領域別プログラム
領域7
領域4,領域7合同
グラフェン
(輸送特性,電場応答)
●1
Properties of the charged vacuum analogue in a graphene quantum dot
Univ. LeicesterA, Univ. of TokyoB
Peter MaksymA, B, Hideo AokiB
2
グラフェンナノリボン電場変調光吸収スペクトルにおける静電遮蔽の効果
北大院工
西田寛太朗, 鈴浦秀勝, 明楽浩史
3
グラフェンを含む原子層物質の2層ナノリボンにおける電場による分極応答
東工大院理工A, 理研CEMSB, TIESC
奥川亮A, 是常隆B, 斎藤晋A, C, 村上修一A, C
4
振動電場によるディラック円錐の変容:トポロジーと幾何学的位相
東工大応セラ研, 慶応理工A
萱沼洋輔, 齋藤圭司A
5
グラフェン薄膜における1/f雑音の測定
阪大院理A, 東大工B, 物材機構C, 京大化研D
竹下俊平A, 松尾貞茂B, 田中崇弘A, 中払周C, 塚越一仁C, 森山貴広D, 小野輝男D, 小林研介A
6
BN/グラフェン/BN試料における伝導度ゆらぎ
千葉大院融合, アリゾナ州大A, バッファロー大B, 物材機構C, 成均館大D
峰晴正彰, 松永正広, 青木伸之, 落合勇一, D.K.FerryA, J.P.BirdB, 渡邊賢司C, 谷口尚C, I.LeeD, G-H.KimD
7
グラフェンにおける伝導度ゆらぎの温度依存性
兵庫医大物理, 大工大応用物理A, 徳島大ソシオテクノサイエンスB, 阪大産研C
寺澤大樹, 福田昭, 藤元章A, 大野恭秀B, 松本和彦C
休憩 (10:45〜11:00)
8
X線回折を用いた多層グラフェンの精密構造解析
首都大理工A, JSTさきがけB
布山直樹A, 客野遥A, 中井祐介A, 宮田耕充A, B, 真庭豊A
9
グラフェンナノ構造の走査プローブ評価
NTT物性基礎研, 長岡技科大A, 関西学院大理工B
高瀬恵子, Tran Minh TienA, 古川一暁, 高村真琴, 日比野浩樹B
10
SiC傾斜面に形成されたグラフェンナノリボンの電気伝導
筑波大数理物質, 九大院工A
田中宏和, 福間洸平A, 森田康平A, 林真吾A, 梶原隆司A, A. VisikovskiyA, 田中悟A, 神田晶申
11
レジストナノ構造への転写によってひずみを導入したグラフェンの電気伝導
筑波大数理物質, PRESTO-JSTA
平出璃音可, 友利ひかりA, 大塚洋一, 神田晶申
12
グラフェンの電気伝導に対する電極接続の影響
筑波大数理物質, TIMS, PRESTO-JSTA
伊藤優, 片倉健太, 大塚洋一, 友利ひかりA, ○神田晶申
13
BN上グラフェンへの局所1軸ひずみ導入法の開発
さきがけJST, 筑波大物理A, TIMSB, 秋田大教育C, 奈良女子大物理D, NIMSE
友利ひかり, 平出璃音可A, B, 大塚洋一A, 林正彦C, 吉岡英生D, 渡辺賢司E, 谷口尚E, 神田晶申A, B
14
転写法を用いたグラフェン-超伝導体接合の作製と電気伝導評価
筑波大数理物質, TIMS, PRESTO-JSTA, 埼玉大院理工B, 物材機構C
鑓水勝秀, 友利ひかりA, 大塚洋一, 上野啓司B, 渡邊賢司C, 谷口尚C, 神田晶申
領域7
固体Dirac系と電荷整列
1
有機Dirac電子系α-(BEDT-TTF)2I3の高磁場下13C-NMRの磁場角度依存性
東大院工, 東理大理A
松野学, 宮川和也, 田村雅史A, 鹿野田一司
●2
13C NMR study of α-(BEDT-TTF)2I3 under pressure
Dept. of Applied Phys., Univ. of Tokyo, Dept. of Phys., Tokyo Univ. of Sci.A
Dong Liu, Kazuya Miyagawa, Masafumi TamuraA, Kazushi Kanoda
3
傾斜Diracコーン系 α-(ET)_2_I_3_の電子間相互作用効果のNMR研究
CNRS-LNCMI GrenobleA, 東大工B, 東理大C, Université Grenoble 1/CNRSD, Dept. of Phys., Nagoya Univ.E
平田倫啓A, B, 石川恭平B, 宮川和也B, 田村雅史C, Claude BerthierA, Denis BaskoD, 松野元樹E, 小林晃人E, 鹿野田一司B
4
分子性ディラック電子系における低温異常と電子間相互作用
名大理
松野元樹, 小林晃人, 河野浩
5
分子性導体のディラック電子系における電荷秩序相近傍の電子状態
名大理
小林晃人, 松野元樹
6
α-(BEDT-TTF)2I3の常圧下電荷秩序状態におけるエッジ状態の実験的検証
東大物性研
長田俊人, 吉村健太, 佐藤光幸
休憩 (10:30〜10:45)
7
α-(BEDT-TTF)2I3の電荷秩序相における強誘電分極に対する第一原理計算
産総研機能化学, KEK物構研A
松本祐樹, 下位幸弘, 岩野薫A
8
分子性ディラック電子系へのキャリア注入効果
東邦大理A, 理研B, 分子研C
田嶋尚也A, B, 林頌也A, 川椙義高B, 須田理行C, 山本浩史B, C, 加藤礼三B, 西尾豊A, 梶田晃示A
9
分子性ディラック電子系の低温輸送現象
東邦大理A, 理研B, 分子研C
林頌也A, 小澤拓弥A, 田嶋尚也A, B, 川椙義高B, 須田理行C, 山本浩史B, C, 加藤礼三B, 西尾豊A, 梶田晃示A
10
α-ET2I3の熱的性質
東邦大理, 愛媛大理工A, 理研B
大嶋一樹, 田嶋尚也, 梶田晃示, 西尾豊, 内藤俊雄A, 加藤礼三B
11
単一成分分子性導体[Pd(dddt)2]におけるディラック電子系のtight-binding模型
理研, 物材機構A
加藤礼三, 圓谷貴夫A
12
分子性導体[Pd(dddt)2]のディラック電子におけるトポロジカルな性質
名大理, 理研A, 物材機構B
鈴村順三, 加藤礼三A, 圓谷貴夫B
領域7
導電性高分子・界面デバイス
1
高移動度導電性高分子PDVT-10における電場誘起キャリアのESR観測
名大工院A, 名産研B
若松綾人A, 田中久暁A, 黒田新一A, B
2
化学ドープされたポリチオフェンの共役鎖内ポーラロン移動度の発光測定による評価
名大院工
小山剛史, 中村新男, 岸田英夫
3
化学ドープされたPEDOTのポーラロン吸収の励起による励起子吸収の回復
名大院工
松野泰己, ○小山剛史, 岸田英夫
4
電子スピン共鳴によって誘起されるポリマーダイオードの電気容量変化
阪市大院理
中嶋敬幸, 鐘本勝一
5
イオンゲルトランジスタを用いた高移動度有機半導体分子へのキャリア注入とESR
名大院工A, 名産研B, 産総研機能化学C, 理研D
田中久暁A, 小西弘記A, 西尾聡志A, 黒田新一A, B, 下位幸弘C, 瀧宮和男D
6
Ph-BTBT-C10を用いた有機単結晶トランジスタの低温四端子測定の解析
東工大院理工A, 産総研B, 東大C
曺正旻A, 峯廻洋美B, 渡邉湖介C, 山田寿一B, 井上悟B, 堤潤也B, 荒井俊人C, 長谷川達生B, C, 森健彦A
7
分子性導体κ型ET塩を用いたMott-FETにおける磁場下電子輸送II
理研A, 分子研B
佐藤慶明A, 川椙義高A, 山本浩史A, B, 加藤礼三A
8
BEDT-TTF塩単結晶イオン液体トランジスタの注入電荷密度と電気伝導特性
名大院工A, 名産研B, 名城大農C
江浦悠介A, 佐藤奎斗A, 伊東裕A, 黒田新一A, B, 平松孝章C, 吉田幸大C, 齋藤軍治C
休憩 (15:30〜15:45)
9
κ型ET塩に対する電気二重層を用いたキャリアドーピングIII
理研, 分子研A, 早大先進B
川椙義高, 関和弘, 枝川祐介B, 佐藤慶明, 蒲江B, 竹延大志B, 山本浩史A, 加藤礼三
10
層状結晶性分子化合物半導体による高均質薄膜トランジスタの作製
産総研・FLEC, 東大工A
柴田陽生, 堤潤也, 松岡悟志, 荒井俊人A, 長谷川達生A
11
電荷変調イメージング法による多結晶性有機薄膜トランジスタのキャリア蓄積状態マッピング
産総研, 東大工A
松岡悟志, 堤潤也, 山田寿一, 長谷川達生A
12
有機薄膜太陽電池の磁場効果
兵庫県立大
田島裕之, 西岡友輔, 森雄一, 佐藤井一
13
電極/有機半導体界面の電荷注入障壁スイッチングに対する電極表面修飾層の置換基の効果
阪府大N2RC
野内亮, 谷本敬明
14
分散力補正を取り入れた第一原理計算による有機半導体の分子間相互作用
筑波大数物A, JSTさきがけB
前田崇博A, 石井宏幸A, B, 小林伸彦A
15
有機半導体のキャリア伝導の分子振動とトラップポテンシャル依存性
JSTさきがけA, 筑波大数物B, NECC
石井宏幸A, B, 小林伸彦B, 広瀬賢二C
16
ポリマーLEDの動作環境下におけるスクリーニング電場の決定
大阪市大院理
鐘本勝一, 高橋崇寛
領域7,領域4合同
グラフェン関連
(新物質・原子層,電子状態,輸送特性)
1
黒リンの格子振動の圧力依存性
物材機構
佐々木泰造
2
黒リンナノ薄膜における電界誘起両極性金属絶縁体転移
東大院工, 理研A
斎藤優, 岩佐義宏A
3
イオン液体トランジスタを用いた層状強相関物質NiGa2S4への電界効果
東大物性研
福岡脩平, 田縁俊光, 長田俊人, 肥後友也, 中辻知
4
カルシウム添加窒化硼素化合物のESR
兵庫県立大院物質理, 東北大WPI-AIMRA
小林本忠, 平郡諭A
5
h-BN膜へ形成したナノ細孔アレイのエッジ磁性
青学大理工, 名大院物質理学A, Catalan Inst. of Nanoscience and NanotechnologyB
田上裕大, ○永野謙信, 野村くみ子, 大畠智佳, 高林裕也A, 北浦良A, 篠原久典A, 春山純志, D.SorianoB, S. RocheB
6
BN原子膜と各種BNナノチューブの電子構造の系統的研究
東工大理
斎藤晋
休憩 (15:00〜15:15)
7
h-BNナノリボンのエネルギー論と電子状態
筑波大数理
山中綾香, 岡田晋
8
h-BNシートに埋め込まれたグラフェンフレークのスピン相互作用
筑波大数理
丸山実那, 岡田晋
9
鉄基内包カーボンナノカプセルの合成とその場電子顕微鏡観察
筑波大院数理, 筑波大物質A
早木英子, 谷中淳A, 木塚徳志A
10
炭化ランタン内包カーボンナノカプセル単一粒子接合系の電子顕微鏡観察
筑波大院数理, 筑波大物質A
手面学, 木塚徳志A
11
コランニュレンポリマーの構造と電子状態
筑波大数理
成田康平, 岡田晋
12
多重軌道ハニカム格子におけるエッジ状態
名大工, 京大基研A
服部綾実, 佐藤昌利A, 田仲由喜夫
領域7,領域8合同シンポジウム
主題:強相関系での電荷揺らぎの物理の新展開:π電子系とd電子系
1
(シンポジウム講演)はじめに
分子研
山本浩史
2
(シンポジウム講演)分子性物質におけるダイマーモット絶縁体状態と電荷秩序状態の拮抗による電 荷揺らぎと超伝導
東北大金研
佐々木孝彦
3
(シンポジウム講演)分子性スピン液体の熱容量 —スピン、電荷、格子ー
阪大院理
中澤康浩
4
(シンポジウム講演)電荷揺らぎが引き起こす新奇な磁性と誘電性 : ダイマーモット系有機物を中心に
東北大院理
中惇
休憩 (15:10〜15:20)
5
(シンポジウム講演)d電子系の電荷揺らぎを含んだ超伝導
東大院理
小形正男
6
(シンポジウム講演)非平衡を利用する多バンド超伝導体の開発と軌道・電荷揺らぎの可能性
東大総合
前田京剛
7
(シンポジウム講演)放射光分光で見る強相関遷移金属化合物の電荷移動不安定性
早大先進理工
溝川貴司
8
(シンポジウム講演)まとめ
東理大理
福山秀敏
領域3(招待講演のみ領域7,領域8,領域11と合同)
量子スピン系
(一次元)
1
(招待講演)有機磁性体による低次元量子スピン系研究の最近の展開
大阪府大理
細越裕子