領域別プログラム
領域4
領域4,領域7合同
グラフェン
(輸送特性・電場応答)
1
エンカプセルされた高易動度多層グラフェンにおける垂直電場効果
広大先端研A, 物材機構B
戎岡亮哉A, 大西純平A, 平原大暉A, 内野翔太A, 渡邊賢司B, 谷口尚B, 八木隆多A
2
h-BN上高移動度奇数層グラフェンの電子構造
広大先端A, 物材機構B
大西純平A, 平原大暉A, 戎岡亮哉A, 内野翔太A, 谷口尚B, 渡邊賢司B, 八木隆多A
3
h-BN上に形成した偶数層グラフェンの磁気抵抗
広大先端A, 物材機構B
平原大暉A, 大西純平A, 戎岡亮哉A, 内野翔太A, 渡邊賢司B, 谷口尚B, 八木隆多A
4
高移動度h-BN上2層グラフェンアンチドットの整合性磁気抵抗
広島大先端A, 物材機構B
内野翔太A, 戎岡亮哉A, 大西純平A, 平原大暉A, 渡邊賢司B, 谷口尚B, 八木隆多A
5
トンネル絶縁膜をはさんだ2層グラフェンの電気伝導
大工大応用物理, ジョージア工科大マテリアルサイエンスA, 兵庫医大物理B
藤元章, Corey JoinerA, 寺澤大樹B, Christopher PeriniA, 福田昭B, Eric VogelA
6
BN/graphene/BN試料における量子伝導現象の観測
千葉大院融合, アリゾナ州大A, バッファロー大B, 物材機構C, 成均館大学校D
峰晴正彰, 松永正広, 青木伸之, 落合勇一, D.K.FerryA, J.P.BirdB, 渡邊賢司C, 谷口尚C, I.LeeD, G-H.KimD
休憩 (10:30〜10:45)
●7
Electron propagation in bilayer graphene in the birefringent regime
Univ. of TokyoA, Univ. of LeicesterB
P. A. MaksymA, B and H. AokiA
●8
Imaging coherent transport in chemical vapor deposition graphene wide constriction by scanning gate microscopy
Grad. Sch. of Advanced Integration Science, Chiba Univ.A, Japan Society for the Promotion of Science Foreign ResearcherB, Grad. Inst. of Applied Phys., Nat’l. Taiwan Univ.C, Dept. of Phys., Nat’l. Taiwan Univ.D, Dept. of Electrophysics, Nat’l. Chiayi Univ.E
Chiashain ChuangA, B, Masahiro MatsunagaA, Fan-Hung LiuC, Tak-Pong WooD, Li-Hung LinE, Bi-Yi WuC, Yuichi OchiaiA, Chi-Te LiangC, D, Nobuyuki AokiA
9
一層、二層グラッフェンにての1/f型雑音の観測と解析
千葉大院融合A, 理研B, アリゾナ州大C, バッファロー大D
落合勇一A, 青木伸之A, マハジューブ アカラムA, 宮本克彦A, 山口智弘B, 尾松孝茂A, J. P. バードC, D. K. フェリーD, 石橋幸治B
10
単層・2層が共存するエピタクシャルグラフェンの磁気抵抗の2キャリアモデルによる解析
東大物性研, 名大未来材料・システム研A, 名大工B
遠藤彰, 包建峰A, 乗松航B, 楠美智子A
11
表面修飾したCVDグラフェンの電気伝導
筑波大数理
大塚洋一, 青木仁, 堀江彩叶
12
Origin of the high electrical conductivity of copper with graphene/boron-nitride coating layer
NIMS, Univ. of TsukubaA
Nguyen Thanh Cuong, Susumu OkadaA
13
3次元Dirac電子系アンチペロブスカイト酸化物Sr3EO(E=Sn,Pb)における磁気輸送現象
東大理A, マックス・プランク研B
末次祥大A, 葉山慶平A, A.YareskoB, A.W. RostB, C. MuhleB, J. NussB, 高木英典A, B
14
Ca3PbOの輸送特性とバルク敏感光電子分光
東工大応セラ研A, 物材機構B, 東工大元素セC
小畑由紀子A, 上田茂典B, 松石聡C, 戸田喜丈C, 細野秀雄A, C
領域4
量子ドット
1
量子ドット系における温度ポンプの理論
東大物性研
長谷川雅大, 加藤岳生
2
量子ドットにおける情報と電流の完全計数統計
三重大工
内海裕洋
3
相互作用共鳴準位模型における電流ゆらぎの汎関数くりこみ群法による解析
東大理, Columbia Univ.A, RWTH AachenB
鈴木貴文, D. M. KennesA, V. MedenB
4
非平衡量子ドット系の電子相関と動的複合フェルミオン描像
筑波大数理物質
谷口伸彦
5
多端子アハラノフ・ボーム干渉計による近藤効果の位相測定
慶大理工
江藤幹雄
6
量子ドット干渉計におけるAC効果の多端子測定
慶大理工
松永拓, 江藤幹雄
休憩 (15:00〜15:15)
7
多軌道量子ドットの近藤効果における磁場と軌道分裂の効果 II
大阪市大理, 東大物性研A, 阪大理B, パリ南大C
寺谷義道, 小栗章, 阪野塁A, Meydi FerrierB, C, 荒川智紀B, 秦徳郎B, 藤原亮B, 小林研介B
8
量子ドットにおけるコトンネリング電流の完全計数統計
慶大理工
岩崎諄, 江藤幹雄
9
量子モンテカルロ法による二準位系を介した熱輸送特性の理論的評価
東大物性研, 慶大理工A
加藤聖也, 加藤岳生, 齊藤圭司A
10
Josephson接合に埋め込まれた量子ドットのスペクトル関数:数値くりこみ群による研究
大阪市大理, アドバンスソフトA
小池章高, 小栗章, 田中洋一A
11
超伝導および常伝導リードに接続された3角形3重量子ドットにおける近藤効果とJosephson効果の競合
大阪市大理, アドバンスソフトA
中田幸宏, 寺谷義道, 小栗章, 田中洋一A
12
三重量子ドットにおける準安定電荷状態を利用したスピン・電荷変換
理研CEMS, 東大工A, Ruhr-Univ. BochumB
中島峻, Matthieu R. Delbecq, 大塚朋廣, 天羽真一, 米田淳, 野入亮人A, 武田健太, Giles Allison, Arne LudwigB, Andreas D. WieckB, 樽茶清悟A
13
三重量子ドット電子スピン共鳴における局所磁場差と交換相互作用の競合
理研CEMS, 東大工A, ルール大ボーフムB
米田淳, 野入亮人A, 中島峻, 大塚朋廣, Matthieu Delbecq, 天羽真一, Arne LudwigB, Andreas WieckB, 樽茶清悟
14
電極と結合した量子ドットにおけるスピン緩和測定
理研CEMS, 東大物工A, Ruhr-Univ. BochumB
大塚朋廣, 中島峻, Matthieu Delbecq, 天羽真一, 米田淳, 武田健太, Giles Allison, 野入亮人A, 伊藤匠A, Arne LudwigB, Andreas WieckB, 樽茶清悟A
領域4
ワイル半金属
(グラフェン関連・トポロジカル絶縁体)
1
取 消
2
ワイル半金属におけるLifshitz tailの数値的研究
上智大理工
伊藤周作, 小林浩二, 大槻東巳
3
ディラック・ワイル半金属におけるスピン構造とスピン波励起
東北大金研A, 東北大学際研B
荒木康史A, B, 野村健太郎A
4
円偏光による軸性流の生成とその検出法
名大工, 京大基研A
田口勝久, ○今枝立至, 佐藤昌利A, 田仲由喜夫
5
対称性に基づいたWeyl半金属及びNodal-line半金属物質の探索
東工大院理工A, 東工大元素戦略研究セB, 産総研CD-FMatC
平山元昭A, B, 村上修一A, B, 奥川亮A, 石橋章司C, 三宅隆C
6
ワイル半金属の風変わりな電気磁気応答と底抜けディラック模型の正則化
広大院先端
高根美武
休憩 (15:00〜15:15)
7
ディラック線ノード半金属におけるトポロジカル相転移
名大工
小林伸吾, 山影相
8
ワイル半金属における電圧誘起磁化反転とスピンポンピング現象
東北大金研
紅林大地, 野村健太郎
9
多重モノポールを持つワイル半金属超伝導におけるアンドレーエフ束縛状態
名大工
矢田圭司, 小林伸吾, 田仲由喜夫
10
カイラル磁気効果を包含する電磁気学と輸送現象
東大物性研
藤田浩之, 押川正毅
11
取 消
12
非一様磁場中のワイル半金属におけるカイラル磁気効果の理論
京大理
井辺洋平, 住吉浩明
13
ワイル半金属候補物質NbPの表面フェルミアーク:高分解能ARPES
東北大WPIA, ケルン大B, 阪大産研C, 東北大院理D, 京産大E
相馬清吾A, Z. WangB, 小鷹浩毅C, 佐藤宇史D, 中山耕輔D, 田中祐輔D, 君塚平太D, 高橋隆A, D, 山内邦彦C, 小口多美夫C, 瀬川耕司E, 安藤陽一B, C
14
ワイル半金属候補物質の単結晶育成と超伝導特性
東工大応セラ研
並木宏允, 大川顕次郎, 笹川崇男
領域8(11番目のみ領域4と合同)
低温理論
11
二次元トポロジカルs波超伝導体の秩序変数の安定性
原子力機構シ計セ, 東大総合文化A
永井佑紀, 星野晋太郎A, 太田幸宏
領域7,領域4合同
グラフェン関連
(新物質・原子層)
1
TiSe2超薄膜の高分解能ARPES
東北大WPI-AIMRA, 東北大院理B
菅原克明A, 中田優樹B, 清水亮太A, P. HanA, 一杉太郎A, 佐藤宇史A, 高橋隆A, B
2
NbSe2薄膜における電子状態の膜厚依存性:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPIB, 埼玉大院理工C
中田優樹A, 山田敬子A, 君塚平太A, 田中祐輔A, 菅原克明B, 相馬清吾B, 佐藤宇史A, 清水亮太B, 一杉太郎B, 上野啓司C, 高橋隆A, B
3
原子層ヘテロ構造における蛍光共鳴エネルギー移動の観測
京大エネ研A, 早大先進理工B, NUSC, JST PRESTOD
小澤大知A, B, Alexandra CarvalhoC, Ivan VerzhbitskiyC, Francesco GiustinianoC, 宮内雄平A, D, 毛利真一郎A, A. H. Castro NetoC, 松田一成A, 江田剛輝C
4
3R-NbS2における準粒子干渉効果
理研CEMSA, 東大工B, 阪大理C
町田理A, 鈴木龍二B, 幸坂祐生A, 岩谷克也A, 松岡賢佑B, 越智正之C, 有田亮太郎A, 岩佐義宏A, B, 花栗哲郎A
5
走査ゲート顕微法によるMoS2トランジスタの動作機構の解析2
千葉大院融合A, バッファロー大B, さきがけC
松永正広A, 樋口絢香A, Guanchen HeB, Jonathan P. BirdA, B, 落合勇一A, 青木伸之A, C
6
単層MoS2におけるバレーコヒーレンスの起源
京大院理A, 京大WPI-iCeMSB
吉川尚孝A, B, 谷峻太郎B, 田中耕一郎A, B
7
MX2/Graphiteファンデルワールスヘテロ接合界面におけるシュタルク効果
早大先進, 首都大理工A, 早大材研B
蒲江, 松木啓一郎, 小林佑A, 佐々木将悟A, 小澤大知, 宮田耕充A, 竹延大志B
休憩 (15:15〜15:30)
8
NbSe2/グラフェンファンデルワールス接合におけるアンドレーエフ反射
東大生産研A, 東大ナノ量子B, CREST-JSTC
矢吹直人A, 守谷頼A, 増渕覚A, 町田友樹A, B, C
9
Electronic structure of thin and bulk WSe2 and WS2
Univ. of Nebraska-Lincoln, Univ. of California-RiversideA, 広大放射光セB, 広大院理C, Elettra-Sincrotrone TriesteD
Iori Tanabe, Takashi Komesu, Eike F. SchwierB, Michael GomezA, Ludwig BartelsA, Mingtian ZhengC, Yohei KojimaC, Alexei V. BarinovD, Santosh K. BalijepalliD, Victor KandybadD, Kenya ShimadaB, and Peter A. Dowben
10
Electronic Structure of WSe2; Influence of Na and Co Adsorption
Univ. of Nebraska-Lincoln, 広大放射光セA, 広大院理B, Univ. Central FloridaC
Takashi Komesu, Iori Tanabe, Eike F. SchwiercA, Yohei KojimaB, Mingtian ZhengB, Hideaki IwasawaA, Kenya ShimadaA, Masaki TaniguchiA, Duy LeC, Talat RahmanC, and Peter A. Dowben
●11
Ionic gating of WS2 nanotube
the Univ. of TokyoA, Holon Inst. of Tech.B, Weizmann Inst. of ScienceC, RIKEN CEMSD
Feng QinA, Wu ShiA, Masaro YoshidaA, Toshiya IdeueA, Alla ZakB, Reshef TenneC, Yoshihiro IwasaA, D
12
1T-TaS2二次元結晶における多重準安定状態
東大院工A, 理研CEMSB
吉田将郎A, 御供田崇A, 鈴木龍二A, 中野匡規A, 岩佐義宏A, B
13
π共役高スピン分子による二次元ネットワーク物質の磁性状態
筑波大数理
丸山実那, 岡田晋
14
水素終端によるh-BNナノリボンの極性変調
筑波大数理
山中綾香, 岡田晋
領域4,素粒子論領域,理論核物理領域,領域1,領域8,領域11合同シンポジウム
主題:近藤問題の新展開 New Perspective of Kondo problem
1
(シンポジウム講演)はじめに Introduction
東大物性研 ISSP
加藤岳生 Takeo Kato
●2
(シンポジウム講演)Measurement of electron correlations in a mesoscopic quantum interferometer
Neel institute
Shintaro Takada
3
(シンポジウム講演)AdS/CFT対応におけるラッティンジャー定理 Luttinger theorem in AdS/CFT
阪大理・理論 Osaka Univ.
橋本幸士 Koji Hashimoto
4
(シンポジウム講演)不純物問題の数値くりこみ群とエンタングルメント Numerical renormalization group for the impurity problem and quantum entanglement
新潟大理 Niigata Univ.
奥西巧一 Kouichi Okunishi
休憩 (14:50〜15:05)
●5
(シンポジウム講演)Universality of Non-equilibrium Fluctuations in Strongly Correlated Quantum Liquids
Osaka Univ. and Univ. Paris-Sud
Ferrier Meydi
6
(シンポジウム講演)冷却原子系における近藤効果の実現とその輸送測定 Kondo effect and its transport measurement with ultracold atoms
東工大理工 Titech
西田祐介 Yusuke Nishida
7
(シンポジウム講演)量子色力学に現れる近藤効果 Kondo effect in QCD
高エネ研 KEK
尾崎翔 Sho Ozaki
8
(シンポジウム講演)四面体配置スピンによる近藤効果 Kondo effects of a four-impurity model with a tetrahedron configuration
首都大理工 Tokyo Metropolitan Univ.
服部一匡 Kazumasa Hattori
領域8,領域3,領域4,領域5合同シンポジウム
主題:対称性の破れと量子位相流
1
(シンポジウム講演)はじめに:量子位相流とは
東大新領域
有馬孝尚
2
(シンポジウム講演)テラヘルツ領域の方向二色性
東大工、理研CEMS, JST PREST
高橋陽太郎
3
(シンポジウム講演)強トロイダル秩序
明大理工
楠瀬博明
4
(シンポジウム講演)新しいフェロイック物質の開発
阪大基礎工
木村剛
休憩 (15:15〜15:30)
5
(シンポジウム講演)ジャロシンスキー守谷相互作用に由来する非相反マグノン伝搬
東大総合文化
小野瀬佳文
6
(シンポジウム講演)マグノンの非対角応答の理論
東工大院理工、東工大元素戦略研究セ
村上修一
7
(シンポジウム講演)半導体量子構造におけるスピン軌道相互作用を用いたスピン生成とその制御
東北大院工
好田誠
領域4
半導体スピントロニクス・量子井戸・超格子・光応答
1
スキルミオンの位置情報の電気的検出法
東大工A, 理研CEMSB
濱本敬大A, 江澤雅彦A, 永長直人A, B
2
InAs量子ポイントコンタクト系での面内磁気伝導度ゆらぎII
東大物性研
岩崎優, 橋本義昭, 中村壮智, 家泰弘, 勝本信吾
3
2次元電子系へのスピン注入
東大物性研
和泉憲佳, 橋本義昭, 中村壮智, 勝本信吾
4
InGaAs 2次元電子ガス2層系における共鳴スピンホール効果測定
大阪工大, 北陸先端大A
山田省二, 藤元章, 添田幸伸A, 赤堀誠志A
5
表面反転層高In組成2次元電子ガス2層系のサブバンド構造と量子ホール効果
北陸先端大, 大阪工大A, 物材機構B
添田幸伸, 赤堀誠志, 藤元章A, 山田省二A, 今中康貴B, 竹端寛治B
6
高In組成InGaAs2次元電子ガスにおけるスピンバルブ特性の結晶方位依存性
北陸先端大, 長岡技大A, 大阪工大B
添田幸伸, 日高志郎A, 赤堀誠志, 山田省二B
休憩 (10:30〜10:45)
7
単結晶Teにおけるパルス電流下NMR測定による電流誘起磁性の検出
東理大理, 岡大エネルギー新素材A, 東大物性研B
下川裕理, 安井貴敏, 古川哲也, 宮川宣明, 伊藤哲明, 小林夏野A, 徳永将史B
8
円偏光電場下におけるディラックフェルミオンの量子異常誘起効果
東大理, マックスプランク複雑系物理学研A
海老原周, 福嶋健二, 岡隆士A
9
励起光エネルギーチューニングによるGaAs多層膜中の電子輸送過程の遷移
兵庫県大院物質理, 阪市大院工A
長谷川尊之, 竹内日出雄A, 中山正昭A
10
Effects of magnetic field on terahertz generation due to differential-wave-mixing in a GaAs/AlAs multiple quantum well
Kobe Univ., Univ. of SheffieldA, Univ. of GlasgowB
Y. Tarui, O. Kojima, T. Kita, A. MajeedA, P. IvanovA, E. ClarkeA, R. HoggA, B
11
GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子-励起子散乱発光のダイナミクスと空間プロファイルの相関
阪市大院工
古川喜彬, 中山正昭
領域4
領域4 日本物理学会若手奨励賞受賞記念講演・チュートリアル講演
1
(若手奨励賞)領域4若手奨励賞受賞者紹介
東大院理
岡本徹
2
(若手奨励賞)乱れのある3次元トポロジカル絶縁体に関する理論研究
上智大理工
小林浩二
3
(若手奨励賞)量子ホール端状態における電子ダイナミクスの実験的研究
東工大院理工
橋坂昌幸
休憩 (11:10〜11:25)
4
(チュートリアル講演)トポロジカル絶縁体とDブレーンの対応
慶應義塾大学 日吉物理学教室 自然科学研究教育センター
木村太郎
領域4,領域7合同
グラフェン
(量子ホール効果・欠陥・表面修飾)
1
グラファイトの磁場誘起電子相転移に対する層数依存性
東大物性研
田縁俊光, 内田和人, 長田俊人
2
h-BN上グラフェン単層/2層接合における量子ホール伝導II
東大物性研A, 物材機構B
中瀬隼斗A, 内田和人A, 田縁俊光A, 渡邊賢司B, 谷口尚B, 長田俊人A
3
グラフェンにおける量子ホール端状態と磁場中ジグザグ端状態のSTS観測
東大院理A, 東大低セB
松井朋裕A, 佐藤秀樹A, 福山寛A, B
4
SiC上成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴III
物材機構, NTT物性基礎研A, 関西学院大理工B
竹端寛治, 今中康貴, 金子智昭, 関根佳明A, 高村真琴A, 日比野浩樹A, B
5
有機ディラック電子系における量子ホールスピン強磁性状態のNMR研究
CNRS/LNCMI-GrenobleA, 東大工B, 東理大理工C
平田倫啓A, B, 谷口智隆B, Hadrien MayaffreA, 宮川和也B, 田村雅史C, Steffen KrämerA, Mladen HorvatićA, Claude BerthierA, 鹿野田一司B
6
バンド・アンフォールディング法による捩れ二層グラフェンのフェルミ速度変調機構解明
東大工
西紘史, 松下雄一郎, 押山淳
休憩 (15:00〜15:15)
7
グラフェンと巨大Rashba系における弱磁場ホール効果の理論
東工大院理工, 北大院工A
安藤恒也, 鈴浦秀勝A
8
2次元巨大Rashba系における帯磁率の理論
北大院工, 東工大院理工A
鈴浦秀勝, 安藤恒也A
9
欠陥を有するグラフェン薄膜の電子構造
筑波大数理
岸本健, 岡田晋
10
グラフェン点欠陥ゼロモードに対する代数的表現の存在証明
阪大基礎工
森下直樹, 草部浩一, 宮尾哲亮, Gagus Ketut Sunnardianto
11
ディラック電子系におけるバレー内ペアリングによるp波超伝導状態
東北工大, 弘前大A, 首都大B, スイス連邦工科大C
土屋俊二, 御領潤A, 荒畑恵美子B, Sigrist ManfredC
12
2次元ハニカム格子におけるスピン揺らぎ誘起超伝導
名大工
深谷優梨, 矢田圭司, 田仲由喜夫
13
ディラック電子中の量子ドットによる熱電特性の解析
茨大工
青野友祐, 小峰啓史
14
水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態
名大工, 名大未来研A, 筑波大物理B, 京大基研C
服部綾実, 洗平昌晃A, 初貝安弘B, 矢田圭司, 白石賢二A, 佐藤昌利C, 田仲由喜夫
領域4
トポロジカル絶縁体および超伝導体・局在
(理論)
1
トポロジカル/チャーン絶縁体-ディラック/ワイル電子系における創発的トポロジカル特性
広大先端研, 上智大理工A
吉村幸徳, ○井村健一郎, 小林浩二A, 大槻東巳A
2
シリコンナノロッドの蜂の巣格子から発現するトポロジカルフォトニクス
物材機構WPI-MANA
胡暁
3
乱れのあるZ2トポロジカル絶縁体と非可換指数定理
東大院理, 学習院大理A
桂法称, 高麗徹A
4
トポロジカル絶縁体ナノワイヤー表面状態の頑強性:不純物存在下における局在/非局在の問題
広大院先端, 上智大理工A
吉村幸徳, 小林浩二A, 大槻東巳A, 井村健一郎
5
局在長の多項式展開:エルミート系と非エルミート系
東大生研, U. Haifa at OranimA, TechnionB
羽田野直道, Joshua FeinbergA, B
6
Symplectic対称性クラスにおけるβ関数の数値計算
阪大理
上岡良季, Keith Slevin
休憩 (15:00〜15:15)
7
異常近接効果に起因する分数Josephson効果の微視的理解
北大院工
池谷聡, 浅野泰寛
8
ディラック半金属における超伝導
名大工, 京大基研A
橋本樹, 小林伸吾, 佐藤昌利A
9
取 消
10
多端子ジョセフソン接合のアンドレーエフスペクトルにおけるワイル特異点
デルフト工科大学
横山知大, Yuli V. Nazarov
●11
Manipulation of the induced pair potential in topological insulator-superconductor hybrid junctions
Inst. for Theoretical Phys. and Astrophysics, Univ. of Wuerzburg, GermanyA, Dept of Applied Phys., Nagoya Univ.B
P. BursetA, B, B. LuB, G. TkachovA, Y. TanakaB, E.M. HankiewiczA, and B. TrauzettelA
12
スピン三重項超伝導体における低エネルギー渦糸準粒子構造
学習院大理
吉田智大, 宇田川将文
13
クエンチダイナミクスにおけるマヨラナ準粒子の残留確率
名大工
石田浩二, 小林伸吾, 川口由紀
14
超伝導渦糸芯マヨラナ束縛状態のスピンテクスチャー
NIMS-MANA
川上拓人, 胡暁
領域4
領域4ポスターセッション
29
二次元異方性調和ポテンシャル内Rashbaスピン軌道相互作用
早大先進理工
武田京三郎, 大井亮
30
GaAs量子ホール電子系の光渦照射による伝導度変化
千葉大院理, 千葉大普遍セA, 千葉大院融合B, 東北大院理C, NTT物性基礎研D
矢ヶ崎慶, 音賢一, 三野弘文A, 尾松孝茂B, 平山祥郎C, 熊田倫雄D
31
SI上のInNの近赤外吸収と反射
大阪教育大教養, 大阪工大工A
中田博保, 吉田玄徳, 淀徳男A
32
トリプルゲート構造量子ポイントコンタクトの電子輸送特性
東北大理
高橋基, M. H. Fauzi, 長瀬勝美, 佐藤健, 平山祥郎
33
表面弾性波中での量子ポイントコンタクトの伝導特性
阪大理物
横井雅彦, 荒川智紀, 渡邉光, 則元将太, 新見康洋, 小林研介
34
電気二重層ゲートを用いた金属量子ポイントコンタクトにおける伝導度の電界制御
東北工大A, 東大生産研B, 東大ナノ量子C
柴田憲治A, B, C, 吉田健治B, 平川一彦B, C
35
近藤効果が発現する量子ドットにおけるゆらぎの定理の検証
阪大理物A, パリ南大B, 東大物性研C, 大阪市大理D
秦徳郎A, 藤原亮A, 荒川智紀A, 小林研介A, Meydi FerrierA, B, Raphaëlle DelagrangeB, Richard DeblockB, Hélène BouchiatB, 阪野塁C, 小栗章D
36
炭素原子欠損を有するグラフェンの電子構造
早大先進理工
根岸颯人, 武田京三郎
37
グラフェンリボンにおけるフロッケエッジ状態
阪大理
八木梢恵, 浅野建一
38
空間的に非一様な3次元ゼロギャップ系の輸送係数
京大理
手塚真樹
39
NbSe2薄膜へのスピン流注入の試み
阪大理
河村智哉, 日野航佑, Paul Noel, 竹下俊平, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介
40
NbSe2/グラフェンを用いたスピンホール素子の作製の試み
阪大院理
竹下俊平, 河村智哉, 日野航佑, Paul Noel, 荒川智紀, 新見康洋, 小林研介
41
ワイル半金属超薄膜におけるフェルミアーク
立命館大理工
巽洲太, 池田浩章
42
弱いトポロジカル近藤絶縁体由来のWeyl半金属と磁気抵抗
阪大基礎工
佐々木邦信, 鶴田篤史, 水島健, 藤本聡
43
分子線エピタキシー法により成長した(Sn,Mn)Te薄膜の磁化特性
筑波大院数理物質A, 東大理B, 広大院理C, 原子力機構D
桜井隆太郎A, ○石川諒A, 山口智也A, 秋山了太A, B, 黒田眞司A, 木村昭夫C, 竹田幸治D, 斎藤祐児D
44
トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜へのAsドーピングによるキャリア密度の低減
筑波大院数理物質A, 東大理B
山口智也A, 石川諒A, 大滝祐輔A, 秋山了太A, B, 黒田眞司A
45
CuxBi2Se3の結晶育成と物性評価
筑波大数理物質, 物材機構A
鈴木悠介, 茂筑高士A, 柏木隆成, 門脇和男
46
トポロジカル絶縁体Bi2-xSnxTe2Seの単結晶育成と物性評価
早大先進理工, 東大低温セA
酒井健一, 森田亮, 松田梓, 藤井武則A
47
ワイル半金属TaPの光学伝導度スペクトル
阪大理A, マックスプランク固体化学物理研B, 阪大生命C
横山裕子A, 高尾一A, M. SchmidtB, B. YanB, J. SichelschmidtB, C. FelserB, 木村真一C, A
48
ダイヤモンドNV中心を用いた磁場測定の不確かさの要因について
筑波大物理学域A, 産総研B
三浦幸浩A, 柏谷聡B, 野村晋太郎A
領域4
量子細線・微小接合
1
InSb量子ポイントコンタクトにおける平行磁場中での伝導特性
東北大理, オクラホマ大A
増田貴史, 関根和希, M. H. Fauzi, 長瀬勝美, K. S. WickramasingheA, T. D. MishimaA, M. B. SantosA, 平山祥郎
2
2層2次元電子系量子ポイントコンタクトにおける伝導度の0.7異常
兵庫医大物理, 阪大理A, パリ南大B
寺澤大樹, 則元将太A, 荒川智紀A, Meydi FerrierB, 福田昭, 小林研介A
3
表面弾性波に誘導された単一電子の二経路間量子振動
東大工, Neel研A, Ruhr大B, 理研C
伊藤諒, 高田真太郎A, 山本倫久, C. BauerleA, A. D. WieckB, 樽茶清悟C
4
InAs並列二重ナノワイヤー接合における量子ドットの伝導特性
東大工, 理研CEMSA, 阪大産研B, 北京大C, Lund大D
馬場翔二, 鎌田大A, 松尾貞茂, R.S.DeaconA, 大岩顕B, K.LiC, H.Q.XuC, D, 樽茶清悟A
5
熱伝導率の第一原理計算:シリコンとシリコンナノワイヤー
東大工
大場孝二, ○押山淳
6
超伝導電極-InAsナノワイヤ複合素子の輸送特性
NTT物性基礎研A, 東北大B
高瀬恵子A, 芦川耶眞登A, B, 章国強A, 館野功太A, 佐々木智A, B
休憩 (10:30〜10:45)
7
超伝導リングのキャパシタンスとインダクタンスを空間変調させた下での量子位相トンネルの解析
筑波大数理物質A, LPMMC/CNRSB, ジョセフ・フーリエ大C
田口真彦A, Denis M. BaskoB, C, Frank W. J. HekkingB, C, 都倉康弘A
8
超伝導ナノコンタクトにおける局所温度計測 III
筑波大数理
柴田倖宏, 大塚洋一
9
SINISターンスタイルに与える近接効果の影響
産総研A, Lancaster大学B, 理研C, 東京理科大D, Aalto大学E
中村秀司A, C, Y. PashkinB, I. KhaymovichE, 岡崎雄馬A, J. PekolaE, J. TsaiC, D, 金子晋久A
10
Nb/InAs/Nb接合における臨界電流の横方向電流依存性
東大物性研
中村壮智, 工藤貴史, 橋本義昭, 勝本信吾
11
InGaAs二次元電子系を用いた量子リング-超伝導接合系の磁気抵抗効果
東大物性研
工藤貴史, 中村壮智, 橋本義昭, 勝本信吾
12
InAs量子井戸に形成された量子細線を介した超伝導接合の伝導特性
東大工, 理研A, カリフォルニア大学B
松尾貞茂, 馬場翔二, 館野瑞樹, 上田健人, 鎌田大A, Javad ShabaniB, Christopher PalmstromB, 樽茶清悟
領域7(1〜7番目のみ領域4と合同)
グラフェン・ナノチューブ
1
位相緩和によるジグザグGNR完全伝導チャンネルの安定化
広大先端研
下村祐司, 高根美武
2
数層グラフェンの高圧ラマン分光
新潟大院自然, 新潟大超域A, 新潟大理B, NIMSC
星野豪, ○中山敦子A, 大村彩子A, 石川文洋B, 山田裕B, 中野智志C
3
3層グラフェン/H-SiCにおける電子状態の積層構造依存性:高分解能ARPES
東北大院理A, 東北大WPIB
山村典史A, 鈴木克郷A, 菅原克明B, 佐藤宇史A, 高橋隆A, B
4
グラフェンにおける超高速発光ダイナミクスのフェルミエネルギー変調による制御
東大物性研, ケムニッツ工科大A, エアランゲン大B
前澤俊哉, 渡邊浩, Thomas SeyllerA, Martin HundhausenB, 末元徹
5
金属表面上に展開した酸化グラフェンの界面選択還元
弘大理工, 東大新領域A
本間弘樹, 小幡誠司A, 斉木幸一朗A, ○藤川安仁
6
分子吸着によるグラフェンの電子状態制御
岡山大院自然, 名城大農A, 岩手大工B
秋吉秀彦, 後藤秀徳, 上杉英里, 大山晶子, 江口律子, 齋藤軍治A, 吉田幸大A, 長田洋B, 西川尚男B, 久保園芳博
7
同位体超格子カーボンナノチューブにおける格子振動
東工大理
斎藤晋, 坂東優樹
領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体
(表面伝導・物質)
1
取 消
2
スピン軌道相互作用の符号に注目したトポロジカル絶縁体の積層とその表面状態
東工大理A, CREST, JSTB, 東工大元素戦略研究セC
中陳巧勤A, B, 村上修一A, B, C
3
取 消
4
取 消
●5
Evolution of bulk and surface band structure in TlBi1-xSbxTe2 studied by high-resolution ARPES
Dept. Phys., Tohoku Univ.A, WPI-AIMR, Tohoku Univ.B, Cologne Univ.C, Kyoto Sangyo Univ.D, and ISIR, Osaka Univ.E
C. TrangA, K. YamadaA, Y. TanakaA, S. SoumaB, T. SatoA, Z. WangC, K. SegawaD, Y. AndoC, E, and T. TakahashiA, B
休憩 (10:30〜10:45)
6
磁気変調ドーピングされたトポロジカル絶縁体における量子異常ホール効果の高温化
東大工A, 東北大金研B, 理研CEMSC
茂木将孝A, 吉見龍太郎A, 塚崎敦B, 安田憲司A, 小塚裕介A, 高橋圭C, 川﨑雅司A, C, 十倉好紀A, C
7
磁性トポロジカル絶縁体薄膜における量子化異常ホール状態のテラヘルツ磁気光学応答
東大工A, 理研CEMSB, 東北大金研C
岡田健A, B, 高橋陽太郎A, B, 吉見龍太郎A, 茂木将考A, 塚崎敦C, 高橋圭B, 小川直毅B, 川崎雅司A, B, 十倉好紀A, B
8
気相成長させたトポロジカル絶縁体Bi2-xSbxTe3-ySey薄膜の電子状態:輸送現象の膜厚依存性
東北大院理A, 東北大AIMRB, 阪市大院理C
松下ステファン悠A, Ngoc Han TuA, 田邉洋一A, Khuong Kim HuynhB, 佐竹遥介A, 渡部智貴A, Le Huu PhuocA, 吉野治一C, 谷垣勝己A, B
9
高いバルク絶縁性を持つトポロジカル絶縁体の単結晶育成と物性評価
東工大応セラ研
名坂成昭, 笹川崇男
10
超伝導状態における単結晶CuxBi2Se3の比熱の試料依存性
京大院理, ケルン大物理A, 阪大産研B, 原子力機構シ計セC, 京産大院理D
田尻兼悟, 米澤進吾, Zhiwei WANGA, B, 永井佑紀C, 瀬川耕司D, B, 前野悦輝, 安藤陽一A, B
11
強いスピン軌道相互作用をもつAu-Pb化合物の単結晶育成と超伝導特性
東工大応セラ研
橘和宗, 大川顕次郎, 並木宏允, 笹川崇男
領域4
量子ホール効果
1
高移動度CdTe量子ホール系におけるサイクロトロン共鳴
物材機構, ポーランド科学アカデミーA
今中康貴, G.KarczewskiA, T.WojtowiczA
2
並走する量子ホールエッジチャネルにおける非平衡エネルギースペクトル
東工大, NTT物性基礎研A
中澤遼, ○伊藤広祐, 橋坂昌幸, 村木康二A, 藤澤利正
3
GaAs HEMT構造の試料端近傍におけるカー回転を用いたスピン偏極測定
千葉大院理
鎌形諒太, 音賢一
4
ブレークダウン電流による核スピン・ポンプとKerr効果を用いた局所的プロービング
千葉大院理, 東北大院理A, NTT物性基礎研B
色部潤, 有海祐伺, 石橋凌駕, 音賢一, 平山祥郎A, 熊田倫雄B
●5
Nuclear spin relaxation in bilayer electrons total filling factor 2 quantum Hall effect
Dept. of Phys., Tohoku Univ.A, RIKEN-CEMSB, WPI-AIMR, Tohoku Univ.C
M. H. FauziA, Y. HamaB, and Y. HirayamaA, C
●6
Real-time dynamics of a topologically-protected excitation of the fractional quantum Hall effect studied by photoluminescence microscopy
Tohoku Univ.A, Nat’l. Inst. for Materials ScienceB
J. N. MooreA, J. HayakawaA, T. ManoB, T. NodaB, G. YusaA
7
ν=2/3量子ホール状態の動的核スピン偏極と数値シミュレーション
兵庫医大物理, 京大院理A, 京大低温セB
福田昭, 津田是文A, Nguyen Minh-HaiA, 寺澤大樹, 澤田安樹B