一般社団法人日本物理学会2017年秋季大会　JPS 2017 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域4

21日 B31会場　21aB31　9:30〜11:45

領域4
量子ドット（理論）

三角形三重量子ドット近藤系における反対称スピン軌道相互作用とスピン電荷制御

静岡大教育, 静岡大理^A, 明大理工^B

古賀幹人, 松本正茂^A, 楠瀬博明^B

結合非対称な近藤ドットの電流ノイズ

東大物性研, 大阪市大^A, 大阪大^B, パリ南大^C

阪野塁, 小栗章^A, 秦徳郎^B, 寺谷義道^A, Meydi Ferrier^C, 荒川智紀^B, 小林研介^B

磁場中のカーボンナノチューブ量子ドットにおける近藤効果：NRGによるコンダクタンスとスペクトル関数の温度依存性

大阪市大理

寺谷義道, 小栗章

磁場中の非平衡Anderson模型におけるFermi液体補正

大阪市大理

小栗章

休憩　（10:30〜10:45)

カーボンナノチューブにおけるトポロジカル相転移II

慶大理工, 東北大理^A

奥山倫, 泉田渉^A, 江藤幹雄

情報流および熱流揺らぎの透過率依存性

三重大工

内海裕洋

単一準位量子ドットを介した断熱温度ポンピングにおけるクーロン相互作用の効果

東大物性研

長谷川雅大, 加藤岳生

Excitonic Aharonov-Bohm effect in QD-on-Ring nanostructures

物材研^A, 筑波大^B

Yuanzhao YAO^A, Martin ELBORG^A, 黒田隆^A, 迫田和彰^{A, B}

21日 B32会場　21aB32　9:00〜12:45

領域4
トポロジカル半金属
（理論）

アクシオンドメインによる電磁場応答

名大工

今枝立至, 川口由紀

ワイル半金属における特異な表面プラズモンとバルク伝搬波

東理大, 首都大^A, 産総研^B, CREST^C

小鍋哲, 土川航太^A, 山本貴博, 川畑史郎^{B, C}

ノンシンモルフィック対称性による擬似クラマース対と、フィリングに基づくノーダルライン半金属

東工大理^A, 理研CEMS^B, 東工大元素戦略研究セ^C

高橋亮^A, 平山元昭^B, 村上修一^{A, C}

単一成分分子性結晶[Pd(dddt)₂]の圧力誘起ディラック・ノーダルライン半金属状態とトポロジカル相転移－第一原理計算による研究－

物材機構, 金沢大自然^A, 金沢大数物^B, 理研^C

圓谷貴夫, 澤端日華瑠^A, 石井史之^B, 木野日織, 加藤礼三^C, 宮崎剛

スピンレス系におけるノーダルライン半金属とワイル半金属の一般的な相転移

東工大理^A, 東工大TIES^B

奥川亮^A, 村上修一^{A, B}

点群により保護された交差ラインノード半金属

名大工^A, 名大高等研^B, 名大理^C

小林伸吾^{A, B}, 山川洋一^{B, C}, 山影相^{B, C}, 井ノ原拓実^A, 岡本佳比古^{A, B}, 田仲由喜夫^A

休憩　（10:30〜10:45)

トポロジカルディラック半金属における磁気応答

東北大金研

大湊友也, 巽洲太, 野村健太郎

磁場乱れのあるトポロジカル絶縁体・ワイル半金属における量子輸送

東北大金研

小林浩二, 高垣雅紀, 大湊友也, 野村健太郎

反強磁性ワイル金属における異常ホール効果と自発軌道磁化

東北大金研

伊東直洋, 野村健太郎

Weyl強磁性体における異常熱Hall効果

理研CEMS

下出敦夫

非シンモルフィック対称性に保護された2次元ディラック半金属におけるバレー依存トンネル伝導

阪大理

羽部哲朗

乱れたディラック/ワイル半金属における量子拡散II

上智大理工^A, 東北大金研^B

和田未来^A, 小林浩二^B, 大槻東巳^A

マルチターミナル磁性ワイル半金属における量子伝導

東北大金研

高垣雅紀, 小林浩二, 野村健太郎

トポロジカルディラック電子系におけるスピン注入による量子輸送現象

東大物性研, 東北大金研^A

三澤貴宏, 野村健太郎^A

21日 C20会場　21aC20　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
遷移金属カルコゲナイド

TiSe₂超薄膜における電子構造のキャリア量依存性

東北大WPI-AIMR^A, 東北大CSRN^B, 東北大院理^C

菅原克明^{A, B}, 中田優樹^C, 梅本侑輝^C, 佐藤宇史^{B, C}, 高橋隆^{A, B, C}

空間反転対称性の破れた原子層NbSe₂の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, 東大院理^D, 東工大院理工^E

中田優樹^A, 菅原克明^{B, C}, 一ノ倉聖^D, 岡田佳憲^B, 一杉太郎^E, 是常隆^A, 長谷川修司^D, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

原子層1T-VSe₂の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C

梅本侑輝^A, 中田優樹^A, 菅原克明^{B, C}, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

遷移金属カルコゲナイド・ファンデルワールスエピタキシー

東大院工, 理研CEMS^A

中野匡規, 王越, 柏原悠太, 岩佐義宏^A

^●5

Transport properties of single-crystalline 1T-TiSe₂ epitaxial thin films

Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo, RIKEN CEMS^A

Y. Wang, M. Nakano, Y. Kashiwabara, M. Yoshida^A, and Y. Iwasa^A

IV-VI族遷移金属カルコゲナイド薄膜ヘテロ界面における電気伝導

東大院工, 理研CEMS^A

柏原悠太, 中野匡規, 王越, 岩佐義宏^A

休憩　（10:30〜10:45)

遷移金属ダイカルコゲナイドにおける非線形光学応答理論 II

産総研^A, CREST^B, 東理大^C

玉谷知裕^{A, B}, 小鍋哲^C, 川畑史郎^{A, B}

WS₂ナノチューブにおける光電気応答

東大院工^A, 阪大産研^B, Max-Planck-Inst.^C, ローレンス・バークレー国立研^D, Holon Inst. of Tech.^E, ワイツマン科学研^F, 理研CEMS^G

恩河大^A, 張奕勁^{B, C}, Qin Feng^A, Shi Wu^D, Alla Zak^E, Reshef Tenne^F, Jurgen Smet^C, 岩佐義宏^{A, G}

^●9

Diameter dependence of superconductivity by ionic liquid gating in WS₂ nanotube

The Univ. of Tokyo^A, Lawrence Berkeley Nat’l. Lab.^B, Holon Inst. of Tech.^C, Weizmann Inst. of Sci.^D, RIKEN CEMS^E

F. Qin^A, T. Ideue^A, W. Shi^B, M. Yoshida^A, A. Zak^C, R. Tenne^D, T. Kikitsu^E, D. Inoue^E, D. Hashizume^E, Y. Iwasa^{A, E}

電解質を用いた単層遷移金属ダイカルコゲナイド発光素子

名大工, 京大エネ研^A, 首都大理工^B, KAUST^C

蒲江, Zhang Wenjin^A, 松岡拓史, 小林佑^B, 高口祐平^B, 宮田耕充^B, Lain-Jong Li^C, 松田一成^A, 宮内雄平^A, 竹延大志

遷移金属二硫化物によるグラフェンへのスピン軌道相互作用の誘起II

パリ南大, インペリアルカレッジ・ロンドン^A, C2N^B

若村太郎, Sophie Gueron, Cecilia Mattevi^A, Abdelkarim Ouerghi^B, Helene Bouchiat

少数層MoS₂ナノメッシュの細孔エッジ磁性

青学大理工^A, 東大物性研^B

峰彰秀^A, 工藤浩章^A, 橋本義昭^B, 近藤彦^A, 横山直^A, 大畠智恵^A, 初田雅博^A, 勝本信吾^B, 春山純志^{A, B}

IrTe₂二次元結晶の超伝導転移

東大院工^A, 理研CEMS^B, 岡大基礎研^C

吉田将郎^{A, B}, 工藤一貴^C, 野原実^C, 岩佐義宏^{A, B}

21日 B31会場　21pB31　13:30〜16:15

領域4（前半（1〜4番目）のみ領域1と合同）
量子ドット（実験）

（チュートリアル講演）最近の半導体量子ドット･スピン量子ビット研究を理解するための基礎知識

理化学研究所（RIKEN）

大野圭司

フィードバック制御による電子スピン位相緩和の抑制 I

理研CEMS, 東大物工^A, Collège de France^B, Ruhr-Univ. Bochum^C, Univ. of Basel^D

中島峻, 川崎賢人^A, 野入亮人, 米田淳, P. Stano, 大塚朋廣, 武田健太, M.R. Delbecq^B, G. Allison, A. Ludwig^C, A.D. Wieck^C, D. Loss^D, 樽茶清悟^A

フィードバック制御による電子スピン位相緩和の抑制II

理研CEMS, 東大物工^A, Collège de France^B, Ruhr-Univ. Bochum^C, Univ. of Basel^D

野入亮人, 川崎賢人^A, 中島峻, 米田淳, P. Stano, 大塚朋廣, 武田健太, M.R. Delbecq^B, G. Allison, A. Ludwig^C, A.D. Wieck^C, D. Loss^D, 樽茶清悟^A

同位体制御Si/SiGe単一電子スピンの1/f電荷揺らぎによる位相雑音

理研CEMS, 東工大^A, 東大生研^B, 名大工^C, 慶大理工^D

米田淳, 武田健太, 大塚朋廣, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, Giles Allison, 本田拓夢^A, 小寺哲夫^A, 小田俊理^A, 星裕介^B, 宇佐美徳隆^C, 伊藤公平^D, 樽茶清悟

休憩　（15:00〜15:15)

SiGe自己形成量子ドットにおける近藤効果の観測

阪大産研^A, レーゲンスブルグ大^B, 阪大CSRN^C

敷島稜紀^A, 木山治樹^A, 川口紀俊^A, Mario Bamesreiter^B, Dominique Bougeard^B, 大岩顕^{A, C}

GaAs横型量子ドットにおける光学的スピン閉塞効果を用いた量子状態転写の実証.2

東大工, Lehrstuhl für Angewandte Festrkorperphysik Ruhr-Universität Bochum^A, 阪大産研^B, 理研CEMS^C

黒山和幸, Marcus Larsson, 部谷謙太郎, 松尾貞茂, 藤田高史, Sascha R. Valentin^A, Arne Ludwig^A, Andreas D. Wieck^A, 大岩顕^B, 樽茶清悟^{, C}

量子ドット－電極結合系における電荷・スピンダイナミクス

理研CEMS, Ruhr-Univ. Bochum^A

大塚朋廣, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, Peter Stano, 天羽真一, 米田淳, 武田健太, Giles Allison, 野入亮人, 伊藤匠, Daniel Loss, Arne Ludwig^A, Andreas D. Wieck^A, 樽茶清悟

二重量子ドットにおけるファノ効果の観測

産総研^A, 阪大理^B

則元将太^{A, B}, 中村秀司^A, 岡崎雄馬^A, 金子晋久^A, 浅野建一^B, 小林研介^B

21日 B32会場　21pB32　13:30〜17:00

領域4（13番目のみ領域3と合同）
トポロジカル半金属・絶縁体
（実験）

トポロジカルノーダル半金属ZrSiS単結晶の磁気輸送特性

東工大フロンティア研

村瀬正恭, 笹川崇男

トポロジカル線ノード半金属ZrGeXc (Xc = S, Se, Te)の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, 阪大産研^D, ケルン大^E

中村剛慶^A, 高根大地^A, 追沼暉^A, 相馬清吾^{B, C}, 中山耕輔^A, 山内邦彦^D, 小口多美夫^D, 佐藤宇史^{A, B}, 高橋隆^{A, B, C}, Zhiwei Wang^E, 安藤陽一^E

軟X線ARPESによるトポロジカル線ノード半金属CaAgAsの電子構造

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C, 名大院工^D, 名大高等研究院^E, 名大院理^F, KEK物構研^G

高根大地^A, 中山耕輔^A, 相馬清吾^{B, C}, 和田泰地^D, 岡本佳比古^{D, E}, 竹中康司^D, 山川洋一^{E, F}, 山影相^{E, F}, 三橋太一^{A, G}, 堀場弘司^G, 組頭広志^{A, G}, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B}

取　　消

Cd₃As₂薄膜のキャリア制御と量子ホール効果

東大工^A, 理研CEMS^B

西早辰一^A, 打田正輝^A, 中澤佑介^A, M. Kriener^B, 小塚裕介^A, 田口康二郎^B, 川崎雅司^{A, B}

(Cd_1-xZn_x)₃As₂薄膜のカイラル異常とトポロジカル相転移

東大工^A, 理研CEMS^B

西早辰一^A, 打田正輝^A, 中澤佑介^A, M. Kriener^B, 小塚裕介^A, 田口康二郎^B, 川崎雅司^{A, B}

休憩　（15:00〜15:15)

フラックス法によって成長された二硫化タングステンの磁気抵抗

産総研, 東大生研^A, 東工大^B

津村公平, 矢野力三, 小柳正男, 柏谷裕美, 増渕覚^A, 町田友樹^A, 並木宏允^B, 笹川崇男^B, 柏谷聡

β-MoTe₂の分光イメージングによる電子状態解析

理研CEMS^A, 東大工^B, 阪大理^C, JST-PRESTO^D

幸坂祐生^A, M. S. Bahramy^{A, B}, 池浦晃至^B, 町田理^A, 岩谷克也^A, 花栗哲郎^A, 酒井英明^{C, D}, 石渡晋太郎^{B, D}

半金属モノプニクタイドLaSbの軟X線ARPESによるトポロジカル相の探索

東北大院理^A, 東北大CSRN^B, 東北大WPI-AIMR^C, KEK物講研^D, マックスプランク研^E

追沼暉^A, 高根大地^A, 中村剛慶^A, 中山耕輔^A, 相馬清吾^{B, C}, 三橋太一^{A, D}, 堀場弘司^D, 組頭広志^{A, D}, 吉田誠^E, 落合明^A, 佐藤宇史^{A, B}, 高橋隆^{A, B, C}

Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の電気的性質

東大生産研

濱崎拡, 徳本有紀, 枝川圭一

InAs/In_xGa_1-xSb二層量子井戸における電界誘起トポロジカル相転移の観測

NTT物性基礎研

入江宏, 秋保貴史, 鈴木恭一, 小野満恒二, 村木康二

TaS₂上に成長させたBi(110)超薄膜におけるディラック型電子バンドの観測

東北大CSRN^A, 東北大WPI^B, 東北大院理^C, 埼玉大理工^D

相馬清吾^{A, B}, 山田敬子^C, C. Trang^C, 菅原克明^B, 上野啓司^D, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

磁性トポロジカル絶縁体磁壁における量子化カイラルエッジ伝導の観測と制御

東大工^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C

安田憲司^A, 茂木将孝^A, 吉見龍太郎^B, 塚崎敦^C, 高橋圭^B, 川崎雅司^{A, B}, 賀川史敬^B, 十倉好紀^{A, B}

21日 C20会場　21pC20　13:30〜17:00

領域7（全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同）
グラフェン関連
（理論）

Au原子挿入によるRu(0001)表面上のエピタキシャル・グラフェンの電子構造制御

岩手大理工, 一関高専^A

西館数芽, 谷林慧^A, ^◯長谷川正之

3/4-ディラックコーンとランダウ準位

熊本大教育, 兵庫県立大物質理^A

岸木敬太, 綾部真知, ^○長谷川泰正^A

磁場中の3次元多孔質グラフェンの電子状態の理論的研究

東北大理, 阪大理^A

桐生敏樹, 越野幹人^A

層状物質における電子状態の積層パターン依存性についての一般論

東大院理, RIST^A

明石遼介, 飯田耀, 山本航平, 吉澤香奈子^A

ドープされたグラフェンへの環境汚染ガス吸着

東工大理

藤本義隆, 斎藤晋

Cドープされたh-BN膜とグラフェンからなる複合原子膜の電子物性

東工大理

芳賀太史, 藤本義隆, 斎藤晋

休憩　（15:00〜15:15)

三層系h-BN膜の安定積層構造と電子状態

東工大理

松浦雄斗, 藤本義隆, 斎藤晋

取　　消

ドープしたKane-Mele模型における異方的超伝導の理論

名大工

深谷優梨, 矢田圭司, 服部綾実, 田仲由喜夫

二層グラフェン接合におけるアンドレーエフ反射

広大院先端, 筑波大数理物質^A

高根美武, 鑓水勝秀^A, 神田晶申^A

^●11

Band engineering and valley polarization of graphene-based systems under light irradiation

関学理工

Liu Feng, 中島雄大, 若林克法

グラフェンナノ構造におけるゼーベック効果についての理論計算

関学理工

中島雄大, Liu Feng, 若林克法

取　　消

21日 PSA2会場　21pPSA2　13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

MBE法により成長したIV-VI族希薄磁性半導体(Sn,Mn)Teの構造と磁性の評価

筑波大院数理物質, 東大理^A, KEK^B

石川諒, 伊藤寛史, 秋山了太^A, 仁谷浩明^B, 黒田眞司

^●30

Photoemission study of the n-typed diluted ferromagnetic semiconductor Ba(Zn,Co)₂As₂

Dept. of Phys., Univ. of Tokyo, Dept. of Phys., Zhejiang Univ.^A, Inst. of Materials Structure Sci., KEK^B, Dept. of Phys., Columbia Univ.^C

Yuxuan Wan, Shengli Guo^A, Keisuke Koshiishi, Shoya Sakamoto, Zhendong Chi, Masaki Kobayashi^B, Ryu Yukawa^B, Koji Horiba^B, Hiroshi Kumigashira^B, Yasutomo.J. Uemura^C, Fanlong. Ning^A, Atsushi Fujimori

ダイヤモンドNVセンターアンサンブルを用いた磁性体の広視野磁気イメージング

筑波大物理^A, 産総研^B

野元嵩平^A, 木村龍典^A, 柏谷聡^B, 野村晋太郎^A

空間反転対称性が破れた単結晶Teにおける圧力下電気磁気物性

東理大理, 岡山大基礎研^A

安井貴敏, 渡邉悠太, 古川哲也, 上野哲平^A, 小林夏野^A, 伊藤哲明

非平衡グリーン関数を用いたナノ構造における熱電効果の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

田中悠斗, 石井史之^A, 斎藤峯雄^A

IV族半導体量子二次元系における価電子帯上端近傍の電子構造－SOIによる分散変調－

早大理工

東条樹, 高橋由弦, 武田京三郎

強磁場サイクロトロン共鳴によるGaN二次元電子系の有効質量の評価

物材機構^A, 北大院理^B

今中康貴^{A, B}, D. Kindole^{A, B}, 竹端寛治^A, L. Sang^A, 角谷正友^A

ゲート電極によって形成されたアンチホールバーにおけるエッジチャネル間の散乱特性

東工大理, NTT物性基礎研^A

江口亮太, 橋坂昌幸, 村木康二^A, 藤澤利正

隣接したグラフェン・量子ホール素子間の静電結合とテラヘルツ結合

農工大院工

西村明, 滝沢和宏, 中川大輔, 生嶋健司

量子ホールエッジにおける量子エネルギーテレポーテーションの試み

東北大理, NIMS^A

松浦雅広, 野田武司^A, 間野高明^A, 堀田昌寛, 遊佐剛

ワイドギャップ半導体ZnOの発光の形状依存性

大教大, 大工大^A

保科宗玄, 中田博保, 原田義之

Si基板上InNの近赤外光学特性

大教大, 大工大^A

吉田玄徳, 中田博保, 淀徳男^A

一本鎖DNAのスピン依存伝導の計算

三重大院工

笹尾直希, 内海裕洋

InSb量子井戸の磁気輸送特性と量子ポイントコンタクトの作製

阪大産研, NICT^A

多田誠樹, 大岩顕, 木山治樹, 赤羽浩一^A

2つの超伝導リードに接続された量子ドットのスペクトル関数およびAndreev束縛状態に関する研究II

大阪市大理, 先端力学シミュレーション研^A

樋口裕太, 寺谷義道, 小栗章, 田中洋一^A

近藤領域にある量子ドットにおけるハンブリーブラウン・トゥイス実験の試み

阪大物理

Lee Sanghyun, 山下薫平, 横井雅彦, 則元将太, 秦徳郎, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介

多層ディラック磁性体EuMnBi₂の磁気輸送現象

京大人環

岩崎芳紀, 森成隆夫

グラフェンの近赤外域における吸収・反射測定

大教大

松谷浩樹, 中田博保

数原子層NbSe₂薄膜におけるスピン輸送特性

阪大理

河上司, 河村智哉, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介

Bi2212薄膜の電気伝導度測定の試み

阪大理物, ENS Lyon^A

鈴木将太, Cosset-Cheneau Maxen^A, 河上司, 荒川智紀, 宮坂茂樹, 田島節子, 新見康洋, 小林研介

表面修飾したCVDグラフェンの電気伝導II

筑波大数理

大塚洋一, 堀江彩叶, 田村啓

ワイルセミメタルNbAs単結晶の育成と物性評価II

筑波大数理物質

大須賀駿平, 荒木雄也, 柏木隆成, 松尾壮一郎, 村山一哉, 大槻祥馬, 志津友幸, 門脇和男

ワイル半金属TaPの単結晶の育成と物性評価

筑波大数理

荒木雄也, 大須賀駿平, 柏木隆成, 松尾壮一郎, 村山一哉, 大槻祥馬, 志津友幸, 門脇和男

グラフェン・量子ホール素子における電流注入型テラヘルツ発光

農工大院工, 東大生産研^A, 情報通信研究機構^B, 東大院総合^C

滝沢和宏, ^○村野裕一, 西村明, 中川大輔, 生嶋健司, 金鮮美^A, Mikahail Patrashin^B, 寳迫巌^B, 小宮山進^{B, C}

表面弾性波を用いた超伝導NbSe₂薄膜の伝導特性の変調 2

阪大院理, 東大院理^A

横井雅彦, 河村智哉, 荒川智紀, 福山寛^A, 新見康洋, 小林研介

マヨラナ準粒子によるトポロジカル量子計算へのノイズの効果

阪大院基礎工

宮崎俊輔, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡

トポロジカル絶縁体二重スピンフィルター模型におけるスピン干渉効果に対する入射角依存性

秋田大院理工

土門慎太朗, 小野田勝

局在スピン列／クラスター系に対する伝導電子スピン流の影響に関する数値解析

秋田大院理工

小野田勝

トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜のPbTe表面へのMBE成長および電気伝導特性

筑波大数理物質, 東大理^A

伊藤寛史, 大滝祐輔, 石川諒, 秋山了太^A, 黒田眞司

Tlドープトポロジカル結晶絶縁体SnTeの構造・電気伝導特性

東大理

秋山了太, 渡辺和己, 中西亮介, 宮内恵太, 長谷川修司

Anisotropic magnetotransport properties of Weyl semimetal WTe₂

TMU^A, UFABC^B

Rajveer Jha^{A, B}, Ryuji Higashinaka^A, Tatsuma D.Matsuda^A, Raquel A.Ribeiro^B, ^◯Yuji Aoki^A

微傾斜Si(111)-√3×√3-Bi上でのトポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜の成長とその構造・伝導評価

東大理物理, 東大理化学^A

中西亮介, 秋山了太, 鎮西弘毅, 福居直哉^A, 豊田良順^A, 西原寛^A, 長谷川修司

22日 B31会場　22aB31　9:00〜12:30

領域4（13番目のみ領域3と合同）
量子ホール効果

フォトニック結晶構造中のアンチドット格子系伝導

阪大産研, 東大生研^A

酒井裕司, 木山治樹, 大岩顕, 高橋駿^A, 太田泰友^A, 岩本敏^A, 荒川泰彦^A

^●2

Anomalous transition of quantum Hall skyrmions observed by photoluminescence microscopy

東北大理, 物材機構^A

Moore John, 早川純一朗, 岩田晃, 間野高明^A, 野田武司^A, 遊佐剛

並走する量子ホールエッジチャネルにおけるエネルギー分布関数の二段階緩和過程

東工大, NTT物性基礎研^A

伊藤広祐, 太田智明, 橋坂昌幸, 村木康二^A, 藤澤利正

量子ホール系のエッジでのマイクロ波吸収

東大物性研

遠藤彰, 小池啓太, 勝本信吾, 家泰弘

^●5

Effects of Two-Dimensional Electron Gas on the Coupling between Edge Channels on Both Sides of a Hall Bar

NTT Basic Res. Labs., NTT Corp.

Ngoc Han Tu, ^◯Yoshiaki Sekine, Koji Muraki, Norio Kumada

ゲート掃引によるInAs量子ホール伝導特性の改善

NTT物性基礎研

秋保貴史, 入江宏, 小野満恒二, 村木康二

休憩　（10:30〜10:45)

量子細線・微小接合

量子モンテカルロ法を用いた1次元電子系中の不純物ポテンシャル問題の数値的研究

東大物性研

島田典明, 加藤岳生

横電場印加によるInSb量子細線のサブバンド構造の変化II

琉球大理, 東北大理^A

稲岡毅, 増田貴史^A, 橋本克之^A, 平山祥郎^A

並列二重InAsナノ細線と超伝導体の接合におけるクーパー対分離の観測

東大工^A, Univ. of Basel^B, RIKEN^C, Peking Univ.^D, Lund Univ.^E, 阪大産研^F

佐藤洋介^A, 馬場翔二^A, C. Juenger^B, 松尾貞茂^A, A. Baumgatner^B, 鎌田大^C, K. Li^D, H.Q. Xu^{D, E}, C. Schonenberger^B, 大岩顕^F, 樽茶清悟^{A, C}

量子細線ジョセフソン接合におけるジョセフソン雑音放射

理研CEMS^A, 東大工^B, 北京大^C, ルンド大^D

鎌田大^{A, B}, R. S. Deacon^A, 松尾貞茂^B, 馬場翔二^B, K. Li^C, H. Q. Xu^{C, D}, 石橋幸治^A, 樽茶清悟^{A, B}

Al-InAs量子井戸から作製した超伝導接合の輸送特性.2

東大工, 理研^A, カリフォルニア大学^B

松尾貞茂, 上田健人, 佐藤洋介, 鎌田大^A, Joon Sue Lee^B, Borzoyeh Shojaei^B, Chris Palmstrom^B, 樽茶清悟^A

MoS₂電気二重層構造/Al接合における電気輸送特性

日女大理, 東理大理^A, 東理大総研院^B

相川夕美花, 津村公平^A, 成田智絵, 高柳英明^B, 石黒亮輔

窒化ニオブを用いた強磁性ジョセフソン接合におけるπ状態

情通機構^A, JSTさきがけ^B

山下太郎^{A, B}, 川上彰^A, 寺井弘高^A

22日 B32会場　22aB32　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル物質
（理論）

乱れたトポロジカル超伝導体の非可換指数と量子相図

東大理

吉岡信行, 赤城裕, 桂法称

トポロジカル結晶超伝導の相転移に付随するワイル超伝導相

東工大理

奥川亮, 横山毅人

捻り境界条件を課したKitaev模型におけるマヨラナ・ゼロモードの出現

東大理, Beijing Inst. of Tech.^A

川畑幸平, ^◯小林良平, Ning Wu^A, 桂法称

ワイル超伝導におけるカイラル異常由来の磁気熱輸送現象

阪大院基礎工

小林琢郎, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡

スキルミオンテクスチャをもつ超流動³He-Aにおけるtorsion由来のカイラル磁気効果

阪大院基礎工

石原祐亮, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡

1次元における不対ワイルフェルミオンとカイラル量子異常

東大物性研

押川正毅

休憩　（10:30〜10:45)

ネマティック超伝導体Cu_xBi₂Se₃における電磁応答

阪大基礎工

植松宏紀, 水島健, 鶴田篤史, 藤本聡

多重縮退したトポロジカル表面状態の安定性と指数定理 II

北大院工^A, 名大工^B

池谷聡^A, 小林伸吾^B, 浅野泰寛^A

カイラル超流動体におけるエッジ流と軌道角運動量

東大物性研, ミュンヘン工科大^A

多田靖啓, Frank Pollmann^A

トポロジカル超伝導のエッジ状態に関する角度分解した局所状態密度の理論計算

名大工

田村駿, 田仲由喜夫

Josephson Phi-Junction in Topological Superconductors

慶応大自然科学研究教育セ

Zhao Huang, 島崎信二 and 新田宗土

非線形1次元量子ウォークにおけるエッジ状態の安定性とPT対称性

北大院工, 京大理^A

望月健, 川上則雄^A, 小布施秀明

トポロジカル相の接合境界が動的に変化する1次元格子モデルにおけるエッジ状態

北大院工, 京大理^A

藤澤有祐, 矢久保考介, 川上則雄^A, 小布施秀明

22日 C10会場　22pC10　13:30〜16:55

領域4，領域6，領域8合同シンポジウム
主題：超伝導物質および超流動ヘリウム研究の切り開くトポロジカル物理の最前線

（シンポジウム講演）はじめに

名大理

山影相

（シンポジウム講演）トポロジカル物質のトポロジカル超伝導

京大基研

佐藤昌利

（シンポジウム講演）バルクトポロジカル超伝導体の開発とマクロ測定

京大理

米澤進吾

（シンポジウム講演）NMRから見たトポロジカル物質

岡山大理

俣野和明

休憩　（15:05〜15:25)

（シンポジウム講演）グラフェンの量子ホール状態を介した超伝導流

東大工

山本倫久

（シンポジウム講演）トポロジカル超流動体であるヘリウム3の表面状態

東大総合文化

堤康雅

（シンポジウム講演）トポロジカル超流動3Heの新奇準粒子状態

東工大理

野村竜司

22日 E21会場　22pE21　13:30〜17:15

領域7（5番目と10番目のみ領域4と合同）
ナノチューブ・フラーレン

アークプラズマガンによるC60フラーレンナノウィスカー上への白金ナノ粒子の作製

東理大

宮澤薫一, 吉武優, 田中優実

ルテチウム内包フラーレンの電子構造と電荷移動

岡山大理界面, 名大院理^A, 愛媛大院理工^B

宮崎隆文, 脇田高徳, 横谷尚睦, 篠原久典^A, 日野照純^B

C₆₀^3-モット絶縁相における圧力下電子状態

東北大院理^A, 兵庫県立大院物質理^B, 東北大AIMR^C

平郡諭^{A, B}, 松田祐貴^A, 及川新平^A, 谷垣勝己^{A, C}

波束拡散法によるカーボンナノチューブと有機半導体の電子伝導計算

筑波大数物, NEC^A

石井宏幸, 小林伸彦, 広瀬賢二^A

CドープされたBNナノチューブの電子構造と不純物状態

東工大理

斎藤晋, 藤本義隆, 芳賀太史

^●6

Physical properties of binary-elements intercalated-graphite, Ca_xSr_1-xC_y

RIIS/Okayama Univ., RLSS/Okayama Univ.^A, RIKEN^B, NSRRC^C

Xiaofan Yang, Takahiro Terao, Xiao Miao, Ritsuko Eguchi, Hidenori Goto, Takafumi Miyazaki^A, Hitoshi Yamaoka^B, Hirofumi Ishii^C, Yen-Fa Liao^C, Yoshihiro Kubozono

Sc₂B_1.1C_3.2におけるグラファイト状BC₂層の構造と電子状態

物材機構

速水渉, 田中高穂

休憩　（15:15〜15:30)

多環芳香族炭化水素benzo[ghi]perylene錯体のラマン分光

名大院工^A, 京大院理^B, 京大物性科学セ^C, 名城大農^D, 豊田理研^E

丹後駿介^A, 中村優斗^A, 岸田英夫^A, 中野義明^{B, C}, 矢持秀起^{B, C}, 吉田幸大^{B, D}, 齋藤軍治^{D, E}

高密度キャリア注入時に形成されるナノチューブ軸に垂直方向の光吸収

首都大, ライス大^A

柳和宏, Fumiya Katstsutani^A, Weilu Gao^A, Junichiro Kono^A

GW + Bethe-Salpeter法による水分子吸着カーボンナノチューブの光物性の研究

東理大理

鈴木康光, 岩崎大介, 渡辺一之

つぶれたカーボンナノチューブの光吸収

東工大理学院物理

安藤恒也

ドープしたカーボンナノチューブの縦と横誘電関数

NTT物性研

佐々木健一

不純物ドープ・カーボンナノチューブの熱電応答

東理大工, 東理大理^A

山本貴博, 福山秀敏^A

カーボンナノチューブの電子－フォノン散乱による電流ゆらぎの評価

東理大工, 東理大総合研究院^A, 神戸大工^B, 東理大工^C

石関圭輔, 笹岡健二^A, 小鍋哲^A, 相馬聡文^B, 山本貴博^C

23日 B31会場　23aB31　10:45〜12:30

領域4
半導体スピントロニクス

幅広InGaAs量子井戸2層2次元電子ガスにおける弱反局在解析

大阪大低温セ, 大阪工業大^A, 北陸先端大^B

日高志郎, 山田省二^A, 藤元章^A, 赤堀誠志^B

幅広InGaAs井戸2層2次元電子ガスの量子ホール効果

大阪工大, 北陸先端大^A, 物材機構^B

山田省二, 藤元章, 赤堀誠志^A, 今中康貴^B, 竹端寛治^B

Spin Echo Study of Boron in ²⁸Si at Millikelvin Temperature

Univ. of New South Wales Sydney, Univ. of Melbourne^A, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung^B, PTB Braunschweig^C, VITCON Projectconsult GmbH^D, 東北大理^E

小林嵩^E, J. van der Heijden, J. Salfi, M. G. House, B. C. Johnson^A, J. C. McCallum^A, H. Riemann^B, N. Abrosimov^B, P. Becker^C, H. -J. Pohl^D, M. Y. Simmons, S. Rogge

ラシュバ型スピン軌道相互作用と交換相互作用の共存する系でのトンネルコンダクタンスの計算

名大工

大島大介, 田口勝久, 田仲由喜夫

量子井戸の強束縛モデルにおけるRashbaスピン軌道相互作用の界面双極子による制御

北大院工

江上喜幸, 明楽浩史

複数サブバンドをもつ量子井戸における外因性スピンホール効果

北大工

石川俊也, 明楽浩史

反転対称性の破れた物質における非線形スピン流

東大工^A, 韓国科学技術院^B, カリフォルニア大^C, 理研CEMS^D

濱本敬大^A, 江澤雅彦^A, Kim Kun Woo^B, 森本高裕^C, 永長直人^{A, D}

23日 B32会場　23aB32　9:15〜12:00

領域4（全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同）
グラフェン関連
（輸送現象および分光）

グラフェンのトポロジカル欠陥における電子の有効理論

東北大理, 阪大理^A

林智宏, 越野幹人^A

ハニカム格子模型によるディラック電子系の電磁応答

東大理

寒川崇生, 正木祐輔

^●3

Applications of negative refraction in bilayer graphene

Univ. of Tokyo^A, Univ. of Leicester^B, AIST^C

P. A. Maksym^{A, B} and H. Aoki^{C, A}

^●4

Thermal carriers in disordered graphene with hexagonal-Boron Nitride and multi-layer graphene

Grad. Sch. of Engin., Chiba Univ.^A, Grad. Inst. of Appl. Phys., Nat. Taiwan Univ.^B, Sch. of Electronic & Electrical Engin.^C, Dept. of Electrophys., Nat. Chiayi Univ.^D

Chuang Chiashain^A, Mineharu M.^A, Matsunaga M.^A, Liu C.-W.^B, Wu B.-Y.^B, Kim G.-H.^C, Lin L.-H.^D, Ochiai Y.^A, Liang C.-T.^B, Aoki N.^A

2層グラフェンにおける電場による閉じ込め効果の発現

千葉大院工, 物材機構^A, 成均館大^B, アリゾナ州立大^C, バッファロー大^D

松本直樹, 峰晴正彰, 荒川友貴, 松永正広, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, G-H.キム^B, D.K.フェリー^C, J.P.バード^D, ^◯青木伸之

休憩　（10:30〜10:45)

グラフェンへの分子吸着における高ゲート電圧印加の効果

法政大生命科学

梅原太一, 石黒康志, ^◯高井和之

劈開グラフェン試料へのジグザグ・ナノピット形成とその伝導度測定

東大院理^A, 東大低温セ^B

喜田和馬^A, 松井朋裕^A, AAndre E. B. Amend^A, 福山寛^{A, B}

白金・ビスマステルル微粒子修飾グラフェンのスピン軌道相互作用

青学大理工^A, 東大物性研^B

工藤浩章^A, 峰彰秀^A, 難波拓^A, 田村涼^A, 初田雅博^A, 大畠智恵^A, 春山純志^{A, B}

アルカリ金属吸着グラフェンの電子格子相互作用：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 東北大CSRN^C

佐藤基樹^A, 菅原克明^{B, C}, 佐藤宇史^{A, C}, 高橋隆^{A, B, C}

スピン偏極陽電子ビームによるグラフェン・窒化ボロン/コバルト系のスピン偏極状態の観測

量研機構

河裾厚男, 前川雅樹, 和田健, 宮下敦巳, 圓谷志郎, 境誠司

23日 B31会場　23pB31　13:45〜16:15

領域4
量子井戸・超格子・光応答・局在

ワイル半金属を用いた超格子におけるトポロジカル相

東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B

横溝和樹^A, 村上修一^{A, B}

InAs二次元電子ガスにおける多重アンドレーエフ反射の磁場依存性

東大物性研

鬼嵜誠, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾

InAs量子井戸を用いた超伝導接合の面内磁場応答

東大物性研

中村壮智, 鬼嵜誠, 橋本義昭, 勝本信吾

GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子－励起子散乱発光ダイナミクスの温度依存性

阪市大院工

宮崎雄一郎, 中山正昭

CdTe二次元電子系における強磁場荷電励起子発光

物材機構, ポーランド科学アカデミー^A

今中康貴, G. Karczewski^A, T. Wojtowicz^A

休憩　（15:00〜15:15)

取　　消

2次元電子系の光渦との相互作用による軌道角運動量の光応答電流への影響

放送大院文化科学

高橋浩久, Igor Proskurin, 岸根順一郎

MoS₂/h-BN薄膜積層構造の光応答

筑波大物理

齋藤明央, 綾野智貴, 野村晋太郎

アンダーソン局在相転移による熱電性能の増大

東大理, ベングリオン大^A, テルアビブ大^B, 東大生研^C

山本薫, Amnon Aharony^{A, B}, Ora Entin-Wohlman^{A, B}, 羽田野直道^C

23日 B32会場　23pB32　13:45〜16:30

領域4
トポロジカル物質
（実験）

^●1

Topological superconductivity on the surface of iron-based superconductor

Inst. for Solid State Phys., Princeton Univ.^A, Nanjing Univ.^B, Brookhaven Nat’l. Lab.^C, Inst. of Phys., (Chinese Academy of Sci.)^D

Peng Zhang, Koichiro Yaji, Takahiro Hashimoto, Yuichi Ota, Takeshi Kondo, Kozo Okazaki, Zhijun Wang^A, Jinsheng Wen^B, G. D. Gu^C, Hong Ding^D, and Shik Shin

Sr_xBi₂Se₃における極低温磁場侵入長測定

東大新領域, 東工大フロンティア研^A, 京大院理^B

Yijie Miao, 竹中崇了, 水上雄太, 橘和宗^A, 笹川崇男^A, 笠原裕一^B, 松田祐司^B, 芝内孝禎

^●3

AC Susceptibility Measurement of H_c2 Anisotropy of Topological Superconductor Sr_xBi₂Se₃

Kyoto Univ., Univ. of Cologne^A

Ivan Kostylev, Yonezawa Shingo, Zhiwei Wang^A, Yoichi Ando^A, Yoshiteru Maeno

磁性ドープしたトポロジカル絶縁体によるトポロジカルジョセフソン接合

産総研, 東工大フロンティア研^A

矢野力三, 小柳正男, 柏谷裕美, 津村公平, 五十嵐九四郎^A, 笹川崇男^A, 柏谷聡

強いスピン軌道相互作用を持つNi-Bi系化合物の単結晶育成と超伝導特性

東工大フロンティア研

松川慶太朗, 大川顕次郎, 村瀬正恭, 笹川崇男

休憩　（15:00〜15:15)

磁場中輸送特性から見た3次元トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y薄膜の電子状態

東北大院理^A, 東北大WPI^B

田邉洋一^A, Tu Ngoc Han^A, 佐竹遥介^A, Huynh Kim Khuong^B, 松下ステファン悠^A, 谷垣勝巳^{A, B}

トポロジカル絶縁体(Bi_1-xSb_x)₂Se₃薄膜における電子状態制御と電気伝導特性評価

東北大金研^A, 東北大院理^B, 東北大WPI^C

佐竹遥介^A, 塩貝純一^A, 高根大地^B, 山田敬子^B, 藤原宏平^A, 相馬清吾^C, 佐藤宇史^B, 高橋隆^C, 塚崎敦^A

Pb-(Bi,Sb)-(Te,Se)トポロジカル絶縁体の結晶作製と輸送特性評価

東大生産研

服部裕也, 上山僚介, 徳本有紀, 枝川圭一

高品質3次元トポロジカル絶縁体Bi_2−xSb_xTe_3−ySe_y(BSTS)の気相エピタキシャル薄膜成長と物性

東北大WPI-AIMR^A, 東北大院理^B

Tu Ngoc Han^B, 田邉洋一^B, 松下ステファン悠^A, Huynh Kim Khuong^A, Le Phuoc Huu^B, and 谷垣勝己^{A, B}

3次元トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y薄膜の熱電特性の直接観測II

東北大院理^A, 東北大AIMR^B, 阪市大院理^C

松下ステファン悠^A, Huynh Kim Khuong^B, 吉野治一^C, Tu Ngoc Han^A, 田邉洋一^A, 谷垣勝己^{A, B}

23日 C20会場　23pC20　13:30〜16:50

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開　New development in transition metal dichalcogenides

（シンポジウム講演）はじめに　Introduction

東理大総合研究院 Tokyo Univ. of Sci.

小鍋哲 Satoru Konabe

（シンポジウム講演）機能性2次元カルコゲナイドの成長と評価　Growth and characterization of functional 2D chalcogenides

首都大理工 Tokyo Metropolitan Univ.

宮田耕充 Yasumitsu Miyata

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドのポリモルフィズムと構造物性　Polymorphic structures and properties of 2D materials

産総研ナノ材料 AIST

末永和知 Kazutomo Suenaga

^●4

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果　Symmetry protected type II Dirac fermions in transition metal dichalcogenides

東大量子相（理論） QPEC, Univ. of Tokyo

Mohammad Saeed Bahramy

休憩　（15:05〜15:20)

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドの励起子ホール効果　Excitonic Hall Effect in 2D chalcogenide

東大量子相（実験） QPEC, Univ. of Tokyo

岩佐義宏 Yoshihiro Iwasa

（シンポジウム講演）2次元遷移金属カルコゲナイド・人工ヘテロ構造の光物性　 Photophysics in 2D transition metal dichalcogenide and its artificial hetero-structure

京大エネ研 Kyoto Univ.

松田一成 Kazunari Matsuda

（シンポジウム講演）2次元カルコゲナイドの電流励起発光　Electroluminescence in 2D chalcogenide

名大工 Nagoya Univ.

竹延大志 Taishi Takenobu

24日 B31会場　24aB31　9:00〜12:00

領域4
ディラック電子系
（理論および実験）

周期外場駆動Weyl半金属におけるアノマリー現象の解析

東大理

海老原周, 福嶋健二

ディラック系における擬磁場とランダウ準位

NIMS-MANA

苅宿俊風

第2種ワイル半金属におけるランダウ準位とサイクロトロン共鳴

阪大理

越野幹人

黒リンにおけるバルク不純物状態のSTM観察

理研 CEMS, 東工大フロンティア研^A, 原子力機構シ計セ^B, MIT^C

町田理, 高橋敬成^A, 幸坂祐生, 岩谷克也, 花栗哲郎, 笹川崇男^A, 永井佑紀^{B, C}

黒リンの熱輸送特性におけるサイズ効果

東工大理, ESPCI^A, 東大物性研^B, 兵庫県立大^C

町田洋, 井澤公一, Kamra Behnia^A, 秋葉和人^B, 三宅厚志^B, 徳永将史^B, 赤浜裕一^C

単結晶テルルにおける圧力下輸送特性

東大工^A, 東工大フロンティア研^B, 理研CEMS^C

井手上敏也^A, 太向弘明^A, 高橋敬成^B, 村瀬正恭^B, 笹川崇男^B, 岩佐義宏^{A, C}

休憩　（10:30〜10:45)

多層ディラック電子系EuMnBi₂における量子振動の磁気構造依存性

東大工^A, 阪大理^B, JST-PRESTO^C, 東大物性研^D, 理研CEMS^E

増田英俊^A, 酒井英明^{B, C}, 高橋英史^A, 徳永将史^D, 三宅厚志^D, 秋葉和人^D, 十倉好紀^{A, E}, 石渡晋太郎^{A, C}

キャリアドープした層状ディラック反強磁性体Eu_1-xGd_xMnBi₂における量子極限近傍のランダウ準位構造

阪大院理^A, JST-PRESTO^B, 東大院工^C, 東大物性研^D

鶴田圭吾^A, 酒井英明^{A, B}, 増田英俊^C, 石渡晋太郎^{B, C}, 秋葉和人^D, 三宅厚志^D, 徳永将史^D, 村川寛^A, 花咲徳亮^A

アンチペロブスカイトSr₃PbOにおける3次元ディラック電子と巨大反磁性

東大理^A, マックス・プランク研^B

末次祥大^A, 北川健太郎^A, 葉山慶平^A, A. W. Rost^B, J. Nuss^B, C. Muhle^B, 高木英典^{A, B}

3次元ディラック電子系候補物質PtSn₄のNMR測定

首都大理工^A, JSTさきがけ^B

岡部碧^A, 中井祐介^A, 東中隆二^A, 宮田耕充^{A, B}, 真庭豊^A

van der Waals強磁性体Cr₂Ge₂Te₆のARPESおよびXMCDの測定

東大理, ラトガース大^A, 高エネ研^B, 東大工^C

鈴木雅弘, Bin Gao^A, 芝田悟朗, 坂本祥哉, 輿石佳佑, 野中洋亮, 池田啓祐, 池震棟, 中田勝, 萩原健太, 林春, 万宇軒, 組頭広志^B, 小野寛太^B, 小林正起^C, Sang-Wook Cheong^A, 藤森淳

24日 B32会場　24aB32　10:45〜12:30

領域4
トポロジカル相
（理論）

カゴメ格子の平坦バンドにおける電子間相互作用

筑波大数理

工藤耕司, 初貝安弘

強磁性金属における非可換量子力学とskew散乱

東大工^A, 理研CEMS^B

石塚大晃^A, 永長直人^{A, B}

Haldane模型の輸送特性に対する不純物散乱の効果II

奈良女子大理, 秋田大教育^A

辰己智子, 吉岡英生, 林正彦^A

非共型（メビウス）トポロジカル絶縁体の表面状態に関する理論的考察

広大先端研, 創発物性拠点

井村健一郎, 田中新

3次元トポロジカル絶縁体相のエンタングルメント・ハミルトニアンによる特徴付け

筑波大数理, 茨大理^A

荒木広夢, 福井隆裕^A, 初貝安弘

3次元におけるトポロジカルポンプ

茨大理

福井隆裕, 藤原高徳

トポロジカル絶縁体・半金属の有する加群構造について

理研, 京大基研^A, 信州大^B

塩崎謙, 佐藤昌利^A, 五味清紀^B

一般社団法人 日本物理学会 2017年秋季大会 The 2017 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域4

21日 B31会場 21aB31 9:30〜11:45

領域4量子ドット（理論）

休憩 （10:30〜10:45)

21日 B32会場 21aB32 9:00〜12:45

領域4トポロジカル半金属（理論）

休憩 （10:30〜10:45)

21日 C20会場 21aC20 9:00〜12:30

領域7，領域4合同遷移金属カルコゲナイド

休憩 （10:30〜10:45)

21日 B31会場 21pB31 13:30〜16:15

領域4（前半（1〜4番目）のみ領域1と合同）量子ドット（実験）

休憩 （15:00〜15:15)

21日 B32会場 21pB32 13:30〜17:00

領域4（13番目のみ領域3と合同）トポロジカル半金属・絶縁体（実験）

休憩 （15:00〜15:15)

21日 C20会場 21pC20 13:30〜17:00

領域7（全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同）グラフェン関連（理論）

休憩 （15:00〜15:15)

21日 PSA2会場 21pPSA2 13:30〜15:30

領域4領域4ポスターセッション

22日 B31会場 22aB31 9:00〜12:30

領域4（13番目のみ領域3と合同）量子ホール効果

休憩 （10:30〜10:45)

22日 B32会場 22aB32 9:00〜12:30

領域4トポロジカル物質（理論）

休憩 （10:30〜10:45)

22日 C10会場 22pC10 13:30〜16:55

領域4，領域6，領域8合同シンポジウム主題：超伝導物質および超流動ヘリウム研究の切り開くトポロジカル物理の最前線

休憩 （15:05〜15:25)

22日 E21会場 22pE21 13:30〜17:15

領域7（5番目と10番目のみ領域4と合同）ナノチューブ・フラーレン

休憩 （15:15〜15:30)

23日 B31会場 23aB31 10:45〜12:30

領域4半導体スピントロニクス

23日 B32会場 23aB32 9:15〜12:00

領域4（全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同）グラフェン関連（輸送現象および分光）

休憩 （10:30〜10:45)

23日 B31会場 23pB31 13:45〜16:15

領域4量子井戸・超格子・光応答・局在

休憩 （15:00〜15:15)

23日 B32会場 23pB32 13:45〜16:30

領域4トポロジカル物質（実験）

休憩 （15:00〜15:15)

23日 C20会場 23pC20 13:30〜16:50

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム主題：遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開 New development in transition metal dichalcogenides

休憩 （15:05〜15:20)

24日 B31会場 24aB31 9:00〜12:00

領域4ディラック電子系（理論および実験）

休憩 （10:30〜10:45)

24日 B32会場 24aB32 10:45〜12:30

領域4トポロジカル相（理論）

一般社団法人日本物理学会　2017年秋季大会
The 2017 Autumn Meeting

21日 B31会場　21aB31　9:30〜11:45

領域4
量子ドット（理論）

休憩　（10:30〜10:45)

21日 B32会場　21aB32　9:00〜12:45

領域4
トポロジカル半金属
（理論）

休憩　（10:30〜10:45)

21日 C20会場　21aC20　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
遷移金属カルコゲナイド

休憩　（10:30〜10:45)

21日 B31会場　21pB31　13:30〜16:15

領域4（前半（1〜4番目）のみ領域1と合同）
量子ドット（実験）

休憩　（15:00〜15:15)

21日 B32会場　21pB32　13:30〜17:00

領域4（13番目のみ領域3と合同）
トポロジカル半金属・絶縁体
（実験）

休憩　（15:00〜15:15)

21日 C20会場　21pC20　13:30〜17:00

領域7（全て領域4と合同、1番目のみ領域4と領域9の合同）
グラフェン関連
（理論）

休憩　（15:00〜15:15)

21日 PSA2会場　21pPSA2　13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

22日 B31会場　22aB31　9:00〜12:30

領域4（13番目のみ領域3と合同）
量子ホール効果

休憩　（10:30〜10:45)

22日 B32会場　22aB32　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル物質
（理論）

休憩　（10:30〜10:45)

22日 C10会場　22pC10　13:30〜16:55

領域4，領域6，領域8合同シンポジウム
主題：超伝導物質および超流動ヘリウム研究の切り開くトポロジカル物理の最前線

休憩　（15:05〜15:25)

22日 E21会場　22pE21　13:30〜17:15

領域7（5番目と10番目のみ領域4と合同）
ナノチューブ・フラーレン

休憩　（15:15〜15:30)

23日 B31会場　23aB31　10:45〜12:30

領域4
半導体スピントロニクス

23日 B32会場　23aB32　9:15〜12:00

領域4（全て領域7と合同。6番目のみ領域7、領域9と合同）
グラフェン関連
（輸送現象および分光）

休憩　（10:30〜10:45)

23日 B31会場　23pB31　13:45〜16:15

領域4
量子井戸・超格子・光応答・局在

休憩　（15:00〜15:15)

23日 B32会場　23pB32　13:45〜16:30

領域4
トポロジカル物質
（実験）

休憩　（15:00〜15:15)

23日 C20会場　23pC20　13:30〜16:50

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：遷移金属カルコゲナイド2次元結晶の新展開　New development in transition metal dichalcogenides

休憩　（15:05〜15:20)

24日 B31会場　24aB31　9:00〜12:00

領域4
ディラック電子系
（理論および実験）

休憩　（10:30〜10:45)

24日 B32会場　24aB32　10:45〜12:30

領域4
トポロジカル相
（理論）