一般社団法人日本物理学会　2015年秋季大会　The 2015 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域4

16日 AE会場　16aAE　10:45〜12:15

領域4
量子ドット
（量子ビット・量子情報）

四重量子ドットにおける単一電子スピン共鳴

理研CEMS, 東大物工^A, Ruhr-Univ. Bochum^B

大塚朋廣, 中島峻, Matthieu Delbecq, 天羽真一, 米田淳, 武田健太, 野入亮人^A, 菅原烈^A, Giles Allison, Arne Ludwig^B, Andreas Wieck^B, 樽茶清悟^A

高速複数電荷計を用いた多重量子ドット電荷状態の観測

理研CEMS, 東大物工

伊藤匠, 大塚朋廣, 天羽真一, 中島峻, Matthieu Delbecq, 米田淳, 武田健太, Giles Allison, 野入亮人, 樽茶清悟

光子偏光－電子スピン間量子もつれ相関の生成に向けた光子－電子の同時検出実験

東大工, Lehrstuhl für Angewandte Festrkorperphysik Ruhr-Universität Bochum^A, 阪大産研^B

黒山和幸, Marcus Larsson, 藤田高史, 松尾貞茂, Sascha R. Valentin^A, Arne Ludwig^A, Andreas Wieck^A, 大岩顕^B, 樽茶清悟

電極閉じ込め型シリコンMOS量子ドットの作製と評価

理研CEMS, 東工大^A

米田淳, 本田拓夢^A, 武田健太, Marian Marx, 大塚朋廣, 中島峻, Matthieu Delbecq, 天羽真一, Giles Allison, 小寺哲夫^A, 小田俊理^A, 樽茶清悟

Si2重量子ドット中の電子スピンの高速独立操作

理研CEMS, 東工大^A, 東大工^B

武田健太, 神岡純^A, 小幡利顕^B, 大塚朋廣, 中島峻, Matthieu Delbecq, 天羽真一, 米田淳, Giles Alison, 野入亮人^B, 菅原烈^B, 小寺哲夫^A, 小田俊理^A, 樽茶清悟

三重量子ドットにおける非隣接スピンもつれ状態の形成と観測

理研CEMS, 東大物工^A, Ruhr-Univ. Bochum^B

中島峻, Matthieu R. Delbecq, 大塚朋廣, 天羽真一, 米田淳, 野入亮人^A, 武田健太, Arne Ludwig^B, Andreas D. Wieck^B, 樽茶清悟^A

16日 AG会場　16aAG　9:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン
（輸送特性，電場応答）

^●1

Properties of the charged vacuum analogue in a graphene quantum dot

Univ. Leicester^A, Univ. of Tokyo^B

Peter Maksym^{A, B}, Hideo Aoki^B

グラフェンナノリボン電場変調光吸収スペクトルにおける静電遮蔽の効果

北大院工

西田寛太朗, 鈴浦秀勝, 明楽浩史

グラフェンを含む原子層物質の2層ナノリボンにおける電場による分極応答

東工大院理工^A, 理研CEMS^B, TIES^C

奥川亮^A, 是常隆^B, 斎藤晋^{A, C}, 村上修一^{A, C}

振動電場によるディラック円錐の変容：トポロジーと幾何学的位相

東工大応セラ研, 慶応理工^A

萱沼洋輔, 齋藤圭司^A

グラフェン薄膜における1/f雑音の測定

阪大院理^A, 東大工^B, 物材機構^C, 京大化研^D

竹下俊平^A, 松尾貞茂^B, 田中崇弘^A, 中払周^C, 塚越一仁^C, 森山貴広^D, 小野輝男^D, 小林研介^A

BN/グラフェン/BN試料における伝導度ゆらぎ

千葉大院融合, アリゾナ州大^A, バッファロー大^B, 物材機構^C, 成均館大^D

峰晴正彰, 松永正広, 青木伸之, 落合勇一, D.K.Ferry^A, J.P.Bird^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, I.Lee^D, G-H.Kim^D

グラフェンにおける伝導度ゆらぎの温度依存性

兵庫医大物理, 大工大応用物理^A, 徳島大ソシオテクノサイエンス^B, 阪大産研^C

寺澤大樹, 福田昭, 藤元章^A, 大野恭秀^B, 松本和彦^C

休憩　（10:45〜11:00)

X線回折を用いた多層グラフェンの精密構造解析

首都大理工^A, JSTさきがけ^B

布山直樹^A, 客野遥^A, 中井祐介^A, 宮田耕充^{A, B}, 真庭豊^A

グラフェンナノ構造の走査プローブ評価

NTT物性基礎研, 長岡技科大^A, 関西学院大理工^B

高瀬恵子, Tran Minh Tien^A, 古川一暁, 高村真琴, 日比野浩樹^B

SiC傾斜面に形成されたグラフェンナノリボンの電気伝導

筑波大数理物質, 九大院工^A

田中宏和, 福間洸平^A, 森田康平^A, 林真吾^A, 梶原隆司^A, A. Visikovskiy^A, 田中悟^A, 神田晶申

レジストナノ構造への転写によってひずみを導入したグラフェンの電気伝導

筑波大数理物質, PRESTO-JST^A

平出璃音可, 友利ひかり^A, 大塚洋一, 神田晶申

グラフェンの電気伝導に対する電極接続の影響

筑波大数理物質, TIMS, PRESTO-JST^A

伊藤優, 片倉健太, 大塚洋一, 友利ひかり^A, ^○神田晶申

BN上グラフェンへの局所1軸ひずみ導入法の開発

さきがけJST, 筑波大物理^A, TIMS^B, 秋田大教育^C, 奈良女子大物理^D, NIMS^E

友利ひかり, 平出璃音可^{A, B}, 大塚洋一^A, 林正彦^C, 吉岡英生^D, 渡辺賢司^E, 谷口尚^E, 神田晶申^{A, B}

転写法を用いたグラフェン－超伝導体接合の作製と電気伝導評価

筑波大数理物質, TIMS, PRESTO-JST^A, 埼玉大院理工^B, 物材機構^C

鑓水勝秀, 友利ひかり^A, 大塚洋一, 上野啓司^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, 神田晶申

16日 AG会場　16pAG　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル超伝導体
（理論・実験）

トポロジカル絶縁体薄膜上のジョセフソン効果の理論

名大

矢田圭司, 田仲由喜夫

ナノワイヤにおけるトポロジカルHadamardとNOTゲート

名大工, 京大基研^A

S. Amorim Cassio, 山影相, 田仲由喜夫, 佐藤昌利^A

トポロジカル結晶絶縁体由来の超伝導体におけるアンドレーエフ束縛状態

名大工

橋本樹, 矢田圭司, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

ノードを持つ超伝導体におけるマヨラナ平坦バンド不安定性と対称性の対応関係

名大工

小林伸吾, 田仲由喜夫, 佐藤昌利

1次元磁性原子列のトポロジカル超伝導と奇周波数ペア

名大工

戎弘実, 矢田圭司, 田仲由喜夫

時間反転対称なトポロジカル超伝導体の磁場応答

名大工

熊元森, 山影相, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

休憩　（15:00〜15:15)

単結晶比熱測定によって明らかになったCu_xBi₂Se₃の超伝導面内異方性

京大院理, 阪大産研^A, 京産大院理^B, ケルン大物理^C

田尻兼悟, 米澤進吾, Zhiwei WANG^A, 瀬川耕司^B, 前野悦輝, 安藤陽一^{C, A}

ノードを持つトポロジカル超伝導体候補CuxBi2Se3の磁場回転比熱・熱伝導率の理論解析

原子力機構シ計セ

永井佑紀

トポロジカル超伝導体候補のPb層状化合物：単結晶育成と超伝導特性 (II)

東工大応セラ研

並木宏允, 加納学, 笹川崇男

β-PdBi₂の表面状態および超伝導状態のSTM観察

理研CEMS, 東工大応セラ研^A

岩谷克也, 大川顕次郎^A, 花栗哲郎, 幸坂祐生, 町田理, 笹川崇男^A

トポロジカル超伝導体候補物質Cu_x(PbSe)₅(Bi₂Se₃)₆の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI-AIMR^B, 阪大産研^C, リーズ大物理^D, 京産大院理^E, ケルン大物理^F

中山耕輔^A, 君塚平太^A, 田中祐輔^A, 佐藤宇史^A, 相馬清吾^B, 高橋隆^{A, B}, 佐々木聡^{C, D}, 瀬川耕司^{C, E}, 安藤陽一^{C, F}

トポロジカル超伝導体の軌道角運動量

京大基研, 原子力機構シ計セ^A

下出敦夫, 永井佑紀^A

高いChern数をもつトポロジカル超伝導体の軌道角運動量

京大基研, 原子力機構シ計セ^A

下出敦夫, 永井佑紀^A

16日 AH会場　16pAH　13:30〜16:45

領域7，領域4合同
グラフェン関連
（新物質・原子層，電子状態，輸送特性）

黒リンの格子振動の圧力依存性

物材機構

佐々木泰造

黒リンナノ薄膜における電界誘起両極性金属絶縁体転移

東大院工, 理研^A

斎藤優, 岩佐義宏^A

イオン液体トランジスタを用いた層状強相関物質NiGa₂S₄への電界効果

東大物性研

福岡脩平, 田縁俊光, 長田俊人, 肥後友也, 中辻知

カルシウム添加窒化硼素化合物のESR

兵庫県立大院物質理, 東北大WPI-AIMR^A

小林本忠, 平郡諭^A

h-BN膜へ形成したナノ細孔アレイのエッジ磁性

青学大理工, 名大院物質理学^A, Catalan Inst. of Nanoscience and Nanotechnology^B

田上裕大, ^○永野謙信, 野村くみ子, 大畠智佳, 高林裕也^A, 北浦良^A, 篠原久典^A, 春山純志, D.Soriano^B, S. Roche^B

BN原子膜と各種BNナノチューブの電子構造の系統的研究

東工大理

斎藤晋

休憩　（15:00〜15:15)

h-BNナノリボンのエネルギー論と電子状態

筑波大数理

山中綾香, 岡田晋

h-BNシートに埋め込まれたグラフェンフレークのスピン相互作用

筑波大数理

丸山実那, 岡田晋

鉄基内包カーボンナノカプセルの合成とその場電子顕微鏡観察

筑波大院数理, 筑波大物質^A

早木英子, 谷中淳^A, 木塚徳志^A

炭化ランタン内包カーボンナノカプセル単一粒子接合系の電子顕微鏡観察

筑波大院数理, 筑波大物質^A

手面学, 木塚徳志^A

コランニュレンポリマーの構造と電子状態

筑波大数理

成田康平, 岡田晋

多重軌道ハニカム格子におけるエッジ状態

名大工, 京大基研^A

服部綾実, 佐藤昌利^A, 田仲由喜夫

16日 DB会場　16pDB　13:30〜17:00

領域8，領域4合同シンポジウム
主題：近藤効果研究の進展　-近藤論文50周年記念シンポジウム-

（シンポジウム講演）はじめに

産総研

柳澤孝

（シンポジウム講演）近藤効果の意義と展開

KEK物構研

倉本義夫

（シンポジウム講演）重い電子系の物理の進展

琉球大理

大貫惇睦

（シンポジウム講演）磁気自由度に起因しない近藤効果

豊田理研

三宅和正

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）非クラマース4f²配位系における非フェルミ液体的挙動と四極子近藤効果

広島大院先端

鬼丸孝博

（シンポジウム講演）量子ドットにおける近藤位相の検出

東大工

樽茶清吾

（シンポジウム講演）量子ドットにおける近藤物理学の進展

慶大理工

江藤幹雄

17日 AE会場　17aAE　9:00〜12:30

領域4
量子井戸・超格子・半導体スピントロニクス

(114)GaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する励起子―音響フォノン相互作用の効果

阪市大院工, 愛媛大院理工^A

大野達也, 古川喜彬, 下村哲^A, 中山正昭

GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子－電子散乱発光特性

阪市大院工

中西沙絵佳, 古川喜彬, 中山正昭

InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸構造における2次元電子の伝導特性 II

大阪府大工^A, 大阪府大地域連携^B

田中章^A, 川又修一^{A, B}, 日比野暁^A, 河村裕一^{A, B}

ダイヤモンドにおける格子振動への同位体効果と局在化

東工大理

坂東優樹, 斎藤晋

高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系共鳴スピンホール効果観測の基本検討

大阪工大, 北陸先端大^A

山田省二, 藤元章, 赤堀誠志^A

InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系における分数量子ホールプラトーの痕跡

大阪工大, 物材機構^A, 北陸先端大^B

山田省二, 今中康貴^A, 竹端寛治^A, 赤堀誠志^B

休憩　（10:30〜10:45)

ユーロピウム酸素共添加窒化ガリウムの磁気状態

阪大基礎工, 阪大工^A

植本光治, 真砂啓, 福島鉄也, 佐藤和則^A, 吉田博

GaDyN量子井戸の磁気抵抗

大工大応用物理, 上海師范大物理^A, 阪大産研^B

藤元章, 周逸凱^A, 長谷川繁彦^B, 朝日一^B, 大岩顕^B

(Ga,Mn)As/GaAsエサキダイオードにおけるショット雑音

阪大理, 東北大金研^A, レーゲンスブルク大^B, 東北大工^C, PRESTOさきがけ^D, 京大化研^E

荒川智紀, 塩貝純一^A, M. Ciorga^B, D. Schuh^B, 好田誠^{C, D}, 新田淳作^C, D. Bougeard^B, D. Weiss^B, 小野輝男^E, 前田正博, 小林研介

InAs量子ポイントコンタクト系での面内磁場に対する伝導度ゆらぎ

東大物性研

岩崎優, 橋本義昭, 中村壮智, 家泰弘, 勝本信吾

2次元系におけるスピン軌道相互作用下での電流誘起磁化およびスピントルクの系統的記述

東北大金研^A, 東北大学際フロンティア研^B, Univ. of Texas at Austin^C

荒木康史^{A, B}, Allan H. MacDonald^C

異常ラシュバ接合系でのトンネル効果の理論

名大工

山内徹也, 田口勝久, 田仲由喜夫

最局在Wannier関数を用いたテルルにおける電流誘起軌道磁化・スピン磁化の計算

東工大理工, 東工大元素戦略研究セ^A, 産総研^B

養田大騎, 平山元昭, 横山毅人, 石橋章司^B, 三宅隆^B, 村上修一^A

17日 AG会場　17aAG　9:00〜12:30

領域4
量子ドット

走査ゲート顕微法による結合量子ドットにおける伝導の観察

千葉大院融合, バッファロー大^A

鈴木敦士, 佐藤駿, グエン・タン・ルーン, 松永正広, 向笠直紀, 鬘谷俊介, J.P.Bird^A, 落合勇一, 青木伸之

異なる電極形状によるInAs自己形成量子ドットの電気伝導特性

阪大産研, 東大理I^A, 東大生研^B, 理研CEMS^C

敷島稜紀, 大岩顕, 木山治樹, 馬場翔二^A, 平山孝, 長井奈緒美^B, 平川一彦^B, 樽茶清悟^{A, C}

カーボンナノチューブ量子ドットにおけるショットノイズ測定II

阪大理物^A, パリ南大^B, 東大物性研^C, 大阪市大理^D

藤原亮^A, 秦徳郎^A, 吉井涼輔^A, 荒川智紀^A, 小林研介^A, Meydi Ferrier^{A, B}, Raphaëlle Delagrange^B, Richard Deblock^B, Hélène Bouchiat^B, 阪野塁^C, 小栗章^D

カーボンナノチューブ量子ドットのクーロン閉塞状態における非線形ノイズの理論解析

阪大理物^A, パリ南大^B, 東大物性研^C, 大阪市大理^D

吉井涼輔^A, 藤原亮^A, 荒川智紀^A, 秦徳郎^A, 小林研介^A, Meydi Ferrier^{A, B}, Raphaelle Delagrange^B, Richard Deblock^B, Hélène Bouchiat^B, 阪野塁^C, 小栗章^D

多軌道量子ドットの近藤効果における磁場と軌道分裂の効果

大阪市大理, 東大物性研^A, 阪大理^B, パリ南大^C

寺谷義道, 小栗章, 阪野塁^A, 吉井涼輔^B, Meydi Ferrier^{B, C}, 荒川智紀^B, 秦徳郎^B, 藤原亮^B, 小林研介^B

有限長金属型カーボンナノチューブにおける谷間結合と有効一次元格子モデルによる解析

東北大理

泉田渉, 奥山倫, 齋藤理一郎

休憩　（10:30〜10:45)

二重量子ドットにおけるコヒーレントな光学フォノン支援伝導

東北大理^A, 理研^B, ICORP^C, 東大工^D, 慶大理工^E

奥山倫^A, 天羽真一^{B, C}, 羽田野剛司^{A, C}, 泉田渉^A, 樽茶清悟^{B, C, D}, 江藤幹雄^E

非平衡量子ドットの計数場依存有効作用：電荷の量子化と揺らぎ効果

筑波大物理

谷口伸彦, 新井和明

取　　消

量子ドットにおける情報量の完全計数統計

三重大工

内海裕洋

超伝導リードに接続された3角形3重量子ドットの量子相転移と基底状態の性質II

大阪市大理, アドバンスソフト^A

小栗章, 中田幸宏, 小池章高, 田中洋一^A

三角形型三重量子ドットの電荷輸送特性

東大物工, 理研CEMS^A

川崎賢人, 野入亮人, 天羽真一^A, 大塚朋廣^A, 中島峻^A, 米田淳^A, M. Delbecq^A, 武田健太^A, 樽茶清悟^A

^●13

Electronic Transport Properties in Assemblies of Colloidal Quantum Dots

RIKEN-CEMS^A, Groningen U.^B, ETH Zurich^C, U. Tokyo^D

Satria Z. Bisri^{A, B}, L. Protesescu^C, M. Kovalenko^C, M. A. Loi^B, Y. Iwasa^{A, D}

17日 BB会場　17aBB　9:15〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体・ワイル半金属
（理論）

（企画講演）結晶トポロジカル絶縁相・超伝導相の分類とK理論

イリノイ大

塩崎謙

空間反転対称性の破れた空間群の系でのギャップレス点付近の有効模型とワイル半金属の実現

東工大院理工^A, 東工大元素戦略研究セ^B, 産総研^C

村上修一^{A, B}, 平山元昭^{A, B}, 奥川亮^A, 石橋章司^C, 三宅隆^C

トポロジカル絶縁体上の超伝導接合の理論

名大工, ビュルツブルグ大^A

Lu Bo, 矢田圭司, Pablo Burset^A, ^○田仲由喜夫

休憩　（10:30〜10:45)

ドープしたワイル半金属超伝導の理論

名大工, 京大基研^A

Lu Bo, 矢田圭司, 佐藤昌利^A, ^○田仲由喜夫

角度分解光電子分光による光電子のスピンBerry曲率由来の軌道角運動量

東大工, 理研CEMS^A

高橋隆志, 永長直人^A

2次元Dirac系における動的スピン帯磁率によるトポロジカル状態の検出

東大生産研, Ecole Polytechnique^A, College de France^B

中村正明, 得能光行^{A, B}

カイラル対称性をもつトポロジカル絶縁体と非可換指数定理

東大院理, 学習院大理^A

桂法称, 高麗徹^A

トポロジカル結晶絶縁体における相関効果

理研

吉田恒也, 古崎昭

非ユニタリー量子ウォークにおけるPT対称性とトポロジカル相

北大工

金多景, 望月健, ^○小布施秀明

境界のある非ユニタリー量子ウォークにおける PT 対称性とエッジ状態の増幅

北大工

望月健, 金多景, 小布施秀明

17日 AH会場　17pAH　13:30〜17:00

領域7，領域4，領域10
企画講演/グラフェン関連
（新物質・原子層，光応答，電子状態）

（企画講演）有機系熱電材料の探索：電荷および熱輸送の新たな制御法を探して

奈良先端科学技術大学院大学

伊藤光洋

（企画講演）２次元原子層材料における新奇熱電物性の理論的研究

東京理科大学

小鍋哲

WSe₂薄膜の高分解能ARPES

東北大WPI^A, 東北大院理^B

菅原克明^A, 佐藤宇史^B, 田中祐輔^B, 相馬清吾^A, 高橋隆^{A, B}

NbSe₂薄膜の高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B, 埼玉大院理工^C

中田優樹^B, 山田敬子^B, 君塚平太^B, 田中祐輔^B, 菅原克明^B, 相馬清吾^B, 佐藤宇史^A, 上野啓司^C, 高橋隆^{A, B}

休憩　（15:00〜15:15)

外部電場・磁場下における遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜のスピン偏極キャリアに関する第一原理計算

三重大院工

竹田昌平, 名和憲嗣, 中村浩次, 佐野和博, 秋山亨, 伊藤智徳

遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるバレー間散乱による電子スピン緩和現象

東北大理

羽部哲朗, 越野幹人

走査ゲート顕微法によるMoS₂トランジスタの動作機構の解析

千葉大院融合, バッファロー大^A

松永正広, 樋口絢香, G. He^A, J. P. Bird^A, 落合勇一, 青木伸之

単層WSe₂における電流励起発光の電場依存性

早大先進, シンガポール国立大^A, 早大材研^B

蒲江, Leiqiang Chu^A, 坂上知, Goki Eda^A, 竹延大志^B

MoSe₂を用いた円偏光発光トランジスタ

東大院工^A, 理研CEMS^B

恩河大^A, 張奕勁^A, 鈴木龍二^A, 岩佐義宏^{A, B}

単層遷移金属ダイカルコゲナイド積層構造における層間励起子発光

京大エネ研, 早大先進^A, シンガポール国立大^B

毛利真一郎, 小澤大知^A, 宮内雄平, 江田剛輝^B, 松田一成

Niインターカレートされた層状半導体TiS₂表面の電子状態の解析

東大工, マックスプランク研^A, 阪大産研^B

松下雄一郎, Christian Tusche^A, Martin Ellguth^A, 入澤明典^B, Jürgen Kirschner^A, 菅滋正^{A, B}

17日 BB会場　17pBB　13:30〜16:50

領域4，領域3，領域8合同シンポジウム
主題：新奇トポロジカル物質・トポロジカル現象の探索，新展開　Recent progress in topological matters and topological phenomena

（シンポジウム講演）はじめに Introduction

東北大金研・理論 IMR, Tohoku University

野村健太郎 Kentaro Nomura

^●2

（シンポジウム講演）Classification of three dimensional Dirac semimetals

RIKEN

Bohm-Jung Yang

（シンポジウム講演）パイロクロア格子遷移金属酸化物におけるワイル電子 Weyl electrons in pyrochlore transition metal oxides

東大院工・理論 QPEC, The Univ. of Tokyo

山地洋平 Youhei Yamaji

（シンポジウム講演）ワイル半金属のスピン輸送の理論 Spin transport in Weyl semimetals

名大院工 Nagoya University

田口勝久 Katsuhisa Taguchi

休憩　（15:05〜15:20)

（シンポジウム講演）スピンポンピング法によるトポロジカル絶縁体へのスピン注入とスピン-電荷変換 spin-electricity conversion induced by spin pumping into topological insulators

東北大金研・実験 IMR, Tohoku University

塩見雄毅 Yuki Shiomi

（シンポジウム講演）3次元トポロジカル絶縁体薄膜における量子ホール効果 Quantized Hall effect in 3D topological insulator thin films

東大院工・実験 University of Tokyo

吉見龍太郎 Ryutaro Yoshimi

（シンポジウム講演）3次元トポロジカル絶縁体の表面状態における電流誘起スピン偏極の電気的検出 Electrical detection of spin polarization due to charge flow in the surface state of three-dimensional topological insulator

京大院工 Kyoto University

安藤裕一郎 Yuichiro Ando

17日 CF会場　17pCF　13:30〜17:00

領域5，領域1，領域4合同シンポジウム
主題：国際光年における光と学術−光物理学の方向性を探って−

（シンポジウム講演）はじめに：趣旨説明

上智大理工

江馬一弘

（シンポジウム講演）光エネルギー変換と半導体光物理学の将来

京大化研

金光義彦

（シンポジウム講演）光エレクトロニクスとナノ物理学によるフロンティアの共創

東大生研

荒川泰彦

（シンポジウム講演）量子計算への展開：コヒーレントイジングマシーン

内閣府ImPACT

山本喜久

休憩　（15:05〜15:20)

（シンポジウム講演）超精密計測への展開：新しい時間をつくる

東大工

香取秀俊

（シンポジウム講演）放射光と高調波レーザー物理学の将来

東大物性研

辛埴

（シンポジウム講演）光物性物理学実験の将来

阪大超高圧電顕セ

谷村克己

（シンポジウム講演）全体のまとめ　−光と学術−

京大理

田中耕一郎

18日 AE会場　18aAE　9:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果，欠陥，表面修飾）

ラシュバ型スピン・軌道相互作用を有する2次元電子系における弱磁場ホール効果

北大院工, 東工大院理工^A

鈴浦秀勝, 安藤恒也^A

2層グラフェンの谷ホール効果の理論

東工大院理工

安藤恒也

h-BN上グラフェン単層／2層接合における量子ホール伝導

東大物性研^A, 物材機構^B

中瀬隼斗^A, 内田和人^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 長田俊人^A

Twisted二層グラフェンにおける整数量子ホール効果

東大生研^A, 物材機構^B, 東大ナノ量子機構^C

増渕覚^A, 柏木麗奈^A, 井上尚子^A, 高野佑磨^A, 森川生^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 町田友樹^{A, C}

Twisted二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴

東大生産研^A, 物材機構^B, 東大ナノ量子^C

井上尚子^A, 増渕覚^A, 柏木麗奈^A, 森川生^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 町田友樹^{A, C}

三層グラフェンにおけるスピン・バレー分離量子ホール効果

東大生産研^A, 物材機構^B, 東大ナノ量子^C

浅川友太^A, 増渕覚^A, 森本将崇^A, 井上尚子^A, 森川生^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 町田友樹^{A, C}

グラファイトの磁場誘起電子相転移に対する層数依存性

東大物性研

田縁俊光, 内田和人, 長田俊人

休憩　（10:45〜11:00)

微量水素装飾グラフェンにおけるスピン軌道相互作用と量子効果

青学大理工, 東大物性研^A

片桐勇人, 後藤晶絵, 大畠智佳, 深井佳乃, 中村壮智^A, 勝本信吾^A, 春山純志

CVDグラフェンにおける磁気抵抗効果：表面修飾の影響

筑波大数理

大塚洋一, 青木仁

SiC上単層グラフェンの水素吸着効果：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

鈴木克郷^A, 山村典史^A, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

グラフェン点欠陥ゼロ・モードにおける局所磁化率の温度依存性

阪大基礎工^A, 福岡工大情報工^B

森下直樹^A, Gagus Ketut Sunnardianto^A, 丸山勲^B, 草部浩一^A

欠陥グラフェン吸着によるグラフェンのバンドギャップ制御

筑波大数理

岸本健, 岡田晋

グラフェンにおける軌道帯磁率の理論

東大理, 東理大総合研究院^A

小形正男, 福山秀敏^A

^●14

Graphene device thermal noise sensor for THz bolometric detection

Chiba Univ. GSAIS^A, RIKEN^B, SUNY at Buffalo^C, Arizona State Univ.^D

Akram Mahjoub^A, M. Mineharu^A, N. Aoki^A, K. Miyamoto^A, T. Yamaguchi^B, T. Omatsu^A, J.P. Bird^C, D.K. Ferry^D, K. Ishibashi^B, and Y. Ochiai^A

18日 AG会場　18aAG　9:00〜12:00

領域4
トポロジカル絶縁体
（理論・実験）

スピン軌道相互作用の符号に注目した積層における表面状態の理論

東工大理^A, CREST, JST^B, 東工大元素戦略研究セ^C

中陳巧勤^{A, B}, 村上修一^{A, B, C}

古典系のトポロジカル秩序変数としてのHannay angle

筑波大物理

苅宿俊風, 初貝安弘

スキルミオン結晶における量子化トポロジカルホール効果

東大工^A, 理研CEMS^B

濱本敬大^A, 江澤雅彦^A, 永長直人^{A, B}

2次元有機金属構造体における強磁性トポロジカル絶縁体の設計

物性研, MIT化学科^A, 理研CEMS^B

山田昌彦, 副島智大^A, 辻直人^B, 平井大介^B, ミルシア・ディンカ^A, 青木秀夫^B

トポロジカル絶縁体超格子系におけるトポロジカルな性質の次元間クロスオーバー

広大先端

吉村幸徳, 井村健一郎

映進対称性を持つ系のギャップレス点付近の有効模型とトポロジカルナンバー

東工大理工, 元素戦略研究セ^A

Heejae Kim, 村上修一^A

休憩　（10:30〜10:45)

3次元 Chalker-Coddington 型ネットワーク模型のトポロジカル相

物材機構

落合哲行

磁気的トポロジル絶縁体薄膜の特異な相転移

阪大院基礎工

服部公則

^●9

Large - area synthesis and nondestructive transfer process of high - quality Bi2-xSbxTe3-ySey films

Dept. of Phys., Grad. Sch. of Sci., Tohoku Univ.^A, WPI-Advanced Inst. of Materials Res., Tohoku Univ.^B

Ngoc Han Tu^A, Yoichi Tanabe^A, Yosuke Satake^A, Khuong Kim Huynh^B, Kastumi Tanigaki^{A, B}

新型スピン分解ARPES装置によるBi系トポロジカル絶縁体薄膜の電子状態の研究

東北大院理^A, 東北大WPI^B

田中祐輔^A, 君塚平太^A, 菅原克明^B, 相馬清吾^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

BiSbTeSe₂の単結晶育成と結晶構造解析

筑波大数理物質, CNRS, Neel研^A, 物材機構^B, 茨城大^C

鈴木悠介, Kévin Le Calvez^A, Philippe Plaindoux^A, Frédéric Gay^A, 君塚郁哉, 小原康太郎, 茂筑高士^B, 星川晃範^C, 石垣徹^C, 吉崎亮造, Benjamin Sacepe^A, 柏木隆成, 門脇和男

18日 CS会場　18aCS　9:45〜10:30

領域6（1番目の招待講演のみ領域4，領域8と合同）
超流動 ³He

（招待講演）アンドレーエフ束縛状態の物理

名大工

田仲由喜夫

18日 AE会場　18pAE　13:45〜16:15

領域4
量子細線・微小接合

強相関ワイヤにおける非線型伝導

産総研ナノ材料

尾崎順一, 浅井美博

InAs並列二重ナノワイヤー接合の伝導特性

東大工, 理研CEMS^A, 阪大産研^B, 北京大^C, Lund大^D

馬場翔二, 鎌田大, 松尾貞茂, R.S.Deacon^A, 大岩顕^B, K.Li^C, H.Q.Xu^{C, D}, 樽茶清悟^A

架橋型InAs量子細線における電気伝導特性の評価

理研CEMS, 東大工^A, 北京大^B, ルンド大^C, 阪大産研^D

鎌田大, 松尾貞茂^A, 馬場翔二^A, R. S. Deacon, K. Li^B, H. Q. Xu^{B, C}, 大岩顕^D, 樽茶清悟^A

InAs量子井戸から形成した量子細線の伝導特性と電界制御

東大工, 理研^A, カリフォルニア大^B

松尾貞茂, 鎌田大^A, 馬場翔二, R. S. Deacon^A, Javad Shabani^B, Christopher Palmstrom^B, 樽茶清悟

量子ポイントコンタクトにおける動的核スピン偏極

理研CEMS, 茨城大^A

川村稔, 大野圭司, Peter Stano, 河野公俊, 青野友佑^A

休憩　（15:00〜15:15)

磁気スカーミオンを介したジョセフソン効果

東工大理, NUST^A

横山毅人, LinderJacob^A

強磁性体/超伝導体接合における不均一な磁化構造に起因した超伝導流の異方性

東工大理

横山毅人, 村上修一

超伝導ナノコンタクトにおける局所温度計測 II

筑波大数理

柴田倖宏, 大塚洋一

NbSe₂/grapheneファンデルワールス接合における超伝導近接効果

東大生産研^A, 東大ナノ量子^B

矢吹直人^A, 守谷頼^A, 増渕覚^A, 町田友樹^{A, B}

18日 AG会場　18pAG　13:30〜15:15

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体
（輸送現象・理論・実験）

トポロジカル絶縁体表面における磁気光学効果の理論

名大工

新谷国隆, 田口勝久, 田仲由喜夫

トポロジカル絶縁体上の表面/エッジスピン伝導における厚みの効果

上智大理工

和田未来, 小林浩二, 大槻東巳

InGaAs2次元電子ガスに誘起されたアンドレーエフ束縛準位のトンネル分光測定

NTT物性研, NTT先デ研^A

入江宏, Clemens Todt, 熊田倫雄, 原田裕一, 杉山弘樹^A, 赤崎達志, 村木康二

^●4

Electric field tuning of transport properties in undoped InAs/GaSb hybrid quantum wells

NTT物性基礎研

François Couedo, 入江宏, 鈴木恭一, 小野満恒二, 村木康二

異常ラシュバ金属/超伝導接合におけるトンネル効果の理論

名大工

福元敏之, 田口勝久, 小林伸吾, 田仲由喜夫

磁性トポロジカル絶縁体積層構造における異常ホール効果

東大工, 東北大金研^A, 理研CEMS^B

安田憲司, 吉見龍太郎, 塚崎敦^A, 高橋圭^B, 若月良平, 森本高裕^B, 江澤雅彦, 永長直人^B, 川﨑雅司^B, 十倉好紀^B

熱ホール効果の微視的な有効理論

東北大AIMR, イリノイ大^A, 東北大金研^B

仲井良太, 笠真生^A, 野村健太郎^B

18日 BB会場　18pBB　13:30〜16:40

領域7，領域4合同シンポジウム
主題：グラフェン・二次元薄層物質スピン物性の新展開

（シンポジウム講演）はじめに

東工大理工

榎敏明

（シンポジウム講演）グラフェン素子を用いたスピン緩和時間測定結果の再考察

東大物性研・大谷研究室

大谷義近

（シンポジウム講演）水素装飾グラフェンのスピン軌道相互作用と位相破壊抑制

青学大理工

春山純志

（シンポジウム講演）水素化グラフェンにおける逆スピンホール効果

東大物性研・勝本研究室

中村壮智

休憩　（14:55〜15:10)

（シンポジウム講演）ディラック電子系へのスピン注入

東北大金研

野村健太郎

（シンポジウム講演）グラフェン関連原子層物質の高分解能ARPES

東北大WPI-AIMR

高橋隆

（シンポジウム講演）二層グラフェンにおける空間反転対称性の電気的制御によるバレーホール効果

東大工

島崎佑也

18日 PSB会場　18pPSB　15:30〜17:30

領域4
領域4ポスターセッション

III-V族半導体/希薄磁性半導体界面におけるスピン軌道結合係数の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

坂谷文成, 小鷹浩毅, 石井史之^A

^●2

Hydrogen induced anisotropic Rashba effect on ZnO (10-10) surface：First-principles density-functional study

Grad. Sch. of Natural Sci. and Tech., Kanazawa Univ.

Moh Adhib Ulil Absor, Fumiyuki Ishii, Hiroki Kotaka, and Mineo Saito

単体Teのパルス電流下NMR測定

東理大理, 岡大エネルギー新素材^A, 東大物性研^B

下川裕理, 生井沢智之, 山本陸, 古川哲也, 伊藤哲明, 小林夏野^A, 徳永将史^B

電気機械振動子おける核スピンの歪ACシュタルク効果

NTT物性基礎研^A, 産総研^B

岡崎雄馬^{A, B}, Imran Mahboob^A, 小野満恒二^A, 佐々木智^A, 山口浩司^A

CdTe分数量子ホール系における強磁場輸送測定とサイクロトロン共鳴

物材機構, ポーランド科学アカデミー^A

今中康貴, G.Karczewski^A, T.Wojtowicz^A

n-Si上のInNの近赤外吸収におけるFano共鳴

大教大, 大工大^A

中田博保, E.L.Estrellado, 吉田玄徳, 淀徳男^A

ポリマー膜中のPbSコロイド量子ドットにおける磁気光学応答のヒステリシス特性

神戸大院工, 神戸大研究基盤セ^A, 神戸大分子フォトセ^B

原田幸弘, 芝川忠慶, 廣田舞, 喜多隆, 櫻井敬博^A, 太田仁^B

高移動度QPCにおけるファノ因子の精密測定 II

阪大理^A, 京大化研^B, ETH Zurich^C

室達也^A, 西原禎孝^{A, B}, 荒川智紀^A, 小林研介^A, Thomas Ihn^C, Clemens Rössler^C, Klaus Ensslin^C

表面弾性波による量子状態の制御への試み

阪大理物

横井雅彦, 則元将太, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介

量子ホール系における新規単電子デバイス作製の試みII

阪大理

則元将太, 横井雅彦, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介

熱雑音を用いた位相依存準粒子ジョセフソン効果の検証

産総研

中村秀司, 岡崎雄馬, 金子晋久

グラフェンのプラトー転移と温度補正効果を導入したエネルギースペクトロスコピーの比較

NTT物性基礎研, 関西学院大理工^A

高瀬恵子, 日比野浩樹^A, 村木康二

擬フリースタンディンググラフェンの走査プローブ観測

NTT物性基礎研, 長岡技科大^A, 関西学院大理工^B

高瀬恵子, Tran Minh Tien^A, 古川一暁, 高村真琴, 日比野浩樹^B

ゲート付き遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の光伝導特性

筑波大物理

齋藤明央, 渡邊寛之, 野村晋太郎

NbSe₂薄膜の物性制御の試み

阪大理

河村智哉, 竹下俊平, Paul Noel, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介

ワイル半金属における非一様磁場に起因するカイラル磁気効果

京大理

井辺洋平, 住吉浩明

分子線エピタキシー法による(Sn,Mn)Te薄膜の作製と磁化特性

筑波大院数理物質^A, 東大理^B, 広大院理^C, 原子力機構^D

桜井隆太郎^A, 山口智也^A, 石川諒^A, 秋山了太^{A, B}, 黒田眞司^A, 木村昭夫^C, 竹田幸治^D, 斎藤祐児^D

Pbホモロガス相における磁場中の輸送特性II

筑波大数理物質, 物材機構^A

君塚郁哉, 鈴木悠介, 榎本拓真, 寺尾耕太郎, 小原康太郎, 茂筑高士^A, 柏木隆成, 門脇和男

単結晶Biの極低温磁化測定

東大物性研, ESPCI^A

中村翔太, 河野洋平, 橘高俊一郎, 榊原俊郎, Kamran Behnia^A

19日 AE会場　19aAE　9:15〜12:00

領域4
量子ホール効果

量子ホール効果ブレイクダウンにおける走査ゲート顕微鏡イメージング

東北大理

谷中俊宥, 橋本克之, 白井翔太, 長瀬勝美, 佐藤健, 平山祥郎

核スピン共鳴顕微鏡による量子ホールブレークダウンにおけるナイトシフト空間分布測定

東北大理, 電通大^A, WPI-AIMR^B

橋本克之, 谷中俊宥, 白井翔太, 富松透^A, 長瀬勝美, 佐藤健, 平山祥郎^B

^●3

A new topological state of the fractional quantum Hall effect imaged by spin-sensitive photoluminescence microscopy

Tohoku Univ., Tohoku Univ., NIMS, NIMS, Tohoku Univ.

J. N. Moore, J. Hayakawa, T. Mano, T. Noda, G. Yusa

三層量子井戸におけるν=2のスピン状態遷移と核スピン効果

理研CEMS^A, 東大物理工^B, 東北大理^C

天羽真一^A, 中島峻^A, 樽茶清悟^{A, B}, 羽田野剛司^C

トーラス上の縮退したランダウ準位を持つ分数量子ホール系

東工大理, 東大生産研^A

汪正元, 中村正明^A

休憩　（10:30〜10:45)

磁場中2次元電子系ホールバー上でのネルンスト電圧の空間分布

東大物性研

藤田和博, ^○遠藤彰, 家泰弘

グラフェンにおけるエッジマグネトプラズモンの分散関係

NTT物性基礎研, CEA Saclay^A, 東工大^B

熊田倫雄, P. Roulleau^A, B. Roche^A, 橋坂昌幸^B, 日比野浩樹, I. Petkovic^A, and D. C. Glattli^A

InAs量子井戸におけるエッジマグネトプラズモン：急峻な境界ポテンシャルを仮定した理論による解析

NTT物性研

佐々木健一, 太田剛, 熊田倫雄, 鈴木恭一, 小野満恒二, 村木康二

局所分数量子ホール系における分数電荷準粒子トンネル現象の磁場・温度依存性

東工大院理, NTT物性基礎研^A

橋坂昌幸, 村木康二^A, 藤澤利正

量子ホールエッジチャネルによる人工的朝永ラッティンジャー流体の準安定非平衡状態

東工大院理工^A, NTT物性基礎研^B, 筑波大数理物質^C

藤澤利正^A, 鷲尾和久^A, 中澤遼^A, 橋坂昌幸^A, 村木康二^B, 都倉康弘^{A, B, C}

19日 AG会場　19aAG　9:00〜10:30

領域4
ワイル半金属
（理論）

乱れのあるワイル／ディラック半金属における臨界点の性質

上智大理工, 広大院先端^A, 東北大金研^B

小林浩二, 大槻東巳, 井村健一郎^A, 野村健太郎^B

アクシオン反強磁性絶縁相におけるカイラル磁気効果と異常Hall効果

東北大金研

関根聡彦, 野村健太郎

円偏光誘起軸性流の理論

名大工

田口勝久, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

トポロジカル絶縁体のトポロジカル相転移点近傍におけるアクシオン電気磁気効果

名大工, 京大基研^A

今枝立至, 川口由紀, 田仲由喜夫, 佐藤昌利^A

格子系におけるカイラル磁気伝導度の不連続性と安定性

東大物性研

藤田浩之, 押川正毅

^●6

Effect of disorder in a 3-d layered Chern insulator

北京大物理, 上智大物理^A

劉尚, 大槻東巳^A, 進藤龍一

19日 CA会場　19aCA　11:45〜12:30

領域9（3〜5番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

ビスマスからなるトポロジカル結晶絶縁体

お茶の水大理

小林功佳

Si(111)上Bi薄膜の一次元エッジ状態

東大新領域, 物材機構MANA^A

川上直也, 林俊良, 川合眞紀, 荒船竜一^A, 高木紀明

4端子電気伝導測定によるMnX/Bi₂X₃(X=Se,Te)薄膜の輸送特性

東大理

久保高幸, 中西亮介, ^○高山あかり, 福居直哉, 保原麗, 秋山了太, 長谷川修司

19日 CA会場　19pCA　13:30〜15:00

領域9（1〜2番目のみ領域4と合同。3〜6番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

トポロジカル絶縁体Sb₂Te₃の中赤外ポンプ時間分解光電子分光：直接励起とそのキャリアダイナミクス

東大物性研, マールブルグ大^A

黒田健太, Johannes Reimann^A, Jens Guedde^A, Ulrich Hoefer^A

トポロジカル絶縁体Sb₂Te₃の中赤外ポンプ時間分解光電子分光：円偏光で制御した表面スピン電流の超高速ダイナミクス

東大物性研, マールブルグ大^A, 広大院理^B, ノヴォシビルスク大^C

黒田健太, Johannes Riemann^A, Jens Guedde^A, 木村昭夫^B, K. Kokh^C, O. Tereshchenko^C, Ulrich Hoefer^A

トポロジカル絶縁体(Sb_1-xBi_x)₂Te₃の時間分解光電子分光

広大院理, 東大物性研^A, 中国科学院^B, 広大放射光セ^C, ノヴォシビルスク大^D

角田一樹, 朱思源, 石田行章^A, 叶茂^B, 田口一暁, 奥田太一^C, 生天目博文^C, 谷口雅樹^C, K. Kokh^D, O. Tereshchenko^D, 辛埴^A, 木村昭夫

Bi₂Se₃薄膜の電子状態の膜厚依存性：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

君塚平太^A, 田中祐輔^A, 相馬清吾^B, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

バルクBi(110)の表面スピン電子状態

広大放射光セ^A, 広大院先端^B, 広大院理^C

奥田太一^A, 獅子堂達也^B, ヌルママットムニサ^{A, C}, 角田一樹^C, 田口一暁^C, 木村昭夫^C, 生天目博文^A, 谷口雅樹^{A, C}

W(110)のディラック表面電子の軌道対称性に依存した電子スピン構造

ミュンスター大^A, 広大放射光セ^B, マックスプランク^C, マーティンルター大^D

宮本幸治^{A, B}, Henry Wortelen^A, Hossein Mirhosseini^C, 奥田太一^B, Juergen Henk^D, Markus Donath^A

一般社団法人 日本物理学会 2015年秋季大会 The 2015 Autumn Meeting

領域別プログラム

領域4

16日 AE会場 16aAE 10:45〜12:15

領域4量子ドット（量子ビット・量子情報）

16日 AG会場 16aAG 9:00〜12:45

領域4，領域7合同グラフェン（輸送特性，電場応答）

休憩 （10:45〜11:00)

16日 AG会場 16pAG 13:30〜17:00

領域4トポロジカル超伝導体（理論・実験）

休憩 （15:00〜15:15)

16日 AH会場 16pAH 13:30〜16:45

領域7，領域4合同グラフェン関連（新物質・原子層，電子状態，輸送特性）

休憩 （15:00〜15:15)

16日 DB会場 16pDB 13:30〜17:00

領域8，領域4合同シンポジウム主題：近藤効果研究の進展 -近藤論文50周年記念シンポジウム-

休憩 （15:15〜15:30)

17日 AE会場 17aAE 9:00〜12:30

領域4量子井戸・超格子・半導体スピントロニクス

休憩 （10:30〜10:45)

17日 AG会場 17aAG 9:00〜12:30

領域4量子ドット

休憩 （10:30〜10:45)

17日 BB会場 17aBB 9:15〜12:30

領域4トポロジカル絶縁体・ワイル半金属（理論）

休憩 （10:30〜10:45)

17日 AH会場 17pAH 13:30〜17:00

領域7，領域4，領域10企画講演/グラフェン関連（新物質・原子層，光応答，電子状態）

休憩 （15:00〜15:15)

17日 BB会場 17pBB 13:30〜16:50

領域4，領域3，領域8合同シンポジウム主題：新奇トポロジカル物質・トポロジカル現象の探索，新展開 Recent progress in topological matters and topological phenomena

休憩 （15:05〜15:20)

17日 CF会場 17pCF 13:30〜17:00

領域5，領域1，領域4合同シンポジウム主題：国際光年における光と学術−光物理学の方向性を探って−

休憩 （15:05〜15:20)

18日 AE会場 18aAE 9:00〜12:45

領域4，領域7合同グラフェン（量子ホール効果，欠陥，表面修飾）

休憩 （10:45〜11:00)

18日 AG会場 18aAG 9:00〜12:00

領域4トポロジカル絶縁体（理論・実験）

休憩 （10:30〜10:45)

18日 CS会場 18aCS 9:45〜10:30

領域6（1番目の招待講演のみ領域4，領域8と合同）超流動 3He

18日 AE会場 18pAE 13:45〜16:15

領域4量子細線・微小接合

休憩 （15:00〜15:15)

18日 AG会場 18pAG 13:30〜15:15

領域4トポロジカル絶縁体・超伝導体（輸送現象・理論・実験）

18日 BB会場 18pBB 13:30〜16:40

領域7，領域4合同シンポジウム主題：グラフェン・二次元薄層物質スピン物性の新展開

休憩 （14:55〜15:10)

18日 PSB会場 18pPSB 15:30〜17:30

領域4領域4ポスターセッション

19日 AE会場 19aAE 9:15〜12:00

領域4量子ホール効果

休憩 （10:30〜10:45)

19日 AG会場 19aAG 9:00〜10:30

領域4ワイル半金属（理論）

19日 CA会場 19aCA 11:45〜12:30

領域9（3〜5番目のみ領域4，領域8と合同）トポロジカル表面

19日 CA会場 19pCA 13:30〜15:00

領域9（1〜2番目のみ領域4と合同。3〜6番目のみ領域4，領域8と合同）トポロジカル表面

一般社団法人日本物理学会　2015年秋季大会
The 2015 Autumn Meeting

16日 AE会場　16aAE　10:45〜12:15

領域4
量子ドット
（量子ビット・量子情報）

16日 AG会場　16aAG　9:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン
（輸送特性，電場応答）

休憩　（10:45〜11:00)

16日 AG会場　16pAG　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル超伝導体
（理論・実験）

休憩　（15:00〜15:15)

16日 AH会場　16pAH　13:30〜16:45

領域7，領域4合同
グラフェン関連
（新物質・原子層，電子状態，輸送特性）

休憩　（15:00〜15:15)

16日 DB会場　16pDB　13:30〜17:00

領域8，領域4合同シンポジウム
主題：近藤効果研究の進展　-近藤論文50周年記念シンポジウム-

休憩　（15:15〜15:30)

17日 AE会場　17aAE　9:00〜12:30

領域4
量子井戸・超格子・半導体スピントロニクス

休憩　（10:30〜10:45)

17日 AG会場　17aAG　9:00〜12:30

領域4
量子ドット

休憩　（10:30〜10:45)

17日 BB会場　17aBB　9:15〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体・ワイル半金属
（理論）

休憩　（10:30〜10:45)

17日 AH会場　17pAH　13:30〜17:00

領域7，領域4，領域10
企画講演/グラフェン関連
（新物質・原子層，光応答，電子状態）

休憩　（15:00〜15:15)

17日 BB会場　17pBB　13:30〜16:50

領域4，領域3，領域8合同シンポジウム
主題：新奇トポロジカル物質・トポロジカル現象の探索，新展開　Recent progress in topological matters and topological phenomena

休憩　（15:05〜15:20)

17日 CF会場　17pCF　13:30〜17:00

領域5，領域1，領域4合同シンポジウム
主題：国際光年における光と学術−光物理学の方向性を探って−

休憩　（15:05〜15:20)

18日 AE会場　18aAE　9:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果，欠陥，表面修飾）

休憩　（10:45〜11:00)

18日 AG会場　18aAG　9:00〜12:00

領域4
トポロジカル絶縁体
（理論・実験）

休憩　（10:30〜10:45)

18日 CS会場　18aCS　9:45〜10:30

領域6（1番目の招待講演のみ領域4，領域8と合同）
超流動 ³He

18日 AE会場　18pAE　13:45〜16:15

領域4
量子細線・微小接合

休憩　（15:00〜15:15)

18日 AG会場　18pAG　13:30〜15:15

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体
（輸送現象・理論・実験）

18日 BB会場　18pBB　13:30〜16:40

領域7，領域4合同シンポジウム
主題：グラフェン・二次元薄層物質スピン物性の新展開

休憩　（14:55〜15:10)

18日 PSB会場　18pPSB　15:30〜17:30

領域4
領域4ポスターセッション

19日 AE会場　19aAE　9:15〜12:00

領域4
量子ホール効果

休憩　（10:30〜10:45)

19日 AG会場　19aAG　9:00〜10:30

領域4
ワイル半金属
（理論）

19日 CA会場　19aCA　11:45〜12:30

領域9（3〜5番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面

19日 CA会場　19pCA　13:30〜15:00

領域9（1〜2番目のみ領域4と合同。3〜6番目のみ領域4，領域8と合同）
トポロジカル表面