領域9

20日　GL会場　20aGL　9:30～12:30

領域9
微粒子・クラスター／若手奨励賞

1: グラファイト表面に担持したタングステンクラスターのサイズに依存した構造変化
コンポン研，豊田工大^A　早川鉄一郎，安松久登^A，近藤保^A

2: 取　　消

3: 連続網目構造Mo膜の光吸収とエネルギーバンド
旭川医大一般教育物理　安濃英治

4: Pd金属微粒子のCO/NO触媒反応中における動的な形態・構造・酸化状態変化
原子力機構量子ビーム，ダイハツ工業^A　松村大樹，岡島由佳，西畑保雄，水木純一郎，谷口昌司^A，上西真里^A，田中裕久^A

5: fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価
阪府大院工，産総研ユビキタス^A　田口昇，田中真悟^A，秋田知樹^A，香山正憲^A，堀史説

6: 銅クラスターへの酸素吸着反応：サイズによるクラスターの構造転移と反応性変化
豊田工大，コンポン研^A，東北大金研^B　市橋正彦，平林慎一^A，川添良幸^B，近藤保

休憩　（11:00～11:20)

7: 領域９若手奨励賞選考報告および受賞式
東大物性研　小森文夫

8: 閾値光電子磁気円二色性による磁性薄膜の研究
分子研　中川剛志

9: 金原子の表面拡散とナノ構造形成
東大生産研　小倉正平

20日　GQ会場　20aGQ　9:00～11:15

領域9
表面界面電子物性

1: Si(001)表面のレーザー光電子分光
阪大産研　田中慎一郎，谷村克己

2: フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II
阪大産研　市林拓，谷村克己

3: Si(111)-(7×7)の表面電子構造：再訪 II
阪大産研，阪大工^A，Univ. Erlangen^B　金崎順一，森川良忠^A，谷村克己，Thomas Fauster^B

4: Si(001)ホールサブバンド分散の角度分解光電子分光測定
奈良先端大，半導体理工学セ^A　武田さくら，谷川洋平，田畑裕貴，小池潤一郎，山中佑一郎，森田誠，大門寛，吉丸正樹^A，今村健^A

5: Ge(111)√3×√3-Au表面の電子状態
東大物性研　中辻寛，柴田祐樹，新倉涼太，山田正理，飯盛拓嗣，小森文夫

6: 極薄金属ワイヤーに生ずる低次元プラズモン
琉球大理，ハノーファー大^A，物材機構^B　稲岡毅，E.P. Rugeramigabo^A，C. Tegenkamp^A，H. Pfnuer^A，長尾忠昭^B

休憩　（10:30～10:45)

7: Cu(111)表面の2次元光電子分光
立命館大総研，立命館大理工^A，奈良先端大物質創成^B　滝沢優，藤岡ゆかり^A，難波秀利^A，松井文彦^B，大門寛^B

8: 走査トンネル顕微鏡を用いたPbナノアイランド構造における超伝導状態の研究
東大院工，東大物性研^A，理研^B　富永貴亮，江口豊明^A，安東秀^A，西尾隆宏^B，長谷川幸雄^A

20日　HT会場　20aHT　9:00～12:00

領域10，領域9合同
格子欠陥・ナノ構造

1: 第一原理分子動力学法によるアルカリ金属水素化物とアンモニアからの水素放出の研究
広大先進セ^A，熊本大院自然^B，広大院総合科^C，広大先端研^D　山根阿樹^A，下條冬樹^B，星野公三^C，市川貴之^A，D，小島由継^A，D

2: 水素誘起多量空孔生成による金属格子原子の拡散：モンテ・カルロシミュレーション
中央大理工　杉本秀彦，深井有

3: タングステン単空孔での水素捕獲の第一原理計算
九大応力研，九大総理工^A　大沢一人，後藤準也^A，矢木雅敏

4: 取　　消

5: 収差補正STEMによる単原子観察とZコントラストイメージング
東工大院理工^A，JST-CREST^B　神保雄^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B，沢田英敬^B

休憩　（10:15～10:30)

領域10，領域9合同

6: 陽電子プローブマイクロアナライザーによる塑性変形した鉄－銅合金の欠陥分布計測
千葉大院工，東北大多元研^A　藤浪真紀，河島祐二，神野智史，打越雅仁^A，鈴木茂^A，一色実^A

7: 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価
産総研，筑波大数理物質^A，千葉大院工^B，東北大多元研^C　大島永康，鈴木良一，大平俊行，木野村淳，窪田翔二^B，渡邉宏理^B，上殿明良^B，藤浪真紀^C，打越雅仁^D，鈴木茂^D

8: FeRhバルク合金のEXAFSによる構造解析と照射誘起強磁性
阪府大院工，原子力機構^A　小杉晋也，藤田直樹，岡本芳浩^A，斎藤勇一^A，石川法人^A，松井利之，堀史説，岩瀬彰宏

9: LaH₂における圧力誘起相分離の温度効果
原子力機構放射光　町田晃彦，綿貫徹，川名大地，青木勝敏

10: 酸化物セラミックスの転位偏析に関するマルチスケール解析
岡山大院自然，物材機構^A，名工大院工^B，豊田中研^C　鶴田健二，小山敏幸^A，尾形修司^B，兵頭志明^C

11: 表面増強ラマン散乱光の偏光異方性
北大院理　長澤文嘉，高瀬舞，保田諭，並河英紀，村越敬

20日　GL会場　20pGL　13:30～16:45

領域9
表面ダイナミクス・水素ダイナミクス

1: Modeling of Structural Changes Induced by Electron Transport Through Adsorbed Molecule on Surface: Melamine on Cu (100)
Osaka Univ.　Abdulla Sarhan，Hiroshi Nakanishi，Hideaki Kasai

2: トンネル電子に誘起されたMgO/Ag(100)上のCO分子のダイナミクス
東大工，理研^A，東大新領域^B　水澤岳^A，本林健太^A，B，Hyung-Joon Shin^A，金有洙^A，川合眞紀^A，B

3: STMを用いたCu(111)上の(CH₃S)₂の解離反応のメカニズム解析
東大新領域，理研^A　本林健太^A，金有洙^A，小原通明^A，川合真紀^A

4: TiO₂ anatase/水界面の水分子吸着に関する第一原理分子動力学シミュレーション
物材機構MANA^A，JSTさきがけ^B，JST-CREST^C　隅田真人^A，胡春平^A，^○館山佳尚^A，B，C

5: 誘電体で被覆された金属平板間に存在するカシミールエネルギーの被覆厚依存性
兵庫県大工　乾徳夫

6: 固液界面で起こるカシミール斥力による量子浮上
愛教大物理，兵庫県大工^A　石川誠，乾徳夫^A，^○三浦浩治

休憩　（15:00～15:15)

7: 表面X線回折法によるIn/Si(111)-(4×1)表面の相転移の研究II
京大院理^A，JST-CREST^B，JASRI^C　八田振一郎^A，B，宮本早苗^A，大坪嘉之^A，B，田尻寛男^C，坂田修身^C，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

8: Si(001)表面局在振動の低速電子線による非調和性を通じた励起と構造変換
九大理　楳崎将，河合伸

9: 短パルスレーザー光照射による過渡的な吸着種－基板間非断熱結合の増大
京大院理^A，JSTさきがけ^B，分子研^C　渡邊一也^A，B，井上賢一^A，中井郁代^A，松本吉泰^A，C

10: レーザー照射によるナノ構造の選択的分解・脱離の第一原理シミュレーション
東理大理　春山潤，渡辺一之

11: 低フルーエンスフェムト秒レーザー照射金属表面からの放出イオン測定によるナノアブレーションダイナミクスの解明
京大化研，京大院理^A　宮坂泰弘^A，橋田昌樹^A，岡室皇紀^A，時田茂樹^A，阪部周二^A

12: 金属表面に吸着した水素分子の核スピン転換機構
阪大院工　國貞雄治，中西寛，Wilson Agerico Dino，笠井秀明

20日　GP会場　20pGP　13:30～16:50

領域9シンポジウム
主題：Force Spectroscopy and Tunneling Spectroscopy by SPM and related techniques

1: Introduction
金大理工　新井豊子

2: A fundamental relation between interaction energy and tunneling conductance with experimental verifications
Columbia大応用物数　Chen C. Julian

3: Imaging by scanning tunneling spectroscopy: observation of vortices in nano-size superconductors and the screened potential
東大物性研　長谷川幸雄

4: Geometrical dependence of a metal tip on the tunneling conductance
東工大院総理工　大島義文

休憩　（15:05～15:20)

5: Tracking free and localized electrons by scanning probe microscopy
Regensburg大物　Giessibl Franz J.

6: Force and tunneling spectroscopy using cantilever based AFM/STM
阪大院工　杉本宜昭

7: Recent topics in theoretical studies on measurements using SPM
東大院工　渡邉聡

20日　GQ会場　20pGQ　13:30～16:30

領域9
表面界面電子物性

1: Bi薄膜の超高分解能スピン分解ARPES
東北大院理^A，東北大WPI^B，CREST-JST^C　高山あかり^A，菅原克明^B，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，C

2: BiSb合金超薄膜表面状態の光電子分光スペクトルの偏光依存性
東大理，分子研^A，DIPC スペイン^B　平原徹，坂本裕介，最首祐樹，宮崎秀俊^A，木村真一^A，E. Krasovskii^B，E.V. Chulkov^B，長谷川修司

3: シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃超薄膜の電子構造
東大理　坂本裕介，平原徹，長谷川修司

4: Biナノリボンの第一原理計算
金沢大自然，NIMS^A　小鷹浩毅，斎藤峯雄，石井史之，長尾忠昭^A，柳沼晋^A

5: Geに由来する表面状態のRashbaスピン分裂構造
京大院理^A，JST CREST^B，広大放セ^C，広大院理^D　大坪嘉之^A，B，矢治光一郎^A，B，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，宮本幸治^C，奥田太一^C，木村昭夫^D，生天目博文^C，谷口雅樹^C，D，有賀哲也^A，B

6: スピン角度分解光電子分光によるPd(001)上Fe超薄膜の電子状態の研究
東大物性研　西出聡悟，^○武市泰男，Ran FanYong，長谷川隆英，原沢あゆみ，松田巌，柿崎明人

休憩　（15:00～15:15)

7: 結合したQuantum Corral内の電子状態
埼工大院　光岡重徳，田村明

8: Anisotropic structural modulation of the epitaxial Au(111) thin films on striped Ag substrates
NIMS　Puneet Mishra，Takashi Uchihashi，Tomonobu Nakayama

9: 銀ストライプ表面における一次元的定在波のSTM観察II
物材機構^A，お茶大理^B　内橋隆^A，小林功佳^B，中山知信^A

10: 低温型独立駆動4探針STMによるSi(111)4×1-In上Ag薄膜の輸送特性測定
東大理　永村直佳，保原麗，植竹智哉，平原徹，長谷川修司

11: 高周波測定対応STMと表面電子スピン検出
理研^A，東大新領域^B　小野雅紀^A，花栗哲郎^A，高木英典^A，B，山田太郎^A

20日　GV会場　20pGV　13:30～17:00

領域7，領域9合同シンポジウム
主題：有機半導体界面における電子状態プローブの新展開

1: はじめに
岡山大院理　久保園芳博

2: 角度分解光電子分光による有機半導体のバンド分散・電子/振動相互作用
千葉大院融合科学　上野信雄

3: Energy level pinning at interfaces with organic semiconductors: doping versus interface states
Humboldt大　Koch Norbert

4: 表面X線散乱法によるsub-Å分解能表面構造解析
阪大基礎工　若林裕助

休憩　（15:05～15:20)

5: 電場誘起ESRによる有機半導体界面の電子状態観測
筑波大院数物　丸本一弘

6: 電界誘起ESRを用いた局在状態密度分布解析
理研CMRG　Mishchenko Andrey

7: 過渡吸収分光で探る有機半導体の光キャリアダイナミクス
東大新領域　岡本博

8: 有機半導体界面の電荷変調分光
産総研PRI　長谷川達生

21日　GL会場　21aGL　9:00～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: 取　　消

2: Au(111)表面におけるHe*の脱励起過程
東大院総合，阪大院工^A　青木優，増田茂，佐々木啓太，十河真生，森川良忠^A

3: SH,SF分光によるルチル型TiO₂表面にできるステップからの捕捉準位の選択的な検出
北陸先端大マテリアルサイエンス　高橋寛明，渡邊亮輔，水谷五郎

4: ZnO表面における水素吸着誘起金属化の表面依存性
東工大院理工，高エネ研^A　小澤健一，間瀬一彦^A

5: 取　　消

6: Al原子とSiON/SiC(0001)表面のSchottky接合に関する電子状態計算
東大院理，東大物性研^A　安藤康伸，合田義弘，常行真司^，A

休憩　（10:30～10:45)

7: HfO₂・SiO₂薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価
電通大電子　涌井貞一，中村淳，名取晃子

8: 分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究：I-V曲線のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源
東北大WPI-AIMR，CREST-JST　洗平昌晃，塚田捷

9: 2-メチルプロペン終端Si(100)基板とF4-TCNQの相互作用
東大物性研　向井孝三，坂口裕二，小板谷貴典，筒井琢仁，片山哲夫，古橋匡幸，吉本真也，吉信淳

10: F4-TCNQ/Cu(100)の振動と電子状態
東大物性研　片山哲夫，向井孝三，吉本真也，吉信淳

11: Alq₃/金属界面での非局所電子相関の役割に関する第一原理的研究
阪大工，東北大WPI-AIMR^A，Rutgers Univ.^B　柳澤将，濱田幾太郎^A，Kyuho Lee^B，森川良忠

21日　GP会場　21aGP　9:00～12:30

領域9，領域7合同シンポジウム
主題：分子狭窄系の物理

1: はじめに
東大新領域　川合眞紀

2: 単一分子狭窄系の表面ダイナミックス
理研　金有洙

3: 単分子接合における電子輸送とフォノン散乱
東工大院理工　木口学

4: 単分子接合系の局所加熱
阪大産研　谷口正輝

5: 分子接合系における局所熱発生とエネルギー変換過程の理論
産総研計算科学　浅井美博

休憩　（10:40～10:55)

6: 単一分子のキャリア注入と輸送
阪大基礎工　多田博一

7: 低次元系金属構造体における局在光電場分布の可視化
分子研　岡本裕巳

8: 固体液体界面における2次元狭窄系の電界効果
阪大院理　竹谷純一

9: 分子狭窄系の課題と展望
東北大WPI　塚田捷

21日　GL会場　21pGL　13:30～16:30

領域9
結晶成長

1: 直鎖脂肪酸二次元島のOstwald ripening
立命館大理工　人見健太郎，徳永良平，井福博章，高岸洋一，平井豪，中田俊隆

2: 電場中において一方向凝固する有機物質の固液界面トポグラフィー
立命館大理工　小山義昭，後藤一基，高岸洋一，平井豪，中田俊隆

3: 立方晶ブタインスリンの晶相変化と分子間相互作用解析
北里大院理，立命館大生命科学^A　大滝正訓，猿渡茂，菅原洋子，高橋卓也^A

4: 蛋白質Gel中におけるCaCO₃の結晶成長
中央大理工　倉繁正和，松下貢

5: 空気－氷結晶界面での表面融解およびラフニングの光学その場観察
北大低温研^A，JSTさきがけ^B，学習院大計算セ^C　佐崎元^A，B，Salvador Zepeda^A，中坪俊一^A，横山悦郎^C，古川義純^A

6: 氷核活性バクテリア存在下での氷結晶成長速度の異方性
産総研，北大低温研^A，東北大理^B　灘浩樹，Salvador Zepeda^A，三浦均^B，古川義純^A

休憩　（15:00～15:15)

7: 結晶のキラリティ選択
慶大理工　斎藤幸夫，日向裕幸

8: 微細構造基板上へのヘテロ吸着３、ポスト基板上での濡れ
慶大理工，Oxford^A　高野幸一，齋藤幸夫，Olivier Pierre-Louis^A

9: 結晶粉砕によるカイラリティ転換の条件--反応率，開放系--
名大理　上羽牧夫

10: Ga吸着中のSi(111)面でのステップパターン生成のモデル I
名大理，金沢大メディア^A　近藤信二，佐藤正英^A，上羽牧夫

11: 定常成長時のキンク密度とステップ移動速度
学習院大計セ，京大理^A　松本喜以子，入澤寿美，北村雅夫^A

21日　GP会場　21pGP　13:30～17:30

領域7，領域9
グラフェン

1: SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析
NTT物性基礎研　日比野浩樹

2: 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態
東大院工，筑波大計科セ^A　古家真之介，岩田潤一^A，押山淳

3: Liドープグラフェン／SiCの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

4: SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態
東大物性研，九大院工^A，九大院総合理工^B　中辻寛，柴田祐樹，森田康平^A，水野清義^B，田中悟^A，^○小森文夫

5: Substrate effect on the edge states of epitaxial graphenen grown on 4H-SiC(0001) studied by STM/STS
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，Dept. Phys.，Fudan Univ.^C　M. Ye^A，Y.T. Cui^B，Y. Nishimura^A，Y. Yamada^A，Qiao^C，A.Kimura^A，M. Nakatake^B，M. Sawada^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

6: Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析
東大院理^A，東大院新領域^B　小幡誠司^A，今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

休憩　（15:15～15:30)

7: SiC上グラフェンの結晶学的特徴
名大エコ研^A，JFCC^B　乗松航^A，B，楠美智子^A，B

8: グラファイトの高圧における電気伝導特性
阪大産研　中江伸也，出倉春彦，白井光雲，柳瀬章

9: 宙づりにした単層及び二層グラフェンの超格子構造直接観察
東工大院理工^A，CREST-JST^B　安部悠介^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

10: 基板によるグラファイト電子構造変調
筑波大数理　岡田晋

11: DFT計算による二層グラフェン上の吸着子の電子構造
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

12: 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

13: グラフェン剥がしのダイナミクス
愛教大物理，成蹊大理工^A　石川誠，佐々木成朗^A，三浦浩治

14: グラフェンナノリボンにおける多端子電気伝導
筑波大数物　高木博和，小林伸彦

21日　HT会場　21pHT　13:30～16:50

領域10，領域9，領域1合同シンポジウム
主題：原子分解能をもつX線・電子線ホログラフィー

1: Introductory talk
東北大金研　林好一

2: 光電子ホログラフィーと立体原子写真
奈良先端大物質創成　大門寛

3: 内殻準位シフト分解光電子回折とその応用
静岡大電子工　下村勝

4: ワイゼンベルグ反射高速電子回折法の開発
東北大多元研　虻川匡司

休憩　（14:55～15:10)

5: 蛍光X線ホログラフィーの応用
広島工業大工　細川伸也

6: CTR散乱ホログラフィー
東大物性研　高橋敏男

7: 原子分解能ホログラフィーにおける最新の原子像再生技術
JASRI制御・情報部門　松下智裕

8: 放射光や自由電子レーザーを用いたコヒーレント光イメージング
理研播磨研　西野吉則

21日　PSA会場　21pPSA　13:30～15:30

領域9
領域9ポスターセッション

1: Co/N/Cu(001)微斜面からの非線形発光の観測
NHK放送技研，横浜国大^A，東大物性研^B　河村紀一，大野真也^A，飯盛拓爾^B，小森文夫^B

2: 半導体表面超構造上Ag超薄膜のREM-4PPによる量子井戸状態の研究
農工大院工^A，JST CREST^B　藤村倫子^A，澤田龍明^A，箕田弘喜^A，B

3: GaAs(001)表面上におけるCr吸着
東工大院理工　柳生数馬，駒宮大介，吉野淳二

4: 流れのある溶液に接するステップ列の挙動
金沢大総合メディア　佐藤正英

5: Optical Second Harmonic Generation Study of CO Adsorption on Au(887)
School of Materials Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech.　Hoang Chi Hieu，Michiane Ono，Tatsuya Yamamoto，Goro Mizutani

6: 時間・角度分解２光子光電子光法によるCu(111)表面電子状態の研究
佐賀大SL　小川浩二，東純平，高橋和敏，鎌田雅夫

7: Ni(110)-O表面の表面光学応答の第一原理計算
石川高専，マテリアルデザイン^A，ウイーン大^B，北陸先端大マテリアル^C，東北大通研^D　佐野陽之，W. Wolf^A，R. Podloucky^B，水谷五郎^C，片野諭^D，上原洋一^D

8: ロジウム面上の窒素酸化物分子
岩手大工，慶大理工^A　西館数芽，近藤寛^A，長谷川正之

9: Pb/Ge(111)-β(√3×√3)R30°の表面構造と電子状態
京大院理^A，JST CREST^B　矢治光一郎^A，B，大坪嘉之^A，B，武藤宏^A，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

10: 偏極準安定HeビームによるSi(111)-(7×7)最表面スピン計測　　
物材機構　倉橋光紀，山内泰

11: Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用
和歌山大シス工，物材機構^A，東大生産研^B　小田将人，近藤恒^A，B，奈良純^A，B，大野隆央^A，B

12: Si(001)初期酸化表面の時間分解角度分解2光子光電子分光
佐賀大院工，佐賀大SLセ^A，佐賀大理工^B　倉橋勇丞，高橋和敏^A，古賀豪^B，東純平^C，鎌田雅夫^D

13: 擬周期ポテンシャルによるディラックコーンのギャップ状態の変化
岡理大工　垣谷公徳，加地博子

14: Rh/N/Cu(001)面の構造
東大物性研　岩崎悠真，山田正理，中辻寛，飯森拓嗣，小森文夫

15: Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測
京大院理^A，JST-CREST^B，東北大WPI-AIMR^C，阪大産研^D　熊谷崇^A，奥山弘^A，八田振一郎^B，有賀哲也^B，濱田幾太郎^C，森川良忠^D

16: ガス導入（O₂,N₂）によるAu／TiO₂の構造変化の観察
東工大院総合理工^A，東工大院理工^B，CREST-JST^C，日本電子^D　炭屋亜美^A，田中崇之^B，C，佐野健太郎^B，沢田英敬^C，D，細川史生^C，D，奥西栄治^C，D，近藤行人^C，D，高柳邦夫^B，C

17: Ni(755)ステップ表面上における酸素の初期吸着過程
立命館大理工　山中恵介，増原宏樹，福元允亮，清野宜秀，難波秀利

18: Si(111)-7×7表面上へのLi,Na吸着過程
横国大工，防大応物^A　百瀬辰哉，西岡広明，藤原賢一^A，北嶋武^A，大野真也，田中正俊，鈴木隆則^A

19: 薄膜基板界面観察用の断面STMシステムの開発
奈良先端大物質創成　米井仁志，^○服部賢，上田一之，大門寛

20: Si(001)表面への水吸着過程のリアルタイム反射分光
横国大工，防衛大応物^A　新江定憲，豊島弘明，大野真也，鈴木隆則^A，田中正俊

21: 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A，九大工^B　前島尚行，松井文彦，後藤謙太郎，西嘉山徳之，松井公佑，橋本美絵^A，松下智裕^A，加藤有香子^A，田中悟^B，大門寛

22: Si(111)表面上のBi誘起(√3×√3)構造のLEED解析
千葉大院融合，東大物性研^A，九大総理工^B　葛巻拓也，白澤徹郎^A，水野清義^B，栃原浩^B，上野信雄，坂本一之

23: DFT計算によるAu/Ge(111)表面構造の研究
鳥取大院工　小田泰丈，石井晃

24: h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論
東大工　内田和之，押山淳

25: フェライト系ステンレス鋼単結晶(100)表面における偏析物の温度依存性
名大工^A，名大エコトピア^B　藤好大貴^A，松井恒雄^A，B，柚原淳司^A

26: 非接触領域における極低温ナノスケール摩擦・トンネル電流の測定
慶應大理工　齋藤広大，柴山義行，白濱圭也

27: 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析
奈良先端大物質創成，JASRI(SPring-8)^A，阪大院工^B　松井公佑，松井文彦，橋本美絵，後藤謙太郎，西嘉山徳之，前島尚行，田中攻，松下智裕^A，加藤有香子^A，岡本武忠^B，服部梓^B，佐野泰久^B，山内和人^B，大門寛

28: 第一原理計算を用いたRh(100)表面上の酸化亜鉛超薄膜の構造評価
名大工^A，名大エコトピア^B　加藤大輔^A，松井恒雄^A，B，柚原淳司^A

29: Cr₂O₃薄膜表面における電子構造と外部電場効果
三重大工　加藤雄大，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

30: 分子動力学シミュレーションによる氷Ih表面構造の面方位依存性の研究
新潟大院自然　久賀みづき，小川貴史，山川洋一，家富洋

31: Cu(001)表面上のアラニンの分子配向と分子間相互作用
宇都宮大院工　岩井秀和，江川千佳司

32: 透過電子顕微鏡による固液界面反応過程観察法の開発II
東京農工大工^A，JST-CREST^B　箕田弘喜^A，B，稲吉悠里^A，奥山由佳子^A

33: イオン結晶表面におけるナノ・マクロスケールの摩擦機構の解明
中大理工　二木かおり，新藤斎

34: Ag(001)表面上ホモエピタキシーのその場観察：ロッキング曲線の成長速度依存性
山梨大教育　長島礼人

35: 金属基板上ポルフィリン誘導体のSTM/AFM/KPFM観測
情通機構　田中秀吉，上門敏也

36: 赤外分光法及び昇温脱離法によるカーボンナノチューブへの分子の物理吸着に関する研究
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

37: NaCl(100)表面上のAlナノワイヤの原子配置と電子状態
岡山理大院工　横矢哲，垣谷公徳

38: ブレークジャンクション法を用いた、磁性原子を含んだ量子細線の電気伝導測定
九大院工，金沢大教育^A　家永紘一郎，中島尚也，稲垣祐次，河江達也，辻井宏之^A

39: MBJ法によるC₆₀架橋系のトンネルスペクトロスコピー
筑波大数理　浦野敬太，大塚洋一

40: グラフェンナノリボンにおけるオージェ無輻射再結合過程の理論的研究
東理大理　小野田信人，小鍋哲，渡辺一之

41: カーボンナノチューブにおける励起子の電場解離光電流の計算
東理大理　小鍋哲，渡辺一之

42: SPMを用いた金属をドープしたDNAの構造解析
首都大理工　臼井英正，横矢貴秀，坂本浩一，溝口憲治

43: カーボンナノチューブへの水の吸着と相転移
東大生研，東北大環境研^A　渡部伸一朗，岩田晋弥，山川紘一郎，佐藤義倫^A，田路和幸^A，福谷克之

44: パルス光照射したH-Si（111）面のSF像のLITD計算による解析
北陸先端大マテリアル^A，CREST^B，石川高専^C　宮内良広^A，B，佐野陽之^A，B，C，岡田純一^A，水谷五郎^A，B

45: 取　　消

22日　GL会場　22pGL　13:30～16:30

領域3，領域9合同
表面・界面磁性

1: スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察
名大理，名大工^A，大阪電通大^B，日立中研^C，大同工大^D，阪府大工^E，大同特殊鋼^F，KEK^G　中西彊，桑原真人，奥見正治，真野篤志，中川靖英，山本尚人^A，金秀光^A，宇治原徹^A，竹田美和，^A，鈴木雅彦^B，安江常夫^B，越川孝範^B，孝橋照生^C，大嶋卓^C，坂貴^D，堀中博道^E，加藤俊宏^F，山本将博^G

2: スピンSEMを用いた磁性多層膜の90°層間結合状態に関する可視化解析
産総研，東芝研究開発セ^A　甲野藤真，湯浅裕美^A，福澤英明^A

3: 誘電体で被覆された垂直磁化薄膜の磁気異方性電界効果に関する第一原理計算
金沢大自然，東北大^A　辻川雅人，三浦良雄^A，白井正文^A，小田竜樹

4: シリコン上コバルト薄膜の磁気光学Kerr効果測定
東大理　最首祐樹，平原徹，保原麗，長谷川修司

5: GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性
電通大電子　平山基，中村淳，名取晃子

6: スピン偏極走査トンネル顕微鏡と原子操作を用いた単原子磁化の制御と観測
ハンブルク大物理，サラゴサ大物理^A，キール大物理^B，オハイオ大物理^C　吉田靖雄，D. Serrate^A，P. Ferriani^B，S.W. Hla^C，M. Menzel，K. von Bergmann，S. Heize^B，A. Kubetzka，R. Wiesendanger

休憩　（15:00～15:15)

7: 磁性原子対吸着系における近藤効果ならびにRKKY相互作用のSTSによる実空間観察
阪大院工，阪大院理^A　南谷英美，Wilson Agerico Dino^A，中西寛，笠井秀明

8: 深さ分解XAFS法によるCo/Au(111)薄膜の磁気異方性の研究
高エネ研PF　酒巻真粧子，雨宮健太

9: Co/Pd(001)超薄膜の磁気異方性と軟X線吸収磁気円二色性分光
広大放射光，広大院理^A　沢田正博，田頭徹朗^A，古本一仁^A，上野哲朗^A，木村昭夫^A，生天目博文，谷口雅樹

10: 膜面内に磁気異方性を示すFe/Auフェリ磁性人工格子の磁化過程と共鳴X線磁気散乱ヒシテリシスによる磁気構造の解析
奈良先端大物質　佐野公則，甘崎晋次郎，徳永真生，児玉謙司，細糸信好

11: Ir L₃吸収端共鳴磁気散乱によるCo_1-xFe_x/MnIr交換バイアス膜における界面交換結合の符号とIr誘起磁化の方向
奈良先端大物質，JASRI/SPring-8^A，東北大工^B　細糸信好，山岸隆一郎，児玉謙司^A，高橋宏和^B，角田匡清^B

22日　GQ会場　22pGQ　13:30～16:45

領域9
表面界面構造

1: Au/Ge(001)表面に形成される一次元構造のSTM観察II
東大物性研　新倉涼太，中辻寛，小森文夫

2: Atomic structure of the Si(553)-Au surface
東大物性研，名大工^A，KEK PF^B　W. Voegeli，高山透，白澤徹郎，久保公孝，阿部誠，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B

3: Si(001)面上の吸着構造と反射分光スペクトルパターンとの相関の考察
横国大工，防衛大応物^A　大野真也，落合俊之，鈴木隆則^A，田中正俊

4: 光電子回折リングにおける円二色性の解析
奈良先端大物質創成，SPring-8/JASRI^A　橋本美絵，松井文彦，松下智裕^A，加藤有香子，後藤謙太郎，西嘉山徳之，大門寛

5: SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A　松井文彦，西嘉山徳之，後藤謙太郎，前島尚行，松井公佑，松下智裕^A，加藤有香子^A，橋本美絵，大門寛

6: 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン
阪大院工，奈良先端大物質創成^A　服部梓，岡本武志，定国峻，村田順二，有馬健太，佐野泰久，服部賢^A，大門寛^A，遠藤勝義，山内和人

休憩　（15:00～15:15)

7: Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV－＜-1-12＞方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算－
大阪電通大，群馬大院工^A，NTT物性基礎研^B　阿久津典子，山本隆夫^A，日比野浩樹^B

8: GaAs(001)ホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の起源II
山梨大　川村隆明

9: DFT計算によるグラファイト基板表面上GaN, GaPのエピタキシャル成長の研究
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　石井晃^A，B，多谷孝明^A，B，小田泰丈^A，B，中田謙吾^A，B

10: 水素化ダイヤモンド表面上のリン原子と原子空孔のエナージェティクス
産総研計算科学，産総研エネルギー技術^A　宮崎剛英，加藤宙光^A，小倉政彦^A，山崎聡^A，大串秀世^A

11: 反射高速陽電子回折によるモット絶縁体表面の原子配置の研究
原子力機構先端基礎研　深谷有喜，河裾厚男，一宮彪彦

12: 原子分解能逆X線光電子ホログラフィー
東北テクノアーチ，東北大金研^A，JASRI^B，堀場製作所^C　上坂彰朗，林好一^A，松下智裕^B，新井重俊^C

22日　GV会場　22pGV　13:30～17:00

領域7，領域4，領域6，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェンの生成・評価と物性－最前線と展望－

1: はじめに
東北大院理　齋藤理一郎

2: 金属基板上のグラフェンの成長と評価
早大理工　大島忠平

3: SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価
九大院工　田中悟

4: グラフェン端構造の直接観察
産総研　末永和知

休憩　（15:05～15:20)

5: ナノグラフェンおよびグラフェン端の電子物性
東工大院　榎敏明

6: SiC上グラフェンの光電子分光
東北大WPI　菅原克明

7: SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態
NTT物性基礎研　影島愽之

8: 今後の展開に期待すること
東工大院　安藤恒也

22日　HV会場　22pHV　13:30～16:40

領域4，領域3，領域9，領域6合同シンポジウム
主題：量子スピンホール系・トポロジカル絶縁体の物理とその発展

1: はじめに
東大理　枡富龍一

2: トポロジカル絶縁体研究の進展：理論
東工大理　村上修一

3: トポロジカル絶縁体研究の進展：実験
阪大産研　安藤陽一

休憩　（14:55～15:10)

4: ３次元トポロジカル絶縁体の表面に現れる質量ゼロのディラック粒子
東北大理　野村健太郎

5: 高分解能光電子分光法による３次元量子スピンホール相のスピン分解バンド構造の決定
東大物性研　松田巌

6: トポロジカル絶縁体と超伝導体の分類
カリフォルニア大学バークレー校　笠真生

23日　GL会場　23aGL　9:00～12:00

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 単一単層カーボンナノチューブの表面増強ラマン観察
北大院理　高瀬舞，保田諭，並河英紀，村越敬

2: 単層カーボンナノチューブの光電気化学特性
北大院理　保田諭，高瀬舞，並河英紀，村越敬

3: Au電極に架橋したピラー型のかご状単分子の電気伝導特性
北大院理^A，東工大院理工^B，JSTさきがけ^C，東大院工^D　高橋拓也^A，B，木口学^B，C，山内祥弘^D，村瀬隆史^D，藤田誠^D

4: 金属電極間に架橋したCe@C₈₂単分子の電気伝導特性
東工大理，筑波大先端学際領域研究セ^A，分子研^B　金子哲，木口学，佐藤悟^A，山田道夫^A，溝呂木直美^A，赤阪健^A，永瀬茂^B

5: Au電極に架橋したベンゼンジチオール単分子の電気伝導特性の置換基位置依存性
東工大院理工，東大院工^A　高橋雄太，木口学，大戸達彦^A，中村恒夫^A

6: 極低温水素雰囲気下におけるAu, Ag, Cu単原子接合の電気伝導特性
東工大院理工^A，JSTさきがけ^B　中住友香^A，金子哲^A，木口学^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: 量子波束散乱法による分子スピンフリップ非弾性電流計算
東大院工　多田朋史，山本貴博，笹岡健二，渡邉聡

8: 架橋系コンダクタンスの距離依存性とフリーデルの総和則
兵庫県大　小谷祐介，島信幸，馬越健次

9: フラーレン分子鎖の第一原理電子輸送特性計算
阪大工　小野倫也

10: 量子ドットから電極への電子ポンピング：非平衡グリーン関数法によるアプローチ
東大院工　笹岡健二，山本貴博，渡邉聡

11: 大規模量子伝導シミュレーションのナノカーボン系への応用
東大理^A，筑波大数物^B，NECナノエレ研^C　石井宏幸^A，B，小林伸彦^B，広瀬賢二^C

23日　GP会場　23aGP　9:00～12:15

領域9
表面界面構造

1: BigDFTを用いた大規模第一原理計算による表面連鎖重合反応メカニズムの考察
物材機構MANA^A，JSTさきがけ^B，JST-CREST^C，バーゼル大^D　胡春平^A，館山佳尚^A，B，C，Stefan Goedecker^D，大川祐司^A，青野正和^A

2: Al₂O₃(0001)面およびMgO(001)面と水との界面構造の第一原理分子動力学法による研究
東北大WPI　赤木和人

3: PTCDA/Ag(111)界面におけるキャリア輸送の第一原理計算
東大院工　大戸達彦，中村恒夫，山下晃一

4: 第一原理計算を用いたS終端Au表面担持型Pd触媒の研究
北大薬^A　横山真美，石井晃，有澤光弘^A，周東智^A

5: 第一原理計算による金表面での酸素原子吸着構造
阪大工，産総研ユビキタス^A　岡崎一行，香山正憲^A

6: Ag(111)表面における酸素分子の吸着構造と磁気状態
東大生研　風間吉則，杉本敏樹，松本益明，福谷克之

休憩　（10:30～10:45)

7: 貴金属表面上に形成したCoナノドットの構造と電子状態の研究
東大新領域^A，理研^B　酒井真利^A，白木将^A，高木紀明^A，川合真紀^A，B

8: Cu(111)表面における吸着ナフタレン分子の構造と電子状態の相関
阪大院理　山田剛司，渋田昌弘，阿弥曜平，高野康弘，宮久保圭祐，宗像利明

9: 水銀とシリコン基板に挟まれた自己組織化単層膜の赤外反射吸収分光
東大物性研　古橋匡幸，吉信淳

10: Rh(111)表面上におけるBi-Pb系単原子層膜の原子配列の組成依存性
名大工^A，名大エコトピア^B　横山昌^A，松井恒雄^A，B，柚原淳司^A

11: 過塩素酸水溶液中におけるAu(111)電極の表面トポグラフィー変化
立命館大理工　竹内和基，田村幸正，平井豪，中田俊隆

12: ppmオーダのHCN水溶液によるSiO₂表面の汚染銅除去：銅の化学結合状態
阪大産研，科技振戦略基礎　高橋昌男，東裕子，岩佐仁雄，小林光

23日　GL会場　23pGL　13:30～14:30

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: 局所的な電気伝導率を利用したシリコンナノワイヤーの電子輸送特性に関する解析
京大工　池田裕治，福島啓悟，瀬波大土，立花明知

2: 数nm直径Siナノワイヤに対する大規模第一原理電子状態計算
筑波大計科セ，東大物工^A　岩田潤一，白石賢二，押山淳^A

3: 電極表面上のカーボンナノチューブのSTM像
筑波大数物　竹本整司，小林伸彦

4: 双晶超格子ナノワイヤーの電子状態
お茶大理　小林功佳

23日　GP会場　23pGP　13:30～14:30

領域9
ナノ構造・局所光学現象

1: フェムト秒レーザー照射による金属薄膜の結晶構造変化
京大化研，京大院理^A　橋田昌樹^A，岡室皇紀^A，宮坂泰弘^A，時田茂樹^A，阪部周二^A

2: ケルビンプローブフォース顕微鏡像のシミュレーション方法とその応用
東北大WPI　真砂啓，塚田捷

3: Si(111)7×7再構成表面のSTM発光IV
東工大院理工　今田裕，太田将志，山本直紀

4: 走査型トンネル顕微鏡誘起発光法を用いた磁性研究
物材機構MANA　櫻井亮，青野正和

5: 電子線非照射下のガス導入による金ナノ粒子／ルチルの構造変化の観察
東工大院理工^A，東工大院総理工^B，日本電子^C，JST-CREST^D　田中崇之^A，D，炭屋亜美^B，佐野健太郎^A，安藤雅文^A，沢田英敬^C，D，細川史生^C，D，奥西栄治^C，D，近藤行人^C，D，高柳邦夫^A，D