領域9

領域9 27日　AP会場　27aAP　9:30〜12:00

領域9
表面ナノ構造・クラスタ・ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 走査トンネル顕微鏡を用いたAg(111)表面上における酸素分子
東大物性研　山本駿玄，土師将裕，吉田靖雄，長谷川幸雄

2: 金(111)面に形成したアルカン単分子層上の金属ナノクラスター
東京農工大工，千葉大工^A，KEK-PF^B　遠藤理，中村将志^A，雨宮健太^B，尾崎弘行

3: 矩形Quantum Corralの量子化されたSTM電流
埼玉工大院　龍見洋平，光岡重徳，田村明

4: 吸着原子を含む円形Quantum Corral内の電子状態
埼工大　光岡重徳，田村明

休憩　（10:30〜10:45)

5: 銅クラスターイオンへのNO分子の吸着と反応
豊田工大，コンポン研^A　市橋正彦，平林慎一^A

6: Niナノ粒子の気相中熱酸化によるNiOナノロッドの生成
産総研ナノシステム，産総研先進製造^A　古賀健司，平澤誠一^A

7: カーボンナノチューブを用いたナノ接合における電子輸送特性の第一原理研究
北大工　江上喜幸，明楽浩史

8: 原子接合における力と電流の関係
阪大工，ASCR^A，名大工^B，マドリッド自治大^C，阪大産^D　杉本宜昭，M. Ondracek^A，阿部真之^B，P. Pou^C，森田清三^D，R. Perez^C，F. Flores^C，P. Jelinek^A

9: 非平衡グリーン関数を用いた熱伝導計算によるフォノン・フォノン散乱と界面散乱効果の解析
筑波大数理，NECスマートエネ研^A　山本晃平，石井宏幸，小林伸彦，広瀬賢二^A

27日　AQ会場　27aAQ　9:30〜11:45

領域9
表面界面電子物性

1: 第一原理シミュレーションによるPt(322)ステップ表面での水バイレイヤー中のOH吸着及び水の解離
阪大院工，物材機構^A　木崎栄年，稲垣耕司，濱田幾太郎^A，森川良忠

2: 第一原理分子動力学法によるカーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の研究III
原子力機構量子ビーム，東工大^A，北陸先端大^B　池田隆司，Guoliang Chai^A，Zhufeng Hou^A，寺倉清之^A，B

3: Feフタロシアニンの単一分子系及び基板吸着系における多重項構造
三重大院工，千葉大院工^A　北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳，山田豊和^A

4: C(111)表面におけるフェニルアラニンの電子状態と光イオン化
和歌山大シス工　小田将人

休憩　（10:30〜10:45)

5: シリコン表面に吸着したベンゼン類分子の基底・励起電子状態
横浜国大理工　首藤健一

6: Au(111)表面上のアダマンタン単分子層の物性
東工大理^A，UC Berkeley^B，UFRJ^C，Lawrence Berkeley Lab.^D　酒井佑規^A，B，Giang D. Nguyen^B，Rodrigo B. Capaz^B，C，Sinisa Coh^B，D，Ivan V. Pechenezhskiy^B，D，Xiaoping Hong^B，Feng Wang^B，D，Michael F. Crommie^B，D，斎藤晋^A，Steven G. Louie^B，D，Marvin L. Cohen^B，D

7: A first-principles study of adsorption of Ge dimers on Ge hut cluster by linear scaling DFT methods
National Institute for Materials Science^A，Univ. College London^B　Sergiu Arapan^A，David Bowler^B，Tsuyoshi Miyazaki^A

8: 直線偏光2次元光電子分光法によるZrB₂、NbB₂価電子帯の原子軌道解析
奈良先端大物質創成，立命館大^A，物材機構^B　堀江理恵，松井文彦，滝沢優^A，相澤俊^B，大谷茂樹^B，難波秀利^A，大門寛

27日　AP会場　27pAP　14:00〜16:45

領域9
表面界面構造

1: Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算
和歌山大シス工　水越隆大，小田将人，篠塚雄三

2: 表面X線回折法によるSi(111)-(5×2)-Au表面の構造解析
東大物性研，東京学芸大^A　山口雄大，白澤徹郎，Voegeli Wolfgang^A，高橋敏男

3: Ag/Si(111)界面構造がAg超薄膜表面に与える影響
東工大総理工　吉池雄作，小久保郁也，青木悠樹，中辻寛，平山博之

4: Si(001)基板上のβ-FeSi₂(100)ナノシートの表面構造
奈良先端大物質創成，東レリサーチセ^A，ASCR^B　服部賢，染田政明，広田望，太田啓介，竹本昌平，中屋佑吾，大門寛，久留島康輔^A，大塚祐二^A，Oleksandr Romanyuk^B

5: 窒素飽和吸着Cu(001)面における圧縮応力の緩和機構（2）
東大物性研　山田正理，宮町俊生，小森文夫

休憩　（15:15〜15:30)

6: SiC上の結晶性シリカシートのSTM観察とそのバンドギャップ
福岡大工，東大物性研^A，九大工^B，ミュンスター大物理^C　栃原浩，白澤徹郎^A，鈴木孝将，宮町俊生^A，梶原隆司^B，柳生数馬，吉澤俊介^A，高橋敏男^A，田中悟^B，小森文夫^A，Peter Krueger^C，Jahannes Pollmann^C

7: Feウィスカ単結晶(110)上のNi超薄膜の原子・電子構造
千葉大院融合　川崎巧，山田豊和

8: NO/Cu(111)の価電子状態と吸着構造のSTM観察
京大院理　塩足亮隼，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

9: ジベンゾペンタセン薄膜のカリウム添加による価電子構造変化
東大院総合文化，横浜国大工^A　青木優，佐藤博史，三原識文，鈴木敦^A，首藤健一^A，増田茂

10: MDシミュレーションによる原子間力顕微鏡のエネルギー減衰の研究
山口大院理工，アールト大^A　仙田康浩，嶋村修二，Janne Blomqvist^A，Risto Nieminen^A

27日　AQ会場　27pAQ　13:30〜15:00

領域9
表面界面電子物性

1: 対称性に起因したシリコン表面上の特異なラシュバ効果
千葉大　坂本一之

2: Bi/Ag(111) 表面合金の巨大Rashba分裂の第一原理計算
広大院先端　宮武奎佑，神田理志，獅子堂達也

3: Bi薄膜におけるエッジ構造のスピン分解ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B，阪大産研^C　高山あかり^A，佐藤宇史^B，相馬清吾^A，小口多美夫^C，高橋隆^A，B

4: K吸着Ag(111)薄膜の高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　野口英一^A，高橋徹^A，James Kleeman^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

5: 可視光励起光電子分光法による半導体中の伝導電子の直接観察
名大院工　市橋史朗，志村大樹，西谷健治，桒原真，伊藤孝寛，原田俊太，田川美穂，宇治原徹

28日　AP会場　28aAP　9:15〜12:00

領域9
表面局所光学現象

1: 金属のフェムト秒レーザーナノアブレーション機構〜S偏光照射によるアブレーション率の減少〜
京大化研^A，京大院理^B　宮坂泰弘^A，B，橋田昌樹^A，B，西井崇也^A，B，阪部周二^A，B

2: 軟X線レーザープローブを用いた、金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測
原子力機構関西，徳島大院ソシオ^A，東北大院工^B，核融合研^C，東大物性研^D　山極満，長谷川登，錦野将元，富田卓朗^A，江山剛史^A，柿本直也^A，大西直文^B，羽富大起^B，伊藤篤史^C，南康夫^D，武井亮太^D，馬場基芳^D，河内哲哉，末元徹^D

3: 軟X線ニュートンリングとシャドウグラフを用いた金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測
徳島大院ソシオ，原子力機構関西研^A，東大物性研^B，東北大院工^C　江山剛史，柿本直也，富田卓朗，長谷川登^A，錦野将元^A，南康夫^B，武井亮太^B，馬場基芳^B，大西直文^C，羽富大起^C，海堀岳史^A，守田利昌^A，平野祐介^A，河内哲哉^A，山極満^A，末元徹^B

4: フェムト秒レーザー照射に伴う金属表面剥離過程の分子動力学解析
東北大院工，原子力機構^A，徳島大院ソシオ^B，核融合研^C，東大物性研^D　羽富大起，大西直文，錦野将元^A，長谷川登^A，富田卓朗^B，伊藤篤史^C，河内哲哉^A，山極満^A，末元徹^D

5: 斜入射型反射軟X線顕微鏡によるサブミクロン画像観察
埼玉医大，原子力機構^A，徳島大院ソシオ^B，東大物性研^C　馬場基芳，錦野将元^A，長谷川登^A，富田卓朗^B，南康夫^C，武井亮太^C，山極満^A，河内哲哉^A，末元徹^C

休憩　（10:30〜10:45)

6: 水素終端Si(111)-(1×1)表面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンの膜厚依存性
東北大院理，Polish Academy of Sciences^A，Poznan Univ.^B，理研^C　松下ステファン悠，加藤大樹，川本絵理奈，Andrzej Wawro^A，Ryszard Czajka^B，山田太郎^C，須藤彰三

7: 時間分解反射率法によるフェムト秒レーザーアブレーションの実時間観測
原子力機構関西　熊田高之，赤木浩，板倉隆二，乙部智仁，横山淳

8: フェムト秒レーザーによって金属表面に形成されるナノ周期構造のパルス幅依存性
京大化研，京大院理^A　西井崇也，橋田昌樹，宮坂泰弘，井上峻介，阪部周二

9: レーザー加工現象における初期過程の第一原理計算
筑波大数物科^A，高等光技術研^B，原子力機構^C，筑波大計科セ^D　佐藤駿丞^A，李畊旻^B，篠原康^A，乙部智仁^C，矢花一浩^A，D

10: 走査トンネル顕微鏡発光に現れる分子励起子・分子振動・プラズモンの多体量子効果
阪大院工^A，Inst. of Physics^B，阪大院工付属アトミックデザイン研セ^C　三輪邦之^A，坂上護^A，Branko Gumhalter^B，笠井秀明^A，C

28日　AQ会場　28aAQ　10:45〜12:30

領域9
グラフェン・シリセン

1: 単層グラフェンに担持したPtクラスターに対するvan der Waals相互作用の影響
阪大院工　濱本雄治，Fahdzi Muttaqien，稲垣耕司，森川良忠

2: SiC上エピタキシャルグラフェンに対する銅のインターカレーション
福岡大工，福岡大理^A，佐賀大SLセ^B　柳生数馬，田尻恭之^A，香野淳^A，高橋和敏^B，栃原浩，友景肇，鈴木孝将

3: 多層シリセンの構造解析
東大理，東大物性研^A　白井皓寅，白澤徹郎^A，^○平原徹，福居直哉，高橋敏男^A，長谷川修司

4: 全反射高速陽電子回折法によるAg(111)表面上のシリセンの構造解析
原子力機構先端基礎研^A，高エネ研物構研^B，東大物性研^C　深谷有喜^A，望月出海^B，前川雅樹^A，和田健^B，兵頭俊夫^B，松田巌^C，河裾厚男^A

5: 4探針走査トンネル顕微鏡による周期的曲げグラフェンの異方的電気伝導測定
ハンブルグ大，Korea Univ.^A，Konkuk Univ.^B，Sejong Univ.^C　山崎詩郎，Jong-Kwon Lee^A，Hoyeol Yun^B，Jinwoo Park^C，Gary P. Kennedy^A，Gyu-Tae Kim^A，SangWook Lee^B，Suklyun Hong^C，Urszula Dettlaff-Weglikowska^A，Siegmar Roth^A，Oswald Pietzsch，Roland Wiesendanger

6: 高分解能ARPESによるグラフェン/H-SiCの積層数依存性
東北大WPI-AIMR^A，東北大院理^B　菅原克明^A，高橋徹^B，James Kleeman^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

7: ねじれ角で接合した2層グラフェンにおける幾何学および電子状態の階層性
福岡教育大物理　三谷尚

28日　AQ会場　28pAQ　13:30〜16:45

領域9，領域7合同シンポジウム
主題：表面界面状態の理解と触媒反応・電子デバイスへの新展開

1: はじめに
筑波大数物　石井宏幸

2: 金属酸化物の表面欠陥の物性解明
京大産官学　湊丈俊

3: 二酸化チタン表面上における光水分解メカニズムと競争的副反応
阪大院基礎工　今西哲士

4: 酸化物−溶液界面の酸化還元反応の理論解析
物材機構MANA　館山佳尚

休憩　（14:50〜15:05)

5: 金属表面に弱く吸着した分子とその活性化
東大物性研　吉信淳

6: 酸化物表面における化学反応の第一原理シミュレーション
阪大院工　森川良忠

7: 有機半導体の電子状態の特徴と電気伝導特性
千葉大院融合　解良聡

8: SiC表面ナノ構造上のグラフェンナノリボンの形成と電子物性
九大院工　田中悟

28日　PSA会場　28pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

18: LaFe_1-xPd_xO₃ペロブスカイト触媒の自己再生機構に関する理論的研究
阪大院工　西谷卓也，田之雪，木崎栄年，稲垣耕司，森川良忠

19: 2光子光電子分光によるBiAg合金表面の電子状態の研究
佐賀大シンクロトロン　今村真幸，遠藤修平，高橋和敏，山本勇，東純平，鎌田雅夫

20: スピン偏極イオン散乱分光法を用いたBi超薄膜における電流誘起スピン偏極の検証
東大理，物材機構^A　一ノ倉聖，平原徹，鈴木拓^A，長谷川修司

21: Silicon layer at Graphene/SiC(0001) interface, structural and electronic propertied by calculation and scanning tunneling microscopy
Kyushu Univ.^A，Toyota Technological Institute^B　Anton Visikovskiy，Shin-Ichi Kimoto，Takashi Kajiwara，Satoru Tanaka^A，Masamichi Yoshimura^B

22: 低温強磁場下で動作する走査トンネルポテンショメトリ装置の開発
東大理　中村友謙，保原麗，長谷川修司，平原徹

23: In/Si(111)表面における表面光起電力効果の緩和機構：時間分解軟X線光電子分光法による研究
東大物性研，奈良先端大^A，Synchrotron SOLEIL^B，Nat’l. Tsing Hua Univ.^C　山本達，小河愛実，藤川和志，保原麗，湯川龍，山本真吾，北川哲^A，D. Pierucci^B，M.G. Silly^B，C.-H. Lin^C，R.-Y. Liu^C，大門寛^A，F. Sirotti^B，S.-J. Tang^C，松田巌

24: 角度分解光電子分光によるPt/Ge(001)表面一次元原子鎖の電子状態観測
東大物性研，KEK-PF^A，Synchrotron SOLEIL^B　矢治光一郎，金聖憲，武市泰男^A，大坪嘉之^B，Patrick Le Fevre^B，Francois Bertran^B，Amina Taleb-Ibrahimi^B，柿崎明人，小森文夫

25: 軟X線光電子バンドマッピングに向けた防震型低温マニピュレータの製作
東大理，東大物性研^A　秋久保一馬，山本達^A，小河愛実，保原麗^A，湯川龍，松田巌^A

26: STMを用いたSrTiO₃表面の平坦性と還元条件の評価
山梨大工^A，物材機構^B　藤牧拓郎^A，渡辺達也^A，三木一司^B，白木一郎^A

27: LaMO₃/SrTiO₃(M=Al,Mn)の第一原理計算：面方位と基板依存性
金沢大自然，金沢大理工^A　西田美穂，石井史之^A，大西峰志，小鷹浩毅^A，斎藤峯雄^A

28: 遷移金属酸化物表面・界面における磁性不純物とラシュバ効果の第一原理計算
金沢大数物，金沢大自然^A　石井史之，小鷹浩毅^A

29: 第一原理計算による遷移金属酸化物トポロジカル絶縁体の探索
金沢大理工　加藤毅大，小鷹浩毅，石井史之

30: 薄膜におけるトポロジカル伝導状態の外部電場への応答：第一原理計算
産総研　伊藤正勝，富永淳二，Paul Fons

31: 二成分密度汎関数法を用いたAl(100)表面における陽電子状態
東理大理　萩原聡，胡春平，渡辺一之

32: 伸長歪みによるGeの間接-直接バンドギャップ転移
琉球大理　稲岡毅，古川琢朗，當間涼，柳澤将

33: 酸化タングステン表面上における水素の吸着および拡散に対する量子効果の影響
阪大院工，阪大院工附属アトミックデザイン研究セ^A　岡耕平，中西寛，笠井秀明^A

34: 金属錯体メタロセンの電子配置と電子間相関の効果
三重大院工　名和憲嗣，北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

35: GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果
名大院工^A，筑波大数理^B，東理大工^C　洗平昌晃^A，B，加藤重徳^B，山本貴博^C，B，白石賢二^A，B

36: 半導体基板上のオリゴチオフェン分子薄膜の構造解析
横浜国大工，原子力機構^A　小玉開，平賀健太，大野真也，関口哲弘^A，馬場祐治^A，田中正俊

37: 電解質溶液中におけるAu表面上のシステイン分子の吸着状態解析
横浜国大工　藤森佑人，二之宮成樹，大野真也，野田祐輔，大野かおる，関谷隆夫，田中正俊

38: 不活性化したSi(001)表面上のオリゴチオフェン薄膜の電子状態
横国大院工，佐賀大シンクロトロン^A，東大物性研^B　大野真也，田中博也，平賀健太，高橋和敏^A，鎌田雅夫^A，豊島弘明，井上慧，向井孝三^B，吉信淳^B，田中正俊

39: 斜め光照射した光反応性高分子液晶膜の表面配向性
兵庫県立大高度産業科学技研，兵庫県立大工^A　春山雄一，岡田真，稲田陽之助 ^A，近藤瑞穂^A，川月喜弘^A，松井真二

40: グラフェン/SiC界面へのSiインターカレーションによって形成された層間物質の物性評価
九大院工，東大物性研^A　木本真一，梶原隆司，Anton Visikovskiy，飯森拓嗣^A，小森文夫^A，田中悟

41: 取　　消

42: 可視－赤外光和周波分光法によるプラズマ照射したポリカーボネート上の水分子の観測
防衛大^A，石川高専^B，北陸先端大^C　宮内良広^A，佐野陽之^B，水谷五郎^C

43: Si(001)-2×1表面上のPTCDA分子の吸着構造のSTM観察
福岡大工，鳥取大工^A　鈴木孝将，吉本芳英^A，柳生数馬，栃原浩

44: グラファイト上ルブレン膜のSTM、2PPE観測による分子配向の考察
阪大院理　渡辺悠，阪上このみ，上羽貴大，山田剛司，加藤浩之，宗像利明

45: TEMとRHEEDによるPd/Ag(111)界面の格子定数評価
東工大総理工，ルネサスエレクトロニクス^A　青木悠樹，五十嵐信行^A，中辻寛，平山博之

46: Fe/Mo(110)のLEEDによる構造決定と磁気特性
九大総理工　樋口裕太，山口功介，水野清義，^○中川剛志

47: 電界誘起ガスエッチング法で先鋭化した針を電子源とした低速電子回折装置の開発
九大総理工　公文恵，千原佑太，中川剛志，^○水野清義

48: Surface structure study of Germanium adsorption on Ag(111) surface by Low Energy Electron Diffraction
Dept. of Molecular and Material Sci.　Md. Sazzadur Rahman，Takeshi Nakagawa，Seigi Mizuno

49: レーザー励起光電子顕微鏡による表面構造の局所解析
東大物性研^A，JST-CREST^B，JASRI/SPring-8^C　谷内敏之，小谷佳範，小嗣真人，辛埴

50: 環境制御型透過電子顕微鏡を用いた浸水状態の粘土粒子の構造評価
東京農工大工，メリーランド大^A，地球科学資源連邦研^B　桑村悠馬，W.-A. Chiou^A，箕田弘喜，R. Dohrmann^B，S. Kaufhold^B

51: SiC(0001)ステップエッジにおける1次元Si原子配列
九大院工，豊田工大^A　林真吾，AntonVisikovskiy，梶原隆司，吉村雅満^A，田中悟

52: 第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Si界面の原子構造と界面欠陥の解明
阪大工　松岡佳史，小嶋隆史，小野倫也

53: チタニアナノシートの欠陥構造の第一原理計算
熊大院自然　井手上健太，高良明英，田中彩華，原正大，下條冬樹

54: Co/Ni多重層の磁気特性の構造依存性に関する理論的研究
阪大院工^A，阪大アトミックデザイン研究セ^B，大阪電通大エレクトロニック基礎研^C，お茶大理^D，大阪電通大工^E，アリゾナ州立大^F　小島一希^A，Wilson Agerico Diño^A，B，鈴木雅彦^C，安江常夫^C，工藤和恵^D，阿久津典子^E，Ernst Bauer^F，越川孝範^C，笠井秀明^A，B

55: MnPc/Pb(111)における吸着由来の分子磁性変化
理研　南谷英美，付英双，金有洙

56: 第一原理分子動力学法に基づく等温酸化還元反応による水分解機構の解明
熊大院自然，南カリフォルニア大^A　三澤賢明，高良明英，下條冬樹，R. K. Kalia^A，A. Nakano^A，P. Vashishta^A

57: Dissociative Adsorption of CO₂ on Flat Cu(111) and Stepped Cu(221) Surfaces
Department of Precision Science and Technology，Graduate School of Engineering，Osaka Univ.　Fahdzi Muttaqien，Satoshi Makihara，Yuji Hamamoto，Kouji Inagaki，and Yoshitada Morikawa

58: フラーレン蒸着膜のナノ滑り摩擦II
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　町田慎悟，筏有加，井上大輔，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

59: Cu(111)表面におけるギ酸の吸着と分解反応の定量解析
東大物性研　塩澤佑一朗，小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

60: 窒素吸着Cu(001)面のポンププローブ光学測定
東大物性研^A，NHK放送技研^B　河村紀一^A，B，宮町俊夫^A，飯盛卓嗣^A，山田正理^A，小森文夫^A

61: 金ナノ粒子触媒のO₂,COガス雰囲気における構造変化のTEM観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　田中崇之^A，B，山本直紀^A，B，高柳邦夫^A，B

62: 吸着によるプリカーサー経由反応の促進：O₂/Si(100)
物材機構　倉橋光紀，矢田雅規，山内泰

63: FTIR分光法を用いた固体メタンにおける分子の回転状態の観察
学習院大理　杉本建

64: ネオン及びメタンマトリックス中の水分子の回転状態のFTIRによる観察
学習院大理　江原那美加

65: Sum frequency generation spectroscopy of H-Si (111) terminated by molecular hydrogen dosing
Sch. of Materials Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.1，Dept. of Applied Phys.，Nat' l Defense Academy of Japan2，Sattar　Md. Abdus1，KhuatThi Thu Hien1，Yoshihiro Miyauchi2 and Goro Mizutani1

66: 非弾性電子スペクトル測定を用いたPdへの液体水素吸蔵過程の研究
九大院工，金沢大教育^A　家永紘一郎，大西雄貴，高田弘樹，稲垣裕次，河江達也，辻井宏之^A

67: Co-SiO系ホイスカー粒子の成長とその構造
東北学院大工　鈴木仁志，阿部類

68: 水素還元処理した酸化マグネシウム微粒子表面の変化
九州シンクロトロン光研究セ，産総研^A　小林英一，阪東恭子^A，岡島敏浩

69: バナジウムナノコンタクトにおけるジョセフソン電流と近藤効果の競合
九大院工，金沢大教育^A　高田弘樹，家永紘一郎，大西雄貴，稲垣祐次，辻井宏之^A，河江達也

70: Au原子サイズ接点の高周波特性
京大工　青山将大，黒川修，^○酒井明

71: グラフェン電極に接続したジグザグ型CNTにおけるI-V特性
成蹊大理工　廣本啓太，坂本昇一，富谷光良

72: 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション
神戸大自然科学系先端融合研究環^A，神戸大工^B　笹岡健二^A，加藤司真^B，相馬聡文^B，小川真人^B

73: シリセンナノリボンからのレーザー刺激電界電子放出の実時間第一原理計算
東京理科大理　樋口大志，胡春平，渡辺一之

74: Rashba Effect in Graphene Doped with Transition Metals
Osaka Univ.　Huy Duy Nguyen，Tomoya Ono

75: Mechanism of Methane Decomposition on Nickel (111) Surface: ab initio Molecular Dynamics Simulation
Kumamoto Univ.，Univ. of Tokyo^A，Kyushu Univ.^B　Rizal Arifin，Yasushi Shibuta^A，Kohei Shimamura^B，Fuyuki Shimojo，Shu Yamaguchi^A

76: 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン・ナノリボンの電子状態
東大物性研，東工大総理工^A，九大院工^B，高エネ研^C　飯盛拓嗣，中辻寛^A，宮町俊生，金聖憲，梶原隆司^B，Anton Visikovsliy^B，田中悟^B，間瀬一彦^C，小森文夫

77: 超高真空下プロセスによるナノ構造の作成と評価
情報通信研究機構，広大先端物質^A　田中秀吉，鈴木仁^A，富成征弘

78: Ag超薄膜上におけるシリセンのエピタキシャル成長
東工大理工^A，東工大院総理工^B　山上剛史^A，曽根準基^B，青木悠樹^B，中辻寛^B，平山博之^A，B

79: Ni基板上グラフェンの電子状態計算
金沢大自然，金沢大理工^A　伊藤諭史，斉藤峯雄^A，石井史之^A

29日　AP会場　29pAP　13:30〜15:45

領域9
結晶成長

1: PbSナノ結晶の育成と光学特性評価
徳島大工　柳谷伸一郎，武内康輔，後藤信夫

2: 気相から成長する氷結晶の単位ステップの成長カイネティクス
北大低温研，学習院大計算機セ^A　麻川明俊，佐崎元，横山悦郎^A，長嶋剣，中坪俊一，古川義純

3: ガラス転移点近傍の温度領域におけるPt(111)表面上の結晶氷・アモルファス氷の成長機構
京大院理　奥村直，原田国明，^○杉本敏樹，渡邊一也，松本吉泰

4: HDO/Pt(111)におけるヘテロダイン検出和周波発生振動スペクトルの被覆率・温度依存性
京大院理　大槻友志，相賀則宏，杉本敏樹，渡邊一也，松本吉泰

休憩　（14:30〜14:45)

5: 高濃度不動不純物による2次元島拡散の増大
名大VBL，金沢大IMC^A　勝野弘康，佐藤正英^A

6: 移動する粒子源によるステップのパターン形成－フェーズフィールドシミュレーション(4)－
金沢大自然，名市大シス^A，金沢大IMC^B，名大理^C　岸和宏，三浦均^A，^○佐藤正英^B，上羽牧夫^C

7: Si(111)微斜面における不連続な表面張力II
大阪電通大工，NTT物性科学基礎研^A，群大理工院^B　阿久津典子，日比野浩樹^A，山本隆夫^B

8: 幾何学的選別再考
慶大理工　齋藤幸夫

29日　AQ会場　29pAQ　13:30〜17:00

領域9
表面界面電子物性・磁性

1: 酸素吸着Fe(110)表面の高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　本間康平^A，田中祐輔^A，菅原克明^B，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

2: Fe(001)上の単一フタロシアニン分子のスピン偏極表面状態
千葉大院融合，三重大工^A　山岸祐平，北岡幸恵^A，中村浩次^A，山田豊和

3: W(110)表面上における反強磁性コバルト
京大院理^A，分子研^B，九大総理工^C，総研大^D　中野裕仁^A，B，中川剛志^C，高木康多^B，D，江口敬太郎^B，D，横山利彦^A，B，D

4: Ni電極を用いた分子接合の熱電特性の第一原理計算
阪大基礎工　大戸達彦，Lee See Kei，山田亮，夛田博一

5: 酸化物界面における熱電効果の第一原理計算
金沢大自然，金沢大理工^A　水田耀ピエール，石井史之^A

6: 金属半導体接合系における第一原理電子輸送計算
筑波大院数物，NEC^A　高木博和，小林伸彦，広瀬賢二^A

休憩　（15:00〜15:15)

7: 走査トンネル分光法による Si(111)-(√7×√3)-In 表面の超伝導量子渦観測
物材機構MANA，東大物性研^A　吉澤俊介，Howon Kim^A，長谷川幸雄^A，中山知信，内橋隆

8: In/Si(111)-(4×1)表面の相転移と電気伝導度
京大院理　八田振一郎，野間俊，奥山弘，有賀哲也

休憩　（15:45〜15:50)

若手奨励賞受賞者2名による記念講演

9: 領域9若手奨励賞選考報告および授賞式
東北大院理　須藤彰三

10: 埋もれた界面の原子配列決定による超薄膜構造物性の研究
東大物性研　白澤徹郎

11: スピン分解光電子分光を用いたディラック表面電子系の研究
広大放射光　宮本幸治

30日　AQ会場　30aAQ　9:00〜12:20

領域9，領域11合同シンポジウム
主題：氷の結晶成長 -実験とシミュレーションによる最近の進展-

1: はじめに
名大VBL　勝野弘康

2: 氷結晶表面の擬似液体層の生成機構と熱力学的安定性
北大低温研　佐崎元

3: 中性子回折からみた氷の秩序化転移とメモリー効果
東大理　鍵裕之

4: 国際宇宙ステーションでの氷結晶成長実験
JAXA　吉崎泉

休憩　（10:35〜10:50)

5: 氷の結晶成長シミュレーション
産総研　灘浩樹

6: 氷の相転移と臨界現象
岡山大理　松本正和

7: ナノ構造炭素に拘束された水の構造と相転移
首都大理工　真庭豊

30日　AY会場　30aAY　9:00〜12:45

領域9，領域3合同
表面磁性

1: 新規希薄磁性半導体Ba_1-yK_y(Zn_1-xMn_x)₂As₂の光電子分光と磁気円二色性
東大理^A，高エネ研^B，NSRRC^C，中国科学院^D，原子力機構先端研^E，コロンビア大^F　鈴木博人，芝田悟朗^A，高橋文雄^A，坂本祥哉^A，吉松公平^A，組頭広志^B，藤森淳^A，F.-H.Chang^C，H.-J.Lin^C，D.J.Huang^C，C.T.Chen^C，K.Zhao^D，C.Q.Jin^D，Bo Gu^E，前川禎道^E，Y.J.Uemura^F

2: 電界を用いたCo超薄膜における保磁力制御の符号反転
東大物工，JSTさきがけ^A　小山知弘，大日方絢，日比野有岐，千葉大地^A

3: 光電子分光によるFeNi規則合金薄膜の電子状態解析
東北大金研，NIMS^A，京都工繊大^B，東北大通研^C　水口将輝，上田茂典^A，三浦良雄^B，小嶋隆幸^A，白井正文^C，高梨弘毅

4: 巨大な保磁力を持つSiO₂被覆L1₀構造FePtナノ粒子のX線磁気円二色性
東大理^A，東大新領域^B，原子力機構^C，京産大^D，京大iCeMS^E　高橋文雄^A，山本真平^E，門野利治^A，V. R. Singh^A，V. K. Verma^A，石上啓介^B，芝田悟朗^A，原野貴幸^A，竹田幸治^C，岡根哲夫^C，斉藤祐児^C，山上浩志^C，D，高野幹夫^E，^○藤森淳^A，C

5: MgO/Fe/Au多層膜におけるスピン・軌道選択的磁化測定
群馬大院理工，JASRI^A　櫻井浩，鈴木宏輔，田久保翔太，山添誠敏，加藤忠，星和志，伊藤真義^A，櫻井吉晴^A

6: XMCDによるFe薄膜に対する電界効果の観察
高エ研　酒巻真粧子，雨宮健太

7: FeCo薄膜に対する電界効果における組成比依存性
高エ研　雨宮健太，酒巻真粧子

休憩　（10:45〜11:00)

8: Fe/MgOおよびMgO/Fe/MgOの磁気異方性に対する電界効果の第一原理計算
産総研ナノスピン　小田洋平，今村裕志

9: Nd-Fe-B焼結磁石におけるNd₂Fe₁₄B相/Nd酸化物相界面の第一原理計算
東大理^A，東北大工^B，東大物性研^C　見澤英樹^A，合田義弘^A，土浦宏紀^B，常行真司^A，C

10: 表面Rashbaスピン・軌道相互作用による垂直磁気異方性とその電界制御の理論
原子力機構先端研，JST-CREST^A，マイアミ大物理^B　家田淳一^A，S. E. Barnes^B，前川禎通^A

11: The Surfaces of Magnetoelectronic Materials: Cr₂O₃
Univ. of Nebraska-Lincoln Dept. of Physics and Astronomy and Center for Nanoferroic Devices　Takashi Komesu，Shi Cao，Ning Wu，Xin Zhang，Mike Street，Christian Binek，Peter A. Dowben

12: 円偏光放射光メスバウアー分光法を用いた Fe/Fe₃O₄ 反平行磁気結合界面の局所磁性探査
名工大工，原子力機構^A，筑波大物工^B，京大原子炉^C　壬生攻，三井隆也^A，柳原英人^B，田中雅章，小林康浩^C，瀬戸誠^C，A，喜多英治^B

13: Cu K吸収端小角X線磁気散乱による間接交換結合Co/Cu多層膜のCu層の誘起磁性
奈良先端大物質　上垣伸，^○吉田明弘，細糸信好

14: 原子分解能観察によるCu(001)基板上のFe薄膜表面の構造と電子・磁気状態の再考
東大物性研，NHK放送技研^A　宮町俊生，河村紀一^A，山田正理，飯盛卓嗣，小森文夫

30日　AP会場　30pAP　13:30〜15:00

領域9
表面界面ダイナミクス

1: シリコン表面の銀マイクロ薄膜の熱拡散過程
岡大院自然　脇田高徳，村岡祐治，横谷尚睦

2: 水素終端Si(110)-(1×1)面の作製法の改良と表面状態
東北大院理，東理大理^A，理研^B　川本絵里奈，松下ステファン悠，加藤大樹^A，山田太郎^B，芳賀健也，須藤彰三

3: Mechanical rotation of Pt-porphyrin derivative molecules on a Au(111) surface
MANA，NIMS^A，ICR，Kyoto Univ. ^B，CEMES，CNRS^C　P. Mishra^A，T. Nakayama^A，T. Uchihashi^A，T. Ono^B，Y. Nakajima^B，F. Ozawa^B，J. Hill^A，W. V. Rossom^A，K. Ariga^A，C. Joachim^A，C

4: H₂SO_4aq/Pt(111)界面での水素イオンの挙動の理論的解明
東北大AIMR　赤木和人

5: Ni/W(110)表面へのO₂吸着：スピン効果の観測
物材機構　倉橋光紀，山内泰

6: 酸素分子のAl(111)表面での解離吸着反応における分子回転の効果
阪大工　清水康司，Wilson Agerico Diño，笠井秀明

30日　AQ会場　30pAQ　13:30〜15:00

領域9，領域4合同
トポロジカル表面

1: トポロジカル絶縁体Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3の非占有電子ダイナミクス
東大物性研^A，阪大産研^B，JST-CREST^C　金聖憲^A，石田行章^A，近藤猛^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，安藤陽一^B，辛埴^A，C，^○小森文夫^A

2: 3次元トポロジカル絶縁体GeBi₂Te₄, SnBi₂Te₄のSTM観察
理研CEMS^A，東大工^B　岩谷克也^A，花栗哲郎^A，幸坂祐生^A，付英双^A，叶琳達^B，JoeCheckelsky^B，金子良夫^A，十倉好紀^A，B

3: PbBi₄Te₇の埋もれたトポロジカル表面状態
広大放射光セ^A，広大院理^B，バクー大^C，DIPC^D，トムスク大^E　奥田太一^A，前川貴政^B，叶茂^B，白井開渡^B，藁科拓也^B，宮本幸治^A，黒田健太^B，有田将司^A，Z.S. Aliev^C，I. R. Amiraslanov^C，M. B. Babanly^C，E. V. Chulkov^D，S. V. Eremeev^E，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B

4: 原子吸着したエッジをもつ1BL Bi薄膜のエッジ状態
お茶の水大理　小林功佳

5: 取　　消

6: in situ FIB加工微細構造を用いたBi₂Se₃のスピンホール効果測定
東大理　福居直哉，平原徹，長谷川修司