106

TEM-STMシステムを用いた金ナノワイヤ内の動的挙動によるコンダクタンス変化の観察
東工大総理工^A，東工大理工^B　久留井慶彦^A，大島義文^A，高柳邦夫^B

107

MCBJ機構を用いた金属原子鎖の直接観察法の開発
東工大院理工，東工大院総理工^A　小宮山英明，大島義文^A，高柳邦夫

108

グラフェンシート上における原子の動的過程の第一原理計算
鳥取大工　藤原勝敏，山本雅奈，石井晃

109

組成変化SiGeナノウィスカーの構造と成長メカニズム
阪大院理　森健一，正田薫，河野日出夫

110

シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン／鉄シリサイドヘテロ接合の形成
阪大院理　山本圭一，河野日出夫，竹田精治

111

合金触媒によるSiナノワイヤー成長
阪大院理，産総研関西セ^A　西田孟，吉川純，竹田精治，市川聡^A

112

拡散係数のギャップがある系での吸着原子の流れによるステップの不安定化II
金沢大自然　井川健太，佐藤正英

113

Si(001)上における単結晶SiO₂島の構造
電通大　種村徹雄，佐藤井一，マニシャ・クンドゥ，山田千樫，村田好正

114

微斜面上でのサブモノレイヤー成長における2次元島の形成と成長
阪大産研　宮里幸司，須藤孝一，岩崎裕

115

グラファイト／フェニルオクタン固液界面におけるフタロシアニン・ポルフィリン分子の二量体および三量体の薄膜成長
ヴィジョンアーツリサーチ^A，ペンシルバニア州立大^B，クイーンズランド工科大^C，都立大^D，山東大^E　高見知秀^A，B，Tao Ye^B，Paul S. Weiss^B，Dennis P. Arnold^C，杉浦健一^D，姜建壮^E

116

無冷媒超伝導マグネット用ラマン散乱測定装置の開発とその測定
NIMS　二森茂樹

117

第一原理計算によるGe(001)表面バンド構造の解析
鳥取大工　楠原秀昭，石井晃，逢坂豪

118

分光型光電子・低エネルギー電子顕微鏡と放射光を用いる表面研究
JASRI/SPring-8，ISSP^A，OECU^B，ASU^C　郭方准，為則雄祐，松下智祐，小林啓介，木下豊彦^A，奥田太一^A，孫海林^A，清水宏^B，中口明彦^B，安江常夫^B，越川孝範^B，Ernst Bauer^C

119

第一原理計算によるタングステン表面の吸着子構造と仕事関数の相関
東理大理^A，CREST-JST^B　田中博郎^A，渡辺一之^A，B

120

ジェリウム薄膜における電気伝導の解析
JST-CREST，東大院工　門平卓也，古家真之介，田中倫子，渡邉聡

121

Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性II−原子鎖と電極の相互作用による効果−
東大工，科学技術振興機構CREST　古家真之介，渡邉聡

122

半導体表面上の金属ナノ構造からのSTM発光
東工大院総合理工，東工大院理工^A　坪内洋，今田裕^A，山本直紀^A

123

低温STMとPES複合装置によるAl/Si(111)表面構造と電子状態の観察
広大院理，広大放射光セ^A　成田尚司，仲武昌史^A，謝天^A，望戸力，木村昭夫，喬山^A，生天目博文^A，谷口雅樹

124

Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態
東北大院理，東大物性研^A　小林敬介，高田真也，鈴木俊宏，坂本一之，正田亮^A，原沢あゆみ^A，奥田太一^A，木下豊彦^A

125

Si(111)表面上におけるAu薄膜の電子状態
兵庫県立大高度研　春山雄一，神田一浩，松井真二

126

ゾルゲル法で作成したSiO₂/TiO₂(110)の光第二高調波分光
北陸先端大材料，北陸先端大21世紀COE^A　表美紀，佐野陽之，Liu Boping，寺野稔，水谷五郎^A

127

シリコンp型反転層中のサブバンドの面内分散のバルクとの比較
奈良先端大^A，JST-CREST^B　武田さくら^A，B，東直人^A，出野卓^A，西出昌弘^A，大門寛^A，B

128

アルカリ金属吸着Si(111)-(3×1)表面形成過程の表面電気伝導度
奈良先端大　安井伸太郎，橋本美絵，島和也，武田さくら，大門寛

129

取　　消

130

シリコンの低温化学酸化によるSiO₂厚膜の形成
阪大産研，科技振 CREST　アスハ（長山），高橋昌男，小林光

131

表面状態のホール抵抗測定
東大理　平原徹，松田巌，長谷川修司

132

LaB₆表面電子状態の正逆光電子分光スペクトル
東大物性研，総研大高エネ^A，広大^B，京産大^C，東北大院理^D　柿崎明人，森本理^A，仲武昌史^B，原沢あゆみ，山上浩^C，国井暁^D

133

半導体表面の金属量子細線配列に生ずる低次元プラズモンII
岩手大工，物材機構ナノマテ研^A　稲岡毅，長尾忠昭^A

134

第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析
阪大工　堀江伸哉，小野倫也，広瀬喜久治，遠藤勝義

135

強束縛法による多探針STM電気伝導のシミュレーション
東大工，科学技術振興機構CREST　鈴木良治，野田真史，渡邉聡

136

貴金属／無機へテロ界面の電子状態
産総研ユビキタス，阪大産研^A　岡崎一行，森川良忠^A，田中真悟，香山正憲

137

Ru(0001)表面上における鉛とスズの二次元合金の作製と原子配列
名大工，名大エコトピア^A　石川義記，田島大輔，柚原淳司，長崎正雅^A，松井恒雄^A

138

電子・光電子回折による酸素吸着Nb(110)表面の構造解析
奈良先端大物質，U.C. Berkeley^A，フォトン^B　藤門倫明，^○松井文彦，大門寛，B.C.Sell^A，C.S.Fadley^A，小林篤史^B

139

電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出
九大総理工^A，PRESTO^B　岩永巨之^A，水野清義^A，B，栃原浩^A

140

遷移金属ステップ表面におけるNO分子の吸着構造の理論的研究
北大創成　相澤秀昭，寺倉清之

141

6H-SiC(0001)微傾斜面の構造変化のSTM観察
九大総理工^A，PRESTO^B，北大電子研^C　林賢二郎^A，水野清義^A，B，田中悟^C，栃原浩^A

142

Si(111)4×1-In表面上に低温成長した銀薄膜のSTM観察
物材機構^A，JST^B　内橋隆^A，B，大渕千種^B，中山知信^A，B

143

方位角走査 RHEEDによる Si(111)表面上の鉄シリサイドの研究
東北大多元研　藤崎大，高橋伸彰，^○虻川匡司

144

結晶微細構造のコーナー部分におけるステップのダイナミクス
阪大産研　藤村英明，須藤孝一，岩崎裕

145

2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態
電通大電子　平山基，中村淳，名取晃子

146

In/Si(111)の相転移の理論模型とSTM像の解析
岡理大総合情報，岡理大工^A　矢城陽一朗，垣谷公徳^A，加地博子^A，吉森昭夫

147

Rh(111)表面上の酸化スズ超薄膜の作製と構造評価
名大工，名大エコトピア^A　田島大輔，石川義記，柚原淳司，長崎正雅^A，松井恒雄^A

148

Cu(100)表面上におけるオリゴチオフェン分子の高分解能STM観察
横浜市大総理，分子研^A　倉田早希，横山崇，田中彰治^A

149

銀単結晶基板上に配列したα-sexithienylのSTM観察II
東大院理^A，東大新領域^B　井上宏昭^A，吉川元起^A，斉木幸一朗^A，B

150

ポルフィリン自己組織化表面上に配列したC₆₀分子の低温STM観察
横市大総理，情報通信研究機構^A，都立大院理^B　西山文貴，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A，坂口幸一^B，菊地耕一^B

151

斜入射X線回折法による高分子表面の研究 II
UBE科学分析セ　川崎勝，^○國重敦弘

152

First-Principles Study for the Interaction of Hydrogen with a SiO₂-Covered Si(001) Surface
Osaka Univ.，De La Salle Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Hideaki Kasai，Wilson Agerico Diño，Hiroshi Nakanishi

153

Si(001)(2×1)表面における局所構造とキャリアダイナミクスの相関
阪大産研　田中慎一郎，谷村克己

154

Cu(110)表面上における水素原子の量子状態
阪大院工　尾澤伸樹，笠井秀明

155

白金合金表面における水素の振る舞い
阪大工　寺田武司，笠井秀明

156

Initial stages of the nucleation of Si(111)-√3×√3-Ag reflected in second-harmonic generation response
理研^A，埼玉大^B　Deng Dongmei^A，B，^○鈴木隆則^A

157

C₇₀，C₆₀+C₇₀インターカレート化合物の潤滑特性
愛教大物理，成蹊大工^A，　金田祥江，津田大輔，佐々木成朗^A，三浦浩治

158

時間分解XPS，NEXAFS法の開発と高密度分子吸着相の観測
東大院理　中井郁代，近藤寛，雨宮健太，島田透，長坂将成，横田玲夫奈，太田俊明

159

鉄ポイントコンタクトのナノ物性II
阪大院工，東大物性研^A　中西寛，岸智弥，笠井秀明，小森文夫^A

160

微小磁性体における磁気励起
阿南高専，山形大教育^A　中村厚信，野々山信二^A

161

STMで見る磁場中の近藤効果
阪大工　西真友子，笠井秀明

162

水素終端Si薄膜における電子輸送特性の第一原理的研究
慶大理工　山内淳

163

走査型プローブ顕微鏡による酸化物表面ナノ構造の高分解能観測
情報通信研究機構関西先端研セ　田中秀吉，稲田貢，鈴木仁，上門敏也，益子信郎

164

フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討
NTT物性基礎研　内田和之，影島博之，猪川洋

165

2つの金電極間のベンゼンジチオレートの安定構造と電気伝導の理論計算
東大工，九大先導研^A　谷林慧，多田朋史，渡邉聡，吉澤一成^A

166

三角グラフェンにおける電圧誘起渦電流と永久電流の関係
早大院ナノ理工　田上勝規，塚田捷

167

Change in the magnetic properties of M_n(C₆H₆)_n+1 (n=1，M=Mn，Fe，Co) clusters induced by H₂
Dept. of Applied Physics，Osaka Univ.　R. Muhida，N.B. Arboleda，W.A. Diño，M. Tsuda，T. Kishi，H. Kasai

168

Co/N/Cu(001)からのSH光観察
NHK技研，東大物性研^A　宮岡秀治，飯盛拓嗣^A，河村紀一，小森文夫^A

169

Au(788)微傾斜表面上におけるFeナノ構造の磁性
理研^A，科技団さきがけ研究21^B　藤澤英樹^A，白木将^A，古川雅士^A，南任真史^A，B，川合真紀^A

170

スピン偏極原子線散乱法の開発：表面散乱のエネルギー依存性II
山梨院医工^A，山梨県産技短大^B，高エ研^C　廣瀬英二^A，B，末吉康寛^A，池戸豊^C，鳥養映子^A

171

電析ニッケル薄膜の磁気的特性II
分子研，東学大物理^A，学習院大理^B，物材研機構^C，東工大院理工^D，城西大理^E，物講研^F，福大共生理工^G　丸山耕一，荒川悦雄^A，古川貢，開康一^B，山口仁志^C，酒井雅弘，沼田博雄^D，中村敏和，横山利彦，松下明行^C，加藤立久^E，小出常晴^F，並河一道^A，入戸野修^G

172

LEEDによるCu(100)上のSb単独吸着構造決定及びSbとMgの共吸着構造
九大総理工　東相吾，大島誠史，白澤徹郎，水野清義，栃原浩

24日　WB会場　24pWB　13:30〜17:05

1

Pt(111)基板上に成長したナノグラファイトのエッジ状態の観察
東大新領域^A，東大理^B，埼玉大理^C，北大理^D　圓谷志郎^A，吉川元起^B，宮寺哲彦^B，小野木亮^C，中井郁代^B，池田進^A，木口学^D，近藤寛^B，太田俊明^B，斉木幸一朗^A，B

2

オージェ−光電子コインシデンス分光による凝縮SiF₃CH₂CH₂Si(CH₃)₃のサイト選択的オージェ過程の研究
KEK物構研^A，JST/さきがけ^B，井上財団^C，横国大院工^D，愛媛大理^E，広大院理^F，広大院工^G　間瀬一彦^A，B，南部英^A，小林英一^A，C，瀬尾淳哉^D，垣内拓大^E，高橋修^F，大下浄治^G，田中正俊^D，長岡伸一^E

3

高分解能UPS測定でみる巨大分子吸着系における価電子帯ホール関連現象
千葉大院自然^A，分子研^B　解良聡^A，B，山根宏之^A，深川弘彦^A，奥平幸司^A，上野信雄^A

4

有機薄膜中のキャリア輸送に対する分子振動の影響
千葉大工，分子研^A　藤井邦治，藤田美里，片桐史雅，解良聡^A，奥平幸司，上野信雄

5

紫外光電子分光法によるペンタセン超薄膜中のHOMOホール−分子振動カップリングの直接検出
千葉大工　山根宏之，深川弘彦，永松伸一，解良聡，奥平幸司，上野信雄

6

シアン化物溶液中での電気化学酸化法によるシリコンオキシナイトライド膜の低温創製
阪大産研，CREST-JST　高橋昌男，任星淳，岩佐仁雄，小林光

7

Spin-orbit coupling in the L-gap surface states of Au(111)
Univ. of Zurich，Switzerland^A，Swiss Light Source，Paul Scherrer Inst.，Villigen，Switzerland^B，Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik，Halle， Saale，Germany^C，St. Petersburg Tech. Univ.，Russia^D　M. Hoesch^A，B，J. Henk^C，M. Muntwiler^A，V.N. Petrov ^D，A. Ernst^C，P. Bruno^C，T. Greber^A，J. Osterwalder^A

8

放射光励起角度分解紫外光電子分光法によるCu(911)ステップ面電子状態の研究
立命館大理工　土田浩二，中西康次，小川浩二，難波秀利

9

放射光STMの開発
阪府大院工^A，理研^B，阪大院工^C，広大院理^D　北本克征^A，B，田口幸広^A，B，真鍋賢^B，C，高橋浩史^B，C，広常慎治^B，D，関谷徹司^B，D，齋藤彰^B，C，桑原裕司^B，C

10

Si(557)-Au上の1次元プラズモン：交換・相関とスピン軌道相互作用
東北大金研，岩手大工^A，東大理^B　長尾忠昭，柳沼晋，稲岡毅^A，長谷川修司^B，櫻井利夫

11

配列した金属微粒子表面からの表面プラズモン発光 IV
東工大院理工，CSIC-UPV/EHU^A　山本直紀，塩川未久，F.J. García de Abajo^A

12

Au(887)面におけるSH光強度パターンの励起光波長依存性
北陸先端大材料，北陸先端大材料21世紀COE^A　藤井啓史，佐竹祥彦，岩井哲也，水谷五郎^A

13

Si(111)7×7表面上Ag薄膜内量子準位からの2光子共鳴光第二高調波発生
東工大・総理工　渡井美和，^○平山博之

1

金属被覆カーボンナノチューブ探針の電気伝導特性
東大理，阪大工^A　吉本真也，保原麗，松田巌，村田祐也^A，岸田優^A，生野孝^A，前田大輔^A，保田達郎^A，本多信一^A，片山光浩^A，尾浦憲治郎^A，長谷川修司

2

VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径
阪大院理　吉川純，大野裕，竹田精治

3

CoSi₂ナノワイヤの電気伝導特性
東大理，Arizona State Univ.^A　沖野泰之，松田巌，保原麗，細村嘉一，長谷川修司，Peter A. Bennett^A

4

Contact mode AFM によって作製したナノワイヤーの電気伝導計測II
東工大院理工，東京農工大工^A　渡部学，箕田弘喜^A，高柳邦夫

5

TEM-AFMによるAuナノワイヤーの力計測と構造観察II
東工大院理工，東工大理^A　三輪哲史，赤堀千明^A，谷城康眞，高柳邦夫

6

TEM-STMを用いた銀ナノワイヤの構造とコンダクタンスの研究II
東工大院理工　伊藤亮治，小川慶太，谷城康眞，高柳邦夫

7

金ナノコンタクトの非線形性コンダクタンス
東工大理工，東工大総合理工^A　吉田誠，久留井慶彦^A，大島義文^A，谷城康眞，高柳邦夫

8

金多層ヘリカルナノワイヤのコンダクタンス計測
東工大総理工^A，東工大理工^B　大島義文^A，平山博之^A，高柳邦夫^B

9

Ptナノ接点の電流誘起破断
京大工^A，京大IIC^B　箕輪剛^A，黒川修^B，^○酒井明^B

10

溶液内におけるPd単原子ワイヤーの形成
北大院理^A，JSTさきがけ^B　木口学^A，村越敬^A，B

11

溶液内電気化学電位制御下における強磁性金属ナノ接合のコンダクタンス量子化挙動
北大院理^A，科技団さきがけ^B　小西達也^A，木口学^A，村越敬^A，B

1

Cu/Ni/Cu(001)とCu/Ni/O/Cu(001)の対照的な軌道磁気モーメントによる磁気転移
分子研　中川剛志，渡邊廣憲，横山利彦

2

微斜面Cu(1 1 17)上Co超薄膜の表面修飾によるスピン再配列転移
分子研　渡邊廣憲，中川剛志，横山利彦

3

Fe/Pd(001)の構造，電子状態と磁性
東大物性研，総研大^A，理研^B，Bragg研^C　瀬尾哲也，森本理^A，林慶^B，Yu Dehon^C，柿崎明人

4

Fe/Co系における元素選択的ヒステリシス測定
東大理　大槻匠

5

Gd/Cu金属人工格子のCu層に誘起された磁気分極分布の温度変化
奈良先端大物質，京大化研^A，APS/ANL^B　細糸信好，大河内拓雄^A，石地耕太朗，G. Srajer^B

6

らせん状単原子ステップを有するCr(001)薄膜のスピン偏極STS観察
大阪教育大，阪大基礎工^A　川越毅，井口祐介^A，渡辺智健^A，菅滋正^A

7

光電子顕微鏡(PEEM)を用いたFeNi鉄隕石の磁区構造解析
広大放射光，JASRI^A，東大工^B，高エ研^C，広大院理^D　小嗣真人，脇田高徳^A，谷内敏之^B，小野寛太^C，鈴木基寛^A，河村直己^A，高垣昌史^A，中村哲也^A，小林啓介^A，谷口雅樹^D，石松直樹^D，圓山裕^D

8

深さ分解XMCDによる分子吸着由来のスピン再配列の観察
東大理　坂井延寿，雨宮健太，松村大樹，宮脇淳，阿部仁

9

Si(111)表面上のFeシリサイドの構造と磁気特性
奈良先端大物質創成　服部梓，服部賢，片岡恵太，大門寛

10

鉄原子・クラスター内包チューブ状カーボンナノカプセルの構造と磁性
静大工，金沢大理^A　藤間信久，山崎佐知子，小田竜樹^A

11

High Resolution XPEEM Study of NiO(100)
東大物性研，JASRI/SPring-8^A，大阪電通大^B，東レリ^C　孫海林，奥田太一，郭方准^A，室隆桂之^A，為則雄祐^A，松下智裕^A，清水宏^B，中口明彦^B，越川孝範^B，宮田洋明^C，小林啓介^A，木下豊彦

1

第一原理計算に基づく酸化シリコン薄膜の電子輸送特性の予測
阪大院工　中川大輔，小野倫也，広瀬喜久治

2

第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算手法
阪大工　佐々木孝，小野倫也，広瀬喜久治

3

Al表面上のトンネル障壁高さ像の解析
日大理工^A，東大工^B，CREST^C　戸塚英臣^A，C，古家真之介^B，C，渡邉聡^B，C

4

大規模電子構造計算における局所状態密度：半導体表面ステップ構造への応用
東大工^A，CREST-JST^B，ACT-JST^C　星健夫^A，B，高山立^C，A，藤原毅夫^A，B

5

矩形Quantum Corral のSTSおよびSTM画像
埼玉工大　田村明

6

Cu(111)表面ステップエッジでの表面状態電子の散乱
お茶大理　小林功佳

7

有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション
阪大産研　森川良忠

8

固液界面反応に対する第一原理計算手法の開発
東大物性研　大谷実，杉野修

9

第一原理計算によるTM-Zn（TM=Pd，Ni，Pt）合金表面の電子構造の研究
中大理工，SORST-JST　野沢和生，石井靖

1

量子十字構造作製のための高度清浄環境の実現に向けての考察と実験
北大電子研　川口敦吉，山形整功，海住英生，近藤憲治，^○石橋晃

2

GaAs(001)表面上のInAs量子ドット形成初期過程のシミュレーションとその場観察STMによる研究
鳥取大工，東大生研NCRC^A，東大先端研^B　石井晃，大島俊輔，塚本史郎^A，荒川泰彦^B，A

3

Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態
横浜市大総合理　鈴木雅彦，根岸良太，重田諭吉

4

Si(111)表面上のシリサイドナノクラスターの形成・制御
横浜市大総合理　重田諭吉，望月出海，根岸良太

1

N/Cu(001)の表面歪みの理解におけるsurface stiffnessの必要性
東大物性研，東大理^A　吉本芳英，常行真司^A

2

局所歪みのあるCu(001)表面におけるIn/Cu構造のSTM観察
東大物性研　土肥俊介，中辻寛，小森文夫

3

取　　消

4

Cu(001)表面上の Li 吸着系における円弧ストリーク強度の被覆率依存性
福教大物理　三谷尚

5

Au(111)上ヘキサンチオールストライプ相の構造
東大院理　島田透，近藤寛，中井郁代，長坂将成，横田玲夫奈，雨宮健太，太田俊明

6

低温STMを用いた金属表面における水分子の吸着状態の観察
学習院大理，理研^A，東大新領域^B　松本周子，金有洙^A，川合真紀^A，B

7

Rh(111)表面に成長させた氷薄膜の電子線誘起による結晶化
東大物性研　紅谷篤史，山本達，向井孝三，山下良之，吉信淳

8

STM観測下のGe(001)表面ダイマ-系構造変換とダイマ-系モデルポテンシャル
九大院理，物性研^A　塙洋祐，吉本芳英^A，河合伸，成清修

9

Ge(001)清浄表面でのバイアス電圧パルスによるc(4×2)，p(2×2)構造の境界の移動(II)
東大物性研　高木康多，吉本芳英，中辻寛，小森文夫

10

Sn吸着Ge(001)表面のSTM観察
東大物性研　富松宏太，中辻寛，小森文夫

11

表面吸着種の高感度振動分光を目指したフォトントラップ法の開発
豊田工大，コンポン研^A　寺嵜亨，江頭和宏^A，近藤保

12

InAs/GaAs/InAs(111)A成長結晶における貫通転位／積層欠陥の劈開端面STM観察
ERATO/SORST^A，東大工^B，NTT物性基礎研^C　寺岡総一郎^A，石崎喜一朗^B，日達研一^B，山口浩司^C，樽茶清悟^A，B

13

光電子型軟X線定在波法の有機薄膜への応用
東大理，NTT-AT^A，産総研^B　横田玲夫奈，近藤寛，中井郁代，島田透，長坂将成，太田俊明，竹中久貴^A，中村徹^B

1

軟X線発光分光法によるSiO₂/Si界面電子状態の直接観測
東大物性研　山下良之

2

Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造
東大物性研，東北大理^A　正田亮，江口豊明，奥田太一，原沢あゆみ，長谷川幸雄，坂本一之^A，木下豊彦

3

光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究
東大理　宮田伸弘，松田巌，平原徹，長谷川修司

4

極低温超高真空STMを用いたPb/Si(111)における超伝導ギャップとその膜厚依存測定
東大物性研，東理大理^A　西尾隆宏，小野雅紀，江口豊明，長谷川幸雄，坂田英明^A

5

Tl/Ge(111)-(1×1)表面の構造と電子状態
京大理　八田振一郎，高橋真，梅本周作，加藤千尋，奥山弘，有賀哲也

6

Ge(001)c(4x2)清浄表面の電子状態 II
東大物性研，鳥取大工^A　中辻寛，高木康多，楠原秀昭^A，石井晃^A，小森文夫

7

Eu吸着により誘起されたSi(111)表面上の一次元鎖構造の電子状態
東北大院理，IFM Linkoping大^A　坂本一之，A. Pick^A，R.I.G. Uhrberg^A

8

室温から極低温までのAu/Si(111)表面の表面電子輸送研究
東大理　山崎詩郎，松田巌，長谷川修司

9

Si(111)/3x/3-Ag表面の電気伝導 II
東大理　松田巌，劉燦華，平原徹，長谷川修司

10

非接触原子間力分光法によるSi(111)7×7表面の電子状態の観察
北陸先端大材料^A，PRESTO-JST^B　新井豊子^A，B，富取正彦^A

11※(登壇)

後方電子散乱回折法を用いた多結晶タングステンの結晶方位同定
学習院大理　安生光一，山田豊和，^○溝口正

12

走査トンネル顕微分光タングステン探針の単結晶化と電界放射顕微鏡による研究
学習院大理　入澤寿和，山田豊和，溝口正

1

取　　消

2

低エネルギー電子線励起によるSi(111)-(7×7)表面構造の変化 III
阪大産研　杉田吉聴，堀池秀紀，金崎順一，谷村克己

3

N/Cu(100)上のCo成長により誘起される応力と電子状態変化
東大物性研　関場大一郎，中辻寛，小森文夫

4

Au/Nb:SrTiO₃ショットキー接合の電流電圧特性
東大新領域　須崎友文，竪山悠介，H.Y. Hwang

5

銀原子蒸着により誘起されたInAs劈開表面2次元電子系の電子密度とHall移動度
東大理　辻幸秀，望月敏光，岡本徹

6

Pt(997)表面におけるNO分子の拡散過程
東大物性研　塚原規志，利田祐麻，向井孝三，山下良之，吉信淳

7

Si(111)√3×√3-(B，Si)表面へのNO吸着
奈良先端大物質創成　小林慶子，^○服部賢，片岡恵太，大門寛

8

エチレン/Si(100)の前駆状態から化学吸着状態への光誘起反応
東大物性研　梅山裕史，向井孝三，山下良之，吉信淳

9

Si(001)表面に化学吸着したアルケン／アルキン分子の配向性の差異の起源
東大院理　赤木和人，常行真司

10

低温Si(100)における吸着1，4-シクロヘキサジエンの前駆状態：UPSによる研究
東大物性研　向井孝三，山下良之，吉信淳

11

Si(100)における単一有機分子のSTS：負性微分抵抗の観測
東大物性研　小口和博，向井孝三，山下良之，吉信淳

1

はじめに
慶大理工　齋藤幸夫

2

添加物により構造転移したラセミ体の光学分割
岩手大工　土岐規仁

3

二クロム酸塩の有機ゲル内結晶成長のモルフォロジー変化
佐世保高専　須田淳一郎

4

方解石の成長・溶解ステップに影響を及ぼすアミノ酸のキラリティ
東北大理　丸山美帆子

5

氷結晶成長カイネティクスに対する不凍タンパク質の効果
北大低温　古川義純

6

シリコン酸化物表面上の自己組織化膜および脂質膜形成と表面特性の影響
分子研　手老龍吾

1

STM観測下における低温N型Si(001)表面のc(4×2)-p(2×2)構造相転移
九大院理　松藤謙介，河合伸，成清修

2

低温で起こる電子励起による構造変化とドーパント依存性：Si(001)-c(4×2)
九大総理工^A，さきがけ^B　白澤徹郎^A，水野清義^A，B，栃原浩^A

3

Si(100)再構成表面の電子状態とSTMイメージング
物材機構　鷺坂恵介，藤田大介

4

X線回折によるSi(111)-6×1(3×1)-Ag表面の3次元的な原子配列の研究
東大物性研，JASRI^A，名大工^B，KEK-PF^C　隅谷和嗣，田尻寛男^A，増沢航介，吉田隆司，星野崇，中谷信一郎，高橋敏男，秋本晃一^B，杉山弘^C，張小威^C，河田洋^C，坂田修身^A

5

Si(111)7×7表面におけるFeの初期吸着
奈良先端大物質創成　片岡恵太，服部賢，大門寛

6

Ge/Si(105)の第一原理計算
産総研，阪大産研^A　橋本保，森川良忠^A，寺倉清之

7

重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析
埼玉大理，東大新領域^A，北大理^B，東大理^C　小野木亮，上野啓司，中原弘雄，吉川元起^A，池田進^A，木口学^B，中井郁代^C，近藤寛^C，太田俊明^C，斉木幸一朗^A

8

Si表面上におけるピロール及びピラジンの吸着構造
静岡大電子研，東北大多元研^A　下村勝，虻川匡司^A，河野省三^A，福田安生

9

化学吸着と物理吸着におけるステップと吸着子の相互作用の違い：密度行列くりこみ群計算と複素経路重み（IPW）法計算
大阪電通大工，阪大院理^A，群馬大工^B　阿久津典子，阿久津泰弘^A，山本隆夫^B

10

微傾斜表面からのRHEED図形II
大同工大工　堀尾吉已

11

RHEED波動関数の表面局在
山梨大教育人間，レスター大物理^A　川村隆明，P.A. Maksym^A

1

フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造の変化
阪大産研　金崎順一，宮内國男，谷村克己

2

極薄Si 酸化膜を用いたSi(111)表面上のGeナノドット形成過程のUHV-TEMその場観察
名大エコトピア研^A，CREST-JST^B，名大院工^C　趙星彪^A，B，国枝大佳^C，田中信夫^A，B，C

3

中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算による金属結晶表面格子ダイナミクスの解析
立命館大理工　岡沢哲晃，竹内史典，城戸義明

4

フッ素終端Si(100)表面からの多価イオン衝撃によるフッ素イオン脱離過程
理研^A，豊田工大^B，東大院総合^C　小島隆夫^A，岡林則夫^B，山崎泰規^A，C

5

高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察
物材機構，東北大金研^A，金沢大院自然^B　柳沼晋，長尾忠昭，J.T. Sadowski^A，斎藤峯雄^B，藤川安仁^A，櫻井利夫^A

6

Anderson-Newns モデルによる分子の金属表面における解析
長崎大工　近藤慎一郎

7

超潤滑系の物理
愛教大物理　三浦浩治

8

その場電子顕微鏡法によるシリコンナノワイヤーの力学特性解析
筑波大物質工　木塚徳志，高谷恭弘

9

カーボン系ナノ材料の低摩擦シミュレーション
成蹊大院工^A，科技機構さきがけ^B，愛教大物理^C　佐々木成朗^A，B，三浦浩治^C

10

A nanoscale inspection on the adhesion of some thermoplastics on metal surfaces
Osaka Univ.^A，De La Salle Univ.^B，Taiseiplas Corp.^C　Hideaki Kasai^A，Tanglaw Roman^A，Wilson Agerico Diño^A，B，Hiroshi Nakanishi^A，Yoshihito Miyako^A，Naoki Ando^C，Masanori Naritomi^C

1

第一原理計算による6H-SiC(000-1)-2×2表面構造と電子状態
産総研ユビキタス，京大工^A，立命館大理工^B　田中真悟，星野靖^A，岡崎一行，城戸義明^B，香山正憲

2

極薄Ni/6H-SiC(0001)表面の原子配列と電子状態(I)
立命館大理工，京大工^A　松原佑典，星野靖^A，福山亮，西村智朗，城戸義明

3

極薄Ni/SiC(0001)表面の原子配列と電子状態(II)
立命館大理工，京大工^A　星野靖^A，松原佑典，福山亮，西村智朗，城戸義明

4

SrTiO₃(001)表面のステップの熱緩和過程におけるステップ間相互作用の影響
阪大産研　後藤洋臣，須藤孝一，岩崎裕

5

SiO₂上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向
東大理，埼玉大理^A，東大新領域^B，北大理^C　吉川元起，宮寺哲彦，上野啓司^A，小野木亮^A，中井郁代，圓谷志郎^B，池田進^B，木口学^C，近藤寛，太田俊明，斉木幸一朗^B

6

STM探針によるグラファイト(0001)面上の帯状ポリジアセチレンの形成および相転移
東京農工大工，北里大理^A　遠藤理，大坪宏彰，尾崎弘行，真崎康博^A

7

低速陽電子ビームを用いたNi(111)水素吸着層の研究
東京学芸大物理，東大生研^A，東大原子力研究総合セ^B，東大物性研^C　広田幸二，内田鳩子，大石陽次郎，金沢育三，福谷克之^A，伊藤泰男^B，野沢清和^C，小森文夫^C

8

Pd表面と水素分子の相互作用
京大院理　上田裕也，玉森正多，坪井紀子，奥山弘，有賀哲也

9

D:Si(111)-(1×1)表面のフォノン
東北大院理，東北大理^A，理研^B，学際セ^C　加藤大樹，永島幸延，田岡琢巳^A，山田太郎^B，粕谷厚生^C，須藤彰三

10

2水素化シリコン表面からの水素脱離ダイナミックス
九工大工　並木章，新居田武志，鶴巻浩

11

電子−極角分解イオンコインシデンス分光法を用いたH₂O/Si(111)の内殻電子励起に由来するH⁺脱離の研究
物構研^A，井上財団^B，横国大院工^C，JST/さきがけ^D　小林英一^A，B，南部英^A，瀬尾淳哉^C，間瀬一彦^A，D

12

モンテカルロ法によるPt(111)上の水生成反応の機構の解明
東大院理　長坂将成，近藤寛，太田俊明

13

Si(111)-(7×7)表面におけるH₂Oの吸着・反応
京大院理　山田剛司，大塚靖仁，奥山弘，有賀哲也

1

脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向に対する脂肪酸の疎水基，及び親水基による影響
立命館大理工　久保貴資，内山幸昌，水嶌孝彦，本同宏成，中田俊隆

2

リゾチーム結晶中の欠陥発生に対する不純物の影響
宇宙航空研究開発機構，横浜市大院^A，阪大蛋白研^B，エイ・イー・エス^C，岩手県立大^D　吉崎泉，栄龍，足立聡，小泉晴比古^A，橘勝^A，小島謙一^A，松浦良樹^B，福山誠二郎^C，飯村好和^C，小松啓^D

3

リゾチーム単斜晶系結晶{010}面の成長カイネティクス
立命館大理工　本同宏成，中田俊隆

4

マイクロビームX線回折法によるO/Wエマルション中の油相の結晶化挙動の観察
広島大院生物圏，東大院新領域^A，食総研^B　上野聡，篠原佑也，川崎直彦，小林功，中島光敏，佐藤清隆，雨宮慶幸

5

アルカリハライド基板上のオクチチオフェン蒸着膜のエピタキシャル成長
岩手大工，京工繊大^A　川村幸司，^○吉本則之，齋藤嘉夫^A

6

非晶質水素化並びに多結晶シリコンカーバイド膜の光学ギャップ
東理大理，諏訪東理大機械システム^A　金子聰，根本大，泰井まどか，宮川宣明^A

7

3d遷移金属触媒を用いた水素化マグネシウムMgH₂の水素放出特性II
阪大工^A，阪大理^B，阪大ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構^C，DLSU理^D　津田宗幸^A，Wilson Agerico Di\~{n}o^{A，B，C，D}，笠井秀明^A，中西寛^A

8

閃亜鉛鉱型CrAs薄膜のGaAs基板上における構造安定性の第一原理的研究
阪大基礎工　向瀬紀一郎，草部浩一，鈴木直

9

エピタキシャル系におけるミスフィット転位(II)
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

10

カイラル結晶化の簡単なモデル
名大理　上羽牧夫

11

カイネティク係数の変化とステップ列の不安定化
金大総合メディア基盤セ　佐藤正英

1

量子細線破壊と不連続スケーリング則
日大理工　菊池麻依子，山中雅則

2

AFM探針構造のFP/TB/MMハイブリッドシミュレーション
東大生研^A，物材機構^B，科技構^C，アドバンスソフト^D　中村美道^A，B，高橋憲彦^B，C，高木祥光^A，宇田毅^A，D，大野隆央^A，B

3

非平衡グリーン関数法による電極接合ナノチューブの電気伝導の第一原理計算
産総研ナノテク^A，JST-CREST^B，NEC基礎環境研^C　小林伸彦^A，B，広瀬賢二^C，B

4

ナノ領域での量子伝導計算−RTM法と非平衡グリーン関数法の融合−
NEC基礎環境研^A，産総研ナノテク^B，CREST・JST^C　広瀬賢二^A，C，小林伸彦^B，C

5

ナノスケール物質の電気伝導特性に及ぼす電子−フォノン散乱の影響
東理大理^A，東大工^B，CREST-JST^A　山本貴博^A，B，渡辺一之^A，B，渡邉聡^B，C

6

原子・分子架橋における電気伝導度のPhase-Shiftによる定式化
兵庫県立大院理　大塚泰弘，島信幸，馬越健次

7

単原子鎖におけるコンダクタンス振動現象の理論的解析
阪大院工　江上喜幸，小野倫也，広瀬喜久治

8

金電極に挟まれたポリフェニルジチオール分子の伝導特性
東大生研^A，物材機構^B，産総研^C　近藤恒^A，B，木野日織^B，奈良純^B，尾崎泰助^C，大野隆央^B，A

9

BNリボンの磁性II
電通大　新田敏浩，中村淳，名取晃子

10

Hydrogen-Hydrogenase and Oxygen-Hemoglobin/Myoglobin Reaction Dynamics，Functionality and Their Control
阪大理^A，阪大ナノサエンス・ナノテクノロジー推進機構^B，阪大工^C，De La Salle大理^D　Wilson Agerico Dino^{A，B，C，D}，津田宗幸^C，笠井秀明^C

11

Amino acid adsorption on single-walled carbon nanotubes
Osaka Univ.^A，De La Salle Univ.^B　Tanglaw Roman^A，Wilson Agerico Diño^A，B，Hideaki Kasai^A

12

表面析出法により成長したグラファイト基底面上におけるカーボンナノワイヤとカーボンナノベルトの発見
物材機構ナノマテ研　藤田大介，大西桂子，熊倉つや子，鷺坂恵介

1

Quantum Atomic chains and wires on Si surface
Yonsei Univ.　H. W. Yeom

2

取　　消

3

Conductivity of the quasi one dimensional system on In/Si(111) surface
岡山理大　垣谷公徳

4

Chain structures and phase transitions on Si surface
Inst.Automation and Process Control，　A. A.Saranin

5

Superconductivity of Pb ultra-thin films modulated by quantum well states
Chinese Acad. Sci.　Q.-K.Xue

6

Finite-size effects in a phase transition of Pb nano-islands on Si(111)
Academia Sinica　I. S.Hwang

7

Two-dimnensional exotic metal: Size effects and interface effects of ultrathin Bi film
東北大金研　長尾忠昭

1

プラズマ場を用いたナイトライド系ナノ構造粒子の創製
立命館大理工，京都工繊大^A　下総晃人，陸亨，^○佐藤岳志，鈴木仁志，齋藤嘉夫^A，墻内千尋

2

TiO₂粒子及びステアリン酸上のTiO₂粒子の紫外線照射効果
立命館大理工，京都工繊大^A　池上亜紀美，車田真実，上辻勝也，佐藤岳志，鈴木仁志，齋藤嘉夫^A，墻内千尋

3

人工・天然カーボン粒子の構造と結晶化
立命館大理工，電気通信大^A　熊本明仁，^○城戸修，佐藤岳志，鈴木仁志，車田真実，和田節子^A，墻内千尋

4

酸化モリブデン粒子の色・形態とスペクトルとの相関
立命館大理工，京都薬科大^A　車田真実，新宅正行，小池千代枝^A，墻内千尋

5

カーボン及び白金包埋カーボンナノ粒子の加熱による形態変化
立命館大理工　新宅正行，鈴木仁志，車田真実，佐藤岳志，墻内千尋

6

Ar-O₂ガス中アーク放電法による正方晶WO₃微粒子の作製とその形態
名城大，瀋陽工大^A　村田典彦，小野和哉，郭雨梅^A，岡崎次男

7

チタンクラスターイオンと窒素分子との衝突反応過程−タンデム型質量分析器による反応断面積測定と全電子混合基底による第一原理分子動力学シミュレーション
豊田工大，コンポン研^A，東北大金研^B　市橋正彦，半村哲^A，Marcel Sluiter^B，川添良幸^B，近藤保

8

TEMを用いたナノ微粒子の伝導特性評価に関する研究
北大工，北大情報^A　広瀬龍介，有田正志^A，浜田弘一^A，高橋庸夫^A

9

クラスタービーム蒸着によるシリコンナノクラスター結晶形成のSTEM観察
産総研，東海大理^A，日立造船^B　武藤麻紀子，Shipra Mital，高橋康之，亀井伸哉^A，岩田康嗣，滝谷俊夫^B，小村明夫^B

10

逆ミセル中における(CdSe)_33，34の成長
東北大学際セ　野田泰斗，粕谷厚生

11

ポーラスSi表面の光電気化学反応と貴金属微粒子の吸着効果
東北大学際セ　石川弘毅，Sergiy Mamykin，粕谷厚生