領域9

26日　XK会場　26aXK　9:15～12:15

領域9
表面界面電子物性・トポロジカル

1: Giant orbital magnetic moment of iron adatoms on the Bi₂Se₃ surface with perpendicular magnetic anisotropy
HSRC，Hiroshima Univ.^A，Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^B，JAEA/SPring-8^C，Kure Nat’l. College of Tech.^D　M. Ye^A，K. Kuroda^B，Y. Takeda^C，Y. Saitoh^C，K. Okamoto^B，N. Munisa^B，S. Y. Zhu^B，K. Shirai^B，M. Nakatake^A，K. Miyamoto^A，T. Okuda^A，K. Shimada^A，Y. Ueda^D，H. Namatame^A，M. Taniguchi^A，B，A. Kimura^B

2: トポロジカル絶縁体Bi₂Te₂Seのスピン偏極表面電子状態
広大放射光^A，広大院理^B，トムスク大^C，ドノスティア国際物理研^D，ノボシビルスク大^E　宮本幸治^A，Nurumamat Munisa^B，黒田健太^B，奥田太一^A，仲武昌史^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，S. Eremeev^C，T. Menshchikova^C，E. Chulkov^D，K. Kokh^E，O. Tereshchenko^E，^○木村昭夫^B

3: Cu_0.17Bi₂Se₃における時間分解ARPESの極紫外光エネルギー依存性
東理大理^A，東大物性研^B，理研CERG^C，理研CMRG^D，東大工^E，JST-CREST^F　山本貴士^A，B，石田行章^B，吉川明子^C，田口康二郎^C，D，金井輝人^B，板谷治郎^B，木須孝幸^B，石坂香子^B，齋藤智彦^A，渡部俊太郎^B，十倉好紀^C，D，E，辛埴^B，F

4: トポロジカル絶縁体TlBiSe₂のバルクキャリア制御された単結晶育成と表面状態の観測
広島大院理^A，広島大放セ^B，NIMS^C，呉高専電^D　白井開渡^A，黒田健太^A，叶茂^B，岡本和晃^A，宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，有田将司^B，上田茂典^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，植田義文^D，木村昭夫^A

5: Bi₂Te₃基板上の1BL-Biのエッジ状態
お茶の水大理　小林功佳

休憩　（10:30～10:45)

6: ビスマス薄膜相の成長制御とその場電気伝導測定
東北大金研，東北大WPI^A　藤川安仁，齊藤英治^A

7: Electronic structure of topological insulator SnBi₂Te₄
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，NIMS/SPring-8^C，Kure Nat. Coll. Tech.^D　S. Zhu^A，K. Kuroda^A，K. Okamoto^A，M. Ye^B，J. Jiang^B，K. Miyamoto^B，T. Okuda^B，K. Shimada^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B，S. Ueda^C，Y. Ueda^D，A. Kimura^A

8: 蜂の巣格子におけるRashba効果とスピン構造
兵庫県立大理　三井隆志，島信幸，馬越健次

9: ラシュバ分裂した表面電子系におけるスピン偏極電流の検証
京大院理^A，CREST^B　八田振一郎^A，B，野間俊^A，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

10: 合金表面におけるラシュバ効果の増強
阪大理，兵庫県立大理^A　狩野恒一，^○馬越健次^A

11: ビスマス超薄膜の超高真空・低温・強磁場中における電気伝導測定
東大理　相谷昌紀，平原徹，長谷川修司

26日　XZA会場　26aXZA　9:00～12:15

領域9
表面界面構造

1: 高輝度反射高速陽電子回折装置の開発と表面研究への応用
原子力機構先端基礎研^A，高エネ研物構研^B　深谷有喜^A，前川雅樹^A，望月出海^B，和田健^B，兵頭俊夫^B，河裾厚男^A

2: CuドープBi₂Se₃薄膜のX線CTR散乱法による構造解析
東大物性研　白澤徹郎，杉木祐人，角田潤一，高橋敏男

3: ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-5x2-Au表面の構造解析
東北大多元研　虻川匡司，西ケ谷好輝

4: Si(001)表面上に成長した3次元シリサイド島のφスキャンRHEED測定による3次元逆格子マッピング
奈良先端大物質創成　服部賢，太田啓介，木村明日香，中家佑吾，大門寛

5: Si(111)表面上における鉄シリサイド薄膜成長過程の光電子・低速電子顕微鏡観察
東大生研^A，NTT物性基礎研^B，JASRI/SPring-8^C　松本益明^A，福谷克之^A，日比野浩樹^B，小嗣真人^C

6: SrTiO₃(001)2×1表面の構造解析
立命館大理工　光原圭，松田太志，高井乃理子，由田佑貴，城戸義明

休憩　（10:30～10:45)

7: 走査トンネル顕微鏡によるAg/Si(111)√3×√3-B界面構造の観察
東工大総理工　福元博之，吉池雄作，青木悠樹，中辻寛，平山博之

8: 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成 II
東大物性研，東工大総理工^A　Pawel Krukowski，中辻寛^A，^○飯盛拓嗣，小森文夫

9: エレクトロスプレー蒸着法を用いた直鎖オリゴチオフェンのSTMによる単一分子計測
横浜市大院生命ナノ，分子研^A，アドキャップ^B　川崎光徳，小暮勇太，横山崇，田中彰治^A，青島国広^B

10: 金(111)面におけるアルカン単分子層の脱水素反応
東京農工大工，千葉大工^A，KEK-PF^B　遠藤理，中村将志^A，雨宮健太^B，尾崎弘行

11: 原子間力顕微鏡法によるGe(001)-c(4×2)表面上の原子スケール弾性状態の測定
阪大工　内藤賀公，上城武司，李艶君，菅原康弘

12: 取　　消

26日　XB会場　26pXB　13:20～16:30

領域8，領域3，領域4，領域7，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：元素戦略が促進する分野融合と物理

1: 元素戦略の概要とシンポジウムの趣旨
東大理　常行真司

2: 固体触媒・二次電池材料と界面化学
京大工・分子工学　田中庸裕

3: 高性能永久磁石探索における理論、計測および材料プロセシングの挑戦課題
NIMS　広沢哲

4: 新奇アニオンとナノ構造がもたらす新しい電子機能材料
東工大フロンティア　細野秀雄

5: 強さとねばさを併せもつ構造材料をめざして
京大工・材料工学　田中功

休憩　（14:50～15:00)

6: パネルディスカッション「元素戦略と分野融合」－指針と提言－
モデレータ　福山秀敏（東理大理）
パネリスト　高尾正敏（阪大），中村道治（JST），増本健（電磁材料研），村井眞二（奈良先端大）

26日　PSA会場　26pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: Growth of graphene nanoribbons on vicinal SiC(0001) studied by STM
Kyushu Univ.^A，Toyota Technological Inst.^B，Univ. of Tokyo^C　Anton Visikovskiy，Yusuke Kurisu，Takashi Kajiwara，Satoru Tanaka^A，Masamichi Yoshimura^B，Fumio Komori^C

2: MgO（210）ファセット化基板上に高配向成長したパラジウムナノワイヤ
北陸先端大院マテ　越田幸佑，尾形洋一，水谷五郎

3: Si(111)-7×7面上のMnSi薄膜の成長と構造
福岡大工^A，Univ. of Duisburg-Essen^B，Max-Planck-Inst. for Solid State Research^C，Univ. of Warwick^D，EPFL^E　鈴木孝将^A，C，B.Geisler^B，P.Kratzer^B，T.Lutz^C，G.Costantini^C，D，K.Kern^C，E

4: グラファイト基板上のGaN成長における欠陥と不純物の影響
鳥大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

5: 輸送気相法でグラファイト基板上に形成されたアントラセン結晶の形態安定性
愛知学院大教養物理　城貞晴

6: BiAg/Ag(111)表面の非占有電子状態
佐賀大シンクロトロン　今村真幸，遠藤修平，高橋和敏，山本勇，東純平，鎌田雅夫

7: 取　　消

8: HOPG上に形成したLi薄膜の光電子分光
広島大放射光セ　アーリップクトウルク，仲武昌史，有田将司，生天目博文，谷口雅樹

9: First-principles calculations of positron lifetimes for ferromagnetic materials
金沢大自然^A，東大生研^B　林建波^A，斎藤峯雄^A，B

10: Bi多層膜におけるフェルミ面とスピン構造の第一原理計算：膜厚依存性
金沢大自然，金沢大理工^A　小鷹浩毅，石井史之^A，斎藤峯雄^A

11: レーザー光電子分光における非弾性散乱機構に関する理論研究
理研，物材機構^A，東大新領域^B　南谷英美，荒船竜一^A，金有洙，高木紀明^B，川合眞紀^B

12: シリセン吸着Ag超薄膜の量子井戸状態の研究
東大理　白井皓寅，平原徹，長谷川修司

13: Au/Si(001)-c(8×2)表面の構造と電子状態
京大院理　河合宣彦，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

14: 取　　消

15: Pb/Ge(111)-(√3×√3)-β表面における伝導度の温度依存性
京大院理^A，JST-CREST^B　野間俊^A，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

16: グラフェンへの窒素ドープと構造欠陥：酸素還元活性点の可能性
原子力機構量子ビーム，東工大^A，北陸先端大^B　池田隆司，Guoliang Chai^A，Zhufeng Hou^A，Dajun Shu^A，寺倉清之^A，B

17: 取　　消

18: TiO₂表面におけるPCBMの電子状態計算
金沢大院自然　藤野清崇，斎藤峯雄

19: Feフタロシアニン分子間相互作用における多重項構造の役割
三重大院工　坂井俊夫，北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

20: TiO₂(110)上のKr物理吸着層からの放射光核共鳴散乱時間スペクトルの解析
東大生研，KEK^A，JASRI^B　池田暁彦，河内泰三，松本益明，岡野達雄，福谷克之，張小威^A，依田芳卓^B

21: 外部電場下におけるダイヤモンド表面電子構造と面方位依存性
三重大院工　杉山愛一郎，中村浩次，佐野和博，秋山亨，伊藤智徳

22: 第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性
筑波大計科セ^A，筑波大数理^B，東理大工^C　洗平昌晃^A，加藤重徳^B，山本貴博^C，白石賢二^A，B

23: 取　　消

24: STMとDFT計算を用いたMoO₂(010)/Mo(110)櫛状構造の形成に関する考察
京工繊大工芸，東京理科大基礎工^A，豊田工大^B　岡田有史，原紳介^A，吉村雅満^B，石川洋一

25: 電解質溶液中のAu表面上に吸着したシステイン分子の表面反射分光
横国大工　二之宮成樹，藤森佑人，田中正俊，大野真也，関谷隆夫

26: Ni及びCu上に形成したグラフェンのLEEDによる構造解析
九大総理工　佐々木均，中川剛志，水野清義

27: W(110)上におけるCo/Ni多重層の構造と磁気特性の関係に関する理論的研究
阪大工，大阪電通大^A，お茶大理^B，アリゾナ州立大^C　小島一希，Wilson Agerico Diño，鈴木雅彦^A，安江常夫^A，工藤和恵^B，阿久津典子^A，Ernst Bauer^C，越川孝範^A，笠井秀明

28: SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着2
福岡大工　柳生数馬，友景肇，鈴木孝将

29: 取　　消

30: Si(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析
和歌山大シス工　南迫大樹，小田将人，篠塚雄三

31: Ag(111)表面上におけるSn及びPbによる二次元合金の創製と原子配列
名大院工　赤穂達也，陳立航，柚原淳司

32: Growth of ceria ultrathin film on Rh(111)
Sch. of Eng.，Nagoya Univ.　Chan Lap-hong，Yuhara Junji

33: 透過電子顕微鏡による液中試料観察法の開発
東京農工大工　桑村悠馬，箕田弘喜

34: イオンスパッタリングによる酸化マグネシウム薄膜表面の変化に関する研究
九州シンクロトロン光研究セ　小林英一，岡島敏浩

35: Cu(111)上に吸着したコロネン分子の蒸着量依存による自己組織化構造の変化
横市大国際総合　根津朋美，横山崇

36: 鉛フタロシアニン/HOPG膜構造の温度変化
阪大院理　渡辺悠，田口雅崇，河北徳明，山田剛司，加藤浩之，宗像利明

37: シロキサン結合で補強された脂質二分子膜の電子状態計算
和歌山大院シス工　藪下聡良，小田将人，篠塚雄三

38: X線CTR散乱法によるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃超薄膜の構造解析
東大物性研　杉木祐人，白澤徹郎，角田潤一，高橋敏男

39: 計算機シミュレーションによるAFMのエネルギー減衰
山口大理工，アールト大^A　仙田康浩，今橋信行，嶋村修二，Janne Blomqvist^A，Risto Nieminen^A

40: Nd₂Fe₁₄B焼結磁石における主相-Nd酸化物相界面構造の第一原理計算
東大理^A，東北大工^B，東大物性研^C　見澤英樹^A，合田義弘^A，土浦宏紀^B，常行真司^A，C

41: in-situプロセスによる基板上ナノ構造の作成と評価
情報通信研究機構，広大先端物質^A　田中秀吉，鈴木仁^A，富成征弘

42: 光てこAFM探針と水晶振動子によるナノ滑り摩擦の測定
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　井上大輔，町田慎悟，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

43: 超平坦金基板のナノ滑り摩擦
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　町田慎悟，井上大輔，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

44: 透過型電子顕微鏡を用いた電気化学反応その場計測法
阪大超高圧電顕セ^A，JST-CREST^B，東工大院理工^C　大島義文^A，B，保田英洋^A，高柳邦夫^A，C

45: CO/Cu(001)表面の角度分解非弾性光電子分光
東大工^A，物材機構MANA^B，東大新領域^C　森田和孝^A，荒船竜一^B，中澤武夫^C，高木紀明^A，C，川合眞紀^A，C

46: 酸素分子のアルミニウム(111)表面上への解離吸着における分子配向と表面サイト依存性
阪大工応用物理　清水康司，Wilson Agerico Diño，笠井秀明

47: REMPIとTDSを用いたパラジウム表面における水素の脱離の解析
東大生研　宮尾幸太郎，大野哲，小倉正平，Wilde Markus，福谷克之

48: 酸化物半導体表面におけるキャリアダイナミクス：時間分解軟X線光電子分光法による研究
東大物性研　山本達，湯川龍，小河愛実，藤川和志，山本真吾，保原麗，松田巌

49: C₆₀単層膜上での単層グラフェンの引き剥がしIII
愛教大物理，成蹊大理工^A　市川真也，石川誠，安形卓也，佐々木成朗，三浦浩治

50: 金属原子サイズ接点の力学特性計測
東工大院理工　塩田忠，櫻井修，篠崎和夫

51: シリセン不純物の第一原理計算
金沢大院自然　大嶋寛之，斎藤峯雄

52: ガス中蒸発法バナジウム超微粒子構造と室温での酸化
立命館大理工　墻内千尋，齋藤嘉夫，小池千代枝，藤崎貴也

53: 金ナノ粒子触媒のカソードルミネッセンス分光
東工大院理工^A，JST-CREST^B　田中崇之^A，B，山本直紀^A，B，高柳邦夫^A，B

54: 取　　消

55: Fe₃O₄（111）表面の電子状態と磁性
東大工　浅川寛太，武安光太郎，松本益明，河内泰三，張小威^A，福谷克之

56: ペロブスカイト型磁性体/強誘電体界面の第一原理計算
金沢大自然，金沢大理工^A　西田美穂，^○石井史之^A，斎藤峯雄^A

57: 窒素吸着Cu(001)面からの非線形発光の時間分解計測
東大物性研^A，NHK放送技研^B　河村紀一^A，B，飯盛拓嗣^A，山田正理^A，小森文夫^A

58: 超伝導ナノコンタクト(Sn,Pb)の電気伝導特性におけるサイズ変化の効果
九州大工，九州大院工^A，金沢大教育^B　高田弘樹，家永紘一郎^A，大西雄貴^A，稲垣祐次^A，辻井宏之^B，河江達也^A

59: Ni原子サイズ接点のコンダクタンス分布の温度依存性
京大工　森口裕磨，黒川修，^○酒井明

60: グラフェンの機械的変形が熱物性に与える影響
神戸大院工，東理大工^A　船谷宜嗣，山本貴博^A，小川真人，相馬聡文

61: 電気伝導測定を用いた液体水素中Pdナノワイヤの水素吸蔵過程の探求
九大院工^A，金沢大教育^B　大西雄貴^A，家永紘一郎^A，高田弘樹^A，稲垣祐次^A，辻井宏之^B，河江達也^A

62: Si-LVVオージェ電子-Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi-2s内殻正孔緩和過程の研究
横国大院工，群馬大教育^A，千葉大院融合科学^B，愛媛大院理工^C，筑波大理工^D，KEK物構研^E　平賀健太，新江定憲，兼村瑠威，小柏洋輔^A，梁瀬虹太朗^A，高野優作^A，金山典嗣^B，大野真也，垣内拓大^C，所畑成明^D，関場大一郎^D，奥平幸司^B，奥沢誠^A，間瀬一彦^E，田中正俊

27日　XK会場　27aXK　9:15～12:15

領域9
グラフェン・半導体

1: 微傾斜SiC上に形成したグラフェンナノリボンのπ電子状態
東工大総理工，東大物性研^A，九大院工^B　中辻寛，飯盛拓嗣^A，金聖憲^A，吉村継生^A，梶原隆司^B，Anton Visikovsliy^B，田中悟^B，小森文夫^A

2: グラフェンの電子回折と透過：時間依存密度汎関数法シミュレーション
東理大理^A，デンソー基礎研^B　坪野谷啓介^A，春山潤^A，胡春平^A，渡辺一之^A，岡本裕司^B，奥野英一^B

3: 電極表面状態のグラフェンへの染み出し効果
筑波大数物，理研^A　竹本整司^A，金有洙^A，小林伸彦

4: エピタキシャルシリセンの電子状態
東工大総理工　平山博之，大城敦也，井料佳祐，青木悠樹，中辻寛

5: CNT/GaAsヘテロ界面の第一原理電子状態解析：界面電荷移動と不純物の効果
岡山大院自然　伊丹雅彦，鶴田健二，藤森和博，深野秀樹

休憩　（10:30～10:45)

6: InAs(111)A表面In原子によるカゴメ格子状態密度の低温STM観測
NTT物性基礎研　蟹澤聖，田村浩之

7: 原子間力顕微鏡を用いたIn/Si(111)-4×1表面の室温測定
阪大院工，名大院工^A，阪大産研^B　岩田孝太，山崎詩郎，杉本宜昭，阿部真之^A，森田清三^B

8: 極性半導体ZnOの表面電子状態
東大工，東大新領域^A　片山明彦，辻英徳，坂野昌人，下志万貴博，塚崎敦^A，石坂香子

9: Pt/Ge(001)表面の一次元金属的な電子状態
東大物性研，高エ研^A，Synchrotron SOLEIL^B　矢治光一郎，望月出海^A，金聖憲，武市泰男^A，原沢あゆみ，大坪嘉之^B，P. Le Fèvre^B，F. Bertran^B，A. Taleb-Ibrahimi^B，柿崎明人，小森文夫

10: シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果II
琉球大理　稲岡毅，金城悠希，柳澤将

11: Ge(001)表面欠陥の散乱ポテンシャルの第一原理計算
阪大工　小野倫也

27日　XZA会場　27aXZA　9:15～12:00

領域9
表面界面ダイナミクス

1: シリコン表面の銀マイクロ薄膜の熱拡散
岡大院自然　脇田高徳，村岡祐治，横谷尚睦

2: Al(111)表面初期酸化における立体効果の観測
物材機構　倉橋光紀，山内泰

3: Pd触媒を用いたブテン水素化反応における表面下水素の役割
東大生研　大野哲，Markus Wilde，福谷克之

4: 軟X線プローブによるフェムト秒レーザーアブレーション過程の直接観測(II)
原子力機構，徳島大院ソシオ^A，東大物性研^B　長谷川登，錦野将元，海堀岳史，平野祐介，守田利昌，河内哲哉，山極満，富田卓朗^A，南康夫^B，寺川康太^B，武井亮太^B，馬場基芳^B，末元徹^B

5: PdAu合金表面におけるブテンのH-D交換メカニズム
東大生研，阪大リノベーション^A　小倉正平，岡田美智雄^A，福谷克之

休憩　（10:30～10:45)

6: 電流と力によるSiテトラマーの原子スイッチ
阪大院工，名大院工^A，阪大産研^B，マドリード自治大^C，チェコ科学アカデミー^D　山崎詩郎，高谷玲平，澤田大輔，杉本宜昭，阿部真之^A，森田清三^B，P.Pou^C，R.Perez^C，P.Mutombo^D，P.Jelinek^D

7: Rb被覆Si表面におけるSHG共鳴増大の温度効果に対する分光学的研究
防衛大応物　齊藤文一，小甲顕史，鈴木隆則

8: 応力と電圧印加による単結晶酸化すずワイヤの欠陥生成・消滅
物材機構MANA　櫻井亮，劉可為，青野正和

9: 表面分極効果を記述する分子モデル方法の構築と、水/酸化チタン界面の分子動力学による和周波分光シミュレーション
産総研ナノシステム，東大院^A，マックスプランク研^B　中村恒夫，大戸達彦^A，永田勇樹^B

10: 走査トンネル顕微鏡発光における電子・分子振動・プラズモンのダイナミクス
阪大院工　三輪邦之，坂上護，笠井秀明

27日　RB会場　27pRB　13:30～17:05

素粒子論領域，理論核物理領域，領域11，領域9，領域8，領域7，領域3，領域4，領域5，領域6，領域12合同シンポジウム
主題：エクサスケールに向けて歩み出す計算物理学

1: 趣旨説明
広島大学理学研究科　石川健一

2: 計算科学に寄せる期待(素粒子宇宙原子核)
高エネルギー加速器研究機構　岡田安弘

3: 計算素粒子物理学のフロンティア
筑波大学数理物質系　藏増嘉伸

4: 計算核物理学のフロンティア
理化学研究所仁科加速器研究センター　中務孝

5: 計算宇宙物理学のフロンティア
筑波大学計算科学研究センター　梅村雅之

6: 議論討論

休憩　（15:25～15:40)

7: 物性実験から計算科学に寄せる期待
J-PARCセンター　新井正敏

8: 計算物性科学の将来像：次世代HPCの検討と関連して
鳥取大学大学院工学研究科　吉本芳英

9: 大規模探索計算で切り開く材料計算科学
東北大学金属材料研究所　西松毅

10: 議論討論

27日　XK会場　27pXK　13:30～15:45

領域9，領域6（1番目のみ）
結晶成長

1: 準結晶関連物質における特異な構造相転移
東京理科大学　基礎工学部　材料工学科　田村隆治

2: 単結晶真鍮表面の初期酸化に伴うShockley準位の応答
東工大院理工，上智大物理^A，立教大化学^B，弘前大^C，高エ研^D　小澤健一，江森万里^A，坂間弘^A，今西沙織^B，枝元一之^B，三森悠平^C，加藤博雄^C，間瀬一彦^D

3: 氷ベーサル面上での単位ステップの成長カイネティクス
北大低温研　麻川明俊，佐崎元，長嶋剣，中坪俊一，古川義純

休憩　（14:30～14:45)

4: ヘテロ基板上の吸着島拡散I:1＋1次元系
慶大理工，リヨン大LPMCN^A　齋藤幸夫，Olivier Pierre-Louis^A

5: 不連続な異方的表面張力を持つ微斜面：ステップ・ファセティングとステップ・スムージング
大阪電通大工　阿久津典子

6: キンクカイネティクスを考慮した定比AB結晶の表面拡散モデル
学習院大計セ，成蹊大^A，京大^B　入澤寿美，勝野喜以子^A，北村雅夫^B

7: 移動する粒子源によるステップのパターン形成　―フェーズフィールドシミュレーション(2)―
名大理，東北大理^A，金沢大IMC^B　川口将司，三浦均^A，佐藤正英^B，上羽牧夫

27日　XZA会場　27pXZA　14:00～17:10

領域9
表面界面電子物性・有機分子

1: 2光子光電子分光によるルブレン/グラファイト界面の電子励起と緩和のダイナミクス
阪大院理　上羽貴大，寺脇理恵，森川高典，北河康隆，奥村光隆，山田剛司，加藤浩之，宗像利明

2: Rh(111)におけるシクロヘキサンのエネルギー準位アラインメント：界面双極子と終状態効果
東大物性研　小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

3: 第一原理計算によるSTM誘起Melamine/Cu(001)スイッチのダイナミクス
東大院工，Trinity College Dublin^A，産総研ナノシステム研究部門^B　大戸達彦，Ivan Rungger^A，山下晃一，中村恒夫^B，Stefano Sanvito^A

4: ポルフィリン系分子に基づくFe錯体の多重項構造に関する第一原理計算
三重大院工　北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

5: フタロシアニン分子が吸着したSi(111)-(√7×√3)-In表面の超伝導特性
物材機構MANA^A，千葉大院融合^B，JSPS^C　吉澤俊介^A，山本真幸^A，B，Puneet Mishra^A，C，内橋隆^A

6: 非接触AFMによる分子吸着Si(111)7×7表面の電子状態変化の検討
金大院自然，金大理工^A，北陸先端大院マテ^B　石川稔景，坂野友樹^A，富取正彦^B，^○新井豊子^A

7: F₄-TCNQ分子を用いたホールドーピングによる自然酸化Si(111)表面の電気伝導度変化
東大物性研　吉本真也，原田洋介，小板谷貴典，塩澤佑一朗，藤巻和貴，向井孝三，吉信淳

休憩　（15:45～16:00)

第7回領域9若手奨励賞受賞記念講演

8: 領域9若手奨励賞選考報告および授賞式
東大理・京大理　長谷川修司、有賀哲也

9: 半導体上でスピン分裂した金属表面状態の発見
東大物性研　矢治光一郎

10: スピン偏極走査トンネル顕微鏡による単一原子のスピンと磁気相互作用の観測と制御
東大物性研　吉田靖雄

28日　XH会場　28pXH　13:30～16:55

領域11，領域9，領域7，領域12合同シンポジウム
主題：水素結合と分散力に関する第一原理計算の現状と課題

1: はじめに
阪大院工　森川良忠

2: 基礎―分散力の表現論から―
阪大院基礎工　草部浩一

3: DFTによる分散力結合計算での長距離補正の必要性
山梨大燃研　常田貴夫

4: ファン・デル・ワールス密度汎関数の基礎、応用と展望
東北大AIMR　濱田幾太郎

休憩　（15:10～15:25)

5: 水素結合系におけるプロトンの量子効果
横浜市大院生命ナノ　立川仁典

6: 複雑生体系に対する全原子第一原理計算
物材機構　宮崎剛

7: タンパク質のリガンド結合における特徴的非結合相互作用
神戸大シス情　北浦和夫

28日　XK会場　28pXK　13:30～16:15

領域9
表面界面電子物性・金属

1: Au(111)表面電子に対するポテンシャル分布のSTMによる直接計測
横市大院生命ナノ　青木琢朗，横山崇

2: 吸着原子を含むQuantum Corral内の電子状態
埼工大　光岡重徳，田村明

3: W(110)スピン偏極表面電子状態のC_2v 対称性による平らなディラックコーン
広大放射セ^A，広大院理^B，ミュンスター大^C　宮本幸治^A，木村昭夫^B，奥田太一^A，島田賢也^A，岩澤英明^A，林寛和^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，M. Donath^C

4: Si(111)上Agナノ薄膜の非占有量子化電子状態
佐賀大SLセ　石橋一典，^○高橋和敏，今村真幸，東純平，山本勇，鎌田雅夫

5: GaAs劈開表面における空間反転対称性の破れた2次元超伝導
東大理　関原貴之，三宅貴大，一ノ宮弘樹，枡富龍一，岡本徹

6: Pt(111)表面上におけるCO吸着状態のSTM観察
東大新領域，理研^A　梁賢眞^A，金有洙^A，川合眞紀

休憩　（15:00～15:15)

7: CO/Pt(997)系におけるステップ近傍の電荷移動挙動：高分解能X線光電子分光による研究
東大物性研　清水皇，則武宏幸，小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

8: 銀表面上での水素分子の吸着状態と仕事関数に関する理論的研究
阪大院工　國貞雄治，中西寛，Wilson Agerico Diño，笠井秀明

9: π共役分子/Au(111)界面相互作用
東大新領域，理研^A，阪大工^B　Ju-Hyung Kim，Jaehoon Jung^A，田原一邦^B，戸部義人^B，^○金有洙^A，川合眞紀

10: 歪み印加マニピュレータの開発
奈良先端大物質創成　武田さくら，坂田智裕，山谷寛，Nur Idayu Ayob，北川幸祐，小久井一樹，久米田晴香，谷川洋平，大門寛

28日　XZA会場　28pXZA　13:45～16:15

領域9
表面界面構造

1: ねじれ角で接合した結晶界面における幾何学とエネルギー、および2層グラフェンへの応用
福岡教育大物理，愛媛大理^A　三谷尚，渕崎員弘^A

2: SiC(0001)表面におけるステップ構造の第一原理計算
東大院工　澤田啓介，岩田潤一，押山淳

3: Au(100)の表面再構成構造とそのダイナミクス1
立命館大理工，関西学院大理工^A，阪大UHVEM^B　清水寧，^○川村真澄，沢田信一^A，新山友暁^B，保田英洋^B

4: 元素周期律表に沿ったBN上原子吸着の第一原理計算
鳥取大院工，JST-CREST　石井晃，土路生隆宏，中田謙吾

5: 固液界面でのイオンの水和と水の構造化の競合
東北大AIMR　赤木和人

休憩　（15:00～15:15)

表面界面ダイナミクス

6: 界面における電子正孔対の解離シミュレーション
千葉大理　佐藤紅介，中山隆史

7: 金属や樹脂の光電子放出と摩擦静電気の研究
労働安全衛生総合研　三浦崇，山隈瑞樹

8: 電界電子放射顕微鏡像の第一原理シミュレーション
東理大理　胡春平，森竜太，渡辺一之

9: 格子拡張されたPd(111)薄膜における水素吸蔵のスピノーダル転移
東工大総理工　青木悠樹，中島翔，中辻寛，平山博之

29日　XK会場　29aXK　9:15～12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 取　　消

2: 単一ベンゼンジチオール分子の熱起電力計測
東工大理工　中村優雅，木口学

3: 第一原理計算による原子間ポテンシャル作成と熱伝導計算への応用
筑波大数理，NECスマートエネ研^A　山本晃平，石井宏幸，小林伸彦，広瀬賢二^A

4: 非平衡グリーン関数法による時間依存ハートリー近似下での量子輸送特性シミュレーション
東大工^A，東理大工^B　笹岡健二^A，山本貴博^B，渡邉聡^A

5: グラフェンナノブリッジにおける電子輸送特性の第一原理研究
北大工　江上喜幸，明楽浩史

休憩　（10:30～10:45)

6: 磁気抵抗測定を用いたPdナノワイヤの強磁性の研究
九大院工，金沢大教育^A，九大稲盛フロンティアセ^B　家永紘一郎，高田弘樹，大西雄貴，稲垣祐次，辻井宏之^A，木村崇^B，河江達也

7: その場電子顕微鏡法によるタングステンナノチップ間接触過程の観察
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

8: 取　　消

9: カーボンナノチューブの触媒CVD製法における炭素源分子の解離機構III：第一原理分子動力学シミュレーション
熊大院自然，東大院工^A，京大院理^B　島村孝平，Rizal Arifin，小栗知也^A，澁田靖^A，大村訓史^B，下條冬樹，山口周^A

10: Reaction of methane molecules with Ni surface:{＼it ab initio} molecular-dynamics simulation
熊大院自然，東大院工^A　Rizal Arifin，島村孝平，小栗知也^A，澁田靖^A，下條冬樹，山口周^A

11: Niクラスター表面におけるエチレン分子の解離反応への水分子の影響：第一原理分子動力学シミュレーション
熊大院自然，東大院工^A　橋爪航，島村孝平，Rizal Arifin，小栗知也^A，澁田靖^A，下條冬樹，山口周^A

29日　XZA会場　29aXZA　10:00～12:00

領域9，領域3合同
表面磁性

1: L10型FeNi規則合金の初期成長過程と磁区構造の観察
JASRI，東北大金研^A　小嗣真人，大槻匠，大河内拓雄，小嶋隆幸^A，荻原美沙子^A，田代敬之^A，水口将輝^A，高梨弘毅^A

2: スピン偏極走査トンネル顕微鏡によるAg(111) 表面上のコバルト薄膜の観察
東大物性研　土居啓司，吉田靖雄，長谷川幸雄

3: STMによる分子操作を用いた鉄フタロシアニン分子のスピン制御
東大新領域，東大工^A　平岡諒一，稲員慎一^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

4: 高角領域円偏光共鳴X線磁気回折法によるエピタキシャルFe/Au(001)多層膜中Au層誘起磁化分布短周期変調の可能性
奈良先端物質，JASRI^A，奈良高専^B　上垣伸，大河内拓雄^A，児玉謙司^B，細糸信好

5: 深さ分解XMCD法による強磁性Niと反強磁性FeMnの界面の観察
KEK物構研　雨宮健太，酒巻真粧子

6: FeNi交互積層膜のFe層に及ぼす歪みの効果
KEK物構研　酒巻真粧子，雨宮健太

7: Fe/MgO(001)薄膜の界面磁気異方性
東大生研，高エ研^A　河内泰三，張小威^A，福谷克之

8: 放射光メスバウアー分光法を用いたスピンホール効果検出の試み
名工大工，原子力機構^A，京大原子炉^B，JASRI^C　壬生攻，三井隆也^A，田中雅章，北尾真司^B，小林康浩^B，増田亮^B，原田克樹，前崎大輔，依田芳卓^C，瀬戸誠^B，A

29日　XK会場　29pXK　13:30～15:15

領域9
表面ナノ構造量子物性

1: フェムト秒レーザーによる周期的ナノ構造のレーザー強度による形成機構の相違
名大院理，核融合研^A，京大化研^B　緒方智也，坂上仁志^A，橋田昌樹^B，阪部周二^B

2: フェムト秒レーザーによる金属表面ナノ構造自己形成～金属種により異なる表面構造～
京大化研^A，京大院理^B　清水雅弘^A，橋田昌樹^A，B，宮坂泰弘^A，B，時田茂樹^A，B，阪部周二^A，B

3: 金属のフェムト秒レーザーナノアブレーション機構～金属表面上のナノ粒子イオン化～
京大化研^A，京大院理^B　宮坂泰弘^A，B，橋田昌樹^A，B，清水雅弘^A，時田茂樹^A，B，阪部周二^A，B

4: フェムト秒レーザーを用いた金属着色
京大院理，京大化研　川本真央，橋田昌樹，宮坂泰弘，清水雅弘，時田茂樹，阪部周二

5: Loss of Dirac fermions for the first layer silicene grown on Ag(111)
Dept. of Advanced Materials Science，Grad. Sch. of Frontier Science，The Univ. of Tokyo^A，MANA-NIMS^B，Dept. of Applied Chemistry，The Univ. of Tokyo^C，RIKEN^D　Chun-Liang Lin^A，Ryuichi Arafune^B，Kazuaki Kawahara^A，Mao Kanno^C，Noriyuki Tsukahara^A，Emi Minamitani^D，Yousoo Kim^D，Maki Kawai^A，C，and Noriaki Takagi^A，C

6: 取　　消

7: 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの表面プラズモンのエネルギー分散
東北大院理，東理大理^A，理研^B　松下ステファン悠，加藤大樹^A，川本絵里奈，山田太郎^B，須藤彰三