領域9 7日 AK会場 7aAK 10:00〜13:00

領域9
表面ナノ構造量子物性/ナノチューブ・ナノワイヤ

1
Bi超薄膜の走査トンネルポテンショメトリ測定:エッジでのポテンシャル異常
東大理,東工大理A 中村友謙,保原麗,長谷川修司,平原徹A
2
STMトポグラフ画像と微分コンダクタンス画像の関係
埼玉工大院 龍見洋平,光岡重徳,田村明
3
吸着原子を含む円形Quantum Corral内の電子状態の理論解析
埼玉工大 光岡重徳,田村明
4
金電極間ベンゼンジチオール架橋の交流応答特性に関する理論計算
東大工,東大理A,神戸大自然B 川尻雄基,平井大介A,笹岡健二B,俵有央,渡邉聡

休憩 (11:00〜11:15)

5
その場電子顕微鏡法による亜鉛ナノ接点の構造と電気伝導解析
筑波大院数理 蘆田真,木塚徳志
6
白金ナノ接点の臨界剪断応力
筑波大院数理 飯嶋俊章,木塚徳志
7
その場電子顕微鏡法によるモリブデンナノ接点の観察
筑波大院数理 山田浩平,木塚徳志
8
その場電子顕微鏡法によるタンタルナノ接点の構造と電気伝導特性解析
筑波大院数理 村田智,木塚徳志
9
その場電子顕微鏡法による酸化タングステンナノワイヤーの構造と電気伝導特性解析
筑波大院数理 矢崎岳,谷中淳,木塚徳志
10
金ナノ接合における熱起電力の接合温度依存性
東工大院理工 松下龍二,金子哲,木口学
11
Impulse Response法による分子接合における時間に依存した電子輸送特性の第一原理研究
北大工,阪大院工A 江上喜幸,広瀬喜久治A

7日 AS会場 7aAS 9:30〜12:45

領域9
表面界面電子物性

1
Pb吸着Ge(001) 表面における表面超構造と電子状態の解明
奈良先端大物質創成 坂田智裕,武田さくら,大門寛
2
表面共鳴状態とGeバンドのバンド間相互作用
奈良先端大物質創成 坂田智裕,武田さくら,大門寛
3
取  消

4
半導体表面上の重金属TlBi合金の電子構造
千葉大院融合 林田崇志,石川裕隆,八百板裕智,坂本一之
5
高分解2光子光電子分光によるAu(001)の表面電子状態の観察
東大新領域A,物材機構MANAB 中澤武夫A,荒船竜一B,高木紀明A,川合眞紀A
6
In4Se3表面上の2DEG状態の高分解能ARPES
東北大院理A,I. Franko Lviv Nat’l. Univ.B,Univ. Nebraska-LincolnC,東北大WPID 福谷圭祐A,宮田康成A,松崎出愛A,P. V. GaliyB,P. A. DowbenC,佐藤宇史A,高橋隆A,D

休憩 (11:00〜11:15)

7
水素終端Si(110)-(1×1)表面の1次元電子状態
東北大院理A,東北大WPI-AIMRB,東理大理C,理研D 松下ステファン悠A,高山あかりB,川本絵里奈A,胡春平C,渡辺一之C,山田太郎D,高橋隆A,B,須藤彰三A
8
Empirical potential profile of Si (111) 4×1-In space charge layer for subband calculation
Nara Inst. of Sci. & Tech. Nur Idayu Ayob,Sakura N. Takeda,Takeshi J. Inagaki,Hiroshi Daimon
9
非貴金属自動車触媒のデザイン
阪大応物A,阪大アトミックデザイン研究セB,阪大接合研C 笠井秀明A,B,Wilson Agerico DiñoA,B小島一希A,川人洋介C
10
伸張歪みによるGeのバンドギャップ転移
琉球大理 稲岡毅,古川琢朗,當間涼,柳澤将
11
歪み量測定のための高分解能In situラマン分光の開発
奈良先端大物質創成 武田さくら,久米田晴香,前田昂平,桃野浩樹,竹内克行,中尾敏臣,Artoni K. R. Ang,坂田智裕,大門寛
12
透過型電子顕微鏡におけるZernike型窒化シリコン薄膜位相板の開発
農工大院工 矢田顕芳,箕田弘喜

7日 AK会場 7pAK 14:00〜17:15

領域9
結晶成長

1
化合物半導体MBE成長のその場STM観察
阿南工業高等専門学校 塚本史郎
2
液中周波数変調方式原子間力顕微鏡による可溶性結晶の原子分解能観察
北大低温研 長嶋剣
3
金ナノ粒子の光熱変換効果によるナノバブル生成の原子間力顕微鏡観察
徳島大工 柳谷伸一郎
4
高過飽和気相からの酸化物ナノ粒子核生成過程の赤外スペクトル“その場”測定
東北大理A,北大低B 石塚紳之介A,B,木村勇気B
5
氷VIIの結晶化経路の多様性
岡山大理 望月建爾,樋本和大,松本正和

休憩 (15:30〜15:45)

6
水素終端Si(111)-(1×1)表面上におけるAgナノクラスター成長過程
東北大院理,東理大理A 金川詩野,加藤大樹A,松下ステファン悠,川本絵里奈,須藤彰三
7
X線反射率による電気化学的薄膜成長のその場観察
学芸大自然,東大物性研A,KEK-PFB Voegeli Wolfgang,荒川悦雄,亀沢知夏,岩見隆太郎,白澤徹郎A,松下正B
8
炭化タングステン薄膜の電子顕微鏡観察
筑波大院数理 平川駿,谷中淳,木塚徳志
9
Si(111)面のステップ張力とステップスティフネス再び
大阪電通大工 阿久津典子
10
移動する粒子源によるステップのパターン形成-フェーズフィールドシミュレーション(5)-
金沢大自然,名大理A,名市大院システムB,金沢大IMCC 岸和宏,川口将司A,三浦均B,佐藤正英C,上羽牧夫A
11
容器形状と外力によるブラウン粒子の結晶構造制御
金沢大院自然,金沢大IMCA,立命館大理工B,徳島大ソシオC 藤根守,佐藤正英A,勝野弘康B,鈴木良尚C

7日 AS会場 7pAS 14:00〜17:30

領域9
表面界面電子物性

1
第一原理計算によるイオン液体分子の分解反応とFermi-level pinningに関する研究
東大マテ工,産総研A,トヨタ自動車B 安藤康伸 ,A,河村芳海B, 池庄司民夫A,大谷実A
2
全固体Li-ion電池における酸化物正極/硫化物電解質界面の原子構造とLi-ion電荷層の第一原理計算
物材機構A,京大ESICBB,JSTさきがけC 春山潤A,袖山慶太郎A,B,高田和典A,館山佳尚A,B,C
3
STM/STSを用いたLa0.7Ca0.3MnO3薄膜表面の構造・電子状態評価I (実験)
東北大WPI-AIMR,理研A,NIMSB,東大工C 清水亮太,岩谷克也A,大澤健男B,中村俊也C,安藤康伸C,南谷英美C,渡邉聡C,一杉太郎
4
STM/STSを用いたLa0.7Ca0.3MnO3薄膜表面の構造・電子状態評価II(理論)
東大工,東北大WPI-AIMRA,理研B,NIMSC 中村俊也,安藤康伸,南谷英美,清水亮太A,岩谷克也B,大澤健男C,一杉太郎A,渡邉聡
5
アナターゼ型 TiO2(101)の電子状態
東大生研 長塚直樹,武安光太郎,浅川寛太,小倉正平,福谷克之
6
STMによる鉄窒化物原子層・ナノドットの表面電子状態の研究
東大物性研 高橋文雄,家永紘一郎,河村紀一,宮町俊生,小森文夫

休憩 (15:30〜15:45)

7
Fe3O4(111)表面の構造と電子状態
東大生産研,東京学芸大A ,高エネ研B 浅川寛太,武安光太郎,松本益明A,河内泰三,張小威B,福谷克之
8
第一原理NEGF法を用いたTiN/MgO界面のSeebeck係数の計算
物材機構,筑波大院数物A,NECB 高木博和,小林一昭,小林伸彦A,広瀬賢二B
9
ZrB2, NbB2(0001)表面における終端構造の電子状態解析
奈良先端大院物質,立命館大理工A,物材機構B 堀江理恵,松井文彦,滝沢優A,相澤俊B,大谷茂樹B,難波秀利A,大門寛
10
取  消

11
フタロシアニン蒸着 Si(111)-(√7×√3)-In の超伝導特性
物材機構MANA,東大物性研A 吉澤俊介,Puneet Mishra,Howon KimA,長谷川幸雄A,内橋隆
12
Ag(100)における鉄フタロシアニンバイレイヤーの構造とスピン励起
東大新領域 稲員慎一,太田奈緒香,塚原規志,高木紀明,川合眞紀
13
NaCl絶縁体超薄膜上における単一フタロシアニンの電子状態
東大新領域,理研A,物材機構B 今井みやび,今田裕A,清水智子B,川合眞紀,金有洙A

7日 BH会場 7pBH 14:00〜17:30

領域7,領域5,領域9合同シンポジウム
主題:イメージング技術で探る分子性固体と有機導体のマイクロ-ナノ物性

1
はじめに
JASRI 池本夕佳
2
放射光赤外分光による強相関系分子性導体の電子状態マッピング
東北大金研 佐々木孝彦
3
有機分子性結晶からのテラヘルツ電磁波発生を利用した強誘電ドメインの可視化
東大新領域 貴田徳明
4
電子型の強誘電性を示す有機伝導体の分極ドメインイメージング
岡山理科大 山本薫

休憩 (15:35〜15:50)

5
バイアスを印加したグラフェン材料のPEEMオペランド測定
東北大通研 吹留博一
6
AFMポテンショメトリによる有機FET中バンド端プロファイルの評価
奈良先端大 中村雅一
7
STMによる磁性を持つ有機分子薄膜のスピン計測
東北大多元研 米田忠弘
8
まとめ
兵庫県立大 田島裕之

8日 AK会場 8aAK 9:30〜13:00

領域9
表面界面構造

1
斜入射高速陽子による電子刺激脱離KBr(001)表面形状・粗さ変化の追跡
大阪教育大物理 深澤優子,鈴木康文
2
Cu(001)上の窒化鉄原子層の微細構造
東大物性研A,NHK放送技研B 家永紘一郎A,高橋文雄A,河村紀一A,B,山田正理A,宮町俊生A,小森文夫A
3
Pd70Au30(110)表面におけるCOキャップ構造の解明
東大生研,阪大リノベーションA 小倉正平,岡田美智雄A,福谷克之
4
Pt針を用いたウェットエッチングによる高アスペクト比シリコンマイクロホールの形成メカニズム
阪大産研 赤井智喜,入鹿大地,今村健太郎,小林光
5
Pt触媒を用いてHF/H2O2溶液中で形成したSiナノクリスタル層/Si構造の極低反射率のメカニズム
阪大産研,CREST-JST 今村健太郎,入鹿大地,謝雯,小林光
6
Si(111) 清浄表面の新再構成構造
チャールズ大プラハ物理A,チェコ科学アカデミー物理研B,福岡大工 Pavel KocanA,Ondrej KrejciA,B栃原浩

休憩 (11:00〜11:15)

7
Si(111)微斜面における不連続な表面張力III:ステップ・スティフネスとの整合性
大阪電通大工,NTT物性科学基礎研A,理工学府B 阿久津典子,日比野浩樹A,山本隆夫B
8
RHEED波動関数による回折条件の検証
山梨大 川村隆明
9
Si(111)-√21×√21-(Ag+Au)構造の再考察
東大物性研,JASRI/SPring-8A 山口雄大,白澤徹郎,田尻寛男A,高橋敏男
10
2次元光電子回折分光法による半導体ヘテロ接合界面の欠陥準位の検出
奈良先端大,物質創成A,JASRI/SPring-8B 前島尚行A,松井文彦A,堀田昌宏A,松井公佑A,大田拓也A,石井良A,藤田將喜A,安田馨A,松下智裕B,大門寛A
11
探針増強ラマン分光法によるAu(111)上のグラフェンナノリボンの測定
フリッツハーバー研A,京大院理B 塩足亮隼A,B,熊谷崇A,Martin WolfA
12
高精度ファン・デル・ワールス密度汎関数
物材機構 濱田幾太郎
13
2次元格子整合の数学的考察
東大新領域,物材機構MANAA 川原一晃,荒船竜一A,川合眞紀,高木紀明

8日 AS会場 8aAS 9:45〜12:45

領域9
グラフェン・シリセン

1
h-BN/Cu(111)上におけるシリセンの構造と電子状態
東大院新領域,物材機構MANAA,東大院工B 閑野真央,荒船竜一A,林俊良,南谷英美B,川合眞紀,高木紀明
2
一酸化窒素(NO)とシリセン/ZrB2/Si(111)の相互作用
東大物性研,北陸先端大A 吉信淳,吉本真也,向井孝三,清水皇,小板谷貴典,則武宏幸,高村由起子A,Antoine FleurenceA,Rainer FriedleinA
3
Ag(111)上の多層シリセン
東大新領域,物材機構MANAA 川上直也,林俊良,荒船竜一A,川原一晃,閑野真央,長尾遼,塚原規志,川合眞紀,高木紀明
4
Ag(111)上 多層シリセンの電子状態
東大新領域,NIMSA 長尾遼,荒船竜一A,林俊良,川合眞紀,高木紀明
5
全反射高速陽電子回折法によるCu(111)表面上のグラフェンの構造解析
原子力機構先端基礎研A,高エネ研物構研B 深谷有喜A,圓谷志郎A,境誠司A,前川雅樹A,望月出海B,和田健B,兵頭俊夫B,河裾厚男A

休憩 (11:00〜11:15)

6
Ag(111)表面上シリセンの酸化過程の解明
産総研ナノシステム,RMIT大A 森下徹也,M.J.S. SpencerA
7
Reconstructions of Si intercalated graphene/SiC interface: atomic and electronic structure
Kyushu Univ.A,Toyota Technological Inst.B Anton VisikovskiyA,Shin-ichi KimotoA,Takashi KajiwaraA,Satoru TanakaA,Masamichi YoshimuraB
8
微傾斜SiC上のグラフェン・ナノリボンの電子状態の幅依存性について
東大物性研,東工大総理工A,九大院工B,高エネ研C 飯盛拓嗣,中辻寛A,宮町俊生,金聖憲,田村匡,梶原隆司B,Anton VisikovsliyB,田中悟B,間瀬一彦C,小森文夫
9
Low-coverage bottom-up graphene-nanoribbon fabrication with length, direction, and chirality control
WPI-AIMR,RIKEN Center for Emergent Matter Sci.A,Univ. of California Los AngelesB Patrick Han,Kazuto Akagi,Filippo Federici Canova,Hirotaka Mutoh,Susumu Shiraki,Katsuya IwayaA,Paul S. WeissB,Naoki Asao,and Taro Hitosugi
10
グラフェン上のペンタセンの電子構造
岩手大工 西館数芽,長谷川正之
11
Novel two-dimensional silicon and germanium allotropes: a first-principles study
Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. Florian Gimbert,Chi-Cheng Lee,Rainer Friedlein,Antoine Fleurence,Yukiko Yamada-Takamura,and Taisuke Ozaki

8日 BF会場 8aBF 9:30〜10:15

領域3,領域9合同
表面磁性

1
Fe/BaTiO3界面の状態観察
高エ研 酒巻真粧子,雨宮健太
2
FeCo/BaTiO3薄膜の磁性に及ぼす電界と組成比の影響
高エ研 雨宮健太,酒巻真粧子
3
Pd(100)超薄膜に生じる基板に起因した歪みの磁性への影響
慶大理工,JASRIA 櫻木俊輔,田尻寛男A,新井悠平,石川創一郎,河野真,佐藤徹哉

8日 AS会場 8pAS 14:00〜17:15

領域9,領域3合同シンポジウム
主題:表面スピンの基礎物性とスピントロニクス応用

1
趣旨説明
SPring-8/JASRI 小嗣真人
2
単一原子スピンの安定化
東大物性研小森研 宮町俊生
3
表面吸着原子・分子における近藤効果
東大工 南谷英美
4
走査トンネル分光イメージングによるトポロジカル絶縁体表面バンド分散測定
物質・材料研究機構 吉澤俊介

休憩 (15:20〜15:35)

5
半導体表面・界面のスピン偏極した金属的電子状態
東大物性研LASOR 矢治光一郎
6
単元素トポロジカル物質の表面電子状態
阪大 大坪嘉之
7
ラシュバ効果による界面磁気異方性の理論
原子力機構先端研 家田淳一
8
半導体中のスピン軌道相互作用を用いた無磁場電子スピン共鳴
NTT物性基礎研 眞田治樹

9日 AK会場 9aAK 11:15〜12:45

領域3,領域9合同
表面磁性

1
取  消

2
取  消

3
表面近藤格子、Au(111)表面吸着鉄フタロシアニン格子の異方的磁気応答
東大新領域 太田奈緒香,塚原規志,高木紀明,川合眞紀
4
STM探針—FePc—Au(111)接合の形成とスピン状態
東大新領域 平岡諒一,塚原規志,高木紀明,川合眞紀
5
二重界面系MgO/Fe/MgOの磁気異方性と電界効果の第一原理的研究
金沢大自然A,金沢大理工B 吉川大輝A,小幡正雄A,小田竜樹A,B
6
fct-Fe/Cu(001)の電子状態計算
東大理A,東大物性研B,東工大総理工C 立津慶幸A,常行真司A,B,合田義弘A,C

9日 AS会場 9aAS 9:30〜13:00

領域9シンポジウム
主題:金属吸着半導体表面の物理—この30年を振り返り、次の10年を展望する— Physics of Metal-Adsorbed Semiconductor Surfaces -Looking back over the last 30 years and surveying the next 10 years prospects-

1
はじめに—金属吸着半導体表面から何を学んだか— Introductory talk
東大理 Univ. Tokyo 長谷川修司 Shuji Hasegawa
2
Low dimensional physics on metal/semiconductor systems
Pohang University of Science and Technology Han Woong Yeom
3
表面ラシュバ効果 Rashba effect at surface
京大理 Kyoto Univ. 有賀哲也 Tetsuya Aruga
4
STM/AFM イメージングを超えて Beyond the STM/AFM imaging
東大物性研 Univ. Tokyo 長谷川幸雄 Yukio Hasegawa

休憩 (11:10〜11:25)

5
半導体表面超構造における超伝導 Superconducting effect at semiconductor surface
物質材料研ナノ機能集積U NIMS 内橋隆 Takashi Uchihashi
6
金属吸着半導体表面の構造解析 Structural analysis of metal absorption at semiconductor surface
東北大多元研 Tohoku Univ. 虻川匡司 Tadashi Abukawa
7
半導体表面のプラズモン現象と光学応答 Plasmonic effect and optical response at semiconductor surface
物質材料研ナノシステム構築U NIMS 長尾忠昭 Tadaaki Nagao
8
おわりに——金属吸着半導体表面を展望する— Closing talk
東大物性研 Univ. Tokyo 小森文夫 Fumio Komori

9日 AF会場 9pAF 14:00〜17:15

領域10,領域9合同シンポジウム
主題:電池材料の局所境界構造と機能

1
はじめに
東北大金研 大野裕
2
電極機能の評価と設計
九大 古山通久
3
固体内イオン拡散のμSRその場評価
トヨタ中研 杉山純

休憩 (15:30〜15:45)

4
全固体電池における電界質/電極界面の構造・電子状態
東北大WPI 一杉太郎
5
電極の表面・界面構造と機能の評価
AIST 橘田晃宜
6
電極の表面・界面構造と機能の第一原理
AIST関西 田中真悟

9日 PSA会場 9pPSA 14:00〜16:00

領域9
領域9ポスターセッション

77
Ca超微粒子の生成
立命館大理工 墻内千尋,齋藤嘉夫,小池千代枝
78
輸送気相法で作成されたDA結晶の固相重合に伴う微小な構造変化
愛知学院大,豊田工大A 城貞晴,鈴木誠也A,吉村雅満A
79
遠心沈降法によるコロイド結晶作成時の容器形状の効果について
金沢大自然A,金沢大メディア基盤セB 金津洋平A,藤根守A,佐藤正英B
80
クラスター展開法を利用した自動車触媒LaFe1-xPdxO3に関する理論的研究
阪大院工,河北師範大A 西谷卓也,田之雪A,木崎栄年,稲垣耕司,森川良忠
81
Ag(111)表面上に成長したTl単結晶超薄膜の電子構造
千葉大院融合,TASC Lab.A,東大物性研B 張一拓,森岡健太,石川裕隆,J. FujiiA,吉田靖雄B,長谷川幸雄B,坂本一之
82
Ni(755)ステップ面上に形成された低次元Ni-O表面錯体の電子状態
立命館大理工,奈良先端大物質創成A 滝沢優,難波秀利,松井文彦A,大門寛A
83
紫外光分光解析によるCO/Ni(111)吸着サイト計算
千葉大院融合,Diamond Light SourceA,千葉大院融合B 黒田広祐,Moritz HoeschA,Peter KrügerB
84
Si(111)-√7×√3-Inの2つの超構造hex/rectのSTM観察
東大物性研A,東工大理B,東大理C 伊藤俊A,平原徹B,申東潤C,一ノ倉聖C,松田巌A,長谷川修司C
85
TDAE分子を用いた電子ドーピングによる自然酸化Si(111)表面の電気伝導度変化
東大物性研 吉本真也,塩澤佑一朗,小板谷貴典,則武宏幸,向井孝三,吉信淳
86
UHVラマンを用いた機械的1軸歪みSiの歪み分布測定
奈良先端大物質創成 桃野浩樹,武田さくら,久米田晴香,前田昂平,竹内克行,中尾敏臣,Artoni K. R. Ang,坂田智裕,大門寛
87
In/Si(111)-(4×1)表面における相転移のヒステリシス
京大院理 八田振一郎,野間俊,奥山弘,有賀哲也
88
XMCDによる金属吸着半導体表面上に吸着したFeおよびCo原子の研究
京大院理 八田振一郎,坂田直人,奥山弘,有賀哲也
89
Bi/Si(001)の表面超構造と電子状態の観測
奈良先端大物質創成 中尾敏臣,武田さくら,北川幸祐,森田誠,竹内克行,前田昂平,桃野浩樹,Artoni K. R. Ang,坂田智裕,大門寛
90
Bismuth on Si(110): RHEED and ARPES invesitgation
Nara Inst. of Sci. and Tech. Artoni Kevin R. Ang,Sakura N. Takeda,Tomohiro Sakata,Kosuke Kitagawa,Hiroshi Daimon
91
Si(557)表面上に成長したBi薄膜の構造と電子状態
広大放射光セA,広大院理B 奥田太一A,Munisa NurmamatA,生天目博文A,谷口雅樹A,B
92
機械的1軸歪みグラフェンのUHVラマン測定
奈良先端大 前田昂平,武田さくら,久米田晴香,桃野浩樹,中尾敏臣,竹内克行,坂田智裕,Artoni K. R. Ang,大門寛
93
光電子回折分光法による化合物半導体InSbの原子構造と構成元素別状態密度の解析
奈良先端大物質創成,JASRI/SPring-8A,静岡大工B 西川弘晃,松下智裕A,前島尚行,松井公佑,下村勝B,大門寛,松井文彦
94
チタン酸ストロンチウムの表面構造と電子状態
広大院理,広大理A,広大放射光B 中島伸夫,森野友紀A,川上修平,天場千覚,仲武昌史B
95
TiO2(110)水素吸着表面における赤外吸収分光
東大生研 武安光太郎,中村研貴,小倉正平,福谷克之
96
Si(111):√3×√3-Ag表面上のオリゴチオフェン薄膜の電子状態とバンド変調効果の検討
横国大工,佐賀大シンクロトロンA 大野真也,田中博也,田中一馬,高橋和敏A,田中正俊
97
遷移金属錯体メタロセン分子の電子配置と磁気異方性
三重大院工 名和憲嗣,北岡幸恵,中村浩次,秋山亨,伊藤智徳
98
X線吸収分光解析による銅(001)面における遷移金属ポルフィリン錯体の電子構造
千葉大院融合,Dept. Physics and Astronomy Uppsala Univ.A 吉本有輝,Heike HerperA,Peter Krüger
99
Band gap of polythiophene derivatives: First-principles study
Kanazawa Univ. Patricia Lubis and Mineo Saito
100
微斜面Bi2Te3, Bi2Se3薄膜の異方的電気伝導
東大理,東工大理A 福居直哉,平原徹A,長谷川修司
101
角度分解多光子光電子分光によるBi2Te3の非占有電子状態
佐賀大シンクロ 山本勇,野方裕太朗,東純平,今村真幸,高橋和敏,鎌田雅夫
102
トポロジカル界面における熱電能の第一原理計算
金沢大自然,金沢大理工A 水田耀ピエール,石井史之A
103
第一原理計算によるA2B3型化合物トポロジカル絶縁体の探索
金沢大院自然,金沢大理工A 加藤毅大,小鷹浩毅,石井史之A
104
人工超格子(LaAlO3)n/(ATiO3)n (A=Sr, Pb, Ba)における電気分極と電子状態の基板依存性の第一原理計算
金沢大自然,金沢大理工A 西田美穂,石井史之A,小鷹浩毅A,斎藤峯雄A
105
光電子収量分光(PYS)理論の考察
千葉大院融合 但野将平,P.Kruger
106
自己組織化Ag、Au薄膜のナノ構造におけるTiシード層の効果
東大生研,韓国光云大A 神子公男,野瀬健二,光田好孝,河在浩A,河在根A
107
Si(111)√3×√3-B表面へのBi超薄膜の成長と構造
東工大総理工 小久保郁也,吉池雄作,青木悠樹,中辻寛,平山博之
108
Al-Co-Ni系二次元準結晶表面における局所クラスターの構造解析
名大工,東北大多元研A 堀場圭人,佐藤真,柚原淳司,蔡安邦A
109
NO/Cu(110)の吸着構造変化の振動分光・STM測定
京大院理,東大物性研A 塩足亮隼,三井拓也,奥山弘,八田振一郎,有賀哲也,小板谷貴典A,吉信淳A
110
Ag/Si(111)界面構造がAg超薄膜表面に与える影響(2)
東工大総理工 吉池雄作,小久保郁也,青木悠樹,中辻寛,平山博之
111
水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察
東北大院理,理研A 川口諒,松下ステファン悠,川本絵里奈,芳賀健也,山田太郎A,須藤彰三
112
EF-MEED装置の開発
大同大工,東北大多元研A 堀尾吉已,田代将人,高桑雄二A,小川修一A
113
取  消

114
The growth of Zr-doped cerium oxide film on Rh(111)
名大工 陳立航,柚原淳司
115
固液界面構造用電子顕微鏡法の開発とその応用2
農工大産業技術,農工大工 加川涼介,志村雄治,箕田弘喜
116
第一原理分子動力学法に基づくチタニアナノシート表面における水の解離反応
熊大院自然 井手上健太,高良明英,原正大,下條冬樹
117
グラファイト (0001) 面上のアルカテトライン単分子層およびその重合体の電子分光・STM観察
東京農工大院工,北里大理A 奥田昌平,山崎俊弥,菊地健太,杉山勇樹,関川諒,尾崎弘行,遠藤理,尾池秀章,長谷川真士A,真崎康博A
118
Cu(111)表面上に吸着したコロネン誘導体のSTM/STS観察
横市大院生命ナノ 根津朋美,塚田秀行,横山崇
119
蒸着量に依存したAg(110)表面上でのテトラセン分子の自己組織化配列
横市大院生命ナノ 高杉一城,横山崇
120
Si(111)√3×√3-Ag表面上のシリコンエピタキシャル成長におけるサーファクタント効果
東工大総理工 山上剛史,曽根準基,青木悠樹,中辻寛,平山博之
121
分子動力学法による原子間力顕微鏡のエネルギー減衰
山口大院理工,アールト大A 仙田康浩,嶋村修二,Janne BlomqvistA,Risto NieminenA
122
Au(111)表面での水素分子のオルソ・パラ転換
東大生研 樫福亜矢,福谷克之
123
Cu(111)面におけるHCOOH分解の第一原理計算
阪大院工 鳥井史郎,Fahdzi Muttaqien,濱本雄治,稲垣耕司,森川良忠
124
窒素吸着Cu(001)面におけるポンププローブ光学測定 その2
東大物性研A,NHK放送技研B 河村紀一A,B,宮町俊夫A,飯盛拓嗣A,山田正理A,小森文夫A
125
第一原理分子動力学法による単層MoS2と水との反応過程
熊大院自然,南カリフォルニア大A 島村孝平,三澤賢明,下條冬樹,Aiichiro NakanoA,Rajiv K. KaliaA,Priya VashishtaA
126
第一原理Metadynamics法を用いたフッ酸/Si(111)界面でのHFの解離吸着反応
阪大院工 金森仁美,平川晧朗,杉山将啓,稲垣耕司,木崎栄年,森川良忠
127
第一原理分子動力学法に基づく等温酸化還元反応による水分解機構の解明II
熊大院自然,南カリフォルニア大A 三澤賢明,高良明英,下條冬樹,Aiichiro NakanoA,Rajiv K. KaliaA,Priya VashishtaA
128
Ab initio study of methane reaction on nickel (111) surface
Kumamoto Univ.,Univ. of TokyoA Rizal Arifin,Yasushi ShibutaA,Kohei Shimamura,Fuyuki Shimojo,Shu YamaguchiA
129
フラーレン蒸着膜のナノすべり摩擦III
電通大先進理工,愛教大物理領域A 筏有加,棚原翔平,町田慎悟,井上大輔,谷口淳子,鈴木勝,石川誠A,三浦浩治A
130
音叉型水晶振動子を用いたエネルギー散逸顕微鏡の開発
電通大先進理工,愛教大物理領域A 棚原翔平,井上大輔,町田慎悟,筏有加,谷口淳子,鈴木勝,石川誠A,三浦浩治A
131
多探針法によるプルシアンブルー類似体の局所電気伝導度計測の試み
山梨大工 尾崎昂志,榎本翔,源拓洋,白木一郎,西智洋
132
液体水素温度における量子トンネルによる金属への水素吸蔵実験
九大院工,金沢大教育A,九大院総理工B 高田弘樹,家永紘一郎,稲垣祐次,辻井宏之A,橋爪健一B,大塚哲平B,河江達也
133
氷表面上での水素原子の吸着状態に関する理論的研究
北大エネマテ 國貞雄治,坂口紀史
134
NEXAFS分光法による酸化マグネシウム微粒子表面上の吸着分子の挙動の観測
九州シンクロトロン光研究セ,産総研A 小林英一,阪東恭子A,岡島敏浩
135
W(110)上のMn薄膜を用いたスピン偏極STM用バルクCr探針の評価
東大物性研 土師将裕,山本駿玄,吉田靖雄,長谷川幸雄
136
W(112)基板上の鉄一次元原子鎖の構造解析および磁性
九大総理工 山口功介,川島智幸,水野清義,中川剛志
137
二次電子放出のTDDFTシミュレーション
東理大理 上田純裕,胡春平,渡辺一之
138
超伝導ナノコンタクトにおけるジョセフソン効果のサイズ依存性
九州大学院工,金沢大教育A 上野友輔,高田弘樹,家永紘一郎,稲垣祐次,辻井宏之A,河江達也
139
HCP金属接点におけるjump to contact
京大工 若杉晋作,黒川修,酒井明
140
BNリング置換型不純物を含むカーボンナノチューブのI-V特性
成蹊大理工 廣本啓太,坂本昇一,富谷光良
141
超高真空下における剥離法によるグラフェンの作製
名大工 畑紘貴,柚原淳司
142
SiC(0001)表面上に成長したグラフェンへのパラジウムのインターカレーション
福岡大工 柳生数馬,栃原浩,友景肇,鈴木孝将
143
局所CVDプロセスにより形成された基板上ナノ構造の物性評価
情報通信研究機構,広大先端物質A 田中秀吉,鈴木仁A,富成征弘
144
電場下の二層グラフェンにおける量子キャパシタンスの理論計算
東大工,東大物性研A 森雄太郎,南谷英美,安藤康伸,笠松秀輔A,金山薫,長汐晃輔,渡邉聡
145
原子膜物質の積層モアレパターンと原子構造・電子構造の第一原理的研究
東大工 内田和之,岩田潤一,押山淳
146
金属基板上グラフェンの電子状態計算
金沢大自然A,金沢大理工B 伊藤諭史A,澤田啓介A,斉藤峯雄B,石井史之B
10日 AK会場 10aAK 10:00〜12:15

領域9
表面局所光学現象

1
フタロシアニン単分子のSTM発光II
理研,東大新領域A,物材機構B 今田裕,今井みやびA,三輪邦之,清水智子B,川合眞紀A,金有洙
2
走査トンネル顕微鏡発光における分子励起子とプラズモンの輻射緩和
理研,阪大院工A,Inst. of PhysicsB,阪大アトミックデザイン研セC 三輪邦之,坂上護A,Branko GumhalterB,笠井秀明A,C,金有洙
3
フェムト秒レーザーによる金属アブレーション率の入射角度依存性
京大化研A,京大院理B 宮坂泰弘A,B,橋田昌樹A,B,西井崇也A,B,井上峻介A,B,阪部周二A,B
4
フェムト秒レーザーダブルパルス照射により形成される金属表面ナノ周期構造のフルーエンス依存性
京大院理,京大化研A,チェコ工科大B,HiLASE ProjectC 西井崇也,橋田昌樹A,Laura GeminiB,宮坂泰弘C,井上峻介D,阪部周二E

休憩 (11:00〜11:15)

5
フェムト秒レーザーにより自己形成するナノ周期構造〜レーザーフルーエンス依存性の簡易公式〜
京大化研・京大院理,チェコ工科大A,核融合研C 橋田昌樹,Laura GeminiA,西井崇也,宮坂泰弘,坂上仁志B,井上峻介,阪部周二
6
時間分解反射率の振動から探る高分子のフェムト秒レーザーアブレーション
原子力機構 熊田高之,赤木浩,板倉隆二,乙部智仁,横山淳
7
タングステンにおけるフェムト秒レーザーアブレーション過程の軟X線プローブ光を用いた観測
徳島大院ソシオ,原子力機構関西研A,東大物性研B,東北大院工C,核融合研ヘリカル研究部D 江山剛史,柿本直也,富田卓朗,長谷川登A,錦野将元A,南康夫B,馬場基芳B,大西直文C,伊藤篤史D,河内哲哉A,山極満A,末元徹B
8
タングステンのレーザーアブレーションのハイブリッドシミュレーション
核融合研A,原子力機構量子ビームB,名大院工C 伊藤篤史A,錦野将元B,中村浩章A,C

10日 AS会場 10aAS 9:30〜13:00

領域9
表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス

1
SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討
筑波大,神奈工大A,阪大B,名大C 白川裕規,神谷克政A,渡部平司B,白石賢二C
2
酸素欠損量を制御したSrTiO3(001)表面での散乱における水素分子の回転・核スピン転換
東大生研 武安光太郎,樫福亜矢,小倉正平,福谷克之
3
Pd(111)表面での水素原子の吸収・放出ダイナミクスにおける同位体効果
阪大工 清水康司,Wilson Agerico Diño,笠井秀明
4
一酸化炭素吸着により構造制御されたPd(110) 表面における新奇水素吸放出特性
東大生研 大野哲,宮尾幸太郎,Wilde Markus,福谷克之
5
Pd(210)における水素吸着・吸蔵のTPDによる解析
東大生研 小林啓紀,大野哲,小倉正平,ビルデ・マーカス,福谷克之
6
Bi表面におけるスピン偏極イオン散乱分光
東大理,物材機構A,東工大理B 一ノ倉聖,酒井治A,長谷川修司,平原徹B,鈴木拓A

休憩 (11:00〜11:15)

7
Si表面のAgマイクロ薄膜の光電子顕微鏡観察
岡大院自然 脇田高徳,村岡祐治,横谷尚睦
8
Si原子スイッチにおける電流と力の競合
阪大産研,阪大工A,阪大基礎工B,マドリード自治大C,チェコ科学アカデミーD 山崎詩郎,前田圭亮A,高谷玲平A,澤田大輔A,杉本宜昭A,阿部真之B,P.PouC,L. RodrigoC,P. MotobboD,R.PerezC,P. JelinekD,森田清三
9
ストリークカメラ反射高速電子回折法によるSi表面相転移の観測
東北大多元研 向島健太,虻川匡司
10
水素終端Si(110)-(1×1)表面のフォノン:実験と理論
東北大院理,東理大理A,理研B 松下ステファン悠,胡春平A,川本絵里奈,加藤大樹A,山田太郎B,渡辺一之A,須藤彰三
11
MoS2(0001)表面における摩擦の散逸エネルギーのフォノン分散曲線
愛教大物理,電通大院情報理工A 石川誠,鈴木勝A,佐々木成朗A三浦浩治
12
角度分解非弾性光電子分光装置の構築と評価
東大新領域,物材機構MANAA 森田和孝,荒船竜一A,中澤武夫,高木紀明,川合眞紀
13
STM及びSFGによるポルフィリン上COのダイナミクス
理研A,リバプール大B 大宮拓馬A,B,Heike ArnoldsB,Rasmita RavalB,金有洙A

10日 AS会場 10pAS 14:00〜15:15

領域9,領域4,領域8合同
トポロジカル表面

1
Bi/TlBiSe2におけるトポロジカル近接効果:高分解能ARPES
東北大院理A,東北大WPIB,阪大産研C 正満拓也A,高山あかりB,佐藤宇史A,相馬清吾B,高橋隆A,B,小口多美夫C,瀬川耕司C,安藤陽一C
2
トポロジカル表面におけるディラック電子の非平衡電子状態
東大物性研A,阪大産研B,JST-CRESTC 金聖憲A,石田行章A,近藤猛A,江藤数馬B,瀬川耕司B,安藤陽一B,辛埴A,C,小森文夫A
3
CuドープBi2Se3薄膜の構造と電子輸送特性
東大物性研A,JSTさきがけB,東大理C 白澤徹郎A,B,杉木祐人A,平原徹C,長谷川修司C,高橋敏男A
4
取  消

5
Investigation of the Electronic and Geometric Structure of Au deposited on the Topological Insulator Bi2Se3
Hiroshima Synchrotron Radiation CenterA,Hiroshima Univ.B Eike F. SchwierA,Mao YeA,Jian JiangA,Hideaki IwasawaA,Taiki HorikeB,Yorito NagataB,Hirokazu HayashiB,Akio KimuraB,Kenya ShimadaA,Hirofumi NamatameA,Masaki TaniguchiA,B