領域4

24日　BJ会場　24aBJ　9:00～12:00

領域4
微小接合・量子ドット

1: 接触電位差とフェルミ準位
立命館大理工・サイ理学研　齋藤嘉夫

2: 微小ジョセフソン接合列間の電流誘引現象
電通大情報理工　石田千尋，水柿義直，島田宏

3: 強磁性体/トリプレット超伝導体接合における磁化のダイナミクスによる電流生成
東工大理　横山毅人

4: 半導体ナノワイヤーのジョセフソン接合におけるスピン軌道相互作用の効果
慶大理工，Kavli Inst. of NanoScience TU Delft^A　横山知大，江藤幹雄，Yuli V. Nazarov^A

5: 低エネルギー振動子モードと結合した磁束量子ビットにおけるBlue sidebandのラビ振動の観測
横国大工　島津佳弘，高橋真起，中島正揮，岡村夏樹

6: 4接合型磁束量子ビットにおけるエネルギー準位間の遷移シミュレーション
横浜国大工　川原眞実加，島津佳弘，白崎良演

休憩　（10:30～10:45)

7: 半導体量子ドットによるCircuit QEDの研究IV
東大院総合　樋田啓，中島峻，小宮山進

8: 自己形成InAs量子ドットジョセフソン接合における準位縮退領域の超伝導電流のサイドゲート制御
東大工，東大生研^A　金井康，R. S. Deacon，大岩顕，吉田勝治，柴田憲治，平川一彦，樽茶清悟

9: シリコン量子ドットを用いた電荷検出
東工大量子ナノ研セ^A，東大ナノ量子機構^B，さきがけ-JST^C，日立ケンブリッジ研^D，東工大院理工^E，東大生産研^F　小寺哲夫^A，B，C，堀部浩介^A，林文城^A，蒲原知宏^A，Thierry Ferrus^D，Alessandro Rossi^D，内田建^E，David Williams^D，荒川泰彦^B，F，小田俊理^A

10: g-因子制御GaAs/AlGaAs量子井戸を用いた単一・二重量子ドットの輸送特性
東大工，Princeton大^A，NRC-CNRC^B　森本和浩，藤田高史，寺岡総一郎，Giles Allison^A，木山治樹，大岩顕，Sofiane Haffouz^B，David Guy Austing^B，樽茶清悟

11: 単一InAs自己形成量子ドットにおけるg因子の異方性とその電気的制御
東大工^A，JST-CREST^B，東大生研^C，東大ナノ量子機構^D　高橋駿^A，R.S.Deacon^A，B，大岩顕^A，B，柴田憲治^C，平川一彦^B，C，D，樽茶清悟^A，D

24日　SB会場　24aSB　9:00～12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: ビスマス有効模型の構築と角度分解ランダウスペクトルの解析
阪大基礎工，ESPCI Paris Tech^A　伏屋雄紀，Z. Zhu^A，B. Fauque^A，K. Behnia^A

2: ワイル半金属におけるフェルミアーク状態とスピンBerry位相
広大先端研　井村健一郎，高根美武

3: 擬ギャップアンダーソン模型における電気伝導
茨大工　青野友祐

4: グラフェンにおける欠陥誘起近藤効果
東大理　金尾太郎，松浦弘泰，小形正男

5: 多層グラフェン/Ni(111)のRashba効果と電気伝導の第一原理計算
金沢大理工，金沢大自然^A　石井史之，小鷹浩毅^A，澤田啓介^A，大西峰志，斎藤峯雄

6: グラフェンと金属電極の接触抵抗の第一原理計算
産総研ナノシステム　金子智昭，今村裕志

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンの電気伝導におけるレーザー光照射の効果に関する量子ダイナミクスシミュレーション
神戸大院工　坂本理朗，小川真人，相馬聡文

8: SiC上グラフェンにおけるプラズモン伝導測定
NTT物性基礎研，東工大^A　熊田倫雄，田邉真一，日比野浩樹，鎌田大^A，橋坂昌幸^A，村木康二，藤澤利正^A

9: グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの研究
千葉大工^A，千葉大院融合^B，アリゾナ州大^C，バッファロー大^D　大内隆寛^A，阿部拓斗^B，M.アカラム^B，磯優平^A，青木伸之^B，D.K.フェリー^C，J.P.バード^D，落合勇一^B

10: 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面／下面移動度の評価II
筑波大数理物質^A，CREST-JST^B，物材機構^C　貫井洋佑^A，B，後藤秀徳^A，B，友利ひかり^A，B，豊田行紀^A，B，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，B

11: イオン液体を用いた数層グラフェンFETの伝導特性
岡山大院自然　上杉英里，後藤秀徳，江口律子，久保園芳博

12: 自己組織化単分子膜を用いたグラフェンFETのキャリア変調
東工大院理工　横田一道，高井和之，榎敏明

24日　BJ会場　24pBJ　13:30～16:45

領域4
量子ドット

1: ナノチューブ量子ドットのバンド傾斜による２重-４重縮退遷移
東北大理　泉田渉，Anton Vikstr?m，齋藤理一郎

2: グラフェンナノリボンにおける光応答伝導特性
東大生産研^A，ナノ量子機構^B，さきがけ^C　荒井美穂^A，大貫雅広^A，増渕覚^A，B，町田友樹^A，B，C

3: 二重量子ドットの非平衡輸送現象における光学フォノンの影響
慶大理工　山田亮洋，奥山倫，江藤幹雄

4: 二重量子ドットの非平衡輸送現象における光学フォノンのダイナミクス
慶大理工^A，ITP TU Berlin^B　奥山倫^A，江藤幹雄^A，Tobias Brandes^B

5: 直列2重量子ドットにおける波動関数mappingとLO phonon効果
理研^A，ICORP-JST^B，ERATO-JST^C，東大^D　天羽真一^A，B，羽田野剛司^B，C，寺岡総一郎^A，D，大野圭司^A，B，河野公俊^A，樽茶清悟^B，D

6: 結合量子細線・ABリング複合系を用いた量子ドットにおける電子の伝達位相の測定
東大工，Inst. Neel^A，Univ. Joseph Fourier^B，Ruhr-Univ. Bochum^C　高田真太郎，渡辺健太，山本倫久，C. B＼ddot{a}uerle^A，B，A. D. Wieck^C，樽茶清悟

休憩　（15:00～15:15)

7: Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流II
東大物工^A，大阪市大理^B，Imperial College^C　阪野塁^A，西川裕規^B，小栗章^B，Alex C. Hewson^C，樽茶清悟^A

8: 横結合型量子ドットを用いた状態密度スペクトロスコピー
東大物性研　桑原優樹，金善宇，家泰弘，勝本信吾

9: 近藤領域における量子ドットの非弾性輸送過程
慶大理工，東大工^A，ブリティッシュコロンビア大^B　吉井涼輔，^○江藤幹雄，阪野塁^A，Ian Affleck^B

10: 軌道縮退Anderson模型の1/(N-1)展開：ゲート電圧依存性および非平衡状態への拡張
大阪市大理，東大工^A，東大物性研^B　小栗章，阪野塁^A，藤井達也^B

11: 3端子三重量子ドットの少数電子領域における伝導測定
NTT物性基礎研　小林嵩，太田剛，佐々木智，村木康二

12: 3角形3重量子ドット系の近藤領域におけるAndreev散乱とJosephson電流
大阪市大理，理研^A　島本将志，小栗章，田中洋一^A

24日　SB会場　24pSB　13:30～16:45

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 表面修飾したグラフェンの電子輸送特性
東北大WPI-AIMR，東北大理^A　野内亮，三苫伸彦^A，範暁彦，谷垣勝己^A

2: グラフェンFET界面上の不均一酸素吸着における電界効果
東工大院理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

3: グラフェンに対する歪み印加方法の検討と歪み効果の解析
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，Craciun F. Monica^A，Russo Saverio^A，樽茶清悟

4: 局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C，秋田大教育文化^D，奈良女子大理^E　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，豊田行紀^A，C，貫井洋佑^A，C，軽部大雅^A，C，仁平慎太郎^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，林正彦^D，吉岡英生^E，神田晶申^A，C

5: 層間すべりのある2層グラフェンのバンド構造
岐阜大院工　武藤翼，青木正人

6: 微少ねじれ角で積層した2層グラフェンの大規模電子状態計算による解析
東大工　内田和之，古家真之介，岩田潤一，押山淳

休憩　（15:00～15:15)

7: グラフェンにおける動的電子輸送プロセスの第一原理研究
長崎大先端計算セ，阪大院工^A　江上喜幸，広瀬喜久治^A

8: グラフェンアンチドッド格子の電子構造
東大物性研，東工大理^A　櫻井誠大，斎藤晋^A，高田康民

9: 欠陥を持つグラフェンの作製とその電子輸送物性
東工大院理工　工藤泰彦，高井和之，榎敏明

10: グラフェン／六方晶窒化ホウ素超格子における格子不整合の効果
東工大理　酒井佑規，斎藤晋

11: 不純物ドープされた単層BNシートの電子構造
東工大理　藤本義隆，是常隆，斎藤晋

12: B₄Cの熱分解によるグラフェン成長とその特徴
名大院工^A，JFCC^B，名大エコ研^C　乗松航^A，B，平田浩一郎^A，楠美智子^A，C

24日　YD会場　24pYD　13:30～16:35

領域8，領域3，領域4，領域7，領域9，領域10合同シンポジウム
主題：物理学における新・元素戦略

1: はじめに（趣旨説明）：新元素戦略が拓くサイエンスと物理学会の役割　－　京、J-PARC、SPring-8/SACLA大型研究基盤ツールとの協奏的研究　－
JASRI　高田昌樹

2: 熱伝導変換、スピントロニク、超伝導材料創成における元素戦略
東大理物理高木研（実験系）　高木英典

3: 元素戦略から考える希土類磁石の技術課題
物材機構磁性材料　宝野和博

4: ナノサイエンス/グリーンケミストリーにおける元素戦略的展開：新触媒開発、固体電解質の開発
京大理　北川宏

休憩　（15:10～15:25)

5: 元素戦略が拓く先進構造材料：組織制御と特性向上
物材機構元素戦略材料　津崎兼彰

6: 元素戦略における計算物質科学の役割
東大理物理常行研（理論系）　常行真司

7: まとめ：基礎学理と応用技術をつなぐ新しい元素戦略
東工大応セラ研　細野秀雄

25日　BJ会場　25aBJ　9:00～12:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 立方晶逆ペロブスカイトBa₃SnOの電子状態
東大理　苅宿俊風，小形正男

2: ホモロガス相を舞台としたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価
東工大応セラ研　浅川瑞生，加納学，笹川崇男

3: 様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(II)
東工大応セラ研　山本宗平，加納学，笹川崇男

4: 磁性元素をドープした様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価
東工大応セラ研　廣瀬峻啓，山本宗平，五十嵐九四郎，加納学，笹川崇男

5: トポロジカル絶縁体Pb(Bi_1-xSb_x)₂Te₄の高分解能ARPES
東北大WPI^A，阪大産研^B，東北大院理^C　相馬清吾^A，江藤和馬^B，野村円香^C，中山耕輔^C，佐藤宇史^C，高橋隆^A，C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

6: 極性半導体BiTeX(X=Cl,Br,I)における伝導帯の電子構造とスピン分裂
東大工^A，東大物性研^B，理研CERG^C，ERATO-MF^D　坂野昌人^A，片山明彦^A，下志万貴博^A，W. Malaeb^B，辛埴^B，M. S. Bahramy^C，有田亮太郎^A，C，永長直人^A，C，村川寛^C，金子良夫^D，十倉好紀^A，C，D，石坂香子^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 巨大ラシュバ効果半導体BiTeIにおける磁気抵抗のフェルミレベル依存性
理研CERG^A，東大工^B，ERATO-MF^C，スタンフォード大^D，理研CMRG^E　村川寛^A，M.S.Bahramy^A，J.G.Checkelsky^A，有田亮太郎^A，B，永長直人^A，B，金子良夫^C，H.Y.Hwang^A，D，十倉好紀^{A，B，C，E}

8: 反転対称性の破れた層状化合物を対象とした3次元ラシュバ効果およびトポロジカル絶縁体の探索
東工大応セラ研　笹川崇男，加納学

9: 重元素を含み空間反転非対称な層状化合物における3次元ラシュバ物質の探索(III)
東工大応セラ研　加納学，笹川崇男

10: 層状Rashba物質BiTeIの分光イメージング測定(II)
理研^A，東工大応セラ研^B，東大院新領域^C　幸坂祐生^A，加納学^B，高木英典^A，C，笹川崇男^B

11: InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性
NTT物性基礎研　鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，村木康二

12: LaO(MCh) (M=Cu,Ag, Ch=S,Se,Te)に於ける電子構造解析と熱電特性
阪大院基礎工　舩島洋紀，吉田博

25日　SB会場　25aSB　9:00～12:30

領域4，領域7合同
グラフェン

1: Twisted bilayer grapheneにおけるランダウ準位構造
東北大理　文泌景，越野幹人

2: 電場中の2層グラフェンにおけるゼロエネルギーランダウ準位のトポロジカルな安定性
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

3: 電子間相互作用による磁場下グラフェンの局在状態
筑波大物理，東大物理^A　濱本雄治，初貝安弘，青木秀夫^A

4: 3層グラフェンの磁気輸送と電子構造
広大先端　八木隆多，田原文也，下村翠，深田誠也

5: グラフェン単層2層接合における量子ホール伝導と界面状態
東大物性研　上原史也，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

6: グラフェンナノ構造における磁場誘起量子閉じ込めと電子輸送特性
物材機構，群馬大工^A　森山悟士，守田佳史^A，渡辺英一郎，津谷大樹

休憩　（10:30～10:45)

7: 平行磁場下のグラフェンの磁気抵抗
中大理工　白石沙代，佐野和也，根間裕史，若林淳一

8: 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗II
中大理工　佐野和也，白石沙代，根間裕史，若林淳一

9: グラフェンメゾスコピック細線における磁気整合効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　井口和之^A，増渕覚^A，B，山口健洋^A，大貫雅広^A，谷口尚^C，渡邊賢司^C，町田友樹^A，B，D

10: 長距離不純物を含むグラフェンにおける弱磁場ホール効果
東工大理　野呂昌生，安藤恒也，村上修一

11: 磁場中の多層グラフェンにおける光学ホール伝導度
東大理　森本高裕，青木秀夫

12: 多層グラフェンの層間交流伝導度
東工大理　和久津岳生，中村正明

13: 非一様磁場に対するグラフェンの反磁性帯磁率：ギャップと不純物の効果
東工大院理工　有村泰典，^○安藤恒也

25日　BJ会場　25pBJ　13:30～16:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 1次元量子ウォークのトポロジカル相と局在・非局在問題：ランダム位相の効果
京大理，Karlsruhe Inst. of Tech.^A　西村勇希，^○小布施秀明^A，川上則雄

2: 2次元トポロジカル絶縁体半平面での固有状態とエッジスピン状態の解析
東工大院理工　佐々木健二，村上修一

3: トポロジカル絶縁体TlBiSe₂の放射光を用いたスピン分解光電子分光
広大院理^A，広大放セ^B，呉高専電^C　黒田健太^A，白井開渡^A，前川貴政^A，宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，植田義文^C，木村昭夫^A

4: トポロジカル量子相転移を示す物質 TlBi(Se_xS_1-x)₂ の試料作製と輸送特性
阪大産研　瀬川耕司，南達哉，江藤数馬，佐々木聡，安藤陽一

5: トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_yの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B，阪大産研^C　荒金俊行^A，佐藤宇史^B，相馬清吾^A，高坂研一郎^B，中山耕輔^B，小松誠^B，高橋隆^A，B，任之^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

6: Magnetic properties and electronic states of Fe desposited on topological insulator Bi₂Se₃ studied by STM, ARPES and XMCD
HSRC，Hiroshima Univ.^A， Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^B，JAEA/SPring-8^C，Kure Nat’l. College of Tech.^D　M. Ye^A，K. Kuroda^B，K. Okamoto^B，K. Shirai^B，Y. Takeda^C，Y. Saitoh^C，M. Nakatake^A，K. Miyamoto^A，T. Okuda^A，K. Shimada^A，Y. Ueda^D，H. Namatame^A，M. Taniguchi^A，B，A. Kimura^B

休憩　（15:00～15:15)

7: MnドープBi₂Te₃の内殻吸収磁気円二色性分光
広大院理^A，Sogang Univ.^B，原研/SPring-8^C，広大放セ^D，呉高専電^E　岡本和晃^A，叶茂^D，黒田健太^A，Nahyun Jo^B，Myung-Hwa Jung^B，竹田幸治^C，斎藤祐児^C，宮本幸治^D，奥田太一^D，植田義文^E，生天目博文^D，谷口雅樹^A，D，木村昭夫^A

8: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃薄膜の量子輸送効果
京大化研^A，Beijing Nat’l. Lab. for Condensed Matter Phys.，Inst. of Phys.，Chinese Academy of Sci.^B　松尾貞茂^A，小山知弘^A，島村一利^A，荒川智紀^A，西原禎孝^A，千葉大地^A，小林研介^A，小野輝男^A，Cui-Zu Chang^B，Ke He^B，Xu-Cun Ma^B

9: トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃単結晶作成と走査トンネル分光
東工大理，東大物性研^A　小間香保里，亀山太一，松葉健，石川征靖^A，西田信彦

10: トポロジカル絶縁体表面における電流生成
首都大理工^A，東工大理^B　植田浩明，竹内祥人^A，多々良源^A，横山毅人^B

25日　BL会場　25pBL　13:30～16:45

領域5，領域4，領域7，領域8合同シンポジウム
主題：凝縮系における超高速現象とコヒーレント物質制御への展開；光化学反応から光誘起相転移まで

1: はじめに　超高速現象とコヒーレント制御
東京農工大院工　三沢和彦

2: 光化学反応の超高速ダイナミクス
京大理　鈴木俊法

3: コヒーレントフォノン制御が拓く物性制御
筑波大物工　長谷宗明

4: 時間依存密度汎関数理論によるコヒーレントフォノンの記述
筑波大物理　矢花一浩

休憩　（14:55～15:10)

5: 強相関電子系における光誘起相転移
東北大理　岩井伸一郎

6: 光誘起相転移における多電子フォノン相関の理論
分子研　米満賢治

7: テラヘルツ波パルスによる磁性体の超高速スピン応答と制御
東大物性研　中嶋誠

8: まとめ　理論研究の立場から
東芝研究開発セ　石田邦夫

25日　CJ会場　25pCJ　13:30～16:00

領域4
量子ホール効果

1: ZnMgO/ZnOヘテロ接合試料における2次元電子の有効質量
物材機構，産総研^A　今中康貴，高増正，反保衆志^A，柴田肇^A，仁木栄^A

2: Critical conductance distributions at the integer quantum Hall transitions in tight-binding model and Chalker-Coddington model
上智大理工，阪大理^A，東邦大理^B　小林浩二，大槻東巳，K. Slevin^A，河原林透^B

3: スピン偏極したシリコン2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴
東大理，東京都市大総研^A　千葉奨，枡富龍一，澤野憲太郎^A，白木靖寛^A，岡本徹

4: SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンにおける最小電気伝導度とN=0ランダウレベルにおける挙動
NTT物性基礎研　高瀬恵子，田邉真一，日比野浩樹，村木康二

休憩　（14:30～14:45)

5: 量子ホール系の直流電流加熱時による熱起電力：充填率および電流・磁場方向依存性
東大物性研　藤田和博，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

6: 電圧パルス印加ゲート電極によるエッジマグネトプラズモン励起の局所占有率依存性
東工大院理工^A，NTT物性基礎研^B　鎌田大^A，B，熊田倫雄^B，橋坂昌幸^A，村木康二^B，藤澤利正^A

7: 量子ホールエッジ状態間の分布キャパシタンス
東工大院理^A，NTT物性基礎研^B　橋坂昌幸^A，鷲尾和久^A，鎌田大^A，B，村木康二^B，藤澤利正^A

8: 六方格子変調を加えた二次元電子系における幾何学共鳴の電荷密度依存性
東大物性研　加藤悠人，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

9: ランダム磁場下のGaAs/AlGaAs二次元電子系の磁気抵抗のスケーリング
中央大院理工　岡林大樹，尾高孝祐，若林淳一

25日　SA会場　25pSA　13:30～16:55

領域3，領域4，領域8合同シンポジウム
主題：スピン変換の物理とその関連現象 Physics of spin conversion and related phenomena

1: はじめに Introduction
東大物性研　大谷義近

2: スピン流電流変換メカニズムに対する理論的知見　Mechanism of spin-charge conversion (theory)
首都大東京　多々良源

3: 電気的・力学的手法を用いたシリコンへのスピン注入　Electrical and Dynamical Spin Injection in Si
阪大基礎工　白石誠司

4: 量子ドットにおける単一光子から単一電子スピンへの変換　Conversion from single photons to single electron spins in quantum dots
東大物工　大岩顕

休憩　（15:10～15:25)

5: Electrical and thermal spintronics in silicon
産総研　R. Jansen

6: スピン流の熱・音響効果(実験) Thermal and acoustic effects in spin current (Experiment)
東北大金研量子表面　齊藤英治

7: Angular momentum transmutation in magnetic nanostructures (Theory)
東北大金研金属物性論　G.　Bauer

26日　BD会場　26pBD　13:30～16:45

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 2層Rashba系におけるトポロジカル超伝導
東大工^A，名大工^B，理研 CMRG&CERG^C　中河西翔^A，田仲由喜夫^B，永長直人^A，C

2: 超伝導トポロジカル絶縁体におけるトンネル分光の理論
名大工，東大物性研^A　山影相，矢田圭司，佐藤昌利^A，田仲由喜夫

3: トポロジカル超伝導体・超流動体における交差相関応答
東北大金研^A，イリノイ大^B，理研^C，東大工^D　野村健太郎^A，笠真生^B，古崎昭^C，永長直人^C，D

4: Cu_xBi₂Se₃の高分解能ARPES: Cu濃度依存性
東北大院理^A，東北大WPI^B，中国科学院^C，筑波大数理物質^D　田中祐輔^A，中山耕輔^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，N. Xu^C，P. Zhang^C，H. Ding^C，鈴木悠介^D，P. Das^D，門脇和男^D，高橋隆^A，B

5: トポロジカル超伝導体Cu_xBi₂Se₃の低温電子状態
岡大自然，MST^A，阪大産研^B　岩瀬文達，鄭国慶，Y. S. Hor^A，M. Kriener^B，瀬川耕司^B，Z. Ren^B，安藤陽一^B

6: 直線偏光レーザーARPESを用いたトポロジカル絶縁体Cu_0.17Bi₂Se₃の表面電子状態の研究
東大物性研^A，中国科学院^B，理研CERG^C，理研CMRG^D，東大工^E，JST-CREST^F　菅藤裕昭^A，石田行章^A，中島祐貴^A，近藤猛^A，Walid Malaeb^A，渡部俊太郎^A，Chuangtian Chen^B，吉川明子^C，田口康二郎^C，D，十倉好紀^C，D，E，辛埴^A，F

休憩　（15:00～15:15)

7: レーザー励起角度分解光電子分光を用いたトポロジカル絶縁体の電子状態の研究
東大物性研^A，中国科学院^B，理研CERG^C，理研CMRG^D，東大工^E，JST-CREST^F　中島祐貴^A，近藤猛^A，菅藤裕昭^A，石田行章^A，Walid Malaeb^A，渡部俊太郎^A，Chuangtian Chen^B，吉川明子^C，田口康二郎^C，D，十倉好紀^C，D，E，辛埴^A，F

8: ドープしたトポロジカル絶縁体の極紫外レーザー時間分解ARPES
東理大理^A，東大物性研^B，理研CERG^C，理研CMRG^D，東大工^E，JST-CREST^F　山本貴士^A，B，石田行章^B，吉川明子^C，田口康二郎^C，D，金井輝人^B，木須孝幸^B，石坂香子^B，齋藤智彦^A，渡部俊太郎^B，十倉好紀^C，D，E，辛埴^B，F

9: Cu_xBi₂Se₃の超伝導特性と結晶構造
筑波大数理物質，WPI-MANA，物材機構^A　鈴木悠介，茂筑高士^A，Pradip Das，柏木隆成，門脇和男

10: トポロジカル絶縁体における相関効果II
京大理　吉田恒也，藤本聡，川上則雄

11: ゼロギャップ半導体における自発的軌道電流による臨界現象
東大工　栗田萌，山地洋平，今田正俊

12: 2次元ディラック電子系の紫外発散と不純物効果
阪大基礎工　藤本純治，酒井章雄，^○河野浩

26日　CE会場　26pCE　13:30～16:30

領域4
量子ドット

1: 非平衡量子ドット系の計数場依存性：汎関数くりこみ群による考察
筑波大物理　谷口伸彦

2: 量子ドット系における計数統計とslave-boson法の拡張
筑波大数理物質　根元太郎，谷口伸彦

3: アハラノフ・ボームリングにおける非平衡揺らぎ関係
京大化研，三重大物工^A，東大理^B，IEMN-CNRS^C，スイス連邦工科大^D　西原禎孝，中村秀司，知田健作，荒川智紀，田中崇大，小野輝男，内海裕洋^A，齊藤圭司^B，R. Leturcq^C，K. Ensslin^D，小林研介

4: 半導体量子ドットの近藤領域における電流雑音特性
NTT物性基礎研^A，東北大理^B　岡崎雄馬^A，B，佐々木智^A，B，村木康二^A

5: 電圧端子を含む3端子系における電流雑音
NTT物性基礎研，三重大工物工^A　久保敏弘，都倉康弘，内海裕洋^A

6: 単分子接合における完全計数統計
筑波大院数物，三重大工^A，ベングリオン大^B　植田暁子，内海裕洋^A，Ora Entin-Wohlman^B，Amnon Aharony^B

休憩　（15:00～15:15)

7: シングルリード量子ドット中の2電子状態を用いたスピン偏極検出
東大工，東大物性研^A　大塚朋廣，杉原裕規，米田淳，小幡利顕，勝本信吾^A，樽茶清悟

8: 大きなZeeman磁場差を有する二重量子ドットでの電子スピン共鳴実験
東大工　米田淳，大塚朋廣，高倉樹，小幡利顕，樽茶清悟

9: 量子ドットを用いたエッジマグネトプラズモンのエネルギー・時間分解測定
東工大院理^A，NTT物性基礎研^B　鷲尾和久^A，橋坂昌幸^A，鎌田大^A，B，村木康二^B，藤澤利正^A

10: 1重項スピンブロッケードと核スピンエンタングルメント2
理研^A，台湾交通大^B　Yu-Chen Sun^A，B，天羽真一^A，Juhn-Jong Lin^B，河野公俊^A，^○大野圭司^A，B

11: 縦型二重量子ドットにおける双方向核スピン分極の定量的評価
東工大理工^A，理研^B，東大物工^C　高橋諒^A，B，河野公俊^A，B，樽茶清悟^C，大野圭司^B

26日　CJ会場　26pCJ　13:30～16:30

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: 二酸化チタンにおける不純物効果および相間の安定性に関する第一原理研究
東工大院理工　青木祐太，斎藤晋

2: 第一原理計算による希薄窒化物GaNPの光学伝導度
東大理^A，東大物性研^B　合田義弘^A，常行真司^A，B

3: ゲートつきGaAs量子井戸の発光微細構造
NTT物性基礎研，筑波大物理^A　山口真澄，野村晋太郎^A，田村浩之，赤崎達志

4: 分数量子ホール領域の発光微細構造の温度依存性
筑波大物理^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D　野村晋太郎^A，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D

5: 電子正孔系における対凝縮の転移温度
阪大理　吉岡匠哉，浅野建一

6: Siナノレイヤーの発光寿命の膜厚依存性
筑波大院数物，京大化研^A　櫻井蓉子，太野垣健^A，大毛利健治，山田啓作，金光義彦^A，白石賢二，野村晋太郎

休憩　（15:00～15:15)

7: GaAs/AlAs超格子における重い正孔励起子共鳴励起条件でのミニブリルアンゾーン端励起子の発光ダイナミクス
阪市大院工，兵庫県大院物質理^A　山下智也，長谷川尊之^A，^○中山正昭

8: 2次元半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの検討
筑波大院数物^A，筑波大物理^B，東北大スピントロニクスセ^C，東北大学際セ^D，筑波大計算セ^E，CREST-JST^F　高田幸宏^A，塩川太郎^B，尹永択^B，岩田潤一^E，小鍋哲^A，F，有川晃弘^C，村口正和^D，F，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^A，F，白石賢二^A，E，F

9: GaAs/AlGaAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビートII
兵庫県大院物質理，阪市大院工^A　長谷川尊之，高木芳弘，中山正昭^A

10: SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算
東大院工　古家真之介，松下雄一郎，押山淳

11: 半導体バンドギャップにおける同位体効果の第一原理計算
東工大理　是常隆，斎藤晋

26日　PSA会場　26pPSA　13:30～15:30

領域4
領域4ポスターセッション

1: 第一原理計算によるGaN/ZnO合金系の電子状態及び励起子に関する研究
東大工，Univ. of Rome "Tor Vergata"^A　河合宏樹，Giacomo Giorgi，Maurizia Palummo^A，山下晃一

2: ELO成長法におけるInNの光学特性
上智大物理^A，上智大電気電子^B　亀谷龍馬^A，江馬一弘^A，神村淳平^B，猪瀬裕太^A，欅田英之^A，岸野克巳^B，菊池昭彦^B

3: GaN薄膜中の格子欠陥に関連したイエロールミネッセンス
大教大教育　早瀬亮，中田博保

4: ゲート付GaAs-AlGaAs非対称二重量子井戸の磁場中発光寿命
筑波大数理物質，NTT物性基礎研^A　宮城浩一，山口真澄^A，田村浩之^A，赤崎達志^A，野村晋太郎

5: Exciton states of CdTe tetrapod nanocrystals with CdSe tips
Tsukuba Univ.^A，Nat’l Inst. Mat. Sci.^B　Yuanzhao Yao^A，B，Kazuaki Sakoda^A，B

6: Materials design of chalcopyrite type semiconductor based antiferromagnetic half metals
Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci.，Osaka Univ.　M. Shahjahan and H. Akai

7: 層状半導体(LaO)MnPn : Pn = P, As, Sbのセリウム置換効果
日大理工，広大理^A　諸澤泰裕，鬼沢愛美，武田良太，平本尚三^A，森吉千佳子^A，黒岩芳弘^A，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一

8: スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗
埼大院理工，阪大産研^A　酒井政道，長谷川繁彦^A，北島彰^A，大島明博^A

9: 半導体量子細線における電流誘起型スピン偏極の不純物散乱効果
北大工　河合遼太，鈴浦秀勝

10: 低温電流増幅器による半導体量子ポイント接合の電流交差相関測定
東工大院理工　山岸正和，橋坂昌幸，藤澤利正

11: 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測II
京大化研，東大生産研^A　知田健作，橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，荒川友紀，西原禎孝，町田友樹^A，小林研介，小野輝男

12: サニャック干渉計による量子ホール電子系のスピン偏極計測
千葉大院理，NTT BRL^A，東北大院理^B，ERATO-JST^C　軍司雄太，長尾圭介，音賢一，室清文，熊田倫雄^A，平山祥郎^B，C

13: ポイントコンタクトにおけるコリメーションを利用した磁気センサー
熊大院自然，九大稲盛セ^A，CREST^B　松永尭紘，古川幸佑，日出柄誠，原正大，野村竜也^A，木村崇^A，B

14: 二次元量子リングにおける電子輸送特性
成蹊大理工，慈恵医大^A　川隼人，富谷光良，坂本昇一，植田毅^A

15: 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌道相互作用
早大理工　横塚崇弘，石附雅武，武田京三郎

16: 単電子トランジスターを用いた量子輸送現象の実時間測定
京大化研　荒川智紀，田中崇大，知田健作，松尾貞茂，西原禎孝，千葉大地，小林研介，小野輝男

17: 電流標準実現に向けた測定系の開発と素子作製
産総研，理研基幹研^A，NECグリーンイノベ研^B　中村秀司，Yuri Pashkin^A，蔡兆申^A，B，金子晋久

18: Majorana Fermions and Z₂ Vortices on a Square Lattice
茨城大理　江島恒太，福井隆裕

19: ドープされたトポロジカル絶縁体における電磁応答
京大院理　塩崎謙，藤本聡

20: 2次元トポロジカル絶縁体における電子相関効果
京大理　竹中裕斗，川上則雄

21: 多バンド超伝導体Sr₂RuO₄のエッジ状態におけるトポロジカルな性質と輸送特性
埼玉大院理工^A，物材機構MANA^B，スイス連邦工科大^C　今井剛樹^A，C，若林克法^B，Manfred Sigrist^C

22: トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃の試料依存性と静水圧下での物性
東大物性研^A，Chinese Academy of Sci.^B，The Univ. of Texas^C　寺井達哉^A，松林和幸^A，C.Q. Jin^B，J.S. Zhou^C，上床美也^A

27日　CE会場　27aCE　9:00～12:45

領域4
磁性半導体・半導体スピン物性

1: Cooperative transition of electronic states of antisite As defects in Be-doped low-temperature-grown GaAs layers
Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.　Mohd Ambri Mohamed，Pham Tien Lam，K.W. Bae，N. Otsuka

2: (Ga,Mn)Asの格子歪み緩和と成長面内磁気異方性
東大物性研　橋本義昭，天野裕昭，家泰弘，勝本信吾

3: PLを示すGaAs:Er,OのX-band ESRによるEr濃度依存性の研究
神大連携創造，神大院理^A，神大分子フォトセ^B，東工大極低温セ^C，阪大院工^D　張衛民，福岡洋平^A，大久保晋^B，太田仁^B，藤澤真士^C，藤原康文^D

4: Gd-doped EuOの磁気的不純物状態と磁性
神奈川工科大　高橋正雄

5: 鉄とスズを共添加した酸化インジウム（Fe-ITO）ナノ粒子薄膜の電気伝導特性
大工大応用物理^A，大工大ナノ材研^B，大阪市立工業研^C，巴製作所^D　藤元章^A，B，中許昌美^C，大野敏信^C，柏木行康^C，斉藤大志^C，古田晋也^D，高井勝広^D

6: 層状縮退半導体CuAgSeの熱電特性及び巨大磁気抵抗効果
東大工^A，理研CMRG/CERG^B，東大新領域^C，ERATO-MF^D　石渡晋太郎^A，塩見雄毅^A，J. S. Lee^A，奥山大輔^B，M. S. Bahramy^B，有田亮太郎^A，鈴木健士^B，田口康二郎^B，有馬孝尚^C，十倉好紀^A，B，D

休憩　（10:30～10:45)

7: 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証
北陸先端大ナノセ　日高志郎，近藤太郎，赤堀誠志，山田省二

8: 希薄磁性半導体量子井戸における電子および不純物スピン分極空間振動の協力的成長：ドレッセルハウス場の場合
北大工　土家琢磨

9: 強いRashba効果を示すInGaAs 2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性
北陸先端大ナノセ　森本幸作，片山智之，中野治雄，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，^○山田省二

10: InGaAs/InAsAs 2重量子井戸におけるシュブニコフビーティング
北大院情報，北大工^A，ルヴァン大^B，NTT BRL^C，NTT PH研^D　古賀貴亮，松浦徹^A，ファニエル・セバスチャン^B，関根佳明^C，杉山弘樹^D

11: 量子ポイントコンタクトと空間依存ラシュバ効果を用いたスピン流生成
東邦大理，東北大工^A　大江純一郎，好田誠^A，新田淳作^A

12: スピン軌道相互作用の強い量子ドット－アハロノフボームリング複合系の伝導
東大物性研　金善宇，橋本義昭，家泰弘，勝本信吾

13: InGaAs量子井戸メゾスコピックループ構造における磁気抵抗量子振動のRashba電場対称性
北大工，北大院情報^A，ルヴァン大^B，NTT BRL^C，NTT PH研^D　澤田淳，峰重俊介^A，ファニエル・セバスチャン^B，末岡和久^A，古賀貴亮^A，関根佳明^C，杉山弘樹^D

14: InGaAs量子井戸メゾスコピック構造における磁気抵抗量子振動の半古典ビリヤード解析
北大院情報，産総研^A，ルヴァン大^B，北大工^C，NTT BRL^D，NTT PH研^E　峰重俊介，川畑史郎^A，ファニエル・セバスチャン^B，澤田淳^C，関根佳明^D，杉山弘樹^E，古賀貴亮

27日　SB会場　27aSB　9:00～12:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 不純物を付加したグラフェンナノリボンにおけるI-V特性
成蹊大理工　露木大祥，坂本昇一，富谷光良

2: 完全伝導チャネルに対する位相緩和の影響
広大院先端　芦谷祐紀，井村健一郎，高根美武

3: グラフェンナノリボンにおけるスピンポンプ効果に関するシミュレーション
神戸大院工　相馬聡文，小川真人

4: グラフェンリボンにおける軌道反磁性
東北大理　大湊友也，越野幹人

5: グラフェンエッジの電気伝導測定
岡山大院自然　後藤秀徳，上杉英里，江口律子，久保園芳博

6: Doping Induced Magnetism in Zigzag Nano Graphene Ribbon: A Many-body Perspective
WPI-MANA，NIMS　Sudipta Dutta，Katsunori Wakabayashi

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンコーナーエッジ上における電子状態
広大先端研，物材機構^A，PRESTO^B　下村祐司，高根美武，若林克法^A，B

8: グラフェンナノリボンの形状と電子状態の相関
東大院工　須田翔太，押山淳

9: ナノグラフェンにおけるエッジ状態磁性の熱的研究
東工大院理工，阪大院理^A　高井和之，堀江裕樹^A，中澤康浩^A，榎敏明

10: Direct imaging of edges in graphene nanoholes: atomic structure, zero-mode edges states, and electronic scattering
東工大理工，阪大基礎工^A　Ziatdinov Maxim，藤井慎太郎，草部浩一^A，木口学，森健彦，榎敏明

11: ジグザグBCNナノリボンに出現するフラットバンド
産総研ナノシステム　金子智昭，^○針谷喜久雄，今村裕志

27日　CE会場　27pCE　13:30～15:50

領域4
若手奨励賞・量子細線

1: 審査概要と受賞者紹介
筑波大学計算科学研究センター　白石賢二

2: グラフェンナノ構造の電気的磁気的性質の理論的研究
東京大学工学部物理工学科　江澤雅彦

休憩　（14:05～14:20)

3: 表面弾性波を用いた離れた量子ドット間の単一電子移送
東大工^A，ERATO-JST^B，仏ニール研^C，ICORP-JST^D，独ボーフム大^E　山本倫久^A，B，Sylvain Hermelin^C，高田真太郎^A，樽茶清悟^A，D，Andreas D. Wieck^E，Laurent Saminadayar^C，Christopher Baeuerle^C，Tristan Meunier^C

4: 半導体ナノ構造における多電子波束ダイナミクスの印加電圧依存性
筑波大物理^A，筑波大院数物^B，東北大スピントロニクス集積化セ^C，東北大学際セ^D，筑波大計科セ^E，CREST-JST^F　塩川太郎^A，高田幸宏^B，尹永択^A，岩田潤一^E，小鍋哲^B，F，有川晃弘^C，村口正和^D，F，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^B，F，白石賢二^B，E，F

5: 縦方向に結合した量子ポイントコンタクトの電気伝導特性
東北大院理^A，JST-ERATO^B　一ノ倉聖^A，羽田野剛司^B，泉田渉^A，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B

6: 半導体量子細線における磁場依存性と解析III
千葉大院融合，ニューヨーク州立大^A　項少華，渋谷薫，藤和俊，青木伸之，S.Xiao^A，J.P.バード^A，落合勇一

7: 空間的に乱れた1次元系におけるマヨラナ状態の安定性
京大理　手塚真樹，川上則雄

8: 十分離れた2ドット間の静電結合
東大工　小幡利顕，山本倫久，樽茶清悟

27日　CJ会場　27pCJ　13:30～15:30

領域4
量子ホール効果

1: 二層系ν=1量子ホール状態における核スピン緩和時間の電子密度差依存性
京大院理，兵庫医大物理^A，京大低物セ^B　津田是文，Nguyen Minh-Hai，三谷昌平，福田昭^A，寺澤大樹^A，鄭仰東^B，新井敏一^B，澤田安樹^B

2: 偶数量子ホール状態ブレークダウンを用いた動的核スピン偏極
東大生産研^A，理研^B，JSTさきがけ^C，東大物性研^D，東大ナノ量子機構^E　梅澤青司^A，守谷頼^A，山下達也^A，川村稔^B，C，橋本義昭^D，勝本信吾^D，E，増渕覚^A，E，町田友樹^A，E

3: 空間分布をもつ光学的核スピン偏極によるν=2/3スピン相転移ピークの変化
JST-ERATO^A，東北大院理^B　秋葉圭一郎^A，金杉静子^B，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B

4: 量子細線構造を用いたミクロスコピックNER
東北大院理^A，JST-ERATO^B　三浦智宣^A，^○宮本聡^B，渡辺信嗣^B，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B

5: アンチパフィアン状態のエッジ間トンネリングについて
東北大理，理研CERG^A　伊藤透，野村健太郎^A，柴田尚和

6: ν=5/2におけるスピン偏極度の温度依存性：N=1ランダウ準位における複合フェルミオンの有効質量
NTT物性基礎研^A，JST-ERATO^B　L. Tiemann^A，B，G. Gamez^A，熊田倫雄^A，^○村木康二^A，B

7: 分数量子ホール効果におけるエネルギーギャップ構造とギャップレス構造
阪大極限セ　佐々木祥介

8: 分数量子ホール効果の実空間観察
東北大理^A，NTT物性基礎研^B　早川純一朗^A，村木康二^B，遊佐剛^A