領域9

19日　XF会場　19aXF　9:00～12:05

領域9
表面・界面ダイナミクス

1: 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着層の研究
東京学芸大物理，東大産技研^A，東大原子力総合セ^B，東大物性研^C　広田幸二，大石陽次郎，金沢育三，福谷克之^A，伊藤泰男^B，野沢清和^C，小森文夫^C

2: 希土類金属水素化物薄膜の水素放出
東大生研　鈴木涼，Markus Wilde，松本益明，福谷克之

3: 触媒CO酸化の生成CO₂の角度分解内部エネルギー測定
北大触媒セ　山中俊朗，松島龍夫

4: Anderson-Newnsモデルによる分子の金属表面における解析(II)
長崎大工，京大院理物^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

5: グラファイト表面上グラファイトフレークのダイヤモンド探針によるAFMシミュレーション
早大院理工，成蹊大理工^A　原田昌紀，塚田捷，佐々木成朗^A

6: 原子サイズの引き剥がし（実験）
愛教大物理，成蹊大理工^A　金田祥江，原田竜一，佐々木成朗^A，三浦浩治

休憩　（10:30～10:45)

7: 白金合金表面における水素の解離吸着
阪大工^A，阪大理^B，阪大ナノサイエンスナノテク研^C，デラサール大理^D　寺田武司^A，Wilson Agerico Dino^B，C，D，Nelson Buntimil Arboleda Jr.^A，松本茂野^A，笠井秀明^A

8: Ir(111)上の水素原子様態の第一原理計算
阪大院工，東大生研^A，阪大院理^B　中西寛，笠井秀明，福谷克之^A，岡田美智雄^B

9: Fuel cell design: the diffusion of hydrogen on platinum
Dept. of Applied Physics，Osaka Univ.　Tanglaw Roman，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

10: Molecular Orientation Dependence of the Dissociative Adsorption of H2 on a Pt(111) Surface
Osaka Univ.，De La Salle Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Hideaki Kasai，Wilson Agerico Dino，Hiroshi Nakanishi

11: Si(001)表面のステップでのSi原子動力学の古典分子動力学法による研究
鳥取大工　石井晃

19日　YE会場　19aYE　9:00～12:45

領域9，領域12合同シンポジウム
主題：バイオミネラリゼーション～生物による鉱物形成～

1: はじめに
立命館理工　本同宏成

2: バイオミネラリゼーションにおける有機基質の役割
東大農　長澤寛道

3※(登壇): アコヤ貝バイオミネラリゼーションを制御する有機質ナクレイン，パーリンの機能的多様性
近畿大生物理工　高木良介

4: 円石藻の細胞内石灰化機構
筑波大生命環境　白岩善博

休憩　（10:35～10:45)

5: 歯の石灰化機構:溶液環境と結晶相の溶解度
日本歯科大　青葉孝昭

6: 結晶表面と環境場の観察から推定したアパタイト結晶の成長機構
産総研　小沼一雄

7: O/Wエマルション中の油水界面による多形制御の試み
広島大生物圏　上野聡

8: バイオミネラルに類似した階層的な結晶成長と形態デザイン
慶應理工　今井宏明

19日　XF会場　19pXF　13:30～16:00

領域9
微粒子・クラスタ

1: クラスターの動的構造変化と集団運動 IV
立命館大理工，関西学院大理工^A　小林泰三，清水寧，池田研介，澤田信一^A

2: アルカリハライドクラスター自発的混晶化現象の分子動力学による解析
立命館大理工，関西学院大理工^A　新山友暁，渡辺将也，清水寧，小林泰三，澤田信一^A，池田研介

3: 時間依存密度汎関数理論によるCH₄-Li₂間の励起電子ダイナミクス
横国大院工　児玉泰伸，大野かおる

4: 第一原理T-matrix理論によるアセチレン分子のダブルイオン化エネルギースペクトル
横浜国大院工　野口良史，石井聡，大野かおる

休憩　（14:30～14:45)

5: STMプローブ励起C₆₀重合・解離反応におけるクラスタ間距離効果の機構
東大工　中村芳明，目良裕，前田康二

6: トンネル分光による金ナノクラスタの化学ポテンシャル計測
筑波大物，物材研^A，筑波大学際セ^B　迫坪行広，大木泰造，藤田大介^A，大塚洋一^B

7: PdPt金属ナノ粒子の水素吸蔵
九大院理，阪府大院理^A，JASRI/SPring-8^B　小林浩和，山内美穂，北川宏，久保田佳基^A，加藤健一^B，高田昌樹^B

8: Tlのバンド間遷移吸収：微粒子の光吸収に基く研究
旭川医大一般教育物理　安濃英治，谷本光穂

9: β－真鍮コロイドの合成とその光学特性
近大ヘンケル研，近大理工^A　鈴木直毅，伊藤征司郎^A

19日　YP会場　19pYP　13:30～17:25

領域9シンポジウム
主題：原子間力顕微鏡法の新展開

1: はじめに
阪大院工　菅原康弘

2: 原子間力顕微鏡法の理論最前線
早大　塚田捷

3: 原子間力顕微鏡による原子の力学的識別・操作・組立
阪大院工　森田清三

4: 電圧印加非接触原子間力顕微鏡/分光法による探針-試料間相互作用の解析
北陸先端大　新井豊子

休憩　（15:10～15:25)

5: 非接触AFMによる表面原子・電荷移動の観察
東大物性研　長谷川幸雄

6: 交換力顕微鏡による表面スピンの観察
北大院情　末岡和久

7: FM-AFMによる有機・生体分子試料の構造・物性計測
京大院工　山田啓文

8: 金属微粒子から金属酸化物表面へ移動する電荷の力学的計測
神大院理　大西洋

9: 取　　消

20日　XF会場　20aXF　9:00～12:15

領域9
結晶成長

1: カーボン粒子上のPtクラスターの成長起源
立命館大理工，京都工繊大^A　新宅正行，鈴木仁志，車田真実，齋藤嘉夫^A，墻内千尋

2: アルミナ粒子とCa-filmの固相反応によるヒボナイトの生成
立命館大理工　車田真実，宮崎悠，新宅正行，熊本明仁，墻内千尋

3: 結晶質と非晶質フォレステライト(Mg₂SiO₄)の創製
立命館大理工　宮崎悠，墻内千尋，佐々木晋一，車田真実

4: Si(110)ステップ表面上におけるGaAsのエピタキシャル成長プロセスと界面微細構造
高エネ研，神戸大工^A　石地耕太朗，横畠康平^A，保田英洋^A

5: 高温相，正方晶WO3の格子定数
名城大理工材料機能工　登坂一生，岡崎次男

休憩　（10:15～10:30)

6: Si(111)上における鉄シリサイド超薄膜成長のSTM観察とメスバウアー分光
東大生研，東大環境セ^A　杉江薫，松本益明，河内泰三，福谷克之，岡野達雄，小田克郎^A

7: アルカリハライド基板上のペンタセン蒸着膜の多形現象とエピタキシー
岩手大工，京工繊大^A　角館俊行，^○吉本則之，齋藤嘉夫^A

8: 直鎖脂肪酸蒸着膜の構造による炭酸カルシウムの核形成制御
立命館大理工　今枝香織，本同宏成，中田俊隆

9: Ab Initio Calculations for Metal-Polymer Interfaces
JST-CREATE^A，同志大工^B，産総研関西セ^C　ベルカダラシード^A，白川善幸^B，香山正憲^C，田中真悟^C，日高重助^B

10: 脂肪酸薄膜上に核形成したリゾチーム結晶の配向に対する不純物効果
立命館大理工　久保貴資，内山幸昌，水嶌孝彦，本同宏成，中田俊隆

11: 超高真空STMによる金(111)表面上に成長したリゾチウム(卵白)の観察
東北大多元研^A，JST-CREST^B　山口貴弘^A，^○米田忠弘^A，B

12: 立方晶インスリンの成長面解析
北里大理，立命館大情報理工^A　大滝正訓，猿渡茂，菅原洋子，高橋卓也^A

20日　YE会場　20aYE　9:00～12:30

領域9
表面ナノ構造量子物性，ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 量子十字構造作製のための循環型クリーンユニットによる高度清浄環境の研究
北大電子研　川口敦吉，海住英生，石橋晃

2: 酸化Si表面上Geナノドットの量子サイズ効果の直接観測
東大理，JST^A，東大工^B　松田巌，Alexander Konchenko^A，中村芳明^A，B，中山泰生^A，長谷川修司，市川昌和^A，B

3: 単一ErSi₂ナノワイヤ中の局所的電気抵抗変化：二探針STMによる計測
物材機構，科技構^A，筑波大院^B，阪大工^C　新ヶ谷義隆^A，久保理^A，中山知信^A，B，青野正和^A，C

4: STM探針を用いた導電性高分子鎖へのキャリア注入現象
阪大工 ICORP JST^A，物材機構ナノマテ研^B　赤井恵^A，青野正和^A，B，桑原裕司^A

5: STM探針によるC₆₀分子の局所重合および脱重合反応の制御
物材機構ナノマテ研^A，阪大院工^B，ICORP JST^C，筑波大院^D，理研^E　中谷真人^A，B，C，塚本茂^A，中山知信^A，C，D，桑原裕司^B，C，E，青野正和^A，B，C

6: 第一原理計算によるC₆₀分子の重合・脱重合反応過程の解明
物材機構^A，阪大工^B，科技機構^C，筑大数物^D　塚本茂^A，中谷真人^A，B，中山知信^A，C，D，青野正和^A，B，C

休憩　（10:30～10:45)

7: SiO₂超薄膜の誘電特性
電通大電子　涌井貞一，中村淳，名取晃子

8: Cu(111)上のFeナノアイランドの磁性
阪大工^A，阪大理^B，阪大ナノサイエンスナノテク研究推進機構^C，デ・ラ・サール大理^D，東大物性研^E　岸智弥^A，笠井秀明^A，中西寛^A，Wilson Agerico Dino^B，C，D，小森文夫^E

9: 金属表面上の磁性吸着子の近藤共鳴の温度，磁場依存性
阪大工，阪大理^A，阪大ナノサイエンス・ナノテク研究推進機構^B，デ・ラ・サール大理^C　西真友子，Wilson Agerico Dino^A，B，C，笠井秀明

10: 原子・分子架橋における電気伝導チャンネルとPhase-Shift
兵庫県立大理　大塚泰弘，島信幸，馬越健次

11: 非平衡Green関数を用いた金属ワイヤの電極効果の電子構造計算
東大工^A，CREST-JST^B　品岡寛^A，井口雄介^A，星健夫^A，B，藤原毅夫^A，B

12: グリーン関数法を用いた分子ナノワイヤの第一原理計算
東大院工，CREST　多田朋史，渡邉聡

13: 平面波展開非平衡グリーン関数法（RTM/NEGF法）による分子架橋系の電気伝導計算
NEC基礎・環境研，産総研ナノテク^A　広瀬賢二，小林伸彦^A

20日　XA会場　20pXA　13:30～16:45

領域9
表面・界面ダイナミクス

1: 分子ビーム法による超熱酸素原子・分子のシリコン酸化膜表面からの散乱解析
神戸大工，モンタナ州立大^A　木之下博，田川雅人，大前伸夫，Timothy K. Minton^A

2: 液体ヘリウム温度における銅表面からの水素イオンの電子励起脱離
学習院大理　田澤俊彦，三浦崇，荒川一郎

3: 多価イオンー水素終端Si表面相互作用における表面化学反応
電通大レーザー研，CREST/JST^A，電通大量子物質工^B，神戸大理^C　永田一夫，高橋学士，戸名正英^A，中村信行，吉安信雄^B，山田千樫^B，櫻井誠^C，大谷俊介

4: Si(111)-(7×7)表面上の物理吸着酸素の吸着・反応過程
東北大院理，IFM Linkoping Univ.^A　坂本一之，H.M. Zhang^A，R.I.G. Uhrberg^A

5: 重水素終端Si(111)1×1表面のフォノン
東北大院理，理研^A，学際セ^B　加藤大樹，^○田岡琢巳，山田太郎^A，本谷宗^B，粕谷厚生^B，須藤彰三

6: UHV-TEMによる極薄Si 酸化膜を用いたSi(111)表面上のGeナノドット形成過程の評価(II)
名大エコトピア研^A，CREST-JST^B，名大院工^C　趙星彪^A，B，川野晋司^C，田中信夫^A，B，C

休憩　（15:00～15:15)

7: Si(111)√3×√3-Ag表面のHCT-IET相転移
奈良先端大物質創成　橋本美絵，武田さくら，大門寛

8: 波長可変時間分解2光子光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面のキャリアーダイナミクス
阪大産研　市林拓，田中慎一郎，谷村克己

9: Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構V
阪大産研　稲見栄一，谷村克己

10: 半導体表面における光誘起ボンド切断に対する2正孔局在機構：拡散を伴う非平衡高密度正孔系への拡張
阪大産研　谷村克己

11: フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造変化 II
阪大産研　金崎順一，谷村克己

12: Si(111)表面上の半金属Biナノ薄膜の成長及び電子状態の研究
物材機構，筑波大院数理物質^A，ICORP-JST^B，DIPC^C，ユーリヒ研^D　柳沼晋^A，B，長尾忠昭^A，D，長岡克己^A，D，前川森人^C，斎藤峯雄^C，中山知信^A，B，D

20日　XF会場　20pXF　13:30～16:00

領域9
結晶成長

1: エピタキシャル系におけるミスフィット転位(III)
名大理，慶大理工^A　勝野弘康，上羽牧夫，齋藤幸夫^A

2: 結晶と非晶の位相的分類方法と構造相転移
日大理工　山中雅則

3: 二次核発生におけるクラスターサイズ分布
慶大理工　齋藤幸夫，日向裕幸

4: シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則
金大総合メディア基盤セ，名大理^A　佐藤正英，上羽牧夫^A

5: 2つの拡散係数をもった微斜面上でのドリフト流によるステップの不安定化
金沢大自然^A，金沢大総合メディア基盤セ^B，名大理^C　井川健太^A，佐藤正英^B，上羽牧夫^C

6: 経験的ポテンシャルを用いたGe/Si(001)成長の解析
東北大工　北村信也

休憩　（15:00～15:15)

7: Complex structures: A Symbiosis of Experiments and Numerical Studies
Swiss Federal Institute of Technology ETH　Bilgram Joerg

20日　YE会場　20pYE　13:30～16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 金属ナノチューブ・ナノワイヤの物性
東工大総理工　大島義文

2: 量子化伝導を示す溶液内金属ナノ接合の吸着分子による安定化
北大院理　三浦進一，小西達也，木口学，村越敬

3: 電気化学電位による強磁性金属ナノ接合のコンダクタンス量子化挙動の安定性制御
北大理　小西達也，木口学，村越敬

4: Au1G₀接点の寿命分布
京大工，京大IIC^A　鈴木良，黒川修^A，^○酒井明^A

休憩　（15:00～15:15)

5: TEM-STMによるAgナノワイヤの構造観察および電気計測II
東工大院理工^A，JST CREST^B　小川慶太^A，伊藤亮治^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

6: TEM-AFMによる金ナノワイヤの力学特性と構造のその場同時観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　三輪哲史^A，赤堀千明^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

7: 金ナノワイヤの構造とコンダクタンスの同期計測II
東工大総理工^A，東工大院理工^B，CREST^C　久留井慶彦^A，大島義文^A，高柳邦夫^B，C

8: 光第二高調波によるPtナノワイヤーの非線形分光
北陸先端大材料^A，日立基礎研^B　林夏生，岩井哲也，澳塩里枝子，荒武幸一^A，菅原昭^B，佐野陽之，水谷五郎^A

9: カーボンビーズナノワイヤの生成
阪大院理，産総研関西セ^A　河野日出夫，吉田秀，吉川純，田中孝治^A，竹田精治

10: SiC(0001)面におけるカーボンナノチューブの核生成
九大総理工，北大電子研^A　林賢二郎，水野清義，田中悟^A，栃原浩

21日　PS会場　21aPS　10:00～12:00

領域9
領域9

1: Si(111)微斜面におけるCaF₂膜の成長過程
阪大産研　宮里幸司，須藤孝一，岩崎裕

2: a-SiO₂中におけるSi結晶成長のモンテカルロシミュレーション
阪大産研　森影有貴，須藤孝一，岩崎裕

3: NbB₂(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC₃薄膜
早大理工，物材機構^A　柳沢啓史，石田康親，田中崇之，加藤周平，大谷茂樹^A，大島忠平

4: 表面電子構造測定のための放射光二次元光電子分光ビームラインの構築
立命館大SRセ，立命館大理工^A，奈良先端大物質創成^B　浜田洋司，松井文彦^B，野澤有司^A，中西康次^A，南平誠^A，小川浩二^A，茂内晋^B，高橋伸明^B，大門寛^A，B，難波秀利^A

5: 光電子分光によるSi上のPb薄膜の量子井戸状態の研究II
東大理　宮田伸弘，松田巌，平原徹，長谷川修司

6: Cu(111)表面上のPd超薄膜の光電子分光
横市大総合理　吉田亞弘，木下郁雄

7: NC－AFM探針－試料間に誘起する変位電流によるジュール熱の第一原理計算
東大工，科技振興機構CREST　田中倫子，古家真之介，渡邉聡

8: Al原子鎖の有限バイアスでの電気特性III－不純物による効果－
東大工，科学技術振興機構CREST　古家真之介，渡邉聡

9: ジェリウム電極に働く力の電極間距離およびバイアス電圧依存性の第一原理計算による解析
東大工，科技振興機構CREST　中村泰弘，田中倫子，古家真之介，合田義弘，渡邉聡

10: 原子シートの電気伝導
東大工，科技振興機構CREST　門平卓也，田中倫子，古家真之介，渡邉聡

11: Theoretical Study of the Initial Stages of Oxidation on Surfaces
阪大工^A，阪大理^B，阪大ナノ研究推進機構^C，De La Salle 大理^D　笠井秀明^A，Wilson Agerico Dino^{A，B，C，D}

12: Si(100)表面上に蒸着したAu薄膜の加熱効果
兵庫県立大高度研　春山雄一，神田一浩，松井真二

13: 走査型トンネル顕微鏡によるC₆₀薄膜の局所物性評価
東大院理^A，神奈川科学技術アカデミー(KAST)^B，東工大フロンティア^C　村中伸滋^A，一杉太郎^A，B，眞嶋秀樹^C，福尾則学^C，島田敏宏^A，B，長谷川哲也^A，B

14: 角度分解光電子分光法によるGe(111)3×1-Tl表面の電子状態の研究
京大院理，東大物性研^A　加藤千尋，八田振一郎，高橋真，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，木下豊彦^A，有賀哲也

15: Si(111)-√21×√21-Ag構造転移のSHGによる観測
理研　Deng Dongmei，^○鈴木隆則

16: Ge(001)c(4×2)清浄表面の電子状態 III
東大物性研，鳥取大工^A　中辻寛，高木康多，楠原秀昭^A，石井晃^A，小森文夫

17: Tl吸着Ge(111)表面の電子状態
京大院理，東大物性研^A　八田振一郎，加藤千尋，高橋真，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，木下豊彦^A，奥山弘，有賀哲也

18: Si(111)-7×7表面電子状態の高分解能角度分解光電子分光
奈良先端大^A，JST-CREST^B　武田さくら^A，東直人^A，西出昌弘^A，大門寛^A，B

19: ルチル型TiO₂ (110)とTiO₂ (001)からのSHGの同時解析
北陸先端大材料，北陸先端大21世紀COE^A　表美紀，鈴木織恵，北岡宏和，水谷五郎^A

20: 角度分解光電子分光によるSi(111)5×5‐Geの電子状態の研究
奈良先端大^A，JST-CREST^B　西出昌弘^A，武田さくら^A，東直人^A，大門寛^A，B

21: 二次元光電子分光によるSi(111)- √3×√3-Ptの電子状態の研究
奈良先端大物質創成　茂内晋

22: Influence of local band bending on the shapes of Si2p core-level spectra of the Au adsorbed Si(111)-√3×√3-Ag surface
東大理　劉燦華，松田巌，長谷川修司

23: 紫外光照射したH-Si(111)面のSH顕微像観察
北陸先端大材料^A，北陸先端大材料21世紀COE^B　宮内良広^A，佐野陽之^A，水谷五郎^B

24: Bi(001)ナノ薄膜の原子構造と安定性
金沢大院自然^A，NIMS^B　前川森人^A，斎藤峰雄^A，長尾忠昭^B，柳沼晋^B

25: 帯電界面の第一原理計算のためのフェルミエネルギー分割法の開発
NTT物性基礎研　内田和之

26: 酸素吸着Si(001)表面光反射スペクトルのクラスター計算による検討
横国大工　藻川芳晴，滝澤純一，大野真也，首藤健一，田中正俊

27: n型InSb表面のキャリア涸渇層形成過程における表面電子構造
岩手大工　竹下登，^○稲岡毅

28: 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析
東理大理^A，JST-CREST^B　洗平昌晃^A，B，相馬聡文^B，A，渡辺一之^A，B

29: 二次元配列した金属微粒子の表面プラズモンのバンド構造
東工大院理工　塩川未久，山本直紀

30: Ge(001)表面におけるSnダイマー配列の温度依存性
東大物性研　富松宏太，中辻寛，小森文夫

31: Si(113)3×1-GaのSTM観察と第一原理計算による解析
東理大理工，東理大基工^A，東理大理^B　小林秀和，原紳介，色川勝己，藤代博記^A，渡辺一之^B，三木裕文，河津璋

32: Si(100)-Fe表面のSTM・LEED観察
奈良先端大物質創成　中野浩文，服部賢，片岡恵太，大門寛

33: Si(111)表面上のハロゲン吸着におけるサイト選択性
横国大工　大和洋太，^○小間大弘，大野真也，首藤健一，田中正俊

34: Si(001)表面上における鉄シリサイド薄膜の初期成長過程
東大生研　松本益明，杉江薫，河内泰三，福谷克之，岡野達雄

35: 反射高速陽電子回折によるSi(111)-√21×√21-Ag表面構造解析
原研先端基礎研　深谷有喜，河裾厚男，一宮彪彦

36: 表面X線回折法によるSi(111)-Auの埋もれた界面構造の研究
東大物性研，東大生産研^A，名大院工^B，高エ研PF^C　吉田隆司，松本益明^A，隅谷和嗣，中谷信一郎，高橋敏男，岡野達雄^A，秋本晃一^B，杉山弘^C，張小威^C，河田洋^C

37: Ag/Si(111)√3×√3 表面の低温構造の解析 IV
名大院工，原研・日女大理^A　大屋強，中原仁，鈴木猛司，一宮彪彦^A，齋藤弥八

38: 反射高速陽電子回折によるSi(001)の清浄表面及び酸素吸着の研究
原研先端基礎研^A，日女大理^B　林和彦^A，河裾厚男^A，一宮彪彦^A，B

39: InGaN/GaN(0001)薄膜における歪誘起超格子状態のモンテカルロシミュレーション
徳島大工，三重大工^A　赤阪和彦，^○森篤史，伊藤智徳^A，柳谷伸一郎，井上哲夫

40: MoS₂(0001)面上の共役アルカジイン・帯状ポリジアセチレン単分子層の超高真空STM観察
東京農工大工，北里大理^A　世良貴史，遠藤理，尾崎弘行，真崎康博^A

41: Ag(110)表面上に配列したポルフィリン分子の低温STM観察
横浜市大国際総合，情報通信研究機構^A　冨田侑毅，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A

42: オリゴチオフェン系ポリマー体の超高真空SPM観察
情報通信研究機構関西セ^A，DRFMC CEA-CNRS Grenoble^B　田中秀吉^A，稲田貢^A，鈴木仁^A，益子信郎^A，B.Grevin^B，P.Rannou^B

43: フタロシアニン誘導体のクラスター構造のSTM観察
情報通信研究機構，名大院理^A　照井通文，益子信郎，阿波賀邦夫^A

44: ハイドロフラレン単結晶薄膜の構造および電子状態
東大新領域^A，東大理^B　圓谷志郎^A，嘉治寿彦^B，池田進^A，斉木幸一朗^A，B

45: DFTB法による有機分子／Si表面のSPMシミュレーション
東大工，早大院ナノ理工^A　真砂啓，渡邉聡，田上勝規^A，塚田捷^A

46: グラファイト基板に吸着したタンパクのAFMシミュレーション I
早大院ナノ理工　田上勝規，塚田捷

47: Cu(100)及びCu(110)表面上における水素原子(H，D，T)の量子状態
阪大院工　尾澤伸樹，中西寛，笠井秀明

48: 表面差分反射分光によるSi(001)酸化過程における温度依存性の測定
横国大工　滝澤純一，小泉順也，大野真也，首藤健一，田中正俊

49: 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH₂O/Si(111)の4a₁← O 1s共鳴励起誘起H⁺脱離の研究
物構研^A，井上財団^B，横国大院工^C，JST/さきがけ^D　小林英一^A，B，南部英^A，瀬尾淳哉^C，間瀬一彦^A，D

50: Si(001)，Ge(001)表面における秩序無秩序相転移の臨界現象－LEEDによる解析－
九大総理工　白澤徹郎，水野清義，栃原浩

51: 原子レベルの摩擦機構
電通大　湧波信弥，中村淳，^○名取晃子

52: 反応性イオンエッチングの知的設計
阪大院工^A，阪大理^B，岡理大工^C　花房真浩^A，Wilson Agerico Dino^A，B，Rifki Muhida^A，David Melanie Yadao^A，笠井秀明^A，垣谷公徳^C

53: Dissociative Adsorption of H₂ on a SiO₂/Si(001) Surface
Osaka Univ.，De La Salle Univ.　Nelson Buntimil Arboleda Jr.，Hideaki Kasai，Wilson Agerico Dino，Hiroshi Nakanishi

54: ダイヤモンドと水晶の摩擦に伴う青色発光の原因
学習院大理　三浦崇，和泉奈穂子，橋本麻衣，荒川一郎

55: ステップ間相互作用が存在する系でのステップ熱平坦化のモンテカルロシミュレーション
阪大産研　後藤洋臣，須藤孝一，岩崎裕

61: 原子サイズの引き剥がし（理論）
成蹊大理工，筑波大院数物^A，愛教大物理^B　佐々木成朗，板村賢明，大山正也^A，三浦浩治^B

62: Ab initio study for chemical reaction of human blood with NaDDC (sodium diethyldithiocarbamate)
Dept. of Applied Physics，Osaka Univ.^A，Dept. of Eng. Physics，Institut Teknologi Bandung^B，Dept. of Physics，Osaka Univ.^C，Physics Dept.，De La Salle Univ.^D　H. Setiyanto^A，B，R. Muhida^A，H.K. Dipojono^B，W.A. Dino^C，D，S. Matsumoto^A，H. Kasai^A

63: Local magnetic moment of Multiple-decked sandwich clusters i.e.，V_n(C₆H₆)_n+1 clusters (n=1，2)
Dep. of Applied Physics，Osaka Univ.^A，Dept. of Physics， Osaka Univ.^B，Physics Dept.，De La Salle Univ.^C，Center for the Promotion of Research on Nanoscience and Nanotechnology，Osaka Univ.^D　R. Muhida^A， Md. M. Rahman^A， W. A. Dino ^B，C，D， H. Kasai ^A， H. Nakanishi^A

64: 金属表面上の微小磁性体における磁気励起
山形大教，阿南高専^A　野々山信二，中村厚信^A

65: Si(111)-(7×7)表面空格子点の差分イメージ観察
阪大産研　金崎順一，谷村克己

66: 2次元ナノデバイスの量子カオス的電子状態
成蹊理工　大町芳史，坂本昇一，富谷光良

67: オルソ・パラ転換における磁場効果解明に向けた水素分子のレーザー誘起蛍光法の開発
東大生研　藤原理悟，二木かおり，河内泰三，福谷克之，岡野達雄

68: 金属電極に挟まれた単分子の伝導の第一原理計算
東大生研^A，物材機構^B，産総研^C　近藤恒^A，B，木野日織^B，奈良純^B，尾崎泰助^C，大野隆央^B，A

69: 融解・固化により生成した金ナノ粒子の構造統計と構造的特徴
産総研ナノテク，産総研計算科学^A　古賀健司，池庄司民夫^A

70: Oxidation Process of Cu-Au alloy Nanoparticles
産総研ナノテク　陳軍華，古賀健司，山口智彦，菅原孝一

71: 極薄Si酸化膜上に成長したFe-Si ナノドットの構造評価 (II)
名大エコトピア研^A，CIRSE-JST^B，東大院工^C　趙星彪^A，B，中村芳明^B，C，田中信夫^A，B，市川昌和^B，C

72: 物理吸着した水分子から光励起脱離する水クラスターイオンの運動エネルギー分布測定
学習院大理　立花隆行，三浦崇，荒川一郎

73: Pt₁₀／グラファイトの原子構造と電子状態
JST-CREST，阪大産研^A，産総研^B　岡崎一行，森川良忠^A，田中真悟^B，香山正憲^B

74: 放射光STMによるSi(111)上Geナノアイランドの解析
阪大院工^A，理研/SPring-8^B，JASRI/SPring-8^C，物材機構ナノマテ研^D　高橋浩史^A，B，齋藤彰^A，B，北本克征^B，高木康多^B，田中義人^B，三輪大五^B，矢橋牧名^C，石川哲也^B，辛埴^B，桑原裕司^A，B，青野正和^A，D

75: Benzene-transition metal complex chain on a metal surface: a first principle investigation
Graduate School of Eng.，Osaka Univ.¹，Graduate School of Science，Osaka Univ.²，Center for the Promotion of Research on Nanoscience and Nanotechnology，Osaka Univ.³ ，Physics Dept.，De La Salle Univ.，Philippines⁴　M.M. Rahman¹，Rifki Muhida¹，W.A. Dino^{1，2，3，4}，H. Nakanishi¹，H. Kasai¹

76: 二成分スピノル型ウルトラソフト擬ポテンシャルの開発
金沢大自然　細川明彦，貝吹好徳，小田竜樹

77: Alq3の巨大表面電位パターンのKFM観察とPL評価
理研^A，CREST-JST^B　尾笹一成^A，B，礒島隆史^A，伊藤英輔^A，前田瑞夫^A，原正彦^A

78: 金属ナノコンタクトに見られる非線形電流－電圧特性：電極は接近する。
東工大理工，東工大総合理工^A　吉田誠，久留井慶彦^A，大島義文^A，谷城康眞，高柳邦夫

79: Auナノワイヤの構造と機械的性質
東工大院理工^A，JST-CREST^B　赤堀千明^A，三輪哲史^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

80: カーボンナノチューブの内側と外側における原子の動的過程の第一原理計算
鳥取大工，理研^A　山本雅奈，石井晃，藤原勝敏，戎崎俊一^A

81: グラフェン多原子空孔の安定性
金沢大院自然　山下和晃

82: シリコンナノワイヤの構造および電子状態の第一原理計算に基づく検討
三重大工　秋山亨，中村浩次，伊藤智徳

83: 鉄ワイヤー包含型カーボンナノチューブの電子状態
金沢大自然，静岡大工^A　城石裕幸，小田竜樹，藤間信久^A

84: カーボンナノチューブへの水素吸着
東大生研，東北大環境^A　中井康太，^○小倉正平，松本益明，岡野達雄，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

85: フラーレン架橋の非弾性電子輸送と分子運動制御
東理大理^A，東大工^B，CREST-JST^C　山本貴博^A，C，渡辺一之^A，C，渡辺聡^B，C

86: 炭素－ニッケル系のTBハミルトニアン
岐阜大院工　社本佳大，青木正人

87: 湾曲CNTの緩和構造とバンド構造
岐阜大工　浅野友博，青木正人

88: ルチル型TiO₂(001)バルクからの光第二高調波発生
北陸先端大材料，北陸先端大材料21世紀COE^A　渡邊亮輔，表美紀，水谷五郎^A

89: 第一原理計算によるSi(001)，Ge(001)表面上のアデニン吸着の研究
鳥取大工^A　長尾陽二^A，石井晃^A，逢坂豪^A

90: YHxの金属－半導体転移の研究～赤外吸収分光装置の開発～
東大工　田中誠二

91: 磁性不純物を含むAg表面でのオルソ・パラ転換機構の解明
東大生研　二木かおり，藤原理悟，松本益明，福谷克之，岡野達雄

21日　XF会場　21pXF　13:30～17:15

領域9
表面界面構造

1: 正20面体準結晶AlCuFe合金の5回対称表面
物材機構，東北大多元研^A　下田正彦，Hem Raj Sharma，蔡安邦^A，山本昭二

2: Ru(0001)表面上における鉛とスズによる二次元合金の表面構造の組成依存性
名大工^A，名大エコトピア^B　石川義記^A，柚原淳司^A，松井恒雄^A，B

3: Ni(111)面上への硫黄吸着により生成するNiの3原子クラスター
筑波大院数物^A，東大物性研^B　山田正理^A，B，北田暁彦^A，平島秀水^A，和泉健一^A，中村潤児^A

4: Cu(110)表面上に形成された水一次元鎖のSTM観察
京大院理　山田剛司，奥山弘，有賀哲也

5※(登壇): STMを用いた遷移金属表面における水分子の吸着状態の研究
学習院大理，理研^A，東大新領域^B　松本周子，^○金有洙^A，川合真紀^A，B

6: Rh(111)表面における水単分子層の構造
東大物性研　紅谷篤史，山本達，向井孝三，山下良之，吉信淳

休憩　（15:00～15:15)

7: NiO(001)単結晶上における金属微粒子の成長初期過程
産総研，立命館大理工^A　岡沢哲晃，香山正憲，藤原真秀^A，城戸義明^A

8: Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析
九大総理工　東相吾，水野清義，栃原浩

9: 金属ステップ面上のモノレイヤ未満カリウムの低次元構造
立命館大理工　小川浩二，藤澤信幸，中西康次，難波秀利

10: Rh(331)ステップ表面でのNO分子の解離過程に関する第一原理的研究
北大創成　相澤秀昭，寺倉清之

11: 吸着原子の不完全c(2×2)構造におけるストリークとDiscommensuration構造におけるサテライトの統一的な見方
福教大物理　三谷尚

12: Theoretical study of dioxygen dissociation pathways on platinum surfaces
阪大理^A，阪大ナノ研究推進機構^B，De La Salle大理^C，阪大工^D，松下先端研^E　Wilson Agerico Dino^{A，B，C，D}，中西寛^D，笠井秀明^D，四橋聡^E，山田由佳^E

13: Theoretical study of oxygen interaction with platinum and platinum alloy surfaces
阪大理^A，阪大ナノ研究推進機構^B，De La Salle大理^C，阪大工^D，トヨタ自動車^E　Wilson Agerico Dino^{A，B，C，D}，中西寛^D，笠井秀明^D，信原邦啓^E，杉本剛^E

14: ETCHING SURFACES OF FERROMAGNETIC MATERIALS -AB-INITIO BASED PROCESS DESIGN and REALIZATION-
阪大理^A，阪大ナノ研究推進機構^B，De La Salle大理^C，阪大工^D，産総研^E，SAMCO Int'l.^F　Wilson Agerico Dino^{A，B，C，D}，Rifki Muhida^D，Melanie David^D，中西寛^D，笠井秀明^D，渡辺晋^D，E，秋永広幸^E，本山伸二慎一^F

21日　YE会場　21pYE　13:30～16:30

領域9
表面・界面電子物性

1※: Si(111)8×2-In上Ag薄膜の量子井戸状態の研究
東大理，物材機構^A，JST^B　永村直佳，松田巌，内橋隆^A，B，箕輪雅章，宮田伸弘，平原徹，大渕千種^B，長谷川修司

2: Si(111)表面上Ag成長に伴うSHG強度振動へのHサーファクタント効果
東工大総理工　平山博之，渡井美和

3: Si(111)4×1-In上に低温成長したAg薄膜のストライプ構造とその膜厚依存性
JST^A，物材機構^B　大渕千種^A，内橋隆^A，B，塚本茂^B，中山知信^A，B

4: Si(111)表面上Bi(001)超薄膜の光電子分光測定
東大理，物材機構^A，DIPC^B，ユーリヒ研^C，金沢大自然^D　平原徹，長尾忠昭^A，松田巌，E. Chulkov^B，G. Bihlmayer^C，斎藤峯雄^D，長谷川修司

5: ナノ薄膜Biの構造・対称性と電子構造
物材機構^A，DIPC^B，金沢大自然^C，ユーリヒ研^D，東大理^E，JST-ICORP^F　長尾忠昭^A，F，E.Chulkov^B，斎藤峯雄^C， G. Bihlmayer^D，長谷川修司^E，中山知信^A，F

6: 取　　消

休憩　（14:45～15:00)

7: SiC多形超薄膜の誘電特性
電通大電子　中村淳，名取晃子

8: 水素終端Ge薄膜の電子輸送特性に関する第一原理的研究
慶大理工　山内淳

9: n型InAs表面キャリア蓄積層の電子構造
岩手大工　稲岡毅

10※(取消): ナノ金属系における大規模電子構造計算
東大工^A，CREST-JST^B　井口雄介^A，星健夫^A，B，藤原毅夫^A，B

11: 取　　消

12: 電子の相補媒質
お茶大理　小林功佳

13: 水素終端Si表面上の導電性高分子の電子状態
日立基礎研　諏訪雄二，寺田康彦，藤森正成，平家誠嗣，橋詰富博

22日　XF会場　22aXF　9:00～12:35

領域9
表面・界面電子物性

1: 10K-STMの試作と非弾性トンネル分光評価
東北大多元研^A，JST-CREST^B　朱那^A，米田忠弘^A，B

2: 金属表面上に吸着した分子における非弾性トンネル電子の散乱機構
理研，学習院大自^A，東北大多元研^B，東大新領域^C　金有洙，大川登志郎^A，道祖尾恭之^B，米田忠弘^B，川合真紀^C

3: 半導体表面上の金属ナノ構造からのSTM発光2
東工大院理工，東工大院総合理工^A　今田裕，千葉綾子^A，山本直紀

4: エリスロシンB分子会合体からのSTM発光
東北大通研^A，理研PDC^B，北陸先端大^C　上原洋一^A，B，潮田資勝^B，C

5: Ni(110)-(2×1) OのSTM発光振動分光
東北大通研^A，理研PDC^B，北陸先端大^C　上原洋一^A，B，潮田資勝^B，C

6: 境界移動で観測したGe(001) 表面状態伝導の解析
東大物性研　高木康多，吉本芳英，中辻寛，^○小森文夫

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態
横市大総合理　望月出海，根岸良太，重田諭吉

8: 低温型四探針STM装置の開発と電気伝導測定
東大理　保原麗，吉本真也，松田巌，長谷川修司

9: Si(111)-√3×√3-Ag表面における表面局所ポテンシャルの測定
東大物性研　小野雅紀，西潟由博，西尾隆宏，江口豊明，長谷川幸雄

10: Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II
横浜市大総合理　鈴木雅彦，根岸良太，重田諭吉

11: Au吸着Si(111)表面のSTM観察と電気伝導
東大理　山崎詩郎，松田巌，沖野泰之，守川春雲，長谷川修司

12: La_2-2xSr_1+2xMn₂O₇のSTM/STS観察
北大理^A，CREST^B，ERATO-JST^C　田畑雅敏^A，來田歩^B，松山秀生^A，小池和幸^A，何金萍^C

13: LT-STM study of the surface Fermi level position of MBE-grown In_0.53Ga_0.47As on (001) and (111)A oriented InP substrates
NTT Basic Res. Labs.，NTT Corp.^A，Laboratoire de Photonique et de Nanostructures，CNRS^B，SORST-JST^C　Simon Perraud^A，B，Kiyoshi Kanisawa^A，Zhao-Zhong Wang^B，Yoshiro Hirayama^A，C

22日　YE会場　22aYE　9:00～12:15

領域9
表面界面構造

1: 一般化DLAモデルによるAu2次元島のフラクタル次元の解明
東大生研，山梨大教育^A，阪大院理^B　小倉正平，松本益明，岡野達雄，福谷克之，川村隆明^A，岡田美智雄^B，笠井俊夫^B

2: 反射高速陽電子回折によるGe(111)-√3×√3-Sn表面の相転移の研究
原研先端基礎研　深谷有喜，河裾厚男，一宮彪彦

3: Si(111)表面上のCo島の構造
奈良先端大物質創成　内田崇，^○服部賢，服部梓，大門寛

4: Si/Ga界面モフォロジーの温度依存性
関学大理工　野田武宏，田中才工，中西太樹，杉本吉規，森克仁，北原周，寺内暉，高橋功

5: 方位角走査 RHEEDによる Si(111)表面上の鉄シリサイドの研究II
東北大多元研　藤崎大，高橋伸彰，虻川匡司

6: 前方及び上方のRHEED菊池図形
大同工大工　堀尾吉已

休憩　（10:30～10:45)

7: RHEED波動関数による二次電子収率角度依存性の解析
山梨大教育，レスター大物理^A　川村隆明，P.A.Maksym^A

8: 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル
物材研，Charles Univ.^A，Friedrich-Schiller-Universitat^B　大竹晃浩，Pavel Kocan^A，制野かおり^B，Wolf G. Schmidt^B，小口信行

9※(取消): シリコン表面へのモリブデン堆積
筑大院数理物質^A，産総研-ASRC^B　矢幡洋^A，L.Bolotov^B，内田紀行^A，B，金山敏彦^A，B

10: Diffusion and clustering of Ag atoms on a Si(111)7×7 surface
Dept.of Physics，CIR^A Tohoku Univ.　J.Osiecki，H.Kato，A.Kasuya^A，S.Suto

11: AFM探針によるSi(001)表面の構造操作
阪大院工　内藤賀公，李艶君，尾崎直幸，影島賢巳，菅原康弘

12: NC-AFM/KPFMを用いたGe/Si (111)-(7×7)表面における原子種識別機構の解明
阪大工　野村光，内藤賀公，李艶君，影島賢巳，菅原康弘

22日　XF会場　22pXF　13:30～17:15

領域9
表面・界面電子物性

1: 金属吸着Si微斜面からの電子線励起発光の研究
東京農工大工，東工大院理工^A　箕田弘喜，山本直紀^A

2: 金属フォトニック構造における表面プラズモンのバンド構造
東工大院理工，CSIC-UPV/EHU^A　山本直紀，塩川未久，F.J. García de Abajo^A

3: カリウム原子で誘起されるSi(111)-7×7表面構造相転移の第二高調波発生による研究
理研^A，横国大工^B　唐木陽一^A，B，Dongmei Deng^A，井上大輔^A，B，田中正俊^B，鈴木隆則^A

4: 全光電子収量スペクトルを指標に用いた定在波分光による界面測定
東北大多元研^A，NTT-AT^B，兵庫県立大^C　江島丈雄^A，原田哲男^A，山崎敦志^A，菅原真幸^A，濱本亮輔^A，柳原美広^A，竹中久貴^B，村松康治^C

5: 吸着分子の振動励起による非弾性光電子放出過程
理研PDC^A，東北大通研^B，北陸先端大^C　荒船竜一^A，林慶^A，上田茂典^A，上原洋一^A，B，潮田資勝^A，C

6: ロックイン技術を用いた光電子の分子振動励起によるエネルギー損失の測定法
理研PDC^A，東北大通研^B，北陸先端大^C　林慶^A，荒船竜一^A，上田茂典^A，上原洋一^A，B，潮田資勝^A，C

休憩　（15:00～15:15)

7: Cu(100)表面電子状態の応力依存性II
東大物性研　関場大一郎，吉本芳英，中辻寛，小森文夫

8: Sb(111)表面の超高分解能ARPES I：バンド構造とフェルミ面
東北大院理，物材機構^A　菅原克明，佐藤宇史，相馬清吾，高橋隆，新井正男^A，佐々木泰造^A

9: Sb(111)表面の超高分解能ARPES II：電子－格子相互作用
東北大院理，物材機構^A　菅原克明，佐藤宇史，相馬清吾，高橋隆，新井正男^A，佐々木泰造^A

10: 放射光励起角度分解紫外光電子分光法によるNi(332)ステップ面低次元電子状態の研究
立命大理工　藤澤信幸，中西康次，小川浩二，難波秀利

11: 吸着子によるSi(111)-√3×√3-Agの金属バンドの分裂
東大理　劉燦華，松田巌，平原徹，長谷川修司

12: Pb吸着Ge(111)表面の相転移とその電子状態
東大理　守川春雲，大江英輝，沖野泰之，山崎詩郎，松田巌，長谷川修司

13: 二次元光電子分光によるSi(111)√3×√3-Ag表面の表面準位の光電子放出角度分布とバンド構造
奈良先端大物質創成　松井文彦，出野卓，高橋伸明，茂内晋，橋本美絵，武田さくら，大門寛

14: HEX修飾DNAの一分子トンネルスペクトルの2次元マッピングを用いた観察
阪大産研　河原敏男，糸賀康人，田中裕行，川合知二

22日　YE会場　22pYE　13:30～16:50

領域9
表面界面構造

1: 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析
立命館大理工，京大院工^A　松原佑典，星野靖^A，竹内史典，西村智朗，城戸義明

2: 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√3×2√3構造の解析
立命館大理工，京大院工^A　星野靖^A，松原佑典，竹内史典，西村智朗，城戸義明

3: グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算
電通大電子　伊藤潤，中村淳，名取晃子

4: キンク反キンク間引力相互作用のあるステップ系
群大工，大阪電通大工^A，阪大院理^B　山本隆夫，阿久津典子^A，阿久津泰弘^B

5: 結晶平衡形シェイプ・エクスポーネント再び：非ユニバーサル系の場合
大阪電通大工，群馬大工^A，阪大院理^B　阿久津典子，山本隆夫^A，阿久津泰弘^B

6: 第一原理計算によるAu/Si(111)表面の安定構造評価
東大工^A，科技振興機構CREST^B，MIT^C　野田真史^A，B，C. Fischer^C，門平卓也^A，B，G. Ceder^C，渡邉聡^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: シアン化物イオンによるSi表面の金属脱離
阪大産研，CREST-JST　高橋昌男，劉イェリン，成田比呂晃，小林光

8: Rh(111)表面上の酸化スズ超薄膜の表面構造
名大工^A，名大エコトピア^B，ウイーン工科大^C　田島大輔^A，柚原淳司^A，松井恒雄^A，B，M.シュミット^C，P.バルガ^C

9: 金属表面上におけるオリゴチオフェン分子の選択的自己組織化
横浜市大総理，分子研^A　倉田早希，横山崇，田中彰治^A

10: 多層化した表面自己組織ポルフィリンのSTM観察
横市大総理，NICT^A，首都大^B　西山文貴，横山崇，上門敏也^A，横山士吉^A，益子信郎^A，坂口幸一^B，菊地耕一^B

11: バッキーフェロセンエピタキシャル膜の低温STM観察
東大理^A，東大新領域^B，ERATO^C，東工大^D　島田敏宏^A，嘉治寿彦^A，斉木幸一朗^A，B，松尾豊^C，中村栄一^A，C，村中伸滋^A，福尾則学^D，眞嶋秀樹^D，一杉太郎^A，長谷川哲也^A

12: A Study on the Adhesion of Poly(Butylene Terephthalate) on Aluminum
Osaka Univ.^A，De La Salle Univ.-Manila^B，Taiseiplas Corporation^C　Melanie David^A，Tanglaw Roman^A，Wilson Agerico Dino^A，B，Hiroshi Nakanishi^A，Hideaki Kasai^A，Naoki Ando^C，Masanori Naritomi^C