一般社団法人日本物理学会 2016年秋季大会　2016 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域4

13日 AB会場　13aAB　9:30〜12:15

領域4
量子ホール効果

ホットエレクトロン分光法による量子ホールエッジチャネルにおけるエネルギー緩和過程の観測

東工大, NTT物性基礎研^A

太田智明, 橋坂昌幸, 村木康二^A, 藤澤利正

並走エッジ状態における空間的に分離された電荷・スピン波束の観測

東工大理物, NTT物性基礎研^A

橋坂昌幸, 檜山直晃, 秋保貴史^A, 村木康二^A, 藤澤利正

非平衡量子伝導解明のための極低温高周波測定系の構築

阪大理^A, パリ南大^B

則元将太^A, 横井雅彦^A, 岩切秀一^A, Meydi Ferrier^{A, B}, 荒川智紀^A, 新見康洋^A, 小林研介^A

整数充填率近傍に見られる高周波伝導率の共鳴ピーク

東大物性研

遠藤彰, 小池啓太, 梶岡利之, 勝本信吾, 家泰弘

休憩　（10:30〜10:45)

電荷敏感型赤外光検出器とグラフェン研究への応用

農工大院工, 東大生研^A, 情通機構^B, 東大院総合^C

中川大輔, 橘田脩平, 生嶋健司, 金鮮美^A, Mikhail Patrashin^B, 梶原優介^A, 小宮山進^{B, C}

ディラック粒子系における分数量子ホール状態の質量項依存性

東北大理, 仙台高専^A

世永公輝, 長谷部一気^A, 柴田尚和

カゴメ格子上の分数量子ホール効果とチャーン数

筑波大数理, NIMS^A

工藤耕司, 苅宿俊風^A, 初貝安弘

Mg_xZn_1-xO/ZnOヘテロ構造を用いた二次元電子系/超伝導接合

東大院工, マックスプランク研^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C, JSTさきがけ^D

小塚裕介, 阪口敦史, Aswin V, Falson Joseph^A, Maryenko Denis^B, 打田正輝, 塚崎敦^{C, D}, 川崎雅司^B

量子ホール効果ブレークダウン抵抗検出NMRを用いた二次元電子のスピン偏極度の測定

東北大理

東田怜依, 橋本克之, 白井翔太, 平山祥郎

2倍共鳴周波数による核スピン共鳴マッピング

東北大理

橋本克之, 冨松透, 谷中俊宥, 佐藤健, 平山祥郎

13日 AM会場　13aAM　9:00〜12:15

領域4
ワイル半金属
（電場・磁場応答）

ワイル半金属における表面垂直磁場による電気伝導の消失効果

東北大理

五十嵐聡, 越野幹人

ワイル半金属の磁場中電気伝導 --- chiral anomalyとトポロジカル表面状態の効果

東北大金研, 東北大理^A

大湊友也, 越野幹人^A

Weyl半金属における創発電磁場に由来する非線形応答

東大工^A, 中央大理^B, 東大理^C, 理研CEMS^D

石塚大晃^A, 早田智也^B, 上田正仁^{C, D}, 永長直人^{A, D}

ワイル半金属の電場応答に対するベリー位相効果

東大工, 理研 CEMS^A

菊竹航, 石塚大晃, 江澤雅彦, 永長直人^A

ワイル半金属における磁壁構造によるランダウ量子化とフェルミアーク状態

東北大金研^A, 東北大学際研^B

荒木康史^{A, B}, 吉田光秀^A, 野村健太郎^A

ワイル半金属における磁壁配位と局所電荷密度

東北大金研^A, 東北大学際研^B

吉田光秀^A, 荒木康史^{A, B}, 野村健太郎^A

休憩　（10:30〜10:45)

磁性ワイル半金属接合系における量子伝導

東北大金研

大湊友也, 小林浩二, 野村健太郎

磁気ドープしたディラック・ワイル半金属における磁気転移

東北大金研

大湊友也, 野村健太郎

ワイル半金属における異常スピン電磁応答

東北大金研

紅林大地, 野村健太郎

乱れのあるワイル半金属における異方的磁気伝導

東北大金研

小林浩二, 大湊友也, 野村健太郎

ワイル半金属におけるLifshitz tailの数値的研究II：有限サイズ効果

上智大理工, 東北大金研^A

伊藤周作, 大槻東巳, 小林浩二^A

3次元Dirac電子系アンチペロブスカイト酸化物Sr₃PbOにおけるカイラル異常誘起の負の縦磁気抵抗効果

東大理^A, マックス・プランク研^B

末次祥大^A, 葉山慶平^A, A.W. Rost^B, J. Bruin^B , C. Muhle^B, J. Nuss^B, 高木英典^{A, B}

13日 BH会場　13aBH　9:00〜12:45

領域4
微小接合

微小な冷却機における電流、熱流の揺らぎと成績係数の時間依存性

三重大院工

岡田大輝, 内海裕洋

強磁性ドットをもつ固体量子もつれ生成構造における電流および電流ゆらぎ交差相関の完全計数統計理論

奈良女大院, 大阪物療大^A

金井友希美, 澤村百合, 三畑萌, 稲垣剛^A, 岩渕修一

電荷－位相双対性に基づく超伝導ナノ細線電荷センサーの理論

産総研, 京大理^A, 筑波大数理物質^B

川畑史郎, 田口真彦^A, 都倉康弘^B

リング構造を持つ多端子ジョセフソン接合におけるアンドレーエフスペクトル

東大物性研^A, デルフト工科大^B, コンスタンツ大^C

横山知大^{A, B}, J. Rautringer^C, W. Belzig^C, Y. V. Nazarov^B

超伝導近接効果による異常なマイスナー効果

東工大理, NUST^A

横山毅人, Espedal Camilla^A, Linder Jacob^A

磁性体/トリプレット超伝導体接合における異常ジョセフソンホール効果

東工大理

横山毅人

休憩　（10:30〜10:45)

強磁性半導体(In,Fe)Asにおける超伝導電流

東大物性研, 東大工^A, スピントロニクス連携研究教育セ^B

中村壮智, 岩崎優, Le Duc Anh^A, 橋本義昭, 大矢忍^{A, B}, 田中雅明^{A, B}, 勝本信吾

Al-InAs量子井戸ヘテロ構造から作製した超伝導接合の輸送特性

東大工, 理研^A, カリフォルニア大学^B

松尾貞茂, 馬場翔司, 上田健人, 鎌田大^A, 館野瑞樹, Joon Sue Lee^B, Borzoyeh Shojaei^B, Chris Palmstrom^B, 樽茶清悟^A

弾道領域のグラフェンジョセフソン接合における超伝導流

東大工^A, JSTさきがけ^B, 米アパラチア州立大物理^C, 米Duke大物理^D, 物材機構^E, 理研CEMS^F

Ivan V. Borzenets^A, ^○山本倫久^{A, B}, François Amet^C, Chung-Ting Ke^D, 渡邊賢司^E, 谷口尚^E, 樽茶清悟^{A, F}, Gleb Finkelstein^D

超伝導ナノコンタクトにおける局所温度計測 IV

筑波大数理

柴田倖宏, 大塚洋一

^●11

1次元微小Josephson接合列の高周波印加に伴う直流特性変化

電通大情報理工

Godwill Mbiti Kanyolo, 水柿義直, 島田宏

微小Josephson接合列による超伝導単一電子トランジスタからの輻射検出

電通大情報理工

西垣宏志, Godwill Mbiti Kanyolo, 水柿義直, 島田宏

容量結合した微小ジョセフソン接合列におけるトンネル伝導

電通大情報理工

松戸広太, 西垣宏志, 水柿義直, 島田宏, 石田千尋

超伝導転移温度に対する制御された散逸の影響

阪大院理

山田康博, 小川哲生

13日 AG会場　13pAG　13:40〜17:10

領域5，領域4，領域8合同シンポジウム
主題：光が切り開く新しい時空間観測技術

（シンポジウム講演）趣旨説明

東芝研開セ

石田邦夫

（シンポジウム講演）単一サイクル赤外強電場が拓く超高速電子相転移

東北大理（実験）

岩井伸一郎

（シンポジウム講演）テラヘルツ領域の時空間分解技術の現状と今後の展開

京大理

田中耕一郎

（シンポジウム講演）多電子系の過渡電荷スピン構造とその制御

東北大理（理論）

石原純夫

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）コヒーレントパルス透過電子顕微鏡の光励起および緩和過程観察への応用

名大未来材料・システム研

桑原真人

（シンポジウム講演）フェムト秒時間・角度分解光電子分光法による超高速キャリア緩和過程の多次元イメージング

阪大産研

金崎順一

（シンポジウム講演）時間分解ＳＴＭによる局所ダイナミクス分光の現状と展開

筑波大数理物質

重川秀実

（シンポジウム講演）まとめ

東工大理学院

腰原伸也

13日 AM会場　13pAM　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル絶縁体および超伝導体
（理論）

取　　消

3次元トポロジカル超伝導体・超流動体における熱的なカイラル磁気効果

テキサス大学オースティン校

関根聡彦

取　　消

量子異常ホール絶縁体を用いた制御可能なφ-ジョセフソン接合

北大院工

櫻井啓明, 池谷聡, 浅野泰寛

Topology of nonsymmorphic crystalline insulators and superconductors: Mobius twist in surface states

イリノイ大, 京大基研^A, 信州大^B

塩崎謙, ^○佐藤昌利^A, 五味清紀^B

NS接合におけるコンダクタンスの量子化と指数定理

北大院工

池谷聡, 浅野泰寛

休憩　（15:00〜15:15)

古典系のトポロジカル状態における散逸の効果

NIMS

苅宿俊風

1次元鎖のトポロジカルな性質とエッジ状態

筑波大数理物質^A, NTT物性科学基礎研^B

武井皐^A, 都倉康弘^{A, B}

トポロジカルエッジモット状態の発現

京大理

吉田恒也, 川上則雄

時間反転対称性と鏡映対称性によって守られたトポロジカル結晶磁性体

東大物工, MIT物理^A

渡辺悠樹, Liang Fu^A

ステップ構造を有する弱いトポロジカル絶縁体の電気伝導特性

広大院先端

有田貴志, 高根美武

トポロジカル端状態と境界条件

阪大理, 慶應大日吉物理^A

橋本幸士, ^○木村太郎^A, 吴熙

artificial spin iceにおける整数量子マグノンホール状態のプラトー間相転移

北京大物理^A, 上智大物理^B

徐宝龍^A, 大槻東巳^B, 進藤龍一^A

13日 BH会場　13pBH　13:30〜17:15

領域4
量子細線・量子ドット

Gate-all-around構造InAsナノワイヤFETにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート制御

NTT物性基礎研^A, 東北大理^B

高瀬恵子^A, 芦川耶眞登^{A, B}, 章国強^A, 舘野功太^A, 佐々木智^{A, B}

架橋型InAs量子細線におけるバリスティック伝導特性

理研CEMS^A, 東大工^B, 北京大^C, ルンド大^D, 阪大産研^E

鎌田大^{A, B}, R. S. Deacon^A, 松尾貞茂^B, 馬場翔二^B, K. Li^C, H. Q. Xu^{C, D}, 大岩顕^E, 樽茶清悟^{A, B}

InAsナノワイヤー/Pb三端子接合における量子輸送特性

東大工^A, Basel大^B, Copenhagen大^C, 理研CEMS^D

馬場翔二^A, C. Juenger^B, A. Baumgartner^B, J. Nygard^C, C. Shoenenberger^B, 樽茶清悟^D

InAs二次元電子系におけるI-V非線形性の観測

東大物性研

工藤貴史, ^○岩崎優, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾

磁場中の量子ポイントコンタクトにおける電子状態と電気伝導

茨大工, 理研^A

青野友祐, 川村稔^A, 大野圭司^A, 小峰啓史

強相関ワイヤにおける伝導度

産総研

尾崎順一, 浅井美博

休憩　（15:00〜15:15)

近藤効果が発現する量子ドットにおける励起スペクトル

阪大理物^A, パリ南大^B, 東大物性研^C, 大阪市大理^D

秦徳郎^A, Meydi Ferrier^{A, B}, 荒川智紀^A, 小林研介^A, Raphaëlle Delagrange^B, Richard Deblock^B, Hélène Bouchiat^B, 阪野塁^C, 寺谷義道^D, 小栗章^D

カーボンナノチューブ量子ドットにおける近藤効果：スピン軌道相互作用とHund結合の影響

大阪市大理, 東大物性研^A, 阪大理^B, パリ南大^C

寺谷義道, 小栗章, 阪野塁^A, Meydi Ferrier^{B, C}, 荒川智紀^B, 秦徳郎^B, 小林研介^B

SU(N)-M電子近藤singlet状態の局所電子分布

大阪市大理, 東大物性研^A, 阪大理^B, パリ南大^C

小栗章, 寺谷義道, 阪野塁^A, Meydi Ferrier^{B, C}, 荒川智紀^B, 秦徳郎^B, 小林研介^B

局所フェルミ流体のベル相関と完全計数統計

物性研, 大阪市大理^A, 慶大理工^B

阪野塁, 小栗章^A, 西川裕規^A, 阿部英介^B

カーボンナノチューブの離散準位と谷状態の角運動量

東北大理, 慶大理工^A, 名大工^B, 名大高等研究院^C

泉田渉, 奥山倫^A, 山影相^{B, C}, 齋藤理一郎

カーボンナノチューブ量子ドット中の少数電子状態

慶大理工

奥山倫, 岩崎諄, 江藤幹雄

カーボンナノチューブ量子ドットにおけるコトンネリングと電流揺らぎ

慶大理工

岩崎諄, 奥山倫, 江藤幹雄

分子接合におけるフォノンによる電子正孔励起とACコンダクタンス

筑波大数物, 三重大物工^A, 産総研ナノスピン^B

植田暁子, 内海裕洋^A, 今村裕志^B, 都倉康弘

13日 PSA会場　13pPSA　13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

純スピン流生成プローブの開発

東大理

保原麗, 秋山了太, 長谷川修司

化合物半導体における強磁場ファラデー回転分光

物材機構

今中康貴

ダイヤモンドNVセンターを用いた広視野周波数変調磁気イメージング

筑波大数理, 産総研^A

三浦幸浩, 柏谷聡^A, 野村晋太郎

横型量子ドット上のブルアイ構造の設計

阪大産研

深井利央, 中川智裕, 木山治樹, 大岩顕

重い正孔励起による光子－電子間量子状態変換に向けた(110)GaAs量子井戸基板の電気的および光学的評価

阪大産研, ルール大学ボーフム^A

中川智裕, 深井利央, 木山治樹, Julian Ritzmann^A, Arne Ludwig^A, Andreas D. Wieck^A, 大岩顕

InSb低次元系における電気伝導

阪大産研, NICT^A

多田誠樹, 大岩顕, 木山治樹, 赤羽浩一^A

弱磁場が印加された二次元量子場におけるRashbaスピン軌道相互作用

早大理工

武田京三郎, 東条樹

超伝導および常伝導リードに接続された3角形3重量子ドットにおける近藤効果とJosephson効果の競合II

大阪市大理, アドバンスソフト^A

城谷将矢, 寺谷義道, 小栗章, 田中洋一^A

Josephson接合に埋め込まれた量子ドットのスペクトル関数：数値くりこみ群による研究 II

大阪市大理, アドバンスソフト^A

松本龍太, 小栗章, 田中洋一^A

ユニタリ極限の近藤領域にある超伝導/カーボンナノチューブ/超伝導接合におけるショット雑音

阪大物理^A, パリ南大^B

Sanghyun Lee^A, 秦徳郎^A, 荒川智紀^A, Meydi Ferrier^{A, B}, 小林研介^A

高周波反射・透過測定を用いた単一電子ポンプの実時間測定

産総研

中村秀司, 岡崎勇馬, 金子晋久

二準位系を介した熱輸送特性における量子相転移

東大物性研, 慶大理工^A

加藤聖也, 加藤岳生, 齊藤圭司^A

超伝導量子干渉素子を用いた希釈冷凍機における微小電流計測

産総研, トリノ工科大^A

Ngoc Thanh Mai Tran^A, ^○岡崎雄馬, 中村秀司, 金子晋久

微小磁性体における高周波電流雑音測定系の開発

阪大理, 物材機構^A, パリ南大^B

岩切秀一, 則元将太, 荒川智紀, 葛西伸哉^A, Meydi Ferrier^B, 新見康洋, 小林研介

2次元トポロジカル絶縁体における非平衡キャリアダイナミクスの理論

産総研

玉谷知裕, 川畑史郎

Haldane模型からなる接合系の輸送特性

奈良女子大理, 秋田大教育^A

辰己智子, 吉岡英生, 林正彦^A

Si(111)√3×√3-Bi上におけるトポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜の成長とその評価

東大理

秋山了太, 中西亮介, 遠藤由大, 一ノ倉聖, 長谷川修司

Pb-(Bi,Sb)-Teトポロジカル絶縁体の結晶作製と評価

東大生産研

服部裕也, 市川和樹, 徳本有紀, 枝川圭一

Sr_xBi₂Se₃の超伝導特性 II

筑波大数理物

小原康太郎, 柏木隆成, 寺尾耕太郎, 大須賀駿平, 松尾壮一郎, 門脇和男

異方的3次元格子模型列における弱いトポロジカル絶縁体相の数値的検証

秋田大院工資, 秋田大院理工^A

泉澤悠介, 小野田勝^A

異方的3次元格子模型列におけるヘリカル表面状態解析解を用いた相構造の検証

秋田大院理工

小野田勝

分子線エピタキシー法による(Pb,Sn,Cr)Te薄膜の作製と磁性の評価

筑波大数理物質^A, 東大理^B

石川諒^A, 山口智也^A, 大滝祐輔^A, 秋山了太^B, 黒田眞司^A

C_3v対称性の下での5次摂動によるDirac Coneのワーピング

北大電子研

近藤憲治, 寺本央

トポロジカル結晶絶縁体(Pb,Sn)Te薄膜の角度分解光電子分光による表面状態観察

筑波大数理物質^A, 東大理^B, 広大放射光^C, 広大理^D

山口智也^A, 大滝祐輔^A, 石川諒^A, 黒田眞司^A, D. Fan^B, 秋山了太^B, 長谷川修司^B, 宮本幸治^C, 佐藤仁^C, 木村昭夫^D

ワイル半金属の表面プラズモンポラリトンに関する理論的研究

東理大, 産総研^A

小鍋哲, 山本貴博, 川畑史郎^A

ワイル半金属TaPの磁場下光学伝導度スペクトル

阪大理^A, マックスプランク固体化学物理研^B, 阪大生命^C

横山裕子^A, M. Schmidt^B, B. Yan^B, J. Sichelschmidt^B, C. Felser^B, 木村真一^{C, A}

14日 AM会場　14aAM　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル超伝導体
（実験と理論）

^●1

Superconductivity in the antiperovskite oxide Sr3SnO

京大院理^A, フンボルト大学ベルリン^B, 名大院工^C, 名大高等研^D, 京大基研^E

オーダ・モハメッド^A, 池田敦俊^A, ハウスマン・ヤン・ニクラス^{A, B}, 米澤進吾^A, 福元敏之^C, 小林伸吾^{C, D}, 佐藤昌利^E, 前野悦輝^A

ディラックホールを持つアンチペロブスカイト酸化物超伝導体Sr₃SnOの物性

京大院理, フンボルト大化学^A, 名大院工^B, 名大高等研^C, 京大基研^D

池田敦俊, オーダモハメッド, ハウスマンヤン・ニクラス^A, 米澤進吾, 福元敏之^B, 小林伸吾^{B, C}, 佐藤昌利^D, 前野悦輝

アンチペロブスカイト型新奇超伝導体Sr₃SnOのNMR

京大院理

北川俊作, 石田憲二, Mohamed Oudah, 池田敦俊, 米澤進吾, 前野悦輝, Jan Niklas Hausmann

単結晶Cu_xBi₂Se₃の比熱及び上部臨界磁場の異方性

京大院理, ケルン大物理^A, 阪大産研^B, 原子力機構シ計セ^C, 京産大院理^D

田尻兼悟, 米澤進吾, Zhiwei Wang^{A, B}, 永井佑紀^C, 瀬川耕司^{D, B}, 前野悦輝, 安藤陽一^{A, B}

高絶縁性トポロジカル絶縁体上に形成したPb薄膜のSTM/STS

理研CEMS, 東工大フロンティア研^A

岩谷克也, 松岡賢佑, 名坂成昭^A, 町田理, 幸坂祐生, 花栗哲郎, 笹川崇男^A

強いスピン軌道相互作用をもつAu-Pb-Bi化合物の単結晶育成と超伝導特性II

東工大フロンティア研

橘和宗, 大川顕次郎, 並木宏允, 笹川崇男

休憩　（10:30〜10:45)

ドープされたトポロジカル絶縁体の超伝導状態での核磁気緩和率の理論的解析

原子力機構シ計セ, 高度情報科学技術研究機構^A

永井佑紀, 太田幸宏^A

傾斜磁場下の非対称Majoranaエッジ状態

京大理

大同暁人, 柳瀬陽一

レーザーが誘起するd波トポロジカル超伝導

京大理

高三和晃, 大同暁人, 川上則雄, 柳瀬陽一

ヘリカルp-波超伝導体におけるフィードバック効果

弘前大理工

飛田豊, 御領潤

キタエフラダー模型における超伝導位相の変調

理研, 名大工^A, HKUST^B, 理研CEMS^C, 東大工^D

中河西翔, 田仲由喜夫^A, Tai Kai Ng^B, 永長直人^{C, D}

マヨラナ端状態のスピンテクスチャーと干渉

NIMS-MANA

川上拓人, 胡暁

トポロジカル超伝導体中におけるノード構造と熱ホール効果

東大理, ETH Zürich ITP^A

吉岡信行, M. Sigrist^A

14日 BH会場　14aBH　9:00〜11:45

領域4
半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答

三次元層状極性半導体における非相反電荷輸送現象

東大工^A, 理研CEMS^B

越川翔太^A, 井手上敏也^A, 濱本敬大^A, 江澤雅彦^A, 金子良夫^B, 永長直人^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}, 岩佐義宏^{A, B}

ラシュバ型スピン軌道相互作用に起因する非相反電気伝導現象

東大工^A, 理研CEMS^B

濱本敬大^A, 越川翔太^A, 井手上敏也^A, 江澤雅彦^A, 岩佐義宏^{A, B}, 永長直人^{A, B}

MoS2電界誘起超伝導における非相反超伝導電流

東大院工^A, 理研CEMS^B

斎藤優^A, 井手上敏也^A, 岩佐義宏^{A, B}

超伝導MoS₂における巨大な非相反電流

東大工^A, 理研CEMS^B

若月良平^A, 星野晋太郎^B, 江澤雅彦^A, 永長直人^{A, B}

^●5

Nonreciprocal superconducting transport in WS₂ chiral nanotube

The Univ. of Tokyo^A, Lawrence Berkeley Nat’l. Lab.^B, Holon Inst. of Tech.^C, Weizmann Inst. of Sci.^D, RIKEN CEMS^E

F. Qin^A, T. Ideue^A, R. Wakatsuki^A, W. Shi^B, M. Yoshida^A, A. Zak^C, R. Tenne^D, T. Kikitsu^E, D. Inoue^E, D. Hashizume^E, M. Ezawa^A, N. Nagaosa^{A, E}, Y. Iwasa^{A, E}

WS₂カイラルナノチューブにおける非相反Little - Parks振動

東大工^A, 理研CEMS^B

若月良平^A, 秦峰^A, 井手上敏也^A, 江澤雅彦^A, 岩佐義宏^{A, B}, 永長直人^{A, B}

休憩　（10:30〜10:45)

遷移金属カルコゲナイドにおける磁気抵抗効果

東大院工, 阪大産研^A, マックスプランク固体研^B, ローレンス・バークレー国立研^C, フローニンゲン大学^D

張奕勁^{A, B}, 鈴木龍二, Shi Wu^C, Ye Jianting^D, 岩佐義宏

単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるEdelstein効果

名大工^A, HKUST^B

田口勝久^A, Kam Tuen Law^B

半導体多層量子構造におけるRashbaスピン軌道相互作用の電場依存性

北大工

飯島智徳, 明楽浩史

テルル薄膜及びドメイン壁に対する第一原理計算と界面電子構造

東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B, 産総研CD-FMat^C

平山元昭^{A, B}, 三宅隆^C, 村上修一^{A, B}

14日 AJ会場　14pAJ　13:30〜16:45

領域4，領域3，領域5，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：トポロジカル材料開発の新展開

（シンポジウム講演）はじめに

東北大金研

塩見雄毅

（シンポジウム講演）ディラック電子系磁性体EuMnBi2における異常磁気伝導と量子ホール効果

阪大理物

酒井英明

（シンポジウム講演）超伝導体β-PdBi2におけるトポロジカル表面状態の観測

東大物性研

坂野昌人

（シンポジウム講演）単元素トポロジカル物質αスズ薄膜の電子状態制御とスピントロニクス応用

阪大生命

大坪嘉之

（シンポジウム講演）３次元グラフェンの合成と物性評価およびデバイス応用

東北大WPI-AIMR

伊藤良一

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）らせん結晶Teにおける電流誘起磁化及びトポロジカル相

東工大理物

横山毅人

（シンポジウム講演）ラインノードディラック半金属CaAgX(X=P,As)の提案と実現

名大工

山影相

（シンポジウム講演）ワイルモット絶縁体 --- Ir酸化物における発現の可能性

カリフォルニア大学

森本高裕

14日 AM会場　14pAM　13:30〜17:15

領域7（2〜13番目のみ領域4と合同）
グラフェン関連物質

（招待講演）π電子系分子固体の構造と電子状態

東北大学AIMR

平郡諭

ドープしたKane-Mele模型における異方的超伝導ペアのメカニズム

名大工

深谷優梨, 矢田圭司, 服部綾実, 田仲由喜夫

エッジ水素終端IV族単原子層ナノリボンの電気伝導特性

名大工^A, 名大未来研^B, 名大高等研究院^C, CREST-JST^D

服部綾実^A, 洗平昌晃^{B, A, C, D}, 田仲由喜夫^A

磁性散乱体による伝導電子のスピン反転特性の格子依存性

慈恵医大物理

植田毅

BNナノチューブへの不純物ドーピング

東工大理

斎藤晋, 藤本義隆

休憩　（15:00〜15:15)

窒化ホウ素二層原子膜の歪み印加効果

東工大理

藤本義隆, 斎藤晋

一軸歪み印加によるh-BNナノリボンの極性変調

筑波大数理

山中綾香, 岡田晋

ナノグラフェンVANGにおける構造歪みとエネルギー準位の分裂

阪大基礎工

宮尾哲亮, 森下直樹, Gagus Ketut Sunnardianto, 草部浩一

ナノグラフェンVANGの縮退ゼロモード間有効相互作用と強相関一重項状態

阪大基礎工

草部浩一, 森下直樹, 宮尾哲亮, Gagus Ketut Sunnardianto

立体ラジカル分子を用いた多孔炭化水素ネットワークの電子状態

筑波大数理

反町純也, 岡田晋

フェナレニルを構成単位とした2次元炭化水素ネットワーク物質の電子状態

筑波大数理

丸山実那, 岡田晋

2次元エレクトライドのバルクおよび表面電子状態

東工大元素戦略研究セ, 東理大理工^A

井下猛, 竹本整司, 浜田典昭^A, 細野秀雄

黒リンの常圧における単結晶育成とその物性評価

東工大フロンティア研

高橋敬成, 並木宏允, 笹川崇男

15日 AB会場　15aAB　9:00〜12:30

領域4
量子ドット

情報量と粒子数の同時確率分布と効率

三重大工

内海裕洋

電場誘起電子スピン共鳴のマイクロ波振幅依存性

筑波大数理物質, NTT物性科学基礎研

都倉康弘

単一準位量子ドット系における断熱ポンピングの形式論

東大物性研

長谷川雅大, 加藤岳生

量子導体における非ガウス揺らぎの測定スキーム

東大理, 京大基研^A

鈴木貴文, 早川尚男

超伝導電極-InAsナノワイヤ量子ドットにおけるショット・ノイズ測定

NTT物性基礎研^A, 東北大理^B

高瀬恵子^A, 芦川耶眞登^{A, B}, 章国強^A, 舘野功太^A, 佐々木智^{A, B}, 岡崎雄馬^A

シリコントンネルトランジスタにおける深い準位を介した単一電子輸送とマイクロ波応答

物材機構, 産総研^A, 理研^B

森山悟士, 森貴洋^A, 大野圭司^B

休憩　（10:30〜10:45)

表面弾性波による二電子系二重量子ドットのラビ分裂

東工大理学院^A, NTT物性基礎研^B

藤澤利正^A, 佐藤裕也^A, J. C. H. Chen^A, 橋坂昌幸^A, 村木康二^B

GaAs横型量子ドットにおける光学的スピン閉塞効果を用いた量子状態転写の実証

東大工, Ruhr大Bochum^A, 阪大産研^B, 理研CEMS^C

Marcus Larsson, ^○黒山和幸, 松尾貞茂, 藤田高史, Sascha R. Valentin^A, Arne Ludwig^A, Andreas D. Wieck^A, 大岩顕^B, 樽茶清悟^{, C}

三重量子ドットにおける準安定電荷状態を利用した電子スピン単発読み出し

理研CEMS, 東大工^A, ルール大ボーフム^B

中島峻, Matthieu Delbecq, 大塚朋廣, 米田淳, 野入亮人^A, 川崎賢人^A, 天羽真一, 武田健太, Giles Allison, Arne Ludwig^B, Andreas Wieck^B, 樽茶清悟^A

Si/SiGe多重量子ドットの形成と電荷状態測定

理研CEMS, 東工大^A, 東大生産研^B, 名大工^C, 慶応大^D

大塚朋廣, 武田健太, 米田淳, 本田拓夢^A, Matthieu Delbecq, Giles Allison, Marian Marx, 中島峻, 小寺哲夫^A, 小田俊理^A, 星裕介^B, 宇佐美徳隆^C, 伊藤公平^D, 樽茶清悟

同位体制御されたSi/SiGe量子ドットにおける単一電子スピン共鳴

理研CEMS, 東工大^A, 東大生研^B, 名大工^C, 慶大理工^D

米田淳, 武田健太, 大塚朋廣, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, Giles Allison, 本田拓夢^A, 小寺哲夫^A, 小田俊理^A, 星裕介^B, 宇佐美徳隆^C, 伊藤公平^D, 樽茶清悟

傾斜磁場中の単一電子スピン共鳴におけるACシュタルク効果

理研CEMS, 東工大^A

武田健太, 神岡純^A, 米田淳, 大塚朋廣, M. R. Delbecq, G. Allison, 中島峻, 小寺哲夫^A, 小田俊理^A, 樽茶清悟

量子ドット中単一電子スピンのラビ振動の特性

東大工, 理研CEMS^A, Ruhr-Univ. Bochum^B

野入亮人, 米田淳^A, 中島峻^A, 大塚朋廣^A, Matthieu R. Delbecq^A, 武田健太^A, 天羽真一^A, Giles Allison^A, Arne Ludwig^B, Andreas D. Wieck^B, 樽茶清悟

15日 AM会場　15aAM　9:00〜12:30

領域4，領域7合同
遷移金属ダイカルコゲナイド

hBNサンドイッチされた高品質TMDCヘテロ積層構造の作成と評価

名大理, NIMS^A

岡田光博, 渡邊賢司^A, 谷口尚^A, 篠原久典, 北浦良

単層MoS₂における励起子輸送現象

東大院工^A, 阪大産研^B, Max-Planck-Inst.^C, 理研CEMS^D

恩河大^A, 張奕勁^{A, B, C}, 井手上敏也^A, 岩佐義宏^{A, D}

電界効果ドーピングによる単層MoS₂/MoSe₂ヘテロ構造の層間励起子発光変調

京大エネ研^A, 立命館理工^B

毛利真一郎^{A, B}, 張文金^A, 宮内雄平^A, 松田一成^A

遷移金属カルコゲナイド中に形成された横型p-n接合の伝導特性

東大院工, 阪大産研^A, マックスプランク固体研^B

張奕勁^{A, B}, 鈴木龍二, 岩佐義宏

WS₂ナノチューブを用いた光電気デバイス

東大院工, 阪大産研^A, マックスプランク固体研^B, ローレンス・バークレー国立研^C, Holon Inst. of Tech.^D, ワイツマン科学研^E

張奕勁^{A, B}, 恩河大, Qin Feng, Shi Wu^C, A. Zak^D, R. Tenne^E, 岩佐義宏

17.5T-強磁場極低温走査型トンネル顕微鏡の開発と評価

理研 CEMS, 東大院工^A, 東工大フロンティア研^B

町田理, 花栗哲郎, 幸坂祐生, 岩谷克也, 松岡賢佑^A, 為ヶ井強^A, 高橋敬成^B, 笹川崇男^B

休憩　（10:30〜10:45)

NbSe₂二次元結晶電気二重層トランジスタにおける超伝導転移制御

東大院工^A, フローニンゲン大^B, 九産大工^C, 東北大金研^D, 理研CEMS^E

吉田将郎^A, 叶劍挺^B, 西嵜照和^C, 小林典男^D, 岩佐義宏^{A, E}

超伝導体/遷移金属ダイカルコゲナイド二層構造における近接効果

東大工, 香港科技大理^A

若月良平, Kam Tuen Law^A

NbSe₂原子層薄膜における微細電子構造：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B, 東工大院理工^C, 埼玉大院理工^D

中田優樹^A, 菅原克明^B, 相馬清吾^B, 佐藤宇史^A, 清水亮太^{B, C}, 一杉太郎^{B, C}, 上野啓司^D, 高橋隆^{A, B}

TiSe₂超薄膜におけるバンド構造の温度依存性

東北大WPI-AIMR^A, 東北大院理^B, 東工大院理工^B

菅原克明^A, 中田優樹^B, 清水亮太^{A, C}, P. Han^A, 一杉太郎^{A, C}, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

^●11

Transport properties of transition metal dichalcogenide thin films grown by molecular-beam epitaxy

Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tokyo^A, RIKEN CEMS^B

Yue Wang^A, Masaki Nakano^A, Masaru Onga^A, Masaro Yoshida^A, Yoshihiro Iwasa^{A, B}

電子線照射で形成したMoS2原子層ショットキー接合からの光電流検出

青学大理工, 東大機械工学^A, 東大物性研^B, 青学大化学生命^C, ピサ大学^D, バルセロナ工科大学^E

片桐勇人, 矢部友貴, 大畠智佳, 井ノ上泰輝^A, 丸山茂夫^A, 中村壮智^B, 勝本信吾^B, 石井あゆみ^C, 長谷川美貴^C, Gianluca Fiori^D, Stephan Roche^E, 春山純志

MoS₂トランジスタにおける電子線照射効果に関するSGM観察

千葉大院融合^A, バッファロー大^B

松永正広^A, 樋口絢香^A, Guanchen He^B, Jonathan P. Bird^{A, B}, 落合勇一^A, 青木伸之^A

15日 BH会場　15aBH　9:00〜12:45

領域4
トポロジカル絶縁体
（実験）

^●1

Thickness Dependence of Electric Transport in three - dimensional topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.7Se1.3 ultrathin films

Dept. of Phys., Grad. Sch. of Sci., Tohoku Univ.^A, WPI-Advanced Inst. of Materials Res., Tohoku Univ.^B

Ngoc Han Tu^A, Yoichi Tanabe^A, Stephane Yu Mastushita^A, Khuong Kim Huynh^B, Kastumi Tanigaki^{A, B}

気相成長させたトポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y薄膜の電子状態：輸送現象の膜厚依存性II

東北大院理^A, 東北大AIMR^B, 阪市大院理^C

松下ステファン悠^A, Tu Ngoc Han^A, 田邉洋一^A, Khuong Kim Huynh^B, 渡部智貴^A, Le Huu Phuoc^A, 吉野治一^C, 谷垣勝己^{A, B}

有機/無機界面での電荷移動を用いて作製した3次元トポロジカル絶縁体p-n接合デバイスの輸送現象

東北大院理^A, 東北大WPI^B

田邉洋一^A, Tu Ngoc Han^A, 佐竹遥介^A, Huynh Kim Khuong^B, 谷垣勝巳^A

InAs/GaSb2次元トポロジカル絶縁体伝導特性のInAs層・GaSb層厚さ依存性

NTT物性基礎研

入江宏, 鈴木恭一, 秋保貴史, Francois Couedo, 小野満恒二, 村木康二

InAs/GaSb量子スピンホール系における歪みによるバンドエンジニアリングと伝導特性評価

NTT物性基礎研

秋保貴史, Francois Couedo, 入江宏, 鈴木恭一, 小野満恒二, ^○村木康二

^●6

Local electrostatic gating in InAs/GaSb hybrid quantum wells

NTT BRL

Francois Couedo, Hiroshi Irie, Takafumi Akiho, Kyoichi Suzuki, Koji Onomitsu, Koji Muraki

休憩　（10:30〜10:45)

Surface phonon scattering in the topological insulator TlBiSe₂

Inst. of Solid State Phys., Vienna Univ. of Tech.^A, 東大物性研^B, 広大理^C

江口学^A, 黒田健太^B, 白井開渡^C, 木村昭夫^C, S. Paschen^A

Magnetotransport of Dirac fermion systems

Inst. of Solid State Phys., Vienna Univ. of Tech.

江口学, S. Paschen

ワイル半金属候補物質の単結晶育成と磁気輸送特性

東工大フロンティア研

並木宏允, 大川顕次郎, 笹川崇男

Bi系原子層薄膜における2次元トポロジカル絶縁相の探索：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

嶋村奈津美^A, 中田優樹^A, 君塚平太^A, 田中祐輔^A, 相馬清吾^B, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の評価と電気伝導異方性

東大生産研

濱崎拡, 大江杏奈, 徳本有紀, 枝川圭一

Cr_x(Bi_1-ySb_y)_2-xTe₃薄膜における量子異常ホール効果の観測と磁壁伝導

理研CEMS, 東大工^A, 東北大金研^B

吉見龍太郎, 茂木将孝^A, 塚﨑敦^B, 小塚裕介^A, 高橋圭, 川崎雅司^A, 十倉好紀^A

アクシオン絶縁体実現に向けた磁性トポロジカル絶縁体超格子におけるゼロホールプラトーの観測

東大工^A, 理研CEMS^B, 東北大金研^C

茂木将孝^A, 川村稔^B, 吉見龍太郎^B, 塚崎敦^C, 小塚裕介^A, 高橋圭^B, 川﨑雅司^{A, B}, 十倉好紀^{A, B}

準粒子干渉におけるスピン軌道散乱

理研CEMS, 東工大フロンティア研^A

幸坂祐生, 町田理, 加納学^A, 岩谷克也, 花栗哲郎, 笹川崇男^A

15日 AJ会場　15pAJ　13:30〜17:00

領域4，領域1，領域11合同シンポジウム
主題：次世代情報処理技術：イジング型コンピュータ

（シンポジウム講演）はじめに：基礎物理学と最先端テクノロジーの融合「イジング型コンピュータ」

産総研

川畑史郎

（シンポジウム講演）量子アニーリング：基礎研究から応用展開まで

早大高等研

田中宗

（シンポジウム講演）超伝導量子情報技術：量子ビットから量子シミュレーション・量子コンピューターまで

東理大理・理研

蔡兆申

（シンポジウム講演）半導体回路を用いたCMOSイジングコンピュータ

日立

山岡雅直

休憩　（15:10〜15:30)

（シンポジウム講演）光発振器ネットワークで組合せ最適化問題を解くコヒーレントイジングマシン

国立情報学研究所

宇都宮聖子

（シンポジウム講演）機械学習に現れる最適化問題と量子アニーリング

京大院情報

大関真之

（シンポジウム講演）IT業界における量子アニーリングの研究開発

リクルートコミュニケーションズ

棚橋耕太郎

15日 AM会場　15pAM　14:00〜17:00

領域7，領域4合同
グラフェン

取　　消

^●2

Temperature induced strain release via wrinkles in CVD grown monolayer graphene

Inst. of Phys. of the CAS, J. Heyrovsky Inst. of Phys. Chem. of the CAS^A

Tim Verhagen, Vaclav Vales, Otakar Frank^A, Martin Kalbac^A, Jana Vejpravova

K吸着3層グラフェンの高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

山村典史^A, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

自己組織化単分子膜と分子吸着を用いた数層グラフェンの電子状態制御

岡山大基礎研, 名城大農^A, 岩手大^B

後藤秀徳, 内山貴生, 秋吉秀彦, 上杉英里, 江口律子, 齋藤軍治^A, 吉田幸大^A, 長田洋^B, 西川尚男^B, 久保園芳博

休憩　（15:00〜15:15)

各種方法でのグラフェンへのスピン軌道相互作用導入

青学大理工, CRNS/Thales^A

矢部友貴, 片桐勇人, 田村拓也, 大畠智佳, Pierre Seneor^A, 春山純志

単層グラフェンにおける二段階励起によるキャリアの生成

名大院工, 九大産連セ^A

小山剛史, 水谷建太, 吾郷浩樹^A, 岸田英夫

固体ディラック電子におけるローレンツ共変性と電磁応答：誘電率と反磁性磁化率の関係

東大理, 東理大総合研究院^A

前橋英明, 小形正男, 福山秀敏^A

グラフェンの励起状態

岩手大理工

瓜生誠司

重いディラック電子によるフォノンアノマリー

NTT物性研, 東工大^A

佐々木健一, 村上修一^A

カシミール効果による自立グラフェン膜の変形

兵県大工

乾徳夫

高次元グラファイトのバンド構造

日大理工

加藤優一, 山中雅則

16日 AB会場　16aAB　9:15〜12:00

領域4
半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答

DyとSnを共添加した酸化インジウム(Dy-ITO)ナノ粒子の作製と磁気特性

大工大応用物理^A, 大工大ナノ材研^B, 大工大院工^C, 大阪市立工業研^D, 上海師範大学物理^E

藤元章^{A, B}, 西岡正治^C, 柏木行康^D, 斉藤大志^D, 中許昌美^D, 周逸凱^E, 劉宝^E, 崔行恒^E, 太田椋也^C, 原田義之^{A, B}, 神村共住^C

障壁をもち幅の狭いInGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系におけるサブバンド構造、スピン軌道相互作用と量子ホール効果

大阪工大, 北陸先端大^A, 物材機構^B

山田省二, 藤元章, 赤堀誠志^A, 今中康貴^B, 竹端寛治^B

InGaAs量子井戸2次元電子ガス2層系において検出した共鳴スピンホール効果信号の検討

大阪工業大, 北陸先端大^A

山田省二, 藤元章, 赤堀誠志^A

取　　消

軌道角運動量を持つ光渦による半導体GaAsのキャリア励起選択則

阪府大院工

湯川大輝, 余越伸彦, 石原一

休憩　（10:30〜10:45)

InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸構造における2次元電子の伝導特性 III

大阪府大工^A, 大阪府大地域連携^B

田中章^A, ^○川又修一^{A, B}, 日比野暁^A, 河村裕一^{A, B}

GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子非弾性散乱による発光特性

阪市大院工

中西沙絵佳, 古川喜彬, 中山正昭

Ti添加AlNのバンド構造

京都工繊大

立溝信之, 園田早紀

非ユニタリー量子ウォークにおける不規則性の効果とPT対称性の一般化

北大工

望月健, 小布施秀明

Anderson transitions with classical magnetic impurities

Osaka Univ., Jacobs Univ.^A, Sophia Univ.^B

Keith Slevin, Daniel Jung^A, Stefan Kettemann^A, Tomi Ohtsuki^B

16日 BG会場　16aBG　9:00〜12:15

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果・量子伝導）

グラフェン伝導測定による電解質ゲート構造における不純物散乱効果の評価

NTT物性基礎研

熊田倫雄, Andrew Browning, 関根佳明, 入江宏, 村木康二, 山本秀樹

グラフェンにおける伝導度ゆらぎの磁場依存性

兵庫医大物理, 大工大応用物理^A, 徳大理工^B, 阪大産研^C

寺澤大樹, 福田昭, 藤元章^A, 大野恭秀^B, 金井康^C, 松本和彦^C

高移動度グラフェンにおける伝導度ゆらぎ

千葉大院融合, アリゾナ州大^A, バッファロー大^B, 物材機構^C, 成均館大学校^D

松本直樹, 峰晴正彰, 松永正広, C R da Cunha, 落合勇一, D Kフェリー^A, J Pバード^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, Iリー^D, G-Hキム^D, 青木伸之

^●4

Temperature-induced carrier redistribution in a CVD-grown graphene wide constriction

Grad. Sch. of Advanced Integration Sci., Chiba Univ.^A, Dept. of Phys., Osaka City Univ.^B, Dept. of Phys., Nat’l. Taiwan Normal Univ.^C, Dept. of Phys., Nat’l. Taiwan Univ.^D, These authors have contributed equally¹

Chiashain Chuang^{A, 1}, Che-Hsiu Hsueh^{B, C, 1}, Tak-Pong Woo^D, Makoto Tsubota^B, Wenchin Wu^C, Yuichi Ochiai^A, Chi-Te Liang^D, Nobuyuki Aoki^A

^●5

Wave packet splitting in bilayer graphene in crossed electric and magnetic fields

Univ. of Tokyo^A, Univ. of Leicester^B, AIST^C

P. A. Maksym^{A, B}, H. Aoki^{A, C}

2層グラフェンへの電界効果に対する欠陥の影響

筑波大数理

岸本健, 岡田晋

休憩　（10:30〜10:45)

3次元巨大Rashba系における磁気応答とホール効果の理論

東工大理学院, 北大院工^A

安藤恒也, 鈴浦秀勝^A

ミラー対称性の破れたABA積層三層グラフェンにおけるバンド混成に伴うランダウ準位の発展

東大工^A, Harvard Univ.^B, 物材機構^C, JSTさきがけ^D, 理研CEMS^E

島崎佑也^A, 吉澤徹^A, Ivan Borzenets^A, Ke Wang^B, Xiaomeng Liu^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, Philip Kim^B, 山本倫久^{A, D}, 樽茶清悟^{A, E}

グラフェン超格子におけるHofstadter's butterflyとバレーホール効果

東工大^A, 物材機構^B

小松克伊^{A, B}, 渡辺英一郎^B, 津谷大樹^B, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 森山悟士^B

グラフェン量子ホール状態におけるpn接合でのショット雑音

阪大理^A, 京大化研^B, NIMS WPI-MANA^C

松尾貞茂^A, 竹下俊平^A, 田中崇大^A, 中払周^C, 塚越一仁^C, 森山貴広^B, 小野輝男^B, 小林研介^A

ラインノードディラック半金属CaAgX (X = P, As)の合成と輸送特性

名大院工^A, 名大院理^B, 名大高等研究院^C

井ノ原拓実^A, 岡本佳比古^{A, C}, 山影相^{A, C}, 山川洋一^{B, C}, 竹中康司^A

グラファイトが示す強磁場誘起電子相の相境界線に対する薄膜化の影響

東大物性研

田縁俊光, 内田和人, 長田俊人

16日 BH会場　16aBH　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体およびワイル半金属
（理論）

ワイル半金属と通常の絶縁体との積層に現れるトポロジカル相

東工大理^A, 東工大元素戦略研究セ^B

横溝和樹^A, 村上修一^{A, B}

乱れたディラック/ワイル半金属における量子拡散

上智大^A, 東北大金研^B

和田未来^A, 小林浩二^B, 大槻東巳^A

空間群対称性に起因するノーダルライン半金属

東工大理, 東工大元素戦略研究セ^A

高橋亮, 村上修一^A

第二種Weyl半金属における量子異常

学習院大理, ベルリン自由大学^A

宇田川将文, Emil J. Bergholtz^A

取　　消

三次元ハニカム格子系におけるループ・ノード半金属とポイント・ノード半金属

東大工

江澤雅彦

休憩　（10:30〜10:45)

ワイル半金属とトポロジカル絶縁体の比較研究：薄膜・次元間クロスオーバーとバルクエッジ対応の観点から

広大先端, 東北大金研^A, 上智大理工^B

吉村幸徳, 尾西渉, 小林浩二^A, 大槻東巳^B, 井村健一郎

トポロジカル近藤絶縁体におけるレーザー誘起ワイル半金属

京大理

高三和晃, 中川大也, 川上則雄

取　　消

重力カイラル量子異常とスピンカイラル磁気効果

理研CEMS, 京大基研^A

下出敦夫, 佐藤昌利^A

積層リングネットワーク模型におけるフロケ・トポロジカル相

物材機構

落合哲行

ハニカム格子最近接格子点間のホッピングによるトポロジカル状態

物材機構MANA

胡暁

取　　消

一般社団法人 日本物理学会 2016年秋季大会 The 2016 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域4

13日 AB会場 13aAB 9:30〜12:15

領域4量子ホール効果

休憩 （10:30〜10:45)

13日 AM会場 13aAM 9:00〜12:15

領域4ワイル半金属（電場・磁場応答）

休憩 （10:30〜10:45)

13日 BH会場 13aBH 9:00〜12:45

領域4微小接合

休憩 （10:30〜10:45)

13日 AG会場 13pAG 13:40〜17:10

領域5，領域4，領域8合同シンポジウム主題：光が切り開く新しい時空間観測技術

休憩 （15:15〜15:30)

13日 AM会場 13pAM 13:30〜17:00

領域4トポロジカル絶縁体および超伝導体（理論）

休憩 （15:00〜15:15)

13日 BH会場 13pBH 13:30〜17:15

領域4量子細線・量子ドット

休憩 （15:00〜15:15)

13日 PSA会場 13pPSA 13:30〜15:30

領域4領域4ポスターセッション

14日 AM会場 14aAM 9:00〜12:30

領域4トポロジカル超伝導体（実験と理論）

休憩 （10:30〜10:45)

14日 BH会場 14aBH 9:00〜11:45

領域4半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答

休憩 （10:30〜10:45)

14日 AJ会場 14pAJ 13:30〜16:45

領域4，領域3，領域5，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム主題：トポロジカル材料開発の新展開

休憩 （15:15〜15:30)

14日 AM会場 14pAM 13:30〜17:15

領域7（2〜13番目のみ領域4と合同）グラフェン関連物質

休憩 （15:00〜15:15)

15日 AB会場 15aAB 9:00〜12:30

領域4量子ドット

休憩 （10:30〜10:45)

15日 AM会場 15aAM 9:00〜12:30

領域4，領域7合同遷移金属ダイカルコゲナイド

休憩 （10:30〜10:45)

15日 BH会場 15aBH 9:00〜12:45

領域4トポロジカル絶縁体（実験）

休憩 （10:30〜10:45)

15日 AJ会場 15pAJ 13:30〜17:00

領域4，領域1，領域11合同シンポジウム主題：次世代情報処理技術：イジング型コンピュータ

休憩 （15:10〜15:30)

15日 AM会場 15pAM 14:00〜17:00

領域7，領域4合同グラフェン

休憩 （15:00〜15:15)

16日 AB会場 16aAB 9:15〜12:00

領域4半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答

休憩 （10:30〜10:45)

16日 BG会場 16aBG 9:00〜12:15

領域4，領域7合同グラフェン（量子ホール効果・量子伝導）

休憩 （10:30〜10:45)

16日 BH会場 16aBH 9:00〜12:30

領域4トポロジカル絶縁体およびワイル半金属（理論）

休憩 （10:30〜10:45)

一般社団法人日本物理学会　2016年秋季大会
The 2016 Autumn Meeting

13日 AB会場　13aAB　9:30〜12:15

領域4
量子ホール効果

休憩　（10:30〜10:45)

13日 AM会場　13aAM　9:00〜12:15

領域4
ワイル半金属
（電場・磁場応答）

休憩　（10:30〜10:45)

13日 BH会場　13aBH　9:00〜12:45

領域4
微小接合

休憩　（10:30〜10:45)

13日 AG会場　13pAG　13:40〜17:10

領域5，領域4，領域8合同シンポジウム
主題：光が切り開く新しい時空間観測技術

休憩　（15:15〜15:30)

13日 AM会場　13pAM　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル絶縁体および超伝導体
（理論）

休憩　（15:00〜15:15)

13日 BH会場　13pBH　13:30〜17:15

領域4
量子細線・量子ドット

休憩　（15:00〜15:15)

13日 PSA会場　13pPSA　13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

14日 AM会場　14aAM　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル超伝導体
（実験と理論）

休憩　（10:30〜10:45)

14日 BH会場　14aBH　9:00〜11:45

領域4
半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答

休憩　（10:30〜10:45)

14日 AJ会場　14pAJ　13:30〜16:45

領域4，領域3，領域5，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：トポロジカル材料開発の新展開

休憩　（15:15〜15:30)

14日 AM会場　14pAM　13:30〜17:15

領域7（2〜13番目のみ領域4と合同）
グラフェン関連物質

休憩　（15:00〜15:15)

15日 AB会場　15aAB　9:00〜12:30

領域4
量子ドット

休憩　（10:30〜10:45)

15日 AM会場　15aAM　9:00〜12:30

領域4，領域7合同
遷移金属ダイカルコゲナイド

休憩　（10:30〜10:45)

15日 BH会場　15aBH　9:00〜12:45

領域4
トポロジカル絶縁体
（実験）

休憩　（10:30〜10:45)

15日 AJ会場　15pAJ　13:30〜17:00

領域4，領域1，領域11合同シンポジウム
主題：次世代情報処理技術：イジング型コンピュータ

休憩　（15:10〜15:30)

15日 AM会場　15pAM　14:00〜17:00

領域7，領域4合同
グラフェン

休憩　（15:00〜15:15)

16日 AB会場　16aAB　9:15〜12:00

領域4
半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答

休憩　（10:30〜10:45)

16日 BG会場　16aBG　9:00〜12:15

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果・量子伝導）

休憩　（10:30〜10:45)

16日 BH会場　16aBH　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体およびワイル半金属
（理論）

休憩　（10:30〜10:45)