一般社団法人日本物理学会　2015年秋季大会　The 2015 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域9

16日 CA会場　16aCA　9:00〜12:15

領域9
表面界面ダイナミクス・水素ダイナミクス

MoS₂(0001)表面における摩擦の散逸エネルギーのフォノン分散曲線III

愛教大物理, 青学大理工^A, 電通大先進理工^B

石川誠, 和田範之, 宮川貴彦, 松川宏^A, 佐々木成朗^B, 鈴木勝^B, 三浦浩治

ワイドバンドギャップ酸化物単結晶ワイヤの格子欠陥の可逆的制御と応用

物材研MANA^A, 中国科学院^B

櫻井亮^A, 劉可為^B, 青野正和^A

TiO₂(110)表面上における陽電子刺激イオン脱離の入射エネルギー依存性

立教大理, 東理大理^A

立花隆行, Luca Chiari^A, 柳楽勝^A, 平山孝人, 長嶋泰之^A

雰囲気光電子分光法によるCu(997)表面における二酸化炭素の反応のその場観測

東大物性研

小板谷貴典, 山本達, 塩澤佑一朗, 向井孝三, 吉本真也, 竹内圭織, 劉若亞, 松田巌, 吉信淳

SrTiO₃表面上での水素分子の吸着状態と表面散乱

阪大院工^A, アトミックデザイン研究セ^B

清水康司^A, 中西寛^A, Wilson Agerico Diño^{A, B}

水素終端Si(110)-(1×1)表面のフォノンII：実験と理論

東北大院理, 東理大理^A

松下ステファン悠, 胡春平^A, 川本絵里奈, 加藤大樹^A, 渡辺一之^A, 須藤彰三

休憩　（10:30〜10:45)

亜鉛で修飾したCu(111)表面におけるギ酸の反応

東大物性研

塩澤佑一朗, 小板谷貴典, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳

Pt(111)表面上での酸素吸着における立体効果

物材機構

植田寛和, 倉橋光紀

Pd₇₀Au₃₀(110)表面での水素吸放出に対する動的分子キャップ効果

東大生研, 阪大院理^A

小倉正平, 岡田美智雄^A, 福谷克之

Pd(110)サブサーフェスの水素観察に向けた高分解能ERDA装置の開発

筑波大数理

前田智美, 関場大一郎

Pd(111)表面テラスにおける水素吸放出

東大工

小林達也, 小川翔平, 大野哲, 小倉正平, MarkusWilde, 福谷克之

固体表面における水素同位体吸着子の量子状態シミュレーション

阪大院工^A, 東大生産研^B, 明石高専^C

中西寛^A, Wilson A. Dino^A, 笠井秀明^{A, B, C}

16日 CB会場　16aCB　9:30〜12:30

領域9
表面界面構造

移　　動

重合反応を利用したトリフェニルアミン誘導体のAu(111)表面上でのπ電子ネットワークの構築

横市大院生命ナノ

高杉一城, 横山崇

取　　消

CO分子に対するSTM/AFMを用いた非弾性電子トンネル分光における探針先端の役割

金沢大理工^A, レーゲンスブルグ大^B, リンナエウス大^C

岡林則夫^A, Alexander Gustafsson^C, Angelo Peronio^B, Magnus Paulsson^C, 新井豊子^A, Franz J. Giessibl^B

原子間力顕微鏡を用いたGe/Si混在表面での元素識別

東大新領域^A, 阪大院工^B

小野田穣^{A, B}, 仁木康平^B, 杉本宜昭^{A, B}

STMとDFTによるSi(100)表面のリン-シリコンヘテロダイマーの研究

物材機構, UCL^A

鷺坂恵介, 藤田大介, デビッド・ボウラー^A

休憩　（10:30〜10:45)

全反射高速陽電子回折（TRHEPD）によるGe(001)-c(2×8)-Au表面の構造決定II

高エネ機構, 原子力機構先端基礎^A

望月出海, 深谷有喜^A, 和田健, 一宮彪彦, 兵頭俊夫

取　　消

反射高速電子線回折法によるAl₂O₃(0001)√31×√31 R9°構造の解析2

横市大生命ナノ, 並木精密宝石^A

戸坂亜希, 杉山卓嘉, 小山浩二^A, 重田諭吉

β-FeSi₂(100)表面の電子状態

奈良先端大物質創成, ASCR^A

服部賢, 染田政明, 大門寛, Oleksandr Romanyuk^A

^●11

Thickness dependence of composition and chemical states of cerium oxide film on Rh(111)

Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.

Lap-Hong CHAN, Junji YUHARA

RHEED励起によるZnO(0001)表面からのBRAESプロファイル

大同大工, 東北大多元研^A, 名工大工^B

堀尾吉已, 高桑雄二^A, 小川修一^A, 安部功二^B

3次元パターン化したSi(110)基板上でのSi(111)7×7側面構造

阪大産研, 奈良先端大物質創成^A

服部梓, 服部賢^A, 竹本昌平^A, 大門寛^A, 田中秀和

16日 CA会場　16pCA　13:30〜17:00

領域9
グラフェン・ナノシート，ナノチューブ・ナノワイヤ

湾曲グラフェンにおける水素分子解離吸着反応の活性化エネルギー計算

理研, 横浜国大院工^A

野田祐輔, 小野頌太^A, 大野かおる^A

全反射高速陽電子回折によるグラフェン・Co(0001)基板間への金属原子インターカレーションの研究

原子力機構先端基礎研^A, 高エネ研物構研^B

深谷有喜^A, 圓谷志郎^A, 境誠司^A, 望月出海^B, 和田健^B, 兵頭俊夫^B, 社本真一^A

Si(111)7×7表面上におけるナノグラフェンの転写と構造評価

名大院工

畑紘貴, 柚原淳司

SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの角度分解光電子分光

東大物性研, 東工大総理工^A, 九大院工^B, 高エネ研^C

飯盛拓嗣, 中辻寛^A, 宮町俊生, 家永紘一郎, 金聖憲, 田村匡, 豊久宗玄, 福間洸平^B, 森田康平^B, 梶原隆司^B, 林真吾^B, Anton Visikovsliy^B, 田中悟^B, 間瀬一彦^C, 小森文夫

グラファイトにおける非占有バンド間の電子フォノン散乱：HREELSによる直接観察

阪大産研, 東大物性研^A

田中慎一郎, 向井孝三^A, 吉信淳^A

シリセン/ZrB₂/Si(111)のフォノン分散とシリセンの構造

東大物性研, 北陸先端大^A, 国立シンガポール大^B

向井孝三, Chi-Cheng Lee^{A, B}, Antoine Fleurence^A, 高村（山田）由起子^A, 尾崎泰助, Rainer Friedlein^A, 吉本真也, 吉信淳

Ag(111)上シリセンの成長様式

東大新領域, JSPS特別研究員^A, 高エ研^B, 東大物性研^C, MANA-NIMS^D

川原一晃^A, 望月出海^B, 白澤徹郎^C, 林俊良, 長尾遼, 荒船竜一^D, 川上直也, 和田健^B, 塚原規志, 高橋敏男^C, 兵頭俊夫^B, 川合眞紀, 高木紀明

休憩　（15:15〜15:30)

第一原理計算によるWS₂上の原子吸着

鳥大工, JASRI/SPring-8^A

大濵彰博, 中田謙吾^A, 石井晃

グラフェン/SiC(0001)表面におけるCO₂の吸着状態：昇温脱離法及び雰囲気光電子分光法による研究

東大物性研, 東北大通研^A

竹内圭織, 山本達, 劉若亞, 塩澤佑一朗, 染谷隆史, 田島圭一郎^A, 吹留博一^A, 小板谷貴典, 向井孝三, 吉本真也, 末光眞希^A, 吉信淳, 松田巌

亜鉛ナノワイヤーの酸化過程のその場電子顕微鏡観察

筑波大院数理, 筑波大物質^A

野崎正人, 木塚徳志^A

パルス通電時の金ナノ接点のその場電子顕微鏡観察

筑波大応理, 筑波大物質^A

鈴木泰周, 谷中淳^A, 木塚徳志^A

銅ナノ接点の変形過程のその場電子顕微鏡観察

筑波大院数理, 筑波大物質^A

音田光一, 木塚徳志^A

その場電子顕微鏡によるジルコニウムナノ接点の観察

筑波大院数理, 筑波大物質^A

山田浩平, 木塚徳志^A

16日 CB会場　16pCB　13:30〜16:45

領域9
表面界面電子物性

ナノ薄膜における熱電効果の理論計算

物材機構, 筑波大院数物^A, NEC^B

高木博和, 小林一昭, 下野昌人, 小林伸彦^A, 広瀬賢二^B

Rashba系表面構造(Tl, Pb)/Si(111)における二次元超伝導：in situ電気伝導測定

東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Far Eastern Federal Univ.^B, Vladivostok State Univ. of Economics and Service^C

一ノ倉聖, A.V. Matetskiy^{A, B}, L.V. Bondarenko^{A, B}, A.Y. Tupchaya^{A, B}, D.V. Gruznev^{A, B}, A.V. Zotov^{A, B, C}, 保原麗, 秋山了太, 高山あかり, A.A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司

Bi被覆InSb(001)上の1次元金属的電子状態と表面原子構造

阪大生命^A, 阪大理^B, Synchrotron SOLEIL^C, UR1/CNRS^D, 分子研UVSOR^E

大坪嘉之^{A, B}, 岸潤一郎^B, 萩原健太^B, Patrick Le Fèvre^C, François Bertran^C, Amina Taleb-Ibrahimi^{C, D}, 松波雅治^E, 田中清尚^E, 木村真一^{A, B}

グラファイト表面に吸着したペンタセン分子膜の電子状態に関する理論的研究

琉球大院理工, 琉球大理^A

川那辺剛, 柳澤将^A, 稲岡毅^A

ベンゼン誘導体の表面増強ラマン散乱における金属‐分子界面構造依存性

東工大院理工

鈴木翔, 金子哲, 木口学

^●6

The electronic structure of the outer most layer in multilayer silicene grown on Ag(111)

東大新領域, 東大総合文化^A, NIMS-MANA^B

林俊良, 萩野勇志^A, 伊藤佑次朗^A, 長尾遼, 川原一晃, 青木優^A, 増田茂^A, 荒船竜一^B, 川合眞紀, 高木紀明

休憩　（15:00〜15:15)

Fe/W(110)界面におけるディラック電子の質量制御：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

佐藤宇史^A, 本間康平^A, 相馬清吾^B, 田中祐輔^A, 菅原克明^B, 高橋隆^{A, B}

レーザー光励起による高効率・高分解能三次元スピン分解光電子分光装置の開発II

東大物性研, 東理大総合研^A, 中国科学院^B

矢治光一郎, 原沢あゆみ, 豊久宗玄, 中山充大, 福島昭子, 石田行章, 渡部俊太郎^A, C.-T. Chen^B, 小森文夫, 辛埴

三次元スピン分解光電子分光によるCu(111)表面電子状態のスピン構造の研究

東大物性研

豊久宗玄, 矢治光一郎, 原沢あゆみ, 飯盛拓嗣, 辛埴, 小森文夫

W(112)の擬1次元表面状態の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大高教機構^B, 東北大WPI^C

福谷圭祐^{A, B}, 本間康平^A, 菅原克明^C, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, C}

角度分解光電子分光で見たBi/Ge(111)薄膜へのK蒸着による電子状態変化

東大物性研, NSRRC^A, Nat’l. Tsing Hua Univ.^B, 東大理^C

伊藤俊, 染谷隆史, W. C. Chen^A, C. M. Cheng^A, C. H. Lin^B, 飯盛拓嗣, B. J. Feng, 高山あかり^C, 小森文夫, S. J. Tang^B, 松田巌

可視光レーザーを用いた表面ラシュバ系における光誘起電圧の円二色性：Bi表面および Bi吸着Ag表面

東大理, 東工大理^A

石原大嵩, 福居直哉, 保原麗, 高山あかり, 秋山了太, 平原徹^A, 長谷川修司

17日 CA会場　17aCA　10:45〜12:15

領域9
表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象

トンネル領域から原子接触までの電気伝導度の原子サイト依存性

東大物性研

Howon Kim, ^○長谷川幸雄

Ag(111)表面における物理吸着酸素の構造と電子状態

東大物性研, 理研^A

山本駿玄, 今田裕^A, 吉田靖雄, 金有洙^A, 長谷川幸雄

フリーベースフタロシアニンの単分子化学反応とSTM発光分光による特性評価

理研SISL^A, 東大新領域^B

今田裕^A, 今井みやび^{A, B}, 河原祥太^{A, B}, 木村謙介^{A, B}, 三輪邦之^A, 金有洙^A

フェムト秒レーザーにより自己形成する金属ナノ周期構造〜形成閾値フルーエンスの材料種依存性〜

京大化研・京大院理, 核融合研^A

橋田昌樹, 西井崇也, 宮坂泰弘, 坂上仁志^A, 井上峻介, 阪部周二

ダブルパルスを用いた石英のフェムト秒レーザーアブレーションにおける非熱効果のダイナミクス研究

原子力機構, 九大院工^A

熊田高之, 乙部智仁, 錦野将元, 長谷川登, 林照剛^A

van der Waals密度汎関数法によるSi(100)面上benzene吸着構造の数値的研究

阪大院工^A, 物材機構WPI-MANA^B

濱本雄治^A, 濱田幾太郎^B, 稲垣耕司^A, 森川良忠^A

17日 CB会場　17aCB　9:00〜11:45

領域9
結晶成長・ナノ結晶・クラスタ

塩化水素ガスによって氷ベーサル面に生成する液体層

北大低温研

長嶋剣, 佐崎元, 羽馬哲也, 村田憲一郎, 中坪俊一, 古川義純

金ナノ粒子のCWレーザー加熱により発生する水中マイクロバブルの生成消滅ダイナミクス

徳島大工

柳谷伸一郎

金ナノ粒子のCWレーザー加熱により生成する水中ナノバブルの原子間力顕微鏡観察

徳島大工

柳谷伸一郎

脂質分子間化合物の融液結晶化における初期構造形成

広大院総科, 広大院生物圏^A

生駒龍一, 田口健, 戸田昭彦, 上野聡^A, 佐藤清隆^A

休憩　（10:00〜10:15)

（招待講演）フェーズフィールド法によるステップ・ダイナミクスの定量的数値計算

名古屋市立大

三浦均

Si(111)表面上Ge ナノドット成長過程のストレスその場測定

原子力機構先端研^A, 日立パワー^B, 東北大通研^C

朝岡秀人^A, 魚住雄輝^{A, B}, 末光眞希^C

Si(111)面(7×7)-(1×1)相転移とステップ・バンチング：表面張力計算による定量的解析

大阪電通大工, 関西学院理工^A, 群大理工院^B

阿久津典子, 日比野浩樹^A, 山本隆夫^B

ブラウン動力学法を用いた2元粒子系の2次元構造制御

金沢大院自然, 立命館大理工^A, 金沢大IMC^B

前川優哉, 勝野弘康^A, 佐藤正英^B

寒天平板上におけるNaCl結晶成長のモルフォロジー・ダイアグラム

中大理工

今井景佑, 山本健, 脇田順一

17日 CB会場　17pCB　13:30〜16:45

領域9，領域3合同シンポジウム
主題：表面・界面数原子層の磁気物性

（シンポジウム講演）趣旨説明

京都工繊大

三浦良雄

（シンポジウム講演）高輝度・高スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡による磁区挙動の動的観察

大阪電通大

安江常夫

（シンポジウム講演）偏極準安定He原子線による最表面スピンの観測

物材機構

山内泰

（シンポジウム講演）鉄薄膜表面・界面での磁気キャンティング

東大生研

福谷克之

（シンポジウム講演）深さ分解X線吸収分光法を用いた表面・界面の磁性と構造の観察

高エ研物構研

雨宮健太

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）XMCDから見た磁気接合界面における軌道磁気モーメントと垂直磁気異方性の相関

東大理

岡林潤

（シンポジウム講演）界面磁性の電界効果：第一原理計算

三重大工

中村浩次

（シンポジウム講演）磁気異方性の電界制御とその応用

東北大通研

金井駿

17日 CS会場　17pCS　13:00〜13:45

領域6（招待講演のみ領域9，領域10と合同）
量子固体4^{He, 他}

（招待講演）ヘリウム４結晶の最近の展開−−−平衡形・超固体性−−−

なし

奥田雄一

18日 PS会場　18aPS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

Pd-SiO系ホイスカー粒子の成長とその構造

東北学院大工

鈴木仁志

陽電子表面状態の第一原理計算：電子-陽電子相関効果

東理大理

萩原聡, 鈴木康光, 渡辺一之

Pb/Ge(111)超薄膜における構造と輸送特性

東大理

花塚真大, 一ノ倉聖, 保原麗, 高山あかり, 秋山了太, 長谷川修司

水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察：電圧依存性

東北大院理, 東北大学際研^A

松下ステファン悠, 松田卓也, ^○永田龍太郎, 川本絵里奈, 伊藤隆^A, 須藤彰三

Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態

東工大総理工, あいちSR^A, 名大SRセ^B, 名大院工^C

宍倉一輝, 吉池雄作, 鈴木順也, 渡辺義夫^A, 伊藤孝寛^{B, C}, 中辻寛, 平山博之

^●6

Study of Optical Second Harmonic Interference Pattern at Interface between Iron Phthalocyanine Layer and Indium Tin Oxide

Sch. of Materials Sci., Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST)^A, Sch. of Electronics and Computer Sci., University of Southampton, U.K.^B, Dept. of Phys., Center of Defence Foundation Studies, Nat’l. Defense Univ. of Malaysia, Malaysia^C

Muhammad Samir Ullah^A, Siti Zulaikha Ngah Demon^C, Kazuki Matsumoto^A, Khuat Thi Thu Hien^A, Goro Mizutani^A and Harvey Rutt^B

In/Si(111)-(√7×√3)表面の電気伝導に対する吸着フタロシアニンの効果

京大院理

八田振一郎, 坂田直人, 奥山弘, 有賀哲也

Si(111)基板上に成長させたBi₂Te₃薄膜の電子状態と電気伝導

京大院理

八田振一郎, 大林嵩, 施安路, 奥山弘, 有賀哲也

Si(001)-2×1表面電子構造に及ぼす歪みの効果

琉球大理, 奈良先端大^A, 東大物性研^B

稲岡毅, 武田さくら^A, 白澤徹郎^B

La(Al,Mn)O₃/SrTiO₃における電気分極の層依存性と電子状態の第一原理計算

金沢大数物

山口直也, 石井史之

多探針STMを用いた金ナノ粒子/チオフェン複合粒子の電気伝導測定

東大理, 阪大産研^A

保原麗, 福居直哉, 中村友謙, 丹波俊輔^A, 家裕隆^A, 安蘇芳雄^A, 長谷川修司

Au電解質溶液界面における芳香族チオール分子の吸着状態

横国大院工

櫻田一平, 大野真也, 田中正俊

銀吸着シリコン表面上のオリゴチオフェン薄膜の内殻電子状態の解析

横国大院工, 佐賀大シンクロトロン^A

大野真也, 田中一馬, 田中博也, 高橋和敏^A, 田中正俊

OPV系分子ワイヤにおけるコンダクタンスの幾何構造依存性に関する第一原理研究

北大工

石川達也, 江上喜幸

有機半導体分子における電界効果の第一原理計算

東大工

守屋友敬, 南谷英美, 渡邉聡

新型分子性ヨウ化物における表面伝導特性の研究

阪大院理

駒田盛是, 村川寛, 花咲徳亮

走査トンネル顕微鏡によるCu(001)基板上のFe薄膜表面の構造最適化

東大物性研

中島脩平, 高橋文雄, 家永紘一郎, 宮町俊生, 小森文夫

DFTによる原子状水素存在下におけるアラニン吸着Cu(001)表面の構造最適化

宇大院工

岩井秀和, 高島光秋

Si(111)√3×√3-B基板上のBi(110)島表面に現れる再構成構造

東工大総理工

吉池雄作, 小久保郁也, 中辻寛, 平山博之

AgBi表面合金層のパッチワーク状ドメイン構造

東工大総理工材物

鈴木順也, 吉池雄作, 宍倉一輝, 中辻寛, 平山博之

Ni(111)表面上のSiおよびGe吸着構造のLEEDによる解析

九大総理工

Md. Sazzadur Rahman, 中川剛志, ^○水野清義

MgO(001)基板上のAg薄膜の脱濡れにおけるFeシード層の影響

東大生研, 芝浦工大^A, 韓国光云大^B

神子公男, 末永亮^A, 野瀬健二, 弓野健太郎^A, 光田好孝, 河在根^B

Si(111)-7×7表面におけるFeクラスターの形成に関する研究

奈良先端大物質創成, 中国科学院^A, 東大物性研^B, 埼工大^C

楊昊宇, 田中虔一^A, 小森文夫^B, 巨東英^C, 服部賢, 大門寛

SiCナノファセット構造におけるステップエッジへの原子吸着

九大院工, 東大物性研^A, 豊田工大^B

林真吾, Anton Visikovskiy, 梶原隆司, 飯盛拓嗣^A, 小森文雄^A, 吉村雅満^B, 田中悟

Si(001)基板上に作製したβ-FeSi₂(100)ナノカーペットの逆格子解析

奈良先端大物質, 阪大産研^A

竹本昌平, 石田拓也, 生田円佳, 神保裕喜, 楊昊宇, 染田政明, 服部賢, 大門寛, 服部梓^A, 田中秀和^A

φ-RHEED3次元逆格子マッピングによるSi(001)表面上に成長したドーム島状鉄シリサイドの結晶構造解析

奈良先端大物質創成

石田拓也, 竹本昌平, 神保裕喜, 太田啓介, 服部賢, 大門寛

三次元逆格子空間におけるナノ結晶種類・配向の探索アルゴリズムの開発

奈良先端大物質

神保裕喜, 生田円佳, 広田望, 中家佑吾, 竹本昌平, 石田拓也, 服部賢, 大門寛

Si(111)-√21×√21-(Ag+Au)構造の再考察II

東京学芸大, 東大物性研^A, JSTさきがけ^B, JASRI/SPring-8^C

高橋敏男, 山口雄大^A, 白澤徹郎^{A, B}, 田尻寛男^C

不規則な吸着Si原子を伴う金原子吸着Si(111)5×2表面に対するパターソン関数の理論計算

岡理大工

森文紀, 垣谷公徳

様々な結晶多形の SiC 表面でのπ-結合鎖模型の安定性

NIMS^A, MARCEED^B, 東大生研^C

金子智昭^{A, B}, 山崎隆浩^{A, B}, 田島暢夫^{A, B}, 大野隆央^{A, B, C}

エレクトロスプレー蒸着したオリゴチオフェン誘導体のSTM観察

横浜市大院生命ナノ, 分子研^A

林云, 横山崇, 田中彰治^A

Si(111)-In薄膜上のMnフタロシアニン分子の吸着状態

東大新領域, 物材機構MANA^A

塚原規志, 進藤一樹, 吉澤俊介^A, 内橋隆^A, 川合眞紀, 高木紀明

Cu(111)面におけるギ酸分解反応のVan der Waals力を考慮した第一原理計算

阪大院工

鳥井史郎, Fahdzi Muttaqien, 濱本雄治, 木崎栄年, 稲垣耕司, 森川良忠

TiO₂(110)表面における水素分子の散乱と吸着

東大生研, 阪大院理^A

中村研貴, 武安光太郎^A, 小倉正平, 福谷克之

ナノアイランドMoS₂(0001)表面における摩擦の散逸エネルギー

愛教大物理, 電通大先進理工^A, 青山学院理工^B

和田範之, 石川誠, 宮川貴彦, 鈴木勝^A, 佐々木成朗^A, 松川宏^B, ^○三浦浩治

^●36

Dissociation Reaction of Methane on Copper (111) Surface from Ab Initio Molecular Dynamics Simulations

Kumamoto Univ., Tokyo Univ.^A

Rizal Arifin, Yasushi Shibuta^A, Kohei Shimamura, Fuyuki Shimojo, Shu Yamaguchi^A

ヘリウム吸着原子による金ナノギャップ電極のトンネル電流への影響

金沢大教育, 信州大教育^A, 九州大院工^B

辻井宏之, 高田恵里, 西村安紀子, 水上周, 神原浩^A, 河江達也^B

強電界およびレーザー照射下Si_nクラスターの励起電子状態の第一原理計算

東理大理

内田一樹, Elena Silaeva, 鈴木康光, 渡辺一之

TDDFTによる層状グラフェンの二次電子放出と減衰効果

東理大理

上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之

Alナノ粒子の気相酸化プロセス

産総研ナノ材料, 産総研製造技術^A

古賀健司, 平澤誠一^A

H+COと2H+COの活性化エネルギーの比較

横国大院工, ダッソーシステムズ^A

桑畑和明, Pham Thi Nu, 桑原理一^A, 小野頌太, 大野かおる

マグネシウムフタロシアニン分子のSTM発光分光

東大新領域^A, 理研SISL^B

河原祥太^{A, B}, 今田裕^B, 三輪邦之^B, 今井みやび^{A, B}, 木村謙介^{A, B}, 川合眞紀^A, 金有洙^B

走査トンネル顕微鏡発光における界面プラズモンの光学応答

理研, 阪大工^A, 東大生研^B, 明石高専^C

三輪邦之, 今田裕, 坂上護^A, 笠井秀明^{B, C}, 金有洙

鉄窒化物超薄膜の作製とその表面磁気光学効果の観測

東大物性研^A, NHK放送技研^B

河村紀一^{A, B}, 高橋文雄^A, 家永紘一郎^A, 宮町俊生^A, 小森文夫^A

W(112)およびMo(112)上のCoの構造解析

九大総理工

高村優, 山口功介, 水野清義, 中川剛志

^●46

Study of the ferromagnetic transition metals in atomic-sized contacts

Dept. of Applied Quantum Phys., Kyushu Univ., Inst. for Solid State Phys., Univ. of Tokyo^A, Dept. of Education, Kanazawa Univ.^B

M.S. Islam, H. Takata, Y. Ueno, K. Ienaga^A, Y. Inagaki, H. Tsujii^B, T. Kawae

Icosahedral nanowireの形成過程

京大工

藤田尚也, 黒川修, ^○酒井明

カーボンナノチューブの第一原理電子状態計算：キャップ幾何構造と局在準位の相関関係

横国大工院, ダッソーシステムズ・バイオビア^A

谷川幸晴, 小野頌太, 桑原理一^A, 大野かおる

液体水素温度における金属ナノコンタクトへの水素吸蔵現象と電気伝導特性変化

九州大院工, 東大物性研^A, 金沢大教育^B, 九州大院総理工^C

上野友輔, 高田弘樹, 家永紘一郎^A, モハメドサイフルイスラム, 稲垣祐次, 辻井宏之^B, 橋爪健一^C, 大塚哲平^C, 河江達也

角度分解2光子光電子分光によるBi₂Te₃(111)表面の電子励起過程

佐賀大シンクロ

山本勇, 東純平, 今村真幸, 高橋和敏, 鎌田雅夫

トポロジカル絶縁体(Bi_xSb_1-x)₂Te₃におけるin situおよびex situ電気伝導測定による表面状態の比較検証

東大理, 広大理^A, ノヴォシビルスク大^B

秋山了太, 一ノ倉聖, 角田一樹^A, 木村昭夫^A, Konstantin Kokh^B, Oleg Tereshchenko^B, 長谷川修司

酸化グラフェンナノシートの原子間力顕微鏡観察

熊大院自然

山本佳輝, 平野佑樹, 横井裕之, 松本泰道, ^○原正大

機械的剥離酸化チタンナノシートの伝導特性

熊大院自然

川畑喜久, 今福達也, 高木健誠, 平野佑樹, 松本泰道, ^○原正大

原子間力顕微鏡を用いた酸化チタンナノシートの表面観察

熊大院自然

平野佑樹, 山本佳輝, 高木健誠, 松本泰道, 原正大

h-BNヘテロ接合グラフェンにおける電気伝導特性の理論的解析

成蹊大理工

若井大河, 坂本昇一, 富谷光良

^●56

Modification of graphene electronic properties by periodic potential of a substrate

Kyushu Univ.^A, Toyota Technological Inst.^B, Univ. of Tokyo ^C

Anton Visikovskiy^A, Takashi Kajiwara^A, Masamichi Yoshimura^B, Fumio Komori^C, Satoru Tanaka^A

真空下CVD法によるナノカーボン構造の基板上成長プロセス評価

情報通信研究機構, 広大先端物質^A

田中秀吉, 富成征弘, 鈴木仁^A

液滴を用いた単原子層グラフェンの作製

東工大総理工

高木優香, 中辻寛, 平山博之

18日 CB会場　18pCB　13:30〜17:00

領域9，領域5合同シンポジウム
主題：The stream and prospects of condensed matter physics in subsurface region using novel spectroscopy

^●1

（シンポジウム講演）Introduction

Dep. Nanomaterials Science, Chiba Univ.

Kazuyuki Sakamoto

^●2

（シンポジウム講演）Atomic-Orbital-Excited Diffraction as Local Electronic Property Analysis Method

NAIST

Fumihiko Matsui

^●3

（シンポジウム講演）Operando XPS Observation of Electrode Surfaces During Electrochemical Reactions

SLAC, National Accelerator Laboratory

Hirohito Ogasawara

^●4

（シンポジウム講演）Potential of FEL in FIR-THz region

ISIR, Osaka Univ.

Akinori Irizawa

^●5

（シンポジウム講演）Ultrahigh-resolution chemical and magnetic imaging by laser-based photoemission electron microscopy

ISSP, Univ. Tokyo

Toshiyuki Taniuchi

休憩　（15:20〜15:35)

^●6

（シンポジウム講演）Two-dimensional ARPES mapping using a new electron lens with dual deflectors

SL Center, Saga Univ.

Kazutoshi Takahashi

^●7

（シンポジウム講演）Polarization-dependent hard x-ray photoemission by simultaneous measurements with the s and p polarization configurations

National Synchrotron Radiation Center, Taiwan

K.-D. Tsuei

^●8

（シンポジウム講演）Epoch-making high resolution and high efficiency spin-2D-ARPES by momentum microscopy

Peter Gruenberg Institut, Forschungszentrum Juelich GmbH

Shigemasa Suga

19日 CA会場　19aCA　11:15〜12:30

領域9（1〜2番目のみ領域8と合同。3〜5番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

層状Pd系トポロジカル超伝導体候補物質の単結晶育成と物性評価

東工大応セラ研

大川顕次郎, 笹川崇男

平衡表面流におけるU(1)対称性の役割

東大物性研

多田靖啓

ビスマスからなるトポロジカル結晶絶縁体

お茶の水大理

小林功佳

Si(111)上Bi薄膜の一次元エッジ状態

東大新領域, 物材機構MANA^A

川上直也, 林俊良, 川合眞紀, 荒船竜一^A, 高木紀明

4端子電気伝導測定によるMnX/Bi₂X₃(X=Se,Te)薄膜の輸送特性

東大理

久保高幸, 中西亮介, ^○高山あかり, 福居直哉, 保原麗, 秋山了太, 長谷川修司

19日 CB会場　19aCB　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性

統計的手法を用いたSTS測定の高速化

東大新領域, 東大物性研^A, 東大総合文化^B

中西（大野）義典, 土師将裕^A, 吉田靖雄^A, 福島孝治^B, 長谷川幸雄^A, 岡田真人

原子操作により形成した仮想グラフェンの電子状態

理研

南任真史, 石橋幸治

^●3

A deeper insight into phase relations in ultra thin Pb films

Inst. of Solid State Phys., Univ. of Tokyo, Nat’l. Synchrotron Radiation Res. Center, Taiwan^B, Dept. of Phys., Nat’l. Tsing Hua Univ., Taiwan^C

Ro-Ya Liu(劉若亞), ^○Angus Huang^C, Chien-Chung Huang^C, Chang-Yeh Lee^C, Chuang-Huang Lin^C, Cheng-Maw Cheng^B, Ku-Ding Tsuei^B, Horng-Tay Jeng^C, Iwao Matsuda, S. -J. Tang^C

原子層窒化銅島の量子閉じ込め効果

東大物性研

宮町俊生, 小森文夫

光ファイバー光学系を用いたカシミール力測定装置の作製

神戸大院理, 神戸大分子フォトセ^A

大道英二, 石川陽帆, 太田仁^A

Cu(110)表面の非弾性トンネル電流に現れる電子ーフォノン相互作用の波数依存性

東大工, 物材機構MANA^A, 東大新領域^B

南谷英美, ^○荒船竜一^A, 塚原規志^B, 渡邉聡, 川合眞紀^B, 高木紀明^B

休憩　（10:30〜10:45)

（招待講演）スピン・回転状態選別O2分子ビームによる酸素吸着・散乱過程の解析

物材機構

倉橋光紀

エチレン終端Si(100)-(2×1)表面におけるF4-TCNQの吸着状態

東大物性研

芳倉佑樹, 吉本真也, 向井孝三, 吉信淳

エチレン終端Si(100)-(2×1)表面におけるF4-TCNQ吸着による電気伝導度変化

東大物性研

吉本真也, 芳倉佑樹, 向井孝三, 吉信淳

STMによる近接効果を利用した単一ステップでの電気伝導度の評価

東大物性研

宮田佳典, Howon Kim, 長谷川幸雄

Si(111)-(√7×√3)-In 表面における乱れによる超伝導抑制の STM 観測

物材機構MANA, 東大物性研^A

吉澤俊介, Howon Kim^A, 長谷川幸雄^A, 内橋隆

水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM像の電圧依存性と電子状態との相関

東北大院理, 東理大理^A

松下ステファン悠, 松田卓也, 胡春平^A, 永田龍太郎, 川本絵里奈, 渡辺一之^A, 須藤彰三

19日 CG会場　19aCG　9:00〜11:00

領域3（前半のみ領域9と合同）
表面磁性
（表面・界面・ナノ粒子）

ハニカム構造単層膜にインターカレートされたFe原子の磁性

広大院理, 広大放射光^A, 広大理^B

多田野渉, 沢田正博^A, 松岡祥吾^B, 生天目博文^A, 谷口雅樹^A

Fe(110)薄膜の表面電子バンド構造における酸素吸着効果：高分解能ARPES

東北大WPI^A, 東北大院理^B, 東北大通研^C

相馬清吾^A, 本間康平^B, 菅原克明^A, 佐藤宇史^B, 辻川雅人^C, 白井正文^C, 高橋隆^{A, B}

Fe磁化が反平行状態の間接交換結合Fe/Au(001)多層膜のAu層に誘起された磁気構造

奈良先端大物質, 奈良高専機械工学^A

細糸信好, 甘崎晋次郎, 徳永真生, 佐野公則, 福井一生, 児玉謙司^A

Fe/BaTiO₃界面の状態制御と電界効果

高エ研物構研

酒巻真粧子, 雨宮健太

NiO/Ni/Cu(001)薄膜の磁性のNiおよびNiO膜厚依存性と電界効果

高エ研物構研

雨宮健太, 酒巻真粧子

強磁性Pd(100)超薄膜に生じた歪みの膜厚依存性

慶大理工, JASRI/SPring-8^A

櫻木俊輔, 田尻寛男^A, 猪田康夫, 金井友宏, 中原翔太, 佐藤徹哉

スピン偏極STMを用いたW(110)上の2層Mn薄膜のらせん磁気構造のカイラリティの評価

東大物性研

土師将裕, 吉田靖雄, 長谷川幸雄

鉄窒化物薄膜の構造と磁性

東大物性研^A, 分子研^B, 総研大^C, NHK放送技研^D, MPI Halle^E, Leipzig Univ.^F

高橋文雄^A, 宮町俊生^A, 高木康多^{B, C}, 魚住まどか^{B, C}, 家永紘一郎^A, 河村紀一^{A, D}, Arthur Ernst^{E, F}, 横山利彦^{B, C}, 小森文夫^A

休憩　（11:00〜11:15)

19日 CA会場　19pCA　13:30〜15:00

領域9（1〜2番目のみ領域4と合同。3〜6番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

トポロジカル絶縁体Sb₂Te₃の中赤外ポンプ時間分解光電子分光：直接励起とそのキャリアダイナミクス

東大物性研, マールブルグ大^A

黒田健太, Johannes Reimann^A, Jens Guedde^A, Ulrich Hoefer^A

トポロジカル絶縁体Sb₂Te₃の中赤外ポンプ時間分解光電子分光：円偏光で制御した表面スピン電流の超高速ダイナミクス

東大物性研, マールブルグ大^A, 広大院理^B, ノヴォシビルスク大^C

黒田健太, Johannes Riemann^A, Jens Guedde^A, 木村昭夫^B, K. Kokh^C, O. Tereshchenko^C, Ulrich Hoefer^A

トポロジカル絶縁体(Sb_1-xBi_x)₂Te₃の時間分解光電子分光

広大院理, 東大物性研^A, 中国科学院^B, 広大放射光セ^C, ノヴォシビルスク大^D

角田一樹, 朱思源, 石田行章^A, 叶茂^B, 田口一暁, 奥田太一^C, 生天目博文^C, 谷口雅樹^C, K. Kokh^D, O. Tereshchenko^D, 辛埴^A, 木村昭夫

Bi₂Se₃薄膜の電子状態の膜厚依存性：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

君塚平太^A, 田中祐輔^A, 相馬清吾^B, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

バルクBi(110)の表面スピン電子状態

広大放射光セ^A, 広大院先端^B, 広大院理^C

奥田太一^A, 獅子堂達也^B, ヌルママットムニサ^{A, C}, 角田一樹^C, 田口一暁^C, 木村昭夫^C, 生天目博文^A, 谷口雅樹^{A, C}

W(110)のディラック表面電子の軌道対称性に依存した電子スピン構造

ミュンスター大^A, 広大放射光セ^B, マックスプランク^C, マーティンルター大^D

宮本幸治^{A, B}, Henry Wortelen^A, Hossein Mirhosseini^C, 奥田太一^B, Juergen Henk^D, Markus Donath^A

19日 CB会場　19pCB　13:30〜16:15

領域9
表面界面構造

Si(111)7×7上でのホモエピタキシーのメカニズム：疑似液滴経由

富山大理^A, 日本電子^B, 福岡大工

島田亙^A, 佐藤智重^B, ^○栃原浩

Si(111)面(7×7)-(1×1)相転移とステップ・バンチング：表面ストレス変化を考慮したレッジエネルギーを用いた計算

大阪電通大工, 関西学院理工^A, 群大理工院^B

阿久津典子, 日比野浩樹^A, 山本隆夫^B

水素終端Si(110)-(1×1)表面の周期的なエッチング過程の考察

東北大院理, 理研^A

川本絵里奈, 松下ステファン悠, 山田太郎^A, 須藤彰三

反射高速電子回折による菊池パターンを用いたSi(111)表面上のエピタキシャル層の歪み評価

横浜市大生命ナノ

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

Si_1-xGe_x上の歪みSi表面のLEEDによる構造解析

東大物性研, 奈良先端大^A, 東京学芸大^B

白澤徹郎, 武田さくら^A, 高橋敏男^B

RHEED強度を利用した表面モフォロジー変化の解析

山梨大, 東大生研

川村隆明

休憩　（15:00〜15:15)

スパースモデリングを用いたSTMトポグラフィデータの解析手法

東大院総合文化, 東北大WPI-AIMR^A

観山正道, 岡田佳憲^A, 一杉太郎^A, 福島孝治

Si(111)表面に成長させたGe薄膜の固相エピタキシー成長による形状・表面構造変化

横浜市大生命ナノ

吉田竜馬, 松岡理香, 戸坂亜希, 重田諭吉

化学的転写法により形成した極低反射率をもつSiナノクリスタル層/Si構造の光学特性

阪大産研, JST-CREST

今村健太郎, 入鹿大地, 野中啓章, 小林光

電気化学的手法によるSiC基板の高速平坦化メカニズム

阪大産研

赤井智喜, 今村健太郎, 小林光

一般社団法人 日本物理学会 2015年秋季大会 The 2015 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域9

16日 CA会場 16aCA 9:00〜12:15

領域9表面界面ダイナミクス・水素ダイナミクス

休憩 （10:30〜10:45)

16日 CB会場 16aCB 9:30〜12:30

領域9表面界面構造

休憩 （10:30〜10:45)

16日 CA会場 16pCA 13:30〜17:00

領域9グラフェン・ナノシート，ナノチューブ・ナノワイヤ

休憩 （15:15〜15:30)

16日 CB会場 16pCB 13:30〜16:45

領域9表面界面電子物性

休憩 （15:00〜15:15)

17日 CA会場 17aCA 10:45〜12:15

領域9表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象

17日 CB会場 17aCB 9:00〜11:45

領域9結晶成長・ナノ結晶・クラスタ

休憩 （10:00〜10:15)

17日 CB会場 17pCB 13:30〜16:45

領域9，領域3合同シンポジウム主題：表面・界面数原子層の磁気物性

休憩 （15:15〜15:30)

17日 CS会場 17pCS 13:00〜13:45

領域6（招待講演のみ領域9，領域10と合同）量子固体4He, 他

18日 PS会場 18aPS 10:00〜12:00

領域9領域9ポスターセッション

18日 CB会場 18pCB 13:30〜17:00

領域9，領域5合同シンポジウム主題：The stream and prospects of condensed matter physics in subsurface region using novel spectroscopy

休憩 （15:20〜15:35)

19日 CA会場 19aCA 11:15〜12:30

領域9（1〜2番目のみ領域8と合同。3〜5番目のみ領域4，領域8と合同）トポロジカル表面

19日 CB会場 19aCB 9:00〜12:30

領域9表面界面電子物性

休憩 （10:30〜10:45)

19日 CG会場 19aCG 9:00〜11:00

領域3（前半のみ領域9と合同）表面磁性（表面・界面・ナノ粒子）

休憩 （11:00〜11:15)

19日 CA会場 19pCA 13:30〜15:00

領域9（1〜2番目のみ領域4と合同。3〜6番目のみ領域4，領域8と合同）トポロジカル表面

19日 CB会場 19pCB 13:30〜16:15

領域9表面界面構造

休憩 （15:00〜15:15)

一般社団法人日本物理学会　2015年秋季大会
The 2015 Autumn Meeting

16日 CA会場　16aCA　9:00〜12:15

領域9
表面界面ダイナミクス・水素ダイナミクス

休憩　（10:30〜10:45)

16日 CB会場　16aCB　9:30〜12:30

領域9
表面界面構造

休憩　（10:30〜10:45)

16日 CA会場　16pCA　13:30〜17:00

領域9
グラフェン・ナノシート，ナノチューブ・ナノワイヤ

休憩　（15:15〜15:30)

16日 CB会場　16pCB　13:30〜16:45

領域9
表面界面電子物性

休憩　（15:00〜15:15)

17日 CA会場　17aCA　10:45〜12:15

領域9
表面ナノ構造量子物性・表面局所光学現象

17日 CB会場　17aCB　9:00〜11:45

領域9
結晶成長・ナノ結晶・クラスタ

休憩　（10:00〜10:15)

17日 CB会場　17pCB　13:30〜16:45

領域9，領域3合同シンポジウム
主題：表面・界面数原子層の磁気物性

休憩　（15:15〜15:30)

17日 CS会場　17pCS　13:00〜13:45

領域6（招待講演のみ領域9，領域10と合同）
量子固体4^{He, 他}

18日 PS会場　18aPS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

18日 CB会場　18pCB　13:30〜17:00

領域9，領域5合同シンポジウム
主題：The stream and prospects of condensed matter physics in subsurface region using novel spectroscopy

休憩　（15:20〜15:35)

19日 CA会場　19aCA　11:15〜12:30

領域9（1〜2番目のみ領域8と合同。3〜5番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

19日 CB会場　19aCB　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性

休憩　（10:30〜10:45)

19日 CG会場　19aCG　9:00〜11:00

領域3（前半のみ領域9と合同）
表面磁性
（表面・界面・ナノ粒子）

休憩　（11:00〜11:15)

19日 CA会場　19pCA　13:30〜15:00

領域9（1〜2番目のみ領域4と合同。3〜6番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

19日 CB会場　19pCB　13:30〜16:15

領域9
表面界面構造

休憩　（15:00〜15:15)