領域7

25日　TA会場　25aTA　9:30～12:30

領域7
電荷秩序・非線形伝導

1: STMによるα-(ET)₂I₃の室温電荷量解析II
首都大東京，北大理^A　森英一，生井圭一郎，坂本浩一，溝口憲治，内藤俊雄^A

2: 放射光を用いた電子密度解析によるα-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序相の電子状態
名大工，分子研^A，物材機構^B　小山英之，澤博，西堀英治，青柳忍，中村敏和^A，木野日織^B

3: α-(BEDT-TTF)₂I₃の非線形伝導状態におけるラマンスペクトルの場所依存性
名大院工^A，JST CREST^B　伊藤敦哉^A，^○岸田英夫^A，B，中村新男^A，B

4: 一軸性圧縮下θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の構造変調
東大院総合文化，明大理工^A，産総研^B，高エネ研^C，岡山院自然^D，名大理^E　近藤隆祐，鹿児島誠一^A，熊井玲児^B，中尾朗子^C，谷本由衣^D，野上由夫^D，澤博^E

5: θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄の一軸圧縮下における電子状態；¹³C-NMR研究III
学習院大理，理研^A，東大院総合^B，明大理工^C　高橋遼平，矢澤美穂，千葉亮，開康一，高橋利宏，山本浩史^A，近藤隆介^B，鹿児島誠一^C

休憩　（10:45～11:00)

6: β″-(BEDT-TTF)₃・Cl₂・2H₂Oの単結晶¹³C-NMR
北大理，北大院理　永田真斗，河本充司

7: [(EDO-TTF)_1-x(MeEDO-TTF)_x]₂PF₆における金属絶縁体転移の赤外分光による研究
東工大院理工^A，JST-CREST^B，京大低物セ^C，京大iCeMS^D，東工大院総理工^E　松原圭孝^A，B，深澤直人^A，石川忠彦^A，沖本洋一^A，腰原伸也^A，B，平松孝章^C，D，中野義明^C，矢持秀起^C，田中耕一郎^D，恩田健^E

8: β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆の伝導性と磁性
東大物性研　四竃格久，Krivickas Sara Jane，高橋一志，森初果，上床美也，木俣基，田島裕之，吉澤英樹

9: β-(BEDT-TTF)₂PF₆の非線形伝導
東大物性研，東工大院理工^A　市川敦，浅野友徳，高橋一志，森初果，森健彦^A

10: (DME-DCNQI)₂Liの低温電気伝導測定
東大物性研，阪大理^A　林義之，木俣基，田島裕之，山本貴^A

11: 内部自由度のある三角格子電荷秩序系の励起状態
東北大理　中惇，石原純夫

25日　TB会場　25aTB　10:15～11:30

領域7
層間化合物

1: STS observation of Landau levels on graphite at zero-magnetic field
筑波大数理　郭東輝，近藤剛弘，町田考洋，岩竹啓吾，中村潤児

2: 水素中で加圧したh-BNの振動状態
新潟大超域，新潟大理^A，新潟大院自然^B，NIMS^C　中山敦子，副田大介^A，石動裕也^B，大村彩子，石川文洋^B，山田裕^A，中野智志^C，谷口尚^C

3: グラフェンを含む層状物質における圧力誘起構造相転移の研究
東工大理　酒井佑規，斎藤晋

4: カルシウム窒化硼素層間化合物の作製とX線回折
兵庫県大院物質理，東北大院理^A　佐藤貴彦，平郡諭^A，小林本忠

5: SiC上に作成したC₆LiC₆の微細電子構造：超高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　金谷康平^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

25日　TJ会場　25aTJ　9:00～12:15

領域7
籠状物質

1: 強磁性クラスレートEu₈Ga₁₆Ge₃₀の特異な磁性の圧力効果：11 GPaまでの電気抵抗と磁化測定
広大院先端^A，自然セ^B，先進セ^C　山根陽樹^A，梅尾和則^B，鬼丸孝博^A，M. A. Avila^A，高畠敏郎^A，C

2: Diamagnetic susceptibility and Zinlt phase in Type I clathrate
WPI-AIMR/Dept. of Phys.Tohoku Univ.，Inst. for Materials Res.Tohoku Univ.^A　Jingtao Xu，Jun Tang，Satoshi Heguri，Yoichi Tanabe，Hiroyuki Nojiri^A，Katsumi Tanigaki

3: 半導体クラスレートのラットリング振動とその圧力依存性II
岐阜大工，広島大院^A　久米徹二，矢嶋一平，佐々木重雄，清水宏晏，高畠敏郎^A

4: クラスレート化合物Eu₈Ga₁₆Ge₃₀における高速格子ダイナミクス
神戸大院理，神戸大理^A，広大院先端物^B　山内崇弘，渡辺徹生^A，秦豪均，守安毅，岡村英一，河本敏郎，末國晃一郎^B，鬼丸孝博^B，高畠敏郎^B

5: 静電ポテンシャル解析によるクラスレート結晶のラットリング運動可視化と定量評価
JASRI/SPring-8^A，理研播磨研^B，東大新領域^C，島根大総合理工^D，東北大WPI^E，東北大理^F　藤原明比古^A，杉本邦久^A，B，Che-Hsiu Shih^B，C，田中宏志^D，Jun Tang^E，田邉洋一^E，Jingtao Xu^E，平郡諭^F，谷垣勝己^E，F，高田昌樹^A，B，C

6: I型クラスレート化合物Ba₈Al_xSi_46-xの熱電特性
物材機構，カリフォルニア大^A，カリフォルニア工科大^B　辻井直人，J. Roudebush^A，A. Zevalkink^B，C. Cox-Uvarov^A，J. Snyder^B，S. Kauzlarich^A

7: I型クラスレートEu₈Ga₁₆Ge₃₀における内包原子の振動が誘起する低エネルギー状態
東北大院理^A，東北大WPI^B　平郡諭^A，田邉洋一^B，Phan Quynh^A，Jingtao Xu^B，Jun Tnag^B，谷垣勝己^A，B

休憩　（10:45～11:00)

8: 第一原理計算を用いたIII/IV族ベース半導体クラスレートのキャリアー伝導の解析II
山口大メディア，山口大院理工^A，デンソー^B　赤井光治，河野欣^A，B，岸本堅剛^A

9: VIII型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀の光学伝導度スペクトル
分子研UVSOR^A，総研大物理^B，広大院先端物質^C，広大先進セ^D　森龍也^A，飯塚拓也^B，木村真一^A，B，末國晃一郎^C，高畠敏郎^C，D

10: II型クラスレート(K, Ba)₂₄(Ga, Sn, □)₁₃₆単結晶の結晶構造と熱電物性
広島大院先端物質^A，先進セ^B，広島大院工^C　間野覚文^A，高畠敏郎^A，B，鬼丸孝博^A，山中昭司^C

11: 半導体Siクラスレートの探索
物材機構，産総研^A，茨城大^B，東大物性研^C　今井基晴，佐藤晃，今井庸二^A，鵜殿治彦^B，田島裕之^C

12: Electronic structure of Ba₂₄IV₁₀₀ (IV=Si and Ge) studied by soft x-ray XPS
WPI-AIMR Tohoku Univ.^A，Hiroshima Univ.^B，MITC Yamaguchi Univ.^C　Jun Tang^A，Jingtao Xu^A，Satoshi Heguri^A，Hiroshi Fukuoka^B，Syoji Yamanaka^B，Koji Akai^C，Katsumi Tanigaki^A

25日　HC会場　25pHC　13:30～17:15

領域5，領域7合同
光誘起相転移

1: 一次元ダイマーモット絶縁体β'-(BEDT-TTF)₂ICl₂における励起状態の超高速緩和過程
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C，埼玉大院理工^D　海野仁美^A，桜井洋平^A，深津猛^A，川上洋平^A，伊藤桂介^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，佐々木孝彦^B，C，谷口弘三^D

2: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Xにおけるコヒーレント分子内振動の超高速変調
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C　川上洋平^A，深津猛^A，桜井洋平^A，海野仁美^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^B，C，小林典男^C

3: 電荷秩序型絶縁体θ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄の赤外10fs分光
東北大院理^A，JST-CREST^B，分子研^C　桜井洋平^A，海野仁美^A，深津猛^A，石川貴悠^A，川上洋平^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，山本薫^C，薬師久弥^C

4: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Xにおけるダイマー配置の乱れによって誘起される強誘電ドメイン
奈良先端大物質^A，CREST-JST^B　五味広喜^A，B，池永昌弘^A，平木康浩^A，高橋聡^A，B，相原正樹^A

5: θ-(BEDT-TTF)₂CsZn(SCN)₄ の電荷秩序相におけるテラヘルツポンプテラヘルツプローブ分光
東大理，埼玉大理^A　坪田翔悟，渡邉紳一，谷口弘三^A，島野亮

6: 光誘起ダイナミクスが示す中性イオン性転移に対する分子内振動の役割
分子研，総研大，JST-CREST　米満賢治

休憩　（15:00～15:15)

7: 電子ドメイン成長過程におけるフォノン散乱効果II
KEK物構研　岩野薫

8: TTF-CAの光誘起中性-イオン性転移における電荷ー分子変形ー分子変位結合ダイナミクスII
東大院新領域^A，JST，CREST^B　上村紘崇^A，宮本辰也^A，岡本博^A，B

9: 二次元的電子構造を持つ有機電荷移動錯体M₂P-TCNQF₄の光誘起絶縁体-金属転移II
東大院新領域^A，産総研光技術^B，JST-CREST^C　松崎弘幸^A，大倉真明^A，堀内佐智雄^B，岡本博^A，B，C

10: (DMEDO-EBDT)₂PF₆における光誘起相転移の探索
東工大院理工^A，JST-CREST^B，東工大院総理工^C，愛媛大院理工^D　石川忠彦^A，B，蝶野彩^A，北山眞^A，田中貴裕^A，恩田健^B，C，沖本洋一^A，B，腰原伸也^A，B，森川徹^D，白旗崇^D，御崎洋二^D

11: 時間分解分子振動分光法を用いたEt₂Me₂Sb[Pd(dmit)₂]₂完全電荷分離相における光誘起現象の解明
東工大院^A，JST-CREST^B，阪大院^C，東理大^D，理研^E　深澤直人^A，石川忠彦^A，沖本洋一^A，腰原伸也^A，B，山本貴^C，田村雅史^D，加藤礼三^E，恩田健^A

12: 有機分子性強誘電体クロコン酸の光学スペクトルと非線形光学応答
東大院新領域^A，産総研光技術^B，JST，CREST^C　澤田亮人^A，上村紘崇^A，貴田徳明^A，堀内佐智雄^B，岡本博^A，B，C

13: 有機分子性強誘電体クロコン酸からの強誘電性を反映した高効率なテラヘルツ電磁波発生
東大工，東大新領域^A，産総研光技術^B，JST-CREST^C　五月女真人，貴田徳明^A，堀内佐智雄^B，岡本博^A，C

14: 有機分子性強誘電体クロコン酸からのテラヘルツ電磁波発生を用いた強誘電ドメインの可視化とベクトルマッピング
東大工，東大新領域^A，産総研光技術^B，JST-CREST^C　五月女真人，^○貴田徳明^A，堀内佐智雄^B，岡本博^A，C

25日　TA会場　25pTA　13:30～17:45

領域7
ディラック電子系

1: 磁場中での有機ゼロギャップ伝導体の伝導現象
東邦大理，東理大理工^A，理研^B，阪市大院理^C　佐藤光幸，三浦克哉，遠藤里実，菅原滋晴^A，田嶋尚也^B，村田惠三^C，西尾豊，梶田晃示

2: 圧力下、低温でのα-(BEDT-TTF)₂I₃の¹³C-NMR研究
学習院大理，理研^A　高田裕介，開康一，山本浩史^A，高橋利宏

3: α-(BEDT-TTF)₂I₃の高圧･低温下¹³C-NMR研究
東大院工，東理大理工^A　石川恭平，平田倫啓，宮川和也，田村雅史^A，鹿野田一司

4: 高圧下α-(BEDT-TTF)₂I₃における面垂直磁場下massless Dirac fermion状態の¹³C NMR測定
東大工物工，東理大理工^A　平田倫啓，石川恭平，宮川和也，鹿野田一司，田村雅史^A

5: α-(BEDT-TTF)₂I₃の圧力・磁場下比熱測定
東大物性研　鴻池貴子，内田和人，長田俊人

6: α-(BEDT-TTF)₂I₃の高圧下赤外反射測定
東北大金研^A，JST-CREST^B，神戸大理^C，山梨大医工^D，JASRI/SPring-8^E　佐々木孝彦^A，B，菅原洋紀^A，岡村英一^C，米山直樹^D，池本夕佳^E，森脇太郎^E，小林典男^A

7: 有機ゼロギャップ伝導体α-(BEDT-TTF)₂I₃のアニール効果
東邦大理^A，東理大理工物^B，理研^C　三浦克哉^A，佐藤光幸^A，遠藤里実^A，菅原滋晴^B，田村雅史^B，田嶋尚也^C，西尾豊^A，梶田晃示^A

8: 取　　消

9: 1軸ひずみ下でのα-[(S,S)-DMDH-TTP]₂AuI₂の温度依存性のない電気抵抗2
阪市大院理，兵庫県大院物質理^A，神奈川大工^B，電通大先進理工^C　久世哲嗣，横川敬一，吉野治一，市川俊^A，山田順一^A，相澤啓仁^B，黒木和彦^C，村田惠三

休憩　（15:45～16:00)

10: 多層Dirac電子系：エッジ効果と異常な電気的性質
理研，東邦大理^A，東理大理工^B　田嶋尚也，佐藤光幸^A，菅原滋晴^B，加藤礼三，西尾豊^A，梶田晃示^A

11: 低温強磁場における有機多層ディラック電子系のヘリカル表面状態
東大物性研　長田俊人，鴻池貴子

12: α-(BEDT-TTF)₂I₃のエッジ状態
兵庫県大物質理，熊本大教育^A　長谷川泰正，岸木敬太^A

13: α-(BEDT-TTF)₂I₃の電荷秩序相におけるディラック電子
名大高等院，名大理^A，Univ. Paris-Sud^B　小林晃人，鈴村順三^A，J.-N. Fuchs^B，G. Montambaux^B，F. Piechon^B

14: α型分子性導体における静水圧下でのディラック電子
名大理，名大高等院^A　鈴村順三，小林晃人^A

15: α-(BEDT-TTF)₂NH₄Hg(SCN)₄のベリー曲率とディラック電子
名大理，名大高等院^A　丁子丈士，小林晃人^A，鈴村順三

16: β"-(BEDT-TTF)₃(ClO₄)₂型塩のゼロギャップ状態判定条件
東工大院理工　森健彦

25日　TB会場　25pTB　13:00～17:00

領域7
ナノチューブ

1: 金属型・半導体型単層カーボンナノチューブネットワークにおける電気伝導特性
首都大理工，産総研^A，JST-CREST^B　鵜戸口浩樹，柳和宏，片浦弘道^A，B，松田和之，真庭豊^B

2: 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討
千葉大院融合　前田賢治，矢萩達朗，下園俊介，^○青木伸之，落合勇一

3: 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価
千葉大院融合，ニューヨーク州大電子工^A　浅野均，木田理夫，清野篤郎，伊藤慶，邱巧縁，青木伸之，J.P.バード^A，落合勇一

4: カーボンナノチューブの磁性と伝導の第一原理計算
金沢大理工，金沢大自然^A　石井史之，川崎智代^A，澤田啓介^A，斎藤峯雄

5: 窒素ドープカーボンナノチューブの反応性と電子構造の多様性
東工大理　藤本義隆，斎藤晋

6: 金属カーボンナノチューブの交流応答への欠陥の影響
東大院工　平井大介，山本貴博，渡邉聡

7: カイラルナノチューブにおける幾何構造・電子構造の詳細予測研究
東工大理　加藤幸一郎，是常隆，斎藤晋

休憩　（14:45～15:00)

8: ホールドープしたカーボンナノチューブにおけるバンドギャップ・リノーマリゼーション
京大化研，京大エネ研^A　松永隆佑，松田一成^A，金光義彦

9: (6,4)チューブの励起子間相互作用と非線形光学応答
名大院工，名大院理^A　小山剛史，宮田耕充^A，篠原久典^A，岸田英夫，中村新男

10: 金属カーボンナノチューブの発光
名大院工，産総研^A，名大院理^B　志水聖，小山剛史，斎藤毅^A，宮田耕充^B，篠原久典^B，中村新男

11: 半導体カーボンナノチューブのE₂₂、E₃₃励起子の緩和ダイナミクス
名大院工，名大院理^A　吉満翔平，小山剛史，宮田耕充^A，篠原久典^A，岸田英夫，中村新男

12: 金属型・半導体型単層カーボンナノチューブ薄膜における光電気化学測定
首都大理工^A，東北大^B，早大^C，産総研^D，JST-CREST^E　守屋理恵子^A，柳和宏^A，蓬田陽平^B，竹延大志^C，片浦弘道^D，E，内藤泰久^D，松田和之^A，真庭豊^A，E

13: 高密度光励起下におけるカーボンナノチューブ光学応答の理論的研究
筑波大数理，CREST　小鍋哲，岡田晋

14: カーボンナノチューブにおける垂直偏光励起子の波動関数
阪大光科学セ　安食博志

15: 垂直偏光に対する二層カーボンナノチューブの励起子吸収
北大工，東工大理^A　冨尾祐，鈴浦秀勝，安藤恒也^A

25日　TJ会場　25pTJ　13:30～17:00

領域7
ゼオライト・DNA

1: 金属をドープしたDNAの光吸収III
首都大理工　圓谷淳，伊吹依利子，坂本浩一，溝口憲治

2: 3d遷移金属FeをドープしたDNAの電子状態の解析
首都大東京　伊吹依利子，坂本浩一，溝口憲治

3: 1次元チャンネルを有するゼオライトL中のKクラスターの物性
阪大理　ファム・タン・ティ，中野岳仁，野末泰夫

4: ゼオライトLSXへのカリウムの圧入と結晶構造変化
阪大理，阪大極限セ^A　中野岳仁，下堂康太，加賀山朋子^A，野末泰夫

5: アルカリ金属を吸蔵したゼオライトにおけるスピン軌道相互作用の第一原理的評価
東大工，マックスプランク研^A，阪大理^B　有田亮太郎，野原善郎^A，中村和磨，中野岳仁，野末泰夫

6: ゼオライトLSX中の配列したNaクラスターの絶縁体金属転移
阪大理　尼子裕作，川野涼子，高見剛，中野岳仁，^○野末泰夫

7: アルカリ金属を吸蔵したLSX型ゼオライトにおける高温NMR特性
群馬高専，阪大理^A，物材機構^B，名大理^C　五十嵐睦夫，中野岳仁^A，後藤敦^B，端健二郎^B，清水禎^B，伊藤正行^C，水金貴裕^A，ファム・タン・ティ^A，野末泰夫^A

休憩　（15:15～15:30)

8: シアノ錯体における立方晶ー菱面晶構造相転移の起源
筑波大数理，JASRI^A　守友浩，松田智之，栗原佑太朗，金延恩^A

9: プルシアンブルー類似体における特異なイオン配列
筑波大数理，JASRI^A　松田智行，金廷恩^A，守友浩

10: Kイオン脱離に伴うMn-Mn系プルシアンブルー類似体の酸化反応
産総研^A，中央大院理工^B，東大工^C，東大理^D，東大新領域^E，東大総合文化^F　朝倉大輔^A，大久保將史^A，水野善文^A，B，工藤徹一^A，和達大樹^C，池戸一道^D，溝川貴司^D，E，岡澤厚^F，小島憲道^F，周豪慎^A

11: 第一原理計算による正方晶ボロンの構造探索
阪大産研　上村直樹，白井光雲

12: 正八面体対称ホウ素クラスターの構造安定性
物材機構　速水渉，大谷茂樹

13: ナノチャンネル中に閉ざされた水ナノチューブのプロトン伝導
東北大院理，東理大理^A　松井広志，藤掛洵朗，田所誠^A

26日　TA会場　26aTA　9:00～12:15

領域7，領域9合同
グラフェン

1: ポリイン(炭素鎖）のラマンスペクトルとNMRシフト
東北大理，東北大多元研^A，中国科学院IMR^B　齋藤理一郎，Md. M. Haque^A，A.R.N. Nugraha，L.C. Yin^B

2: 二層グラフェンの谷内散乱による二重共鳴ラマン強度
東北大理　佐藤健太郎，齋藤理一郎

3: SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱
NTT物性基礎研，徳島大工^A　関根佳明，日比野浩樹，小栗克弥，赤崎達志，影島博之，永瀬雅夫^A，山口浩司

4: エピタキシャル金属薄膜上CVD成長グラフェンのRamanスペクトル
パナソニック先端技術研　能澤克弥，松川望，豊田健治，吉井重雄

5: グラフェン端における光とフォノンの選択則
物材機構，東工大^A　佐々木健一，若林克法，榎敏明^A

休憩　（10:15～10:30)

6: 傾斜SiC上の埋め込まれたグラフェンナノリボンのラマン分光特性
九大院工，東大物性研^A　上原直也，森田康平，栗栖悠輔，^○田中悟，中辻寛^A，小森文夫^A

7: 微傾斜SiC上グラフェンの電子状態
東大物性研，九大院工^A　吉村継生，中辻寛，森田康平^A，上原直也^A，栗栖悠輔^A，田中悟^A，小森文夫

8: ナノグラフェンのX線吸収スペクトルへの水素終端の影響
東京工大工，原子力機構放射光^A，北陸先端大^B，東大工^C　Z. Hou，X. Wang，池田隆司^A，S-F. Huang^B，^○寺倉清之^B，尾嶋正治^C，柿本雅明，宮田清藏

9: 電気化学的ドーピングによるナノグラフェンの磁性制御
東工大院理工　藤間崇，高井和之，木口学，榎敏明

10: 長周期グラフェンナノリボンのフラットバンド形成に関する転送行列による解析
千葉大普遍，千葉大理^A　藤本茂雄，富田竜太郎^A，夏目雄平^A

11: グラフェンコーナーエッジにおけるエッジ状態
広大先端研，物材機構^A，PRESTO^B　下村祐司，岡田真梨，高根美武，若林克法^A，B

12: ねじれたジグザググラフェンナノリボンの第一原理スピン伝導計算
富士通研，北陸先端大^A　大淵真理，實宝秀幸，尾崎泰助^A

26日　TB会場　26aTB　9:00～12:30

領域7
π-d系

1: λ-(BETS)₂FeCl₄系における常磁性金属-反強磁性絶縁体転移III
東邦大理，日大文理^A　松崎祐介，北村竜一，秋葉宙，登健人，西尾豊，梶田晃示，周彪^A，小林昭子^A，小林速男^A

2: λ(BETS)系の常磁性金属-反強磁性絶縁体転移
東邦大理^A，理研^B，日大文理^C　秋葉宙^A，登健人^A，松崎祐介^A，西尾豊^A，梶田晃示^A，加藤礼三^B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

3: 動的外場を用いたπ-d系分子性導体の相制御研究
理研，東北大金研^A，物材機構^B，NHMFL^C，日大文理^D　大島勇吾，野尻浩之^A，宇治進也^B，徳本貴久^C，J.S. Brooks^C，H.-B. Cui，加藤礼三，小林昭子^D，小林速男^D

4: ジクロロ鉄フタロシアニン伝導体の巨大負磁気抵抗と電流-電圧特性
東大物性研，北大理^A，熊大自然^B，岡山大理^C　吉田泰輔，田島裕之，木俣基，D.E.C.Yu^A，内藤俊雄^A，稲辺保^A，松田真生^B，花咲徳亮^C

5: TPP[Fe(Pc)(CN)₂]₂における電荷秩序と磁気秩序IV
東大物性研，熊本大理^A，岡山大理^B，北大院理^C　森宏文，瀧川仁，松田真生^A，花咲徳亮^B，田島裕之，内藤俊雄^C，稲辺保^C

6: 巨大磁気抵抗を示すフタロシアニン分子系伝導体における電荷秩序の磁場中融解
岡山大院自然，熊本大院自然^A，東大物性研^B，北大院理^C　立石拓麻，花咲徳亮，野上由夫，松田真生^A，田島裕之^B，瀧川仁^B，内藤俊雄^C，稲辺保^C

7: 鉄―フタロシアニン化合物におけるg因子の異方性とπ―d相互作用の起源に関する理論的研究
東大理，阪大基礎工^A，東理大^B　松浦弘泰，小形正男，三宅和正^A，福山秀敏^B

8: (EDT-TTFVO)₂FeBr₄の低温における磁気トルクと磁気抵抗
筑波大院^A，物材機構^B，大阪府大院^C　小玉恒太^A，B，栗田伸之^B，原田敦之^B，土屋聡^B，寺嶋太一^B，宇治進也^B，A，野口悟^C，杉本豊成^C

休憩　（11:00～11:15)

有機超伝導

9: 部分重水素置換κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの超伝導ギャップ2：STM分光
北大院理，北大院工^A　岡雄基，阿部良太，延兼啓純，松永悟明，野村一成，市村晃一^A，河本充司

10: κ-型有機超伝導体の圧力下熱容量測定
阪大院理　村岡佑樹，段田麻佑，山本貴，中澤康浩

11: 2次元有機超伝導体における面内磁場による位相ゆらぎ超伝導
物材機構，兵庫県大物質理^A，筑波大数理物質^B　土屋聡，山田順一^A，寺嶋太一，原田淳之，栗田伸之，小玉恒太^B，宇治進也^B

12: 10K級新型有機超伝導体!LaTeX$\kappa$-$\delta$-(BEDT-TTF)_2_Ag(CF_3_)_4_(TCE)のフェルミ面
東工大院理工，物材機構^A，アルゴンヌ国立研^B　川本正，森健彦，宇治進也^A，John A. Schlueter^B

13: Orientation Dependence of Uniaxial Strain on the Superconductivity of β-(BDA-TTP)₂I₃
阪市大院理，首都大理工^A，首都大院理工^B　Md.Nuruzzaman，吉本治男^A，横川敬一，吉野治一，菊地耕一^B，村田惠三

26日　TJ会場　26aTJ　9:00～13:00

領域7
分子性固体・高圧物性

1: A synthetic method for doping organic semiconductor: anthracene, tetracene, pentacene
Tohoku Univ.^A，Tohoku Univ. WPI^B　Quynh Phan^A，Satoshi Heguri^A，Junichi Ikeda^A，Yoichi Tanabe^A，B，Katsumi Tanigaki^A，B

2: カリウム金属添加ピセン化合物のX線回折と磁化率
兵庫県大院物質理^A，東北大院理^B，東北大WPI^C　藤原佑樹^A，平郡諭^B，谷垣勝己^B，C，小林本忠^A

3: 様々な濃度のKドープピセンの第一原理的電子状態と構造最適化
東大院理，産総研ナノシステム^A，東大工^B，CREST^C　小杉太一^A，三宅隆^A，C，石橋章司^A，有田亮太郎^B，C，青木秀夫

4: アルカリ金属ドープピセン及びピセンの粉末構造解析
名大院工，岡大院自然^A　西堀英治，佐藤恵里奈，澤博，神戸高志^A，久保園芳博^A

5: アルカリドープフラーレンA₃C₆₀の比熱
東大院工^A，Durham Univ.^B，JST-CREST^C　笠原裕一^A，竹内裕紀^A，Kosmas Prassides^B，岩佐義宏^A，C

6: Syntheses and physical properties of K doped coronene
Okayama Univ.　Xuexia He，Xuesong Lee，Hiroki Mitamura，Hiroki Tsutakawa，Ritsuko Eguchi，Takashi Kambe，Yoshihiro Kubozono

7: 多環芳香族炭化水素の超伝導II
防衛大応物^A，首都大理工^B　清水文比古^A，菊地耕一^B，畑慶明^A，澤井真也^A，^○徳本圓^A

休憩　（10:45～11:00)

8: 分子性結晶におけるピコ秒光誘起電磁パルス
兵庫県大院物質理　岡崎勇樹，長谷川尊之，高木芳弘

9: 粉末サリチル酸二量体のテラヘルツ帯振動スペクトルと温度依存性の解釈
東北大院農，理研仙台　高橋まさえ，石川陽一，伊藤弘昌

10: メタン-プロパン混合ガスハイドレートの高圧ラマン散乱
岐阜大工　佐々木重雄，高橋優太，久米徹二，清水宏晏

11: ハロゲンincommensurate相のフォノン計算
阪大ナノセ，鳥取大工^A，弓削商船高専^B　下司雅章，長柄一誠^A，向瀬紀一郎^B

12: 高密度B₂H₆の第一原理計算
東北大通研，Cornell Univ.^A　阿部和多加，N.W. Ashcroft^A

13: 第一原理計算による、高圧下でのCuAlO₂のエネルギーギャップの研究
阪大基礎工　中西章尊，吉田博

14: 高圧縮カルシウムにおける単純立方相の安定性に関する第一原理的研究
関西大システム理工，鳥取大工^A　石河孝洋，長柄一誠^A，鈴木直

15: 磁気並進・回転運動に基づく単一粒子の磁化測定および物質識別の試み
阪大理　久好圭司，桑田健登，植田千秋

26日　HD会場　26pHD　13:30～16:55

領域5，領域7，領域4合同シンポジウム
主題：光励起の素過程と平衡からはるか遠くの相転移パラダイム

1: はじめに
名大院工　中村新男

2: 共鳴光学過程における量子相関と緩和現象のダイナミックス
奈良先端大物質　相原正樹

3: 高密度電子正孔系の物質相－励起子ガスの基底状態を求めて
東大院工　五神真

4: 光励起による自発的並進対称性破綻の量子動力学
高エネ機構物構研　那須奎一郎

休憩　（15:10～15:25)

5: 自己束縛励起子から光誘起構造相転移へ
阪大産研　谷村克己

6: 電荷移動から始まる格子の再構成－遷移金属錯体における光誘起現象
東大物性研　末元徹

7: 光誘起相転移研究の動的構造観測手法による展開
東工大院理工　腰原伸也

26日　HE会場　26pHE　13:30～14:30

領域3，領域8，領域7，領域11
合同講演

1: フラストレーションが創る新しい物性
阪大院理　川村光

26日　TA会場　26pTA　13:30～16:45

領域4，領域7合同シンポジウム
主題：ディラック電子系の物性

1: 場の理論から見たディラック電子
東大物性研　押川正毅

2: グラフェンにおけるディラック電子
東大理　青木秀夫

3: 分子性導体におけるディラック電子
理研　田嶋尚也

休憩　（15:00～15:15)

4: ビスマスにおけるディラック電子
阪大　伏屋雄紀

5: トポロジカル絶縁体とディラック電子～結晶の時空変形の効果
物材機構　田中秋広

6: 鉄系超伝導におけるディラック電子
東北大理　佐藤宇史

26日　TB会場　26pTB　13:30～17:45

領域7
擬一次元系

1: レーザー光電子分光を用いた低次元有機導体の研究：TTF-TCNQ,TSF-TCNQ
東大物性研，東大工^A，阪大院基礎工^B，理研^C　小泉健二，石坂香子^A，木須孝幸^B，加藤礼三^C，辛埴

2: (TMTCF)₂XのCDW/COのX線放射光観察1
岡山大院自然，東大院総合文化^A，KEK-PF/CMRC^B　野上由夫，戸田敦基，近藤隆祐^A，花咲徳亮，神戸高志，中尾朗子^B

3: (TMTTF)₂SCNの電子状態と磁気相関の解明～リエントラント反強磁性の構造学的理解～
総研大^A，分子研^B　杉浦晃一^A，古川貢^A，B，中村敏和^A，B

4: 圧力下磁化率測定による(TMTTF)₂SbF₆のスピン状態の解明
日大医，理研^A，東大物性研^B，分子研^C　糸井充穂，石井康之^A，松林和幸^B，上床美也^B，中村敏和^C

5: 高圧力下における(TMTSF)₂FSO₃の陰イオンダイナミクス：¹⁹F-NMR
学習院大理，梨花女子大^A，順天大^B　谷島章雄，薩川秀隆，開康一，高橋利宏，Haeyong Kang^A，Y.J. Jo^A，W. Kang^A，O.H. Chung^B

6: (TMTCF)₂Xのスピン密度波相における非線型電気伝導
北大院理　駒田智也，宮澤雅臣，山本真生，^○松永悟明，野村一成

7: (TMTTF)₂Brの静水圧力,1軸ひずみ下の非線形伝導
阪市大院理，分子研^A，フロリダ大NHMFL^B　横川敬一，吉野治一，中村敏和^A，James S. Brooks^B，村田惠三

休憩　（15:15～15:30)

8: (TMTSF)₂ClO₄の強磁場SDW相での短周期振動現象
物材機構^A，筑波大数理^B，東大物性研^C，兵庫県大^D，NHMFL^E　宇治進也^A，B，森山悟士^A，木俣基^C，山田順一^D，D. Graf^E，J. S. Brooks^E

9: (TMTSF)₂ClO₄の圧力印加によるフェルミ面の変化
東邦大理，北大院理^A　鈴木勝博，矢倉大資，佐藤光幸，内藤俊夫^A，西尾豊，梶田晃示

10: HMTSF-TCNQの圧力下、磁場誘起相の詳細角度依存性
阪市大理，梨花女子大^A，東北大金研^B，理研^C　増田耕育，久世哲嗣，横川敬一，Woun Kang^A，Soyoon Lee^A，吉野治一，佐々木孝彦^B，加藤礼三^C，村田惠三

11: α-(BEDT-TTF)₂KHg(SCN)₄における混合密度波状態
北大院工　上遠野一広，市村晃一，河島佑樹，山谷和彦，丹田聡

12: 擬一次元分子性導体の電荷秩序に対する乱れの効果
奈良女子大院人間文化　吉岡英生

13: TMTTF塩における電荷秩序による次元制御と磁気基底状態の競合
産総研 NRI "RICS"，東大理^A，理研基幹研^B，JST-CREST^C，Dept. of Phys. and Astronomy，UCLA^D　吉見一慶^A，妹尾仁嗣^B，C，石橋章司，Stuart E. Brown^D

14: 擬1次元電子系電荷秩序・ダイマーモット相のスピンパイエルス・反強磁性転移における鎖間ホッピングの効果
東理大総合研　横山健

15: 電子相関を取り入れた二次元パイエルス状態における格子歪みの数値的変分計算
阪市大工　松本祐樹，寺井章

16: 擬1次元1/4充填電子系における分数電荷ソリトンの運動II
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B　廣川健一^A，小野嘉之^A，B

26日　TJ会場　26pTJ　14:00～17:00

領域7
フラーレン

1: 単一C₆₀分子の直接観察
筑波大応理^A，筑波大院数理^B　中村大輔^A，増田秀樹^B，木塚徳志^B

2: フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価
千葉大院融合　土井達也，小山恭平，青木伸之，落合勇一

3: フラーレンナノウィスカーのラマン分光測定(II)
物材機構　加藤良栄，宮澤薫一

4: 垂直配向フラーレンマイクロチューブの作製
横浜市大，物材機構^A　栗山遼太，^○宮澤薫一^A，橘勝

5: 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性
千葉大院融合　小山恭平，土井達也，青木伸之，落合勇一

6: 炭素系超伝導体の有効相互作用の第一原理評価
東大工　野村悠祐，中村和磨，有田亮太郎

休憩　（15:30～15:45)

7: ガス中蒸発法を用いたコバルト内包カーボンナノカプセルの合成
筑波大院数理　松浦大輔，木塚徳志

8: Li内包フラーレンLi@C₆₀及びそのPF⁶塩の光電子スペクトル
愛媛大院理工，イデアルスター開発部^A　八木創，小笠原直子，善木将嗣，宮崎隆文，才田守彦^A，山下冬子^A，日野照純

9: フラーレン内包クラスターの構造-紫外光電子スペクトルと理論計算-
愛媛大院理工　宮崎隆文，青木雄祐，大北壮祐，八木創，日野照純

10: 多軌道効果によるフラーレン化合物の電子秩序と金属絶縁体転移
東北大院理　山崎智史，倉本義夫

11: BNナノチューブに内包されたアルカリドープフラーレンの電子状態
東工大理，Univ. of California Berkeley^A，　是常隆，斎藤晋，Jesse Noffsinger^A，Marvin. L. Cohen^A

27日　TA会場　27pTA　13:30～16:50

領域7シンポジウム
主題：「グラフェン物性の新展開」

1: はじめに
東工大院理工　安藤恒也

2: ナノグラフェンとそのエッジの幾何学構造に依存した電子状態・磁性
東工大院理工　榎敏明

3: グラフェンナノリボンとナノ細孔グラフェン：エッジと電子物性
青学大理工　春山純志

4: 走査トンネル分光法で探るグラフェンとグラファイト表面の電子状態
東大院理　福山寛

5: グラフェンナノリボン・エッジ電子物性の理論
物材機構MANA　若林克法

休憩　（15:20～15:35)

6: 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造
東大工　樽茶清悟

7: グラフェン接合系における量子ホール端伝導
東大物性研　長田俊人

8: グラフェンの量子物性ーディラック点における特異な物理
東北大理　越野幹人

27日　TB会場　27pTB　13:30～16:45

領域7，領域8合同
電界効果／発光　トランジスタ

1: SrTiO₃における電界誘起超伝導の2次元性
東北大金研，東北大WPI^A，京大院理^B，東大院工^C，CREST-JST^D　野島勉，上野和紀^A，米澤進吾^B，川崎雅司^A，D，前野悦輝^B，岩佐義宏^C，D

2: 電界による酸化亜鉛への高濃度キャリア蓄積状態の第一原理計算
東北大院理^A，筑波大院数物^B，東大院工^C，JST-CREST^D　尹聖在^A，岡田晋^B，D，下谷秀和^C，D，岩佐義宏^C，D

3: Tuning Electronic Properties of Metal Chalcogenides with Liquid Gated Electric-Double-Layer Transistors
QPEC，Univ. of Tokyo^A，Nanyang Tech. Uni.^B，Brown Univ.^C　H.T. Yuan^A，K. Morimoto^A，H. Shimotani^A，M. Toh^B，F.X. Wei^B，W.L. Tan^C，C. Kloc^B，Y. Iwasa^A

4: WSe₂電界効果トランジスタ動作の結晶依存性
阪大基礎工^A，JSTさきがけ^B　吉田茂^A，中村浩之^A，B，木村剛^A

5: イオン液体を用いたカーボンナノチューブ両極性トランジスタ
電中研^A，理研^B，東大^C，フローニンゲン大^D　小野新平^A，B，中野匡規^B，畑野敬史^B，岩佐義宏^B，C，Jia Gao^D，Maria Loi^D

6: 金属・半導体分離単層カーボンナノチューブ薄膜の電気二重層トランジスタ
東大工^A，JST-CREST^B，東北大理^C，首都大理工^D，早大先進^E，JSTさきがけ^F　下谷秀和^A，B，津田諭^C，袁洪涛^A，B，蓬田陽平^C，守屋理恵子^D，竹延大志^E，F，柳和宏^D，岩佐義宏^A，B

休憩　（15:00～15:15)

7: 有機単結晶を用いた電気二重層発光トランジスタ
東北大理，早大先進^A，PRESTO^B，電中研^C，東大工^D，CREST^E　蓬田陽平，竹延大志^A，B，Di Wen^A，小野新平^C，下谷秀和^D，岩佐義宏^D，E

8: Organic Light Emitting Transistor with Embedded Optical Resonator
Tohoku Univ.^A，Waseda Univ.，PRESTO^B，Kyoto Inst. Tech.^C，Univ. of Tokyo，CREST^D　Satria Zulkarnaen Bisri^A，Taishi Takenobu^B，Kosuke Sawabe^A，Takeshi Yamao^C，Shu Hotta^C，Yoshihiro Iwasa^D

9: イオンゲルを用いたルブレン単結晶トランジスタの電場誘起ESR
筑波大院数物^A，JSTさきがけ^B，東北大院理^C，早大院先進^D，東大院工^E　丸本一弘^A，B，辻大毅^A，高橋優貴^A，蓬田陽平^C，竹延大志^D，B，岩佐義宏^E

10: ポリマーデバイス内における電場作用下の励起子解離ダイナミクス
大阪市大理^A，CREST-JST^B　福永篤志^A，鐘本勝一^A，B，小澄大輔^A，橋本秀樹^A，B

11: CELIV法による有機薄膜太陽電池の物性評価
東大物性研　鈴木智彦，田島裕之，木俣基

12: 分子超格子のデバイス物性と励起子挙動
筑波大数理物質^A，物材機構^B，茨城高専^C　廣芝伸哉^A，B，森本健太^A，早川竜馬^B，知京豊裕^B，若山裕^B，森龍男^C，松石清人^A

27日　TG会場　27pTG　13:15～18:00

領域7
モット転移・スピン液体・金属錯体

1: 部分重水素置換したκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brのエックス線照射効果
東北大金研^A，山梨大医工^B，JST-CREST^C　原口智樹^A，佐々木孝彦^A，C，米山直樹^B，C，小林典男^A

2: エックス線照射したκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの赤外反射スペクトル測定
東北大金研^A，JST-CREST^B，山梨大医工^C　菅原洋紀^A，佐々木孝彦^A，B，米山直樹^C，小林典男^A

3: X線照射されたκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの¹H NMR
東大工，東北大金研^A，JST-CREST^B，山梨大医工^C　宮川和也，佐々木孝彦^A，B，米山直樹^A，C，小林典男^A，鹿野田一司

4: 有機Mott絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Clに対する静電キャリアドーピング
東邦大理^A，理研^B，JSTさきがけ^C　上野純^A，B，山本浩史^B，C，加藤礼三^B

5: ダイマーモット絶縁体β’-(BEDT-TTF)₂ICl₂のテラヘルツ時間領域分光
東北大院理^A，JST-CREST^B，情通機構^C，東北大金研^D，埼玉大^E　伊藤桂介^A，中屋秀貴^A，安生皓平^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，齋藤伸吾^C，佐々木孝彦^D，B，谷口弘三^E

6: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Xのラマン散乱スペクトル
名大院工^A，JST CREST^B，東北大金研^C，山梨大医工^D　中村優斗^A，岸田英夫^A，B，中村新男^A，B，佐々木孝彦^B，C，米山直樹^B，D，小林典男^C

7: 部分分子置換したκ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃におけるT^*近傍での静磁化率
山梨大院工，JST-CREST^A，東北大金研^B　米山直樹^A，佐々木孝彦^A，B，小林典男^B

8: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の静水圧下電気抵抗測定による相図決定2
東大工　古川哲也，羽柴寛，宮川和也，鹿野田一司

9: Spin-frustration suppressed by anisotropic pressures in the spin liquid candidate κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃
RIKEN^A，Waseda Univ.^B，Tohoku Univ.^C　M. Abdel-Jawad^A，N. Tajima^A，R. Kato^A，I. Terasaki^B，T. Sasaki^C，N. Yoneyama^C，N. Kobayashi^C

休憩　（15:30～15:45)

10: 量子ダイポールとスピン液体
京産大理　堀田知佐

11: 三角格子Mott絶縁体スピン液体物質EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の単一単結晶¹³C-NMR
京大人環，北大電子研^A，理研^B　久保田健朗，伊藤哲明，小山田明，西山昌秀，前川覚，久保和也^A，加藤礼三^B

12: カンチレバーを用いたスピン液体物質EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の極低温磁化率測定
京大理，理研^A　渡邊大樹，千秋義紀，山下穣，芝内孝禎，松田祐司，大島勇吾^A，山本浩史^A，加藤礼三^A

13: X[Pd(dmit)₂]₂混晶塩の量子スピン液体における熱異常
理研，阪大院理^A　山下智史，福岡修平^A，中澤康浩^A，加藤礼三

14: Pd(dmit)₂塩の圧力下における熱的性質
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^D　田中友樹^A，佐々木和彦^A，松崎祐介^A，木村仁祥^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，D

15: β-Me₄N[Pd(dmit)₂]₂の圧力下における¹³C-NMR測定
学習院大理，理研^A　大塚慶，鷹野芳樹，開康一，高橋利宏，加藤礼三^A

16: 金属挙動を示す[Pd(dmit)₂]塩の赤外スペクトル
阪大院理^A，分子研^B，理研^C　山本貴^A，中澤康浩^A，薬師久弥^B，崔亨波^C，加藤礼三^C

17: 単一分子種伝導体[Au(tmdt)₂]の高圧物性
東大工，日大文理^A　高木里奈，宮川和也，鹿野田一司，周彪^A，小林昭子^A，小林速男^A

18: M(tmdt)₂ (M=Ni, Au, Cu)の多軌道モデル化と磁気状態
理研基幹研，JST-CREST，産総研ナノシステム^A，東理大理^B，東理大総合研^C，北陸先端大融合院^D　妹尾仁嗣，石橋章司^A，大塚雄一，福山秀敏^B，C，寺倉清之^D

28日　TA会場　28aTA　9:00～11:45

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 架橋グラフェンジョセフソン接合の作製と電界効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C，秋田大教育文化^D，奈良女大理^E　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，豊田行紀^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C，林正彦^D，吉岡英生^E

2: 宙吊りグラフェンの低温伝導測定
広大先端　八木隆多，下村翠，深田誠也

3: 平行磁場下の単層グラフェンの磁気抵抗
中大理工　汪，白石沙代，佐野和也，根間裕史，若林淳一

4: 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗
中大理工　佐野和也，白石沙代，汪ウンジュン，根間裕史，若林淳一

5: 単層／2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定
東大物性研　佃明，長田俊人，奥永洋夢，内田和人，鴻池貴子

6: 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II
東大物性研　奥永洋夢，佃明，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

7: 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導
東大物性研　内田和人，鴻池貴子，長田俊人

休憩　（10:45～11:00)

8: 2層グラフェンにおける電気伝導：長距離ポテンシャルをもつ散乱体の場合
東工大院理工　安藤恒也

9: 2層ナノグラフェン，BN系等における電子密度分布
産総研ナノシステム　針谷喜久雄，今村裕志

10: 多層graphene電子系におけるmeron結晶状態
東大総合文化　櫻井靖久，吉岡大二郎

28日　TK会場　28aTK　9:00～12:30

領域7
新物質・高圧物性

1: ET銀塩の多形(II)
岡大自然　大嶋孝吉，金美淑

2: 層間横磁気抵抗による擬2次元有機導体のフェルミ面形状決定
東理大理工　鈴木健太，^○菅原滋晴，田村雅史

3: 新規τ型有機伝導体τ-(S,S-DMeET)₂(AuBr₂)_1+yおよびτ-(ETO-R,R-DMEDT-TTF)₂(AuBr₂)_1+yの熱電性能指数
阪市大院理，東大物性研^A，Theoretical and Phys. Chemistry Inst.，Nat’l. Hellenic Res. Foundation (Greece)^B　仲田春紀，吉野治一，S.J. Krivickas^A，森初果^A，G.C. Papavassiliou^B，村田惠三

4: 単成分π共役系分子性固体の超高圧力下電気抵抗測定
阪大極限セ　奥本健太郎，坂田雅文，^○中本有紀，清水克哉

5: 圧力下サイクロトロン共鳴測定技術の開発とその応用
神戸大院理，神戸大研究基盤セ^A，神戸大分子フォトセ^B　後藤亮二，櫻井敬博^A，大久保晋^B，太田仁^B

6: β'-ET₂ICl₂の電子状態の解明に向けた高圧化ESR装置の開発IV
首都大，埼玉大^A，産総研^B　谷口尚，高倉寛史，溝口憲治，坂本浩一，谷口弘三^A，竹下直^B

7: 吸収曲線測定用低周波ESR装置の開発
首都大理　藤巻俊登，谷口尚，坂本浩一，溝口憲治

休憩　（10:45～11:00)

中性－イオン性転移

8: TTF-QBrCl₃の自発分極の第一原理計算
産総研ナノシステム，産総研光技術^A，北陸先端大融合院^B　石橋章司，堀内佐智雄^A，熊井玲児^A，寺倉清之^B

9: 電荷移動錯体における中性イオン性転移の数値的研究
理研基幹研，JST-CREST，東大理^A，産総研ナノシステム^B，東大物性研^C　大塚雄一，妹尾仁嗣，吉見一慶^A，B，加藤岳生^C

10: TTF-CAの電場下ドメイン構造
CMRC KEK/PF^A，産総研^B，東大院工^C，理研^D　小林賢介^A，熊井玲児^A，B，堀内佐智雄^B，村上洋一^A，十倉好紀^B，C，D

11: 1軸圧下における中性‐イオン性転移物質TTF-CAの電気抵抗率異方性
東大工，東大新領域^A，埼玉大^B，東大物性研^C　竹原陵介，宮川和也，鹿野田一司，岡本博^A，上村紘崇^A，松崎弘幸^A，谷口弘三^B，松林和幸^C，上床美也^C

12: 中性-イオン性転移物質TTF-QCl₄の圧力下スピン状態II
東大工，東大新領域^A　西川哲郎，宮川和也，鹿野田一司，松崎弘幸^A，上村紘崇^A，岡本博^A

13: 共有結合一次元金属錯体[{Ru2(O2CPh-F4)4}(DMDCNQI)] における逐次中性イオン性転移
東北大多元研，東北大理^A　佐賀山基，有馬孝尚，本川菜津子^A，千代多実子^A，竹村美保^A，宮坂等^A，山下正廣^A

28日　TN会場　28aTN　9:00～12:00

領域7
界面デバイス

1: 有機半導体のホール効果とキャリアのコヒーレンス
阪大産研，阪大院理^A　植村隆文，山岸正和^A，添田淳史^A，高槻有一^A，岡田悠悟^A，中澤康浩^A，竹谷純一

2: 単結晶有機半導体のホール伝導度計算
筑波大数物，阪大産研^A，NEC^B　石井宏幸，小林伸彦，植村隆文^A，竹谷純一^A，広瀬賢二^B

3: 有機単結晶電界効果トランジスタの圧力下伝導特性
阪大院理，阪大産研^A　岡田悠悟，山岸正和，三輪一元^A，竹谷純一^A

4: picene単結晶を用いた有機FETの基本特性と物性制御
岡山大院自然　河相暢幸，小川景子，加地由美子，赤池幸紀，江口律子，久保園芳博

5: 高誘電固体絶縁膜を使った有機芳香族FETの基本特性
岡山大理，倉元製作所^A，岡山大院自然^B，東北大院理^C　小川景子，菅原保幸^A，及川昌平^A，加地由美子^B，江口律子^B，野内亮^C，谷垣勝己^C，久保園芳博^B

6: 有機ヘテロ界面における電荷移動と伝導層の形成
東北大理^A，東北大WPI^B　渡辺裕樹^A，野内亮^B，秦俊樹^A，谷垣勝己^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: C₈-BTBTのFETデバイスにおける電場誘起ESR信号のシミュレーション解析
名大院工，産総研ナノシステム^A，広大院工^B　黒田新一，小塚真人，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，下位幸弘^A，瀧宮和男^B

8: ポリフェニレンビニレン誘導体FETにおけるキャリアの電場誘起ESR観測
名大院工，筑波大院数物^A　田中久暁，尾藤芳彦，渡辺峻一郎，丸本一弘^A，黒田新一

9: フルオレンービチオフェン共重合体に対するオリゴマー計算
産総研ナノシステム，名大院工^A　下位幸弘，田中久暁^A，黒田新一^A

10: 有機薄膜デバイスにおける光電流の巨大電子スピン共鳴応答
阪市大院理^A，CREST-JST^B　松岡秀展^A，鐘本勝一^A，橋本秀樹^A，B

11: 固体-固体界面におけるイオン伝導と電子伝導の同時測定
筑波大数理，筑波大学際物質セ^A　柴田恭幸，上岡隼人^A，守友浩

28日　TA会場　28pTA　13:00～16:15

領域7，領域9合同
グラフェン

1: グラフェンシート中への窒素ドープによるカーボンナノウォール伝導特性の変化
東大新領域　大澤一明，^○斉木幸一朗

2: 金属基板上に成長するグラフェンへのヘテロ原子ドーピング
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

3: アンモニア雰囲気下で成長した窒素ドープグラフェンの構造解析
東大院理^A，東大院新領域^B　小幡誠司^A，斉木幸一朗^A，B

4: Pt(111)表面上における水素化グラフェンの構造と電子状態
理研^A，東大新領域^B　金有洙^A，高見剛史^A，B，本林健太^A，B，岡田智成^A，B，川合眞紀^B

5: Kドープした2層グラフェン/H-SiCの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

6: 周期的に構造修飾したグラフェンの電子構造
東工大理　櫻井誠大，斎藤晋

休憩　（14:30～14:45)

7: 金属表面に吸着したグラフェン及びカーボンナノチューブの電子構造：現象論
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

8: 自己組織化単分子膜を用いたグラフェンのキャリア制御
東工大院理工　横田一道，高井和之，榎敏明

9: Energetics and electronic structures of graphene adsorbed on (0001) surfaces of SiO₂ substrate
産総研^A，筑波大^B，CREST^C　Nguyen Thanh Cuong^A，C，大谷実^A，C，岡田晋^B，C

10: HfO₂表面に吸着したグラフェンの電子構造
筑波大数理物質^A，物材機構^B　神谷克政^A，梅澤直人^B，岡田晋^A

11: 金属基板によるグラフェンの電子構造変調
筑波大計科セ^A，CREST^B　高木祥光^A，B，岡田晋^A，B

12: 基板上グラフェンにおける磁性と伝導特性
金沢大自然^A，金沢大理工^B，北陸先端大^C　澤田啓介^A，石井史之^B，斎藤峯雄^B，尾崎泰助^C

28日　TB会場　28pTB　13:30～15:10

領域7
若手奨励賞受賞記念講演

1: 2010年度領域7若手奨励賞受賞
阪市大院理　村田惠三

2: NMRによるフラストレート三角格子X[Pd(dmit)2]2系における新奇磁性・超伝導の研究
京大院人間環境　伊藤哲明

3: 擬2次元有機導体における金属絶縁体転移とその臨界性に関する輸送・磁気特性の研究
東大院工　物工　賀川史敬

4: 低次元構造の原子分解能観測による構造物性研究
阪大基礎工　若林裕助

28日　TN会場　28pTN　13:00～16:30

領域7
分子デバイス

1: エピタキシャル成長させた遷移金属シアノ錯体積層膜の整流特性
筑波大数理　栗原佑太朗，守友浩

2: 取　　消

3: LBIC法による有機半導体単結晶の励起子拡散・電荷分離測定
産総研光技術，東大新領域^A　堤潤也，山田寿一，松井弘之^A，長谷川達生

4: ペンタセン単結晶電気二重層トランジスタによる電荷変調分光
富士電機ホールディングス，産総研光技術^A，東大新領域^B　金井直之，Simon Haas^A，松井弘之^A，^B，山田寿一^A，堤潤也^A，長谷川達生^A

5: 有機薄膜トランジスタにおける微結晶内-微結晶間キャリヤダイナミクスの分離
産総研光技術^A，東大新領域^B，住化分析セ^C，山形大工^D，広大工^E，理研^F，RRC Kurchatov Inst.^G　松井弘之^A，B，高橋永次^A，C，熊木大介^D，時任静士^D，瀧宮和男^E，Andrei S. Mishchenko^F，G，長谷川達生^A

6: 単結晶有機半導体薄膜のダブルショット・インクジェット印刷
産総研光技術^A，東大新領域^B　峯廻洋美^A，松井弘之^A，B，堤潤也^A，Simon Haas^A，熊井玲児^A，山田寿一^A，長谷川達生^A

7: 高移動度導電性高分子PBTTTの低温4端子電界効果トランジスタ測定
名大院工　伊東裕，野崎智史，山田悠真，渡辺峻一郎，田中久暁，黒田新一

休憩　（14:45～15:00)

8: 多層グラフェン上におけるペンタセン薄膜の物理吸着
千葉大融合　山本真幸，F. Bussolotti，解良聡，上野信雄

9: 化学修飾したSi(100)表面におけるペンタセンの薄膜成長とエネルギーレベルアラインメント
東大物性研　亀島一輝，向井孝三，吉本真也，^○吉信淳

10: 独立駆動型4探針装置によるペンタセン薄膜のトランジスタ特性測定
東大物性研　吉本真也，亀島一輝，向井孝三，吉信淳

11: フタロシアニン結晶膜における狭い分子間エネルギーバンド分散の観測
分子研光分子，分子研物質分子^A　山根宏之，池滝何以^A，嘉治寿彦^A，平本昌宏^A，小杉信博

12: 有機単結晶/電極界面における電荷注入障壁のスイッチング
東北大理^A，東北大WPI^B，東北大薬^C　山田直^A，野内亮^B，重野真徳^C，山口雅彦^B，C，谷垣勝己^A，B

13: マスク移動装置を用いた有機薄膜素子の作製
東大物性研　清水智子，磯崎晶，木俣基，田島裕之