領域9

領域9 25日　JA会場　25aJA　9:30〜12:30

領域9
トポロジカル表面

1: X線回折によるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃超薄膜構造の膜厚依存性の研究
東大物性研　杉木祐人，白澤徹郎，橋本光博，山口雄大，高橋敏男

2: 層状極性半導体BiTeIの走査トンネル分光
理研^A，東工大応セラ研^B，東大理^C　幸坂祐生^A，加納学^B，高木英典^A，C，笹川崇男^B

3: STMおよび時間分解光電子分光によるBi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3の電子状態研究
東大物性研^A，阪大産研^B，JST-CREST^C　金聖憲^A、吉澤俊介^A、石田行章^A、宮町俊生^A、江藤数馬^B、Zhi Ren^B、瀬川耕司^B、安藤陽一^B、辛埴^A，C、小森文夫^A

4: TlBiSe₂(111)表面の原子構造
京大院理　八田振一郎，中辻一貴，大坪嘉之，奥山弘，有賀哲也

休憩　（10:30〜10:45)

5: トポロジカル絶縁体Bi₂Te₂Seの巨大Rashba効果
広大放射光^A，広大院理^B，トムスク大^C，ドノスティア国際物理研^D，ノボシビルスク大^E　宮本幸治^A，Nurumamat Munisa^B，黒田健太^B，奥田太一^A，仲武昌史^A，岩澤英明^A，島田賢也^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，S. Eremeev^C，T. Menshchikova^C，E. Chulkov^D，K. Kokh^E，O. Tereshchenko^E，木村昭夫^B

6: 角度分解光電子分光によるPb吸着Ge(001)表面におけるバンド分散構造の観察
奈良先端大物質創成　坂田智裕，武田さくら，山谷寛，ヌルイダユ，北川幸祐，久米田晴香，小久井一樹，大門寛

7: 金属蒸着TlBiSe₂の電子構造：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　正満拓也^A，田中祐輔^A，菅原克明^B，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，江藤数馬^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

8: 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体のフェルミ面ワーピング効果
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　野村円香^A，相馬清吾^B，江藤数馬^C，中山耕輔^A，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

9: 高分解能ARPESによるBi/Si(111)表面の特異な電子状態
東北大WPI^A，東北大院理^B，阪大産研^C　高山あかり^A，佐藤宇史^B，相馬清吾^A，小口多美夫^C，高橋隆^A，B

10: ビスマス超薄膜における半金属半導体転移の検証
東大理，分子研^A，お茶大理^B　平原徹，松波雅治^A，羽尻哲也^A，木村真一^A，長谷川修司，小林功佳^B

11: Sb₂Te₃基板上のSb薄膜の電子状態計算
お茶の水大理　小林功佳

25日　JB会場　25aJB　9:30〜12:00

領域9
結晶成長

1: 氷ベーサル面上での渦巻ステップの構造について
北大低温研　佐崎元，麻川明俊，長嶋剣，中坪俊一，古川義純

2: 移動する粒子源によるステップのパターン形成－フェーズフィールドシミュレーション(3)－
金沢大自然，名市大シス^A，金沢大IMC^B，名大理^C　岸和宏，三浦均^A，佐藤正英^B，上羽牧夫^C

3: Si(111)微斜面における不連続な表面張力：(7×7)-(1×1)相転移とステップの相互作用
大阪電通大工，NTT物性基礎研^A，群大理工院^B　阿久津典子，日比野浩樹^A，山本隆夫^B

4: ヘテロ基板上の吸着島拡散 II
慶大理工，リヨン大ILM^A　齋藤幸夫，Olivier Pierre-Louis^A

休憩　（10:30〜10:45)

5: 熱浴の化学ポテンシャルと平衡状態の化学ポテンシャルの差で表した臨界核生成可逆仕事の表式と核生成定理
徳島大院ソシオテクノサイエンス，学習院大計算機セ^A　森篤史，鈴木良尚，横山悦郎^A

6: 分子動力学法によるオストワルトライプニング
成蹊大，学習院大計セ^A　勝野喜以子，入澤寿美

7: 一様力を受けたブラウン粒子の壁面からの結晶化
金大IMC，名大VBL^A，徳島ソシオ^B　佐藤正英，勝野弘康^A，鈴木良尚^B

8: 揺らぎによって誘起される結晶カイラリティの破れII
名大VBL，名大理^A　勝野弘康，上羽牧夫^A

9: イオン液体とマンガン酸リチウム界面におけるリチウムイオン移動と電極相変化
東工大総理工^A，JST-CREST^B，阪大電顕セ^C　李少淵^A，B，大島義文^B，C，高柳邦夫^A，B

25日　JA会場　25pJA　13:30〜17:00

領域9シンポジウム
主題：二次元物質の成長過程

1: （シンポジウム講演）イントロダクション
京工繊大　岡田有史

2: （シンポジウム講演）グラフェン成長のその場観察
NTT物性基礎研　日比野浩樹

3: （シンポジウム講演）SiC上エピタキシャルグラフェンの成長過程とグラフェン・オン・シリコン技術
東北大通研　末光眞希

4: （シンポジウム講演）グラフェンのエピタキシャルCVD成長とドメイン構造
九大先導研　吾郷浩樹

5: （シンポジウム講演）表面偏析およびCVD法によるグラフェンの合成
豊田工大　吉村雅満

休憩　（15:25〜15:35)

6: （シンポジウム講演）Ag表面上のシリセンの構造
物材研MANA　荒船竜一

7: （シンポジウム講演）SPMを用いたAg超薄膜上のシリセンの研究
東工大総理工　平山博之

8: （シンポジウム講演）二ホウ化物薄膜上のシリセンの形成
北陸先端大マテリアル　高村(山田)由起子

26日　JA会場　26aJA　9:30〜12:15

領域9シンポジウム
主題：単一原子・単一分子・ナノ粒子での量子物性の新展開

1: （シンポジウム講演）イントロダクション
千葉大院融合　山田豊和

2: （シンポジウム講演）単一ナノ粒子・スピン共鳴制御
マックスプランク研　岡博文

3: （シンポジウム講演）単一磁性分子・近藤共鳴スピンダイナミクス
東大新領域　塚原規志

休憩　（10:35〜10:45)

4: （シンポジウム講演）単一分子・量子ダイナミクス
京大化　奥山弘

5: （シンポジウム講演）表面ナノ磁性・第一原理計算
三重大　中村浩次

6: （シンポジウム講演）単一原子・磁気イメージング
東大物性研　吉田靖雄

26日　JA会場　26pJA　13:45〜17:00

領域9
表面界面電子物性

1: Pd₇₀Au₃₀(110)表面の電子状態
東大生研，阪大リノベーション^A，Inst. Phys. Zagreb^B　小倉正平，岡田美智雄^A，I. Pletikosic^B，P. Pervan^B，M. Milun^B，福谷克之

2: Au/Ag(111)表面超構造のSTM/STS観察
横市大院生命ナノ　青木琢朗，横山崇

3: Au/Mo(112)における電子格子相互作用と構造相転移に関する研究
東北大^A，ネブラスカ大^B，広大院^C，Nat’l. Academy of Sciences of Ukraine^D，インディアナ大^E，広大放射光セ^F　福谷圭祐^A，B，林博和^C，I. N. Yakovkin^D，T. R. Paudel^B，Y. B. Losovyj^E，J. Jiang^F，岩澤英明^F，島田賢也^F，P. A. Dowben^B

4: 酸化シリコン表面への遷移金属吸着による電子状態変化の解析
横国大工，佐賀大シンクロトロン^A　大野真也，安部壮祐，高橋和敏^A，鎌田雅夫^A，田中正俊

5: レーザー光電子分光スペクトルに現れるサブサーフェスフォノン
理研，物材機構^A，東大新領域^B　南谷英美，荒船竜一^A，高木紀明^B，川合眞紀^B，金有洙

休憩　（15:00〜15:15)

6: 積層制御グラフェン層間化合物の光電子分光
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

7: 一次元原子鎖Pt/Ge(001)のスピン偏極した擬一次元金属電子状態と構造相転移
東大物性研，KEK-PF^A，Synchrotron SOLEIL^B　矢治光一郎，望月出海^A，金聖憲，武市泰男^A，原沢あゆみ，大坪嘉之^B，P. Le Fèvre^B，F. Bertran^B，A. Taleb-Ibrahimi^B，柿崎明人，小森文夫

8: スピン偏極バレーを有する特異なラシュバ効果
千葉大院融合，POSTECH^A，Linkoping Univ.^B，広大放射光^C，東大物性研^D，Munster Univ.^E，TASC Lab.^F，金沢大院自然^G　坂本一之，T-.H. Kim^A，大高実，J.R. Osciecki^B，宮本幸治^C，武市泰夫^D，原沢あゆみ^D，S.D. Stolwijk^E，A.B. Schmidt^E，J. Fujii^F，R.I.G. Uhrberg^B，M. Donath^E，H.W. Yeom^A，小田竜樹^G

9: 金属単原子層の電気伝導度に対する吸着原子の効果
京大院理　野間俊，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

10: その場電子顕微鏡法による金／酸化亜鉛／インジウムナノ接合系の電気伝導特性解析
筑波大院数理　石毛亮祐，木塚徳志

11: シリコン価電子帯に及ぼす内部歪みの効果
琉球大理　稲岡毅，柳澤将，嘉手川千央

12: Achieving Josephson spectroscopy at the atomic contacts: scanning tunneling microscopy and spectroscopy study
The Inst. for Solid State Phys.，The Univ. of Tokyo　Howon Kim，Yukio Hasegawa

26日　JB会場　26pJB　13:30〜17:00

領域9
表面界面構造

1: 銀表面に2層吸着した鉄フタロシアニン分子の吸着構造とその面方向依存
東大新領域　太田奈緒香，進藤一樹，古島弥来，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

2: Cu(111)表面上に配列したコロネン分子のSTM/STS観察
横市大院生命ナノ　根津朋美，横山崇

3: STM study of CO on Pt(111)：the dynamics of bridge-adsorbed CO inside the coverage-dependent overlayer structures
Univ. of Tokyo，RIKEN^A　Hyun Jin Yang，Yousoo Kim^A，Maki Kawai

4: グラフェンおよび窒素ドープグラフェンの分子吸着特性
東大新領域　小幡誠司，斉木幸一朗

5: シミュレーションによる原子間力顕微鏡のエネルギー減衰の研究
山口大院理工，アールト大^A　仙田康浩，今橋信行，嶋村修二，Janne Blomqvist^A，Risto Nieminen^A

6: 分子動力学シミュレーションによる氷Ih(0001)表面の2段階の融解
新潟大院自然　久賀みづき，家富洋

休憩　（15:00〜15:15)

7: Si(111)微斜面における(7×7)-(1×1)相転移温度の低下
大阪電通大工，NTT物性基礎研^A，群大理工院^B　阿久津典子，日比野浩樹^A，山本隆夫^B

8: Si(110)-(16×2)表面五員環構造の起源
物材機構^A，東芝R&Dセ^B，アスムス^C，東大生研^D　山崎隆浩^A，加藤弘一^B，宇田毅^C，大野隆央^A，D

9: Si(001)表面上に成長したFeシリサイドナノシートのTEM観察
奈良先端大物質創成，東レリサーチセ^A　服部賢，染田政明，太田啓介，大門寛，久留島康輔^A，大塚祐二^A

10: V(100)表面上における酸化エルビウム超薄膜の表面構造
名大工　大橋綾，柚原淳司

11: 京コンピュータにおける超大規模電子状態計算
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　星健夫^A，B，秋山洋平^A

12: 開放系並列化動的モンテカルロ計算による燃料電池の界面設計
東工大元素セ，JST-CREST，みずほ情報^A　多田朋史，渡辺尚貴^A

13: ペロブスカイト型複合酸化物表面における酸素搖動性触媒反応のエネルギー論
阪大基礎工　草部浩一

27日　JA会場　27aJA　9:15〜12:30

領域9
表面界面電子物性

1: Fe₃O₄(111)表面の電子状態
東大生産研，高エネ研^A　浅川寛太，武安光太郎，松本益明，河内泰三，張小威^A，福谷克之

2: 水素結合によるNO/Cu(110)の価電子状態と反応のSTM制御
京大院理　塩足亮隼，奥山弘，八田振一郎，有賀哲也

3: NaCl絶縁体薄膜上におけるフタロシアニン単分子の電子状態
東大新領域，理研^A，物材機構^B　今井みやび，今田裕^A，清水智子^B，金有洙^A，川合眞紀

4: 実デバイス環状チアジルラジカル分子薄膜の電子構造
千葉大院融合，名大物質国際研^A　森岡健太，水津理恵，阿波賀邦夫^A，坂本一之

5: 一次元Rashba chainにおけるCoulomb相互作用の効果
兵庫県大理　三井隆志，島信幸，馬越健次

休憩　（10:30〜10:45)

6: （招待講演）少数分子/ナノカーボン複合体の電気特性と新機能発現
阪大理　田中啓文

7: 非平衡大規模系における第一原理電子輸送計算
筑波大数物，NEC^A　高木博和，小林伸彦，広瀬賢二^A

8: 取　　消

9: TDDFT法によるNANOLEEDのシミュレーション
東理大理　坪野谷啓介，胡春平，渡辺一之

10: 第一原理分子動力学法によるカーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の研究II
原子力機構量子ビーム，東工大^A，北陸先端大^B　池田隆司，Guoliang Chai^A，Zhufeng Hou^A，寺倉清之^A，B

11: MBE成長したナノリボン・グラフェンのπ電子状態
東大物性研，東工大総理工^A，九大院工^B　飯盛拓嗣，中辻寛^A，金聖憲，梶原隆司^B，Anton Visikovsliy^B，田中悟^B，小森文夫

27日　JB会場　27aJB　9:00〜12:15

領域9
表面界面構造

1: 全反射陽電子回折法による最表面原子配列の観測
原子力機構先端基礎研^A，高エネ研物構研^B　深谷有喜^A，前川雅樹^A，望月出海^B，和田健^B，兵頭俊夫^B，河裾厚男^A

2: ストリークカメラ反射高速電子回折による2次元回折パターンの時間変化
東北大工　向島健太，虻川匡司，神崎慎二

3: 波動関数によるRHEED強度振動の起源の解析
山梨大　川村隆明

4: ワイゼンベルグRHEEDによるSi(111)-√7×√3-In表面の構造解析
東北大工　神崎慎二，向島健太，虻川匡司

5: 高温Si(001)2×1表面の多波RHEED法による構造解析
大同大工，東北大多元研^A　堀尾吉已，高桑雄二^A，小川修一^A，田代将人

6: 光電子回折分光法によるAlN/SiC(11-20)界面の原子構造解析
奈良先端大物質^A，JASRI/SPring-8^B　前島尚行^A，松井文彦^A，堀田昌宏^A，松井公佑^A，大田拓也^A，石井良^A，藤田將喜^A　安田馨^A，松下智裕^B，大門寛^A

休憩　（10:30〜11:15)

7: 阻止電位型光電子回折測定装置によるMoS₂の立体原子配列測定
高輝度光科学研究セ，阪大基礎工^A　松下智裕，室隆桂之，泉雄大，加藤有香子，藤原秀紀^A，木下豊彦

8: 光電子回折分光法による脱硫触媒Ni₂P及び関連合金表面の原子構造・電子状態解析と触媒活性の相関
奈良先端大，JASRI/SPring-8^A，北大触媒セ^B　松井公佑，松井文彦，前島尚行，松下智裕^A，有賀寛子^B，朝倉清高^B，大門寛

9: 高輝度反射高速陽電子回折法によるTiO₂(110)表面構造の研究
高エ研，北大触媒研^A，原子力機構先端基礎^B　望月出海，有賀寛子^A，深谷有喜^B，和田健，兵頭俊夫，朝倉清高^A，前川雅樹^B，河裾厚男^B

10: ルチル型TiO2(110)表面超親水化反応における表面構造変化
東大物性研，東京学芸大^A，高エ研-PF^B　白澤徹郎，Voegeli Wolfgang^A，荒川悦雄^A，松下正^B，高橋敏男

27日　PSA会場　27pPSA　13:30〜15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: MOS-Si界面領域の断面STM/STS測定
奈良先端大物質　加藤直也，立花和也，広田望，廣田政人，中家佑吾，服部賢，大門寛

2: 圧縮されたCu(001)表面における構造緩和
東大物性研　山田正理，小森文夫

3: Tiシード層挿入による凝集促進効果を用いた自己組織化Agナノ構造の基板依存性
東大生研，芝浦工大^A，筑波大^B，物材機構^C，韓国光云大^D　神子公男，末永亮^A，野瀬健二，具正祐^B，C，弓野健太郎^A，光田好孝，河在根^D

4: Si(111)7×7基板上Ag超薄膜表面のリップル構造
東工大総理工　吉池雄作，^○福元博之^A，青木悠樹^B，中辻寛^C，平山博之^D

5: Cu(110)に吸着したH2SのSTM観測
京大院理　塩足亮隼，奥山弘，八田振一郎，有賀哲也

6: 単一分子STM観察のためのエレクトロスプレー蒸着法
横浜市大院生命ナノ，分子研^A　川崎光徳，小暮勇太，横山崇，田中彰治^A

7: 超高真空下プロセスによる基板上ナノ構造の作成と評価
情通機構，広大先端物質^A　田中秀吉，鈴木仁^A，富成征弘

8: 平坦金基板のナノ滑り摩擦
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　町田慎悟，井上大輔，筏有加，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

9: フラーレン蒸着膜のナノすべり摩擦
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　筏有加，井上大輔，町田慎悟，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

10: エタノール水溶液中での表皮角層挙動のその場観察
徳島大工　高橋和子，^○柳谷伸一郎，後藤信夫

11: スピン偏極STMを用いたAg(111)上における酸素分子の磁性
東大物性研　山本駿玄，吉田靖雄，長谷川幸雄

12: 取　　消

13: Si/SiC(0001)表面におけるNOを用いた熱酸窒化による構造のLEEDによる構造解析
九大総合理工　幸松諒，水野清義，中川剛志

14: PbまたはBi吸着Ge/Si(111)表面の電子構造
京大院理　八田振一郎，林幸広，野間俊，奥山弘，有賀哲也

15: Ag超薄膜とSi(111)基板との界面における水素吸着
東工大総理工　中辻寛，青木悠樹，福元博之，平山博之

16: 直線偏光2次元光電子分光法による遷移金属二ホウ化物の原子軌道解析
奈良先端大院物質，立命館大^A，物材機構^B　堀江理恵，松井文彦，滝沢優^A，相澤俊^B，大谷茂樹^B，難波秀利^A，大門寛

17: 環状チアジルラジカル分子の吸着によるAg薄膜の量子井戸準位の変調
千葉大院融合，名大物質国際研^A　林田崇志，水津理恵，珠玖良昭^A，阿波賀邦夫^A，坂本一之

18: 光反応性高分子液晶の軟X線吸収分光による表面配向性の評価
兵庫県大高度産業科学技研，兵庫県大工^A　春山雄一，岡田真，稲田陽之助^A，近藤瑞穂^A，川月喜弘^A，松井真二

19: 超薄膜Silicon on insulator(SOI)の表面構造と電子状態
奈良先端大　小久井一樹，武田さくら，坂田智裕，北川幸祐，久米田晴香，大門寛

20: 電解質溶液中のAu表面上に吸着したピリジン分子の表面反射分光
横浜国大院工　二之宮成樹，藤森佑人，川崎朋晃，田中正俊，大野真也，関谷隆夫

21: 軟X線吸収分光法と光電子分光法を用いた酸化マグネシウム微粒子の研究
九州シンクロトロン光研究セ　小林英一，岡島敏浩

22: 窒素吸着Cu(001)面のコヒーレント光励起
東大物性研^A，NHK放送技研^B　河村紀一^A，B，飯盛拓嗣^A，山田正理^A，小森文夫^A

23: ナノコンタクト型ジョセフソン接合における微分伝導特性のサイズ変化
九大院工，金沢大教育^A　高田弘樹，家永紘一郎，大西雄貴，稲垣祐次，辻井宏之^A，河江達也

24: 液体水素温度におけるPdの水素吸蔵
九大院工，金沢大教育^A　大西雄貴，家永紘一郎，高田弘樹，稲垣祐次，辻井宏之^A，河江達也

25: Surface structure study of Si-adsorption on Ag(111) by Low Energy Electron Diffraction.
Dept. of Molecular and Material Sci.，Kyushu Univ.　Md Sazzadur Rahman，Takeshi Nakagawa，Seigi Mizuno

26: SiC(0001)上のグラフェン成長過程におけるC-rich(√3×√3) R30°の構造解析
九大院工　林真吾，Visikovskiy Anton，梶原隆司，田中悟

27: Ag/Si(111)上におけるPd成長と水素吸着・吸蔵
東工大総理工　青木悠樹，中辻寛，平山博之

28: 液体ヘリウムフリー超高真空冷却試料マニピュレータの試作
物材機構　鈴木拓，菱田俊一

29: Ni薄膜の円偏光光電子・Auger 電子回折の角度分布
奈良先端大，JASRI/SPring-8^A　大田拓也，松井文彦，藤田將喜，前島尚行，松井公佑，松下智裕^A，大門寛

30: フォトニックバンドとプラスモニクスのハイブリッド効果の発現を目指したゲル固定化コロイド結晶上への金属ナノ粒子の付着
徳島大院先端，徳島大院ソシオテクノサイエンス^A，物材機構^B　東伸悟，森篤史^A，鈴木良尚^A，原口雅宣^A，橋本修一^A，澤田勉^B

31: Yの単原子コンダクタンス
京大工　石野裕士，石田裕基，黒川修，^○酒井明

32: 3d遷移金属薄膜用パルスレーザー蒸着装置の開発
JASRI，東北大金研^A　小嗣真人，大槻匠，大河内拓雄，小嶋隆幸^A，荻原美沙子^A，田代敬之^A，水口将輝^A，高梨弘毅^A

33: {¥it ab initio} Simulation of Graphene Growth on Nickel (111) Surface
Kumamoto Univ.，Kyushu Univ.^A，Univ. of Tokyo^B　Rizal Arifin，Fuyuki Shimojo，Kohei Shimamura^A，Yasushi Shibuta^B，Shu Yamaguchi^B

34: Niクラスター表面におけるカーボンナノチューブ生成過程への水分子の寄与：第一原理分子動力学シミュレーション
熊大院自然，九大院工^A，東大院工^B　橋爪航，Rizal Arifin，島村孝平^A，小栗和也^B，渋田靖^B，下條冬樹，山口周^B

35: Co/Ni多重層の積層過程における磁気特性の変化に関する理論的研究
阪大工，大阪電通大^A，お茶大理^B，アリゾナ州立大^C　小島一希，Wilson Agerico Diño，鈴木雅彦^A，安江常夫^A，工藤和恵^B，阿久津典子^A，Ernst Bauer^C，越川孝範^A，笠井秀明

36: STM探針下における局在表面プラズモンと振動の結合機構
琉球大理，東北大通研^A　稲岡毅，上原洋一^A

37: 2層シリセンの電子透過特性の計算
お茶の水大理　中尾裕美，野上陽加里，小林功佳

38: 窒化ガドリニウム／窒化ガリウム界面の電子物性について
横浜国大工　加川俊哉，レービガー・ハンネス

39: LaCoO₃及びLa_0.5Ca_0.5CoO₃表面におけるスピン状態の第一原理計算
東大院工^A，東工大^B　中村俊也^A，多田朋史^B，渡邉聡^A

40: Feフタロシアニン結晶における多重項構造と構造多形
三重大院工　坂井俊夫，北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

41: Si(100)表面上におけるスチレン-NH2鎖の構造安定性
和歌山大シス工　田中涼，小田将人，篠塚雄三

42: 遷移金属メタロセンの多重項構造の第一原理計算
三重大院工　名和憲嗣，北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

43: 第一原理計算によるNi/YSZ界面構造に依存した化学/物理的な特性解析
東工大元戦，CREST-JST　竹本整司，多田朋史

44: ベリー曲率が寄与する熱電効果：二次元電子系の場合
金沢大自然，金沢大理工^A　水田耀ピエール，石井史之^A

45: Pythonを用いた電子状態計算むけ波動関数可視化ツールの開発
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　山崎渓太^A，秋山洋平^A，星健夫^A，B

46: Si(001)表面上に吸着されたPTCDA分子のSTM像のシミュレーション
鳥取大　吉本芳英

47: グラフェン上の水素原子間の動的過程と有効相互作用
岡山理大院工　斎藤祐矢，垣谷公徳

48: ナノ構造プラズモンの実空間実時間第一原理シミュレーション
東理大理^A，物材機構WPI-MANA^B　山本紀彰^A，春山潤^B，胡春平^A，渡辺一之^A

49: 遷移金属フタロシアニンの磁気光学特性
三重大院工　北岡幸恵，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

50: 人工超格子(LaMnO₃)_m/(SrTiO₃)_nの第一原理計算
金沢大自然，金沢大理工^A　西田美穂，石井史之^A，斎藤峯雄^A，小鷹浩毅^A

51: 第一原理計算によるグラファイト基板上のZnOの成長の研究
鳥大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

52: 輸送気相法ペンタセン結晶の形成プロセスの検証
愛知学院大，SPring-8^A，山口東理大^B　城貞晴，梶原堅太郎^A，竹永満^B

53: 窒素とヘリウムDBDプラズマ処理された酸化チタン薄膜の表面状態
徳島大院工，兵庫県大高度研^A，中部大総工研^B，ペガサスソフトウェア^C　川上烈生，新部正人^A，中野由崇^B，松永史彦^C，山田哲也，仲祐弥，白濱達夫，青木一馬，高畑麻里，大場健太

54: 機能性酸化物3次元ナノ超構造体作製技術の構築
阪大産研　服部梓，藤原康司，櫛崎貴吉，尾野篤志，藤原宏平，田中秀和

55: Si(111)上の希薄磁性表面の電気伝導度測定
東大理　申東潤，平原徹，長谷川修司

56: 化学剥離チタニアナノシートの電気的特性
熊大院自然^A，CREST^B　田中彩華^A，松崎浩二^A，斉藤夏海^A，谷口貴章^A，B，松本泰道^A，B，原正大^A，B

57: アモルファスカーボンナノ薄膜の透過二次電子のエネルギー分布測定
奈良先端大物質　廣田政人，豊嶋孝文，広田望，加藤直也，服部賢，大門寛

58: MOS構造表面からの電圧印加による脱離種の解析
奈良先端大物質　広田望，加藤直也，廣田政人，中家佑吾，服部賢，大門寛

59: W(110)基板上Co超薄膜の磁性研究
京大理，分子研　中野裕仁

60: Pd触媒の表面下水素濃度分布とオレフィン水素化反応への活性
東大生研　大野哲，Markus Wilde，福谷克之

61: 水素原子・分子線と酸化物表面の相互作用
東大生研　武安光太郎，浅川寛太，小倉正平，福谷克之

62: φ-RHEED測定によるSi(001)-Mn系表面の3次元島の構造解析
奈良先端大物質　中家佑吾，木村明日香，太田啓介，加藤直也，服部賢，大門寛

63: 金(111)表面上のスクアリン酸における構造及び電子状態のSTM観測
理研，東理大総化，理研^A，東理大総化^B　上治寛，呉準杓^A，宮村一夫^B，金有洙^A

64: 金属電極間単分子架橋系の交流応答特性の理論計算
東大院工　川尻雄基，平井大介，笹岡健二，俵有央，渡邉聡

65: カーボンナノチューブ中におけるカーボンナノチューブCVD成長
阪大院理　長谷川駿行，河野日出夫

66: ナノポーラスTiO₂表面における混合色素(N719/D131)の吸着状態
物材機構 GREEN　本田充紀，柳田真利，韓礼元，宮野健次郎

28日　JA会場　28aJA　9:00〜12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 強磁性Ni(110)上のAu量子ワイヤにおけるRashbaスピン分裂バンド
広大院理，広大放セ^A　藁科拓也，宮本幸治^A，黒田健太，岡本和晃，前川貴政，木村昭夫，生天目博文^A，谷口雅樹^A，奥田太一^A

2: その場電子顕微鏡法によるロジウムナノ接点の臨界剪断応力の解析
筑波大院数理　大古喬之，木塚徳志

3: 銀原子ワイヤー形成の電圧依存性
筑波大院数理　山田浩平，木塚徳志

4: 白金原子ワイヤーのその場電子顕微鏡観察とコンダクタンス計算
筑波大院数理　喜美候部良吾，谷中淳，木塚徳志

5: 窒素分子を利用した銅単原子ワイヤーの安定形成
東工大院理工　金子哲，中村優雅，木口学

6: Au単原子接点の安定性への分子吸着効果
東工大院理工，物材機構^A　村井大午，中住友香，木口学，塚越一仁^A

休憩　（10:30〜10:45)

7: 第一原理計算による原子間ポテンシャル生成と熱伝導計算
筑波大数理，NECスマートエネ研^A　山本晃平，石井宏幸，小林伸彦，広瀬賢二^A

8: 径の異なるカーボンナノチューブの局所反応性について3次元力場分光による研究
ハンブルク大物理^A，金工大基礎教^B，成蹊大理工^C　芦野慎^A，B，足立進^B，佐々木成朗^C，Roland Wiesendanger^A

9: 金内包カーボンナノカプセル単一粒子接合系の電子顕微鏡観察
筑波大院数理　松浦大輔，木塚徳志

10: 分子性架橋と金属電極との接合界面のデザイン
阪大院工　中西寛，笠井秀明

11: 炭素系ナノ構造における第一原理電子輸送特性シミュレーション
北大院工　江上喜幸，明楽浩史

12: Impulse Response法による単分子接合における動的電子輸送特性の吸着構造依存性に関する研究
北大院工，阪大院工^A　江上喜幸，広瀬喜久治^A

28日　JB会場　28aJB　9:15〜12:15

領域9
表面界面ダイナミクス

1: 金表面での水素分子のオルソーパラ転換
東大生研　樫福亜矢，福谷克之

2: Cu(111)表面におけるギ酸分解反応のキネティクス
東大物性研　塩澤佑一朗，小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，^○吉信淳

3: トンネル電子によるAg(110)基板上でのCO分子のホッピング
理研　呉準杓，金有洙

4: 金ナノ粒子触媒のガス雰囲気におけるTEM観察とカソードルミネッセンス分光
東工大院理工^A，JST-CREST^B　田中崇之^A，B，山本直紀^A，B，高柳邦夫^A，B

5: シリコン表面の銀マイクロ薄膜の光電子顕微鏡観察
岡大院自然　脇田高徳，村岡祐治，横谷尚睦

休憩　（10:30〜10:45)

6: 取　　消

7: Au(100)の表面再構成構造とそのダイナミクス2
立命館大理工，金沢大工^A，関西学院大理^B，阪大電顕セ^C　清水寧，新山友暁^A，川村真澄，澤田信一^B，保田英洋^C

8: ピコ秒からサブマイクロ秒時間領域における金属のフェムト秒レーザーアブレーションダイナミクスの観測
原子力機構，徳島大院ソシオ^A，東北大工^B，東大物性研^C　長谷川登，錦野将元，海堀岳史，平野祐介，守田利昌，河内哲哉，山極満，富田卓朗^A，江山剛史^A，柿本直也^A，羽富大起^B，大西直文^B，南康夫^C，武井亮太^C，馬場基芳^C，末元徹^C

9: Pt表面におけるフェムト秒レーザーアブレーション過程の分子動力学解析
東北大工，原子力機構^A，徳島大院ソシオ^B，東大物性研^C　羽富大起，大西直文，錦野将元^A，長谷川登^A，富田卓朗^B，河内哲哉^A，山極満^A，末元徹^C

10: 高分解能イオン散乱分光によるCu(001)表面の緩和と振動の異方性・相関の決定
立命館大理工　光原圭，冨永一貴，松田太志，城戸義明

11: フェムト秒レーザーによる金属表面の発色機能化の機構解明と制御
京大院理，京大化研^A，京大工^B，阪大^C　川本真央，橋田昌樹^A，宮坂泰弘^A，清水雅弘^B，井上峻介^A，畑昌育^A，時田茂樹^C，阪部周二^A

28日　KM会場　28aKM　9:00〜12:45

領域3，領域9合同
表面磁性

1: Au(001)上Pd(001)超薄膜のSTM/STS観察
大阪教育大　川越毅，芳本祐樹，嘉本未奈

2: 取　　消

3: Au(111)上に形成したCoナノクラスターの構造と磁性
広大院理^A，物材機構^B，広大放射光^C　岸水悠介^A，上野哲朗^B，沢田正博^C，古田尚史^A，木村昭夫^A，生天目博文^C，谷口雅樹^A，C

4: Ni/Pd(001)超薄膜の構造および磁性の膜厚依存性
広大理^A，広大放射光セ^B，物材機構^C　古田尚史^A，沢田正博^B，上野哲朗^C，岸水悠介^A，生天目博文^B，谷口雅樹^B

5: 希土類酸化物EuO超薄膜における電子構造の膜厚依存性
名工大院工^A，名大院工^B，分子研UVSOR^C，総研大物理^D　宮崎秀俊^A，犬飼学^A，羽尻哲也^B，C，伊藤孝寛^B，松波雅治^C，D，木村真一^C，D

6: 垂直磁化GdFeCo薄膜の光誘起磁化反転ダイナミクスの補償温度依存性
JASRI/SPring-8，阪大基礎工^A，Research Centre Jülich^B，東北大工^C，日大理工^D，阪大産研^E，MPI/Halle^F　大河内拓雄，藤原秀紀^A，小嗣真人，Roman Adam^B，高橋宏和^C，角田匡清^C，塚本新^D，関山明^A，中村哲也，大沢仁志，Claus M. Schneider^B，菅滋正^E，F，木下豊彦

7: レアメタルフリーL10-FeNiの初期成長と垂直磁化
JASRI，東北大金研^A，東大物性研^B　小嗣真人，大槻匠，大河内拓雄，小嶋隆幸^A，荻原美沙子^A，田代敬之^A，水口将輝^A，谷内敏之^B，辛埴^B，高梨弘毅^A

休憩　（10:45〜11:00)

8: 埋もれたFe/Fe₃O₄反平行交換結合界面の局所構造・局所磁性探査
名工大工，筑波大物工^A　壬生攻，柳原英人^A，喜多英治^A，井上順一郎^A

9: 反強磁性的結合をした磁気異方性を持つ2倍周期Fe/Au多層膜の層分解Fe磁化構造
若狭湾エネルギー研究セ，奈良先端大物質^A　山岸隆一郎，長谷川崇^A，甘崎晋次郎^A，細糸信好^A

10: Ga+イオン照射によるPt/Co/Pt薄膜の格子歪みと磁気異方性変化
高エ研，Univ. of Bialystok^A，Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf^B，Polish Academy of Sci.^C　酒巻真粧子，雨宮健太，P. Mazalski^A，I. Sveklo^A，Z. Kurant^A，A. Maziewski^A，M. O. Liedke^B，J. Fassbender^B，A. Wawro^C，L. T. Baczewski^C

11: Pt/Co/Pt薄膜へのGaイオン照射による面直磁化の発現：深さ分解XMCD法による観察
高エ研，Univ. of Bialystok^A，Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf^B，Polish Academy of Sciences^C　雨宮健太，酒巻真粧子，P. Mazalski^A，I. Sveklo^A，Z. Kurant^A，A. Maziewski^A，M. O. Liedke^B，J. Fassbender^B，A. Wawro^C，L. T. Baczewski^C

12: 取　　消

13: NiOナノ結晶の高圧力下構造解析
九工大工，福大理^A　美藤正樹，田尻恭之^A，香野淳^A，中村和磨，出口博之

14: 強磁性共鳴による鉄ナノ粒子の磁気特性評価
阪大基礎工　縄岡孝平，三輪真嗣，水落憲和，新庄輝也，鈴木義茂

28日　JA会場　28pJA　13:30〜16:15

領域9
表面界面構造

1: 格子振動エネルギー散逸の変化が及ぼす固体間摩擦への影響：同位体ダイヤモンドを用いた検証
豊田中研，産総研^A　梶田晴司，渡邊幸志^A，遠山護，鷲津仁志，大森俊英，鹿田真一^A

2: 水素終端Si(110)-(1×1)表面の初期酸化過程
東北大院理^A，東理大理^B，理研^C　川本絵里奈^A，新村紘和^A，松下ステファン悠^A，加藤大樹^B，山田太郎^C，須藤彰三^A

3: レーザー第2高調波発生法を用いたRb飽和被覆Si(100)表面におけるRb原子拡散と表面構造の考察
防衛大応用物理　齊藤文一，小甲顕史，鈴木隆則

4: REMPI と TDS によるパラジウムの水素吸収脱離における表面修飾効果
東大生研　宮尾幸太郎，大野哲，Markus Wilde，福谷克之

5: SrTiO₃(001)表面におけるH^-の安定構造
東大生研，東京学芸大^A　武安光太郎，深田啓介，小倉正平，松本益明^A，福谷克之

6: シリコン源を用いた硝酸酸化法によるSiO2/Si構造の形成メカニズムとその特性
阪大産研　今村健太郎，^○松本健俊，小林光

休憩　（15:00〜15:15)

7: 電界イオン顕微鏡における電界吸着原子上の電場強度の定量的評価
大阪市大院工　山田達気，小林中

8: 角度分解赤外吸収分光法によるアルキル-Si(111)膜の分子配向の決定
阪大産研，東大物性研^A　古橋匡幸，吉信淳^A

9: Si(111)表面にアンカーさせたフェニル化合物の構造と電気伝導
東大物性研　原田洋介，小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，^○吉信淳

10: 取　　消

28日　JB会場　28pJB　13:45〜16:15

領域9
表面局所光学現象

1: 金属のフェムト秒レーザーナノアブレーション機構〜アブレーション率のレーザー入射角度依存性〜
京大化研^A，京大院理^B　宮坂泰弘^A，B，橋田昌樹^A，B，西井崇也^A，B，阪部周二^A，B

2: フェムト秒レーザーにより自己形成するナノ周期構造：金属及び半導体
京大化研，京大院理^A，Czech Tech. Univ.^B，京大院工^C，核融合研^D，阪大レーザー研^E　橋田昌樹，Laura Gemini^B，清水雅弘^C，宮坂泰弘^A，坂上仁志^D，井上峻介，時田茂樹^E，阪部周二

3: 非相対論的レーザーによる周期的ナノ構造の形成機構
核融合研，京大化研^A　坂上仁志，橋田昌樹^A，阪部周二^A

4: 水素終端Si(111)-(1×1)面上におけるAgナノクラスターの電子励起状態
東北大院理，東理大理^A，理研^B　松下ステファン悠，加藤大樹^A，川本絵里奈，山田太郎^B，須藤彰三

5: 赤外放射光を光源とした赤外近接場分光
JASRI/SPring-8，神戸大理^A　池本夕佳，岡村英一^A，森脇太郎，木下豊彦

休憩　（15:00〜15:15)

6: THz周波数領域におけるSTM発光
東北大通研，産総研^A，仙台高専^B　上原洋一，桑原正史^A，鈴木哲^B，丹野健徳，片野諭

7: ポンプープローブSTM発光分光
東北大通研，産総研^A　上原洋一，桑原正史^A，片野諭

8: フタロシアニン単分子のSTM発光
理研，東大新領域^A，物材機構^B　今田裕，今井みやび^A，清水智子^B，川合真紀^A，金有洙

9: 走査トンネル顕微鏡発光における励起子－プラズモン結合の影響
阪大院工　三輪邦之，坂上護，笠井秀明