領域4

25日　HD会場　25aHD　9:00～12:15

領域4
グラフェン・量子細線

1: 長距離不純物のあるグラフェンにおける軌道反磁性
東工大院理工　野呂昌生，越野幹人，安藤恒也

2: グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性
千葉大院融合^A，千葉大工^B，アリゾナ州大^C，バッファロー大^D　本岡正太郎^A，阿部拓斗^B，M.アカラム^A，青木伸之^A，D.K.フェリー^C，J.P.バード^D，落合勇一^A

3: グラフェン量子ホール系における非局所抵抗
東大生研^A，東大ナノ量子^B，JSTさきがけ^C　井口和之^A，増渕覚^A，B，山口健洋^A，荒井美穂^A，町田友樹^A，B，C

4: 多層グラフェンにおける層間電気伝導
東工大理　和久津岳生，中村正明

5: グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴と多体効果
京大基研　静谷謙一

6: 磁場中グラフェンにおける多体問題の厳密対角化
筑波大物理，東大理^A　濱本雄治，初貝安弘，青木秀夫^A

7: グラフェンの高次のランダウ準位における基底状態の相図と分数量子ホール状態実現可能性
東北大理　東達也，柴田尚和

休憩　（10:45～11:00)

8: チャネル数が非対称な量子細線におけるショットノイズ
広大院先端　高根美武

9: InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定
京大化研，東北大院工^A　中村秀司，西原禎孝，知田健作，荒川智紀，関口康爾，千葉大地，小林研介，小野輝男，好田誠^A，新田淳作^A

10: 擬一次元スピン軌道相互作用系の熱電効果における量子振動
核融合研，横国大工^A，東大生研^B，分子研^C，　中村浩章，^○白崎良演^A，羽田野直道^B，米満賢治^C，平山尚美^B

11: InAsナノワイヤを用いた単一モード中の超伝導電流
理研，東理大応物^A，NTT物性基礎研^B　西尾隆宏，小堺達也^A，天羽真一，Guoqiang Zhang^B，舘野功太^B，高柳英明^A，石橋幸治

12: 半導体量子細線における磁場依存性と解析
千葉大院融合，ニューヨーク州大^A　渋谷薫，大上真由，項少華，青木伸之，J.P.バード^A，落合勇一

25日　HG会場　25aHG　9:30～12:00

領域4
量子ホール効果

1: ν = 2/3スピン相転移近傍での円偏光顕微フォトルミネッセンス
東北大理^A，NTT物性基礎研^B　早川純一朗^A，村木康二^B，遊佐剛^A

2: ZnO/MgZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態
東北大金研，東大量子相^A，JST-PRESTO^B，東北大WPI^C，ローム^D，東大新領域^E，スタンフォード大^F，JST-CREST^G　小塚裕介，^○塚崎敦^A，B，マリエンコ・デニス^C，ジョセフ・フォルソン，赤坂俊輔^D，中原健^D，ベル・クリストファー^E，疋田育之^E，ハロルド・ファン^E，F，中村慎太郎，淡路智，上野和記^C，川崎雅司^C，G

3: スピン軌道相互作用が分数量子ホール系に与える影響
東北大理^A，理研CERG^B　伊藤透^A，野村健太郎^B，柴田尚和^A

4: ランダウ準位が半分満たされた系における複合フェルミオンの有効質量発散への密度揺らぎの効果
京大基研　石本宏輝，森成隆夫

休憩　（10:30～10:45)

5: 占有率2/3スピン相転移ピークを用いた光学的核スピン偏極の抵抗検出
東北大院理^A，JST-ERATO^B　金杉静子^A，秋葉圭一郎^B，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B

6: 量子ホール領域における熱偏極した核スピン偏極率の充填率依存性
JST-ERATO^A，NTT物性基礎研^B，東北大院理^C　渡辺信嗣^A，熊田倫雄^B，平山祥郎^A，C

7: 二層系ν＝4/3量子ホール状態における核スピン緩和
京大院理，兵庫医科大物理^A，京大低温セ^B　津田是文，Nguyen Minh-Hai，福田昭^A，寺澤大樹^A，小笠原良晃，岩田一樹，澤田安樹^B

8: 二層量子井戸構造における核スピン拡散
東北大理^A，JST-ERATO^B　久米航^A，^○羽田野剛司^B，秋葉圭一郎^B，渡辺信嗣^B，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B

9: DC measurements of resistively detected NMR in single InSb quantum wells: Characterization of a dispersive lineshape
ERATO-JST^A，Jilin Univ.^B，Oklahoma Univ.^C，Tohoku Univ.^D　K.F. Yang^A，H.W. Liu^A，B，T.D. Mishima^C，M.B. Santos^C，K. Nagase^A，Y. Hirayama^A，D

25日　HD会場　25pHD　13:30～17:00

領域4
磁性半導体・量子井戸・超格子

1: 第一原理計算による強磁性半導体中の格子間不純物のアニーリング効果の予測
阪大基礎工　藤井将，佐藤和則，吉田博

2: X-ray absorption spectroscopy and x-ray magnetic circular dichroism study of Fe doped ZnO thin films
Dept. of Phys.，Univ. of Tokyo^A，Photon Factory，IMSS，High Energy Accelerator Res. Organization^B，Dept. of Phys. and Meteorology，Indian Inst. of Tech.，Kharagpur^C　V.K. Verma^A，V.R. Singh^A，K. Ishigami^A，Y. Yamazaki^A，G. Shibata^A，T. Kadono^A，A. Fujimori^A，T. Koide^B，Sourav Chattopadhyay^C and T.K. Nath^C

3: 強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究II
神戸大院理，福井大重点研究高度化推進本部^A，神戸大学連携創造本部^B，神戸大学分子フォトサイエンスセ^C，神戸大院工^D　福岡洋平，藤澤真士^A，張衛民^B，大久保晋^C，太田仁^C，吉富大明^D，來山真也^D，喜多隆^D，和田修^D

4: Carrier-induced ferromagnetism of cobalt-doped anatase TiO2 thin films studied by soft x-ray magnetic circular dichroism
Dept. of Phys.，Grad. Sch. of Sci.，Univ. of Tokyo^A，Nat’l. Synchrotron Radiation Res. Center (NSRRC)，Taiwan^B，Inst. for Materials Res.，Tohoku Univ.^C，PRESTO，Japan Sci. and Tech. Agency^D，WPI Advanced Inst. for Materials Res.，Tohoku Univ.^E，CREST，Japan Sci. and Tech. Agency^F　V.R. Singh^A，T. Kataoka^A，Y. Yamazaki^A，V. K.Verma^A，G. Shibata^A，A. Fujimori^A，F.-H. Chang^B，H.-J. Lin^B，D.-J. Huang^B，C.T. Chen^B，Y. Yamada^B，T. Fukumura^C，D and M. Kawasaki^C，E，F

5: 層状半導体(LaO)MnPn; Pn = P, As, Sbの物性と電子状態
日大理工，産総研エレ^A，東理大理^B，広大院理^C，広大放射光^D，甲南大理工^E　鬼澤愛美，諸澤泰裕，梅山規男^A，B，池田伸一^A，平本尚三^C，吉田芙美子^C，森吉千佳子^C，黒岩芳弘^C，飛松浩明^C，佐藤仁^D，澤田正博^D，生天目博文^D，谷口雅樹^C，D，山崎篤志^E，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一

休憩　（14:45～15:00)

6: GaAs/AlGaAs超格子におけるミニバンド状態での特異的な励起子量子ビート
兵庫県大院物質理，阪市大院工^A　長谷川尊之，高木芳弘，中山正昭^A

7: 多層積層量子ドット励起子とスペーサー層キャリアとの相関
神戸大院工，情通機構^A　小島磨，喜多隆，赤羽浩一^A

8: 分数量子ホール領域の発光の微細構造
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D　野村晋太郎^A，B，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D

9: 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性
筑波大院数物，東工大総理工^A，東工大フロンティア研^B　櫻井蓉子，大毛利健治，山田啓作，角嶋邦之^A，岩井洋^B，白石賢二，野村晋太郎

10: 半導体量子細線における一次元電子正孔光学利得の静的遮蔽相互作用形状依存性
東大物性研，京大化研^A，上海応物研^B，阪大院理^C　吉田正裕，岡野真人^A，秋山英文，懐平^B，小川哲生^C

11: T型量子細線における中性及び非中性電子・正孔系の光学利得の温度依存性
東大物性研，京大化研^A，上海応物研^B，阪大理^C，Princeton Univ.^D　福田圭介，吉田正裕，望月敏光，秋山英文，岡野真人^A，Ping Huai^B，浅野健一^C，小川哲生^C，Loren N. Pfeiffer^D，Ken W. West^D

12: 磁場印加下におけるT型量子細線の発光励起スペクトル測定
京大化研，東大物性研^A，Princeton Univ.^B　岡野真人，秋山英文^A，金光義彦，Loren Pfeiffer^B，Ken West^B

13: Short pulse generation by gain switching in InGaAs QW ridge Laser under optical pumping
ISSP，Univ. of Tokyo，NICHe，Tohoku Univ.^A 　Shaoqiang Chen，Masahiro Yoshita，Toshimitsu Mochizuki，Hidefumi Akiyama，and Hiroyuki Yokoyama^A

25日　HG会場　25pHG　13:30～17:30

領域4
量子ホール効果

1: ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗：相関長依存性II
中大理工　尾高孝祐，廿楽雅和，若林淳一

2: 二次元周期的変調を加えた二次元電子系の磁気振動現象
東大物性研　加藤悠人，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

3: 1次元周期変調下2次元電子系の高周波伝導率の周期・方位依存性
東大物性研　梶岡利之，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

4: Microwave-induced electromotive force in a multisubband 2DES on a bulk helium surface
RIKEN，Univ. Paris-Sud.^A　Denis Konstantinov，Alex Chepelianskii^A，Kimitoshi Kono

5: 高次ランダウレベルの電子状態観察
東北大^A，JST-ERATO^B，Warwick Univ.^C，Hamburg Univ.^D，Aachen Univ.^E　橋本克之^A，B，R.A. Roemer^C，平山祥郎^A，B，R. Wiesendanger^D，M. Morgenstern^E

6: Finite Size Scaling Analysis of the Chalker-Coddington Model
Osaka Univ.，Sophia Univ.^A　Keith Slevin，Tomi Ohtsuki^A

7: アンダーソン転移点における秩序パラメーターの普遍揺らぎ
北大院工　水高将吾，矢久保考介

休憩　（15:15～15:30)

8: 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測　その3
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，産総研^C　古谷景佑^A，伊藤宙陛^A，柴田祐輔^A，大塚洋一^A，野村晋太郎^A，B，柏谷聡^C，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B

9: エッジマグネトプラズモン伝播測定によるゲート電極近傍のエッジチャネル構造解析
NTT物性基礎研^A，東工大院理工^B　鎌田大^A，B，熊田倫雄^A，橋坂昌幸^B，村木康二^A，藤澤利正^B

10: 2重エッジマグネトプラズモン共振器における共鳴スペクトルの観測
東工大院理工^A，NTT物性基礎研^B　橋坂昌幸^A，熊田倫雄^B，鷲尾和久^A，鎌田大^A，B，村木康二^B，藤澤利正^A

11: 量子ホール領域における量子ポイントコンタクトの高周波アドミッタンス測定
東工大院理工^A，NTT物性基礎研^B　鷲尾和久^A，橋坂昌幸^A，鎌田大^A，B，村田竜二^A，村木康二^B，藤澤利正^A

12: エッジ状態間遷移を利用したランダウ・スピン分光
農工大院工^A，JSTさきがけ^B　國谷幸佑^A，生嶋健司^A，B

13: 量子ホール状態の崩壊に伴う電流ゆらぎの観測
京大化研，東大生産研^A　知田健作，橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，荒川友紀，町田友樹^A，小林研介，小野輝男

14: 量子ホール系における電流加熱時電子温度の空間分布の充填率依存性
東大物性研　藤田和博，遠藤彰，家泰弘，勝本信吾

15: 電流加熱時の磁場中極低温2次元電子系の冷却効果
東大生研，東大物性研^A，埼玉大理工^B，核融合研^C，横国大工^D，分子研^E　平山尚美，遠藤彰^A，藤田和博^A，長谷川靖洋^B，羽田野直道，中村浩章^C，白崎良演^D，米満賢治^E

26日　HD会場　26aHD　9:15～12:15

領域4
微小接合・半導体スピン物性

1: 微小ジョセフソン接合列間の電流誘引現象
電通大情報理工　石田千尋，水柿義直，島田宏

2: 超伝導位相量子ビットを用いた制御位相ゲートの量子プロセストモグラフィー
NECグリーン研^A，UCSB^B　山本剛^A，B，M. Neeley^B，E. Lucero^B，R.C. Bialczak^B，J. Kelly^B，M. Lenander^B，Matteo Mariantoni^B，A.D. O'Connell^B，D. Sank^B，H. Wang^B，M. Weides^B，J. Wenner^B，Y. Yin^B，A.N. Cleland^B，John M. Martinis^B

3: 磁束量子ビットのデコヒーレンスの数値計算
理研基幹研^A，NECグリーンイノベ研^B　吉原文樹^A，中村泰信^A，B，蔡兆申^A，B

4: トンネル磁気抵抗素子におけるショット雑音及び1/f雑音測定II
京大化研，産総研^A　荒川智紀，関口康爾，中村秀司，知田健作，西原禎孝，千葉大地，小林研介，小野輝男，福島章雄^A，湯浅新治^A

5: 取　　消

休憩　（10:30～10:45)

6: 非一様なスピン軌道結合によるスピン流
東工大院理工^A，首都大院理工^B，JSTさきがけ^C　筒井一尋^A，B，竹内祥人^B，多々良源^B，村上修一^A，C

7: 波束ダイナミクスにおけるスピントランスファートルク
筑波大計算セ^A，CREST^B，筑波大数理物質^C　有川晃弘^A，B，岩田潤一^A，初貝安弘^C，白石賢二^C

8: CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験
北陸先端大ナノセ　日高志郎，近藤太郎，^○赤堀誠志，山田省二

9: 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析
北陸先端大ナノセ　赤堀誠志，片山智之，森本幸作，韋威，岩瀬比宇麻，^○山田省二

10: InGaAs/InAlAs2次元電子系のサイクロトロン共鳴
物材機構，北陸先端大ナノセ^A　今中康貴，高増正，新田峻介^A，赤堀誠志^A，山田省二^A

11: スピン軌道相互作用のある系における量子ポイントコンタクトのスピン偏極検出
東大物性研　金善宇，橋本義昭，勝本信吾

26日　HG会場　26aHG　9:00～12:45

領域4
トポロジカル絶縁体

1: Helical surface modes in tight-binding model for Bi₂Se₃
Dept. of Phys.，Tohoku Univ.^A，Dept. of Phys.，Tsinghua Univ.，China^B　Mao Shijun^A，B，Ai Yamakage^A，Yoshio Kuramoto^A

2: Controlling the topological surface states of Bi₂Se₃ by guest atoms intercalation
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，Kure NCT^C　M. Ye^A，K. Kuroda^A，Nakatake^B，^○A. Kimura^A，K. Miyamoto^B，M. Arita^B，M. T. Okuda^B，K. Shimada^B，Y. Ueda^C，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

3: トポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドの放射光角度分解光電子分光
広大院理^A，トムスク大^B，ドノスティア国際物セ^C，呉高専電^D，広大放射セ^E　黒田健太^A，叶茂^A，木村昭夫^A，S.V. Eremeev^B，E.E. Krasovskii^C，E.V. Chulkov^C，^○植田義文^D，宮本幸治^E，奥田太一^E，島田賢也^E，生天目博文^E，谷口雅樹^A，E

4: パイロクロア格子上の電子相関によって生じる自発的対称性の破れが生むトポロジカル絶縁体
東大工，Rutgers Univ.^A　栗田萌，山地洋平^A，今田正俊

5: 新トポロジカル絶縁体TlBiSe₂の高分解能ARPES
東北大WPI^A，阪大産研^B，東北大院理^C　相馬清吾^A，瀬川耕司^B，佐藤宇史^C，H. Guo^C，菅原克明^A，安藤陽一^B，高橋隆^A，C

6: 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価
東工大応セラ研　五十嵐九四郎，笹川崇男

7: トポロジカル絶縁体候補物質Pb系三元カルコゲナイドの単結晶作製と輸送特性
阪大産研　江藤数馬，瀬川耕司，安藤陽一

休憩　（10:45～11:00)

8: InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御-トポロジカル絶縁領域の実現に向けて
NTT物性基礎研　鈴木恭一，小野満恒二，原田裕一，村木康二

9: 量子細線の量子スピンホール効果
阪大院基礎工　服部公則

10: バルク絶縁性の高い新トポロジカル絶縁体Bi₂Te₂Seの表面量子振動
阪大産研　安藤陽一，Zhi Ren，A.A. Taskin，佐々木聡，瀬川耕司

11: 3次元トポロジカル絶縁体における表面量子ホール電流と電気磁気効果
理研CERG^A，東大工^B　野村健太郎^A，永長直人^B

12: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の高磁場磁気抵抗，磁気トルク測定II
東北大金研，東工大応セラ研^A，理研^B　本多由季，佐々木孝彦，小林典男，五十嵐九四郎^A，川村稔^B，花栗哲郎^B，高木英典^B，笹川崇男^A

13: 補償したトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の磁気輸送特性
東大院総合　吉中泰輝，近藤隆祐，今井良宗，前田京剛

14: 置換,インターカレートしたBi₂Se₃の輸送特性
東大院総合　近藤隆祐，吉中泰輝，今井良宗，^○前田京剛

26日　TH会場　26aTH　9:00～12:00

領域9，領域4，領域5
表面界面電子物性

1: 高分解能ARPESによるトポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_1-x)₂の電子状態
東北大院理^A，阪大産研^B，東北大WPI^C　高坂研一郎^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，中山耕輔^A，相馬清吾^C，佐藤宇史^A，安藤陽一^B，高橋隆^A，C

2: トポロジカル絶縁体Bi₂Te₃超薄膜へのPbドープによるフェルミ準位制御と電気伝導
東大理，分子研UVSOR^A　坂本裕介，平原徹，山田学，宮崎秀俊^A，木村真一^A，長谷川修司

3: Bi_(1-x)Sb_xエッジ状態における準粒子散乱の解析
東大物性研，東大理^A，慶応理工^B，阪大産研^C，INSP，Paris^D　中村史一^A，小宇佐友香^B，Alexey A. Taskin^C，Marie D’angelo^D，武市泰男，中辻寛，小森文夫，柿崎明人，近藤寛^B，安藤陽一^C，^○松田巌

4: トポロジカル絶縁体表面ステップの電子透過
お茶大理　小林功佳

5: 表面プローブ法でとらえる3次元トポロジカル絶縁体表面の電子構造
広大院理　木村昭夫

休憩　（10:30～10:45)

6: ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉
東工大総理工　平山博之，石原充祥，青木悠樹，加藤千明

7: ビスマス超薄膜における表面状態の電流誘起スピン偏極の測定
東大理　東野剛之，平原徹，長谷川修司

8: Bi(111)表面における特異なRashba効果：高分解能スピン分解ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，CREST-JST^C　高山あかり^A，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，C

9: 高分解能スピン分解光電子分光を用いたBi(111)表面スピン電子状態の観測
広大院理^A，広大放射光セ^B　宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，木村昭夫^A，黒田健太^A，岡本和晃^A，前川貴政^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

10: Br終端Ge(111)基板のsubsurface領域に局在するスピン偏極電子状態
京大院理^A，JST CREST^B　大坪嘉之^A，B，森亮順^A，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

26日　PS会場　26aPS　10:00～12:00

領域4
領域4ポスターセッション

80: MnドープGaInAs及びGaInN混晶半導体の電子構造と構造安定性
三重大院工　三宅正浩，中村浩次

81: 軟X線磁気円二色性による希薄磁性半導体Ga_1-xMn_xAsの熱処理前後におけるスピン電子状態変化の研究
原子力機構量子ビーム^A，東大理^B，京産大理^C，東大院工^D　竹田幸治^A，岡根哲夫^A，藤森淳^B，斎藤祐児^A，山上浩志^A，C，大矢忍^D，ファムナムハイ^D，田中雅明^D

82: 層状半導体(LaO)MnPのキャリアドープ効果
日大理工，広大院理^A　諸澤泰裕，鬼澤愛美，武田良太，平本尚三^A，吉田芙美子^A，森吉千佳子^A，黒岩芳弘^A，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一

83: 層状半導体(LaO)Mn_1-xCo_xPの電気抵抗と磁性
日大理工，広大院理^A　諸澤泰裕，鬼澤愛美，武田良太，平本尚三^A，吉田芙美子^A，森吉千佳子^A，黒岩芳弘^A，渡辺忠孝，高野良紀，^○高瀬浩一

84: 光励起電子スピンによる核スピン操作
JST-ERATO^A，東北大国際高等研^B，東北大院理^C　秋葉圭一郎^A，弓削達郎^B，平山祥郎^A，C

85: 共鳴・非共鳴励起条件下における非ドープGaAs量子井戸の発光減衰
東大物性研，プリンストン大^A　丸山俊，陳少強，吉田正裕，望月敏光，秋山英文，Loren N. Pfeiffer^A，Ken W. West^A

86: GaNのイエロールミネッセンスの時間分解測定
大教大教養　早瀬亮，中田博保

87: 六方晶構造ワイドバンドギャップ半導体ウェハ内の歪マッピングに対する円偏光クロスニコル測定の高感度性
滋賀県大工　竹内日出雄

88: スズドープ酸化インジウム（ITO）ナノ粒子薄膜の電気伝導特性と磁気抵抗効果
大工大ナノ材研^A，大工大応用物理^B，大工大電子情報通信^C，大阪市立工業研^D，巴製作所^E　藤元章^A，B，吉田昂太^C，中許昌美^D，大野敏信^D，山本真理^D，柏木行康^D，古田晋也^E，高井勝広^E

89: 1本のGaNナノコラムの電気伝導
上智大理工^A，JST-CREST^B，上智ナノテクセ^C，千葉大院融合^D　加藤雄也^A，安藤豪紀^A，中田洋平^A，黒江晴彦^A，B，C，関根智幸^A，B，C，菊池昭彦^A，B，C，岸野克巳^A，B，C，落合勇一^D，青木伸之^D

90: InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける非平衡電流雑音測定
京大化研，東北大工^A　西原禎孝，中村秀司，知田健作，荒川智紀，小林研介，小野輝男，好田誠^A，新田淳作^A

91: 量子ポイントコンタクトにおける交流応答の形状効果
筑波大計科セ，東大工^A　笹岡健二，山本貴博^A，渡邉聡^A，白石賢二

92: 取　　消

93: 量子ポイント接合間における背景電荷ゆらぎの相関測定
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　山岸正和，橋坂昌幸，村木康二^A，藤澤利正

94: Nb系nano-SQUIDの開発
産総研，筑波大^A，東京理科大^B，物材機構^C　柏谷裕美，松本哲朗，野村晋太郎^A，高柳英明^B，C，柏谷聡

95: 超伝導で修飾された薄膜グラファイトの伝導測定
東大理　松尾貞茂，折池雄太，松井朋裕，福山寛

96: 傾いたディラックコーンを持つ系における不純物散乱効果
京大基研　樋村隆弘，森成隆夫

97: 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果
山形大理，Daegu大自然^A，APCTP POSTEC^B　佐々木実，李相俊，大西彰正，北浦守，H.-J. Kim^A，K-S Kim^B

98: プロテクトされたトポロジカル絶縁体Bi₂Te₃単結晶におけるDirac電子の特異な輸送特性
山形大理，Daegu大自然科学^A，APCTP POSTECH^B　李相俊，佐々木実，大西彰正，北浦守，H-J Kim^A，K-S Kim^B

99: Transport and Magnetization Studies of Topological Insulator
Inst. of Materials Sci.，Univ. of Tsukuba　Pradip Das，Y. Suzuki and K. Kadowaki

100: 横電場中のジグザグ端グラフェンナノリボンにおけるハーフメタリシティの平均場による解析
早大理工　野村隆夫，栗原進，山本大輔

101: FM/Graphene/FMにおける磁気抵抗効果
名大工，関大先端^A，関大システム理工^B　平岩知大，佐藤竜一^A，井上順一郎^A，本多周太^B，伊藤博介^B

26日　HD会場　26pHD　13:30～16:55

領域5，領域7，領域4合同シンポジウム
主題：光励起の素過程と平衡からはるか遠くの相転移パラダイム

1: はじめに
名大院工　中村新男

2: 共鳴光学過程における量子相関と緩和現象のダイナミックス
奈良先端大物質　相原正樹

3: 高密度電子正孔系の物質相－励起子ガスの基底状態を求めて
東大院工　五神真

4: 光励起による自発的並進対称性破綻の量子動力学
高エネ機構物構研　那須奎一郎

休憩　（15:10～15:25)

5: 自己束縛励起子から光誘起構造相転移へ
阪大産研　谷村克己

6: 電荷移動から始まる格子の再構成－遷移金属錯体における光誘起現象
東大物性研　末元徹

7: 光誘起相転移研究の動的構造観測手法による展開
東工大院理工　腰原伸也

26日　TA会場　26pTA　13:30～16:45

領域4，領域7合同シンポジウム
主題：ディラック電子系の物性

1: 場の理論から見たディラック電子
東大物性研　押川正毅

2: グラフェンにおけるディラック電子
東大理　青木秀夫

3: 分子性導体におけるディラック電子
理研　田嶋尚也

休憩　（15:00～15:15)

4: ビスマスにおけるディラック電子
阪大　伏屋雄紀

5: トポロジカル絶縁体とディラック電子～結晶の時空変形の効果
物材機構　田中秋広

6: 鉄系超伝導におけるディラック電子
東北大理　佐藤宇史

27日　HD会場　27pHD　13:30～17:00

領域4
若手奨励賞・量子ドット

1: はじめに
北陸先端大ナノセ　山田省二

2: 量子導体の計数統計と揺らぎの定理
三重大学大学院物理工学専攻　内海裕洋

3: 強磁性電極を接合した半導体量子ドットのスピン伝導に関する研究
九州大学大学院システム情報科学研究院　浜屋宏平

休憩　（14:40～15:00)

4: 直列2重および3重ドットのパウリブロッケードに対する理論解析
東北大理，理研^A　泉田渉，天羽真一^A

5: 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象
理研^A，東北大理^B，東工大理^C，東大物理工^D，NRC-Canada^E　天羽真一^A，泉田渉^B，高橋諒^A，C，河野公俊^A，C，樽茶清悟^D，D.G. Austing^E，大野圭司^A

6: 二重量子ドットでの電流駆動核スピンポンプ
NTT物性基礎研，デルフト工科大^A　都倉康弘，久保敏弘，Yuli. V. Nazarov^A

7: 1重項スピンブロッケードと核スピンエンタングルメント
理研^A，台湾交通大^B　Yu-Chen Sun^A，B，天羽真一^A，Juhn-Jong Lin^B，河野公俊^A，^○大野圭司^A，B

8: 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大
NTT物性基礎研^A，東北大院理^B　小林嵩^A，B，日達研一^A，佐々木智^A，B，村木康二^A

9: 量子ドット中のスピン軌道相互作用に起因するg-因子の異方性
慶大理工　横山知大，江藤幹雄

10: 自己形成InAs量子ドットにおけるg-テンソルの電気的制御
東大工，東大生研^A　金井康，R.S. Deacon，大岩顕，高橋駿，吉田勝治，柴田憲治^A，平川一彦^A，樽茶清悟

11: Spin-orbit interaction due to wavefunction penetration in low potential-barrier quatnum dots
RIEKN^A，Kazan Federal Univ.^B，Univ. de les Illes Balears^C，Tokyo Inst. of Tech.^D，The Univ. of Tokyo^E，Sophia Univ.^F　S.M. Huang^A，A.O. Badrutdinov^A，B，D.A. Tayurskii^B，L. Serra^C，T. Kodera^D，E，T. Nakaoka^E，F，N. Kumagi^E，Y. Arakawa^E，K. Kono^A，K. Ono^A

27日　HG会場　27pHG　13:00～15:55

領域4，領域8，領域9，領域11，領域12合同シンポジウム
主題：ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待

1: イントロダクトリー
阪大理　赤井久純

2: 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン
長崎大先端計算セ　江上喜幸

3: 第一原理電気伝導シミュレーション
筑波大物工　小林伸彦

4: 熱伝導現象の第一原理計算
東大理　常行真司

休憩　（14:25～14:40)

5: 水溶液中分子架橋の電気伝導
東大工　渡邊聡

6: 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法
筑波大計科セ　白石賢二

7: 表面・界面・固体中のプロトン伝導とその量子ダイナミクス計算
阪大工　笠井秀明

28日　GAA会場　28aGAA　9:30～12:25

領域10，領域4合同シンポジウム
主題：格子欠陥・ナノ構造の3次元実空間解析

1: 三次元実空間解析の意義：緒言
慶大理工　山内淳

2: 50pm分解能STEMによる原子欠陥の個別識別　＝＝ドーパント＝＝
東京工業大学　大学院理工　高柳邦夫

3: 球面収差補正電子顕微鏡によるナノマテリアル原子レベル構造解析
名大エコトピア研　田中信夫

休憩　（10:40～10:55)

4: Ｘ線ホログラフィーによる格子欠陥と局所格子歪みの評価
東北大金研　林好一

5: 弗酸液浸フォトルミネッセンスイメージングによる太陽電池評価
JAXA宇宙研　田島道夫

6: レーザーアトムプローブによる無機材料の３次元ナノ解析
物質材料機構　宝野和博

28日　HD会場　28aHD　9:00～12:30

領域4
量子ドット

1: Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察
東大工，東工大量子ナノエレ研セ^A，都市大総研^B　武田健太，小幡利顕，福岡佑二^A，大塚朋廣，小寺哲夫^A，吉田勝治，澤野憲太郎^B，小田俊理^A，白木靖寛^B，樽茶清悟

2: 不均一磁場を利用した2スピンキュービットとスピンエンタングル状態
ICORP-JST^A，東大工^B，レオベン大^C，ポハン大^D，シェルブルック大^E，NTT物性基礎研^F，東工大応セラ研^G，　小幡利顕^A，B，ロランドブルナー^A，C，申潤錫^A，D，ミシェルピオロラドリエル^A，E，都倉康弘^A，F，久保敏弘^A，F，吉田勝治^A，B，谷山智康^G，樽茶清悟^A，B

3: 高速スピン回転操作のための大きな磁場差をもつ二重量子ドットデバイス
東大工　米田淳，大塚朋廣，高倉樹，小幡利顕，樽茶清悟

4: 近接場を利用した光子-量子ドット強結合状態の記述
阪府大院工　余越伸彦，石原一

5: 半導体量子ドットによるCircuit QEDの研究II
東大総合文化　樋田啓，中島峻，小宮山進

6: 3角形3重量子ドット系における長岡強磁性とJosephson効果の競合
大阪市大理　島本将志，小栗章

7: 有機分子磁性体を介したジョセフソン効果の理論：磁気異方性の効果
産総研，JST-CREST，CPT-CNRS^A，Landau Inst.^B，Kyung Hee Univ.^C　川畑史郎，D. Chevallie^A，T. Jonckheere^A，I. Sadovsky^B，M. Lee^C，T. Martin^A

休憩　（10:45～11:00)

8: 量子ドット電荷検出計を含む環境との結合によって誘起される位相緩和
NTT物性基礎研　久保敏弘，都倉康弘

9: 単一電子二重量子ドットにおける電荷状態のコヒーレント振動
NTT物性基礎研　日達研一，太田剛，村木康二

10: 電荷検出計を用いた単一電子2重量子ドットにおける電荷コヒーレント振動の観測
NTT物性基礎研　太田剛，日達研一，村木康二

11: 電荷量子ビット結合系における非平衡電気伝導と緩和過程
慶大理工　櫛原自由，江藤幹雄

12: 結合量子ドットにおけるボソン場を介したエンタングルメント形成
慶大理工　奥山倫，江藤幹雄

13: 半導体表面の周期的金属構造に関する時間分解表面弾性波伝搬スペクトル
東工大院理工，NTT物性基礎研^A　藤澤利正，水野翔平，西尾啓太郎，橋坂昌幸，村木康二^A

28日　HG会場　28aHG　9:00～12:45

領域4
トポロジカル絶縁体／超伝導

1: 電子間相互作用のある量子スピンホール系の動的電磁場に対する応答
東大生研，北大理　御領潤，前田展希

2: 量子スピンホール系のエッジ状態における近藤効果と熱コンダクタンス
理研，Argonne Nat’l. Lab.^A　田中洋一，古崎昭，K.A. Matveev^A

3: トポロジカル絶縁体における相互作用の効果
京大理，東工大理^A　多田靖啓，Robert Peters，古賀昌久^A，川上則雄，藤本聡

4: 乱れたZ₂絶縁体・金属転移の臨界指数と相図
東北大理，理研^A，広大先端研^B　山影相，野村健太郎^A，井村健一郎^B，倉本義夫

5: Critical exponents of the localization length for topological insulators
上智大理工，阪大理^A　小林浩二，大槻東巳，K. Slevin^A

6: トポロジカル絶縁体での乱れ誘起の非局在領域における、熱電変換性能指数について
東工大理工，阪大理^A　進藤龍一，村上修一，Keith Slevin^A

休憩　（10:30～10:45)

7: トポロジカル絶縁体上の超伝導近接効果
名大工，Twente大^A，北大工^B　田仲由喜夫，Alexander Golubov^A，浅野泰寛^B

8: トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導体Cu_xBi₂Se₃の輸送特性
阪大産研　瀬川耕司，Markus Kriener，Zhi Ren，佐々木聡，安藤陽一

9: Superconductivity in Cu_xBi₂Se₃
Institute of Industrial and Scientific Research，Osaka Univ.　M. Kriener，K. Segawa，Z. Ren，S. Sasaki，Y. Ando

10: トポロジカル絶縁体表面における超伝導の不純物効果
東大院工，Rutgers Univ.^A　伊藤祐斗，山地洋平^A，今田正俊

11: トポロジカル超伝導体Cu_xBi₂Se₃におけるCu-NMR
岡大自然，中国科学院^A　岩瀬文達，李政^A，鄭国慶

12: 元素ドープしたトポロジカル絶縁体における超伝導
東工大応セラ研　笹川崇男，五十嵐九四郎

13: トポロジカル超伝導体における状態密度と磁場応答の解析
名大工，名大VBL^A　伊井彰宏，大成誠一郎，矢田圭司^A，田中由喜夫

14: 超伝導-トポロジカル絶縁体接合系の輸送理論とジョセフソン効果
原子力機構シ計セ^A，東北大金研^B，CREST(JST)^C，JST-TRIP^D　太田幸宏^A，C，町田昌彦^A，C，D，小山富男^B，C

28日　TA会場　28aTA　9:00～11:45

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 架橋グラフェンジョセフソン接合の作製と電界効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C，秋田大教育文化^D，奈良女大理^E　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，豊田行紀^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C，林正彦^D，吉岡英生^E

2: 宙吊りグラフェンの低温伝導測定
広大先端　八木隆多，下村翠，深田誠也

3: 平行磁場下の単層グラフェンの磁気抵抗
中大理工　汪，白石沙代，佐野和也，根間裕史，若林淳一

4: 平行磁場下の二層グラフェンの磁気抵抗
中大理工　佐野和也，白石沙代，汪ウンジュン，根間裕史，若林淳一

5: 単層／2層グラフェン接合量子ホール効果の多端子測定
東大物性研　佃明，長田俊人，奥永洋夢，内田和人，鴻池貴子

6: 2層グラフェンp-n-p接合における量子ホール伝導II
東大物性研　奥永洋夢，佃明，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

7: 変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導
東大物性研　内田和人，鴻池貴子，長田俊人

休憩　（10:45～11:00)

8: 2層グラフェンにおける電気伝導：長距離ポテンシャルをもつ散乱体の場合
東工大院理工　安藤恒也

9: 2層ナノグラフェン，BN系等における電子密度分布
産総研ナノシステム　針谷喜久雄，今村裕志

10: 多層graphene電子系におけるmeron結晶状態
東大総合文化　櫻井靖久，吉岡大二郎

28日　HD会場　28pHD　13:30～15:15

領域4
量子ドット

1: カイラルエッジ状態に結合した量子ドットにおける近藤効果
慶大理工　大久保公弘，江藤幹雄

2: 横結合型量子ドットによる量子ドットのエネルギー準位スペクトル測定
東大物性研，東大工^A　桑原優樹，金善宇，大塚朋廣^A，家泰弘，勝本信吾

3: 近藤状態にある量子ドットにおける非平衡電流揺らぎ
京大化研，東大物性研^A，東大工^B　山内祥晃，関口康爾，知田健作，荒川智紀，中村秀司，^○小林研介，小野輝男，藤井達也^A，阪野塁^B

4: 量子ドットアハロノフボーム干渉計における非平衡仕事定理
三重大物工，カールスルーエ大^A　内海裕洋，D.S. Golubev^A，M. Marthaler^A，Gerd Schoen^A

5: 軌道縮退アンダーソン模型の電荷搖動の完全係数統計への影響
東大物工，大阪市大理^A　阪野塁，小栗章^A，樽茶清悟

6: 斜行磁場下におけるAB干渉計のファノ近藤効果とスピン制御
筑波大数理物質　根元太郎，谷口伸彦

7: 非平衡ラシュバ量子ドットの有効場理論とファノ近藤効果
筑波大数理物質　谷口伸彦