一般社団法人日本物理学会 2016年秋季大会　2016 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域9

13日 AG会場　13aAG　9:00〜12:15

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面

偏光可変レーザースピン分解光電子分光で解明する光電子スピン偏極度と波動関数の位相

東大物性研, お茶の水大理^A

矢治光一郎, 黒田健太, 原沢あゆみ, 小林功佳^A, 小森文夫, 辛埴

ビスマスの表面状態からの光電子放出の計算

お茶の水大理, 東大物性研^A

小林功佳, 矢治光一郎^A, 黒田健太^A, 小森文夫^A

レーザースピン分解ARPESを用いたBi₂Se₃表面状態の光電子スピン偏極と直線二色性

東大物性研

黒田健太, 矢治光一郎, 坂野昌人, 中山充大, 原沢あゆみ, 石田行章, 近藤猛, 小森文夫, 辛埴

軌道選択レーザースピン分解ARPESで調べるラシュバ表面状態

東大物性研, お茶の水大理^A

野口亮, 黒田健太, 矢治光一郎, 坂野昌人, 小林功佳^A, 原沢あゆみ, 近藤猛, 小森文夫, 辛埴

^●5

Topological nature of the grey arsenic surface

ISSP, Univ. of Tokyo, Inst. of Phys., Chinese Academy of Sci.^A

P. Zhang, J.-Z. Ma^A, ^○Y. Ishida, B.-Q. Lv^A, K. Yaji, Q.-N. Xu^A, H.-M. Weng^A, X. Dai^A, F. Zhong^A, L.-X. Zhao^A, G.-F. Chen^A, T. Qian^A, H. Ding^A, S. Shin

擬三次元的なBi薄膜の高分解能ARPESによるBiトポロジーの解明

東大物性研, 広大放射光^A, 東大理^B, NSRRC^C, Nat'l. Tsing Hua Univ.^D, Univ. of Illinois^E, お茶の水女子大理^F

伊藤俊, B. Feng, 有田将司^A, 高山あかり^B, 染谷隆史, W.-C. Chen^C, C.-M. Cheng^C, C.-H. Lin^D, 山本達, 飯盛拓嗣, 生天目博文^A, 谷口雅樹^A, T.-C. Chiang^E, S.-J. Tang^D, 小森文夫, 小林功佳^F, 松田巌

休憩　（10:30〜10:45)

Bi超薄膜1T-TaS₂におけるバンド構造の異常な振る舞い：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B, 埼玉大理工^C

山田敬子^A, C. Trang ^A, 相馬清吾^B, 菅原克明^C, 佐藤宇史^A, 上野啓司^C, 高橋隆^{A, B}

グラフェン上Bi(110)超薄膜の角度分解光電子分光

佐賀大SLセ

高橋和敏, 今村真幸, 山本勇, 東純平

^●9

Direct observation of hidden local Rashba spin polarization in the novel superconductor LaO_0.54F_0.46BiS₂

Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima Univ.^A, Grad. Sch. of Sci., Hiroshima Univ.^B, Univ. of Yamanashi^C

Shilong Wu^A, Kazuki Sumida^B, Koji Miyamoto^A, Kazuaki Taguchi^B, Tomoki Yoshikawa^B, Akio Kimura^B, Yoshifumi Ueda^A, Masanori Nagao^C, Satoshi Watauchi^C, Isao Tanaka^C and Taichi Okuda^A

ノーダルライン半金属表面での分極とラシュバスピン軌道相互作用の増大

東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B, 産総研CD-FMat^C

平山元昭^{A, B}, ^○村上修一^{A, B}, 奥川亮^A, 三宅隆^C

ワイル半金属NbPにおける表面電子状態の終端面依存性

東北大院理^A, 東北大WPI^B, ケルン大^C, 阪大産研^D, 京産大^E

高根大地^A, 相馬清吾^B, Z. Wang^C, 小鷹浩毅^D, 佐藤宇史^A, 中山耕輔^A, 田中祐輔^A, 君塚平太^A, 高橋隆^{A, B}, 山内邦彦^D, 小口多美夫^D, 瀬川耕司^E, 安藤陽一^C

Bi₂Te₃ 基板上におけるTe 単結晶薄膜の作成と電子状態測定

東工大理, 分子研UVSOR^A

奥山裕磨, 杉山裕弥, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, 平原徹

13日 AR会場　13aAR　9:00〜12:30

領域9
表面界面構造

Pb/Si(111)上に観察されるモアレ構造の点接触電気伝導計測による起源解明

東大物性研

Howon Kim, ^○長谷川幸雄

STMとRHEEDによるSrTiO₃上の1UC-FeSeの成長観察と構造評価

東工大理

芳野諒, 田中友晃, 平原徹

Cu(111)面上の窒化鉄単原子膜の形成過程と構造

東大物性研

服部卓磨, 宮町俊生, 小森文夫

Au(111)表面上におけるスズ超薄膜の原子配列と電子構造

名大工^A, あいちシンクロトロン光セ^B, エクス-マルセイユ大^C

西埜和樹^A, 柚原淳司^A, 仲武昌史^B, Guy Le Lay^{A, C}

^●5

Epitaxial growth and structure of monolayer cerium oxide film on Rh(111)

Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.

Lap-hong CHAN, Junji YUHARA

取　　消

休憩　（10:30〜10:45)

酸化ジルコニウム表面の高温その場電子顕微鏡観察

筑波大院数理, 名古屋大^A, 筑波大物質^B

菊池章吾, 寺澤知潮^A, 木塚徳志^B

正方晶ZrO₂(101)表面における水分子吸着構造の被覆率依存性

東大物性研

山本良幸, 杉野修

RHEEDによるZnO(0001)極性表面の識別

大同大工, 名大院工^A, 東北大多元研^B, 名工大院^C

堀尾吉已, 柚原淳司^A, 高桑雄二^B, 小川修一^B, 安部功二^C

反射高速電子線回折法によるAl₂O₃ (0001)√31×√31R9°構造の解析3

横市大生命ナノ

戸坂亜希, 杉山卓嘉, 重田諭吉

菊池パターンを用いた表面層の精密構造解析

横浜市大

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

RHEEDオーバーサンプリング法による表面モフォロジー

東大生研

川村隆明

水素終端Si(110)表面のエッチング過程III：KPZ方程式による考察

東北大院理, 東大工^A

川本絵里奈, 松下ステファン悠, 山田太郎^A, 川勝年洋, 須藤彰三

13日 BA会場　13aBA　9:15〜12:00

領域9
ナノ結晶・クラスタ，水素ダイナミクス

ナノ粒子合金相における表面効果

明石高専^A, 阪大院工^B, 東大生産研^C

中西寛^A, Aspera Susan^A, 笠井秀明^{A, B, C}

走査プローブ顕微鏡を用いた原子スイッチの組立と制御

阪大院工^A, 千葉大院融合^B, 物材機構^C, 阪大院基礎工^D, 東大新領域^E

稲見栄一^{A, B}, 浜田幾太郎^C, 上田啓一^A, 阿部真之^D, 森田清三^A, 杉本宜昭^{A, E}

シリコンクラスター超格子構造、電子状態の回折、分光研究

産総研, 物材機構^A, 東大工^B

岩田康嗣, 織田望, 内田雄幸, 雨倉宏^A, 松畑洋文^B

シリコンクラスター超格子中の不純物の電子状態計算

産総研, 物材機構^A, 東大工^B

織田望, 岩田康嗣, 内田雄幸, 雨倉宏^A, 松畑洋文^B

取　　消

休憩　（10:30〜10:45)

メラニン形成過程に含まれる分枝反応の量子ダイナミクス

阪大工, 明石高専^A

岸田良, ^○笠井秀明^A, Susan Meñez Aspera^A, 中西寛^A

^●7

Thermal- and photo-desorption of molecular hydrogen from Pd(210) surface

Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo

Dmitry Ivanov, Satoshi Ohno, Katsuyuki Fukutani

炭素に担持されたPtクラスターの電子状態と水素吸着特性

東大生産研, 東理大工^A

小林達也, 長塚直樹, 河内泰三, 小倉正平, Wilde Markus, 田中優実^A, 福谷克之

室温水素雰囲気中でのPd(110)における水素の挙動2

筑波大数物

生津達也, 庄司陸人, 前田拓郎, 冨永正人, 宮城良世, 山田洋一, 佐々木正洋

^●10

Ortho-para conversion of H₂ adsorbed on Pd(210) surface

Osaka Univ.^A, Akashi College^B, The Univ. of Tokyo^B

Elvis Arguelles^A, Hideaki Kasai^B, Wilson Agerico Dino^A

13日 PSB会場　13pPSB　15:30〜17:30

領域9
領域9ポスターセッション

InSb/InAs界面におけるRashba係数とスピン構造の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

坂谷文成, 小鷹浩毅, 石井史之^A

第一原理計算計によるHfO₂/SiO₂/Si界面における酸素空孔欠陥に起因したリーク電流の評価

筑波大数理物質

高木謙介, 小野倫也, 岩瀬滋

MXene化合物Ti₂CO₂の電子状態の第一原理解析：層数およびNaイオン吸着による電子状態変化

東大院工, 産総研CD-FMat^A

北野秀介, 安藤康伸^A, 南谷英美, 渡邉聡

^●4

First-principles calculation of Br4-Crown-Ether monolayer on Cu(111)

Chiba Univ. Advanced Integration

Putri Hartini Ayu Novita, Toyokazu Yamada, Peter Krueger

^●5

First principles analysis of naphthalene on graphene at high coverage

Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^A, Dept. of Phys., Inst. Teknologi Bandung, Indonesia^B, NIMS^C

Sasfan Arman Wella^{A, B}, Nana Kawaguchi^A, Hiroyuki Sawada^A, Fahdzi Muttaqien^A, Yuji Hamamoto^A, Kouji Inagaki^A, Ikutaro Hamada^C, and Yoshitada Morikawa^A

層状物質の電子透過率と回折像に関するTDDFTシミュレーション

東理大理

宮内浩成, 上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之

TDDFTによる基板上グラフェンの二次電子放出

東理大理

上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之

フェムト秒レーザー照射下層状物質の励起電子状態の実時間第一原理計算

東理大理

内田一樹, Elena P. Silaeva, 渡辺一之

グラフェン/h-BNヘテロ接合における電気伝導特性の第一原理計算

成蹊大理工

若井大河, 坂本昇一, 富谷光良

遷移金属Ru(0001)表面上のグラフェン：貴金属原子Auの挿入によるバンドギャプ形成

岩手大工

西館数芽, 吉本則之, ^○長谷川正之

第一原理計算によるMnN/Cu(001)の電子状態の解明

東工大物質理工

中村将吾, 合田義弘

BiFeO₃/強磁性体異相界面の第一原理計算

東工大物質理工

藤田一大, 合田義弘

アモルファス鉄酸化物表面におけるLiイオンの吸着・解離反応の第一原理分子動力学シミュレーション

熊大院自然, 南カリフォルニア大^A

三澤賢明, 下條冬樹, Rajiv K. Kalia^A, Aiichiro Nakano^A, Priya Vashishta^A

第一原理分子動力学法に基づく有機分子修飾TiO₂における色素増感機構の解明II

熊大院自然, NSTDA^A

熊添博之, Manaschai Kunaseth^A, 下條冬樹

DNA被覆ナノ粒子の三次元構造形成

金沢大自然, 金沢大総合メディア, 立命館大理工

河崎顕応, 佐藤正英, 勝野弘康

DNA被履ナノ粒子の2次元構造における結合エネルギー差の影響

金大自然, 金大IMC, 立命館大理工

田中慶太, 佐藤正英, 勝野弘康

強束縛モデルによるRashba効果の解析

兵庫県立大物質理

藤原聖基, 島信幸, 馬越健次, 坂井徹

MnPc有機分子の電子・磁気状態の理論的研究

千葉大融合^A, La Trobe Univ. Melbourne.Australia^B

原田洋樹, Dongchen Qi^B, Peter Krueger^A

代数的整数論を応用した2次元格子整合理論

東大新領域^A, JSPS特別研究員^B, MANA-NIMS^C

川原一晃^{A, B}, 荒船竜一^C, 川合眞紀^A, 高木紀明^A

BiSb合金薄膜の表面電子状態のタイトバインディング法による数値解析

茨大工

永井潤也, 澤田雄大, 小峰啓史, 青野友祐

BiSb合金薄膜の表面電子状態のタイトバインディング法による数値解析II

茨大工

澤田雄大, 永井潤也, 小峰啓史, 青野友祐

強束縛近似によるBi(111)表面状態計算とそのトポロジカル秩序

阪大生命^A, 阪大理^B

大坪嘉之^{A, B}, 木村真一^{A, B}

Si/SiC表面上のSnの吸着構造

九大院工, 東大物性研^A

林真吾, 原剣斗, 梶原隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫^A, 田中悟

h-BN上へのスタネンの作製と評価

東工大理, 分子研UVSOR^A, Univ. Zurich^B

杉山裕弥, 奥山裕磨, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, Carlo Bernard^B, Thomas Greber^B, 平原徹

高分解能光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃と金属薄膜の界面電子状態の研究

広大院理, 広大放射光セ^A, 産総研^B

中西美恵, Eike F. Schwier^A, 岩澤英明^A, 相浦義弘^B, 島田賢也^A, 生天目博文^A

タリウム単結晶薄膜の電子構造

千葉大院融合, ウプサラ大^A, TASC Lab^B

岩岡睦生, 八百板裕智, Y. Sassa^A, 藤井純^B, 坂本一之

単一ユニットセルFeSeの構造と電子状態：STM/STS観察

東工大理

田中友晃, 芳野諒, 平原徹

Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態

東工大総理工

長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

Ag(111)表面電子状態のスピン分解光電子分光

東大物性研

原沢あゆみ, 矢治光一郎, 黒田健太, 小森文夫, 辛埴

BiAg表面の励起エネルギー依存角度分解2光子光電子分光2次元マッピング

佐賀大SLセ

今村真幸, 松石紘太朗, 山本勇, 東純平, 高橋和敏

Pb/Si(110)-(2×4)表面の電子構造

千葉大院融合, 物材機構^A

山崎洸, 尾田裕一, 日塔光一^A, 三木一司^A, 坂本一之

CuPc吸着In/Si(111)-(√7×√3)表面の電子構造

千葉大院融合, 物材機構^A

大場裕晃, 新田淳, 吉澤俊介^A, 内橋隆^A, 坂本一之

高品質ルブレン単結晶の電子構造

千葉大院融合, TASC Lab^A, 電中研^B

新田淳, E. Annese, 藤井純^A, 三輪一元^B, 小野新平^B, 坂本一之

圧縮センシングによる準粒子干渉パターンにおけるエネルギー依存性の高精度推定

東大物性研, 東大総合文化^A, 東大新領域^B

土師将裕, 中西（大野）義典^A, 吉田靖雄, 福島孝治^A, 岡田真人^B, 長谷川幸雄

大気圧下での光電子分光測定に向けた装置開発

分子研^A, 総研大^B, 電通大^C, JASRI/SPring-8^D, 名大物質国際セ^E

高木康多^{A, B}, 中村高広^A, Yu Liwei^A, 坂田智裕^C, 関澤央輝^C, 宇留賀朋哉^{C, D}, 唯美津木^E, 岩澤康裕^C, 横山利彦^{A, B}

面内磁化2成分検出可能なスピン偏極STM用磁性探針の開発

北大理

佐藤佑樹, 岡崎竜也, 草薙一輝, 朴鎮佑, 小川義展, 松山秀生

Fe/Cu(001)基板上のMn超薄膜の磁気光学測定

東大物性研^A, NHK放送技研^B

河村紀一^{A, B}, 中島脩平^A, 宮町俊生^A, 小森文夫^A

単原子交互積層したFeCo薄膜の磁気特性解析

東理大院, SPring-8/JASRI^A, ISSP^B

落合順也, 富田正樹, 齊藤真博, 鈴木雄太, 保井晃^A, 大河内拓雄^A, 宮町俊生^B, 小森文夫^B, 小嗣真人

金多孔質材料における孔成長に対する気体分子の影響

東北学院大

桑野聡子, 八巻裕貴, 佐藤愛梨沙, 堀江猛, 木村優希, 佐藤泰至, 高橋健

金多孔質材料における孔成長に対する銀の影響

東北学院大

桑野聡子, 高橋一樹, 千葉遥貴, 内澤和暉, 細矢裕真, 木幡裕介, 千葉捷彦

Cu(001) 表面上におけるPbとBi共吸着構造のLEEDによる解析

九大総理工

Mohammad Kabiruzzaman, Rezwan Ahmed, 中川剛志, ^○水野清義

低速電子線回折によるh-BN/Fe/Ni(111)の積層構造の評価

広大院理, 広大放射光^A

石井憲希, 多田野渉, 沢田正博^A, 生天目博文^A, 谷口雅樹^A

^●43

Investigation of the Phase Shift at the Interface of the Functional Organic Materials by Nonlinear Optical Method

Sch. of Materials Sci., Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.^A, Sch. of Electronics and Computer Sci., Univ. of Southampton, Southampton, U.K.^B, Dept. of Phys., Bangladesh Univ. of Eng. and Tech., Dhaka, Bangladesh^C, Dept. of Applied Phys., Nat’l. Defense Academy of Japan^D, Dept. of Phys., Nat’l. Defense Univ. of Malaysia, Kuala Lumpur, Malaysia^E

Muhammad Samir Ullah^{A, C}, Siti Zulaikha Ngah Demon^E, Kazuki Matsumoto^A, Yoshihiro Miyauchi^D, Khuat Thi Thu Hien^A, Goro Mizutani^A and Harvey Rutt^B

Si(111)-√7×√3-In表面上へのTCNQ吸着による表面構造相転移

福岡大工^A, Warwick大学^B

鈴木孝将^{A, B}, J. Lawrence^B, P. Blowey^B, G. Costantini^B

3次元パターン基板上の垂直Si側面構造のSTM観察

阪大産研^A, JST-さきがけ^B, 奈良先端大物質創成^C

服部梓^{A, B}, ^○楊昊宇^C, 大畑慧訓^C, 竹本昌平^C, 服部賢^C, 大門寛^C, 田中秀和^A

グラファイト (0001) 面上の芳香族炭化水素ジアルキル誘導体超薄膜の電子分光・STM観察

東京農工大院工, 東京農工大工^A, 東京農工大院BASE^B, ウシオケミックス^C

関川諒, 猪野貴士, 中川真輝人, 真田隼登^A, 尾崎弘行, 遠藤理, 荻野賢司^B, 大槻裕之^C, 岡本一男^C

エレクトロスプレー蒸着したDNA分子のSTM観察

横浜市大院生命ナノ

寺崎航平, 横山崇

レアメタルフリー磁性材料作成のためのパルスレーザー蒸着装置の安定化

東京理科大^A, Spring-8/JASRI^B

富田正樹^A, 落合順也^A, 斉藤真博^A, 鈴木雄太^A, 大河内拓雄^B, 小嗣真人^A

Ni-SiO系ホイスカー粒子の成長とその構造

東北学院大工

鈴木仁志

新しいガス蒸発法によるCaAl₂Si₂O₈ 煙微粒子の成長

立命館大理工

墻内千尋, 齋藤嘉夫

接合の接触過程で形成された金属単原子接点の破断電圧

京大工

若杉晋作, 黒川修, ^○酒井明

フォールディングしたグラフェンの電子状態

東工大理, 東工大物質理工

石綿慈, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

液滴法によるグラフェンの作製；遠心分離の効果

東工大総理工

高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

水素還元処理中の酸化マグネシウム微粒子表面の変化

九州シンクロトロン光研究セ, 産総研^A

小林英一, 阪東恭子^A, 岡島敏浩

Si(001)表面上の (擬)一次元Bi鎖の電子構造

千葉大院融合, 物材機構^A

尾田裕一, 山崎洸, 沈陽, 日塔光一^A, 三木一司^A, 坂本一之

Al₂O₃(0001)基板上のAg薄膜の脱濡れにおけるTiシード層の効果

東大生研, 芝浦工大^A, 韓国光云大^B

神子公男, 谷口公一^A, 弓野健太郎^A, 光田好孝, 河在根^B

音叉型水晶振動子を利用したグラファイト基板でのAFM探針のナノすべり測定

電通大基盤理工, 愛教大物理領域^A

鈴木達朗, 棚原翔平, 谷口淳子, 佐々木成朗, 鈴木勝, 石川誠^A, 三浦浩治^A

取　　消

^●59

Optical Second Harmonic Investigation of the Au/TiO₂ (320)Interface.

Sch. of Materials Sci., Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.^A, Sch. of Electronics and Computer Sci., Univ. of Southampton, England^B

Haque Md Ehasanul, Kobayshi Daiki, Tomatsu Yuki, Hien Khuat Thi Thu, Mizutani Goro, and Rutt Harvey

取　　消

^●61

Desorption activation energy of hydrogen from the Si (111)1×1: H surfaces studied by SFG and SHG spectroscopy

Sch. of Materials Sci., Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.^A, Dept. of Applied Phys., Nat’l. Defense Academy of Japan^B, Sch. of Electronics and Computer Sci., Univ. of Southampton, Southampton, U.K.^C

Md. Abdus Sattar^A, Kengo Yamabe^A, Khuat Thi Thu Hien^A, Yoshihiro Miyauchi^B, Goro Mizutani^A and Harvey N. Rutt^C

^●62

Time-resolved sum frequency generation of hydrogenated vicinal Si(111) surfaces

Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.^A, Dept. of Applied Phys., Nat’l. Defense Academy of Japan^B

Khuat Thi Thu Hien^A, Yoshihiro Miyauchi^B, Md. Abdus Sattar^A, Goro Mizutani^A

フェムト秒レーザーによるガラス基板上のFAS自己集積化分子膜の加工

北陸先端大マテリアルサイエンス研

趙越, 王藍瑶, Khuat Thi Thu Hien, 水谷五郎

非弾性電子分光法による鉄ナノコンタクト内の水素ダイナミクス解明

九大工, 東工大理工^A

梶原裕太, 高田弘樹, 家永紘一郎^A, 稲垣祐次, 河江達也

電気伝導測定を用いた金属ナノコンタクト中水素の共鳴トンネル現象の観測

九州大院工, 東工大理^A, 金沢大教育^B, 九州大院総理工^C

高田弘樹, 家永紘一郎^A, 梶原裕太, モハメドサイフルイスラム, 稲垣祐次, 辻井宏之^B, 橋爪健一^C, 河江達也

室温水素雰囲気中でのPd(110)における水素の挙動1

筑波大数物

庄司陸人, 生津達也, 宮城良世, 前田拓郎, 冨永正人, 山田洋一, 佐々木正洋

^●67

Effects of hydrogen and deuterium in vanadium constrictions

Dept. of Applied Quantum Phys., Kyushu Univ.^A, Dept. of Eng. Sci., Kyushu Univ.^B, Div. of Sci. Education, Kanazawa Univ.^C

M.S. Islam^A, H. Takata^A, Y. Ueno^A, Y. Inagaki^A, H. Tsujii^C, K. Hashizume^B, T. Kawae^A

水素終端Si(111)-(1×1)表面におけるFe原子の初期吸着状態のSTM観察

東北大院理, ポーランド科学アカデミー^A

川口諒, 江口豊明, 永田龍太郎, 芳賀健也, A. Wawro^A, 須藤彰三

Pd(210)表面に吸着した水素の脱離特性のCO共吸着による変化

東学大, 東大生研^A

木村奨吾, 松井太郎, 松本益明, 大野哲^A, 小倉正平^A, ビルデマーカス^A, 福谷克之^A

パラジウムへの水素吸収に対する分子の並進および回転運動効果

東大生研

大野哲, Ivanov Dmitry, 長塚直樹, Wilde Markus, 福谷克之

14日 AG会場　14aAG　9:00〜12:00

領域9
表面界面電子物性

セラソーム表面電子状態における置換基の影響

和歌山大シス工

小田将人

独立駆動型4探針装置を用いた有機半導体TIPS-PENの電界効果移動度の異方性測定

東大物性研, 奈良先端大物質創成^A

吉本真也, 高橋功太郎^A, 山田容子^A, 宮原亮介, 向井孝三, 吉信淳

酸化物表面・界面におけるラシュバ係数の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

山口直也, 石井史之^A

時間角度分解2光子光電子分光法によるGe(001)-c(4×2)表面非占有バンド構造の決定

阪大産研, 佐賀大^A

金崎順一, 山本勇^A, 東純平^A

水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察III：電圧依存性

東北大院理, AA&S^A, 東北大学際研^B

芳賀健也, 松下ステファン悠, 川本絵里奈, 松田卓也, 小方亨^A, 吾妻広夫^A, 伊藤隆^B, 須藤彰三

FePc吸着In/Si(111)表面の電子状態と電気伝導

京大院理

八田振一郎, 坂田直人, 奥山弘, 有賀哲也

休憩　（10:30〜10:45)

（招待講演）分割検出STEM法による材料界面解析

東大院工

柴田直哉

終端面を制御したSrTiO₃表面の金属状態

東大生研

小川翔平, 長塚直樹, 小倉正平, 福谷克之

アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態

名大未来研^A, 名大高等研^B, 名大院工^C, JST-CREST^D

洗平昌晃^{A, B, C, D}, 黒澤昌志^{A, B, C}, 大田晃生^{B, C}, 白石賢二^{A, C}

第一原理計算による全固体Liイオン電池のLiCoO₂正極/硫化物電解質界面のCo拡散の研究

物材機構, 京大ESICB^A, JSTさきがけ^B

春山潤, 袖山慶太郎^{A, B}, 高田和典, 館山佳尚^A

14日 AR会場　14aAR　9:00〜12:00

領域9
表面界面ダイナミクス

Pt(110), Pt_ML/Pd(110), Pt_ML/Ag(110)表面上における酸素解離反応

田中貴金属工業^A, 阪大院工^B

政広泰^A, 松谷耕一^A, 海江田武^A, 西崎允子^A, Bhume Chantaramolee^B, Paulus Himawan Lim^B, ^○岸田良^B, 国方伸一^B, Wilson Agerico Diño^B

HREELSによるPd₇₀Au₃₀(110)表面におけるブテンのH-D交換メカニズムの解明

東大生研, 東大物性研^A, 阪大院理^B

小倉正平, 大野哲, 向井孝三^A, 吉信淳^A, 岡田美智雄^B, 福谷克之

Cu(111)表面上におけるNOの吸着構造：三量体の自発的形成

京大院理

越田裕之, 奥山弘, 八田振一郎, 有賀哲也

低温STMによるCu(997)表面に吸着したCO₂分子の観察：選択的吸着と拡散

東大物性研

芳倉佑樹, 小板谷貴典, 塩澤佑一朗, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳

^●5

Oxygen adsorption on (111) surfaces of Pd, Pt and PtML/Pd

Tanaka Kikinzoku Kogyo, Osaka Univ.^A

Yasushi Masahiro, Koichi Matsutani, Takeshi Kaieda, Masako Nishizaki, ^○Bhume Chantaramolee^A, Paulus Himawan Lim^A, Ryo Kishida^A, Shinichi Kunikata^A, Wilson Agerico Diño^A

^●6

Molecular and Dissociative Adsorption of O₂ on Pt(001), PtAg(001), and PtML/Ag(001) Surfaces

Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K.^A, Osaka Univ.^B

Yasushi Masahiro, Koichi Matsutani, Takeshi Kaieda, Masako Nishizaki, Bhume Chantaramolee, ^○Paulus Himawan Lim, Ryo Kishida, Shinichi Kunikata, Wilson Agerico Diño

休憩　（10:30〜10:45)

MoS₂(0001)表面ドット内での摩擦によるフォノン分散

愛教大物理^A, 電通大先進理工^B

和田範之^A, 石川誠^A, 鈴木勝^B, 佐々木成朗^B, 三浦浩治^A

その場電子顕微鏡法によるSi/Si摩擦原子過程の観察

筑波大院数理, 日工大^A, 筑波大物質^B

音田光一, 福田めぐみ^A, 木塚徳志^B

^●9

Ionization of field evaporated atoms from first principles

Dept. of Phys., Tokyo Univ. of Sci.

Elena P. Silaeva, Kazuki Uchida, ^○Kazuyuki Watanabe

トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃における表面光起電力シフト

広島大院理, 東大物性研^A, ノヴォシビルスク大^B

吉川智己, 角田一樹, 石田行章^A, 陳家華, M. Nurmamat, K. Kokh^B, O. Tereshchenko^B, 辛埴^A, 木村昭夫

トポロジカル絶縁体(Sb,Bi)₂Te₃の非平衡キャリアダイナミクスの温度依存性

広大院理, 東大物性研^A, ノヴォシビルスク大^B

角田一樹, 石田行章^A, 吉川智己, 陳家華, M. Nurmamat, K. Kokh^B, O. Terescchenko^B, 辛埴^A, 木村昭夫

14日 AG会場　14pAG　13:30〜16:50

領域5，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：遷移金属酸化物表面・界面の新しい電子状態とその分光手法による解明

（シンポジウム講演）はじめに

東大物性研

和達大樹

（シンポジウム講演）強いスピン-軌道相互作用を持つ5d電子系界面

理研

松野丈夫

（シンポジウム講演）酸化物へテロ界面・表面の酸素配位環境の制御と機能

京大化研

菅大介

（シンポジウム講演）外場誘起相転移を示すVO2薄膜の実動作下X線回折

東北大多元研

奥山大輔

（シンポジウム講演）共鳴軟X線散乱によるMn酸化物薄膜の界面電子状態の研究

東大理

芝田悟朗

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）走査トンネル顕微鏡を用いたペロブスカイト酸化物表面の構造・電子状態研究

東工大物質理工

清水亮太

（シンポジウム講演）LaCoO3薄膜における表面電子秩序の観測

東大工

山崎裕一

（シンポジウム講演）酸化物量子井戸構造に誘起される新奇な2次元電子液体状態

高エネ研

組頭広志

（シンポジウム講演）まとめ

東大新領域

有馬孝尚

14日 AJ会場　14pAJ　13:30〜16:45

領域4，領域3，領域5，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：トポロジカル材料開発の新展開

（シンポジウム講演）はじめに

東北大金研

塩見雄毅

（シンポジウム講演）ディラック電子系磁性体EuMnBi2における異常磁気伝導と量子ホール効果

阪大理物

酒井英明

（シンポジウム講演）超伝導体β-PdBi2におけるトポロジカル表面状態の観測

東大物性研

坂野昌人

（シンポジウム講演）単元素トポロジカル物質αスズ薄膜の電子状態制御とスピントロニクス応用

阪大生命

大坪嘉之

（シンポジウム講演）３次元グラフェンの合成と物性評価およびデバイス応用

東北大WPI-AIMR

伊藤良一

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）らせん結晶Teにおける電流誘起磁化及びトポロジカル相

東工大理物

横山毅人

（シンポジウム講演）ラインノードディラック半金属CaAgX(X=P,As)の提案と実現

名大工

山影相

（シンポジウム講演）ワイルモット絶縁体 --- Ir酸化物における発現の可能性

カリフォルニア大学

森本高裕

14日 AP会場　14pAP　13:30〜17:30

領域3，領域9合同
表面・界面磁性（合同セッション）

スピン模型による磁気異方性の有限温度特性に対する表面効果の解析

物材機構^A, 東大理^B, 東大物性研^C, 産総研^D, 東北大工^E, ESICMM^F

栂裕太^{A, F}, 土居抄太郎^{C, F}, 松本宗久^{A, F}, 宮下精二^{B, F}, 赤井久純^{C, F}, 三宅隆^{D, F}, 佐久間昭正^E

第一原理計算による微量元素添加型Nd₂Fe₁₄Bの磁気異方性解析

東大院理 ESICMM^A, 東大物性研^B, 東工大物質理工^C

立津慶幸^A, 常行真司^{A, B}, 合田義弘^{A, C}

Mn/Fe超薄膜ヘテロ構造の原子構造と電子・磁気状態

東大物性研, NHK放送技研^A

中島脩平, 高橋文雄, 河村紀一^A, 宮町俊生, 小森文夫

共鳴X線磁気散乱測定によるFe/Pt多層膜のPt層に誘起された磁気構造の評価II

奈良先端大物質

李美希, ^○細糸信好, 吉田明弘, 小西卓, 武智亮太

Co₂FeGeホイスラー合金/Agエピタキシャル多層膜の界面構造・界面磁性評価

名工大工

田中雅章, 中谷規之介, 壬生攻

Au(111)基板上Coの磁気異方性エネルギーの被覆率依存性：スピン偏極STMによる研究

東北大多元研

岡博文, Mishra Puneet, 斉志坤, 米田忠弘

Ag(111)表面上に物理吸着した酸素分子の磁性

東大物性研, 理研

山本駿玄, 吉田靖雄, 今田裕, 金有洙, 長谷川幸雄

休憩　（15:15〜15:30)

Fe|MgO界面ジャロシンスキー守谷相互作用の電圧変調に対するPt単原子層挿入効果

阪大院基礎工^A, 産総研スピン^B

縄岡孝平^A, 三輪真嗣^A, 野崎隆行^B, 後藤穣^A, 湯浅新治^B, 鈴木義茂^A

Fe/NiO界面における酸素移動とFeの磁気モーメント変化

高エ研物構研

酒巻真粧子, 雨宮健太

Pt/Co/Pt薄膜へのレーザー照射による面直磁化の発現機構の解明

高エ研物構研

雨宮健太, 酒巻真粧子

鉄窒化物単原子層膜のマクロな強磁性に原子欠陥が与える影響

東大物性研, MPI Halle^A, 分子研^B, 総研大^C

高橋文雄, 宮町俊生, 中島脩平, Antonov Victor^A, 高木康多^{B, C}, 魚住まどか^{B, C}, 横山利彦^{B, C}, Ernst Arthur^A, 小森文夫

スピン偏極STMを用いたW(110)上のMn薄膜における詳細ならせん磁気構造の決定

東大物性研

土師将裕, 吉田靖雄, 長谷川幸雄

スピン偏極STMによる強磁性Coナノアイランドのスピン分解バンド構造の測定

東北大多元研

岡博文, 米田忠弘

^●14

Mechanism of oxidation resistance of Ni by graphene using DFT -vdW methods

Tenure Track Program for Innovative Res. and Sch. of Eng., Univ. of Fukui

Mary Clare Sison Escano, Ryuki Onoda

遷移金属超薄膜中に量子井戸状態に起因して生じた自発歪みと強磁性II

慶大理工, 島根大総合理工^A, JASRI/SPring-8^B

櫻木俊輔, 影島博之^A, 田尻寛男^B, 糸谷良, 佐藤徹哉

14日 JB会場　14pJB　13:00〜16:35

領域9，領域3，領域5，領域7，領域8，領域10合同シンポジウム
主題：材料研究が拓く界面・不均一系の物性科学

（シンポジウム講演）はじめに

東大院理

常行真司

（シンポジウム講演）永久磁石の保磁力問題制覇への界面物性科学の役割

物材機構 CMSM

広沢哲

（シンポジウム講演）Nd-Fe-B焼結磁石の放射光解析による構造と粒界磁性研究の進展

JASRI

中村哲也

（シンポジウム講演）特異なイオン状態やドーピングを利用した新規電子材料開発

東工大MCES

神谷利夫

（シンポジウム講演）電子セラミックスの複雑な微細構造・界面構造の理解と制御に挑む

物材機構RCFM

大橋直樹

（シンポジウム講演）金属材料における塑性変形の素過程

京大工・材料工学

田中功

（シンポジウム講演）Mg合金における溶質原子のクラスター化の原子論的モデリング

阪大基礎工

君塚肇

休憩　（15:05〜15:15)

（シンポジウム講演）新規メカニズムに基づく触媒・電池材料の創成

京大工・分子工学

田中庸裕

（シンポジウム講演）二次電池電解液・電極界面の計算材料科学

物材機構GREEN

館山佳尚

（シンポジウム講演）情報統合型物質・材料研究の課題と現状

物材機構CMI²

寺倉清之

（シンポジウム講演）物質・材料研究におけるデータ科学

東大新領域

津田宏治

15日 AR会場　15aAR　9:00〜12:30

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ, グラフェン・ナノシート

金ナノ接点の電気的・力学的特性の同時測定およびその解析

金沢大院自然, 北陸先端大院^A

村上拓, 橋本遼太, 石塚慧介^A, 大島義文^A, 富取正彦^A, 新井豊子

周波数変調原子間力顕微鏡を組み込んだ透過型電子顕微鏡による金ナノ接点の力学特性の計測

北陸先端大マテリアル, 金沢大院自然^A

石塚慧介, 村上拓^A, 橋本遼太^A, 大島義文, 富取正彦, 新井豊子^A

パルス通電時のタングステンナノ接点のその場電子顕微鏡観察

筑波大院数理, 筑波大物質^A

鈴木泰周, 木塚徳志^A

パルス通電時のモリブデンナノ接点のその場電子顕微鏡観察

筑波大応理, 筑波大院数理^A, 筑波大物質^B

中西真之, 鈴木泰周^A, 木塚徳志^B

亜鉛ナノ接点の引き伸ばしによるナノワイヤー成長

筑波大院数理, 筑波大物質^A

山邉冠夢, 木塚徳志^A

^●6

大規模第一原理計算によるSi/Geコアシェルナノワイヤの構造と電子状態に対する研究II

物材機構^A, ロンドン大学（UCL）^B

林建波^A, D. R. Bowler^B, 宮崎剛^A

休憩　（10:30〜10:45)

全反射高速陽電子回折による金属基板上のグラフェンへのPd吸着の研究

原子力機構先端基礎研^A, 量研機構先端機能材料^B, 高エネ研物構研^C

深谷有喜^A, 圓谷志郎^B, 境誠司^B, 望月出海^C, 兵頭俊夫^C, 社本真一^A

第一原理計算によるグラフェン格子欠陥担持Ptクラスターの解析

阪大院工

濱本雄治, Sasfan Arman Wella, 稲垣耕司, 森川良忠

グラフェン上での非金属原子の吸着状態

北大院工エネマテ

國貞雄治, 坂口紀史

^●10

Tuning graphene electronic properties with substrate interface structure

Kyushu Univ.^A, Toyota Technological Inst.^B

Anton Visikovskiy^A, Takashi Kajiwara^A, Masamichi Yoshimura^B, Satoru Tanaka^A

アルコールCVD法を用いた絶縁体基板上へのナノカーボンの生成

横市大院生命ナノ

辻本茉里奈, 村田秀信, 橘勝

6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について

東大物性研, 東工大総理工^A, 東工大理学院^B, 九大院工^C, 高エネ研^D

飯盛拓嗣, 中辻寛^A, 宮町俊生, 家永紘一郎^B, 豊久宗玄, 福間洸平^C, 森田康平^C, 林真吾^C, 梶原隆司^C, Anton Visikovsliy^C, 田中悟^C, 間瀬一彦^D, 小森文夫

In situ 極低温四端子電気伝導測定によるSiC上2層グラフェンの量子輸送特性

東大理, 東北大院理^A, 東北大WPI^B, 東北大金研^C

遠藤由大, 一ノ倉聖, 鈴木克郷^A, 菅原克明^B, 秋山了太, 高山あかり, 高橋隆^{A, B}, 長谷川修司, 野村健太郎^C

15日 BA会場　15aBA　9:15〜12:15

領域9
結晶成長

表面拡散場中のステップの不純物による形態変化

金大IMC

佐藤正英

寒天平板上におけるNaCl結晶の周期的先端分岐パターン

中大理工, 早大理工^A

脇田順一, 今井景佑, 山本健, 山崎義弘^A

粉砕による結晶カイラリティ転換における不純物効果II

立命館大理工, 愛工大自然^A

勝野弘康, 上羽牧夫^A

V字型容器での沈降法によるコロイド粒子の結晶化

金大IMC

佐藤正英

グリコール酸イオンによるTiO₂ルチル結晶形態制御メカニズムの分子動力学シミュレーション研究

産総研, 東北大多元研^A

灘浩樹, 小林亮^A, 垣花眞人^A

休憩　（10:30〜10:45)

（招待講演）異なる移動速度の粒子供給源が作る２つの同一周期櫛状パターンについて

金沢大

佐藤正英

氷結晶表面での単位ステップの成長速度と間隔のその場計測

北大低温研

猪股将弘, 長嶋剣, 村田憲一郎, 佐崎元

脂質分子間化合物における等温結晶化キネティクスの温度依存性

広大院総科, 広大院生物圏^A

生駒龍一, 田口健, 戸田昭彦, 上野聡^A, 佐藤清隆^A

水素終端Si(111)-(1×1)表面上のAgナノクラスターの成長過程III：蒸着速度依存性

東北大院理, 日本電子^A

姜正敏, 川本絵里奈, 松下ステファン悠, 芳賀健也, 金川詩野, 加藤大樹^A, 須藤彰三

In-situ observation of the photoconversion of organic thin films

東京学芸大, 産総研^A, 奈良先端大^B, KEK-PF^C

Voegeli Wolfgang, 荒川悦雄, 白澤徹郎^A, 鈴木充朗^B, 山田容子^B, 高橋敏男, 松下正^C

15日 JB会場　15pJB　13:30〜16:45

領域9シンポジウム
主題：表面界面ナノ構造のその場観察

（シンポジウム講演）イントロダクション

原子力機構先端基礎研

深谷有喜

（シンポジウム講演）強磁性金属薄膜における磁性の電界効果

東大物工

千葉大地

（シンポジウム講演）環境制御透過型電子顕微鏡による液中試料観察

東京農工大・工

箕田弘喜

（シンポジウム講演）放射光軟X線光電子分光法を用いた表面キャリア・分子ダイナミクス研究

東大物性研

山本達

（シンポジウム講演）氷表面上における擬似液体層の濡れダイナミクス：顕微鏡その場観察による擬似液体層の物性測定

北大低温研

村田憲一郎

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）高速AFMによる生体分子ダイナミクスのその場観察

金沢大理工

内橋貴之

（シンポジウム講演）フェムト秒時間領域におけるプラズモン波束の変形と崩壊

筑波大数理物質

久保敦

（シンポジウム講演）高分解能コヒーレントX線回折イメージング：ナノ構造のその場観察を目指して

阪大工

高橋幸生

16日 AJ会場　16aAJ　9:00〜12:15

領域9
表面界面電子物性

非接触原子間力顕微鏡におけるエネルギー散逸機構の研究

金大院自然, 北陸先端大院^A

稲村竜, 富取正彦^A, 新井豊子

準粒子干渉の圧縮センシングと交差検証法

東大総合文化, 東大物性研^A, 東大新領域^B

中西（大野）義典, 土師将裕^A, 吉田靖雄^A, 福島孝治, 長谷川幸雄^A, 岡田真人^B

NbSe₂の超低温・面内強磁場におけるSTM/STS

東大物性研, 筑波大数理物質^A

蛯沢貴, 土師将裕, 吉田靖雄, 寺尾耕太郎^A, 柏木隆成^A, 門脇和男^A, 長谷川幸雄

表面において誘起される軌道秩序の実空間観察

東大物性研, シンガポール国立大^A, 国立清華大^B, 原子力機構先端基礎セ^C, カリフォルニア大アーバイン^D

吉田靖雄, Howon Kim, Chi-Cheng Lee^A, Tay-Rong Chang^B, Horng-Tay Jeng^B, Hsin Lin^A, 芳賀芳範^C, 立岩尚之^C, Zachary Fisk^{C, D}, 長谷川幸雄

Si(111)-1x1-Tl表面上に作製したTl単原子層における超伝導

東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Sch. of Nat. Sci., Far Eastern Federal Univ.^B, Dept. of Electronics, Vladivostok State Univ. of Economics and Service^C

一ノ倉聖, Leonid V. Bondarenko^{A, B}, Alexandra Y. Tupchaya^{A, B}, Dimitry V. Gruznev^{A, B}, Andrey V. Zotov^{A, B, C}, Alexander A. Saranin^{A, B}, 秋山了太, 長谷川修司

Pb/Ge(111)超薄膜における電子構造および輸送特性の膜厚依存性

東大理, 佐賀大SLセ^A

高山あかり, 遠藤由大, Fan Di, 今村真幸^A, 高橋和敏^A, 長谷川修司

休憩　（10:30〜10:45)

InSb(001)基板上に作製したBi薄膜の1次元的な表面電子状態II

阪大理^A, 阪大生命^B, 東大物性研^C

岸潤一郎^A, 大坪嘉之^B, 矢治光一郎^C, 原沢あゆみ^C, 小森文夫^C, 辛埴^C, 木村真一^{A, B}

Ir(111)c4x2ｰPb表面のスピン電子状態

広大放射光セ, 東工大院総合理工^A, 広大院理^B, 東大新領域^C, 物材機構^D

奥田太一, 奥田悠貴^A, 宮本幸治, 角田一樹^B, 田口一暁^B, Wu Shilong, 吉川智己^B, 高木紀明^C, 荒船竜一^D

^●9

Line shape analysis of the 1-D metallic band of Au-induced atomic chains on vicinal Si(001)

Grad. Sch. of Sci., Kyoto Univ.

P. Thomas, N. Kawai, S. Hatta, H. Okuyama, T. Aruga

シリコン表面の角度分解非弾性散乱分光

奈良先端大, 電通大^A

武田さくら, 江波戸達也, Artoni Kevin Roquero Ang, 坂田智裕^A, 大門寛

Si(001)-2×1表面電子構造に及ぼす歪みの効果III

琉球大理, 奈良先端大^A, 産総研^B

稲岡毅, 武田さくら^A, 白澤徹郎^B

CeO₂, ZrO₂, Al₂O₃ 表面上のAu, Pt, Ru吸着の密度汎関数法計算

鳥取大工, 工学院大工^A

石井晃, 松井優, 奥村和^A

16日 AR会場　16aAR　9:00〜12:15

領域9
表面ナノ構造量子物性・表面界面構造

STMによるAu表面上に吸着したスマネン分子の吸着構造および動的制御

東工大院理

藤井慎太郎, ^○木口学

^●2

Atomic and Electronic Structures of Single Oxygen Molecular Junction with Au, Ag and Cu Electrodes

Tokyo Tech

Yu Li, Satoshi Kaneko, Manabu Kiguchi

メカノクロミック分子の伝導度スイッチ現象の計測

東工大院理, 東工大化生研^A

小池将人, 藤井慎太郎, 木口学, 庄子良晃^A, 福島孝典^A

マイクロプローブホール電界イオン顕微鏡を用いたW(112)面上の局所領域の電子状態分析

大阪市大院工

森岡遼太郎, 太田康, 小林中

電界イオン顕微鏡における単一原子位置の輝点形成に及ぼす周辺原子配列の影響

大阪市大院工

脇村竜也, 太田康, 小林中

カルコパイライト型磁性半導体の熱電物性の理論計算

筑波大院数物^A, 物材機構^B, NEC^C

高木博和^{A, B}, 小林一昭^B, 下野昌人^B, 小林伸彦^A, 広瀬賢二^C, 辻井直人^B, 森孝雄^B

探針のつくる力場中のCO分子の振動分光

金沢大理工, レーゲンスブルグ大^A, リンナエウス大^B

岡林則夫, Angelo Peronio^A, Magnus Paulsson^B, Alexander Gustafsson^B, 新井豊子, Franz J. Giessibl^A

休憩　（10:45〜11:00)

Si(001)基板上のβ-FeSi₂(100)ナノカーペットの成長機構

奈良先端大物質創成, 東レリサーチセ^A, チェコ科学アカデミー^B

服部賢, 染田政明, 広田望, 太田啓介, 竹本昌平, 楊昊宇, 大門寛, 久留島康輔^A, 大塚祐二^A, Oleksandr Romanyuk^B

Si(001)基板上のβ-FeSi₂(100)ナノカーペットの歪み評価

奈良先端大物質創成, 阪大産研^A

竹本昌平, 石田拓也, 中尾公輝, 楊昊宇, 染田政明, 服部賢, 大門寛, 服部梓^A, 田中秀和^A

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)による方位角プロットをもちいた構造解析

高エネ機構, 原子力機構先端基礎^A, 量子機構^B

望月出海, 深谷有喜^A, 和田健^B, 一宮彪彦, 兵頭俊夫

巨大単一分子STM観察のためのエレクトロスプレー蒸着法の構築

横浜市大院生命ナノ

横山崇, 小暮勇太, 川崎光徳, 林云, 寺崎航平

ポルフィセン単分子の非接触原子間力顕微鏡イメージングおよび力分光

物材機構

清水智子, クスタンセオスカル

一般社団法人 日本物理学会 2016年秋季大会 The 2016 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域9

13日 AG会場 13aAG 9:00〜12:15

領域9表面界面電子物性・トポロジカル表面

休憩 （10:30〜10:45)

13日 AR会場 13aAR 9:00〜12:30

領域9表面界面構造

休憩 （10:30〜10:45)

13日 BA会場 13aBA 9:15〜12:00

領域9ナノ結晶・クラスタ，水素ダイナミクス

休憩 （10:30〜10:45)

13日 PSB会場 13pPSB 15:30〜17:30

領域9領域9ポスターセッション

14日 AG会場 14aAG 9:00〜12:00

領域9表面界面電子物性

休憩 （10:30〜10:45)

14日 AR会場 14aAR 9:00〜12:00

領域9表面界面ダイナミクス

休憩 （10:30〜10:45)

14日 AG会場 14pAG 13:30〜16:50

領域5，領域8，領域9合同シンポジウム主題：遷移金属酸化物表面・界面の新しい電子状態とその分光手法による解明

休憩 （15:15〜15:30)

14日 AJ会場 14pAJ 13:30〜16:45

領域4，領域3，領域5，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム主題：トポロジカル材料開発の新展開

休憩 （15:15〜15:30)

14日 AP会場 14pAP 13:30〜17:30

領域3，領域9合同表面・界面磁性（合同セッション）

休憩 （15:15〜15:30)

14日 JB会場 14pJB 13:00〜16:35

領域9，領域3，領域5，領域7，領域8，領域10合同シンポジウム主題：材料研究が拓く界面・不均一系の物性科学

休憩 （15:05〜15:15)

15日 AR会場 15aAR 9:00〜12:30

領域9ナノチューブ・ナノワイヤ, グラフェン・ナノシート

休憩 （10:30〜10:45)

15日 BA会場 15aBA 9:15〜12:15

領域9結晶成長

休憩 （10:30〜10:45)

15日 JB会場 15pJB 13:30〜16:45

領域9シンポジウム主題：表面界面ナノ構造のその場観察

休憩 （15:15〜15:30)

16日 AJ会場 16aAJ 9:00〜12:15

領域9表面界面電子物性

休憩 （10:30〜10:45)

16日 AR会場 16aAR 9:00〜12:15

領域9表面ナノ構造量子物性・表面界面構造

休憩 （10:45〜11:00)

一般社団法人日本物理学会　2016年秋季大会
The 2016 Autumn Meeting

13日 AG会場　13aAG　9:00〜12:15

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面

休憩　（10:30〜10:45)

13日 AR会場　13aAR　9:00〜12:30

領域9
表面界面構造

休憩　（10:30〜10:45)

13日 BA会場　13aBA　9:15〜12:00

領域9
ナノ結晶・クラスタ，水素ダイナミクス

休憩　（10:30〜10:45)

13日 PSB会場　13pPSB　15:30〜17:30

領域9
領域9ポスターセッション

14日 AG会場　14aAG　9:00〜12:00

領域9
表面界面電子物性

休憩　（10:30〜10:45)

14日 AR会場　14aAR　9:00〜12:00

領域9
表面界面ダイナミクス

休憩　（10:30〜10:45)

14日 AG会場　14pAG　13:30〜16:50

領域5，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：遷移金属酸化物表面・界面の新しい電子状態とその分光手法による解明

休憩　（15:15〜15:30)

14日 AJ会場　14pAJ　13:30〜16:45

領域4，領域3，領域5，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：トポロジカル材料開発の新展開

休憩　（15:15〜15:30)

14日 AP会場　14pAP　13:30〜17:30

領域3，領域9合同
表面・界面磁性（合同セッション）

休憩　（15:15〜15:30)

14日 JB会場　14pJB　13:00〜16:35

領域9，領域3，領域5，領域7，領域8，領域10合同シンポジウム
主題：材料研究が拓く界面・不均一系の物性科学

休憩　（15:05〜15:15)

15日 AR会場　15aAR　9:00〜12:30

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ, グラフェン・ナノシート

休憩　（10:30〜10:45)

15日 BA会場　15aBA　9:15〜12:15

領域9
結晶成長

休憩　（10:30〜10:45)

15日 JB会場　15pJB　13:30〜16:45

領域9シンポジウム
主題：表面界面ナノ構造のその場観察

休憩　（15:15〜15:30)

16日 AJ会場　16aAJ　9:00〜12:15

領域9
表面界面電子物性

休憩　（10:30〜10:45)

16日 AR会場　16aAR　9:00〜12:15

領域9
表面ナノ構造量子物性・表面界面構造

休憩　（10:45〜11:00)