一般社団法人日本物理学会第71回年次大会（2016年）The 71th Annual Meeting

領域別プログラム

領域9

19日 AJ会場　19aAJ　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面

ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証II

東工大理, 東大理^A, 分子研UVSOR^B, お茶大理^C

平原徹, 白井皓寅^A, 羽尻哲也^B, 松波雅治^B, 田中清尚^B, 木村真一^B, 長谷川修司^A, 小林功佳^C

偏光可変レーザースピン分解光電子分光によるBi(111)表面電子状態の研究

東大物性研, 東理大総合研^A, 中国科学院^B, お茶の水大理^C

矢治光一郎, 黒田健太, 豊久宗玄, 中山充大, 石田行章, 原沢あゆみ, 渡部俊太郎^A, Chuangtian Chen^B, 小林功佳^C, 辛埴, 小森文夫

Si(111)√3×√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の電子状態II

東工大総理工, KEK-PF^A, あいちSR^B, 名大SRセ^C, 名大院工^D

宍倉一輝, 吉池雄作, 鈴木順也, 山崎詩郎, 間瀬一彦^A, 渡辺義夫^B, 仲武昌史^B, 伊藤孝寛^{C, D}, 中辻寛, 平山博之

高分解能 ARPES による遷移金属ダイカルコゲナイド 1T-TaS₂上の Bi 超薄膜の電子構造

東北大院理^A, 東北大WPI^B, 埼玉大理工^C

山田敬子^A, Chi Trang^A, 相馬清吾^B, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 上野啓司^C, 高橋隆^{A, B}

Au(111)上に蒸着したBiの構造と電子状態

東大新領域, 物材機構MANA^A

川上直也, 林俊良, 川合眞紀, 荒船竜一^A, 高木紀明

Sb薄膜におけるエッジ構造のスピン分解ARPES

東大理, 東北大院理^A, 東北大WPI^B, 阪大産研^C

高山あかり, 佐藤宇史^A, 相馬清吾^B, 小口多美夫^C, 高橋隆^{A, B}

休憩　（10:30〜10:45)

直鎖アルカン分子が吸着したAu(111)の電子状態の観測

東理大理工, 東大物性研^A, 東工大院理工^B, 高エネ研PF^C, 総研大^D

古池晴信, 水島啓貴, 石田行章^A, 鈴木雄太, 小澤健一^B, 間瀬一彦^{C, D}, 辛埴^A, 金井要

高分解2光子光電子分光によるGraphene/Ir(111)の鏡像状態の観察

東大院新領域, 物材機構MANA^A

中澤武夫, 荒船竜一^A, 高木紀明, 川合真紀

W(110)のディラック型表面状態の円偏光誘起されたスピン偏極度

広大放射セ^A, ミュンスター大^B, 広大院理^C, ルター大^D

宮本幸治^A, 奥田太一^A, Henry Wortelen^C, 木村昭夫^B, Juergen Henk^D, Markus Donath^C

レーザースピン分解光電子分光で開拓する光電子スピン制御

東大物性研, 東理大総合研^A, 中国科学院^B

黒田健太, 矢治光一郎, 中山充大, 豊久宗玄, 原沢あゆみ, 渡部俊太郎^A, C.-T. Chen^B, 石田行章, 近藤猛, 小森文夫, 辛埴

Si(111)基板上におけるBi₂Te₃超薄膜の成長と電子状態

京大院理

八田振一郎, 大林嵩, 奥山弘, 有賀哲也

原子ステップをもつトポロジカル絶縁体のin situ輸送特性観測

東大理

福居直哉, 保原麗, 高山あかり, 秋山了太, 長谷川修司

アルカリ土類金属カルコゲナイド表面上のIV-VI単原子層

お茶の水大理

小林功佳

19日 AR会場　19aAR　9:00〜12:30

領域9
表面界面構造

β-FeSi₂(100)/Si(001)の界面構造

奈良先端大物質創成, 東レリサーチ^A, チェコ科学アカデミー^B

服部賢, 染田政明, 広田望, 太田啓介, 竹本昌平, 大門寛, 久留島康輔^A, 大塚祐二^A, Oleksandr Romanyuk^B

Si(111)-(7×7)表面のAg吸着ポテンシャル II：STM観察

東北大院理, ポツナン工科大^A, 東北大学際研^B

梶田智宏, ^○永田龍太郎, 堀井広幸, 芳賀健也, Jacek Osiecki, Ryszard Czajka^A, 粕谷厚生^B, 須藤彰三

Ag(111)単結晶上に作製した多層シリセンの構造

東大新領域, JSPS特別研究員^A, 東大物性研^B, 東京学芸大^C, MANA-NIMS^D

川原一晃^A, 白澤徹郎^B, 林俊良, 長尾遼, 塚原規志, 高橋敏男^C, 荒船竜一^D, 川合眞紀, 高木紀明

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)によるルチル型チタニア(110)(1×2)表面の構造決定

高エネ機構, 北大触媒セ^A, 原子力機構先端基礎^B

望月出海, 有賀寛子^A, 深谷有喜^B, 和田健, 一宮彪彦, 朝倉清高^A, 兵頭俊夫

多周波数モード原子間力顕微鏡によるGe(001)表面のサブ原子スケール弾性状態の研究

阪大院工

内藤賀公, 李艶君, 菅原康弘

ネオンプラズマ照射されたタングステン表面に形成された微細皺構造

愛工大, 金沢大^A

高村秀一, 上杉喜彦^A

休憩　（10:30〜10:45)

Ge(100)表面における初期酸化過程の安定構造

和歌山大シス工

水越隆大, 小田将人

取　　消

STMによるFe/MgO単原子層/Fe(001)-p(1×1)Oの原子・電子構造解明

千葉大院融合

坂口雄基, 山田豊和

^●10

First principles study of CO adsorption on Pd₃Au(110)-(1×2) missing row reconstruction surface

Osaka Univ., Univ. of the Philipines Los Baños^A, Nat’l. Inst. of Tech.^B, The Univ. of Tokyo^C

Bhume Chantaramolee, Allan Abraham B. Padama^A, Hiroshi Nakanishi^B, Hideaki Kasai ^{B, C}, Shohei Ogura^C, Katsuyuki Fukutani^C

^●11

STM探針操作によるCO分子および複合体を介する伝導と電子状態測定

千葉大院融合

Nana K. M. Nazriq, 山田豊和

金基板上アルカンチオール自己組織化膜における金のエッチピット形成に対するチオール濃度の影響

立命館大理工

小笠洋介, 勝野弘康, 平井豪, 中田俊隆

金(111)面上の直鎖アルカン単分子層の構造と脱水素反応

東京農工大工, 千葉大工^A, KEK-PF^B

遠藤理, 中村将志^A, 雨宮健太^B, 尾崎弘行

19日 AJ会場　19pAJ　15:30〜17:15

領域9
表面界面電子物性

ハーフメタルCrO₂(001)膜表面の金属性

岡山大院自然, 分子研UVSOR^A

藤原弘和, 砂川正典, 寺嶋健成, 永山貴将, 橘高朋子, 尾形誠, 出田真一郎^A, 田中清尚^A, 脇田高徳, 村岡祐治, 横谷尚睦

終端面を制御したSrTiO₃表面における電子状態の観測

東大生研

小川翔平, 長塚直樹, 小倉正平, 福谷克之

アナターゼ型TiO₂(101)表面に見られる複数の欠陥誘起電子状態

東大生研, 阪大院理^A

長塚直樹, 浅川寛太, 武安光太郎^A, 小倉正平, 福谷克之

in situ角度分解光電子分光法によるAnatase-TiO₂(001)表面の2次元電子液体発現機構の解明

KEK-PF^A, 東北大院理^B

湯川龍^A, 簔原誠人^A, 三橋太一^{A, B}, 北村未歩^A, 小林正起^A, 堀場弘司^A, 組頭広志^{A, B}

^●5

Acetylene and ethylene adsorption on pristine and defective anatase TiO₂ (001) surface: insight from DFT-based study

Osaka Univ.

Ganes Shukri, Wilson Agerico Diño, Hideaki Kasai

水素分子のSrTiO₃(001)表面吸着時における回転状態

阪大院工^A, アトミックデザイン研究セ^B

清水康司^A, 中西寛^A, Wilson Agerico Diño^{A, B}

MXene酸化物Ti₂CO₂の原子吸着による金属化に関する第一原理計算

東大工

安藤康伸, 渡邉聡

19日 BE会場　19pBE　13:45〜16:15

領域9（1〜5番目のみ領域3と合同）
表面磁性

ラシュバ型スピン軌道相互作用誘起のFe超薄膜の垂直磁気異方性の変化

東大物性研, 名古屋大工^A, 名古屋大未来材料・システム研^B

山本真吾, 山本航平, 田久保耕, 福田憲吾^A, 大島大輝^B, 加藤剛志^A, 岩田聡^B, 和達大樹, 松田巌

Fe/BaTiO₃における界面酸化物を介した交換結合と電界効果

高エ研

酒巻真粧子, ^○雨宮健太

Ni/Cu(001)薄膜に対する反強磁性NiOを利用した電界効果

高エ研物構研

雨宮健太, 酒巻真粧子

^●4

Electronic structures of Mn-Ge epitaxial ordered thin films with various compositions investigated by X-ray magnetic circular dichroism

IMR, Tohoku Univ., KEK^A, NIMS^B

Jinhyeok Kim, Masaki Mizuguchi, Nobuhito Inami^A, Tetsuro Ueno^B, Kanta Ono^A, and Koki Takanashi

Au(001)上Cr(001)超薄膜の表面磁性と構造－スピンSTMによる観察

大阪教育大

川越毅, 岡亮成

休憩　（15:00〜15:15)

鉄ポルフィリンへの酸素分子吸着における電子スピン依存性

阪大工^A, アトミックデザイン研究セ^B

黒川乃一^A, Susan Meñez Aspera^A, 中西寛^A, and Wilson Agerico Diño^{A, B}

Magnetic properties of cobalt islands on Au(111) studied by spin-polarized scanning tunneling microscopy

Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ.

Puneet Mishra, Zhi Kun Qi, Hirofumi Oka, Tadahiro Komeda

トポロジカル絶縁体及びフェリ磁性体界面におけるスピン・電子状態の研究

東大物性研, Eng., UCLA^A, 東工大理工^B, 阪大産研^C

久保田雄也, 村田晃一^A, 宮脇淳, 小澤健一^B, 山本真吾, Ro-Ya Liu, Baojie Feng, 菅滋正^C, 原田慈久, Kang L. Wang^A, 松田巌

^●9

取　　消

19日 PSA会場　19pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

透過FT-IRによるSi(001)表面上のCO分子の吸着構造と動的挙動の解析

横国大院工, 東大物性研^A

大野真也, 清水正太郎, 田中一馬, 田中正俊, 吉信淳^A

HREELSによるCu(111)表面に吸着したNO分子の研究

京大院理

越田裕之, 八田振一郎, 奥山弘, 有賀哲也

窒素吸着Cu(001)表面における水素化反応の窒素被覆率依存性

東大物性研

服部卓磨, 山田正理, 宮町俊生, 小森文夫

MoS₂(0001)アイランドにおける摩擦の散逸エネルギー

愛教大物理, 電通大先進理工^A

和田範之, 石川誠, 鈴木勝^A, 佐々木成朗^A, ^○三浦浩治

第一原理分子動力学法に基づく有機分子修飾TiO₂における色素増感機構の解明

熊大院自然, NSTDA^A

熊添博之, Manaschai Kunaseth^A, 袴田智哉, 下條冬樹

TDDFTによるナノ表面からの二次電子放出

東理大理

上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之

取　　消

Al-貴金属合金ナノ粒子の気相中酸化による相分離形態

産総研ナノ材料, 産総研製造技術^A

古賀健司, 平澤誠一^A

水クラスターによるH+CO反応の活性化エネルギー変化の第一原理計算

横浜国大院

桑畑和明, 小野頌太, 大野かおる

水素終端Si(111)-(1×1)表面上のAgナノクラスターの成長過程：蒸着速度依存性

東北大院理, 東理大理^A

姜正敏, 川本絵里奈, 松下ステファン悠, 金川詩野, 加藤大樹^A, 須藤彰三

CaC2炭化物（正方相）超微粒子の生成

立命館大理工

墻内千尋, 齋藤嘉夫

磁性多層膜作成のためのパルスレーザー蒸着装置の建設

東理大

富田正樹, 小嗣真人

III-V族半導体ヘテロ界面における界面分極とスピン軌道結合係数の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

坂谷文成, 小鷹浩毅, 石井史之^A

MnBi表面上ナノ構造の第一原理計算

東工大総理工

田中友規, 小林祥希, 合田義弘

超高真空対応・超電導コイル自作による3次元磁界STM装置の開発

千葉大院融合

和気崇, 坂口雄基, 山田豊和

銀表面上における酸素分子の磁気状態に関する理論的研究

北大院工エネマテ

國貞雄治, 坂口紀史

Si(111)√3×√3-B表面におけるBサイト点欠陥効果の第一原理計算

東工大総理工

戸成健, 浜田翔悟, 合田義弘

相対論的第一原理計算によるSi(111)上タリウム鉛合金吸着表面のラシュバ効果の研究

金沢大自然, 金沢大理工^A

中野博斗, 加藤春紀, 小幡正雄, 小田竜樹^A

Pb吸着によるIr(111)表面のスピン電子状態の変化

広大放射光, 広大院理^A

奥田悠貴, 宮本幸治, 角田一樹^A, 田口一暁^A, 吉川智己^A, 奥田太一

3D-Laser-SARPESによるCu(111)表面電子状態スピン構造の吸着による変化

東大物性研, 東理大総合研^A, 中国科学院^B

豊久宗玄, 矢治光一郎, 原沢あゆみ, 黒田健太, 渡部俊太郎^A, C.-T.Chen^B, 飯盛拓嗣, 辛埴, 小森文夫

SrTiO₃薄膜におけるスピン軌道相互作用と電気分極の第一原理計算

金沢大自然, 金沢大数物^A

山口直也, 石井史之^A

銀吸着シリコン表面上のフタロシアニン薄膜の成長と電子状態

横国大院工, 佐賀大シンクロトロン^A

大神田航平, 大野真也, 高橋和敏^A, 田中正俊

鉄フタロシアニン分子における磁気異方性の有効模型による解析

東大工, 東大新領域^A

南谷英美, 高木紀明^A, 渡邉聡

Si(111)-(√7×√3)-In表面上に吸着したフタロシアニン分子のスピン・電子状態

東大院工, 物材機構^A

南谷英美, Saranyan Vijayaraghavan^A, 吉澤俊介^A, 渡邉聡, 中山知信^A, ^○内橋隆^A

金表面のナノすべり摩擦の温度変化

電通大先進理工, 愛教大物理領域^A

小林卓矢, 小山田知弘, 棚原翔平, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠^A, 三浦浩治^A

グラファイト基板ステップ構造におけるナノ滑り摩擦

電通大先進理工, 愛教大物理領域^A

上條将彦, 棚原翔平, 谷口淳子, 鈴木勝, 佐々木成朗, 石川誠^A, 三浦浩治^A

新たな投影型コリメータ式荷電粒子角度分布・エネルギー分析器の開発

奈良先端大物質創成

松井文彦, 西川弘晃, 太田紘志, 大山悦輝, 岸本卓弥, 杉田健治, 嶽大輔, 吉田善紀, 松田博之

STM分光によるグラフェンナノリボンの電子状態観察

千葉大院融合, 九工大生命^A

牧野孝宏, 福田秀人, 田中啓文^A, 山田豊和

^●29

STM and computational study of graphene nanodots formed on SiC(0001)

Kyushu Univ.^A, Univ. of Tokyo^B, Toyota Technological Inst.^C

Anton Visikovskiy^A, Takashi Kajiwara^A, Fumio Komori^B, Masamichi Yoshimura^C, Satoru Tanaka^A

3次元nanoESCAを用いた紫外線照射グラフェンの化学結合状態観察

東理大, NIMS^A, 阪府大^B, 東京大^C

今野隼, 永村直佳^A, 松本守広^B, 野内亮^B, 小嗣真人, 尾嶋正治^C

極低温その場4端子電気伝導測定による2層グラフェンの輸送特性

東大理, 東北大院理^A, 東北大WPI^B

遠藤由大, 一ノ倉聖, 鈴木克郷^A, 菅原克明^B, 秋山了太, 高山あかり, 高橋隆^{A, B}, 長谷川修司

グラフェン/h-BNヘテロ接合におけるバンドギャップおよびI-V特性の理論的解析

成蹊大理工

若井大河, 坂本昇一, 富谷光良

真空下局所CVD法によるナノカーボンシート形成プロセスの評価

情報通信研究機構, 広大先端物質^A

田中秀吉, 富成征弘, 鈴木仁^A

層状グラフェンの電子透過率に関するTDDFTシミュレーション

東理大理

宮内浩成, 上田純裕, 鈴木康光, 渡辺一之

液滴法を用いた単原子層グラフェン作製における超音波の効果

東工大総理工

高木優香, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

シリセンナノリボンのレーザー刺激電子励起と電子放出の第一原理シミュレーション

東理大理

宮内翔太, 鈴木康光, 渡辺一之

^●37

Impurity effects of hydrogen and deuterium in superconducting V nanoconstrictions

Dept. of Applied Quantum Phys., Kyushu Univ.^A, Dept. of Eng. Science, Kyushu Univ.^B, Dept. of Education, Kanazawa Univ.^C

M.S. Islam^A, H. Takata^A, Y. Ueno^A, Y. Inagaki^A, H. Tsujii^C, K. Hashizume^B, T. Kawae^A

絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

名大未来研^A, 名大高等研^B, 名大院工^C

洗平昌晃^{A, B, C}, 黒澤昌志^{A, B, C}, 大田晃生^{B, C}, 白石賢二^{A, C}

トポロジカル絶縁体の電界効果に関する第一原理計算

金沢大数物, 金沢大自然^A

澤端日華瑠, 山口直也^A, 石井史之

光電子回折分光法によるRhドープSrTiO₃光触媒の原子構造解析

奈良先端大物質創成, 東大物性研^A, JASRI/SPring-8^B

嶽太輔, Lippmaa Mikk^A, 松下智裕^B, 太田紘志, 松井文彦

InSb(001)基板上に作製したBi薄膜の1次元的な表面電子状態

阪大理^A, 阪大生命^B

岸潤一郎^A, 大坪嘉之^A, 萩原健太^A, 木村真一^{B, A}

(Bi_xSb_1-x)₂Te₃における量子振動および量子コヒーレント輸送の観測

東大理, 広大理^A, ノヴォシビルスク大^B

秋山了太, 角田一樹^A, 一ノ倉聖, 木村昭夫^A, Konstantin Kokh^B, Oleg Tereshchenko^B, 長谷川修司

取　　消

ナノコンタクトを用いた低温における金属水素化物の生成および物性測定

九大工, 東工大理工^A

梶原裕太, 高田弘樹, 家永紘一郎^A, 稲垣祐次, 河江達也

酸化物半導体・金属界面における光励起キャリアのリアルタイム観察

東大物性研

山本達, 竹内圭織, 松田巌

In吸着Ge(110)表面の表面構造と電子状態

奈良先端大^A, アーヘン工科大^B

江波戸達哉^A, 武田さくら^A, 坂田智裕^B, Artoni Kevin Ang^A, 入江広一郎^A, 米田允俊^A, 大門寛^A

XSTM/STS測定による劈開MIS-Siのゲート電圧印加時におけるバンドシフト評価

奈良先端大物質創成, 阪大産研^A

大畑慧訓, 石原佑理, 加藤直也, 立花和也, 広田望, 服部賢, 大門寛, Wei Tingting^A, 藤原宏平^A, 服部梓^A, 田中秀和^A

散乱・脱離ガス種測定によるFe/SiO₂/p-Si触媒デバイス上の吸着脱離種の同定

奈良先端大物質

川北修平, 広田望, 服部賢, 大門寛

DFT計算によるLaFeO₃(001)面におけるFeO₂終端表面上のNO分子吸着と磁性及び酸素欠陥の効果

阪大工, 京大ESICB

木崎栄年, 森川良忠

導電性高分子PEDOT/PSS膜の走査トンネル顕微鏡観測

九産大工, 東北大金研^A

内田翔悟, 西嵜照和, 阿久根忠博, 本間優太^A, 佐々木孝彦^A

プルシアンブルー類似体の鉄酸化状態に依存した局所電気伝導度の多探針法計測

山梨大工

眞野紘輔, 竹内嵩裕, 坂上僚, 源拓洋, 白木一郎

非破壊型4探針電気伝導測定による有機薄膜のトランジスタ特性の研究

東大物性研

宮原亮介, 深澤守, 向井孝三, 吉本真也, 吉信淳

NaCl絶縁体超薄膜上におけるPTCDA単分子の電子状態

東大新領域, 理研SISL

木村謙介, 今田裕, 今井みやび, 河原祥太, 三輪邦之, 川合眞紀, 金有洙

Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の偶奇性

東工大総理工

長瀬謙太郎, 藤原翼, 鈴木順也, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

SiO_x/Si(001)基板上の貴金属薄膜の脱濡れにおけるTiシード層の効果

東大生研, 韓国光云大^A

神子公男, 河在浩^A, 鄭映錫^A, 具湘謨^A, 光田好孝, 河在根^A

K吸着Pd(110)表面の構造と電子状態：実験と第一原理計算

筑波大物理

東山和幸

ナノ電子ビームを用いたワイゼンベルグRHEED法の開発

東北大多元研

佐野巨樹, 加藤丈晴, 丸田茜, 門脇良, 向島健太, 虻川匡司

二次元光電子分光による，WドープZnO半導体の表面構造解析

NAIST, NIMS^A, JASRI^B

深見駿, 鈴木拓^A, 安達裕^A, 渡邉賢^A, 坂口勲^A, 田口宗孝, 辻川大地, 吉田泰輔, 橋本雄介, 李美希, 室隆桂之^B, 松下智裕^B, 松井文彦, 大門寛

Si(111)√3×√3-B表面のX線構造解析

東工大総理工, JASRI^A

吉池雄作, 田尻寛男^A, 山崎詩郎, 中辻寛, 平山博之

三次元逆格子空間におけるナノ結晶相・配向の探索アルゴリズムの開発II

奈良先端大物質創成

中尾公輝, 神保裕喜, 広田望, 竹本昌平, 石田拓也, 服部賢, 大門寛

光電子回折分光法によるMoSe₂単結晶表面の局所構造解析

奈良先端大物質創成, 岡山大理^A

吉田善紀, 太田紘志, 江口律子^A, 久保園芳博^A, 松井文彦

白金表面上でのCO酸化反応における立体効果

物材機構

植田寛和, 倉橋光紀

移　　動

20日 AJ会場　20pAJ　13:30〜16:45

領域9シンポジウム
主題：分子性薄膜とその表面/界面の物理

（シンポジウム講演）はじめに

京大院理　表面化学研究室

八田振一郎

（シンポジウム講演）エピタキシャル氷薄膜における界面誘起配向秩序

京大院理分子分光学研究室

杉本敏樹

（シンポジウム講演）芳香族炭化水素薄膜の水素化における強い表面構造依存性

北大低温研

羽馬哲也

（シンポジウム講演）放射光を用いた有機薄膜成長の２次元Ｘ線回折その場観察

岩手大工

吉本則之

（シンポジウム講演）有機—無機ハイブリッドナノシートのボトムアップ合成と機能性ナノ材料への応用

東大院理

坂本良太

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）有機単分子膜-シリコン界面における電荷移動と電気伝導特性

東大物性研

吉本真也

（シンポジウム講演）2PPE/STMによる有機分子薄膜の非占有準位計測

阪大院理

山田剛司

（シンポジウム講演）有機分子薄膜のイオン化エネルギーと電子親和力の分子配向依存性：四重極モーメントの影響

千葉大院融合

吉田弘幸

20日 BD会場　20pBD　13:30〜17:00

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ，表面局所光学現象，ナノ結晶・クラスタ，水素ダイナミクス

大規模第一原理計算によるSi/Geコアシェルナノワイヤの構造と電子状態に対する研究

物材機構^A, ロンドン大学（UCL）^B

林建波^A, D. R. Bowler^B, 宮崎剛^A

遷移金属錯体分子における時間に依存した電子輸送特性の第一原理研究

北大工, 北大院工^A, 阪大院工^B

谷口慎, ^○江上喜幸^A, 広瀬喜久治^B

^●3

Atomic structure and electron transport property of copper atomic junctions in the presence of water molecules

Tokyo Tech^A, Simon Fraser Univ.^B, Payame Noor Univ.^C

Yu Li^A, Firuz Demir^B, Satoshi Kaneko^A, Alireza Saffarzadeh^{B, C}, George Kirczenow^B, Manabu Kiguchi^A

金単原子接点における熱起電力の制御

東工大理, 東工大院理工^A

相場諒, 松下龍二^A, 金子哲^A, 木口学^A

長辺水晶振動子力学センサーを取り付けた透過型電子顕微鏡ホルダーの開発

北陸先端大マテ, 金大院自然^A

大島義文, 橋本遼太^A, 石塚慧介, 村上拓^A, 新井豊子^A, 富取正彦

金ナノギャップ接触プロセスにおける形状依存性

北陸先端大マテリアル

石塚慧介, 大島義文

休憩　（15:00〜15:15)

赤外放射光を利用した近接場顕微鏡による局所赤外分光

JASRI/SPring-8^A, 徳島大理^B

池本夕佳^A, 岡村英一^B, 森脇太郎^A, 木下豊彦^A

NaCl単結晶中に生成されたCuClナノ結晶の形状と結晶配向

東京理科大理

井藤拳, 赤津達郎, 宮島顕祐

シリコンクラスター超格子3次元表面のエネルギー損失スペクトル解析

産総研^A, 東工大^B

岩田康嗣^A, 織田望^A, 内田雄幸^A, 松畑洋文^A, 長谷川純^B

シリコンクラスター超格子のEELSスペクトルの第一原理計算

産総研^A, 東工大^B

織田望^A, 岩田康嗣^A, 内田雄幸^A, 松畑洋文^A, 長谷川純^B

水の凝縮核生成の大規模MD計算と核生成率のスケーリング

北大低温研, チューリッヒ大^A

田中今日子, アンジェリルレイモンド^A, 田中秀和, ユルグディアマンド^A

TiO₂(110)表面における水素分子の散乱のオルソ-パラ比への影響

東大生研

中村研貴, 武安光太郎, 小倉正平, 福谷克之

^●13

Anisotropic Potential of Molecularly Chemisorbed H2 on Pd(210)

Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo

Satoshi Ohno, ^○Dmitry Ivanov, Hiroki Kobayashi, Katsuyuki Fukutani

21日 AJ会場　21aAJ　9:00〜12:15

領域9
表面界面ダイナミクス

雰囲気光電子分光法による亜鉛修飾Cu(111)及びCu(997)表面におけるCO₂の活性化の研究

東大物性研

塩澤佑一朗, 小板谷貴典, 山本達, 劉若亞, 竹内圭織, 芳倉佑樹, 向井孝三, 吉本真也, 松田巌, 吉信淳

雰囲気光電子分光法によるZn-Cu(997)表面における二酸化炭素の水素化のオペランド観測

東大物性研

小板谷貴典, 山本達, 塩澤佑一朗, 向井孝三, 吉本真也, 竹内圭織, 松田巌, 吉信淳

Pd₇₀Au₃₀(110)の水素放出に対するCOキャップ効果のTDSシミュレーション

東大生研

小倉正平, 福谷克之

^●4

Nuclear spin species separation of H2 adsorbed in Pd(210) surface

Osaka Univ.^A, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi College^B, Univ. of Tokyo^C

Elvis F. Arguelles, Hiroshi Nakanishi, Hideaki Kasai, Wilson Agerico Dino

^●5

Role of Subsurface Hydrogen in Formate Hydrogenation Flat and Stepped Cu Surfaces

Dept. of Precision Science and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.

Fahdzi Muttaqien, Yuji Hamamoto, Hidetoshi Kizaki, Kouji Inagaki, Yoshitada Morikawa

重水素終端Si(110)—(1×1)表面のフォノン分散：実験と理論

東北大院理, 東理大理^A, 東大工^B

岡田祐太, 川本絵里奈, 胡春平^A, 松下ステファン悠, 山田太郎^B, 渡辺一之^A, 須藤彰三

休憩　（10:30〜10:45)

^●7

Molecular and Dissociative Adsorption of Oxygen on PtAg(001) Alloy Surface

Osaka Univ.

Paulus Himawan, Hiroshi Nakanishi^A, Wilson Agerico Diño^B

LiF表面におけるO₂レインボー散乱の分子配列依存性

物材機構, 筑波大^A

倉橋光紀, 近藤剛弘^A

4H-SiC[11-20]面酸化における初期O₂吸着及びCO/CO₂脱離反応経路の探索

東大工, IPCMS^A

李瀚, 松下雄一郎, Mauro Boero^A, 押山淳

定電圧を印加した表面での吸着子の拡散過程の第一原理計算

京大ESICB^A, 産総研CD-FMat^B

胡春平^A, 大谷実^{A, B}

Na_xFe_0.5Mn_0.5O₂におけるNa⁺イオンの拡散機構

阪大院工, アトミックデザイン研究セ^A

北子雄大, 中西寛, Wilson Agerico Diño^A

軟X線レーザーパルスの集光照射によるアルミニウム表面での損傷構造の形成

原子力機構, 奈良女大^A, 大阪大^B, ロシア科学アカデミー^C

石野雅彦, 錦野将元, 長谷川登, 保智己^A, Anatory Faenov^B, Tatiana Pikuz^B, Igor Skobelev^C, Nail Inogamov^C, 河内哲哉

21日 BE会場　21aBE　9:15〜12:15

領域9
結晶成長・ナノ結晶・クラスタ

薄膜状になったアスコルビン酸溶液からの結晶成長：低湿度環境下でのふるまい・共存パターンについて

早大理工

山崎義弘, 柏瀬早季子

グルコースイソメラーゼの沈殿剤フリー結晶化と結晶構造解析

徳島大院STS, 徳島大疾患酵素セ^A

鈴木良尚, 真板宣夫^A

トリラウリンベータ型多形成長速度の過冷却度依存性

広島大生物圏

本同宏成, 上野聡

脂質分子間化合物融液結晶化における前駆体形成の偏光顕微鏡観察

広大院総科, 広大院生物圏^A

生駒龍一, 田口健, 戸田昭彦, 上野聡^A, 佐藤清隆^A

氷表面に生じる塩酸液滴挙動の水蒸気量依存性

北大低温研

長嶋剣, 佐﨑元, 羽馬哲也, 村田憲一郎, 古川義純

濡れ現象から見た氷の表面融解

北大低温研

村田憲一郎, 麻川明俊, 長嶋剣, 古川義純, 佐崎元

休憩　（10:45〜11:00)

（招待講演）透過電子顕微鏡を用いた溶液からの核生成の“その場”観察

北大低温研

木村勇気

移動速度の異なる粒子供給源での2つの同一周期櫛状パターンの形成機構

金沢IMC, 名大理^A, 名市大システム自然科学^B

佐藤正英, 上羽牧夫^A, 三浦均^B

ステップ・ファセティングの相図II：(001)面のラフニング転移の効果

大阪電通大工

阿久津典子

粉砕による結晶カイラリティ転換における不純物効果

立命館大理工, 名大理^A

勝野弘康, 上羽牧夫^A

21日 AJ会場　21pAJ　13:30〜16:35

領域9
表面界面電子物性

（招待講演）カルコゲナイド超薄膜の表面・界面における新奇な超伝導物性

上海交通大学

劉燦華

表面超伝導体 Si(111)-(√7×√3)-In の磁場中電子輸送測定

物材機構MANA

吉澤俊介, 内橋隆

Pb吸着Si(001)表面の表面共鳴状態とサブバンド

奈良先端大, 東大物性研^A, 東京学芸大^B, 琉球大^C

武田さくら, アルトニケビンアン, 坂田智裕, 白澤徹朗^A, 高橋敏男^B, 大門寛, 稲岡毅^C

Si(001)-2×1表面電子構造に及ぼす歪みの効果II

琉球大理, 奈良先端大^A, 東大物性研^B

稲岡毅, 武田さくら^A, 白澤徹郎^B

^●5

Ag(111)上単層シリセン電子状態の比較

東大新領域^A, 物材機構MANA^B

林俊良^A, 荒船竜一^B, 川合眞紀^A, 高木紀明^A

光電子顕微鏡とマイクロ光電子分光法による二硫化モリブデンの研究

東北大多元研

門脇良, 佐野巨樹, 虻川匡司

休憩　（15:15〜15:30)

領域9 日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

（若手奨励賞）領域９若手奨励賞選考報告および授賞式

東大物性研

吉信淳

（若手奨励賞）表面に吸着した分子のスピン状態の研究

東大新領域

塚原規志

（若手奨励賞）走査プローブ顕微鏡を応用した原子スケールの電気伝導と原子スイッチ

東工大総理工

山崎詩郎

21日 AQ会場　21pAQ　13:30〜17:45

領域10，領域1，領域9，ビーム物理領域合同シンポジウム
陽電子で拓く物性物理の最前線

（シンポジウム講演）はじめに：趣旨説明

東理大理

長嶋泰之

（シンポジウム講演）全反射高速陽電子回折（TRHEPD）による表面構造解析

原子力機構先端基礎研

深谷有喜

（シンポジウム講演）表面原子・電子構造の複合実験による低次元物理の展開

東大物性研

松田巌

（シンポジウム講演）スピン偏極陽電子ビームによるスピン物性研究の現状

原子力機構量子センター

河裾厚男

休憩　（15:40〜15:55)

（シンポジウム講演）陽電子プローブマイクロアナライザーとその応用

千葉大院工

藤浪真紀

（シンポジウム講演）陽電子消滅とアトムプローブを組み合わせた材料解析

東北大金研

井上耕治

（シンポジウム講演）反水素ビーム生成と基礎物理研究

東大院総合文化

黒田直史

（シンポジウム講演）ポジトロニウム超微細構造の新しい測定

東大素セ

難波俊雄

（シンポジウム講演）高強度低速陽電子ビームを用いた実験の現状と展望（まとめに代えて）

KEK物構研

兵頭俊夫

22日 AJ会場　22aAJ　9:00〜12:30

領域9
グラフェン，ナノシート

Cu(111)面上のグラフェンの回転を伴う変調構造

福岡教育大物理, 九大総理工^A

三谷尚, 丸谷雄太, 吾郷浩樹^A, 水野清義^A

グラフェン担持Ptクラスターに対する格子欠陥の影響

阪大院工

濱本雄治, Sasfan Arman Wella, 稲垣耕司, 森川良忠

密度汎関数理論によるSiC(0001)面上のグラフェン形成初期過程の微視的機構

東大院工, Univ. of Strasbourg-CNRS UMR 7504^A

井本文裕, 岩田潤一, Mauro Boero^A, 押山淳

SiC(0001)ナノファセット基板上グラフェンの構造と電子状態

東大物性研, 東工大総合理工^A, 九大院工^B, 高エ研^C

飯盛拓嗣, 中辻寛^A, 家永紘一郎, 宮町俊生, 矢治光一郎, 福間洸平^B, 森田康平^B, 林真吾^B, 梶原隆司^B, Visikovskiy Anton^B, 間瀬一彦^C, 田中悟^B, ^○小森文夫

Ag(111)表面上のスタネンの創製と構造評価

名大工^A, エクス‐マルセイユ大^B, バスク大^C, マックスプランク研^D

藤井裕也^A, 柚原淳司^A, Guy Le Lay^{A, B}, Angel Rubio^{C, D}, Lede Xian^C

エピタキシャルシリセンへのGe蒸着によるシリセン・ゲルマネンヘテロ構造の形成

北陸先端大マテ

粟谷悠人, Antoine Fleurence, 高村（山田）由起子

休憩　（10:30〜10:45)

SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのPdインターカレーション

福岡大工, 佐賀大SLセ^A

柳生数馬, 高橋和敏^A, 栃原浩, 友景肇, 鈴木孝将

Ca-インターカレートした二層グラフェンにおける超伝導

東大理, 東北大WPI-AIMR^A, 東北大院理^B

一ノ倉聖, 菅原克明^A, 高山あかり, 高橋隆^{A, B}, 長谷川修司

貴金属原子インターカレーションによる遷移金属表面上のエピタキシャルグラフェンの半導体化

岩手大工

西館数芽, 吉本則之, ^○長谷川正之

グラフェン、シリセン上に吸着した水素同位体の量子状態計算

阪大院工^A, 東大生産研^B, 明石高専^C

中西寛^{A, C}, Wilson A. Dino^A, 笠井秀明^{A, B, C}

^●11

Possible Oxygen Reduction Reactions Pathway on Edges of Graphene-based material

阪大工^A

Jeyun Yeom, Susan Meñez Aspera, Hiroshi Nakanishi^A

^●12

O₂ and H₂O Interaction on Doped Graphitic Carbon Nitride (g-C₃N₄)

Osaka Univ.^A, Nat’l. Inst. of Tech., Akashi College^B, Univ. of Tokyo^C

Susan Meñez Aspera^A, Wilson Agerico Diño^A and Hideaki Kasai^{A, B, C}

3次元パターン化したSi基板上での{100}, {110}, {111}側面超構造創製

阪大産研^A, JST-さきがけ^B, 奈良先端大物質創成^C

服部梓^{A, B}, 服部賢^C, 竹本昌平^C, 大門寛^C, 田中秀和^A

22日 AJ会場　22pAJ　13:30〜16:30

領域9
表面界面電子物性

TiN/MgOナノ薄膜における熱電物性

筑波大院数物^A, 物材機構^B, NEC^C

高木博和^{A, B}, 小林一昭^B, 下野昌人^B, 小林伸彦^A, 広瀬賢二^C

PtおよびFe₃O₄表面におけるNO吸着構造

阪大院工^A, アトミックデザイン研究セ^B

太田悠介^A, Wilson Agerico Dino^{A, B}, 中西寛^A

^●3

Study of Naphthalene Adsorption on Graphene: van der Waals Density Functional Theory

Dept. of Precision Science and Tech., Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^A, Dept. of Phys., Fac. of Mathematics and Natural Sciences, Inst. Teknologi Bandung, Indonesia^B, Dept. of Applied Chemistry, Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ.^C, Int’l. Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA) and Global Res. Center for Environment and Energy based on Nanomaterials Science (GREEN), Nat’l. Inst. for Materials Science^D

Sasfan Arman Wella^{A, B}, Nana Kawaguchi^C, Fahdzi Muttaqien^A, Yuji Hamamoto^A, Kouji Inagaki^A, Ikutaro Hamada^D, and Yoshida Morikawa^A

α酸化鉄(0001)表面上での水素分子の吸着状態

阪大院工^A, 阪大アトミックデザインセ^B

村山香^A, Wilson Agerico Diño^{A, B}, 中西寛^A

二成分密度汎関数法を用いたFe(001)面における陽電子状態：吸着効果と表面磁性

東理大理

萩原聡, 鈴木康光, 渡辺一之

Co/Ni多重層の磁気特性に対するCu(111)基板の影響

阪大院工^A, 阪大アトミックデザイン研究セ^B, 明石高専^C

小島一希^A, Wilson Agerico Diño^{A, B}, 笠井秀明^C

休憩　（15:00〜15:15)

量子閉じ込め効果を示す原子層窒化銅島のポテンシャル形状

東大物性研

宮町俊生, 小西優祐, 小森文夫

Cu(001)上に形成された六方晶窒化鉄原子層の周期歪みと局所電子状態

東工大院理工, 東大物性研^A, NHK放送技研^B

家永紘一郎, 高橋文雄^A, 河村紀一^B, 山田正道^A, 宮町俊夫^A, 小森文夫^A

STMおよびLEEDによるFe/Cu(001)基板上のMn超薄膜の研究

東大物性研, NHK放送技研^A

中島脩平, 河村紀一^A, 宮町俊生, 小森文夫

STM原子操作による磁性原子注入に伴う単一フタロシアニン分子の電子状態変化

千葉大院融合, 三重大工^A

山田豊和, 中島脩平, 太田奈緒香, 牧野孝宏, Nana K. M. Nazriq, 中村浩次^A

スパースモデリングを用いたSTS測定データの解析手法1

東大院総合文化, 東北大WPI-AIMR^A

観山正道, 岡田佳憲^A, 一杉太郎^A, 福島孝治

22日 BA会場　22pBA　13:30〜15:30

領域9
表面ナノ構造量子物性

トンネルから原子点接触領域までの伝導チャネル形成過程の評価

東大物性研

Howon Kim, ^○長谷川幸雄

Pb(111)表面における原子接触領域での電気伝導の第一原理固有チャネル解析

東大物性研

河村光晶, Howon Kim, 長谷川幸雄, 加藤岳生, 尾崎泰助

探針先端の規定された非弾性電子トンネル分光における実験と理論の比較

金沢大理工^A, レーゲンスブルグ大^B, リンナエウス大^C

岡林則夫^A, Alexander Gustafsson^C, Angelo Peronio^B, Magnus Paulsson^C, 新井豊子^A, Franz J. Giessibl^B

実空間差分法を用いた第一原理輸送特性計算：自己エネルギー項計算の高速化

筑波大CCS

小野倫也

二層ベンゼンの強電界およびレーザー照射下ダイナミクス：第一原理シミュレーション

東理大理

内田一樹, Elena P. Silaeva, 鈴木康光, 渡辺一之

Ag(111)表面上に物理吸着した酸素分子の磁性

東大物性研, 理研

山本駿玄, 吉田靖雄, 今田裕, 金有洙, 長谷川幸雄

鉄窒化物数原子層膜の磁性および電子状態

東大物性研, MPI Halle^A, 分子研^B, 総研大^C

高橋文雄, 宮町俊生, Antonov Victor^A, 高木康多^{B, C}, 魚住まどか^{B, C}, 横山利彦^{B, C}, Ernst Arthur^A, 小森文夫

スピン偏極STMを用いたW(110)上のMn薄膜のらせん磁気構造のカイラリティの評価

東大物性研

土師将裕, 吉田靖雄, 長谷川幸雄

一般社団法人 日本物理学会 第71回年次大会（2016年） The 71th Annual Meeting

領域別プログラム

領域9

19日 AJ会場 19aAJ 9:00〜12:30

領域9表面界面電子物性・トポロジカル表面

休憩 （10:30〜10:45)

19日 AR会場 19aAR 9:00〜12:30

領域9表面界面構造

休憩 （10:30〜10:45)

19日 AJ会場 19pAJ 15:30〜17:15

領域9表面界面電子物性

19日 BE会場 19pBE 13:45〜16:15

領域9（1〜5番目のみ領域3と合同）表面磁性

休憩 （15:00〜15:15)

19日 PSA会場 19pPSA 13:30〜15:30

領域9領域9ポスターセッション

20日 AJ会場 20pAJ 13:30〜16:45

領域9シンポジウム主題：分子性薄膜とその表面/界面の物理

休憩 （15:15〜15:30)

20日 BD会場 20pBD 13:30〜17:00

領域9ナノチューブ・ナノワイヤ，表面局所光学現象，ナノ結晶・クラスタ，水素ダイナミクス

休憩 （15:00〜15:15)

21日 AJ会場 21aAJ 9:00〜12:15

領域9表面界面ダイナミクス

休憩 （10:30〜10:45)

21日 BE会場 21aBE 9:15〜12:15

領域9結晶成長・ナノ結晶・クラスタ

休憩 （10:45〜11:00)

21日 AJ会場 21pAJ 13:30〜16:35

領域9表面界面電子物性

休憩 （15:15〜15:30)

21日 AQ会場 21pAQ 13:30〜17:45

領域10，領域1，領域9，ビーム物理領域合同シンポジウム陽電子で拓く物性物理の最前線

休憩 （15:40〜15:55)

22日 AJ会場 22aAJ 9:00〜12:30

領域9グラフェン，ナノシート

休憩 （10:30〜10:45)

22日 AJ会場 22pAJ 13:30〜16:30

領域9表面界面電子物性

休憩 （15:00〜15:15)

22日 BA会場 22pBA 13:30〜15:30

領域9表面ナノ構造量子物性

一般社団法人日本物理学会　第71回年次大会（2016年）
The 71th Annual Meeting

19日 AJ会場　19aAJ　9:00〜12:30

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面

休憩　（10:30〜10:45)

19日 AR会場　19aAR　9:00〜12:30

領域9
表面界面構造

休憩　（10:30〜10:45)

19日 AJ会場　19pAJ　15:30〜17:15

領域9
表面界面電子物性

19日 BE会場　19pBE　13:45〜16:15

領域9（1〜5番目のみ領域3と合同）
表面磁性

休憩　（15:00〜15:15)

19日 PSA会場　19pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

20日 AJ会場　20pAJ　13:30〜16:45

領域9シンポジウム
主題：分子性薄膜とその表面/界面の物理

休憩　（15:15〜15:30)

20日 BD会場　20pBD　13:30〜17:00

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ，表面局所光学現象，ナノ結晶・クラスタ，水素ダイナミクス

休憩　（15:00〜15:15)

21日 AJ会場　21aAJ　9:00〜12:15

領域9
表面界面ダイナミクス

休憩　（10:30〜10:45)

21日 BE会場　21aBE　9:15〜12:15

領域9
結晶成長・ナノ結晶・クラスタ

休憩　（10:45〜11:00)

21日 AJ会場　21pAJ　13:30〜16:35

領域9
表面界面電子物性

休憩　（15:15〜15:30)

21日 AQ会場　21pAQ　13:30〜17:45

領域10，領域1，領域9，ビーム物理領域合同シンポジウム
陽電子で拓く物性物理の最前線

休憩　（15:40〜15:55)

22日 AJ会場　22aAJ　9:00〜12:30

領域9
グラフェン，ナノシート

休憩　（10:30〜10:45)

22日 AJ会場　22pAJ　13:30〜16:30

領域9
表面界面電子物性

休憩　（15:00〜15:15)

22日 BA会場　22pBA　13:30〜15:30

領域9
表面ナノ構造量子物性