領域7

24日　BK会場　24aBK　9:00～12:45

領域7
中性-イオン転移・π-d系など

1: 中性-イオン性転移物質DMTTF-QCl₄の電荷移動度とそのダイナミクス
東大工^A，産総研^B，ERATO-MF^C，理研CMRG/CERG^D　須波圭史^A，宮川和也^A，岩瀬文達^A，鹿野田一司^A，堀内佐智雄^B，十倉好紀^A，C，D

2: 中性-イオン性転移物質TTF-QCl₄の圧力下スピン状態IV
東大工，東大新領域^A　西川哲郎，宮川和也，鹿野田一司，松崎弘幸^A，上村紘崇^A，岡本博^A

3: 中性‐イオン性転移物質TTF-CAの1軸圧下電気抵抗測定
東大工，東大新領域^A　竹原陵介，宮川和也，鹿野田一司，上村紘崇^A，松崎弘幸^A，岡本博^A

4: TTFCOONH₄塩の¹H-NMR
分子研^A，総研大^B，物材機構^C　中村敏和^A，B，小林由佳^C

5: 水素結合を有する新奇な単一成分κ型分子性伝導体の高圧物性
東大物性研，神戸大院理^A，総合科学研究機構^B，KEK物構研PF/CMRC^C，分子研^D　磯野貴之，加茂博道，四竈格久，高橋一志^A，中尾朗子^B，熊井玲児^C，小林賢介^C，中尾裕則^C，村上洋一^C，山本薫^D，松林和幸，上床美也，森初果

6: (DIETSe)₂FeCl_4xBr_4(1-x)の合成と物性
京大院理，長岡技科大^A　川口玄太，前里光彦，北川宏，今久保達郎^A

7: (DIETSe)₂MX₄ [M=Fe,Ga, X=Cl,Br]の強磁場物性
京大院理，長岡技科大^A，名城大^B，NHMFL^C　前里光彦，川口玄太，北川宏，今久保達郎^A，齋藤軍治^B，Andhika Kiswandhi^C，David Graf^C，James S. Brooks^C

休憩　（10:45～11:00)

8: λ-(BETS)₂FeBr_xCl_4-x(0 ≦ x ＜ 1)における相転移と基底状態II
東邦大理，理研^A，日大文理^B　嶋田一雄，秋葉宙，黒土裕加，田嶋尚也，西尾豊，梶田晃示，加藤礼三^A，ファティマスルタナ^B，小林昭子^B，小林速男^B

9: π-d系分子性導体λ-(BETS)₂FeCl₄におけるスピン誘起絶縁化機構
理研，東北大金研^A，日大文理^B　大島勇吾，山下智史，野尻浩之^A，H.-B. Cui，加藤礼三，小林昭子^B，小林速男^B

10: π-d系有機導体κ-(BETS)₂FeX₄(X=Cl, Br)の磁場下熱容量測定
阪大院理，愛媛大院理工^A，東北大学際セ^B，日大文理^C　福岡脩平，山本貴，中澤康浩，白旗崇^A，高橋かず子^B，小林速男^C，小林昭子^C

11: π-d系有機導体κ-(BDH-TTP)₂FeX₄(X=Br,Cl)のフェルミ面
物材機構^A，筑波大院数理物質^B，兵庫県立大院物質理^C，NHMFL^D　杉井かおり^A，B，土屋聡^A，宇治進也^A，B，寺嶋太一^A，市川俊^C，和田淳志^C，山田順一^C，David Graf^D，James S Brooks^D

12: 新規交互積層型d-π電子系化合物の電子物性
東大物性研　下川達也，加茂博道，四竈格久，磯野貴之，森初果，田島裕之，木俣基

13: 鉄フタロシアニン化合物における磁場誘起転移
東大物性研，熊本大院自然^A，阪大院理^B，北大院理^C　中西成一郎，瀧川仁，松田真生^A，花咲徳亮^B，田島裕之，内藤俊雄^C，稲辺保^C

14: 遷移金属-フタロシアニン化合物の局所電子状態の理論
東大理　松浦弘泰，小形正男

24日　BL会場　24aBL　9:15～12:30

領域5，領域7合同
光誘起相転移

1: モット絶縁体におけるダブロンホロン対の非線形光励起の理論
東大理　岡隆史

2: 振動スペクトルから見たX[Pd(dmit)₂]₂の光誘起相転移
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，JST-PRESTO^C，JST-CREST^D，広大院総合科^E，阪大院^F，東理大理工^G，理研^H　石川忠彦^A，田中貴裕^A，深澤直人^A，沖本洋一^A，恩田健^B，C，腰原伸也^A，D，長谷川巧^E，宇田川眞行^E，山本貴^F，田村雅史^G，加藤礼三^H

3: Et₂Me₂Sb[Pd(dmit)₂]₂における光誘起電荷秩序融解ダイナミクス
分子研^A，総研大^B，JST-CREST^C　西岡圭太^A，米満賢治^A，B，C

4: 中性相TTF-CA結晶における分子内励起状態からイオン性電荷移動秩序の形成過程II
阪大産研，和歌山大シス工^A　谷村克己，伊東千尋^A

5: TTF-CAにおける光誘起中性イオン性転移の超高速ダイナミクスとその制御
東大院新領域^A，JST-CREST^B　宮本辰也^A，上村紘崇^A，岡本博^A，B

休憩　（10:30～10:45)

6: 擬1次元系の電子ドメイン成長過程におけるフォノン散乱効果III
KEK物構研　岩野薫

7: β’-(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶の反強磁性転移における光学応答
千葉大院理，千葉大普遍^A，千葉大院工^B　篠原哲人，三野弘文^A，酒井正俊^B

8: 電子誘電体κ-(h-BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の赤外10 fs分光
東北大院理^A，JST-CREST^B，山梨大院医工^C，東北大金研^D　石川貴悠^A，桜井洋平^A，川上洋平^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^C，佐々木孝彦^B，D

9: 電荷秩序状態を示す(3:2)BEDT-TTF塩における光照射効果
理研　田久保直子，田嶋尚也，加藤礼三

10: 逐次転移を示す電荷秩序絶縁体α’- (ET)₂IBr₂における光誘起相転移
東北大院理^A，JST-CREST^B，情通機構^C，分子研^D，豊田理化研^E　安生皓平^A，伊藤桂介^A，^○伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，齋藤伸吾^C，山本薫^D，薬師久弥^E

11: 有機強誘電体クロコン酸結晶における強誘電性の光制御
東大院新領域^A，産総研^B，JST，CREST^C　澤田亮人^A，上村紘崇^A，堀内佐智雄^B，C，岡本博^A，C

12: 有機超分子強誘電体からの室温強誘電性を反映したテラヘルツ電磁波発生と強誘電ドメインイメージング
東大新領域^A，産総研FLEC^B，JST・CREST^C　五月女真人^A，貴田徳明^A，堀内佐智雄^B，C，岡本博^A，C

24日　CF会場　24aCF　9:15～12:00

領域7
光物性

1: 発光トランジスタにおけるキャリア閉じ込め構造の導入
早大先進，東北大理^A，京都工繊大^B，東大工^C　牛膓翔太，丸山健一，高木勇樹，澤部宏輔^A，今川雅貴，山雄健史^B，堀田収^B，岩佐義宏^C，竹延大志

2: 回折格子構造を持つ有機単結晶発光トランジスタ
早大先進，東北大理^A，京都工繊大^B，東大工^C　丸山建一，澤部宏輔^A，山雄健史^B，堀田収^B，岩佐義宏^C，竹延大志

3: イオンゲルを用いた電気二重層トランジスタのインピーダンス解析
東北大理^A，早大^B，PRESTO^C，東大工^D　蓬田陽平^A，竹延大志^B，C，蒲江^B，下谷秀和^A，岩佐義宏^D

4: 素子動作との融合分光法を用いたポリマーEL素子における一重項と三重項励起子生成比の起源の解明
大阪市大院理^A，CREST-JST^B　金信真理子^A，鐘本勝一^A，B，橋本秀樹^A，B

5: Optoelectronic Properties of Newly Synthesized Furan/Phenylene Co-oligomer Single Crystal
Dept. of Phys.，Tohoku Univ.^A，WPI Advanced Inst. for Materials Res. (WPI-AIMR)，Tohoku Univ.^B ，Dept. of Chemistry，Tohoku Univ.^C　Hui Shang^A，Susumu Ikeda^B，Thangavel Kanagasekaran^A，Hidekazu Shimotani^A，Kazuaki Oniwa^C，Tienan Jin^B，Uzzaman Md. Akhtar^C，Naoki Asao^B，Yoshinori Yamamoto^B，Hiroyuki Tamura^B，Ikutaro Hamada^B，Katsumi Tanigaki^A，B

休憩　（10:30～10:45)

6: F8T2/PC70BMの電荷ダイナミクス
筑波大数理^A，筑波大TIMS^B，物材機構^C　米澤宏平^A，伊藤港^A，上岡隼人^A，B，安田剛^C，韓礼元（Liyuan Han）^C，守友浩^A，B

7: 分子接合されたHBC-C₆₀の電荷ダイナミクス
筑波大数理，筑波大学際物質セ^A，東工大資源化学研^B，東大院工^C　伊藤港，米澤宏平，上岡隼人^A，山本洋平^A，福島孝典^B，相田卓三^C，守友浩^A

8: 有機半導体における電荷移動ギャップ制御と励起子拡散・電荷分離
産総研　堤潤也，山田寿一，松井弘之，長谷川達生

9: P3HT/PCBMブレンドフィルムの光CELIV法による研究
東大物性研　鈴木智彦，安井基陽，田島裕之，木俣基

10: ドナー‐アクセプタ型共重合体PCDTBT/PCBM複合体の光電流と光キャリア再結合
名大院工　伊東裕，鈴木淳也，長谷川裕哉，東海卓弥，田中久暁，黒田新一

24日　CJ会場　24aCJ　9:00～12:15

領域7
籠状物質

1: 単結晶Type I Ba₈Ga₁₆Sn₃₀のNMRによる研究
神戸大院理，広大院先端物質^A　古本和哉，園田寛智，小手川恒，藤秀樹，末國晃一郎^A，才賀裕太^A，高畠敏郎^A

2: Eu_xSr_8-xGa₁₆Ge₃₀の磁場中電気抵抗測定
東北大院理^A，東北大WPI-AIMR^B　平郡諭^A，田邉洋一^B，徐静涛^B，牟剛^A，J. Wu^A，谷垣勝己^A，B

3: TEM-EELSによるMgB₄の電子構造の研究
東北大多元研，長岡技科大^A　齋藤泰樹，佐藤庸平，寺内正己，齋藤広樹^A，武田雅敏^A

4: Naオクトシリケートのプロトン伝導
東北大院理，東工大工^A，早大理工^B　阿部泰法，望月大^A，黒田一幸^B，松井広志

5: 分子性ナノ多孔質結晶{[Co^III(H₂bim)₃](TATC)・7H₂O}_nの一次元水分子クラスターにおける高周波応答
東北大院理，東理大理^A　鈴木雄太，田所誠^A，松井広志

6: 分子性ナノ多孔質結晶{[M(H₂bim)₃](TMA)・20H₂O}_n(M=Co,Ru,Rh)のプロトン伝導
東北大院理，東理大理^A　松井広志，藤掛洵朗，田所誠^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 第一原理計算によるα正方晶ホウ素の構造安定性の研究
阪大産研　上村直樹，白井光雲

8: ソーダライト中のカリウムクラスターの⁴⁰K放射光メスバウアー吸収分光
阪大理，京大原子炉^A，原研機構^B，JASRI^C　中野岳仁，福田直起，瀬戸誠^A，B，小林康浩^A，依田芳卓^C，石神直大^A，三原基嗣，野末泰夫

9: ゼオライトLSXの配列ナノ空間におけるアルカリ金属s電子系の絶縁体金属転移と磁性
阪大理，ハノイ自然科学大^A，岡大院自然^B　野末泰夫，川野涼子，Luu Manh Kien，土橋和成，Duong Thi Hanh，Nguyen Hoang Nam^A，大脇泰弘，荒木新吾^B，中野岳仁

10: カリウムを吸蔵したゼオライトPの絶縁体金属転移
阪大理，マレーシア工科大理^A　Gayan Prasad Hettiarachchi，森朝文也，西田憲史，Pham Tan Thi，Mohd Nazlan Mohd Muhid^A，Halimaton Hamdan^A，中野岳仁，野末泰夫

11: ナトリウムを飽和吸蔵したLSX型ゼオライトのNMR低温緩和特性
群馬高専，阪大理^A，物材機構^B　五十嵐睦夫，中野岳仁^A，後藤敦^B，大木忍^B，端健二郎^B，清水禎^B，ファム・タン・ティ^A，野末泰夫^A

12: 高濃度にカリウム吸蔵したチャンネル型ゼオライトLの光学的性質
阪大理　ファムタンティ，中野岳仁，野末泰夫

24日　SB会場　24aSB　9:00～12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: ビスマス有効模型の構築と角度分解ランダウスペクトルの解析
阪大基礎工，ESPCI Paris Tech^A　伏屋雄紀，Z. Zhu^A，B. Fauque^A，K. Behnia^A

2: ワイル半金属におけるフェルミアーク状態とスピンBerry位相
広大先端研　井村健一郎，高根美武

3: 擬ギャップアンダーソン模型における電気伝導
茨大工　青野友祐

4: グラフェンにおける欠陥誘起近藤効果
東大理　金尾太郎，松浦弘泰，小形正男

5: 多層グラフェン/Ni(111)のRashba効果と電気伝導の第一原理計算
金沢大理工，金沢大自然^A　石井史之，小鷹浩毅^A，澤田啓介^A，大西峰志，斎藤峯雄

6: グラフェンと金属電極の接触抵抗の第一原理計算
産総研ナノシステム　金子智昭，今村裕志

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンの電気伝導におけるレーザー光照射の効果に関する量子ダイナミクスシミュレーション
神戸大院工　坂本理朗，小川真人，相馬聡文

8: SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定
NTT物性基礎研，東工大^A　熊田倫雄，田邉真一，日比野浩樹，鎌田大^A，橋坂昌幸^A，村木康二，藤澤利正^A

9: グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの研究
千葉大工^A，千葉大院融合^B，アリゾナ州大^C，バッファロー大^D　大内隆寛^A，阿部拓斗^B，M.アカラム^B，磯優平^A，青木伸之^B，D.K.フェリー^C，J.P.バード^D，落合勇一^B

10: 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面／下面移動度の評価II
筑波大数理物質^A，CREST-JST^B，物材機構^C　貫井洋佑^A，B，後藤秀徳^A，B，友利ひかり^A，B，豊田行紀^A，B，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，B

11: イオン液体を用いた数層グラフェンFETの伝導特性
岡山大院自然　上杉英里，後藤秀徳，江口律子，久保園芳博

12: 自己組織化単分子膜を用いたグラフェンFETのキャリア変調
東工大院理工　横田一道，高井和之，榎敏明

24日　BK会場　24pBK　13:30～18:00

領域7
スピン液体・モット転移・金属錯体

1: ダイマーモット絶縁体κ-(ET)₂Cu₂(CN)₃における赤外光学伝導度
東北大金研^A，山梨大院医工^B，JST-CREST^C　中屋秀貴^A，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^A，C

2: 量子スピン液体κ‐(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の低温対称性変化の観測
岡山大院自然，東大院総合^A，名大院理^B，東北大金研^C，京大院理^D，阪大院理^E，PF/CROSS^F　山本伸樹，野上由夫，近藤隆祐^A，寺崎一郎^B，佐々木孝彦^C，前里光彦^D，花咲徳亮^E，中尾朗子^F

3: 強相関二バンドダイマー模型と単一バンド模型の間の有効マッピング
IFW Dresden^A，京産大理^B　西本理^A，堀田知佐^B

4: ダイマー内電荷揺らぎと超伝導転移
東大理，産総研 NRI"RICS"，理研基幹研^A，JST-CREST^B，東大物性研^C　吉見一慶，妹尾仁嗣^A，B，前橋英明^C

5: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Xにおけるモットギャップ内光励起状態
名工大院工^A，CREST-JST^B，奈良先端大物質^C　五味広喜^A，B，池永昌弘^C，平木康浩^C，高橋聡^A，B，相原正樹^C

6: β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆におけるダイマーモット相と電荷秩序相の競合
名大院理^A，JASRI/SPring-8^B，東大物性研^C，神戸大院理^D，東北大金研^E　岡崎竜二^A，仁科靖生^A，堀川絢加^A，安井幸夫^A，寺崎一郎^A，池本夕佳^B，森脇太郎^B，四竈格久^C，高橋一志^C，D，森初果^C，中屋秀貴^E，佐々木孝彦^E

7: β-Me₄N[Pd(dmit)₂]₂の圧力下における¹³C-NMR測定III
学習院大理，理研^A　大塚慶，鷹野芳樹，開康一，高橋利宏，崔亨波^A，加藤礼三^A

8: 多変数変分モンテカルロ法によるEtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の第一原理有効模型の数値解析
東大院工　森田悟史，金子隆威，今田正俊

休憩　（15:30～15:45)

9: Et₂Me₂Sb[Pd(dmit)₂]₂の圧力下における熱測定
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，RIKEN^C　田中友樹^A，奥澤唯^A，粟竹広大^A，西尾豊^A，B，田嶋尚也^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C

10: 二次元面平行ないし面垂直の印加磁場下におけるEtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の単結晶¹³C-NMR
京大人環，北大電子研^A，理研^B　伊藤哲明，渡辺恵里，久保田健朗，西山昌秀，小山田明，前川覚，久保和也^A，加藤礼三^B

11: (Me₄Sb)_x(EtMe₃Sb)_1-x[Pd(dmit)₂]₂混晶系の¹³C-NMR
京大人環，北大電子研^A，理研^B　渡辺恵里，伊藤哲明，西山昌秀，小山田明，前川覚，久保和也^A，加藤礼三^B

12: (Me₄Sb)_x(EtMe₃Sb)_1-x[Pd(dmit)₂]₂混晶系における磁性状態
理研，東理大理工^A　上田康平，山下智史，崔亨波，福永武男^A，山本浩史，加藤礼三

13: (Me₄Sb)_x(EtMe₃Sb)_1-x[Pd(dmit)₂]₂混晶系のギャップレス励起に関する熱的研究
理研，阪大院理^A，東理大理工^B　山下智史，福岡脩平^A，中澤康浩^A，上田康平，崔亨波，福永武男^B，山本浩史，加藤礼三

14: 第一原理計算による(Cation)[Pd(dmit)₂]₂の構造と電子状態
理研基幹研^A，物材機構^B　圓谷貴夫^A，B，宮崎剛^B，加藤礼三^A

15: (Cation)[Pd(dmit)₂]₂の有効モデルと電荷秩序安定性
理研基幹研^A，JST-CREST^B，物材機構^C　妹尾仁嗣^A，B，圓谷貴夫^A，C，宮崎剛^C，加藤礼三^A

16: 高磁場下¹³C-NMRでみた多軌道系有機導体[M(tmdt)₂]の軌道状態
東大工，日大文理^A　高木里奈，宮川和也，鹿野田一司，周彪^A，小林昭子^A，小林速男^A

17: 圧力下におけるAu(tmdt)₂の電子状態
産総研ナノシステム，北陸先端大融合院^A，日大文理^B　石橋章司，寺倉清之^A，小林昭子^B，小林速男^B

24日　CF会場　24pCF　13:30～17:30

領域7
界面デバイス

1: 圧力印加によるルブレン単結晶トランジスタの伝導特性及び結晶構造の変調
阪大院理，阪大産研^A，JASRI^B　岡田悠悟，酒井謙一^A，北岡慎^A，三輪一元^A，大石泰生^B，竹谷純一^A

2: 高圧下におけるDNTTの電気伝導性と結晶構造
阪大産研，阪大院理^A，JASRI^B，広大院工^C　酒井謙一，岡田悠悟^A，北岡慎，三輪一元，植村隆文，大石泰生^B，瀧宮和男^C，竹谷純一

3: 圧力印加時におけるペンタセンFETの伝導特性
阪大産研，阪大院理^A，JASRI^B　北岡慎，岡田悠悟^A，酒井謙一，三輪一元，植村隆文，大石泰生^B，竹谷純一

4: 極薄絶縁膜を用いた有機電界効果トランジスタ
電中研^A，京大化研^B，ETH Zurich^C，JSTさきがけ^D　小野新平^A，島村一利^B，Roger Hausermann^A，C，Bertram Batlogg^C，千葉大地^B，D，小野輝男^B

5: Air stable organic ambipolar field effect transistor with gold electrodes
WPIAIMR and Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci.，Tohoku Univ.　T. Kanagasekaran，S. Ikeda，H. Shang，R. Kumashiro，H. Shimotani and K. Tanigaki

6: 高移動度有機半導体C₈-BTBTの4端子トランジスタ測定
名大院工，広大院工^A　山田悠真，小塚真人，野崎智史，伊東裕，渡辺峻一郎，田中久暁，黒田新一，瀧宮和男^A

7: ミクロ液滴界面における単結晶有機半導体薄膜成長のその場観察
産総研　野田祐樹，峯廻洋美，山田寿一，長谷川達生

休憩　（15:15～15:30)

8: ルブレン単結晶電界効果トランジスタの電場変調赤外分光
東大院新領域^A，東大工^B，阪大産研^C，JST-CREST^D　内田隆介^A，矢田祐之^A，牧野雅幸^B，松井裕太^A，三輪一元^C，植村隆文^C，竹谷純一^C，岡本博^A，D

9: ルブレン単結晶の可視ポンプ-THzプローブ分光
東大院新領域^A，東大工^B，阪大産研^C，JST-CREST^D　矢田祐之^A，内田隆介^A，松井裕太^A，上村紘崇^A，寺重翼^B，三輪一元^C，植村隆文^C，竹谷純一^C，岡本博^A，D

10: テトラセン単結晶の表面構造
阪大基礎工，阪大工^A　森崎はづき，三輪一元^A，竹谷純一^A，木村剛，若林裕助

11: TMTSFドナー単結晶の光誘起伝導とキャリア制御
岡大自然　大嶋孝吉，岩間智哉，味野道信

12: 波束ダイナミクス法を用いた有機半導体のキャリア伝導計算
筑波大数物，阪大産研^A，NEC^B　石井宏幸，小林伸彦，植村隆文^A，竹谷純一^A，広瀬賢二^B

13: モット転移近傍へと導いた分子性導体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Clにおける電界効果測定
理研，JSTさきがけ^A，東工大^B，阪大基礎工^C　須田理行，山本浩史^A，B，川椙義高^C，加藤礼三

14: 電荷移動錯体単結晶α-(BEDT-TTF)₂I₃を用いた電界効果トランジスタの作製
東大物性研　石原拓真，田島裕之，木俣基

15: 圧力下α-(BEDT-TTF)₂I₃を用いたスピンバルブの作製
阪大基礎工　神谷建，川椙義高，荒正人，夛田博一

24日　CJ会場　24pCJ　13:30～15:15

領域7
クラスレート

1: クラスレート化合物における格子拡散ダイナミクス
神戸大院理，広島大院先端物質^A　渡邉徹生，山内崇弘，守安毅，岡村英一，河本敏郎，末國晃一郎^A，鬼丸孝博^A，高畠敏郎^A

2: VIII型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀のテラヘルツ時間領域分光
東北大院理，広大院先端^A，先進セ^B　岩本慧，森龍也，梶谷周平，松本秀樹，豊田直樹，末國晃一郎^A，M. A. Avila^A，才賀裕太^A，高畠敏郎^A，B

3: 異形クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀のI型とVIII型の相転移
広大院先端^A，先進セ^B，名大院工^C　高畠敏郎^A，B，DU Baoli^A，才賀裕太^A，加治佐洸介^A，西堀英治^C，澤博^C

4: 異形クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀のＩ型とVIII型の相転移に伴う構造変化
名大院工，広島大院先端物質^A　西堀英治，河野晃啓，澤博，DU Baoli^A，高畠敏郎^A

5: 構造IおよびVIII型クラスレート（Sr₈Al_xGa_16-xSi₃₀）の高圧構造相転移
岐阜大工，山口大院^A，物材機構^B　久米徹二，今枝佑太，佐々木重雄，清水宏晏，岸本堅剛^A，小柳剛^A，中野智志^B

6: Discussion of magnetism in type 1 clathrate compounds
Tohoku Univ.^A，WPI AIMR^B　Jiazhen Wu^A，Jingtao Xu^B，Satoshi Heguri^A，Gang Mu^A，Katsumi Tanigaki^A，B

7: Low temperature heat capacity study on type I clathrates
WPI-AIMR，Tohoku Univ.^A，Phys. Dept.，Tohoku Univ.^B　Jingtao Xu^A，Jiazhen Wu^B，Satoshi Heguri^B，Yoichi Tanabe^A，Gang Mu^B，Jun Tang^A，Katsumi Tanigaki^A，B

24日　SB会場　24pSB　13:30～16:45

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 表面修飾したグラフェンの電子輸送特性
東北大WPI-AIMR，東北大理^A　野内亮，三苫伸彦^A，範暁彦，谷垣勝己^A

2: グラフェンFET界面上の不均一酸素吸着における電界効果
東工大院理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

3: グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，Craciun F. Monica^A，Russo Saverio^A，樽茶清悟

4: 局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C，秋田大教育文化^D，奈良女子大理^E　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，豊田行紀^A，C，貫井洋佑^A，C，軽部大雅^A，C，仁平慎太郎^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，林正彦^D，吉岡英生^E，神田晶申^A，C

5: 層間すべりのある2層グラフェンのバンド構造
岐阜大院工　武藤翼，青木正人

6: 微少ねじれ角で積層した2層グラフェンの大規模電子状態計算による解析
東大工　内田和之，古家真之介，岩田潤一，押山淳

休憩　（15:00～15:15)

7: グラフェンにおける動的電子輸送プロセスの第一原理研究
長崎大先端計算セ，阪大院工^A　江上喜幸，広瀬喜久治^A

8: グラフェンアンチドッド格子の電子構造
東大物性研，東工大理^A　櫻井誠大，斎藤晋^A，高田康民

9: 欠陥を持つグラフェンの作製とその電子輸送物性
東工大院理工　工藤泰彦，高井和之，榎敏明

10: グラフェン／六方晶窒化ホウ素超格子における格子不整合の効果
東工大理　酒井佑規，斎藤晋

11: 不純物ドープされた単層BNシートの電子構造
東工大理　藤本義隆，是常隆，斎藤晋

12: B₄Cの熱分解によるグラフェン成長とその特徴
名大院工^A，JFCC^B，名大エコ研^C　乗松航^A，B，平田浩一郎^A，楠美智子^A，C

24日　YD会場　24pYD　13:30～16:35

領域8，領域3，領域4，領域7，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：物理学における新・元素戦略

1: はじめに（趣旨説明）：新元素戦略が拓くサイエンスと物理学会の役割　－　京、J-PARC、SPring-8/SACLA大型研究基盤ツールとの協奏的研究　－
JASRI　高田昌樹

2: 熱伝導変換、スピントロニク、超伝導材料創成における元素戦略
東大理物理高木研（実験系）　高木英典

3: 元素戦略から考える希土類磁石の技術課題
物材機構磁性材料　宝野和博

4: ナノサイエンス/グリーンケミストリーにおける元素戦略的展開：新触媒開発、固体電解質の開発
京大理　北川宏

休憩　（15:10～15:25)

5: 元素戦略が拓く先進構造材料：組織制御と特性向上
物材機構元素戦略材料　津崎兼彰

6: 元素戦略における計算物質科学の役割
東大理物理常行研（理論系）　常行真司

7: まとめ：基礎学理と応用技術をつなぐ新しい元素戦略
東工大応セラ研　細野秀雄

25日　BK会場　25aBK　9:00～12:15

領域7
ディラック電子系

1: 分子性導体α-(BETS)₂I₃の伝導特性とゼロギャップ性II
東邦大理^A，東理大理工^B，理研^C，阪市立大院理^D　遠藤里実^A，佐藤光幸^A，菅原滋晴^B，田嶋陽子^A，田嶋尚也^A，村田惠三^D，加藤礼三^C，西尾豊^A，梶田晃示^A

2: ゼロギャップ伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の熱起電力2
東邦大理，理研^A，東理大理工^B，愛媛大理工^C　北村竜一，加藤礼三^A，田村雅史^B，内藤俊雄^C，田嶋尚也，西尾豊，梶田晃示

3: 薄板結晶の分子性ディラック電子系：FET効果と非局所電気伝導性
東邦大理，理研^A，阪大基礎工^B　田嶋尚也，山口達也，須田理行^A，川椙義高^B，山本浩史^A，加藤礼三^A，西尾豊，梶田晃示

4: α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力下熱測定
東大物性研　鴻池貴子，内田和人，長田俊人

5: 8 GPa下のα-(BEDT-TTF)₂I₃のDirac Cone状態
阪市大院理，物性研^A　増田耕育，^○横川敬一，鴻池貴子^A，吉野治一，村田惠三

6: α型分子性導体における静水圧下でのディラック電子III
名大理　鈴村順三，小林晃人

休憩　（10:30～10:45)

7: 分子性ゼロギャップ伝導体におけるヘリカル表面状態の実験的検証
東大物性研　佐藤光幸，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

8: 強磁場下多層ディラック電子系におけるヘリカル表面状態の層間伝導特性
東大物性研　長田俊人

9: 層状有機伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃における傾斜Diracコーンと電子相関効果の¹³C-NMR研究
東大工，東理大理工^A　平田倫啓，石川恭平，宮川和也，田村雅史^A，鹿野田一司

10: 層状有機Dirac電子系α-(BEDT-TTF)₂I₃におけるzero-mode Landau準位構造の高磁場下¹³C-NMR研究
東大院工，東理大理工^A　谷口智隆，平田倫啓，石川恭平，宮川和也，鹿野田一司，田村雅史^A

11: 圧力下、低温でのα-(BEDT-TTF)₂I₃の¹³C-NMR研究II
学習院大理，理研^A　高田裕介，鷹野芳樹，開康一，山本浩史^A，高橋利宏

12: 分子性導体のディラック電子系における電子相関効果
名大理　小林晃人，鈴村順三

25日　CF会場　25aCF　9:00～11:15

領域7
ナノチューブ

1: キャリアドープした半導体ナノチューブの二光子励起スペクトル
京大化研　樹本好央，岡野真人，金光義彦

2: ホールドープした単層カーボンナノチューブの励起子緩和ダイナミクス
京大化研^A，JST-CREST^B　西原大志^A，金光義彦^A，B

3: カーボンナノチューブの発光量子効率と励起子ダイナミクス
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B　毛利真一郎^A，宮内雄平^A，B，松田一成^A

4: 電気化学的手法による単層カーボンナノチューブにおける正、負トリオンの観測
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B，九大工^C　松田一成^A，毛利真一郎^A，宮内雄平^A，B，朴珍成^C，中嶋直敏^C

休憩　（10:00～10:15)

5: 化学ドーピングしたカーボンナノチューブの光学特性
京大化研　岡野真人，金光義彦

6: カーボンナノチューブの垂直偏光吸収における環境効果
岩大工，東工大院理工^A　瓜生誠司，安藤恒也^A

7: カーボンナノチューブにおける多重励起子生成
筑波大数理　小鍋哲，岡田晋

8: 二層カーボンナノチューブの励起子吸収におけるファミリー効果
北大工，岩大工^A，東工大理^B　冨尾祐，鈴浦秀勝，瓜生誠司^A，安藤恒也^B

25日　SB会場　25aSB　9:00～12:30

領域4，領域7合同
グラフェン

1: Twisted bilayer grapheneにおけるランダウ準位構造
東北大理　文泌景，越野幹人

2: 電場中の2層グラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位のトポロジカルな安定性
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

3: 電子間相互作用による磁場下グラフェンの局在状態
筑波大物理，東大物理^A　濱本雄治，初貝安弘，青木秀夫^A

4: 3層グラフェンの磁気輸送と電子構造
広大先端　八木隆多，田原文也，下村翠，深田誠也

5: グラフェン単層2層接合における量子ホール伝導と界面状態
東大物性研　上原史也，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

6: グラフェンナノ構造における磁場誘起量子閉じ込めと電子輸送特性
物材機構，群馬大工^A　森山悟士，守田佳史^A，渡辺英一郎，津谷大樹

休憩　（10:30～10:45)

7: 平行磁場下のグラフェンの磁気抵抗
中大理工　白石沙代，佐野和也，根間裕史，若林淳一

8: 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗II
中大理工　佐野和也，白石沙代，根間裕史，若林淳一

9: グラフェンメゾスコピック細線における磁気整合効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　井口和之^A，増渕覚^A，B，山口健洋^A，大貫雅広^A，谷口尚^C，渡邊賢司^C，町田友樹^A，B，D

10: 長距離不純物を含むグラフェンにおける弱磁場ホール効果
東工大理　野呂昌生，安藤恒也，村上修一

11: 磁場中の多層グラフェンにおける光学ホール伝導度
東大理　森本高裕，青木秀夫

12: 多層グラフェンの層間交流伝導度
東工大理　和久津岳生，中村正明

13: 非一様磁場に対するグラフェンの反磁性帯磁率：ギャップと不純物の効果
東工大院理工　有村泰典，^○安藤恒也

25日　BK会場　25pBK　13:30～16:50

領域7シンポジウム
主題：有機電荷移動錯体の特異な電荷応答と相転移

1: はじめに
東大物工（超伝導量子物性工学）　鹿野田一司

2: 強誘電性有機電荷移動錯体の開発
産総研　堀内佐智雄

3: 光誘起相転移における電荷と分子の超高速ダイナミクス
東大新領域　岡本博

4: レーザー光電子分光で観る有機導体のバンド描像と相転移
東大物工（物性物理工学）　石坂香子

休憩　（14:55～15:10)

5: 外場応答型電荷秩序系物質の開発
東大物性研　森初果

6: 分子ダイマーに内在する電荷自由度と誘電応答
東北大金研　佐々木孝彦

7: 放射光による電荷分布解析
名大工　澤博

8: 電荷秩序系の誘電応答と光学応答～有機物と酸化物～
東北大理　石原純夫

25日　BL会場　25pBL　13:30～16:45

領域5，領域4，領域7，領域8合同シンポジウム
主題：凝縮系における超高速現象とコヒーレント物質制御への展開；光化学反応から光誘起相転移まで

1: はじめに　超高速現象とコヒーレント制御
東京農工大院工　三沢和彦

2: 光化学反応の超高速ダイナミクス
京大理　鈴木俊法

3: コヒーレントフォノン制御が拓く物性制御
筑波大物工　長谷宗明

4: 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノンの記述
筑波大物理　矢花一浩

休憩　（14:55～15:10)

5: 強相関電子系における光誘起相転移
東北大理　岩井伸一郎

6: 光誘起相転移における多電子フォノン相関の理論
分子研　米満賢治

7: テラヘルツ波パルスによる磁性体の超高速スピン応答と制御
東大物性研　中嶋誠

8: まとめ　理論研究の立場から
東芝研究開発セ　石田邦夫

25日　CF会場　25pCF　13:30～17:00

領域7
ナノチューブ

1: コロネンポリマー内包CNTのエネルギー論と電子状態
筑波大数理　岡田晋

2: Origin of the n-type Transport Behavior of C₅₉N Encapsulated Single-Walled Carbon Nanotube
NRI-AIST^A，Univ. of Tsukuba^B，CREST^C　Nguyen Thanh Cuong^A，C，Minoru Otani^A，C，Susumu Okada^B，C

3: 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価III
千葉大院融合，Univ. at Buffalo^A，産総研^B　湯村成一，木田理夫，伊藤慶，浅野均，青木伸之，J.P.Bird^A，中西毅^B，落合勇一

4: 分子吸着したカーボンナノチューブの電気伝導特性の温度変化
千葉大院理　島根佑太，音賢一，室清文

5: カーボンナノチューブ相互接続線の力率改善と動的電力消費
東理大工，東大工^A　山本貴博，笹岡健二^A，渡邉聡^A

6: 原子空孔欠陥を含む金属カーボンナノチューブのsub-THz交流応答の理論解析
東大院工，東理大工^A　平井大介，山本貴博^A，渡邉聡

休憩　（15:00～15:15)

7: 走査ゲート顕微鏡を用いたSWNTネットワークFETの動作機構の解析
千葉大院融合　魏小均，前田賢治，矢萩達朗，下園俊介，松永正広，青木伸之，落合勇一

8: インクジェット法によって作製した半導体ナノチューブトランジスタのキャリア伝導機構
早大先進^A，東北大理^B，首都大理工^C，産総研ナノテク^D，東大工^E　松崎怜樹^A，蓬田陽平^B，柳和宏^C，片浦弘道^D，岩佐義宏^E，竹延大志^A

9: イオンゲルを用いた高性能カーボンナノチューブ厚膜トランジスタ
早大先進，東北大理^A，首都大理工^B，東大工^C，産総研ナノテク^D　野房勇希，蓬田陽平^A，柳和弘^B，岩佐義宏^C，片浦弘道^D，竹延大志

10: カーボンナノチューブ内のメタノール分子構造
物材機構，JST-CREST　中村美道，大野隆央

11: カーボンナノチューブにおけるキャップ構造のエネルギー論と電子状態
東工大理　加藤幸一郎，斎藤晋

12: 結晶状単層カーボンナノチューブ集合体の作製とその物性
首都大理工，産総研^A，早大応物^B，京大薬^C　工藤光，柳和宏，小林春花^A，末永和知^A，蓬田陽平^B，竹延大志^B，吉宗良祐^C，中津亨^C

13: 液面下CVD法によるカーボンナノリボンの合成とその構造
熊大院自然，熊大工^A　横井裕之，野口祐介^A，石原史大^A

25日　YD会場　25pYD　13:30～17:00

領域8，領域3，領域7合同シンポジウム
主題：新物質が切り拓く次世代の強相関物性科学

1: はじめに
東大・新領域　有馬孝尚

2: 砒素の化学結合の形成・切断による電子状態制御　―鉄系超伝導を超えて―　　
岡山大・自然　野原実

3: 強相関金属における原子価数とその揺らぎ　―新しい量子臨界現象―　
東大・物性研　中辻知

4: 相関電子系に現れる高次・複合自由度　―新しい量子状態と伝導現象―
東大・工　求幸年

休憩　（15:00～15:15)

5: スピン分子　－フラストレート格子における特異な磁気励起－
東北大・理　富安啓輔

6: 新しい配位構造が拓く物性科学　―鉄系・チタン系酸化物の化学―
京大・工　陰山洋

7: 金属錯体における次元性制御　－新規機能を目指して－　　　
金沢大・自然　宮坂等

8: 計算機ナノマテリアルデザイン　―太陽電池・熱電材料のデザイン・実証から高温超伝導探索まで―　　
阪大・基礎工　吉田博

25日　YF会場　25pYF　13:30～17:15

領域8，領域7合同
界面デバイス・相制御

1: 電気二重層トランジスタの微視的構造：イオン液体-金(111)界面構造の電圧依存性
阪大基礎工，物材機構^A，東北大理^B，東大工^C　山本涼介，森崎はづき，坂田修身^A，下谷秀和^B，袁洪涛^C，岩佐義宏^C，木村剛，若林裕助

2: 有機電気二重層トランジスタにおける接触抵抗の異常特性
東北大院理，東北大WPI^A　池田淳一，田邉洋一^A，野内亮^A，下谷秀和，谷垣勝己^A

3: イオンゲルを用いた有機トランジスタの高電荷密度状態のESR研究
筑波大院数物^A，JSTさきがけ^B，東北大院理^C，早大院先進^D，東大院工^E　丸本一弘^A，B，辻大毅^A，高橋優貴^A，松本大佑^A，蓬田陽平^C，竹延大志^D，B，岩佐義宏^E

4: イオンゲルを用いた単結晶両極性電気二重層トランジスタ
早大先進，東北大理^A，京都工繊大^B，東大院工^C　蒲江，蓬田陽平^A，下谷秀和^A，山雄健史^B，堀田収^B，岩佐義宏^C，竹延大志

5: ペンタセン単結晶トランジスタの電荷変調分光：イオン液体/固体ゲートの比較
富士電機，産総研^A　金井直之，堤潤也^A，松井弘之^A，山田寿一^A，長谷川達生^A

6: Y123系銅酸化物における電気化学的キャリア制御
東北大金研，東北大院理^A，東大院工^B，電中研^C，理研^D，CREST-JST^E　野島勉，永澤翔平，佐藤達哉^A，笠原裕一^B，小野新平^C，D，岩佐義宏^B，D，E

7: Tunable Spin-Orbit Interaction and Spin Polarization in electric double layer transistors of MX2 System
QPEC，Univ. of Tokyo^A，Nanyang Tech. Uni.^B，CERG，RIKEN^C　H. T. Yuan，K. Asakawa^A，Cl. Kloc^B and Y. Iwasa^A，C

休憩　（15:15～15:30)

8: フェナセン系有機電界効果トランジスタの特性
岡山大院自然，倉元製作所^A　久保園芳博，古村紀子，加地由美子，河相暢幸，浜尾志乃，江口律子，後藤秀則，菅原孝幸^A

9: イオン液体を用いたpicene薄膜デバイスのESR測定II
岡大院自然　長崎祐也，久保園芳博，神戸高志

10: 液相法を用いたA_xpicene(A=アルカリ，アルカリ土類金属）の相制御
岡山大院自然，岡山大理^A　高橋庸祐，柴崎盛治，冨田圭太郎^A，三田村洋希，何学侠，久保園芳博，神戸高志

11: 有機芳香族超伝導体の合成
岡山大院自然　三田村洋希，Xuexia He，高橋庸祐，江口律子，後藤秀徳，神戸高志，久保園芳博

12: 分子性超伝導体の比熱
東大院工，Durham Univ.^A，South China Univ. of Tech.^B，JST-CREST^C　竹内裕紀，笠原裕一，Kosmas Prassides^A，Xianhui Chen^B，岩佐義宏^C

13: AB積層したK_xPiceneの電子状態計算
阪大基礎工　山田紘太郎，丸山勲，草部浩一

14: 第一原理計算による(picene)₂K₄のアルカリ金属の役割と構造安定性について
物材機構，名大院工^A　木野日織，小林由佳，佐藤恵里奈^A，西堀英治^A，澤博^A

26日　BK会場　26pBK　13:30～17:30

領域7
電荷秩序・非線形伝導

1: Si基板上に成長させた(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における誘電応答の温度依存性
千葉大，奈良先端大^A　酒井正俊，花田光聡，石黒雅人，山内博，松原亮介^A，中村雅一^A，工藤一浩

2: θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の一軸圧縮下の変調波数と物性
岡山院自然，東大院総合文化^A，阪大院理^B　野上由夫，谷本由衣，近藤隆祐^A，花咲徳亮^B

3: 放射光による有機伝導体α'- (BEDT-TTF)₂IBr₂の逐次相転移の研究II
東北大多元研，東北大工^A，CMRC/KEK-PF^B，分子研^C　山下淳史，玄知奉，渡邉真史^A，小林賢介^B，熊井玲児^B，山本薫^C，薬師久彌^C，野田幸男

4: α-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序相におけるスピン励起
東大院工，東理大理工^A　石川恭平，平田倫啓，宮川和也，田村雅史^A，鹿野田一司

5: 密度汎関数法によるα-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序状態に関する理論的研究
産総研ナノシステム^A，山大院理工^B，物構研^C　渡辺秀治^A，B，下位幸弘^A，岩野薫^C

6: α-(BEDT-TTF)₂I₃における自発電圧振動とモードロッキング
東工大院理工　糸瀬文武，川本正，森健彦

7: 取　　消

8: 有機導体β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆における電荷秩序と非線形伝導
分子研，総研大，JST-CREST　田中康寛，米満賢治

休憩　（15:30～15:45)

超伝導・フェルミオロジー

9: β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂の電子状態の解明へ向けた高圧下ESR装置の開発II
首都大理工，埼玉大理^A，産総研^B　高倉寛史，谷口尚，溝口憲治，坂本浩一，谷口弘三^A，竹下直^B

10: 擬2次元有機導体の異方的層間横磁気抵抗(2)
東理大理工　菅原滋晴，森下明，田村雅史

11: 2つの10K級有機超伝導体(BEDT-TTF)₂Ag(CF₃)₄(TCE)のフェルミ面
東工大院理工，物材機構^A，アルゴンヌ国立研^B　川本正，森健彦，宇治進也^A，John A. Schlueter^B

12: ¹³C-NMRによるβ’-(BEDT-TTF)₄[(H₃O)Ga(C₂O₄)₃]・C₆H₅NO₂の超伝導転移直上にみられる異常金属状態の研究
北大院理　関春海，井原慶彦，河本充司

13: 有機超伝導体λ-(BETS)₂GaCl₄におけるSTM分光
北大院理，日大文理^A　岡雄基，一ノ宮弘樹，延兼啓純，松永悟明，野村一成，ファティマ・スルタナ^A，小林昭子^A，小林速男^A

14: β-(BDA-TTP)₂MF₆における第一原理バンド計算に基づく有効模型を用いた超伝導対称性の解析
神奈川大工，電通大先進理工^A，兵庫県大院物質理^B　相澤啓仁，黒木和彦^A，山田順一^B

15: 超高圧下におけるTTF誘導体の電気伝導性
阪大極限セ　坂田雅文，奥本健太郎，中本有紀，加賀山朋子，清水克哉

26日　CC会場　26pCC　13:30～17:30

領域7
分子デバイス

1: 有機半導体デバイスにおけるESR誘起分極電流の発現機構の解明
阪市大院理^A，CREST-JST^B　竹本圭佑^A，上田裕二郎^A，松岡秀展^A，鐘本勝一^A，B

2: π共役ポリマーを用いた有機ダイオードにおけるスピンペアの役割の解明
阪市大院理^A，CREST-JST^B　上田裕二郎^A，竹本圭佑^A，松岡秀展^A，鐘本勝一^A，B

3: C₈-BTBTを用いた高移動度有機FETにおけるキャリアのESR観測
名大院工，産総研ナノシステム^A，広大院工^B　田中久暁，小塚真人，渡辺峻一郎，伊東裕，黒田新一，下位幸弘^A，瀧宮和男^B

4: ESR study in potassium doped anthracene
Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci.，Tohoku Univ.^A，WPI-AIMR，Tohoku Univ.^B　Quynh Phan，Satoshi Heguri^A，Yoichi Tanabe^B，Junichi Ikeda^A，Katsumi Tanigaki^A，B

5: 新規ポリマー半導体PNDTBTを用いた薄膜FETの電界誘起ESR測定
産総研，広大工^A　松井弘之，井川光弘，尾坂格^A，阿部達^A，瀧宮和男^A，長谷川達生

6: 自己組織化単分子膜上のポリアルキルチオフェン誘導体の分子配向：分子動力学シミュレーション
産総研ナノシステム　小畑繁昭，^○下位幸弘

7: 面内配向性を有するF8T2超薄膜トランジスタの電場誘起ESR観測
名大院工応物，名大院工応化^A　東健二郎，渡辺峻一郎，田中久暁，^○黒田新一，岩附紘子^A，冨川晴貴^A，永野修作^A，関隆広^A

休憩　（15:15～15:30)

8: 配位高分子単層膜の液面上における形成メカニズムと2次元ネットワーク構造
阪府大ナノ科学材料セ　牧浦理恵，土山幸平

9: Mn-Feシアノ錯体の構造と電子状態のLi濃度依存性
筑波大数理^A，筑波大学際物質セ^B　松田智行^A，守友浩^A，B

10: Mn-Fe薄膜電極の充放電特性の膜厚依存性
筑波大数理^A，TIMS^B　朱徐皓^A，栗原佑太朗^A，松田智行^A，守友浩^A，B

11: ポリマー型材料を用いたカラー電池
筑波大数理^A，TIMS^B　高地雅光^A，栗原佑太朗^A，松田智行^A，守友浩^A，B

12: Mn-Fe薄膜電極のLiイオン拡散係数
筑波大数理^A，TIMS^B　栗原佑太朗^A，高地雅光^A，守友浩^A，B

13: 凍結乾燥法で作製したZn-DNAの電子状態II
首都大理工　粂田翼，坂本浩一，溝口憲治

14: STMによるMetal-DNAの構造解析
首都大院理工　横矢貴秀，臼井英正，坂本浩一，溝口憲治

15: V₂(C₆H₆)₃化合物の磁性発現に関する理論研究
阪大基礎工，東大理^A　山口宏信，松浦弘泰^A，三宅和正

26日　SB会場　26pSB　13:30～17:00

領域7，領域9合同
グラフェン

1: 単層グラフェンのラマンスペクトルのゲート電圧依存性
東北大理，MIT^A　齋藤理一郎，佐藤健太郎，P. T. Araujo^A，D. L. Marfa^A，M. S. Dresselhaus^A

2: アームチェアエッジにおけるラマンDバンドの擬スピン
NTT物性研　佐々木健一，加藤景子，都倉康弘，鈴木哲，寒川哲臣

3: 積層構造がずれた二層グラフェンにおけるGバンド強度
東北大理　佐藤健太郎，齋藤理一郎

4: グラファイト及び2層グラフェンの赤外超高速発光の観測
東大物性研，九州大^A　榊茂之，中嶋誠，石田行章，辛埴，中辻寛，小森文夫，森田康平^A，栗栖悠輔^A，田中悟^A，末元徹

5: グラフェンのフェムト秒発光ダイナミクス
名大院工，九大院総理工^A，九大先導研^B　小山剛史，伊藤由人^A，吉田和真^A，吾郷浩樹^A，B，中村新男

6: 金属基板上に成長したグラフェンへの欠陥生成
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: 水素終端したSiC上のグラフェンの電子状態の積層数依存性：高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，高橋徹^B，金谷康平^B，James Kleeman^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

8: SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場磁気光学
東大物性研，NTT物性基礎研^A　齋藤宏晃，中村大輔，嶽山正二郎，日比野浩樹^A

9: Ni(111)表面に吸着したグラフェンの電子構造II：貴金属インターカレーションの効果
岩手大地連セ，岩手大工^A　長谷川正之，西館数芽^A

10: SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェン成長の初期過程
NTT物性基礎研，徳島大工^A　影島博之，日比野浩樹，山口浩司，永瀬雅夫^A

11: 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究
東大院工　広田翔，押山淳

12: 微傾斜SiC上水素化グラフェンのπ電子状態
東大物性研，九大院工^A　吉村継生，中辻寛，梶原隆司^A，高木勝也^A，田中悟^A，小森文夫

13: 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光 II
東大物性研^A，東理大理^B，東理大総合研^C，九大院工^D　中辻寛^A，飯盛拓嗣^A，吉村継生^A，石田行章^A，山本貴士^B，辛埴^A，金井輝人^A，渡部俊太郎^C，栗栖悠輔^D，梶原隆司^D，田中悟^D，小森文夫^A

27日　BK会場　27aBK　9:00～12:15

領域7
擬一次元系

1: HMTSF-TCNQの1 GPa圧力下、磁場誘起相
阪市大院理，梨花女子大^A，フロリダ州立大^B，東北大金研^C，阪府大院理^D，理研^E　村田惠三，増田耕育，W. Kang^A，福本雄平，D. Graf^B，A. Kiswandhi^B，E. S. Choi^B，J. S. Brooks^B，佐々木孝彦^C，横川敬一，吉野治一，藤原秀紀^D，加藤礼三^E

2: HMTSF-TCNQの1 GPa圧力下、磁場誘起相でのHall効果
阪市大院理，梨花女子大^A，フロリダ州立大^B，阪府大院理^C，理研^D　増田耕育，W. Kang^A，福本雄平，D. Graf^B，A. Kiswandhi^B，E. S. Choi^B，J. S. Brooks^B，横川敬一，吉野治一，藤原秀紀^C，加藤礼三^D，村田惠三

3: レーザー光電子分光法を用いた低次元有機導体TSF-TCNQの電子構造
東大物性研^A，東大工^B，阪大院基礎工^C，理研^D　小泉健二^A，石坂香子^B，木須孝幸^C，加藤礼三^D，辛埴^A，D

4: 新散漫散乱カメラによる(TMTSF)₂PF₆のSDW転移に先立つCDWゆらぎの観測
岡山大院自然，東大院総合^A，阪大院理^B　戸田敦基，山本伸樹，野上由夫，近藤隆祐^A，花咲徳亮^B

5: 新規有機伝導体(DMEDO-TTF)₂ClO₄の構造と物性
東工大院理工，愛媛大院理工^A　久米田翔平，川本正，白旗崇^A，森健彦

6: (EDO-TTF)₂PF₆のSTMによる表面状態
首都大理工，京大LTM^A　溝口憲治，森英一，生井圭一郎，坂本浩一，矢持秀起^A，平松孝章^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 擬1次元有機導体(TMTSF)₂PF₆の低励起エネルギー角度分解光電子分光
名大院工^A，名大SRセ^B，分子研UVSOR^C，総研大^D，分子研^E　伊藤孝寛^A，B，平手聡^A，木村真一^C，D，中村敏和^E，D

8: 擬一次元有機導体(TMTTF)₂SbF₆に対する異方的圧力効果（2）
東電大工，北大工^A，北大理^B　長澤光晴，長澤時子，市村晃一^A，野村一成^B

9: (TMTTF)₂Xにおける電荷秩序
北大院理，分子研^A，豊田理研^B　松永悟明，岡雄基，山本薫^A，河本充，史野村一成，薬師久弥^B

10: 二次元電子格子系におけるパイエルス歪みに対する電子相関効果の摂動計算
阪市大工　松本祐樹，寺井章

11: 擬1次元電子系電荷秩序・ダイマーモット相のスピンパイエルス・反強磁性転移における鎖間ホッピングの効果
東理大総合研　横山健

12: 1次元1/4充填電子格子系における分数電荷ソリトンの運動に対する半現象論的解析
阪市大工，東邦大理^A　廣川健一，寺井章，小野嘉之^A

27日　CC会場　27aCC　9:00～11:45

領域7
フラーレン

1: Sc₃N内包C₈₀フラーレンの電気特性評価
北九州高専，梅光学院大^A，日産自動車^B，九州工業大^C　桐本賢太，高瀬剛^A，境野真道^B，孫勇^C

2: クラスター内包Non-IPRフラーレンSc₃N@C₆₈の電子状態
愛媛大院理工，分子研^A，名大院理^B　宮崎隆文，小笠原直子，大北壮祐，西龍彦^A，佐々木祐生^B，篠原久典^B，日野照純

3: フラーレンナノウィスカーの超伝導
物材機構　竹屋浩幸，山口尚秀，尾崎壽紀，岡崎宏之，加藤良栄，宮澤薫一，高野義彦

4: C60フラーレンナノウィスカーの成長測定
物材機構　平田千佳，下村周一，宮澤薫一

5: 垂直配向C60マイクロチューブの成長機構
横浜市大，物材機構^A　栗山遼太，橘勝，下村周一^A，宮澤薫一^A

休憩　（10:15～10:30)

6: 単一フラーレン分子接合系の透過電子顕微鏡観察
筑波大院数理　中村大輔，増田秀樹，木塚徳氏

7: 光渦照射によるC₆₀光重合体の作製と物性評価
千葉大院融合，バッファロー大^A　籾山大輝，土井達也，小山恭平，鳥海直人，魏小均，宮本克彦，尾松孝茂，Ｊ.Ｐ.バード^A，^○青木伸之，落合勇一

8: 金属をドープした3次元C₆₀ポリマーの高圧合成と物性
広島大院工　田中将嗣，山中昭司

9: C₆₀-フェロセンナノシートの光学的性質II
筑波大院数物，産総研ナノテク^A，茨城高専^B　會澤秀章，片浦弘道^A，森龍男^B，松石清人

10: [Li@C₆₀](PF₆)の構造と相転移
名古屋市立大，名大理^A，名大工^B，東北大理^C，イデア・インターナショナル^D　青柳忍，佐道祐貴^A，西堀英治^B，澤博^B，岡田洋史^C，飛田博実^C，笠間泰彦^D，北浦良^A，篠原久典^A

27日　CF会場　27aCF　9:00～12:00

領域7
分子性固体・高圧物性

1: 吸収曲線測定用低周波ESR装置の開発III
首都大理工　藤巻俊登，谷口尚，坂本浩一，溝口憲治

2: バックグラウンドを低減した構造解析用圧力セルの開発
KEK物構研PF/CMRC　小林賢介，熊井玲児，村上洋一

3: 高圧下における固体ヨウ素分子相の電気的性質
阪大極限セ　田中有，清水克哉，田中茂揮，浅倉康弘

4: 氷高圧相におけるプロトン拡散
理研基幹研　飯高敏晃

5: 高圧下でのイットリウム水素化物のバンド構造：GW計算による研究
阪大院基礎工，鳥取大工^A，阪大極限セ^B　山田裕也，長柄一誠^A，石河孝洋^B

6: 最密充填構造間のエネルギー比較からみる高圧下における金の結晶構造
関大理工，阪大極限セ^A，関大システム理工^B　加藤恭仁子，石河孝洋^A，野村真矢，鈴木直^B，清水克哉^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 金-インジウム合金の超伝導特性に関する第一原理的研究
関大理工，阪大極限セ^A，関大システム理工^B　野村真矢，石河孝洋^A，加藤恭仁子，鈴木直^B，清水克哉^A

8: 高圧下でのリンで出現する変調構造相の超伝導特性に関する第一原理的研究
阪大極限セ，阪大基礎工^A，鳥取大工^B，関大システム理工^C　石河孝洋，中西章尊^A，長柄一誠^B，鈴木直^C，清水克哉

9: MCMBsー水素の圧力誘起相分離
新潟大院自然，新潟大超域^A，新潟大理^B，NIMS^C，AIST^D　石動裕也，^○中山敦子^A，田口翔太郎^B，木竜葵^B，中野智志^C，大村彩子^A，石川文洋，山田裕^B，藤久裕司^D

10: 分散力補正によるテラヘルツ帯振動吸収の第一原理計算と弱い水素結合の形成
東北大院農，東北大多元^A，理研仙台^B　高橋まさえ，石川陽一^A，伊藤弘昌^B

11: 化学修飾されたダイヤ分子の結晶相における誘電特性
東工大応セラ研　並木宏允，笹川崇男

27日　SB会場　27aSB　9:00～12:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 不純物を付加したグラフェンナノリボンにおけるI-V特性
成蹊大理工　露木大祥，坂本昇一，富谷光良

2: 完全伝導チャネルに対する位相緩和の影響
広大院先端　芦谷祐紀，井村健一郎，高根美武

3: グラフェンナノリボンにおけるスピンポンプ効果に関するシミュレーション
神戸大院工　相馬聡文，小川真人

4: グラフェンリボンにおける軌道反磁性
東北大理　大湊友也，越野幹人

5: グラフェンエッジの電気伝導測定
岡山大院自然　後藤秀徳，上杉英里，江口律子，久保園芳博

6: Doping Induced Magnetism in Zigzag Nano Graphene Ribbon: A Many-body Perspective
WPI-MANA，NIMS　Sudipta Dutta，Katsunori Wakabayashi

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンコーナーエッジ上における電子状態
広大先端研，物材機構^A，PRESTO^B　下村祐司，高根美武，若林克法^A，B

8: グラフェンナノリボンの形状と電子状態の相関
東大院工　須田翔太，押山淳

9: ナノグラフェンにおけるエッジ状態磁性の熱的研究
東工大院理工，阪大院理^A　高井和之，堀江裕樹^A，中澤康浩^A，榎敏明

10: Direct imaging of edges in graphene nanoholes: atomic structure, zero-mode edges states, and electronic scattering
東工大理工，阪大基礎工^A　Ziatdinov Maxim，藤井慎太郎，草部浩一^A，木口学，森健彦，榎敏明

11: ジグザグBCNナノリボンに出現するフラットバンド
産総研ナノシステム　金子智昭，^○針谷喜久雄，今村裕志

27日　BK会場　27pBK　13:10～16:30

領域7
若手奨励賞受賞記念講演

1: はじめに
東工大(院)理工　榎敏明

2: 有機三角格子モット絶縁体における量子スピン液体状態および超伝導に関する研究
名大(院）理　清水康弘

3: 固液界面の強電場を利用したキャリア制御による電子相転移の発現
東北大(院）理　下谷秀和

4: ナノグラフェンの電子物性におけるエッジ効果理論
物材機構　若林克法

休憩　（14:50～15:00)

κ-ET系

5: κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂のX線照射効果に関する¹³C-NMRによる研究
北大理，北大院理^A　松本実子，加藤洋生，桑田祐希^A，河本充司^A，松永悟明^A，野村一成^A

6: κ-(BEDT-TTF)₂Cu(NCS)₂における強磁場磁気トルク測定
物材機構^A，兵庫県立大物質理^B，筑波大数理物質^C，Nat’l. High Magnetic Field Lab.^D　土屋聡^A，山田順一^B，寺嶋太一^A，栗田伸之^A，小玉恒太^A，C，杉井かおり^A，C，D.Graf^D，J. S. Brooks^D，宇治進也^A，C

7: κ-(ET)₂Cu(NCS)₂の渦糸状態における非線形電流-電圧特性
広工大，物材機構^A，兵庫県立大^B　安塚周磨，宇治進也^A，寺嶋太一^A，圷広樹^B，山田順一^B

8: ガス圧SQUIDを用いたκ-ET₂Cu[N(CN)₂]Clのモット転移の研究
埼大院理工，東京医科大物理^A，理研仁科セ^B　小野寺悠介，伊藤美穂，谷口弘三，佐藤一彦，石井康之^A，B，渡邊功雄^B

9: ドープされた有機三角格子モット絶縁体κ-(ET)₂Hg_2.89Br₈の一軸圧下電気抵抗測定
東大工，埼玉大理^A，金沢大医^B　大池広志，宮川和也，鹿野田一司，谷口弘三^A，岡本博之^B

10: κ-(BEDT-TTF)₂Xの電子ラマン散乱スペクトルの偏光依存性
名大院工^A，JST CREST^B，山梨大院工^C，東北大金研^D　中村優斗^A，岸田英夫^A，B，中村新男^A，B，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^B，D