領域9

21日　HA会場　21aHA　9:15～11:45

領域9
表面界面構造

1: How does the pi-conjugated molecule recognize the specific site on the noble metal surface?
Dept. of Advanced Materials Sci.，The Univ. of Tokyo，RIKEN ASI^A，Div. of Frontier Materials Sci.，Osaka Univ.^B　Ju-Hyung Kim^A，Jaehoon Jung^A，Kazukuni Tahara^B，Yoshito Tobe^B，Yousoo Kim^A，and Maki Kawai

2: Molecular Zippers
RIKEN，Wako，The Univ. of Tokyo，Kashiwa^A，Tokyo Inst. of Tech.，Yokohama^B，Seoul National Univ.^C，Kyushu Univ.，Fukuoka^D　Hyo Won Kim，Jaehoon Jung^A，Mina Han^B，Seongjoon Lim^C，Kaoru Tamada^D，Masahiko Hara^B，Maki Kawai^A，Yousoo Kim，and Young Kuk^C

3: グラファイト (0001) 面におけるBTCアミド分子の自己組織化により生成する特異なネットワーク構造
東京農工大院工，横浜市大院生命ナノシステム科学^A　山崎俊弥，末吉祐介，松本圭司，坪井基起，尾崎弘行，遠藤理，塚田秀行^A

4: 一次元コバルトフタロシアニン分子鎖構造の形成とその物性
名大院理^A，物材機構^B，産総研^C，千大融合^D　田中裕介^A，P. Mishra^B，立石龍誠^D，折田秀夫^C，大谷実^C，中山知信^B，内橋隆^B，^○坂本一之^D

5: Cu(111)表面に形成されるオリゴチオフェンの鎖状構造と電子状態
筑波大院数理^A，物材機構MANA^B，Forschungszentrum J?lich and JARA^C　角館俊行^A，B，塚本茂^C，中谷真人^B，中山知信^A，B

休憩　（10:30～10:45)

6: Rh(111)表面におけるシクロヘキサンの吸着構造に関する同位体効果
東大物性研　小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

7: X線CTR散乱法によるペンタセン超薄膜の界面構造
東大物性研　大山真実，白澤徹郎，Wolfgang Voegeli，高橋敏男

8: 分子動力学/連続体ハイブリッド法による原子間力顕微鏡のシミュレーション
山口大院理工，Aalto Univ.^A　仙田康浩，嶋村修二，Janne Blomqvist^A，Risto Nieminen^A

9: 取　　消

21日　RC会場　21aRC　9:30～12:00

領域9
結晶成長

1: 凝集現象を用いた自己組織化金属ナノ構造薄膜の作製
東大生研，芝浦工大^A，韓国光云大^B　神子公男，末永亮^A，野瀬健二，具正祐^B，弓野健太郎^A，光田好孝，河在根^B

2: ゲル化した界面活性剤中での金ナノロッド成長
産総研，千葉大^A，JSTさきがけ^B，高エネ研^C　武仲能子，北畑裕之^A，B，山田悟史^C，瀬戸秀紀^C

3: 数ナノメートルの金属および合金超微粒子の生成
立命館大理工　墻内千尋，齋藤嘉夫，宮下徹也，藤崎貴也

4: 12回対称性を持つシリカメソ多孔体粒子の構造成長シミュレーション
東北大多元研，ストックホルム大アレニウス研^A，KAIST^B　藤田伸尚，Changhong Xiao^A，寺崎治^A，B

休憩　（10:30～10:45)

5: 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムIV
学習院大計セ，名大理^A　勝野弘康，上羽牧夫^A

6: 蒸気相と表面拡散を同時に考慮した時のステップ移動速度II
学習院大計セ^A，成蹊大^B，京大理^C　入澤寿美^A，勝野喜以子^B，北村雅夫^C

7: ポリスチレン粒子水分散液の一方向凍結プロセスにおけるコロイド結晶化および不可逆凝集
徳島大院STS，北大低温研^A，徳島大院先端^B　鈴木良尚，佐崎元^A，藤原貴久^B，古川義純^A

8: 高圧力下におけるニワトリ卵白リゾチーム正方晶系結晶のステップ前進速度
徳島大院先端，徳島大院ソシオ^A，北大低温研^B　藤原貴久，鈴木良尚^A，佐崎元^B，柳谷伸一郎^A，田村勝弘^A

9: コロイド結晶の格子欠陥の時間変化
徳島大院先端，徳島大院ソシオ^A　坂部真貴子，鈴木良尚^A，藤原貴久，森篤史^A，柳谷伸一郎^A，田村勝弘^A

21日　GL会場　21pGL　13:15～14:00

領域8，領域3，領域6，領域7，領域9，領域11
超伝導100年記念講演

1: 超伝導研究の歴史・現状・将来
筑波大数理物質科学　立木昌

21日　HA会場　21pHA　13:30～17:00

領域9
表面界面構造

1: エピタキシャルグラフェン成長過程に及ぼすB原子の影響
東工大総理工　青木悠樹，小此木佑太，平山博之

2: SiC(0001)表面（Si面）とSiC(000-1)表面（C面）の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明
阪大産研　趙惠淑，^○松本健俊，金佑柄，小林光

3: Si(001)表面上でのCO吸着脱離のダイナミクス
横国大工，防衛大^A　百瀬辰哉，大野真也，北嶋武^A，鈴木隆則^A，田中正俊

4: 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II
奈良先端大物質創成，琉球大理^A，阪大工^B　服部賢，稲葉雄一，安居麻美，大門寛，柳澤将^A，森川良忠^B

5: Au/Ge(111)表面のSTMによる原子構造研究
東大物性研　元村勇也，中辻寛，新倉涼太，小森文夫

6: 温度可変型STMによるSi(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)n多原子状態の構造と電子状態
東北大院理，東北大学際セ^A　堀井広幸，芳賀健也，J. Osiecki，R. Czajka^A，粕谷厚生^A，^○須藤彰三

休憩　（15:00～15:15)

7: 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面上の鉄シリサイド薄膜成長過程の研究
東大生研，NTT物性基礎研^A　松本益明，福谷克之，岡野達雄，日比野浩樹^A

8: 反射高速陽電子回折による歪導入Sn/Ge(111)表面の構造解析
原子力機構先端基礎研　望月出海，深谷有喜，河裾厚男

9: Geクラスタに対するRHEED斑点形状
大同大工　堀尾吉已

10: Coverage dependence of Ge nanodots in vanadium oxide nanomesh on Pd(111)
School of Eng.，Nagoya Univ.　L.H. Chan，K. Ogawa，T. Matsui，J. Yuhara

11: ZnO極性面についての第一原理電子構造計算による研究
岩手大工　西館数芽，伊東賢太郎，荒木悠，吉本則之，長谷川正之

12: 酸化亜鉛傾角粒界の高分解能電顕微鏡観察
筑波大応理，筑波大院数理^A　石毛亮祐，増田秀樹^A，木塚徳志^A

13: 色素増感太陽電池におけるRu(II)ポリピリジル錯体のTiO₂アナターゼ(101)表面吸着構造および励起状態に関する理論的研究
物材機構MANA^A，JST-CREST^B，JSTさきがけ^C　袖山慶太郎^A，B，隅田真人^A，館山佳尚^A，B，C

21日　RC会場　21pRC　13:30～16:50

領域9，領域12合同シンポジウム
主題：巨大分子～サブミクロン粒子の自己集積

1: 趣旨説明
徳島大院ソシオ　鈴木良尚

2: 高分解光学顕微法で見るタンパク質結晶の成長過程
北大低温研　佐崎元

3: 超高分子量ブロック共重合体準希薄溶液中におけるフォトニック結晶の創成とその応用
名工大院工　岡本茂

4: 自律型液体ナノプロセスによるナノ粒子単層膜の作製とナノ粒子デバイスの開発
名大院工　是津信行

休憩　（15:05～15:20)

5: 蛋白質のフォールディングとアミロイド線維形成
阪大・蛋白研　後藤祐児

6: マイクロ流体デバイスを用いた球状コロイド結晶の作製
横国大　金井俊光

7: 脂質高次構造に拘束されたタンパク質分子の結晶成長
広大総合科　田中晋平

22日　HA会場　22aHA　9:00～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: Initial Oxidation Stages of HF-passivated Si(100): Evaluated by Carrier Lifetime, Workfunction and XPS measurements
ISIR，Osaka Univ.　Francisco C. Franco Jr.，Woo-Byoung Kim，Hikaru Kobayashi

2: O2，H2吸着によるNb:SrTiO3表面の電子状態変化と電気伝導度抑制
東大生研　武安光太郎，福谷克之

3: Pt(997)表面上におけるTTFの吸着状態に関するHREELSおよびHRXPSによる研究
東大物性研　清水皇，向井孝三，吉本真也，吉信淳

4: Au(111)表面におけるフッ化フラーレンC₆₀F₃₆単分子膜の構造及び電子状態
理研，東大新領域^A　清水智子，大谷徹也^A，鄭載勲^A，川合眞紀^A，^○金有洙

5: イオン衝撃によるグラファイト表面の半金属金属転移
東大院総合文化，横浜国大工^A　青木優，牛山翔太^A，母袋雄也^A，首藤健一^A，増田茂

休憩　（10:15～10:30)

6: Controlling chemical reactivity of ultrathin oxide film using interface manipulation
The Univ. of Tokyo，RIKEN ASI^A，UNIST，Republic of Korea^B　Jaehoon Jung，Hyung-Joon Shin^B，Yousoo Kim ^A，Maki Kawai

7: First Principles Calculations of the Adsorption of Water on Li-Montmorillonite Study
Osaka Univ.　Triati Dewi Kencana Wungu，Wilson Agerico Dino，Hideaki Kasai

8: 銀表面上へ吸着した酸素の準安定強磁性状態
阪大院工　國貞雄治，中西寛，Wilson Agerico Dino，笠井秀明

9: (La, Sr)FeO_3-δ表面におけるNO分子吸着の第一原理計算
阪大基工　木崎栄年，草部浩一

10: 固体酸化物形燃料電池の燃料極局所反応場における酸素拡散に関する動的モンテカルロ計算
東大院工　多田朋史，鈴木駿平，渡邉聡

11: 水-金属界面系の電気二重層キャパシタンスに関する第一原理計算
東大院理，東大物性研^A　安藤康伸，合田義弘，常行真司^，A

22日　JB会場　22aJB　9:00～12:15

領域9
結晶成長

1: 二波長干渉計による気相からの均質核生成のその場観察実験
東北大地，北大低^A，JAXA^B　木村勇気，田中今日子^A，三浦均，稲富裕光^B，塚本勝男

2: 水－氷界面での不凍タンパク質効果の高分解光学その場観察
北大低温研^A，JSTさきがけ^B　佐崎元^A，B，中坪俊一^A，古川義純^A

3: ゲル中におけるCaCO₃の結晶成長とモルフォロジー変化
中大理工　倉繁正和，松下貢

4: CaCO₃アモルファスの秩序構造に関する分子動力学研究
産総研　伴野秀和，灘浩樹

5: 微斜面の準非普遍的表面自由エネルギーとステップバンチング
大阪電通大工　阿久津典子

6: 非普遍的表面自由エネルギーを持つ微斜面の表面スティフネス・テンソルとガウス曲率
大阪電通大工　阿久津典子

休憩　（10:30～10:45)

水素ダイナミクス＋表面界面ダイナミクス

7: 単層グラフェンの引き剥がし
愛教大物理，成蹊大理工^A　市川真也，石川誠，佐々木成朗，三浦浩治

8: ルチルTiO₂(110)及びAu/TiO₂(110)に対するCO酸化の反応機構
立命館大理工　光原圭，松田太志，田上正崇，奥村英樹，Anton Visikovskiy，城戸義明

9: イオン結晶表面におけるマイクロスケールの摩擦機構
中央大理工　二木かおり，小林真依，新藤斎

10: 液中のCasimir斥力II
愛教大物理，兵庫県大^A　三浦浩治，市川真也，石川誠，乾徳夫^A

11: 金属表面近傍での水素・ミューオンの量子状態
阪大院工　中西寛，笠井秀明

12: Pd₃₀Au₇₀(110)における水素の吸放出とサブサーフェスへの蓄積
東大生研，阪大リノベーション^A，North Ossetia Univ.^B　小倉正平，岡田美智雄^A，T. Magkoev^B，福谷克之

22日　RC会場　22aRC　9:00～12:15

領域9，領域4，領域6，領域7合同シンポジウム
主題：多彩な表面系における電子輸送現象 /Electron Transport Phenomena on Surface Systems - Interdisciplinary Approach

1: 趣旨説明 /Introduction
奈良先端大　武田さくら

2: 半導体表面における量子ホール伝導と２次元スピングラス /Quantum Hall effect in adsorbate-induced electron systems and two-dimensional spin-glass ordering in submonolayer Fe films on cleaved semiconductor surfaces
東大理　岡本徹

3: Point-Contact Transport Properties of Strongly Correlated Electrons on the Surface of Liquid Helium
理研　Rees Devid

4: グラフェンにおけるジョセフソン電流 /Superconducting proximity effect in graphene
筑波大　神田晶申

休憩　（10:20～10:35)

5: III-V族半導体表面における2次元電子状態と原子マニピュレーション /Characterization of two-dimensional electronic states and manipulation of individual atoms at the III-V semiconductor surface
NTT基礎研　蟹澤聖

6: ラシュバ・トポロジカル表面系の輸送特性 /Transport properties of Rashba and topological surfaces
東大理　平原徹

7: シリコン表面超構造における超伝導電流 /Macroscopic supercurrent through a silicon surface reconstruction
物材機構　内橋隆

8: スピン偏極ＳＴＭによる単一有機分子を介するスピン伝導測定 /Giant magneto-resistance through a single molecule by means of spin-polarized STM
千葉大　山田豊和

22日　TE会場　22aTE　9:00～12:15

領域7，領域9合同
グラフェン

1: グラフェンナノ構造の偏光ラマン分光特性
九大院工，　田中悟，梶原隆司，栗栖悠輔，森田康平，橋本明弘^A

2: 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の異方性
東大物性研，九大院工^A　吉村継生，中辻寛，森田康平^A，上原直也^A，栗栖悠輔^A，田中悟^A，小森文夫

3: 微傾斜SiC上グラフェンπ電子状態の時間分解光電子分光
東大物性研^A，東理大理^B，東理大総合研^C，九大院工^D　中辻寛^A，飯盛拓嗣^A，吉村継生^A，石田行章^A，山本貴士^B，辛埴^A，金井輝人^A，渡部俊太郎^C，森田康平^D，栗栖悠輔^D，田中悟^D，小森文夫^A

4: SiC(0001)表面グラフェン形成の分子動力学シミュレーション
名大院工^A，名大エコ研^B，名大院理^C　乗松航^A，盛田壮登^A，楠美智子^B，Stephan Irle^C

5: トレンチモデルを用いたSiC(0001)上グラフェン成長の検討
NTT物性基礎研，徳島大工^A　影島博之，日比野浩樹，山口浩司，永瀬雅夫^A

6: SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱 II
NTT物性研，徳島大工^A　関根佳明，日比野浩樹，小栗克弥，赤崎達志，影島博之，永瀬雅夫^A，山口浩司

休憩　（10:30～10:45)

7: 二層と三層グラフェンの面外格子振動による二重共鳴ラマン強度
東北大理　佐藤健太郎，齋藤理一郎

8: グラファイトにおけるコヒーレントDモードフォノンの検出波長依存性
横国大院工，横国大IRC^A，フリッツハーバー研^B，物材機構^C，防大理工^D　古賀翔，土井幸司郎，片山郁文^A，島田透^B，加藤景子^C，菱田俊一^C，藤田大介^C，武田淳，北島正弘^D

9: 取　　消

10: Caドープしたグラフェンの高分解能ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B　金谷康平^A，菅原克明^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B

11: 2層グラフェン/H-SiCのKドープ量依存性：高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

12: アームチェアナノリボンの光遷移選択則
NTT物性研　佐々木健一，加藤景子，小栗克弥，寒川哲臣，都倉康弘

22日　ED会場　22pED　13:30～16:30

領域3，領域9，領域5合同シンポジウム
主題：垂直磁気異方性はどこまで理解されてきたか

1: はじめに
金沢大理工　小田竜樹

2: 遷移金属表面界面の電気磁気効果と結晶磁気異方性
三重大院工　中村浩次

3: FeCo/MgO接合系における電界誘起磁気異方性制御
産総研　野崎隆行

4: スピネルフェライトエピタキシャル薄膜の垂直磁気異方性
筑波院工　柳原英人

休憩　（14:50～15:05)

5: 軟X線MCDによる超薄膜の磁気異方性の解析
広大放射光セ　沢田正博

6: 単原子交互積層法によるL10-FeNi薄膜の作製と磁気異方性
東北大金研　水口将輝

7: L10-FeNiおよびFeNi多層膜の結晶磁気異方性の第一原理計算
東北大通研　三浦良雄

8: 鉄隕石の磁区構造解析と磁気異方性
JASRI/SPring-8　小嗣真人

22日　GE会場　22pGE　13:00～16:30

領域10，領域7，領域9合同シンポジウム
主題：水素アトミクス科学の展望―プロトニクスに向けて

1: はじめに
KEK　池田進

2: 水素アトミクスの理論研究とその展望
阪大　笠井秀明

3: 表面・サブサーフェイスにおけるプロトンダイナミクス
東大　福谷克之

4: 星間物質表面での水素反応
北大　渡部直樹

休憩　（14:40～15:00)

5: 固体プロトニクスの創成と水素トランスポート現象の研究
京大　北川宏

6: 低次元ナノ空間に閉ざされた水とプロトン伝導
東北大　松井広志

7: 中性子散乱法の革新と水素が創る構造とダイナミクスの研究
KEK　大友季哉

22日　HA会場　22pHA　13:30～17:00

領域9
表面界面ダイナミクス

1: Cu(110)上におけるTPD分子の蒸着量変化に伴う異性体比の変化
横市大生命ナノ　西村圭司，横山崇

2: Ag(111)に吸着した鉄フタロシアニン分子の非弾性トンネルスペクトル
東大新領域^A，物材機構^B，理研^C　太田奈緒香^A，荒船竜一^B，塚原規志^A，高木紀明^A，川合真紀^A，C

3: 共吸着分子系に対するSTSのスペクトル形状における干渉効果
阪大院工　三輪邦之，笠井秀明

4: ペロブスカイト型酸化物の構造相転移と自発分極に関する第一原理的研究
阪大院工　岡耕平，中西寛，笠井秀明

5: Au(111)表面上でのCO酸化反応
阪大院理^A，産総研ユビキタス^B，JST-CREST^C　岡崎一行^A，C，香山正憲^B，C，奥村光隆^A，C

6: 平衡状態近傍でのステップ・バンチングとステップ・スティフニング：点型ステップ間引力が引き起こす表面自由エネルギーの特異性による効果
大阪電通大工　阿久津典子

休憩　（15:00～15:15)

7: 状態選別酸素分子ビームによる表面反応立体異方性の観測
物材機構　倉橋光紀，山内泰

8: TiO₂表面のステップ構造における「局所」ダイナミクスの選択的な観察
北陸先端大マテ　高橋寛明，宮内良広，水谷五郎

9: 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノンII
東北大院理，東理大理^A，理研^B，東北大学際セ^C　松下ステファン悠，松井一記，加藤大樹^A，中矢博樹，高田弘樹，田岡琢己，山田太郎^B，粕谷厚生^C，須藤彰三

10: Si表面の貴金属原子拡散の光電子顕微鏡研究
岡大院自然^A，岡大理界面^B，JST-CREST^C　脇田高徳^A，C，平井正明^B，村岡祐治^A，B，C，横谷尚睦^A，B，C

11: ストリーク反射高速電子回折によるSi(111)7×7レーザー照射構造変化の研究
東北大多元研　佐藤和義，川西浩太，虻川匡司

12: 二酸化チタン表面欠陥の操作反応の機構解明
東北大融合研^A，理研基幹研^B，日本学術振興会^C，リバプール大^D，千葉大^E，東北大原子分子材料科学高等研究機構^F，東大新領域G　湊丈俊^A，B，Pang Chi Lun^C，D，梶田晴司^B，E，中山隆^E，浅尾直樹^F，山本嘉則^F，川合真紀^G，金有洙^B

13: 単一W原子上におけるHe、Ne電界吸着構造の電場強度依存性
阪市大院工　山崎健太朗，太田温子，小林中，熊谷寛

22日　RC会場　22pRC　13:30～16:45

領域9，領域5
表面界面電子物性

1: 半導体表面超構造上Ag超薄膜のREM-4PPによる量子井戸状態の研究III
農工大院工　澤田龍明，箕田弘喜

2: 高磁場下サブケルビン・マイクロ4端子プローブ装置の開発
東大理　山田学，平原徹，保原麗，長谷川修司

3: 擬１次元金属表面Si(110)-2×5-Au表面のSTM観察及び電気伝導測定
東大理　上田洋一，平原徹，植竹智哉，最首祐樹，長谷川修司

4: Si(111)-4×1-In表面の異方的表面電気伝導度の温度依存性
東大理　植竹智哉，平原徹，永村直佳，上田洋一，保原麗，^○長谷川修司

5: Si(111)-√7×√3-In 表面における超伝導電流の観測
物材機構　内橋隆，Puneet Mishra，青野正和，中山知信

6: Ge(001)-Au表面における1次元鎖構造の電子バンド形状
東大物性研　中辻寛，元村勇也，新倉涼太，飯盛拓嗣，吉村継生，岩崎悠真，小森文夫

休憩　（15:00～15:15)

7: Electronic versus Lattice Match for Metal-Semiconductor Epitaxial Growth: A case study for Pb films on Ge(111) and Ge(100) surfaces
Department of Physics, National Tsing Hua University, Taiwan　Tang Shu-Jung

8: 深さ分解XAFS法によるSiC上酸窒化膜中N原子の電子状態の分離
奈良先端大，JASRI/SPring-8^A　前島尚行，松井文彦，後藤謙太郎，松井公佑，松下智裕^A，大門寛

9: 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明
奈良先端大物質創成，阪大院工^A，東京都市大^B，琉球大理^C，STARC^D　武田さくら，田畑裕貴，坂田智裕，Nur Idayu Ayob，有馬健太^A，澤野憲太郎^B，稲岡毅^C，手塚勉^D，片山俊治^D，吉丸正樹^D，今村健^D，大門寛

10: 高温熱処理による空間電荷層中の電子状態への影響に関する研究
奈良先端大物質創成，半導体理工学セ^A　坂田智裕，武田さくら，Nur Idayu，田畑裕貴，松岡弘憲，森田誠，大門寛，手塚勉^A，片山俊治^A，吉丸正樹^A

11: Si(111)上Bi薄膜の非占有量子化電子状態
神戸大院工，佐賀大シンクロトロン^A　藤正修司，今村真幸^A，高橋和敏^A，山本勇^A，東純平^A，鎌田雅夫^A

23日　HA会場　23aHA　9:00～12:00

領域9，領域4，領域5
表面界面電子物性

1: Bi₂Te₃およびBi₂Se₃表面ステップの電子透過特性
お茶の水大理　小林功佳

2: 放射光励起角度分解光電子光法によるBi₂Te₃の電子状態研究
佐賀大シンクロ，山形大理^A，Daegu Univ.^B　小川浩二，佐々木実^A，大西彰正^A，北浦守^A，東純平，高橋和敏，鎌田雅夫，Heon-Jung Kim^B

3: トポロジカル絶縁体TlBi(Se_xS_1-x)₂の高分解能スピン分解ARPES
東北大院理^A，阪大産研^B，東北大WPI^C　高坂研一郎^A，江藤数馬^B，瀬川耕司^B，相馬清吾^C，佐藤宇史^A，安藤陽一^B，高橋隆^A，C

4: 三次元トポロジカル絶縁体上への二次元量子スピンホール相単一バイレイヤーBiの成長
東大理，ドイツユーリッヒ研^A，分子研^B　平原徹，Gustav Bihlmayer^A，坂本裕介，山田学，宮崎秀俊^B，木村真一^B，Stefan Bluegel^A，長谷川修司

5: 放射光ARPESで捉える３次元トポロジカル絶縁体のDirac Fermion
広大院理　木村昭夫

休憩　（10:30～10:45)

6: ラシュバ分裂した表面準位電子の量子干渉(II)
東工大総理工　平山博之，青木悠樹，加藤千明

7: ビスマス超薄膜における表面状態の電流誘起スピン偏極の測定
東大理　東野剛之，平原徹，長谷川修司

8: 高分解能スピン分解ARPESによるBi薄膜における異方的Rashba分裂の観測
東北大院理^A，東北大WPI^B，CREST-JST^C　高山あかり^A，佐藤宇史^A，相馬清吾^B，高橋隆^A，B，C

9: 高分解能スピン・角度分解光電子分光装置を用いた表面スピン電子物性測定
広大放射光セ^A，広大理^B　奥田太一^A，宮本幸治^A，宮原寛和^B，黒田健太^B，木村昭夫^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B

10: Br/Ge(111)-(1×1)表面subsurface領域に局在した電子状態のスピン分解光電子分光
京大院理^A，JST CREST^B，東大物性研^C　大坪嘉之^A，B，森亮順^A，矢治光一郎^B，C，武市泰男^C，金聖憲^C，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

23日　JB会場　23aJB　9:30～11:45

領域9
表面界面構造

1: 窒素飽和吸着Cu(001)面における圧縮応力の緩和機構
東大物性研　山田正理，中辻寛，小森文夫

2: W(110)のスピン偏極表面電子構造における異方的ディラックコーン
広大放射セ^A，広大院理^B，ミュンスター大^C，ミュンヘン大^D　宮本幸治^A，木村昭夫^B，Markus Donath^C，J?rgen Braun^D，黒田健太^B，奥田太一^A，島田賢也^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A

3: Cu(110)に吸着したNOの電子状態の制御
京大院理　塩足亮隼，北口雄也，八田振一郎，奥山弘，有賀哲也

4: 触媒反応ガス中におけるPt/CeO₂形状の温度依存性
阪大産研，阪大院理^A，首都大東京^B　吉田秀人，松浦公治^A，内康文^A，河野日出夫^A，島田悟史^B，春田正毅^B，竹田精治

休憩　（10:30～10:45)

5: α-β構造相転移に伴う水晶(100)表面のモフォロジー変化の観察
関学大理工，大真空^A　古磯尚寛，八木友沙，楊春明，熊谷毅^A，高橋功

6: 金属表面上CVD成長グラフェンの酸化とその構造
東大院理，理研基幹研^A，浦項大化学^B　野口卓也^A，金兌洙^A，B，金有洙^B，石橋幸治^A，長谷川哲也

7: 第一原理計算によるZrB2表面上のSilicene構造の研究
北陸先端大融合院，金沢大自然^A，北陸先端大マテ^B　尾崎泰助，川井弘之^A，Antoine Fleurence^B，Rainer Friedlein^B，高村(山田)由起子^B

8: Si/Au多層膜の層分離メカニズム1
防衛大機能材料　上田貴史，青野祐美，宮崎尚，岡本庸一

23日　HA会場　23pHA　13:30～16:00

領域9
表面界面電子物性

1: A Possible Transition in Systems of Magnetic Trimers on a Metal Surface
Dept. of Precision Sci. & Tech. and Applied Phys.，Osaka Univ.　Nghiem Thi Minh Hoa，Wilson Agerico Di o，and Hideaki Kasai

2: Ni(111)表面に吸着したグラフェンの電子構造：貴金属インターカレーションの効果
岩手大地連，岩手大工^A　長谷川正之，西館数芽^A

3: 金属基板上のグラフェンの電子状態
筑波大数物，理研^A，東大新領域^B，北大環境^C　竹本整司，岡田智成^A，B，本林健太^C，川合眞紀^B，金有洙^A，小林伸彦

4: 共役有機分子系の第一原理電子輸送計算
筑波大院数物，NECグリーンイノベーション研^A　高木博和，小林伸彦，広瀬賢二^A

5: Biナノリボンの電子状態に及ぼす基板の影響
金沢大自然，物材機構^A，理研^B　小鷹浩毅，斉藤峯雄，石井史之，長尾忠昭^A，柳沼晋^B

休憩　（14:45～15:00)

6: ナノキャパシタの第一原理計算：軌道分離法によるバイアス印加
東大院工，ソウル大工^A　笠松秀輔，Seungwu Han^A，渡邉聡

7: 水素終端されたSi(100)表面上の局所トンネル障壁高さへの探針誘起バンド湾曲の影響の理論解析
日大理工，東大院工^A　戸塚英臣，渡邉聡^A

8: 非磁性元素界面における磁性の可能性
東大理^A，東大物性研^B　合田義弘^A，常行真司^A，B

9: Si(001)表面に吸着したDAT分子の電子状態
和歌山大シス工，北陸先端大マテリアル^A，金沢大自然^B　小田将人，西村高志^A，笹原亮^A，村田英幸^A，新井豊子^B，富取正彦^A

23日　JB会場　23pJB　13:30～16:45

領域9，領域3合同
表面磁性

1: Au(111)表面における鉄フタロシアニンの近藤共鳴状態:NO分子によるスイッチング
東大新領域　寺内悠，伊藤彩夏，塚原規志，高木紀明，川合眞紀

2: Ag(110)基板上に形成した鉄フタロシアニン二分子膜のスピン状態
東大新領域^A，東北大WPI-AIMR^B，JASRI^C　福嶋徹^A，酒井真利^A，能登健一^A，塚原規志^A，白木将^B，中村哲也^D，木下豊彦^D，高木紀明^A，川合眞紀^A

3: Co/Cu(001)表面に成長させた鉄フタロシアニン薄膜の磁性
分子研^A，総研大^B　高木康多^A，B，江口敬太郎^B，中川剛志^A，B，横山利彦^A，B

4: 磁気記録ヘッドを利用したスピン偏極STM用磁化変調探針の開発
北大理　中元敦彦，中村拓也，奈良大地，景山龍，松山秀生，小池和幸

5: 磁化変調法によるスピン偏極STMの開発
北大理　中村拓也，中元敦彦，奈良大地，景山龍，松山秀生，小池和幸

6: 金属表面での磁気電気結合：電界による鉄ナノ磁石制御
千葉大院融合^A，KIT物理^B，MPIハレ^C，オークリッジ国研^D，マーティンルター大^E　山田豊和^A，L. Gerhard^B，T. Balashov^B，A.F. Tak?cs^B，R.J.H. Wesselink^B，M. Daene^C，D，M. Fechner^C，S. Ostanin^C，A. Ernst^C，I. Mertig^C，E，W. Wulfhekel^B

休憩　（15:00～15:15)

7: Fe/W(110)のX線磁気円二色性による研究
分子科学研　中川剛志，高木康多，横山利彦

8: 強磁性半導体EuO超薄膜における3次元角度分解光電子分光測定II
分子研UVSOR^A，名大院工^B，総研大物理^C　宮崎秀俊^A，羽尻哲也^A，B，松波雅治^A，C，伊藤孝寛^B，木村真一^A，C

9: Fe/Au(001)表面における磁気異方性電界変調の非線形性
東北大CSIS^A，東北大通研^B，金沢大理工^C　辻川雅人^A，三浦良雄^B，A，白井正文^B，A，小田竜樹^C

10: Pd/Fe/Pd(001)における磁気異方性電界効果
金沢大自然　原口辰也，辻川雅人，後藤純平，小田竜樹

11: Cu/Ni界面におけるNiの残留磁化の特異な温度依存性
KEK物構研，JST-CREST^A　雨宮健太^A，酒巻真粧子

12: 円偏光パルスレーザーによるGdFeCo薄膜の高速磁化反転のダイナミクス
JASRI/SPring-8，阪大基礎工^A，東北大工^B，日大理工^C，東大物性研^D，JASRI/JST-CREST^E，東北大工（現：福島高専）^F，JASRI（現:奈良高専機械工）^G　大河内拓雄，藤原秀紀^A，菅滋正^A，木下豊彦^E，小嗣真人^E，角田匡清^B，塚本新^C，関山明^A，新井邦明^D，福島和亮^A，山口淳一^A，磯上慎二^F，中村哲也，児玉謙司^G

23日　TE会場　23pTE　13:30～16:45

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェン物性の新展開

1: はじめに
東北大理　齋藤理一郎

2: ナノグラフェンとそのエッジの幾何学構造に依存した電子状態・磁性
東工大院理工　榎敏明

3: グラフェンエッジと電子物性：ナノリボンとナノ細孔アレイ
青学大理工　春山純志

4: 走査トンネル分光法で探るグラフェンとグラファイト表面の電子状態
東大院理　福山寛

5: グラフェンナノリボン・エッジ電子物性の理論
物材機構MANA　若林克法

休憩　（15:20～15:30)

6: 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造
東大工　山本倫久

7: グラフェン接合系における量子ホール端伝導
東大物性研　長田俊人

8: グラフェンの量子物性：ディラック点における特異な物理
東北大理　越野幹人

23日　TL会場　23pTL　13:00～15:55

領域4，領域8，領域9，領域11，領域12合同シンポジウム
主題：ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待

1: 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン
長崎大先端計算セ　江上喜幸

2: 第一原理電気伝導シミュレーション
筑波大学際物質セ　小林伸彦

3: 熱伝導現象の第一原理計算
東大理　常行真司

休憩　（14:15～14:30)

4: ナノスケール電気伝導ダイナミクスの理論計算
東大工　渡邊聡

5: 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法
筑波大計科セ　白石賢二

6: 表面・界面・固体中のプロトン伝導とその量子ダイナミクス計算
阪大工　Dino Wilson Agerico

7: サマリー
阪大理　赤井久純

23日　PSA会場　23pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: 分子線エピタキシー法によるTiB₂及びMgB₂/TiB₂の作製
岩手大院工，NIMS^A，産総研^B　武田孝紀，荒明潤，藤本優太，池田健，中村光輝，原田善之^A，山口博隆^B，吉澤正人

2: 溶液から成長する微斜面の不安定化と流れの効果III
金沢大自然，金沢大メディア基盤^A　稲葉雅至，佐藤正英^A

3: Effect of Hydrofluoric Acid Treatment on Energy Separations of Hole Subbands in Super Highly-Doped Si(111)/Indium Measured by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy (ARPES)
Grad. School of Materials Sci.，Nara Inst. of Sci. & Tech. (NAIST)^A，STARC^B　Nur Idayu Ayob^A，S.N. Takeda^A，T. Sakata^A，M. Morita^A，H. Tabata^A，H. Matsuoka^A，H. Daimon^A，M. Yoshimaru^B，T. Katayama^B，T. Tezuka^B

4: 走査トンネル顕微鏡によるナノサイズ超伝導体上の量子化磁束観察
東大物性研，理研^A，JST ERATO^B，慶大^C　坂本崇樹，富永貴亮，西尾隆宏^A，江口豊明^B，C，吉田靖雄，長谷川幸雄

5: 集束イオンビーム複合型低温4探針STM装置の開発
東大理，東大工応化^A，ユニソク^B　福居直哉，保原麗，東野剛之，植竹智哉，上田洋一，永村直佳^A，平原徹，長村俊彦^B，長谷川修司

6: REM-4PPによる表面の電気伝導度異方性の検出
農工大　高橋成和，澤田龍明，箕田弘喜

7: Si(110)表面反転層ホールサブバンドの構造:歪みの効果
琉球大理　松川憲司，稲岡毅

8: シリコンの伝導帯、間接バンドギャップに及ぼす歪みの効果
琉球大理　稲岡毅，喜舎場英吾，友利和也

9: フッ素含有自己組織化膜の電子状態
兵庫県大高度研^A，JST-CREST^B，JSPS^C，産総研^D　春山雄一^A，岡田真^A，B，C，中井康喜^A，B，石田敬雄^D，松井真二^A，B

10: 分子探針を用いたSTMに向けたシミュレーション研究II
阪府大院理，阪府大ナノ科学・材料セ^A，CREST(JST)^B　齊木祥^A，B，林伸彦^A，B

11: 放射光STMによるナノスケール表面元素分析　～金属半導体界面の元素コントラスト評価～
阪大院工^A，理研/SPring-8^B，分子研^C，物材機構^D　大関豪三^A，B，齋藤彰^A，B，野津浩史^A，B，田中武拓^A，B，高木康多^B，C，田中義人^B，香村芳樹^B，赤井恵^A，石川哲也^B，辛埴^B，桑原裕司^A，B，青野正和^D

12: 第一原理計算によるグラファイト基板表面上のHf吸着の研究
鳥大院工^A，JST-CREST^B　土路生隆宏^A，B，中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

13: 凝集現象を用いた自己組織化Agナノドット薄膜の微細構造制御
東大生研，芝浦工大^A，韓国光云大^B　神子公男，末永亮^A，野瀬健二，具正祐^B，弓野健太郎^A，光田好孝，河在根^B

14: 3次元逆格子マッピングによるSi(111)表面上に成長したAl島の構造解析
奈良先端大物質創成　服部賢，大井秀夫，田中浩太，熊谷智宏，大門寛

15: Mo(112)表面上に形成した酸化シリコン膜のLEEDによる構造解析
九大総理工　木下哲博，^○水野清義

16: Pt薄膜の逆光電子ホログラフィーのシミュレーション
JASRI，堀場製作所^A，東北大金研^B　松下智裕，上坂彰朗^A，林好一^B

17: Si(113)表面上におけるH原子吸着過程のリアルタイム計測
横国大工，防衛大^A　安部壮祐，大野真也，鈴木隆則^A，田中正俊

18: 強相関酸化物(Fe,Zn)₃O₄(001)の大気暴露表面
阪大産研，奈良先端大物質創成^A　服部梓，神吉輝夫，服部賢^A，大門寛^A，田中秀和^A

19: Fe(100)表面における酸化アルミニウム超薄膜の作製と耐熱性評価
名大工　藤好大貴，松井恒雄，柚原淳司

20: 氷Ih表面の部分融解
新潟大院自然　久賀みづき，家富洋

21: STMによる大型分子観察を目指したエレクトロスプレー蒸着法の確立
横市大院生命ナノ，アドキャップ^A　小暮勇太，横山崇，青島国広^A

22: 貴金属表面におけるTCNQ誘導体単分子膜の構造及び電子状態のSTM観察
東大新領域創成^A，理研^B，東大工^C　今井みやび^A，B，金柱亨^A，B，鄭載勲^A，B，太田英輔^B，砂有紀^B，福島孝典^B，相田卓三^B，C，金有洙^B，川合眞紀^A，C

23: Au表面に吸着したXe原子のレーザー誘起脱離熱脱離と電子遷移誘起脱離
東大生研　池田暁彦，松本益明，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

24: AFM-QCMによるグラファイトの摩擦力測定II
電通大先進理工，愛教大物理領域^A　井上大輔，細見斉子，谷口淳子，鈴木勝，石川誠^A，三浦浩治^A

25: 不純物を付加したグラフェンナノリボンにおける電子移動
成蹊大理工　露木大祥，坂本昇一，富谷光良

26: 空孔遷移PESによるクラスター内原子拡散の速度評価
立命館大総合理工，立命館大理工^A，関西学院大理工^B　新山友暁，清水寧^A，澤田信一^B，池田研介^A

27: Niナノサイズ接点の破断過程におけるゼロバイアス異常
九大院工，金沢大教育^A，九大稲盛フロンティア研究セ^B　中島尚也，家永紘一郎，横田智彦，稲垣祐次，河江達也，辻井宏之^A，木村崇^B

28: Fe，Co，Ni原子サイズ接点の室温コンダクタンス
京大工　森口裕磨，山内一正，黒川修，^○酒井明

29: レーザー光を用いたグラフェンの電気伝導制御に関するシミュレーション
神戸大院工　坂本理朗，小川真人，相馬聡文

30: TiO₂ナノチューブ表面におけるCO₂及びH₂の赤外吸収分光
東大生研　山川紘一郎，福谷克之

31: First-principles calculation of the interlayer distance of the two-layer graphene
Div. of Mathematical and Phys. Sci.，Grad. Sch. of Natural Sci. and Tech.，Kanazawa Univ.^A，Directorate of Secondary and Higher Education，Ministry of Education，Dhaka，Bangladesh^B Collaborative Res. Center for Frontier Simulation Software for Industrial Sci.，Inst. of Industrial Sci.，Univ. of Tokyo^C　Mohammad Shafiul Alam^A，B，Jianbo Lin^A and Mineo Saito^B，C

32: 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，大野隆央^B，A

33: Pd(110)への2種類の水素侵入機構
東大生研　大野哲，Markus Wilde，福谷克之

34: 過渡Nernst-Ettingshausen効果測定によるDirac fermionのカイラル性の解明
山大理，いわき明星大^A，Daegu大^B　佐々木実，佐藤直記^A，Heon-Jung Kim^B，大西彰正，北浦守，李相俊

35: ゼラチンゲル中での重クロム酸カリウム結晶成長の蒸発量依存
千葉大院理　佐久間祐介

36: 固液界面構造観察用電子顕微鏡法の開発とその応用
農工大工　箕田弘喜，稲吉悠里，高橋一徳，小沼翼，渋谷和憲

23日　PSB会場　23pPSB　15:30～17:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: 流れのある溶液からの成長時のステップの2次元的なふるまい
金沢大総合メディア基盤セ　佐藤正英

2: Study of Pb(100) thin film on Ge(100) by ARPES and LEED
Dept. of Phys.，Nat’l. Tsing Hua Univ. Hsinchu，Taiwan　Chung-Hunang Lin，Shu-Jung Tang

3: 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定III
東大工，東大理^A，広大放射光^B，中国科学院^C，東大物性研^D，お茶大理^E　永村直佳，保原麗^A，植竹智哉^A，奥田太一^B，He Ke^C，平原徹^A，小河愛実^D，柿崎明人^D，小林功佳^E，松田巌^D，長谷川修司^A

4: H₂O 吸着した Au(887) ステップ表面からのSHG応答
北陸先端大マテリアル　小野道真，上村健太，山本達也，Hoang Hieu Chi，水谷五郎

5: Study of desorption mechanism of H/D from Ge(100) surface by scanning tunneling microscopy
東大生研　王怡情，福谷克之，松本益明

6: ルチル型TiO₂(110)面での水素吸着による電子状態の変化
東大生研　深田啓介，杉本敏樹，松本益明，村田好正，福谷克之

7: GaAs(001)-(2x2)Mn表面の原子配列と電子状態評価
電通大院先進理工，物材機構^A，電通大院電子^B　菅野雄介，大竹晃浩^A，平山基^B，中村淳

8: 平面波擬ポテンシャル第一原理計算コードの高速化とスラブ系への応用　
金沢大自然　後藤純平，原口辰也，辻川雅人，小田竜樹

9: 有機薄膜研究用高輝度真空紫外軟X線ビームラインの開発と性能評価
KEK物構研　豊島章雄，菊地貴司，田中宏和，^○間瀬一彦，雨宮健太，伊藤健二

10: MnPc/HOPG表面における鏡像準位と薄膜電子状態
佐賀大シンクロ　山本勇，東純平，今村真幸，小川浩二，高橋和敏，鎌田雅夫

11: グラフェンシート上のN原子吸着の電子構造と安定性
鳥大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

12: グラファイト上の鏡像準位の時間分解角度分解2光子光電子分光
佐賀大SLセ　高橋和敏，今村真幸，東純平，鎌田雅夫

13: 電界誘起エッチングによるPtナノ探針の作製と先端構造の評価
九大総理工　小野田穣，水野清義

14: 電界誘起水エッチングによる電界放出電子源の先鋭化および低速電子回折パターンの観察
九大総理工　金岡朋美，江口智史，小野田穣，水野清義

15: 反射高速陽電子回折によるAg(111)薄膜表面上におけるBi原子の吸着位置の解析
原子力機構先端基礎研^A，東大物性研^B　深谷有喜^A，松田巌^B，望月出海^A，河裾厚男^A

16: STMで観察されるSi(111)-7x7に吸着したK原子の表面拡散
横国大工，防衛大^A　岡本春樹，百瀬辰哉，西岡広明，北嶋武^A，大野真也，田中正俊，鈴木隆則^A

17: 表面修飾Si(001)表面上のオリゴチオフェン分子の構造と電子状態
横国大工，東大物性研^A，横浜市大国際総合^B，　豊島弘明，井上彗，大野真也，向井孝三^A，吉信淳^A，横山崇^B，田中正俊

18: pythonによる電子状態計算むけ原子構造可視化ツールの開発
鳥取大工^A，JST-CREST^B　川居佳史^A，田中辰典^A，秋山洋平^A，星健夫^A，B

19: 円偏光二次元光電子分光回折法によるZrB₂の原子構造解析
奈良先端大院物質，SPring-8/JASRI^A，物材機構^B　堀江理恵，松井文彦，前島尚行，松井公佑，後藤謙太郎，松下智裕^A，大谷茂樹^B，大門寛

20: Rh(100)表面上の酸化スズ超薄膜の第一原理計算
名大院工　善久竜滋，田島大輔，松井恒雄，柚原淳司

21: カルバゾール基を有するベンゼン誘導体TCP分子のCu(111)表面上における自己組織化
横市大生命ナノ　小川翔平，横山崇

22: アモルファスカーボン薄膜表面からの昇温及び裏面電子線照射脱離II
奈良先端大物質創成　豊嶋孝文，川口剛史，立花和也，服部賢，大門寛

23: HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析-飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存
阪大院工　稲垣耕司，広瀬喜久治，森川良忠，安武潔

24: 電磁波照射下における量子リングの伝導特性の数値解析
成蹊大理工，千葉大総メディア^A　川隼人，富谷光良，坂本昇一，植田毅^A

25: 触媒及び水素吸蔵反応中のPd微粒子動的構造
原子力機構量子ビーム　松村大樹，岡島由佳，西畑保雄，水木純一郎

26: Au(111)表面上の鉄フタロシアニン分子における近藤効果の吸着サイト依存性
理研基幹研，阪大院工^A，東大新領域^B　南谷英美，松中大介^A，塚原規志^B，高木紀明^B，川合眞紀^B，金有洙

27: 金原子鎖における非断熱エレクトロマイグレーションII
東北大WPI-AIMR，JST-CREST　洗平昌晃，塚田捷

28: グラフェンFETの特性における面内歪みの影響
神大工　近江裕輔

29: グラフェンナノリボンの電気伝導における引っ張り歪みと外部電界の効果
神戸大院工　貝野昭造，小川真人，相馬聡文

30: First-principles study of healing of adatom-vacancy pair in carbon nanotubes
金沢大自然　林建波，斎藤峯雄

31: SiO₂膜中への高温イオン注入により形成したFeナノ微粒子からの単層カーボンナノチューブ成長
神奈川大理　星野靖，有馬広記，横山愛，斎藤保直，中田穣治

32: カーボンナノチューブへの一酸化炭素分子吸着状態の研究
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

33: 光電子分光によるトポロジカル絶縁体GeBi₂Te₄の表面電子状態の観測
広大放射光^A，山形大理^B，Daegu大^C，広大院理^D　有田将司^A，佐藤仁^A，佐々木実^B，大西彰正^B，北浦守^B，H.-J. Kim^C，島田賢也^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A，D

34: Au/Pd（110）表面での水素分子の解離と吸収
東大生研　灘波和博，福谷克之

35: 水素吸着によるSrTiO₃(001)表面金属化の研究
東大物性研^A，東大理^B，奈良先端大物質^C，パリ大^D，東工大理工^E　湯川龍^A，B，山本達^A，Marie D'angelo^D，小河愛実^A，B，小澤健一^E，北川哲^C，大門寛^C，松田巌^A

24日　HA会場　24aHA　9:00～11:15

領域9
表面ナノ構造量子物性

1: Size Dependence of d-band Properties of the Gold Nano-clusters Grown on Amorphous Carbon Support
Ritsumeikan Univ.，Nat’l. Inst. of Advanced Industrial Sci. and Tech. (AIST)^A　Anton Visikovskiy，Hisashi Matsumoto，Kei Mitsuhara，Toshitaka Nakada，Tomoaki Akita ^A，Yoshiaki Kido

2: グラフェン・ナノチューブにおけるアドアトム関連欠陥の第一原理計算
金沢大自然　西田和永，林建波，斎藤峯雄

3: 収差補正透過電子顕微鏡による格子間チタン原子の直接観察
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，JST-CREST^C　田中崇之^A，C，炭屋亜美^B，高柳邦夫^A，C

4: 金属ダイマー化合物の磁気相互作用に関する密度汎関数法による研究
日大文理　鈴木秀則，里子允敏

休憩　（10:00～10:15)

5: 物理粉砕したシリコンナノ粒子の表面観察とpn接合の形成
阪大産研　前田譲章，松本健俊，小林光

6: Teナノ結晶の格子定数
富山大理　池本弘之，五葉見道，奥田康裕，前川仁志

7: 高分子薄膜上におけるPd錯体の金属Pdナノ粒子化のその場観察
関学大理工　大嶋悠司，古磯尚寛，子安直樹，高橋功

24日　RC会場　24aRC　9:00～12:30

領域9，領域5合同シンポジウム
主題：Nanoscience by the fusion of light and scanning probe microscopy　（光と走査プローブ顕微鏡の融合によるナノサイエンス）

1: Photon imaging of single molecules at the ultimate spatial resolution
理研河田ナノフォトニクス研究室　Chen Chi

2: Nano-scale characterization using a technique of STM　induced light emission
物材機構　櫻井亮

3: THz near-field imaging of thermally excited surface waves
東大総合文化　梶原優介

4: Tip enhanced near-field Raman spectroscopy for vibrational nano-imaging
理研生命システム研究セ　市村垂生

休憩　（10:40～10:50)

5: Nanoscale spectroscopy by optical pump-probe STM
筑波大数理物質　重川秀実

6: Towards single molecule spectromicroscopy by combining STM and ultrafast lasers
東理大理　渡辺量朗

7: High-resolution element specific imaging by STM assisted with synchrotron radiation soft X-rays
JST-ERATO,慶大理工　江口豊明

8: Elemental analysis at 1 nm scale by STM combined with highly brilliant hard X-rays
阪大工精密科学　齋藤彰

24日　HA会場　24pHA　13:30～17:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象

1: p-type GaAs(110)表面の原子分解能STM発光観察
理研，東工大院理工^A　今田裕，清水智子，山本直己^A，金有洙

2: 超伝導STMジャンクション法によるC60分子接合の電気伝導測定
東大新領域^A，理研^B　平岡諒一^A，塚原規志^A，高木紀明^A，川合眞紀^A，B

3: その場電子顕微鏡法による白金-金-白金ナノ接合の電気伝導測定
筑波大院数理　児玉智志，木塚徳志

4: 規定された伝導度を示すπ共役単分子接合の探索
東工大院理工　金子哲，中住友香，木口学

5: 水素単分子接合における伝導電子による分子振動励起効果
東工大院理工　松下龍二，金子哲，中住友香，木口学

6: 白金ナノ接点におけるエレクトロマイグレーションのアンジッピング過程その場観察
筑波大院数理　児玉智志，木塚徳志

7: ロジウムナノ接点のその場電子顕微鏡観察
筑波大応理，筑波大院数理^A　大古喬之，増田秀樹^A，木塚徳志^A

休憩　（15:15～15:30)

8: 銀原子ワイヤー形成の前駆的構造とコンダクタンス
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

9: 2層シリコンナノシートにおける表面再構成
産総研ナノシステム，RMIT大応物^A　森下徹也，M.J.S. Spencer^A，S.P. Russo^A，I.K. Snook^A，三上益弘

10: 非平衡グリーン関数法を用いたナノワイヤの熱伝導解析
筑波大数理，NECグリーンイノベーション研^A　山本晃平，石井宏幸，広瀬賢二^A，小林伸彦

11: 第一原理非調和格子モデルを用いたナノワイヤの熱伝導率計算
東大院理^A，東大物性研^A，B　只野央将^A，合田義弘^A，常行真司^A，B

12: pn接合分子ダイオードの理論計算と軌道スイッチ機構
産総研ナノシステム研究部門　中村恒夫，浅井美博

13: First-principles study of transport properties of BNC nanotubes II
Dept. Prec. Sci. Tech.，Osaka Univ.　Nguyen Duy Huy，Tomoya Ono

14: 非平衡グリーン関数法によるナノ接合系における過渡電流の電圧印加速度依存性の解析
東大院工，東理大工^A　笹岡健二，山本貴博^A，渡邉聡

24日　RC会場　24pRC　13:30～15:10

領域9
領域9若手奨励賞受賞記念講演

1: 領域9若手奨励賞選考報告および授賞式
兵庫県立大・物理質　馬越健次

2: 第一原理に基づくナノ構造の輸送特性計算
阪大工　小野倫也

3: アンカンチオール単分子膜に対する非弾性トンネル分光
東工大応セラ研　岡林則夫

4: 反射高速陽電子回折による最表面構造に関する研究
原子力機構先端基礎研　深谷有喜