領域4

26日　XJ会場　26aXJ　9:00～12:45

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: 3次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果
東北大金研　関根聡彦，野村健太郎

2: ハニカム格子上Hubbard模型のトポロジカル絶縁体相
早大理工　後藤慎平，栗原進

3: トポロジカル近藤絶縁体の解析
京大理　吉田恒也，Robert Peters，藤本聡，川上則雄

4: 変分モンテカルロ法による2次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果の解析
京大理　竹中裕斗，川上則雄

5: トポロジカル絶縁体/モット絶縁体接合における界面電子状態
京大理，ETH Zürich^A　上田克，川上則雄，Manfred Sigrist^A

6: トポロジカル絶縁体におけるグリーン関数の零点
東大院工　三澤貴宏，山地洋平

休憩　（10:30～10:45)

7: トポロジカル超伝導体における熱Hall効果の研究
京大理　住吉浩明，藤本聡

8: 三次元強束縛模型上でのトポロジカル超伝導の渦糸状態
原子力機構シ計セ　永井佑紀，中村博樹，町田昌彦

9: トポロジカル超伝導体上の量子ナノワイヤ中のMajorana束縛状態と非局所スピン相関
東大工^A，Stockholm大^B，名大工^C，Würzburg大^D，理研^E　中河西翔^A，Jan C. Budich^B，田仲由紀夫^C，Björn Trauzettel^D，永長直人^A，E

10: マヨラナ準粒子状態を利用した単電子ポンプ
NIMS WPI-MANA　胡暁

11: 立方格子における3次元ディラック電子を伴う非共面的な多重Q磁気秩序
東大工　速水賢，三澤貴宏，山地洋平，求幸年

12: 2次元トポロジカル絶縁体における一般のエッジ方向でのエッジスピン状態とその伝導特性
東工大院理工　佐々木健二，村上修一

13: トポロジカル絶縁体の試料回転によるスピン磁化の制御
東北大理，東北大金研^A　伊藤透，野村健太郎^A

14: シリセンpn接合における輸送理論
名大工，東大工^A　山影相，江澤雅彦^A，田仲由喜夫，永長直人^A

26日　XQ会場　26aXQ　9:30～12:00

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: SiCにおけるバンドギャップの多形構造依存性：パラメータ“ヘキサゴナリティー”の失敗と新たなパラメータの提案
東大院工　松下雄一郎，押山淳

2: GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子分子から電子・正孔プラズマへの転移
阪市大院工　古川喜彬，山下雄也，中山正昭

3: ゲート付非対称二重量子井戸における井戸内および井戸間二次元電子系発光
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D，東北大WPI-AIMR^E　野村晋太郎^A，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D，E

4: GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子量子ビートによる光パルス強度変調
神戸大院工，情通機構^A　小島磨，林井研，喜多隆，赤羽浩一^A

休憩　（10:30～10:45)

5: 共鳴トンネルダイオードにおける電流の発振と電流-電圧曲線のプラトー現象の解析
京大理化　櫻井敦教，谷村吉隆

6: GaAs系量子ポイントコンタクトにおけるコンダクタンス揺らぎのゲートバイアス依存性
東大物工^A，理研^B　中島峻^A，B，大塚朋廣^A，B，米田淳^A，野入亮人^A，樽茶清悟^A，B

7: g-因子制御GaAs系量子井戸に作成した横型量子ドットにおける単一光子応答
東大工，Dept. of Phys.，Princeton Univ.，Princeton，New Jersey^A，Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik Ruhr-Univ. Bochum^B　藤田高史，森本和浩，寺岡総一郎，Allison Giles^A，Arne Ludwig^B，Andreas Wieck^B，大岩顕，樽茶清悟

8: アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答II
兵庫県大院物質理，滋賀県大工^A，住友化学筑波研^B，阪市大院工^C　長谷川尊之，高木芳弘，竹内日出雄^A，山田永^B，秦雅彦^B，中山正昭^C

9: 二酸化チタン多形の電子構造と熱力学的安定性
東工大理　青木祐太，斎藤晋

26日　XT会場　26aXT　9:15～12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: Twisted Bilayer Grapheneのチャーン数
筑波大物理　鷲見理沙，濱本雄治，初貝安弘

2: ツイストした2層グラフェンのランダウ準位と量子ホール効果
兵庫県立大物質理，東大物性研^A　長谷川泰正，甲元眞人^A

3: BN基板上の2層グラフェンにおける磁場中電子構造
東北大理　文泌景，越野幹人

4: グラフェン2層系の最低ランダウ準位における軌道混合とラーム・シフト様分離
京大基研　静谷謙一

5: ゲート電場中多層グラフェンにおけるバレーホール状態とカイラル対称性
理研，東北大理^A　森本高裕，越野幹人^A

休憩　（10:30～10:45)

6: SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴II
東大物性研，東大院工^A，NTT物性基礎研^B　齋藤宏晃^A，日比野浩樹^B，澤部博信，中村大輔，松田康弘，嶽山正二郎

7: SiC上成長エピタキシャルグラフェンにおけるプラトー間遷移
NTT物性基礎研　高瀬恵子，田邉真一，日比野浩樹，村木康二

8: SiC上エピタキシャルグラフェンの量子テラヘルツファラデー回転・カー回転
東大理，NTT物性基礎研^A，理研^B　湯本郷，柳済允，松永隆佑，田邉真一^A，日比野浩樹^A，森本高裕^B，青木秀夫，島野亮

9: 高移動度h-BN上グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴による光起電力効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　大貫雅広^A，増渕覚^A，B，荒井美穂^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

10: グラフェン接合系における量子ホール伝導と界面状態
東大物性研　上原史也，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

11: グラファイト表面に無磁場下で出現するランダウ準位の起源
筑波大数理　近藤剛弘，Donghui Guo，町田考洋，鹿野大志，鈴木哲也，櫻井雅崇，岩竹啓吾，岡田晋，中村潤児

26日　XB会場　26pXB　13:20～16:30

領域8，領域3，領域4，領域7，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：元素戦略が促進する分野融合と物理

1: 元素戦略の概要とシンポジウムの趣旨
東大理　常行真司

2: 固体触媒・二次電池材料と界面化学
京大工・分子工学　田中庸裕

3: 高性能永久磁石探索における理論、計測および材料プロセシングの挑戦課題
NIMS　広沢哲

4: 新奇アニオンとナノ構造がもたらす新しい電子機能材料
東工大フロンティア　細野秀雄

5: 強さとねばさを併せもつ構造材料をめざして
京大工・材料工学　田中功

休憩　（14:50～15:00)

6: パネルディスカッション「元素戦略と分野融合」－指針と提言－
モデレータ　福山秀敏（東理大理）
パネリスト　高尾正敏（阪大），中村道治（JST），増本健（電磁材料研），村井眞二（奈良先端大）

26日　XG会場　26pXG　13:30～16:50

領域4，領域1，領域3，領域5合同シンポジウム
主題：核スピンエンジニアリングへの挑戦　～ナノ領域における核スピンの検出・制御とその応用に関する話題～

1: はじめに（趣旨説明）
金沢大理工　渡辺信嗣

2: 半導体中の電子スピンと核スピンの結合を用いた量子情報処理
慶應大理工　伊藤公平

3: 半導体における核スピン-スピン相互作用：固体NMRによる研究
物材機構　後藤敦

4: ゲイン100以上のスピンアンプの実験的実現
阪大基礎工　根来誠

休憩　（14:50～15:10)

5: 2重量子ドットにおける核スピン偏極
筑波大数理　都倉康弘

6: 量子ドットにおける核スピン分極の光ポンピングと揺らぎの光学的検出
北大工　鍜治怜奈

7: 量子ホールエッジ状態を用いたナノ領域の核スピン偏極・緩和過程の観測
東大工　中島峻

8: 荷電励起子でみる二次元電子系における核スピン偏極現象の空間観察
東北大理　遊佐剛

26日　XJ会場　26pXJ　13:30～16:30

領域4，領域7合同
グラフェン

1: グラファイトの強磁場誘起密度波転移と非線型伝導
東理大理工，東大物性研^A　矢口宏，徳永将史^A

2: 凹凸のあるSiO₂基板上グラフェンの磁気抵抗
中大理工　相馬孝吏，若林淳一

3: リップルの相関関数と磁気抵抗に対するLundeberg-Folk公式
中大理工　源馬和行，香取眞理

4: ケクレ型ボンド秩序があるグラフェンのn=0ランダウ準位の乱れに対する安定性
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

5: BN上多層グラフェンの磁気抵抗
広島大先端　田原文哉，榊原諒二，下村翠，八木隆多

6: 取　　消

休憩　（15:00～15:15)

7: 擬ギャップアンダーソン模型における熱電特性
茨大工　青野友祐

8: ディラック分散を持つ電子系の超伝導と“スピン”輸送
東大理　溝口知成，小形正男

9: 磁場中グラフェンにおけるスピン非偏極のカイラル凝縮相
筑波大物理，東邦大物理^A，東大物理^B　濱本雄治，河原林透^A，青木秀夫^B，初貝安弘

10: グラフェン状の強相関系におけるトポロジカル秩序と格子フェルミオン
東大理^A，理研^B　荒木康史^A，B，木村太郎^B

11: Mass gapをもつグラフェン量子ドットにおけるvacuum chargeとその磁場制御
Univ. Leicester，東大理^A　P. A. Maksym，^○青木秀夫^A

26日　XQ会場　26pXQ　13:30～16:00

領域4
量子細線・微小接合

1: スパッタガス原子で制御される層状硫化遷移金属スパッタ膜の結晶格子面間隔
九州工業大生命体，九州工業大工^A　佐々木巌，中野真吾，池田満昭，松崎一成^A，松田健次^A

2: 量子細線におけるラストプラトー以下の分数構造の調査
千葉大融合，ニューヨーク州立大バファロー校^A　項少華，藤和俊，佐藤駿，S.Xiao^A，青木伸之，J.P.Bird^A，落合勇一

3: スピン自由度を考慮した多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果
筑波大院数物^A，東理大工^B，東北大スピントロニクス集積化セ^C，東北大工^D，筑波大計科セ^E，CREST-JST^F　藤田弦暉^A，塩川太郎^A，高田幸宏^B，F，小鍋哲^A，F，村口正和^D，F，山本貴博^B，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^A，F，白石賢二^A，E，F

4: 多電子波束を用いた円電流ダイナミクスへの電子間相互作用の効果
筑波大院数物^A，東理大工^B，東北大スピントロニクス集積化セ^C，東北大工^D，筑波大計科セ^E，CREST-JST^F　塩川太郎^A，藤田弦暉^A，高田幸宏^B，F，小鍋哲^A，F，村口正和^D，F，山本貴博^B，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^A，F，白石賢二^A，E，F

休憩　（14:30～14:45)

5: Spin flip resonance in spin-orbit split quantum wires
Inst. for Materials Res.，Tohoku Univ.，Texas A&M Univ.^A，Landau Inst. for Theoretical Phys.^B　Oleg A. Tretiakov^A，Konstantin S. Tikhonov^A，B，Valery L. Pokrovsky^A，B

6: 半導体ナノワイヤにおけるQPC構造とジョセフソン電流への影響
慶大理工　横山知大，杢保亜莉沙，江藤幹雄

7: スピン活性な界面を持つ金属/超伝導体接合における異常なマイスナー効果
東工大理，名大工^A，東大工^B　横山毅人，田仲由喜夫^A，永長直人^B

8: 超伝導リードと常伝導アイランドを持つターンスタイル素子による定電流生成
産総研^A，理研基幹研^B，NECグリーンイノベ研^C　中村秀司^A，B，Yuri Pashkin^B，蔡兆申^B，C，金子晋久^A

9: 4次元局在アンダーソン模型におけるアンダーソン転移
阪大理　上岡良季，Keith Slevin

27日　XG会場　27aXG　9:00～12:40

領域4
若手奨励賞・トポロジカル絶縁体

1: 領域4若手奨励賞受賞者紹介
筑波大計科セ　白石賢二

2: 飛行量子ビットを用いた量子情報科学の研究
東大院工　山本倫久

3: トポロジカル絶縁体とアンダーソン転移に関する理論的研究
カールスルーエ工科大　小布施秀明

4: Conductance in disordered weak and strong topological insulators
上智大理工，広大先端研^A　小林浩二，大槻東巳，井村健一郎^A

5: 3次元トポロジカル絶縁体表面のマルチフラクタル性
上智大理工　吉本行気，小林浩二，大槻東巳

6: 複数のエッジ状態を有するスピン量子ホール転移におけるコンダクタンス分布に対する臨界指数
北大院工，ケルン大^A，シカゴ大^B，パリ高等師範学校^C，サクレー研^D　小布施秀明，R. Bondesan^A，I. A. Gruzberg^B，J. L. Jacobsen^C，H. Saleur^D

休憩　（10:55～11:10)

トポロジカル絶縁体

7: ゲージ場と不純物の共存する3次元トポロジカル絶縁体表面のギャップ生成
北大院工　羽部哲朗，浅野泰寛

8: シングルディラック系ホール効果におけるゼーマン分裂の寄与
東工大理工^A　野呂昌生^A，村上修一^A

9: ビスマス量子極限における"additional peak"構造の起源
電通大先進理工，パリ高等物理化学学校^A，フランス国立強磁場研^B　伏屋雄紀，Z. Zhu^A，B. Fauque^A，L. Malone^B，A. B. Antunes^B，K. Behnia^A

10: 弱いトポロジカル絶縁体の「暗い」表面に現れる完全伝導チャンネル
広大先端研　吉村幸徳，松本哲彦，井村健一郎，高根美武

11: しみ込め（ま）ない金属状態
広大先端研　井村健一郎，高根美武

12: 異なる符号のスピン軌道相互作用に挟まれた接合面におけるFermiループ
東工大院　高橋隆志，村上修一

27日　XJ会場　27aXJ　9:00～12:45

領域7，領域4合同
グラフェン

1: グラファイト上に吸着した2次元クリプトン固体のSTM観測
東大院理^A，RWTHアーヘン^B　松井朋裕^A，Raphael Jan Bindel^A，B，福山寛^A

2: 原子分子修飾したグラフェンの伝導度測定
東大理　中山和貴，松井朋裕，福山寛

3: グラフェンの伝導における格子欠陥の化学修飾効果
東工大院理工　工藤泰彦，高井和之，榎敏明

4: Electronic structure of graphitic edges and vacancies functionalized with hydrogen and oxygen species
Grad. Sch. of Science and Eng.，Tokyo Inst. of Tech.^A，Grad. Sch. of Eng. Science，Osaka Univ.^B　Maxim Ziatdinov^A，Shintaro Fujii^A，Koichi Kusakabe^B，Manabu Kiguchi^A，Takehiko Mori^A and Toshiaki Enoki^A

5: Electronic state calculation for hydrogenated graphene with atomic vacancy
阪大基礎工，東工大院理工^A　S. Gagus Ketut，丸山勲，草部浩一，工藤泰彦^A，高井和之^A，榎敏明^A

6: 部分的に水素終端されたダイヤモンド構造(111)面におけるディラック電子
筑波大数理　曽根準基，岡田晋

休憩　（10:30～10:45)

7: ジグザグ BC₂N ナノリボンにおけるフラットバンドについての理論的研究
産総研，物材機構^A　針谷喜久雄，金子智昭^A

8: Theoretical studies on electronic states of BC₃ sheet and edge passivation effect
WPI-MANA，NAT’L. INST. FOR MATERIALS SCIENCE　SUDIPTA DUTTA，KATSUNORI WAKABAYASHI

9: グラフェン複合原子膜およびシリセン複合原子膜の電子構造と安定性
東工大理　斎藤晋，是常隆，酒井佑規

10: 多軌道tight-binding modelによるシリセンのエッジ状態
筑波大物理^A，CREST^B，筑波大計セ^C，筑波大TIMS^D　棚谷翔^A，濱本雄治^A，小鍋哲^A，B，白石賢二^A，C，初貝安弘^A，D

11: Ag(111)基板上に作製したシリセン多層膜の構造
東大新領域，物財機構MANA^A　川原一晃，林俊良，中村耕太郎，荒船竜一^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

12: 多層シリセンにおける量子閉じ込め効果
東大新領域，物材機構MANA^A　中村耕太郎，林俊良，長尾遼，荒船竜一^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

13: ハニカム格子状に配列したラジカル分子BDTDA単層膜のSTM/S観察
物材機構MANA，名大物質国際研^A，千葉大院融合^B　山本真幸，水津理恵^A，S. Dutta，P. Mishra，吉澤俊介，中山知信，阿波賀邦夫^A，坂本一之^B，若林克法，内橋隆

14: ステップのついたSiC(0001)表面上でのグラフェン成長に関する第一原理分子動力学計算
東大生研^A，物材機構^B　小野裕己^A，奈良純^B，大野隆央^A，B

27日　XQ会場　27aXQ　9:00～12:15

領域4
量子ホール効果

1: Ge/SiGe量子井戸におけるランダウ準位反交差と弱反局在効果の観測
東大生研^A，東京都市大総研^B，東北大金研^C，東大ナノ量子機構^D　守谷頼^A，星裕介^B，井上義久^A，増渕覚^A，D，澤野憲太郎^B，白木靖寛^B，宇佐美徳隆^C，町田友樹^A，D

2: フーリエ変換走査トンネル分光によるランダウレベル波動関数の形状観察
東北大理^A，JST-ERATO^B，CNRS^C，Univ. of Warwick^D，WPI-AIMR^E，Hamburg Univ.^F，Aachen Univ.^G　橋本克之^A，B，Thierry Champel^C，Serge Florens^C，Rudolf Roemer^D，平山祥郎^A，B，E，Roland Wiesendanger^F，Markus Morgenstern^G

3: InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II-バックゲートの効果-
NTT物性基礎研　鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，村木康二

4: 環状エッジチャネルにおけるプラズモンの共鳴現象
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　橋坂昌幸，鎌田大，熊田倫雄^A，鷲尾和久，村田竜二，村木康二^A，藤澤利正

5: 量子ホール状態にあるコルビノ型円盤における電流雑音測定
京大化研，阪大理物^A，東大生産研^B　知田健作，秦徳郎^A，荒川智紀，松尾貞茂，西原禎孝，田中崇大，千葉大地，町田友樹^B，小林研介^A，小野輝男

6: サニャック干渉計を用いた量子ホール電子系の高感度スピン偏極イメージング
千葉大院理，千葉大理^A，NTT物性基礎研^B，東北大院理^C，JST-ERATO^D　軍司雄太，長尾佳介，桐生直明^A，音賢一，室清文，熊田倫雄^B，平山祥郎^C，D

休憩　（10:30～10:45)

7: 平均値がゼロのランダム磁場下のGaAs/AlGaAs界面二次元電子系の負磁気抵抗
中大理工　小原一夫，若林淳一

8: 熱電効果による1次元平面超格子における整合性振動の観測
東大物性研　小池啓太，加藤悠人，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

9: 高周波加熱を利用した量子ホール領域での熱電効果の測定
東大理　小早川周平，藤田和博，遠藤彰，家泰弘

10: ミリ波サブミリ波による量子ホール系の量子振動測定
物材機構，ポーランド科学アカデミー^A　今中康貴，高増正，G.Karczewski^A

11: 量子化磁場下におけるビスマスナノワイヤの熱電特性とワイヤ径および温度依存性
理科大基礎工，東大物性研^A，東大生研^B　平山尚美，遠藤彰^A，羽田野直道^B

12: 取　　消

27日　RB会場　27pRB　13:30～17:05

素粒子論領域，理論核物理領域，領域11，領域9，領域8，領域7，領域3，領域4，領域5，領域6，領域12合同シンポジウム
主題：エクサスケールに向けて歩み出す計算物理学

1: 趣旨説明
広島大学理学研究科　石川健一

2: 計算科学に寄せる期待(素粒子宇宙原子核)
高エネルギー加速器研究機構　岡田安弘

3: 計算素粒子物理学のフロンティア
筑波大学数理物質系　藏増嘉伸

4: 計算核物理学のフロンティア
理化学研究所仁科加速器研究センター　中務孝

5: 計算宇宙物理学のフロンティア
筑波大学計算科学研究センター　梅村雅之

6: 議論討論

休憩　（15:25～15:40)

7: 物性実験から計算科学に寄せる期待
J-PARCセンター　新井正敏

8: 計算物性科学の将来像：次世代HPCの検討と関連して
鳥取大学大学院工学研究科　吉本芳英

9: 大規模探索計算で切り開く材料計算科学
東北大学金属材料研究所　西松毅

10: 議論討論

27日　XG会場　27pXG　13:30～16:50

領域4，領域3，領域5，領域7，領域10合同シンポジウム
主題：フォノンの理解・制御によるエレクトロニクスの新展開　Novel phononic electronics in solid state devices

1: はじめに　Opening talk
東工大院理工　橋坂昌幸

2: 表面弾性波を用いた電子スピン操作　Electron spin manipulation using surface acoustic waves
NTT物性基礎研量光部　眞田治樹

3: 表面弾性波による単一電子輸送 Single electron transfer between distant quantum dots using surface acoustic wave
東大工　山本倫久

4: 時間分解2次元表面音響波イメージングによるフォノニック結晶中のGHz音響波伝播の研究 Time-resolved two-dimensional imaging of GHz surface acoustic waves on phononic crystals
北大院工　松田理

休憩　（14:50～15:10)

5: 光・格子系のバンドエンジニアリングとその応用 Photonic and phononic band engineering and applications
東大生産研　野村政宏

6: フォノンとスピンゼーベック効果 Phonons and the spin Seebeck effect
原子力機構先端研　安立裕人

7: 炭素ナノ物質のフォノン輸送と熱電変換 Phonon transport and thermoelectrics of carbon nanomaterials
東京理科大工　山本貴博

8: Phonon-based logic circuits in electromechanical resonators
NTT物性基礎研物性部　Mahboob Imran

27日　XQ会場　27pXQ　13:45～16:15

領域4
分数量子ホール効果・核スピン

1: 取　　消

2: 二重量子井戸構造における電流誘起核スピン偏極及び核スピン拡散による縦抵抗の変化
JST-ERATO^A，金沢大理工^B，東北大理^C，東北大WPI-AIMR^D　羽田野剛司^A，秋葉圭一郎^A，渡辺信嗣^A，B，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，C，D

3: 量子ホール状態v=2/3における核スピン偏極による抵抗減少効果
京大院理，兵庫医科大物理^A，京大低温セ^B　津田是文，三谷昌平，Nguyen Minh-Hai，寺澤大樹^A，福田昭^A，澤田安樹^B

4: 量子ホール系における光学的核スピン偏極のメカニズム
JST-ERATO^A，阪大理^B，東北大院理^C，東北大WPI-AIMR^D　秋葉圭一郎^A，弓削達郎^B，金杉静子^C，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，C，D

5: 量子ホール状態における核スピン偏極率の温度依存性
東北大理^A，JST-ERATO^B，金沢大理工^C，東北大WPI-AIMR^D　山口薫^A，渡辺信嗣^B，C，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B，D

休憩　（15:00～15:15)

6: 整数占有率近傍におけるNMRスペクトルの温度依存性
NTT物性基礎研，ERATO-JST　Trevor David Rhone，Lars Tiemann，^○Koji Muraki

7: 非アーベリアン分数量子ホール状態の1次元定式化と行列積表現
東工大院理工　中村正明，汪正元

8: 傾角反強磁性相におけるスピンジョセフソン超電流
東大理^A，理研^B，Tbilisi State Univ.^C　濱祐介^A，B，George Tsitsishvili^C，江澤潤一^B

9: ZnO二次元電子系における有効質量の増大と電子相関
東大院工^A，理研^B，東大新領域^C，理研 CERG^D　笠原裕一^A，大島勇吾^B，Joseph Falson^A，小塚裕介^A，塚崎敦^C，川崎雅司^A，D，岩佐義宏^A，D

27日　XT会場　27pXT　13:30～16:50

領域7，領域4合同シンポジウム
主題：カーボンナノチューブ・グラフェン・原子膜物質の新展開

1: はじめに
東工大理　斎藤晋

2: カーボンナノチューブのカイラリティ制御
産総研　片浦弘道

3: カーボンナノチューブ・リボン・グラフェン合成研究
名大理　篠原久典

4: グラフェンとカーボンナノチューブのラマン分光理論
東北大理　齋藤理一郎

休憩　（15:05～15:20)

5: グラフェンにおけるバリスティック伝導と光電圧効果
東大生研　町田友樹

6: 原子膜物質の準粒子状態
東北大WPI　菅原克明

7: 2層グラフェン系の電子構造
東大工　内田和之

28日　XG会場　28pXG　13:30～17:00

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 角度分解光電子分光で見た新型トポロジカル物質の電子状態
東北大院理　佐藤宇史

2: レーザー励起型角度分解光電子分光で観察したカリウム蒸着により変化するトポロジカル絶縁体の表面電子状態
東大物性研^A，中国科学院^B，阪大産研^C，JST-CREST^D　中島祐貴^A，近藤猛^A，石田行章^A，Walid Malaeb^A，渡部俊太郎^A，Cuangtian Chen^B，Markus Kriener^C，佐々木聡^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C，辛埴^A，D

3: Pb系トポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果：スピン分解ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　野村円香^A，相馬清吾^B，江藤数馬^C，中山耕輔^A，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

4: トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの高分解能ARPES
東北大院理^A，大阪大産研^B，東北大WPI^C　田中祐輔^A，Zhi. Ren^B，佐藤宇史^A，中山耕輔^A，相馬清吾^C，高橋隆^A，C，瀬川耕司^B，安藤陽一^B

5: トポロジカル絶縁体のバルクへテロ構造制御によるディラックコーンの操作
東北大院理^A，阪大産研^B，東北大WPI^C　中山耕輔^A，江藤数馬^B，田中祐輔^A，佐藤宇史^A，相馬清吾^C，高橋隆^A，C，瀬川耕司^B，安藤陽一^B

休憩　（15:00～15:15)

6: トポロジカル絶縁体GeBi₂Te₄のスピン角度分解光電子分光
広島大院理^A，広島大放射光化学研究セ^B，バクー州立大^C，アゼルバイジャン国立科学アカデミー^D，ドノスティア国際物理セー^E　岡本和晃^A，黒田健太^A，宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，Z.S. Aliev^C，M.B. Babanly^C，I.R. Amiraslanov^D，島田賢也^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，E.V. Chulkov^E，木村昭夫^A

7: バルクキャリアドーピングによるTBiSe₂トポロジカル表面状態のスピンヘリシティ制御
広島大院理^A，広島大放セ^B，NIMS^C，呉高専電^D　黒田健太^A，白井開渡^A，叶茂^B，岡本和晃^A，宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，有田将司^B，上田茂典^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，植田義文^D，木村昭夫^A

8: Pb系ホモロガス相トポロジカル絶縁体における輸送特性
阪大産研　瀬川耕司，江藤数馬，安藤陽一

9: トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_yにおける有機/無機界面の形成によるキャリア制御と電子輸送特性
東北大理^A，東北大WPI^B　田邉洋一^A，Khuong Kim Huynh^A，平郡諭^A，下谷秀和^A，谷垣勝己^A，B

10: Ultra thin film growth of Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y on mica substrate
Dept.of Phys.，Grad.Sch.Sci.，Tohoku Univ.^A，WPI-AIMR，Tohoku Univ.^B　Ngoc-Han Tu^A，Yoichi Tanabe^A，Khuong Huynh^A，Kastumi Tanigaki^A，B

11: 細線状のトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃薄膜での伝導度揺らぎ
京大化研，阪大理^A，Chinese Academy of Sciences^B　松尾貞茂，小山知弘，知田健作，永田真己，千葉大地，小林研介^A，小野輝男，Cui-Zu Chang^B，Ke He^B，Xu-Cun Ma^B，Qi-Kun Xue^B

12: Bi₂Se₃超薄膜素子の伝導測定
広大先端　八木隆多，田原文哉，下村翠，榊原諒二

28日　XP会場　28pXP　13:30～17:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 単層および2層グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの探求
千葉大院融合，千葉大工^A，アリゾナ州大^B，バッファロー大^C　大内隆寛，阿部拓斗，M.アカラム，磯優平，鈴木信一，福田秀人^A，青木伸之，D.K.フェリー^B，J.P.バード^C，落合勇一

2: グラフェンnpn接合におけるFabry-Perot干渉
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　森川生^A，増渕覚^A，B，大貫雅広^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

3: 一軸性歪みを導入した一層グラフェンの電気伝導の研究
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，Russo Saverio^A，Craciun F. Monica^A，樽茶清悟

4: 歪み印加グラフェンの電気伝導に関する数値シミュレーション
神戸大院工　相馬聡文，上山真之，西村英之，秋山隆志，小川真人

5: グラフェンのバンド構造のキャパシタンスによる観測
岡山大院自然，SPring-8/JASRI^A　上杉英里，後藤秀徳，江口律子，藤原明比古^A，久保園芳博

6: グラフェンナノリボンの電気伝導特性へのエッジラフネスの影響
東理大工　高島健悟，高田幸宏，山本貴博

休憩　（15:00～15:15)

7: Semiclassical Klein Tunneling with Berry phase corrections in Graphene
Univ. of Tsukuba^A，CREST，Japan Science and Tech. Agency^B，Tohoku Univ.^C　Christoph Minol Puetter^A，B，Satoru Konabe^A，B，Yasuhiro Hatsugai^A，C，Kenji Shiraishi^A，B

8: ステップ型周期ポテンシャルが印加されたグラフェン超格子のゼーベック係数評価
横国大院工　小野頌太，張明，野田祐輔，大野かおる

9: グラフェンの二重周期超格子に現れる新しいディラックコーンの生成則
東大理，東大生産研^A　田島昌征，羽田野直道^A

10: 孤立8員環欠陥による1次元ピーナッツ型フラーレンポリマーと非平面状グラフェンの傾斜Diracコーン形成
横浜国大院工　野田祐輔，大野かおる

11: ハチの巣格子の強束縛モデルにおけるディラック点とトポロジカル相転移
熊大教育，兵庫県立大物質理^A　岸木敬太，長谷川泰正^A

12: 単層アームチェアナノチューブ-グラフェンリボン接触系における層間電気伝導度（層間透過率）と層間ハミルトニアンの関係
静岡大工　田村了

13: グラフェン-絶縁体積層構造の電子輸送特性
物材機構MANA　細野一弘，若林克法

14: ナノリボンおよびナノチューブ積層グラフェンの電子構造
東工大　木造正太，是常隆，斎藤晋

28日　XQ会場　28pXQ　13:30～16:15

領域4
量子ドット

1: 取　　消

2: 半導体量子ドットの近藤状態を利用した抵抗検出型核磁気共鳴
理研，東大生産研^A　川村稔，Daniel Gottwald，大野圭司，町田友樹^A，河野公俊

3: 二重量子ドットにおける電子スピン核スピンフィードバックの安定性
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　藤澤利正，Sonia Sharmin，村木康二^A

4: Sharp dip structures in excited-state current spectrum of a double quantum dot
Tokyo Inst. of Tech.^A，NTT Basic Res. Labs.^B　Sonia Sharmin^A，Koji Muraki^B and Toshimasa Fujisawa^A

5: 量子ドット干渉計におけるスピン流の非平衡生成：摂動論による解析
筑波大物理　須能梓，谷口伸彦

6: ラシュバ量子ドット干渉計系における非平衡スピン分極の三端子電気的探査
筑波大物理　谷口伸彦

休憩　（15:00～15:15)

7: スピンブロッケイドの電流閉塞状態の遷移と電流の2値的振る舞い
理研^A，筑波大物理^B，東大物理工^C　天羽真一^A，都倉康弘^B，黒澤元^A，久保敏弘^B，近藤裕佑^A，C，樽茶清悟^A，C，河野公俊^A，大野圭司^A

8: 強磁場中量子ドットのスピン偏極単一電子トンネル電流の計数
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　山岸正和，渡瀬菜里衣，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

9: ポテンシャル傾斜調整による量子ドット-エッジチャネル間スピン依存伝導の電気的制御
東大工　木山治樹，藤田高史，寺岡総一郎，大岩顕，樽茶清悟

10: スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出II
東大物性研　金善宇，中村壮智，橋本義昭，家泰弘，勝本信吾

28日　PSA会場　28pPSA　13:30～15:30

領域4
領域4ポスターセッション

1: PbTiO₃薄膜へのキャリアドーピングとRashba効果の第一原理計算
金沢大自然，金沢大理工^A　大西峰志，石井史之^A，小鷹浩毅，斎藤峯雄^A

2: InNの近赤外領域における光学測定
大教大教養，大工大工^A　足達摩維，淀徳男^A，中田博保

3: 量子ホール電子系における希釈冷凍機温度でのKerr回転イメージング
千葉大院理，千葉大理^A，NTT物性基礎研^B，東北大院理^C，JST―ERATO^D　長尾佳介，軍司雄太，桐生直明^A，音賢一，室清文，熊田倫雄^B，平山祥郎^C，D

4: 量子ホール端状態間散乱を用いた閉じ込めポテンシャル近傍のスピン分裂の研究
農工大院工　伊藤惇，岡野俊，生嶋健司

5: 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析II
神戸大院工　古林優希，小川真人，相馬聡文

6: 二次元正孔系に作製された量子細線における電流揺らぎの測定
京大化研，阪大理物^A，スイス連邦工科大^B，ルール大ボーフム^C　西原禎孝，知田健作，荒川智紀，松尾貞茂，田中崇大，小林研介^A，小野輝男，Y. Komijani^B，K. Ensslin^B，D. Reuter^C，A. D. Wieck^C

7: 量子ドットによる時間分解トンネル分光測定の分解能
東工大院理工　鷲尾和久，橋坂昌幸，藤澤利正

8: 異方的フント則結合のあるアンダーソン量子ドットの非平衡電流と普遍特性
東大物性研，大阪市大理^A　阪野塁，小栗章^A

9: 擬二次元量子場に閉じ込められた電子系におけるスピン軌道相互作用
早大理工　井戸康太，横塚崇弘，武田京三郎

10: Sb₂Teの電子構造とトポロジカル不変量の第一原理計算
阪大院理，阪大産研^A　高崎英里子，籾田浩義^A，小口多美夫^A

11: 変分クラスター近似によるトポロジカル絶縁体への電子相関効果の研究
千葉大院理　宮腰祥平，太田幸則

12: 超伝導体における動的アクシオン場
京大理　塩崎謙，藤本聡

13: 酸化チタンナノシートにおける伝導特性
熊大院自然^A，CREST^B　奥梓^A，後藤堅司^A，田中彩華^A，谷口貴章^A，B，松本泰道^A，B，^○原正大^A，B

14: 半導体二次元電子系を用いた局所磁化状態の検出
熊大院自然，九大稲盛セ^A，CREST^B　神田侑典，松永尭紘，古川幸佑，原正大，野村竜也^A，木村崇^A，B

29日　XG会場　29aXG　9:30～12:15

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: Bi₂Te₂Seの電気抵抗測定と圧力誘起超伝導
新潟大院自然，新潟大理^A，新潟大超域^B，筑波大数理物質^C　榮永茉利，樋口雄一郎^A，大村彩子^B，石川文洋^A，中山敦子^B，山田裕^A，鈴木悠介^C，小松雅^C，柏木隆成^C，門脇和男^C

2: 高圧力下におけるBi₂Te₂Seの結晶構造探索
新潟大超域，新潟大院自然^A，新潟大理^B，筑波大数理物質^C　大村彩子，榮永茉利^A，樋口雄一郎^B，落合崇幸^B，石川文洋^B，中山敦子，山田裕^B，鈴木悠介^C，小松雅^C，柏木隆成^C，門脇和男^C

3: Thermodynamic approach to the possibly topological superconductor Cu_xBi₂Se₃
Inst. of Scientific and Industrial Res.，Osaka Univ.　M. Kriener，K. Segawa，S. Sasaki，Y. Ando

4: ドープされたトポロジカル結晶絶縁体Sn_1-xIn_xTeの超伝導特性
阪大産研，MIT^A　佐々木聡，任之，A.A.Taskin，瀬川耕司，L.Fu^A，安藤陽一

休憩　（10:30～10:45)

5: Cu_xBi₂Se₃系の結晶構造解析
NIMS，筑波大^A　茂筑高士，鈴木悠介^A，松下能孝，土屋佳則，藤井宏樹，小林剛，勝矢良雄，田中雅彦，坂田修身，門脇和男^A

6: Bi系トポロジカル絶縁体の磁場中輸送特性
筑波大数理物質，物材機構^A　鈴木悠介，茂筑高士^A，柏木隆成，吉崎亮造，門脇和男

7: Persistent topological nature in unoccupied state of Bi₂Te₂Se probed by scanning tunneling microscopy
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，DIPC^C，Novosibirsk State Univ.^D　Munisa Nurmamat^A，K. Kuroda^A，M. Ye^B，K. Miyamoto^B，M. Nakatake^B，T. Okuda^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B，E. V. Chulkov^C，O. E. Tereshchenko^D，and A. Kimura^A

8: Nb蒸着したトポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_yのSTM/STS測定
東大物性研，阪大産研^A　金聖憲，吉澤俊介，江藤数馬^A，Zhi Ren^A，瀬川耕司^A，安藤陽一^A，小森文夫

9: BiTeIにおける両極性スピン分裂2次元電子ガスの分光イメージング測定
理研^A，東工大応セラ研^B，東大理^C　幸坂祐生^A，加納学^B，高木英典^A，C，笹川崇男^B

10: Weak Topological Insulator候補物質Bi₂TeIの単結晶作製と評価
東工大応セラ研　加納学，笹川崇男

29日　XL会場　29aXL　9:30～12:00

領域4
半導体スピントロニクス

1: In₂O₃:(Mn, TM) (TM=Cr,Fe,Co)の電子状態解析
早大理工，理研計器^A　吉岡剛志，西田創，山下大輔^A，山本知之

2: 取　　消

3: 取　　消

4: ビスマスにおけるスピン（磁気モーメント）ゼーベック効果
東大理，電通大先進理工^A，東理大理総合研究機構^B　小形正男，伏屋雄紀^A，福山秀敏^B

5: ビリヤード・シミュレーションを用いたメゾスコピックループアレイにおけるスピン軌道相互作用の決定
北大情報^A，阪大学理研^B，産総研^C，NTT物性研^D，NTTフォト研^E　澤田淳^A，古賀貴亮^A，小林研介^B，川畑史郎^C，関根佳明^D，杉山弘樹^E

休憩　（10:45～11:00)

6: Rashba型スピン軌道相互作用を示す2次元電子ガス2層系における整数量子ホール効果
北陸先端大ナノセ，物材機構^A　赤堀誠志，近藤太郎，日高志郎，岩瀬比宇麻，^○山田省二，今中康貴^A，高増正^A

7: 高In組成InGaAs2次元電子2層系のサブバンド輸送特性
北陸先端大ナノセ　近藤太郎，日高志郎，赤堀誠志，岩瀬比宇麻，山田省二

8: GaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の不純物分布依存性
北大工　明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸

9: Nb/InAs接合におけるAndreev反射の横方向電流および磁場方向依存性
東大物性研　中村壮智，尹東河，高井久弥，高橋侑市，橋本義昭，家泰弘，勝本信吾

29日　XP会場　29aXP　9:00～12:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 2層グラフェン層間化合物C₆AC₆(A = Li, Ca)の電子構造：ARPESおよびSTM
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，清水亮太^A，岩谷克也^A，一杉太郎^A，高橋隆^A，B

2: アルカリドープ2層グラフェン層間化合物の高分解能ARPES：ARPES study of alkali-doped bilayer graphene
東北大院理^A，東北大WPI^B　James Kleeman^A，高橋徹^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

3: アルカリ金属六方晶BN層間化合物の創製
東大新領域，東理大基礎工^A，東北大多元研^B　住吉篤郎，兵藤宏^A，佐藤庸平^B，寺内正己^B，木村薫

4: 酸素吸着グラフェンの高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　高橋徹^A，野口英一^A，James Kleeman^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

5: 窒素ドープグラフェンの酸素吸着活性とその吸着構造
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

6: 3次元nanoESCAを用いたグラフェンデバイス構造の実空間界面電子状態分析
東大工^A，東大放射光^B，JST-CREST^C，東北大電通研^D　永村直佳^A，B，C，豊田智史^B，C，黒角翔大^A，篠原稔宏^A，堀場弘司^A，B，C，尾嶋正治^A，B，C，井出隆之^D，吹留博一^D，末光眞希^D，長汐晃輔^A，鳥海明^A

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンのラマン分光における化学環境効果
東工大理　高井和之，森貴紀，榎敏明

8: グラフェンのトポロジカル欠陥におけるラマンDバンドの励起メカニズム
NTT物性基礎研^A，筑波大^B　佐々木健一^A，都倉康弘^A，B，寒川哲臣^A

9: 酸化グラフェンの吸収・発光特性とその起源
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B　小澤大知^A，宮内雄平^A，B，毛利真一郎^A，松田一成^A

10: X線定在波法によるグラフェン/サファイア界面の解析
原子力機構先端セ，TISNCM Russia^A，原子力機構量子ビーム^B　圓谷志郎，Pavel B. Sorokin^A，Pavel V. Avramov，大伴真名歩，松本吉弘，成田あゆみ^B，平尾法恵^B，下山巖^B，関口哲弘^B，楢本洋，馬場裕治^B，境誠司

11: 六方晶窒化ホウ素‐磁性金属界面のスピン偏極状態
原子力機構先端基礎セ，物材機構^A，千葉大院融合科学^B，高エネ研物構研^C　大伴真名歩，山内泰^A，山村野百合^B，Pavel V. Avramov，松本吉弘，圓谷志郎，小出明広^B，楢本洋，雨宮健太^C，藤川高志^B，境誠司

29日　XQ会場　29aXQ　9:00～12:00

領域4
量子ドット

1: 量子ドット電荷計による位相緩和
筑波大数理物質　久保敏弘，都倉康弘

2: トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価
東大工，東工大量子ナノエレ研セ^A，Technische Univ. München^B，Univ. Regensburg^C　武田健太，小幡利顕，福岡祐二^A，J. Sailer，A. Wild^B，小寺哲夫^A，小田俊理^A，D. Bougeard^C，G. Abstreiter^B，樽茶清悟

3: ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発
東大工，東工大量子ナノ研セ^A，東京都市大^B　小幡利顕，武田健太，神岡純^A，小寺哲夫^A，ワシームアクタ，澤野憲太郎^B，小田俊理^A，白木靖寛^B，樽茶清悟

4: 単一電子スピン高速ラビ振動の時間分解測定
東大工　米田淳，大塚朋廣，中島峻，高倉樹，小幡利顕，樽茶清悟

5: 多重量子ドットスピンの初期化の可能性
筑波大数理物質　都倉康弘，久保敏弘

6: 部分窒化された酸化膜をもつシリコンMOSトランジスタにおける量子ドット的輸送現象
理研^A，東芝^B　大野圭司^A，棚本哲史^B，大黒達也^B

休憩　（10:30～10:45)

7: 計数統計における測定分解能の影響
東大工　山田康博，今田正俊

8: 多電子領域における量子ドットの伝達位相測定
東大工，Inst. N\acute{e}el^A，Ruhr-Univ. Bochum^B　高田真太郎，山本倫久，Christopher B\ddot{a}uerle^A，渡辺健太，Andreas D. Wieck^B，樽茶清悟

9: 三角形三重量子ドットの近藤効果による誘起電気分極
静岡大教育，静岡大理^A，愛媛大理^B　古賀幹人，松本正茂^A，楠瀬博明^B

10: アンダーソン量子ドットの高バイアス極限でのクーロン斥力による電流揺らぎ II
大阪市大理，東大物性研^A　小栗章，阪野塁^A

11: トンネル結合制御可能な横型4重量子ドット
東大工　野入亮人，高倉樹，小幡利顕，大塚朋廣，米田淳，吉田勝治，樽茶清悟

29日　XQ会場　29pXQ　13:30～15:15

領域4
量子ドット・微小接合

1: 周期的に変動するゲート電圧下での量子ドットの非平衡電流とショットノイズ
東大物性研　鈴木貴文，加藤岳生，阪野塁

2: 並列二重量子ドットジョセフソン接合における非局所トンネル過程の検出
東大工^A，理研^B，東大生研^C，東大ナノ量子機構^D　馬場翔二^A，Juergen Sailer^A，Russell Deacon^B，大岩顕^A，柴田憲治^C，平川一彦^C，D，樽茶清悟^A，D

3: 磁束量子ビットにおけるサイドバンドラビ振動数からの結合定数の推定
横国大工　島津佳弘，岡村夏樹，戸田駿一，村田浩太郎

4: 超伝導／常伝導リードに繋がれた量子ドット系における電気伝導 ―量子モンテカルロ法による解析―
東工大理　古賀昌久

5: 分子接合の完全計数統計における特異点分布と揺らぎの定理
三重大工，ベングリオン大^A，筑波大数物^B　内海裕洋，O. Entin-Wohlman^A，植田暁子^B，A. Aharony^A

6: 分子接合における非平衡フォノン分布とACコンダクタンス
筑波大数物，三重大工^A，ベングリオン大^B　植田暁子，内海裕洋^A，Ora Entin-Wohlman^B，Amnon Aharony^B

7: 半導体量子ドットを利用した微小機械振動子の振動検出
NTT物性基礎研　岡崎雄馬，Imran Mahboob，小野満恒二，佐々木智，山口浩司