領域4

領域4 7日　AV会場　7aAV　11:15〜13:00

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: LED微弱発光標準の開発と量子井戸発光量子収率計測
東大物性研^A，JST-SENTAN^B，JST-CREST^C，アトー^D　吉田正裕^A，B，C，村岡洋祐^A，B，C，下川原正博^B，D，森謙雄^B，D，久保田英博^B，D，秋山英文^A，B，C

2: 二次元電子ガスの空間不均一性の光学測定
東大物性研　中前秀一，中村考宏，伊藤隆，望月敏光，金晶秀，吉田正裕，秋山英文

3: GaAs/Al_0.3Ga_0.7As量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する励起子－音響フォノン相互作用の効果
阪市大院工　大野達也，古川喜彬，中山正昭

4: GaAs/AlAsタイプII超格子における電子・正孔液滴発光の観測
阪市大院工　古川喜彬，中山正昭

5: ν=1/4近傍における三重項準励起子からの発光の消失
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D，東北大WPI-AIMR^E，NRC-Canada^F　野村晋太郎^A，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D，E，M. Korkusinski^F，P. Hawrylak^F

6: 結晶多型超格子構造における第一原理電子状態計算
東大物工　杉原裕規，内田和之，押山淳

7: 第一原理計算による新規光発電・蛍光物質の設計
阪大基礎工，阪大工^A　真砂啓，福島鉄也，佐藤和則^A，吉田博

7日　AX会場　7aAX　9:30〜13:15

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: 二種類のトポロジカル表面状態を持つPbBi₄Te₄S₃の電子状態の研究
広大院理^A，広大放射光セ^B，TASC Lab.^C，ドノスティア国際物理セ^D，ノヴォシビルスク大^E　棗田翼^A，白井開渡^A，黒田健太^A，朱思源^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，藤井純^C，有田将司^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，E. V. Chulkov^D，K. Kokh^E，O. E. Tereshchenko^E，木村昭夫^A

2: PbBi₆Te₁₀の層状構造に起因するトポロジカル表面状態
広大院理^A，広大放射光セ^B，バクー大^C，TASC Lab.，IOM-CNR^D　藁科拓也^A，奥田太一^B，宮本幸治^B，朱思源^A，白井開渡^A，棗田翼^A，藤井純^D，Z. S. Aliev^C，I. R. Amirasranov^C，M. B. Babanly^C，木村昭夫^A

3: X-ray magnetic circular dichroism study of ferromagnetic topological insulator V-doped Sb₂Te₃
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，Novosibirsk State Univ.^B，JAEA^C　S. Zhu^A，K. Sumida^A，K. Kokh^B，O. Tereshchenko^B，Y. Takeda^C，Y. Saitoh^C，M. Taniguchi^A，A. Kimura^A

4: BiTeI系の単結晶育成とその物性評価
筑波大数理物質　榎本拓真，鈴木悠介，小松雅，君塚郁哉，寺尾耕太郎，柏木隆成，門脇和男

5: Weak Topological Insulator候補物質の単結晶作製と評価
東工大応セラ研　加納学，笹川崇男

6: 極性半導体BiTeIにおける両極性2次元キャリアの自発形成
理研CEMS，東工大応セラ研^A，東大理^B，MPI^C　幸坂祐生，加納学^A，高木英典^B，C，花栗哲郎，笹川崇男^A

休憩　（11:00〜11:15)

7: ハーフホイスラー合金RTBi(R=Lu,Y;T=Pt,Pd)の圧力下における輸送特性
東大院工^A，東大低温セ^B，Univ. of Sherbrooke^C　中村隼也^A，藤井武則^B，朝光敦^A，B，F.F.Tafti^C，N.Doiron-Leyraud^C，Louis Traillefer^C

8: ホモロガス相(Bi₂)_mBi₂X₃(X=Te,Se)を舞台としたトポロジカル絶縁体の開拓
東工大応セラ研　村瀬正恭，並木宏允，加納学，笹川崇男

9: 超伝導体 Tl₅Te₃ の電子構造：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　田中祐輔^A，正満拓也^A，中山耕輔^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，鳥羽俊伸^C，佐々木聡^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

10: トポロジカル絶縁体Cu_xBi₂(Se_1-yTe_y)₃の超伝導特性
筑波大数理，物材機構^A　小松雅，鈴木悠介，君塚郁哉，茂筑高士^A，柏木隆成，門脇和男

11: 取　　消

12: トポロジカル絶縁体ベースの新超伝導体 Cu_x(PbSe)₅(Bi₂Se₃)_3m の単結晶作製
阪大産研　瀬川耕司，鳥羽俊伸，佐々木聡，安藤陽一

13: Bi₂Se₃/PbSeヘテロ構造物質由来の新規超伝導体Cu_x(PbSe)₅(Bi₂Se₃)₆
阪大産研　佐々木聡，瀬川耕司，安藤陽一

14: (PbSe)₅(Bi₂Se₃)_3m(m=1, 2, 3)系ホモロガス相へのCuドーピングによる超伝導の発現
筑波大数理物質　君塚郁哉，鈴木悠介，田島香澄，小松雅，榎本拓真，柏木隆成，門脇和男

7日　AH会場　7pAH　14:00〜17:30

領域4，領域7合同
グラフェン関連

1: ポスト・グラフェンの物理：シリセン、フォスフォレン、・・・
東大工　江澤雅彦

2: シリセンリボンとゲルマネンリボンの端終端の効果の理論的研究
名大院工^A，筑波大院数物^B　白石賢二^A，白川裕規^B，棚谷翔^B，初貝安弘^B

3: 複合シリセン膜のエッジエネルギーと安定性
東工大理，理研CEMS^A　斎藤晋，是常隆^A

4: 黒リン薄膜：フォスファレンの高圧ラマン分光
兵庫県立大物質理，物材機構^A　赤浜裕一，藤本勇輝，中野智志^A

5: パルス強磁場下における黒リンの磁気抵抗測定
東大物性研，兵庫県大院物質理^A　秋葉和人，三宅厚志，赤浜裕一^A，徳永将史

6: Symmetry Resolved Surface-Derived Electronic Structure of MoS₂
Univ. of Nebraska-Lincoln，Univ. of California-Riverside^A，広大放射光セ^B，広大院理^C，Univ. Central Florida^D　Takashi Komesu，Quan Ma^A，Ludwig Bartels^A，Eike F. Schwier^B，Yohei Kojima^C，Mingtian Zheng^C，Hideaki Iwasawa^B，Kenya Shimada^B，Masaki Taniguchi^B，Duy Le^D，Talat Rahman^D，Peter A. Dowben

休憩　（15:30〜15:45)

7: 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子多体効果のキャリア密度依存性
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B，名大院理^C　毛利真一郎，周利中，壷井佑夏，宮内雄平^A，B，C，松田一成

8: 遷移金属ダイカルコゲナイドWSe₂の温度依存偏光発光励起分光
名大院理^A，JSTさきがけ^B，京大エネ研^C，NUS^D　宮内雄平^A，B，C，周利中^C，毛利真一郎^C，TOH Minglin^D，江田剛輝^D，松田一成^C

9: 遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるバレー分極緩和の理論的研究
筑波大数理　小鍋哲，岡田晋

10: 遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるバレーネルンスト効果
筑波大数理，東理大工^A　小鍋哲，山本貴博^A

11: 単層遷移金属ダイカルコゲナイド大面積膜を用いたpn接合素子
早大先進，Academia Sinica^A，東大院工^B，早大材研^C　和田義史，蒲江，清水諒，Chang-Hsiao Chen^A，Lain-Jong Li^A，岩佐義宏^C，^○竹延大志^D

12: 単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける熱電効果の電場変調
早大先進，Academia Sinica^A，北大電子研^B，早大材研^C　蒲江，Chang-Hsiao Chen^A，Lain-Jong Li^A，太田裕道^B，竹延大志^C

13: 3R-MoS₂の励起子
東大院工，Budapest Univ. of Tech. and Economics^A，理研^B　鈴木龍二，Sandor Bordacs^A，明石遼介^B，越智正之^B，有田亮太郎^B，十倉好紀^B，岩佐義宏^B

7日　AV会場　7pAV　14:00〜17:00

領域4
量子ホール効果

1: 広範囲な充填率での交流電場核スピン共鳴測定
東北大理，ERATO-JST^A，WPI-AIMR^B　橋本克之^A，冨松透^A，白井翔太，佐藤健，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B

2: 量子ホール系における核スピン偏極とNMRの高周波反射測定
東大工，理研CEMS^A　菅原烈，中島峻^A，樽茶清悟^A

3: 量子井戸内の電子系が核スピン拡散へ与える影響
東北大理^A，JST-ERATO^B，金沢大理工^C，東北大WPI-AIMR^D　羽田野剛司^A，B，秋葉圭一郎^A，B，渡辺信嗣^B，C，長瀬勝美^A，B，平山祥郎^A，B，D

4: 乱れのある量子ホール系における電子密度揺らぎのNMRによる直接観察
NTT物性基礎研，ERATO-JST　Trevor David Rhone，^○村木康二

5: 占有率＝3/2分数量子ホール状態の安定性と再現性
東大院新領域，東大院工^A，理研 CEMS^B，Max Planck Inst. FKF^C，東北大金研^D，JST-PRESTO^E　Joseph Falson^A，Denis Maryenko^B，Benedikt Friess^C，Ding Zhang^C，小塚裕介^A，塚崎敦^D，E，Jurgen Smet^C，川崎雅司^A，B

6: 局所的な分数量子ホール領域における分数電荷準粒子の生成
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　橋坂昌幸，太田智明，村木康二^A，藤澤利正

休憩　（15:30〜15:45)

7: 量子ホール端における再分配されたショット雑音の相互相関測定
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　太田智明，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

8: 対向する量子ホールエッジチャネル間のエネルギー輸送
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　中澤遼，鷲尾和久，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

9: 吸着原子が誘起する2次元電子系における走査トンネル分光顕微鏡と電子輸送特性の同時測定II
東大理　枡富龍一，岡本徹

10: InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴の井戸幅依存性
物材機構，北陸先端大ナノセ^A　今中康貴，竹端寛治，胡ガイ^A，日高志郎^A，岩瀬比宇麻^A，赤堀誠志^A，山田省二^A

11: 充填率が1から2の間の分数量子ホール効果
阪大理強磁場セ　佐々木祥介

7日　BA会場　7pBA　14:00〜17:30

領域6，領域4，領域8合同シンポジウム
主題：Odd-frequency pairing -current status-

1: Introduction and background
Nagoya Univ.　Yukio Tanaka

2: Odd-frequency pairing in F/S junction
TIT　Takehito Yokoyama

3: Odd-frequency pairing in ferromagnet junctions
University of Cambridge　Jason Robinson

4: Odd-frequency pairing in p-wave superfluidity
Hiroshima Univ.　Seiji Higashitani

休憩　（15:35〜15:50)

5: Odd-frequency pairing in Kondo lattice
Department of Basic Science, The University of Tokyo　Shintaro Hoshino

6: Experimental situation in Kondo lattice and relevant materials
ISSP, The University of Tokyo　Kazuyuki Matsubayashi

7: Odd-frequency pairing in bulk system
Ehime Univ.　Hiroaki Kusunose

8: Properties of Odd-frequency pairing
Hokkaido Univ.　Yasuhiro Asano

8日　AH会場　8aAH　9:30〜12:45

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 電子供与性・受容性分子のドーピングによるグラフェンの電子状態制御II
岡山大院自然，名城大農^A　秋吉秀彦，後藤秀徳，上杉英里，浜尾志乃，江口律子，久保園芳博，吉田幸大^A，齋藤軍治^A

2: 紫外線を用いた窒素ドープグラフェンの作製とその伝導特性
東大院新領域　今村岳，斉木幸一朗

3: 水素化グラフェン原子欠損のモデル形成とCT-HYB-QMCによる電子状態評価
阪大基礎工^A，福岡工大情報工^B　森下直樹^A，Gagus Ketut Sunnardianto^A，丸山勲^B，草部浩一^A

4: 欠陥や不純物を含む h-BN 上グラフェンでの電気伝導の第一原理解析
NIMS^A，MARCEED^B，東大生研^C　金子智昭^A，B，大野隆央^A，B，C

5: 微細構造振動子による近距離音場を用いたグラフェンの面内歪み制御
東大物性研　内田和人，佐藤光幸，長田俊人

6: 動的格子変形のあるグラフェンにおけるバレー非対称なポテンシャル
NTT物性研，筑波大^A　佐々木健一，都倉康弘^A，後藤秀樹

休憩　（11:00〜11:15)

7: チタンクリーニングされたグラフェンの弱局在効果
大工大応用物理，ジョージア工科大マテリアルサイエンス^A，ジョージア工科大物理^B，兵庫医大物理^C　藤元章，Corey Joiner^A，Yuxuan Jiang^B，寺澤大樹^C，Tania Roy^A，Zohreh Razavi Hesabi^A，福田昭^C，Zhigang Jiang^B，Eric Vogel^A

8: 走査ゲート顕微法によるCVDグラフェンにおける量子ゆらぎの観察
千葉大院融合，台湾大物理^A，台湾嘉義大電物^B　松永正広，荘家翔^A，林立弘^B，梁啓徳^A，落合勇一，青木伸之

9: 単層二層グラフェンの磁気伝導度ゆらぎの普遍性探求
千葉大院融合，アリゾナ州大^A，バッファロー大^B　大内隆寛，M.アカラム，武田明大，青木伸之，D. K. フェリー^A，J. P. バード^B，^○落合勇一

10: グラフェン断片の電子相関とトポロジカルな性質
筑波大物理　関大地，初貝安弘

11: ディラック電子中の量子ドット構造における熱電特性
茨大工　青野友祐

12: Graphene FET for THz detection at Room temperature
Chiba Univ.^A，RIKEN^B，SUNY at Buffalo^C，Arizona State Univ.^D　Akram Mahjoub^A，A. Takeda^A，N. Aoki^A，K. Miyamoto^A，T. Yamaguchi^B，T. Omatsu^A，J. P. Bird^C，D. K. Ferry^D，K. Ishibashi^B，Y. Ochiai^A

8日　AV会場　8aAV　10:15〜13:00

領域4
量子細線・量子ドット

1: エキゾティックなノード結合をもつ二車線型クローニヒ＝ペニーモデルにおける非対称な量子輸送
高知工科大　全卓樹，Sergey Poghosyan

2: ナノ構造中における電子輸送の理論的研究
筑波大^A，東京理科大^B，青山学院大^C，東北大^D，名大^E，スピントロニクスセンター^F，クレスト^G　藤田弦暉^A，塩川太郎^A，小鍋哲^A，F，初貝安弘^A，C，山本貴博^B，高田幸宏^C，遠藤哲郎^D，F，G，村口正和^D，G，白石賢二^E

3: 量子細線における電子強相関現象の観測と解析
千葉大院融合，ニューヨーク州立大バファロー校^A　項少華，佐藤駿，グエン・タン・ルーン，向笠直紀，S.Xiao^A，青木伸之，J.P.Bird^A，落合勇一

休憩　（11:00〜11:15)

4: Sub-quantized Conductance in Quantum Point Contact with Triple Gate Structure
Tohoku Univ.，ERATO Nuclear Spin Electronics Project^A，WPI-Advanced Inst. for Materials Res. Tohoku Univ.^B　Muhammad Fauzi Sahdan，Mohammad Hamzah Fauzi，Yoshiro Hirayama^A，B

5: 面内磁場下における量子ポイントコンタクトの抵抗検出型核磁気共鳴
理研，茨城大^A　川村稔，大野圭司，Peter Stano，青野友祐^A，河野公俊

6: 測定分解能のゆらぎの定理への影響－二点測定による理論考察
東大院工　山田康博，今田正俊

7: 近藤ドットの線形電流ノイズと電流の普遍性
物性研，大阪市大理^A，阪大理物^B，パリ南大^C　阪野塁，小栗章^A，Meydi Ferrier^B，C，荒川智紀^B，秦徳郎^B，藤原亮^B，小林研介^B

8: カーボンナノチューブ量子ドット系におけるSU(2)およびSU(4)近藤効果の観測
阪大理物，パリ南大^A，東大物性研^B，大阪市大理^C　秦徳郎，荒川智紀，藤原亮，小林研介，Meydi Ferrier^A，Raphaelle Delagrange^A，Richard Deblock^A，Hélène Bouchiat^A，阪野塁^B，小栗章^C

9: SU(2)およびSU(4)近藤効果のスケーリングに関する実験的研究
パリ南大，阪大理物^A，東大物性研^B，大阪市大理^C　Meydi Ferrier，荒川智紀^A，秦徳郎^A，藤原亮^A，小林研介^A，Raphaelle Delagrange，Richard Deblock，Hélène Bouchiat，阪野塁^B，小栗章^C

10: SU(2)およびSU(4)近藤状態における非平衡電流ゆらぎ
阪大理物，パリ南大^A，東大物性研^B，大阪市大理^C　荒川智紀，秦徳郎，藤原亮，小林研介，Meydi Ferrier^A，Raphaelle Delagrange^A，Richard Deblock^A，Hélène Bouchiat^A，阪野塁^B，小栗章^C

8日　AX会場　8aAX　9:30〜13:00

領域4（1番目のみ領域6と合同）
トポロジカル超伝導・マヨラナ状態

1: 1次元量子細線におけるトポロジカル超伝導：理論と実験の進展
カリフォルニア大学ロサンゼルス校　竹井聡

2: 相互作用するマヨラナ粒子系の基底状態とトポロジカル秩序
学習院大物理，Inst. for Theoretical Phys.，Utrecht Univ.^A，東大院理^B　高橋雅裕，Dirk Schuricht^A，桂法称^B

3: マヨラナエッジ状態のラビ振動
NIMS，WPI-MANA　胡暁

休憩　（11:00〜11:15)

4: 二量体化したKitaev超伝導体におけるフェルミオンからマヨラナフェルミオンへの分裂
東大工，名大工^A，理研CEMS^B　若月良平，江澤雅彦，田仲由喜夫^A，永長直人^B

5: キタエフハニカム格子模型におけるレーザー誘起非平衡トポロジカル液体相の理論
青山学院大理工^A，東大工^B　佐藤正寛^A，佐々木勇輝^A，岡隆史^B

6: SrPtAsのカイラルd-波超伝導とマヨラナ状態
ヴァイツマン研，プリンストン大^A，マックス・プランク・シュツットガルト^B，弘前大院理工^C，スイス連邦工科大学チューリッヒ校^D　Mark Fischer，Titus Neupert^A，Andreas Schnyder^B，^○御領潤^C，Manfred Sigrist^D

7: 三次元トポロジカル超伝導体における不純物効果：相対論的効果とアンダーソンの定理
原子力機構シ計セ　永井佑紀，太田幸宏，町田昌彦

8: ドープされたトポロジカル絶縁体の超伝導体における奇周波数クーパー対の発現と近接効果
岡山大院自然，名大工^A　水島健，田仲由喜夫^A

9: Keldysh形式を用いた電気分極と熱分極の理論
京大理　下出敦夫

10: 非共型対称性を持つ超伝導体におけるノード安定性
名大工　小林伸吾，佐藤昌利

8日　AV会場　8pAV　14:00〜17:00

領域4
量子ドット

1: GaAs中の核スピンにおける基礎物理量
新潟大自^A，新潟大工^B　大滝達也^A，松本啓佑^A，三浦敬典^A，佐々木進^B

2: スピン閉塞の実時間観測とスピン反転を伴ったトンネル時間の解析
東大工，理研CEMS^A，ルール大ボーフム^B，阪大産研^C　藤田高史，森本和浩，佐藤洋介，寺岡総一郎，Marcus Larsson，Giles Allison^A，Peter Stano^A，Arne Ludwig^B，Andreas D. Wieck^B，大岩顕^C，樽茶清悟^A

3: 三重量子ドットを用いたスピン・キュービット実験I
理研CEMS，東大物工^A　大塚朋廣，中島峻，マシュー・デルベック，天羽真一，米田淳，野入亮人^A，武田健太^A，菅原烈^A，樽茶清悟^A

4: 三重量子ドットを用いたスピン・キュービット実験II
理研CEMS，東大物工^A　中島峻，大塚朋廣，マシュー・デルベック，天羽真一，米田淳，野入亮人^A，武田健太^A，菅原烈^A，樽茶清悟^A

5: 微小磁石を備えたSi/SiGe2重量子ドットにおける単一電子スピン共鳴
東大工，東工大量子ナノ研^A，理研CEMS^B，東大ナノ量子機構^C，さきがけ-JST^D　武田健太，神岡純^A，小幡利顕，大塚朋廣^B，中島峻^B，マシュー・デルベック^B，天羽真一^B，米田淳^B，野入亮人，菅原烈，小寺哲夫^A，C，D，小田俊理^A，樽茶清悟^B

6: 短チャネルMOSFETにおける電子スピン共鳴とスピン軌道相互作用
理研^A，東芝^B　大野圭司^A，棚本哲史^B，大黒達也^B，G. Giavaras^A，F. Nori^A

休憩　（15:30〜15:45)

7: 自己無撞着射影演算子法によるcavity-QED結合系の研究
慶大理工^A，ミュンヘン工科大^B，Heriot-Watt大^C　大久保純恵^A，B，江藤幹雄^A，Peter Degenfeld-Schonburg^B，Michael J. Hartmann^C

8: トンネル結合の位相変調による定常ポンプ電流
筑波大数理物質　都倉康弘，田口真彦，中嶋慧，久保敏弘

9: 干渉計と静電的に結合した量子ドット系における非局所Aharonov-Bohm振動
筑波大数理物質　久保敏弘，都倉康弘

10: 軌道縮退Andeson模型のGreen関数：1/(N-1)展開，NRG, NCA，高温極限厳密解による解析
大阪市大理，東大物性研^A　小栗章，阪野塁^A

11: 非対称不純物アンダーソン模型の解析的非平衡摂動計算と電流保存
筑波大物理　谷口伸彦

8日　AX会場　8pAX　14:00〜17:45

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 鏡映対称性に保護された強相関トポロジカル相の分類
理研　吉田恒也，森本高裕，古崎昭

2: トポロジカル結晶絶縁体薄膜の外場応答
名大工　山影相，小沢英之，佐藤昌利，田仲由喜夫

3: トポロジカル結晶絶縁体・超伝導体の分類について
京大理，名大工^A　塩崎謙，佐藤昌利^A

4: Transport Studies of Topological Crystalline Insulator Thin Films
Inst. of Scientific and Industrial Res.，Osaka Univ.　A. A. Taskin，F. Yang，S. Sasaki，K. Segawa，and Y. Ando

5: (Bi_1-xSb_x)₂Te₃薄膜における電界効果デバイスの作製と両極性伝導
東大工，東北大金研^A，理研CEMS^B，MIT^C　吉見龍太郎，塚崎敦^A，小塚裕介，J.Falson，高橋圭^B，J.G.Checkelsky^C，永長直人^B，川崎雅司^B，十倉好紀^B

6: 3次元トポロジカル絶縁体の表面状態における運動量・スピンロッキングに起因するスピン流の検出
京大工，阪大産研^A　安藤裕一郎，濱崎嵩宏，Fan Yang^A，Mario. Novak^A，佐々木聡^A，瀬川耕司^A，安藤陽一^A，白石誠司

休憩　（15:30〜15:45)

7: Bi₂Se₃素子の磁気輸送とキャリア密度制御
広大先端　竹川大志，榊原諒二，大西純平，八木隆多

8: トポロジカル絶縁体とその表面状態の不純物に対する応答，局在／非局在の問題（再考）
広大院先端，上智大理工^A　吉村幸徳，小林浩二^A，大槻東巳^A，井村健一郎

9: 乱れのあるトポロジカル絶縁体薄膜における輸送特性の層数依存性
上智大理工，広大院先端^A　小林浩二，大槻東巳，井村健一郎^A

10: 弱い3次元トポロジカル絶縁体の表面状態：奇数チャネル及び、trimerizationの寄与
北大工，イリノイ大^A，理研^B，Paul Scherrer Inst.^C　小布施秀明，笠真生^A，古崎昭^B，Christopher Mudry^C

11: 乱れたトポロジカル絶縁体薄膜の量子伝導
阪大院基礎工　服部公則

12: 有限長のヘリカルTomonaga-Luttinger液体における局所状態密度
広大院先端　高根美武

13: 弱いトポロジカル絶縁体の表面状態に対する有効2次元モデル
広大院先端　有田貴志，高根美武

14: トポロジカル絶縁体における電子スピン共鳴
東大生産研，Ecole Polytechnique^A　中村正明，得能光行^A

8日　BH会場　8pBH　14:00〜17:25

領域4，領域7合同シンポジウム
主題：原子層科学の現状と未来：物理，化学，工学への展開

1: はじめに
東大物性研　加藤岳生

2: 原子層モアレ積層系の理論
東北大・理　越野幹人

3: グラフェン/h-BNにおける量子輸送現象
東大・生産研　町田友樹

4: 遷移金属ジカルコゲナイド原子層の成長と評価
名大・理　北浦良

休憩　（15:40〜15:55)

5: 原子層分子のボトムアップ有機合成
京大・理　依光英樹

6: グラフェンのCVD成長と最近の展開
九大・総合理工　吾郷浩樹

7: 工業利用に向けたグラフェンのCVD合成研究開発の動向
産総研　長谷川雅考

9日　AH会場　9aAH　11:00〜12:45

領域4，領域7合同
グラフェン

1: グラフェン/h-BNモアレ超格子におけるHofstadter Butterflyの観測
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C　柏木麗奈^A，増渕覚^A，B，森川生^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B

2: グラフェンアンチドットでの磁化振動
兵庫県立大物質理^A，熊本大教育^B，東大物性研^C　長谷川泰正^A，岸木敬太^B，甲元眞人^C

3: グラフェンアンチドットの磁場中輸送現象
広島大先端　榊原諒二，大西純平，八木隆多

4: ABA積層3層グラフェンの最低ランダウ準位における谷および電子・ホール非対称性
京大基研　静谷謙一

5: グラフェンにおける分数量子ホール効果に対する1次元定式化による解析
東工大理，物材機構^A，東大生産研^B　汪正元，高吉慎太郎^A，中村正明^B

6: p型CVD単層グラフェンの超強磁場サイクロトロン共鳴(II)
東大物性研，東大院工^A，産総研^B　沼田拓也^A，中村大輔，八木克典^B，林賢二郎^B，佐藤信太郎^B，嶽山正二郎

7: 取　　消

9日　AV会場　9aAV　11:15〜13:00

領域4
微小接合

1: 磁束量子ビットとDC-SQUIDの結合による高次サイドバンド遷移の観測と理論計算
横国大工　島津佳弘，白崎良演，戸田駿一，山梨晴貴

2: 量子電流ミラー効果における電流誘引過程の非局所性
電通大先進理工　武田晃一，水柿義直，島田宏

3: 磁場で誘起された渦糸によるSINIS単電子ポンプの安定化
産総研^A，Lancaster大^B，理研^C　中村秀司^A，C，Yuri Pashkin^B，蔡兆申^C，金子晋久^A

4: 単一微小接合に流れるジョセフソン電流への電磁環境の影響
東理大，理研^A，産総研^B，物材機構 MANA^C　佐久間大輔，永合祐輔，石黒亮輔^A，柏谷聡^B，高柳英明^C

5: マイクロ波光子を利用する電流計測素子の提案
産総研　岡崎雄馬，金子晋久

6: 分子架橋電流に対する複数箇所で接続した電極の効果
千葉大理　佃真吾，中山隆史

7: スピン軌道相互作用がはたらく半導体ナノワイヤジョセフソン接合における磁場方向に依存した臨界電流
デルフト工大^A，理研CEMS^B，慶大理工^C　横山知大^A，B，江藤幹雄^C，Yuli V. Nazarov^A

9日　AX会場　9pAX　14:00〜18:00

領域4
トポロジカル絶縁体・ワイル半金属

1: 取　　消

2: Z₂ワイル・ディラック半金属
理研　森本高裕，古崎昭

3: 三方晶テルル、セレンにおけるWeyl点とスピン構造
産総研NRI“RICS”，東工大院理工^A，東工大元素戦略研究セ^B　平山元昭，奥川亮^A，石橋章司，村上修一^A，B，三宅隆

4: ワイル半金属のトポロジカル量子臨界点近傍における電気磁気効果の理論
名大工　今枝立至，佐藤昌利

5: ワイル半金属における磁化ダイナミクスによる軸性流
名大工　田口勝久，田仲由喜夫

6: 超伝導ワイル半金属におけるギャップレスAndreev束縛状態
名大工　矢田圭司，呂博，佐藤昌利，田仲由喜夫

7: トポロジカルな磁壁金属状態
東大工　山地洋平，今田正俊

休憩　（15:45〜16:00)

8: トポロジカル絶縁体表面Dirac系における長距離Coulomb相関効果の研究
東大理　大熊信之，小形正男

9: カゴメ格子上Hubbard模型のループカレント相
早大理工　後藤慎平，栗原進

10: 電子相関を有するスピン軌道結合系におけるアクシオン反強磁性絶縁相
東北大金研　関根聡彦，野村健太郎

11: トポロジカル絶縁体/強磁性体結合系におけるマグノンダイナミクス
東北大金研　紅林大地，野村健太郎

12: らせん構造を持つ系でのスピン軌道相互作用によるスピン磁化と軌道磁化
東工大院理工，TIES^A　養田大騎，村上修一^A

13: トポロジカル絶縁体表面における光誘起スピン
名大工　新谷国隆，田口勝久，田仲由喜夫

14: Theory and material design for spin-polarized topological state in square lattice
International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA)，Nat’l. Inst. for Materials Sci. (NIMS)，Grad. Sch. of Pure and Applied Sci.，Univ. of Tsukuba^A　Longhua Wu^A，Qifeng Liang，and Xiao Hu^A

15: 3次元量子ホール系とカイラルトポロジカル絶縁体
香川高専　長谷部一気

9日　BA会場　9pBA　14:00〜17:30

領域6，素粒子論領域，領域1，領域4，領域11，領域12合同シンポジウム
主題：量子渦の物理の最前線—超伝導・超流動から原子気体BEC・ポラリトン・液晶・素粒子論まで—

1: はじめに(趣旨説明)
大阪市大院理（理論）　坪田誠

2: 原子気体BECにおける量子渦の動力学
近畿大理工　笠松健一

3: 素粒子物理における量子渦と多成分BECの渦輪
山形大理　衛藤稔

4: 励起子ポラリトン超流動体における量子渦
電通大先進理工　斎藤弘樹

休憩　（15:25〜15:40)

5: 超流動ヘリウム中の振動物体が生成する量子乱流と量子渦の放出
大阪市大院理（実験）　矢野英雄

6: 微小超伝導体中の量子渦糸構造
大阪府大院工　加藤勝

7: 多バンド超伝導体の量子渦
東大院総合　前田京剛

8: 液晶の「量子渦」と乱流
東大院理　竹内一将

9日　PSA会場　9pPSA　14:00〜16:00

領域4
領域4ポスターセッション

1: Rashba effect on clean and hydrogenated ZnO (10-10) non-polar surface: First-principles study
Grad. Sch. of Natural Sci. and Tech.，Kanazawa Univ.　Moh Adhib Ulil Absor，Hiroki Kotaka，Fumiyuki Ishii，and Mineo Saito

2: Accurate electronic band structure of transition metal oxide with doping using GW calculation: Nb-doped rutile TiO₂
横浜国大院工　張明，小野頌太，大野かおる

3: ペンタセン結晶の有効模型と光応答
岩手大工　村野翔，瓜生誠司

4: 高強度テラヘルツ波照射下における半金属ビスマスキャリアダイナミクスの相対論的解釈
横国大院工^A，物材機構^B，CREST^C，ルクスレイ^D　南康夫^A，荒木光太郎^A，Thang Duy Dao^B，C，長尾忠昭^B，C，武田淳^A，北島正弘^A，C，D，片山郁文^A

5: 非一様磁場中におけるアハラノフ・ボームリングの電気抵抗測定
阪大理，パリ南大^A，ヨーク大^B，東北大金研^C　則元将太，田辺賢士，Meydi Ferrier^A，荒川智紀，小林研介，廣畑貴文^B，水口将輝^C，高梨弘毅^C

6: 高移動度二次元電子系に作製された量子細線における電流揺らぎの測定II
京大化研^A，阪大理^B，ETH Zurich^C　西原禎孝^A，B，小野輝男^A，荒川智紀^B，田辺賢士^B，田中崇大^B，則元将太^B，小林研介^B，Thomas Ihn^C，Clemens Rössler^C，Klaus Ensslin^C

7: 並列化した非断熱ポンプによる定電流発生
産総研　中村秀司，秋山美郷，岡崎雄馬，金子晋久

8: 非平衡電子輸送を観測するための量子キャビティの作製
阪大理，京大化研^A　室達也，西原禎孝^A，荒川智紀，則元将太，田辺賢士，小林研介

9: カーボンナノチューブ量子ドット系における近藤効果のショットノイズ測定
阪大理物，パリ南大^A，東大物性研^B，大阪市大理^C　藤原亮，荒川智紀，秦徳郎，小林研介，Meydi Ferrier^A，Raphaelle Delagrange^A，Richard Deblock^A，Hélène Bouchiat^A，阪野塁^B，小栗章^C

10: 端が歪んだアームチェアグラフェンナノリボンの電気伝導
岩手大工　寺島史彦，瓜生誠司

11: グラフェンpn接合における伝導度測定とショット雑音の試み
阪大院理^A，NIMS^B，京大化研^C　竹下俊平^A，松尾貞茂^A，C，田中崇大^A，中払周^B，塚越一仁^B，森山貴広^C，小野輝男^C，小林研介^A

12: SiC上成長二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴
物材機構，NTT物性基礎研^A　竹端寛治，今中康貴，高村真琴^A，関根佳明^A，日比野浩樹^A

13: グラフェン量子ホール状態におけるサイクロトロン発光検出へ向けたデバイス設計
農工大院工　山並弘輝，生嶋健司

14: 取　　消

15: トポロジカル結晶絶縁体SnTe薄膜の作製とその各種物性測定
筑波大院数理　秋山了太，藤澤和輝，黒田眞司

10日　AH会場　10aAH　9:30〜12:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: Switching processes of vacancy-induced graphene zero modes by hydrogenation
Grad. Sch. of Eng. Sci.，Osaka Univ.^A，Fac. of Information Eng.，Fukuoka Inst. of Tech.^B　Gagus Ketut Sunnardianto^A，Isao Maruyama^B，Koichi Kusakabe^A

2: SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの電子状態
島根大院総合理工^A，NTT物性基礎研^B　影島博之^A，B，日比野浩樹^B

3: Graphene/Ru(0001) におけるグラフェンの電子構造：貴金属挿入の効果
岩手大工　西館数芽，吉本則之，^○長谷川正之

4: 同位体を用いたグラフェンのバンド構造制御
理研CEMS，東工大理^A　是常隆，斎藤晋^A

5: 第一原理分子動力学法によるグラフェンへのホウ素打ち込みの研究
核融合研^A，名大院工^B　小田泰丈^A，伊藤篤史^A，高山有道^A，中村浩章^A，B

6: 水素吸着グラフェンの高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　鈴木克郷^A，野口英一^A，James Kleeman^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

休憩　（11:00〜11:15)

7: グラフェンプラズモンのガイディング効果
NTT物性研　佐々木健一，熊田倫雄

8: 電界によるグラフェンナノリボンへの自由電子注入
筑波大数理　山中綾香，岡田晋

9: 二層グラフェンリボンにおける層間バイアスによる分極応答
東工大院理工^A，東工大TIES^B　奥川亮^A，田中隼矢^A，村上修一^A，B

10: 低周波数の円偏光下にあるグラフェンのホール伝導率と多軌道効果
東大理　森井麗望，小形正男

11: 新奇2次元原子層物質の物質設計と物性解明
筑波大数理　丸山実那，岡田晋

10日　AV会場　10aAV　9:45〜12:15

領域4
半導体スピントロニクス

1: ノンドープおよびVドープTiO₂ナノ粒子の磁性と電子状態
佐賀大理工，弘前大院理工^A，台湾NSRRC^B，九大院工^C，熊本大院自然^D，理研^E　石渡洋一，高橋栄光，山下翔伍，森長千尋，赤司健太，手塚泰久^A，石井啓文^B，稲垣祐次^C，河江達也^C，木田徹也^D，南任真史^E，石橋幸治^E

2: 不純物KKR法による半導体にドーピングされた磁性不純物に対するハバードUパラメーターの計算
阪大基礎工，阪大工^A，ユーリッヒ研^B　福島鉄也，吉田博，佐藤和則^A，G. Bihlmayer^B，P. Mavropoulos^B，D. S. G. Bauer^B，R. Zeller^B，P. H. Dederichs^B

3: 金属/強磁性ラシュバ接合系でのトンネル効果の理論
名大工　山内徹也，田口勝久，田仲由喜夫

4: 非Rashba型スピン軌道相互作用の接合、積層系におけるスピン物性の理論
東工大理　中陳巧勤，村上修一

5: 酸化物半導体におけるラシュバ効果と永久スピン旋回状態の理論設計
金沢大数物，金沢大自然^A　石井史之，大西峰志^A，小鷹浩毅^A

休憩　（11:00〜11:15)

6: InGaAs二次元電子系のスピノール干渉計における新奇干渉パターン
東大物性研　岩崎優，橋本義昭，中村壮智，家泰弘，勝本信吾

7: エピタキシャルFeを用いたInAs 2次元電子系へのスピン注入
東大物性研　橋本義昭，和泉憲佳，松井誠，中村壮智，家泰弘，勝本信吾

8: 取　　消

9: InGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送解析(2)
北陸先端大ナノセ　胡ガイ，日高志郎，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，山田省二

10日　AS会場　10pAS　14:00〜15:15

領域9，領域4，領域8合同
トポロジカル表面

1: Bi/TlBiSe₂におけるトポロジカル近接効果：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　正満拓也^A，高山あかり^B，佐藤宇史^A，相馬清吾^B，高橋隆^A，B，小口多美夫^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

2: トポロジカル表面におけるディラック電子の非平衡電子状態
東大物性研^A，阪大産研^B，JST-CREST^C　金聖憲^A，石田行章^A，近藤猛^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，安藤陽一^B，辛埴^A，C，小森文夫^A

3: CuドープBi₂Se₃薄膜の構造と電子輸送特性
東大物性研^A，JSTさきがけ^B，東大理^C　白澤徹郎^A，B，杉木祐人^A，平原徹^C，長谷川修司^C，高橋敏男^A

4: 取　　消

5: Investigation of the Electronic and Geometric Structure of Au deposited on the Topological Insulator Bi2Se3
Hiroshima Synchrotron Radiation Center^A，Hiroshima Univ.^B　Eike F. Schwier^A，Mao Ye^A，Jian Jiang^A，Hideaki Iwasawa^A，Taiki Horike^B，Yorito Nagata^B，Hirokazu Hayashi^B，Akio Kimura^B，Kenya Shimada^A，Hirofumi Namatame^A，Masaki Taniguchi^A，B