領域1

18日　EB会場　18aEB　9:00～12:15

領域7
一次元系・パイエルス転移

1: (DMe-DCNQI)₂Liにおける電流電圧特性の異方性
東大物性研，阪大理^A，理研^B　木俣基，林義之，田島裕之，山本貴^A，加藤礼三^B

2: 圧力下(TMTTF)₂PF₆の電子輸送特性
北大院理　山本真生，松永悟明，野村一成，河本充司

3: (TMTSF)₂Xの磁場誘起SDW相におけるアニオン秩序化の役割
北大院理，東北大金研^A　南舘孝亮，駒田智也，松永悟明，野村一成，佐々木孝彦^A

4: 擬1次元有機導体(TMTSF)₂AsF₆の低励起エネルギー角度分解光電子分光
名大院工^A，名大SRセ^B，分子研UVSOR^C，総研大^D，分子研^E　平手聡^A，伊藤孝寛^A，B，羽尻哲也^A，C，木村真一^C，D，松波雅治^C，D，中村敏和^E，D

5: レーザー光電子分光を用いた低次元有機導体(TMTSF)₂PF₆の研究
東大物性研^A，東大工^B，阪大院基礎工^C，理研^D　小泉健二^A，石坂香子^B，木須孝幸^C，加藤礼三^D，辛埴^A，D

6: HMTSF-TCNQの1 GPa圧力下, 磁場誘起相でのHall効果II
阪市大院理，梨花女子大^A，フロリダ州立大^B，阪府大院理^C，東北大金研^D，理研^E　福本雄平，W. Kang^A，D. Graf^B，A. Kiswandhi^B，E. S. Choi^B，J. S. Brooks^B，藤原秀紀^C，佐々木孝彦^D，横川敬一，吉野治一，加藤礼三^E，村田惠三

休憩　（10:30～10:45)

7: (TTM-TTP)I₃の分子内電荷秩序相における光学電気伝導度
名大理　土射津昌久

8: 分子多軌道模型における新規ディラック電子の可能性
名大理　宮原和之，土射津昌久，小林晃人

9: 1次元1/4充填電子格子系における分数電荷ソリトンの易動度と有効質量
阪市大工^A，東邦大理^B　廣川健一^A，寺井章^A，小野嘉之^B

10: 二次元正方格子マルチモード・パイエルス状態への電荷ドーピング
阪市大工　岸田龍，寺井章

11: 二次元電子格子系におけるパイエルス歪みに対する電子相関効果の解析
阪市大工　松本祐樹，寺井章

12: 2次元六角格子上の電子格子系におけるパイエルス転移とその低温相の解析
大阪市大工　竹内祥真，寺井章

18日　EC会場　18aEC　9:00～12:30

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 磁場中二層グラフェンの多体効果とエッジ状態
筑波大物理，東邦大物理^A，東大物理^B　濱本雄治，河原林透^A，青木秀夫^B，初貝安弘

2: 磁場中の2層グラフェンにおけるゼロモードのトポロジカルな安定性 --- trigonal warping の効果 ---
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

3: 多層グラフェンのランダウ準位
広大先端　田原文哉，下村翠，深田誠也，八木隆多

4: 取　　消

5: SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴
東大物性研，東大工^A，NTT物性基礎研^B　齋藤宏晃^A，澤部博信，中村大輔，松田康弘，嶽山正二郎，日比野浩樹^B

6: 電子・ホール非対称性を持つ二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴と多体効果
京大基研　静谷謙一

休憩　（10:30～10:45)

7: ゲート電場中での多層グラフェン量子ホール系における光学ホール伝導度
理研，東北大理^A，東大理^B　森本高裕，越野幹人^A，青木秀夫^B

8: ナノグラフェンの軌道反磁性と磁気配向効果
東北大理　大湊友也，越野幹人

9: エピタキシャルグラフェンにおけるν=2量子ホール状態の活性化エネルギー
NTT物性基礎研　高瀬恵子，田邉真一，日比野浩樹，村木康二

10: 零磁場から量子ホール領域におけるグラフェンの超伝導近接効果
NIMS^A，CNRS^B　小松克伊^A，B，Chuan Li^B，S. Autier-Laurent^B，H. Bouchiat^B，S. Gueron^B

11: グラフェン十字型細線におけるエレクトロンフォーカシング効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　大貫雅広^A，増渕覚^A，B，山口健洋^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

12: バリスティックグラフェンにおける磁気整合効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　森川生^A，増渕覚^A，B，大貫雅広^A，井口和之^A，荒井美穂^A，山口健洋^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

13: Twisted bilayer grapheneにおける光学吸収特性
東北大理　文泌景，越野幹人

18日　FH会場　18aFH　9:00～12:30

領域7
界面デバイス1

1: 単一分子計測に基づくπスタック系における電子輸送過程の解明
東工大理工　木口学

2: 有機半導体における分子間相互作用の理論計算
筑波大数物，阪大産研^A，NEC^B　深見竜也，石井宏幸，小林伸彦，植村隆文^A，竹谷純一^A，広瀬賢二^B

3: 3次元有機半導体結晶のキャリア伝導シミュレーション
筑波大数物，阪大産研^A，NEC^B　石井宏幸，深見竜也，小林伸彦，植村隆文^A，竹谷純一^A，広瀬賢二^B

4: ペンタセンの電子構造と原子構造
岩手大工，岩手大地連セ^A　西館数芽，長谷川正之^A

5: Single crystal FETs using phenancene type aromatic hydrocarbons molecules
Res. Lab. for Surface Science, Okayama Univ.^A，Phys. Dept., Okayama Univ.^B　Xuexia He^A，Kazuya Teranishi^A，Shino Hamao^A，Ritsuko Eguchi^A，Hidenori Goto^A，Takashi Kambe^B，Yoshihiro Kubozono^A

休憩　（10:30～10:45)

6: チオフェン系有機半導体のキャリア輸送特性とその圧力効果
阪大産研　酒井謙一，岡田悠悟，北岡慎，三輪一元，植村隆文，山岸正和，三津井親彦，岡本敏宏，竹谷純一

7: ペンタセン電界効果トランジスタの圧力下ホール効果とキャリアのコヒーレンス
阪大産研　植村隆文，岡田悠悟，北岡慎，酒井謙一，竹谷純一

8: 圧力下におけるテトラセン単結晶トランジスタの輸送特性測定
阪大産業科学研　岡田悠悟，酒井謙一，北岡慎，三輪一元，植村隆文，竹谷純一

9: ルブレン単結晶の可視ポンプ-THzプローブ分光II
東大院新領域^A，阪大産研^B　内田隆介^A，矢田祐之^A，松井裕太^A，寺重翼^A，三輪一元^B，植村隆文^B，竹谷純一^B，岡本博^A

10: C₁₀-DNTT薄膜の可視ポンプ-THzプローブ分光
東大院新領域^A，阪大産研^B　関根寛^A，内田隆介^A，松井裕太^A，寺重翼^A，矢田祐之^A，三輪一元^B，植村隆文^B，竹谷純一^B，岡本博^A

11: TMTSFドナー・FETの不純物効果
岡大自然　笠松龍宏，^○大嶋孝吉

12: FETの構造を用いた電荷移動錯体α-(BEDT-TTF)₂I₃単結晶への静電キャリア注入
東大物性研　石原拓真，木俣基，田島裕之

18日　EB会場　18pEB　13:30～17:45

領域7
ET系・超伝導

1: α-(BEDT-TTF)₂NH₄Hg(SCN)₄における面間インコヒーレント伝導
物材機構^A，筑波大院数理物質^B，東大院工^C，埼玉大理^D　杉井かおり^A，B，宮川和也^C，鹿野田一司^C，谷口弘三^D，土屋聡^A，寺嶋太一^A，宇治進也^A，B

2: α-(BEDT-TTF)₂RbHg(SCN)₄の¹³C NMR
北大院理　野田航生，井原慶彦，河本充司

3: 有機超伝導体β-(ET)₂IBr₂の一軸性圧縮効果
名大院工，名城大農^A，京大低物セ^B　浅井貴行，丹羽政文，伊東裕，田中久暁，黒田新一，大成誠一郎，田仲由喜夫，平松孝章^A，齋藤軍治^A，矢持秀起^B

4: 静磁化率測定によるκ-ET₂X(X=Cu(NCS)₂, Cu[N(CN)₂]Br)の超伝導揺らぎの研究
埼大院理工　坂手大輔，上原友敬，谷口弘三，佐藤一彦

5: κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]X (X=Br, Cl)におけるテラヘルツ時間領域分光
理研^A，分子研^B，JSTさきがけ^C，東大新領域^D，東大理^E　田久保直子^A，須田理行^A，山本浩史^A，B，C，加藤礼三^A，井尻吉洋^D，矢田祐之^D，岡本博^D，島野亮^E

6: 有機超伝導体κα’₁-(BEDT-TTF)₂Ag(CF₃)₄(TCE)の磁気トルク
東工大院理工，物材機構^A，アルゴンヌ国立研^B　川本正，森健彦，宇治進也^A，John A. Schlueter^B

7: 有機超伝導体λ-(BETS)₂GaCl₄のSTM分光2
北大院理，日大文理^A　岡雄基，延兼啓純，松永悟明，野村一成，ファティマ・スルタナ^A，小林昭子^A，小林速男^A

8: Mott/Charge Order and Superconductivity in β-(BDA-TTP)₂I₃ by Uniaxial Strain
Grad. School of Sci.，Osaka City Univ.，Grad. School of Sci.，Tokyo Metropolitan Univ.^A，Grad. School of Material Sci.，Univ. of Hyogo^B　Md. Nuruzzaman，Keiichi Yokogawa，Harukazu Yoshino，Koichi Kikuchi^A，Jun-ichi Yamada^B，Keizo Murata

休憩　（15:30～15:45)

電荷秩序

9: 光学伝導度測定によるθ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の電荷グラス状態の解明
東北大金研，山梨大医工^A，SPring-8/JASRI^B　橋本顕一郎，?仕誠，米山直樹^A，森脇太郎^B，池本夕佳^B，井口敏，佐々木孝彦

10: 有機導体θ-(ET)₂RbZn(SCN)₄における電荷秩序:ノイズ測定による前駆現象の観測
東大工^A，CREST^B　佐藤拓朗^A，賀川史敬^A，B，宮川和也^A，鹿野田一司^A

11: θ-(BEDT-TTF)₂(Rb_1-xCs_x)Zn(SCN)₄混晶試料の構造と物性
岡山大院自然　岡部翔太，野上由夫，近藤隆祐

12: θ-(BEDT-TTF)₂I₃における電子相関効果
東大院工，東理大理工^A　平田倫啓，宮川和也，田村雅史^A，鹿野田一司

13: 強誘電性逐次転移をしめすα'-(BEDT-TTF)₂IBr₂塩の誘電緩和
分子研，岡山大理物^A，東北大工^B，東北大多元研^C　山本薫，福永守^A，近藤隆祐^A，渡邉真史^B，売市幹大，野田幸男^C

14: 内部自由度のある電荷秩序系の電荷ダイナミクスII
東北大理　中惇，石原純夫

15: 電荷秩序有機物β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆の赤外イメージング分光
名大院理^A，明大理工^B，JASRI/SPring-8^C，東大物性研^D，神戸大院理^E　岡崎竜二^A，仁科靖生^A，堀川絢加^A，森岡稔雅^A，浅井晋一郎^A，安井幸夫^A，B，寺崎一郎^A，池本夕佳^C，森脇太郎^C，四竈格久^D，高橋一志^D，E，森初果^D

16: [EDT-TTF-CONMe₂]₂X(X=AsF₆及びBr)の¹³C-NMR測定
東大工，CNRS-Univ. d'Angers^A　中澤豪揮，鹿野田一司，宮川和也，P.Batail^A

18日　EC会場　18pEC　13:30～17:30

領域7
籠状物質・ネットワーク物質

1: ソーダライト中のカリウムクラスターの⁴⁰K放射光メスバウアー吸収分光II
阪大理，京大原子炉^A，原研機構^B，JASRI^C　中野岳仁，福田直起，瀬戸誠^A，B，小林康浩^A，依田芳卓^C，石神直大^A，小倉昌子，三原基嗣，野末泰夫

2: ゼオライトLSX中のNa-K合金クラスター（高Na含有）の磁性III
阪大理　Luu Manh Kien，後藤輝生，Duong Thi Hanh，中野岳仁，野末泰夫

3: カリウムを吸蔵したチャンネル型ゼオライトLの金属転移
阪大理　ファムタンティ，中野岳仁，野末泰夫

4: ナトリウムを吸蔵させたゼオライトYの物性
阪大理　川野涼子，中野岳仁，野末泰夫

5: ルビジウムを吸蔵したゼオライトPの光学的磁気的性質
阪大理，マレーシア工科大^A　Gayan Prasad Hettiarachchi，森朝文也，西田憲史，Pham Tan Thi，Mohd Nazlan Mohd Muhid^A，Halimaton Hamdan^A，中野岳仁，野末泰夫

6: カリウムを吸蔵したゼオライトAの磁性と異常な電気抵抗
阪大理　野末泰夫，土橋和成，川野涼子，久保洋輔，中野岳仁

7: 分子性ナノ多孔質結晶{[M(H₂bim)₃](TMA)・20H₂O}_n　(M = Co,Ru,Rh) のプロトン伝導 II
東北大院理，東理大理^A　松井広志，藤掛洵朗，田所誠^A

休憩　（15:15～15:30)

8: TEM-SXESによる金属六ホウ化物の電子構造の研究
東北大多元研，長岡科技大^A　寺内正己，稲吉香織^A，武田雅敏^A

9: TEM-EELSによる金属元素を一部置換した金属六ホウ化物の電子構造の研究
東北大多元研，長岡技科大^A　齋藤泰樹，佐藤庸平，寺内正己，稲吉香織^A，武田雅敏^A

10: TEM-EELSによるMgB₄の電子構造の研究
東北大多元研，長岡技科大^A　齋藤泰樹，佐藤庸平，寺内正己，齋藤広樹^A，武田雅敏^A

11: 第一原理計算によるボロンカーバイドの構造安定性の研究
阪大産研　上村直樹，白井光雲

12: エレクトライドC12A7のSQUIDによる磁化測定と強磁性
東洋大理工　和田昇，中村公彦，椿光太郎

13: クラスレート物質における非調和フォノンと電子状態の相関
東北大WPI-AIMR^A，東北大理物^B　谷垣勝己^A，B，Jigtao　Xu^A，Jiazhen Wu^A，Gang Mu^A，Dwi Prananto^A，下谷秀和^A，田邊洋一^B，平郡諭^A

14: Low Temperature Specific Heat Study on Type I Clathrate Compounds
Dept. of Phys., Grad. School of Science, Tohoku Univ.^A，WPI-AIMR Tohoku Univ.^B　Jiazhen Wu^A，Jingtao Xu^B，Gang Mu^A，Dwi Prananto^A，Hidekazu Shimotani^A，Yoichi Tanabe^B，Satoshi Heguri^A and Katsumi Tanigaki^A，B

15: I型クラスレートEu₈Ga₁₆Ge₃₀の強磁性に対する圧力効果
広大院先端，Federal Univ. of ABC^A，広大自然セ^B　飯塚剛，山根陽樹，M. A. Avila^A，鬼丸孝博，梅尾和則^B，高畠敏郎

18日　FH会場　18pFH　13:30～16:45

領域7，領域8，領域4合同シンポジウム
主題：原子膜が拓く新たな電子系と電気的特性および応用展開

1: 趣旨説明
東工大　高井和之

2: シリコン原子膜の合成と機能
豊田中研　中野秀之

3: 伝導性原子膜と電極材料への展開
信州大　杉本渉

4: 酸化物原子膜の精密集積と機能
物材機構MANAソフト化学ユニット　長田実

休憩　（14:50～15:05)

5: 遷移金属ナノシート原子膜超格子の物性とPEEM による電子構造評価
KEK　小野寛太

6: 層状カルコゲナイド系を中心とした原子膜のデバイス応用
埼玉大　上野啓司

7: 原子膜材料への電極接合
大阪府大　野内亮

8: 原子膜の電気伝導
物材機構MANAパイ電子エレクトロニクスユニット　塚越一仁

18日　HC会場　18pHC　13:30～18:00

領域5，領域7合同
光誘起相転移

1: 密度汎関数法によって明らかにされる(EDO-TTF)₂PF₆における大きな格子緩和
KEK物構研^A，産総研ナノテク^B　岩野薫^A，下位幸弘^B

2: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Xにおけるモットギャップ内光励起状態の物理的性質
名工大院工^A，CREST-JST^B　五味広喜^A，B，高橋聡^A，B

3: 可視ポンプ-THzプローブ分光によるκ型BEDT-TTF塩の光誘起相転移の研究
東大新領域^A，分子研^B，理研^C，JSTさきがけ^D，東大理^E　井尻吉洋^A，矢田祐之^A，岡本博^A，山本浩史^B，C，D，田久保直子^C，加藤礼三^C，島野亮^E

4: 逐次転移を示す電荷秩序絶縁体α'-(ET)₂IBr₂における光誘起相転移II
東北大院理^A，JST-CREST^B，情通機構^C，分子研^D，豊田理化研^E　伊藤弘毅^A，B，伊藤桂介^A，岩井伸一郎^A，B，齋藤伸吾^C，山本薫^D，薬師久弥^E

5: テラヘルツ波励起による一次元モット絶縁体の超高速非線形光学応答の研究
東大院新領域　矢田祐之，宮本辰也，岡本博

6: テラヘルツ波励起による有機電荷移動錯体の超高速強誘電分極制御の研究
東大院新領域　宮本辰也，矢田祐之，岡本博

休憩　（15:00～15:15)

7: Photoinduced phase transitions in organic compounds based on the linear polybenzenoid structure
Grad. Sch. of Sci. Hokkaido Univ.　Longlong Zhang，Shoji Yamamoto

8: 共有結合性NI錯体における高速光応答の観測
東工大院理工^A，JST-さきがけ^B，JST-CREST^C，金沢大院自然^D　石川忠彦^A，進藤泰貴^A，田中貴裕^A，恩田健^A，B，沖本洋一^A，腰原伸也^A，C，中林啓太^D，宮坂等^D

9: Terahertz radiation from organic ferroelectric PhMDA and its application to ferroelectric domain imaging
Dept. Mater. Sci.，Univ. Tokyo^A，AIST-FLEC^B，JST-CREST^C　W. Guan^A，M. Sotome^A，N. Kida^A，S. Horiuchi^B，C，H. Okamoto^A

10: THz放射イメージング法を用いた有機超分子強誘電体における光誘起分極反転の観測
東大新領域^A，産総研FLEC^B，JST・CREST^C　五月女真人^A，貴田徳明^A，堀内佐智雄^B，C，岡本博^A

11: スピンクロスオーバー系におけるドメイン成長
物材機構^A，東大院理^B，Versailles大^C　西野正理^A，宮下精二^B，K. Boukheddaden^C，F. Varret^C

12: スピンクロスオーバー錯体におけるスピンと構造が競合した光誘起相転移ダイナミクスの研究
京大iCeMS，CNRS^A，Rennes1大^B　渡邊浩，Nicolas.Br?fuel^A，Eric.Collet^B，田中耕一郎

13: Cu₂[Mo(CN)₈]・8H₂Oの局在常磁性と遍歴強磁性
北大院理　大原潤，山本昌司

14: Cu₂[Mo(CN)₈]・8H₂Oの光誘起磁化機構
北大院理　大原潤，山本昌司

15: 光磁性シアノ錯体におけるフェムト秒時間分解ファラデー効果
東大物性研，千葉大院理^A，東大院理^B　浅原彰文，中嶋誠^A，石毛俊，所裕子^B，大越慎一^B，末元徹

16: CoFeシアノ錯体の準安定高温相スピン状態の構造とドメイン形成
日大医，Ecole Polytechnique^A，ベルサイユ大^B，ESRF^C，フロリダ大^D　糸井充穂，Maurin I^A，Boukheddaden K^B，Varret F^B，Chernyshov D^C，Frye F.A^D，Talham D.R^D

17: CoWオクタシアノ金属錯体における大きな磁気異方性を示す光磁性現象
東大院理^A，NEXT^B，CREST^C　所裕子^A，B，尾崎仁亮^A，大越慎一^A，C

19日　EB会場　19aEB　9:00～12:00

領域7
π-d系

1: π-d電子系λ-(BETS)₂FeCl₄の磁場誘起金属相における比熱測定
東邦大理，理研^A，日大文理^B　嶋田一雄，秋葉宙，廣瀬桃子，山本友介，田嶋尚也，西尾豊，梶田晃示，加藤礼三^A，小林昭子^B，小林速男^B

2: λ-(BETS)₂Fe_xGa_1-xCl₄の内部磁場と磁場中の異常比熱
東邦大，日大文理^A　山本友介，嶋田一雄，秋葉宙，田嶋尚也，西尾豊，梶田晃示，小林昭子^A，小林速男^A

3: λ-(BETS)₂Fe_1-xGa_xCl₄系のNMR研究IV
学習院大理，東邦大理^A，東大物性研^B，日大文理^C　開康一，北原昌嗣，高橋利宏，西尾豊^A，秋葉宙^B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

4: π-d系分子性導体λ-(BETS)₂FeCl₄における非局所抵抗測定
理研，阪大理^A，東北大金研^B，日大文理^C　大島勇吾，山下智史^A，野尻浩之^B，H.-B. Cui，加藤礼三，小林昭子^C，小林速男^C

5: 面内磁場下におけるκ-(BETS)₂FeX₄(X=Cl, Br)の熱的研究
阪大院理，阪府大院理^A，愛媛大院理工^B，東北大学際セ^C，日大文理^D　福岡脩平，山下智史，山本貴，中澤康浩，藤原秀紀^A，白旗崇^B，高橋かず子^C，小林速男^D，小林昭子^D

6: κ-(BETS)₂FeBr₄の磁場下での電子状態
東邦大理，日大文理^A　奥澤唯，牟田翔馬，嶋田一雄，西尾豊，田嶋尚也，梶田晃示，赤星大介，齊藤敏明，小林昭子^A，小林速男^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 擬一次元π-d系(DIETSe)₂MX₄ [M=Fe,Ga, X=Cl,Br]の低温電子状態
京大院理，長岡技科大^A，名城大^B，NHMFL^C　前里光彦，川口玄太，北川宏，今久保達郎^A，齋藤軍治^B，Andhika　Kiswandhi^C，David Graf^C，James S. Brooks^C

8: (DIETSe)₂FeBr_4xCl_4(1-x)の強磁場物性
京大院理^A，JST-CREST^B，長岡技科大^C，NHMFL^D　川口玄太^A，前里光彦^A，北川宏^A，B，今久保達郎^C，David Graf^D，Andhika Kiswandhi^D，James S. Brooks^D

9: NMRで調べたπ-d系有機導体(DI-DCNQI)₂Cuの加圧効果
東大工，学習院大理^A　中山周，宮川和也，高木里奈，鹿野田一司，開康一^A，高橋利宏^A

10: 一次元分子性導体における磁場による電荷秩序の増強
奈良女子大研究院，理研基幹研^A，JST-CREST^B，理研計算科学^C　吉岡英生，妹尾仁嗣^A，B，大塚雄一^C

11: TPP[FePc(CN)₂]₂のCN基における超微細構造定数の理論
東大理　松浦弘泰，小形正男

19日　EC会場　19aEC　9:00～12:15

領域7，領域9合同
グラフェン

1: 微傾斜SiC上のMBEグラフェンのπ電子状態
東大物性研，九大院工^A　飯盛拓嗣，吉村継生，元村勇也，山田正理，中辻寛，梶原隆司^A，Anton Visikovsliy^A，田中悟^A，小森文夫

2: グラフェン／Ni(111)界面への貴金属インターカレーションの効果：ショットキー接触形成の可能性
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

3: SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着
福岡大工　柳生数馬，友景肇，鈴木孝将

4: 水素終端したSiC上の単層・多層グラフェンの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，高橋徹^B，James Kleeman^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

5: SiC(11-20)a面上エピタキシャルグラフェンの理論
NTT物性基礎研　影島博之，日比野浩樹

6: SiC(0001)上グラフェンのSEMコントラストの計算による解析
山梨大　川村隆明

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェンにおけるラマンスペクトルと電子スペクトルのドーピング依存性
NTT物性研，筑波大^A　佐々木健一，加藤景子，都倉康弘^A，鈴木哲，寒川哲臣

8: 積層構造がねじれた2層グラフェンにおける二重共鳴ラマン強度
東北大理　佐藤健太郎，齋藤理一郎

9: 金属基板上に成長した窒素ドープグラフェンの構造とその吸着特性
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

10: 窒素ドープグラフェンの様々なドープ位置での酸素吸着特性
東大院新領域　小幡誠司，斉木幸一朗

11: 酸化グラフェンにおける共鳴励起発光と時間分解発光分光
京大エネ研^A，JST-PRESTO^B，甲南大理工^C　小澤大知^A，宮内雄平^A，B，毛利真一郎^A，市田正夫^C，松田一成^A

12: GaN結晶成長に伴うグラフェンの構造相転移
東大理^A，東大物性研^B　合田義弘^A，常行真司^A，B

19日　FH会場　19aFH　9:00～12:30

領域7
電界効果・化学ドーピング

1: イオン性固体を用いたアセン系分子薄膜のFET特性
東理大理　國井翔，吉田幸彦，池畑誠一郎

2: 電気二重層トランジスタにおける高密度電荷の2次元磁気相互作用と磁性
筑波大数物^A，JSTさきがけ^B，早大先進^C，首都大理工^D，東大工^E　丸本一弘^A，B，辻大毅^A，高橋優貴^A，松本大佑^A，野房勇希^C，蓬田陽平^C，柳和宏^D，竹延大志^C，岩佐義宏^E

3: イオンゲルを用いたMoS₂薄膜トランジスタ
早大先進，東北大理^A，Academia Sinica^B，東大院工^C　蒲江，蓬田陽平^A，Keng-Ku Liu^B，Lain-Jong Li^B，岩佐義宏^C，竹延大志

4: イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御
物材機構　山口尚秀，渡邊徹，出口啓太，渡辺英一郎，大里啓孝，津谷大樹，竹屋浩幸，高野義彦

5: ボロンドープダイヤモンドを用いたキャリア制御と物性探索
青山学院大理工　小林夏野，児玉英之，河野省三，村中隆弘，澤辺厚仁，秋光純

6: モット転移近傍のアルカリドープフラーレンの比熱
東大院工^A，Durham Univ.^B， JST-CREST^C　竹内裕紀^A，笠原裕一^A，Kosmas Prassides^B，Ruth Zadik^B，岩佐義宏^A，C

休憩　（10:30～10:45)

7: Baドープフェナンスレン超伝導体の電子比熱
東大院工^A，South China Univ. of Technology^B，理研^C　笠原裕一^A，竹内裕紀^A，Xianhui Chen^B，岩佐義宏^A，C

8: AB積層した K_{{3?pm ?delta}} Picene の構造決定と電子状態計算
阪大基礎工　山田紘太郎，草部浩一^A，丸山勲

9: Phenanthrene結晶の電子状態の第一原理計算による解析
東大理　苅宿俊風，青木秀夫

10: カリウム金属添加ピセン化合物K_x(picene)の磁化率
兵庫県立大院物質理，東北大院理^A　小林本忠，藤原佑樹，平郡諭^A

11: アルカリ金属をドープしたtriphenyleneの物性
岡山大院自然，岡山大理^A　冨田圭太郎，柴崎盛治，高幣勇樹^A，芦田敬士^A，久保園芳博，神戸高志

12: 高分解能光電子分光によるピセン薄膜の電子状態のKドープ依存性
岡山大院自然^A，物材機構^B，長崎総合科学大^C　蛇渕泰平^A，岡崎宏之^B，脇田高徳^A，加藤貴^C，久保園芳博^A，神戸高志^A，村岡祐治^A，横谷尚睦^A

13: Magnetic properties of potassium intercalated several varieties of polyacene
Dept. of Physics, Graduate School of Science, Tohoku Uni.^A，WPI-AIMR, Tohoku Uni.^B　Quynh T. N. Phan^A，Satoshi Heguri^A，Yoichi Tanabe^B，Katsumi Tanigaki^A，B

19日　EB会場　19pEB　13:30～17:30

領域7
Dirac電子系

1: 多層Dirac電子系における量子ホール効果I
東邦大理^A，理研^B，阪大^C，分子研^D，JST-PRESTO^E　田嶋尚也^A，B，山内貴弘^A，須田理行^B，川椙義高^C，山本浩史^B，D，E，加藤礼三^B，西尾豊^A，梶田晃示^A

2: 多層Dirac電子系における量子ホール効果II
東邦大理^A，理研^B，阪大^C，分子研^D，JST-PRESTO^E　山内貴弘^A，田嶋尚也^A，B，須田理行^B，川椙義高^C，山本浩史^B，D，E，加藤礼三^B，西尾豊^A，梶田晃示^A

3: 強磁場下多層ディラック電子系におけるヘリカル表面状態の層間伝導特性II
東大物性研　長田俊人

4: 多層ディラック電子系での量子ホール強磁性の検証実験
東大物性研　佐藤光幸，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

5: 有機導体ディラック電子系における試料端効果と磁気抵抗
京大人環　森成隆夫

6: ゼロギャップ伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の熱起電力3
東邦大，理研^A，東理大理工^B，愛媛大理工^C　北村竜一，加藤礼三^A，田村雅史^B，内藤俊雄^C，西尾豊，田嶋尚也，梶田晃示

7: α型BEDT-TTF塩のDirac電子系における次近接相互作用の効果
名大高等院^A，名大理^B　大森有希子^A，B，小林晃人^B

8: α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力・磁場下熱電効果測定
物性研　鴻池貴子，佐藤光幸，内田和人，長田俊人

休憩　（15:30～15:45)

9: α-(BEDT-TTF)₂I₃の高圧力中赤外光学反射スペクトル
東北大金研^A，JST-CREST^B，神戸大理^C，山梨大医工^D，JASRI/SPring-8^E　佐々木孝彦^A，B，菅原洋紀^A，岡村英一^C，米山直樹^B，D，小林典男^A，池本夕佳^E，森脇太郎^E

10: 圧力下のα-(BEDT-TTF)₂I₃,α-(BETS)₂I₃の第一原理計算によるDirac coneの変化
物材機構MANA，産総研ナノシステム^A，JST-CREST^B，理研^C，D，物材機構^D　木野日織，石橋章司^A，品岡寛^A，B，三宅隆^A，B，圓谷貴夫^C，D，宮崎剛^D

11: 取　　消

12: 有機伝導体β"-(BEDT-TTF)₃(ClO₄)₂のゼロギャップ判定条件
東工大院理工　森健彦

13: 有機導体α-(BEDT-TSeF)₂I₃単結晶の¹³C-NMR
学習院大理，東邦大理^A，理研^B　島本匠弥，荒井健一，鷹野芳樹，開康一，高橋利宏，田嶋尚也^A，加藤礼三^B

14: 取　　消

15: 取　　消

19日　EC会場　19pEC　13:30～17:15

領域7，領域4，領域5
ナノチューブ

1: カーボンナノチューブにおける励起子多体相関
筑波大数理　小鍋哲

2: 多重カラム法により分離された(6,5)カーボンナノチューブの超強磁場下の磁気光吸収
東大物性研，産総研ナノシステム^A，JST-CREST^B　佐々木達哉，周偉航，中村大輔，劉華平^A，B，片浦弘道^A，B，嶽山正二郎

3: 単層カーボンナノチューブの超強磁場下近赤外光吸収II
熊大院自然，東大物性研^A，産総研ナノシステム^B，九大先導研^C　横井裕之，Mukhtar Effendi，嶽山正二郎^A，南信次^B，吾郷浩樹^C

4: 低温磁場中における架橋単層カーボンナノチューブのPLE測定
千葉大院理　泉咲希，平井宏昌，岡田圭介，音賢一，室清文

5: C₆₀内包単一カイラリティ単層カーボンナノチューブにおけるラマン振動モード
首都大理工^A，産総研^B，CREST^C　河合将利^A，^○柳和宏^A，岡崎俊哉^B，真庭豊^A，C

6: 細いナノチューブの光学応答
東工大理　是常隆，加藤幸一郎，斎藤晋

休憩　（15:15～15:30)

7: 酸素ドープカーボンナノチューブにおける励起子ダイナミクス
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B，東大工^C　宮内雄平^A，B，岩村宗千代^A，毛利真一郎^A，川添忠^C，大津元一^C，松田一成^A

8: ホールドープ単層カーボンナノチューブの発光スペクトルにおける電場印加効果
京大エネ研^A，JSTさきがけ^B　毛利真一郎^A，宮内雄平^A，B，松田一成^A

9: 正孔ドープされた単層カーボンナノチューブにおける励起子・荷電励起子の緩和ダイナミクス
京大化研　西原大志，岡野真人，山田泰裕，金光義彦

10: 単層カーボンナノチューブにおけるバンドギャップリノーマリゼーション
京大化研　樹本好央，岡野真人，金光義彦

11: 半導体カーボンナノチューブにおける励起子の不純物散乱
岩大工　藤本優太，瓜生誠司

12: キャリアドープした単層カーボンナノチューブにおける励起子位相緩和
筑波大数理，京大エネ研^A　小鍋哲，松田一成^A，岡田晋

13: キャリアドープされたカーボンナノチューブにおける動的遮蔽効果と励起子の安定性
北大工　冨尾祐，李秉?，鈴浦秀勝

19日　FH会場　19pFH　13:30～16:50

領域7，領域3，領域4合同シンポジウム
主題：デバイス物理の新展開―電界効果の物質科学―New direction in device physics

1: 初めに　Introduction
阪大産研　竹谷純一

2: 印刷技術による有機デバイス物理の新展開　New device physics of printed organic semiconductors
産総研　長谷川達生

3: グラフェン、ナノ細線の電気伝導の電界制御　Electric field control of electron transport in graphene and nanowires
東大物工　樽茶清悟

4: 分子系π電子における電場誘起超伝導　Field-induced superconductivity in molecular π-electrons
分子研　山本浩史

休憩　（14:55～15:10)

5: 電気二重層による超強電界物性　Materials physics of high electric fields using electric double layer transistors
東大量子相　岩佐義宏

6: 強磁性遷移金属材料における磁気相転移の電場制御　Electric field control of ferromagnetic phase transition in transition metals
京大化研　千葉大地

7: 半導体におけるゲート電界スピン生成と制御　Electrical spin generation and manipulation by gate electric field in semiconductor nanostructures
東北大工　好田誠

8: Ferromagnetism and Electric Field Effect in a Magnetically Doped Topological Insulator
理研　Checkelsky Joseph G.

20日　EB会場　20aEB　10:30～12:15

領域7
π-d系

1: [Ni(tmdt)₂]の¹³C NMR測定
東大院工，日大文理^A　高木里奈，宮川和也，鹿野田一司，周彪^A，小林昭子^A，小林速男^A

2: Pd(dmit)塩の相転移と熱電能
東邦大理，理研^A　粟竹広大，爲木創太，田嶋尚也，西尾豊，梶田晃示，加藤礼三^A

3: Et₂Me₂As_xSb_1-x[Pd(dmit)₂]₂におけるギャップレスな量子スピン液体状態
阪大院理，理研^A，分子研^B，JST-さきがけ^C　山下智史，福岡脩平，中澤康浩，上田康平^A，山本浩史^A，B，C，加藤礼三^A

4: 多変数変分モンテカルロ法によるEtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の第一原理有効模型の数値解析II
東大院工　森田悟史，金子隆威，今田正俊

5: (Cation)[Pd(dmit)₂]₂のフラグメント模型と電荷・スピン状態
理研基幹研^A，JST-CREST^B，物材機構^C，名大院理^D　妹尾仁嗣^A，B，圓谷貴夫^A，C，土射津昌久^D，宮崎剛^C，加藤礼三^A

6: 第一原理計算による(Cation)[M(dmit)₂]₂, M=Pd, Pt の構造と電子状態
理研基幹研^A，物材機構^B　圓谷貴夫^A，B，宮崎剛^B，加藤礼三^A

7: 第一原理計算による単一成分分子性結晶の圧力下における金属化の解明
理研基幹研^A，物材機構^B　圓谷貴夫^A，B，崔亨波^A，宮崎剛^B，加藤礼三^A

20日　EC会場　20aEC　9:00～12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 擬ギャップアンダーソン模型における電気伝導II
茨大工　青野友祐

2: グラフェンの欠陥誘起近藤効果における磁場効果
東大理　金尾太郎，松浦弘泰，小形正男

3: CVD合成グラフェンにおける近藤効果
物材機構，Dankook Univ.^A，Korea Res. Inst. of Chemical Tech.^B，Sungkyunkwan Univ.^C　竹端寛治，今中康貴，三井正，高増正，渡辺英一郎，大里啓孝，津谷大樹，Y. Kim^A，K.-S. An^B，B. H. Hong^C

4: 三角格子フェリ磁性体におけるディラック・ハーフメタル
東大工　石塚大晃，求幸年

5: グラフェン状の系における電荷密度波とスピン密度波の競合
東大理，ブリティッシュコロンビア大^A　荒木康史，G. W. Semenoff^A

6: グラフェン/酸素分子膜界面系における磁場中電子輸送特性
東工大院理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

休憩　（10:30～10:45)

7: h-BN上グラフェンナノリボンの伝導特性
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　荒井美穂^A，大貫雅広^A，井口和之^A，増渕覚^A，B，渡邊賢治^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

8: グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定
NTT物性基礎研，東工大院理工^A　熊田倫雄，田邉真一，日比野浩樹，鎌田大^A，橋坂昌幸^A，村木康二，藤澤利正^A

9: 取　　消

10: グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，Saverio Russo^A，Monica Craciun^A，樽茶清悟

11: グラフェンの非一様歪みの電子顕微鏡像による評価
筑波大物理，TIMS　軽部大雅，友利ひかり，貫井洋祐，大塚洋一，^○神田晶申

12: 1次元局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定
筑波大物理^A，TIMS^B　友利ひかり^A，B，軽部大雅^A，B，貫井洋祐^A，B，大塚洋一^A，神田晶申^A，B

20日　HA会場　20aHA　9:00～12:30

領域7
界面デバイス2

1: 導電性高分子F8T2のトップゲート型FETデバイスの作製と電場誘起ESR
名大院工　澤田瑛史，田中久暁，黒田新一

2: 高移動度低分子材料C₈-BTBTのヨウ素ドーピングによるキャリア生成とそのESR観測
名大院工，産総研ナノシステム^A，広大院工^B　木下裕太郎，田中久暁，黒田新一，下位幸弘^A，瀧宮和男^B

3: ESR法による高移動度有機半導体C₈-BTBTにおけるキャリアダイナミクス
名大院工，産総研ナノシステム^A，広大院工^B　田中久暁，長谷川裕哉，木下裕太郎，小塚真人，黒田新一，下位幸弘^A，瀧宮和男^B

4: 取　　消

5: 分子性導体α-(BEDT-TTF)₂I₃を用いた非局所スピンバルブ測定
阪大基礎工　神谷建，川椙義高，荒正人，夛田博一

6: PANI膜におけるvariable range hopping conductivity
九大院理，出光興産先進技術研^A　成清敬史，山田和正，篠崎文重，黒田憲寛^A，西村剛^A，中村浩昭^A

休憩　（10:30～10:45)

7: 有機伝導体(BTBT)₂PF₆の伝導性と結晶構造
東工大院理工　角屋智史，芦澤実，川本正，松本英俊，森健彦

8: TTF系有機トランジスタの温度特性とトラップ状態解析
東工大院理工　秋山雄斗，^○森健彦

9: 化学修飾によって制御されたSi(100)基板とF₄-TCNQの相互作用・電子状態
東大物性研　向井孝三，小板谷貴典，清水皇，吉本真也，吉信淳

10: エチレン終端Si(100)表面とペンタセン薄膜に挟まれたF₄-TCNQの電子状態
東大物性研　吉本真也，小板谷貴典，原田洋介，向井孝三，吉信淳

11: 高容量を示すCo-Feシアノ錯体電池正極の充放電メカニズム
筑波大数理^A，TIMS^B　高地雅光^A，栗原佑太朗^A，松田智行^A，守友浩^A，B

12: カチオン濃度制御されたMn-Feシアノ錯体薄膜電極のリチウムイオン電池特性
筑波大数理^A，TIMS^B　栗原佑太朗^A，松田智行^A，守友浩^A，B

13: 凍結乾燥法で作製したZn-DNAの電子状態III
首都大理工　粂田翼，坂本浩一，溝口憲治

20日　EB会場　20pEB　13:30～17:00

領域7，領域3
スピン液体

1: スピン液体の理論
東大理　小形正男

2: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の¹³C NMRにおける磁場依存性
東大工　宮川和也，梅田健太朗，乾幸地，鹿野田一司

3: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃における高エネルギーの視点から見たモット転移のスケーリング
東大工　古川哲也，宮川和也，鹿野田一司

休憩　（15:00～15:15)

4: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂CN₃のラマンスペクトル
豊田理研^A，レニショー^B，名大理^C，名城大総研^D，北大理^E，阪大理^F　薬師久彌^A，オルガドロズドバ^B，清水康弘^C，斉藤軍治^D，河本充司^E，山本貴^F

5: κ-型ET塩における電荷不均一性の起源
阪大院理，豊田理研^A　山本貴，松下幸一郎，中澤康浩，薬師久弥^A

6: X線照射したダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の誘電応答
東北大金研^A，山梨大医工^B，JST-CREST^C　佐々木智^A，井口敏^A，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^A，C

7: 部分分子置換κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃における磁化率と誘電率
山梨大院医工^A，東北大金研^B，JST-CREST^C　米山直樹^A，C，濱田幸司^A，井口敏^B，佐々木孝彦^B，C

8: ドープされた三角格子κ-(ET)₄Hg_2.89Br₈の一軸圧-静水圧相図
東大工，埼玉大理^A，金沢大医^B　大池広志，宮川和也，鹿野田一司，谷口弘三^A，岡本博之^B

9: 分子性ダイマーモット絶縁体β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂における強誘電リラクサー様の誘電特性
東北大金研^A，山梨大医工^B，JST-CREST^C，埼玉大理^D　井口敏^A，佐々木智^A，米山直樹^B，C，谷口弘三^D，佐々木孝彦^A，C

10: ダイマーモット絶縁体κ-H₃(Cat-EDT-TTF)₂におけるスピン液体状態の可能性
東大物性研，神戸大院理^A，物材機構^B　磯野貴之，上田顕，加茂博道，高橋一志^A，木俣基，田島裕之，土屋聡^B，寺嶋太一^B，宇治進也^B，森初果

20日　EC会場　20pEC　13:30～17:00

領域7，領域4，領域11
合同招待講演

1: Many-body theory of graphene and nanostructured materials
Department of Physics, University of California, Berkeley　Louie Steven G.

領域7，領域4
グラフェン

2: Decoration of graphite single atomic vacancies with hydrogen atoms: atomically-resolved scanning tunneling microscopy study
東工大院理，阪大基礎工^A　Ziatdinov Maxim，藤井慎太郎，草部浩一^A，木口学，森健彦，榎敏明

3: 積層欠陥のあるグラファイトの電子構造
東北大理　越野幹人

4: カルシウム添加窒化硼素化合物の作製と物性
兵庫県立大院物質理，東北大院理^A　佐藤貴彦，平郡諭^A，^○小林本忠

休憩　（15:00～15:15)

5: 炭素ドープされたBNシートの電子構造
東工大理　藤本義隆，是常隆，斎藤晋

6: グラフェン／六方晶窒化ホウ積層薄膜のエネルギー論と電子構造
東工大理　酒井佑規，斎藤晋

7: 低温下におけるグラファイトの電気抵抗の圧力効果
阪大極限セ，カネカ^A　林大輝，清水克哉，加賀山朋子，村上睦明^A

8: Ag(111)基板上に作製したシリセンの構造
東大新領域，物材機構・MANA^A　川原一晃，林俊良，荒船竜一^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

9: 取　　消

10: シリセンとその関連物質の安定性と電子物性
東工大理　斎藤晋，是常隆

11: シリセンにおけるトポロジカル絶縁体
東大工　江澤雅彦

20日　FE会場　20pFE　13:30～17:45

領域8，領域7合同
電界効果，新物質，熱電材料など

1: MoS₂におけるドーム型超伝導相図
東大院工　張奕勁，叶劍挺，明石遼介，有田亮太郎，岩佐義宏

2: Controlling Charge Density Wave States in a Transition Metal Dichalcogenide
QPEC and Dept. of Applied Phys.，The Univ. of Tokyo^A，CERG，RIKEN^B，IMR，Tohoku Univ.^C　J. T. Ye^A，M. Yoshida^A，Y. J. Zhang^A，T. Nishizaki^C，N. Kobayashi^C，Y. Iwasa^A，B

3: ペロブスカイト酸化物界面における3次ラシュバ効果の解析
阪大基礎工^A，北大院情報^B，JSTさきがけ^C　中村浩之^A，C，古賀貴亮^B，河野浩^A，木村剛^A

4: SrTiO₃ の電場誘起超伝導：面方位依存性
東大院総合^A，JSTさきがけ^B，電中研^C，東大院工^D，理研CERG^E　上野和紀^A，B，小野新平^C，川崎雅司^D，E，岩佐義宏^D，E

5: 電場誘起表面超伝導での局所電子状態の理論評価
岡山大院自然　溝畑陽介，市岡優典，町田一成

6: 三量体相転移を起こすBaV₁₀O₁₅の非線形伝導
早大理工^A，早大材研^B　蘆澤美佐^A，能上絢香^A，勝藤拓郎^A，B

7: 層状岩塩型酸化物のアルカリ金属インターカレーション
筑波大数理^A，筑波大学際物質セ^B　下野貴弘^A，小林航^A，B，守友浩^A，B

8: BiNi_1-xM_xO₃（M:3価の金属元素）の巨大負の熱膨張
東工大応セラ研　岡研吾，奈部谷光一郎，坂口智可，東正樹

休憩　（15:30～15:45)

9: LaCr₂Si₂Cの電気的性質
慶応大理工　結城達也，中川勇作，的場正憲，神原陽一

10: CaCo₂As₂の反強磁性転移と化学置換効果
岡大院自然　檀浦匡隆，工藤一貴，野原実

11: 硫化鉱物テトラへドライトCu₁₂Sb₄S₁₃の熱電物性と金属―半導体転移
北陸先端大マテリアル　末國晃一郎，小矢野幹夫

12: FeSb₂の高分解能角度分解光電子分光
名大工^A，名大エコトピア^B，JSTさきがけ^C　島田崇史，坂本英城^A，竹内恒博^A，B，C

13: B20構造のCoGe_1-xSi_xにおける熱電特性
理研 CERG/CMRG^A，東大工^B　吉川明子^A，鈴木健士^A，田口康二郎^A，十倉好紀^A，B

14: 擬1次元井戸型バンド構造を持つFeAs₂の大きな熱起電力の解析
電通大情報理工^A，JST-ALCA^B　臼井秀知^A，B，黒木和彦^A，B

15: CuAlO₂におけるプリン型バンド構造を起源とする大きな熱電効果の可能性
電通大情報理工^A，JST-ALCA^B　森光太^A，B，榊原寛史^A，臼井秀知^A，B，黒木和彦^A，B

16: PtSb2における大熱電能のコラゲーションのある平坦バンドによる解釈
電通大情報理工^A，JST-ALCA^B　森光太^A，B，榊原寛史^A，臼井秀知^A，B，黒木和彦^A，B

20日　HA会場　20pHA　13:30～16:00

領域7
太陽電池・発光デバイス

1: DA型ポリマーにおける電荷移動励起子と光電変換
産総研　堤潤也，井川光弘，松井弘之，山田寿一，長谷川達生

2: 光変調電流測定による有機薄膜太陽電池のキャリア緩和過程の解析
JSTさきがけ^A，産総研^B　宮寺哲彦^A，B，王植平^B，大橋昇^B，山成敏広^B，松原浩司^B，吉田郵司^B

3: 導電性高分子/PCBM複合体の光電流におけるキャリア再結合とトラップ効果-温度依存性-
名大院工　伊東裕，東海卓弥，鈴木淳也，田中久暁，黒田新一

4: FET法によるPCDTBT/PCBM複合体の両極性伝導
名大院工　岩田峻典，鈴木淳也，伊東裕，田中久暁，黒田新一

5: π共役ポリマー/CdSe複合体太陽電池における光キャリア生成過程の分光研究
阪市大院理^A，CREST-JST^B　小林尚子^A，鐘本勝一^A，橋本秀樹^A，B

休憩　（14:45～15:00)

6: 立体規則性ポリチオフェン/可溶性フラーレン複合体における光キャリアの再結合過程
名大院工　黒田新一，長谷川裕哉，田中久暁

7: 光CELIV法による有機太陽電池のトラップ密度決定
東大物性研　田島裕之，鈴木智彦，木俣基

8: Amplified Spontaneous Emission in Newly Synthesized Furan/Phenylene Co-oligomer Single Crystal
Dept. of Phys.，Tohoku Univ.^A，WPI-AIMR，Tohoku Univ.^B，Dept. of Chemistry，Tohoku Univ.^C，CREST/JST^D　Hui Shang^A，Susumu Ikeda^B，Kanagasekaran Thangavel^A，Hidekazu Shimotani^A，Kazuaki Oniwa^C，Tienan Jin^B，Naoki Asao^B，Yoshinori Yamamoto^B，Hiroyuki Tamura^B，Ikutaro Hamada^B，Kenta Abe^A，D，Masayuki Yoshizawa^A，D，Katsumi Tanigaki^A，B

9: Ambipolar organic light emitting field effect transistors
Dept. of Physics，Tohoku Univ.^A，WPI-AIMR，Tohoku Univ.^B　T. Kanagasekaran^A，H. Shang^A，S. Ikeda^B，R. Kumashiro^B，H. Shimotani^A，K. Tanigaki^A，B

21日　EB会場　21aEB　9:00～12:00

領域7
中性－イオン性転移

1: TTF-CAの中性・イオン性転移における分子の電子状態の直接観測
KEK物構研PF/CMRC^A，CREST^B，産総研^C，ERATO-MF^D，RIKEN-CERG^E，RIKEN-CMRG^F，東大工^G　中尾裕則^A，B，高橋由香利^A，B，小林賢介^A，熊井玲児^A，B，山崎裕一^A，岡本淳^A，村上洋一^A，堀内佐智雄^B，C，十倉好紀^{D，E，F，G}

2: 交互積層型有機強誘電体の分子変位と分極
KEK物構研PF/CMRC^A，産総研^B，CREST^C，東大院工^D，理研CMRG/CERG^E　小林賢介^A，熊井玲児^A，堀内佐智雄^B，C，村上洋一^A，十倉好紀^D，E

3: 中性-イオン性転移物質DMTTF-QCl₄のスピン状態
東大工^A，産総研^B，ERATO-MF^C，理研CMRG/CERG^D　須波圭史^A，宮川和也^A，鹿野田一司^A，堀内佐智雄^B，十倉好紀^A，C，D

4: 擬2次元イオン性物質M₂P-TCNQF₄の高圧下電気抵抗測定
東大工，東大新領域^A，埼玉大^B，東大物性研^C　竹原陵介，宮川和也，鹿野田一司，上村紘崇^A，岡本博^A，谷口弘三^B，松林和幸^C，上床美也^C

5: Si基板上に成長した(BEDT-TTF)(TCNQ)微結晶における結晶構造の温度依存性
千葉大院工，奈良先端物質^A，CROSS東海^B　酒井正俊，石黒雅人，花田光聡，国吉繁一，中村雅一^A，山内博，工藤一浩，中尾朗子^B

休憩　（10:15～10:30)

新物質・装置開発

6: 新規有機伝導体(DMEDO-TTF)₂TaF₆の構造と物性
東工大，愛媛大^A　久米田翔平，川本正，白旗崇^A，森健彦

7: 磁気共鳴法によるTTPCOO系の電子状態研究
分子研^A，総研大^B，物材機構^C，愛媛大院理工^D　古川貢^A，B，^○中村敏和^A，B，寺内毅^C，小林由佳^C，御崎洋二^D

8: 嵩高い配位子を有する4本鎖MX-tube型白金錯体の構造と電子状態
京大院理^A，JST-CREST^B，JASRI/SPring-8^C　大竹研一^A，大坪主弥^A，B，杉本邦久^C，藤原明比古^C，北川宏^A，B

9: テトラアザナフタセン-タリウム錯体の光電子スペクトル
愛媛大院理工，東理大理^A　八木創，仁科みずえ，宮崎隆文，田所誠^A，山形明生^A，川邊裕^A，日野照純

10: β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂の電子状態の解明へ向けた高圧下ESR装置の開発III
首都大理工，埼玉大理^A，産総研^B　高倉寛史，溝口憲治，坂本浩一，谷口弘三^A，竹下直^B

11: 輸送現象測定に向けた　一軸圧縮用媒体 STYCAST 1266の特性
阪市大院理　横川敬一，Md. Nuruzzaman，吉野治一，村田惠三

21日　EC会場　21aEC　9:00～12:45

領域7
フラーレン

1: ニオブ基内包カーボンナノカプセルの電子顕微鏡観察
筑波大院数理　小泉春樹，松浦大輔，木塚徳志

2: バナジウム基内包カーボンナノカプセルの電子顕微鏡観察
筑波大応理，筑波大院数理^A　矢崎岳，松浦大輔^A，木塚徳志^A

3: フラーレンの部分構造における磁性について
産総研ナノシステム　針谷喜久雄

4: Gd₃N@C₈₀の紫外光電子スペクトル
愛媛大院理工，分子研^A，名大院理^B　宮崎隆文，小笠原直子，太田知那，西龍彦^A，中西勇介^B，篠原久典^B，日野照純

5: C₂₈をユニットとした新しい物質の安定構造と電子状態
筑波大数理　丸山実那，岡田晋

6: 光渦照射による C₆₀薄膜の光重合化II
千葉大院融合，バッファロー大^A　籾山大輝，青木伸之，土井達也，鳥海直人，穐山航，宮本克彦，尾松孝茂，J.P.バード^A，落合勇一

7: C₆₀-C₇₀2成分フラーレンナノウィスカーの合成
物材研　平田千佳，下村周一，若原孝次，宮澤薫一

休憩　（10:45～11:00)

ナノチューブ

8: TEM/EELS studies of coronenes inside single-walled carbon nanotube
Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials Tohoku Univ.，Nanotube Res. Center，Nat’l. Inst. of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)^A　Md. Mahbubul Haque，Yohei Sato，Masami Terauchi，Toshiya Okazaki^A，Yoko Iizumi^A

9: 電気二重層を含む各種方法でキャリアドープしたナノチューブ薄膜の磁化・電気特性
青学大理工，東大物性研^A，東大工^B，クレムソン大^C　中村悠紀，竹内啓悟，上川正太，八木優子，春山純志，藤田和博^A，加藤悠人^A，橋本義昭^A，勝本信吾^A，家泰弘^A，T.Thurakitseree^B，丸山茂夫^B，A.Rao^C

10: MWNTの角度依存磁気抵抗と抵抗値温度依存性の関連性
千葉大院融合^A，Univ. at Buffalo^B，産総研^C　浅野均^A，木田理夫^A，湯村成一^A，青木伸之^A，J.P.Bird^B，中西毅^C，落合勇一^A

11: ナノチューブ系におけるカイラル伝導性の理論
東工大理　田中隼矢，村上修一

12: 電界下におけるキャップ付きカーボンナノチューブの電子物性
筑波大数理　山中綾香，岡田晋

13: 1次元ピーナッツ型フラーレンポリマーにおけるDiracコーンの計算科学的研究
横国大院工　野田祐輔，大野かおる

14: 平らなカーボン・ナノチューブの有効質量理論と電子状態
産総研，東工大理^A　中西毅，安藤恒也^A

21日　EB会場　21pEB　13:30～15:00

領域7
高圧物性

1: 圧力下におけるDehydro[24]annulenes誘導体の重合化
阪大極限セ，Dept. Chem. & Biochem.，UCLA^A，阪大院基礎工^B　中瀬智也，鈴木充朗^A，坂田雅文，加賀山朋子，清水克哉，片山敬介^B，田原一邦^B，戸部義人^B，Yves Rubin^A

2: 三ヨウ化ホウ素の圧力誘起ダイマー化の前駆現象
お茶大院人間文化創成科学^A，岐阜大工^B，産総研計測フロンティア^C，阪大極限セ^D　浜谷望^A，奥出悠花^A，久米徹二^B，船橋健太^B，佐々木重雄^B，藤久裕司^C，山脇浩^C，後藤義人^C，松岡岳洋^D，清水克哉^D

3: 高圧力下におけるアダマンタンの弾性的性質
岐阜大工　佐々木重雄，堀部泰宏，久米徹二

4: 氷高圧相におけるプロトンダイナミクス
理研基幹研　飯高敏晃

5: ホウ化水素における圧力誘起金属化と超伝導
東北大通研，Cornell Univ.^A　阿部和多加，N. W. Ashcroft^A

6: 取　　消

21日　EC会場　21pEC　13:30～16:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: グラフェン電子系のSU(2n)表現におけるPancharatnam-Berry位相とエッジ状態
阪大基礎工，東工大院理工^A　草部浩一，丸山勲，Ziatdinov Maxim^A，藤井慎太郎^A，木口学^A，森健彦^A，榎敏明^A

2: グラファイト表面上のグラフェン断片構造のエネルギー論とエッジ状態
阪大基礎工，阪大産研^A，東工大院理工^B　草部浩一，酒井謙一^A，高井和之^B，榎敏明^B

3: 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗
青学大理工，東大物性研^A，東大工^B，クレムソン大^C　小杉直輝，櫻元健志，上川正太，橋本泰樹，春山純志，藤田和博^A，加藤悠人^A，橋本義昭^A，勝本信吾^A，家泰弘^A，趙沛^B，丸山茂夫^B，A.Rao^C

4: 低欠陥グラフェンナノメッシュのキャリアドープ細孔エッジと磁化特性
青学大理工，東大工^A，クレムソン大^B　竹内啓悟，櫻元健志，上川正太，八木優子，春山純志，趙沛^A，丸山茂夫^A，A.Rao^B

5: 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性
青学大理工，東大物性研^A，東大工^B，クレムソン大^C　里見槙平，中村悠紀，上川正太，春山純志，藤田和博^A，加藤悠人^A，橋本義昭^A，勝本信吾^A，家泰弘^A，趙沛^B，丸山茂夫^B，A.Rao^C

休憩　（14:45～15:00)

6: 数層グラフェンの量子キャパシタンス測定
岡山大院自然，SPring-8/JASRI^A　上杉英里，後藤秀徳，江口律子，藤原明比古^A，久保園芳博

7: グラフェンエッジの電気伝導測定II
岡山大院自然，SPring-8/JASRI^A　後藤秀徳，上杉英里，江口律子，藤原明比古^A，久保園芳博

8: 走査トンネル顕微分光によるアームチェア型グラフェンナノリボンの電子状態
東大新領域，理研^A　中村耕太郎，林俊良，南任真史^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

9: ジグザグ BCN のエッジ状態についての理論的研究
産総研ナノシステム^A，物材機構理論計算科学^B　針谷喜久雄^A，金子智昭^B