領域9

24日　CC会場　24aCC　9:15～12:00

領域9
表面界面構造

1: ホモエピタキシー成長中のRHEED強度振動の起源：Si(001)とGaAs(001)の比較
山梨大　川村隆明

2: 反射高速陽電子回折を用いたPt/Ge(001)表面相転移の解析
原子力機構先端基礎　望月出海，深谷有喜，河裾厚男

3: 透過Ｘ線回折によるPd/Si(111)-√3×√3の構造解析
高輝度セ　田尻寛男

4: α-Al₂O₃(0001)表面の構造相転移とステップ形状
横浜市大生命ナノ^A，並木精密宝石^B　杉山卓嘉^A，小山浩司^B，戸坂亜希^A，重田諭吉^A

5: 表面X線回折法によるBi/Bi₂Te₃トポロジカル絶縁体界面の構造研究
東大物性研，東大理^A　白澤徹郎，平原徹^A，大山真実，角田潤一，高橋敏男

休憩　（10:30～10:45)

6: 反応ガス中における白金ナノ粒子触媒の表面構造
阪大産研^A，阪大院理^B，阪大院工^C，首都大東京^D　吉田秀人^A，桑内康文^A，B，表宏樹^A，C，河野日出夫^B，春田正毅^D，竹田精治^A

7: 触媒反応環境下における金ナノ粒子の構造変化
阪大産研^A，阪大院理^B，首都大東京^C　桑内康文^A，B，内山徹也^B，吉田秀人^A，春田正毅^C，竹田精治^A

8: 鉄基クラスターを内包したカーボンナノカプセルの界面観察
筑波大応理，筑波大院数理^A　鈴木元也，松浦大輔^A，木塚徳志^A

9: グラフェン/コバルト内部界面の原子配列
筑波大院数理　松浦大輔，木塚徳志

10: 氷Ihの擬似液体層の厚さに関する分子動力学シミュレーション
新潟大院自然　久賀みづき，家富洋

24日　CK会場　24aCK　9:00～11:45

領域9
表面界面電子物性

1: 金属錯体分子ワイヤーの長距離トンネリング伝導特性と金属中心の相関
東大院工，産総研ナノシステム研究部門^A，中央大理工^B　大戸達彦，中村恒夫^A，石田敬雄^A，山下晃一，芳賀正明^B，浅井美博^A

2: シリコンバンド構造の異方性と歪みの効果
琉球大理　稲岡毅，金城悠希，柳澤将

3: アルカンチオール自己組織化単分子膜の走査トンネル分光
JST ERATO^A，慶大理工^B　中谷真人^A，B，敷島真也^B，渋田昌弘^A，B，平田直之^B，江口豊明^A，B，中嶋敦^A，B

4: フタロシアニン結晶膜の作製と価電子バンド分散の観測
分子研　山根宏之，小杉信博

5: 金属超薄膜量子井戸構造と有機半導体分子との界面相互作用
千葉大先進^A，台湾国立清華大^B，千葉大院融合科学^C，台湾国立SRセ^D　中山泰生^A，Lin Meng-Kai^B，Wang Chin-Yong^B，Chen Chin-Hung^B，Hsu Che-Chia^B，町田真一^C，Pi Tun-Wen^D，Tang Shu-Jung^B，D，石井久夫^A，C

6: Scanning tunneling microscopy investigation of surface states on Au(111) with stacking-fault arrays
Int’l. Center for Materials Nanoarchitectonics，Nat’l. Inst. for Materials Sci.　Puneet Mishra，Takashi Uchihashi，and Tomonobu Nakayama

休憩　（10:30～10:45)

7: Cuステップ表面の2次元光電子分光
立命館大総研，立命館大理工^A，奈良先端大物質創成^B　滝沢優，山下優香^A，藤岡ゆかり^A，難波秀利^A，松井文彦^B，大門寛^B

8: Cu(100)表面に吸着したカリウム原子の分布と電子状態：低温STMによる研究
東大物性研　水澤岳，吉本真也，向井孝三，^○吉信淳

9: Fe₃O₄/MgO(001)超薄膜の成長とその電子状態の研究
東大物性研　常丸靖史，矢治光一郎，冉凡勇，金聖憲，武市泰男，原沢あゆみ，柿崎明人

10: Mo(100)上に作成したTi酸化物超薄膜の電子状態
立教大理，東北大多元研^A，東工大院理工^B　枝元一之，宗像紫織，今西沙織，掛札洋平，長谷川智^A，小澤健一^B

24日　CC会場　24pCC　13:30～16:30

領域9
表面界面構造

1: Ge(111)微傾斜面のAu蒸着量に依る1次元原子構造の変化
東大物性研　元村勇也，中辻寛，小森文夫

2: 非接触原子間力顕微鏡を用いた酸化銅Cu(110)-O表面における力分布測定
阪大院工　木下幸則，内藤賀公，李艶君，菅原康弘

3: Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性
和歌山大シス工，北陸先端大マテリアル^A，金沢大自然^B　小田将人，西村高志^A，笹原亮^A，村田英幸^A，新井豊子^B，富取正彦^A

4: カルバゾール基を有するベンゼン誘導体TCP分子のAg(110)表面上における自己組織化
横市大院生命ナノ　小川翔平，横山崇

5: Au(111)表面へのH₂O, CO, O₂の共吸着
阪大院理　岡崎一行，奥村光隆

6: グラフェン修飾白金(111)面におけるアルカン薄膜の深さ分解C K-NEXAFS測定
東京農工大工，千葉大工^A，KEK-PF^B　遠藤理，中村将志^A，雨宮健太^B，尾崎弘行

休憩　（15:00～15:15)

7: ボロンを偏析させたNiSi₂/Si界面の構造とポテンシャル分布
産総研ナノシステム　宮崎剛英，三上益弘

8: 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III
奈良先端大物質創成，琉球大理^A，阪大工^B　服部賢，稲葉雄一，安居麻美，大門寛，柳澤将^A，森川良忠^B

9: SiC微傾斜面上グラフェンのステップ端近傍における原子構造と基板への影響評価
東大生研^A，物材機構^B　小野裕己^A，奈良純^B，大野隆央^A，B

10: 超大規模電子状態計算におけるπ状態ナノドメインの可視化解析
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　星健夫^A，B，川居佳史^A，秋山洋平^A

11: シアン化処理法を用いた欠陥除去と洗浄による太陽電池用シリコン基板のライタイムの向上
阪大産研　王カイ，^○松本健俊，高橋昌男，小林光

24日　CK会場　24pCK　13:30～16:30

領域9
表面界面電子物性

1: Bi吸着に伴うAg(111)表面電子状態の変化
東工大総合理工　福元博之，青木悠樹，平山博之

2: Bi(111)表面のC_3V対称性による異方的Rashba効果
広大放射セ^A，広大院理^B　宮本幸治^A，宮原寛和^B，前川貴政^B，黒田健太^B，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，奥田太一^A

3: Bi/Si(111)薄膜における表面電子スピン偏極度の膜厚依存性
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　高山あかり^A，佐藤宇史^A，相馬清吾^B，小口多美夫^C，高橋隆^A，B

4: 第一原理計算によるBi薄膜のRashba効果の解析
金沢大自然　小鷹浩毅，石井史之，斎藤峯雄

5: Au(111)表面におけるラシュバ分裂の膜厚依存性：第一原理計算と模型による解析
産総研ナノシステム，CREST^A　小杉太一，三宅隆^A，石橋章司^A

6: Tl/Ge(111)-(1×1)表面における過剰Tlによる金属的スピン分裂バンドの形成
京大院理^A，JST CREST^B　大坪嘉之^A，B，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: 単原子層Pb吸着Ge(111)の電子状態とそのスピン構造
東大物性研^A，京大院理^B，JST CREST^C　矢治光一郎^A，C，大坪嘉之^B，C，八田振一郎^B，C，原沢あゆみ^A，奥山弘^B，柿崎明人^A，有賀哲也^B，C

8: 金属吸着Ge(111)表面の電気伝導測定
京大院理^A，JST CREST^B　八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

9: GaAs劈開表面上に形成した金属超薄膜の超伝導
東大理　関原貴之，枡富龍一，岡本徹

10: In，Pbモノレイヤー超伝導体の超伝導転移および臨界磁場測定
東大理　山田学，平原徹，保原麗，長谷川修司

11: 走査トンネル顕微鏡によるナノサイズ超伝導体上の量子化磁束観察
東大物性研，理研^A，JST ERATO^B，慶大理^C　坂本崇樹，富永貴亮，西尾隆宏^A，江口豊明^B，C，吉田靖雄，長谷川幸雄

24日　YD会場　24pYD　13:30～16:35

領域8，領域3，領域4，領域7，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：物理学における新・元素戦略

1: はじめに（趣旨説明）：新元素戦略が拓くサイエンスと物理学会の役割　－　京、J-PARC、SPring-8/SACLA大型研究基盤ツールとの協奏的研究　－
JASRI　高田昌樹

2: 熱伝導変換、スピントロニク、超伝導材料創成における元素戦略
東大理物理高木研（実験系）　高木英典

3: 元素戦略から考える希土類磁石の技術課題
物材機構磁性材料　宝野和博

4: ナノサイエンス/グリーンケミストリーにおける元素戦略的展開：新触媒開発、固体電解質の開発
京大理　北川宏

休憩　（15:10～15:25)

5: 元素戦略が拓く先進構造材料：組織制御と特性向上
物材機構元素戦略材料　津崎兼彰

6: 元素戦略における計算物質科学の役割
東大理物理常行研（理論系）　常行真司

7: まとめ：基礎学理と応用技術をつなぐ新しい元素戦略
東工大応セラ研　細野秀雄

25日　CC会場　25aCC　9:00～11:45

領域9
表面界面電子物性

1: 元素戦略プロジェクト -脱貴金属自動車触媒のデザインと実証-
阪大院工，ダイハツ^A，北興化学^B，原子力機構^C　岸浩史，笠井秀明，田中裕久^A，御立千秋^B，西畑保雄^C

2: 第一原理分子動力学法によるカーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の研究
原子力機構量子ビーム，東工大^A，北陸先端大^B，東大工^C　池田隆司，Z. Hou^A，X. Wang^A，寺倉清之^A，B，尾嶋正治^C，柿本雅明^A，宮田清藏^A

3: LaFeO_3-δ表面におけるNO分子解離吸着の第一原理シミュレーション
阪大院基工　木崎栄年，草部浩一

4: 時間依存密度汎関数計算によるクマリン色素/TiO₂界面の可視光吸収スペクトル
東大生産研，物材機構^A　籾田浩義，大野隆央^A

5: ルチル型TiO₂(110)面での電気伝導における水素吸着効果
東大生研　深田啓介，武安光太郎，小倉正平，松本益明，村田好正，福谷克之

6: 無機分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面へのホールドープのメカニズム
筑波大数理物質^A，CREST^B，筑波大計科セ^C，佐賀大院工^D，NTT物性基礎研^E　高木祥光^A，B，白石賢二^C，嘉数誠^D，佐藤寿志^E

休憩　（10:30～10:45)

水素ダイナミクス

7: Pd₃₀Au₇₀(110)表面における炭化水素のH-D交換反応
東大生研，阪大リノベーション^A　小倉正平，岡田美智雄^A，福谷克之

8: Pd(110)から脱離する水素分子の振動回転状態分布測定
東大生研　大野哲，Markus Wilde，福谷克之

9: 酸素分子共吸着銀表面上での水素分子のオルソ・パラ転換における分子拡散及び束縛回転状態の影響
阪大院工　國貞雄治，中西寛，Wilson Agerico Di?o，笠井秀明

10: Ag/Si(111)表面上にエピタキシャル成長させたPd(111)超薄膜における水素吸着
東工大総理工　中島翔，青木悠樹，平山博之

25日　CK会場　25aCK　9:15～12:15

領域9
結晶成長

1: フェーズフィールドモデルを用いた二元合金の方向性凝固シミュレーション
慶大理工　上田真之介，齋藤幸夫

2: Si上のSiO₂膜中の穴の広がり：モンテカルロ・シミュレーション
慶大理工，マルセイユ大CINaM^A　齋藤幸夫，Frederic Leroy^A，Fabien Cheynis^A，Pierre Muller^A

3: モンテカルロシミュレーションでみる表面緩和過程におけるピンチオフ現象
学習院大計セ，成蹊大^A，阪大^B，名大^C　入澤寿美，勝野喜以子^A，須藤孝一^B，上羽牧夫^C

4: 移動する粒子源によるステップのパターン形成　－粗大化と新状態への緩和－
名大理，金沢大IMC^A　川口将司，近藤信二，佐藤正英^A，上羽牧夫

5: 平衡状態近傍におけるステップ移動の抑止：p-RSOS模型計算
大阪電通大工　阿久津典子

休憩　（10:30～10:45)

6: エンスタタイト超微粒子の生成と結晶化温度
立命館大理工　墻内千尋，齋藤嘉夫，小池千代枝，宮下徹也，藤崎貴也

7: 位相差顕微鏡を用いたイノシン5’-一リン酸二ナトリウム(C₁₀H₁₁N₄O₈PNa₂)水和物結晶の{010}面のステップ前進速度の測定と活性化エネルギーの評価
聖医大院RI，北里大理^A　大滝正訓，那和雪乃，廣井朋子，松井宏晃，菅原洋子^A

8: SPMカンチレバーをミラーとした干渉顕微鏡法による微小領域の屈折率測定
徳島大ソシオ　柳谷伸一郎，後藤信夫

9: 多結晶氷の再結晶化過程に及ぼす不凍タンパク質の影響
北大低温研　清田達央，佐崎元，Salvador Zepeda，宇田幸弘，長嶋剣，古川義純

10: 沈殿剤フリーのタンパク質結晶化法の開発
徳島大院ソシオ，京産大総合生命科学^A　鈴木良尚，津下英明^A

11: 沈殿剤を用いないタンパク質の結晶化と溶解度測定
徳島大工，徳島大院ソシオ^A　細川晃平，鈴木良尚^A

25日　BB会場　25pBB　13:30～17:00

領域10，領域9合同シンポジウム
主題：エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥

1: 原子力材料の機能評価　－理論的アプローチ－
JAEA　加治芳行

2: 原子力材料の欠陥分布と機能　－3次元APと陽電子消滅－
東北大金研材料照射工学　永井康介

3: エネルギー・環境材料と格子欠陥　－分光TEMによる展開－
名大院工　武藤俊介

4: リチウムイオン電池材料中のリチウム拡散ーμSRによる評価ー
豊田中研　杉山純

5: 太陽電池材料中の鉄不純物－メスバウアー分光による評価－
静岡理工科大　吉田豊

6: 触媒･電池機能の理論とナノ界面評価
産総研ユビキタス　香山正憲

7: 触媒機能のナノ評価　－TEMその場観察による展開－
阪大産研　竹田精治

25日　CC会場　25pCC　13:30～17:00

領域9
微粒子・クラスター

1: CO/NO触媒反応中のCu微粒子の動的挙動
原子力機構量子ビーム，スプリングエイトサービス^A，関学大理工^B　松村大樹，岡島由佳^A，西畑保雄，水木純一郎^B

2: 金属原子の多重項と金属原子間の磁気相互作用の密度汎関数による計算
日大文理　鈴木秀則，里子允敏

3: Lennard-Jones液体の結晶核生成過程における不純物の形状効果
慶大理工　高井北斗，泰岡顕治

休憩　（15:00～15:15)

表面ナノ構造量子物性

4: 金属のフェムト秒レーザーナノアブレーション機構～ターゲット表面状態による放出イオン特性変化～
京大化研^A，京大院理^B　宮坂泰弘^A，B，橋田昌樹^A，B，生田美延^A，B，時田茂樹^A，B，阪部周二^A，B

5: 短波長フェムト秒レーザー照射による金属表面周期構造自己形成機構の解明
京大化研，京大院理　生田美延，橋田昌樹，宮坂泰弘，時田茂樹，阪部周二

6: 周期ナノ構造形成の粒子シミュレーション
名大院理，核融合研^A，京大化研^B　緒方智也，坂上仁志^A，橋田昌樹^B，阪部周二^B

休憩　（15:00～15:50)

若手奨励賞

7: 領域９若手奨励賞選考報告および授賞式
京大理　有賀哲也

8: メゾスコピック領域の物性を考慮した宇宙ダストの結晶成長
東北大理　木村勇気

9: スピン偏極型走査トンネル顕微鏡によるナノ・原子磁性体の電子スピン現象の解明
千葉大融合　山田豊和

25日　CK会場　25pCK　13:30～16:30

領域9
トポロジカル絶縁体

1: 円二色性ARPESで見るSrTiO₃とCu_xBi₂Se₃の表面電子状態
東大物性研^A，理研CERG^B，理研CMRG^C，中国科学院^D，東大新領域^E，スタンフォード大^F，東大工^G，JST-CREST^H　石田行章^A，菅藤裕昭^A，吉川明子^B，田口康二郎^B，C，伊藤孔明^A，大田由一^A，岡崎浩三^A，Walid Malaeb^A，Mattia Mulazzi^A，大川万里生^A，渡部俊太郎^A，Chuangtian Chen^D，金民祐^E，Christopher Bell^E，F，小塚裕介^G，Halord Y. Hwang^B，E，F，十倉好紀^B，C，G，辛埴^A，H

2: Pbドープによるトポロジカル絶縁体Bi₂Te₃超薄膜の電子状態制御と電気伝導度
東大理，名工大工^A，分子研^B　相谷昌紀，平原徹，坂本裕介，山田学，宮崎秀俊^A，松波雅治^B，木村真一^B，長谷川修司

3: Bi₂Te₃超薄膜および1BLBiのLEEDIV構造解析
東大理，東大物性研^A，お茶大^B　福居直哉，平原徹，白澤徹郎^A，高橋敏男^A，小林功佳^B，長谷川修司

4: Bi₂Te₃上のBi超薄膜の電子状態と表面構造解析
東大理^A，東大物性研^B，名工大工^C，分子研^D，お茶大理^E　平原徹^A，福居直哉^A，白澤徹郎^B，相谷昌紀^A，山田学^A，宮崎秀俊^C，松波雅治^D，木村真一^D，高橋敏男^B，小林功佳^E，長谷川修司^A

5: Co 吸着 Bi_1-xSb_x (111) 表面の走査トンネル分光
東大物性研，阪大産研^A　吉澤俊介，中村史一，中辻寛，A. A. Taskin^A，安藤陽一^A，松田巌，小森文夫

6: Sb表面ステップの電子透過特性
お茶の水大理　小林功佳

休憩　（15:00～15:15)

表面界面ダイナミクス

7: Si表面のAgマイクロ薄膜の熱拡散の光電子顕微鏡研究
岡大院自然^A，岡大理界面^B，JST-CREST^C　脇田高徳^A，C，平井正明^B，村岡祐治^A，B，C，横谷尚睦^A，B，C

8: ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7×7相転移ダイナミクス
東北大多元研　川西浩太，西ケ谷好輝，^○虻川匡司

9: 電子刺激脱離によるSrTiO3表面の酸素脱離と伝導層の形成
東大生研　武安光太郎，深田啓介，福谷克之

10: ナノピペットの内壁で起こるベロウソフ・ジャボチンスキー振動
建大物理　高見知秀，Xiao Long Deng，Jong Wang Son，Bae Ho Park，川合知二

11: AFM-QCMによるグラファイトの摩擦力測定III
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　井上大輔，細見斉子，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

26日　AD会場　26pAD　13:45～14:30

領域5，領域8，領域9
光電子分光

1: 酸化物量子井戸構造における強相関電子の量子化状態
東大院工　吉松公平

26日　BB会場　26pBB　13:30～16:00

領域9
表面界面ダイナミクス

1: Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン(100)表面における初期酸化過程の解析
東大院工^A，CREST/JST^B，IPCMS^C，阪大基礎工^D　小泉健一^A，B，Mauro Boero^C，重田育照^D，押山淳^A

2: NaCl水溶液における固液界面の影響の理論的検討
東北大WPI　赤木和人

3: 界面での和周波分光の計算シミュレーション
Max Planck Institut fur Polymerforschung　永田勇樹

4: ZnOの極性面における水素原子のふるまい：第一原理電子構造計算
岩手大工，岩手大地連セ^A　西館数芽，荒木悠，伊東賢太郎，吉本則之，長谷川正之^A

休憩　（14:45～15:00)

5: Ag(111)表面における物理吸着水素分子の吸着・脱離特性
東大生研　杉本敏樹，福谷克之

6: Pd(110)の水素分子解離吸着・吸蔵特性の表面合金による変化
東大生研　灘波和博，小倉正平，大野哲，Markus Wilde，福谷克之

7: 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の表面フォノン
東北大院理，東理大理^A，理研^B，東北大学際セ^C　松下ステファン悠，松井一記，加藤大樹^A，田岡琢己，山田太郎^B，粕谷厚生^C，須藤彰三

8: ダイナミックモード原子間力顕微鏡による液中カシミール力の測定
愛教大物理，兵庫県立大工^A，東大生研^B，成蹊大理工^C　市川真也，石川誠，乾徳夫^A，川勝英樹^B，佐々木成朗^C，三浦浩治

26日　CK会場　26pCK　13:30～16:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象

1: バリスティックな金接点のエレクトロマイグレーションによる破断過程
阪大電顕セ　大島義文

2: 1,4－ベンゼンジチオール分子接合における電気伝導度とラマンスペクトル計測
東工大院理工，産総研ナノシステム^A　松下龍二，木口学，内藤泰久^A，堀川昌代^A

3: タンタル原子ワイヤーのその場電子顕微鏡観察
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

4: シリコンナノワイヤーの局所的な電気伝導特性に関する解析
京大工　池田裕治，瀬波大土，立花明知

5: ナノワイヤー構造の熱電変換性能の計算
NECグリーン研　広瀬賢二

6: Pt電極間に架橋された窒素単分子接合の研究
東工大院理工　金子哲，木口学

休憩　（15:00～15:15)

7: 単分子接合における巨大磁気抵抗効果
阪大院基礎工　野口元輝，山田亮，夛田博一

8: カーボンナノチューブの触媒CVD製法における炭素源分子の解離機構：第一原理分子動力学シミュレーション
熊大院自然，東大院工^A　島村孝平，澁田靖^A，大村訓史，下條冬樹，山口周^A

9: 螺旋型ポリアセチレンにおける螺旋構造が電気伝導に及ぼす影響の理論解析
キヤノン技術フロンティア研究セ，東北大WPI-AIMR^A　光武邦寛，矢野亨治，塚田捷^A

10: 磁性電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，大野隆央^B，A

休憩　（)

11: Zn-doped GaAs(110)表面におけるSTM発光の定量解析
理研基幹研，東工大院理工^A　今田裕，清水智子，山本直紀^A，金有洙

12: 時間依存密度汎関数法によるレーザー刺激電界電子放出のシミュレーション
東理大理　打木大介，春山潤，胡春平，渡辺一之

26日　SB会場　26pSB　13:30～17:00

領域7，領域9合同
グラフェン

1: 単層グラフェンのラマンスペクトルのゲート電圧依存性
東北大理，MIT^A　齋藤理一郎，佐藤健太郎，P. T. Araujo^A，D. L. Marfa^A，M. S. Dresselhaus^A

2: アームチェアエッジにおけるラマンDバンドの擬スピン
NTT物性研　佐々木健一，加藤景子，都倉康弘，鈴木哲，寒川哲臣

3: 積層構造がずれた二層グラフェンにおけるGバンド強度
東北大理　佐藤健太郎，齋藤理一郎

4: グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観測
東大物性研，九州大^A　榊茂之，中嶋誠，石田行章，辛埴，中辻寛，小森文夫，森田康平^A，栗栖悠輔^A，田中悟^A，末元徹

5: グラフェンのフェムト秒発光ダイナミクス
名大院工，九大院総理工^A，九大先導研^B　小山剛史，伊藤由人^A，吉田和真^A，吾郷浩樹^A，B，中村新男

6: 金属基板上に成長したグラフェンへの欠陥生成
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: 水素終端したSiC上のグラフェンの電子状態の積層数依存性：高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，高橋徹^B，金谷康平^B，James Kleeman^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

8: SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場磁気光学
東大物性研，NTT物性基礎研^A　齋藤宏晃，中村大輔，嶽山正二郎，日比野浩樹^A

9: Ni(111)表面に吸着したグラフェンの電子構造II：貴金属インターカレーションの効果
岩手大地連セ，岩手大工^A　長谷川正之，西館数芽^A

10: SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程
NTT物性基礎研，徳島大工^A　影島博之，日比野浩樹，山口浩司，永瀬雅夫^A

11: 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究
東大院工　広田翔，押山淳

12: 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態
東大物性研，九大院工^A　吉村継生，中辻寛，梶原隆司^A，高木勝也^A，田中悟^A，小森文夫

13: 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光 II
東大物性研^A，東理大理^B，東理大総合研^C，九大院工^D　中辻寛^A，飯盛拓嗣^A，吉村継生^A，石田行章^A，山本貴士^B，辛埴^A，金井輝人^A，渡部俊太郎^C，栗栖悠輔^D，梶原隆司^D，田中悟^D，小森文夫^A

26日　PSB会場　26pPSB　15:30～17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: 部分接合法による水晶振動子の金電極表面の改質
山梨大医工　渡邉僚志，中島夏輝，平井俊光，白木一郎，鳥養映子

2: In吸着Si(111)表面上Ag薄膜中に形成される量子井戸状態のREM-4PPによる研究
農工大院工　澤田龍明，箕田弘喜

3: Si(001)表面上の鉄シリサイドの電子状態
横国大工，東大物性研^A　大野真也，百瀬辰哉，豊島弘明，安部壮祐，田中正俊，矢治光一郎^A，原沢あゆみ^A，柿崎明人^A

4: SHG分光による水分子吸着した金ステップ表面の電子準位の研究
北陸先端大マテリアル　内山裕介，上村健太，小野道真，水谷五郎

5: 角度分解高エネルギー分解能二光子光電子分光による表面電子鏡像状態
東大工^A，物材機構MANA^B，東大新領域^C　中澤武夫^A，荒船竜一^B，高木紀明^A，C，川合眞紀^A，C

6: Photosensitizer dye adsorption on TiO2: an STM study
Nat’l. Inst. for Materials Sci. (NIMS)　Carmen PEREZ LEON，Keisuke SAGISAKA，Daisuke FUJITA，Liyuan HAN

7: Siウェハー上の薄膜界面領域観察を目指した断面STMシステムの開発
奈良先端大物質創成　立花和也，太田啓介，服部賢，上田一之，大門寛

8: 電圧印加型電子励起脱離を目指したヘテロ積層構造の探索
奈良先端大物質創成　広田望，豊嶋孝文，立花和也，太田啓介，服部賢，大門寛

9: 水素吸着によるSrTiO3(001)表面金属化の研究
東大物性研，東大理^A，パリ大^B，東工大理工^C，奈良先端大物質^D　湯川龍^A，山本達，Marie D'angelo^B，小河愛実^A，小澤健一^C，北川哲^D，大門寛^D，松田巌

10: Tl積層Si(111)表面における相対論的第一原理電子状態計算
金沢大自然　加藤春紀，李梁，後藤純平，原口辰也，小田竜樹

11: 第一原理計算によるHfO₂/SiO₂/Si界面の酸素空孔
阪大工　小嶋隆史，小野倫也

12: NEXAFS分光法による酸化マグネシウムの表面とバルクの同時測定
九州シンクロトロン光研究セ　小林英一，岡島敏浩

13: 角度分解光電子分光によるMnPc/Cu(100)の電子状態研究
佐賀大シンクロトロン　山本勇，溝上公祐，春田克己，東純平，今村真幸，小川浩二，高橋和敏，鎌田雅夫

14: 歯科合金L-システイン薄膜の電子状態研究：基板依存性
佐賀大シンクロ，大阪歯科大物理^A　小川浩二，辻林徹^A，高橋和敏，東純平，鎌田雅夫

15: グラフェンナノ構造の顕微ラマン分光
九大院工，東大物性研^A，福井大院工^B　田中悟，中森弓弦，梶原隆司，萩原好人，栗栖悠輔，中辻寛^A，小森文夫^A，橋本明弘^B

16: CVD法により作成したフッ素含有薄膜の電子状態
兵庫県立大高度研^A，JST-CREST^B，JSPS^C　春山雄一^A，B，山下大輔^A，B，岡田真^A，B，C，松井真二^A，B

17: 分子探針を用いたSTMに向けたシミュレーション研究III
阪府大院理，阪府大ナノ科学・材料セ^A，CREST(JST)^B　齊木祥^A，B，林伸彦^A，B

18: 第一原理計算におけるグラフェンの欠損及び不純物に関する研究
鳥大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，山本奈津美^A，石井晃^A，B

19: Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析
東北大WPI-AIMR，CREST-JST　洗平昌晃，塚田捷

20: 吸着物電子状態の間接的STS測定の理論的提案
千葉大融合　山本真幸

21: SiC上エピタキシャルグラフェンの2光子光電子分光
佐賀大シンクロトロン　高橋和敏，穴見峻平，今村真幸，東純平，山本勇，鎌田雅夫

22: 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene分子の構造と電子状態
横国大工，東工大理工^A，KEK物構研^B，東大物性研^C　平賀健太，豊島弘明，大野真也，小澤健一^A，間瀬一彦^B，向井孝三^C，吉信淳^D，田中正俊

23: 第一原理計算によるGe-MOS界面原子構造と電子状態の分析
阪大院工　齊藤正一朗，小野倫也

24: 穏和な表面窒化のための低速イオン源の製作
東大物性研^A，NHK技研^B　山田正理^A，中辻寛^A，河村紀一^A，B，飯盛拓嗣^A，小森文夫^A

25: 銅(001)表面上の窒化クロム超薄膜の形成
東大物性研　Pawel Krukowski，中辻寛，^○飯盛拓嗣，小森文夫

26: 金属に吸着したグラフェンの電子状態における界面構造依存性
筑波大数物，理研^A　竹本整司^A，金有洙^A，小林伸彦

27: 取　　消

28: 水素終端Si(110)-(1×1)表面のSTM観察
東北大院理，理研^A　芳賀健也，松下ステファン悠，姜正敏，梅津新，新村紘和，鈴木貴幸，山田太郎^A，須藤彰三

29: Si(001)表面上のペンタセン薄膜の初期成長
福岡大工　能方駿介，友景肇，柳生数馬，鈴木孝将

30: SiC(0001)表面における銅蒸着グラフェン膜の研究
福岡大工　柳生数馬，友景肇，鈴木孝将

31: Si(100)表面におけるリン分子の吸着構造
物材機構，UCL^A　鷺坂恵介，ミハエル・マルツ，藤田大介，デビッド・ボウラー^A

32: RHEEDによるIn/Si(111)表面超構造の相図
奈良先端大　田中友惟，武田さくら，橋村詩織，大門寛

33: Si(001)c(2x2)-Fe表面の構造解析
奈良先端大物質創成，Inst. of Phys.，Academy of Sci. of the Czech Republic^A　太田啓介，服部賢，田中浩太，木村明日香，Oleksandr Romanyuk^A，大門寛

34: 表面X線回折法によるSiC(000overline{1})上のエピタキシャルグラフェンの界面構造の研究
東大物性研，九大院工^A　角田潤一，白澤徹郎，大山真実，Chenda Srey^A, 萩原好人^A，田中悟^A，高橋敏男

35: Si(111)及びSi(100)清浄表面におけるアルカリ金属原子飽和被覆量の第二高調波発生法による評価
防衛大応物　小甲顕史，鈴木隆則

36: Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態
電通大院先進理工，物材機構^A　菅野雄介，大竹晃浩^A，中村淳

37: 第一原理計算によるHF水溶液のアニーリング
阪大工，阪大院工^A　弘瀬大地，稲垣耕司^A，森川良忠^A

38: RHEEDを用いたSi(111)√3×√3-Mn超薄膜における歪みおよびドメインサイズの作製条件依存性
奈良先端大物質創成　田中浩太，木村明日香，服部賢，大門寛

39: MgO基板表面の常圧雰囲気中における熱処理効果
関学大理工　佐伯謙太，金光成憲，宮下智行，北宗平，^○阪上潔

40: 円偏光二次元光電子分光回折法によるZrB2表面の原子構造解析
奈良先端大院物質，JASRI/SPring-8^A，物材機構^B　堀江理恵，松井文彦，前島尚行，松井公佑，松下智裕^A，大谷茂樹^B，相澤俊^B，大門寛

41: Sr2FeMoO6表面の局所磁気構造解析
奈良先端大^A，高輝度セ(JASRI/SPring-8)^B　北川哲^A，松井文彦^A，松下智裕^B，前島尚行^A，松井公佑^A，大門寛^A

42: SPMによる金属原子内包有機分子構造体の局所電位計測
情通機構未来ICT研，広島大院先端物質^A　田中秀吉，梶貴博，鈴木仁^A

43: 第一原理計算を用いたSi(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析
和歌山大シス工　南迫大樹，小田将人，篠塚雄三

44: 輸送気相法ポリジアセチレン結晶表面の摩擦特性の異方性
愛院大教養物理　城貞晴

45: 剥離法で単離したグラフェンの顕微ラマン分光と光電子回折の測定
奈良先端大，JASRI/SPring-8^A　石井良，松井文彦，黄晋二，細川陽一郎，松下智裕^A，森田誠，北川哲，橋村詩織，藤田將喜，安田馨，大門寛

46: 窒素吸着銅表面上におけるナノ構造形成過程の観測
NHK放送技研^A，東大物性研^B　河村紀一^A，飯盛拓嗣^B，中辻寛^B，小森文夫^B

47: アモルファスカーボン薄膜表面からの昇温及び裏面電子線照射脱離III
奈良先端大物質創成　豊嶋孝文，広田望，川口剛史，立花和也，服部賢，大門寛

48: Au表面に吸着したXe原子のレーザー誘起脱離－熱脱離直後の原子衝突過程
東大生研　池田暁彦，松本益明，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

49: C₆₀単層膜上での単層グラフェンの引き剥がし
愛教大物理，成蹊大理工^A　石川誠，市川真也，佐々木成郎^A，三浦浩治

50: Au(111)上に形成した銀ナノアイランドのSTM/STS計測
横市大国際総合　青木琢朗，横山崇

51: 不純物を置換したCNTの電流-電圧特性
成蹊大理工　椎橋朋弘，坂本昇一，富谷光良

52: 2つの磁性電極間に挟まれた分子の安定構造と電気伝導の第一原理計算
一関高専　小野寺昭，^○谷林慧

53: Growth mode and electronic properties of Ni-cluster on HOPG studied by STM
Nat’l. Inst. for Materials Sci.(NIMS)　Michael Marz，Keisuke Sagisaka and Daisuke Fujita

54: スピン偏極原子クラスターの形成と計測に向けて　その2：冷却スピン偏極原子団生成
山梨大医工，東工大総理工^A　橋本智彦，野澤武志，平井俊光，冨澤悠，田辺昌太，白木一郎，山田俊吾^A，佐藤知広^A，伊藤治彦^A，鳥養映子

55: スピン偏極走査トンネル顕微鏡によるAg(111) 表面上のコバルト薄膜の観察
東大院工　土居啓司，横須賀拓也，坂本崇樹，吉田靖雄，長谷川幸雄

56: Si/Fe(100)最表面の磁気構造
物材機構　鈴木拓，菱田俊一

57: 顕微回折分光法によるFe多結晶表面の磁気構造・化学特性の観察
奈良先端大，JASRI/SPring-8^A　安田馨，松井文彦，松下智裕^A，前島尚行，松井公佑，北川哲，堀江理恵，石井良，藤田將喜，大門寛

58: HCP金属の原子サイズ接点の室温コンダクタンス
京大工　高橋篤史，堀内俊希，黒川修，^○酒井明

59: 液体He中におけるAu原子サイズギャップ間のトンネル電流測定
九大院工，金沢大教育^A　横田智彦，酒井純也，中島尚也，家永紘一郎，稲垣祐次，河江達也，辻井宏之^A

60: グラフェンナノリボンの熱電変換効率のサイズ効果：第一原理的計算
QuantumWise Japan，東理大工^A　臼井信志，山本貴博^A

61: カーボンナノチューブを用いたトンネル電界効果トランジスタの特性における歪みの影響
神戸大院工　中野貴史，小川真人，相馬聡文

62: First-principles calculations of hydrogen impurities in nano-carbon materials
Grad. Sch. of Natural Sci. and Tech.，Kanazawa Univ.^A ，Inst. of Industrial Sci.，Univ. of Tokyo，Japan^B　Mohammad Shafiul Alam^A，Fahdzi Muttaquien^A，Agung Setiadi^A and Mineo Saito^A，B

63: Electronic Structures of Adatom-vacancy Pair Defects in Nano-carbon Materials
金沢大自然^A，東大生研^B　林建波^A，西田和永^A，斎藤峯雄^A，B

64: 非平衡グリーン関数法を用いたナノ構造体における非線形交流応答の解析
東大工，東理大工^A　笹岡健二，山本貴博^A，渡邉聡

65: First-principles study on transport properties of C/BN hetero-nanotubes
Osaka Univ.　Duy Huy Nguyen and Tomoya Ono

27日　BB会場　27aBB　9:00～12:20

領域9，領域5合同シンポジウム
主題：放射光光電子分光による最先端表面研究

1: はじめに
千葉大院融合ナノ　坂本一之

2: 高機能・高効率スピン角度分解光電子分光が開くスピン電子物性研究の新時代
広大HiSOR先端計測　奥田太一

3: 元素ごとの構造解析ができる微小領域高エネルギー分解能二次元光電子分光装置の開発
奈良先端大物質創成　松田博之

4: 時間分解軟Ｘ線光電子分光法による表面ダイナミクス研究の展開
東大物性研軌道放射　山本達

休憩　（10:35～10:50)

5: ３次元走査型光電子顕微鏡
東大院工応化　堀場弘司

6: in-situ放射光光電子分光による強相関酸化物の表面・界面研究
高エネ研物質構造研　組頭広志

7: 偏光依存角度分解光電子分光による精密電子構造解析
広大HiSOR固体物性　島田賢也

27日　CK会場　27aCK　9:00～11:45

領域9，領域3
表面磁性

1: Direct evidence for positive spin polarization at the Fe3O4(111) surface
NIMS^A，Univ. of York^B，USTC^C　A. Pratt^A，B，M. Kurahashi^A，X. Sun^C，D. Gilks^A，B，Y. Yamauchi^A

2: Cu(001)上Ni超薄膜の電子状態の膜厚依存性
東大物性研　金聖憲，矢治光一郎，武市泰男，常丸靖史，原沢あゆみ，柿崎明人

3: ナノサイズ強磁性金属における近藤効果の探究
九大院工，金沢大教育^A，九大稲盛フロンティア研究セ^B　家永紘一郎，酒井純也，横田智彦，中島尚也，稲垣祐次，河江達也，辻井宏之^A，木村崇^B

4: 窒素吸着Cu(001)表面に成長させた鉄フタロシアニン薄膜の磁性
分子研^A，総研大^B　高木康多^A，B，江口敬太郎^B，中川剛志^A，B，横山利彦^A，B

5: Au(111)面上のFePc分子における2原子分子吸着を用いた近藤共鳴状態制御
理所基幹研，東大新領域^A，阪大院工^B　南谷英美，塚原規志^A，松中大介^B，高木紀明^A，川合眞紀^A，金有洙

6: フタロシアニン有機分子と3d磁性金属との電子スピン相関の解明
千葉大院融合，岐阜大工^A，KIT物理^B　山岸祐平，芝原文利^A，川崎巧，W. Wulfhekel^B，山田豊和

休憩　（10:30～10:45)

7: Spin-polarized scanning tunneling microscopy of organic magnetic molecules
The National Taiwan University　Hoffmann Germar

8: Conical spin-spiral ground state of a Mn double layer on W(110) driven by higher-order exchange interactions
Univ. of Hamburg^A，ISSP Univ. of Tokyo^B，Univ. of Kiel^C，Univ. of Zaragoza^D　Yasuo Yoshida^A，B，Silke Schroeder^C，Paolo Ferriani^C，David Serrate^A，D，Kirsten von Bergmann^A，Andre Kubetzka^A，Stefan Heinze^C，Roland Wiesendanger^A

9: 磁化変調方式SP-STMによる多結晶磁性薄膜のスピン依存トンネル電流のバイアス電圧依存性
北大理　奈良大地，中村拓也，中元敦彦，松山秀生

27日　CK会場　27pCK　13:30～15:00

領域9，領域3合同
表面磁性

1: 磁気異方性2倍周期Fe/Au多層膜のFe K吸収端磁気散乱
奈良先端大物質　山岸隆一郎，花坂周邦，上垣伸，長谷川崇，甘崎晋次郎，細糸信好

2: FePdを用いた磁性薄膜における磁気異方性電界効果
金沢大自然，東北大CSIS^A　原口辰也，辻川雅人^A，後藤純平，小田竜樹

3: Ni/Cu(100)薄膜の磁気異方性および保磁力に対するFeMn層の影響
KEK物構研　雨宮健太，酒巻真粧子

4: 交互積層FeNi薄膜成長過程における表面構造と磁気異方性の観察
KEK物構研　酒巻真粧子，雨宮健太

5: 放射光メスバウアー分光法によるFe/Fe₃O₄界面の局所構造・局所磁性探査
名工大工，筑波大物工^A，原子力機構^B，京大原子炉^C　壬生攻，柳原英人^A，三井隆也^B，増田亮^B，堀紫織，村田敦，田中雅章，鈴木和也^A，喜多英治^A，瀬戸誠^C，B

6: 高角領域円偏光共鳴Ｘ線磁気回折法によるエピタキシャルFe/Au(001)多層膜中のAu層誘起磁化分布
奈良先端物質，JASRI/SPring-8^A，奈良高専^B　上垣伸，大河内拓雄^A，児玉謙司^B，細糸信好