領域別プログラム
領域9
領域9
表面界面ダイナミクス,水素ダイナミクス
1
フェムト秒レーザーダブルパルス照射によるチタンアブレーションの抑制のレーザーフルーエンス依存性
京大院理A, 京大化研B
古川雄規A, B, 小島完興B, 寺本研介A, B, 井上峻介A, B, 橋田昌樹A, B, 阪部周二A, B
2
フェムト秒レーザーによる金属表面への着色機構
京大院理A, 京大化研B
西野将伍A, B, 橋田昌樹A, B, 古川雄規A, B, 小島完興B, 井上峻介A, B, 阪部周二A, B
3
Pd(110)表面におけるメタンの吸着
東大院総合文化, JSTさきがけ, 東大物性研A
小板谷貴典, 柴田悠宇, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳
4
シリカ担持ニッケル触媒表面におけるサバティエ反応の軟X線オペランド観測
東大物性研
山本達, 唐佳芸, 小板谷貴典, 徳永拓馬, 柴田悠宇, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳, 松田巌
5
Fe/W(110)表面へのO2吸着確率のスピン配向依存性
物材機構
倉橋光紀, 山内泰
6
重水素終端Si(110)-(1×1)表面のフォノン分散:第一原理計算によるフォノンバンド予測の可能性
東北大院理, 東理大理A, 理研B
川本絵里奈, 松下ステファン悠, 岡田祐太, 胡春平A, 渡辺一之A, 山田太郎B, ◯須藤彰三
休憩 (11:00〜11:15)
7
NO初期吸着Si(001)2×1表面のSTM観察II
奈良先端大物質創成
楊昊宇, 谷本慶, 市川峻也, 服部賢, 大門寛
●8
CO分子修飾STM探針によるダイポール相互作用単分子マニピュレーション
千葉大院工, 東大工A
ナナナズリク, 南谷英美A, 山田豊和
9
多分子複合材料における光励起プロセスの解析
東工大理, 東大物性研A, 弘大物B, UPMCC
小澤健一, 山本達A, 夏井祐人B, 寺島矢B, 加藤博雄B, Marie D'AngeloC, 松田巌A
10
プロトン移動と共役するo-キノンの分子内環化反応
阪大院工A, 明石高専B
岸田良A, 笠井秀明A, B
11
Interface of Polyethylene Terephthalate (PET) Directly Laser Joined with Stainless Steel (SUS304)
阪大工A, 阪大CAMTB, 阪大JWRIC
Diño Wilson AgericoA, B, 川人洋介C
12
低温でのNbナノコンタクト内におけるフォノン励起による水素拡散誘起
九州大院工, 東工大理A, 金沢大教育B, 九州大院総理工C
高田弘樹, 家永紘一郎A, 稲垣祐次, 辻井宏之B, 橋爪健一C, 河江達也
領域9
表面界面電子物性,トポロジカル表面
1
Ag2Sn表面合金表面上のスタネンの創製と電子状態
名大工, あいちSRA, バスク大B, マックスプランク研C, エクス-マルセイユ大D
柚原淳司, 藤井裕也, 西埜和樹, 仲武昌史A, Lede XianB, Angel RubioB, C, Guy Le LayD
2
W(100)のスピン偏極表面電子構造の観測
広大放射セ, 広大院理A, ルター大B
宮本幸治, 松田旭央A, 奥田太一, 佐藤仁, J. HenkB
●3
WTe2表面におけるType-IIワイル点の可視化
東大新領域, 物材機構A, 東大物性研B, 東大院工C, 中国科学院D, イリノイ大学E
Chun-Liang Lin, 荒船竜一A, Ro-Ya LiuB, 吉村誠人, Baojie FengB, 川原一晃, Zeyuan NiC, 南谷英美C, 渡邉聡C, Youguo ShiD, 川合眞紀, Tai-Chang ChiangE, 松田巌B, 高木紀明
●4
The (S)ARPES observation of local spin polarization in a series of Ln(O,F)BiS2 (Ln=Ce,Nd,Pr) superconductors.
Hiroshima Univ.A, Univ. of TokyoB, Yamanashi Univ.C
Shi-Long WuA, Yuichi OtaB, Koji MiyamotoA, Takehito ImaiA, Koichiro YajiB, Ayumi HarasawaB, Masanori NagaoC, Satoshi WatauchiC, Isao TanakaC, Shik ShinB, Taichi OkudaA
5
多重単原子層膜における複素ストライプ相からヘリカル相へのクロスオーバーの観測
東大理, 京大理A
枡富龍一, 田代翔太郎, 岡本徹, 柳瀬陽一A
●6
ARPES study of Pb thin film on topological insulator
Dept. Phys., Tohoku Univ.A, WPI-AIMR, Tohoku Univ.B, CSRN, Tohoku Univ.C, Kyoto Sangyo Univ.D, and Univ. CologneE
C. TrangA, N. ShimamuraA, K. NakayamaA, K. SugawaraB, C, S. SoumaB, C, T. TakahashiA, B, C, K. SegawaD, Yoichi AndoE, and T. SatoA, C
7
ラシュバ効果を持つ単原子層超伝導体における面内臨界磁場の増大
物材機構
一ノ倉聖, 吉澤俊介, 内橋隆
休憩 (11:15〜11:30)
8
(若手奨励賞受賞記念講演)領域9若手奨励賞選考報告および授賞式 Explanation of selection procedures and an award ceremony
北海道大学低温科学研究所(北大低温研) ILTS, Hokkaido Univ.
佐崎元 Gen Sazaki
9
(若手奨励賞受賞記念講演)光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体におけるスピン偏極表面電子とその光制御の研究 Spin-polarized surface states in topological insulators and their optical control studied by photoemission techniques
東京大学 物性研究所 極限コヒーレント光科学研究センター(東大物性研) ISSP, The Univ. of Tokyo
黒田健太 Kenta Kuroda
●10
(若手奨励賞受賞記念講演)Ag(111)表面上に創成したシリセンの構造と電子状態に関する研究 Studies on structures and electronic states of silicene grown on Ag(111) surfaces
東京大学 大学院新領域創成科学研究科 物質系専攻(東大新領域) Dept. of Adv. Mater. Sci., The Univ. of Tokyo
Chun-Liang Lin
領域9
領域9ポスターセッション
41
Si(001)表面上のβ-FeSi2(100)ナノカーペットの成長過程のSTM観察
奈良先端大物質創成
市川峻也, 楊昊宇, 竹本昌平, 染田政明, 服部賢, 大門寛
42
CaC2 超微粒子の結晶成長の直接観察
立命館大理工
墻内千尋, 齋藤嘉夫
43
気相原子-吸着原子の平衡を考慮した新規結晶成長モデルの提案:GaN MOVPEにおける不純物取り込み機構の理論解析
九大院工, 九大応力研A, 名大未来研B
稲富悠也, 寒川義裕A, B, 柿本浩一A
44
Ti-SiO系ホイスカー粒子の成長とその構造
東北学院大工
鈴木仁志, 相田侑人, 我妻克哉
45
電極間距離に依存した準安定な単一分子接合の電子構造の解明
東工大院理
一色裕次, 藤井慎太郎, 木口学
●46
Two-dimensional superconductivity on SIC phase of Pb/Ge(111) studied by in situ transport measurement
Dept. of Phys., Univ. of Tokyo
H. Huang, T. Nakamura, A. Takayama, S. Hasegawa
47
その場電気伝導測定によるGe基板上のPb超薄膜における超伝導特性
東大理
遠山晴子, H. Huang, 中村友謙, 高山あかり, 長谷川修司
48
Cs吸着Pd(110)1×2再構成表面の第一原理計算
筑波大物理
樋口翔馬, ◯東山和幸, 守友浩
49
取 消
●50
Tuning methane decomposition on stepped Ni surface: Role of subsurface atoms in catalyst design
Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col., Univ. of Fukui, Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo, Dept. of Applied Phys., Osaka Univ., Osaka Univ.
Ryan Lacdao Arevalo, Susan Meñez Aspera, Mary Clare Sison Escaño, Hiroshi Nakanishi, Hideaki Kasai
●51
NO Reduction on Ternary Alloy PdRuM (M=Rh,Ir) Catalysts using First Principles Calculations
Nat’l. Inst. of Tech., Akashi Col., Osaka Univ.A, Univ. of TokyoB
Aspera Susan Meñez, Arevalo Ryan Lacdao, Chantaramolee Bhume, Nakanishi HiroshiA, B, and Kasai HideakiA, B
52
InAs(110)表面上の擬一次元的Biにおける異方的Rashba効果
阪大理A, 阪大生命B, 分子研UVSORC, 東大物性研D, KEK-PFE
中村拓人A, 大坪嘉之B, A, 山下雄紀A, 出田真一郎C, 田中清尚C, 矢治光一郎D, 原沢あゆみD, 小森文夫D, 辛埴D, 木村真一B, A, 湯川龍E, 堀場弘司E, 組頭広志E
53
波長可変SHG分光法によるAu/TiO2光触媒界面の電子状態の研究
北陸先端大
龔培陽, Mohammad EhasanulHaque, Khuat Hien, 水谷五郎
●54
Stability and electronic structure of novel triangular lattice atomic layers of In, Tl, Pb, and Bi on SiC(0001)
Kyushu Univ.
Anton Visikovskiy, Takashi Kajiwara, Satoru Tanaka
55
グラフェン上に作製した亜鉛フタロシアニン単分子膜の鏡像準位
佐賀大シンクロ
山本勇, 宇野哲平, 今村真幸, 高橋和敏, 東純平
56
SrTiO3基板上に作製したZnPc薄膜における分子配向の蒸着量依存性
佐賀大シンクロ
宇野哲平, 廣實彩花, 山本勇, 今村真幸, 高橋和敏, 東純平
57
トポロジカル絶縁体(Sb,Bi)2Te3における反転分布現象の観測と制御
広大院理, 東大物性研A, ノヴォシビルクス大B
角田一樹, 石田行章A, 吉川智己, 陳家華, Munisa Nurmamat, Konstantin KokhB, Oleg TereshchenkoB, 辛埴A, 木村昭夫
58
SrTiO3基板上の単層FeSeの超伝導特性の基板表面超構造依存性
東工大理
秋山健太, 田中友晃, 芳野諒, 平原徹
●59
Electronic structure of Group-V two dimensional materials
Kanazawa Univ.
Nuning Anugrah Putri Namari, Mineo Saito
60
鎖状有機化合物テンプレート上のパラジウムナノクラスター形成
東京農工大工, ICUA
遠藤理, 田旺帝A
61
窒素吸着Cu(001)表面上でのFeNi原子層成長のSTM観察
東大物性研A, 東京理大基礎工B
川口海周A, 村上舜太B, 服部卓磨A, 宮町俊生A, 小嗣真人B, 小森文夫A
62
取 消
●63
Accurate Adsorption Energy for Hydrogen on Pt(111) from Random Phase Approximation
Inst. for Solid State Phys., The Univ. of Tokyo
Lei Yan, Yoshiyuki Yamamoto, Shusuke Kasamatsu, Osamu Sugino
64
AFM探針先端の元素識別
東大新領域
宮嵜洋記, 小野田穣, 杉本宜昭
65
Si(111)√3×√3-B表面のIn吸着構造
東工大理, 東工大物質理工A
車尾ヴァレンティン基, 荻野嵩大, 山崎詩郎, 中辻寛A, 平山博之
66
表面X線回折による構造解析における多重散乱の影響II
高輝度セ
田尻寛男
67
方位角スキャンRHEEDを用いた三次元逆空間マッピングにおける較正法の開発II
奈良先端大物質創成
西田翔太, 竹本昌平, Liliany Noviyanty Pamasi, Aydar Nailevich, 広田望, 神保裕喜, 服部賢, 大門寛
68
SHG分光法を用いたハイプレチルト液晶配向膜の観察
北陸先端大A, JSRB
浅倉慎弥A, 猪股洋輔A, Khuat HienA, 水谷五郎A, 村上嘉祟B, 岡田敬B
69
取 消
70
MoS2(0001)表面ナノアイランドでのフォノン潤滑2
愛知教育大, 電気通信大A, 東大B
和田範之, 石川誠, 鈴木勝A, 佐々木成朗A, 塩見淳一郎B, 志賀拓磨B, 三浦浩治
71
全反射高速陽電子回折法による2層グラフェン層間化合物の構造解析
東大理, 原子力機構先端基礎研A, KEK物構研B
遠藤由大, 深谷有喜A, 望月出海B, 高山あかり, 兵頭俊夫B, 長谷川修司
72
bcc鉄表面-酸素-グラフェン系の相互作用と構造の第一原理計算
岐大院工
尾関康弘, 青木正人
73
ゲート電圧印加による水素吸蔵合金系Si-MOSからのガス脱離
奈良先端大物質創成
西田美緒, 川北修平, 広田望, 楊昊宇, 服部賢, 大門寛
74
欠陥のあるTiO2における酸素還元反応の第一原理計算
東大物性研
山本良幸, 笠松秀輔, 杉野修
75
Pd触媒のNO-CO反応における担体効果
岡山大院自然A, 大阪府立大院B
重名智博A, 狩野旬A, 藤井達生A, 森茂生B, 池田直A
76
グラファイトのナノステップ構造における動摩擦のエネルギー散逸像測定
電通大基盤理工, 愛教大物理領域A
鈴木達朗, 棚原翔平, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠, 三浦浩治
77
TDDFTによる原子層の低エネルギー電子散乱
東理大理
上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之
78
鉄ナノ粒子表面の酸化状態と還元反応
九州シンクロトロン光研究セ, 産総研A
小林英一, 阪東恭子A, 岡島敏浩
79
窒素飽和吸着Cu(001)面上の鉄原子層膜の形成とその磁気特性
東大物性研A, NHK放送技研B
河村紀一A, B, 小森文夫B
80
スピン偏極水素原子ビームの開発:ビーム速度分布の測定
東大生研
長屋勇輝, 小倉正平, 福谷克之
81
走査トンネル顕微鏡を用いた電荷注入による三重項励起子の選択的形成
東大新領域A, 理研SISLB, 分子研C
木村謙介A, B, 今田裕B, 三輪邦之B, 今井みやびA, B, 河原祥太A, B, 竹谷純一A, 川合眞紀C, 金有洙B
82
フェムト秒レーザー微細加工法及びナノインクによるナノサイズドットの製作
北陸先端大
周海明, 趙越, Khuat Hien, 水谷五郎, 中町梢, 下田達也
83
高分子の絶縁破壊現象の第一原理シミュレーション
熊大理, 熊大院自然A, 南カリフォルニア大B, 熊大院先端C
福島省吾, 熊添博之A, 三澤賢明A, S. TiwariB, 下條冬樹C, R. K. KaliaB, A. NakanoB, P. VashishtaB
84
Pd(210)表面における分子状化学吸着水素分子の核スピンおよび回転状態の転換
東大工
笹川裕矢, Dmitry Ivanov, 大野哲, 福谷克之
85
Nbナノコンタクトへの低温水素吸蔵とフォノン励起による水素拡散の誘起
九大院工, 東工大理A, 金沢大教育B, 九大院総理工C
高田弘樹, 家永紘一郎A, 稲垣祐次, 辻井宏之B, 橋爪健一C, ◯河江達也
86
水素により生じる超伝導ナノ接合の電気伝導特性の異常
九大工, 九大院工
宮川一慶, 高田弘樹, 梶原裕太, 稲垣祐次, 河江達也
87
SmB6(111)表面電子状態のスピン偏極構造
阪大理A, 阪大生命B, KEK-PFC, 広島大HiSORD, 茨城大E
山下雄紀A, 大坪嘉之A, B, 湯川龍C, 堀場弘司C, 組頭広志C, 宮本幸治D, 奥田太一D, 平野航E, 伊賀文俊E, 木村真一A, B
88
SiC(0001)表面に成長したグラフェン膜へのロジウム原子吸着
福岡大工
柳生数馬, 栃原浩, 鈴木孝将
89
6H-SiCマクロファセット上のグラフェンの角度分解光電子分光
東大物性研, 東工大総理工A, 高エネ研B, 九大院工C
飯盛拓嗣, 宮町俊生, 服部卓磨, 中辻寛A, 間瀬一彦B, 福間洸平C, 梶原隆司C, Anton VisikovsliyC, 田中悟C, 小森文夫
90
第一原理計算による酸化マンガンナノシートの磁性の温度依存性
熊大院自然, 熊大院先端A
福留凌輔, 内田祐一, 原正大A, 船津麻美A, 下條冬樹A
【共催:新学術領域研究 トポロジーが紡ぐ物質科学のフロンティア】
領域4,領域1,領域6,領域8,領域9
トポロジカル物質科学の新展開
1
(共催シンポジウム講演)はじめに
京大院理
川上則雄
2
(共催シンポジウム講演)半導体ヘテロ構造を用いた2次元トポロジカル絶縁体の研究
NTT物性研
村木康二
3
(共催シンポジウム講演)ARPESでみるトポロジカル半金属の電子状態
東北大院理
佐藤宇史
4
(共催シンポジウム講演)冷却原子を用いたサウレスポンプ
京大院理
高橋義朗
休憩 (10:40〜10:55)
5
(共催シンポジウム講演)トポロジカル超伝導の実証に向けて
京大院理
前野悦輝
6
(共催シンポジウム講演)トポロジカル超伝導とワイル/ディラック超伝導
阪大基礎工
藤本聡
7
(共催シンポジウム講演)量子スピン液体のトポロジカル励起
京大院理
松田祐司
8
(共催シンポジウム講演)終わりに
東大院理
上田正仁
領域9
結晶成長
1
2成分定比化合物微斜面のモンテカルロ計算:平衡状態における合体ステップ平均高さの成分比および温度依存性
大阪電通大工
村田直也, 阿久津典子
2
時分割X線反射率法による鉄不働態膜形成過程のその場観察
阪大基礎工, 高輝度セA, 新日鐵住金先端技術研B
藤井宏昌, 若林裕助, 田尻寛男A, 土井教史B
3
時分割X線測定による脂質融液結晶化初期過程の研究
広大院総科, 広大院生物圏A
田口健, 戸田昭彦, 本同宏成A, 上野聡A, 佐藤清隆A
4
取 消
5
2次元でのパッチ粒子の結晶化
金沢大IMC
佐藤正英
6
結晶カイラリティ転換における結晶粉砕方法と結晶サイズ分布
立命館大理工, 愛工大自然A
勝野弘康, 上羽牧夫A
休憩 (10:45〜11:00)
7
(招待講演)メソクリスタルにおけるねじれおよび湾曲構造の発現と制御
慶大理工
今井宏明
8
BaCl2-MgCl2-NaHCO3混合水溶液中でのノルセサイトBaMg(CO3)2の溶液成長
山口大工
麻川明俊, 畝田廣志, 小松隆一
9
メタダイナミクス法による結晶形成シミュレーション
産総研
灘浩樹
10
高分解光学顕微鏡で見る氷-水成長・融解界面の構造とダイナミクス
北大低温研
村田憲一郎, 佐崎元
●11
The temperature range of the existence of quasi-liquid layers on polycrystalline ice
ILTS, Hokkaido Univ.
Jialu Chen, Ken Nagashima, Ken-ichiro Murata, Gen Sazaki
12
グラフェン化学気相成長過程の微視的解析III.基板形態の影響
東大新領域, 東大理A
斉木幸一朗, 平良隆信A, 小幡誠司
領域9
表面界面電子物性,トポロジカル表面
●1
Bonding nature of borophene revealed by the binding energy of core electrons
Inst. for Solid State Phys., The Univ. of TokyoA, Inst. des Nanosciences de Paris, Université Pierre et Marie CurieB, Inst. of Materials Structure Sci., High Energy Accelerator Res. Organization (KEK)C, Tsukuba Res. Center for Energy Materials Sci. (TREMS), Univ. of TsukubaD, Div. of Materials Sci., Fac. of Pure and Applied Sci., Univ. of TsukubaE, Materials Res. Center for Element Strategy, Tokyo Inst. of Tech.F
Chi-Cheng LeeA, Baojie FengA, Marie D’angeloA, B, Ryu YukawaC, Ro-Ya LiuA, Takahiro KondoD, E, F, Hiroshi KumigashiraC, Iwao MatsudaA, Taisuke OzakiA
2
2層グラフェン上のTiSe2原子層の高分解能ARPES
東北大WPI-AIMRA, 東北大CSRNB, 東北大院理C
菅原克明A, B, 中田優樹C, 梅本侑煇C, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史B, C
3
グラフェン/SiC界面におけるSn単原子層のスピン分解光電子分光
東大物性研, 九大院工A
矢治光一郎, Anton VisikovskiyA, 飯盛拓嗣, 林真吾A, 梶原隆司A, 黒田健太, 田中悟A, 小森文夫, 辛埴
4
ペリレン超薄膜における非占有準位計測と構造・発光
阪大院理
山田剛司, 蘭堅斗, 伊藤菜摘, 河北徳明, 加藤浩之, 宗像利明
5
二光子光電子分光を用いた水素化TiO2表面の励起電子状態観測
東大生研
大橋由季, 長塚直樹, 櫻井敦教, 小倉正平, 芦原聡, 福谷克之
6
ガス曝露とイオン照射によるPd(100)の水素吸蔵と電気伝導特性評価
東大生研, 東工大物質理工学院A
小澤孝拓, 清水亮太A, 河内泰三, 小倉正平, 一杉太郎A, 福谷克之
7
窒化鉄磁性薄膜上に吸着したCo単原子のSTM/STS測定
東大物性研
岩田孝太, 宮町俊生, 小森文夫
休憩 (11:15〜11:30)
8
高分解能角度分解光電子分光によるBi超薄膜の半金属-半導体転移の直接観測
東大物性研, 広大放射光A, NSRRCB, Nat'l. Tsing Hua Univ.C
伊藤俊, 有田将司A, Baojie FengA, Wei-Chuan ChenB, 生天目博文A, 谷口雅樹A, Cheng-Maw ChengB, Shu-Jung TangC, 小森文夫, 松田巌
9
Bi/Si(111)4×1-In表面の構造と電子状態
東工大物質理工, 東工大工A, 東工大理B, 東大物性研C, 高エ研D
下川裕理, 田中和也, 佐藤圭介, 渡邊瞳A, 山崎詩郎B, 飯盛拓嗣C, 小森文夫C, 間瀬一彦D, 平山博之B, 中辻寛
10
DV-LDA法によるBi(111)とBiAg(111)でのラシュバ効果の解析
兵庫県立大院物質理
藤原聖基, 島信幸, 馬越健次, 坂井徹
11
MnとTeを蒸着したBi2Te3 の電子構造とその温度依存性
東工大理, 広大放射光科学研究セA, 分子研 UVSORB
横山喜一, 奥山裕磨, 宮本幸治A, 出田真一郎B, 奥田太一A, 田中清尚B, 平原徹
12
Bi1-xSbx表面状態の解析解-半無限系と有限膜厚系
電通大基盤理工, 東京理科大A
伏屋雄紀, 福山秀敏A
領域11(1番目のみ領域10,領域09,素粒子論領域,理論核物理領域,宇宙線・宇宙物理領域と合同)
領域11,10,09,素・核・宇宙 合同招待講演
1
(招待講演)ランダムの中に見る秩序 ―パーシステントホモロジーとその応用―
東北大学材料科学高等研究所 (AIMR)
平岡裕章
休憩 (10:15〜10:45)
2
(若手奨励賞受賞記念講演)はじめに
京大理
佐々真一
3
(若手奨励賞受賞記念講演)第一原理波動関数理論の固体電子状態計算への展開
阪大理
越智正之
4
(若手奨励賞受賞記念講演)熱機関の最大効率に対する、小さい系の熱力学からの考察
慶応大理工
白石直人
5
(若手奨励賞受賞記念講演)自発的に運動する粒子の短距離配向相互作用を通じた集団運動に関する研究
北陸先端大
永井健
領域9
表面・界面における反転対称性の破れとスピン軌道相互作用
1
(シンポジウム講演(一般))はじめに
東大新領域
高木紀明
2
(シンポジウム講演(一般))表面ラシュバ分裂、ショックレー状態、トポロジカル表面状態の理論
日大文理
石田浩
3
(シンポジウム講演(一般))非占有表面状態におけるラシュバ分裂
物材機構
荒船竜一
4
(シンポジウム講演(一般))STMによるスピン軌道相互作用の可視化
理研
幸坂祐生
5
(シンポジウム講演(一般))バルク半導体におけるラシュバ分裂とベリー位相
阪大理
村川寛
休憩 (15:35〜15:50)
6
(シンポジウム講演(一般))スピン軌道相互作用で操るスピンデバイス・スピントロニクス
阪大基礎工
三輪真嗣
7
(シンポジウム講演(一般))Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用によるMn超薄膜のカイラル磁性
東大物性研
吉田靖夫
8
(シンポジウム講演(一般))トポロジカル物質科学と表面科学の最前線:高次トポロジカル絶縁体
東大工
江澤雅彦
領域9
ナノチューブ,グラフェン,表面局所分光
1
金接点弾性のシングルナノスケールでの特異的寸法依存性
北陸先端大先端, 金沢大院自然A
石塚慧介, 村上拓A, 大島義文, 富取正彦, 新井豊子A
●2
Si/Ge界面系に対する大規模第一原理分子動力学I
物材機構A, ロンドン大学(UCL)B
林建波A, D. R. BowlerB, 宮崎剛A
3
スペクトル計測に基づくAg2S原子スイッチの動作機構の解明
東工大院理
相場諒, 木口学
4
メカノクロミック単分子接合の輸送特性の解明
東工大院理
小池将人, 藤井慎太郎, 木口学
5
ベンゼンジチオール単分子接合におけるギャップ間距離と電子構造の関係
東工大理
小林柊司, 金子哲, 木口学
6
SERSと電気特性の同時計測による単分子接合の界面構造の決定
東工大理
木口学, 金子哲
休憩 (15:15〜15:30)
7
分子内電子間相互作用および振電相互作用を考慮した単一分子の電界誘起発光の量子多体理論
理研, 東大新領域A, UC San DiegoB
三輪邦之, 今田裕, 木村謙介A, 今井みやびA, Michal GalperinB, 金有洙
8
新型角度分解高分解能電子エネルギー損失分光によるフォノン物理:グラファイトおよびグラフェンのフォノン分散の測定
阪大産研, ユーリッヒ総合研究所PGI-3A, 九大GICB
田中慎一郎, F.C. BocquetA, M. FrankeA, F. S. TautzA, 河原憲治B, 吾郷浩樹B
9
van der Waals密度汎関数法による鉛フタロシアニン-グラフェン界面の鏡像状態の理論的研究
阪大院工
濱本雄治, 澤田寛之, Sasfan Arman Wella, 稲垣耕司, 濱田幾太郎, 森川良忠
10
ゲルマネンの水素吸脱着に関する第一原理計算
名大未来研A, 名大院工B, 名大高等研C
洗平昌晃A, B, C, 黒澤昌志B, C, 大田晃生B, C, 白石賢二A, B
11
MXeneナノシート担体上における白金原子の安定性
北大院工
國貞雄治, 坂口紀史
領域9
表面界面構造,表面ナノ構造量子物性
1
表面X線回折による、Ag/Si(111)√3×√3-B界面構造の研究
東工大総理工, JASRIA, 東工大理B, 東工大物質理工C
吉池雄作, 田尻寛男A, 山崎詩郎B, 中辻寛C, 平山博之B
2
全反射高速陽電子回折(TRHEPD)による方位角プロットをもちいた構造解析III
高エネ機構, 原子力機構先端基礎A
望月出海, 深谷有喜A, 一宮彪彦, 兵頭俊夫
3
InP(111)表面のBRAESプロファイル
大同大工, 東北大多元研A
堀尾吉已, 山崎涼, 高桑雄二A
4
Si(001)基板上のβ-FeSi2(100)ナノカーペットのXRD解析による面内歪み分布評価
奈良先端大物質創成, 阪大産研A
竹本昌平, 楊昊宇, 谷本慶, 染田政明, 服部賢, 大門寛, 服部梓A, 田中秀和A
5
Si(001)基板上のβ-FeSi2(100)ナノカーペット表面のDFT計算による電子状態評価
奈良先端大物質創成
服部賢, 谷本慶, 竹本昌平, 楊昊宇, 染田政明, 大門寛
6
β-FeSi2(100)表面上に形成された欠陥のSTM解析
奈良先端大物質創成
谷本慶, 楊昊宇, 染田政明, 服部賢, 大門寛
休憩 (15:00〜15:15)
7
熱電半導体CuFeS2の熱電特性
筑波大数物A, 物材機構MANAB, 物材機構RCSMC, NECD
高木博和A, 小林一昭B, 下野昌人C, 小林伸彦, 広瀬賢二D, 辻井直人B, 森孝雄B
8
beta-NMRによる積層薄膜電池の電極と電解質界面の観察
豊田中研, 東北大A, 東工大B, ブリティッシュコロンビア大C, TRIUMFD
杉山純, 梅垣いづみ, 白木将A, 一杉太郎B, Ryan M.L. McFaddenC, Dongsheng WangC, Victoria KarnerC, Gerald D. MorrisD, W. Andrew MacFarlaneC, D, Robert F. KieflC, D
9
共鳴光電子回折によるTiO2-anatase(001)の局所電子状態解析
NAIST物質創成, PSI研A
太田紘志, Matthias MuntwilerA, 松井文彦
10
菊池エンベロープを用いた表面構造解析
横浜市大生命ナノ, 横浜市大国際総合科A
樋口森生, 入内島大貴A, 萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉
11
反射高速電子回折によるα- Al2O3(0001)面の表面構造解析
横浜市大院
中島翔太, 戸坂亜希, 重田諭吉
12
In/Si(111)表面上の銅フタロシアニン分子の吸着状態
京大院理
八田振一郎, 綾遥奈, 奥山弘, 有賀哲也
13
Bi基板に誘起されたペンタセン薄膜の新しい結晶構造
産総研, 琉球大A, 東京学芸大B, 阪大院工C
白澤徹郎, 柳澤将A, Voegeli WolfgangB, 森川良忠C, 高橋敏男B
【共催:新学術領域研究 ナノ構造情報のフロンティア開拓-材料科学の新展開】
領域10,領域9,領域11
領域10,領域9,領域11
インフォマティクスを活用した材料科学の新展開
1
(共催シンポジウム講演)はじめに
京大・工
田中功
2
(共催シンポジウム講演)材料科学データにおける機械学習の応用
京大・工
世古敦人
3
(共催シンポジウム講演)統計学を利用した元素/サイト選択的分光分析とその格子欠陥への応用
名大・工
大塚真弘
4
(共催シンポジウム講演)機械学習を利用した界面構造探索,構造機能相関解析およびスペクトル解釈
東大・生研
溝口照康
休憩 (10:35〜10:50)
5
(共催シンポジウム講演)機械学習による伝導性材料の物性値推定
名工大・工
竹内一郎
6
(共催シンポジウム講演)半導体物性に特化した計算材料データベース構築
東工大・元素戦略
熊谷悠
7
(共催シンポジウム講演)整数論的手法による粒界原子構造予測
東北大・AIMR
井上和俊
領域9,領域3合同
表面界面磁性
1
基板対称性の違いによる窒化鉄単原子層膜の電子・磁気状態の変化
東大物性研, 分子研A, 総研大B
服部卓磨, 宮町俊生, 中島脩平, 高木康多A, B, 横山利彦A, B, 小森文夫
2
スピン偏極 STM とXMCDによるMn/Fe超薄膜ヘテロ構造の表面・界面磁性
東大物性研, 分子研A
中島脩平, 宮町俊生, 高木康多A, 横山利彦A, 小森文夫
3
スピン偏極STMによる反強磁性膜上の強磁性層間での非線形磁気結合観察
千葉大院工
山田豊和, 山口貴之, 小菅裕太郎, ナナナズリク
4
金表面で形成されるVanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine (VOTTDPz)分子膜への磁場印加で観察される薄膜構造変化とそれに伴う近藤効果変調
東北大理, 東北大多元研A, 名大理B, NIMSC
Hou Jie, Yu Wang, ◯高岡毅A, 米田忠弘A, 阿波賀邦夫B, 荒船竜一C
●5
Controllable Uniaxial Magnetic Anisotropy Induced by Interfacial Orbital Preferential Occupation in Ni/NiO(110) Heterostructures
Tsinghua Univ., Univ. of TokyoA
Yujun Zhang, Liang Wu, Ji Ma, Qinghua Zhang, Atsushi FujimoriA, Jing Ma, Yuanhua Lin, Cewen Nan
休憩 (11:15〜11:30)
6
NiO/Ni/Cu(001)における磁気異方性の制御
KEK物構研
雨宮健太, 酒巻真粧子
7
蛍光収量深さ分解XAS法による磁場中界面分析
高エ研物構研
酒巻真粧子, 雨宮健太
8
ネオジム磁石における強磁性共鳴の理論解析
物材機構, 東大院理A
西野正理, 宮下精二A
9
原子スケール模型の粗視化模型の構築と保磁力解析
東大院理, 物材機構A
檜原太一, 西野正理A, 栂裕太A, 宮下精二
10
第一原理計算によるネオジム磁石の結晶粒界相のシミュレーション(III)
東工大物質理工
寺澤麻子, 合田義弘
領域9
表面界面構造,表面ナノ構造量子物性
1
Effects of Molecular Adsorbate and Electric Field on Porphyrin Tapes
明石高専A, デ・ラ・サール大B, 東大生研C, 阪大院工D, 阪大E
Carlo A. PeloteniaA, B, Susan M. AsperaA, Melanie Y. DavidB, ◯中西寛A, C, D, 笠井秀明A, E
●2
DFT and STM study of Crown Ether on Cu(111)
Chiba Univ., AISTA, IMSB
Ayu Novita P.H, Peter Krüger, Ryohei Nemoto, ToyoKazu Yamada, Takuya HosokaiA, Takahiro UebaB
3
Ag(110)表面上におけるセキシフェニル分子の蒸着量に伴う自己組織化配列
横市大院生命ナノ
鈴木奈央子, 横山崇
4
エレクトロスプレー蒸着したタンパク質の単一分子STM観察
横浜市大院生命ナノ
寺崎航平, 横山崇
5
Znを蒸着したCu(997)表面の低温STMによる局所状態観察
東大物性研
柴田悠宇, 吉本真也, 向井孝三, 吉信淳
6
Au薄膜の脱濡れ過程に及ぼすTi超薄膜シード層の影響
東大生研, 韓国光云大A
神子公男, 金素望A, 鄭映錫A, 具湘謨A, 光田好孝, 河在根A
7
2次元Cu-Ni合金の構造相関
阪市大院工
福田常男, 齊藤猛流
休憩 (10:45〜11:00)
8
(招待講演)超高分解能原子間力顕微鏡による表面吸着分子の構造評価
東大新領域
塩足亮隼
9
原子間力顕微鏡による表面原子の電気陰性度測定
東大新領域, ASCRA
杉本宜昭, 小野田穣, Ondracek MartinA, Jelinek PavelA
10
取 消(以下,講演時間繰り上げ)
11
水素終端Si(110)微傾斜表面に形成される一次元構造
東北大院理
江口豊明, 姜正敏, 福井邦虎, 芳賀健也, 川本絵里奈, 須藤彰三
12
Si(111)表面上4×1-In<->r3×r3-In振動的構造変化の高温STM観察
奈良先端大, 大阪市立大A
武田さくら, 福田常男A
13
非接触原子間力顕微鏡を用いたエネルギー散逸測定による表面構造と物性解析
金大院自然, 北陸先端大A
新井豊子, 稲村竜, 藏大輝, 富取正彦A