領域4

18日　EC会場　18aEC　9:00～12:30

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 磁場中二層グラフェンの多体効果とエッジ状態
筑波大物理，東邦大物理^A，東大物理^B　濱本雄治，河原林透^A，青木秀夫^B，初貝安弘

2: 磁場中の2層グラフェンにおけるゼロモードのトポロジカルな安定性 --- trigonal warping の効果 ---
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

3: 多層グラフェンのランダウ準位
広大先端　田原文哉，下村翠，深田誠也，八木隆多

4: 取　　消

5: SiC上エピタキシャルグラフェンの超強磁場下サイクロトロン共鳴
東大物性研，東大工^A，NTT物性基礎研^B　齋藤宏晃^A，澤部博信，中村大輔，松田康弘，嶽山正二郎，日比野浩樹^B

6: 電子・ホール非対称性を持つ二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴と多体効果
京大基研　静谷謙一

休憩　（10:30～10:45)

7: ゲート電場中での多層グラフェン量子ホール系における光学ホール伝導度
理研，東北大理^A，東大理^B　森本高裕，越野幹人^A，青木秀夫^B

8: ナノグラフェンの軌道反磁性と磁気配向効果
東北大理　大湊友也，越野幹人

9: エピタキシャルグラフェンにおけるν=2量子ホール状態の活性化エネルギー
NTT物性基礎研　高瀬恵子，田邉真一，日比野浩樹，村木康二

10: 零磁場から量子ホール領域におけるグラフェンの超伝導近接効果
NIMS^A，CNRS^B　小松克伊^A，B，Chuan Li^B，S. Autier-Laurent^B，H. Bouchiat^B，S. Gueron^B

11: グラフェン十字型細線におけるエレクトロンフォーカシング効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　大貫雅広^A，増渕覚^A，B，山口健洋^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

12: バリスティックグラフェンにおける磁気整合効果
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　森川生^A，増渕覚^A，B，大貫雅広^A，井口和之^A，荒井美穂^A，山口健洋^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

13: Twisted bilayer grapheneにおける光学吸収特性
東北大理　文泌景，越野幹人

18日　FB会場　18aFB　9:15～12:00

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: 光学におけるパリティ異常
物材機構　落合哲行

2: アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答
兵庫県大院物質理，滋賀県大工^A，住友化学筑波研^B，阪市大院工^C　長谷川尊之，高木芳弘，竹内日出雄^A，山田永^B，秦雅彦^B，中山正昭^C

3: 発光線幅から見たトリオン-2次元電子正孔クロスオーバー
NTT物性基礎研，筑波大物理^A　山口真澄，野村晋太郎^A，田村浩之，赤崎達志

4: 低磁場低電子密度領域における電子占有数に依存したg-因子の増大
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D　野村晋太郎^A，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D

5: GaAs/AlAsタイプII超格子におけるΓ-X共鳴条件での発光ダイナミクス
阪市大院工　古川喜彬，中山正昭

休憩　（10:30～10:45)

6: 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおけるサブバンド間遷移ダイナミクス
神戸大院工　原田幸弘，前田剛志，喜多隆

7: 半導体二層膜の中密度域におけるバイエキシトン気体
北陸先端情報，阪大理^A，ケンブリッジ大物理^B　前園涼，小川哲生^A，パブロ・ロペス・リオス^B，リチャード・ニーズ^B

8: 半導体レーザーの大電流利得スイッチング動作による光パルス発生
東大物性研　横山冬矢，吉田正裕，伊藤隆，陳少強，望月敏光，秋山英文

9: GaAs量子井戸レーザーの利得スイッチパルスから評価した光学利得とキャリアの非平衡性
東大物性研，プリンストン大^A　伊藤隆，陳少強，吉田正裕，望月敏光，金昌秀，秋山英文，L.N.Pfeiffer^A，K.W.West^A

10: Kennard-Stepanov関係式に基づく低温半導体蛍光温度計
東大物性研，京大化研^A，Princeton Univ.^B　望月敏光，丸山俊，井原章之^A，吉田正裕，秋山英文，Loren N. Pfeiffer^B，Ken W. West^B

18日　EA会場　18pEA　13:30～16:40

領域4，領域6，領域8，領域9合同シンポジウム
主題：トポロジカル絶縁体・超伝導体研究の最近の進展と今後の展望

1: はじめに（趣旨説明）
東大物性研　加藤岳生

2: トポロジカル絶縁体・超伝導体：概論
東北大金研　野村健太郎

3: トポロジカル絶縁体の実験：光電子分光の観点から
広大院理　木村昭夫

4: トポロジカル絶縁体の実験：STM/STSの観点から
理研　花栗哲郎

休憩　（15:00～15:15)

5: トポロジカル超伝導体
京大理　藤本聡

6: マヨラナの物性とトポロジカル計算：素粒子論の観点から
慶應大日吉物理　新田宗土

7: トポロジカル絶縁体・超伝導体の実験：現状と将来展望
阪大産研　安藤陽一

18日　FB会場　18pFB　14:00～16:45

領域4
量子ホール効果

1: グラフェンFETにおける伝導度ゆらぎの解析
千葉大院融合，千葉大工^A，アリゾナ州大^B，バッファロー大^C　磯優平，阿部拓斗，M.アカラム，大内隆寛，鈴木信一，福田秀人^A，青木伸之，D.K.フェリー^B，J.P.バード^C，落合勇一

2: 微傾斜SiC上グラフェンの低温磁気輸送
東大物性研，九大院工^A　遠藤彰，小森文夫，栗栖悠輔^A，梶原隆司^A，田中悟^A

3: 取　　消

4: 周期外部磁場による非整数ホールプラトー
富山県工業技術セ　宮田直幸

休憩　（15:00～15:15)

5: 取　　消

6: 量子ホール領域におけるペルチェ効果の観測
東大物性研　藤田和博，遠藤彰，家泰弘，勝本信吾

7: Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測
東大生産研^A，東北大金研^B，東京都市大総研^C，東大ナノ量子^D　井上義久^A，守谷頼^A，星裕介^B，C，山口健洋^A，増渕覚^A，D，澤野憲太郎^C，町田友樹^A，D

8: 対向する量子ホールエッジチャネル間におけるクーロンドラッグの時間分解測定
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　鎌田大，熊田倫雄^A，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

9: 交流電場を印加した量子ホール系におけるBulk-Edge transport間のクロスオーバー
北大工　島浩輔，明楽浩史

10: 量子ホール端状態のスピン偏極電子注入による光子生成
農工大院工　生嶋健司，伊藤惇，岡野俊

18日　FH会場　18pFH　13:30～16:45

領域7，領域8，領域4合同シンポジウム
主題：原子膜が拓く新たな電子系と電気的特性および応用展開

1: 趣旨説明
東工大　高井和之

2: シリコン原子膜の合成と機能
豊田中研　中野秀之

3: 伝導性原子膜と電極材料への展開
信州大　杉本渉

4: 酸化物原子膜の精密集積と機能
物材機構MANAソフト化学ユニット　長田実

休憩　（14:50～15:05)

5: 遷移金属ナノシート原子膜超格子の物性とPEEM による電子構造評価
KEK　小野寛太

6: 層状カルコゲナイド系を中心とした原子膜のデバイス応用
埼玉大　上野啓司

7: 原子膜材料への電極接合
大阪府大　野内亮

8: 原子膜の電気伝導
物材機構MANAパイ電子エレクトロニクスユニット　塚越一仁

19日　EA会場　19aEA　9:00～12:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 偏光を用いたレーザー励起型角度分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体Bi₂Te₃の研究
東大物性研^A，中国科学院^B，阪大産研^C，JST-CREST^D　中島祐貴^A，近藤猛^A，石田行章^A，Walid Malaeb^A，渡部俊太郎^A，Cuangtian Chen^B，Markus Kriener^C，佐々木聡^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C，辛埴^A，D

2: Bi₂Se₃超薄膜の低温電気伝導測定
広大先端　八木隆多，下村翠，田原文哉，榊原諒二

3: MBE Growth of Topological Insulators
ISIR，Osaka Univ.　A.A. Taskin，S. Sasaki，K. Segawa，Y. Ando

4: (Bi_1-xSb_x)₂Te₃薄膜における表面キャリヤーの制御
東大工^A，理研CERG^B，理研CMRG^C　吉見龍太郎^A，塚崎敦^A，J.G.Checkelsky^B，高橋圭^C，川崎雅司^A，B，C，十倉好紀^A，B，C

5: トポロジカル絶縁体Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_yにおける有機-無機界面を利用したキャリア制御
東北大WPI^A，東北大理^B　田邉洋一^A，Khuong Kim Huynh^B，平郡諭^A，野内亮^A，Mu Gang^A，Xu Jingtao^A，谷垣勝己^A，B

6: トポロジカル絶縁体バルク単結晶におけるイオン液体を用いた表面ドーピング効果
阪大産研，阪大工^A，JST^B　瀬川耕司，Zhi Ren，佐々木聡，津田哲哉^A，桑畑進^A，B，安藤陽一

休憩　（10:30～10:45)

7: トポロジカル絶縁体 Bi_2-xSb_xTe_3-ySe_y の STM/STS 測定
東大物性研，阪大産研^A　吉澤俊介，金聖憲，江藤数馬^A，Zhi Ren^A，瀬川耕司^A，安藤陽一^A，小森文夫

8: Conductance hysteresis of topological surface state in the presence of local probe gating
Magnetic Materials Lab., RIKEN Advanced Science Inst.^A，Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technology^B，Dept. of Phys., Univ. of Tokyo^C　Yingshuang Fu^A，Shuhei Yamamoto^B，Kyushiro Igarashi^B，Tetsuo Hanaguri^A，Hidenori Takagi^A，C，Takao Sasagawa^B

9: トポロジカル絶縁体における非平衡キャリアの緩和ダイナミクス
京大院理^A，阪大産研^B，レンヌ第一大^C，京大iCeMS^D　大西義人^A，Zhi Ren^B，瀬川耕司^B，Maciej Lorenc^C，Herve Cailleau^C，安藤陽一^B，田中耕一郎^A，D

10: Bi₂Te₂Se及びBi₂Se₂Teのスピン分解光電子分光
広大放射光^A，広大院理^B，トムスク大^C，ドノスティア国際物理研^D，ノボシビルスク大^E　宮本幸治^A，^○木村昭夫^B，奥田太一^A，宮原寛和^B，黒田健太^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，S. Eremeev^C，T. Menshchikova^C，E. Chulkov^D，K. Kokh^E，O. Tereshchenko^E

11: MnドープBi₂Se₃の磁性と電子状態
広大院理^A，広大放射光^B，原子力機構^C，呉高専電^D　黒田健太^A，叶茂^B，岡本和晃^A，竹田幸治^C，斎藤祐児^C，植田義文^D，宮本幸治^B，奥田太一^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，^○木村昭夫^A

12: Bi₂Se₃型トポロジカル絶縁体の磁場中エネルギースペクトルと有効g因子
東北大理　増田俊平，倉本義夫

19日　FB会場　19aFB　9:00～12:00

領域4
量子ホール効果

1: ポンプ ― プローブ法による量子ホール効果ブレークダウン領域のNMR測定
JST-ERATO^A，東北大院理^B　冨松透^A，橋本克之^B，二宮駿也^B，平山祥郎^A，B

2: 極低温走査ゲート顕微鏡の開発と局所電場印加した二次元電子ガスの抵抗マッピング
JST-ERATO^A，東北大院理^B　冨松透^A，橋本克之^B，二宮駿也^B，平山祥郎^A，B

3: 走査ゲート顕微鏡による量子ホール効果ブレークダウンでの局所核スピン検出
東北大理^A，JST-ERATO^B　橋本克之^A，B，冨松透^B，二宮駿也^A，平山祥郎^A，B

4: 量子ホール状態ν＝2/3における磁気抵抗値の温度変化
京大理物理，兵庫医科大物理^A，京大低温セ^B　津田是文，Nguyen Minh-Hai，福田昭^A，寺澤大樹^A，澤田安樹^B

5: 二重量子井戸構造における核スピンの拡散と緩和
JST-ERATO^A，東北大理^B　羽田野剛司^A，秋葉圭一郎^A，渡辺信嗣^A，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B

6: 2層ν=2量子ホール系におけるゴールドストーンモードの研究
東大理^A，理研^B，Tbilisi State Univ.^C　濱祐介^A，B，日高義将^B，George Tsitsishvili^C，江澤潤一^B

休憩　（10:30～10:45)

7: ZnO二次元電子系におけるリエントラント整数量子ホール効果の出現
東大院新領域，理研^A，東大院工^B，電中研^C　Joseph Falson，Denis Maryenko^A，小塚裕介^B，小野新平^A，C，寺倉千恵子^A，塚崎敦^B，川崎雅司 ^A，B

8: N=1ランダウ準位におけるパラフェルミオン状態について
東北大理，東北大金研^A　伊藤透，野村健太郎^A，柴田尚和

9: 分数量子ホール効果の1次元格子模型と厳密解による定式化
東工大理　中村正明，汪正元

10: 占有率2近傍における核磁気共鳴スペクトル
NTT物性基礎研，科学技術振興機構　ラース・ティーマン，^○村木康二

11: 占有率3近傍における抵抗検出核磁気共鳴
NTT物性基礎研，科学技術振興機構　トレバーデイビッド・ローン，ラース・ティーマン，村木康二

19日　EA会場　19pEA　13:30～16:55

領域4，領域1，領域11合同シンポジウム
主題：～「揺らぎ」の検出・理解・制御への挑戦～量子力学・統計力学・メゾ系の話題

1: はじめに（趣旨説明）
理研　天羽真一

2: 非平衡ゆらぎの統計力学的展開-熱輸送を中心に-
慶大理工・物理　齊藤圭司

3: メゾスコピック系における電流ゆらぎ
阪大理　小林研介

4: 量子情報処理のエネルギーコストの熱力学的下限
京大白眉　沙川貴大

休憩　（15:00～15:15)

5: 量子導体におけるゆらぎの定理/非平衡仕事定理
三重大工　内海裕洋

6: 光で見る誤差と擾乱の不確定性関係・小澤の不等式の実験的検証
東北大通研　枝松圭一

7: 量子揺らぎのフィードバック制御
慶大理工・物理情報工　山本直樹

8: 量子測定とフィードバックによる有用な量子状態の生成および制御
京大理　井上遼太郎

19日　EC会場　19pEC　13:30～14:00

領域7，領域4，領域5
ナノチューブ

1: カーボンナノチューブにおける励起子多体相関
筑波大数理　小鍋哲

19日　FH会場　19pFH　13:30～16:50

領域7，領域3，領域4合同シンポジウム
主題：デバイス物理の新展開―電界効果の物質科学―New direction in device physics

1: 初めに　Introduction
阪大産研　竹谷純一

2: 印刷技術による有機デバイス物理の新展開　New device physics of printed organic semiconductors
産総研　長谷川達生

3: グラフェン、ナノ細線の電気伝導の電界制御　Electric field control of electron transport in graphene and nanowires
東大物工　樽茶清悟

4: 分子系π電子における電場誘起超伝導　Field-induced superconductivity in molecular π-electrons
分子研　山本浩史

休憩　（14:55～15:10)

5: 電気二重層による超強電界物性　Materials physics of high electric fields using electric double layer transistors
東大量子相　岩佐義宏

6: 強磁性遷移金属材料における磁気相転移の電場制御　Electric field control of ferromagnetic phase transition in transition metals
京大化研　千葉大地

7: 半導体におけるゲート電界スピン生成と制御　Electrical spin generation and manipulation by gate electric field in semiconductor nanostructures
東北大工　好田誠

8: Ferromagnetism and Electric Field Effect in a Magnetically Doped Topological Insulator
理研　Checkelsky Joseph G.

20日　EA会場　20aEA　9:00～12:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 球状トポロジカル絶縁体の表面状態
広大先端研，茨城大理^A　井村健一郎，吉村幸徳，高根美武，福井隆裕^A

2: 三次元トポロジカル絶縁体表面における弱磁場異常ホール効果
東工大理工^A　野呂昌生^A，村上修一^A

3: トポロジカル絶縁体/強磁性体における新たな2次元電子状態の理論
北大工　羽部哲朗，浅野泰寛

4: トポロジカル絶縁体表面における磁気的熱輸送
東工大理　横山毅人，村上修一

5: ビスマスにおけるディラック電子のスピンホール効果
電通大先進理工，東大理^A，東理大理・総合研究機構^B　伏屋雄紀，小形正男^A，福山秀敏^B

休憩　（10:15～10:30)

6: ホモロガス相を舞台としたトポロジカル絶縁体の合成と電子構造
東工大応セラ研　浅川瑞生，加納学，^○笹川崇男

7: 様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(III)
東工大応セラ研　山本宗平，笹川崇男

8: Pb系トポロジカル絶縁体のスピン分解ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，阪大産研^C　野村円香^A，相馬清吾^B，江藤数馬^C，中山耕輔^A，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

9: TlBi(S,Se)₂のスピン分解ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B，阪大産研^C　相馬清吾^A，小松誠^B，野村円香^B，佐藤宇史^B，高山あかり^B，高橋隆^A，B，江藤数馬^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

10: 層状Rashba物質BiTeIの分光イメージング測定(III)
理研^A，東工大応セラ研^B，東大理^C　幸坂祐生^A，加納学^B，高木英典^A，C，笹川崇男^B

11: 三次元Rashba物質及びトポロジカル絶縁体の探索
東工大応セラ研　加納学，笹川崇男

12: 極性半導体BiTeIのサブ表面領域における2次元電子構造
東大工^A，高エネ研PF^B，理研CERG^C，ERATO-MF^D　坂野昌人^A，片山明彦^A，下志万貴博^A，小野寛太^B，組頭広志^B，M. S. Bahramy^C，有田亮太郎^A，C，永長直人^A，C，村川寛^C，金子良夫^D，十倉好紀^A，C，D，石坂香子^A

20日　EC会場　20aEC　9:00～12:15

領域4，領域7合同
グラフェン

1: 擬ギャップアンダーソン模型における電気伝導II
茨大工　青野友祐

2: グラフェンの欠陥誘起近藤効果における磁場効果
東大理　金尾太郎，松浦弘泰，小形正男

3: CVD合成グラフェンにおける近藤効果
物材機構，Dankook Univ.^A，Korea Res. Inst. of Chemical Tech.^B，Sungkyunkwan Univ.^C　竹端寛治，今中康貴，三井正，高増正，渡辺英一郎，大里啓孝，津谷大樹，Y. Kim^A，K.-S. An^B，B. H. Hong^C

4: 三角格子フェリ磁性体におけるディラック・ハーフメタル
東大工　石塚大晃，求幸年

5: グラフェン状の系における電荷密度波とスピン密度波の競合
東大理，ブリティッシュコロンビア大^A　荒木康史，G. W. Semenoff^A

6: グラフェン/酸素分子膜界面系における磁場中電子輸送特性
東工大院理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

休憩　（10:30～10:45)

7: h-BN上グラフェンナノリボンの伝導特性
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　荒井美穂^A，大貫雅広^A，井口和之^A，増渕覚^A，B，渡邊賢治^C，谷口尚^C，町田友樹^A，B，D

8: グラフェンにおけるプラズモンのナノリボンを利用した時間分解伝導測定
NTT物性基礎研，東工大院理工^A　熊田倫雄，田邉真一，日比野浩樹，鎌田大^A，橋坂昌幸^A，村木康二，藤澤利正^A

9: 取　　消

10: グラフェンにおける一様な一軸性歪みの導入方法とその移動度に関する影響
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，Saverio Russo^A，Monica Craciun^A，樽茶清悟

11: グラフェンの非一様歪みの電子顕微鏡像による評価
筑波大物理，TIMS　軽部大雅，友利ひかり，貫井洋祐，大塚洋一，^○神田晶申

12: 1次元局所歪みのあるグラフェンの電気伝導測定
筑波大物理^A，TIMS^B　友利ひかり^A，B，軽部大雅^A，B，貫井洋祐^A，B，大塚洋一^A，神田晶申^A，B

20日　FB会場　20aFB　9:00～11:45

領域4
量子ドット

1: 断熱ポンプの条件
阪大理，京大基研^A，京大白眉セ^B，阪市大工^C　弓削達郎，沙川貴大^A，B，杉田歩^C，早川尚男^B

2: 環境と結合した量子ドット系の部分的位相緩和
筑波大物理，ベングリオン大^A，ワイツマン研^B，IISERインド^C　都倉康弘，A. Aharony^A，S. Gurvitz^B，O. Entin-Wohlman^A，S. Dattagupta^C

3: 3端子3重量子ドットにおけるスピンブロッケードの協力的解除
NTT物性基礎研　小林嵩，太田剛，佐々木智，村木康二

4: スピン軌道相互作用の強い系における横結合量子ドットを用いたスピン偏極検出
東大物性研　金善宇，Vegard Soerdal，橋本義昭，家泰弘，勝本信吾

5: 走査ゲート顕微法による開放系量子ドット内の電子状態の直接観察
千葉大院融合，レオベン大^A，アリゾナ州立大^B，ニューサウスウェールズ大^C　青木伸之，R Brunner^A，A M Burke^B，C，R Akis^B，R Meisels^A，D K Ferry^B，落合勇一

休憩　（10:15～10:30)

6: 量子ドットのコトンネリング領域におけるショット雑音測定
NTT物性基礎研　岡崎雄馬，佐々木智，村木康二

7: 非平衡量子ドット系における計数場ワード恒等式
筑波大物理　谷口伸彦

8: メゾスコピック系を流れる熱・粒子流の完全計数統計－射影測定による定式化－
東大院工　山田康博，今田正俊

9: 軌道縮退Anderson模型に基づく完全計数統における電流保存と1/(N-1)展開
大阪市大理，東大物性研^A　小栗章，阪野塁^A

10: アンダーソン量子ドットの高バイアス極限でのクーロン斥力による電流揺らぎ
物性研，大阪市大理^A　阪野塁，小栗章^A

20日　EA会場　20pEA　13:30～17:00

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 動的なアクシオン場を持つ磁性体における電場誘起相転移
カリフォルニア工科大，東大Kavli IPMU^A，東大物性研^B　大栗博司^A，^○押川正毅^B

2: カイラル対称なZトポロジカル絶縁体における電磁気現象
京大院理　塩崎謙，藤本聡

3: トポロジカル絶縁体における量子臨界現象の解析
東大工^A，理研CMRG&CERG^B　磯部大樹^A，永長直人^A，B

4: トポロジカル絶縁体接合系における指数定理
京大院理，茨城大理^A　塩崎謙，福井隆裕^A，藤本聡

5: 異符号のスピン軌道相互作用を持つトポロジカル絶縁体の接合における特異な界面エネルギー状態
東工大院　高橋隆志，村上修一

6: 拡張BHZモデルにおけるトポロジカル反強磁性相
京大理　吉田恒也，Robert Peters，藤本聡，川上則雄

休憩　（15:00～15:15)

7: トポロジカル超伝導体のトポロジカル不変量、欠陥、マヨラナフェルミオン
東大工^A，理研CMRG&CERG^B　朝日大地^A，永長直人^A，B

8: Manipulation of Majorana fermions at vortex cores in spin-orbit-coupled semiconductors
WPI-MANA，NIMS^A，筑波大数理物質^B　Longhua Wu^A，B，Qifeng Liang^A，Xiao Hu^A，B

9: トポロジカル絶縁体表面におけるジョセフソン効果と近接効果
東工大理　横山毅人

10: トポロジカル絶縁体表面上のジョセフソン電流
名大工，Twente大^A，東大工^B　矢田圭司，田仲由喜夫，Alexander Golubov^A，永長直人^B

11: ヘリカルエッジ状態の局所ギャップを介した量子ポンピング
阪大院基礎工　服部公則

12: 2次元トポロジカル絶縁体のエッジ状態のスピン方向とポイントコンタクトでのスピンの混成
東工大院理工　佐々木健二，村上修一

13: 折れ曲がったトポロジカル絶縁体表面におけるディラック電子
広大院先端　高根美武，井村健一郎

20日　EC会場　20pEC　13:30～17:00

領域7，領域4，領域11
合同招待講演

1: Many-body theory of graphene and nanostructured materials
Department of Physics, University of California, Berkeley　Louie Steven G.

領域7，領域4
グラフェン

2: Decoration of graphite single atomic vacancies with hydrogen atoms: atomically-resolved scanning tunneling microscopy study
東工大院理，阪大基礎工^A　Ziatdinov Maxim，藤井慎太郎，草部浩一^A，木口学，森健彦，榎敏明

3: 積層欠陥のあるグラファイトの電子構造
東北大理　越野幹人

4: カルシウム添加窒化硼素化合物の作製と物性
兵庫県立大院物質理，東北大院理^A　佐藤貴彦，平郡諭^A，^○小林本忠

休憩　（15:00～15:15)

5: 炭素ドープされたBNシートの電子構造
東工大理　藤本義隆，是常隆，斎藤晋

6: グラフェン／六方晶窒化ホウ積層薄膜のエネルギー論と電子構造
東工大理　酒井佑規，斎藤晋

7: 低温下におけるグラファイトの電気抵抗の圧力効果
阪大極限セ，カネカ^A　林大輝，清水克哉，加賀山朋子，村上睦明^A

8: Ag(111)基板上に作製したシリセンの構造
東大新領域，物材機構・MANA^A　川原一晃，林俊良，荒船竜一^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

9: 取　　消

10: シリセンとその関連物質の安定性と電子物性
東工大理　斎藤晋，是常隆

11: シリセンにおけるトポロジカル絶縁体
東大工　江澤雅彦

20日　FB会場　20pFB　13:30～16:15

領域4
量子ドット・微小接合

1: 低エネルギー振動子モードと結合した磁束量子ビットにおけるBlue sidebandのラビ振動の観測 II
横国大工　島津佳弘，岡村夏樹，戸田駿一，村田浩太郎

2: 超伝導量子ビットで観測された量子ゼノ効果
NTT物性基礎研^A，東京理科大^B，国立情報学研^C　角柳孝輔^A，馬場達也^A，B，松崎雄一郎^A，中ノ勇人^A，齊藤志郎^A，仙場浩一^A，B，C

3: Multiple Exciton Generation and Recombination Dynamics in Quantum Dots－Effects of Temperature and Ligand Phonon Modes－
京大院理　金賢得

4: 一電子二重量子ドットにおけるLandau-Zener遷移に伴う量子干渉
NTT物性基礎研　太田剛，日達研一，村木康二

5: 量子ドット間をつなぐ浮遊ゲートの実現
東大工　小幡利顕，渡辺健太，山本倫久，樽茶清悟

休憩　（14:45～15:00)

6: 共鳴トンネル電流に対するスピン一重項電流閉塞の効果
理研^A，東大物理工^B　天羽真一^A，樽茶清悟^A，B，河野公俊^A，大野圭司^A

7: 縦型2重量子ドットにおける電子スピン共鳴と核スピン効果
理研^A，台湾交通大^B　大野圭司^A，天羽真一^A，孫羽澄^B，河野公俊^A

8: 二重量子ドットにおける光学フォノンレーザー
慶大理工^A，ITP TU Berlin^B　奥山倫^A，江藤幹雄^A，Tobias Brandes^B

9: 量子ドット電荷計を含む環境との結合による位相緩和と位相対称性
筑波大数理物質　久保敏弘，都倉康弘

10: 量子ドットから生成される単一電子に対するフェルミ端異常の影響
東北大院理，東大物性研^A　伊與田英輝，加藤岳生^A

20日　PSA会場　20pPSA　13:30～15:30

領域4
領域4ポスターセッション

1: リカーシブグリーン関数法による接合系の状態密度
名大工　中脇康介，大成誠一郎，井上順一郎，田仲由喜夫

2: 4接合磁束量子ビットのラビ振動シミュレーション
九大院新領域，横国大工^A　川原眞実加，島津佳弘^A，白崎良演^A

3: 単電子ポンプによる電流標準
産総研^A，理研基幹研^B，NECグリーンイノベ研^C　中村秀司^A，B，Yuri Pashkin^B，蔡兆申^B，C，金子晋久^A

4: 2層MBJ法による単分子トランジスタの作製
筑波大数理　幸坂健史，大塚洋一

5: 金ナノワイヤを用いた単一電子トランジスタの開発
慶應大^A，東北大^B　吉平匡範^A，藏裕彰^B，小川智之^B，佐藤徹哉^A，牧英之^A

6: GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性
北陸先端大ナノセ　赤堀誠志，山田省二

7: 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析
神戸大院工　古林優希，小川真人，相馬聡文

8: 量子ホール効果ブレークダウンに伴って発生する1/f雑音の評価
京大化研，東大生産研^A，阪大理物^B　知田健作，荒川友紀，松尾貞茂，西原禎孝，田中崇大，町田友樹^A，小林研介^B，小野輝男

9: 整数量子ホール効果を用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出
JST-ERATO^A，東北大院理^B　秋葉圭一郎^A，金杉静子^B，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B

10: 量子場に閉じ込められた少数電子系におけるスピン軌道相互作用II
早大理工　横塚崇弘，井戸康太，武田京三郎

11: 単電子トランジスターを用いた量子輸送現象の実時間測定II
京大化研，阪大理^A　荒川智紀，田中崇大，知田健作，松尾貞茂，西原禎孝，千葉大地，小林研介^A，小野輝男

12: Effect of dynamic nuclear spin polarization on the transient current of a double quantum dot in the spin blockade regime
Tokyo Inst. of Technology，NTT Basic Res. Labs., NTT Corp.^A　Sonia Sharmin，Koji Muraki^A and Toshimasa Fujisawa

13: トポロジカル絶縁体における電子相関効果の解析
京大理　竹中裕斗，川上則雄

14: 多バンド超伝導体Sr₂RuO₄のエッジ状態における磁気的性質および輸送特性
埼玉大院理工^A，物材機構MANA^B，スイス連邦工科大^C　今井剛樹^A，若林克法^B，Manfred Sigrist^C

15: コバルト膜を蒸着したトポロジカル絶縁体バルク単結晶の輸送特性
阪大産研　江藤数馬，佐々木聡，Zhi Ren，瀬川耕司，安藤陽一

16: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃薄膜の量子輸送効果II
京大化研，阪大理^A，Chinese Academy of Science^B　松尾貞茂，小山知弘，島村一利，荒川智紀，西原禎孝，千葉大地，小林研介^A，小野輝男，Cui-Zu Chang^B，Ke He^B，Xu-Cun Ma^B，Qi-kun Xue^B

17: 新奇な超伝導体候補物質TlドープPbTeの単結晶作製
阪大産研　上山卓巳，佐々木聡，A.A.Taskin，瀬川耕司，安藤陽一

18: NMRで見たトポロジカル絶縁体Bi₂Te₃の低エネルギー励起
名大院理，Princeton Univ^A　市川大二郎，清水康弘，伊藤正行，S.Jia^A，R.J.Cava^A

19: Cu_0.25Bi₂(Te_xSe_1-x)₃における超伝導転移の圧力効果
新潟大超域，新潟大院自然研^A，新潟大理^B，筑波大数理物質^C　大村彩子，松澤理子^A，榮永茉利^A，石川文洋^A，中山敦子，山田裕^B，鈴木悠介^C，小松雅^C，柏木隆成^C，門脇和男^C

20: 非化学量論組成Bi₃₅Te₆₅の圧力誘起超伝導と構造
新潟大院自然^A，新潟大超域^B，新潟大理^C，NIMS^D　榮永茉利^A，大村彩子^B，中山敦子^B，石川文洋^A，山田裕^C，中野智志^D

21日　EA会場　21aEA　9:00～11:45

領域4
トポロジカル超伝導・マヨラナ粒子

1: ビスマス系トポロジカル絶縁体の物性評価
筑波大数理物質，物材機構^A　鈴木悠介，Pradip Das，茂筑高士^A，柏木隆成，門脇和男

2: 超伝導体CuxBi₂Se₃の作成と他元素導入の試み
岡山大院自然，東大院総合^A　近藤隆祐，吉中泰輝^A，今井良宗^A，前田京剛^A

3: Pd-Bi-Seの超伝導特性
東大院総合，岡山大院自然^A，電中研^B　今井良宗，鍋島冬樹，吉中泰輝，宮谷昂佑，近藤隆祐^A，小宮世紀^B，塚田一郎^B，前田京剛

4: Cu_xBi₂Se₃における多体相互作用: 高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，中国科学院^C，筑波大数理物質^D　田中祐輔^A，中山耕輔^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，N. Xu^C，P. Zhang^C，P. Richard^C，H. Ding^C，鈴木悠介^D，P. Das^D，門脇和男^D，高橋隆^A，B

5: トポロジカル超伝導体Cu_xBi₂Se₃の電子状態の計算
名大　橋本樹，矢田圭司，山影相，田仲由喜夫

6: 超伝導トポロジカル絶縁体におけるジョセフソン効果
名大工，東大物性研^A　山影相，矢田圭司，佐藤昌利^A，田仲由喜夫

休憩　（10:30～10:45)

7: トポロジカル超伝導体のペアリング状態の判別方法：回転対称性の破れとmassive Dirac方程式
原子力機構シ計セ　永井佑紀，中村博樹，町田昌彦

8: 転位のあるSr₂RuO₄におけるゼロエネルギー状態
名大工　上野雄司，山影相，矢田圭司，佐藤昌利，田仲由喜夫

9: 異方的超伝導体渦糸系における端マヨラナ粒子の時間発展
名大工　海老原和人，山影相，矢田圭司，佐藤昌利，田仲由喜夫

10: Novel effects in Josephson Junctions Containing Majorana Fermions
WPI-MANA，NIMS^A，Dept. of Applied Phys.，Univ. of Tsukuba^B　Feng Liu^A，B，Zhi Wang^A，Qifeng Liang^A，Xiao Hu^A，B

21日　FB会場　21aFB　9:00～12:00

領域4
量子細線・微小接合

1: 半導体ナノワイヤーのジョセフソン接合におけるスピン軌道相互作用の効果II
慶大理工，TU Delft^A　横山知大，江藤幹雄，Yuli V. Nazarov^A

2: 一次元ナノワイヤ超伝導のエッジ状態
名大工　白石泰基，矢田圭司，田仲由喜夫

3: 量子細線におけるラストプラトー以下の分数構造の観測と解析
千葉大院融合，ニューヨーク州立大バファロー校^A　項少華，藤和俊，佐藤俊，青木伸之，S.Xiao^A，J.P.Bird^A，落合勇一

4: InGaAs量子細線におけるコヒーレントな伝導チャネルの形成
京大化研，阪大理^A，東北大院工^B，JSTさきがけ^C　西原禎孝，中村秀司，知田健作，荒川智紀，田中崇大，千葉大地，小林研介^A，小野輝男，好田誠^B，C，新田淳作^B

5: 3サイト分子架橋系におけるループ電流に関する解析
千葉大理学研究科，千葉大理学^A　飯塚秀行，山田俊介^A，中山隆史

6: Metal-insulator transition in disordered systems within density functional theory and local density approximation
阪大理　原嶋庸介，Keith Slevin

休憩　（10:30～10:45)

7: 縦に結合したポイントコンタクトの量子化伝導特性
東北大院理^A，JST-ERATO^B　一ノ倉聖^A，羽田野剛司^B，泉田渉^A，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B

8: 電子ポンプによる非平衡単一電子輸送
東大工，独ボーフム大^A　渡辺健太，高田真太郎，山本倫久，A.Wieck^A，樽茶清悟

9: ナノ構造中の多電子波束ダイナミクスにおける電子間相互作用の効果
筑波大院数物^A，東理大工^B，東北大スピントロニクス集積化セ^C，東北大工^D，筑波大計科セ^E，CREST-JST^F　藤田弦暉^A，塩川太郎^A，高田幸宏^B，F，小鍋哲^A，F，村口正和^D，F，山本貴博^B，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^A，F，白石賢二^A，E，F

10: 一次元非一様ポテンシャル中の波束ダイナミクス
筑波大院数物^A，東理大工^B，東北大スピントロニクス集積化セ^C，東北大工^D，筑波大計科セ^E，CREST-JST^F　塩川太郎^A，藤田弦暉^A，高田幸宏^B，F，小鍋哲^A，F，村口正和^D，F，山本貴博^B，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^A，F，白石賢二^A，E，F

11: 共鳴トンネルダイオードでの電子移動における散逸の効果
京大院理化　櫻井敦教，谷村吉隆

21日　EC会場　21pEC　13:30～16:00

領域7，領域4合同
グラフェン

1: グラフェン電子系のSU(2n)表現におけるPancharatnam-Berry位相とエッジ状態
阪大基礎工，東工大院理工^A　草部浩一，丸山勲，Ziatdinov Maxim^A，藤井慎太郎^A，木口学^A，森健彦^A，榎敏明^A

2: グラファイト表面上のグラフェン断片構造のエネルギー論とエッジ状態
阪大基礎工，阪大産研^A，東工大院理工^B　草部浩一，酒井謙一^A，高井和之^B，榎敏明^B

3: 低欠陥グラフェンナノメッシュの細孔エッジ起因異常磁気抵抗
青学大理工，東大物性研^A，東大工^B，クレムソン大^C　小杉直輝，櫻元健志，上川正太，橋本泰樹，春山純志，藤田和博^A，加藤悠人^A，橋本義昭^A，勝本信吾^A，家泰弘^A，趙沛^B，丸山茂夫^B，A.Rao^C

4: 低欠陥グラフェンナノメッシュのキャリアドープ細孔エッジと磁化特性
青学大理工，東大工^A，クレムソン大^B　竹内啓悟，櫻元健志，上川正太，八木優子，春山純志，趙沛^A，丸山茂夫^A，A.Rao^B

5: 電気二重層を形成した低欠陥グラフェンナノメッシュの物性
青学大理工，東大物性研^A，東大工^B，クレムソン大^C　里見槙平，中村悠紀，上川正太，春山純志，藤田和博^A，加藤悠人^A，橋本義昭^A，勝本信吾^A，家泰弘^A，趙沛^B，丸山茂夫^B，A.Rao^C

休憩　（14:45～15:00)

6: 数層グラフェンの量子キャパシタンス測定
岡山大院自然，SPring-8/JASRI^A　上杉英里，後藤秀徳，江口律子，藤原明比古^A，久保園芳博

7: グラフェンエッジの電気伝導測定II
岡山大院自然，SPring-8/JASRI^A　後藤秀徳，上杉英里，江口律子，藤原明比古^A，久保園芳博

8: 走査トンネル顕微分光によるアームチェア型グラフェンナノリボンの電子状態
東大新領域，理研^A　中村耕太郎，林俊良，南任真史^A，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

9: ジグザグ BCN のエッジ状態についての理論的研究
産総研ナノシステム^A，物材機構理論計算科学^B　針谷喜久雄^A，金子智昭^B

21日　FB会場　21pFB　13:30～16:30

領域4
半導体スピン物性・磁性半導体

1: InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴
物材機構，北陸先端大ナノセ^A　今中康貴，高増正，韋威^A，森本幸作^A，岩瀬比宇麻^A，赤堀誠志^A，山田省二^A

2: 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御
北陸先端大ナノセ　近藤太郎，日高志郎，岩瀬比宇痲，赤堀誠志，^○山田省二

3: 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性
北陸先端大ナノセ　日高志郎，近藤太郎，赤堀誠志，山田省二

4: Rashba場反転によるメゾスコピック系時間反転量子干渉振動一致度の定量的評価
北大院情報，NTT物性研^A，NTTフォト研^B　澤田淳，古賀貴亮，関根佳明^A，杉山弘樹^B

5: アンドレーフ反射に対する横方向電流の効果
東大物性研　高橋侑市，橋本義昭，尹東河，中村壮智，家泰弘，^○勝本信吾

6: Aharonov-Casher効果における電子スピン幾何学的位相の面内磁場による制御
東北大工，JSTさきがけ^A　長澤郁弥，高木淳，国橋要司，好田誠^A，新田淳作

休憩　（15:00～15:15)

7: Novel materials design of chalcopyrite type semiconductor based ferromagnetic half metals using KKR-CPA-GF method
Dept. of Theoretical Nanotechnology, ISIR, Osaka Univ.　M. Shahjahan and T. Oguchi

8: X線吸収端近傍微細構造を用いたIn₂O₃:(Mn, Fe)におけるMn, Feの電子状態解析
早大理工　西田創，吉岡剛志，岡崎瑛基，山本知之

9: Eu-rich EuOの電子状態と磁性
神奈川工科大基礎教養教育セ　高橋正雄

10: ナローギャップ室温強磁性半導体のサイクロトロン共鳴
東大物性研，Virginia Tech^A，Univ. of Notre Dame^B，Northwestern Univ.^C　松田康弘，齋藤宏晃，嶽山正二郎，T. Merritt^A，G. Khodaparast^A，X. Liu^B，J Furdyna^B，B. W. Wessels^C

11: (Ga,Mn)Asの格子歪みと磁気異方性
東大物性研　橋本義昭，中村壮智，家泰弘，勝本信吾