領域4

領域4 25日　DD会場　25aDD　9:45〜11:45

領域4
量子細線・微小接合

1: 半導体ナノワイヤにおける異常ジョセフソン効果の数値計算
理研CEMS，慶大理工^A　横山知大，多々良源，江藤幹雄^A

2: アルミニウムトンネル型単一微小ジョセフソン接合の輸送特性研究
東理大，産総研^A，筑波大^B，物材機構MANA^C　佐久間大輔，田野佑典，石黒亮輔，柏谷聡^A，野村晋太郎^B，高柳英明^C

3: 超伝導リードと常伝導アイランドを持つターンスタイル素子による定電流生成II
産総研^A，理研基幹研^B，NECグリーンイノベ研^C　中村秀司^A，B，Yuri Pashkin^B，蔡兆申^B，C，金子晋久^A

休憩　（10:30〜10:45)

4: 表面弾性波を用いた単一電子のコヒーレント制御
東大工，Inst. Neel^A，Univ. Joseph Fourier^B，Ruhr-Univ. Bochum^C　高田真太郎，山本倫久，中村隼也，渡辺健太，C. Báuerle^A，B，A. D. Wieck^C，樽茶清悟

5: 二次元正孔系に作製された量子細線における電流揺らぎの測定II
京大化研，阪大理^A，スイス連邦工科大^B，ルール大ボーフム^C　西原禎孝，小野輝男，前田正博^A，荒川智紀^A，田中崇大^A，則元将太^A，小林研介^A，Y. Komijani^B，K. Ensslin^B，D. Reuter^C，A. D. Wieck^C

6: 量子細線ラストプラトー以下における分数電荷構造の活性化エネルギー解析
千葉大院融合，ニューヨーク州立大バッファロー校^A　佐藤駿，項少華，藤和俊，T.Luan Nguyen，向笠直紀，青木伸之，S.Xiao^A，J.P.バード^A，落合勇一

7: 量子ポイントコンタクトを用いた機械振動検出
NTT物性基礎研　岡崎雄馬，Imran Mahboob，小野満恒二，佐々木智，山口浩司

25日　DK会場　25aDK　9:00〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体

1: Density of state scaling at the topological insulator transitions
上智大理工，広大先端研^A，Simon Fraser Univ.^B，Max-Planck-Inst. feur Physik Komplexer Systeme^C　小林浩二，大槻東巳，井村健一郎^A，C，Igor Herbut^B，C

2: 金属・トポロジカルアンダーソン絶縁体転移の量子臨界性
名大工，東北大金研^A，広大先端研^B，東北大理^C　山影相，野村健太郎^A，井村健一郎^B，倉本義夫^C

3: 変分クラスター近似による2次元トポロジカル反強磁性相の研究
千葉大院理　宮腰祥平，太田幸則

4: 一次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果
京大理　吉田恒也，Robert Peters，藤本聡，川上則雄

5: 3次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果の格子ゲージ理論に基づいた解析
東北大金研，構造計画研^A，テキサス大オースティン校^B　関根聡彦，中野嵩士^A，荒木康史^B，野村健太郎

6: 軌道磁性効果に由来するトポロジカル絶縁体相
早大理工　後藤慎平，栗原進

休憩　（10:30〜10:45)

7: Magnetoelectric effect in topological insulator films beyond linear response regime
Inst. for Materials Res.，Tohoku Univ.　Dashdeleg Baasanjav，Oleg Tretiakov，Kentaro Nomura

8: トポロジカル絶縁体における磁気抵抗効果
名大工，東工大理^A　田口勝久，横山毅人^A，田仲由喜夫

9: 強磁性体／トポロジカル絶縁体接合におけるスピン拡散
東工大理，UCLA^A　横山毅人，Yaroslav Tserkovnyak^A

10: 強磁性シリセン接合におけるバレー・スピン輸送
東工大理　横山毅人

11: トポロジカル絶縁体表面上のカイラルエッジ状態と量子電荷誘導
阪大院基礎工　服部公則

12: Effect of Rashba spin-orbit coupling to a topological insulator with simultaneous nonzero charge and spin Chern numbers
WPI-MANA，NIMS^A，Dept. of Materials Sci. and Eng.，Univ. of Tsukuba^B　Longhua Wu^A，B，Qifeng Liang^A，Xiao Hu^A，B

13: 歪みを加えたガリウムヒ素表面における量子スピンホール効果
所属無し　飯島智徳

25日　DD会場　25pDD　13:45〜16:15

領域4
量子井戸・光応答

1: GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子－励起子散乱の発光ダイナミクス
阪市大院工　古川喜彬，竹内日出雄，中山正昭

2: 量子ビートによる超高速応答に対するフォノンの効果
神戸大院工，情通機構^A　小島磨，小島健太，喜多隆，赤羽浩一^A

3: Siナノレイヤー中電子正孔凝縮状態の膜厚依存性
筑波大院数物　櫻井蓉子，大毛利健治，山田啓作，野村晋太郎

4: 縦型光励起ダブルコア半導体レーザー
東大物性研　中村考宏，望月敏光，金昌秀，陳少強，吉田正裕，秋山英文

5: 縦型光励起ダブルコア半導体レーザーの利得スイッチング
東大物性研　中前秀一，中村考宏，伊藤隆，望月敏光，金昌秀，陳少強，吉⽥正裕，秋山英文

休憩　（15:00〜15:15)

6: InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸構造における2次元電子の伝導特性
阪府大工^A，阪府大地域連携^B　日比野暁^A，川又修一^A，B，河村裕一^A，B

7: 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性
NTT物性基礎研，NPL^A　山口真澄，小野真証，章国強，後藤秀樹，原田裕一，David Cox^A，山口浩司

8: ESR STUDY OF Er-CONCENTRATION EFFECT ON GaAs;Er,O CONTAINING CHARGE CARRIER
Grad. Sch. of Sci.，Kobe Univ.，Molecular Photoscience Res. Center，Kobe Univ.^A，Grad. Sch. of Eng.，Osaka Univ.^B　FATMA ELMASRY，WEIMIN ZHANG^A，SUSUMU OKUBO^A，HITOSHI OHTA^A，YASUFUMI FUJIWARA^B

9: 密度汎関数法によるEuおよびMgを同時ドーピングしたGaNの電子状態解析
阪大基礎工^A，阪大工^B　真砂啓^A，福島鉄也^A，佐藤和則^B，吉田博^A

25日　DK会場　25pDK　13:30〜17:30

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: （企画講演）薄膜や超格子でのトポロジカル絶縁体表面状態の混成
東工大理工　村上修一

2: （企画講演）GeTe/Sb₂Te₃超格子型相変化メモリに現れるトポロジカル絶縁性とスピントロニクスへの展開
産総研　富永淳二

休憩　（15:00〜15:15)

3: （招待講演）対称性によって守られたトポロジカル相に関する最近の話題
名大工　佐藤昌利

4: 対称性によって保護されたトポロジカル絶縁相：トポロジカル結晶絶縁体とトポロジカル超格子絶縁体の統一的理解
広大院先端研　吉村幸徳，井村健一郎，高根美武

5: 付加的な対称性のある場合のトポロジカル絶縁体の分類理論
理研　森本高裕，古崎昭

6: トポロジカルクリスタル超伝導体の電子状態の計算
名大工　橋本樹，山影相，大成誠一郎，佐藤昌利，田仲由喜夫

7: Sr₂RuO₄におけるトポロジカル結晶超伝導体の理論
名大院工　上野雄司，山影相，田仲由喜夫，佐藤昌利

8: トポロジカルクリスタル絶縁体(Pb, Sn)Teの電子状態：高分解能ARPES
東北大院理^A，阪大産研^B，東北大WPI^C　田中祐輔^A，Z. Ren^B，佐藤宇史^A，中山耕輔^A，相馬清吾^C，高橋隆^A，C，瀬川耕司^B，安藤陽一^B

9: トポロジカル超伝導体候補物質Sn_1-xIn_xTeの電子構造：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　佐藤宇史^A，田中祐輔^A，中山耕輔^A，相馬清吾^B，高橋隆^A，B，佐々木聡^C，Z. Ren^C，A. A. Taskin^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

26日　DD会場　26aDD　9:30〜12:00

領域4
半導体スピントロニクス

1: IV-VI族化合物半導体ベース磁性半導体の電子状態と磁性
阪大工，阪大基礎工^A，SPring8^B，ユーリッヒ研^C　佐藤和則，福島鉄也^A，新屋ひかり^A，藤井将^B，吉田博^A，P. H. Dederichs^C

2: 強磁性半導体(InFe)AsのXMCD測定
東大理，高エ研^A，JAEA^B，京産大理^C，東大工^D　坂本祥哉，芝田悟朗，高橋文雄，藤森淳，小出常晴^A，小林正起^A，竹田幸治^B，山上浩志^C，斎藤祐児^B，Le Duc Anh^D，Pham Nam Hai^D，田中雅明^D

3: 不完全なPersistent Spin Helixの磁性半導体による改善
北大工　土家琢磨

4: 高電界印加時の荷電励起子による半導体2次元電子系の実空間観察
東北大理　堀込康隆，遊佐剛，早川純一郎，岩田晃

休憩　（10:30〜10:45)

5: Nb/InAs/Nb接合におけるスピンホール効果とアンドレーエフ束縛状態
東大物性研　中村壮智，高橋侑市，橋本義昭，尹東河，金善宇，家泰弘，勝本信吾

6: ラシュバ超格子を用いたスピン分極電流
東邦大理，東北大工^A　大江純一郎，好田誠^A，新田淳作^A

7: 単一メソスコピックループにおける時間反転干渉の半古典ビリヤード解析
北大院情報，産総研^A，阪大理^B，NTT物性研^C，NTTフォト研^D　古賀貴亮，澤田淳，川畑史郎^A，小林研介^B，関根佳明^C，杉山弘樹^D

8: InGaAsリング構造における面内磁場を用いたスピン干渉効果の異方性の測定
東北大工　長澤郁弥，Sirimon Tantiamornpong，好田誠，新田淳作

9: デルタドープGaAs(110)対称量子井戸におけるスピン緩和時間の電子密度依存性
北大工　明楽浩史，鈴浦秀勝，江上喜幸

26日　DH会場　26aDH　9:15〜12:30

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: ワイル半金属相と絶縁体相の相転移に伴う表面バンド構造の変化
東工大院理工^A，TIES^B　奥川亮^A，村上修一^A，B

2: ゼロギャップ半導体におけるワイル半金属相
東北大金研　紅林大地，野村健太郎

3: 非平衡Green関数による熱応答の定式化II
京大理　下出敦夫

4: トポロジカル超伝導体表面における量子熱ホール効果の理論
東北大金研　清水庸亮，野村健太郎

5: トポロジカル超伝導体・超流動体における動的アクシオン場
京大理　塩崎謙，藤本聡

休憩　（10:30〜10:45)

6: 従来型超伝導中の磁性不純物による新奇な超伝導状態の設計
東大工^A，名大工^B，理研CEMS^C　中河西翔^A，田仲由喜夫^B，永長直人^C，A

7: マヨラナ・量子ドット接合系における電気伝導特性
筑波大数物，東工大理^A　植田暁子，横山毅人^A

8: NS接合におけるマヨラナ粒子の干渉
名大工　山影相，佐藤昌利

9: バルクトポロジカル超伝導体に対する準古典近似
原子力機構シ計セ　永井佑紀，中村博樹，町田昌彦

10: 単一ステップ量子ウォークにおけるマヨラナ・ゼロモード
京大理，北大工^A　西村勇希，^○小布施秀明^A，川上則雄

11: 多重ステップ量子ウォークのカイラル対称性とバルク境界対応
北大工，Wigner Res. Centre^A　小布施秀明，Janos K. Asboth^A

12: トポロジカル超伝導ナノワイヤのジョセフソン電流
名大工，トゥウェンテ大^A　白石泰基，山影相，矢田圭司^A，田仲由喜夫

26日　DK会場　26aDK　9:00〜12:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 空間反転対称性の破れた系におけるワイル点近傍のスピン分裂
金沢大数物，金沢大自然^A　石井史之，小鷹浩毅^A

2: 遷移金属ダイカルコゲナイドにおける電場によるバレー分極制御
東大院工　張奕勁，鈴木龍二，岩佐義宏

3: 遷移金属カルコゲナイドにおける結晶多形によるバレー分極制御
東大院工　鈴木龍二，張奕勁，岩佐義宏

4: 極性半導体BiTeIにおける圧力下輸送特性
東大工^A，阪大理^B，理研CEMS^C　井手上敏也^A，J. G. Checkelsky^A，村川寛^B，M. S. Bahramy^C，金子良夫^C，永長直人^A，C，十倉好紀^A，C

5: 化学ドーピングによる単原子層MoS₂の励起子・荷電励起子発光の変化
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B　毛利真一郎^A，周利中^A，小川泰徳^A，壷井佑夏^A，宮内雄平^A，B，松田一成^A

6: 単層遷移金属ダイカルコゲナイドの光学応答に関する理論的研究
筑波大数理　小鍋哲，岡田晋

休憩　（10:30〜10:45)

7: 低速電子回折によるAg(111)上シリセンの構造解析
東大新領域，東大物性研^A，物材機構MANA^B　川原一晃，白澤徹郎^A，荒船竜一^B，林俊良，高橋敏男^A，高木紀明，川合眞紀

8: 新しいシリセン構造のAl(111)表面上での形成
産総研ナノシステム，RMIT大^A　森下徹也，M. Spencer^A，川本周平，I. Snook^A

9: シリセンのエッジ状態における水素終端の効果
筑波大物理^A，CREST^B，筑波大計セ^C，TIMS^D　棚谷翔^A，小鍋哲^A，B，白石賢二^A，C，初貝安弘^A，D

10: シリセン複合原子膜の電子構造とその積層方位依存性
東工大理　斎藤晋，是常隆

11: 2層系h-BN膜への不純物ドーピング効果：第一原理電子状態研究
東工大理　藤本義隆，是常隆，斎藤晋

12: 単結晶六方晶窒化ホウ素へのキャリアドーピング
東北大WPI-AIMR，東北大院理^A，物材機構^B　平郡諭，Phan Thi Nhu Quynh^A，田邉洋一^A，下谷秀和^A，谷口尚^B，谷垣勝己^A

13: カルシウム窒化硼素層間化合物の作製と物性
兵庫県大院物質理，東北大WPI-AIMR^A　小林本忠，佐藤貴彦，平郡諭^A

26日　DD会場　26pDD　13:30〜16:45

領域4
量子ホール効果

1: 吸着原子が誘起する2次元電子系における走査トンネル分光顕微鏡と電子輸送特性の同時測定
東大理　枡富龍一，一ノ宮弘樹，岡本徹

2: 人工的朝永-ラッティンジャー液体における電荷分断化現象
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　鎌田大，熊田倫雄^A，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

3: 量子ホール端におけるショット雑音の再分配による正の電流相互相関
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　太田智明，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

4: ミリ波サブミリ波による量子ホール系の量子振動測定 II
物材機構，ポーランド科学アカデミー^A　今中康貴，高増正，G.Karczewski^A

5: 量子ドット－エッジ状態結合系THz共振器
農工大院工　岡野俊，伊藤惇，生嶋健司

6: 量子ポイントコンタクトを用いた量子ホールエッジ状態におけるエネルギー緩和の観測
理研^A，東大工^B　大塚朋廣^A，B，杉原裕規^B，米田淳^B，中島峻^A，B，樽茶清悟^A，B

休憩　（15:00〜15:15)

7: 分数量子ホール効果におけるスピン偏極の磁場依存曲線中に現れる小さな肩の原因
阪大極限セ　佐々木祥介

8: 近接場光学顕微鏡を用いたスピン分裂量子ホール端状態の観測
筑波大数理物質，物材機構^A，NTT物性基礎研^B，産総研^C　間明田周平，柴田祐輔，伊藤宙陛^A，柏谷聡^C，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，大塚洋一，野村晋太郎

9: 直流電流による量子ホール状態ν=2/3の状態変化
京大院理，兵庫医科大物理^A，京大低温セ^B　津田是文，三谷昌平，Nguyen Minh-Hai，寺澤大樹^A，福田昭^A，澤田安樹^B

10: Effects of Coulomb interaction on microwave-induced magnetooscillations in 2D electrons on liquid helium
Okinawa Inst. of Sci. and Tech.，B. Verkin Inst. for Low Temp. Phys. and Eng.^A，RIKEN^B　Denis Konstantinov，Yuriy Monarkha^A，Kimitoshi Kono^B

11: 局所的な分数量子ホール領域における分数電荷の分配雑音
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　橋坂昌幸，太田智明，村木康二^A，藤澤利正

12: ZnO系二次元電子における偶数分母分数状態の観測
東大院新領域，東大院工^A，理研CEMS^B，Max Planck Inst. FKF^C，東北大金研^D，JST-PRESTO^E　Joseph Falson^A，Denis Maryenko^B，Benedikt Friess^C，Ding Zhang^C，小塚裕介^A，塚崎敦^D，E，Jurgen Smet^C，川崎雅司^A，B

26日　DJ会場　26pDJ　13:30〜14:00

領域7，領域4，領域8
ディラック電子系

1: （招待講演）α-(BEDT-TTF)₂I₃におけるディラック電子系の熱物性測定
東大物性研　鴻池貴子

26日　DK会場　26pDK　13:30〜16:45

領域4，領域7合同
グラフェン

1: グラフェンのトンネル電界効果トランジスタの電気特性とHall効果
大工大応用物理，Georgia Tech.，Materials Sci. and Eng.^A，Georgia Tech.，Physics^B　藤元章，T.Roy^A，C.Huan^B，Z.R.Hesabi^A，C.A.Joiner^A，W.Yu^B，Y.Jiang^B，Z.Jiang^B，E.M.Vogel^A

2: グラフェンにおけるプラズモン伝搬のシミュレーション
NTT物性基礎研　佐々木健一，熊田倫雄

3: 2層グラフェン上の線状ポテンシャルにおける束縛状態とそのエネルギー特性
東工大理^A，TIES^B　岡本明大^A，村上修一^A，B

4: 二層グラフェンリボンの分極応答の理論
東工大理^A，TIES^B　田中隼矢^A，村上修一^A，B

5: 電界効果による数層グラフェンのバンド制御
岡山大院自然　上杉英里，後藤秀徳，江口律子，久保園芳博

6: 二重層グラフェンのキャリア移動度における誘電環境効果
物材機構MANA　細野一弘，若林克法

休憩　（15:00〜15:15)

7: グラフェンの熱物性における面内歪みの影響
神戸大院工，東理大工^A　船谷宜嗣，山本貴博^A，小川真人，相馬聡文

8: グラフェンナノリボンにおけるエッジラフネスの影響のリボン幅依存性
東理大工　高島健悟，高田幸宏，山本貴博

9: グラフェンにおける普遍的伝導度ゆらぎの研究
千葉大院融合，アリゾナ州大^A，バッファロー大^B　磯優平，M.アカラム，大内隆寛，鈴木信一，武田明大，青木伸之，D.K.フェリー^B，J.P.バード^C，落合勇一

10: グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性
千葉大院融合，理研^A，バッファロー大^B，アリゾナ州大^C　鈴木信一，磯優平，M.アカラム，大内隆寛，青木伸之，宮本克彦，山口智弘^A，尾松孝茂，J.P.バード^B，D.K.フェリー^C，石橋幸治^A，落合勇一

11: SiC熱分解形成グラフェンへの強磁性ナノ細孔アレイの創製とその物性
青学大理工，NTT物性研^A，東大物性研^B　加藤建彰，上條潤一，岸本将広，橋本泰樹，八木優子，春山純志，日比野浩樹^A，藤田和博^B，橋本義昭^B，勝本信吾^B，家泰弘^B

12: 強磁性グラフェンナノ細孔アレイで創製したTMR構造の物性
青学大理工，東大物性研^A，Rice大Smalley Inst.^B　上條潤一，加藤建彰，橋本泰樹，上川正太，八木優子，春山純志，藤田和博^A，橋本義昭^A，勝本信吾^A，家泰弘^A，Zheng Yan^B，James M.Tour^B

26日　EC会場　26pEC　13:30〜16:50

領域8，領域4，領域6，領域3合同シンポジウム
主題：トポロジカル量子現象の新概念　New concepts in topological quantum phenomena

1: （シンポジウム講演）最初に　Introduction
京大理　川上則雄

2: （シンポジウム講演）トポロジカルスピンテクスチャーと創発電磁物性　Emergent electromagnetic properties from topological spin textures
理研　十倉好紀

3: （シンポジウム講演）Bi2Se3の表面輸送現象におけるtopological protectionの実証　Demonstration of topological protection of surface transport in Bi2Se3 thin films
阪大産研　Taskin Alexey A.

4: （シンポジウム講演）SmB6はトポロジカル近藤絶縁体か？　Is SmB6 a topological Kondo insulator?
HanYang University　瀧本哲也

5: （シンポジウム講演）光と非平衡トポロジカル相転移　Light and nonequilibrium topological phase transitions
東大工　岡隆史

休憩　（15:15〜15:30)

6: （シンポジウム講演）超流動3He-Bの磁場中トポロジカル量子相転移　Topological quantum phase transition in superfluid 3He-B
岡山大自然科学　水島健

7: （シンポジウム講演）Sr2RuO4における新たなトポロジカル相転移の可能性　A new topological phase in Sr2RuO4
名大工　山影相

8: （シンポジウム講演）Sr2RuO4におけるトポロジカル超伝導　Topological superconductivity of Sr2RuO4
産総研　柏谷聡

26日　PSA会場　26pPSA　13:30〜15:30

領域4
領域4ポスターセッション

1: 密度汎関数理論を用いたIII-V族半導体の陽イオン欠陥によるポーラロンの評価
横浜国大知能物理工　べソンミン，レービガーハンネス

2: 2次元半導体における電流誘起型スピン偏極の空間分布：4端子系の場合
北大工　河合遼太，鈴浦秀勝

3: Spin texture in strained ZnO: A first principle study
金沢大自然　Moh Adhib Ulil Absor，Fumiyuki Ishii，Mineo Saito

4: BaTiO₃の構造相転移過程におけるスピン分裂の第一原理計算
金沢大自然，金沢大理工^A　大西峰志，石井史之^A，小鷹浩毅，斎藤峯雄^A

5: コルビノ型円板における量子ホール効果ブレークダウンの発現機構
京大化研，阪大理物^A，東大物工^B，東大生産研^C　知田健作，松尾貞茂，秦徳郎^A，荒川智紀^A，西原禎孝，田中崇大^A，小林研介^A，千葉大地^B，町田友樹^C，小野輝男

6: コルビノ円板における量子ホール効果ブレークダウンの観測
阪大理物，京大化研^A　秦徳郎，田中崇大，荒川智紀，田辺賢士，小林研介，知田健作^A，松尾貞茂^A，西原禎考^A，小野輝男^A

7: 電流ゆらぎ測定系に用いる低温アンプの改良
阪大理，京大化研^A　荒川智紀，前田正博，則元将太，田中崇大，田辺賢士，小林研介，西原禎考^A，小野輝男^A

8: バリスティック検出器を用いた磁気渦コアの極性検出の試み
阪大院理，京大化研^A　田中崇大，荒川智紀，田辺賢士，小林研介，小野輝男^A

9: 2次元金属電極における自由電子近似の妥当性
北大電子研　近藤憲治

10: 4接合磁束量子ビットのラビ振動シミュレーションII
横国大工，九大新領域^A　白崎良演，荒井美穂，川原眞実加^A，島津佳弘

11: 磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算
筑波大計科セ^A，東理大工^B，名大院工^C，筑波大院数物^D　洗平昌晃^A，山本貴博^B，白石賢二^C，D

12: 1/4フィリングドープされたハニカム格子模型における超伝導秩序と磁気秩序の係り合い
埼玉大院理工　今井剛樹

13: Pb系ホモロガス相トポロジカル絶縁体新物質の探索
阪大産研　鳥羽俊伸，瀬川耕司，安藤陽一

14: 層状ラシュバ系BiTeIにおける局所帯磁率
名大院理　大平朋範，清水康弘，伊藤正行

15: 置換型不純物を含むカーボンナノチューブのI-V特性
成蹊大理工　廣本啓太，坂本昇一，富谷光良

27日　DD会場　27aDD　9:15〜12:00

領域4
量子ドット

1: 電圧または温度プローブと結合した2端子量子導体の揺らぎの定理
三重大工，ベングリオン大^A，テルアビブ大^A，筑波大数理^B　内海裕洋，O. Entin-Wohlman^A，A. Aharony^A，久保敏弘^B，都倉康弘^B

2: 振動外場下での量子ドットの動的輸送特性に与えるバーテックス補正の効果
東大物性研　鈴木貴文，加藤岳生

3: ショットノイズに対する測定分解能の影響
東大院工　山田康博，今田正俊

4: クーロンブロッケイドネットワークで見られる非線形電流電圧特性の統計力学的理解
関学理工，九大工^A，福井大工^B，阪大理^C　鳴海孝之，鈴木将^A，平野義明^B，日高芳樹^A，松本卓也^C，甲斐昌一^A

5: 電気二重層ゲートを用いた単一InAs量子ドットの電子状態の変調
東大ナノ量子機構^A，東大生産研^B，東大院工^C，理研CERG^D，CREST-JST^E　柴田憲治^A，B，Hongtao Yuan^C，岩佐義宏^C，D，平川一彦^A，B，E

休憩　（10:30〜10:45)

6: 時間分解トンネル分光による量子ホールエッジチャネルの局所温度測定
東工大院理工　鷲尾和久，橋坂昌幸，藤澤利正

7: 3端子三重量子ドットにおける非平衡量子セルオートマトン効果
NTT物性基礎研　小林嵩，太田剛，佐々木智，村木康二

8: 軌道縮退Anderson模型の1/(N-1)展開：量子ドット系の動的相関関数
大阪市大理　粟根美由紀，小栗章

9: 軌道縮退Anderson模型の1/(N-1)展開：量子ドット系の動的相関関数 II
大阪市大理　小栗章，粟根美由紀

10: 半導体二重量子ドットの光学フォノン支援伝導におけるディッケ効果
慶大理工　奥山倫，江藤幹雄

27日　DH会場　27aDH　9:00〜12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 75Tまでのパルス強磁場下におけるグラファイトの磁気輸送特性
東大物性研，東理大理工^A　秋葉和人，三宅厚志，矢口宏^A，松尾晶，金道浩一，徳永将史

2: 2層グラフェンの超強磁場磁気光学
東大院工，NTT物性基礎研^A，東大物性研^B　齋藤宏晃，日比野浩樹^A，中村大輔^B，嶽山正二郎^B

3: 2層グラフェンの反磁性帯磁率と弱磁場ホール効果：長距離不純物の効果
東工大院理工　安藤恒也

4: ツイストした2層グラフェンの量子ホール効果
兵庫県大物質理，東大物性研^A　長谷川泰正，甲元眞人^A

5: Twisted bilayer grapheneにおける磁気光学特性
東北大理，韓国高等科学院^A　越野幹人，文泌景^A

6: 顕微ラマンおよび顕微反射分光イメージングによるねじれ積層グラフェンの評価
パナソニック　能澤克弥，松川望，豊田健二，吉井重雄

休憩　（10:30〜10:45)

7: 2層グラフェンの低温における磁気抵抗の振動と弱局在効果
兵庫医大物理，阪大産研^A　寺澤大樹，福田昭，大野恭秀^A，松本和彦^A

8: 磁場中グラフェンのスピン非偏極なカイラル凝縮相の相関関数
阪大工，東邦大物理^A，東大物理^B，筑波大物理^C　濱本雄治，河原林透^A，青木秀夫^B，初貝安弘^C

9: SiC上エピタキシャルグラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位の分裂
NTT物性基礎研　高瀬恵子，日比野浩樹，村木康二

10: グラフェン3層系の最低ランダウ準位における軌道ラーム・シフトと混合
京大基研　静谷謙一

11: 3層グラフェンのゼロエネルギー・ランダウ準位のランダムネスに対する安定性
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　坂本紘樹，初貝安弘^A，青木秀夫^B，河原林透

12: 2次元ディラック電子系における超伝導状態での集団励起
筑波大数理，慶大理工^A　猪谷太輔，大橋洋士^A，岡田晋

27日　DK会場　27aDK　9:00〜11:30

領域4
トポロジカル絶縁体・超伝導体

1: トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeにおける有限サイズ効果
名大工　小沢英之

2: 一次元トポロジカル絶縁体とトポロジカル超格子絶縁体
広大院先端研，茨大理^A，筑波大物理^B　岡本真由子，井村健一郎，高根美武，福井隆裕^A，初貝安弘^B

3: かどで跳ね返る（vs. 跳ね返らない）Dirac電子
広大先端研　井村健一郎，岡本真由子，吉村幸徳，高根美武

4: トポロジカル絶縁体ナノ構造による完全伝導チャンネルの実装
広大院先端研　松本哲彦，吉村幸徳，井村健一郎，高根美武

5: トポロジカル絶縁体の表面電子系に対する一般化したディラック方程式
広大院先端　高根美武，井村健一郎

6: 2つの異なるトポロジカル絶縁体の接合界面に生じる2次元電子状態の安定性
北大院工　羽部哲朗，浅野泰寛

休憩　（10:30〜10:45)

7: スピンポンプによるトポロジカル絶縁体へのスピン注入と起電力発生
東北大金研^A，阪大産研^B，東北大WPI-AIMR^C，CREST^D，原研ASRC^E　塩見雄毅^A，野村健太郎^A，梶原瑛祐^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，安藤陽一^B，齊藤英治^{A，C，D，E}

8: トポロジカル結晶絶縁体Pb1-xSnxSeにおける質量ゼロのディラック電子と質量を獲得したディラック電子の共存状態
Boston College^A，東北大WPI-AIMR^B，Massachusetts Inst. of Tech.^C，North Eastern Univ.^D，Princeton Univ.^E，Nat’l. Taiwan Univ.^F　岡田佳憲^A，B，M. Serbyn^C，H. Lin^D，D. Walkup^A，W. Zhou^A，C. Dhita^A，M. Neupane^E，S. Xu^E，Y. J. Wang^F，R. Sankar^F，F. Chou^F，A. Bansil^D，M. Z. Hasan^E，S. D. Wilson^A，L. Fu^C and V. Madhavan^A

9: 超伝導Tl₅Te₃のポイントコンタクト分光
阪大産研　佐々木聡，鳥羽俊伸，瀬川耕司，安藤陽一

27日　AA会場　27pAA　14:00〜17:30

領域4，領域6，領域7合同シンポジウム
主題：トポロジカル絶縁体・超伝導体の新物質・新構造

1: （シンポジウム講演）はじめに
東大物性研　勝本信吾

2: （シンポジウム講演）人工構造による新奇なトポロジカル絶縁体・超伝導体の創製
NIMS　胡暁

3: （シンポジウム講演）ナノワイヤ系におけるトポロジカル超伝導体
東大工　大岩顕

4: （シンポジウム講演）トポロジカル絶縁体新物質と吸着成長した金属薄膜のARPES
東北大理　相馬清吾

5: （シンポジウム講演）Ge系トポロジカル絶縁体新物質・多層膜
広島大理　木村昭夫

休憩　（15:40〜15:55)

6: （シンポジウム講演）２次元トポロジカル絶縁体：シリセンの物性
東大工　江澤雅彦

7: （シンポジウム講演）シリセンに関する実験の現状
東大理　平原徹

8: （シンポジウム講演）銀基板上に作製したシリセンの電子状態
東大新領域　高木紀明

9: （シンポジウム講演）おわりに：新物質探索のまとめと今後の展望
阪大産研　安藤陽一

27日　DD会場　27pDD　13:30〜16:30

領域4
量子ドット

1: 非対称相互作用を持つ開放型量子ドットのIV特性
神奈川大工，東大生研^A，Butler Univ.^B　西野晃徳，羽田野直道^A，Gonzalo Ordonez^B

2: 近藤効果と外場による三角形三重量子ドット内スピン・電荷分布の制御
静岡大教育，静岡大理^A，愛媛大理^B　古賀幹人，松本正茂^A，楠瀬博明^B

3: S=1近藤ドットにおける電流のスピン・軌道チャンネル間相関
東大物性研，大阪市大理^A，Imperial College^B　阪野塁，小栗章^A，西川裕規^A，Alex C. Hewson^B

4: 近藤ドットによる電流中のエンタングルメント生成とベル型不等式
東大物性研，大阪市大理^A，Imperial College^B　阪野塁，小栗章^A，西川裕規^A，Alex C. Hewson^B，加藤岳生

5: 磁場勾配を用いた電場誘起スピン共鳴の励起強度依存性
筑波大数理物質　都倉康弘，久保敏弘

6: 3端子3重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード
東大工，理研^A　野入亮人，高倉樹，小幡利顕，大塚朋廣^A，中島峻^A，米田淳，樽茶清悟

休憩　（15:00〜15:15)

7: 量子ドット間をつなぐ浮遊ゲートの定量的な評価と2次元結合への応用
東大工　小幡利顕，山本倫久，樽茶清悟

8: 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット
東大工，Univ. Regensburg^A，東工大量子ナノ研セ^B，Walter Schottky inst.^C　小幡利顕，武田健太，Kierig Johannes^A，C，Juergen Sailar，神岡純^B，小寺哲夫^B，ワシームアクタ，小田俊理^B，Dominique Bougeard^A，C，Gerhard Abstreiter^C，樽茶清悟

9: 単一電子スピン量子ビットの位相ゲート
東大工，理研^A　米田淳，大塚朋廣^A，中島峻^A，高倉樹，小幡利顕，樽茶清悟

10: ABリング・量子ドット複合系における量子断熱ポンプの解析
筑波大数理物質　田口真彦，中嶋慧，久保敏弘，都倉康弘

11: 非平衡なAB干渉計と結合した量子ドット系における非局所AB効果
筑波大数理物質　久保敏弘，都倉康弘

28日　DD会場　28aDD　9:00〜12:45

領域4
トポロジカル絶縁体

1: ホモロガス相を舞台としたトポロジカル絶縁体の合成と電子構造（II）
東工大応セラ研　村瀬正恭，浅川瑞生，加納学，笹川崇男

2: Landau levels of topological surface state under potential variation(experiment)
RIKEN^A，Tokyo Inst. Tech.^B，Univ. of Tokyo^C，Max-Planck-Inst.^D　Ying-Shuang Fu^A，M. Kawamura^A，K. Igarashi^B，H. Takagi^A，C，D，T. Hanaguri^A，T. Sasagawa^B

3: 不純物ポテンシャル近傍におけるトポロジカル表面状態のランダウ準位 (モデル計算）
理研^A，東工大応セラ研^B，東大理^C，Max Planck Inst.^D　川村稔^A，付英双^A，五十嵐九四郎^B，高木英典^A，C，D，花栗哲郎^A，笹川崇男^B

4: トポロジカル絶縁体のDirac表面状態におけるZeeman効果
理研^A，東工大応セラ研^B，東大理^C，Max Planck Inst.^D　花栗哲郎^A，付英双^A，五十嵐九四郎^B，山本宗平^B，川村稔^A，高木英典^A，C，D，笹川崇男^B

5: 強磁場を用いたBi₂Se₃の磁気抵抗とホール効果測定
筑波大数理物質，東大物性研^A，物材機構^B　鈴木悠介，小松雅，柏木隆成，近藤晃弘^A，金道浩一^A，茂筑高士^B，吉崎亮造，門脇和男

6: Bi₂Se₃のキャリア密度制御と伝導特性
広大先端　八木隆多，田原文哉，榊原諒二

休憩　（10:30〜10:45)

7: (Bi_1-xSb_x)₂Te₃/InP界面ディラック状態における共鳴トンネルスペクトロスコピー
東大工，東北物性研^A，理研CEMS^B　吉見龍太郎，塚崎敦^A，菊竹航，J.G.Chechelsky，高橋圭^B，川崎雅司^B，十倉好紀^B

8: トポロジカル絶縁体(Ge,Sn)Bi₂Te₄の表面およびバルクのバンド構造
東大工^A，理研CEMS^B　品田慶^A，叶琳達^A，Checkelsky Joseph G.^A，金子良夫^B，M.S.Bahramy^B，十倉好紀^A，B，石坂香子^A

9: 円偏光フェムト秒パルスによるトポロジカル絶縁体からのテラヘルツ電磁波発生
京大院理^A，阪大産研^B，京大iCeMS^C　大西義人^A，Zhi Ren^B，瀬川耕司^B，安藤陽一^B，田中耕一郎^A，C

10: 偏光依存スピン角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃ における表面状態のスピンテクスチャーの研究
広島大院理^A，広島大放セ^B，呉高専^C　黒田健太^A，棗田翼^A，白井開渡^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，植田義文^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，木村昭夫^A

11: 非層状物質三元トポロジカル絶縁体TlBiSe₂の劈開最表面の決定
広島大院理^A，広島大放セ^B，SIMIT，CAS^C，NIMS^D，呉高専^E　黒田健太^A，叶茂^B，C，M. Nurmamat^A，白井開渡^A，岡本和晃^A，仲武昌史^B，上田茂典^D，宮本幸治^B，奥田太一^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，植田義文^E，木村昭夫^A

12: BiTeBrにおける圧力誘起トポロジカル相転移の探索
新潟大超域，新潟大理^A，新潟大自然^B，東工大応セラ研^C，物材機構^D　大村彩子，落合崇幸^A，樋口雄一郎^B，加納学^C，笹川崇男^C，石川文洋^A，中山敦子，山田裕^A，中野智志^D

13: トポロジカル絶縁体Cu_xBi₂Se₃の超伝導発現に関する研究
筑波大数理物質，物材機構^A　小松雅，鈴木悠介，柏木隆成，門脇和男，茂筑高士^A

14: トポロジカル超伝導体候補物質Cu_xBi₂Se₃における放射光X線構造解析
名大工，阪大産研^A　片山尚幸，菅原健人，澤博，瀬川耕司^A，安藤陽一^A

28日　DK会場　28aDK　9:15〜12:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 角度分解光電子分光による単結晶グラファイトフォノン分散の観測
阪大産研，分子研UVSOR^A　田中慎一郎，松波雅治^A，木村真一^A

2: 酸素吸着グラフェンのバンドギャップ制御：高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　高橋徹^A，野口英一^A，James Kleeman^A，佐藤宇史^A，菅原克明^B，高橋隆^A，B

3: クリプトン原子でインタカレートしたSiCグラフェンのSTM/S観測
東大院理，RWTHアーヘン^A，NTT物性基礎研^B　松井朋裕，Jan Raphael Bindel^A，日比野浩樹^B，福山寛

4: SiC上グラフェンの時間分解光電子分光
佐賀大SLセ　高橋和敏，穴見峻平，今村真幸，東純平，山本勇，鎌田雅夫

5: グラフェンおよびグラファイトへの欠陥生成と酸素吸着
東大院新領域　今村岳，斉木幸一朗

休憩　（10:30〜10:45)

6: Charge distribution of hydrogenated graphene with a vacancy
Osaka Univ.^A，Fukuoka Inst. of Tech.^B，Tokyo Inst. of Tech.^C，Hosei Univ.^D　Sunnardianto Gagus Ketut^A，Naoki Morishita^A，Isao Maruyama^B，Koichi Kusakabe^A，Yasuhiko Kudo^C，Kazuyuki Takai^D，Toshiaki Enoki^C

7: SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源
NTT物性基礎研，徳島大工^A　影島博之，日比野浩樹，山口浩司，永瀬雅夫^A

8: 5員環からなる2次元sp²炭素結晶の電子構造
筑波大　丸山実那，岡田晋

9: グラフェン断片におけるダイマー状態と電子間相互作用
筑波大物理^A，阪大工^B，TIMS^C　関大地^A，濱本雄治^B，初貝安弘^A，C

10: フェルミオンShastry-Sutherland模型におけるディラックコーンとエッジ状態
筑波大物理　苅宿俊風，初貝安弘

11: 新奇なディラック半金属の電子構造
東工大理　筒井一尋，村上修一

12: 3次元ディラック電子系における電気伝導度
東北大理　大湊友也，越野幹人