領域4

24日　YT会場　24aYT　9:00～12:30

領域4
量子ホール効果

1: 量子ホール効果Breakdown現象の空間発展
東大院総合，JST-SORST　小宮山進，川口康

2: 臨界電流値が素子幅に比例しない量子ホール効果Breakdown現象3
JST-SORST，東大院総合　川口康，小宮山進

3: 線幅に比例しないブレークダウンと活性化エネルギー
千葉大院自然，千葉大理^A　片桐崇良，音賢一^A

4: 光パルス励起による量子ホール系非平衡キャリアダイナミクスの観測II
東大院理^A，東大院総合^B，科学技術振興機構^C　高瀬恵子^A，河野行雄^A，岡本徹^A，上田剛慈^B，C，小宮山進^B，C

5: サイクロトロン発光で見る高次ランダウ準位の非平衡電子分布
東大総合文化，東大生産研^A　佐久間寿人，生嶋健司，小宮山進，平川一彦^A

6: 不純物に束縛された表面2次元電子系の磁場中STS観測
東大院理　新見康洋，神原浩，福山寛

7: 銀をその場蒸着させたInAs劈開表面における整数量子ホール効果の観測
東大理　望月敏光，辻幸秀，岡本徹

休憩　（10:45～11:00)

8: 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導
東北大院理，京大低温セ^A，NTT物性基礎研^B　森野正行，岩田一樹，鈴木三千郎，福田昭^A，澤田安樹^A，江澤潤一，熊田倫雄^B，平山祥郎^B

9: 2層系ν=1の面内磁場を加えたときの相図
東北大院理，京大低温セ^A，NTT物性基礎研^B　寺澤大樹，古住信介，福田昭^A，澤田安樹^A，江澤潤一，熊田倫雄^B，平山祥郎^B

10: 量子ドット結合2DEGにおけるν<1での輸送現象異常 II
物材機構ナノマテ研，Univ. of Nottingham^A　竹端寛治，高増正，木戸義勇，M. Henini^A，L. Eaves^A

11: 2次元正孔量子ホール系のν=1/3付近における異常
東大物性研　小寺克昌，橋本義昭，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

12: 量子ホール領域におけるアンチドット格子のAB振動
東大物性研　加藤雅紀，田中啓安，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

13: ZnSe双晶界面における自然形成2次元電子の輸送特性－GaAsヘテロ構造との比較－
阪大院理，福井工大^A，東北大工^B　服部玲子，藤井研一，大山忠司^A，一色実^B

24日　ZC会場　24aZC　10:30～12:30

領域4
磁性半導体

1: 磁性半導体中の磁気不純物準位と強磁性相互作用I
東北大金研^A，日立基礎研^B，数理研CIT^C　高橋三郎^A，谷川和男^A，市村雅彦^A，B，前川禎通^A，G. Baskaran^A，C

2: 磁性半導体中の磁気不純物準位と強磁性相互作用II：軌道縮退の効果
東北大金研^A，日立基礎研^B，IMSc C.I.T Campus^C　谷川和男^A，市村雅彦^A，B，高橋三郎^A，前川禎通^A，G.Baskaran^A，C

3: 希薄磁性半導体の動的クラスター近似を用いた解析
阪大工^A，デ・ラ・サール大理^B　松中大介^A，笠井秀明^A，Wilson Agerico Dino^A，B，中西寛^B

4: 磁場下CdTe/CdMnTe細線構造における価電子帯バンドミキシング
神戸大院自然^A，神戸大VBL^B，CNRS^C，甲南大理工^D　原田幸弘^A，永沼良太^A，喜多隆^A，B，和田修^A，B，L. Marsal^C，H. Mariette^C，安藤弘明^D

5: 完全スピン偏極ホイスラー合金／半導体界面の第一原理計算
東北大通研　長尾和多加，三浦良雄，白井正文

6: ハーフメタリック希薄反強磁性半導体
阪大理　赤井久純，小倉昌子，高橋智依

7: LDA+U法によるGaN系希薄磁性半導体の電子状態と磁性
阪大産研^A，ユーリッヒ研^B　佐藤和則^A，P.H. Dederichs^B，吉田博^A

8: LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測
阪大産研^A，阪大理^B　豊田雅之^A，赤井久純^B，佐藤和則^A，吉田博^A

24日　PS会場　24aPS　10:00～12:00

領域4

1: α-Boronの高圧下電気抵抗測定
阪大極限セ，東大院新領域^A，阪大産研^B　宮原真一朗，薮内隆弘，清水克哉，木村薫^A，白井光雲^B

2: 量子伝導デバイスの輸送現象におけるトンネル効果とカオス的挙動の関連性について
千葉大自然，千葉大工^A，ATR研^B，ニューヨーク州立大バッファロー校^C　原田茂樹，木田理夫，森本崇宏^A，逸見美佐子^A，内藤良太^A，青木伸之^A，佐々木敬彦^B，原山卓久^B，J.P.バード^C，落合勇一^A

3: 光ポンピング法による化合物半導体の動的核偏極と核超偏極状態の研究
物材機構　後藤敦，清水禎，端健二郎，大木忍，飯島隆広，加藤誠一，北澤英明，I. Turkevych，竹端寛治，高増正，木戸義勇

4: (LaO)CuTeの作製と光学特性
日大理工　大木勇介，高瀬浩一，高橋由美子，高野良紀，関沢和子

5: 高効率半導体光触媒の探索
NIMS，新潟大院自然^A，新潟大理^B　松下明行，島田博和^A，松本将太^B，石川文洋^A，山田裕^B，葉金花

6: Pb_1-xGe_xTe単結晶の温度可変高分解能光電子分光
広大理，広大院理^A，広大放射光^B，阪大院理^C　三浦雄一，東口光晴^A，崔小宇^A，島田賢也^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，鷹岡貞夫^C

7: 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光
東大新領域^A，東大理^B，阪大産研^C　黄鐘日^A，石田行章^B，小林正起^B，長船義敬^B，藤森淳^A，B，橋本政彦^C，田中浩之^C，長谷川繁彦^C，朝日一^C

8: 希薄磁性半導体における混晶ポテンシャル揺動の外部磁場効果
物材機構，^物質研　梅原雅捷

9: 単一磁性不純物（S=1/2）散乱による一次元電気伝導
慶大理工　浅川和宣，日向裕幸

10: 半金属／半導体接合の電子状態とコンダクタンス
名大工　本多周太，近藤拓，伊藤博介，井上順一郎

11: 超伝導芯を持つ微小な金属円盤が示す軌道磁性
東北大院情報　鈴木剛，林正彦，海老澤丕道

12: ポーラスアルミナを用いて作成された超伝導体ナノワイヤーの磁気特性
物材機構　加藤誠一，北澤英明，木戸義勇

13: メンブレンテンプレートを用いたPbナノワイアの作製と評価II
千葉大自然，物材機構^A　石井聡^A，E.S. Sadki^A，大井修一^A，落合勇一，平田和人^A

14: ナノ超伝導体における磁束ダイナミクス
阪府大院工^A，原研^B，東北大金研^C，CREST-JST^D　赤穂雅之^A，D，南野忠彦^A，D，加藤勝^A，D，町田昌彦^B，D，小山富男^C，D，石田武和^A，D

24日　YT会場　24pYT　13:30～17:20

領域4
量子ドット・量子細線・局在

1: The influence of spin and correlations on electron transport through quantum dots
I. Inst. Theor. Phys.， Univ. Hamburg　Bernhard Kramer

2: Spin blockade in the cotunneling regime through a double quantum dot
SORST-JST^A，NTT BRL^B　Hongwu Liu^A，Toshimasa Fujisawa^B，Toshiaki Hayashi^B， Yoshiro Hirayama^A，B

3※(登壇): 電子相関による量子ドットのスピンブロッケード
東大理^A，東大工^B，ERATO/SORST^B，C　西義史，^○山本倫久，樽茶清悟^A

4: 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測
東大理，東大工^A，SORST-JST^B，富士通研^C　五十嵐悠一，大野圭司^A，太田剛^B，中田義昭^C，宋海智^C，宮澤俊之^C，臼杵達哉^C，高津求^C，横山直樹^C，樽茶清悟^A，B

5: 傾斜磁場を利用した単一電子スピン共鳴
NTT物性基礎研，ERATO-SORST^A，東大^B　都倉康弘，Wilfred van der Wiel^A，小幡利顕^A，樽茶清悟^A，B

6: 量子ナノ構造における少数電子系のスピン偏極
名大理，東理大理^A　齋賀康宏，薄倉淳子^A，平島大

休憩　（15:20～15:35)

7: 縦型量子ドットでの多重縮退による近藤効果
阪大院工　阪野塁，川上則雄

8: 数値繰り込み群法による量子ドット中のSU(4)近藤効果
慶大理工　佐藤友哉，江藤幹雄

9: シンプレクティッククラスに属する量子細線のコンダクタンス：局在領域での振る舞い
広大院先端　高根美武

10: シンプレクティッククラスに属する量子細線のコンダクタンス：金属領域での振る舞い
広大院先端　酒井博，高根美武

11: 点状磁性散乱体によるアンダーソン局在の研究I：MD-GRAPE2による数値計算の加速
千葉大院自然，千葉大総メディア^A　宮川悠，植田毅^A

12: Mesoscopic fluctuations in disordered superconductors
理研，Ruhr-Univ. Bochum^A，Univ of Washington^B　高橋和孝，K.B. Efetov^A，A.V. Andreev^B

13: 二次元ランダム磁場中のシュブニコフ-ド・ハース効果
東邦大理，上智大理工^A　河原林透，大槻東巳^A

24日　ZC会場　24pZC　13:30～16:45

領域4
磁性半導体

1: 希薄磁性半導体Ga_1-xCr_xAsのin-situ光電子分光：Ga_1-xMn_xAsとの類似点，相違点
東大工，高エ研^A　岡林潤，金井謙，高橋晴彦，小野寛太^A，尾嶋正治

2: Zn_1-xCr_xTeにおけるキャリアドーピングの磁性への影響
筑波大物質工　尾崎信彦，粂川竜巳，西沢望，Stephane Marcet，黒田眞司，瀧田宏樹

3: 希薄磁性半導体Zn_1-xCo_xOの磁気円二色性
東大理^A，東大新領域^B，NSRRC^C，高エ研^D，原研放射光^E，広大先端物質^F，阪大産研^G　小林正起^A，石田行章^A，黄鐘日^B，溝川貴司^B，藤森淳^A，B，岡本淳^C，間宮一敏^D，竹田幸治^E，岡根哲夫^E，斎藤祐児^E，村松康司^E，田中新^F，佐伯洋昌^G，田畑仁^G，川合知二^G

4: MnGeP₂の光電子分光と内殻吸収磁気円二色性
東大理^A，東大新領域^B，物構研PF^C，筑波大物工^D，東京農工大^E　長船義敬^A，石田行章^A，黄鐘日^B，小林正起^A，藤森淳^A，B，間宮一敏^C，戸叶洋之^D，小出常晴^C，南和幸^E，石橋隆幸^E，佐藤勝昭^E

5: 低温・パルス強磁場における希薄磁性2次元荷電励起子発光
東大物性研^A，ポーランド科学アカデミー^B　平山康博^A，小埜和夫^A，内田和人^A，三田村裕幸^A，小嶋映二^A，嶽山正二郎^A，G.Karczewski^B，T.Wojtowicz^B，J.Kossut^B

6: Nd添加カルコゲナイド非晶質半導体のf-f遷移におけるカルコゲン置換効果
筑波大物質工　田中智，松石清人，大成誠之助

休憩　（15:00～15:15)

7: III-V族強磁性半導体における光誘起Mnスピン歳差運動
科技構さきがけ，東工大像情報^A　大岩顕，武智宏人^A，宗片比呂夫^A

8: 希薄磁性半導体量子構造と強磁性体の複合微細構造における磁気光物性
東北大多元研　佐久間実緒，氷見恭子，相馬出，村山明宏，岡泰夫

9: CdTe 系希薄磁性半導体量子井戸におけるキャリアスピンダイナミクスの磁場中ポンププローブ分光
東北大多元研　青島一朗，瀬尾光平，西林一彦，萱沼健太郎，相馬出，村山明宏，岡泰夫

10: Zn_1-xCd_xSe - Zn_1-x-yCd_xMn_ySe二重量子井戸における光励起キャリアのスピンダイナミクス
東北大多元研　萱沼健太郎，小山威，相馬出，村山明宏，岡泰夫

11: Zn_1-x-yCd_xMn_ySe量子細線における励起子巨大ゼーマン効果
東北大多元研　平野裕之，朝比奈努，氷見恭子，相馬出，村山明宏，岡泰夫

12: Zn_1-x-yCd_xMn_ySe量子井戸とCdSe量子ドットの積層構造におけるキャリアスピンダイナミクス
東北大多元研　朝比奈努，相馬出，萱沼健太郎，氷見恭子，西林一彦，村山明宏，岡泰夫

25日　YT会場　25aYT　9:00～11:45

領域4
低次元電子系

1: 量子ネルンスト効果
核融合研^A，東大生研^B，横国大工^C　中村浩章^A，^○羽田野直道^B，白崎良演^C

2: 強磁場下2次元電子系のランダウ準位間遷移を伴う励起子凝縮相の可能性
東大物性研　吉澤香奈子，高田康民

3: 量子ホール系の電流分布：ポテンシャルと電子温度の空間変動の効果
北大工　金丸貞義，鈴浦秀勝，明楽浩史

4: ポテンシャル・ステップのある量子ホール系における熱流体力学
北大工　永井佑紀，明楽浩史，鈴浦秀勝

5: 分数量子ホール領域におけるバックゲート付き量子井戸中荷電励起子
筑波大物質創製^A，NTT物性基礎研^B，東理大理^C，CREST-JST^D，SORST-JST^E　野村晋太郎^A，D，山口真澄^B，D，佐藤大輔^A，D，宮越賢治^C，D，赤崎達志^B，D，田村浩之^B，D，高柳英明^B，C，D，平山祥郎^B，E

6: 複合フェルミオン密度波状態の研究II
東大理，東大総合文化^A　水野勝之，^○吉岡大二郎^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 超強磁場量子極限NbSe₃の磁気抵抗測定－ハーパーブロードニングの観測とHofstadter準位の探索－
東大物性研　小笠原篤史，井口智明，池田悟，長田俊人

8: Be/SiデルタドープGaAs構造における金属-絶縁体転移
北陸先端大材料研　井筒康洋，下岸史明，盧正泌，大塚信雄

9: カゴメ格子の電気伝導における外場依存性
千葉大自然　石井宏幸，中山隆史

10: 酸化インジウムナノ細線の構造解析及び電気抵抗測定
東洋大工　石塚雅朗，和田昇

25日　ZC会場　25aZC　9:15～12:30

領域4
コヒーレント伝導

1: 量子ドットにおけるコヒーレント伝導 -- Fano効果をめぐる実験 --
東大物性研　勝本信吾

2: 量子ドット・ABリング系におけるFano－近藤効果
東大物性研　相川恒，佐藤政寛，小林研介，勝本信吾，家泰弘

3: 非対称Fano-近藤効果の観測
東大物性研　佐藤政寛，相川恒，小林研介，勝本信吾，家泰弘

4: 量子ドットを含むABリングにおける干渉効果と非弾性散乱
東工大理　小川佳也，越野幹人，安藤恒也

休憩　（10:30～10:45)

5: 量子ドット－ABリング系における共鳴ピークについての考察
千葉大自然　藤本茂雄，富田竜太郎，夏目雄平

6: T字型及び並列型ダブルドット系におけるAB効果
阪大工　田中洋一，川上則雄

7: 縦型ダブルドットにおけるトンネル結合及び交換結合の制御
ERATO/SORST^A，東大工^B　羽田野剛司^A，M.Stopa^A，樽茶清悟^A，B

8: 開放系量子ドットの量子輸送：ラチェット効果，AB振動
阪市大　増田俊平，中村勝弘

9: 半導体量子ポイントコンタクトにおける電子間相互作用
千葉大工，ATR^A，ニューヨーク州立大^B，Stevens工大^C，北陸先端大^D　森本崇宏，内藤良太，逸見美佐子，椿謙二，木田理夫，青木伸之，落合勇一，佐々木敬彦^A，J.P.Bird^B，V.I.Puller^C，L.G.Mourokh^C，山田省二^D

10: 磁場誘起擬1次元電子系におけるエッジ状態のトンネルに対する多体効果
東理大理^A，NTT物性基礎研^B　久保敏弘^A，都倉康弘^B

11: 平面超格子におけるポテンシャル変調振幅の電子濃度依存性：2次元電子系厚みの効果
東大物性研　遠藤彰，家泰弘

25日　ZC会場　25pZC　13:30～17:00

領域4シンポジウム
主題：量子ホール系とその周辺における新展開

1: はじめに-量子ホール効果の進展と展望
東大理　青木秀夫

2: intrinsicな機構によるホール効果と波の自転-異常ホール効果，スピンホール効果，光のホール効果-
産総研CERC　小野田勝

3: ストライプ，バブル，ウィグナー結晶
東大院総合　柴田尚和

4: ボーズ凝縮原子系における量子ホール状態
東北大理　中島龍也

休憩　（15:15～15:30)

5: 量子ホール系からのサイクロトロン発光:空間分解フォトン計測
東大院総合　生嶋健司

6: 量子ホール系における核スピン制御
NTT物性基礎研　平山祥郎

7: 2層量子ホール系における相転移とコヒーレンス
京大低温センター　澤田安樹

26日　YT会場　26pYT　13:30～17:40

領域4
微小超伝導体

1: ナノスコピック超伝導ネットワークにおける相転移と渦糸状態
東北大院情報，阪府大院工^A　林正彦，海老澤丕道，加藤勝^A

2: ナノスコピック超伝導ネットワークにおける渦糸ダイナミックスの効果
東北大院情報　海老澤丕道，林正彦

3: 磁場下でのナノ超伝導板の準粒子構造IV
阪府大工^A，原研計科技セ^B，東北大金研^C，CREST^D　加藤勝^A，D，^○末松久孝^A，D，町田昌彦^B，D，小山富男^C，D，石田武和^A，D

4※(取消): メゾスコピック超伝導体における渦糸状態の試料形状依存性
筑波大学際物質セ物理，アントワープ大物理^A，筑波大質工^B　清水夏美，但野紅美子，神田晶申，B.J. Baelus^A，B，F.M. Peeters^A，門脇和男^B，大塚洋一

5: 電子の非平衡分布によるトンネル接合特性の制御
広大先端　宇都宮和弘，池淵義徳，寺尾泰昭，^○八木隆多

6: 量子ドット-ジョセフソン接合系の近藤効果
阪市大理，Imperial College^A　田中由英，^○小栗章，A.C. Hewson^A

7: 微小超伝導／常伝導円板の磁気応答
理研　後藤秀徳，塚越一仁，河野公俊

休憩　（15:15～15:30)

8: Qubit-Harmonic Oscillator Interaction
NTT Basic Research Laboratories^A，CREST，Japan Science and Technology Agency^B，NTT-AT Nanofabrication Corporation^C　Jan Johansson^A，B，Takayoshi Meno^C，Shiro Saito ^A，B，Kouichi Semba^A，B，Hideaki Takayanagi^A，B

9: Readout of a Flux Qubit through a Capacitor
NTT Basic Research Labs.^A，Walther-Meissner-Inst.，Tech. Univ. of Munich^B，Nanostructure Physics，KTH，Stockholm^C，NTT-AT Nanofabrication^D，CREST JST^E　F. Deppe^A，B，E，T. Meno^D，S. Saito^A，E，H. Tanaka ^A，E，D. Haviland^C，K. Semba^A，E，H. Takayanagi^A，E

10: 超伝導磁束量子ビットにおける多光子吸収過程
NTT物性基礎研^A，CREST-JST^B，デュッセルドルフ大^C，東工大理工^D　齊藤志郎^A，B，Michael Thorwart^C，田中弘隆^A，B，上田正仁^A，B，D，中ノ勇人^A，B，仙場浩一^A，B，高柳英明^A，B

11: 2磁束ビット系における磁束のみの制御でBerry位相を検出する断熱過程
NTT物性基礎研^A，Scuola Normale Superiore^B，CREST-JST^C，東理大理^D　中ノ勇人^A，B，C，齋藤志郎^A，C，毛利拓也^D，高柳英明^A，C，D

12: パイ接合を含む超伝導量子ビットの理論
東北大金研　山下太郎，高橋三郎，前川禎通

13: 超伝導／強磁性体接合系における巨視的量子現象
産総研^A，NEDOナノ機能合成^B，北大工^C，名大工^D　川畑史郎^A，B，柏谷聡^A，浅野泰寛^C，田仲由喜夫^D

14: 微小アルミニウム超伝導ディスクにおける伝導特性
物材機構　榎本健悟，山口尚秀，矢ヶ部太郎，寺嶋太一，鴻池貴子，西村光佳，宇治進也

15: 超伝導ナノコンタクトの電流－位相関係II
筑波大物理・TIMS・NANO，物材機構^A　宮崎久生，山口尚秀^A，神田晶申，大塚洋一

26日　ZC会場　26pZC　13:30～16:45

領域4
半導体スピン物性

1: 1次元量子細線におけるスピン・フィルターと電子相関
CPT Marseille，理研^A　Pierre Devillard，Adeline Crepieux，井村健一郎^A，Thierry Martin

2: 量子井戸におけるスピン輸送のモンテカルロ・シミュレーション
北大工　土家琢磨

3: スピンホール電流に対する不純物散乱の効果II
名大工^A，デルフト工科大学^B　井上順一郎^A，青山将^A，G.E.W.Bauer^B

4: Mesoscopic spin Hall effect in two- and four-probe ballistic semiconductor nanostructures with Rashba spin-orbit coupling
Univ. of Delaware　相馬聡文，L.P.Zarbo，B.K.Nikolic

5: T字型構造におけるスピン軌道相互作用に起因するスピン分極
ハンブルク大，上智大理工^A　山本真幸，大槻東巳^A，B. Kramer

6: 電流駆動磁壁移動の理論：Rashba 型スピン軌道相互作用の効果
阪大基礎工，阪大理^A，理研^B　河野浩，多々良源^A，柴田絢也^B

休憩　（15:00～15:15)

7: 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御
北陸先端大ナノセ　山田省二，掛川智康，赤堀誠志，鈴木寿一

8: 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂
北陸先端大ナノテクセ　則内崇，掛川智康，佐藤拓，^○赤堀誠志，鈴木寿一，山田省二

9: InGaAs二次元電子ガスにおけるゼーマン効果とスピン軌道相互作用の競合
デルフト工科大^A，NTT物性基礎研^B，CREST-JST^C　F.E. Meijer^A，A.F. Morpurgo^A，T.M. Klapwijk^A，^○新田淳作^B，C

10: 非一様スピン軌道相互作用によるスピン・フィルタリング
Hamburg Univ.，上智大理工^A，NTT基礎研^B，CREST-JST^C　大江純一郎，山本真幸，大槻東巳^A，新田淳作^B，C

11: GaAs-Al_0.2Ga_0.8AsのAl-NMR
新潟大工^A，SORST-JST^B，CREST-JST^C，新潟大自然^D，NTT物性基礎研^E　佐々木進^A，B，C，坂下忠^D，長井智^D，星野友孝^D，小野俊彦^D，渡辺信嗣^D，平山祥郎^B，E

12: 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御
東大理，東大工^A，SORST^B，NTT物性基礎研^C，ERATO^D　高橋明雄，大野圭司^A，B，西義史，平山祥郎^B，C，樽茶清悟^A，D

27日　YT会場　27aYT　9:00～12:30

領域4
化合物半導体・アモルファス

1: 環境半導体BaSi₂の高圧物性
岡理大理，物材機構^A　水野貴文，森嘉久，受川浩士，^○財部健一，今井基晴^A

2: BaSi₂のバンド構造と光学的性質
東理大理工，東理大基礎工^A　今井朋弘，浜田典昭，飯田努^A

3: 光電子分光から見たグラファイト及びIBr-GICの価電子帯構造
広大院先端物質，広大放射光セ^A，広大院理^B，日大薬^C　根岸寛，根岸彩子^A，島田賢也^A，東口光晴^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，小林宏司^C，杉原硬^C，大島久^C

4: 半金属グラファイトの超強磁場量子振動
東大物性研　今村大樹，小笠原篤史，大道英二，長田俊人

5: 固体ホウ素の高圧下の振る舞い
阪大理，阪大ナノテクセ^A，阪大産研^B　真砂啓，白井光雲^A，吉田博^B

6: β菱面体晶ボロンの光励起ホール効果測定
東理大基礎工，東大新領域^A　生田翔一，兵藤宏^A，川原稔央，曽我公平，木村薫^A

休憩　（10:30～10:45)

7: a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンス強度の温度変化と欠陥密度
山口大工機能材料　山本尚史，中村健二，中西研二，荻原千聡

8: a-Si:H膜における低エネルギールミネッセンスの寿命分布と欠陥密度
山口大工機能材料　野見山智宏，山尾正之，原田潤一，于暁，萩原千聡

9: ドナーまたはアクセプター添加ZnO薄膜における電気的・光学的性質
理研PDC，東北大金研^A，物材機構^B　牧野哲征，瀬川勇三郎，塚崎敦^A，吉田伸^A，大友明^A，川崎雅司^A，B

10: 第一原理計算を用いたハーフホイスラー化合物MNiSn，MCoSb（M=Ti，Zr，Hf）の電子構造と熱電特性の評価
阪大産研^A，阪大ナノテクセ^B　舩島洋紀^A，柳瀬章^A，吉田博^A，B

11: GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子への赤外光照射効果
阪大院理　古西英之，藤井研一，茶谷祥太郎，菅原彩子

12: Si:P テラヘルツレーザーの励起スペクトル
大教大，阪大工^A，阪大理^B，DLR Germany^C　横山彰人，中田博保，坪内夏朗^A，藤井研一^B，S.G.Pavlov^C H.W.Heubers^C

13: 不純物共鳴吸収による微小重力下成長Ge:Sbの結晶性評価
阪大院理，福大工^A，京セミ^B　小川剛史，川崎博之，菅原彩子，藤井研一，大山忠司^A，中田仗祐^B

27日　ZC会場　27aZC　9:00～12:30

領域4
量子井戸・超格子

1: T型量子細線中の一次元電子正孔系の時間分解発光測定
東大物性研，CREST(JST)，ルーセント・ベル研^A　吉田正裕，早水裕平，秋山英文，Loren Pfeiffer^A，Ken West^A

2: T-型量子細線レーザの吸収スペクトル
東大物性研，ルーセントベル研^A　高橋和，早水裕平，伊藤弘毅，吉田正裕，秋山英文，Loren Pfeiffer^A，Ken West^A

3: GaAs/AlAs超格子における第1と第2ミニバンドのワニエ・シュタルク局在状態形成
阪市大院工　長谷川尊之，中山正昭

4: GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果
阪市大院工，住友電工伝送デバイス研^A　野村江介，末光直樹，石塚貴司^A，猪口康博^A，高岸成典^A，中山正昭

5: 2次元電子発光の励起スペクトルに現れるshake-up process
阪大院理，大教大教養^A　村上剛史，中田博保^A，藤井研一

6: InAs挿入In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48Asヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル
筑波大物理^A，NTT物性基礎研^B，CREST，JST^C　津村公平^A，野村晋太郎^A，C，赤崎達志^B，C，新田淳作^B，C

休憩　（10:30～10:45)

7: 励起子の量子シーソー効果－理論
NTT物性基礎研^A，CREST-JST^B，筑波大物質創製^C，東理大理^D　田村浩之^A，B，山口真澄^A，B，野村晋太郎^B，C，宮越賢治^B，D，赤崎達志^A，B，高柳英明^A，B，D

8: 励起子の量子シーソー効果－発光測定
東理大理^A，NTT物性基礎研^B，筑波大物質創製^C，CREST-JST^D　宮越賢治^A，D，山口真澄^B，D，野村晋太郎^C，D，田村浩之^B，D，赤崎達志^B，D，高柳英明^A，B，D

9: InAs/GaAs単一結合量子ドットにおける2波長励起分光
産総研光技術^A，CREST-JST^B，京都工繊大・電情^C　山内掌吾^A，B，諸橋功^A，B，小森和弘^A，B，五島敬史郎^A，B，菅谷武芳^A，B，高河原俊秀^C

10: 自己形成量子リングの光学探査
物材機構^A，JSTさきがけ^B，ミラノビコッカ大^C　黒田隆^A，B，間野高明^A，落合哲行^A，S. Sanguinetti^A，C，小口信行^A，迫田和彰^A

11: (411)A および (100) 基板上 GaAs/AlGaAs 量子井戸からの磁気発光スペクトルII
東大物性研，阪大院基礎工^A　内田和人，嶽山正二郎，三浦登，下村哲^A，冷水佐壽^A

12: 希土類添加AlAs/AlGaAs超格子の電子状態 IV
物材機構ナノマテ研　佐藤康一，高増正，木戸義勇

13: 傾斜磁場下における半導体超格子の電界ドメインの形成
東大物性研　小早川将子，大道英二，長田俊人