領域9

25日　TG会場　25aTG　9:30～11:45

領域9
表面ダイナミクス・水素ダイナミクス

1: 共鳴核反応法を用いたPd(110)への水素吸蔵機構の研究
東大生研　大野哲，Markus Wilde，福谷克之

2: 水素・ミューオンの固体表面近傍での量子ダイナミクスと電子状態
阪大院工　中西寛，笠井秀明

3: 銀表面上のステップ構造近傍での水素分子の吸着状態
阪大院工　國貞雄治，中西寛，Wilson Agerico Dino，笠井秀明

4: STMに誘起された表面吸着分子の反応・運動における非整数の反応次数
東大新領域^A，理研^B，富山大理工^C　本林健太^A，B，金有洙^B，上羽弘^C，川合眞紀^A

休憩　（10:30～10:45)

5: 二酸化チタン表面欠陥の原子レベル操作反応
東北大融合研^A，理研基幹研^B，日本学術振興会^C，リバプール大^D，千葉大理^E，東北大原子分子材料科学高等研究機構^F，東大新領域^G　湊丈俊^A,B，Pang Chi Lun^{C, D}，梶田晴司^{B, E}，浅尾直樹^F，山本嘉則^F，中山隆^E，川合真紀^G，金有洙^B

6: 単層グラフェンの引き剥がし過程の観察
愛教大物理，成蹊大理工^A　石川誠，山下慧，佐々木成朗^A，三浦浩治

7: ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7->1×1相転移ダイナミクスの研究
東北大多元研　佐藤和義，^○虻川匡司

8: ステップ間引力による異方的表面張力の異常性が引き起こす非平衡現象―熱平衡状態への緩和途中における微斜面のステップ・ジッピング―
大阪電通大工　阿久津典子

25日　TH会場　25aTH　9:30～11:45

領域9
表面界面電子物性

1: 角度分解光電子分光を用いた超ハイドープSi(111)上の空間電荷層中のバレンスサブバンド準位の解明
奈良先端大物質科学創成研　坂田智裕，武田さくら，田畑裕貴，松岡弘憲，NUR IDAYU，大門寛，吉丸正樹

2: 高分解能角度分解光電子分光によるPb/Ge(110)表面における電子状態の観測
奈良先端大，半導体理工学研究セ^A，　松岡弘憲，武田さくら，森田誠，田畑裕貴，橋本美絵，服部賢，大門寛，吉丸正樹^A

3: 微傾斜Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造と電子状態
東大物性研　中辻寛，元村勇也，新倉涼太，飯盛拓嗣，吉村継生，岩崎悠真，小森文夫

4: Si(111)-√7×√3-In 表面における超伝導電流の観測
物材機構　内橋隆，Puneet Mishra，中山知信

休憩　（10:30～10:45)

5: グラファイト(0001)面におけるアルカン薄膜の深さ分解C K-NEXAFS
東京農工大工，千葉大工^A，KEK-PF^B，分子研^C　遠藤理，中村将志^A，隅井良平^B，雨宮健太^B，小杉信博^C

6: 強磁性金属薄膜表面上の鉄フタロシアニン薄膜のXMCD測定
分子研，総研大　高木康多，中川剛志，横山利彦

7: 楕円メッシュ顕微高エネルギー二次元光電子分光器の開発
奈良先端大物質創成，Univ. of Debrecen^A，SPring-8/JASRI^B　橋本美絵，松田博之，後藤謙太郎，Laszlo T?th^A，野尻秀夫，酒井智香子，松井文彦，松下智裕^B，大門寛

8: エピタキシャル成長したn型GaAs(111)A表面の空乏層形成機構
NTT物性基礎研　蟹澤聖

9: SrTiO₃:Nb表面の吸着誘起電気伝導変化に見られる不純物準位の生成消滅
東大生研　武安光太郎，福谷克之

25日　TG会場　25pTG　13:30～16:45

領域9
表面界面構造

1: 取　　消

2: 低温STMを用いたCu(110)上でのTPD分子の吸着構造の研究
横市大生命ナノ　西村圭司，横山崇

3: 非弾性トンネル分光によるアセチレン・エチレン単分子接合の構造決定
東工大院理工　中住友香，金子哲，松下龍二，木口学

4: ZrB2上のSi単一層の第一原理電子状態計算
北陸先端大マテ^A，北陸先端大融合院^B　川井弘之^A，B，尾崎泰助^B，A，Antoine Fleurence^A，B，Rainer Friedlein^A，B，高村（山田）由起子^A，B

5: 固液界面構造観察用電子顕微鏡試料ホルダーの製作とその応用
東京農工大工　箕田弘喜

6: Au/Ge(111)表面のSTM観察
東大物性研　元村勇也，中辻寛，新倉涼太，小森文夫

休憩　（15:00～15:15)

7: Si(100)表面に吸着したリン分子のSTM観察
物材機構，UCL^A　鷺坂恵介，Michael Marz，藤田大介，David Bowler^A

8: 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面相転移に伴う構造変化の解析
原子力機構先端基礎研　望月出海，深谷有喜，河裾厚男

9: PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造　II
京大院理^A，JST-CREST^B，JASRI^C　岩田学^A，八田振一郎^A，B，矢治光一郎^A，B，河合宣彦^A，林幸広^A，田尻寛男^C，坂田修身^C，奥山弘^A，B，有賀哲也^A，B

10: GaAs(001)面上の島形状によるRHEED強度変化
山梨大　川村隆明

11: Pb/Si(111)表面の1×1→√7×√3相転移
東大物性研　廣江拓，^○Voegeli Wolfgang，白澤徹郎，阿部誠，高橋敏男

12: New Reconstruction Mechanism of Dense 3C-SiC(111) on Sparse Si(110) Interface
Dept. of Applied Phys.，The Univ. of Tokyo^A，Center for Computational Sci.，Univ. of Tsukuba^B　Eric K.K. Abavare^A，Jun-Ichi Iwata^B，Atsushi Oshiyama^A

25日　TH会場　25pTH　13:30～17:00

領域9
結晶成長

1: GaAs(001)表面上におけるCrAs初期成長
東工大院理工　柳生数馬，加来滋，吉野淳二

2: 移動する粒子源によるステップ蛇行パターンの粗大化と新状態への緩和
名大理，金沢大メディア^A　近藤信二，川口将司，佐藤正英^A，上羽牧夫

3: 有機分子が吸着した炭酸カルシウム結晶表面のシミュレーション
産総研　灘浩樹

4: 蒸気相と表面拡散を同時に考慮した時のステップ移動速度
学習院大計セ^A，成蹊大^B，京大理^C　入澤寿美^A，勝野喜以子^B，北村雅夫^C

5: ランダム蒸着ドメインの競合
慶應大理工　齋藤幸夫，小村祥子

6: 原子間力顕微鏡と共焦点顕微鏡の同時操作による結晶成長のその場観察とその制御
徳島大ソシオ　柳谷伸一郎，後藤信夫

休憩　（15:00～15:15)

7: 界面活性剤のゲル化と金ナノロッド成長との相関
理研，千葉大院理^A，JSTさきがけ^B，高エネ研^C　武仲能子，北畑裕之^A，B，山田L悟史^C，瀬戸秀紀^C，原正彦

8: ゲル中におけるCaCO₃の結晶成長
中央大理工　倉繁正和，松下貢

9: 室温PLD-ポストアニールプロセスにおけるペロブスカイト型酸化物薄膜の結晶化メカニズムの研究
東北大院工，京大院理^A，JST^B，産総研^C，京大化研^D，東北大金研^E　佐多教子，田村奨，小峰えりか，長尾祐樹^A，B，蔭山博之^C，野村勝裕^C，半田克巳^D，鶴井隆雄^E，井口史匡，湯上浩雄

10: 水-氷（融液-結晶）界面の高分解光学その場観察
北大低温研，JSTさきがけ^A　佐崎元^A，Salvador Zepeda，中坪俊一，古川義純

11: ニワトリ卵白リゾチーム正方晶系結晶のステップ前進速度に及ぼす圧力効果
徳島大院先端，徳島大院ソシオ^A，北大低温研^B　藤原貴久，鈴木良尚^A，佐崎元^B，柳谷伸一郎^A，田村勝弘^A

12: 結晶化容器形状を用いた遠心沈降法でのコロイド結晶のグレインの肥大化
徳島大院先端，徳島大院ソシオ^A　橋本華織，鈴木良尚^A，森篤史^A，柳谷伸一郎^A，田村勝弘^A

13: コロイド結晶の結晶構造の経時変化
徳島大院先端，徳島大院ソシオ^A　坂部真貴子，鈴木良尚^A，藤原貴久，森篤史^A，柳谷伸一郎^A，田村勝弘^A

26日　TA会場　26aTA　9:00～12:15

領域7，領域9合同
グラフェン

1: ポリイン(炭素鎖）のラマンスペクトルとNMRシフト
東北大理，東北大多元研^A，中国科学院IMR^B　齋藤理一郎，Md. M. Haque^A，A.R.N. Nugraha，L.C. Yin^B

2: 二層グラフェンの谷内散乱による二重共鳴ラマン強度
東北大理　佐藤健太郎，齋藤理一郎

3: SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱
NTT物性基礎研，徳島大工^A　関根佳明，日比野浩樹，小栗克弥，赤崎達志，影島博之，永瀬雅夫^A，山口浩司

4: エピタキシャル金属薄膜上CVD成長グラフェンのRamanスペクトル
パナソニック先端技術研　能澤克弥，松川望，豊田健治，吉井重雄

5: グラフェン端における光とフォノンの選択則
物材機構，東工大^A　佐々木健一，若林克法，榎敏明^A

休憩　（10:15～10:30)

6: 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性
九大院工，東大物性研^A　上原直也，森田康平，栗栖悠輔，^○田中悟，中辻寛^A，小森文夫^A

7: 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態
東大物性研，九大院工^A　吉村継生，中辻寛，森田康平^A，上原直也^A，栗栖悠輔^A，田中悟^A，小森文夫

8: ナノグラフェンのX線吸収スペクトルへの水素終端の影響
東京工大工，原子力機構放射光^A，北陸先端大^B，東大工^C　Z. Hou，X. Wang，池田隆司^A，S-F. Huang^B，^○寺倉清之^B，尾嶋正治^C，柿本雅明，宮田清藏

9: 電気化学的ドーピングによるナノグラフェンの磁性制御
東工大院理工　藤間崇，高井和之，木口学，榎敏明

10: 長周期グラフェンナノリボンのフラットバンド形成に関する転送行列による解析
千葉大普遍，千葉大理^A　藤本茂雄，富田竜太郎^A，夏目雄平^A

11: グラフェンコーナーエッジにおけるエッジ状態
広大先端研，物材機構^A，PRESTO^B　下村祐司，岡田真梨，高根美武，若林克法^A，B

12: ねじれたジグザググラフェンナノリボンの第一原理スピン伝導計算
富士通研，北陸先端大^A　大淵真理，實宝秀幸，尾崎泰助^A

26日　TG会場　26aTG　9:30～11:45

領域9
微粒子・クラスター・ナノ構造

1: 分子架橋系におけるフランクコンドンブロッケードの理論
東北大WPI-AIMR　塚田捷

2: コバルトフタロシアニンを吸着させた擬一次元銀薄膜のSTM観察
名大院理^A，千大融合^B，物材機構^C　田中裕介^A，立石龍誠^B，大内幸雄^A，上野信雄^B，中山知信^C，内橋隆^C，坂本一之^B

3: グラファイト表面に担持したタングステンクラスターの幾何構造および電子構造
コンポン研，豊田工大^A　早川鉄一郎，安松久登^A

4: 電子線照射によりステップ密度を上げたイオン結晶へき開面上に成長させた金ナノ粒子
大阪教育大物理　柴田卓，深澤優子，西村依泰，池本将健，鈴木康文

休憩　（10:30～10:45)

5: Pt/CeO₂触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察
阪大産研，阪大院理^A，産総研ユビキタス^B，首都大東京^C　吉田秀人，桑内康文^A，河野日出夫^A，秋田知樹^B，香山正憲^B，島田悟史^C，春田正毅^C，竹田精治

6: 銅クラスターイオンへの酸素と一酸化炭素の共吸着
コンポン研，豊田工大^A　平林慎一，^○市橋正彦^A

7: Ti₂Cl₉^3-クラスターにおける磁気的相互作用
日大文理　鈴木秀則，里子允敏

8: Lennard-Jones液体の結晶核生成過程における不純物の影響の解析
慶大理工　高井北斗，泰岡顕治

26日　TH会場　26aTH　9:00～12:00

領域9，領域4，領域5
表面界面電子物性

1: 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_1-x)₂の電子状態
東北大院理^A，阪大産研^B，東北大WPI^C　高坂研一郎^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，中山耕輔^A，相馬清吾^C，佐藤宇史^A，安藤陽一^B，高橋隆^A，C

2: トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導
東大理，分子研UVSOR^A　坂本裕介，平原徹，山田学，宮崎秀俊^A，木村真一^A，長谷川修司

3: Bi_(1-x)Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析
東大物性研，東大理^A，慶応理工^B，阪大産研^C，INSP，Paris^D　中村史一^A，小宇佐友香^B，Alexey A. Taskin^C，Marie D’angelo^D，武市泰男，中辻寛，小森文夫，柿崎明人，近藤寛^B，安藤陽一^C，^○松田巌

4: トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過
お茶大理　小林功佳

5: 表面プローブ法でとらえる3次元トポロジカル絶縁体表面の電子構造
広大院理　木村昭夫

休憩　（10:30～10:45)

6: ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉
東工大総理工　平山博之，石原充祥，青木悠樹，加藤千明

7: ビスマス超薄膜における表面状態の電流誘起スピン偏極の測定
東大理　東野剛之，平原徹，長谷川修司

8: Bi(111)表面における特異なRashba効果：高分解能スピン分解ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，CREST-JST^C　高山あかり^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，C

9: 高分解能スピン分解光電子分光を用いたBi(111)表面スピン電子状態の観測
広大院理^A，広大放射光セ^B　宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，木村昭夫^A，黒田健太^A，岡本和晃^A，前川貴政^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

10: Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態
京大院理^A，JST CREST^B　大坪嘉之^A，B，森亮順^A，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

26日　TG会場　26pTG　13:30～16:55

領域9
表面界面電子物性

1: The Effect of Isomorphic Substitution in Montmorillonite: First Principles Calculation Study
Osaka Univ.，Inst. of Tech. Bandung^A　Triati Dewi Kencana Wungu，Hermawan Kresno Dipojono^A，Wilson Agerico Dino，Hideaki Kasai

2: 異種原子がドープされたロジウム表面におけるNO分子の反応性：第一原理電子構造計算
岩手大工，慶大理工^A　西館数芽，近藤寛^A，長谷川正之

3: The influence of Mn on the adsorption of H₂ and O on Ni(111) surface
Dept. of Applied Phys., Osaka Univ., Toyota Motor Corp.^A　Allan Abraham B. Padama, Wilson Agerico Dino, Hiroshi Nakanishi, Hideaki Kasai，Hiroyuki Kawai^A, Shigeaki Murata^A

4: カーボンアロイ触媒における酸素還元反応機構の理論研究
原子力機構量子ビーム，東工大^A，北陸先端大^B，東大工^C　池田隆司，X. Wang^A，Z. Hou^A，S.-F. Huang^B，寺倉清之^A，B，尾嶋正治^C，柿本雅明^A，宮田清蔵^A

5: 第一原理計算によるLaFeO₃表面でのNO吸着反応
阪大基礎工　木崎栄年，草部浩一

6: Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態
和歌山大シス工，北陸先端大マテリアル^A，金沢大自然^B　小田将人，西村高志^A，笹原亮^A，村田英幸^A，新井豊子^B，富取正彦^A

休憩　（15:00～15:15)

領域9若手奨励賞受賞記念講演

7: 領域9若手奨励賞選考報告および授賞式
兵庫県立大・物質理　馬越健次

8: アルカンチオール単分子膜に対する非弾性トンネル分光
東工大応セラ研　岡林則夫

9: 反射高速陽電子回折による最表面構造に関する研究
日本原子力研究開発機構　先端基礎研究センター(原子力機構先端基礎研)　深谷有喜

10: 第一原理に基づくナノ構造の輸送特性計算
大阪大学大学院工学研究科　小野倫也

26日　TH会場　26pTH　13:30～15:00

領域9
表面界面電子物性

1: Stability of Nitric Acid Oxidized Silicon Wafers Evaluated by Microwave Photoconductance Decay Spectroscopy
ISIR，Osaka Univ.　Francisco C. Franco Jr.，Woo-Byoung Kim，Hikaru Kobayashi

2: 水素吸着ZnO表面からの光刺激水素脱離とMgO薄膜による脱離抑制効果の検討
東工大院理工，物構研PF^A　小澤健一，間瀬一彦^A

3: SiC上酸窒化膜のO K-edgeサイト別XANESによる電子状態の研究
奈良先端大物質創成^A，JASRI/SPring-8^B，九大工^C　前島尚行^A，松井文彦^A，松井公佑^A，松下智裕^B，後藤謙太郎^A，橋本絵美^A，田中悟^C，大門寛^A

4: エチレン終端Si(100)基板に吸着したF4-TCNQの電子状態と配向：高分解能XPSとNEXAFSによる研究
東大物性研，東北大WPI^A　向井孝三，亀島一輝，村瀬加内江，小板谷貴典，清水皇，吉本真也，赤木和人^A，吉信淳

5: ルチルTiO₂(110)のバンドギャップ内に現れるTi3d defect stateの起源
立命館大理工　光原圭，奥村英樹，Anton Visikovskiy，城戸義明

6: 取　　消

27日　HG会場　27pHG　13:00～15:55

領域4，領域8，領域9，領域11，領域12合同シンポジウム
主題：ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待

1: イントロダクトリー
阪大理　赤井久純

2: 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン
長崎大先端計算セ　江上喜幸

3: 第一原理電気伝導シミュレーション
筑波大物工　小林伸彦

4: 熱伝導現象の第一原理計算
東大理　常行真司

休憩　（14:25～14:40)

5: 水溶液中分子架橋の電気伝導
東大工　渡邊聡

6: 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法
筑波大計科セ　白石賢二

7: 表面・界面・固体中のプロトン伝導とその量子ダイナミクス計算
阪大工　笠井秀明

27日　PSA会場　27pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: MBEによる岩塩型酸化物人工超格子の作成とその評価
関西学院大理工　加藤洋一，阪上潔，寺内暉

2: 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムIII
学習院大計セ，名大理^A　勝野弘康，上羽牧夫^A

3: 時間・角度分解2光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究II
佐賀大シンクロトロン光応用セ　小川浩二，東純平，高橋和敏，鎌田雅夫

4: Hole Subband Dispersion in Super Highly-Doped Vicinal Si (111)/Indium Measured by Angle-Resolved Photoelectron Spectroscopy (ARPES)
Grad. Sch. of Materials Sci.，Nara Inst. of Sci. & Tech. (NAIST)，STARC　Nur Idayu Ayob，S.N. Takeda，T. Sakata，M. Morita，H. Tabata，H. Matsuoka，H. Daimon，M. Yoshikawa

5: 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定II
東大工，東大理^A，東大物性研^B，お茶大理^C　永村直佳，保原麗^A，植竹智哉^A，平原徹^A，長谷川修司^A，松田巌^B，小林功佳^C

6: 走査トンネル顕微鏡を用いたPbナノアイランド構造における超伝導状態の研究
東大院工，東大物性研^A，JST ERATO^B，慶大^C，理研^D　富永貴亮，坂本崇樹，西尾隆宏^D，江口豊明^B，C，長谷川幸雄^A

7: 高分解能角度分解光電子分光による高不純物濃度Pb/Si(001)のホールサブバンド測定
奈良先端大物質創成，半導体理工学研究セ（STARC）^A　田畑裕貴，武田さくら，森田誠，松岡弘憲，大門寛，吉丸正樹^A

8: Ge(111)の表面吸着種に誘起されたGe由来のスピン偏極した表面電子状態
東大物性研^A，京大院理^B，JST CREST^C　矢治光一郎^A，C，大坪嘉之^B，C，八田振一郎^B，C，岩田学^B，奥山弘^B，有賀哲也^B，C

9: 擬1次元金属表面Si(110)-2×5-AuのSTM観察及び電気伝導測定
東大理　上田洋一，平原徹，植竹智哉，最首祐樹，長谷川修司

10: Si(111)7×7表面へのK吸着構造における表面電気伝導度測定
奈良先端大物質創成　山口樹，武田さくら，酒井智香子，大門寛

11: Siの光電子の非弾性平均自由行程
岡大院自然^A，岡大理界面^B，東大物性研^C，JST-CREST^D　脇田高徳^A，D，小野雅紀^C，江口豊明^C，長谷川幸雄^C，平井正明^A，B，村岡祐治^A，B，D，横谷尚睦^A，B，D

12: 高効率スピン分解光電子分光による表面電子状態のスピン構造の直接測定
東大物性研，広大放射光セ^A　武市泰男，奥田太一^A，^○金聖憲，矢治光一郎，常丸靖史，Ran FanYong，原沢あゆみ，松田巌，柿崎明人

13: シリコンナノシートにおける表面修飾の電子状態に及ぼす影響
産総研ナノシステム，RMIT大応物^A　森下徹也，S. Russo^A，I. Snook^A，M. Spencer^A，西尾憲吾，三上益弘

14: Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造：歪みの効果II
琉球大理　松川憲司，稲岡毅

15: 時間分解2光子光電子分光によるSi(111)初期酸化表面の研究
佐賀大シンクロトロン光応用研究セ　高橋和敏，石橋一典，倉橋勇丞，竹田光希，今村真幸，鎌田雅夫

16: フッ素含有単分子膜の光電子分光による評価
兵庫県大高度研^A，JST-CREST^B，JSPS^C，産総研^D　春山雄一^A，岡田真^A，B，C，中井康喜^A，B，石田敬雄^D，松井真二^A，B

17: マンガンフタロシアニン薄膜の占有･非占有電子状態
佐賀大シンクロトロン　山本勇，東純平，鎌田雅夫

18: 分子探針を用いたSTMに向けたシミュレーション研究
阪府大院理，阪府大ナノ科学・材料セ^A，CREST(JST)^B　齊木祥^A，B，林伸彦^A，B

19: DFT計算によるグラフェン上のN原子吸着の研究
鳥大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

20: Pt(111)表面上のグラフェンの電子状態
筑波大数物，理研^A，東大新領域^B　竹本整司，岡田智成^A，B，高見剛史^A，B，本林健太^A，B，小林伸彦，金有洙^A，川合真紀^B

21: イオン衝撃グラファイト表面の電子状態
東大院総合文化，横浜国大工^A　牛山翔太^A，青木優，母袋雄也^A，首藤健一^A，増田茂

22: 貴金属表面上ナノステップの電子状態
埼工大院　光岡重徳，田村明

23: Biエッジ状態の第一原理計算
金沢大自然，物材機構^A　小鷹浩毅，斉藤峯雄，石井史之，長尾忠昭^A，柳沼晋^A

24: 窒素飽和吸着Cu(001)面上に形成されるトレンチの構造モデル
東大物性研　山田正理，岩崎悠真，中辻寛，小森文夫

25: Rh/N/Cu(001)のナノ構造 3
東大物性研　岩崎悠真，山田正理，飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

26: 円偏光二次元光電子回折・分光による脱硫触媒Ni₂P(10-10)の局所構造・状態解析
奈良先端大院物質，JASRI/SPring-8^A，北大触媒セ^B　松井公佑，松井文彦，後藤謙太郎，前島尚行，松下智裕^A，有賀寛子^B，朝倉清高^B，大門寛

27: シリコン表面上のカリウムナノクラスターのSTM観察
横国大工，防衛大^A　岡本春樹，百瀬辰哉，西岡広明，藤原賢一^A，井上大輔，大野真也，北嶋武^A，田中正俊，鈴木隆則^A

28: 水素吸着したSi(111)√3x√3-B表面における昇温脱離測定とSTM観察
東工大総理工　青木悠樹，平山博之

29: 高分解能コインシデンス分光によるSi清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究
横国大院工^A，群馬大教^B，愛媛大院理工^C，高エ機構物構研^D，総研大^E　新江定憲^A，小柏洋輔^B，大野真也^A，垣内拓大^C，間瀬一彦^D，E，奥沢誠^B，田中正俊^A

30: 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端原子構造の解析
阪大工^A，阪大院工^B　大上まり^A，稲垣耕司^B，森川良忠^B

31: Investigation of the adsorption of photosensitizer dyes on TiO₂ with STM: preliminary results
Nat’l. Inst. for Materials Sci.　Carmen Perez Leon，Keisuke Sagisaka，Daisuke Fujita，Liyuan Han

32: 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO₂触媒の形状変化の環境TEM観察
阪大理，阪大産研^A，産総研ユビキタス^B　桑内康文，吉田秀人^A，河野日出夫，秋田知樹^B，竹田精治^A

33: X線光電子分光及び光電子回折を用いたSr₂FeMoO₆表面の構造解析
奈良先端大^A，JASRI/SPring-8^B　北川哲^A，松井文彦^A，松下智裕^B，後藤謙太郎^A，松井公佑^A，前島尚行^A，土橋剛士^A，堀江理恵^A，大門寛^A

34: 円偏光二次元光電子回折法によるZrB₂の原子構造解析
奈良先端大院物質，SPring-8/JASRI^A　堀江理恵，松井文彦，前島尚行，松井公佑，後藤謙太郎，松下智裕^A，大門寛

35: エッジを含む氷Ih表面の分子動力学シミュレーション
新潟大院自然　久賀みづき，小川貴史，家富洋

36: STMによるHOPG上におけるMetal-DNAの構造解析
首都大理工　横矢貴秀

37: 巨大分子のSTM観察を目指したエレクトロスプレー法による分子蒸着の試み
横市大院生命ナノ，アドキャップ^A　小暮勇太，横山崇，青島国広^A

38: ペンタセン超薄膜のX線CTR散乱法による構造解析
東大物性研　大山真実，白澤徹郎，Voegeli Wolfgang，廣江拓，高橋敏男

39: バクテリオロドプシン薄膜のSPMによる構造評価
情通機構，NHK技研^A　照井通文，春山喜洋，笠井克幸，菊池宏^A，大友明

40: NEXAFS分光法によるテフロン薄膜の分子配向の温度依存性
九州シンクロトロン光研究セ，千葉大工^A　小林英一，奥平幸司^A，岡島敏浩

41: 高分解能光和周波発生顕微鏡システムの開発と応用
北陸先端大，JST-CREST^A　永井敬祐，渡邉亮輔^A，石山幸喜，宮内良広^A，水谷五郎^A

42: H₂O吸着したAu(887)のSH分光
北陸先端大マテリアル　小野道真，山本達也，上村健太，Hoang Hieu Chi，水谷五郎

43: 物理吸着子の表面拡散と吸着子間相互作用
東大生研　池田暁彦，松本益明，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

44: Ge(001)表面における不純物ダイマーの振動励起II
東大物性研　新倉涼太，中辻寛，小森文夫

45: 表面吸着反応におけるスピン効果観測のための装置の製作
九工大工　鶴巻浩，西川峻一，古賀祐太郎，並木章

46: HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与
阪大院工^A，JST-CREST^B　稲垣耕司^A，B，広瀬喜久治^A，森川良忠^A，安武潔^A，B

47: AFM-QCMによるグラファイトの摩擦力測定
電通大量子物質工，電通大先進理工^A，愛教大物理^B　井上大輔，細見斉子^A，谷口淳子^A，鈴木勝^A，石川誠^B，三浦浩治^B

48: イオン結晶表面におけるマイクロスケールの摩擦機構の研究
中央大理工　二木かおり，小林麻依，新藤斎

49: 光熱励振機構を備えた液中原子間力顕微鏡による固液界面の観察II
愛教大物理，東大生研^A　石川誠，大河内裕治，川勝英樹^A，三浦浩治

50: 第一原理計算によるグラファイト基板上Ga層の形成の研究
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　多谷孝明^A，B，中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

51: イオン照射されたグラフェンの電子励起ダイナミクス
東理大理　石見洋平，春山潤，胡春平，渡辺一之

52: カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション
阪大院工　井関信太郎，稲垣耕司，森川良忠

53: NOx吸着アモルファスカーボン薄膜吸着表面からの昇温及び裏面電子線照射脱離
奈良先端大物質創成　川口剛史，豊嶋孝文，立花和也，服部賢，大門寛

54: An STM study of the growth of Ni-clusters on HOPG
Nat’l. Inst. for Materials Sci.　Michael Marz，Keisuke Sagisaka，Daisuke Fujita

55: 触媒反応及び水素吸蔵反応中のPd微粒子動的構造変化
原子力機構量子ビーム　松村大樹，岡島由佳，西畑保雄，水木純一郎

56: 金-酸化銅複合ナノ粒子の生成と触媒作用
産総研ナノシステム，産総研ユビキタス^A　古賀健司，櫻井宏昭^A，越崎直人

57: SP-STMによる貴金属基板上に形成したCoナノドットの磁区観測
東大新領域^A，理研^B　酒井真利^A，高木紀明^A，川合眞紀^A，B

58: Au(111)表面上の鉄フタロシアニン分子に対する第一原理電子状態計算
阪大院工，東大新領域^A　南谷英美，Abdulla Ali Abdulla Sarhan，松中大介，Wilson Agerico Dino，中西寛，笠井秀明，高木紀明^A

59: Cu(001)面上における表面ナノ構造の作製とSH光の観測
NHK放送技研，横国大工^A，東大物性研^B　河村紀一，大野真也^A，飯盛拓嗣^B，小森文夫^B

60: 配列制御したガラス表面上の金微粒子からの第二高調波発生
防衛大応物，横国大工^A，FHI^B，ベルリン自由大^C，筑波大物理^D　橋谷田俊，^○大河原悟^A，工藤雅史^A，島田透^B，C，久保敦^D，北島正弘，田中正俊^A，鈴木隆則

61: Pt単原子接点への水素原子の取り込み
京大工　大橋裕介，黒川修，^○酒井明

62: 強磁性金属原子サイズ接点における極低温下微分伝導度測定
九大院工，金沢大教育^A，九大稲盛フロンティア研究セ^B　中島尚也，家永紘一郎，横田智彦，稲垣祐次，河江達也，辻井宏之^A，木村崇^B

63: シリコンナノチェインの炭素コーティングによるジュール加熱チューブ化制御
阪大院理　小峯拓也，河野日出夫

64: グラフェン/グラファイトで覆われたSiCナノワイヤのMOCVDによる生成
阪大院理　河野日出夫，八木一樹

65: Adatom-vacancy Pair in Carbon Nanotubes: First-principles study
金沢大自然　林建波，斎藤峯雄

66: 単一分子接合におけるフォノン散乱効果
東工大院理工　木口学，松下龍二，金子哲，中住友香

28日　HE会場　28aHE　9:00～10:45

領域3，領域9合同
表面・界面磁性

1: スピン・角度分解光電子分光によるCo doped Fe3O4(100)/MgO(100)の電子状態
東大物性研　常丸靖史，冉凡勇，武市康男，矢治光一郎，柿崎明人

2: 二倍周期Fe/Au多層膜におけるAu遍歴誘起磁化成分の磁気構造
奈良先端大物質　福井一生，佐野公則，甘崎晋次郎，細糸信好

3: Co/Ru多層膜の非磁性Ru層における誘起磁気分極成分の軟X線MCD測定
奈良先端大物質，JASRI^A　山岸隆一郎，福井一生，細糸信好，中村哲也^A

4: パルスレーザーを用いた垂直磁化GdFeCo薄膜の光誘起磁化反転
JASRI/SPring-8，阪大基礎工^A，東北大工^B，日大理工^C，東大物性研^D，JASRI/JST-CREST^E，東北大工（現：福島高専）^F，JASRI（現：奈良高専機械工）^G　大河内拓雄，藤原秀紀^A，菅滋正^A，木下豊彦^E，小嗣真人^E，角田匡清^B，塚本新^C，関山明^A，新井邦明^D，福島和亮^A，山口淳一^A，磯上慎二^F，中村哲也，児玉謙司^G

5: XMCD, EXAFSを用いたFe/Cu(001)薄膜へのCO等の吸着による磁気構造変化、結晶構造変化の研究
高エネ機構物構研，慶應大化学^A　阿部仁^A，雨宮健太，酒巻真粧子，香西将吾^A，近藤寛^A

6: Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究II
東大物性研　武市泰男，金聖憲，常丸靖史，Ran FanYong，原沢あゆみ，矢治光一郎，松田巌，柿崎明人

7: 強磁性半導体EuO超薄膜における3次元角度分解光電子分光測定
分子研UVSOR^A，名大院工^B，総研大物理^C　宮崎秀俊^A，羽尻哲也^A，B，松波雅治^A，C，伊藤孝寛^B，木村真一^A，C

28日　TG会場　28aTG　9:00～12:30

領域9，領域5合同シンポジウム
主題：Nanoscience by the fusion of light and scanning probe microscopy(光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス)

1: Photon imaging of single molecules at the ultimate spatial resolution
理研　Chen Chi

2: Nanoscale characterization using photon-detecting STM
物材機構　櫻井亮

3: THz near-field Imaging of thermally excited surface waves
東大総合文化　梶原優介

4: Tip enhanced near-field Raman spectroscopy for vibrational nano-imaging
阪大工・応用物理　市村垂生

休憩　（10:40～10:50)

5: Nanoscale spectroscopy by optical pump-probe STM
筑波大数理物質　重川秀実

6: Towards single molecule spectromicroscopy by combining STM and ultrafast laser
東理大理　渡辺量朗

7: High-resolution element specific imaging by STM assisted with synchrotron radiation soft X-rays
JST-ERATO，慶大理工　江口豊明

8: Elemental Analysis at 1 nm Scale by STM combined with Highly Brilliant Hard X-rays
阪大工・精密科学　齋藤彰

28日　TH会場　28aTH　9:00～11:45

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: カーボン原子にアシストされた金アトミックチェーンの生成
阪大電顕セ，東工大院理工^A，阪大院工^B　大島義文，久留井慶彦^A，Nguyen Duy Huy Duy^B，小野倫也^B，高柳邦夫^A

2: エレクトロマイグレーションによる銀ナノギャップ形成
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

3: エレクトロマイグレーションによる白金ナノギャップ形成
筑波大院数理　児玉智志，木塚徳志

4: 規定された伝導度を示すベンゼン単分子接合の探索
東工大院理工　金子哲，中住友香，木口学

5: 低バイアス領域での分子ダイオードの理論と第一原理計算
産総研，Arizona State Univ.^A　中村恒夫，浅井美博，Josh Hihath^A，Nongjian Tao^A

6: 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤの熱伝導計算
筑波大数理，NECグリーンイノベーション研^A　山本晃平，石井宏幸，広瀬賢二^A，小林伸彦

休憩　（10:30～10:45)

7: 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明
東大院工，筑波大計算セ^A　京極真也，岩田潤一^A，押山淳

8: Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態
東大院工，筑波大計算セ^A　吉村仁秀，岩田潤一^A，押山淳

9: カーボンナノチューブへの一酸化炭素分子吸着状態の温度依存性
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

10: First-principles study of transport properties of BNC nanotubes
Dept. Prec. Sci. Tech.，Osaka Univ.　Nguyen Duy Huy，Tomoya Ono

28日　TA会場　28pTA　13:00～16:15

領域7，領域9合同
グラフェン

1: グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化
東大新領域　大澤一明，^○斉木幸一朗

2: 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

3: アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析
東大院理^A，東大院新領域^B　小幡誠司^A，斉木幸一朗^A，B

4: Pt(111)表面上における水素化グラフェンの構造と電子状態
理研^A，東大新領域^B　金有洙^A，高見剛史^A，B，本林健太^A，B，岡田智成^A，B，川合眞紀^B

5: Kドープした2層グラフェン/H-SiCの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

6: 周期的に構造修飾したグラフェンの電子構造
東工大理　櫻井誠大，斎藤晋

休憩　（14:30～14:45)

7: 金属表面に吸着したグラフェン及びカーボンナノチューブの電子構造：現象論
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

8: 自己組織化単分子膜を用いたグラフェンのキャリア制御
東工大院理工　横田一道，高井和之，榎敏明

9: Energetics and electronic structures of graphene adsorbed on (0001) surfaces of SiO₂ substrate
産総研^A，筑波大^B，CREST^C　Nguyen Thanh Cuong^A，C，大谷実^A，C，岡田晋^B，C

10: HfO₂表面に吸着したグラフェンの電子構造
筑波大数理物質^A，物材機構^B　神谷克政^A，梅澤直人^B，岡田晋^A

11: 金属基板によるグラフェンの電子構造変調
筑波大計科セ^A，CREST^B　高木祥光^A，B，岡田晋^A，B

12: 基板上グラフェンにおける磁性と伝導特性
金沢大自然^A，金沢大理工^B，北陸先端大^C　澤田啓介^A，石井史之^B，斎藤峯雄^B，尾崎泰助^C

28日　TG会場　28pTG　13:30～16:15

領域9
表面界面電子物性

1: 固液界面の電気二重層に関する第一原理計算
東大院理，東大物性研^A　安藤康伸，合田義弘，常行真司^，A

2: 計算機シミュレーションによる固液界面近傍の電解質水溶液の構造の解明II
東北大WPI　赤木和人

3: 第一原理計算による窒化物/ホウ化物界面のスピン物性
東大理　合田義弘，常行真司

4: 金属表面上の磁性原子超格子における電子状態の格子定数依存性
阪大院工　三輪邦之，松中大介，笠井秀明

5: 絶縁層被覆された金属表面上の磁性原子吸着系におけるスペクトル関数に対する磁気異方性の影響
阪大工　小島一希，Wilson Agerico Dino，笠井秀明

休憩　（14:45～15:00)

6: レーザー補助電界蒸発の第一原理的研究
東北大WPI　田村宏之，Keith Mckenna，塚田捷

7: TiO₂(110)表面の酸素欠陥による構造歪み・電子構造に関する第一原理的研究
阪大院工，阪大産研^A　柳澤将，森村英幸^A，森川良忠

8: 遮蔽グリーン関数法を用いたPN接合の輸送係数の第一原理計算
阪大理，パナソニック先端研^A　永田徹哉，四橋聡史^A，赤井久純

9: 共役有機分子系の第一原理電気伝導計算
筑波大院数物，NECグリーンイノベーション研^A　高木博和，小林伸彦，広瀬賢二^A

10: 吸着原子を含む矩形Quantum Corralの電子状態
埼玉工大院　田村明，光岡重徳

28日　TH会場　28pTH　13:30～16:15

領域9
表面界面構造

1: Si(111)上のBi(001)超薄膜の界面構造解析
東大物性研　白澤徹郎，大山真実，Voegeli Wolfgang，廣江拓，高橋敏男

2: 有機‐金属フレームワークを用いた低次元構造の制御
京大院理，マックスプランク^A　熊谷崇，Sebastian Stepanow^A，Christopher Kley^A，Jan Cechal^A，Klaus Kern^A

3: Cu(110)におけるNOの吸着構造と電子状態
京大院理　塩足亮隼，北口雄也，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

4: Pd(111)表面上の酸化バナジウムナノメッシュにおけるAgナノドットの創製と構造評価
名大工　柚原淳司，早崎真治，小川国師，松井恒雄

5: 凝集現象を用いた自己組織化ナノドット薄膜の作製
東大生研，韓国光云大^A，芝浦工大^B　神子公男，具正祐^A，末永亮^B，野瀬健二，弓野健太郎^B，光田好孝，河在根^A

休憩　（14:45～15:00)

6: Pd₃₀Au₇₀(110)の表面構造と水素吸蔵
東大生研，阪大リノベーション^A，North Ossetia Univ.^B　小倉正平，岡田美智雄^A，T. Magkoev^B，福谷克之

7: ガス導入によるAu/TiO₂界面構造変化のTEM観察
東工大院総理工，東工大院理工^A，JST-CREST^B　炭屋亜美，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

8: 金表面上でのCO・OHの共吸着構造
阪大院理，産総研ユビキタス^A　岡崎一行，香山正憲^A，奥村光隆

9: 原子スケールのCu薄膜構造におけるNO解離吸着の可能性
阪大基礎工　野上惣一郎，木崎栄年，草部浩一

10: 貴金属単結晶表面におけるTCNQ誘導体単分子膜の構造及び電子状態のSTM観察
東大工^A，理研^B，東大新領域^C　今井みやび^A，B，金柱亨^B，C，鄭載勲^B，C，太田英輔^B，砂有紀^B，福島孝典^B，相田卓三^A，B，金有洙^B，川合眞紀^A，C