一般社団法人日本物理学会第72回年次大会（2017年）　The 72nd Annual Meeting

領域別プログラム

領域9

17日 C-PS会場　17aC-PS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

カーボンナノチューブにおける終端幾何－エネルギーギャップ相関：第一原理的アプローチ

横国大院工, 岐阜大工^A, ダッソーシステムズ・バイオビア^B

谷川幸晴, 小野頌太^A, 桑原理一^B, 大野かおる

引張したCNTおよびBNNTにおける電子状態と弾性定数の数値解析

成蹊大理工

吉田智, 坂本昇一, 富谷光良

取　　消

周波数変調原子間力顕微鏡法を応用した金ナノ接点の力学的特性の解析

金大院自然, 北陸先端大^A, 金大理工^B

村上拓, 橋本遼太, 石塚慧介^A, 長井馨^B, 大島義文^A, 富取正彦^A, 新井豊子

IV特性・熱起電力計測によるC60単分子接合の電子状態の解明

東工大理

一色裕次, 小本祐貴, 藤井慎太郎, 木口学

^●6

Etching process of hydrogen-terminated Si(110) vicinal surfaces prepared by a wet chemical process

Tohoku Univ.

Layli Amaliya, Erina Kawamoto, Tomoyuki Yoneyama, Toshihiro Kawakatsu, Toyoaki Eguchi, Shozo Suto

氷結晶の核発生に及ぼすイオンエネルギーの効果

阪市大理

七里公毅

超微粒子原子表面上における酸化物およびカーボン上のPtクラスターの低温度での変化

立命館大理工

墻内千尋, 齋藤嘉夫

光電子回折法による4H-SiCの表面局所終端の面方位依存性

奈良先端大物質創成科学, 富士電機^A

藤田善樹, 森大輔^A, 大山悦樹, 松井文彦

光電子回折法によるMoSe₂(0001)表面の局所構造解析

奈良先端大物質, 岡山大理^A, JASRI^B

吉田善紀, 久保園芳博^A, 松下智裕^B, 松井文彦

光電子回折によるAgドープBi₂Se₃の表面構造解析

奈良先端大物質

島野拓也, 小林夏野, 上野君, 松井文彦

SHG分光法による液晶パネル基板構成分子の構造の研究

北陸先端大

猪股洋輔, Muhammad Samir Ullah, 浅井翔平, Khaut Thi Thu Hien, 水谷五郎, 村上嘉祟, 岡田敬

X線光電子回折による酸素吸着Bi₂Se₃の表面近傍原子構造解析

千葉大院融合, 奈良先端大^A, Paul Scherrer Institut^B

和気崇, 岡本隆志^A, 大門寛^A, Matthias Muntwiler^B, 松井文彦^A, 坂本一之

表面X線回折による構造解析における多重散乱の影響

高輝度セ

田尻寛男

Bi₂Se₃超薄膜表面界面構造の膜厚依存性

東大物性研, 産総研^A, 東京学芸大^B

杉木裕人, 白澤徹郎^A, ^◯高橋敏男^B

NO暴露したSi(001)上のFeシリサイド表面のSTM観察

奈良先端大物質創成

楊昊宇, 谷本慶, 竹本昌平, 服部賢, 大門寛

ドナー・アクセプター単分子積層によってCu(111)上に構築した分子ダイオードのSTM/STS観察

横市大院ナノ

津村ゆり子, 塚田秀行, 横山崇

STMによる水素終端Si(111)-(1×1)表面上のAgクラスターの初期成長過程

東北大院理

永田龍太郎, 姜正敏, 川本絵里奈, 川口諒, 江口豊明, 須藤彰三

導電性高分子PEDOT/PSS膜の走査トンネル顕微鏡観測II

九産大工, 東北大金研^A

内田翔悟, 西嵜照和, 阿久根忠博, 本間優太^A, 佐々木孝彦^A

7×7清浄面を持つ3次元Si{111}ファセット面の創製

阪大産研^A, JST-さきがけ^B, 奈良先端大物質創成^C

服部梓^{A, B}, 竹本昌平^C, 服部賢^C, 大門寛^C, 田中秀和^A

In吸着Si(111)表面上へのTCNQ吸着

福岡大工^A, Warwick大^B

鈴木孝将^{A, B}, J. Lawrence^B, P. Blowey^B, G. Costantini^B

グラフェンとSiC基板間にインターカレートした金属層の厚さ評価

福岡大工, 北陸先端大マテ^A

柳生数馬, 大島義文^A, 栃原浩, 鈴木孝将

三次元逆格子空間におけるナノ結晶相・配向の探索アルゴリズムの開発III

奈良先端大物質創成

中尾公輝, 西田翔太, 神保裕喜, 広田望, 竹本昌平, 石田拓也, 服部賢, 大門寛

^●24

Au-Li 系における電圧の組成・構造依存性の密度汎関数シミュレーション

東大院工, 産総研CD-FMat^A, 東大物性研^B

劉偉, 清水康司, 李文文, 南谷英美, 安藤康伸^A, 笠松秀輔^B, 渡邉聡

水素終端Si(111)-(1×1)表面の銀クラスターの成長過程

東北大理

青柳利哉, 川本絵里奈, 小嶋昭太郎, 姜正敏, 江口豊明, 須藤彰三

光電子回折による(Bi_1-xIn_x)₂Se₃の構造解析

奈良先端大物質創成, Moscow State Univ.^A, JASRI/SPring-8^B

田中一光, Lada V. Yashina^A, 松井文彦, 田口宗孝, 松下智裕^B, 大門寛

軟X線時間分解光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究

東大物性研, 東北大通研^A

染谷隆史, 吹留博一^A, 山本達, 遠藤則史^A, 松田巌

Fe原子吸着Si(111)表面構造の第一原理計算

奈良先端大物質創成

谷本慶, 片岡恵太, 楊昊宇, 服部賢, 大門寛

第一原理計算によるチタニアナノシート表面における酸素欠陥の生成過程

熊大院自然

内田祐一, 原正大, 船津麻美, 下條冬樹

MoO₃表面における硫黄分子の反応性と表面欠陥の影響に関する第一原理的研究

熊大院自然, 南カリフォルニア大^A

三澤賢明, Subodh Tiwari^A, 下條冬樹, Rajiv K. Kalia^A, Aiichiro Nakano^A, Priya Vashishta^A

遷移金属ダイカルコゲナイドにおける光誘起ダイナミクスに関する第一原理研究

熊大院自然, 南カリフォルニア大^A

熊添博之, 下條冬樹, Rajiv K. Kalia^A, Aiichiro Nakano^A, Priya Vashishta^A

^●32

Sum frequency generation and second harmonic generation observation of orientation of 3-Aminopropyltriethoxysilane on the SiO₂ substrates for biosensor

Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.

Thi Thu Hien Khuat, Kengo Yamabe, Goro Mizutani

金属ナノコンタクトへの低温水素吸蔵と共鳴トンネル現象の観測

九州大院工, 東工大理^A, 金沢大教育^B, 九州大院総理工^C

高田弘樹, 家永紘一郎^A, ^◯上野友輔, 瀬尾優太, モハメドサイフルイスラム, 稲垣祐次, 辻井宏之^B, 橋爪健一^C, 河江達也

スピン偏極水素原子ビームの開発：水素原子ビームの速度測定

東大生研

小倉正平, 福谷克之

グラフェン積層系のエネルギーにおける魔法角の研究

京産大理

作田真央, ^◯内田和之

音叉型水晶振動子AFMプローブを用いた先端増強ラマン散乱顕微鏡

阪大院工

齋藤広大, 田口敦清, 河田聡

17日 K-PS会場　17aK-PS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

真空下局所CVDプロセスによるナノカーボンシートの作成と原子分解能評価

情報通信研究機構, 広大先端物質^A

田中秀吉, 富成征弘, 鈴木仁^A

二層グラフェンの電子物性の理論計算

東大院工, 産総研^A, 東大物性研^B

森雄太郎, 島田直治, 南谷英美, 安藤康伸^A, 笠松秀輔^B, 渡邉聡

第一原理計算によるBi(110)/Si(111)√3×√3-Bの電子状態の解明

東工大物質理工

渡辺成栄, 合田義弘

ビスマス酸化物/貴金属界面におけるラシュバ効果の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

山口直也, 石井史之^A

第一原理計算による熱酸化SiO₂/SiC界面の界面原子構造、電子状態、電子輸送特性の解析

筑波大数物, 筑波大計セ^A

岩瀬滋, 小野倫也^A

電子分光および第一原理計算によるAu(111)表面上picene薄膜の価電子構造の解析

東大院総合文化, 横国大院工^A

樋口貴史, 鈴木敦, 伊藤佑次朗, 小板谷貴典, 青木優, 首藤健一^A, 増田茂

第一原理計算によるK吸着Pd(110)表面の構造安定性

筑波大物理

東山和幸

Bi(111)/貴金属界面の第一原理計算

金沢大数物, 金沢大院自然^A

杉田恵, 山口直也^A, 石井史之

磁性トポロジカル絶縁体の超高速キャリアダイナミクス

広大院理, 東大物性研^A, ノヴォシビルスク大^B

角田一樹, 石田行章^A, K. Kokh^B, O. Tereshchenko^B, 辛埴^A, 木村昭夫

Si(111)-(7×7)表面を試料とした非接触原子間力顕微鏡で検出されるエネルギー散逸機構の研究

金大院自然, 金大理工^A, 北陸先端大院マテ^B

稲村竜, 藏大輝^A, 富取正彦^B, 新井豊子

2光子光電子分光によるペリレン薄膜の電子状態計測

阪大院理

山田剛司, 伊藤菜摘, 河北徳明, 加藤浩之, 宗像利明

STO基板上における亜鉛フタロシアニン薄膜の分子配向と電子状態

佐賀大SLセ

山本勇, 米倉大貴, 宇野哲平, 今村真幸, 高橋和敏, 東純平

スピンクロスオーバー錯体 [Fe(tdap)₂(NCS)₂]薄膜の温度に依存した電子状態

千葉大院融合, 名大VBL^A, 佐賀大シンクロ^B, 名大院理^C

新田淳, 珠玖良昭^A, 山本勇^B, 島野拓也, 阿波賀邦夫^C, 坂本一之

高分解能光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃と金属薄膜の界面電子状態の研究

広大院理, 広大放射光セ^A, Diamond^B, 産総研^C, 東大物性研^D

中西美恵, Eike F. Schwier^A, 島田賢也^A, 岩澤英明^B, 相浦義弘^C, 黒田健太^D, 生天目博文^A, 谷口雅樹^A

SrTiO₃基板上の単一ユニットセルFeSeの電子状態：表面超構造依存性

東工大理

田中友晃, 芳野諒, 平原徹

MIESによる酸素吸着したCs/6H-SiC(0001)表面の電子状態観測

宇部高専, 広大RNBS^A, 九工大院生命体^B, 九大院工^C

中村拓人, 平山楓, 村岡幸輔^A, 石井純子^B, 黒木伸一郎^A, 田中悟^C, 内藤正路^B, 碇智徳

InSb(110)のsubsurface電子状態

阪大理^A, 阪大生命^B, 分子研^C, 総研大^D

山下雄紀^A, 大坪嘉之^{B, A}, 萩原健太^A, 岸潤一郎^A, 山根宏之^{C, D}, 出田真一郎^{C, D}, 田中清尚^{C, D}, 木村真一^{B, A}

アナターゼ型二酸化チタン(101)表面における水素誘起電子状態

東大生研

長塚直樹, 浅川寛太, 小倉正平, 福谷克之

^●19

Measurement of the Electronic States from Au/TiO₂ (320) Interface Using Optical Second Harmonic Generation

Sch. of Materials Sci., Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.^A, Sch. of Electronics and Computer Sci., Univ. of Southampton^B

Haque MD Ehasanul^A, Daiki Kobayshi^A, Yuki Tomatsu^A, Khuat Thi Thu Hien^A, Goro Mizutani^A, and Harvey N. Rutt^B

走査トンネル顕微鏡によるMn/Fe超薄膜ヘテロ構造表面のバイアス電圧依存構造変化

東大物性研

中島脩平, 宮町俊生, 小森文夫

光電子･共鳴Auger電子回折によるPt/Ni/Pt(111)表面の原子構造解析

奈良先端大, 東北大院工^A

太田紘志, 轟直人^A, 松井文彦

In/Si(111)√7×√3-hex表面の電子構造

京大院理

寺川成海, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也

単原子層超伝導体Si(111)-√3×√3-(Tl, Pb)における非BCS的超伝導の観測

東大理, ハンブルグ大^A, IACP FEB RAS^B, FEFU^C, VSUES^D, 東大物性研^E

中村友謙, Kim Howon^A, 一ノ倉聖, 高山あかり, 秋山了太, A. V. Zotov^{B, C, D}, A. A. Saranin^{B, C}, 長谷川幸雄^E, 長谷川修司

ルブレン/HOPGにおける非占有準位のナノスケール・マッピング

阪大院理

蘭堅斗, 木下真梨子, 渡辺悠, 上羽貴大, 山田剛司, 加藤浩之, 宗像利明

Si(111)√3×√3-B 表面上Ag(111)超薄膜のImage Potential Stateの測定

東工大理^A, 東工大総理工^B

菅原喜周^A, 長瀬謙太郎^B, 山崎詩郎^{A, B}, 中辻寛^B, 平山博之^{A, B}

プルシアンブルー類似体の鉄酸化状態に依存した局所電気伝導度の多探針法計測 II

山梨大工

眞野紘輔, 竹内嵩裕, 源拓洋, 白木一郎

取　　消

非破壊多探針電気伝導測定のための液体金属コート探針の開発

東大物性研

深澤守, 宮原亮介, 吉本真也, 向井孝三, ^◯吉信淳

in situ独立4探針STMを用いたSrTiO₃表面への水素照射の影響評価

東大理, KEK物構研^A, 東大物性研^B

武内康範, 秋山了太, 保原麗, 一ノ倉聖, 湯川龍^A, 松田巌^B, 長谷川修司

Bi/Ge(111)-√3×√3R30°のエネルギー可変2光子光電子分光

佐賀大院理工, 佐賀大シンクロ^A

松石紘太朗, 今村真幸^A, 山本勇^A, 東純平^A, 高橋和敏^A

全電子収量法による絶縁体表面の帯電の研究

九州シンクロトロン光研究セ, 産総研^A

小林英一, 阪東恭子^A, 岡島敏浩

Pd(100)超薄膜のd電子量子井戸状態の観測

慶大理工, 広大放射光^A

櫻木俊輔, 田辺秀崇, Eike F. Schwier^A, 島田賢也^A, 佐藤徹哉

遷移金属超薄膜の成長と磁化過程の観測に関する研究

東大物性研^A, NHK放送技研^B

河村紀一^{A, B}, 小森文夫^A

17日 D41会場　17pD41　13:30〜17:00

領域9
表面界面構造

水素終端Si(111)-(1×1)表面におけるFe原子の吸着構造と電子状態のSTMによる評価

東北大院理

川口諒, 江口豊明, 須藤彰三

水素終端Si(111)-(1×1)表面におけるAg島状成長過程の運動学的制御

東北大院理, 日本電子^A, ポーランド科学アカデミー^B, ポズナン工大^C

姜正敏, 江口豊明, 川本絵里奈, 松下ステファン悠, 芳賀健也, 金川詩野, 加藤大樹^A, Andrzej Wawro^B, Ryszard Czajka^C, 須藤彰三

Si(111) √3×√3-Ag表面に対する菊池パターンの強度計算

横浜市大

萩原裕人, 戸坂亜希, 重田諭吉

第一原理計算によるシリセン上の原子吸着の研究

鳥取大院工

土橋一毅, 石井晃

STMトポ像からのSrVO₃表面における原子欠損空間分布の推定

東大院総合文化

観山正道, 福島孝治

γ-Li₃PO₄/Au(111)界面近傍におけるLiイオン分布の解析

東大工, 東大物性研^A

清水康司, Wei Liu, 笠松秀輔^A, 南谷英美, 渡邉聡

休憩　（15:00〜15:15)

Si酸化基板上のAg/Ti及びAu/Ti薄膜の脱濡れ過程

東大生研, 韓国光云大^A

神子公男, 金素望^A, 鄭映錫^A, 具湘謨^A, 光田好孝, 河在根^A

温度勾配下で形成したC₈-BTBT薄膜表面の分子配向解析

立命館大理工

綿貫秀峻, 光原圭, 滝沢優, 飯塚尚輝, 藤枝一郎

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)による方位角プロットをもちいた構造解析II

高エネ機構, 原子力機構先端基礎^A, 量子機構^B

望月出海, 深谷有喜^A, 和田健^B, 一宮彪彦, 兵頭俊夫

全反射高速陽電子回折法によるSiC上のLiインターカレーション2層グラフェンの構造解析

東大理, KEK物構研^A, 原子力機構先端基礎研^B

遠藤由大, 望月出海^A, 深谷有喜^B, 高山あかり, 兵頭俊夫^A, 長谷川修司

X線CTR散乱プロファイル同時測定によるメタノール電気化学的酸化におけるPt(111)電極表面構造変化のその場追跡

産総研, JSTさきがけ^A, 物材機構^B, 東京学芸大^C, 高エ研^D

白澤徹郎^{, A}, 増田卓也^B, Voegeli Wolfgang^C, 荒川悦雄^C, 高橋敏男^C, 魚崎浩平^B, 松下正^D

Si(001)基板上のβ-FeSi₂(100)ナノカーペットの面内XRD測定による歪み評価

奈良先端大物質創成, 阪大産研^A

竹本昌平, 中尾公輝, 西田翔太, 楊昊宇, 染田政明, 服部賢, 大門寛, 服部梓^A, 田中秀和^A

β-FeSi₂(100)ナノカーペットのDFT計算による歪み評価

奈良先端大物質創成, チェコ科学アカデミー^A

服部賢, 染田政明, 広田望, 太田啓介, 竹本昌平, 楊昊宇, 大門寛, Oleksandr Romanyuk^A

17日 D42会場　17pD42　13:30〜16:45

領域9
表面界面電子物性

^●1

（招待講演）Nanoscale Materials for Energy Conversion Applications

Stanford University

Stacey F. Bent

^●2

Observation of surface state of extreme magnetoresistance material YSb

Grad. Sch. Sci., Hiroshima Univ., HiSOR^A, ISSP^B

Jiahua Chen, Mingtian Zheng, Kazuki Sumida, Kazuaki Taguchi, Tomoki Yoshikawa, Munisa Nurmamat, Shilong Wu^A, Eike F. Schwier^A, Kenya Shimada^A, Koji Miyamoto, Taichi Okuda, Yukiaki Ishida^B, Shik Shin^B, Akio Kimura

レーザースピン分解 ARPES を用いたSr₂RuO₄表面状態のスピン軌道結合の観測

東大物性研, 岩手大院理工^A, 京大院理^B

明比俊太朗, 黒田健太, 中山充大, 矢治光一郎, 原沢あゆみ, 谷口晴香^{A, B}, 前野悦輝^B, 小森文夫, 近藤猛, 辛埴

レーザースピン分解ARPESにおける光電子のスピン偏極：トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃

東大物性研, お茶の水大理^A

黒田健太, 矢治光一郎, 野口亮, 小林功佳^A, 原沢あゆみ, 石田行章, 近藤猛, 小森文夫, 辛埴

休憩　（15:00〜15:15)

Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態

東工大総理工, 東工大物質理工^A, 東工大理^B, 高エネ研^C, あいちSR^D

藤原翼, 下川裕理^A, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎^B, 間瀬一彦^C, 渡辺義夫^D, 仲武昌史^D, 中辻寛^A, 平山博之^B

Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II)

東工大総理工, 東工大理^A

長瀬謙太郎, 渡辺成栄, 山崎詩郎^A, 合田義弘, 中辻寛, 平山博之^A

STM・ARPESによる(Pb,Bi)/Si(111)の構造および電子状態

東大理, Inst. of Automation and Control Processes FEB RAS^A, Sch. of Natural Sciences, Far Eastern Federal Univ.^B, Dept. of Electronics, Vladivostok State Univ. of Economics and Service^C

高山あかり, 中村友謙, A. Y. Tupchaya^{A, B}, L. V. Bondarenko^{A, B}, D. V. Gruznev^{A, B}, A. V. Zotov^{A, B, C}, A. A. Saranin^{A, B}, 長谷川修司

レーザースピン分解光電子分光によるPb/Ge(111)のスピン偏極表面電子状態と光電子スピンの研究

東大物性研, お茶の水大理^A

矢治光一郎, 黒田健太, 原沢あゆみ, 小林功佳^A, 小森文夫, 辛埴

グラフェン上Bi(110)超薄膜の角度分解2光子光電子分光

佐賀大SLセ

高橋和敏, 今村真幸, 豊福一仁, 山下陽平, 山本勇, 東純平

表面光励起スピン流の制御：グラフェンで修飾されたIr(111)表面の二光子光電子分光

東大新領域, MANA-NIMS^A

中澤武夫, 高木紀明, 川合眞紀, 荒船竜一^A

18日 D41会場　18aD41　9:00〜11:15

領域9
表面界面構造，表面ナノ構造量子物性

第一原理計算によるカルコパイライト磁性半導体薄膜の熱電物性

筑波大数物, 物材機構MANA^B, 物材機構RCSM^C, NEC^D

高木博和, 小林一昭^B, 下野昌人^C, 小林伸彦, 広瀬賢二^D, 辻井直人^B, 森孝雄^B

TDDFTによるナノ表面からの二次電子放出(2)

東理大理

上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之

二元結晶表面に対するRHEED波動場

大同大工, 名大院工^A, 名工大^B, 東北大多元研^C

堀尾吉已, 柚原淳司^A, 安部功二^B, 高桑雄二^C

^●4

First Principles-based Studies of PdRuM (M=Rh, Ir, Ni, Ag) Ternary Metal Alloy Surfaces: Surface Segregation and Stability

Nat’l. Inst. of Tech., Akashi College, Osaka Univ.^A, Univ. of Tokyo^B

Aspera Susan Meñez, Arevalo Ryan Lacdao, Nakanishi Hiroshi, Kasai Hideaki^{A, B}

Cu(001)面上の六方構造単原子鉄窒化膜：Cu(001)下地との整合性

東大物性研

山田正理, 家永紘一郎, 高橋文雄, 宮町俊生, 小森文夫

Cu(111)面上の窒化鉄単原子層膜の構造と組成

東大物性研

服部卓磨, 飯盛拓嗣, 宮町俊生, 小森文夫

休憩　（10:30〜10:45)

Cu(110)およびCu(001)表面上のNOの非弾性トンネル分光測定

東大新領域^A, 京大院理^B, DIPC^C, CFM/MPC^D, IKERBASQUE^E

塩足亮隼^{A, B}, 奥山弘^B, 八田振一郎^B, 有賀哲也^B, Alducin Maite^{C, D}, Frederiksen Thomas^{C, E}

金(111)面における多環芳香族炭化水素の生成および構造と臭素吸着

東京農工大工, 千葉大工^A, KEK-PF^B

遠藤理, 中村将志^A, 雨宮健太^B, 尾崎弘行

18日 D42会場　18aD42　9:45〜12:35

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面

トポロジカル絶縁体/磁性絶縁体超薄膜ヘテロ接合 I：結晶構造と電子状態

東工大理, ロシアトムスク大^A, 産総研^B, 広大理HiSOR^C, 分子研UVSOR^D, スペインDIPC^E

奥山裕磨, S. V. Eremeev^A, 白澤徹郎^B, 杉山裕弥, 角田一樹^C, 宮本幸治^C, 奥田太一^C, 出田真一郎^D, 田中清尚^D, E. V. Chulkov^E, 平原徹

トポロジカル絶縁体/磁性絶縁体超薄膜ヘテロ接合II：磁化特性

東大理, 東工大理^A, 分子研UVSOR^B, ロシアトムスク大^C, スペインDIPC^D

中西亮介, 秋山了太, 奥山裕磨^A, 高木康多^B, S. V. Eremeev^C, E. V. Chulkov^D, 横山利彦^B, 長谷川修司, 平原徹^A

トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃表面における非平衡キャリアダイナミクス

広島大院理, 東大物性研^A, ノヴォシビルスク大^B

吉川智己, 角田一樹, 石田行章^A, 陳家華, M. Nurmamat, K. Kokh^B, O. Tereshchenko^B, 辛埴^A, 木村昭夫

Bi_1-xSb_x表面状態の解析解

電通大基盤理工, 東京理科大^A

伏屋雄紀, 福山秀敏^A

近藤絶縁体SmB₆(111)の角度分解光電子分光

阪大院理^A, 阪大生命^B, UVSOR^C, 茨城大理^D

萩原健太^A, 大坪嘉之^{B, A}, 岸潤一郎^A, 竹野祐輔^A, 山下雄紀^A, 出田真一郎^C, 田中清尚^C, 伊賀文俊^D, 木村真一^{B, A}

Gray As(111)におけるラシュバ効果の解析

兵庫県立大院物質理

藤原聖基, 島信幸, 馬越健次, 坂井徹

休憩　（11:15〜11:30)

領域9　日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

（若手奨励賞）領域9若手奨励賞選考報告および授賞式

東大院工

渡邉聡

（若手奨励賞）半導体表面に作製した特異な擬３次元及び擬１次元電子状態の研究

阪大院生命／理

大坪嘉之

（若手奨励賞）表面におけるスピン及びフォノン由来の多体効果に関する理論的研究

東大院工

南谷英美

18日 C21会場　18pC21　13:45〜16:15

領域7（9番目のみ領域9と合同）
モット転移・強相関

κ型ET塩に対する電気二重層を用いたキャリアドーピングV

理研^A, 理研AICS^B, 早大先進^C, 名大院工^D, 理研CEMS^E, 分子研^F

川椙義高^A, 関和弘^{A, B}, 枝川祐介^C, 佐藤慶明^A, 蒲江^C, 竹延大志^{C, D}, 柚木清司^{A, B, E}, 山本浩史^F, 加藤礼三^A

分子性導体κ型ET塩を用いたMott-FETにおける非指数関数的緩和

理研^A, 分子研^B

佐藤慶明^A, 川椙義高^A, 山本浩史^{A, B}, 加藤礼三^A

無機基板上のκ型ET塩FETにおける歪み印加電子状態制御

分子研^A, JST-ERATO^B, 理研^C

川口玄太^{A, B}, 須田理行^{A, B, C}, 山本浩史^{A, B, C}

κ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Iにおける圧力下¹³C NMR測定

北大理, 北大院理^A

鈴田耀大, 小林拓矢^A, 井原慶彦^A, 河本充司^A

ダイマーモット系の金属－絶縁体転移近傍における電荷・磁気ゆらぎ

東北大理, 千葉工大^A

佐藤直道, 渡邉努^A, 中惇, 石原純夫

休憩　（15:00〜15:15)

真性モット絶縁体β-(BEDT-TTF)TaF₆の低温構造

東工大物質理工, 東工大院理工^A, 物構研^B

川本正, 倉田浩平^A, 森健彦, 熊井玲児^B

Me₄As[Pt(dmit)₂]₂の低温残留励起

理研

藤山茂樹, 加藤礼三

高圧力下におけるTCNQ架橋平面型Cu(II)二核錯体の電気伝導率

福岡大理

匠正治, 平田健三朗, 池田成人, 永田潔文, 川田知, 石川立太, 上野隼也

The Surface Electronic Structure of Hybrid Organo-Lead Bromide Perovskite Single Crystals

Univ. of Nebraska-Lincoln, Southeast Univ.^A, Indiana Univ.^B, 広大放射光セ^C, 広大院理^D, King Abdullah Univ. of Sci. and Tehc.^E

Takashi Komesu, Xin Huang^A, Tula R. Paudel, Yaroslav B. Losovyj^B, Xin Zhang, Eike F. Schwier^C, Yohei Kojima^D, Mingtian Zheng^D, Hideaki Iwasawa^C, Kenya Shimada^C, Makhsud I. Saidaminov^E, Dong Shi^E, Ahmed L. Abdelhady^E, Osman M. Bakr^E, Shuai Dong^A, Evgeny Y. Tsymbal, and Peter A. Dowben

18日 D41会場　18pD41　13:45〜16:30

領域9，領域3合同
表面界面磁性

電界による界面垂直磁気異方性及びg因子の変調

京大化研, 東大工^A

水野隼翔, 森山貴広, 河口真志, 田中健勝, 小山知弘^A, 千葉大地^A, 小野輝男

Fe/MgO界面磁気異方性に対する超薄膜挿入の効果

三重大院工

野村昂宏, 秋山亨, 伊藤智徳, 中村浩次

遍歴強磁性体SrRuO₃における強磁性転移の酸素同位体効果

産総研^A, 茨城大理^B, 近畿大理工^C

川中浩史^A, 相浦義弘^A, 長谷部敬之^B, 横山淳^B, 増井孝彦^C, 西原美一^B, 柳澤孝^A

Ga添加型Nd-Fe-Bの第一原理的研究

東大院理 ESICMM^A, 東大物性研^B, 東工大物質理工^C

立津慶幸^A, 常行真司^{A, B}, 合田義弘^{A, C}

スピン模型による局所磁化反転時におけるエネルギー障壁の外場依存性

物材機構^A, 東大理^B, 東大物性研^C, 産総研^D, 東北大工^E, ESICMM^F

栂裕太^{A, F}, 土居抄太郎^{C, F}, 松本宗久^{C, F}, 宮下精二^{B, F}, 赤井久純^{C, F}, 三宅隆^{D, F}, 佐久間昭正^E

休憩　（15:00〜15:15)

第一原理計算によるネオジム磁石の結晶粒界相のシミュレーション

東工大物質理工

寺澤麻子, 合田義弘

第一原理計算によるFe/BiFeO₃(001)ヘテロ界面の電子状態の解明

東工大物質理工

藤田一大, 合田義弘

ナノ構造化した窒化鉄単原子層の電子・磁気状態

東大物性研, 分子研^A, 総研大^B, マックスプランク微細構造物理学研^C

宮町俊生, 高橋文雄, 中島脩平, 高木康多^{A, B}, 魚住まどか^{A, B}, Victor Antonov^C, Arthur Ernst^C, 横山利彦^{A, B}, 小森文夫

鉄窒化物原子層膜における層数に依存した電子・磁気構造

東大物性研, 分子研^A, 総研大^B, MPI Halle^C

高橋文雄, 宮町俊生, 中島脩平, 高木康多^{A, B}, 魚住まどか^{A, B}, 横山利彦^{A, B}, Antonov Victor^C, Ernst Arthur^C, 小森文夫

Vanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine (VOTTDPz)分子の金表面吸着で観察される近藤効果

東北大理, 東北大多元研^A, 名大理^B

Hou Jie, Yu Wang, ^◯高岡毅^A, 米田忠弘^A, 阿波賀邦夫^B

18日 D42会場　18pD42　13:30〜16:50

領域9，領域4，領域7合同シンポジウム
主題：新しい単元素二次元層状物質の創製とその物性

（シンポジウム講演）はじめに

東大物性研ナノスケール物性研究部門

吉本真也

（シンポジウム講演）IV族系二次元物質の理論的研究

名大未来研

白石賢二

（シンポジウム講演）フォスフォレン研究に向けた黒リン単結晶の開発

東工大フロンティア研

笹川崇男

（シンポジウム講演）単元素二次元材料の形成と評価：シリセンを越えて

北陸先端大マテ

高村（山田）由起子

休憩　（15:05〜15:20)

（シンポジウム講演）全反射高速陽電子回折による金属基板上のゲルマネンの構造決定

原子力機構先端基礎研

深谷有喜

（シンポジウム講演）スタネンの創製と構造解析

名大工

柚原淳司

（シンポジウム講演）金属ホウ素単原子層

東大物性研　LASOR

松田巌

19日 B11会場　19pB11　13:30〜16:45

領域4，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：原子層関連物質における2次元超伝導現象

（シンポジウム講演）はじめに

農工大院工

秋葉圭一郎

（シンポジウム講演）空間反転対称性の破れた低次元物質における電界誘起超伝導

東大工

井手上敏也

（シンポジウム講演）超伝導薄膜におけるスピン輸送測定

阪大理

新見康洋

（シンポジウム講演）グラフェン関連原子層超伝導

東北大AIMR

菅原克明

（シンポジウム講演）NbSe2/NbSe2ファンデルワールス接合におけるジョセフソン電流観測

東大生産研

守谷頼

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）原子層超伝導への理論的アプローチ

京大理

柳瀬陽一

（シンポジウム講演）電気化学エッチングを用いたFeSe薄膜高温超伝導

東北大金研

塩貝純一

（シンポジウム講演）ラシュバ超伝導

東大理

長谷川修司

19日 D41会場　19pD41　13:30〜16:45

領域9
結晶成長，ナノ結晶・クラスタ

鏡像準位バンドのスピンテクスチャーの反転

MANA-NIMS^A, 東大新領域^B, 日大文理^C

荒船竜一^A, 中澤武夫^B, 高木紀明^B, 川合眞紀^B, 石田浩^C

水素終端Si(110)表面のエッチング過程IV：KS方程式による考察

東北大理, 理研^A

川本絵里奈, 松下ステファン悠, 山田太郎^A, 川勝年洋, 須藤彰三

不連続な表面張力によりファセット化したマクロステップの高さプロファイル：DMRG計算とモンテカルロ計算

大阪電通大工

阿久津典子

氷結晶の単位ステップ成長カイネティクスの温度依存性

北大低温研

猪股将弘, 佐崎元, 長嶋剣, 村田憲一郎

Sn₂Nb₂O₇のFZ法による単結晶育成と結晶評価

茨大院理工, 産総研^A, 東工大理^B, 名工大工^C, 東大物性研^D, 茨大理^E

羽賀浩人, 川中浩史^A, 相浦義弘^A, 小澤健一^B, 壬生攻^C, 長谷泉^A, 上床美也^D, 伊賀文敏^E, 西原美一^A

微小重力環境における気相からのアルミナナノ粒子の核生成実験

北大低, ISAS^A

木村勇気, 石塚紳之介, 田中今日子, 竹内伸介^A, 稲富裕光^A

休憩　（15:00〜15:15)

マイクロビームX線回折による脂質分子間化合物球晶の構造研究

広大院総科, 広大院生物圏^A

田口健, 生駒龍一, 戸田昭彦, 本同宏成^A, 上野聡^A, 佐藤清隆^A

グラフェン化学気相成長過程の微視的解析 I.成長機構

東大新領域, 東大理^A

斉木幸一朗, 平良隆信^A, 小幡誠司

氷結晶上における擬似液体層の濡れダイナミクス

北大低温研

村田憲一郎, 佐崎元

保存系での不純物によるステップのバンチング

金沢大IMC

佐藤正英

粉砕による結晶カイラリティ転換における不純物効果 III

立命館大理工, 愛工大自然^A

勝野弘康, 上羽牧夫^A

気相から固相への多段階核生成の分子動力学シミュレーション

北大低温研, 東北大^A, チューリッヒ大^B

田中今日子, 田中秀和^A, Juerg Diemand^B, Raymond Angelil^B

19日 D42会場　19pD42　13:30〜17:15

領域9
表面界面電子物性

室温での有機/磁性金属界面のπ-d結合の重要性：Fe(001)上のフタロシアニン単一分子

千葉大院融合, 三重大工^A

山田豊和, 中村浩次^A

有機単分子層電界効果トランジスタの電気伝導に対する気体曝露の影響

東大物性研

宮原亮介, 吉本真也, 向井孝三, 吉信淳

独立駆動型4探針装置を用いた有機半導体TIPS-BP薄膜の電界効果移動度の異方性測定

東大物性研, 奈良先端大物質創成^A

吉本真也, 高橋功太郎^A, 山田容子^A, 宮原亮介, 向井孝三, 吉信淳

鉛フタロシアニン薄膜の準安定相の2光子光電子分光

阪大院理^A, Jena大^B

河北徳明^A, 山田剛司^A, Matthias Meissner^B, Roman Forker^B, Torsten Fritz^B, 宗像利明^A

Cu(111)上ペンタセンの電子構造解析

東大院総合

梶本尚士, 伊藤佑次朗, 小板谷貴典, 青木優, 増田茂

Si(111)-√3×√3-Ag表面上のオリゴチオフェン薄膜の電子状態

横国大院工, 佐賀大シンクロトロン^A

大野真也, 田中博也, 田中一馬, 高橋和敏^A, 田中正俊

休憩　（15:00〜15:15)

^●7

（招待講演）Revealing Mechanical, Electronic, and Chemical Properties of Molecules by Ultrahigh-resolution Atomic Force Microscopy

NIMS

Shigeki Kawai

In/Si(111)4x1表面の相転移：ヒステリシスの非対称とステップの効果

京大院理

八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也

Si(111)-(√7×√3)-In表面超伝導体上へのCuPc及びF₁₆CuPc吸着による超伝導転移温度変化

筑波大数物, 物材機構^A

角直也, 山田洋一, 佐々木正洋, 吉澤俊介^A, 内橋隆^A

Si(111)-(√7×√3)-In の面内磁場中超伝導特性

物材機構MANA

吉澤俊介, 内橋隆

^●11

Fermi Level Pinning and Surface Resonance States of the Si(110)16x2 surface

奈良先端大

Ang Artoni Kevin Roquero, 江波戸達哉, 武田さくら, 大門寛

Pb超薄膜超伝導に対する磁性不純物の影響と平行磁場印加による超伝導転移温度の上昇

東大理

庭田正人, 枡富龍一, 岡本徹

紫外線励起研磨されたSiC表面の化学状態分析

立命館大理工, 立命館大総研^A

畑彰宏, 光原圭, 滝沢優, 田中武司^A

20日 C43会場　20aC43　9:00〜12:15

領域10（6番目のみ領域9と合同）
格子欠陥・ナノ構造
（表面・界面・転位・面欠陥）

分析電子顕微鏡によるCIS太陽電池の評価

産総研電池技術, 産総研太陽光^A

田口昇, 田中真悟, 石塚尚吾^A

擬BCC構造を有するタンパク質結晶の転位の運動と塑性変形

横市大院生命ナノ, 東北大金研^A, 阪大工^B, JAXA^C, AES^D, 徳島大^E, 横浜創英大^F

鈴木凌, 村田秀信, 小泉晴比古^A, 塚本勝男^B, 荒井康智^C, 福山誠二郎^D, 鈴木良尚^E, 小島謙一^F, 橘勝

回折条件制御によるダイアモンドの三次元トポグラフィ

金沢大医薬保健, 金沢大自然科学^A, 物材機構^B, 島根大理工^C

岡本博之, 高野駿太朗^A, 中野智志^B, 森川公彦^C, 水野薫^C

天然ダイヤモンド結晶中の面欠陥

島根大理工, 金沢大自然科学^A, 物材機構^B, 金沢大医薬保健^C

水野薫, 森川公彦, 高野駿太郎^A, 中野智志^B, 岡本博之^C

モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構

東北大金研, 阪大産研^A

大野裕, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人^A, 竹田精治^A

休憩　（10:15〜10:30)

パラ水素結晶中にドープしたCH₃Fによる水素分子のオルトーパラ変換速度

東工大理

川崎博之, 金森英人

熱測定と中性子回折によるPt/Pd合金ナノ粒子の水素吸蔵/放出過程の研究

東大物性研^A, 京大院理^B, KEK物構研^C, J-PARCセ^D, JST-ACCEL^E

秋葉宙^{A, E}, 小林浩和^{B, E}, 北川宏^{B, E}, 池田一貴^{C, D}, 大友季哉^{C, D}, 山室修^{A, E}

750keV H-ビームで照射した銅、およびタングステンの照射損傷ブリスタリングの比較

高エ研

栗原俊一, 小林仁, 高木昭

WB-STEMと3D-APを組み合わせた格子欠陥への溶質原子析出挙動の三次元定量解析

東北大金研, 東北大工（院生）^A, SCK･CEN^B, Tractebel Engie^C

吉田健太, 下平昌樹^A, 外山健, 海老澤直樹, 戸村恵子, 井上耕治, M. Konstantinovic^B, R. Gerard^C, 永井康介

タングステンブロンズ微粒子中の酸素欠陥と光学特性

住友金属鉱山, 大口電子^A

町田佳輔, 岡田美香^A, 長南武^A, 足立健治

アモルファスSbナノ粒子の結晶化における核生成過程のダイナミック高分解能TEM観察

阪大電顕C

保田英洋

合金ナノ粒子における電子照射誘起規則化過程の1/400秒スケール観察

阪大UHVEM

佐藤和久, 保田英洋

20日 D41会場　20aD41　9:00〜12:45

領域9
表面界面ダイナミクス，水素ダイナミクス

表面修飾Pt(111)基板上の強誘電結晶氷薄膜の形成

京大院理

相賀則宏, 大槻友志, 杉本敏樹, 渡邊一也, 松本吉泰

非弾性トンネル分光における物理吸着水素分子の回転励起メカニズムと回転エネルギーシフトの起源

京大院理, JSTさきがけ^A, 北大院工^B, 東大生研^C

杉本敏樹^A, 國貞雄二^B, 福谷克之^C

Cu(111)表面におけるNOと水分子の反応

京大院理

越田裕之, 奥山弘, 八田振一郎, 有賀哲也

低温STMによるCu(997)清浄表面におけるCO₂の解離吸着の研究

東大物性研, 東大院総合文化^A

芳倉佑樹, 小板谷貴典^A, 塩澤佑一朗, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳

^●5

Energy Transfer Dynamics of Desorbed CO₂ in Formate Decomposition on Cu(111)

Osaka Univ., Nat’l. Inst. for Material Sci.^A

Fahdzi Muttaqien, H. Oshima, Y. Hamamoto, K. Inagaki, I. Hamada^A, Y. Morikawa

^●6

How do Ru and Ni surfaces catalyze the steam reforming of methane?

Nat’l. Inst. of Tech., Akashi College^A, Grad. Sch. of Eng., Univ. of Fukui^B, Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo^C, Center for Int’l. Affair, Osaka Univ.^D

Arevalo Ryan^A, Aspera Susan^A, Escano Mary Clare^B, Nakanishi Hiroshi^A, Kasai Hideaki^{C, D}

Cu(410)およびAg(111)表面におけるSi超構造と塩化メチルの反応性

阪大院理

武安光太郎, 岡田美智雄

休憩　（10:45〜11:00)

赤外吸収による水素終端Si(110)-(1×1)表面のH-Si伸縮振動モードの解析

東北大院理, 東大物性研^A

河野純子, 川本絵里奈, 吉信淳^A, ^◯須藤彰三

二酸化チタンの表面光起電力から探る空間電荷層内での光励起キャリアのダイナミクス

東工大理, 東大物性研^A, 高エ研^B, 上智大物理^C, 総研大^D

小澤健一, 山本達^A, 湯川龍^{A, B}, Liu Roya^A, 江森万里^C, 井上剛貴^C, 樋口拓^C, 坂間弘^C, 間瀬一彦^{B, D}, 松田巌^A

第一原理分子動力学法によるSiC(0001)面上のグラフェン成長初期過程の解析

東大院工, Univ. of Strasbourg-CNRS UMR 7504^A

井本文裕, 岩田潤一, Mauro Boero^A, 押山淳

分子間共鳴エネルギー移動の実空間計測

理研^A, 東大新領域^B

今田裕^A, 三輪邦之^A, 今井みやび^{A, B}, 河原祥太^{A, B}, 木村謙介^{A, B}, 金有洙^A

VO₂のピコ秒時間分解能STM発光分光

トゥール大, 東北大^A, 産総研^B

坂井穣, 片野諭^A, 桑原正史^B, ^◯上原洋一^A

Nbナノコンタクトへの低温での水素吸蔵と共鳴トンネル現象の観測

九州大院工, 東工大理^A, 金沢大教育^B, 九州大院総理工^C

高田弘樹, 家永紘一郎^A, モハメドサイフルイスラム, 稲垣祐次, 辻井宏之^B, 橋爪健一^C, 河江達也

ナフィオン(Nafion^®) 117及びスルホン化ポリエーテルエーテルケトン(SPEEK)におけるプロトンダイナミクス・形態学的効果

FCI-UKM^A, 阪大工^B, 阪大CAMT^C, 阪大JWRI^D, FST-UKM^E, FEBE-UKM^F, 東大生研^G, 明石高専^H

Leong Jun Xing^{A, B}, ^◯Diño Wilson Agerico^{B, C, D}, Ahmad Azizan^{A, E}, Daud Wan Ramli Wan^{A, F}, 笠井秀明^{B, G, H}

20日 D42会場　20aD42　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性

^●1

Investigation of core level quasiparticles in epitaxial silicene by density functional theory

東大物性研^A, 北陸先端大^B

Chi-Cheng Lee^A, 吉信淳^A, 向井孝三^A, 吉本真也^A, 上田博昭^A, Antoine Fleurence^B, 高村由起子^B, 尾崎泰助^A

アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態

名大未来研^A, 名大高等研^B, 名大院工^C, CREST-JST^D

洗平昌晃^{A, B, C, D}, 黒澤昌志^{A, B, C}, 大田晃生^{B, C}, 白石賢二^{A, C}

量子井戸構造におけるブロッホ電子の量子化機構

奈良先端大, 産総研^A, 電通大^B, 学芸大^C, 琉球大^D

武田さくら, 白澤徹郎^A, 坂田智祐^B, Artoni, K. R. Ang, 高橋敏男^C, 大門寛, 稲岡毅^D

Coナノ構造におけるスピン偏極ポテンシャル障壁による量子閉じ込め効果

東北大多元研

岡博文, 米田忠弘

MoS₂の構造変化と電子状態の第一原理計算

千葉大融合

山田哲史, Krueger Peter

二成分密度汎関数法によるルチル型TiO₂表面の陽電子状態の研究

東理大理, 立教大理^A

萩原聡, 山下貴志, 立花隆行^A, 長嶋泰之, 渡辺一之

休憩　（10:30〜10:45)

^●7

RhをドープしたSrTiO₃光触媒の浅いアクセプター準位の起源

東北大AIMR, 東大物性研^A

康利静, 赤木和人, Mikk Lippmaa^A

K吸着したAnatase-TiO₂ (001)表面の電子構造

KEK-PF^A, 東北大院理^B

湯川龍^A, 簑原誠人^A, 三橋太一^{A, B}, 北村未歩^A, 小林正起^A, 堀場弘司^A, 組頭広志^{A, B}，志賀大亮^B

Fe₃O₄(111)表面の電子状態制御

東大生産研

浅川寛太, 長塚直樹, 福谷克之

超伝導近接効果による表面およびステップでの電気伝導度測定

東大物性研

長谷川幸雄, Howon Kim, 宮田佳典

パラジウムの水素吸蔵とその電気伝導特性

東大生研

小澤孝拓, 大野哲, 小倉正平, 福谷克之

^●12

Factors Affecting and Processes Related to Adsorption of CO, COH and HCO on CuPd surfaces: A Density Functional Theory Investigation

Univ. of the Philippines Los Baños, Univ. of the Philippines Diliman^A, Osaka Univ.^B, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi^C, Univ. of Tokyo^D

Allan Abraham Padama, Anna Patricia Cristobal, Joey Ocon^A, Wilson Agerico Diño ^B, Hiroshi Nakanishi^C, Hideaki Kasai^{B, C, D}

^●13

First principles study of CO adsorption on Pd₃Au(110)-(1x2) missing row reconstruction surface, revisited

Nat’l Inst. of Technology, Akashi College, Univ. of the Philippines Los Boños^A, Osaka Univ.^B, Univ. of Tokyo^C

Bhume Chantaramolee, Allan Abraham B. Padama^A, Hiroshi Nakanishi^{, B}, Hideaki Kasai^{, C}, Shohei Ogura^C, Katsuyuki Fukutani^C

20日 D41会場　20pD41　13:30〜16:00

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ, 表面局所光学現象

電気伝導度、熱起電力計測に基づくAu原子接点における量子干渉効果の観測

東工大院理, Simon Fraser Univ.^A, The Petroleum Inst.^B, Payame Noor Univ.^C

相場諒, 金子哲, 木口学, Firuz Demir^{A, B}, Alireza Saffarzadeh^{A, C}, George Kirczenow^A

電流電圧特性と表面増強ラマン散乱の同時計測による2置換ベンゼン単分子接合の界面構造の決定

東工大院理工

鈴木翔, 金子哲, 木口学

反芳香族分子を用いた単分子計測

東工大理

藤井慎太郎, ^◯木口学

BNダイマーをドープした半導体型ジグザグカーボンナノチューブにおける電子輸送の第一原理研究

北大工

石川達也, 江上喜幸, 明楽浩史

^●5

大規模第一原理計算によるSi/Geコアシェルナノワイヤの構造と電子状態III

物材機構^A, ロンドン大(UCL)^B

林建波^A, 中田彩子^A, D. R. Bowler^B, 宮崎剛^A

休憩　（14:45〜15:00)

チタンのアブレーションのフェムト秒レーザーダブルパルス照射による抑制

京大院理^A, 京大化研^B

古川雄規^{A, B}, 寺本研介^{A, B}, 森一晃^{A, B}, 中宮義英^B, 井上峻介^{A, B}, 橋田昌樹^{A, B}, 阪部周二^{A, B}

時間分解光第二高調波分光法による酸化チタン表面の長寿命キャリアーの観察

北陸先端大マテリアル, 防衛大^A

水谷五郎, 高橋寛明, 宮内良広^A

絶縁体超薄膜上に吸着した単一分子における三重項励起状態の選択形成

東大新領域^A, 理研SISL^B

木村謙介^{A, B}, 今田裕^B, 三輪邦之^B, 今井みやび^{A, B}, 河原祥太^{A, B}, 川合眞紀^A, 金有洙^B

単一分子からの走査トンネル顕微鏡発光における分子内クーロン相互作用の影響

理研, UC San Diego^A

三輪邦之, 今田裕, 木村謙介, Michael Galperin^A, 金有洙

20日 D42会場　20pD42　13:30〜16:00

領域9
グラフェン・ナノシート

2層グラフェンにおける電子格子散乱の角度分解光電子分光による直接観察

阪大産研, 名大未来研^A, 分子研UVSOR^B

田中慎一郎, 寺澤知潮^A, 楠美智子^A, 出田真一郎^B, 田中清尚^B

6H-SiC(0001)表面上のナノファセットに形成したグラフェンの電子状態について II

東大物性研, 東工大総理工^A, 東工大理学院^B, 九大院工^C, 高エネ研^D

飯盛拓嗣, 中辻寛^A, 宮町俊生, 家永紘一郎^B, 豊久宗玄, 福間洸平^C, 森田康平^C, 林真吾^C, 梶原隆司^C, Anton Visikovsliy^C, 田中悟^C, 間瀬一彦^D, 小森文夫

^●3

STM study of graphene nanoribbon arrays formed on large facets of vicinal SiC(0001)

Kyushu Univ.^A, Univ. of Tokyo^B

Anton Visikovskiy^A, Kohei Fukuma^A, Takashi Kajiwara^A, Fumio Komori^B, Satoru Tanaka^A

グラフェン上の原子吸着における物理吸着状態から化学吸着状態への遷移過程

北大院工エネマテ

國貞雄治, 坂口紀史

グラフェン格子欠陥に担持したPtクラスターのCO被毒耐性の理論的研究

阪大院工

濱本雄治, Sasfan Arman Wella, 稲垣耕司, 森川良忠

休憩　（14:45〜15:00)

Ag(111)薄膜上のシリセンの高分解能ARPES

東北大WPI-AIMR^A, 東北大CSRN^B, 東北大院理^C

菅原克明^{A, B}, 野口英一^C, 佐藤宇史^{B, C}, 高橋隆^{A, B, C}

シリセン/ZrB₂/Si(111)表面へのNO吸着と反応

東大物性研, 北陸先端大^A

向井孝三, 上田博昭, 芳倉佑樹, 宮原亮介, Antoine Fleurence^A, 高村(山田)由起子^A, Chi-Cheng Lee, 尾崎泰助, 吉本真也, 吉信淳

SiC表面及びGraphene/SiC界面におけるSn構造

九大院工, 東大物性研^A

林真吾, 梶原隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛拓嗣^A, 小森文夫^A, 田中悟

Ni箔上に固相反応成長したh-BNのPEEM観察

東北大多元研^A, NTT物性科学基礎研^B

門脇良^A, 丸田茜^A, 虻川匡司^A, 鈴木哲^B

一般社団法人 日本物理学会 第72回年次大会（2017年） The 72nd Annual Meeting

領域別プログラム

領域9

17日 C-PS会場 17aC-PS 10:00〜12:00

領域9領域9ポスターセッション

17日 K-PS会場 17aK-PS 10:00〜12:00

領域9領域9ポスターセッション

17日 D41会場 17pD41 13:30〜17:00

領域9表面界面構造

休憩 （15:00〜15:15)

17日 D42会場 17pD42 13:30〜16:45

領域9表面界面電子物性

休憩 （15:00〜15:15)

18日 D41会場 18aD41 9:00〜11:15

領域9表面界面構造，表面ナノ構造量子物性

休憩 （10:30〜10:45)

18日 D42会場 18aD42 9:45〜12:35

領域9表面界面電子物性・トポロジカル表面

休憩 （11:15〜11:30)

18日 C21会場 18pC21 13:45〜16:15

領域7（9番目のみ領域9と合同）モット転移・強相関

休憩 （15:00〜15:15)

18日 D41会場 18pD41 13:45〜16:30

領域9，領域3合同表面界面磁性

休憩 （15:00〜15:15)

18日 D42会場 18pD42 13:30〜16:50

領域9，領域4，領域7合同シンポジウム主題：新しい単元素二次元層状物質の創製とその物性

休憩 （15:05〜15:20)

19日 B11会場 19pB11 13:30〜16:45

領域4，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム主題：原子層関連物質における2次元超伝導現象

休憩 （15:15〜15:30)

19日 D41会場 19pD41 13:30〜16:45

領域9結晶成長，ナノ結晶・クラスタ

休憩 （15:00〜15:15)

19日 D42会場 19pD42 13:30〜17:15

領域9表面界面電子物性

休憩 （15:00〜15:15)

20日 C43会場 20aC43 9:00〜12:15

領域10（6番目のみ領域9と合同）格子欠陥・ナノ構造（表面・界面・転位・面欠陥）

休憩 （10:15〜10:30)

20日 D41会場 20aD41 9:00〜12:45

領域9表面界面ダイナミクス，水素ダイナミクス

休憩 （10:45〜11:00)

20日 D42会場 20aD42 9:00〜12:30

領域9表面界面電子物性

休憩 （10:30〜10:45)

20日 D41会場 20pD41 13:30〜16:00

領域9ナノチューブ・ナノワイヤ, 表面局所光学現象

休憩 （14:45〜15:00)

20日 D42会場 20pD42 13:30〜16:00

領域9グラフェン・ナノシート

休憩 （14:45〜15:00)

一般社団法人日本物理学会　第72回年次大会（2017年）
The 72nd Annual Meeting

17日 C-PS会場　17aC-PS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

17日 K-PS会場　17aK-PS　10:00〜12:00

領域9
領域9ポスターセッション

17日 D41会場　17pD41　13:30〜17:00

領域9
表面界面構造

休憩　（15:00〜15:15)

17日 D42会場　17pD42　13:30〜16:45

領域9
表面界面電子物性

休憩　（15:00〜15:15)

18日 D41会場　18aD41　9:00〜11:15

領域9
表面界面構造，表面ナノ構造量子物性

休憩　（10:30〜10:45)

18日 D42会場　18aD42　9:45〜12:35

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面

休憩　（11:15〜11:30)

18日 C21会場　18pC21　13:45〜16:15

領域7（9番目のみ領域9と合同）
モット転移・強相関

休憩　（15:00〜15:15)

18日 D41会場　18pD41　13:45〜16:30

領域9，領域3合同
表面界面磁性

休憩　（15:00〜15:15)

18日 D42会場　18pD42　13:30〜16:50

領域9，領域4，領域7合同シンポジウム
主題：新しい単元素二次元層状物質の創製とその物性

休憩　（15:05〜15:20)

19日 B11会場　19pB11　13:30〜16:45

領域4，領域7，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：原子層関連物質における2次元超伝導現象

休憩　（15:15〜15:30)

19日 D41会場　19pD41　13:30〜16:45

領域9
結晶成長，ナノ結晶・クラスタ

休憩　（15:00〜15:15)

19日 D42会場　19pD42　13:30〜17:15

領域9
表面界面電子物性

休憩　（15:00〜15:15)

20日 C43会場　20aC43　9:00〜12:15

領域10（6番目のみ領域9と合同）
格子欠陥・ナノ構造
（表面・界面・転位・面欠陥）

休憩　（10:15〜10:30)

20日 D41会場　20aD41　9:00〜12:45

領域9
表面界面ダイナミクス，水素ダイナミクス

休憩　（10:45〜11:00)

20日 D42会場　20aD42　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性

休憩　（10:30〜10:45)

20日 D41会場　20pD41　13:30〜16:00

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ, 表面局所光学現象

休憩　（14:45〜15:00)

20日 D42会場　20pD42　13:30〜16:00

領域9
グラフェン・ナノシート

休憩　（14:45〜15:00)