領域4

領域4 27日　AU会場　27aAU　9:00〜12:30

領域4
量子細線・量子井戸・超格子・光応答

1: 量子細線における0.5*2e²/hプラトー以下の擬0.7構造の観測と解析
千葉大融合，ニューヨーク州立大バファロー校^A　項少華，藤和俊，佐藤駿，グエン・タン・ルーン，向笠直紀，S.Xiao^A，青木伸之，J.P.Bird^A，落合勇一

2: 縦結合量子ポイントコンタクトにおけるトンネル結合の電気的制御
東北大院理^A，JST-ERATO^B，東北大WPI-AIMR^C　一ノ倉聖^A，^○羽田野剛司^A，B，泉田渉^A，長瀬勝美^A，B，平山祥郎^A，B，C

3: トリプルゲート構造を用いた乱雑さを含む一次元系における伝導特性
東北大理，JST-ERATO^A，WPI-AIMR^B　前田舜太，宮本聡^A，長瀬勝美^A，佐藤健，平山祥郎^A，B

4: 高移動度二次元電子系に作製された量子細線における電流揺らぎの測定
京大化研，阪大理^A，ETH Zürich^B　西原禎孝，小野輝男，荒川智紀^A，田辺賢士^A，田中崇大^A，則元将太^A，小林研介^A，Thomas Ihn^B，Clemens Rössler^B，Klaus Ensslin^B

5: アンドレーエフ反射を用いたInGaAs量子ポイントコンタクトにおけるスピン偏極効果の検証
NTT物性研，NTTフォトニクス研^A　入江宏，原田裕一，杉山弘樹^A，赤崎達志

6: InSbラダー系におけるマヨラナ粒子
東大工，理研^A　若月良平，江澤雅彦，永長直人^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: 横型二重量子ドットにおける単一光子偏光から単一電子スピンへの角運動量転写の実証
東大工，ルール大ボーフム^A，理研CEMS^B　藤田高史，木山治樹，森本和浩，Giles Allison，寺岡総一郎，Arne Ludwig^A，Andreas D. Wieck^A，大岩顕，樽茶清悟^B

8: サブバンド構造を制御したSrTiO₃二重デルタドープ構造の超伝導物性
スタンフォード大，SLAC国立加速器研^A，東大新領域^B　井上悠，金民祐^A，B，ベル・クリストファー^A，疋田育之^A，ラグー・スリニバス^A，ファン・ハロルド^A

9: 多重量子井戸における高温での励起子量子ビート制御
神大院工，情通機構^A　小島磨，喜多隆，赤羽浩一^A

10: GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子－励起子散乱発光ダイナミクスのポラリトン特性
阪市大院工　古川喜彬，竹内日出雄，中山正昭

11: リソグラフィーで作製したシリコンナノワイヤーアレーの光学特性
筑波大数理，東工大総理工^A，東工大フロンティア研^B　塚本知九馬，櫻井蓉子，大毛利健治，山田啓作，角嶋邦之^A，岩井洋^B，白石賢二，野村晋太郎

12: 縦型光励起半導体レーザーの励起効率と定量評価
東大物性研　中村考宏，望⽉敏光，金昌秀，陳少強，吉田正裕，秋山英文

13: 半導体レーザーの利得スイッチングにおける空間的な非一様性の影響
東大物性研　中前秀一，伊藤隆，中村考宏，望月敏光，金昌秀，陳少強，吉田正裕，秋山英文

27日　AW会場　27aAW　9:30〜11:45

領域4
半導体スピントロニクス

1: Gd-doped EuOとLa-doped EuOの違い
神奈川工科大　高橋正雄

2: スピンショット雑音の観測
阪大理，東北大工^A，レーゲンスブルク大^B，京大化研^C，PRESTOさきがけ^D　荒川智紀，塩貝純一^A，M. Ciorga^B，D. Schuh^B，好田誠^A，D，新田淳作^A，D. Bougeard^B，D. Weiss^B，小野輝男^C，小林研介

3: 最表面の対称性の低下によるGaAs(001)表面におけるスピン流の生成
現在，所属無し　飯島智徳

4: 弱反局在測定を用いた歪Ge/SiGe二次元正孔系におけるラシュバスピン軌道相互作用の検出
東大生産研^A，東京都市大総研^B，名大工^C，東大ナノ量子機構^D　守谷頼^A，澤野憲太郎^B，星裕介^B，C，白木靖寛^B，宇佐美徳隆^C，増渕覚^A，D，町田友樹^A，D

休憩　（10:30〜10:45)

5: zinc-blende(110)対称量子井戸におけるスピン緩和とLOフォノン散乱
北大工　明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸

6: 量子井戸内アクセプタ・ドーピングによるラシュバ有効磁場の増大
北大工　山本大智，土家琢磨

7: InGaAs 2次元電子ガス2層系における量子ホール効果
北陸先端大ナノセ，物材機構^A　石田晋一，胡ガイ，張儲君，日高志郎，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，^○山田省二，今中康貴^A，高増正^A

8: 新構造InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析
北陸先端大ナノセ　胡ガイ，張儲君，日高志郎，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，山田省二

27日　CL会場　27aCL　9:00〜12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 数層グラフェンの量子ホール状態における磁気キャパシタンスと複素伝導度
千葉大院理　舟瀬基，中村隆，音賢一

2: SiC上エピタキシャルグラフェンにおけるランダウ準位のエネルギー幅の温度依存性
NTT物性基礎研　高瀬恵子，日比野浩樹，村木康二

3: p型CVD単層グラフェンの超強磁場サイクロトロン共鳴
東大物性研，東大院工^A，産総研^B　沼田拓也^A，齋藤宏晃^A，中村大輔，八木克典^B，林賢二郎^B，佐藤信太郎^B，嶽山正二郎

4: グラフェンpn接合量子ホール系における磁気抵抗振動
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C　森川生^A，増渕覚^A，B，守谷頼^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B

5: 多層グラフェンにおける分数量子ホール効果
東工大理，マックスプランク研FKF^A，東大生産研^A　汪正元，中村正明^A

6: グラフェンにおける分極としての第二トポロジカル量子数
東大理，筑波大物理^A，Academy of Sciences of Czech^B　青木秀夫，初貝安弘^A，Pavel Streda^B

休憩　（10:30〜10:45)

7: グラフェンアンチドット格子のHofstadter buttefly diagramと量子ホール効果
兵庫県立大物質理，東大物性研^A　長谷川泰正，甲元眞人^A

8: 2次元ディラック電子系における超伝導状態での集団励起II
筑波大数理，慶大理工^A　猪谷太輔，大橋洋士^A，岡田晋

9: 1/5欠損正方格子ハバード模型におけるSU(3)ディラック電子と磁気相図
日大工，東大物性研^A，東理大理工^B　山下靖文，都村正樹^A，柳有起^B，上田和夫^A

10: 水素化グラフェンにおける電子相関効果の理論的研究
理研，Yancheng Inst. tech.^A，Renmin Univ.^B　関和弘，白川知功，Q. Zhang^A，T. Li^B，柚木清司

11: 異方的ディラック電子のスピンホール効果と軌道磁性
電通大先進理工，東大理^A，東理大理・総合研究機構^B　伏屋雄紀，小形正男^A，福山秀敏^B

12: フェルミ面がないグラフェンの量子振動
熊大教育，兵庫県立大物質理^A　岸木敬太，長谷川泰正^A

27日　AW会場　27pAW　13:30〜16:00

領域4
半導体スピントロニクス

1: スピン軌道相互作用をもちいたスピントロニクス
東北大工　新田淳作

2: InGaAs/InAlAsダブルヘテロ量子井戸基板上のメゾスコピックループアレイにおける量子補正項の定量的解析
北大情報，阪大理研^A，産総研^B，慶応理工^C，NTT物性研^D，NTTフォトニクス研^E　澤田淳，古賀貴亮，小林研介^A，川畑史郎^B，齊藤圭司^C，関根佳明^D，杉山弘樹^E

3: 超伝導電極を含むスピン干渉計におけるスピン依存伝導
筑波大数理物質　久保敏弘，都倉康弘

休憩　（14:45〜15:00)

4: スピン軌道相互作用の強い系における量子ポイントコンタクト近傍の電子スピン偏極
東大物性研　金善宇，橋本義昭，中村壮智，家泰弘，勝本信吾

5: InGaAs2次元系を用いたAB干渉計によるスピン偏極の検出
東大物性研　岩崎優，金善宇，橋本義昭，中村壮智，家泰弘，勝本信吾

6: Nb/InAs/Nb接合におけるスピン流注入の効果
東大物性研　高井久弥，橋本義昭，^○中村壮智，勝本信吾

7: 対称な二重量子井戸におけるシュブニコフビーティングの解析
北大院情報，神戸大院工^A，NTT物性研^B　横田昇一郎，澤田淳，相馬聡文^A，関根佳明^B，古賀貴亮

27日　BF会場　27pBF　13:30〜17:15

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: ワイル半金属における電気伝導
東北大理　大湊友也，越野幹人

2: トポロジカル絶縁体相とワイル半金属相の相転移と表面フェルミアーク
東工大院理工　奥川亮，^○村上修一

3: ゼロギャップ半導体におけるワイル半金属相(II)
東北大金研　紅林大地，野村健太郎

4: 格子ゲージ理論に基づいたWeyl半金属における電子相関効果の研究
東北大金研　関根聡彦，野村健太郎

5: 電子相関誘起トポロジカル絶縁体相の軌道磁性描像による解析
早大理工　後藤慎平，栗原進

6: 円偏光照射下のハニカム格子Hubbard模型の光誘起トポロジカル転移の理論
東大理　見上敬洋，辻直人，青木秀夫

休憩　（15:00〜15:15)

7: 超格子系の弱トポロジカル相とエッジ状態
広大院先端，茨大理^A，筑波大物理^B　吉村幸徳，井村健一郎，福井隆裕^A，初貝安弘^B

8: トポロジカル絶縁体表面における自発的AB効果と表面状態の頑強性
広大先端研　吉村幸徳，^○井村健一郎，高根美武

9: 2次元トポロジカル絶縁体における電流誘起電子スピンの空間構造
北大工　河合遼太，鈴浦秀勝

10: 弱い3次元トポロジカル絶縁体の表面状態における局在－非局在転移
北大工，イリノイ大^A，理研^B，Paul Scherrer Inst.^C　小布施秀明，笠真生^A，古崎昭^B，Christopher Mudry^C

11: トポロジカル絶縁体における表面状態の時間発展
上智大理工，広大先端研^A　小林浩二，吉村幸徳^A，井村健一郎^A，大槻東巳

12: トポロジカル超伝導体表面の熱伝導に対する乱れの効果
東北大WPI-AIMR，東北大金研^A　仲井良太，野村健太郎^A

13: トポロジカル物質相の渦糸の受けるマグナス力－超流動相との比較
KEK，慶應大日吉物理^A，物材機構^B　菊池徹，新田宗土^A，^○田中秋広^B

14: 取　　消

27日　CL会場　27pCL　13:30〜17:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 電子線によるグラフェンプラズモンの励起効率
物材機構　落合哲行

2: 金属ゲートに近接したグラフェンの電子自己エネルギー
NTT物性基礎研　佐々木健一，熊田倫雄

3: デュアルゲート構造二層グラフェンにおける非局所輸送
東大工，物材機構^A　島崎佑也，山本倫久，渡邊賢司^A，谷口尚^A，樽茶清悟

4: ゲート電圧によるグラフェン端の光酸化反応の制御
阪府大21機構，物材機構WPI-MANA^A　野内亮，三苫伸彦^A，松本守広

5: 電子供与性・受容性分子のドーピングによるグラフェンの電子状態制御
岡山大院自然　秋吉秀彦，上杉英里，後藤秀徳，江口律子，久保園芳博

6: 酸素修飾単層グラフェンの電気伝導度の温度依存性
東大院理　中山和貴，松井朋裕，福山寛

7: グラフェン上のペンタセン分子の構造に関する第一原理電子構造計算
岩手大工　西館数芽，吉本則之，長谷川正之

8: Electronic state and charge analysis calculation of H₂ adsorption on graphene with vacancy
Osaka Univ.，Fukuoka Institute of Technology^A，Tokyo Institute of Technology^B，Hosei Univ.^C　Gagus Ketut S.，I. Maruyama^A，K. Kusakabe，Y. Kudo^B，K. Takai^C，T. Enoki^B

休憩　（15:30〜15:45)

9: グラフェンの電気伝導における形状効果について
秋田大教育文化，奈良女子大研究院^A，筑波大物理^B　林正彦，吉岡英生^A，友利ひかり^B，神田晶申^B

10: グラフェンの電気伝導特性とラマンスペクトルの関係
筑波大数理物質，TIMS　友利ひかり，平出璃音可，田中宏和，大塚洋一，神田晶申

11: 紫外線照射によるグラフェンへの欠陥形成と伝導特性
東大院新領域　今村岳，斉木幸一朗

12: ディラック電子系中の量子ドットにおける電気伝導
茨大工　青野友祐

13: 1層2層グラフェンにおける、伝導度ゆらぎの普遍性探求
千葉大院融合，アリゾナ州大^A，バッファロー大^B　大内隆寛，M.アカラム，磯優平，鈴木信一，武田明大，青木伸之，D.K.フェリー^A，J.P.バード^B，落合勇一

14: チタンクリーニングによるグラフェンの低温における異常な振る舞い
大工大応用物理，Georgia Tech. Materials Sci. and Eng.^A，Georgia Tech. Physics^B　藤元章，C. A. Joiner^A，Y. Jiang^B，T. Roy^A，Z. R. Hesabi^A，Z. Jiang^B，E. M. Vogel^A

15: 2層グラフェンの磁気抵抗値の4He吸着による変化
兵庫医大物理，阪大産研^A　寺澤大樹，福田昭，大野恭秀^A，松本和彦^A

28日　AU会場　28aAU　9:30〜12:15

領域4
量子ドット

1: 有限周波数帯域での単一電子トンネル電流の計数統計
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　渡瀬菜里衣，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

2: Nbを用いたInAs自己形成量子ドットジョセフソン接合における超伝導電流の観測
東大工^A，理研^B，東大生研^C，東大ナノ量子機構^D　馬場翔二^A，R.S.Deacon^B，大岩顕^A，柴田憲治^C，平川一彦^C，D，樽茶清悟^A，D

3: 超伝導リードに接続された3角形3重量子ドットの量子相転移と基底状態の性質
大阪市大理　佐藤泉，小栗章

4: SU(N)近藤効果の1/(N-1)展開による研究：Green関数のω依存性に対する軌道縮退の効果
大阪市大理　粟根美由紀，小栗章

休憩　（10:30〜10:45)

5: 汎関数ポゾン法による開放量子ドット系の直接計算
筑波大数理物質　谷口伸彦

6: 量子ドットアハロノフ・ボーム干渉計における揺らぎの定理と熱電効果
三重大工，アールト大理^A，阪大理^B　内海裕洋，D. S. Golubev^A，小林研介^B

7: 二準位系を介した熱輸送における近藤効果
東大物性研，慶應理工^A　加藤岳生，齊藤圭司^A

8: Time resolved measurements of surface acoustic waves with quantumpoint contacts
Tokyo Inst. of Tech.，NTT Basic Res. Labs. NTT Corp.^A　Jason Chen，Reo Kosaka，Masayuki Hashisaka，Koji Muraki^A and Toshimasa Fujisawa

9: 半導体量子ドットを利用した微小機械振動子の振動検出2
NTT物性科学基礎研　岡崎雄馬，イムランマブーブ，小野満恒二，佐々木智，山口浩司

10: 少数電子二重量子ドットにおける電荷・スピンダイナミクスのキャパシタンス測定
NTT物性基礎研，東工大院理工^A　太田剛，日達研一，藤澤利正^A，村木康二

28日　AW会場　28aAW　9:00〜12:15

領域4
量子ホール効果

1: 取　　消

2: 交流電場による核スピン共鳴の電子充填率依存性
東北大理，ERATO-JST^A，WPI-AIMR^B　白井翔太，富松透^A，橋本克之^A，佐藤健，平山祥郎^A，B

3: 走査ゲート顕微鏡による電流励起核スピン偏極の空間分布測定
東北大理，ERATO-JST^A，WPI-AIMR^B　橋本克之^A，白井翔太，冨松透^A，佐藤健，平山祥郎^A，B

4: 動的核スピン偏極の抵抗検出と光検出の同時測定
東北大院理^A，JST-ERATO^B，東北大WPI-AIMR^C　秋葉圭一郎^A，B，長瀬勝美^A，B，平山祥郎^A，B，C

5: 第3ランダウ準位における電荷秩序のNMRによる検出
NTT物性研　トレバーデイヴィッド・ローン，村木康二

6: 2次元電子系のゆらぎによるKerrシグナルへの影響とスピンイメージング
千葉大院理，NTT物性基礎研^A，東北大院理^B，JST-ERATO^C　長尾佳介，有海祐伺，桐生直明，音賢一，熊田倫雄^A，平山祥郎^B，C

休憩　（10:30〜10:45)

7: 近接場走査型光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測II
筑波大物理学域，NTT物性基礎研^A，産総研^B　間明田周平，伊藤宙陛，柴田祐輔，大平智也，吉川ルノ，山口真澄^A，田村浩之^A，赤崎達志^A，柏谷聡^B，大塚洋一，野村晋太郎

8: 量子ドット－エッジ状態結合系THz共振器と光子計数測定 I
農工大院工　生嶋健司，岡野俊，伊藤惇，小林貴司

9: 量子ドット－エッジ状態結合系THz共振器と光子計数測定 II
農工大院工　岡野俊，生嶋健司，伊藤惇，小林貴司

10: 六方格子変調を施した2次元電子系の高周波伝導率
東大物性研　小池啓太，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

11: InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴II
物材機構，北陸先端大ナノセ^A　今中康貴，竹端寛治，日高志郎^A，岩瀬比宇麻^A，赤堀誠志^A，山田省二^A

12: コルビノ円板における非平衡量子ホール効果
阪大理物，京大化研^A　秦徳郎，田中崇大，荒川智紀，田辺賢士，小林研介，松尾貞茂^A，西原禎考^A，小野輝男^A

28日　BF会場　28aBF　9:00〜12:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: ハーフホイスラー合金RTBi(R=Lu,Y;T=Pt,Pd)の熱物性
東大院工^A，東大低温セ^B，Univ. of Sherbrooke^C，　中村隼也^A，藤井武則^B，朝光敦^A，B，F.F.Tafti^C，A.Juneau-Fecteau^C，S.Ren’e de Cotret^C，N.Doiron-Leyraud^C，Louis Traillefer^C

2: Pb系ホモロガス相トポロジカル絶縁体における輸送特性(II)
阪大産研　瀬川耕司，Alexey A. Taskin，鳥羽俊伸，安藤陽一

3: SnBi₂Se₄およびGeBi₂Se₄の単結晶合成と電子構造の測定
東大工^A，理研CEMS^B，東大物性研^C　品田慶^A，金子良夫^B，J. G. Checkelsky^A，叶琳達^A，吉川明子^B，矢治光一郎^C，坂野昌人^A，下志万貴博^A，十倉好紀^A，B，石坂香子^A

4: トポロジカル絶縁体における電気化学的銅インターカレーションと化学ポテンシャル制御
東大工^A，理研CEMS^B　齋藤公佑^A，酒井英明^A，十倉好紀^A，B，石渡晋太郎^A

5: キャリア制御したBi₂Se₃の磁場中輸送特性
筑波大数理物質，物材機構^A　鈴木悠介，小松雅，田島香澄，君塚郁哉，茂筑高士^A，柏木隆成，吉崎亮造，門脇和男

6: キャリア密度制御されたBi₂Se₃素子の輸送現象測定
広大先端　八木隆多，竹川大志，榊原諒二，田原文哉

休憩　（10:30〜10:45)

7: Synthesis and characterization of Bi_(2-x)Sb_xTe_(3-y)Se_y ultrathin films
Department of Physics，Graduate School of Science，Tohoku Univ.^A，WPI-Advanced institute of materials research，Tohoku University^B，High Field Laboratory for Superconducting Materials，Institues for Materials Research，Tohoku Univ.^C　Tu Ngoc Han^A，Yoichi Tanabe^A，Khuong Kim Huynh^B，Hidetoshi Oguro^C，Kazuo Watanabe^C，Satoshi Heguri^B，Hidekazu Shimotani^A，Kastumi Tanigaki^A，B

8: トポロジカル絶縁体TlBiSe₂の電子・スピン輸送特性
京大院工^A，広大院理^B　江口学^A，黒田健太^B，白井開渡^B，木村昭夫^B，白石誠司^A

9: Bi蒸着TlBiSe₂の電子状態：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　正満拓也^A，高山あかり^B，田中祐輔^A，菅原克明^B，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，江藤数馬^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

10: トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　田中祐輔^A，正満拓也^A，中山耕輔^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，M. Novak^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

11: トポロジカル結晶Sn_1-xIn_xTeのNMR法による研究
岡山大院自然，阪大産研^A　勝部翔太，俣野和明，Mario Novak^A，瀬川耕司^A，安藤陽一^A，鄭国慶

12: トポロジカル超伝導体候補物質Cu_xBi₂Se₃のNMR法による研究
岡大自然，阪大産研^A　俣野和明，山本裕之，上島啓司，岩瀬文達，M. Kriener^A，瀬川耕司^A，安藤陽一^A，鄭国慶

28日　BF会場　28pBF　13:30〜16:45

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: 超伝導体におけるマヨラナ粒子〜実現と検出への展望
京都大学大学院理学研究科　藤本聡

2: Transport through topological states of matter
Technischen Universität Braunschweig, Tokyo Institute of Technology　Recher Patrik

休憩　（15:00〜15:15)

3: ゼロギャップ半導体におけるワイル半金属相とスピン物性
東北大金研　野村健太郎

4: 2次元結晶におけるスピン・バレー物性
東京大学量子相エレクトロニクスセンター　岩佐義宏

28日　CD会場　28pCD　13:30〜16:55

領域5，領域4，領域6合同シンポジウム
主題：限界駆動の物質光科学

1: はじめに
東大・工　岡隆史

2: 中赤外波形整形と分子制御
東京農工大学　芦原聡

3: 時間分解光電子分光法による非平衡キャリア動力学
阪大・産研　金崎順一

4: 高Q値微小共振器による誘導ラマン散乱の増強
大阪府大　高橋和

休憩　（14:50〜15:05)

5: 励起子ポラリトン系において平衡と非平衡をつなぐ理論
阪大・理　山口真

6: グラフェンのテラヘルツ限界駆動
京大・iCeMS　谷峻太郎

7: BCS状態におけるテラヘルツ波誘起ヒッグスモード
東大・理（実験）　松永隆佑

8: 強相関電子系・超伝導体の非平衡理論
東大・理(理論)　辻直人

9: まとめと展望
東工大　腰原伸也

28日　CL会場　28pCL　13:30〜16:45

領域4，領域7合同
グラフェン

1: Anisotropic electron-phonon coupling in Rb-intercalated bilayer graphene
東北大院理^A，東北大WPI^B　J. Kleeman^A，K. Sugawara^B，T. Sato^A，and T. Takahashi^A，B

2: Temperature dependant THz detection using Graphene FET
Chiba Univ.^A，RIKEN^B，The Univ. at Buffalo^C，Arizona Univ.^D　Akram Mahjoub^A，S. Suzuki^A，Y. Iso^A，T. Ouchi^A，N. Aoki^A，K. Miyamoto^A，T. Omatsu^A，T. Yamaguchi^B，K. Ishibashi^B，J. P. Bird^C，D. K. Ferry^D，Y. Ochiai^A

3: 時間分解光電子分光法によるn型グラフェンのキャリアダイナミクスの観測
東大物性研，東北大通研^A　染谷隆史，吹留博一，石田行章，吉田力矢，飯盛拓嗣，山本貴士，湯川龍，山本真吾，山本達，金井輝人，板谷治郎，小森文夫，辛埴，松田巌

4: グラフェンにおけるフェムト秒発光の層数依存性
東大物性研　川崎智裕，竹田昌弘，渡邊浩，末元徹

5: 酸化グラフェンの発光機構
熊大院自然，CREST　横井裕之，谷口貴章，鯉沼陸央，松本泰道

6: Twisting Bilayer GrapheneにおけるG バンドの共鳴Raman効果
東北大理，仙台高専^A　齋藤理一郎，佐藤健太郎^A

休憩　（15:00〜15:15)

7: ケクレ型ボンド秩序があるグラフェンのドメイン境界における局所状態密度
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　井上裕哉，初貝安弘^A，青木秀夫^B，河原林透

8: グラフェン端のエネルギー論と電子状態
筑波大数理　山中綾香，岡田晋

9: 単層および二層グラフェン上の一次元的ポテンシャルによる束縛状態の特性
東工大院理工，TIES^A　岡本明大，横山毅人，村上修一^A

10: 取　　消

11: ベリー位相の分数量子化とディラック電子系のエッジ状態
筑波大物理　苅宿俊風，初貝安弘

12: 圧力下のセレン、テルルにおけるDirac分散に対するスピン軌道相互作用の効果
産総研ナノシステム　平山元昭，石橋章司，三宅隆

28日　PSA会場　28pPSA　13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

1: Tunable Rashba spin rotation of strained ZnO: First-principles density functional study
Graduate School of Natural Science and Technology，Kanazawa Univ.　Moh Adhib Ulil Absor，Hiroki Kotaka，Fumiyuki Ishii，and Mineo Saito

2: 取　　消

3: 電界電離型ガスイオン源搭載集束イオンビーム装置により試作したInGaAs量子ポイントコンタクトの評価
北陸先端大ナノセ，日立ハイテクサイエンス^A　赤堀誠志，日高志郎，山田省二，小堺智一^A，松田修^A，八坂行人^A

4: 2次元電子系マグネトプラズモン振動数測定における遠赤外線光伝導分光法と吸収分光法
東海大理，富士通コンポーネント^A，日本電子専門学校^B，日本ギア工業^C，ウーロンゴン大^D　内田朋久，藤田真帆，平岩信義^A，福田竜郎^B，小泉秀巨^C，Chao Zhang^D，豊田正

5: AlGaAs/GaAsヘテロ構造における二次元電子系のスピン偏極計測
千葉大院理　桐生直明，長尾佳介，鎌形諒太，音賢一

6: 量子ホール系におけるEdgeMagnetoPlasmonの輸送特性
東北大理^A，物材機構^B　山口薫^A，間野高明^B，野田武司^B，遊佐剛^A

7: バイアスを印加された近藤量子ドットのスピンカレント揺らぎ
物性研，大阪市大理^A　阪野塁，小栗章^A

8: Ag/Si複合ナノ粒子集合膜における弱局在効果
名工大院工　黒川雄一郎，日原岳彦

9: SINISターンスタイルを用いた単電子ポンプの磁場および温度依存性
産総研^A，Lancaster大^B，理研^C　中村秀司^A，C，Yuri　Pashkin^B，蔡兆申^C，金子晋久^A

10: グラフェンにおける量子ホール抵抗の磁束密度依存性
東海大，松茂鉄建工業^A　藤田真帆，内田朋久，山田和弘^A，豊田正

11: グラファイトの密度波相における電気伝導特性の形状効果
東大物性研，東理大理工^A　秋葉和人，三宅厚志，矢口宏^A，徳永将史

12: 半金属ビスマスの音響ドハース効果
新潟大院自然，新潟大CFIL^A，新潟大理^B，電通大院先進理工^C　冠木悠太郎，三本啓輔^A，赤津光洋^B，根本祐一，後藤輝孝，伏屋雄紀^C

13: pn接合を用いたグラフェン量子ホールエッジ状態のカイラリティ制御
京大化研，阪大理^A，物材機構^B　松尾貞茂，森山貴広，小野輝男，小林研介^A，小松克伊^B，中払周^B，塚越一仁^B

14: 超伝導/半導体/強磁性接合に現れるトポロジカル相の渦内低エネルギー励起状態に対する準古典理論
東大理^A，東大総合文化^A，B　正木祐輔^A，加藤雄介^A，B

15: 相関のあるトポロジカル絶縁体での光ホール効果
京大理　遠藤伸明起，吉田恒也，川上則雄

16: トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜における輸送現象測定
筑波大数理物質　秋山了太，藤澤和輝，黒田眞司

29日　AK会場　29pAK　13:30〜17:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: ワイル半金属におけるスピン依存伝導
名大工　田口勝久，田仲由喜夫

2: 第一原理計算による2層窒化ホウ素膜の電子状態研究
東工大理　藤本義隆，是常隆，斎藤晋

3: 水素終端されたシリセンリボンにおけるエッジ状態の起源
筑波大物理^A，CREST^B，名大院工^C，TIMS^D　棚谷翔^A，小鍋哲^A，B，白石賢二^C，初貝安弘^A，D

4: シリセンのエッジエネルギーと安定性
東工大理　斎藤晋，是常隆

5: 単層遷移金属ダイカルコゲナイドWSe₂におけるバレー-スピン緩和ダイナミクス
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B，NUS^C　宮内雄平^A，B，周利中^A，毛利真一郎^A，TOH Minglin^C，江田剛輝^C，松田一成^A

6: 遷移金属ダイカルコゲナイドのバンドネスティングの効果
京大エネルギー理工学研，Nat’l. Univ. of Singapore^A　小澤大知，Alexandra Carvalho^A，Rajeev Sharma Kumar^A，Amara Kiran Kumar^A，Weijie Zhao^A，Minglin Toh^A，A. H. Castro Neto^A，松田一成，江田剛輝^A

休憩　（15:00〜15:15)

7: 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける発光ダイナミクスと励起子－励起子相互作用
京大エネ研，JSTさきがけ^A，NUS^B，筑波大数理^C，JST CREST^D　毛利真一郎，周利中，壷井佑夏，Minglin Toh^B，宮内雄平^A，小鍋哲^C，D，岡田晋^C，D，江田剛輝^B，松田一成

8: 遷移金属カルコゲナイドにおけるバレー分極の層数依存性
東大工　鈴木龍二，張奕勁，岩佐義宏

9: 空間反転対称性の破れた遷移金属カルコゲナイドにおけるスピン分裂バンド構造
東大工，東大物性研^A，広島大院理^B，広島大放セ^C　坂野昌人，鈴木龍二，張奕勁，明石遼介，矢治光一郎^A，原沢あゆみ^A，黒田健太^B，宮本幸治^C，奥田太一^C，石坂香子，有田亮太郎，岩佐義宏

10: 遷移金属カルコゲナイドを用いた円偏光発光FET
東大院工　張奕勁，鈴木龍二，岩佐義宏

11: Energetics and electronic structure of potassium doped MoS₂
NRI-AIST，Univ. of Tsukuba^A，CREST^B　Nguyen Thanh Cuong，Minoru Otani，Susumu Okada^A，B

12: 単層MoS²のvalley polarizationの超高速動力学
Dept. of Electrophysics，Nat’l. Chiao Tung Univ.，Advanced Ultrafast Laser Res. Center，The Univ. of Electro-Communications^A，Inst. of Atomic and Molecular Sci.，Academia Sinica^B　Y. T. Wang，C. W. Luo，A. Yabushita，K. H. Wu，^○T. Kobayashi^A，and L. J. Li^B

13: 単層カーボンナノチューブ-MoS₂複合薄膜の電子状態の制御
首都大理工　遠藤秀晃，加治聖也，工藤光，河合英輝，柳和宏

29日　AU会場　29pAU　13:30〜16:15

領域4
領域４若手奨励賞記念講演

1: 若手奨励賞選考結果説明
京大低温センター　澤田安樹

2: 二重量子ドットにおける単電子トンネルとスピン効果の観測
東工大　量子ナノエレクトロニクス研究センター　小寺哲夫

3: トポロジカル絶縁体・超伝導体の輸送理論における先駆的研究
名大　工学研究科　山影相

休憩　（14:35〜14:45)

量子ドット

4: 短チャネルシリコンMOSFETにおけるストレス電圧による欠陥の生成とその量子ドット的輸送現象
理研^A，東芝^B　大野圭司^A，棚本哲史^B，大黒達也^B

5: 縦横結合4重量子ドットの電気伝導特性
理研^A，NRC^B，東北大理^C，東大物理工^D　天羽真一^A，M. Delbecq^A，中島峻^A，大塚朋廣^A，大野圭司^A，D. G. Austing^B，羽田野剛司^C，樽茶清悟^A，D

6: 取　　消

7: 量子ホールエッジ状態と結合した量子ドットにおける単一電子スピンの単発読み出し
東大工　木山治樹，大岩顕，樽茶清悟

8: 取　　消

9: ナノチューブ量子ドットにおける縮退準位の分裂
東北大理　泉田渉，辰巳由樹，齋藤理一郎

29日　AW会場　29pAW　13:30〜17:00

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: トポロジカルクリスタル絶縁体の薄膜におけるトポロジカル相転移について
名大工　小沢英之，山影相，佐藤昌利，田仲由喜夫

2: 超伝導トポロジカル結晶絶縁体の表面状態の理論
名大工　橋本樹，山影相，佐藤昌利，田仲由喜夫

3: 3次元系における対称性の破れたトポロジカル状態
北大院工　羽部哲朗，浅野泰寛

4: Edge states in silicene nanodisks
東大工^A，理研CEMS^B　菊竹航^A，江澤雅彦^A，永長直人^A，B

5: 対称性に保護されたトポロジカル荷電：シリセンとトポロジカル・クリスタル絶縁体に対する応用
東大工　江澤雅彦

6: トポロジカル結晶絶縁体・超伝導体における、対称性によって守られた表面・欠陥ギャップレス状態の分類
京大理，名大工^A　塩崎謙，佐藤昌利^A

休憩　（15:00〜15:15)

7: ミラー対称性によって守られたマヨラナフェルミオン－整数量子渦における非可換統計
名大工，岡山大院自然^A　佐藤昌利，山影相，水島健^A

8: 弱いトポロジカル絶縁体・超伝導体の表面状態の安定性
理研　森本高裕，古崎昭

9: 奇パリティ超伝導体におけるトポロジカルなBlountの定理
名大工^A，京大理^B　小林伸吾^A，塩崎謙^B，田仲由喜夫^A，佐藤昌利^A

10: トポロジカル絶縁体におけるクーペロン凝縮と異方的超伝導
東理大理，弘前大^A，東大生産研^B，スイス連邦工科大^C　土屋俊二，御領潤^A，荒畑恵美子^B，Manfred Sigrist^C

11: トポロジカル超伝導体における不純物効果
原子力機構シ計セ　永井佑紀，太田幸宏

12: トポロジカル絶縁体の超伝導相における表面電子状態の理論
岡山大院自然，名大工^A　水島健，山影相^A，佐藤昌利^A，田仲由喜夫^A

13: ナノワイヤーにおけるマヨラナ粒子のブレイディングと非可換統計性
名大工　S. AMORIM CASSIO，海老原和人，山影相，佐藤昌利，田仲由喜夫

30日　AQ会場　30pAQ　13:30〜15:00

領域9，領域4合同
トポロジカル表面

1: トポロジカル絶縁体Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3の非占有電子ダイナミクス
東大物性研^A，阪大産研^B，JST-CREST^C　金聖憲^A，石田行章^A，近藤猛^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，安藤陽一^B，辛埴^A，C，^○小森文夫^A

2: 3次元トポロジカル絶縁体GeBi₂Te₄, SnBi₂Te₄のSTM観察
理研CEMS^A，東大工^B　岩谷克也^A，花栗哲郎^A，幸坂祐生^A，付英双^A，叶琳達^B，JoeCheckelsky^B，金子良夫^A，十倉好紀^A，B

3: PbBi₄Te₇の埋もれたトポロジカル表面状態
広大放射光セ^A，広大院理^B，バクー大^C，DIPC^D，トムスク大^E　奥田太一^A，前川貴政^B，叶茂^B，白井開渡^B，藁科拓也^B，宮本幸治^A，黒田健太^B，有田将司^A，Z.S. Aliev^C，I. R. Amiraslanov^C，M. B. Babanly^C，E. V. Chulkov^D，S. V. Eremeev^E，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B

4: 原子吸着したエッジをもつ1BL Bi薄膜のエッジ状態
お茶の水大理　小林功佳

5: 取　　消

6: in situ FIB加工微細構造を用いたBi₂Se₃のスピンホール効果測定
東大理　福居直哉，平原徹，長谷川修司