一般社団法人日本物理学会第71回年次大会（2016年）The 71th Annual Meeting

領域別プログラム

領域7

19日 AS会場　19aAS　9:00〜12:30

領域7
籠状・ネットワーク物質・フラーレン

ゼオライトA中のカリウムクラスターの中性子磁気回折

阪大理, JCNS^A, ISIS-RAL^B, CROSS東海^C, KEK^D

中野岳仁, 梅本尚嗣, Kirill Nemkovskiy^A, Yixi Su^A, Pascal Manuel^B, Dmitry Khalyavin^B, 大石一城^C, 松浦直人^C, 神山崇^D, 野末泰夫

変形ポテンシャル相互作用によるポーラロン形成とゼオライト中のアルカリ金属の絶縁体金属転移

阪大理

野末泰夫, 中野岳仁

水素結合型シリケート化合物LDS-1におけるプロトントンネル

東北大院理, 信州大環境研^A, 早大理工^B

松井広志, 岩本慧, 望月大^A, 長田師門^B, 朝倉雄介^B, 黒田一幸^B

アモルファス窒化ホウ素の構造とポリアモルフィズムの可能性

物材機構

速水渉

α正方晶ホウ素における格子間原子の部分的占有状態と幾何学的フラストレーション

阪大産研, ドレスデン工科大^A

上村直樹, 白井光雲, Hagen Eckert^A, Jens Kunstmann^A

電気化学インターカーレーションによる超伝導の制御

岡山大院自然, 岡山大理^A, 岡大エネルギー新素材^B

伊藤雄吾, 神戸高志, 大井健至^A, 角藤壮^A, 小林夏野^B

休憩　（10:30〜10:45)

フラーレンの一様外部電場に対する応答

筑波大数理

反町純也, 岡田晋

C₆₀化合物の輸送特性

東北大院理^A, 東北大AIMR^B

松田祐貴^A, 平郡諭^B, 松田祐樹^A, 谷垣勝己^{A, B}

フラーレン薄膜表面における光重合化現象に関する解析

千葉大院融合^A, JST-さきがけ^B, JST-CREST^C, バッファロー大^D

青木伸之^{A, B}, 仲村直人^A, 穐山航^A, 宮本克彦^A, 尾松孝茂^{A, C}, J.P.バード^D, 落合勇一^A

アンモニアを用いたカリウム添加フラーレン超伝導体合成と金属シース内電導

物材機構

竹屋浩幸, 今野俊生, 平田千佳, 若原孝次, 宮澤薫一, 田中将嗣, 山口尚秀, 高野義彦

フラーレンナノウィスカーのTEM-EELS測定

物材機構

宮澤薫一, 根本善弘, 今野俊生, 平田千佳, 若原孝次

Pressure-induced insulator-to-metal transitions in overexpanded fullerides

WPI-AIMR, Tohoku Univ.^A, Durham Univ.^B, JST-ERATO^C

Takeshi Nakagawa^A, Ruth H. Zadik^B, Yasuhiro Takabayashi^A, Kosmas Prassides^{A, C}

^●13

Magnetism and superconductivity in expanded fullerides close to the Mott transition

WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Dept. of Chemistry, Durham Univ., United Kingdom^A, ISIS Facility, Rutherford Appleton Lab., United Kingdom^B, JST ERATO Isobe Degenerate π-Integration Project, Tohoku Univ.^C

Melita Menelaou, Yasuhiro Takabayashi, Ruth H. Zadik^B, Peter J. Baker^C, Kosmas Prassides^{, D}

19日 BA会場　19aBA　9:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン
（輸送特性・電場応答）

エンカプセルされた高易動度多層グラフェンにおける垂直電場効果

広大先端研^A, 物材機構^B

戎岡亮哉^A, 大西純平^A, 平原大暉^A, 内野翔太^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 八木隆多^A

h-BN上高移動度奇数層グラフェンの電子構造

広大先端^A, 物材機構^B

大西純平^A, 平原大暉^A, 戎岡亮哉^A, 内野翔太^A, 谷口尚^B, 渡邊賢司^B, 八木隆多^A

h-BN上に形成した偶数層グラフェンの磁気抵抗

広大先端^A, 物材機構^B

平原大暉^A, 大西純平^A, 戎岡亮哉^A, 内野翔太^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 八木隆多^A

高移動度h-BN上2層グラフェンアンチドットの整合性磁気抵抗

広島大先端^A, 物材機構^B

内野翔太^A, 戎岡亮哉^A, 大西純平^A, 平原大暉^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 八木隆多^A

トンネル絶縁膜をはさんだ2層グラフェンの電気伝導

大工大応用物理, ジョージア工科大マテリアルサイエンス^A, 兵庫医大物理^B

藤元章, Corey Joiner^A, 寺澤大樹^B, Christopher Perini^A, 福田昭^B, Eric Vogel^A

BN/graphene/BN試料における量子伝導現象の観測

千葉大院融合, アリゾナ州大^A, バッファロー大^B, 物材機構^C, 成均館大学校^D

峰晴正彰, 松永正広, 青木伸之, 落合勇一, D.K.Ferry^A, J.P.Bird^B, 渡邊賢司^C, 谷口尚^C, I.Lee^D, G-H.Kim^D

休憩　（10:30〜10:45)

^●7

Electron propagation in bilayer graphene in the birefringent regime

Univ. of Tokyo^A, Univ. of Leicester^B

P. A. Maksym^{A, B} and H. Aoki^A

^●8

Imaging coherent transport in chemical vapor deposition graphene wide constriction by scanning gate microscopy

Grad. Sch. of Advanced Integration Science, Chiba Univ.^A, Japan Society for the Promotion of Science Foreign Researcher^B, Grad. Inst. of Applied Phys., Nat’l. Taiwan Univ.^C, Dept. of Phys., Nat’l. Taiwan Univ.^D, Dept. of Electrophysics, Nat’l. Chiayi Univ.^E

Chiashain Chuang^{A, B}, Masahiro Matsunaga^A, Fan-Hung Liu^C, Tak-Pong Woo^D, Li-Hung Lin^E, Bi-Yi Wu^C, Yuichi Ochiai^A, Chi-Te Liang^{C, D}, Nobuyuki Aoki^A

一層、二層グラッフェンにての1／f型雑音の観測と解析

千葉大院融合^A, 理研^B, アリゾナ州大^C, バッファロー大^D

落合勇一^A, 青木伸之^A, マハジューブアカラム^A, 宮本克彦^A, 山口智弘^B, 尾松孝茂^A, J. P. バード^C, D. K. フェリー^D, 石橋幸治^B

単層・2層が共存するエピタクシャルグラフェンの磁気抵抗の2キャリアモデルによる解析

東大物性研, 名大未来材料・システム研^A, 名大工^B

遠藤彰, 包建峰^A, 乗松航^B, 楠美智子^A

表面修飾したCVDグラフェンの電気伝導

筑波大数理

大塚洋一, 青木仁, 堀江彩叶

Origin of the high electrical conductivity of copper with graphene/boron-nitride coating layer

NIMS, Univ. of Tsukuba^A

Nguyen Thanh Cuong, Susumu Okada^A

3次元Dirac電子系アンチペロブスカイト酸化物Sr₃EO(E=Sn,Pb)における磁気輸送現象

東大理^A, マックス・プランク研^B

末次祥大^A, 葉山慶平^A, A.Yaresko^B, A.W. Rost^B, C. Muhle^B, J. Nuss^B, 高木英典^{A, B}

Ca₃PbOの輸送特性とバルク敏感光電子分光

東工大応セラ研^A, 物材機構^B, 東工大元素セ^C

小畑由紀子^A, 上田茂典^B, 松石聡^C, 戸田喜丈^C, 細野秀雄^{A, C}

19日 BE会場　19aBE　9:00〜12:30

領域7
スピン液体

有機三角格子系κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃での¹³C NMRの磁場依存性

東大工

宮川和也, 鹿野田一司

有機三角格子系物質κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃における量子臨界現象

物材機構, 東大工^A

磯野貴之, 寺嶋太一, 宮川和也^A, 鹿野田一司^A, 宇治進也

イオン液体トランジスタを用いたスピン液体候補物質κ-(ET)₂M₂(CN)₃[M=Cu, Ag]への常圧および圧力下キャリア注入

名大院工, 名城大農^A, 豊田理研^B

伊東裕, 佐藤奎斗, 江浦悠介, 平松孝章^A, 吉田幸大^A, 齋藤軍治^{A, B}

κ-(BEDT-TTF)₂Ag₂(CN)₃の振動分光解析

名大院工^A, 名城大農^B, 豊田理研^C

中村優斗^A, 平松孝章^B, 吉田幸大^B, 齋藤軍治^{B, C}, 岸田英夫^A

量子スピン液体κ-(ET)₂Ag₂(CN)₃の低温における磁気異方性

京大院理^A, 名城大農^B

留野慎也^A, 前里光彦^A, 平松孝章^B, 吉田幸大^B, 齋藤軍治^B, 北川宏^A

量子スピン系κ-(ET)₂B(CN)₄の低温電子状態

京大院理^A, 名城大農^B

前里光彦^A, 川口玄太^A, 道岡千城^A, 巴山洋美^B, 吉田幸大^B, 齋藤軍治^B, 北川宏^A

休憩　（10:30〜10:45)

X線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clにおけるランダムネス誘起スピン液体の¹H-NMR

東理大理, 東大工^A, 東北大金研^B, 埼玉大理^C

山本陸, 古川哲也, 伊藤哲明, 宮川和也^A, 斉藤みく^B, 伊藤美穂^C, 谷口弘三^C, 佐々木孝彦^B, 鹿野田一司^A

新規Cat-TTF系有機導体β'-[H₃(Cat-EDO-TTF)₂]BF₄における構造相転移：水素結合部の屈曲を伴う分子配列・物性変化

東大物性研^A, 総合科学研究機構^B, KEK物構研PF/CMRC^C

吉田順哉^A, 上田顕^A, 中尾朗子^B, 熊井玲児^C, 中尾裕則^C, 村上洋一^C, 森初果^A

κ-H₃(Cat-EDT-TTF)₂におけるプロトン揺らぎがもたらすπ電子サーモクロミズム

東北大金研, 東大物性研^A

伊藤桂介, 橋本顕一郎, 小林亮太, 黒子めぐみ, 上田顕^A, 森初果^A, 井口敏, 佐々木孝彦

κ-H₃(Cat-EDT-TTF)₂におけるプロトンダイナミクスがもたらす誘電応答に対する量子揺らぎ効果

東北大金研, 東大物性研^A

橋本顕一郎, 小林亮太, 上田顕^A, 森初果^A, 佐々木孝彦

プロトン－電子相関系の電荷励起と光学応答

東北大理

中惇, 石原純夫

三角格子をもつβ'-X[Pd(dmit)₂]₂のスピン相関

理研, 阪大理^A

大島勇吾, 川上貴資^A, 加藤礼三

分子性導体EtMe₃As_1-xSb_x[Pd(dmit)₂]₂の磁性状態

理研^A, 阪大院理^B

上田康平^A, 山下智史^B, 中澤康浩^B, 加藤礼三^A

19日 BH会場　19aBH　9:00〜11:30

領域5（1〜9番目のみ領域7と合同）
光誘起相転移

有機モット絶縁体κ型BEDT-TTF塩のテラヘルツ電場誘起金属化と光誘起金属化

東大新領域, 東大工^A, 分子研^B, 理研^C

山川大路, 竹中崇了, 宮本辰也, 寺重翼, 小野貴晃^A, 森本剛史, 貴田徳明, 山本浩史^B, 須田理行^B, 加藤礼三^C, 宮川和也^A, 鹿野田一司^A, 岡本博

有機モット絶縁体κ型BEDT-TTF塩のテラヘルツ電場による超高速分極制御

東大新領域, 東大工^A

戸部光, 山川大路, 鈴木啓史, 宮本辰也, 寺重翼, 小野貴晃^A, 森本剛史, 貴田徳明, 宮川和也^A, 鹿野田一司^A, 岡本博

有機強誘電体α-(BEDT-TTF)₂I₃におけるフェムト秒レーザー誘起テラヘルツ電磁波発生とその機構解明

東大新領域^A, 東大物性研^B

鈴木俊成^A, 五月女真人^A, 木下雄斗^A, 山川大路^A, 宮本辰也^A, 貴田徳明^A, 森初果^B, 岡本博^A

テラヘルツ放射イメージング法を用いたα-(BEDT-TTF)₂I₃の非線形伝導パスの可視化

東大新領域^A, 東大物性研^B

五月女真人^A, 貴田徳明^A, 山川大路^A, 宮本辰也^A, 木下雄斗^A, 森初果^B, 岡本博^A

κ型ET塩の金属－モット絶縁体相境界における超高速臨界現象

東北大院理^A, 山梨大院医工^B, 東北大金研^C

川上洋平^A, 内藤陽太^A, 加藤隆寛^A, 伊藤弘毅^A, 米山直樹^B, 佐々木孝彦^C, 石原純夫^A, 岩井伸一郎^A

電荷グラス物質θ-(ET)₂CsZn(SCN)₄における瞬時強電場効果

東北大院理^A, 岡理大理^B, 東北大金研^C

内藤陽太^A, 加藤隆寛^A, 伊藤弘毅^A, 川上洋平^A, 山本薫^B, 橋本顕一郎^C, 佐々木孝彦^C, 岩井伸一郎^A

休憩　（10:30〜10:45)

金属－絶縁体転移を示す有機伝導体α''-(ET)₂RbCo(SCN)₄のテラヘルツ時間領域分光II

東北大院理^A, 山梨大医工^B, 東北大金研^C

伊藤弘毅^A, 村松幸則^A, 市村純一^A, 大畠洋和^A, 米山直樹^B, 黒子めぐみ^C, 小林亮太^C, 橋本顕一郎^C, 井口敏^C, 佐々木孝彦^C, 岩井伸一郎^A

分子間振動で見る(TMTTF)₂Xの光誘起相転移 II

東北大院理^A, 岡山理大理^B, Stuttgart大物理^C

大畠洋和^A, 市村純一^A, 伊藤弘毅^A, 山本薫^B, Martin Dressel^C, 岩井伸一郎^A

低次元ハバード模型における動的局在現象の数値的研究

東北大理

小野淳, 橋本博志, 石原純夫

19日 AR会場　19pAR　15:15〜17:30

領域7
電荷揺らぎ・秩序

α''-(BEDT-TTF)₂RbCo(SCN)₄の磁場中電子物性

東北大金研^A, 山梨大医工^B

井口敏^A, 米山直樹^B, 黒子めぐみ^A, 佐々木孝彦^A

電荷秩序系有機導体θ_m-(BEDT-TTF)₂TlZn(SCN)₄における電荷自由度の液体－固体転移

東北大金研, 東邦大理^A, JASRI/SPring-8^B, 東大物性研^C, KEK物構研^D

佐々木智, 橋本顕一郎, 井口敏, 小林亮太, 伊藤桂介, 黒子めぐみ, 大嶋一樹^A, 田嶋尚也^A, 西尾豊^A, 森脇太郎^B, 池本夕佳^B, 上田顕^C, 森初果^C, 小林賢介^D, 熊井玲児^D, 村上洋一^D, 佐々木孝彦

電荷ガラス/電荷秩序物質θ-(ET)₂X(X=RbZn(SCN)₄,CsZn(SCN)₄)における面内/面間電気抵抗測定

東大工

佐藤拓朗, 宮川和也, 鹿野田一司

θ-(BEDT-TTF)₂CsM(SCN)₄の磁場中非線形伝導

名大院理, 東大物性研^A, 東北大金研^B

谷田貝亮, 田辺賢士, 谷口博基, 森初果^A, 佐々木孝彦^B, 寺崎一郎

電荷秩序転移近傍での電荷ガラス状態に関するGinzburg-Landau理論を用いた数値解析

東大物性研

小西優祐, 吉見一慶, 加藤岳生

ダイマーモット絶縁体β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂の輸送ノイズ測定II

東北大金研¹, Goethe-Univ.², 埼玉大理³

黒子めぐみ¹, B. Hartmann², J. Mueller², 井口敏¹, 谷口弘三³, 佐々木孝彦¹

¹³C-NMRでみたβ-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆の不均一な電子状態の遅いゆらぎ

東大工, 物材機構^A, 東大物性研^B

橋本凌, 井上暁登, 宮川和也, 鹿野田一司, 磯野貴之^A, 上田顕^B, 森初果^B

圧力下NMR実験によるβ''-(BEDT-TTF)₄[(H₃O)Ga(C₂O₄)₃]-C₆H₅NO₂の電荷秩序状態と超伝導状態の研究

北大院理

井原慶彦, 二見洋輔, 河本充司

有機超伝導体 β”-(BEDT-TTF)₄Pt(CN)₄・H₂O の電荷秩序相の NMR 研究

北大院理

藁谷拓実, 二見洋輔, 井原慶彦, 河本充司

19日 BG会場　19pBG　13:20〜17:15

領域7
領域7 日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

（若手奨励賞）若手奨励賞選考報告および授賞式

東大工

鹿野田一司

（若手奨励賞）分子性導体に対する電界効果キャリアドーピング

理研

川椙義高

（若手奨励賞）走査トンネル顕微鏡を用いたグラファイトに形成する局在化した電子準位に関する研究

筑波大数理物質系

近藤剛弘

（若手奨励賞）分子デバイスにおける電荷キャリアの光プローブと可視化技術の研究

産総研

堤潤也

休憩　（15:00〜15:15)

高圧物性・分子性固体

高圧力下における硫黄－水素系化合物の結晶構造と超伝導性に関する第一原理的研究

阪大基極セ, 阪大基礎工^A, 金沢大理工^B, 関大システム理工^C

石河孝洋, 中西章尊, 清水克哉, 吉田博^A, 小田竜樹^B, 鈴木直^C

Bi及びSb水素化合物の高圧金属相

東北大通研, Cornell Univ.^A

阿部和多加, N. W. Ashcroft^A

超高圧下における単一成分分子性半導体の電気的性質

理研, 物材機構^A

崔亨波, 圓谷貴夫^A, 加藤礼三

室温高圧下におけるポストグラファイト相の探索

新潟大院自然, 新潟大超域^A, NIMS^B, 新潟大理^C

佐藤貴明, 中山敦子^A, 谷口尚^B, 山田裕^C, 石川文洋^C, 大村彩子^A

Kドープピセン14 K超伝導相のキャラクタリゼーション

岡山大院自然, NARD^A

久保園芳博, 寺尾貴博, 西山佐希, Lu Zheng, 後藤秀徳, 江口律子, 岡本秀毅, 小林達生, 神戸高志, 杉野久子^A, 郷田慎^A

電子ドープされた直鎖状炭化水素の基底状態

東北大AIMR^A, 阪大理^B, 東北大院理^C

平郡諭^A, Phan T.N. Quynh^A, 田村宏之^A, 中野岳仁^B, 野末泰夫^B, 谷垣勝己^{A, C}

芳香族モット絶縁体の圧力効果

東北大院理　東北大AIMR

松田祐樹, 平群諭, Phan T.N. Quynh, 松田祐貴, 谷垣勝已

π-electron one-dimensional molecular quantum antiferromagnetism in ionic polyaromatic hydrocarbons Cs doped phenanthrene

WPI-AIMR, Tohoku Univ.^A, Inst. Jožef Stefan^B, Univ. of Ljubljana^C, JST-ERATO^D

Yasuhiro Takabayashi^A, Hiroyuki Tamura^A, Denis Arčon^{B, C}, Kosmas Prassides^{A, D}

19日 BQ会場　19pBQ　13:30〜16:50

領域8，領域3，領域7合同シンポジウム
主題：Commonalities and individualities in unconventional superconductors

^●1

（シンポジウム講演）Commonalities and individualities in unconventional superconductors

WPI-AIMR, Tohoku Univ.

Prassides Kosmas

^●2

（シンポジウム講演）Recent Progress in Bulk and thin films of Iron-based Superconductors

MSL Tokyo Tech., MCES Tokyo Tech.

Hideo Hosono

^●3

（シンポジウム講演）A Quantum Critical Point Lying Beneath the Superconducting Dome in Iron Pnictides

Dept. of Physics, Kyoto Univ.

Yuji Matsuda

^●4

（シンポジウム講演）Competing orders in cuprates and iron pnictides

School of science, Univ. of Tokyo

Atsushi Fujimori

休憩　（14:55〜15:10)

^●5

（シンポジウム講演）Unconventional superconductivity in fullerides

Institute "Jozef Stefan" & Univ. of Ljubljana

Arcon Denis

^●6

（シンポジウム講演）Clean 2D superconductor

Dept. of Eng., Univ. of Tokyo

Yoshihiro Iwasa

^●7

（シンポジウム講演）First-principles study on pressure-induced superconductivity in the iron-based ladder material BaFe₂S₃

RIKEN CEMS

Ryotaro Arita

^●8

（シンポジウム講演）Heavy fermion superconductivity under strong orbital fluctuations in PrV₂Al₂₀

ISSP, Univ. of Tokyo

Yosuke Matsumoto

20日 AS会場　20pAS　13:30〜17:15

領域7（14番目のみ領域8と合同）
Dirac系／電荷揺らぎ・電荷秩序

分子性ディラック電子系へのキャリア注入効果II

東邦大理^A, 理研^B, 分子研^C

田嶋尚也^{A, B}, 林頌也^A, 川椙義高^B, 須田理行^C, 山本浩史^{B, C}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A

分子性ディラック電子系におけるスピン分裂

東邦大理^A, 理研^B, 分子研^C

林頌也^A, 須佐直人^A, 小澤拓弥^A, 田嶋尚也^{A, B}, 川椙義高^B, 須田理行^C, 山本浩史^{B, C}, 加藤礼三^B, 西尾豊^A, 梶田晃示^A

^●3

Pressure dependence of the in-plane magnetoresistance in the Dirac fermion phase of α-(BEDT-TTF)₂I₃

Dept. of Applied Phys., Univ. of Tokyo, Dept. of Phys., Tokyo Univ. of Science^A

Dong Liu, Kazuya Miyagawa, Masafumi Tamura^A, Kazushi Kanoda

有機Dirac電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃の高磁場下¹³C-NMR

東大院工, 東理大理^A

松野学, 宮川和也, 田村雅史^A, 鹿野田一司

α-(BEDT-STF)₂I₃の¹³C-NMR

学習院大理

開康一, 島本匠弥, 高橋利宏

α-ET₂I₃, α-BETS₂I₃, α-(BEDT-STF)₂I₃ の熱的性質

東邦大理, 愛媛大理工^A, 理研^B

大嶋一樹, 木田悠斗, 田嶋尚也, 梶田晃示, 西尾豊, 内藤俊雄^A, 加藤礼三^B

休憩　（15:00〜15:15)

有機導体ディラック電子系におけるスカーミオン

京大人環

森成隆夫

分子性ディラック電子系の電荷秩序相におけるエッジ状態

豊田高専, 名大理^A

大森有希子, 松野元樹^A, 小林晃人^A

分子性ディラック電子系のスピン磁化率に対する層間クーロン相互作用の効果

名大理

松野元樹, 小林晃人

分子性導体α-(BEDT-TTF)₂I₃における空間反転対称性のないディラック電子相

名大理, 豊田高専^A

小林晃人, 松野元樹, 大森有希子^A

単一成分分子性導体[Pd(dddt)₂]におけるディラック電子系のtight-binding模型 II

理研, 名大理^A

加藤礼三, 鈴村順三^A

単一成分分子性導体[Pd(dddt)₂]におけるディラック点の性質

名大理, 理研^A

鈴村順三, 加藤礼三^A

二量化したβ型有機伝導体におけるノンストライプ電荷整列

東工大院理工

森健彦

κ型分子性導体におけるダイマー内電荷自由度と磁性および超伝導の解析

理研CEMS^A, 理研^B, 理研AICS^C

渡部洋^A, 妹尾仁嗣^{A, B}, 柚木清司^{A, B, C}

20日 BE会場　20pBE　13:30〜17:15

領域7，領域4合同
グラフェン関連
（新物質・原子層）

TiSe₂超薄膜の高分解能ARPES

東北大WPI-AIMR^A, 東北大院理^B

菅原克明^A, 中田優樹^B, 清水亮太^A, P. Han^A, 一杉太郎^A, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

NbSe₂薄膜における電子状態の膜厚依存性：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B, 埼玉大院理工^C

中田優樹^A, 山田敬子^A, 君塚平太^A, 田中祐輔^A, 菅原克明^B, 相馬清吾^B, 佐藤宇史^A, 清水亮太^B, 一杉太郎^B, 上野啓司^C, 高橋隆^{A, B}

原子層ヘテロ構造における蛍光共鳴エネルギー移動の観測

京大エネ研^A, 早大先進理工^B, NUS^C, JST PRESTO^D

小澤大知^{A, B}, Alexandra Carvalho^C, Ivan Verzhbitskiy^C, Francesco Giustiniano^C, 宮内雄平^{A, D}, 毛利真一郎^A, A. H. Castro Neto^C, 松田一成^A, 江田剛輝^C

3R-NbS₂における準粒子干渉効果

理研CEMS^A, 東大工^B, 阪大理^C

町田理^A, 鈴木龍二^B, 幸坂祐生^A, 岩谷克也^A, 松岡賢佑^B, 越智正之^C, 有田亮太郎^A, 岩佐義宏^{A, B}, 花栗哲郎^A

走査ゲート顕微法によるMoS₂トランジスタの動作機構の解析2

千葉大院融合^A, バッファロー大^B, さきがけ^C

松永正広^A, 樋口絢香^A, Guanchen He^B, Jonathan P. Bird^{A, B}, 落合勇一^A, 青木伸之^{A, C}

単層MoS₂におけるバレーコヒーレンスの起源

京大院理^A, 京大WPI-iCeMS^B

吉川尚孝^{A, B}, 谷峻太郎^B, 田中耕一郎^{A, B}

MX₂/Graphiteファンデルワールスヘテロ接合界面におけるシュタルク効果

早大先進, 首都大理工^A, 早大材研^B

蒲江, 松木啓一郎, 小林佑^A, 佐々木将悟^A, 小澤大知, 宮田耕充^A, 竹延大志^B

休憩　（15:15〜15:30)

NbSe₂/グラフェンファンデルワールス接合におけるアンドレーエフ反射

東大生産研^A, 東大ナノ量子^B, CREST-JST^C

矢吹直人^A, 守谷頼^A, 増渕覚^A, 町田友樹^{A, B, C}

Electronic structure of thin and bulk WSe₂ and WS₂

Univ. of Nebraska-Lincoln, Univ. of California-Riverside^A, 広大放射光セ^B, 広大院理^C, Elettra-Sincrotrone Trieste^D

Iori Tanabe, Takashi Komesu, Eike F. Schwier^B, Michael Gomez^A, Ludwig Bartels^A, Mingtian Zheng^C, Yohei Kojima^C, Alexei V. Barinov^D, Santosh K. Balijepalli^D, Victor Kandybad^D, Kenya Shimada^B, and Peter A. Dowben

Electronic Structure of WSe₂; Influence of Na and Co Adsorption

Univ. of Nebraska-Lincoln, 広大放射光セ^A, 広大院理^B, Univ. Central Florida^C

Takashi Komesu, Iori Tanabe, Eike F. Schwierc^A, Yohei Kojima^B, Mingtian Zheng^B, Hideaki Iwasawa^A, Kenya Shimada^A, Masaki Taniguchi^A, Duy Le^C, Talat Rahman^C, and Peter A. Dowben

^●11

Ionic gating of WS₂ nanotube

the Univ. of Tokyo^A, Holon Inst. of Tech.^B, Weizmann Inst. of Science^C, RIKEN CEMS^D

Feng Qin^A, Wu Shi^A, Masaro Yoshida^A, Toshiya Ideue^A, Alla Zak^B, Reshef Tenne^C, Yoshihiro Iwasa^{A, D}

1T-TaS₂二次元結晶における多重準安定状態

東大院工^A, 理研CEMS^B

吉田将郎^A, 御供田崇^A, 鈴木龍二^A, 中野匡規^A, 岩佐義宏^{A, B}

π共役高スピン分子による二次元ネットワーク物質の磁性状態

筑波大数理

丸山実那, 岡田晋

水素終端によるh-BNナノリボンの極性変調

筑波大数理

山中綾香, 岡田晋

21日 AK会場　21aAK　10:45〜12:30

領域8（4〜10番目のみ領域7と合同）
超伝導物質他
（圧力効果・電界効果）

電気二重層トランジスタ構造を用いたYBa₂Cu₃O_yの超薄膜化とキャリア制御

東北大金研, 東大院工^A, 理研^B

三橋駿貴, 野島勉, 岩佐義宏^{A, B}

^●5

Electron doping to various new-type of 2D-layered materials

Okayama Univ.

Lu Zheng, Yoshihiro Kubozono

^●6

Superconductivity in 2D layered Mo dichalcogenides

Res. Lab. for Surface Science, Okayama Univ.

Xiao Miao, Eri Uesugi, Hidenori Goto, Ritsuko Eguchi, Yoshihiro Kubozono

新規な二次元層状物質における静電的キャリアドーピングと電界誘起超伝導

岡山大院自然

上杉英里, 後藤秀徳, 江口律子, 久保園芳博

イオン液体を用いたシリコンへの電界効果キャリア注入

物材機構^A, 筑波大数理^B

笹間陽介^{A, B}, 山口尚秀^{A, B}, 田中将嗣^A, 鈴木皓司^{A, B}, 原裕^{A, B}, 山下愛智^{A, B}, 竹屋浩幸^A, 高野義彦^{A, B}

二次元電子系のゼーベック効果

理研 CEMS^A, 東大院工^B, 電中研^C

清水直^A, M. S. Bahramy^{A, B}, 小野新平^{A, C}, 三輪一元^C, 十倉好紀^{A, B}, 岩佐義宏^{A, B}

有機電界効果トランジスタに最適なイオン液体

電中研

小野新平, 三輪一元, 関志郎

21日 BB会場　21aBB　9:00〜11:45

領域7
導電性高分子・界面デバイス

導電性高分子PEDOT/PSSの高伝導化に伴う低温電子状態変化

東北大金研

加藤悦久, 本間優太, 浅野奈月, 伊藤桂介, 佐々木孝彦

導電性高分子PEDOT/PSS配向膜の低温電子輸送特性

東北大金研, 九産大工^A, JASRI/SPring-8^B, 関西学院大理工^C

本間優太, 浅野奈月, 加藤悦久, 伊藤桂介, 内田翔悟^A, 西嵜照和^A, 増永啓康^B, 藤原明比古^C, 佐々木孝彦

化学ドープされたPEDOTの可視光励起による吸収変化

名大院工

松野泰己, ^○小山剛史, 岸田英夫

導電性高分子F8T2を用いたイオン液体トランジスタにおける両極性キャリアのESR観測

名大院工^A, 産総研^B, 名産研^C

堀貴登^A, 中村悠基^A, 田中久暁^A, 下位幸弘^B, 黒田新一^{A, C}

DPP系共役高分子を用いた有機トランジスタにおけるキャリアのESR観測

名大院工^A, 名産研^B

田中久暁^A, 近藤正弘^A, 若松綾人^A, 黒田新一^{A, B}

休憩　（10:15〜10:30)

分子性ドーピングによる導電性ポリマーのバンド伝導性の評価

東大工, 東大新領域^A

藤本亮, 渡邉峻一郎^A, 山下侑^A, 鶴見淳人^A, 松井弘之^A, 竹谷純一^A

化学ドーピングおよびダブルゲートによるカーボンナノチューブトランジスタの極性制御

東大^A, Groningen Univ.^B, パイクリスタル^C

松井弘之^A, Derenskyi Vladimir^B, Salazar-Rios Jorge Mario^B, Shulga Artem^B, Gomulya Widianta^B, 岸村眞治^A, 竹谷純一^{A, C}, Loi Maria Antonietta^B

ファンデルワールス密度汎関数法に基づくワニエ関数を用いた有機半導体のキャリア伝導計算

JSTさきがけ^A, 筑波大数物^B, NEC^C

石井宏幸^{A, B}, 小林伸彦^B, 広瀬賢二^C

有機半導体の分子間相互作用の圧力効果の第一原理計算

筑波大数物^A, JSTさきがけ^B, NEC^C, 東大新領域^D

前田崇博^A, 石井宏幸^{A, B}, 広瀬賢二^C, 竹谷純一^D, 小林伸彦^A

電場中に置いた自己組織化単分子膜に対するX線反射率測定

阪大基礎工, 阪府大N2RC^A, JASRI^B, 電中研^C

佐々木香織, 野内亮^A, 田尻寛男^B, 三輪一元^C, 小野新平^C, 木村剛, 若林裕助

21日 BC会場　21aBC　9:00〜12:00

領域7
超伝導

κ-(BEDT-TT)₂Cu(NCS)₂の超伝導におけるFFLO状態；Andreev 束縛状態のNMRによる観測

LNCMI-CNRS, 東大工^A, Brown Univ.^B

H. Mayaffre, S. Kramer, M. Horvatic, C.Berthier, 宮川和也^A, ^○鹿野田一司^A, V. F. Mitrovic^B

有機超伝導体κ_L-(BEDT-TTF)₂Cu(CF₃)₄(TCE)の角度依存性磁気抵抗

東工大院理工, 物材機構^A, アルゴンヌ国立研^B

川本正, 森健彦, 寺嶋太一^A, 宇治進也^A, John A. Schlueter^B

X線照射されたκ-(ET)₂Cu[N(CN)₂]Clの圧力下電子状態

東大工, 東理大理^A, 埼玉大院理工^B, 東北大金研^C

浦井瑞紀, 古川哲也^A, 宮川和也, 伊藤美穂^B, 谷口弘三^B, 斉藤みく^C, 佐々木孝彦^C, 鹿野田一司

有機導体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brにおける異方的超伝導ギャップ：STM分光

北大院理

生松倫太郎, 延兼啓純, 松永悟明, 野村一成, 河本充司

有機伝導体κ-[(h-ET)_1-x(d-ET)_x]₂Cu[N(CN)₂]Brの熱的研究

東邦大理, 東北大金研^A

實方博規, 高橋純, 西尾豊, 田嶋尚也, 梶田晃示, 佐々木孝彦^A

有機伝導体κ-(ET)₄Hg_2.89Br₈の圧力下における電子状態

東大工, 埼玉大理^A

鈴木悠司, 宮川和也, 谷口弘三^A, 鹿野田一司

休憩　（10:30〜10:45)

有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)₄Hg_2.89Br₈の低温電子状態

阪大院理, 筑波大院数理物質^A, 物材機構^B

今城周作, 杉浦栞理^{A, B}, 宇治進也^{A, B}, 磯野貴之^B, 寺島太一^B, 中澤康弘

β”-(BEDT-TTF)₄[(H₃O)X(C₂O₄)₃]Y, X=Ga,Fe Y=Nitrobenzeneの強磁場超伝導状態

物材機構^A, 筑波大数理物質^B, 大阪大^C, NHMFL^D, Univ. College, London^E

宇治進也^{A, B}, 飯田頼嗣^{A, B}, 杉浦栞理^{A, B}, 磯野貴之^A, 菊川直樹^A, 寺嶋太一^A, 圷広樹^C, 中澤康浩^C, D. Graf^D, P. Day^E

β”-(ET)₂SF₅CH₂CF₂SO₃の異方的超伝導

筑波大院数理物質^A, 物材機構^B, アルゴンヌ国立研^C, 広島工業大^D

杉浦栞理^{A, B}, 磯野貴之^B, 寺嶋太一^B, J. A. Schlueter^C, 安塚周磨^D, 宇治進也^{A, B}

硫化水素の高温超伝導相の結晶構造

阪大基極セ, MPIM^A, SPring-8^B

榮永茉利, 中尾敏臣, 坂田雅文, 石河孝洋, 清水克哉, A. P. Drozdov^A, M. I. Eremets^A, I. A. Troyan^A, 大石泰生^B, 平尾直久^B

単純立方構造におけるフォノンの非調和効果に関する第一原理的研究

阪大基極セ

中西章尊, 石河孝洋, 清水克哉

21日 AG会場　21pAG　13:30〜17:15

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果・欠陥・表面修飾）

グラファイトの磁場誘起電子相転移に対する層数依存性

東大物性研

田縁俊光, 内田和人, 長田俊人

h-BN上グラフェン単層／2層接合における量子ホール伝導II

東大物性研^A, 物材機構^B

中瀬隼斗^A, 内田和人^A, 田縁俊光^A, 渡邊賢司^B, 谷口尚^B, 長田俊人^A

グラフェンにおける量子ホール端状態と磁場中ジグザグ端状態のSTS観測

東大院理^A, 東大低セ^B

松井朋裕^A, 佐藤秀樹^A, 福山寛^{A, B}

SiC上成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴III

物材機構, NTT物性基礎研^A, 関西学院大理工^B

竹端寛治, 今中康貴, 金子智昭, 関根佳明^A, 高村真琴^A, 日比野浩樹^{A, B}

有機ディラック電子系における量子ホールスピン強磁性状態のNMR研究

CNRS/LNCMI-Grenoble^A, 東大工^B, 東理大理工^C

平田倫啓^{A, B}, 谷口智隆^B, Hadrien Mayaffre^A, 宮川和也^B, 田村雅史^C, Steffen Krämer^A, Mladen Horvatić^A, Claude Berthier^A, 鹿野田一司^B

バンド・アンフォールディング法による捩れ二層グラフェンのフェルミ速度変調機構解明

東大工

西紘史, 松下雄一郎, 押山淳

休憩　（15:00〜15:15)

グラフェンと巨大Rashba系における弱磁場ホール効果の理論

東工大院理工, 北大院工^A

安藤恒也, 鈴浦秀勝^A

2次元巨大Rashba系における帯磁率の理論

北大院工, 東工大院理工^A

鈴浦秀勝, 安藤恒也^A

欠陥を有するグラフェン薄膜の電子構造

筑波大数理

岸本健, 岡田晋

グラフェン点欠陥ゼロモードに対する代数的表現の存在証明

阪大基礎工

森下直樹, 草部浩一, 宮尾哲亮, Gagus Ketut Sunnardianto

ディラック電子系におけるバレー内ペアリングによるp波超伝導状態

東北工大, 弘前大^A, 首都大^B, スイス連邦工科大^C

土屋俊二, 御領潤^A, 荒畑恵美子^B, Sigrist Manfred^C

2次元ハニカム格子におけるスピン揺らぎ誘起超伝導

名大工

深谷優梨, 矢田圭司, 田仲由喜夫

ディラック電子中の量子ドットによる熱電特性の解析

茨大工

青野友祐, 小峰啓史

水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態

名大工, 名大未来研^A, 筑波大物理^B, 京大基研^C

服部綾実, 洗平昌晃^A, 初貝安弘^B, 矢田圭司, 白石賢二^A, 佐藤昌利^C, 田仲由喜夫

21日 BB会場　21pBB　13:30〜16:45

領域7
界面デバイス

高移動度分子C₁₀-DNTTを用いた有機FETの低温ESR

名産研^A, 名大院工^B, 産総研^C, 理研^D

黒田新一^{A, B}, 田中久暁^B, 木下裕太郎^B, 下位幸弘^C, 瀧宮和男^D

アルキル置換BTBT有機半導体の単結晶構造解析：分子パッキングおよび分子間力・π電子軌道間移動積分の系統的評価

産総研^A, 日本化薬^B, KEK物構研PF/CMRC^C, 東大工^D

峯廻洋美^A, 井上悟^{A, B}, 山田寿一^A, 田中睦生^A, 熊井玲児^C, 都築誠二^A, 下位幸弘^A, 長谷川達生^{A, D}

有機半導体Ph-BTBT-C10の単結晶薄膜作製とFET特性

東大工, 産総研^A, 日本化薬^B

浜井貴将, 峯廻洋美^A, 井上悟^{B, A}, 荒井俊人, 長谷川達生^A

非対称置換型BTBT有機半導体超薄膜の分子層数制御とデバイス特性

東大院工^A, 日本化薬^B, 産総研^C

荒井俊人^A, 井上悟^{B, C}, 長谷川達生^{A, C}

歪み有機単結晶トランジスタの温度依存性とホール効果測定

東大新領域, 東工大資源研^A, 琉球大理^B

窪孝祥, 鶴見淳人, Roger Häusermann, 渡邉峻一郎, 赤松範久^A, 宍戸厚^A, 三津井親彦, 岡本敏宏, 柳澤将^B, 松井弘之, 竹谷純一

電界誘起ESR測定に基づく有機半導体単結晶FETのスピン緩和機構

東大新領域

鶴見淳人, 松井弘之, Roger Häusermann, 渡邉峻一郎, 三津井親彦, 岡本敏宏, 竹谷純一

休憩　（15:00〜15:15)

電荷変調イメージング法による多結晶性有機薄膜トランジスタのキャリア蓄積状態マッピングII

筑波大数理物質, 産総研^A, 東大工^B

松岡悟志, ^○堤潤也^A, 山田寿一^A, 鎌田俊英^A, 長谷川達生^{A, B}

印刷法を用いた高精細電極形成技術の開発と有機半導体へのキャリア注入高効率化

東大工, 産総研FLEC^A, 山形大^B

青島圭佑, 山田寿一^A, 福原克郎^A, 富樫貴成^B, 栗原正人^B, 荒井俊人, 長谷川達生^A

分子性導体κ型ET塩を用いたMott-FETにおける磁場下電子輸送III

理研^A, 分子研^B

佐藤慶明^A, 川椙義高^A, 山本浩史^{A, B}, 加藤礼三^A

α-(BEDT-TTF)₂I₃微細結晶を用いた相転移型FETの作製

千葉大先進科学セ, 千葉大院工^A, 千葉大工^B

岡田悠悟, 多田裕作^A, 後藤大河^B, 酒井正俊^A, 工藤一浩^A

ZnPc/C₆₀バルクヘテロ接合の低温光CELIV測定

兵県大理

森雄一, 西岡友輔, 佐藤井一, 田島裕之

有機薄膜太陽電池の磁場効果II

兵庫県立大院物質理

西岡友輔, 上田博昭, 安川直人, 森雄一, 佐藤井一, ^○田島裕之

21日 BG会場　21pBG　13:40〜17:00

領域7，領域5，領域10，領域11合同シンポジウム
主題：フォノンエンジニアリングに向けた物質科学の新展開

（シンポジウム講演）はじめに：フォノンエンジニアリングに向けた物質科学

東理大工

山本貴博

（シンポジウム講演）フォノニック結晶ナノ構造による熱伝導制御

東大生研

野村政宏

（シンポジウム講演）カーボンナノチューブのフォノン物性と異常熱輸送

東大院機械

丸山茂夫

（シンポジウム講演）低次元系での異常熱輸送現象の理論

慶應理工・物理

齋藤圭司

休憩　（15:15〜15:30)

（シンポジウム講演）超高速レーザー分光法とテラヘルツ分光法によるフォノン研究

横国院工

片山郁文

（シンポジウム講演）ラットリングフォノンと熱電変換

東北大院理・WPI

谷垣勝己

（シンポジウム講演）電子デバイスにおける熱マネージメントとフォノンエンジニアリング

慶應理工・電子

粟野祐二

22日 AS会場　22aAS　9:00〜12:45

領域7（1〜7番目のみ領域4と合同）
グラフェン・ナノチューブ

位相緩和によるジグザグGNR完全伝導チャンネルの安定化

広大先端研

下村祐司, 高根美武

数層グラフェンの高圧ラマン分光

新潟大院自然, 新潟大超域^A, 新潟大理^B, NIMS^C

星野豪, ^○中山敦子^A, 大村彩子^A, 石川文洋^B, 山田裕^B, 中野智志^C

3層グラフェン/H-SiCにおける電子状態の積層構造依存性：高分解能ARPES

東北大院理^A, 東北大WPI^B

山村典史^A, 鈴木克郷^A, 菅原克明^B, 佐藤宇史^A, 高橋隆^{A, B}

グラフェンにおける超高速発光ダイナミクスのフェルミエネルギー変調による制御

東大物性研, ケムニッツ工科大^A, エアランゲン大^B

前澤俊哉, 渡邊浩, Thomas Seyller^A, Martin Hundhausen^B, 末元徹

金属表面上に展開した酸化グラフェンの界面選択還元

弘大理工, 東大新領域^A

本間弘樹, 小幡誠司^A, 斉木幸一朗^A, ^○藤川安仁

分子吸着によるグラフェンの電子状態制御

岡山大院自然, 名城大農^A, 岩手大工^B

秋吉秀彦, 後藤秀徳, 上杉英里, 大山晶子, 江口律子, 齋藤軍治^A, 吉田幸大^A, 長田洋^B, 西川尚男^B, 久保園芳博

同位体超格子カーボンナノチューブにおける格子振動

東工大理

斎藤晋, 坂東優樹

休憩　（10:45〜11:00)

チオフェン重合体内包カーボンナノチューブの光伝導スペクトル

豊田理研, 名大院理^A, 京大エネ研^B, 首都大院理工^C

中村新男, 宮浦健志^A, 松田一成^B, テンディ・ボアネルゲス^A, 宮田耕充^C, 篠原久典^A

Si中に埋め込まれたCNTのエネルギー論と電子物性

筑波大数理

古地健人, 岡田晋

単層カーボンナノチューブ熱電特性のカイラリティ依存性

首都大理工

柳和宏, 大島侑己, 北村典雅, 河合英輝, 真庭豊

変形したCNTへの電界による電荷蓄積

筑波大数理

長谷川明子, 岡田晋

半導体単層カーボンナノチューブのフェムト秒誘導ラマン分光：電子励起状態における振動ダイナミクス

東北大理, 首都大理工^A

志村明彦, 河合秀樹^A, 柳和宏^A, 吉澤雅幸

ドープしたカーボンナノチューブにおけるプラズモンの理論

NTT物性研, 東工大^A

佐々木健一, 村上修一^A

カーボンナノチューブの円偏光二色性

東北大理

齋藤理一郎, 佐藤直道, 辰巳由樹

22日 BE会場　22aBE　9:00〜12:30

領域7
擬一次元系／π−d系／超伝導

(TMTSF)₂NO₃の強束縛モデルの磁場中のエネルギーと量子ホール伝導度

熊大教育, 兵庫県立大物質理^A

岸木敬太, 長谷川泰正^A

一次元有機導体におけるスピン軌道相互作用効果：ESRの観点から

分子研, 総研大

中村敏和

(TMTSF)₂ClO₄の超伝導状態における交流磁化率の不純物効果

京大院理, コペンハーゲン大学^A, パリ南大学^B

米澤進吾, 樋口匠, 杉本雄亮, 前野悦輝, K. Bechgaard^A, D. Jerome^B

擬一次元導体HMTSF-TCNQのNMR研究 III

学習院大理, 分子研^A, 大阪市大院理^B, 大阪経法大^C, ソウル大^D, 理研^E

佐藤昌志, 杉浦亮, 長谷川綾香, 開康一, 高橋利宏, 中村敏和^A, 村田惠三^{B, C, D}, 加藤礼三^E

輸送現象測定による擬一次元有機超伝導体(DMET)₂I₃のバンド幅と異方性の圧力依存性決定

阪市大院理, 首都大理工^A

吉野治一, 野浪大輝, 菊地耕一^A

物理的・化学的圧力による擬一次元強相関有機導体(BPDT-TTF)₂Xの電子状態の制御

東北大金研, 山梨大工^A, 山梨大クリスタル^B, 埼玉大理^C

小林亮太, 橋本顕一郎, 米山直樹^A, 熊田伸弘^B, 武井貴弘^B, 谷口弘三^C, 佐々木孝彦

休憩　（10:30〜10:45)

β-(BDA-TTP)₂I₃における¹H-NMR測定

東大工, 兵庫県立大物質理^A

中田耕平, 宮川和也, 角屋智史^A, 山田順一^A, 鹿野田一司

三角格子系EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の圧力下超伝導特性―次元性の議論―

東理大理, 北大電子研^A, 理研^B

栁田裕毅, 小室昭太, 生井沢智之, 山本陸, 古川哲也, 伊藤哲明, 久保和也^A, 加藤礼三^B

三角格子系EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の圧力下超伝導特性－対称性の議論－

東理大理, 北大電子研^A, 理研^B

小室昭太, 生井沢智之, 栁田裕毅, 山本陸, 古川哲也, 伊藤哲明, 久保和也^A, 加藤礼三^B

EtMe₃P[Pd(dmit)₂]₂の圧力下における超伝導

東邦大理, 理研^A

曾根真智子, 志村奈々, 田嶋尚也, 加藤礼三^A, 西尾豊, 梶田晃示

スピン軌道相互作用を考慮したπ-d系分子性導体の電子構造　－第一原理計算による研究－

物材機構, 広大院先端^A, 理研^B

圓谷貴夫, 獅子堂達也^A, 加藤礼三^B, 宮崎剛

Me₄P[Pt(dmit)₂]₂のNMRと輸送測定

理研

藤山茂樹, 川椙義高, 加藤礼三

π-d系混晶(DIETSe)₂FeBr_4xCl_4(1-x)におけるヒステリシス現象

京大院理^A, 長岡技科大^B, NHMFL^C

川口玄太^A, 前里光彦^A, 小松徳太郎^A, 今久保達郎^B, David Graf^C, 北川宏^A

22日 BE会場　22pBE　13:30〜15:30

領域7
中性−イオン性転移／π−d系

中性－イオン性転移物質TTF-CAの圧力下におけるスピンソリトン

東大工, 産総研^A, JST-CREST^B, 理研^C, 東大新領域^D

須波圭史, 宮川和也, 堀内佐智雄^{A, B}, 加藤礼三^C, 岡本博^D, 鹿野田一司

中性－イオン性転移物質TTF-CAの1/fノイズ異方性測定

東大院工, 東大新領域^A

竹原陵介, 宮川和也, 鹿野田一司, 宮本辰也^A, 岡本博^A

負の磁気抵抗効果を示すフタロシアニン分子導体TPP[Cr(Pc)(CN)₂]₂の強磁場下物性測定

阪大院理, 熊大院自然^A, 阪大先端強磁場^B, 北大院理^C

池田光雄, 村川寛, 西美樹^A, 松田真生^A, 田原大夢^B, 木田孝則^B, 萩原政幸^B, 稲辺保^C, 花咲徳亮

π-d系有機導体λ-(BEDT-STF)₂FeCl₄の磁気的性質

北大院理

南舘孝亮, 進藤寛礼, 松永悟明, 野村一成, 井原慶彦, 河本充司

Probing the Superconducting Ground State of Organic Superconductor λ(BETS)₂GaCl₄

RIKEN Nishina Center¹, Osaka Univ.², Gakushuin Univ.³, Shibaura Inst. of Tech.⁴, Hokkaido Univ.⁵

Dita Puspita Sari^{1, 2}, Retno Asih^{1, 2}, Koichi Hiraki³, Yasuyuki Ishii⁴, Hiroya Kumagai⁵, Atsushi Kawamoto⁵, Toshihiro Takahashi³, Isao Watanabe^{1, 5}, Takehito Nakano², and Yasuo Nozue²

κ-(BETS)₂FeBr₄およびκ-(BETS)₂FeCl₄の磁場下での熱的性質2

東邦大理, 筑波大院数理物質^A, 物材機構^B

宇都宮一広, 佐藤俊, 田嶋尚也, 杉浦栞理^{A, B}, 宇治進也^{A, B}, 梶田晃示, 西尾豊

κ-(BETS)₂Fe_1-xGa_xBr₄の磁気相転移近傍における臨界現象と電子状態

東邦大理^A, 理研^B

佐藤俊^A, 冨永陽平^A, 宇都宮一広^A, 田島尚也^{A, B}, 梶田晃示^A, 西尾豊^A, 加藤礼三^B

BEDT-TTFを用いた分子性導体におけるゼーベック係数のバンドフィリング依存性

東工大院理工

清田泰裕, 川本正, 森健彦

一般社団法人 日本物理学会 第71回年次大会（2016年） The 71th Annual Meeting

領域別プログラム

領域7

19日 AS会場 19aAS 9:00〜12:30

領域7籠状・ネットワーク物質・フラーレン

休憩 （10:30〜10:45)

19日 BA会場 19aBA 9:00〜12:45

領域4，領域7合同グラフェン（輸送特性・電場応答）

休憩 （10:30〜10:45)

19日 BE会場 19aBE 9:00〜12:30

領域7スピン液体

休憩 （10:30〜10:45)

19日 BH会場 19aBH 9:00〜11:30

領域5（1〜9番目のみ領域7と合同）光誘起相転移

休憩 （10:30〜10:45)

19日 AR会場 19pAR 15:15〜17:30

領域7電荷揺らぎ・秩序

19日 BG会場 19pBG 13:20〜17:15

領域7領域7 日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

休憩 （15:00〜15:15)

19日 BQ会場 19pBQ 13:30〜16:50

領域8，領域3，領域7合同シンポジウム主題：Commonalities and individualities in unconventional superconductors

休憩 （14:55〜15:10)

20日 AS会場 20pAS 13:30〜17:15

領域7（14番目のみ領域8と合同）Dirac系／電荷揺らぎ・電荷秩序

休憩 （15:00〜15:15)

20日 BE会場 20pBE 13:30〜17:15

領域7，領域4合同グラフェン関連（新物質・原子層）

休憩 （15:15〜15:30)

21日 AK会場 21aAK 10:45〜12:30

領域8（4〜10番目のみ領域7と合同）超伝導物質他（圧力効果・電界効果）

21日 BB会場 21aBB 9:00〜11:45

領域7導電性高分子・界面デバイス

休憩 （10:15〜10:30)

21日 BC会場 21aBC 9:00〜12:00

領域7超伝導

休憩 （10:30〜10:45)

21日 AG会場 21pAG 13:30〜17:15

領域4，領域7合同グラフェン（量子ホール効果・欠陥・表面修飾）

休憩 （15:00〜15:15)

21日 BB会場 21pBB 13:30〜16:45

領域7界面デバイス

休憩 （15:00〜15:15)

21日 BG会場 21pBG 13:40〜17:00

領域7，領域5，領域10，領域11合同シンポジウム主題：フォノンエンジニアリングに向けた物質科学の新展開

休憩 （15:15〜15:30)

22日 AS会場 22aAS 9:00〜12:45

領域7（1〜7番目のみ領域4と合同）グラフェン・ナノチューブ

休憩 （10:45〜11:00)

22日 BE会場 22aBE 9:00〜12:30

領域7擬一次元系／π−d系／超伝導

休憩 （10:30〜10:45)

22日 BE会場 22pBE 13:30〜15:30

領域7中性−イオン性転移／π−d系

一般社団法人日本物理学会　第71回年次大会（2016年）
The 71th Annual Meeting

19日 AS会場　19aAS　9:00〜12:30

領域7
籠状・ネットワーク物質・フラーレン

休憩　（10:30〜10:45)

19日 BA会場　19aBA　9:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン
（輸送特性・電場応答）

休憩　（10:30〜10:45)

19日 BE会場　19aBE　9:00〜12:30

領域7
スピン液体

休憩　（10:30〜10:45)

19日 BH会場　19aBH　9:00〜11:30

領域5（1〜9番目のみ領域7と合同）
光誘起相転移

休憩　（10:30〜10:45)

19日 AR会場　19pAR　15:15〜17:30

領域7
電荷揺らぎ・秩序

19日 BG会場　19pBG　13:20〜17:15

領域7
領域7 日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演

休憩　（15:00〜15:15)

19日 BQ会場　19pBQ　13:30〜16:50

領域8，領域3，領域7合同シンポジウム
主題：Commonalities and individualities in unconventional superconductors

休憩　（14:55〜15:10)

20日 AS会場　20pAS　13:30〜17:15

領域7（14番目のみ領域8と合同）
Dirac系／電荷揺らぎ・電荷秩序

休憩　（15:00〜15:15)

20日 BE会場　20pBE　13:30〜17:15

領域7，領域4合同
グラフェン関連
（新物質・原子層）

休憩　（15:15〜15:30)

21日 AK会場　21aAK　10:45〜12:30

領域8（4〜10番目のみ領域7と合同）
超伝導物質他
（圧力効果・電界効果）

21日 BB会場　21aBB　9:00〜11:45

領域7
導電性高分子・界面デバイス

休憩　（10:15〜10:30)

21日 BC会場　21aBC　9:00〜12:00

領域7
超伝導

休憩　（10:30〜10:45)

21日 AG会場　21pAG　13:30〜17:15

領域4，領域7合同
グラフェン
（量子ホール効果・欠陥・表面修飾）

休憩　（15:00〜15:15)

21日 BB会場　21pBB　13:30〜16:45

領域7
界面デバイス

休憩　（15:00〜15:15)

21日 BG会場　21pBG　13:40〜17:00

領域7，領域5，領域10，領域11合同シンポジウム
主題：フォノンエンジニアリングに向けた物質科学の新展開

休憩　（15:15〜15:30)

22日 AS会場　22aAS　9:00〜12:45

領域7（1〜7番目のみ領域4と合同）
グラフェン・ナノチューブ

休憩　（10:45〜11:00)

22日 BE会場　22aBE　9:00〜12:30

領域7
擬一次元系／π−d系／超伝導

休憩　（10:30〜10:45)

22日 BE会場　22pBE　13:30〜15:30

領域7
中性−イオン性転移／π−d系