一般社団法人日本物理学会2017年秋季大会　JPS 2017 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域7

21日 C20会場　21aC20　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
遷移金属カルコゲナイド

TiSe₂超薄膜における電子構造のキャリア量依存性

東北大WPI-AIMR^A, 東北大CSRN^B, 東北大院理^C

菅原克明^{A, B}, 中田優樹^C, 梅本侑輝^C, 佐藤宇史^{B, C}, 高橋隆^{A, B, C}

空間反転対称性の破れた原子層NbSe₂の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, 東大院理^D, 東工大院理工^E

中田優樹^A, 菅原克明^{B, C}, 一ノ倉聖^D, 岡田佳憲^B, 一杉太郎^E, 是常隆^A, 長谷川修司^D, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

原子層1T-VSe₂の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C

梅本侑輝^A, 中田優樹^A, 菅原克明^{B, C}, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

遷移金属カルコゲナイド・ファンデルワールスエピタキシー

東大院工, 理研CEMS^A

中野匡規, 王越, 柏原悠太, 岩佐義宏^A

^●5

Transport properties of single-crystalline 1T-TiSe₂ epitaxial thin films

Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo, RIKEN CEMS^A

Y. Wang, M. Nakano, Y. Kashiwabara, M. Yoshida^A, and Y. Iwasa^A

IV-VI族遷移金属カルコゲナイド薄膜ヘテロ界面における電気伝導

東大院工, 理研CEMS^A

柏原悠太, 中野匡規, 王越, 岩佐義宏^A

休憩　（10:30〜10:45)

遷移金属ダイカルコゲナイドにおける非線形光学応答理論 II

産総研^A, CREST^B, 東理大^C

玉谷知裕^{A, B}, 小鍋哲^C, 川畑史郎^{A, B}

WS₂ナノチューブにおける光電気応答

東大院工^A, 阪大産研^B, Max-Planck-Inst.^C, ローレンス・バークレー国立研^D, Holon Inst. of Tech.^E, ワイツマン科学研^F, 理研CEMS^G

恩河大^A, 張奕勁^{B, C}, Qin Feng^A, Shi Wu^D, Alla Zak^E, Reshef Tenne^F, Jurgen Smet^C, 岩佐義宏^{A, G}

^●9

Diameter dependence of superconductivity by ionic liquid gating in WS₂ nanotube

The Univ. of Tokyo^A, Lawrence Berkeley Nat’l. Lab.^B, Holon Inst. of Tech.^C, Weizmann Inst. of Sci.^D, RIKEN CEMS^E

F. Qin^A, T. Ideue^A, W. Shi^B, M. Yoshida^A, A. Zak^C, R. Tenne^D, T. Kikitsu^E, D. Inoue^E, D. Hashizume^E, Y. Iwasa^{A, E}

電解質を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイド発光素子

名大工, 京大エネ研^A, 首都大理工^B, KAUST^C

蒲江, Zhang Wenjin^A, 松岡拓史, 小林佑^B, 高口祐平^B, 宮田耕充^B, Lain-Jong Li^C, 松田一成^A, 宮内雄平^A, 竹延大志

遷移金属二硫化物によるグラフェンへのスピン軌道相互作用の誘起II

パリ南大, インペリアルカレッジ・ロンドン^A, C2N^B

若村太郎, Sophie Gueron, Cecilia Mattevi^A, Abdelkarim Ouerghi^B, Helene Bouchiat

少数層MoS₂ナノメッシュの細孔エッジ磁性

青学大理工^A, 東大物性研^B

峰彰秀^A, 工藤浩章^A, 橋本義昭^B, 近藤彦^A, 横山直^A, 大畠智恵^A, 初田雅博^A, 勝本信吾^B, 春山純志^{A, B}

IrTe₂二次元結晶の超伝導転移

東大院工^A, 理研CEMS^B, 岡大基礎研^C

吉田将郎^{A, B}, 工藤一貴^C, 野原実^C, 岩佐義宏^{A, B}

21日 E21会場　21aE21　9:30〜12:15

領域7
有機ディラック系

¹³C NMR によるα-(BEDT-TTF)₂I₃の低温磁性

東大工, 東理大理工^A

宮川和也, 稲垣雄介, 加藤直也, 田村雅史^A, 鹿野田一司

有機導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序の融解近傍における質量有限のディラック電子

東大物性研

吉村健太, 佐藤光幸, 田縁俊光, 長田俊人

有機ディラック電子系における面内磁場効果の強磁場NMR研究

東北大金研, 東理大理工^A, CNRSグルノーブル^B, 東大工^C

平田倫啓, 田村雅史^A, Claude Berthier^B, 宮川和也^C, 鹿野田一司^C

電荷秩序絶縁体相に隣接する質量ゼロのディラック電子系

東邦大理^A, 理研^B, 分子研^C

五島大樹^A, 秋田百合香^A, 小川健太郎^A, ^◯田嶋尚也^{A, B}, 川椙義高^B, 須田理行^C, 山本浩史^{B, C}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A

休憩　（10:30〜10:45)

多層ディラック電子系の表面状態

東大物性研

長田俊人

α-(BEDT-TTF)₂I₃のDirac電子系における動的スピン揺らぎと1粒子スペクトル

名大理

松野元樹, 小林晃人

有機Dirac電子系における電荷秩序転移とmerging転移

名大理, 豊田高専^A

小林晃人, 松野元樹, 大森有希子^A

静水圧下におけるα-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序とゼロギャップ状態：電子相関の効果

中大理工, 東大理^A

田中康寛, 小形正男^A

三次元ディラック電子系(ET)Ag₄(CN)₅のバンド構造と磁性

名大理, 京大理^A, CROSS^B, 名城大^C, 豊田理研^D

清水康弘, 土射津昌久, 大塚晃弘^A, 前里光彦^A, 矢持秀起^A, 中尾朗子^B, 平松孝章^C, 吉田幸大^{A, C}, 齋藤軍治^{C, D}

単一成分分子性導体[Pd(dddt)₂]のディラック半金属における異方的電気伝導度

名大理, 理研^A

鈴村順三, 加藤礼三^A

21日 J17会場　21aJ17　9:00〜12:15

領域9（5番目のみ領域7と合同、7番目のみ領域5と合同）
ナノ結晶・クラスタ，ナノチューブ・ナノワイヤ，表面局所分光

シリコンクラスター超格子表面プラズモンのSTEM-EELS研究 I

産総研

岩田康嗣, 内田雄幸, 織田望

シリコンクラスター超格子中の不純物の電子状態計算II

産総研

織田望, 岩田康嗣, 内田雄幸

金ナノ粒子触媒の構造・電子状態のサイズ依存性に関する大規模DFT計算

物材機構

中田彩子, 宮崎剛

第一原理計算による磁性半導体の熱電物性におけるフォノン、マグノン相互作用

筑波大数物, 物材機構MANA^B, 物材機構RCSM^C, NEC^D

高木博和, 小林一昭^B, 下野昌人^C, 小林伸彦, 広瀬賢二^D, 辻井直人^B, 森孝雄^B

カーボンナノポットの表面電位変調

熊大院先端科学

横井裕之, 畠山一翔, 鯉沼陸央

カーボンナノチューブにおけるFeN₄活性サイトに関する第一原理電子構造計算

岩手大理工, 東北大サイバー^A

青山修也, 鹿岩潤, 山下毅^A, 長谷川正之, 西館数芽

休憩　（10:30〜10:45)

（招待講演）光と走査トンネル顕微鏡を組み合わせて見る単一分子エネルギー変換/移動ダイナミクス

理研

今田裕

絶縁体超薄膜上に吸着したPTCDA単一分子からの選択的な燐光発生

東大新領域^A, 理研SISL^B, 分子研^C

木村謙介, 今田裕, 三輪邦之, 今井みやび, 河原祥太, 竹谷純一, 川合眞紀, 金有洙

単一分子の電界誘起発光における電子相関効果

理研, 東大新領域^A, UC San Diego^B

三輪邦之, 今田裕, 木村謙介^A, Michael Galperin^B, 金有洙

フェムト秒レーザーダブルパルス照射による金属表面ナノ構造の形成

京大院理^A, 京大化研^B

古川雄規^{A, B}, 寺本研介^{A, B}, 森一晃^{A, B}, 中宮義英^B, 井上峻介^{A, B}, 橋田昌樹^{A, B}, 阪部周二^{A, B}

カルコゲン合金のポンプ－プローブSTM発光分光

産総研, 東北大通研^A, トゥール大GREMAN^B

桑原正史, 片野諭^A, 坂井穣^B, ^◯上原洋一^A

21日 C20会場　21pC20　13:30〜17:00

領域7（全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同）
グラフェン関連
（理論）

Au原子挿入によるRu(0001)表面上のエピタキシャル・グラフェンの電子構造制御

岩手大理工, 一関高専^A

西館数芽, 谷林慧^A, ^◯長谷川正之

3/4-ディラックコーンとランダウ準位

熊本大教育, 兵庫県立大物質理^A

岸木敬太, 綾部真知, ^○長谷川泰正^A

磁場中の3次元多孔質グラフェンの電子状態の理論的研究

東北大理, 阪大理^A

桐生敏樹, 越野幹人^A

層状物質における電子状態の積層パターン依存性についての一般論

東大院理, RIST^A

明石遼介, 飯田耀, 山本航平, 吉澤香奈子^A

ドープされたグラフェンへの環境汚染ガス吸着

東工大理

藤本義隆, 斎藤晋

Cドープされたh-BN膜とグラフェンからなる複合原子膜の電子物性

東工大理

芳賀太史, 藤本義隆, 斎藤晋

休憩　（15:00〜15:15)

三層系h-BN膜の安定積層構造と電子状態

東工大理

松浦雄斗, 藤本義隆, 斎藤晋

取　　消

ドープしたKane-Mele模型における異方的超伝導の理論

名大工

深谷優梨, 矢田圭司, 服部綾実, 田仲由喜夫

二層グラフェン接合におけるアンドレーエフ反射

広大院先端, 筑波大数理物質^A

高根美武, 鑓水勝秀^A, 神田晶申^A

^●11

Band engineering and valley polarization of graphene-based systems under light irradiation

関学理工

Liu Feng, 中島雄大, 若林克法

グラフェンナノ構造におけるゼーベック効果についての理論計算

関学理工

中島雄大, Liu Feng, 若林克法

取　　消

21日 E21会場　21pE21　13:45〜16:15

領域7
Mott転移

κ-(BO)₂CF₃SO₃の低温電気伝導

名大院工, 名城大農^A, 京大院理^B, 豊田理研^C

伊東裕, 巴山洋美^A, 吉田幸大^{A, B}, 齋藤軍治^{A, C}

S=1/2一次元反強磁性鎖を有する(BEDT-TTF)Cu[N(CN)₂]₂の静磁化率

山梨大工, 山梨大クリスタル^A, 東北大金研^B

米山直樹, 赤池佳亮, 手塚健太, 武井貴弘^A, 熊田伸弘^A, 佐々木孝彦^B

永久双極子モーメントをもつTMTSF有機化合物の金属絶縁体転移の理論

学習院大理

溝口知成, 宇田川将文

λ-(BETS)₂FeCl₄の低磁場領域でのNMR研究

学習院大理, 理研^A

開康一, 高橋利宏, 加藤礼三^A

擬一次元有機伝導体(TTT)₂I₃のESR測定

分子研^A, 総研大^B, 阪市大院理^C

中村敏和^{A, B}, 浅田瑞枝^A, 長谷川祥史^C, 黒田菜月^C, 小嵜正敏^C, 吉野治一^C

休憩　（15:00〜15:15)

擬2次元有機モット転移物質β-(BDA-TTP)₂I₃の圧力下電気抵抗率測定

東大院工, 兵庫県立大理^A

竹原陵介, 中田耕平, 宮川和也, 角屋智史^A, 山田順一^A, 鹿野田一司

強相関有機導体(BPDT-TTF)₂Xにおける電子状態の次元性

東北大金研, 山梨大工^A, 埼玉大理^B, 東大物性研^C

小林亮太, 橋本顕一郎, 米山直樹^A, 谷口弘三^B, 吉見一慶^C, 本山裕一^C, 佐々木孝彦

X線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの電気抵抗の量子臨界スケーリング解析

東大工, 東理大理^A, 埼玉大院理工^B, 東北大金研^C

浦井瑞紀, 古川哲也^A, 宮川和也, 伊藤美穂^B, 谷口弘三^B, 斉藤みく^C, 佐々木孝彦^C, 鹿野田一司

^●9

Electronic Structure and Optical Response in Dimer-type Organic System studied by variation cluster approach.

Dept. of Phys. Tohoku. Univ., WIAS^A

H. Li, M. Naka^A, J. Otsuki, S. Ishihara

21日 E31会場　21pE31　13:30〜16:00

領域7（1〜2番目のみ領域8と合同）
分子性磁性・導電性高分子・籠状物質

リチウムイオン電池システムによる中性錯体集積体における磁性相の可逆的制御

東北大金研, KEK物構研^A

谷口耕治, 鳴島佳佑, 佐賀山基^A, 志籐奈波, 高坂亘, 宮坂等

三角形型πラジカルがつくる有機ハイパーカゴメ格子の量子スピン液体状態

名大院理, 奈良女子大理^A, IRCCS（名大）^B

水野麻人, 珠玖良昭, 松下未知雄, 土射津昌久^A, 原佑樹, 松下琢, 和田信雄, 清水康弘, 阿波賀邦夫^B

固体酸素における強磁場下の分子・電子状態

東北大理, 早大高等研^A

佐藤直道, 中惇^A, 石原純夫

格子の非断熱的量子揺らぎが引き起こす金属化－ポリアセチレンの電気伝導に関する理論－

山形大理, 名古屋工大^A

富田憲一, 志田佳祐, 高橋聡^A

休憩　（14:30〜14:45)

導電性高分子PEDOT/PSSにおける電気伝導の階層性

東北大金研

伊藤桂介, 本間優太, 井口敏, 佐々木孝彦

導電性高分子PEDOT/PSS膜の新規的な成膜プロセスと得られた膜の熱電特性評価

東学大物理^A, 物材機構^B, NEDO^C

前田諒太^{A, B}, 川上博司^C, 篠原嘉一^B, 高際良樹^B, 金沢育三^A

ゼオライトA中のRbクラスターにおける巨大なスピン軌道相互作用

阪大理

中野岳仁, 鈴木将太, Truong Cong Duan, 野末泰夫

LSXゼオライトのイオン運動に対する低濃度Na原子の吸蔵効果

群馬高専, 阪大理^A, ヨジェフ・ステファン研^B, リュブリアナ大^C

五十嵐睦夫, 中野岳仁^A, 野末泰夫^A, ピーター・イェグリッチ^B, タディ・メジュナルシッチ^B, デニス・アルチョーン^{B, C}

高圧下比熱測定によるI型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀のラットリングのカゴ体積依存性

広島大自然セ, 院先端物質^A, 九州大院総理工^B

梅尾和則, 末國晃一郎^B, 高畠敏郎^A

22日 J17会場　22aJ17　9:00〜12:00

領域9（10番目のみ領域7と合同）
グラフェン・ナノシート

ナフタレンを担持したグラフェンの鏡像状態の理論的研究

阪大院工

濱本雄治, Sasfan Arman Wella, 澤田寛之, 川口奈々, Fahdzi Muttaqien, 稲垣耕司, 濱田幾太郎, 森川良忠

グラフェンにおけるFeN₄活性サイトに関する第一原理電子構造計算

岩手大理工, 東北大サイバー^A

鹿岩潤, 青山修也, 山下毅^A, 長谷川正之, 西館数芽

多層原子膜間に作用するCasimir力

兵県大工

乾徳夫

CaSi₂F_x化合物内の2層シリセンの構造多形

産総研, RMIT大学^A, 豊田中研^B

森下徹也, Michelle Spencer^A, 八百川律子^B, 中野秀之^B

グラフェンの酸化過程における電子状態研究

立命館大理工, 量子機構^A

高岡航大, 圓谷志郎^A, 境誠司^A, 光原圭, 滝沢優

金属表面上における酸化グラフェンの熱安定性

弘前大理工, 東大新領域^A

渡邊慶太郎, 小幡誠司^A, 斉木幸一朗^A, 藤川安仁

休憩　（10:30〜10:45)

（招待講演）SiCステップ構造とグラフェン成長機構の関わり

名古屋大学未来材料・システム研究所

楠美智子

グラフェン/SiC界面における(1×1)-Sn構造

九大院工, 東大物性研^A, 産総研^B, 東工大総合理工^C, 高エネ研^D

林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛拓嗣^A, 白澤徹郎^B, 中辻寛^C, 宮町俊夫^A, 中島脩平^A, 間瀬一彦^D, 小森文夫^A, 田中悟

h-BN/Rh(111)へのSn,Geインターカレーションによる平坦化

東工大理, チュリッヒ大^A, 分子研UVSOR^B

杉山裕弥, 奥山裕磨, Bernard Carlo^A, 出田真一郎^B, 田中清尚^B, Greber Thomas^A, ^◯平原徹

6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子－フォノン相互作用

東大物性研, 東工大理学院^A, 東工大総理工^B, 高エネ研^C, 九大院工^D

飯盛拓嗣, 家永紘一郎^A, 宮町俊生, 中島脩平, 高橋文雄, 矢治光一郎, 中辻寛^B, 間瀬一彦^C, 福間洸平^D, 林真吾^D, 梶原隆司^D, Anton Visikovsliy^D, 田中悟^D, 小森文夫

22日 PS1会場　22aPS　10:00〜12:00

領域7
領域7ポスターセッション

三角格子スピン液体κ-(ET)₂Ag₂(CN)₃の一軸性ひずみ効果

京大院理^A, 名城大農^B, 豊田理研^C

留野慎也^A, 前里光彦^A, 吉田幸大^{A, B}, 平松孝章^B, 斎藤軍治^{B, C}, 北川宏^A

二次元有機超伝導体β”-(ET)₂SF₅CH₂CF₂SO₃のVortex相図

筑波大院数理物質^A, 物材機構^B, アルゴンヌ国立研^C, 広島工業大^D

杉浦栞理^{A, B}, 菊川直樹^B, 寺嶋太一^B, J. A. Schlueter^C, 安塚周磨^D, 宇治進也^{A, B}

直流/交流磁化率測定によるκ-(d₈-BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの温度掃引下反強磁性－超伝導転移の研究

埼大院理工, 芝工大工^A

岡野修樹, 栗城裕悟, 谷口弘三, 佐藤一彦, 石井康之^A

X線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの¹³C-NMR

東理大理, 東大工^A, 東北大金研^B

山本陸, 吉田証, 古川哲也, 伊藤哲明, 宮川和也^A, 佐々木孝彦^B, 鹿野田一司^A

圧力下におけるα-ET₂I₃の熱的性質

東邦大理, 愛媛大理工^A, 理研^B

高須康弘, 山田遼, 田嶋尚也, 梶田晃示, 西尾豊, 内藤俊雄^A, 加藤礼三^B

BEDT-TTF系電荷秩序絶縁体へのエックス線照射効果

東北大金研, SPring-8/JASRI^A

佐々木孝彦, 小林亮太, 大藏聖, 唐金裕也, 橋本顕一郎, 伊藤桂介, 井口敏, 森脇太郎^A, 池本夕佳^A

フラストレート電荷秩序系におけるクエンチダイナミクス

東北大理, 早大高等研^A

北川皓也, 小野淳, 中惇^A, 石原純夫

有機ディラック電子系の圧力下磁化率

物材機構

鴻池貴子, 寺嶋太一, 菊川直樹, 杉浦栞理, 廣瀬陽代, 宇治進也

角度回転磁化測定によるκ-(BEDT-TTF)₂Xの傾角反強磁性の研究

埼大院理工, 芝工大工^A

石川瑠偉, 土屋拓海, 谷口弘三, 佐藤一彦, 石井康之^A

テラヘルツパルス励起によるκ型BEDT-TTF塩のモット絶縁体－金属転移の研究

東大新領域^A, 産総研^B, 分子研^C, 理研^D, 東大工^E

山川大路^A, 宮本辰也^A, 寺重翼^B, 森本剛史^A, 貴田徳明^A, 山本浩史^C, 須田理行^C, 加藤礼三^D, 宮川和也^E, 鹿野田一司^E, 岡本博^{A, B}

テラヘルツ電場パルスによる擬一次元有機強誘電体(TMTTF)₂PF₆の超高速電子状態制御II

東大新領域^A, 産総研^B, 分子研^C

浅田和規^A, 山川大路^A, 平田純也^A, 森本剛史^A, 寺重翼^B, 宮本辰也^A, 貴田徳明^A, 中村敏和^C, 岡本博^{A, B}

^●12

Anomalous anti-ferromagnetic resonance of λ-(BETS)₂FeCl₄ in anti-ferromagnetic insulating phase.

Hokkaido Univ.^A, RIKEN^B

Taehoon Lee^{A, B}, Yugo Oshima^{A, B}, Hengbo Cui^B, Reizo Kato^B

磁性有機導体λ-(BETS)₂Fe_xGa_1-xCl₄における反強磁性と超伝導

京大人環

瑞慶覧長空, 森成隆夫

λ-(BETS)₂FeCl₄の金属－絶縁体転移と歪み

東邦大理, 理研^A

矢作聡汰, 峯沢文弥, 田嶋尚也, 西尾豊, 加藤礼三^A

EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂ におけるValence Bond Orderと超伝導の熱的研究

東邦大理, 理研^A

三津谷幸丸, 田嶋尚也, 西尾豊, 加藤礼三^A

三角格子系EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の圧力下超伝導状態における面内・面間のコヒーレンス長の決定

東理大理, 兵庫県立大理^A, 理研^B

柳田裕毅, 鈴木完明, 生井沢智之, 古川哲也, 伊藤哲明, 久保和也^A, 加藤礼三^B

三角格子系EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂におけるトリプレット超伝導の可能性II

東理大理, 兵庫県立理^A, 理研^B

生井沢智之, 柳田裕毅, 鈴木完明, 古川哲也, 伊藤哲明, 久保和也^A, 加藤礼三^B

π-d相互作用と磁気秩序を伴う金属－絶縁体転移II

東邦大理

峯沢文弥, 矢作聡汰, 田嶋尚也, 西尾豊

スピン液体物質EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂のスピン計測解析

北大院理^A, 理研^B

Kim Sunghyun^{A, B}, 大島勇吾^{A, B}, 加藤礼三^B

一次元 1/4 充填系におけるスピンソリトンのダイナミクス

阪市大工

山下明, 廣川健一, 寺井章

導電性高分子のフィリング制御と熱電変換特性

早大先進, 名大院工^A, Dongguk Univ.^B, 北大電子研^C

金橋魁利, 竹腰直哉^A, Yong-Young Noh^B, 太田裕道^C, 田中久暁^A, 竹延大志^A

イオン液体ゲートトランジスタによる導電性高分子PBTTTの熱電特性制御

名大院工^A, 早大先進^B

竹腰直哉^A, 金橋魁利^B, 田中久暁^A, 伊東裕^A, 竹延大志^A

イオン液体ゲート下での共役高分子の金属絶縁体転移

名大院工

馬田裕章, 伊東裕, 田中久暁, 竹延大志

アルカリドープ・フラーレン超伝導体の線材化

物材機構, 東理大^A

竹屋浩幸, 宮澤薫一^A, 松本凌, 原裕, 山下愛智, 高野義彦

CNT/BNNTヘテロ接合におけるバンド構造とI-V特性の数値解析

成蹊大理工

吉田智, 坂本昇一, 富谷光良

グラフェンナノリボンにおける電荷ダイナミクス

阪市大工, ブラジリア大^A

酒井勇志, G.M.e Silva^A, 寺井章

化学構造に依存した酸化グラフェンのスピン磁性

法政大院理工, 法政大生命^A, 兵庫大院工^B

田嶋健太郎, 井坂琢也, 山科智貴, 太田豊^A, 松尾吉晃^B, 高井和之^A

PMMA膜中に分散させた多環芳香族炭化水素コロネンの光学応答

名大院工^A, 名城大農^B, 京大院理^C, 豊田理研^D

大橋亮介^A, 中村優斗^A, 岸田英夫^A, 吉田幸大^{B, C}, 齋藤軍治^{B, D}

回転積層した多層グラフェンの膜厚制御とラマン分光

弘大理工

任皓駿, 加藤宏武, 板垣那美

拡張近藤格子模型によるπd電子系の理論

広大院先端

河野佑紀, 嶋原浩

虚数フォノンモードに基づく硫化水素系の安定構造探査

東大理^A, 東大物性研^B

吉川誠司^A, 明石遼介^A, 常行真司^{A, B}

TTF-CAの中性相基底状態に現れるイオン性相ドメインの量子効果：非断熱共鳴HF理論による量子揺らぎの視覚化

山形大院, 山形大^A, 名工大^B

渡邉侑子, 安東秀峰^A, 高橋聡^B, 富田憲一^A

放射光Xによる分子性結晶の精密電子密度解析

名大院工, JASRI^A, 分子研^B

鬼頭俊介, 杉本邦久^A, 中村敏和^B, 澤博

ピリジン系発光体C₃₂H₃₃N₃O₃Sの結晶構造と発光特性

室蘭工大院工

武田圭生, 赤羽誠, 林純一

電場下赤外分光による水素結合型誘電体[H-55DMBP][Hia]のプロトンダイナミクスの研究

東大新領域^A, 産総研^B

平田純也^A, 森本剛史^A, 山川大路^A, 寺重翼^B, 宮本辰也^A, 貴田徳明^A, 堀内佐智雄^B, 岡本博^{A, B}

電界効果近接場による遷移金属カルコゲナイド薄膜の局所光物性制御と構造制御

首都大理工, 埼玉大院理工^A

野崎純司, 西留比呂幸, 上野啓司^A, 真庭豊, 蓬田陽平, 柳和宏

22日 A20会場　22pA20　13:30〜17:20

領域10，領域7合同シンポジウム
主題：有機強誘電体の開発と諸物性

（シンポジウム講演）趣旨説明

名市大院

青柳忍

（シンポジウム講演）高分極化に向けたドナー・アクセプター型有機強誘電体開発

産総研

堀内佐智雄

（シンポジウム講演）液晶性に基づく自己組織化による塗布可能なソフトマター強誘電体

理研CEMS

荒岡史人

（シンポジウム講演）有機強誘電体における新規光機能性の探索

東大新領域

宮本辰也

休憩　（15:05〜15:20)

（シンポジウム講演）水素結合性π電子系システムを用いた多重機能性の創製

東北大多元研

芥川智行

（シンポジウム講演）柔粘性/強誘電性分子結晶の開発

北大院理

原田潤

（シンポジウム講演）強誘電ポリマーの機能物性と応用展開

東京理科大

中嶋宇史

（シンポジウム講演）ヘテロエピタキシャル結晶氷薄膜における水分子の強誘電的配向秩序：熱的性質と同位体効果

京大院理

杉本敏樹

22日 B21会場　22pB21　13:30〜16:45

領域5（1〜7番目のみ領域7と合同）
光誘起相転移

拡張ハバード模型に対するフロケ理論の高周波数展開と1サイクル・パルス励起後の電子相関

中大理工

米満賢治

6 fs単一サイクル赤外光によるα-(ET)₂I₃の電荷秩序融解

東北大院理^A, 岡理大理^B, 名大院工^C, 東北大金研^D, 中央大理工^E

川上洋平^A, 天野辰哉^A, 米山雄登^A, 伊藤弘毅^A, 山本薫^B, 中村優斗^C, 岸田英夫^C, 佐々木孝彦^D, 石原純夫^A, 米満賢治^E, 岩井伸一郎^A

6 fs単一サイクル赤外光によって生成されるκ型ET塩のドレスト電子状態

東北大院理^A, 山梨大工^B, 東北大金研^C, 中央大理工^D

米山雄登^A, 天野辰哉^A, 川上洋平^A, 伊藤弘毅^A, 米山直樹^B, 伊藤桂介^C, 佐々木孝彦^C, 米満賢治^D, 石原純夫^A, 岩井伸一郎^A

有機電子型強誘電体(TMTTF)₂X(X=AsF₆, PF₆, SbF₆)のテラヘルツ波発生分光

東北大院理^A, 岡山理大理^B, Stuttgart大^C

伊藤弘毅^A, 藤原里菜^A, 村上泰樹^A, 川上洋平^A, 山本薫^B, Martin Dressel^C, 岩井伸一郎^A

有機電子型誘電体の顕微テラヘルツ波発生分光

東北大院理^A, 岡山理大理^B, 山梨大工^C, 東北大金研^D, 名大工^E, Stuttgart大^F

藤原里菜^A, 村上泰樹^A, 伊藤弘毅^A, 川上洋平^A, 山本薫^B, 米山直樹^C, 小林亮太^D, 橋本顕一郎^D, 井口敏^D, 佐々木孝彦^D, 中村優斗^E, 岸田英夫^E, Martin Dressel^F, 岩井伸一郎^A

テラヘルツパルス励起による有機モット絶縁体κ型BEDT-TTF塩の常誘電－強誘電転移の研究

東大新領域^A, 産総研^B, 東大工^C, 分子研^D

山川大路^A, 戸部光^A, 宮本辰也^A, 寺重翼^B, 森本剛史^A, 貴田徳明^A, 宮川和也^C, 鹿野田一司^C, 須田理行^D, 山本浩史^D, 岡本博^{A, B}

休憩　（15:00〜15:15)

振動磁場中の二次元ディラック電子の理論

マックスプランク研

北村想太, Chi-Hui Chou, Tanay Nag, Leda Bucciantini, Kush Saha, Alexandra Landsman, 岡隆史

有機強誘電体[H-66dmbp][Hca]のフェムト秒非線形光学分光と電場効果

東工大理学院^A, 産総研^B

馬ノ段月果^A, 沖本洋一^A, 阿久津佑汰^A, 石川忠彦^A, 腰原伸也^A, 堀内佐智雄^B

有機強誘電体[H-dppz][Hca]のプロトンダイナミクスとテラヘルツ電場効果

東工大理学院^A, 東大物性研^B, 京大iCeMS^C, 京大理^D, 産総研^E

馬ノ段月果^A, 沖本洋一^A, 石川忠彦^A, 腰原伸也^A, 金島圭佑^B, 竹内健悟^B, 石井順久^B, 廣理英基^C, 田中耕一郎^D, 板谷治郎^B, 堀内佐智雄^E

α-(BEDT-TTF)₂I₃のフェムト秒パルス励起による強誘電性電荷秩序融解とテラヘルツ電磁波発生II

東大新領域^A, 東大物性研^B, 産総研^C

木下雄斗^A, 山川大路^A, 宮本辰也^A, 貴田徳明^A, 森初果^B, 岡本博^{A, C}

反強磁性モット絶縁体V₂O₃の赤外6 fs分光 II

東北大院理^A, 名大院工^B, ナント大/CNRS^C, レンヌ第一大/CNRS^D

天野辰哉^A, 米山雄登^A, 川上洋平^A, 伊藤弘毅^A, 中村優斗^B, 岸田英夫^B, 石原純夫^A, Laurent Cario^C, Etienne Janod^C, Benoit Corraze^C, Maciej Lorenc^D, 岩井伸一郎^A

テラヘルツ放射分光による強誘電性半導体シフト電流の解析

理研CEMS^A, 東大工^B

五月女真人^A, 荻野槙子^B, 金子良夫^A, 十倉好紀^{A, B}, 小川直毅^A

22日 C20会場　22pC20　14:00〜16:30

領域7（1番目と9番目のみ領域8と合同）
超伝導

有機導体λ-(BETS)₂GaCl₄のスピン揺らぎ媒介による超伝導ギャップの異方性

神奈川大工, 東北大理^A, JST-PRESTO^B, 阪大理^C, 理研^D, 理研CEMS^E

相澤啓仁, 是常隆^{A, B}, 黒木和彦^C, 妹尾仁嗣^{D, E}

¹³C‒NMR法によるλ-(BETS)₂GaCl₄の超伝導ギャップ対称性の研究

北大院理

小林拓矢, 井原慶彦, 河本充司

有機超伝導体β-(BEDT-TTF)₂I₃における超伝導ゆらぎと層間磁気抵抗効果

東邦大理^A, 理研^B

坂本勇樹^A, ^◯田嶋尚也^{A, B}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A

有機伝導体の超伝導ギャップ関数

東工大院物質理工

森健彦

休憩　（15:00〜15:15)

ESR分光法によるβ''-(BEDT-TTF)₄[(H₃O)Ga(C₂O₄)₃]C₆H₅NO₂の電荷秩序の観測

北大院理

井原慶彦, 福岡脩平, 河本充司

有機超伝導体β”-(ET)₄[(H₃O)Ga(C₂O₄)₃]Z(Z = CH₂Cl₂, PhNO₂)のD-NMR

阪大基, 阪大理^A

八島光晴, 吉田幸司, 椋田秀和, 北岡良雄, 今城周作^A, 圷広樹^A, 中澤康浩^A

二次元有機超伝導体β”-(ET)₂SF₅CH₂CF₂SO₃の強磁場超伝導状態

筑波大院数理物質^A, 物材機構^B, アルゴンヌ国立研^C, 広島工業大^D

杉浦栞理^{A, B}, 菊川直樹^B, 寺嶋太一^B, J. A. Schlueter^C, 安塚周磨^D, 宇治進也^{A, B}

電気二重層ドーピングとひずみ制御によるκ型ET塩の超伝導相の探索

理研^A, SISSA^B, 名大院工^C, 理研AICS^D, 理研CEMS^E, 分子研^F

川椙義高^A, 関和弘^B, 蒲江^C, 竹延大志^C, 柚木清司^{A, D, E}, 山本浩史^F, 加藤礼三^A

キャリアドープした分子性導体系κ-(ET)₂Xにおける電子・ホール非対称性の理論的研究

早大高等研, 理研CEMS^A, 理研^B, 理研AICS^C

渡部洋, 妹尾仁嗣^{A, B}, 柚木清司^{A, B, C}

22日 E21会場　22pE21　13:30〜17:15

領域7（5番目と10番目のみ領域4と合同）
ナノチューブ・フラーレン

アークプラズマガンによるC60フラーレンナノウィスカー上への白金ナノ粒子の作製

東理大

宮澤薫一, 吉武優, 田中優実

ルテチウム内包フラーレンの電子構造と電荷移動

岡山大理界面, 名大院理^A, 愛媛大院理工^B

宮崎隆文, 脇田高徳, 横谷尚睦, 篠原久典^A, 日野照純^B

C₆₀^3-モット絶縁相における圧力下電子状態

東北大院理^A, 兵庫県立大院物質理^B, 東北大AIMR^C

平郡諭^{A, B}, 松田祐貴^A, 及川新平^A, 谷垣勝己^{A, C}

波束拡散法によるカーボンナノチューブと有機半導体の電子伝導計算

筑波大数物, NEC^A

石井宏幸, 小林伸彦, 広瀬賢二^A

CドープされたBNナノチューブの電子構造と不純物状態

東工大理

斎藤晋, 藤本義隆, 芳賀太史

^●6

Physical properties of binary-elements intercalated-graphite, Ca_xSr_1-xC_y

RIIS/Okayama Univ., RLSS/Okayama Univ.^A, RIKEN^B, NSRRC^C

Xiaofan Yang, Takahiro Terao, Xiao Miao, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Takafumi Miyazaki^A, Hitoshi Yamaoka^B, Hirofumi Ishii^C, Yen-Fa Liao^C, Yoshihiro Kubozono

Sc₂B_1.1C_3.2におけるグラファイト状BC₂層の構造と電子状態

物材機構

速水渉, 田中高穂

休憩　（15:15〜15:30)

多環芳香族炭化水素benzo[ghi]perylene錯体のラマン分光

名大院工^A, 京大院理^B, 京大物性科学セ^C, 名城大農^D, 豊田理研^E

丹後駿介^A, 中村優斗^A, 岸田英夫^A, 中野義明^{B, C}, 矢持秀起^{B, C}, 吉田幸大^{B, D}, 齋藤軍治^{D, E}

高密度キャリア注入時に形成されるナノチューブ軸に垂直方向の光吸収

首都大, ライス大^A

柳和宏, Fumiya Katstsutani^A, Weilu Gao^A, Junichiro Kono^A

GW + Bethe-Salpeter法による水分子吸着カーボンナノチューブの光物性の研究

東理大理

鈴木康光, 岩崎大介, 渡辺一之

つぶれたカーボンナノチューブの光吸収

東工大理学院物理

安藤恒也

ドープしたカーボンナノチューブの縦と横誘電関数

NTT物性研

佐々木健一

不純物ドープ・カーボンナノチューブの熱電応答

東理大工, 東理大理^A

山本貴博, 福山秀敏^A

カーボンナノチューブの電子－フォノン散乱による電流ゆらぎの評価

東理大工, 東理大総合研究院^A, 神戸大工^B, 東理大工^C

石関圭輔, 笹岡健二^A, 小鍋哲^A, 相馬聡文^B, 山本貴博^C

23日 B32会場　23aB32　9:15〜12:00

領域4（全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同）
グラフェン関連
（輸送現象および分光）

グラフェンのトポロジカル欠陥における電子の有効理論

東北大理, 阪大理^A

林智宏, 越野幹人^A

ハニカム格子模型によるディラック電子系の電磁応答

東大理

寒川崇生, 正木祐輔

^●3

Applications of negative refraction in bilayer graphene

Univ. of Tokyo^A, Univ. of Leicester^B, AIST^C

P. A. Maksym^{A, B} and H. Aoki^{C, A}

^●4

Thermal carriers in disordered graphene with hexagonal-Boron Nitride and multi-layer graphene

Grad. Sch. of Engin., Chiba Univ.^A, Grad. Inst. of Appl. Phys., Nat. Taiwan Univ.^B, Sch. of Electronic & Electrical Engin.^C, Dept. of Electrophys., Nat. Chiayi Univ.^D

Chuang Chiashain^A, Mineharu M.^A, Matsunaga M.^A, Liu C.-W.^B, Wu B.-Y.^B, Kim G.-H.^C, Lin L.-H.^D, Ochiai Y.^A, Liang C.-T.^B, Aoki N.^A

2層グラフェンにおける電場による閉じ込め効果の発現

千葉大院工, 物材機構^A, 成均館大^B, アリゾナ州立大^C, バッファロー大^D

松本直樹, 峰晴正彰, 荒川友貴, 松永正広, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, G-H.キム^B, D.K.フェリー^C, J.P.バード^D, ^◯青木伸之

休憩　（10:30〜10:45)

グラフェンへの分子吸着における高ゲート電圧印加の効果

法政大生命科学

梅原太一, 石黒康志, ^◯高井和之

劈開グラフェン試料へのジグザグ・ナノピット形成とその伝導度測定

東大院理^A, 東大低温セ^B

喜田和馬^A, 松井朋裕^A, AAndre E. B. Amend^A, 福山寛^{A, B}

白金・ビスマステルル微粒子修飾グラフェンのスピン軌道相互作用

青学大理工^A, 東大物性研^B

工藤浩章^A, 峰彰秀^A, 難波拓^A, 田村涼^A, 初田雅博^A, 大畠智恵^A, 春山純志^{A, B}

アルカリ金属吸着グラフェンの電子格子相互作用：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C

佐藤基樹^A, 菅原克明^{B, C}, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

スピン偏極陽電子ビームによるグラフェン・窒化ボロン/コバルト系のスピン偏極状態の観測

量研機構

河裾厚男, 前川雅樹, 和田健, 宮下敦巳, 圓谷志郎, 境誠司

23日 C20会場　23aC20　10:00〜12:15

領域7（1番目企画講演のみ領域8と合同）
論文賞記念講演

（企画講演）α-ET₂I₃の電荷秩序から始まった分子性結晶の電子状態の直接観測

名大院工

澤博

休憩　（10:30〜10:45)

電荷秩序・N-I転移

2種類のδ型(BEDT-TTF)₂TaF₆における電荷秩序転移

東工大物質理工, 東工大院理工^A, 物構研^B

川本正, 倉田浩平^A, 森健彦, 熊井玲児^B

電荷フラストレート系β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆の圧力下における不均一電子状態

東大工, 理研^A, 東大物性研^B

須波圭史, 橋本凌, 宮川和也, 鹿野田一司, 磯野貴之^A, 上田顕^B, 森初果^B

電荷ガラス物質θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の極低温熱伝導率測定

東北大金研, 東大物性研^A

橋本顕一郎, 小林亮太, 近藤潤^A, 下澤雅明^A, 山下穣^A, 佐々木孝彦

有機電荷移動塩における電荷秩序

東大物性研, トリノ工科大^A, ゲーテ大学フランクフルト^B, SISSA^C

金子隆威, Luca F. Tocchio^A, Roser Valenti^B, Federico Becca^C

有機強誘電体TTF-BAにおける圧力下電気抵抗率測定

東大院工, 東大新領域^A, 産総研^B

竹原陵介, 足立洋駿, 須波圭史, 宮川和也, 宮本辰也^A, 岡本博^A, 堀内佐智雄^B, 鹿野田一司

電子型強誘電体TTF-CAにおけるシフト電流光起電力効果

理研CEMS^A, JSTさきがけ^B, 産総研^C, 東大工^D

中村優男^{A, B}, 堀内佐智雄^C, 賀川史敬^A, 小川直毅^A, 車地崇^A, 十倉好紀^{A, D}, 川崎雅司^{A, D}

23日 C20会場　23pC20　13:30〜16:50

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開　New development in transition metal dichalcogenides

（シンポジウム講演）はじめに　Introduction

東理大総合研究院 Tokyo Univ. of Sci.

小鍋哲 Satoru Konabe

（シンポジウム講演）機能性2次元カルコゲナイドの成長と評価　Growth and characterization of functional 2D chalcogenides

首都大理工 Tokyo Metropolitan Univ.

宮田耕充 Yasumitsu Miyata

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドのポリモルフィズムと構造物性　Polymorphic structures and properties of 2D materials

産総研ナノ材料 AIST

末永和知 Kazutomo Suenaga

^●4

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果　Symmetry protected type II Dirac fermions in transition metal dichalcogenides

東大量子相（理論） QPEC, Univ. of Tokyo

Mohammad Saeed Bahramy

休憩　（15:05〜15:20)

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果　Excitonic Hall Effect in 2D chalcogenide

東大量子相（実験） QPEC, Univ. of Tokyo

岩佐義宏 Yoshihiro Iwasa

（シンポジウム講演）2次元遷移金属カルコゲナイド・人工ヘテロ構造の光物性　 Photophysics in 2D transition metal dichalcogenide and its artificial hetero-structure

京大エネ研 Kyoto Univ.

松田一成 Kazunari Matsuda

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドの電流励起発光　Electroluminescence in 2D chalcogenide

名大工 Nagoya Univ.

竹延大志 Taishi Takenobu

23日 E21会場　23pE21　13:30〜17:30

領域7（15番目のみ領域8と合同）
分子・界面デバイス

外来極性分子による電極／有機半導体界面における電荷注入障壁スイッチング

大阪府立大工

野内亮

蓄積電荷測定法による有機／金属界面の電荷注入障壁測定

兵県大理, 兵県大工^A

田島裕之, 角屋智史, 大塚理人, 吉田恵亮, 荻野晃成, 佐藤井一, 横松得滋^A, 前中一介^A, 山田順一

ナノ秒時間発展ゲート変調イメージングによる多結晶性有機薄膜トランジスタの局所伝導経路マッピング

産総研^A, 筑波大数理物質^B, 東大工^C

松岡悟志^{A, B}, 堤潤也^A, 鎌田俊英^{A, B}, 長谷川達生^{A, C}

層状結晶性有機半導体Ph-BTBT-C10の低温輸送特性

東大^A, 産総研^B, 日本化薬^C

浜井貴将^A, 荒井俊人^A, 峯廻洋美^B, 井上悟^{B, C}, 長谷川達生^{A, B}

SuPR-NaP銀電極上への塗布型有機半導体層形成とキャリア注入

東大院工^A, 産総研FLEC^B, 日本化薬^C

北原暁^{A, B}, 青島圭佑^A, 井上悟^C, 荒井俊人^A, 長谷川達生^{A, B}

FFMI法を用いた有機強誘電体単結晶薄膜における温度依存分極反転特性

東大院工^A, 産総研FLEC^B

上村洋平^A, 荒井俊人^A, 堤潤也^B, 松岡悟志^B, 堀内佐智雄^B, 山田浩之^B, 長谷川達生^{A, B}

有機半導体NODMS-BPの電界に依存した電気伝導度異方性

東大物性研, 奈良先端大物質創成^A

吉本真也, 高橋功太郎^A, 鈴木充朗^A, 山田容子^A, 向井孝三, 吉信淳

休憩　（15:15〜15:30)

高分子半導体のける分子ドーピングの新展開

東大新領域, JST さきがけ^A

渡邉峻一郎^A, 藤本亮, 山下侑, 大野雅央, 鶴見淳人, 竹谷純一

有機半導体単結晶で両立した長スピン寿命とバンド伝導性

東大新領域, OPERANDO-OIL^A, JSTさきがけ^B

鶴見淳人, 窪孝祥, 岡本敏宏^A, 渡邉峻一郎^{A, B}, 竹谷純一^A

光ポンプ・テラヘルツ波プローブ分光による有機半導体C₁₀-DNBDT-NWのキャリア伝導機構の研究

産総研^A, 東大工^B, 東大院新領域^C, JST PRESTO^D

寺重翼^A, 田原寛之^B, 宮本辰也^C, 貴田徳明^C, 岡本博^{A, C}, 鶴見淳人^C, 渡邉峻一郎^{C, D}, 岡本敏宏^{C, D}, 竹谷純一^C

BP3T単結晶のPLおよびEL発光におけるスペクトル狭帯域化の選択性

東北大理^A, 東北大AIMR^B

下谷秀和^A, Thangavel Kanagasekaran^B, 葛西啓一郎^A, 小貫駿^A, 谷垣勝己^{A, B}

BP3Tにおける光励起、電流励起による発光スペクトルの先鋭化の比較

東北大理^A, 東北大AIMR^B

小貫駿^A, 下谷秀和^A, Thangavel Kanagasekaran^B, 葛西啓一郎^A, 谷垣勝己^{A, B}

[n]フェナセン(n=5,7,9)の表面電子密度解析

阪大基礎工, 岡山大理^A

中村将也, 佐々木香織, 顕谷祐輝, 若林裕助, 下侑馬^A, 久保園芳博^A

塗布型有機半導体結晶C8-DNBDT-NWが示す高移動度に対する構造研究

阪大基礎工, 東大新領域^A

藤井宏昌, 山村祥史^A, 竹谷純一^A, 若林裕助

取　　消

24日 C20会場　24aC20　9:15〜11:30

領域7
スピン液体・誘電現象

π電子－プロトン相関型有機伝導体κ-X₃(Cat-EDT-TTF)₂ [X = H, D] に対する電場および圧力効果

東大物性研^A, KEK物構研PF/CMRC^B

岸本幸樹^A, 上田顕^A, 砂入允哉^A, 吉田順哉^A, 熊井玲児^B, 小林賢介^B, 村上洋一^B, 森初果^A

π電子－プロトン相関型Cat-TTF系における量子スピン液体状態と量子常誘電状態の関係

東大物性研^A, 東北大金研^B

近藤潤^A, 下澤雅明^A, 杉井かおり^A, 山下穣^A, 上田顕^A, 森初果^A, 木俣基^{A, B}, 橋本顕一郎^B, 井口敏^B, 佐々木孝彦^B

DMTTF-QBr_nCl_4-nの量子常誘電相における格子の量子揺らぎ

名工大工^A, CREST^B

大村周^{A, B}, 高橋聡^{A, B}

マルチフェロを示すダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Clにおける格子ダイナミクス

CROSS^A, 東北大金研^B, Goethe-Universitat^C, MPI-CPfS^D

松浦直人^A, 小林亮太^B, 黒子めぐみ^B, 佐々木孝彦^B, Elena Gati^C, Benedikt Hartmann^C, Jens Mueller^C, Oliver Stockert^D, Michael Lang^C

β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂における分子運動と電子状態

北大院理

福岡脩平, 三枝大輔, 澤田賢志, 江頭由浩, 井原慶彦, 河本充司

休憩　（10:30〜10:45)

EtMe₃Sb[Pd_1-xPt_x(dmit)₂]₂混晶塩の電荷秩序状態に関する熱的研究

阪大院理, 東理大理^A, 理研^B

山下智史, 中澤康浩, 上田康平^A, 加藤礼三^B

(Cation)[Pt(dmit)₂]₂の核スピンスピン緩和率

理研

藤山茂樹, 加藤礼三

三量体構造を持つ単一成分分子性結晶[Ni(ddt)₂](ddt= 1,4-dithiin-2,3-dithiolato)の圧力印加による金属化

理研, 物材機構^A, Oxford Univ.^B

崔亨波, 圓谷貴夫^A, Yeung Hamish^B, Coates Chloe^B, 加藤礼三

24日 E21会場　24aE21　9:30〜11:45

領域7
分子性固体・高圧物性

ドープされた硫化水素における超伝導の第一原理計算II

阪大基極セ

中西章尊, 石河孝洋, 清水克哉

高圧氷の第一原理セントロイド分子動力学シミュレーション

量研量子ビーム

池田隆司

氷VII相におけるプロトン量子トンネリング

理研, 合肥工業大

飯高敏晃

硫黄－酸素－水素系の高圧相に関する第一原理的研究

阪大基極セ, 金沢大理工^A

石河孝洋, 首藤祐希, 田端澄矢, 中西章尊, 清水克哉, 小田竜樹^A

休憩　（10:30〜10:45)

芳香族モット絶縁体の輸送特性

東北大院理^A, 兵庫県立大院理^B, 東北大AIMR^C

及川新平^A, 平郡諭^{A, B}, 松田祐貴^A, Phan Thi Nhu Quynh^C, 谷垣勝己^{A, C}

H₂分子を内包する新奇リチウム水素化物の高温高圧合成と高圧物性II

岐阜大工, JASRI^A, 阪大基極セ^B, 東工大^C

松岡岳洋, 久野敬司, 平尾直久^A, 大石泰生^A, 坂田雅文^B, 太田健二^{B, C}, 中本有紀^B, 久米徹二, 佐々木重雄, 清水克哉^B

磁気並進運動を用いた分子性混合固体のモル比計測

阪大理

植田千秋, 人見将, 久好圭治, 寺田健太郎

レドックス反応でドープされた有機半導体Cd-MOFに関する電子状態計算

阪大基礎工

草部浩一

一般社団法人 日本物理学会 2017年秋季大会 The 2017 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域7

21日 C20会場 21aC20 9:00〜12:30

領域7，領域4合同遷移金属カルコゲナイド

休憩 （10:30〜10:45)

21日 E21会場 21aE21 9:30〜12:15

領域7有機ディラック系

休憩 （10:30〜10:45)

21日 J17会場 21aJ17 9:00〜12:15

領域9（5番目のみ領域7と合同、7番目のみ領域5と合同）ナノ結晶・クラスタ，ナノチューブ・ナノワイヤ，表面局所分光

休憩 （10:30〜10:45)

21日 C20会場 21pC20 13:30〜17:00

領域7（全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同）グラフェン関連（理論）

休憩 （15:00〜15:15)

21日 E21会場 21pE21 13:45〜16:15

領域7Mott転移

休憩 （15:00〜15:15)

21日 E31会場 21pE31 13:30〜16:00

領域7（1〜2番目のみ領域8と合同）分子性磁性・導電性高分子・籠状物質

休憩 （14:30〜14:45)

22日 J17会場 22aJ17 9:00〜12:00

領域9（10番目のみ領域7と合同）グラフェン・ナノシート

休憩 （10:30〜10:45)

22日 PS1会場 22aPS 10:00〜12:00

領域7領域7ポスターセッション

22日 A20会場 22pA20 13:30〜17:20

領域10，領域7合同シンポジウム主題：有機強誘電体の開発と諸物性

休憩 （15:05〜15:20)

22日 B21会場 22pB21 13:30〜16:45

領域5（1〜7番目のみ領域7と合同）光誘起相転移

休憩 （15:00〜15:15)

22日 C20会場 22pC20 14:00〜16:30

領域7（1番目と9番目のみ領域8と合同）超伝導

休憩 （15:00〜15:15)

22日 E21会場 22pE21 13:30〜17:15

領域7（5番目と10番目のみ領域4と合同）ナノチューブ・フラーレン

休憩 （15:15〜15:30)

23日 B32会場 23aB32 9:15〜12:00

領域4（全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同）グラフェン関連（輸送現象および分光）

休憩 （10:30〜10:45)

23日 C20会場 23aC20 10:00〜12:15

領域7（1番目企画講演のみ領域8と合同）論文賞記念講演

休憩 （10:30〜10:45)

23日 C20会場 23pC20 13:30〜16:50

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム主題：遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開 New development in transition metal dichalcogenides

休憩 （15:05〜15:20)

23日 E21会場 23pE21 13:30〜17:30

領域7（15番目のみ領域8と合同）分子・界面デバイス

休憩 （15:15〜15:30)

24日 C20会場 24aC20 9:15〜11:30

領域7スピン液体・誘電現象

休憩 （10:30〜10:45)

24日 E21会場 24aE21 9:30〜11:45

領域7分子性固体・高圧物性

休憩 （10:30〜10:45)

一般社団法人日本物理学会　2017年秋季大会
The 2017 Autumn Meeting

21日 C20会場　21aC20　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
遷移金属カルコゲナイド

休憩　（10:30〜10:45)

21日 E21会場　21aE21　9:30〜12:15

領域7
有機ディラック系

休憩　（10:30〜10:45)

21日 J17会場　21aJ17　9:00〜12:15

領域9（5番目のみ領域7と合同、7番目のみ領域5と合同）
ナノ結晶・クラスタ，ナノチューブ・ナノワイヤ，表面局所分光

休憩　（10:30〜10:45)

21日 C20会場　21pC20　13:30〜17:00

領域7（全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同）
グラフェン関連
（理論）

休憩　（15:00〜15:15)

21日 E21会場　21pE21　13:45〜16:15

領域7
Mott転移

休憩　（15:00〜15:15)

21日 E31会場　21pE31　13:30〜16:00

領域7（1〜2番目のみ領域8と合同）
分子性磁性・導電性高分子・籠状物質

休憩　（14:30〜14:45)

22日 J17会場　22aJ17　9:00〜12:00

領域9（10番目のみ領域7と合同）
グラフェン・ナノシート

休憩　（10:30〜10:45)

22日 PS1会場　22aPS　10:00〜12:00

領域7
領域7ポスターセッション

22日 A20会場　22pA20　13:30〜17:20

領域10，領域7合同シンポジウム
主題：有機強誘電体の開発と諸物性

休憩　（15:05〜15:20)

22日 B21会場　22pB21　13:30〜16:45

領域5（1〜7番目のみ領域7と合同）
光誘起相転移

休憩　（15:00〜15:15)

22日 C20会場　22pC20　14:00〜16:30

領域7（1番目と9番目のみ領域8と合同）
超伝導

休憩　（15:00〜15:15)

22日 E21会場　22pE21　13:30〜17:15

領域7（5番目と10番目のみ領域4と合同）
ナノチューブ・フラーレン

休憩　（15:15〜15:30)

23日 B32会場　23aB32　9:15〜12:00

領域4（全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同）
グラフェン関連
（輸送現象および分光）

休憩　（10:30〜10:45)

23日 C20会場　23aC20　10:00〜12:15

領域7（1番目企画講演のみ領域8と合同）
論文賞記念講演

休憩　（10:30〜10:45)

23日 C20会場　23pC20　13:30〜16:50

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開　New development in transition metal dichalcogenides

休憩　（15:05〜15:20)

23日 E21会場　23pE21　13:30〜17:30

領域7（15番目のみ領域8と合同）
分子・界面デバイス

休憩　（15:15〜15:30)

24日 C20会場　24aC20　9:15〜11:30

領域7
スピン液体・誘電現象

休憩　（10:30〜10:45)

24日 E21会場　24aE21　9:30〜11:45

領域7
分子性固体・高圧物性

休憩　（10:30〜10:45)