領域4

21日　TL会場　21aTL　9:00～12:30

領域4
半導体スピン物性

1: 弱局在／反局在測定によるInGaAs量子井戸のスピン軌道相互作用係数の定量的決定
ルヴァン大^A，北大工^B，北大院情報^C，NTT物性研^D　S. Faniel^A，松浦徹^B，峰重俊介^C，関根佳明^D，^○古賀貴亮^C

2: InGaAsメゾスコピックループ配列における時間反転干渉効果の半古典ビリヤードシミュレーションによる再現
北大情報^A，産総研^B，NTT物性研^C　峰重俊介^A，川畑史郎^B，関根桂明^C，古賀貴亮^A

3: InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御
NTT物性基礎研　佐々木智，章国強，舘野功太，原田裕一，都倉康弘，寒川哲臣，村木康二

4: 半導体量子細線におけるスピンホール効果によるスピン偏極の空間分布
北大工　河合遼太，冨尾祐，鈴浦秀勝

5: InGaAs量子ポイントコンタクトを用いたRashbaスピン軌道相互作用による電気的スピン生成
東北大工，JSTさきがけ^A，京大化研^B，NTT基礎研^C　好田誠^A，中村秀司^B，西原禎孝^B，小林研介^B，小野輝男^B，都倉康弘^C，新田淳作

6: 希薄磁性半導体量子井戸における電子および不純物スピン分極の同調した空間振動
北大工　土家琢磨

休憩　（10:30～10:45)

7: 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証
北陸先端大ナノセ　日高志郎，近藤太郎，^○赤堀誠志，山田省二

8: 時間依存スピン軌道相互作用から誘起される電流とスピン流
東邦大理，東北大工^A　大江純一郎，好田誠^A，新田淳作^A

9: 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の各層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析
北陸先端大ナノセ　森本幸作，韋威，岩瀬比宇麻，赤堀誠志，^○山田省二

10: InGaAs/InAlAs2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴
物材機構，北陸先端大ナノセ^A　今中康貴，高増正，新田峻介^A，赤堀誠志^A，山田省二^A

11: InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析
神戸大院工^A，北大創成^B，NTT-BRL^C，北大情報^D　向井肇^A，小川真人^A，相馬聡文^A，松浦徹^B，関根佳明^C，古賀貴亮^B，D

12: InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果
北大院工^A，北大院情報^B，神戸大院工^C，NTT物性研^D　松浦徹^A，峰重俊介^B，相馬聡文^C，関根佳明^D，^○古賀貴亮^B

13: ZnSe/BeTe量子井戸における光誘起スピン偏極電子の異方的空間伝播
千葉大院理，千葉大普遍セ^A，産総研^B　米内山章吾，田中周太，三野弘文^A，秋本良一^B

21日　TM会場　21aTM　9:30～12:15

領域4
量子細線・接合系

1: Suzuki-Trotter法による電子波束ダイナミックスの多体効果
筑波大物理^A，筑波大院数物^B，東北大スピンセ^C，東北大学際セ^D，筑波大計科セ^E，CREST-JST^F　尹永択^A，塩川太郎^A，高田幸宏^B，岩田潤一^E，小鍋哲^B，F，有川晃弘^C，村口正和^D，F，遠藤哲郎^C，D，F，初貝安弘^B，F，白石賢二^B，E，F

2: ハートリーフォック近似によるナノ構造中の電子波束ダイナミックス
筑波大院数物，筑波大物理^A，東北大スピントロニクス集積化セ^B，東北大学際セ^C，筑波大計科セ^D，CREST-JST^E　高田幸宏，尹永択^A，^○塩川太郎^A，岩田潤一^D，小鍋哲^E，有川晃弘^B，村口正和^C，E，遠藤哲郎^B，C，E，初貝安弘^A，E，白石賢二^D，E

3: 半導体量子細線における磁場依存性と解析II
千葉大院融合，ニューヨーク州立大^A　項少華，渋谷薫，藤和俊，大上真由，青木伸之，S.Xiao^A，J.P.Bird^A，落合勇一

4: InGaAs二次元電子系上に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流雑音測定
京大化研，東北大院工^A，JST-PRESTO^B　中村秀司，西原禎孝，知田健作，荒川智紀，関口康爾，千葉大地，小林研介，小野輝男，好田誠^A，B，新田淳作^A

休憩　（10:30～10:45)

5: 超電導ネットワークにおけるSU(2)対称性の拡大
旭川医大，北大院工^A，北大院情報^B　藤井敏之，松浦徹^A，江口陽人^A，松田賢一^B，丹田聡^A

6: 時間Greenberger-Horne-Zeilingerテストによる巨視的量子限界の探索
旭川医大，広大院先端物質^A，広大院総合科^B　藤井敏之，西田宗弘^A，畠中憲之^B

7: 取　　消

8: 3サイト分子架橋系におけるループ電流の過渡特性
千葉大理研^A，東大院理^B　飯塚秀行^A，中山隆史^A，穴釜剛^B

9: 取　　消

10: Quantum interference in InAs self-assembled quantum ring grown by droplet epitaxy
物材機構MANA^A，東理大理^B，物材機構^C　金鮮美^A，神尾充弥^B，井上亮太郎^B，矢吹紘久^A，B，野田武司^C，定昌史^C，渡辺英一郎^C，津谷大樹^C，高柳英明^A，B

21日　GE会場　21pGE　13:30～16:25

領域10，領域4合同シンポジウム
主題：格子欠陥・ナノ構造の3次元実空間解析

1: 三次元実空間解析の意義：緒言
慶大理工　山内淳

2: 50pm分解能STEMによる原子欠陥の個別識別　＝＝ドーパント＝＝
阪大　超高圧電子顕微鏡センター　大島義文

3: 球面収差補正電子顕微鏡によるナノマテリアル原子レベル構造解析
名大エコトピア研　田中信夫

休憩　（14:40～14:55)

4: Ｘ線ホログラフィーによる格子欠陥と局所格子歪みの評価
東北大金研　林好一

5: 弗酸液浸フォトルミネッセンスイメージングによる太陽電池評価
JAXA宇宙研　田島道夫

6: レーザーアトムプローブによる無機材料の３次元ナノ解析
物質材料機構　宝野和博

21日　TE会場　21pTE　13:30～17:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: グラフェンを用いた超伝導量子干渉計の作製と輸送測定
物材機構MANA^A，東理大理^B，物材機構ナノ融合^C，筑波大物創^D，CREST^E　津村公平^A，E，大杉正樹^B，林朋美^B，渡辺英一郎^C，津谷大樹^C，野村晋太郎^D，高柳英明^A，B，E

2: 取　　消

3: 単層グラフェンアンチドットの磁気輸送
広大先端　八木隆多，下村翠，深田誠也，田原文哉

4: 非接触トップゲートを用いた多層グラフェンの上面／下面移動度の評価
筑波大数理物質^A，CREST-JST^B，物材機構^C　貫井洋佑^A，B，後藤秀徳^A，B，友利ひかり^A，B，豊田行紀^A，B，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，B

5: グラフェン単層2層接合における量子ホール界面状態
東大物性研　上原史也，佃明，内田和人，鴻池貴子，長田俊人

6: 非一様歪みのあるグラフェンの形成と電気伝導測定
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，豊田行紀^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，森山悟士^B，渡辺英一郎^B，津谷大樹^B，神田晶申^A，C

7: 2層グラフェンにおける電気伝導：長距離散乱体・バンドギャップ・積層の効果
東工大院理工　安藤恒也

休憩　（15:15～15:30)

8: 多層グラフェン境界における電気伝導
産総研，東工大理^A　中西毅，安藤恒也^A

9: カーボンナノチューブから開口形成した細い低欠陥グラフェンナノリボンFETの電気特性
青学大理工，Rice Univ.^A　上川正太，八木優子，春山純志，D. C. Marcano^A ，D. V. Kosinkin^A，J.M. Tour^A

10: グラフェンへの電極接触抵抗のゲート電圧依存性
東北大WPI，東北大院理^A　野内亮，齊藤達也^A，三苫伸彦^A，谷垣勝己

11: グラフェン/Au 界面における Ti 薄膜の挿入の効果
産総研ナノシス　金子智昭，今村裕志

12: 電極金属が誘起するグラフェン電子構造の空間的変調
筑波大数理，CREST　高木祥光，岡田晋

13: 磁性電極を用いたグラフェンにおける伝導特性の第一原理計算
金沢大自然，金沢大理工^A，北陸先端大^B　澤田啓介，石井史之^A，斎藤峯雄^A，尾崎泰助^B

14: スプリットゲートを持つ二層グラフェンの量子伝導
東大物性研　内田和人，鴻池貴子，長田俊人

15: 電子輸送特性の解析によるグラフェン上酸素吸着への電界効果の解明
東工大院理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

21日　TL会場　21pTL　13:30～16:00

領域4
若手奨励賞・磁性半導体

1: 審査概要と受賞者紹介
北陸先端大ナノセ　山田省二

2: 量子導体の計数統計と揺らぎの定理
三重大工物工　内海裕洋

3: 強磁性電極を接合した半導体量子ドットのスピン伝導に関する研究
九大システム情報　浜屋宏平

休憩　（14:40～15:00)

4: X-ray magnetic circular dichroism study of Cr-doped Cd_0.80Mn_0.20Te
Dept. of Physics，Univ. of Tokyo^A，Photon Factory，IMSS，High Energy Accelerator Res. Organization Tsukuba^B，Inst. of Materials Sci.，Univ. of Tsukuba^C　V. K. Verma^A，V. R. Singh^A，K. Ishigami^A，G. Shibata^A，T. Kadono^A，A. Fujimori^A，T. Koide^B，K. Ishikawa^C，K. Kanazawa^C and S. Kuroda^C

5: LiZnAsベース磁性半導体の材料設計
阪大基礎工　藤本悟智人，^○佐藤和則，吉田博

6: 磁性半導体に対する格子間同時ドーピング法の効果の第一原理計算による予測
阪大基礎工　藤井将，佐藤和則，吉田博

7: 強磁性薄膜GdNの強磁性共鳴による研究II
神戸大院理，東工大極低温セ^A，神戸大連携創造^B，神戸大分子フォトセ^C，神戸大研究基盤セ^D，神戸大院工^E　福岡洋平，藤澤真士^A，張衛民^B，大久保晋^C，太田仁^C，櫻井敬博^D，吉富大明^E，來山真也^E，喜多隆^E，和田修^E

21日　PSA会場　21pPSA　13:30～15:30

領域4
領域4ポスターセッション

1: Mn層状オキシプニクタイドのCe置換効果
日大理工，広大院理^A，広大放射光^B，　鬼澤愛美，諸澤泰裕，武田良太，平本尚三^A，吉田芙美子^A，森吉千佳子^A，黒岩芳弘^A，仲武昌史^B，佐藤仁^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一

2: 層状半導体(LaO)MnPn; Pn = P, As, Sbのランタノイド置換効果
日大理工^A，広大院理^B　諸澤泰裕^A，鬼沢愛美^A，武田良太^A，平本尚三^B，吉田芙美子^B，森吉千佳子^B，黒岩芳弘^B，渡辺忠孝^A，高野良紀^A，高瀬浩一^A

3: レーザーおよび一様静磁場下の2次元電子系における磁気抵抗振動現象
東海大理，日本ギア工業^A　内田朋久，山田和弘，藤田真帆，小泉秀巨^A，豊田正

4: 一様静磁場下の2次元電子系におけるマグネトプラスモン分散関係
東海大理，富士通コンポーネント^A，日本電子専門学校^B，日本ギア工業^C　山田和弘，内田朋久，藤田真帆，平岩伸義^A，福田竜郎^B，小泉秀巨^C，豊田正

5: 半導体量子ポイントコンタクトの非線形伝導における高調波歪み測定
東工大院理工^A，NTT物性基礎研^B　村田竜二^A，橋坂昌幸^A，村木康二^B，藤澤利正^A

6: 1本のGaNナノコラムの電気伝導II
上智大理工^A，上智ナノテクセ^B，千葉大院融合^C　加藤雄也^A，中田洋平^A，安藤豪紀^A，生井達也^A，黒江晴彦^A，B，関根智幸^A，B，菊池昭彦^A，B，岸野克巳^A，B，青木伸之^C，落合勇一^C

7: InGaAs二次元電子系に作製した量子ポイントコンタクトにおける電流揺らぎ測定II
京大化研，東北大工^A，JSTさきがけ^B　西原禎孝，中村秀司，知田健作，荒川智紀，小林研介，小野輝男，好田誠^A，B，新田淳作^A

8: 結合量子ドットを用いた電荷量子ビット制御における格子振動の影響
神戸大院工　斉藤守由，小川真人，相馬聡文

9: ニッケル強磁性電極の点接触による巨大熱起電力
北大電子研^A，JSTさきがけ^B　近藤憲治^A，海住英生^A，B，石橋晃^A

10: 薄膜エッジを利用したNi/NiO/Niナノスケールトンネル接合の作製とその電流電圧特性
北大電子研^A，JSTさきがけ^B　海住英生^A，B，近藤憲治^A，石橋晃^A

11: トポロジカル絶縁体界面における電子波束のスピンダイナミクス
秋田大工学資源　大村幸憲，小野田勝

12: トポロジカル絶縁体における相関効果
京大理　吉田恒也，藤本聡，川上則雄

13: トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質Cu_xBi₂Se₃の電気化学的インターカレーションによる合成
阪大産研　和田祥平，Markus Kriener，Zhi Ren，瀬川耕司，安藤陽一

14: 高バルク抵抗トポロジカル絶縁体におけるスピン偏極輸送特性観測の試み
阪大産研　江藤数馬，佐々木聡，Zhi Ren，瀬川耕司，安藤陽一

15: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃薄膜における輸送測定
京大化研　松尾貞茂，小山知弘，荒川智紀，西原禎孝，千葉大地，小林研介，小野輝男

16: スピン偏極表面状態が予測されているNaCoO₂の材料研究
阪大産研　吉田遼平，A. A. Taskin，瀬川耕司，安藤陽一

22日　RC会場　22aRC　9:00～12:15

領域9，領域4，領域6，領域7合同シンポジウム
主題：多彩な表面系における電子輸送現象 /Electron Transport Phenomena on Surface Systems - Interdisciplinary Approach

1: 趣旨説明 /Introduction
奈良先端大　武田さくら

2: 半導体表面における量子ホール伝導と２次元スピングラス /Quantum Hall effect in adsorbate-induced electron systems and two-dimensional spin-glass ordering in submonolayer Fe films on cleaved semiconductor surfaces
東大理　岡本徹

3: Point-Contact Transport Properties of Strongly Correlated Electrons on the Surface of Liquid Helium
理研　Rees Devid

4: グラフェンにおけるジョセフソン電流 /Superconducting proximity effect in graphene
筑波大　神田晶申

休憩　（10:20～10:35)

5: III-V族半導体表面における2次元電子状態と原子マニピュレーション /Characterization of two-dimensional electronic states and manipulation of individual atoms at the III-V semiconductor surface
NTT基礎研　蟹澤聖

6: ラシュバ・トポロジカル表面系の輸送特性 /Transport properties of Rashba and topological surfaces
東大理　平原徹

7: シリコン表面超構造における超伝導電流 /Macroscopic supercurrent through a silicon surface reconstruction
物材機構　内橋隆

8: スピン偏極ＳＴＭによる単一有機分子を介するスピン伝導測定 /Giant magneto-resistance through a single molecule by means of spin-polarized STM
千葉大　山田豊和

22日　TL会場　22aTL　9:00～12:30

領域4
グラフェン／ディラック電子系

1: ディラック電子系におけるホール伝導度への長距離不純物の効果
東工大理工^A　野呂昌生^A，安藤恒也^A，村上修一^A

2: 3層グラフェンにおける輸送現象の積層構造依存性
東大工，Regensburg大^A，Exeter大^B，Dresden High Magnetic Field Laboratory^C　徳光晋太朗，S. H. Jhang^A，M. F. Craciun^B，S. Schmidmeier^A，S. Russo^B，山本倫久，Y. Skourski^C，J. Wosnitza^C，C. Strunk^A，樽茶清悟

3: 多層グラフェンにおける層間電気伝導度および光学伝導度
東工大理　和久津岳生，中村正明

4: SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定
NTT物性基礎研^A，東工大^B　熊田倫雄^A，田邉真一^A，日比野浩樹^A，鎌田大^A，B，橋坂昌幸^B，村木康二^A，藤澤利正^B

5: グラフェン量子ホール系における光学縦伝導度と光学ホール伝導度に対するσ_xx-σ_xyダイアグラム
東大理　森本高裕，青木秀夫

6: グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II
千葉大院融合，千葉大工^B，アリゾナ州大^C，バッファロー大^D　阿部拓斗^A，M.アカラム^A，磯優平^B，青木伸之^A，D.K.フェリー^C，J.P.バード^D，落合勇一^A

7: 2層グラフェンPN接合デバイスの整流特性制御とバンドギャップ値の評価
東大工，Exeter大^A　塩谷広樹，山本倫久，Saverio Russo^A，Monica F. Craciun^A，樽茶清悟

休憩　（10:45～11:00)

8: グラフェン平面接合におけるジョセフソン効果
広大院先端　高根美武，井村健一郎

9: グラフェン/h-BN量子ホール系における非局所抵抗
東大生産研^A，東大ナノ量子^B，物材機構^C，JSTさきがけ^D　井口和之^A，増渕覚^A，B，山口健洋^A，渡邊賢司^C，谷口尚^C，守谷頼^A，町田友樹^A，B，D

10: 傾いたディラックコーンを持つ系における不純物散乱効果
京大基研　樋村隆弘，森成隆夫

11: グラフェンランダウファンダイアグラムに現れる界面準位の影響
NTT物性基礎研　高瀬恵子，田邉真一，佐々木智，日比野浩樹，村木康二

12: 磁場中グラフェンのカイラル対称性と多体状態の数値的研究
筑波大物理，東大物理^A　濱本雄治，初貝安弘，青木秀夫^A

13: 単層、2層グラフェンでのエッジ状態の理論
兵庫県大物質理，東大物性研^A　長谷川泰正，甲元眞人^A

22日　TM会場　22aTM　9:00～12:15

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: GaAs/AlAs超格子におけるワニエ・シュタルク局在過程でのフランツ・ケルディッシュ振動II
阪市大院工　川端哲矢，中山正昭

2: GaAs/AlGaAs超格子におけるフランツ・ケルディッシュ振動領域での量子ビート
兵庫県大院物質理，阪市大院工^A　長谷川尊之，高木芳弘，中山正昭^A

3: 半導体中での波束ダイナミクスの印加電圧依存性
筑波大院数物，筑波大物理^A，東北大スピントロニクス集積化セ^B，東北大学際セ^C，筑波大計科セ^D，CREST-JST^E　高田幸宏，尹永択^A，塩川太郎^A，岩田潤一^D，小鍋哲^E，有川晃弘^B，村口正和^C，E，遠藤哲郎^B，C，E，初貝安弘^A，E，白石賢二^D，E

4: 半導体量子井戸における吸収・利得スペクトルと励起子イオン化率の解析
阪大理　吉岡匠哉，浅野建一

5: n型ドープ単一量子細線の利得スペクトル測定と理論計算との定量比較
東大物性研，京大化研^A，Princeton Univ.^B　福田圭介，吉田正裕，望月敏光，秋山英文，岡野真人^A，Loren N. Pfeiffer^B，Ken W. West^B

6: Wavelength-dependent short pulses generated by gain switching in optically pumped ridge quantum-well lasers
ISSP，Univ. of Tokyo，NICHe，Tohoku Univ.^A，Princeton Univ.^B　S.Q.Chen，M.Yoshita，T.Ito，T.Yokoyama，C.Kim，T.Mochizuki，K.Fukuda，S.Maruyama，H.Akiyama，H.Yokoyama^A，L.N.Pfeiffer^B and K.W.West^B

休憩　（10:30～10:45)

7: Kennard-Stepanov関係式に基づく非ドープ量子井戸内の光励起キャリアの非平衡分布
東大物性研，プリンストン大^A　丸山俊，井原章之，吉田正裕，望月敏光，秋山英文，Loren N. Pfeiffer^A，Ken W. West^A

8: シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性
筑波大院数物　櫻井蓉子，白石賢二，大毛利健，山田啓作，野村晋太郎

9: GaAs T型量子細線における励起子の高Rydberg状態の観測
京大化研，東大物性研^A，Princeton Univ.^B　岡野真人，吉田正裕^A，陳少強^A，望月敏光^A，秋山英文^A，金光義彦，Loren Pfeiffer^B，Ken West^B

10: 分数量子ホール領域の発光の微細構造（2）
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D　野村晋太郎^A，B，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D

11: Sp3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明
東大院工　松下雄一郎，古家真之介，押山淳

12: ダイヤモンド多形における光吸収スペクトルの第一原理計算
東工大理，Univ. of California Berkeley^A　櫻井誠大，斎藤晋，Jack Deslippe^A，Steven G. Louie^A

22日　EC会場　22pEC　13:30～16:55

領域1，領域4合同シンポジウム
主題：多様な物理系の量子制御と量子情報処理の科学

1: 趣旨説明
学習院大　平野琢也

2: ジョセフソン量子ビットの最新の成果
理研／NEC　蔡兆申

3: 量子ドットスピン量子計算の進展
東大・工　樽茶清悟

4: 単一ＮＶ中心における多量子ビット化へ向けた研究
阪大・基礎工・物質　水落憲和

休憩　（14:55～15:15)

5: スピン増幅の概念とスケーラブルな実現
阪大・基礎工・システム　根来誠

6: 光格子中冷却原子を用いた量子シミュレーション
京大・理　素川靖司

7: Λ型三準位系を用いた決定論的光子量子ゲート理論
東京医歯大　越野和樹

8: 光子を用いた量子回路の実現と展望
北大・電子研　竹内繁樹

22日　TC会場　22pTC　13:30～16:55

領域5，領域4，領域7合同シンポジウム
主題：光励起の素過程と平衡からはるか遠くの相転移パラダイム

1: はじめに
名大院工　中村新男

2: 共鳴光学過程における量子相関と緩和現象のダイナミックス
奈良先端大物質　相原正樹

3: 高密度電子正孔系の物質相－励起子ガスの基底状態を求めて
東大院理　五神真

4: 光励起による自発的並進対称性破綻の量子動力学
高エネ機構物構研　那須奎一郎

休憩　（15:10～15:25)

5: 自己束縛励起子から光誘起相転移へ
阪大産研　谷村克己

6: 電荷移動から始まる格子の再構成－遷移金属錯体における光誘起現象
東大物性研　末元徹

7: 光誘起相転移研究の動的構造観測手法による展開
東工大院理工　腰原伸也

22日　TL会場　22pTL　13:30～16:45

領域4，領域7合同シンポジウム
主題：ディラック電子系の物性

1: 場の理論から見たディラック電子
東大物性研　押川正毅

2: グラフェンにおけるディラック電子
東大理　青木秀夫

3: 分子性導体におけるディラック電子
東邦大理　田嶋尚也

休憩　（15:00～15:15)

4: ビスマスにおけるディラック電子
阪大基礎工　伏屋雄紀

5: トポロジカル絶縁体とディラック電子～結晶の時空変形の効果
物材機構　田中秋広

6: 鉄系超伝導におけるディラック電子
東北大理　佐藤宇史

23日　HA会場　23aHA　10:00～10:30

領域9，領域4，領域5
表面界面電子物性

5: 放射光ARPESで捉える３次元トポロジカル絶縁体のDirac Fermion
広大院理　木村昭夫

休憩　（10:30～10:45)

23日　TL会場　23aTL　9:15～12:15

領域4
量子ホール効果

1: 金属-絶縁体転移における秩序変数の普遍分布
北大院工　水高将吾，矢久保考介

2: 単結晶ビスマスナノワイヤーのShubnikov-de Haas振動
埼玉大工，茨城大工^A，東大物性研^B　常見文昭，村田正行，長谷川靖洋，小峰啓史^A，遠藤彰^B

3: ビスマスナノワイヤーの量子化磁場下での熱電特性の理論計算
東大生研，東大物性研^A，埼玉大理工^B，核融合研^C，横国大工^D，分子研^E　平山尚美，遠藤彰^A，藤田和博^A，長谷川靖洋^B，^○羽田野直道，中村浩章^C，白崎良演^D，米満賢治^E

4: 六方格子変調を加えた二次元電子系の幾何学共鳴現象
東大物性研　加藤悠人，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

5: 1次元平面超格子の高周波伝導率に見られる整数充填率近傍の共鳴ピーク
東大物性研　梶岡利之，^○遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

休憩　（10:30～10:45)

6: g因子制御量子井戸の電子スピン共鳴
東大理，NRC-CNRC^A　寺岡総一郎，Giles Allison，森本和浩，藤田高史，木山治樹，大岩顕，Sofiane Haffouz^A，David Guy Austing^A，樽茶清悟

7: 量子ホール系における電流加熱時電子温度の空間分布と発生する熱起電力
東大物性研　藤田和博，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

8: 閉じ込めポテンシャル近傍における交換増強されたスピン分裂の観測
農工大院工^A，JSTさきがけ^B　生嶋健司^A，B，國谷幸佑^A

9: エッジチャネル間スピン散乱によるMach-Zehnder型干渉効果
東大総合文化　中島峻，小宮山進

10: 電流ゆらぎ測定による量子ホール効果ブレークダウン前駆現象の観測
京大化研，東大生産研^A　知田健作，橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，荒川友紀，西原禎孝，町田友樹^A，小林研介，小野輝男

11: 量子ポイントコンタクトを用いた抵抗検出型核磁気共鳴
理研^A，JST^B，Konstantz大^C，東大生産研^D，東大ナノ量子機構^E　川村稔^A，B，Daniel Gottwald^A，C，大野圭司^A，河野公俊^A，町田友樹^D，E

23日　TR会場　23aTR　9:00～12:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: スピン軌道相互作用が強い系の輸送現象に対するマヨラナ端状態の効果とその制御
名大工　山影相，田中由喜夫

2: トポロジカル超伝導体Cu_xBi₂Se₃における常伝導状態:Cu, Bi, Se-NMR
岡大自然，中国科学院^A，阪大産研^B　岩瀬文達，李政^A，鄭国慶，M. Kriener^B，瀬川耕司^B，Z. Ren^B，安藤陽一^B

3: 高い静水圧環境下におけるBi₂Te₃の圧力誘起超伝導
東大物性研^A，Chinese Academy of Sci.^B，The Univ. of Texas^C　寺井達哉^A，松林和幸^A，C.Q. Jin^B，J.S. Zhou^C，上床美也^A

4: トポロジカル絶縁体表面における超伝導不純物効果のBdG方程式による解析
東大院工，ラトガース大^A　伊藤祐斗，山地洋平^A，今田正俊

5: 銅をドープしたトポロジカル絶縁体Cu_xBi₂Se₃の超伝導特性
筑波大数理物質，物材機構^A　鈴木悠介，Pradip Das，茂筑高士^A，柏木隆成，門脇和男

6: 元素ドープしたトポロジカル絶縁体における超伝導(II)
東工大応セラ研　笹川崇男，五十嵐九四郎

休憩　（10:30～10:45)

7: 量子異常ホール絶縁体／超伝導体接合系における輸送現象
名大工，東大物性研^A　伊井彰宏，矢田圭司，佐藤昌利^A，田中由喜夫

8: トポロジカル絶縁体を舞台とした超伝導物質の輸送特性
阪大産研　瀬川耕司，Markus Kriener，和田祥平，佐々木聡，Zhi Ren，安藤陽一

9: Thermodynamic properties of the superconducting phase in Cu_xBi₂Se₃
Inst. of Industrial and Scientific Res.，Osaka Univ.　M. Kriener，K. Segawa，S. Wada，S. Sasaki，Z. Ren，Y. Ando

10: 多バンド超伝導体Sr₂RuO₄のエッジ状態における磁気的性質と輸送特性
埼玉大理^A，物材機構^B，スイス連邦工科大^C　今井剛樹^A，C，若林克法^B，Manfred Sigrist^C

11: 取　　消

12: Cu_xBi₂Se₃のトンネル分光実験
阪大産研　佐々木聡，Markus Kriener，和田祥平，瀬川耕司，安藤陽一

23日　TE会場　23pTE　13:30～16:45

領域7，領域4，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェン物性の新展開

1: はじめに
東北大理　齋藤理一郎

2: ナノグラフェンとそのエッジの幾何学構造に依存した電子状態・磁性
東工大院理工　榎敏明

3: グラフェンエッジと電子物性：ナノリボンとナノ細孔アレイ
青学大理工　春山純志

4: 走査トンネル分光法で探るグラフェンとグラファイト表面の電子状態
東大院理　福山寛

5: グラフェンナノリボン・エッジ電子物性の理論
物材機構MANA　若林克法

休憩　（15:20～15:30)

6: 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造
東大工　山本倫久

7: グラフェン接合系における量子ホール端伝導
東大物性研　長田俊人

8: グラフェンの量子物性：ディラック点における特異な物理
東北大理　越野幹人

23日　TL会場　23pTL　13:00～15:55

領域4，領域8，領域9，領域11，領域12合同シンポジウム
主題：ナノスケール量子輸送の計算科学的研究の現状・展望と次世代スパコンへの期待

1: 第一原理輸送計算によるナノデバイスの機能評価とデザイン
長崎大先端計算セ　江上喜幸

2: 第一原理電気伝導シミュレーション
筑波大学際物質セ　小林伸彦

3: 熱伝導現象の第一原理計算
東大理　常行真司

休憩　（14:15～14:30)

4: ナノスケール電気伝導ダイナミクスの理論計算
東大工　渡邊聡

5: 次世代LSI開発における計算科学の位置づけと利用方法
筑波大計科セ　白石賢二

6: 表面・界面・固体中のプロトン伝導とその量子ダイナミクス計算
阪大工　Dino Wilson Agerico

7: サマリー
阪大理　赤井久純

23日　TM会場　23pTM　13:30～17:00

領域4
量子ドット

1: 単一InAs自己形成量子ドットにおける光介在トンネル
東大工^A，JST-CREST^B，東大生研^C，東大ナノ量子機構^D　高橋駿^A，小幡利顕^A，R. S. Deacon^A，吉田勝治^A，大岩顕^A，B，柴田憲治^C，平川一彦^B，C，D，樽茶清悟^A，D

2: 量子ドットにおけるMulti Exciton Generation/Recombinationの実時間シミュレーション
京大院理，Univ. of Washington^A，Univ. of Rochester^B　金賢得，Angie B. Madrid^A，Oeg V. Prezhdo^B

3: 光子偏光量子状態転写を用いた単一電子スピン状態トモグラフィ手法の提案
東大工　木山治樹，米田淳，藤田高史，大岩顕，樽茶清悟

4: Exciton states of core-shell CdTe/CdS nanotetrapods
Tsukuba Univ.^A，Natl Inst Mat Sci^B　Yuanzhao Yao^A，B，Kazuaki Sakoda^A，B

5: 半導体量子ドットによるCircuit QEDの研究III
東大総合文化　樋田啓，中島峻，小宮山進

6: ポテンシャルの時間分解測定による表面弾性波フォノン共振器特性
東工大院理工^A，NTT物性基礎研^B　水野翔平^A，西尾啓太郎^A，橋坂昌幸^A，村木康二^B，藤澤利正^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 3角形3重量子ドット系における長岡強磁性とAndreev散乱
大阪市大理　島本将志，小栗章^A

8: 直列多重ドットで誘起される電子スピン状態とスピンブロッケード
東北大理，理研^A　泉田渉，天羽真一^A

9: 2重量子ドットにおける3電子スピンブロッケイド現象と核スピン効果
理研^A，東北大理^B，東工大理^C，東大物理工^D，NRC-Canada^E　天羽真一^A，泉田渉^B，高橋諒^A，C，河野公俊^A，C，樽茶清悟^D，D. G. Austing^E，大野圭司^A

10: 結合量子ドット三準位系における暗状態の定常解
東芝研開センタ，理研^A，ミシガン大^B　棚本哲史，大野圭司^A，Franco Nori^A，B

11: 動的核スピンポンプのヒステリシス特性
NTT物性基礎研　都倉康弘，久保敏弘

12: シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性
東工大量子ナノ研セ^A，東大ナノ量子機構^B，さきがけ-JST^C，東工大院理工^D，東大生産研^E　小寺哲夫^A，B，C，堀部浩介^A，蒲原知宏^A，山端元音^A，内田建^D，荒川泰彦^B，E，小田俊理^A

13: 取　　消

23日　TR会場　23pTR　13:30～16:30

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 鉛系トポロジカル絶縁体PbBi₂Te₄におけるディラック表面状態の観測
広大理^A，広大放射光セ^B，トムスク大^C，ドノスティア国際物セ^D，バク国立大^E　宮原寛和^A，黒田健太^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，木村昭夫^A，S.V. Eremeev^C，E.V. Chulkov^D，Ziya Aliyev^E，Imam Amiraslan^E，有田将司^B，島田賢也^B，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

2: 低エネルギー放射光ARPESを用いたトポロジカル絶縁体三元カルコゲナイドにおけるディラック電子状態の観測
広大院理^A，トムスク大^B，ドノスティア国際物理セ^C，広大放セ^D，呉高専電^E　黒田健太^A，叶茂^A，宮原寛和^A，S.V. Eremeev^B，E.E. Krasovskii^C，E.V. Chulkov^C，宮本幸治^D，奥田太一^D，有田将司^D，島田賢也^D，植田義文^E，生天目博文^D，谷口雅樹^A，D，木村昭夫^A

3: 電子相関による自発的対称性の破れが生むトポロジカル絶縁体の相転移現象
東大院工　栗田萌，山地洋平，今田正俊

4: タリウム系トポロジカル絶縁体における量子相転移: 高分解能ARPES
東北大院理^A，阪大産研^B，東北大WPI^C　佐藤宇史^A，瀬川耕司^B，高坂研一郎^A，相馬清吾^C，中山耕輔^A，江藤数馬^B，南達哉^B，安藤陽一^B，高橋隆^A，C

5: トポロジカル絶縁体Bi_1.5Sb_0.5Te_1.7Se_1.3における時間分解反射率測定
京大院理^A，阪大産研^B，京大iCeMS^C　大西義人^A，Zhi Ren^B，瀬川耕司^B，安藤陽一^B，田中耕一郎^A，C

6: 相互作用のあるトポロジカル絶縁体に関する研究
物性研，京大理^A，東工大^B　多田靖啓，R. Peters^A，古賀昌久^B，川上則雄^A，藤本聡^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 2次元量子磁性体におけるエッジ状態とその安定性
兵庫県大工，青学大理工^A　鈴木隆史，佐藤正寛^A

8: 様々なトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価
東工大応セラ研　山本宗平，五十嵐九四郎，加納学，笹川崇男

9: 様々な元素をドープしたトポロジカル絶縁体の単結晶合成と物性評価(II)
東工大応セラ研　廣瀬峻啓，山本宗平，五十嵐九四郎，並木宏允，浅川瑞生，加納学，笹川崇男

10: トポロジカル絶縁体におけるaxion electrodynamics
京大理　塩崎謙，藤本聡

11: スピン分解ARPESによるトBi₂Te₃の表面スピンz成分の直接観測
東北大WPI^A，東北大院理^B，阪大産研^C　相馬清吾^A，高坂研一郎^B，佐藤宇史^B，小松誠^B，高山あかり^B，高橋隆^A，B，M. Kriener^C，瀬川耕司^C，安藤陽一^C

24日　TC会場　24aTC　9:00～12:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 量子ウォークにおける１次元カイラル・クラスのトポロジカル相と局在非局在転移
Karlsruhe Inst. of Tech.，京大理^A　小布施秀明，^○川上則雄^A

2: Electronic states of Co and Fe atoms deposited on topological insulator Bi₂Se₃ studied by XMCD, ARPES and STM
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，JAEA/SPring-8^B，HSRC，Hiroshima Univ.^C ，Kure Nat’l. Col. of Tech.^D　M. Ye^A，K. Kuroda^A，Y. Takeda^B，Y. Saitoh^B，M. Nakatake^C，K. Miyamoto^C，T. Okuda^C，K. Shimada^C，Y. Ueda^D，H. Namatame^C，M. Taniguchi^A，C，A. Kimura^A

3: 補償したトポロジカル絶縁体の輸送特性
東大院総合　吉中泰輝，今井良宗，近藤隆祐，前田京剛

4: 磁気的乱れを有する量子スピンホール系におけるスピン輸送
阪大院基礎工　服部公則

5: トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃の磁場中分光イメージング
理研^A，東工大応セラ研^B，東大新領域^C　花栗哲郎^A，五十嵐九四郎^B，川村稔^A，高木英典^A，C，笹川崇男^B

6: 3次元トポロジカル絶縁体の表面状態の有限サイズ効果および乱れによるトポロジーの変化
名大工　海老原和人，矢田圭司，山影相，田仲由喜夫

休憩　（10:30～10:45)

7: 磁性不純物をドープしたトポロジカル絶縁体における表面磁化制御
理研^A，東大工^B　野村健太郎^A，永長直人^B

8: PLD法によるBi₂Se₃単結晶薄膜の作製とキャリヤー制御
東大工，ERATO-MF^A，理研CMRG・CERG^B　吉見龍太郎，小野瀬佳文^A，塚崎敦，袁洪涛，日高剛朗，岩佐義宏^B，川崎雅司^B，十倉好紀^A，B

9: 異なるトポロジカル絶縁体表面の接合部における屈折とギャップレス状態
東工大物理　高橋隆志，村上修一

10: バルク絶縁性の高いトポロジカル絶縁体における表面輸送現象
阪大産研　安藤陽一，Zhi Ren，A.A. Taskin，佐々木聡，瀬川耕司

11: Berry phase of Dirac fermions in the quantum oscillations of Topological Insulators
Inst. of Industrial and Scientific Res.，Osaka Univ.　A. A. Taskin and Y. Ando

12: ヘリカルな伝導の干渉効果
東北大理　増田俊平，倉本義夫

24日　TR会場　24aTR　9:00～12:30

領域4
量子ドット

1: フェムトファラッドを持つNi-Nb-Zr-H系アモルファス合金のAC インピーダンス解析と量子ドット
東北大金研　福原幹夫，吉田肇

2: Si/SiGe2重量子ドットにおける高周波応答について
東大工，Regensburg大^A　武田健太，小幡利顕，Juergen Sailer，Dominique Bougeard^A，樽茶清悟

3: 2重量子ドットでの単一光励起電子のドット間トンネリング検出
東大工　藤田高史，木山治樹，寺岡総一郎，大岩顕，樽茶清悟

4: ガリウムヒ素系量子ドットにおける順方向オーバーハウザーシフト
ICORP-JST，東大工^A，シェルブルク大^B，NTT物性基礎研^C　小幡利顕^A，ミシェルピオロラドリエル^B，都倉康弘^C，樽茶清悟^A

5: Hund則を有する量子ドット系の近藤効果による低バイアス非平衡電流
東大工，阪市大理^A　阪野塁，小栗章^A

6: 隣接量子ドット間ゼーマンエネルギー差の微小磁石設計による制御
東大工　米田淳，大塚朋廣，高倉樹，小幡利顕，樽茶清悟

休憩　（10:30～10:45)

7: 電子正孔対称・軌道縮退Anderson模型の1/(N-1)展開と非平衡近藤効果
大阪市大理，東大工^A，東大物性研^B　小栗章，阪野塁^A，藤井達也^B

8: 量子ポイントコンタクト電流における電荷ノイズのウェハ構造依存性
NTT物性基礎研　日達研一，太田剛，小野満恒二，村木康二

9: ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤領域における非弾性過程
慶大理工，UBC^A　吉井涼輔，江藤幹雄，Ian Affleck^A

10: 量子ドットアハロノフボームリングと仕事の揺らぎ定理
三重大物工，カールスルーエ大^A，京大化研^B　内海裕洋，D. S. Golubev^A，M. Marthaler^A，Gerd Schoen^A，小林研介^B

11: 自己形成InAs量子ドット超伝導量子干渉計における強い近藤効果領域での位相測定
東大工^A，東大生研^B　金井康^A，中山和貴^A，R.S. Deacon^A，大岩顕^A，柴田憲治^B，平川一彦^B，樽茶清悟^A

12: 量子ドット電荷検出計を含む非平衡な環境との結合による位相緩和
NTT物性基礎研　久保敏弘，都倉康弘

13: 多端子Anderson量子ドット系の完全計数統計とHanbury Brown-Twiss効果
東大工，阪市大理^A，物性研^B　阪野塁，小栗章^A，加藤岳生^B，樽茶清悟

24日　TC会場　24pTC　13:30～16:15

領域4
トポロジカル絶縁体

1: 取　　消

2: 極性半導体BiTeIにおけるラシュバ型スピン分裂の観測
東大工^A，理研CERG^B，東大物性研^C，広大院理^D，広大放射光セ^E，ERATO-MF^F　石坂香子^A，M. S. Bahramy^B，村川寛^B，坂野昌人^A，下志万貴博^A，園部竜也^A，小泉健二^C，辛埴^C，宮原寛和^D，木村昭夫^D，宮本幸治^D，奥田太一^E，生天目博文^E，谷口雅樹^D，E，有田亮太郎^A，B，永長直人^A，B，金子良夫^F，小野瀬佳文^A，F，十倉好紀^A，B，F

3: 空間反転対称性の破れた層状半導体BiTeIの軟X線角度分解光電子分光
東大工^A，理研SPring-8^B，東大物性研^C，理研CERG^D，ERATO-MF^E　坂野昌人^A，下志万貴博^A，園部竜也^A，宮脇淳^B，A. Chainani^B，高田恭孝^B，辛埴^B，C，M. S. Bahramy^D，有田亮太郎^A，D，永長直人^A，D，村川寛^D，金子良夫^E，小野瀬佳文^A，E，十倉好紀^A，D，E，石坂香子^A

4: トポロジカル絶縁体表面の非線形光学効果
東工大理　三澤哲郎，横山毅人，村上修一

5: Relocation of the topological state of Bi₂Se₃ beneath the surface by Ag intercalation
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，Tomsk State Univ.^B，HSRC，Hiroshima Univ.^C，DIPC^D，Kure Nat’l. Col. of Tech.^E　M. Ye^A，S. V. Eremeev^B，K. Kuroda^A，M. Nakatake^C，E. E. Krasovskii^D，E. V. Chulkov^D，M. Arita^C，K. Miyamoto^C，T.Okuda^C，K.Shimada^C，H. Namatame^C，M. Taniguchi^A，C，Y. Ueda^E，and A. Kimura^A

休憩　（14:45～15:00)

6: トポロジカル絶縁体における螺旋／刃状転位と有限サイズ効果
広大先端研，物材機構^A　井村健一郎，高根美武，田中秋広^A

7: 重元素を含み空間反転非対称な層状化合物における3次元ラシュバ金属の探索(II)
東工大応セラ研　加納学，笹川崇男

8: 層状Rashba物質BiTeIの分光イメージング測定
理研^A，東工大応セラ研^B，東大院新領域^C　幸坂祐生^A，加納学^B，高木英典^A，C，笹川崇男^B

9: Bi_1-xSb_x (111) 表面における準粒子干渉の走査トンネル分光測定
東大物性研，阪大産研^A　吉澤俊介，中村史一，飯盛拓嗣，中辻寛，Alexey A. Taskin^A，安藤陽一^A，松田巌，小森文夫

10: 立方晶逆ペロブスカイト物質Ca₃PbOにおけるディラック電子
東大理　苅宿俊風，小形正男

24日　TR会場　24pTR　13:30～16:15

領域4
量子ホール効果

1: MgZnO/ZnOヘテロ構造における高移動度希薄二次元電子の量子ホール状態
東大院工，JST-PRESTO^A，理研^B，東北大金研^C，スタンフォード大^D，東大新領域^E，東大総合文化^F，東北大WPI^G，JST-CREST^H　小塚裕介，^○塚崎敦^B，マリエンコ・デニス^B，ジョセフ・フォルソン^C，ベル・クリストファー^D，金民祐^E，疋田育之^E，ハロルド・ファン^D，E，中村慎太郎^C，淡路智^C，上野和紀^F，川崎雅司^B，G，H

2: Magnesium doping controlled density and mobility of two-dimensional electron gas in Mg_xZn_1-xO/ZnO heterostructures
Tohoku Univ. IMR ，RIKEN^A，Univ. of Tokyo^B，JST-PRESTO^C，JST-CREST^D，WPI Tohoku Univ.^E　Joseph Falson，Denis Maryenko^A，小塚裕介^B，塚崎敦^B，C，川崎雅司^{A，B，D，E}

3: 2層系ν＝1量子ホール状態における発現温度の異常
兵庫医科大物理，京大院理^A，京大低温セ^B　寺澤大樹，福田昭，森川智喜^A，鄭仰東^B，澤田安樹^B

4: N=1ランダウ準位における異なる分数量子ホール状態に対するdisorderの効果
NTT物性基礎研　Gerardo Gamez，^○村木康二

5: 量子ホール効果ブレークダウンによる核スピン偏極の電流・フィリングファクター依存性
JST-ERATO^A，東北大院理^B　冨松透^A，橋本克之^A，B，平山祥郎^A，B

6: 量子ホール2次元電子系における熱平衡状態の核スピン偏極率の充填率依存性
JST-ERATO^A，NTT物性基礎研^B，東北大院理^C　渡辺信嗣^A，熊田倫雄^B，平山祥郎^A，C

休憩　（15:00～15:15)

7: 2層ν=2/3量子ホール状態における核スピン偏極の拡散
京大院理^A，兵庫医科大物理^B，京大低温セ^C　Nguyen Minh-Hai^A，津田是文^A，福田昭^B，寺澤大樹^B，小笠原良晃^A，岩田一樹^A，澤田安樹^C

8: ν=2/3量子ホール効果を用いた二層量子井戸間の核スピン拡散
JST-ERATO^A，東北大理^B　羽田野剛司^A，久米航^B，秋葉圭一郎^A，渡辺信嗣^A，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B

9: 抵抗検出された光学的核スピン偏極の占有率依存性
JST-ERATO^A，東北大院理^B　秋葉圭一郎^A，金杉静子^B，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B

10: 光学的核スピン偏極での照射光条件の抵抗検出を用いた評価
東北大院理^A，JST‐ERATO^B　金杉静子^A，秋葉圭一郎^B，長瀬勝美^B，平山祥郎^A，B