂を用いたコーナー型超伝導接合における超伝導電流の磁場依存性; 名大工^A, 産総研^B, 日女大理^C, 東工大フロンティア研^D; 津村公平^A, 日比崇仁^A, 矢野力三^A, 小柳正男^B, 柏谷裕美^B, 石黒亮輔^C, 笹川崇男^D, 柏谷聡^{A, B}
12: 原子層面内ヘテロ接合界面における電流励起発光; 名大工, 首都大理工^A, 京大エネ研^B; 蒲江, 和田尚樹^A, Wenjin Zhang^B, 高口祐平^A, 中西勇介^A, 松田一成^B, 宮内雄平^B, 宮田耕充^A, 竹延大志

1: カイラル対称性に由来する高次トポロジカル相; 東北大AIMR, 産総研Matham-OIL^A; 奥川亮, 林晋^A, 中西毅^A
2: 空間反転対称な絶縁体におけるバルク・エッジおよびバルク・ヒンジ対応; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 高橋亮^A, 田中悠太朗^A, 村上修一^{A, B}
3: 入り組んだ端構造をもつ四極子トポロジカル絶縁体のゼロ・エネルギー状態; 広大院先端; 高根美武
4: 畳み込みニューラルネットワークで求めた空孔を持つトポロジカル物質の相図; 上智大理工; 真野智裕, 大槻東巳
5: トリプチセン重合体におけるフラットバンドと高次トポロジカル相の理論; 筑波大数理; 溝口知成, 丸山実那, 岡田晋, 初貝安弘
6: Spring-mass模型におけるHigher-orderトポロジカル相; 筑波大数理; 若尾洋正, 吉田恒也, 荒木広夢, 溝口知成, 初貝安弘

7: メカニカル系における対称性に保護されたエクセプショナルリング; 筑波大数理; 吉田恒也, 初貝安弘
8: 例外点と非エルミートトポロジカル半金属の分類; 京大基研^A, 東大理^B; 別所拓実^A, 川畑幸平^B, 塩崎謙^A, 佐藤昌利^A
9: 非エルミート・トポロジカル相におけるバルクエッジ対応; 広大先端研; 井村健一郎, 高根美武
10: 非エルミート・トポロジカル相の輸送特性; 広大先端研, 北大工^A, 東大理^B, 東大生産研^C; 井村健一郎, ^○小布施秀明^A, 川畑幸平^B, 羽田野直道^C
11: 非エルミート系におけるブロッホバンド理論; 東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B; 横溝和樹^A, 村上修一^{A, B}
12: 無限小摂動に誘起された非エルミートトポロジカル相転移; 京大基研; 大熊信之, 佐藤昌利
13: カイラル対称性に守られた非エルミートトポロジカル相と静磁場に対する応答; 京大理^A, 筑波大数理^B; 木村和博^A, 吉田恒也^B, 川上則雄^A

1: GaN FET における量子ドット形成; 東北大通研, ローム^A; 阿部峰也, 北田孝仁, 伊藤範和^A, 田中岳利^A, 中原健^A, 大塚朋廣
2: 量子ドット系でのスピン緩和率における電子相関効果の検証; 東大物性研, 阪大産研^A; 吉見一慶, 木山治樹^A, 大岩顕^A, 加藤岳生
3: GaAs二重量子ドットにおけるパウリスピン閉塞効果の完全計数統計; 理研, JSTさきがけ^A, 九大理^B, Ruhr大^C; 松尾貞茂^A, 黒山和幸, 藪中俊介^B, Sacha Valentin^C, Arne Ludwig^C, Andreas Wieck^C, 樽茶清悟
4: 磁場中のAnderson不純物の非線形応答に対するトンネル結合の非対称性の効果; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 東大物性研^C; 堤和彦^A, 寺谷義道^A, 小栗章^{A, B}, 阪野塁^C
5: InAsナノ細線ジョセフソン接合におけるシャピロステップのゲート依存性; 東京大工^A, 理研CEMS^B, フランス国立科学研究センター^C, 北京大^D, ルンド大^E; 上田健人^A, 松尾貞茂^B, 鎌田大^C, 佐藤洋介^A, 武重有祐^A, K Li^D, S Jeppesen^E, L Samuelson^E, H.Q. Xu^{D, E}, 樽茶清悟^{A, B}
6: 三端子量子ドットの端子間のエンタングルメント; 物性研, 大阪市大理^A, 慶大理工^B; 阪野塁, 小栗章^A, 江藤幹雄^B

7: トリプルゲート量子ポイントコンタクトのポテンシャル形状; 東北大理, 茨城大工^A; 高橋基, M. H. Fauzi, 長瀬勝美, 佐藤健, 青野友祐^A, 平山祥郎
8: 電子正孔非対称な量子ドットにおける電流ゆらぎのFermi液体補正; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B, 東大物性研^C; 小栗章^{A, B}, 寺谷義道^A, 阪野塁^C
9: SU(N)Anderson不純物の非平衡電流におけるフェルミ流体効果II; 大阪市大理^A, 大阪市大NITEP^B; 寺谷義道^A, 小栗章^{A, B}
10: 表面弾性波に駆動された伝導電子によるコヒーレントトンネル振動; 理研, 産総研^A, ルール大^B; 伊藤諒, 高田慎太郎^A, A. Ludwig^B, A.D. Wieck^B, 樽茶清悟, 山本倫久
11: 多重ゲート量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出核磁気共鳴; 東北大理¹, 東北大CSRN², 東北大CSIS³; 祖父江剛士¹, M. H. Fauzi², 高橋基¹, 長瀬勝美¹, 佐藤健¹, 平山祥郎^{1, 2, 3}
^●12: Transport through double quantum dot in parallel in three-terminal setup; 慶大理工, 東大物性研^A; Zhang Yujie, 阪野塁^A, 江藤幹雄
13: 4重量子ドットにおける4電子スピン状態測定法の開発; 理研CEMSA, 東大工^A, 東北大^B, Ruhr-Univ. Bochum^C; 伊藤匠^B, 大塚朋廣^B, 中島峻, Matthieu Delbecq, 天羽真一, 米田淳, 武田健太, 野入亮人, Giles Allison, Arne Ludwig^C, Andreas D. Wieck^C, 樽茶清悟

1: （チュートリアル講演）高品質3次元トポロジカル絶縁体の合成と応用; 東北大理; 谷垣勝己
2: Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3薄膜における熱電特性の膜厚依存性; 東北大院理^A, 東北大 AIMR^B; 永田一将^A, 松下ステファン悠^A, Kim Khuong Huynh^B, 谷垣勝己^{A, B}
3: Sn-Bi_1.1Sb_0.9Te₂Sにおける表面ディラック電子による量子ホール効果とゼーベック係数; 東北大院理^A, 東北大AIMR^B; 松下ステファン悠^A, 市村翔^A, 永田一将^A, Kim-Kuong Huynh^B, 谷垣勝己^{A, B}
4: コルビノ型電極配置による高絶縁性トポロジカル絶縁体の単一表面伝導特性評価; 産総研^A, 東工大フロンティア研^B; 三澤哲郎^{A, B}, 福山康弘^A, 中村秀司^A, 岡崎雄馬^A, 名坂成昭^B, 江連大貴^B, 金子晋久^A, 浦野千春^A, 笹川崇男^B

5: トポロジカル絶縁体表面における半整数量子ホール伝導度の検出; 東大工^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C; 茂木将孝^A, 岡村嘉大^A, 川村稔^B, 吉見龍太郎^B, 安田憲司^A, 森本高裕^A, 塚崎敦^C, 高橋圭^B, 高橋陽太郎^{A, B}, 永長直人^{A, B}, 川崎雅司^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}
6: 磁性トポロジカル絶縁体MnBi₂Te₄の結晶作製と電気伝導評価; 東大生研; 服部裕也, 徳本有紀, 枝川圭一
7: 室温強磁性トポロジカル絶縁体MnTe/ (Bi_1-xSb_x)₂Te₃の電気伝導特性; 東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Sch. of Natural Sci., Far Eastern Federal Univ.^B; 高城拓也, 秋山了太, I. A. Kibirev^{A, B}, A. V. Matetskiy^{A, B}, 遠山晴子, 中西亮介, 樋渡功太, A. V. Zotov^{A, B}, A. A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司
8: 磁気近接相互作用による量子異常ホール効果の観測; 理研CEMS, 東大工^A, 東北大金研^B; 吉見龍太郎, 渡邊竜太^A, 川村稔, 茂木将孝^A, 塚﨑敦^B, 于秀珍, 中島清美, 高橋圭, 川﨑雅司^A, 十倉好紀^A
9: 積層トポロジカル絶縁体薄膜のディラック電子制御：高分解能ARPES; 東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, 阪大産研^D; 佐藤匠^A, 中田優樹^A, 菅原克明^{A, B, C}, 相馬清吾^{B, C}, 高坂祟雄^D, 山内邦彦^D, 小口多美夫^D, 高橋隆^{A, B, C}, 佐藤宇史^{A, B, C}
10: Bi_1-xSb_xにおける²⁰⁹Bi核スピン格子緩和率測定; 名大院理, 東工大フロンティア研^A, Princeton Univ.^B; 渡邊幸裕, 清水康弘, 伊藤正行, 江連大貴^A, 笹川崇男^A, Robert.J. Cava^B
11: 化学エッチングしたTeの(0001)表面における量子輸送現象; 岡大院自然, 岡山大基礎研^A, 東大物性研^B; 秋葉和人, 浅田翔一朗, 小林夏野^A, 小林達生, 肥塚遼^B, 徳永将史^B

1: 分数量子Hall効果に対するdisorderのin-situ遮蔽制御の影響; NTT物性研; 秋保貴史, 村木康二
2: ZnOゲートを有するInAs量子ホール系におけるエッジマグネトプラズモン; NTT物性基礎研; 熊田倫雄, Ngoc Han Tu, 佐々木健一, 太田剛, 橋坂昌幸, 佐々木智, 小野満浩二, 村木康二
3: 時間分解顕微分光法を用いた量子ホール系における荷電励起子ダイナミクスの研究; 東北大理^A, 物材機構^B, CSRN^C; 松浦雅広^A, 神山晃範^A, Moore John^A, 間野高明^B, 野田武司^B, 遊佐剛^{A, C}
4: 取　　消

5: 取　　消
6: 整数・分数量子ホール微小接合における電気輸送特性; NTT物性研^A, JSTさきがけ^B; 橋坂昌幸^{A, B}, 秋保貴史^A, 佐々木智^A, 村木康二^A
7: 電流ゆらぎ測定を用いた分数電荷励起のスピン電荷分離の観測; 東工大理^A, NTT物性基礎研^B, JST, PRESTO^C; 秦徳郎^A, 遠藤孝晃^A, 橋坂昌幸^{B, C}, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A
8: 量子ホールエッジチャネルにおけるLOフォノン散乱の電界制御; 東工大^A, NTT物性基礎研^B; 秋山竣哉^A, 平澤太一^A, 佐藤裕也^A, 秋保貴史^B, 村木康二^B, 藤澤利正^A

^●1: Thermoelectric transport coefficients of a Dirac electron gas in high magnetic fields; Univ. of Tokyo; Viktor Konye, Masao Ogata
2: ディラック電子系の電磁応答に対するゲージ不変な定式化; 東大理; 前橋英明, 小形正男
3: キャリア濃度制御した多層ディラック電子系Eu_1-xGd_xMnBi₂におけるランダウ準位分裂の観測; 阪大院理^A, JSTさきがけ^B, 東北大金研^C; 中川賢人^A, 酒井英明^{A, B}, 鶴田圭吾^A, 塩貝純一^C, 木村尚次郎^C, 淡路智^C, 塚崎敦^C, 村川寛^A, 花咲徳亮^A
4: 強相関ディラック半金属CaIrO₃におけるパルス強磁場中の巨大磁気抵抗効果; 東大工^A, JSTさきがけ^B, 筑波大^C, 理研CEMS^D, 東大物性研^E; 山田林介^A, 藤岡淳^{B, C}, 川村稔^D, 大川達也^A, 酒井志朗^D, 平山元昭^D, 有田亮太郎^{A, D}, 橋爪大輔^D, 星野学^{B, D}, 栗原綾佑^E, 徳永将史^E, 十倉好紀^{A, D}
5: 圧力誘起ディラック半金属物質黒リンのNMR測定による研究; 兵庫県大院理; 藤井拓斗, 中井祐介, 上田光一, 赤浜裕一, 水戸毅

6: アンチペロブスカイトSr₃PbOにおける3次元ディラック電子の磁気輸送測定; 東大理^A, マックス・プランク研究所^B; 末次祥大^A, 葉山慶平^A, 北川健太郎^A, A. W. Rost^B, J. Nuss^B, C. Muehle^B, 高木英典^{A, B}
7: トポロジカル線ノード半金属PbTaSe₂のゼーベック、ネルンスト効果の研究; 阪大院理^A, JST-さきがけ^B; 横井滉平^A, 村川寛^A, 藤村飛雄吾^A, 酒井英明^{A, B}, 花咲徳亮^A
8: 強磁性ワイル半金属候補物質PrAlGeの電気伝導特性の研究; 阪大院理^A, 阪大先端強磁場^B, JSTさきがけ^C; 中岡優大^A, 村川寛^A, 横井晃平^A, 駒田盛是^A, 木田孝則^B, 中川賢人^A, 藤村飛雄吾^A, 鳴海康雄^B, 萩原政幸^B, 酒井英明^{A, C}, 花咲徳亮^A
9: ワイル点ペアを囲むサイクロトロン軌道におけるランダウ準位の研究; 阪大院理^A, 東大工^B, 理研CEMS^C, 阪大先端強磁場^D, JST-PRESTO^E; 駒田盛是^A, 村川寛^A, M. S. Bahramy^{B, C}, 木田孝則^D, 横井滉平^A, 鳴海康雄^D, 萩原政幸^D, 酒井英明^{A, E}, 花咲徳亮^A
10: 少数原子層MoS₂へのレーザー照射による二次元トポロジカル絶縁体相創製; 青学大理工, 東大物性研^A, Univ. of Texas^B, Univ. Autónoma de Madrid^C; 高橋海光, 峰彰秀, 西澤実起, 中條士, 中村武智^A, 勝本信吾^A, S.Pacdel^{B, C}, J.J. Palacios^{B, C}, 春山純志
11: 少数原子層MoS₂における室温量子スピンホール効果の可能性; 青学大理工, 東大物性研^A, Univ. of Texas^B, Univ. Autónoma de Madrid^C; 峰彰秀, 高橋海光, 西澤実起, 中條士, 中村武智^A, 勝本信吾^A, S.Pacdel^{B, C}, J.J. Palacios^{B, C}, 春山純志
12: 多層ディラック電子系物質BaMnBi₂の量子極限近傍における特異なランダウ準位構造; 阪大院理^A, JST さきがけ^B, 東大物性研^C, 阪大先端強磁場^D; 近藤雅起^A, 酒井英明^{A, B}, 藤村飛雄吾^A, 中川賢人^A, 栗原綾佑^C, 三宅厚志^C, 徳永将史^C, 木田孝則^D, 萩原政幸^D, 村川寛^A, 花咲徳亮^A

1: カーボンナノチューブ量子ドットの輸送現象におけるフランク・コンドン効果II; 明大理工, 慶大理工^A; 奥山倫, 江藤幹雄^A
2: 電子干渉計を用いた近藤雲の検出; 理研CEMS, 香港城市大学^A, KAIST^B, 東大工^C, Ruhr-Univ. Bochum^D; 山本倫久, Ivan V. Borzenets^A, Jeongmin Shim^B, Jason Chen^C, Arne Ludwig^D, Andreas D. Wieck^D, 樽茶清悟, Heung-Sun Sim^B
3: 単一準位量子ドットを介した断熱電荷ポンピングの量子化と電子浴の状態密度の関係; 東大物性研, LPMMC^A; 長谷川雅大, Étienne Jussiau^A, Robert Whitney^A
4: 量子ドット間のトンネルによる単一スピンへのスピン軌道相互作用の影響; 阪大産研, ルール大ボーフム^A; 松本雄太, 藤田高史, H Ebler^A, A Ludwig^A, A Wieck^A, 大岩顯
5: 量子ドット干渉計における非線形熱電輸送の量子制御性; 筑波大数物; 谷口伸彦
6: 電子スピン共鳴を用いたシリコン酸化膜中欠陥準位の測定; 産総研; 中村秀司, 岡崎雄馬, 高田真太郎, 金子晋久

7: 取　　消
8: トレンチ型サイドゲート付き超伝導/InAs二次元電子ガス/超伝導接合の輸送特性; 東大物性研; 鬼嵜誠, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾
9: マグノンスピン流量子雑音; 原子力機構先端研^A, 中国科学院大学Kavli-ITS^B; 仲田光樹^A, 大沼悠一^B, 松尾衛^B
10: レーザー加熱によるMoTe₂上の局所構造相転移領域の作製と評価; 東北大理, 東北大CSRN¹, 東北大CSIS²; 佐藤竜晟, 新美陽平, 橋本克之¹, 平山祥郎^{1, 2}
11: ファンデルワールスヘテロ構造における異常光電流効果; 東大院工^A, 南京大^B, ケース・ウェスタン・リザーブ大学^C, 理研^D; 赤松孝俊^A, 井手上敏也^A, Zhou Ling^B, 北村想太^A, 恩河大^A, 中川裕治^A, Joseph Laurienzo^C, 森本高裕^A, Hongtao Yuan^B, 岩佐義宏^{A, D}
12: 対称性の破れたヘテロ構造における異常光電流の理論; 東大院工^A, 南京大^B, ケース・ウェスタン・リザーブ大学^C, 理研^D; 北村想太^A, 赤松孝俊^A, 井手上敏也^A, Zhou Ling^B, 恩河大^A, 中川裕治^A, Joseph Laurienzo^C, Hongtao Yuan^B, 岩佐義宏^{A, D}, 森本高裕^A

1: 強磁性体/強誘電体ヘテロ界面によって発現する磁気特性; 兵県大^A, 理研^B, 岐大^C, JASRI^D; 山口明啓^{A, B}, 中村遼^{A, B}, 三枝峻也^{A, B}, 中尾愛子^A, 内海裕一^A, 山田啓介^C, 大浦正樹^B, 大河内拓雄^{D, B}
2: 強磁性体/強誘電体ヘテロ界面に誘起される磁気状態の電流応答特性; 兵県大^A, 理研^B, 岐大^C, JASRI^D, KAIST^E; 中村遼^{A, B}, 三枝峻也^{A, B}, 中尾愛子^A, 内海裕一^A, 山田啓介^C, 大浦正樹^B, 大河内拓雄^{D, B}, Lee Taekhyeon^E, Kim Kab-Jin^E, 山口明啓^{A, B}
3: Ptナノ粒子のNMRによる研究：磁場依存性; 京大院物理, 京大院化学^A; 奥野友則, 真砂全宏, 北川俊作, 石田憲二, 草田康平^A, 小林浩和^A, 北川宏^A
4: X線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー効果測定でみるCo/Pt薄膜の光誘起磁化ダイナミクス; 東大物性研^A, 東大理^B, JASRI^C, 理研^D, 東北大金研^E; 山本航平^{A, B}, Souliman El Moussaoui^A, 平田靖透^{A, B}, 山本達^{A, B}, 久保田雄也^{C, D}, 大和田成起^{C, D}, 矢橋牧名^{D, C}, 松田巌^{A, B}, 関剛斎^E, 高梨弘毅^E, 和達大樹^{A, B}
5: CoFeB/MgOおよびCoFeB/Ta界面におけるスピン・軌道磁化の磁化反転挙動; 群馬大理工, JASRI^A; 櫻井浩, 拝詞建人, 柴山茜, 鈴木宏輔, 星和志, 辻成希^A, 櫻井吉晴^A
6: PEG包含Co-Zn ferriteナノ微粒子の交流磁場中における熱散逸効果および第三高調波測定; 横国大院理工^A, 横国大院環情^B, 阪大院理^C; 大嶋晃人^A, 神田康平^B, 一柳優子^{A, C}

7: 逆ペロブスカイト窒化物Mn₃(Ni_1-xCu_x)N薄膜における異常ホール効果の観測; 名古屋大, Augsburg大^A, Colorado州立大^B; 羽尻哲也, Kan Zhao^A, Hua Chen^B, 三木竜太, Philipp Gegenwart^A, 浅野秀文
8: ゼーマン型スピン軌道相互作用による磁気異方性; 原子力機構先端基礎; 家田淳一, 山本慧
^●9: Intrinsic ferromagnetic 2D honeycomb-kagome monolayer of Cr₂O₃; Univ. of Tsukuba, Kobe Univ.^A; Arqum Hashmi, Kenta Nakanishi, Tomoya Ono^A
10: 2次元磁性体Cr₂Ge₂Te₆/酸化物2層膜の磁気特性; 東北大AIMR^A, パデュ大学物理天文^B; 井土宏^A, A. E. Llacsahuanga Allcca^B, X. C. Pan^A, 谷垣勝巳^A, Y. P. Chen^{A, B}
11: ナノ構造スラブ系の磁気異方性計算とラシュバ効果; 金沢大理工, 金沢大自然^A; 小田竜樹, インドラパルデデ^A, 吉川大輝^A, 金川朋賢^A, 北岡優也^A, 小幡正雄
12: 水素修飾による窒化銅表面上のCo単一原子のスピン状態変化; 東大物性研, KIT^A; 宮町俊生, Thomas Gozlinski^A, Wulf Wulfhekel^A, 小森文夫
13: 第一原理計算によるネオジム磁石の主相・粒界相界面の磁気結合解析; 東工大物質理工; 寺澤麻子, 合田義弘

1: （一般シンポジウム講演）趣旨説明; 産総研; 岡崎雄馬
2: （一般シンポジウム講演）ナノ構造半導体での面内核磁場形成; 北大院工; 足立智
3: （一般シンポジウム講演）単一電子スピンで視る核スピン浴の揺らぎと相互作用; 理研CEMS; 中島峻
4: （一般シンポジウム講演）半導体スピン注入を用いた核スピンの操作とその電気的検出; 北大情報科学研究院; 植村哲也

5: （一般シンポジウム講演）走査プローブ顕微鏡による核スピン共鳴イメージング; 東北大理; 橋本克之
6: （一般シンポジウム講演）固体核磁気共鳴を用いた量子スピン液体の実験; 名大院理; 清水康弘
7: （一般シンポジウム講演）トリプレット動的核偏極への材料化学的アプローチ; 九大院工; 楊井伸浩
8: （一般シンポジウム講演）核スピンを用いたスピン流生成; 東大総合文化; 塩見雄毅

1: （一般シンポジウム講演）はじめに; 物材機構; 内橋隆
2: （一般シンポジウム講演）角度分解光電子分光とその場伝導測定で探る表面原子層の超伝導; 早稲田大; 高山あかり
3: （一般シンポジウム講演）表面超構造で制御する原子層の電子物性; 東大物性研; 松田巌
4: （一般シンポジウム講演）表面X線回折による二次元物質の構造解明; 産総研; 白澤徹郎

5: （一般シンポジウム講演）MBEで切り拓く2次元物質の創発物性; 東大; 中野匡規
6: （一般シンポジウム講演）2次元物質の新しい光機能; 名大; 竹延大志
7: （一般シンポジウム講演）ツイスト積層２次元物質の電子・フォノン物性; 阪大; 越野幹人

1: ツイストした2層グラフェンのエネルギー; 兵庫県立大物質理; 山田彩, 長谷川泰正
2: 歪を持つグラフェンhBN積層構造の電子状態; 北大工; 石川達也, 明楽浩史, 江上喜幸
3: グラフェンの面内ヘテロ接合における透過率; 北大院工; 石川俊也, 明楽浩史
4: トポロジカルな状態をもつ水素修飾グラフェンの第一原理計算II; 熊大院先端科学; 横井裕之
5: グラフェンナノロードにおける電子輸送特性についての第一原理計算; 北大院工; 工藤聖浩, 江上喜幸
6: p波超伝導体モデルにおけるGreen関数の理論; 名大工; 田仲由喜夫, 田村駿, Sprash Mishra

7: 取　　消
8: AB積層グラフェンの固有抵抗ピーク; 広大先端, 物材機構^A; 八木隆多, 中須賀智彰, 平原大暉, 田島慎吾, 堀井幸多, 戎岡亮哉, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A
9: 垂直電場によって生じるAB積層グラフェンのミニ・ディラックコーン; 広大先端, 物材機構^A; 八木隆多, 堀井幸多, 中須賀智彰, 田島慎吾, 戎岡亮哉, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A
10: 取　　消
11: 薄膜CrCl₃のフォトルミネセンス特性; 東大院工^A, 理研CEMS^B; 久保田樹^A, 恩河大^A, 井手上敏也^A, 岩佐義宏^{A, B}
12: 50 T超までの薄膜グラファイト電子相図; 東大物性研; 田縁俊光, 長田俊人, 三宅厚志, 徳永将史

1: Sr_xBi₂Se₃への一軸ひずみ印可によるネマティック超伝導の制御; 京大院理^A, ケルン大学^B; Ivan Kostylev^A, ^○米澤進吾^A, Zhiwei Wang^B, 安藤陽一^B, 前野悦輝^A
2: Cu_xBi₂Se₃超伝導体の作製と物性測定II; 岡山大院自然; 神鳥吉史, 河合哲大, 厚朴優樹, 俣野和明, 神戸高志, 鄭国慶
3: トポロジカル超伝導体Fe(Se,Te)におけるゼロエネルギー渦糸芯束縛状態への渦糸間相互作用による影響; 理研 CEMS, 青学大理工^A, 東大院工^B, 東工大フロンティア研^C, 中国科学院大 KITS^D; 町田理, 孫悦^A, 卞舜生^B, 竹田駿^C, Ching-Kai Chiu^D, 幸坂祐生, 花栗哲郎, 笹川崇男^C, 為ヶ井強^B
4: 層状逆ペロブスカイト型酸化物の合成と低温物性; 京大院理; 池田敦俊, 鯉渕駿, 川口真世, 米澤進吾, 前野悦輝

^●5: Polar topological surface states of type II Weyl semimetal WTe₂ studied by laser-ARPES; 東大理^A, 東大物性研^B, cQMS Rutgers Univ.^C; Yuxuan Wan^{A, B}, Lihai Wang^C, Keisuke Koshiishi^A, Masahiro Suzuki^A, Jaewook Kim^C, Kenta Kuroda^B, Ryo Noguchi^B, Koichiro Yaji^B, Ayumi Harasawa^B, Shik Shin^B, Takeshi Kondo^B, Sang-Wook Cheong^C, Atsushi Fujimori^A
6: 量子振動から見た2M-WS₂の電子状態; NIMS, NHMFL^A, SICCAS^B, 北京大^C, 中科院大^D, NLSSM, 南京大^E, CICAM^F, 精華大^G, CICQM^H, 上海科技大^I, SIMIT^J; 廣瀬陽代, 寺嶋太一, 菊川直樹, David Graf^A, Yuqiang Fang^{B, C, D}, Jie Pan^B, Dongqin Zhang^{E, F}, Dong Wang^B, Yonghao Yuan^{G, H}, Wei Li^{G, H}, Zhen Tian^I, Jiamin Xue^I, Yonghui Ma^J, Wei Zhao^B, Qikun Xue^G, Gang Mu^J, Haijun Zhang^{E, F}, Fuqiang Huang^{B, C}, 宇治進也
^●7: Observation of possible topological surface states in a superconductor TaSe3 by laser-ARPES; Univ. of Tokyo, Tokyo Univ. of Sci.^A, Hokkaido Univ.^B, Gakushuin Univ.^C; Chun Lin, Ryo Noguchi, Kenta Kuroda, Peng Zhang, Shunsuke Sakuragi, Jiadi Xu, Koichiro Yaji, Ayumi Harasawa, Shik Shin, Atsushi Nomura^A, Masahito Sakoda^B, Masakatsu Tsubota^C, Satoshi Tanda^B, and Takeshi Kondo
8: イオン液体を用いてゲート制御した磁性3Dトポロジカル絶縁体の輸送特性; 名大工^A, 東工大フロンティア研^B, 産総研^C, 北大工^D; 矢野力三^A, 津村公平^A, 廣瀬陽代^B, 山本將裕^A, 小柳正男^C, 柏谷裕美^C, 浅野泰寛^D, 笹川崇男^B, 柏谷聡^{A, C}

1: スピン偏極STM発光分光法を用いた原子精度でのスピン注入と磁気二色性の観測; 理研; 山本駿玄, 今田裕, 金有洙
2: 単一分子接合系における光電変換に関する理論解析; ノースウエスタン大学^A, 理研SISL^B, 東大新領域^C, カリフォルニア大学サンディエゴ校^D; 三輪邦之^{A, B}, 今田裕^B, 木村謙介^{B, C}, 今井みやび^{B, C}, 金有洙^B, Michael Galperin^D
3: 4,4’-ビピリジン単分子接合における電気計測と分光計測を利用した金属-分子界面構造の制御と観察; 東工大理^A, 物材研MANA^B, JSTさきがけ^C; 小林柊司^A, 金子哲^{A, C}, 塚越一仁^B, 木口学^A
4: 4-アミノチオフェノール単分子接合における表面増強ラマン散乱強度のバイアス電圧依存性; 東工大理^A, 物材機構 MANA^B, JSTさきがけ^C; 金子哲^{A, C}, 安良岡浩司^A, 塚越一仁^B, 木口学^A
5: 金属探針による吸着CO分子の振動状態の変化; 金沢大理工, DIPC^A, Regensburg Univ.^B, Linnaeus Univ.^C; 岡林則夫, Thomas Frederiksen^A, Ferdinand Huber^B, Sonia Matencio^B, Magnus Paulsson^C, Franz J Giessibl^B
6: Ag(111)上の固体酸素の走査型プローブ顕微鏡観察; 東大新領域; 杉本宜昭, 木村光男

^●7: Scanning tunneling Microscopy study of Electronic and Spin states of Single molecule magnet.; Dept. Chem., Tohoku Univ., IMRAM, Tohoku Univ.^A; Islam Saiful, S.M.F. Shahed^A, Tadahiro Komeda^A, Keiichi Katoh,　Masahiro Yamashita
8: Cu(001)基板上の窒化コバルト鉄膜の作製と構造評価; 東大物性研; 服部卓磨, 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 小森文夫
9: コア-シェル型Co-Niナノ構造における電子定在波の形成; 東北大AIMR, 東北大多元研^A; 岡博文, 米田忠弘^A
10: β-FeSi₂/Si(001)表面のトンネル分光測定; 物材機構, 横浜国大^A; 鷺坂恵介, 艸分倫子, 青柳良英^A, 大野真也^A
11: Fe/水素終端Si(111)界面形成初期段階の微視的構造と局所電子状態; 東北大院理; 江口豊明, 川口諒, 須藤彰三

1: 2層グラフェンにおける弱磁場磁気抵抗効果; 東工大理学院, 豊田理研, 成均館大学; 安藤恒也
2: 一般の角度非整合二層系における平坦バンド; NIMS-MANA, ハーバード大^A; 苅宿俊風, Ashvin Vishwanath^A
3: 複数層h-BN原子膜における電子構造と不純物状態; 東工大理; 芳賀太史, 松浦雄斗, 藤本義隆, 斎藤晋
4: 二次元の各種ブラベー格子の周期で構造修飾されたグラフェンの電子構造; 東工大理; 伊藤智哉, 斎藤晋
5: 非平衡グリーン関数法による低次元ニクトゲン(As, Sb, Bi)の熱電パワーファクター計算; 東理大理; 鈴木康光, 吉里政志, 渡辺一之

6: 高移動度2層グラフェンに対する電界閉じ込めによる量子構造の形成; 千葉大院工^A, 成均館大^B, 物材機構^C, バッファロー大^D; 坂梨昂平^A, 村瀬健太郎^A, 和田直人^A, G.-H. Kim^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, J.P. Bird^D, ^○青木伸之^A
7: アンチドット構造の磁気整合効果によるグラフェンのフェルミ面形状の層数に依存した進展の観測; 広島大院先端物質, 物材機構^A; 田島慎悟, 岡卓志, 戎岡亮哉, 八木隆多, 谷口尚^A, 渡邊賢司^A
8: Electronic properties of bilayer graphene under an enormous electric field; Res. Inst. for Interdisciplinary Sci., Okayama Univ., Res. Center for Organic Electronics, Yamagata Univ.^A; Lei Zhi, Hidenori Goto, Akihisa Takai, Ritsuko Eguchi, Takao Nishikawa^A, Shizuo Tokito^A, Yoshihiro Kubozono
9: h-BN/ダイヤモンドヘテロ界面に形成される二次元ホール系の量子振動; 物材機構^A, 筑波大数理^B; 笹間陽介^{A, B}, 小松克伊^A, 森山悟士^A, 井村将隆^A, 杉浦栞理^A, 寺嶋太一^A, 宇治進也^{A, B}, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, 内橋隆^A, 山口尚秀^{A, B}
10: 分子吸着によるグラフェンの散乱効果II; 岡山大基礎研; 高井彰久, 後藤秀徳, Zhi Lei, 江口律子, 久保園芳博

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