18日 FE会場 18aFE 9:30〜12:00
領域9
表面界面電子物性・表面局所光学現象
- 1
- 色素増感太陽電池電極アナターゼTiO2 (101)/アセトニトリル界面における水分子の影響
物材機構WPI-MANAA,JST-CRESTB,JSTさきがけC 隅田真人A,B,袖山慶太郎A,B,○館山佳尚A,B,C
- 2
- ポリチオフェン分子ワイヤーにおける第一原理電子輸送計算
筑波大数物,NECA 高木博和,小林伸彦,広瀬賢二A
- 3
- Si(111)上のBN超薄膜形成
原子力機構 下山巖,馬場祐治,関口哲弘,Krishna G. Nath
- 4
- 時間依存密度汎関数法による窒化ホウ素ナノ構造の誘電関数の計算
東理大理 後藤広志,春山潤,胡春平,渡辺一之
休憩 (10:30〜10:45)
- 5
- NiSi2/Si(111)界面のショットキー障壁に対するアルミニウム偏析効果
産総研ナノシステム 宮崎剛英
- 6
- ゲルマニウムバンド構造に及ぼす歪みの効果
琉球大理 稲岡毅,田中春奈,柳澤将
- 7
- Si(111)面上の√7×√3ーインジウム表面のDFT計算による解析
東大工 内田和之,押山淳
- 8
- GaAs劈開表面上の金属単原子層膜の超伝導と面内磁場効果
東大理 関原貴之,枡富龍一,岡本徹
- 9
- Si(110) 2×5-Auにおける非整数次元伝導の測定
東大理 東野剛之,上田洋一,平原徹,長谷川修司
18日 FN会場 18aFN 9:15〜12:15
領域9,領域3合同
表面磁性
- 1
- 反強磁性的結合磁気異方性2倍周期Fe/Au多層膜の層分解面内磁化過程
奈良先端大物質 山岸隆一郎,花坂周邦,上垣伸,長谷川崇,甘崎晋次郎,細糸信好
- 2
- Magnetic anisotropy and magnetization dynamics of rare-earth single atoms and clusters on metallic surfaces
Physikalisches Inst.,Karlsruhe Inst. of Technology (KIT),Max-Planck-Inst. f?r MikrostrukturphysikA T. Miyamachi,T. Schuh,S. Gerstl,A. ErnstA,W. Wulfhekel
- 3
- Ni/FeMn/Cu(100)薄膜の磁気異方性と磁化曲線
KEK物構研 雨宮健太,酒巻真粧子
- 4
- 交互積層FeNi薄膜各層の磁気異方性に対する表面構造の影響
KEK物構研 酒巻真粧子,雨宮健太
- 5
- 磁化変調方式SP-STMによる凹凸表面をもつ多結晶磁性薄膜の磁区観察
北大理 景山龍,奈良大地,佐藤拓洋,本田築,松山秀生,小池和幸
休憩 (10:30〜10:45)
- 6
- Cu(001)表面上Ni超薄膜のスピンに依存した電子状態
東大物性研 金聖憲,矢治光一郎,武市泰男,原沢あゆみ,柿崎明人,飯盛拓嗣,小森文夫
- 7
- Co/Ni多層膜における積層過程の磁区パターン形成
お茶大理,大阪電通大A,阪大工B,アリゾナ州大C 工藤和恵,鈴木雅彦A,小島一希B,W. DinoB,笠井秀明B,安江常夫A,阿久津典子A,E. BauerC,越川孝範A
- 8
- Pd原子サイズワイヤにおけるゼロバイアス異常
九大院工,金沢大教育A,九大稲盛フロンティアセB 家永紘一郎,中島尚也,大西雄貴,稲垣裕次,辻井宏之A,木村崇B,河江達也
- 9
- 単一フタロシアニン分子と反強磁性金属表面の電子スピン結合
千葉大院融合,KIT物理A,岐阜大工B 山岸祐平,S. SchmausA,A. BagretsA,芝原文利B,F. EversA,W. WulfhekelA,山田豊和
- 10
- Spin and conductance manipulation in individual spin crossover molecules
Physikalisches Inst.,Karlsruhe Inst. of Technology (KIT),DFG-Center for Functional Nanostructures,Karlsruhe Inst. of Technology (KIT)A,Inst. of Phys. and Chemistry of Materials of Strasbourg (IPCMS),UMR 7504 UdS-CNRSB T. MiyamachiA,M. GruberB,V. DavesneB,E. BeaurepaireB,W. WulfhekelA
- 11
- Feフタロシアニン分子における多重項構造と磁気異方性
三重大院工 北岡幸恵,中村浩次,秋山亨,伊藤智徳
18日 EA会場 18pEA 13:30〜16:40
領域4,領域6,領域8,領域9合同シンポジウム
主題:トポロジカル絶縁体・超伝導体研究の最近の進展と今後の展望
- 1
- はじめに(趣旨説明)
東大物性研 加藤岳生
- 2
- トポロジカル絶縁体・超伝導体:概論
東北大金研 野村健太郎
- 3
- トポロジカル絶縁体の実験:光電子分光の観点から
広大院理 木村昭夫
- 4
- トポロジカル絶縁体の実験:STM/STSの観点から
理研 花栗哲郎
休憩 (15:00〜15:15)
- 5
- トポロジカル超伝導体
京大理 藤本聡
- 6
- マヨラナの物性とトポロジカル計算:素粒子論の観点から
慶應大日吉物理 新田宗土
- 7
- トポロジカル絶縁体・超伝導体の実験:現状と将来展望
阪大産研 安藤陽一
18日 FE会場 18pFE 13:30〜17:30
領域9
表面界面電子物性・トポロジカル表面
- 1
- 強束縛近似によるRashba効果の理論的考察
兵庫県立大理 三井隆志,島信幸,馬越健次
- 2
- 反転対称性の破れたBi多層薄膜の第一原理計算
金沢大自然,金沢大理工A 小鷹浩毅,石井史之A,斎藤峯雄A
- 3
- Tl吸着Ge(111)表面の電気伝導度測定
京大院理,JST CRESTA 八田振一郎A,野間俊,奥山弘,有賀哲也A
- 4
- 集束イオンビームによる!LaTeX${?it in situ}$微細加工を施した表面の電気伝導特性
東大理 福居直哉,平原徹,長谷川修司
- 5
- Bi-Bi2Te3界面の電子透過の計算
お茶の水大理 小林功佳
- 6
- Sb薄膜のスピン分解ARPES
東北大院理A,東北大WPIB 高山あかりA,佐藤宇史A,相馬清吾B,高橋隆A,B
- 7
- 時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi2Te3の励起電子ダイナミクス
佐賀大シンクロトロン光応用セ,山形大理A,Daegu Univ.B 山本勇,小川浩二,東純平,佐々木実A,大西彰正A,北浦守A,Heon-Jung KimB,今村真幸,高橋和敏,鎌田雅夫
- 8
- ドープしたBi2Se3の表面分極を介した超高速非線形光電子放出
東大物性研A,中国科学院B,理研CERGC,理研CMRGD,東大工E,JST-CRESTF 石田行章A,菅藤裕昭A,Walid MalaebA,渡部俊太郎A,Chuangtian ChenB,吉川明子C,田口康二郎C,D,十倉好紀C,D,E,辛埴A,F
休憩 (15:30〜15:45)
- 9
- 角度分解高エネルギー分解能2光子光電子分光による表面電子鏡像状態
東大新領域A,物材機構MANAB 中澤武夫A,荒船竜一B,高木紀明A,川合眞紀A
- 10
- Ti/Si(001)表面構造変化に伴う内殻電子状態の解析
横浜国大工 首藤健一,牛山翔太
- 11
- Cu(110)に吸着したNOの価電子状態と分子間相互作用
京大院理 塩足亮隼,三井拓也,奥山弘,八田振一郎,有賀哲也
- 12
- Cu(111)上に作製した環状チアジルラジカルBDTDA超薄膜の構造と電子状態
千葉大院融合,物材機構A,名大院理B 山本真幸,水津理恵,P. MishraA,阿波賀邦夫B,坂本一之,内橋隆A
- 13
- STM単分子操作による分子性近藤共鳴状態のスペクトル操作
東大新領域 柚木崎航平,塚原規志,高木紀明,川合眞紀
- 14
- Ag(111)に形成したAu単原子膜表面のSTM/STS計測
横市大院生命ナノ 青木琢朗,横山崇
- 15
- Nc-AFMによる相互作用力と表面電子状態の相関の検討
金沢大院A,北陸先端大B 石川稔景A,池島達弥A,新井豊子A,富取正彦B
18日 FN会場 18pFN 13:30〜17:30
領域9
表面界面ダイナミクス
- 1
- 被覆率減少に伴うH-Si(111)1×1表面のSi-H伸縮振動モードの変調
北陸先端大マテリアルA,CRESTB 宮内良広A,B,K. HienA,水谷五郎A,B
- 2
- Si(111)表面のAr+イオンスパッタにおけるSiオージェ電子スペクトル
名大院工 河合賢吾,佐久間靖博,加藤政彦,曽田一雄
- 3
- 水素終端Si(111)-(1×1)表面の初期酸化過程
東北大院理,東理大理A,理研B,東北大金研C,東北大学際セD 新村紘和,瀧川知昭,加藤大樹A,松下ステファン悠,山田太郎B,P.MuruganC,川添良幸C,粕谷厚生D,須藤彰三
- 4
- Cu(997)に吸着したCO2におけるFano形状振動ピークの観測
東大物性研 小板谷貴典,塩澤佑一朗,向井孝三,吉本真也,吉信淳
- 5
- Si(100)表面酸化における立体異方性:面内方位依存性の観測
物材機構 倉橋光紀,山内泰
- 6
- Si表面のAgマイクロ薄膜の顕微鏡観察
岡大院自然 脇田高徳,村岡祐治,横谷尚睦
- 7
- ストリークカメラRHEED法によるSi(111)7×7相転移ダイナミクスII
東北大多元研 川西浩太,向島健太,佐藤和義,虻川匡司
休憩 (15:15〜15:30)
- 8
- 銀表面上吸着酸素の強磁性状態の安定性
阪大院工 國貞雄治,中西寛,Wilson Agerico Di?o,笠井秀明
- 9
- CO酸化反応におけるAu/TiO2(110)の触媒活性化機構
立命館大理工A,九州大工B 光原圭A,田上正崇A,松田太志A,A. ViskovskiyB,城戸義明A
- 10
- 消滅γ線-イオン同時計測法によるTiO2表面からの陽電子刺激イオン脱離の観測
立教大理,東理大理A 立花隆行,平山孝人,長嶋泰之A
- 11
- SrTiO3の欠陥変調表面における水素の吸着と電子状態変化
東大生研 武安光太郎,深田啓介,小倉正平,松本益明,福谷克之
- 12
- NaCl水溶液/電極系における電気二重層の微視的理解
東北大WPI 赤木和人
- 13
- FIMのNe電界イオン化過程におけるイオン化領域の水平広がりの定量的評価
大阪市大院工 山田達気,山崎健太朗,小林中,熊谷寛
- 14
- 液中カシミール力の測定II
愛教大物理,兵庫県立大工A,東大生研B,成蹊大理工C 市川真也,石川誠,乾徳夫A,川勝英樹B,佐々木成朗C,三浦浩治
- 15
- AFMシミュレーションによるエネルギー減衰のしくみ
山口大理工,アールト大A 仙田康浩,今橋信行,嶋村修二,Janne BlomqvistA,Risto NieminenA
19日 EC会場 19aEC 9:00〜12:15
領域7,領域9合同
グラフェン
- 1
- 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態
東大物性研,九大院工A 飯盛拓嗣,吉村継生,元村勇也,山田正理,中辻寛,梶原隆司A,Anton VisikovsliyA,田中悟A,小森文夫
- 2
- グラフェン/Ni(111)界面への貴金属インターカレーションの効果:ショットキー接触形成の可能性
岩手大工 長谷川正之,西館数芽
- 3
- SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着
福岡大工 柳生数馬,友景肇,鈴木孝将
- 4
- 水素終端したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES
東北大WPIA,東北大院理B 菅原克明A,高橋徹B,James KleemanB,佐藤宇史B,高橋隆A,B
- 5
- SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論
NTT物性基礎研 影島博之,日比野浩樹
- 6
- SiC(0001)上グラフェンのSEMコントラストの計算による解析
山梨大 川村隆明
休憩 (10:30〜10:45)
- 7
- グラフェンにおけるラマンスペクトルと電子スペクトルのドーピング依存性
NTT物性研,筑波大A 佐々木健一,加藤景子,都倉康弘A,鈴木哲,寒川哲臣
- 8
- 積層構造がねじれた2層グラフェンにおける二重共鳴ラマン強度
東北大理 佐藤健太郎,齋藤理一郎
- 9
- 金属基板上に成長した窒素ドープグラフェンの構造とその吸着特性
東大院理A,東大院新領域B 今村岳A,斉木幸一朗A,B
- 10
- 窒素ドープグラフェンの様々なドープ位置での酸素吸着特性
東大院新領域 小幡誠司,斉木幸一朗
- 11
- 酸化グラフェンにおける共鳴励起発光と時間分解発光分光
京大エネ研A,JST-PRESTOB,甲南大理工C 小澤大知A,宮内雄平A,B,毛利真一郎A,市田正夫C,松田一成A
- 12
- GaN結晶成長に伴うグラフェンの構造相転移
東大理A,東大物性研B 合田義弘A,常行真司A,B
19日 FE会場 19aFE 9:30〜12:15
領域9
表面界面構造・水素ダイナミクス
- 1
- 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene超薄膜の構造
横浜国大工,原子力研A,東大物性研B 平賀健太,豊島弘明,大野真也,平尾法恵A,関口哲弘A,下山巌A,馬場祐治A,向井孝三B,吉信淳B,田中正俊
- 2
- Si(111)7×7表面上におけるAg原子のウェッティングレイヤー初期形成過程
東北大理,東北大学際セA 鈴木貴幸,生田目謙,堀井広幸,芳賀健也,粕谷厚生A,須藤彰三
- 3
- Pd(111)表面上の酸化バナジウムナノメッシュにおけるAgナノドットの創製と構造解析
名大工 柚原淳司,早崎真治,小川国師,松井恒雄
- 4
- 高分解能イオン散乱によるSrTiO3(001)表面の構造解析
立命館大理 松田太志,高井乃理子,由田佑貴,光原圭,城戸義明
休憩 (10:30〜10:45)
- 5
- Ag超薄膜上のシリシン成長
東工大総理工 大城敦也,青木悠樹,中辻寛,○平山博之
- 6
- N/Cu(001)微傾斜領域に形成されるストライプ状配列構造
東大物性研A,NHK技研B 山田正理A,河村紀一A,B,中辻寛A,小森文夫A
- 7
- Ir(111)表面上におけるNOの分子状飽和吸着構造と解離吸着構造の決定
東大生研,放送大A 松本益明,福谷克之,岡野達雄A
- 8
- 窒素吸着Cu(001)表面における超構造形成のその場観察
東大物性研A,NHK放送技研B 河村紀一A,B,飯盛拓嗣A,山田正理A,中辻寛A,小森文夫A
- 9
- Pd(111)/Ag(111)/Si(111)における水素昇温脱離(II)
東工大総理工 青木悠樹,中島翔,中辻寛,平山博之
- 10
- Pd-Ag超格子構造ナノ薄膜における水素昇温脱離
東工大総理工 中島翔,青木悠樹,中辻寛,平山博之
19日 FN会場 19aFN 9:00〜12:30
領域9
結晶成長
- 1
- Bi/Ag(111)√3×√3表面上のAg成長
東工大総理工 福元博之,宮崎優,青木悠樹,中辻寛,平山博之
- 2
- Ag(111) 上に成長させた有機分子ピセン薄膜の低温STM観察
東大物性研,Nat’l. Taiwan Univ.A,Academia sinicaB 横須賀拓也,Hung-Hsiang YangA,Hsu-Sheng HuangB,Syu-You GuanB,Germar HoffmannA,吉田靖雄,長谷川幸雄
- 3
- 高アスペクト比金ナノロッドの長軸長決定のメカニズム
産総研,首都大A,千葉大B 武仲能子,川端庸平A,北畑裕之B,大園拓哉
- 4
- 取 消
- 5
- ベヘン酸基板上における斜方晶αアミラーゼの結晶成長
立命館大理工 川嶋亮平,平井豪,中田俊隆
- 6
- 歪みにより誘起される氷結晶表面での疑似液体層の生成
北大低温研 佐崎元,麻川明俊,長嶋剣,中坪俊一,古川義純
- 7
- 氷表面上での擬似液体層の生成挙動に対するガスの影響
北大低温研 麻川明俊,佐崎元,長嶋剣,中坪俊一,古川義純
休憩 (10:45〜11:00)
- 8
- 取 消
- 9
- 炭酸カルシウム結晶核生成前駆体アモルファスの分子動力学シミュレーション研究
産総研 伴野秀和,灘浩樹
- 10
- 微斜面の表面荒さとステップ移動度:ステップ間に点接触型引力がある場合
大阪電通大工 阿久津典子
- 11
- 基板上で成長または蒸発するクラスターの非平衡拡散
慶大理工,リヨン大LPMCNA 齋藤幸夫,Mattiew DuffayA,Olivier Pierre-LouisA
- 12
- 表面拡散のある Ballistic Deposition 模型のスケーリング
学習院大理,学習院大計セA,慶大理工B 長田賢勇,勝野弘康A,入澤寿美A,齋藤幸夫B
- 13
- 移動する粒子源によるステップのパターン形成 -フェーズフィールドシミュレーション(1)-
名大理,東北大理A,金沢大IMCB 川口将司,三浦均A,佐藤正英B,上羽牧夫
19日 FF会場 19pFF 13:30〜16:55
領域9シンポジウム
主題:プローブ顕微鏡を用いた分光技術
- 1
- はじめに
横浜市大生命ナノ 横山崇
- 2
- 走査型トンネル顕微鏡によるエキゾチック電子相の原子分解能分光イメージング
理研磁性研 幸坂祐生
- 3
- STMを用いた単一分子振動分光
理研表面研 金有洙
- 4
- STM発光分光による振動分光
東北大通研 上原洋一
休憩 (15:10〜15:25)
- 5
- 原子間力顕微鏡を用いたフォーススペクトロスコピー
阪大工 杉本宜昭
- 6
- 4探針走査トンネル顕微鏡を用いたグラフェンのナノスケール電気伝導測定
ハンブルグ大(現 阪大工) 山崎詩郎
- 7
- 金属/単分子/金属接合の電気伝導測定
阪大基礎工 山田亮
20日 FF会場 20aFF 9:15〜12:30
領域9,領域10
表面界面構造
- 1
- 二層凝集現象を用いたMgO基板上の自己組織化エピタキシャルAgナノドットの作製
東大生研,芝浦工大A,筑波大B,産総研C,韓国光云大D 神子公男,末永亮A,野瀬健二,具正祐B,C,弓野健太郎A,光田好孝,河在根D
- 2
- 高分解能電子顕微鏡による酸化亜鉛薄膜の粒界観察
筑波大応理,筑波大院数理A 蘆田真,石毛亮祐A,増田秀樹A,木塚徳志A
- 3
- 第一原理計算によるTiO2/Au(111)への水素分子の吸着
アドバンスソフト,阪大院理A 岡崎一行,奥村光隆A
- 4
- 並列化大規模電子状態計算によるナノ構造シミュレーション
鳥取大院工A,JST-CRESTB 星健夫A,B,秋山洋平A
- 5
- 固液界面の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算
産総研,東大院理A,東大物性研B 安藤康伸,合田義弘A,常行真司A,B
休憩 (10:30〜10:45)
招待講演
- 6
- ナノ構造と物質移動
東工大院理工 高柳邦夫
- 7
- X線回折法による導電性高分子P3HTおよびPOF薄膜界面における構造変化の観察
関学大理工 竹本淳平,岡賀悠太,庄司吉宏,孫暁麗,高橋功
- 8
- Si(001)表面に対するRHEED励起オージェ強度とロッキング曲線
大同大工,東北大多元研A 堀尾吉已,高桑雄二A,小川修一A
- 9
- 化学機械研磨処理したGaN(0001)表面の昇温による構造変化の反射高速電子線回折法による研究
横浜市大生命ナノA,並木精密宝石B 中田淳也A,杉山卓嘉A,小山浩司B,戸坂亜希A,重田諭吉A
- 10
- 大気中前処理温度条件によるα-Al2O3(0001)面の構造変化
横浜市大生命ナノA,並木精密宝石B 杉山卓嘉A,小山浩司B,戸坂亜希A,重田諭吉A
- 11
- 反射高速陽電子回折による歪導入した半導体表面における金属吸着超構造の研究
原子力機構先端基礎研,高エネ機構物構研A 望月出海,深谷有喜,前川雅樹,河裾厚男,和田健A,兵頭俊夫A
20日 FF会場 20pFF 13:30〜15:00
領域9
表面ナノ構造量子物性
- 1
- 超伝導ナノ粒子のSTM/S観測
東大院理 松井朋裕,武井英人,福山寛
- 2
- 軟X線プローブによるフェムト秒レーザーアブレーション過程の直接観測
原子力機構,徳島大院ソシオA,東大物性研B 長谷川登,錦野将元,海堀岳史,守田利昌,河内哲哉,山極満,富田卓朗A,南康夫B,寺川康太B,武井亮太B,馬場基芳B,末元徹B
- 3
- 軟X線イメージングによる閾値特性を持ったアブレーションダイナミクスの観測
徳島大院ソシオ,原子力機構A,東大物性研B 富田卓朗,錦野将元A,長谷川登A,南康夫B,武井亮太B,馬場基芳B,寺川康太B,海堀岳史A,守田利昌A,河内哲哉A,山極満A,末元徹B
- 4
- フェムト秒レーザーアブレーションによる金属表面ナノ構造形成の機構解明
京大化研A,京大理B 清水雅弘A,橋田昌樹A,B,宮坂泰弘A,B,時田茂樹A,B,阪部周二A,B
- 5
- 金属のフェムト秒レーザーナノアブレーション機構〜表面ナノ粒子の粒径分布と放出イオンエネルギー分布〜
京大化研A,京大院理B 宮坂泰弘A,B,橋田昌樹A,B,清水雅弘A,時田茂樹A,B,阪部周二A,B
- 6
- フェムト秒レーザーによる周期ナノ構造形成の粒子シミュレーション
名大院理,核融合研A,京大化研B 緒方智也,坂上仁志A,橋田昌樹B,阪部周二B
20日 PSA会場 20pPSA 13:30〜15:30
領域9
領域9ポスターセッション
- 23
- SrOバッファー層を用いたEuO単結晶超薄膜の作製と評価
名大,名工大A,分子研B,名大C,総研大物理D 樅山晴也,○宮崎秀俊A,B,羽尻哲也B,C,松波雅治B,D,井村敬一郎B,伊藤孝寛C,木村真一B,D
- 24
- φ-RHEED3次元逆格子マッピングによるSi(001)表面上に成長した鉄シリサイドドーム島の構造解析
奈良先端大物質創成 太田啓介,服部賢,田中浩太,木村明日香,大門寛
- 25
- φ-RHEED3次元逆格子マッピングによるSi(001)表面上に成長したマンガンシリサイド島の構造解析
奈良先端大物質創成 木村明日香,田中浩太,太田啓介,服部賢,大門寛
- 26
- 取 消
- 27
- 不純物を含んだエピタキシャル表面での核生成
学習院大計セ 勝野弘康
- 28
- 低濃度(<3%)水素雰囲気からの高濃度水素吸蔵体YH3およびGdH3の結晶成長
埼大院理工,阪大産業科学研A 平間弘晃,早川昌志,大越朋哉,○酒井政道,樋口宏二A,北島彰A,大島明博A,長谷川繁彦A
- 29
- SHG及びオージェ電子分光法によるH2O物理吸着Au表面系の観察
北陸先端大マテリアル 内山裕介,上村健太,小野道真,水谷五郎
- 30
- Lifetimes of spin-polarized positrons: First-principles study
金沢大自然A,東大生研B 林建波A,斎藤峯雄A,B
- 31
- REM-4PPによるAu吸着Si(111)微斜面上Ag薄膜中の量子井戸状態の研究
農工大院工 高橋成和,箕田弘喜
- 32
- Pb/Ge/Si(111)(1×1)表面の構造と電子状態
京大院理A,JST CRESTB 林幸広A,八田振一郎A,B,奥山弘A,有賀哲也A,B
- 33
- 第一原理計算によるGdN/GaN界面上のショットキー障壁の数値評価
横浜国大工 加川俊哉,レービガー・ハンネス
- 34
- 長周期格子歪をともなったグラフェンの電子状態計算
筑波大数物,理研A 竹本整司A,金有洙A,小林伸彦
- 35
- 金属吸着Ge(111)表面の電気伝導測定II
京大院理,JST CRESTA 八田振一郎A,野間俊,奥山弘,有賀哲也A
- 36
- 極低温NaCl蒸着膜表面上H2,O2,CO2の誘導赤外吸収分光
学習院大理,東大生研A 山川紘一郎,福谷克之A
- 37
- Si(111)-Ag表面上に吸着したオリゴチオフェン分子のSTS分光イメージング
横市大院生命ナノ,横浜国大院工A 川崎光徳,横山崇,浅利友隆A,大野真也A,田中正俊A
- 38
- エピタキシャルグラフェンにおけるDバンド、Gバンドラマン分光特性
九大院工,東工大院理工A,東大物性研B 中森弓弦,梶原隆司,Anton Visikovskiy,中辻寛A,小森文夫B,田中悟
- 39
- Interface of Indium Tin Oxide (ITO)/Organic Media Probed By Second Harmonic Generation (SHG)
JAISTA Demon, S.Z.N.A,MiyauchiA,Y., Mizutani, G.A,Matsushima, T.A and Murata, H.A
- 40
- 遷移金属フタロシアニンの多重項構造に関する第一原理計算
三重大院工 坂井俊夫,北岡幸恵,中村浩次,秋山亨,伊藤智徳
- 41
- 外部電場印加によるダイヤモンド表面の誘起電荷とフェルミ面の制御
三重大院工 杉山愛一郎,中村浩次,佐野和博,秋山亨,伊藤智徳
- 42
- 透過電子顕微鏡による固液界面の電気化学反応観察法の開発
農工大院工 桑村悠馬,箕田弘喜
- 43
- 二層凝集現象を用いて作製した自己組織化Agナノドット薄膜の光学特性
東大生研,芝浦工大A,筑波大B,産総研C,韓国光云大D 神子公男,末永亮A,野瀬健二,具正祐B,C,弓野健太郎A,光田好孝,河在根D
- 44
- 低温Si(111)-7×7表面上に形成されるK原子吸着構造
横国大工,防衛大A 岡本春樹,北嶋武A,大野真也,田中正俊,鈴木隆則A
- 45
- Structure of carbon rich SiC(0001)-√3×√3 surface investigated by LEED I-V analysis
Kyushu Univ.A,Univ. of TokyoB Anton VisikovskiyA,Takashi KajiwaraA,Satoru TanakaA,Kan NakatsujiB,Shunsuke YoshizawaB,Fumio KomoriB
- 46
- シリコン単結晶低指数面における飽和吸着時のアルカリ金属原子数の面方位依存性
防衛大応物 小甲顕史,鈴木隆則
- 47
- Python-OpenGLによる大規模電子状態計算むけ可視化ツールVisBARの開発
鳥取大工A,JST-CRESTB 秋山洋平A,川居佳史A,星健夫A,B
- 48
- 分子動力学シミュレーションによる氷Ihの擬似液体層の安定性解析
新潟大院自然,東大院経済A 久賀みづき,家富洋A
- 49
- バクテリオロドプシン薄膜の作製と構造評価
情通機構,NHK技研A 照井通文,春山喜洋,笠井克幸,菊池宏A,山田俊樹,梶貴博,冨成征弘,田中秀吉,大友明
- 50
- 電解質溶液中におけるSi(001)上のAu微粒子表面のシステイン分子の挙動
横国大工 藤森佑人,二之宮成樹,田中正俊,大野真也,関谷隆夫
- 51
- Pt(111)表面上のステップ及びキンクサイトにおけるNO分子吸着のダイナミクス
阪大院工 牧原聡,三村大輔,稲垣耕司,森川良忠
- 52
- 第二次高調波発生によるSi(001)表面上のCO吸着脱離過程のリアルタイム解析
横国大院工,NHK技研A,東大物性研B 大野真也,河村紀一A,飯盛拓嗣B,小森文夫B
- 53
- C60単層膜上での単層グラフェンの引き剥がしII
愛教大物理,成蹊大理工A 石川誠,安形卓也,市川真也,佐々木成郎A,○三浦浩治
- 54
- フラーレン基板上のナノ滑り摩擦
電通大先進理工,愛教大物理領域A 井上大輔,町田慎悟,谷口淳子,鈴木勝,石川誠A,三浦浩治A
- 55
- 表面プラズモンに誘起される分子振動ダイナミクス
阪大院工 三輪邦之,坂上護,笠井秀明
- 56
- グラフェンナノリボンの電子輸送特性における不純物の影響
成蹊大理工 露木大祥,坂本昇一,富谷光良
- 57
- カーボンナノチューブの電子輸送特性における置換型不純物の影響
成蹊大理工 椎橋朋弘,坂本昇一,富谷光良
- 58
- 2つの磁性電極間に挟まれた分子の電圧電流特性の第一原理計算
一関高専 小野寺昭,○谷林慧
- 59
- Mg・Fe混合物のガス中蒸発法で生成する超微粒子
立命館大理工 墻内千尋,齋藤嘉夫,小池千代枝,藤崎貴也
- 60
- Ptナノ粒子包含泡状ナノカーボンのレーザーアブレーションによる生成
阪大院理,阪大INSDA 河野日出夫,立谷健太郎,市川聡A
- 61
- スピン偏極原子クラスターの形成と計測に向けて -その3:高密度化と希ガス基板形成
山梨大医工,東工大総理工A 平井俊光,冨澤悠,白木一郎,伊藤治彦A,山田俊吾A,佐藤知広A,鳥養映子
- 62
- 磁化の2成分検出可能な磁化変調方式SP-STM用磁性探針の開発
北大理 本田築,奈良大地,景山龍,佐藤拓洋,小池和幸,松山秀生
- 63
- スピン偏極走査トンネル顕微鏡によるAg(111) 表面上のコバルト薄膜の観察
東大院工 土居啓司,横須賀拓也,坂本崇樹,吉田靖雄,長谷川幸雄
- 64
- W(110)基板上におけるCo/Niマルチレイヤーにおける磁気異方性の理論的研究
阪大工,大阪電通大A,お茶大理B,アリゾナ州大C 小島一希,Wilson Agerico Di?o,鈴木雅彦A,安江常夫A,工藤和恵B,阿久津典子A,Ernst BauerC,越川孝範A,笠井秀明
- 65
- 金属表面上の鉄フタロシアニン薄膜のXMCD測定
分子研A,総研大B 高木康多A,B,江口敬太郎B,中川剛志A,B,横山利彦A,B
- 66
- Mgナノワイヤーの破断過程
京大工 高橋篤史,黒川修,○酒井明
- 67
- 液体水素中におけるPdナノワイヤの電気伝導測定
九大院工,金沢大教育A 大西雄貴,家永紘一郎,横田智彦,稲垣祐次,辻井宏之A,河江達也
- 68
- 取 消
- 69
- First-Principles Calculations of Hydrogen Adsorbed in Carbon Nano materials
Grad. School of Natural Science and Technology, Kanazawa Univ.A,Inst. of Industrial Science, Univ. of TokyoB Mohammad Shafiul AlamA,Fahdzi MuttaquienA,Agung SetiadiA and Mineo SaitoA,B
- 70
- BNナノチューブの熱伝導シミュレーション
東理大 吉澤雅之,渡辺一之
- 71
- アルミナ薄膜上に成長させた垂直配向カーボンナノチューブからの高調波発生
横浜国大工,防衛大応物A 大河原悟,宮森真理子,田中正俊,大野真也,島津佳弘,鈴木隆則A
- 72
- 強誘電体におけるラシュバ効果の第一原理計算
金沢大理工,金沢大自然A 石井史之,大西峰志A,小鷹浩毅A,斎藤峯雄
21日 AD会場 21aAD 9:15〜9:45
領域6,領域9
固体He・渦・低温技術
- 1
- ランダム媒質と微小重力下の固体4He結晶成長
東工大院理工 奥田雄一
21日 FF会場 21aFF 9:30〜12:30
領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ
- 1
- 第一原理計算を用いた金属・半導体界面における熱伝導計算
筑波大数理,NECグリーンイノベーション研A 山本晃平,石井宏幸,小林伸彦,広瀬賢二A
- 2
- 時間依存波束拡散法によるナノワイヤーの熱伝導・電気伝導と熱電変換性能の理論計算
NECスマートエネ研 広瀬賢二
- 3
- カーボンナノチューブの触媒CVD製法における炭素源分子の解離機構II:第一原理分子動力学シミュレーション
熊大院自然,東大院工A,京大院理B 島村孝平,澁田靖A,大村訓史B,下條冬樹,山口周A
- 4
- Impulse Response法による分子ワイヤーにおける動的電子輸送特性予測
長大先端計算セ,阪大院工A 江上喜幸,広瀬喜久治A
休憩 (10:30〜10:45)
- 5
- 自発的破断過程におけるAuナノ接合の破断過程の解明
東工大院理A,京大院工B 中住友香A,木口学A,和田恭雄B
- 6
- Pt電極間に架橋されたピラジン単分子の研究
東工大院理工,Dept. of Materials Science,Univ. of Milano-BicoccaA 金子哲,Carlo MottaA,木口学
- 7
- コバルト内包カーボンナノカプセル単一分子接合系の電子顕微鏡観察
筑波大院数理 松浦大輔,木塚徳志
- 8
- その場電子顕微鏡法による金/酸化亜鉛/金ナノ接合系の電気伝導解析
筑波大院数理 石毛亮祐,増田秀樹,木塚徳志
- 9
- タングステンナノ接点のその場電子顕微鏡観察
筑波大院数理 増田秀樹,谷中淳,木塚徳志
- 10
- その場電子顕微鏡法による金ナノ接点の臨界剪断応力解析
筑波大応理,筑波大院数理A 飯嶋俊章,大古喬之A,増田秀樹A,木塚徳志A
- 11
- アルミニウムナノ接点のその場電子顕微鏡観察
筑波大院数理 大古喬之,増田秀樹,木塚徳志