一般社団法人日本物理学会　第70回年次大会　The 70th Annual Meeting

分野別プログラム

領域4

21日 AA会場　21aAA　9:30〜10:15

領域6（1番目の招待講演のみ領域4と合同）
超伝導

Cu_xBi₂Se₃のトポロジカル超伝導性

名大工

矢田圭司

21日 AC会場　21aAC　9:00〜12:15

領域4，領域7合同
グラフェン
（輸送特性）

酸化イットリウム/グラファイト基板上のグラフェンの輸送特性

物材研

小松克伊，渡辺英一郎，津谷大樹，森山悟士

ギャップのあるグラフェンの谷ホール効果

東工大院理工

安藤恒也

空間変化するひずみのあるグラフェンの電気伝導特性

PRESTO JST^A，筑波大数理物質^B，TIMS^C

友利ひかり^A，平出璃音可^B，C，田中宏和^B，C，伊藤優^B，C，片倉健太^B，C，大塚洋一^B，神田晶申^B，C

多層カーボンナノチューブの低温電気伝導の2次元性の解析

千葉大院融合^A，SUNY バッファロー^B，産総研^C

湯村成一^A，木田理夫^A，青木伸之^A，J．P．バード^B，中西毅^C，落合勇一^A

原子・分子吸着したグラフェンの伝導度測定(II)

東大院理^A，東大低セ^B

中山和貴^A，松井朋裕^A，福山寛^A，B

ヒドラジン吸着によるグラフェンの電子輸送特性の変調

法政大院理工^A，法政大生命科学^B

梅原太一^A，高井和之^A，B

休憩　（10:30〜10:45)

分子吸着によるグラフェンのキャリア散乱

岡山大院自然，名城大農^A

秋吉秀彦，後藤秀徳，上杉英里，浜尾志乃，江口律子，久保園芳博，吉田幸大^A，齋藤軍治^A

グラフェンの輸送特性に対する電極接続の影響とその軽減

筑波大数理物質^A，筑波大学際物質セ^B，JSTさきがけ^C

片倉健太^A，B，伊藤優^A，B，友利ひかり^C，大塚洋一^A，^○神田晶申^A，B

電極接合に起因する二層グラフェンのバンドギャップ

阪府大N2RC

野内亮

グラフェンp-n接合における1/f雑音の測定

阪大院理^A，東大工^B，物材機構^C，京大化研^D

竹下俊平^A，松尾貞茂^B，田中崇弘^A，中払周^C，塚越一仁^C，森山貴広^D，小野輝男^D，小林研介^A

Graphene/Lead (Pb)-based Cooper -pair splitter.

The Univ. of Tokyo，Univ. of Exeter^A

Ivan Borzenets，Yuya Shimazaki，Gareth Jones^A，Monica Craciun^A，Saverio Russo^A，Michihisa Yamamoto，Seigo Tarucha

THz波ボロメトリック検出熱雑音探知型グラフェンFETセンサーGraphene FET thermal noise sensor for THz bolometric detection

千葉大院融合^A，理研^B，バッファロー大^C，アリゾナ州大^D，Chiba Univ. GSAIS^A，RIKEN^B，SUNY at Buffalo^C，Arizona State Univ.^D

マハジューブアカラム^A，武田明大^A，峰晴正彰^A，青木伸之^A，宮本克彦^A，山口智弘^B，尾松孝茂^A，J.P.バード^C，D.K.フェリー^D，石橋幸治^B，落合勇一^A，Akram　Mahjoub^A，A. Takeda^A，M. Mineharu^A，N. Aoki^A，K. Miyamoto^A，T. Yamaguchi^B，T. Omatsu^A，J. P. Bird^C，D. K. Ferry^D，K. Ishibashi^B，and Y. Ochiai^A

21日 AM会場　21aAM　9:30〜12:00

領域4
トポロジカル絶縁体
（スピン流・ワイル半金属）

らせん構造を持つ系における電流誘起磁化とトポロジカル相

東工大理工

養田大騎，横山毅人，村上修一

ワイル半金属における磁化電荷結合の理論

東北大金研

紅林大地，野村健太郎

格子ゲージ理論に基づいたDirac半金属における強相関効果の研究

東北大金研

関根聡彦，野村健太郎

Magnetoresistivity of three-dimensional massive Dirac materials

The Univ. of Tokyo，Nagoya Univ.^A

Igor Proskurin，Masao Ogata，Yoshikazu Suzumura^A

休憩　（10:30〜10:45)

トポロジカル絶縁体薄膜上の磁気抵抗効果の理論

名大工

大庭慶之，矢田圭司，田仲由喜夫

電場駆動可能な三次元トポロジカル絶縁体上の磁壁

東大工^A，理研CEMS^B

若月良平^A，江澤雅彦^A，永長直人^A，B

トポロジカル絶縁体超格子型構造におけるトポロジカル相の相図の研究

名大工

今枝立至，佐藤昌利

磁性絶縁体/トポロジカル絶縁体接合系におけるスピン輸送

名大工

新谷国隆，田口勝久，田仲由喜夫

転移欠陥のあるワイル半金属におけるtorsion量子異常

京大理，阪大基礎工^A

住吉浩明，藤本聡^A

21日 BC会場　21aBC　9:00〜12:15

領域8，領域4
半金属・ディラック電子

Field-induced polarization of Dirac valleys in bismuth　ビスマスにおける磁場誘起ディラック・バレー分極

Ecole Supérieure de Physique et de Chimie Industrielles (ESPCI)　パリ高等物理化学学校

Kamran Behnia

半金属Bi,Bi_1-xSb_xにおける新規磁場誘起相転移の実験的探索

東大院理，東大物性研^A

岩浅歩，近藤晃弘^A，小濱芳允^A，河智史朗，徳永将史^A，金道浩一^A

ビスマスにおける磁気抵抗の理論的解析

電通大先進理工

大和田光明，伏屋雄紀

ビスマスにおける“異常”ゼーマン効果とスピン軌道相互作用

電通大先進理工，パリ高等物理化学学校^A，梨花女子大理^B

伏屋雄紀，Z. Zhu^A，B. Fauque^A，W. Kang^B，K. Behnia^A

多層ディラック電子系EuMnBi₂におけるEuスピンと強く結合した磁気輸送現象

東大工^A，東大物性研^B，理研CEMS^C，JST-PRESTO^D

増田英俊^A，酒井英明^A，三宅厚志^B，徳永将史^B，十倉好紀^A，C，石渡晋太郎^A，D

休憩　（10:30〜10:45)

強磁場下でグラファイトにおいて誘起される密度波多重相

東理大理工，東大物性研^A

矢口宏，徳永将史^A，松尾晶^A，金道浩一^A

グラファイトの超量子極限状態における励起子絶縁体相の可能性

東大物性研，東理大理工^A

徳永将史，秋葉和人，三宅厚志，矢口宏^A，家泰弘

黒リンの圧力誘起半導体－金属トポロジカル転移

兵庫県立大物質理

赤浜裕一

多重極限下における半金属黒燐の異常量子伝導

東大物性研，兵庫県立大院物質理^A

秋葉和人，三宅厚志，赤浜裕一^A，松林和幸，上床美也，徳永将史

高圧下黒燐の電子構造と熱電効果

電通大先進理工

新井隼人，伏屋雄紀

逆ペロブスカイトA₃EOにおける三次元ディラック電子の輸送特性（A=Eu,Sr E=Pb,Sn）

東大院理^A，マックス・プランク研^B

白井優美^A，葉山慶平^A，A.Yaresoko^B，A.W.Rost^B，C.Muehle^B，J.Nuss^B，高木英典^A，B

21日 BK会場　21aBK　9:00〜12:00

領域4
量子細線・微小接合

InAs量子井戸から加工したInAs量子細線における伝導特性の評価

東大工，理研^A，カリフォルニア大^B

松尾貞茂，鎌田大，馬場翔二，Russell Deacon^A，Javad Shabani^B，Christopher Palmstrom^B，樽茶清悟

表面弾性波を用いた飛行量子ドットにおける電子対分離

東大工，ニール研^A，ルール大^B，UFJ^C，JST^D，理研CEMS^E

伊藤諒，高田真太郎^A，山本倫久^D，Christopher Bauerle^A，C，Andreas D. Wieck^B，樽茶清悟^E

高移動度QPCにおけるファノ因子の精密測定

阪大理^A，京大化研^B，ETH Zurich^C

室達也^A，西原禎孝^A，B，荒川智紀^A，田辺賢士^A，小林研介^A，Thomas Ihn^C，Clemens Rössler^C，Klaus Ensslin^C

走査ゲート顕微鏡観察による量子細線における分数プラトーの観測

千葉大院融合，ニューヨーク州立大バファロー校^A

項少華，佐藤駿，グエン・タン・ルーン，松永正広，向笠直紀，鈴木敦士，青木伸之，J. P. Bird^A，落合勇一

Sub-quantized Conductance's Dependency on Lateral Position in Triple Gate Quantum Point Contact

Tohoku Univ.，ERATO Nuclear Spin Electronics Project^A，WPI-Advanced Inst. for Materials Res.，Tohoku Univ.^B，Interdepartmental Doctoral Degree Program for Multi-dimensional Material Sci. Leaders，Tohoku Univ.^C

Muhammad Fauzi Sahdan，Mohammad Hamzah Fauzi^C，Yoshiro Hirayama^A，B，C

抵抗検出型核磁気共鳴による量子ポイントコンタクトの磁化測定

理研，茨城大^A

川村稔，大野圭司，Peter Stano，青野友祐^A，河野公俊

休憩　（10:30〜10:45)

超電導リングの荷電エネルギーとクーパー対密度を空間変調させた下での有効ジョセフソンエネルギーの解析

筑波大数理物質^A，LPMMC/CNRS^B，ジョセフ・フーリエ大^C

田口真彦^A，B，Denis M. Basko^B，C，Frank W. J. Hekking^B，C，都倉康弘^A

NbSe₂/NbSe₂ファンデルワールス接合におけるジョセフソン電流の観測

東大生産研^A，東大ナノ量子^B

矢吹直人^A，守谷頼^A，荒井美穂^A，佐田洋太^A，森川生^A，増渕覚^A，B，町田友樹^A，B

低抵抗単一微小ジョセフソン接合における電磁環境の影響

東理大，理研^A，産総研^B

山口僚太，佐久間大輔，永合祐輔，石黒亮輔^A，柏谷聡^B，高柳英明

微小Josephson接合列におけるBloch振動と電流プラトーの観測

電通大情報理工

島田宏，鹿取俊介，出口智明，水柿義直

二重微小Josephson接合における接合間のトンネル過程の相互作用

電通大情報理工

松原明志，水柿義直，島田宏

21日 AJ会場　21pAJ　13:30〜16:55

領域11，領域3，領域4，領域8，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：第一原理計算手法の現状と展望

はじめに

阪大産研

小口多美夫

相対論的電子状態計算手法の現状と展望

金沢大理工

小田竜樹

第一原理多体摂動論の前線

九工大工

中村和磨

実空間差分法に基づいた電気伝導計算手法

FZ Jüilch(Jülich)

塚本茂

休憩　（15:10〜15:25)

オーダーN第一原理電子状態計算手法による複雑界面構造の大規模計算

東大物性研

尾崎泰助

第一原理計算の産業応用　−新たなComputer-Aided Engineering −

阪大院工

渋谷陽二

プローブ量子・正ミュオンの第一原理計算

阪大院工

中西寛

21日 AM会場　21pAM　13:30〜16:30

領域4
トポロジカル絶縁体

トポロジカル絶縁体薄膜のエッジ状態：不純物の存在下での局在vs.非局在

広大院先端，上智大理工^A

吉村幸徳，小林浩二^A，大槻東巳^A，井村健一郎

二次元トポロジカル絶縁体のエッジ状態のスピン期待値

東工大理工，TIES^A

駒倉遼，佐々木健二，村上修一^A

トポロジカル絶縁体表面における磁気輸送現象への不純物効果

東北大金研

松崎出愛，野村健太郎

乱れを含む弱いトポロジカル絶縁体表面における電気伝導度

広大院先端

高根美武

乱れのあるトポロジカル絶縁体薄膜におけるコンダクタンス分布関数

上智大理工，広大院先端^A

小林浩二，大槻東巳，井村健一郎^A

三次元トポロジカル絶縁体表面における波束のダイナミクス

上智大理工

和田未来，小林浩二，大槻東巳

休憩　（15:00〜15:15)

Symplectic対称性クラスのアンダーソン転移の下部臨界次元および相関長の臨界指数のスペクトル次元依存性II

阪大理

上岡良季，Keith Slevin

不純物半導体における金属絶縁体転移の研究

阪大理，産総研^A

篠原弘介，原嶋庸介^A，Keith Slevin

Distinctive features of transport in topological insulators

Nanyang Technological Univ.，Inst. of Applied Phys. and Computational Mathematics Beijing^A，CAEP Software Center for High Performance Numerical Simulation Beijing^B，Sophia Univ.^C

Vincent Sacksteder，Quansheng Wu^A，B，Kristin Arnardottir，Ivan Shelykh，Tomi Ohtsuki^C

時間反転対称性を破る光トポロジカル絶縁体

物材機構

落合哲行

1次元フォトニック量子ウォークにおける隠れたトポロジカル相の解明

北大工，Wigner Res. Centre^A，京大理^B

小布施秀明，Janos K. Asboth^A，西村勇希^B，川上則雄^B

21日 BK会場　21pBK　13:30〜17:00

領域4
量子ホール効果

電気機械振動子による歪みの動的制御と核スピンのNMR測定

NTT物性基礎研^A，産総研^B

岡崎雄馬^A，B，Imran Mahboob^A，小野満恒二^A，佐々木智^A，山口浩司^A

分数量子ホールドメインにおける電流誘起核スピン分布

東北大理，JST-ERATO^A，金沢大理工^B，WPI-AIMR^C

宮本聡^A，羽田野剛司^A，M.H. Fauzi，渡辺信嗣^B，平山祥郎^A，C

抵抗検出NMRスペクトル形状に対する核スピン拡散の効果

NTT物性研，ERATO-JST

Trevor David Rhone，^○村木康二

3層量子井戸における量子ホール効果

理研^A，東北大理^B，東大物理工^C

天羽真一^A，羽田野剛司^B，中島峻^A，河野公俊^A，樽茶清悟^A，C

MgZnO/ZnO量子ホール系におけるランダウ・ゼーマン分裂比の電界効果制御

東大院工，理研 CEMS^A，東北大金研^B，JST さきがけ^C

反保智貴，Joseph Falson，小塚裕介，打田正輝，Denis Maryenko^A，塚崎敦^B，C，川﨑雅司^A

周期的なポテンシャル変調場におけるMgZnO/ZnO二次元電子系の磁気輸送特性

東大院工，理研CEMS^A，ローム^B，東北大金研^C，JST-さきがけ^D，Univ. of Groningen^E

田中一成，Joseph Falson，小塚裕介，打田正輝，久保田将司^A，B，Denis Maryenko^A，塚崎敦^C，D，叶劍挺^E，岩佐義宏^A，川﨑雅司^A

Gaffnian状態のギャップについて

専大自然，パリ南大^A，セルジー・ポントワーズ大^B

水崎高浩，Th. Jolicoeur^A，Ph. Lecheminant^B

休憩　（15:15〜15:30)

エッジマグネトプラズモンのMach-Zehnder型干渉計

東工大院理工

檜山直晃，橋坂昌幸，藤澤利正

InAs量子井戸におけるエッジマグネトプラズモンの時間分解測定

NTT物性基礎研

太田剛，熊田倫雄，鈴木恭一，小野満恒二，村木康二

電流ゆらぎ相互相関測定による量子ホール端における電子の非弾性散乱の検出

東工大院理工，NTT物性基礎研^A

太田智明，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

量子ドット局所温度計による量子ホールエッジチャネル間の熱輸送測定

東工大院理工，NTT物性基礎研^A

中澤遼，森田恭維，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

磁気光学Kerr効果によるGaAs HEMT構造の電子スピン偏極測定

千葉大院理

桐生直明，鎌形諒太，音賢一

TMTSF塩での磁場誘起SDW相における非局所層間伝導

東大物性研

佐藤光幸，内田和人，長田俊人

22日 AM会場　22aAM　9:30〜12:30

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果，磁気輸送）

量子ホール領域におけるグラフェンp-n接合でのショット雑音

NTT物性基礎研^A，CEA Saclay

熊田倫雄^A，B，F. D. Parmentier^B，日比野浩樹^A，D. C. Glattli^B，P. Roulleau^B

量子ホール状態におけるグラフェンの磁気キャパシタンス

千葉大院理

舟瀬基，音賢一

h-BNトンネルバリアを用いたグラフェンのランダウ準位スペクトロスコピー

東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C

森川生^A，増渕覚^A，B，守谷頼^A，山口健洋^A，井上義久^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B

二層グラフェンの高次ランダウ準位におけるバレー分離量子ホール状態の安定性

東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C

井上尚子^A，増渕覚^A，B，森川生^A，柏木麗奈^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B

SiC上成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴II

物材機構，NTT物性基礎研^A

竹端寛治，今中康貴，金子智昭，高村真琴^A，関根佳明^A，日比野浩樹^A

チタンクリーニングされたグラフェンにおける弱局在効果のゲート電圧依存性と温度依存性

大工大応用物理，ジョージア工科大マテリアルサイエンス^A，ジョージア工科大物理^B，兵庫医大物理^C

藤元章，Corey Joiner^A，Yuxuan Jiang^B，寺澤大樹^C，福田昭^C，Zhigang Jiang^B，Eric Vogel^A

休憩　（11:00〜11:15)

グラフェン/h-BNモアレ超格子の電荷中性点におけるエネルギーギャップ形成

東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C

柏木麗奈^A，増渕覚^A，B，森川生^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B

グラフェンにおける抵抗振動と弱局在効果との関係

兵庫医大物理，大工大応用物理^A，徳島大工^B，阪大産研^C

寺澤大樹，福田昭，藤元章^A，大野恭秀^B，松本和彦^C

多層グラフェンアンチドット格子の磁気輸送研究

広大先端^A，物材機構^B

戎岡亮哉^A，榊原諒二^A，大西純平^A，谷口尚^B，渡邊賢司^B，八木隆多^A

二次元周期的凹凸をもつSiO₂基板上グラフェンの磁気抵抗

中大理工

瀧澤完地，松岡祐平，若林淳一

一次元周期的凹凸をもつSiO₂基板上グラフェンの磁気抵抗

中大理工

島田直樹，川崎圭吾，若林淳一

22日 BB会場　22aBB　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体
（実験・理論）

III-V族半導体によるトポロジカル絶縁体の実現〜InAs/GaSb量子スピンホール系のエッジ伝導〜

NTT物性科学基礎研究所

鈴木恭一

Electric-field tuning of InAs/GaSb quantum wells in the band-inverted regime

NTT BRL

Francois Couedo，鈴木恭一，原田裕一，小野満恒二，村木康二

ヘテロ接合による量子異常ホール効果の実現に向けた強磁性絶縁体の開拓

東工大応セラ研

名坂成昭，矢野力三，笹川崇男

非磁性/磁性トポロジカル絶縁体二層膜における量子ホール効果

東大工，東北大金研^A，理研CEMS^B

安田憲司，吉見龍太郎，塚崎敦^A，高橋圭^B，川﨑雅司^B，十倉好紀^B

休憩　（10:30〜10:45)

ノンシンモルフィックな空間群対称性によって守られたトポロジカル結晶絶縁体・超伝導体の分類について

京大理，名大工^A

塩崎謙，佐藤昌利^A

超伝導ディラック半金属とC_nトポロジカル数の関係

名大工

小林伸吾，佐藤昌利

鏡映対称性に保護された強相関トポロジカル相の分類II

理研

吉田恒也，森本高裕，古崎昭

量子幾何テンソル由来の動的電磁応答

京大理，阪大基礎工^A

高嶋梨菜，藤本聡^A

トポロジカル結晶絶縁体での電子相関によるSPT相

東大工，MIT^A

磯部大樹，Liang Fu^A

2次元光格子ボーズモット絶縁相における普遍的なギャップレス・エッジ状態

青学理工，兵県大工^A

佐藤正寛，鈴木隆史^A

非Dirac型電子によるトポロジカル状態

物材機構WPI-MANA

胡暁

22日 BK会場　22aBK　9:00〜12:30

領域4
量子ドット

量子リング中の2電子スピン状態の磁場増加に伴うシングレット－トリプレット振動

名大理，豊田工大^A

法月直人，^○高野健一^A

擬ギャップ構造を持つリードに繋がれた量子ドットの輸送特性

東工大理

原文平，古賀昌久

量子ドット/超伝導体接合における超伝導対称性

筑波大数物，東工大理^A

植田暁子，横山毅人^A

エネルギーとエントロピーの競合を利用した微小機械

東大院総合文化

畠山遼子，清水明

取　　消

アハラノフ・ボーム干渉計における多端子位相測定のモデル

慶大理工

江藤幹雄

休憩　（10:30〜10:45)

単一電子生成における位相緩和の効果

東大総合文化，東大物性研^A，東京医科歯科大^B，Aix Marseille Universite^C

伊與田英輝，加藤岳生^A，越野和樹^B，Thierry Martin^C

シリコン単電子デバイス中の電子数熱ゆらぎのフィードバック冷却

NTT物性研

知田健作，西口克彦，山端元音，藤原聡

カーボンナノチューブ量子ドットにおけるショットノイズ測定

阪大理物，パリ南大^A，東大物性研^B，大阪市大理^C

藤原亮，秦徳郎，吉井涼輔，荒川智紀，小林研介，Meydi Ferrier^A，Raphaelle Delagrange^A，Richard Deblock^A，Hélène Bouchiat^A，阪野塁^B，小栗章^C

ショット雑音を用いたカーボンナノチューブ量子ドットにおける近藤効果の研究

阪大理物，パリ南大^A，東大物性研^B，大阪市大理^C

荒川智紀，秦徳郎，藤原亮，小林研介，Meydi Ferrier^A，Raphaelle Delagrange^A，Richard Deblock^A，Hélène Bouchiat^A，阪野塁^B，小栗章^C

多軌道量子ドットの近藤効果における軌道分裂の効果

大阪市大理，東大物性研^A，阪大理^B，パリ南大^C

小栗章，阪野塁^A，吉井涼輔^B，Meydi Ferrier^B，C，荒川智紀^B，秦徳郎^B，藤原亮^B，小林研介^B

アンダーソン模型の解析的非平衡摂動理論II：多端子性と温度効果

筑波大物理

谷口伸彦

三角形三重量子ドットループ内磁束による近藤誘起電気分極の制御

静岡大教育，静岡大理^A，愛媛大理^B

古賀幹人，松本正茂^A，楠瀬博明^B

22日 AC会場　22pAC　13:30〜16:30

領域7，領域4合同
グラフェン
（電子状態）

グラフェン断片の多様なゼロモードエッジ状態

筑波大物理

関大地，苅宿俊風，初貝安弘

グラフェン端に出現するNFE状態の電界方向依存性

筑波大数理

山中綾香，岡田晋

架橋構造のグラフェン・ナノリボンにおける形状による歪みのコントロール

秋田大教育文化，奈良女子大研究院^A，筑波大物理^B

林正彦，吉岡英生^A，友利ひかり^B，神田晶申^B

SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理解

島根大総合理工，NTT物性基礎研^A

影島博之，日比野浩樹^A

多層グラフェンの電子構造

広大先端^A，物材機構^B

大西純平^A，榊原諒二^A，戎岡亮哉^A，谷口尚^B，渡邊賢司^B，八木隆多^A

メカニカルグラフェンにおけるディラックコーンの生成と消滅

筑波大物理

苅宿俊風，初貝安弘

休憩　（15:00〜15:15)

Electron-phonon coupling of Cs-intercalated bilayer graphene

東北大院理^A，東北大WPI^B

James Kleeman^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

グラフェン、カーボンナノチューブおよび六方晶窒化ホウ素原子膜におけるドーピングと極性

東工大理，理研CEMS^A

斎藤晋，藤本義隆，是常隆^A

グラフェンにおけるバレー反対称ポテンシャルの理論

NTT物性基礎研

佐々木健一

グラフェン水素化原子欠陥V₁₁₁の近藤効果に関する電子状態評価

阪大基礎工

森下直樹，Gagus Ketut Sunnardianto，草部浩一

ハチの巣格子の強束縛モデルの磁化

熊大教育，兵庫県立大物質理^A

岸木敬太，長谷川泰正^A

22日 AM会場　22pAM　14:00〜16:30

領域4
トポロジカル絶縁体
（実験）

トポロジカル絶縁体 Crドープ(Sb,Bi)₂Te₃ のキャリア誘起強磁性

SIMIT，中国科学院^A，復旦大^B，原子力機構^C，広大院理^D

叶茂^A，W. Li^A，B，J. J. Wang^B，H. Pan^B，竹田幸治^C，斎藤祐児^C，朱思源^D，M. Nurmamat^D，角田一樹^D，F. H. Ji^B，Z. Liu^B，H. F. Yang^A，Z. T. Liu^A，D. W. Shen^A，^○木村昭夫^D，S. Qiao^A，B

トポロジカル絶縁体Sb₂Te₃の時間分解光電子分光

広大院理，東大物性研^A，中国科学院^B，ノヴォシビルスク大^C

角田一樹，朱思源，谷口雅樹，石田行章^A，叶茂^B，K. Kokh^C，O. Tereshchenko^C，辛埴^A，木村昭夫

Bi₂Se₃のCVD合成と電導特性（II）

広大先端

竹川大志，八木隆多

トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y薄膜の育成と有機-無機界面の形成によるキャリアドーピング効果

東北大院理^A，東北大AIMR^B

田邉洋一^A，Tu Ngoc Han^A，佐竹遥介^A，Huynh Kim Khuong^B，谷垣勝己^A，B

休憩　（15:00〜15:15)

Pbホモロガス相における磁場中の輸送特性

筑波大数理物質，物材機構^A

君塚郁哉，鈴木悠介，小松雅，榎本拓真，寺尾耕太郎，小原康太郎，茂筑高士^A，柏木隆成，門脇和男

Biカルコゲナイド系トポロジカル絶縁体の単結晶育成と輸送特性評価

筑波大数理物質，物材機構^A

鈴木悠介，小松雅，君塚郁哉，榎本拓真，寺尾耕太郎，小原康太郎，茂筑高士^A，柏木隆成，門脇和男

Aharonov − Bohm oscillations from Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y ultrathin film with holes structure

Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci.，Tohoku Univ.^A，WPI-Advanced Inst. of Materials Res.，Tohoku Univ.^B

Ngoc Han Tu^A，Yoichi Tanabe^A，Yosuke Satake^A，Khuong Kim Huynh^B，Kastumi Tanigaki^A，B

トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜における2次元表面電気伝導測定

筑波大院数理

秋山了太，藤澤和輝，山口智也，黒田眞司

トポロジカル絶縁体Tl_1-xBi_1+xSe₂の表面輸送特性と電子散乱機構

京大院工^A，広大理^B

江口学^A，黒田健太^B，白井開渡^B，木村昭夫^B，白石誠司^A

22日 BB会場　22pBB　13:30〜16:45

領域4，領域1，領域5合同シンポジウム
主題：固体と光の融合：量子状態の制御と観測

趣旨説明

NTT物性基礎研

高瀬恵子

固体の集団励起を介したマイクロ波—光量子変換

東大先端研

宇佐見康二

表面弾性波フォノンによるGaAs量子ドットの電子状態制御

東工大理工

藤澤利正

半導体へテロ構造とフォトニック結晶を用いた光状態制御

京大工

浅野卓

休憩　（14:50〜15:05)

超伝導NbNにおけるヒッグス・モードのTHz波検出と超伝導状態の光操作

東大低セ，東大理

島野亮

偏光分光実空間マッピングによる分数量子ホール液体の相転移の解明

東北大理

遊佐剛

ダイヤモンドNVセンターにおける単一のスピン・光子・電荷間の制御

阪大基礎工

水落憲和

Si短チャンネルMOS素子における欠陥準位制御と電子スピン共鳴

理研

大野圭司

23日 AB会場　23pAB　13:30〜16:45

領域4，領域7合同
グラフェン関連
（新物質・原子層）

単層WSe₂を用いた電気二重層発光ダイオード

早大先進，KAUST^A，早大材研^B

蒲江，藤本太陽，Jing-Kai Huang^A，Lain-Jong Li^A，坂上知，竹延大志^B

原子層遷移金属ダイカルコゲナイドのヘテロ構造で形成される層間励起子の発光励起特性

京大エネ研，NUS^A

小澤大知，Ivan Verzhbitskiy^A，Francesco Giustiniano^A，Kiran Kumar Amara^A，松田一成，江田剛輝^A

イオン液体トランジスタを用いたWSe₂における熱電特性の電界制御

東大院工，理研CEMS^A

飯塚貴彦，吉田将郎，清水直^A，岩佐義宏

遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の高分解能ARPES

東北大WPI-AIMR^A，東北大院理^B

菅原克明^A，田中祐輔^B，鈴木克郷^B，君塚平太^B，相馬清吾^A，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の原子境界面における伝導電子のスピン分解現象

東北大理

羽部哲朗，越野幹人

MX2モノレイヤーの物理現象

北大院工，トポセン，産総研

丹田聡，酒部大樹，松浦徹，末永和知，劉崢

休憩　（15:00〜15:15)

1T-TaS₂超薄膜の電流駆動相転移

東大院工^A，理研^B

吉田将郎^A，鈴木龍二^A，張奕勁^A，岩佐義宏^A，B

層状強相関物質AGa₂S₄(A=Ni, Fe)超薄膜における電界効果

東大物性研

福岡脩平，長田俊人，肥後友也，中辻知

多重軌道ハニカム格子におけるトポロジカル相

名大工

服部綾実，佐藤昌利

多層シリセン層間化合物CaSi₂の高分解能ARPES

東北大院理^A，東北大WPI^B，豊田中研^C，JST-PRESTO^D

野口英一^A，菅原克明^B，八百川律子^C，一杉太郎^B，D，中野秀之^C，D，高橋隆^A，B

拡張したWeaire-Thorpe 模型による siliceneのバンド構造解析－平坦バンドとディラックコーン

筑波大物理，名大工^A，東大理^B

初貝安弘，白石賢二，青木秀夫

スピン軌道相互作用のある電子系における電子スピン共鳴

東大生産研，Ecole Polytechnique^A

中村正明，得能光行^A

23日 AM会場　23pAM　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル超伝導体
（実験・理論）

トポロジカル超伝導体候補のBiおよびPb層状化合物：第一原理電子状態計算

東工大応セラ研

笹川崇男

トポロジカル超伝導体候補のPb層状化合物：単結晶育成と超伝導特性

東工大応セラ研

並木宏允，加納学，笹川崇男

トポロジカル超伝導体候補のBi層状化合物：単結晶育成と超伝導特性

東工大応セラ研

大川顕次郎，加納学，笹川崇男

Bi層状化合物超伝導体におけるトポロジカル表面バンドの観測

東大工，東工大応セラ^A，広島大放セ^B

坂野昌人，大川顕次郎^A，加納学^A，三條東彦，奥田太一^B，笹川崇男^A，石坂香子

トポロジカル超伝導体候補のBi層状化合物：走査トンネル顕微鏡・分光

理研CEMS，東工大応セラ研^A

岩谷克也，大川顕次郎^A，花栗哲郎，幸坂祐生，町田理，笹川崇男^A

異常近接効果と多数のマヨラナ・フェルミオンの安定性

北大院工

池谷聡，浅野泰寛

休憩　（15:00〜15:15)

トポロジカル絶縁体上の超伝導接合の理論

名大工

Lu Bo，矢田圭司，^○田仲由喜夫

Pb−Fe系におけるトポロジカル超伝導の渦糸状態

NIMS-MANA

川上拓人，胡暁

1次元系におけるマヨラナ粒子を用いたトポロジカル・クリフォード・ゲート

名大工

S. AMORIM Cassio，山影相，田仲由喜夫，佐藤昌利

ヘリカル金属/超伝導体接合におけるトンネル効果の理論

名大工

福元敏之，田口勝久，田仲由喜夫

ハニカム・トポロジカル原子層物質におけるトポロジカル超伝導とマヨラナ粒子

東大工

江澤雅彦

Cu_xBi₂Se₃のトポロジカル超伝導性とフェルミ面形状効果

阪大基礎工，名大工^A

水島健，佐藤昌利^A，田仲由喜夫^A

ポイントノードを持つトポロジカル超伝導体の不純物効果とゼーマン軌道磁場

原子力機構シ計セ

永井佑紀

23日 AS会場　23pAS　13:30〜15:15

領域9（1〜7番目の一般講演のみ領域4、領域8と合同）
トポロジカル表面

ビスマス薄膜表面におけるスピン分極の数値解析

茨大工

齊藤和雄，青野友祐，小峰啓史

Ultrafast electron dynamics at the Dirac node of topological insulator Sb₂Te₃

Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，ISSP，Tokyo Univ.^B，SIMIT/CAS^C，Dept. of Phys.，Fudan Univ.^D

Siyuan Zhu^A，Yukiaki Ishida^B，Kenta Kuroda^A，Kazuki Sumida^A，Mao Ye^C，Jiajia Wang^D，Hong Pan^D，Masaki Taniguchi^A，Shan Qiao^C，D，Shik Shin^B，Akio Kimura^A

バルク絶縁的トポロジカル絶縁体におけるディラック電子ダイナミクス

東大物性研，阪大産研^A

金聖憲，石田行章，近藤猛，江藤数馬^A，瀬川耕司^A，安藤陽一^A，辛埴，小森文夫

スピン分解光電子分光装置の開発とトポロジカル絶縁体薄膜の電子状態

東北大WPI^A，東北大院理^B

相馬清吾^A，田中祐輔^B，菅原克明^A，君塚平太^B，本間康平^B，正満拓也^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

取　　消

トポロジカル絶縁体/磁性絶縁体超薄膜ヘテロ構造の電子状態

東工大理^A，東大理^B，分子研UVSOR^C，名大工^D，阪大生命^E

平原徹^A，久保高幸^B，Andrei Mateckij^B，高山あかり^B，松波雅治^C，羽尻哲也^D，田中清尚^C，木村真一^E，長谷川修司^B

トポロジカル絶縁体TlBiSe₂の超高速時間分解発光

東大物性研，マールブルグ大^A

前澤俊哉，渡邊浩，竹田昌弘，黒田健太^A，染谷隆史，松田巌，末元徹

23日 BK会場　23pBK　13:30〜17:00

領域4
量子ドット

非平衡スピン偏極エッジ状態と結合した量子ドットのスピン依存電流

阪大産研，理研^A，東大工^B

木山治樹，中島峻^A，寺岡総一郎^B，大岩顕，樽茶清悟^A，B

シングルリード量子ドットプローブの高速化と量子ドット状態測定による性能評価

理研CEMS，東大物工^A，Ruhr-Univ. Bochum^B

大塚朋廣，天羽真一，中島峻，Matthieu Delbecq，米田淳，武田健太^A，菅原烈^A，Arne Ludwig^B，Andreas Wieck^B，樽茶清悟^A

二電子系二重量子ドットのシングレットスピンブロッケードにおける核スピン偏極の効果

東工大理，電通大院情報理工^A，NTT物性基礎研^B

今中大介，Sonia Sharmin^A，橋坂昌幸，村木康二^B，藤澤利正

低周波揺らぎを低減した高精度な単電子検出とエラーレート評価

NTT物性科学基礎研

田中弘隆，山端元音，西口克彦，藤原聡

Surface-acoustic-wave cavity mode stimulated phonon assisted tunneling in a double quantum dot

Tokyo Inst. of Tech.，NTT Basic Res. Lab.^A

Jason C.H. Chen，Yuya Sato，Masayuki Hashisaka，Koji Muraki^A，and Toshimasa Fujisawa

表面弾性波共振器中の二重量子ドットの電子スピン輸送特性

東工大院理工，NTT物性基礎研^A

佐藤裕也，Jason Chen，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

休憩　（15:00〜15:15)

アルミナ絶縁層を用いた傾斜磁場ESR法の改善

東大工，理研

伊藤匠，野入亮人，米田淳，中島峻，大塚朋廣，天羽真一，樽茶清悟

3重量子ドットを用いた3スピン量子ビットの共鳴周波数・ラビ振動数の特性

東大工，理研 CEMS^A，Lehrstuhl fur Angewandte Festrkorperphysik Ruhr-Univ. Bochum^B

野入亮人，米田淳^A，中島峻^A，大塚朋廣^A，Matthieu Delbecq^A，天羽真一^A，Arne Ludwig^B，Andreas Wieck^B，樽茶清悟^A

三重量子ドットにおけるスピン量子ビット実験の忠実度向上

理研CEMS，東大物工^A，Ruhr-Univ. Bochum^B

中島峻，マシュー・デルベック，大塚朋廣，天羽真一，米田淳，野入亮人^A，武田健太^A，Arne Ludwig^B，Andreas Wieck^B，樽茶清悟^A

Exploring multiple quantum dots circuits charge stability diagrams

CEMS RIKEN，Dept. of Applied Phys.，Univ. of Tokyo^A，Dept. of Phys.，Purdue Univ.^B

Matthieu Delbecq，Takashi Nakajima，Tomohiro Otsuka，Shinichi Amaha，Jun Yoneda，John Watson^B，Michael Manfra²，Seigo Tarucha^A

電子スピン共鳴によるSi量子ドット中のスピン・バレー状態の考察

東大工，東工大量子ナノ研^A，理研CEMS^B，東大ナノ量子機構^C，さきがけ-JST^D

武田健太，神岡純^A，小幡利顕，大塚朋廣^B，中島峻^B，マシュー・デルベック^B，天羽真一^B，米田淳^B，野入亮人，菅原烈，小寺哲夫^A，C，D，小田俊理^A，樽茶清悟^B

GaAs系横型量子ドットにおける単一光子検出の高効率化

東大工，Lehrstuhl für Angewandte Festrkorperphysik Ruhr-Universität Bochum^A，阪大産研^B

黒山和幸，藤田高史，Marcus Larsson，松尾貞茂，Sascha R. Valentin^A，Arne Ludwig^A，Andreas Wieck^A，大岩顕^B，樽茶清悟

二重量子ドットにおける光学禁制励起と量子状態生成

阪府大院工

余越伸彦，石原一

23日 PSB会場　23pPSB　15:30〜17:30

領域4
領域4ポスターセッション

MOVPE成長高In組成InGaNの局在準位共鳴励起下の発光スペクトル

東理大院理

田口雄飛，宮島顕祐，大川和宏

電荷敏感型赤外光検出器の強磁場中における光応答

農工大院工，東大院総合^A

中川大輔，橘田脩平，秋葉圭一郎，生嶋健司，小宮山進^A

対向Rashba場二重量子井戸系におけるLandau量子化

北大院情報，NTT先端集積デバイス研^A，NTT物性科学基礎研^B

澤田淳，陳杭，横田昇一郎，山士家貴志，劉玻麟，杉山弘樹^A，関根佳明^B，古賀貴亮

量子ホール系における新規単電子デバイス作製の試み

阪大理

則元将太，荒川智紀，田辺賢士，小林研介

量子ホール系における一重項トリオン発光を用いた電子スピン偏極度の推定

農工大院工^A，阪大院理^B，東北大院理^C，JST-ERATO^D，東北大WPI-AIMR^E

秋葉圭一郎^A，弓削達郎^B，長瀬勝美^C，D，平山祥郎^C，D，E

量子ホール効果のブレークダウンによる動的核スピン偏極の磁気光学Kerr効果による観測

千葉大院理，東北大院理^A，JST-ERATO^B，NTT物性基礎研^C

有海祐伺，色部潤，桐生直明，音賢一，平山祥郎^A，B，熊田倫雄^C

量子ポイントコンタクトのカレントの確率分布

三重大工

岡田大輝，内海裕洋

超伝導磁束量子ビットとDC-SQUIDの結合によるサイドバンド遷移の理論解析

横浜国大工

白崎良演，山梨晴貴，島津佳弘

架橋カーボンナノチューブ上の超伝導NbNナノワイヤにおける位相スリップ

慶大理工，物材機構MANA^A，群馬大工^B

増田考平，橋本孝幸，森山悟士^A，守田佳史^B，小松克伊^A，三木則尚，牧英之

カーボンナノチューブ量子ドットにおけるショットノイズの理論解析

阪大理物，パリ南大^A，東大物性研^B，大阪市大理^C

吉井涼輔，藤原亮，荒川智紀，秦徳郎，小林研介，Meydi Ferrier^A，Raphaelle Delagrange^A，Richard Deblock^A，Hélène Bouchiat^A，阪野塁^B，小栗章^C

ディラック電子系におけるスピン流の量子輸送方程式による定式化

東大理

大熊信之，小形正男

WSe₂薄膜におけるバレー構造の外場効果に関する第一原理計算

三重大院工

竹田昌平，名和憲嗣，中村浩次，佐野和博，秋山亨，伊藤智徳

グラフェン量子ホール状態におけるサイクロトロン発光検出の試み

農工大院工，Montpellier Univ.^A

山並弘輝，小林貴司，秋葉圭一郎，Boris Chenaud^A，^○生嶋健司

CaF₂及びZnSe基板上p型CVDグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴

東大物性研，東大院工^A，富士通研^B

沼田拓也^A，中村大輔，八木克典^B，林賢二郎^B，佐藤信太郎^B，嶽山正二郎

トポロジカル絶縁体表面の磁場下におけるスピン輸送ダイナミクス

東大理

澁谷泰良，小形正男

二次元トポロジカル絶縁体における臨界コンダクタンス分布

上智大理工

伊久美隼人，小林浩二，大槻東巳

Cu_xBi₂Se₃単結晶の超伝導状態における比熱の温度及び磁場依存性の測定

京大院理，阪大産研^A

田尻兼悟，米澤進吾，Zhiwei WANG^A，瀬川耕司^A，前野悦輝，安藤陽一^A

24日 AL会場　24aAL　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
グラフェン関連
（新物質・原子層，輸送特性，光応答）

単層グラフェンの電子状態の水素吸着量依存性

東北大院理^A，東北大WPI^B

鈴木克郷^A，野口英一^A，James Kleeman^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

微量水素終端したグラフェンにおけるスピン軌道相互作用と電子波位相破壊の抑制

青学大理工，東大物性研¹，東大物工²，シンガポール大グラフェンセ³

上條潤一，^○片桐勇人，加藤建彰，中村壮智¹，勝本信吾¹，江澤雅彦²，春山純志，Barbaros Özyilmaz³

水素化グラフェンにおけるスピン注入

東大物性研，青山学院大院理工^A

中村壮智，橋本義昭，春山純志^A，家泰弘，勝本信吾

黒リン単原子層の特異な電子物性

青学大理工，東大物性研¹，東大物工²，名大院物質理³

片桐勇人，牧野竜也，^○大畠智佳，中村壮智¹，勝本信吾¹，江澤雅彦²，篠原久典³，春山純志

黒リン単原子層のエッジ磁性

青学大理工，東大物工¹，名大院物質理学²

中西雄大，大畠智佳，岩城稜磨，野村くみ子，江澤雅彦¹，篠原久典²，春山純志

MoS2単原子層への電子線照射・構造転移と電子物性

青学大理工，東大物性研¹，産総研ナノチューブセ²

牧野竜也，片桐勇人，大畠智佳，中村壮智¹，勝本信吾¹，末永和知²，春山純志

休憩　（10:30〜10:45)

二層グラフェンリボンにおける電場による分極応答

東工大院理工^A，理研CEMS^B，TIES^C

奥川亮^A，田中隼矢^A，是常隆^B，齋藤晋^A，C，村上修一^A，C

グラフェンナノリボンの電場変調光吸収スペクトル

北大工

西田寛太朗，鈴浦秀勝，明楽浩史

振動外場によるDirac点近傍のバンド構造変化

東工大応セラ研，JST-CREST，慶応理工^A，Stuttgart大^B

萱沼洋輔，齋藤圭司^A，Kay Brandner^B

IIIV族二元化合物の単原子層物質の新しい安定形状：理論による発見

都立産業技術高専

鈴木達夫

化学剥離酸化チタンナノシートの伝導と磁性

熊大院自然

原正大，松崎浩二，斉藤夏海，谷口貴章，松本泰道

2層フォスフォレンの大域的電子構造とエッジ状態

東大物性研

長田俊人

鉄ドープ2H-TaSe₂における金属－絶縁体転移とカイラル・ユニタリー性

北大院工

菅野琢也，松本拓也，市村晃一，松浦徹，丹田聡

24日 AM会場　24aAM　9:00〜12:25

領域4
領域4 日本物理学会若手奨励賞受賞講演

領域４若手奨励賞受賞者紹介

東大物性研

加藤岳生

量子ドット系における非平衡近藤効果と電流揺らぎの理論研究

東大物性研

阪野塁

トポロジカル物質の分類・光学応答に関する理論研究

理研

森本高裕

半導体スピントロニクス

Topological transitions in the geometric phase in spin interferometers

RIKEN CEMS

Henri Saarikoski

タイプIとタイプIIのヘテロ界面をもつ量子井戸におけるスピン緩和率の電場制御

北大工

明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸

休憩　（10:40〜10:55)

高In組成メタモルフィックInGaAs/InAlAsヘテロ接合を用いたゲート付細線構造の評価

北陸先端大ナノセ

大堀高寛，赤堀誠志，日高志郎，山田省二

中心にInAlAs障壁層をもつInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送

北陸先端大ナノセ

胡ガイ，日高志郎，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，^○山田省二

取　　消

対称性の低下したGaAs(001)表面におけるスピン緩和

現在，所属無し

飯島智徳

非Rashba型スピン軌道相互作用を持つ系の接合や積層でのバンド構造とスピン分布

東工大理

中陳巧勤，村上修一

24日 BK会場　24aBK　9:30〜12:00

領域4
量子井戸・超格子・光応答

ダイヤモンド同位体超格子構造における格子振動

東工大理

坂東優樹，斎藤晋

多接合型太陽電池のサブセル性能評価に向けたエレクトロルミネッセンス絶対光量計測

東大物性研^A，JST-CREST^B，JST-SENTAN^C，中国華東師範大^D，産総研^E，アトー^F，JAXA^G，京大化研^H

吉田正裕^A，B，C，陳少強^D，朱琳^A，B，C，望月敏光^E，金昌秀^A，B，C，秋山英文^A，B，C，久保田英博^C，F，今泉充^G，金光義彦^B，H

GaAs単一ヘテロ接合ホールバーへのベクトル波形整形波照射効果

筑波大数理，東京農工大工^A

大嶋勇輝，伊東駿^A，野村晋太郎，三沢和彦^A

GaAs/AlGaAs2重量子井戸中の電子-LOフォノン相互作用によるポーラロンの形成

東大院理^A，JAXA/ISAS^B，情通機構^C，東大生産研^D，東大院総合^E

二瓶亮太^A，B，小宮山進^C，佐藤崇^D，川田光伸^B，土井靖生^E，松浦周二^B，中川貴雄^A，B

休憩　（10:30〜10:45)

GaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する励起子－音響フォノン相互作用の効果II

阪市大院工

大野達也，古川喜彬，中山正昭

InAs/GaAs量子ドット超格子におけるホットキャリアダイナミクス

神戸大院工

原田幸弘，渡部大樹，笠松直史，喜多隆

Optics of Graphene from Dot to Sheet

Okinawa Inst. of Sci. and Tech. Grad. Univ.

Rico Pohle，Eleftheria Kavousanaki，Keshav Dani，Nic Shannon

Quasiparticle and optical properties of TiO₂ and its related systems

東工大理，UC Berkeley^A，Lawrence Berkeley Lab^B

青木祐太，Sinisa Coh^A，B，Steven G. Louie^A，B，Marvin L. Cohen^A，B，斎藤晋

Eu添加GaNエピタキシャル薄膜における発光励起スペクトルの特異性

阪市大院工，阪大院工^A

中村聡志，竹内日出雄，小泉淳^A，藤原康文^A，中山正昭

一般社団法人 日本物理学会 第70回年次大会 The 70th Annual Meeting

分野別プログラム

領域4

21日 AA会場 21aAA 9:30〜10:15

領域6（1番目の招待講演のみ領域4と合同）超伝導

21日 AC会場 21aAC 9:00〜12:15

領域4，領域7合同グラフェン（輸送特性）

休憩 （10:30〜10:45)

21日 AM会場 21aAM 9:30〜12:00

領域4トポロジカル絶縁体（スピン流・ワイル半金属）

休憩 （10:30〜10:45)

21日 BC会場 21aBC 9:00〜12:15

領域8，領域4半金属・ディラック電子

休憩 （10:30〜10:45)

21日 BK会場 21aBK 9:00〜12:00

領域4量子細線・微小接合

休憩 （10:30〜10:45)

21日 AJ会場 21pAJ 13:30〜16:55

領域11，領域3，領域4，領域8，領域9，領域10合同シンポジウム主題：第一原理計算手法の現状と展望

休憩 （15:10〜15:25)

21日 AM会場 21pAM 13:30〜16:30

領域4トポロジカル絶縁体

休憩 （15:00〜15:15)

21日 BK会場 21pBK 13:30〜17:00

領域4量子ホール効果

休憩 （15:15〜15:30)

22日 AM会場 22aAM 9:30〜12:30

領域4，領域7合同グラフェン（量子ホール効果，磁気輸送）

休憩 （11:00〜11:15)

22日 BB会場 22aBB 9:00〜12:30

領域4トポロジカル絶縁体・超伝導体（実験・理論）

休憩 （10:30〜10:45)

22日 BK会場 22aBK 9:00〜12:30

領域4量子ドット

休憩 （10:30〜10:45)

22日 AC会場 22pAC 13:30〜16:30

領域7，領域4合同グラフェン（電子状態）

休憩 （15:00〜15:15)

22日 AM会場 22pAM 14:00〜16:30

領域4トポロジカル絶縁体（実験）

休憩 （15:00〜15:15)

22日 BB会場 22pBB 13:30〜16:45

領域4，領域1，領域5合同シンポジウム主題：固体と光の融合：量子状態の制御と観測

休憩 （14:50〜15:05)

23日 AB会場 23pAB 13:30〜16:45

領域4，領域7合同グラフェン関連（新物質・原子層）

休憩 （15:00〜15:15)

23日 AM会場 23pAM 13:30〜17:00

領域4トポロジカル超伝導体（実験・理論）

休憩 （15:00〜15:15)

23日 AS会場 23pAS 13:30〜15:15

領域9（1〜7番目の一般講演のみ領域4、領域8と合同）トポロジカル表面

23日 BK会場 23pBK 13:30〜17:00

領域4量子ドット

休憩 （15:00〜15:15)

23日 PSB会場 23pPSB 15:30〜17:30

領域4領域4ポスターセッション

24日 AL会場 24aAL 9:00〜12:30

領域7，領域4合同グラフェン関連（新物質・原子層，輸送特性，光応答）

休憩 （10:30〜10:45)

24日 AM会場 24aAM 9:00〜12:25

領域4領域4 日本物理学会若手奨励賞受賞講演

休憩 （10:40〜10:55)

24日 BK会場 24aBK 9:30〜12:00

領域4量子井戸・超格子・光応答

休憩 （10:30〜10:45)

一般社団法人日本物理学会　第70回年次大会
The 70th Annual Meeting

21日 AA会場　21aAA　9:30〜10:15

領域6（1番目の招待講演のみ領域4と合同）
超伝導

21日 AC会場　21aAC　9:00〜12:15

領域4，領域7合同
グラフェン
（輸送特性）

休憩　（10:30〜10:45)

21日 AM会場　21aAM　9:30〜12:00

領域4
トポロジカル絶縁体
（スピン流・ワイル半金属）

休憩　（10:30〜10:45)

21日 BC会場　21aBC　9:00〜12:15

領域8，領域4
半金属・ディラック電子

休憩　（10:30〜10:45)

21日 BK会場　21aBK　9:00〜12:00

領域4
量子細線・微小接合

休憩　（10:30〜10:45)

21日 AJ会場　21pAJ　13:30〜16:55

領域11，領域3，領域4，領域8，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：第一原理計算手法の現状と展望

休憩　（15:10〜15:25)

21日 AM会場　21pAM　13:30〜16:30

領域4
トポロジカル絶縁体

休憩　（15:00〜15:15)

21日 BK会場　21pBK　13:30〜17:00

領域4
量子ホール効果

休憩　（15:15〜15:30)

22日 AM会場　22aAM　9:30〜12:30

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果，磁気輸送）

休憩　（11:00〜11:15)

22日 BB会場　22aBB　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体
（実験・理論）

休憩　（10:30〜10:45)

22日 BK会場　22aBK　9:00〜12:30

領域4
量子ドット

休憩　（10:30〜10:45)

22日 AC会場　22pAC　13:30〜16:30

領域7，領域4合同
グラフェン
（電子状態）

休憩　（15:00〜15:15)

22日 AM会場　22pAM　14:00〜16:30

領域4
トポロジカル絶縁体
（実験）

休憩　（15:00〜15:15)

22日 BB会場　22pBB　13:30〜16:45

領域4，領域1，領域5合同シンポジウム
主題：固体と光の融合：量子状態の制御と観測

休憩　（14:50〜15:05)

23日 AB会場　23pAB　13:30〜16:45

領域4，領域7合同
グラフェン関連
（新物質・原子層）

休憩　（15:00〜15:15)

23日 AM会場　23pAM　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル超伝導体
（実験・理論）

休憩　（15:00〜15:15)

23日 AS会場　23pAS　13:30〜15:15

領域9（1〜7番目の一般講演のみ領域4、領域8と合同）
トポロジカル表面

23日 BK会場　23pBK　13:30〜17:00

領域4
量子ドット

休憩　（15:00〜15:15)

23日 PSB会場　23pPSB　15:30〜17:30

領域4
領域4ポスターセッション

24日 AL会場　24aAL　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
グラフェン関連
（新物質・原子層，輸送特性，光応答）

休憩　（10:30〜10:45)

24日 AM会場　24aAM　9:00〜12:25

領域4
領域4 日本物理学会若手奨励賞受賞講演

休憩　（10:40〜10:55)

24日 BK会場　24aBK　9:30〜12:00

領域4
量子井戸・超格子・光応答

休憩　（10:30〜10:45)