領域7

20日　GR会場　20aGR　9:00～12:00

領域7
フラーレン

1: フラーレン・ナノウィスカーの結晶構造
法政大生命，法政大マイクロナノ研^A　緒方啓典，大波英幸^A

2: 光照射フラーレンナノウィスカーの電気伝導特性
千葉大院融合　土井達也，小山恭平，青木伸之，落合勇一

3: フラーレンナノファイバーの断面形状と内部構造の観察
物材機構^A，産総研^B　加藤良栄，宮澤薫一^A，王正明^B

4: 一次元ピーナッツ型C₆₀ポリマーのフォノン分散関係
北大院工^A，カタルーニャ工科大^B　小野頌太^A，島弘幸^A，B

5: NMR測定によるアルカリドープフルライドCs₃C₆₀のモット転移と超伝導の研究
京大院理，パリ南大^A，パルマ大^B　井原慶彦，H. Alloul^A，P. Wzietek^A，D. Pontiroli^B，M. Mazzani^B，M. Ricco^B

6: TDAE-C₆₀の有機強磁性に対する一軸性歪み効果IV
首都大理工，産総研^A，Josef Stefan Inst.^B，防衛大^C，岡大院自然^D　荒木理美，溝口憲治，坂本浩一，山内文貴，川本徹^A，D.Mihailovic^B，A.Omerzu^B，徳本圓^C，神戸高志^D

休憩　（10:30～10:45)

7: （CH₃NH₂A)_xC₆₀（A：アルカリ金属元素）の構造と物性
岡大院自然，岡大理^A　鈴木雄太，山成悠介，加藤啓多^A，高橋庸祐^A，久保園芳博，池田直，神戸高志

8: 光重合化C₆₀ナノチューブの物性
筑波大院数物　川松正敬，内藤一樹，松石清人

9: Na_xM_yC₆₀化合物（M = H, N）の構造と物性（II）
法政大マイクロナノテクセ^A，法政大生命^B　大波英幸^A，緒方啓典^B

10: 光電子分光法によるツリウム内包フラーレンの電子構造の解析
愛媛大院理工^A，名大院理^B　宮崎隆文^A，徳本頌治^A，八木創^A，泉乃里子^B，篠原久典^B，日野照純^A

11: マクロファージ様細胞を用いたフラーレンナノウィスカーの生分解の研究
物材機構　ぬで島真一，宮澤薫一，奥田順子，谷口彰良

20日　GS会場　20aGS　9:00～12:15

領域7
グラフェン

1: 化学的手法によるグラフェンナノリボン試料作成と評価
京大院理，京大低温セ^A，兵庫医大^B　西中川良平，新井敏一^A，寺嶋孝仁^A，福田昭^B，澤田安樹^A

2: 取　　消

3: クライン端構造によるグラフェンナノリボンのエッジ状態と平坦バンド
物材機構^A，JST-PRESTO^B，筑波大数理物質^C，JST-CREST^D　若林克法^A，B，岡田晋^C，D

4: ジグザグ端を有するグラフェンナノリボンの磁性における相互作用依存性
奈良女大院人間文化　古川花梨，吉岡英生，望月よね子

5: グラフェンを周期的に修飾した系の電子構造
東工大理　斎藤晋

6: グラフェン内の電子移動における付加型不純物効果の数値的解析
成蹊大理工　坂本昇一，露木大祥，富谷光良

休憩　（10:30～10:45)

7: X線吸収分光による活性炭素繊維の電子状態の研究
東工大理工^A，北大院理^B，JSTさきがけ^C　木口学^A，C，Jeseph Joly^A，石橋悠^A，高橋拓也^B，高井和之^A，榎敏明^A

8: カーボンナノウォールの磁性
横浜市大国際総合　山田重樹，吉村博史，額田一利，橘勝

9: 電気化学ドーピングによる活性炭素繊維の電気伝導度制御
東工大院理工　細田悠記，木口学，高井和之，榎敏明

10: ２層ナノグラフェンにおける減衰状態
産総研ナノテク，物材機構MANA^A　針谷喜久雄，若林克法^A

11: 多層グラフェンFETにおける層間スクリーニング長の磁場依存性
東大物性研　内田和人，長田俊人，今村大樹，鴻池貴子

12: 端に長周期構造を持つナノグラフェンリボンにおけるフラットバンドの理論計算
千葉大理，千葉大普遍教育^A　富田竜太郎，藤本茂雄^A，夏目雄平

20日　GT会場　20aGT　9:15～12:00

領域7
非線形伝導

1: DCNQI誘導体における非線形伝導
東工大院理工　脇田斉，大澤辰彦，坂東祥匡，森健彦

2: 有機伝導体β-(BEDT-TTF)₂PF₆における非線形伝導と磁気抵抗
東大物性研　浅野友徳，高橋一志，森初果

3: 有機超伝導体β-(meso-DMBEDT-TTF)₂PF₆の非線形伝導と超伝導破壊
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東大物性研^C　佐藤光幸^A，B，市川宏介^A，井田康典^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，森初果^C

4: α-(BEDT-TTF)₂I₃とα'-(BEDT-TTF)₂IBr₂の磁気抵抗と非線形伝導
東大物性研^A，東邦大理^B，分子研^C　中村俊幸^A，B，浅野友徳^A，高橋一志^A，森初果^A，西尾豊^B，梶田晃示^B，山本薫^C，薬師久弥^C

5: α-(BEDT-TTF)系有機導体の電荷秩序状態における伝導特性
筑波大院^A，物材機構^B，分子研^C　小玉恒太^A，B，木俣基^B，山口尚秀^B，寺島太一^B，栗田伸之^B，薩川秀隆^B，原田淳之^B，宇治進也^B，A，山本薫^C，薬師久彌^C

休憩　（10:30～10:45)

6: α-(BEDT-TTF)₂I₃における非線形伝導状態のラマン散乱
名大院工^A，JST CREST^B　伊藤敦哉^A，岸田英夫^A，B，中村新男^A，B

7: 相関電子系における非線形伝導の統一的理解：電子雪崩、電荷閉じこめ、多体Schwinger-Landau-Zener機構
東大理，名大工^A　岡隆史，岸田英夫^A，青木秀夫

8: 有機伝導体θ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄の電場応答
東大物性研　大塚悠希，浅野友徳，高橋一志，森初実

9: θ-(BEDT-TTF)₂RbZn(SCN)₄の超急冷後の低温電荷秩序構造と非線形伝導
岡山大院自然^A，CREST-JST^B，東北大多元研^C，早大先進理工^D，東大物性研^E，東工大院工^F　野上由夫^A，B，小椋美鈴^A，松家卓也^A，花咲徳亮^A，渡邉真史^C，野田幸男^C，寺崎一郎^D，森初果^E，森健彦^F

10: θ型有機導体の一軸性圧縮下交流伝導度測定
東大院総合文化，明大理^A　近藤隆祐，鹿児島誠一^A

20日　GS会場　20pGS　13:30～17:30

領域7
ナノチューブ

1: 金属型単層カーボンナノチューブの¹³C-NMR
首都大理工^A，産総研ナノテク^B，CREST-JST^C　松田和之^A，福岡智子^A，鵜戸口浩樹^A，鷺谷智^A，柳和宏^A，C，真庭豊^A，C，片浦弘道^B，C

2: 高エネルギー分解能EELS測定によるCNT励起子効果の研究
東北大多元研，名大工^A　佐藤庸平，寺内正巳，齋藤弥八^A

3: 半導体カーボンナノチューブ中の励起子分子への遮蔽効果の影響
阪大理　渡辺耕太，浅野建一

4: 不純物置換したカーボンナノチューブ接合構造体の電子物性
東工大理　櫻井誠大，斎藤晋

5: C₅₉Nピーポッドの紫外光電子スペクトル
愛媛大院理工，理論物理化学研（ギリシャ）^A，産総研ナノチューブ応用^B，筑波大院数理物質^C，JSTさきがけ^D　八木創，徳本頌治，善木将嗣，財満壮晋，宮崎隆文，Nikos Tagmatarchis^A，飯泉陽子^B，C，岡崎俊也^B，C，D，日野照純

6: 金属型カーボンナノチューブのGモードのコヒーレントフォノンの観測
NTT物性基礎研　加藤景子，石澤淳，小栗克弥，後藤秀樹，中野秀俊

7: 各種カーボンナノチューブにおける螺旋度を含む構造最適化
東工大理　加藤幸一郎，斎藤晋

休憩　（15:15～15:30)

8: 窒素ドープされたカーボンナノチューブのエネルギー論と電子特性－不純物密度の観点から－
東工大理　藤本義隆，斎藤晋

9: 金属型・半導体型単層カーボンナノチューブバッキーペーパーの電気伝導特性
首都大理^A，理研^B，東北大金研^C，産総研^D，JST-CREST^E　鵜戸口浩樹，柳和宏^A，鷺谷智^A，大島勇吾^B，竹延大志^C，片浦弘道^D，E，松田和之^A，真庭豊^A，E

10: カーボンナノチューブ架橋の誘導性-容量性サセプタンス転移
東大工　山本貴博，笹岡健二，渡邉聡

11: 走査ゲート顕微法によるSWNT薄膜FETの動作解析
千葉大院融合　矢萩達朗，前田賢治，青木伸之，落合勇一

12: 金属表面上の単層カーボンナノチューブの第一原理計算
筑波大計科セ　高木祥光，岡田晋

13: 金属表面に吸着したカーボンナノチューブの電子物性：仕事関数と電荷移動
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

14: 多層カーボンナノチューブにおける量子輸送特性の観測
千葉大融合，SUNY^A，AIST^B　清野篤郎，富樫祐子，伊藤慶，木田理夫，青木伸之，J.P.バード^A，中西毅^B，^○落合勇一

15: 第一原理計算によるカーボンナノチューブの熱伝導率IV
産総研　伏木誠，石橋章司

20日　GT会場　20pGT　13:15～17:45

領域7
一次元系

1: 繰り込み群法を用いたTTM-TTP塩の多軌道効果の解析
名大理　大森有希子，土射津昌久，鈴村順三

2: 第一原理計算による分子内自由度を考慮した有効モデルの導出
名大理，ENS-Lyon^A　土射津昌久，大森有希子，鈴村順三，Vincent Robert^A

3: 擬一次元スピンパイエルス系における量子相転移の数値解析
阪市大工　松本祐樹，寺井章

4: 擬一次元電子系の電荷秩序・スピンパイエルス相における鎖間ホッピングの効果 II
東北大金研　横山健

5: 一次元拡張Peierls-Hubbard模型における1/4充填近傍の分数電荷ソリトン
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B　廣川健一^A，小野嘉之^A，B

6: 一次元有機導体(TMTTF)₂Xの構造と電子相との相関
分子研^A，総研大^B　古川貢^A，B，岩瀬文達^A，杉浦晃一^B，中村敏和^A，B

7: (TMTTF)₂SbF₆における高圧下¹³C NMR
分子研^A，総研大^B　岩瀬文達^A，杉浦晃一^B，古川貢^A，B，中村敏和^A，B

8: 擬１次元有機導体(TMTTF)₂SbF₆に対する異方的圧力効果
東電大工，北大工^A，北大理^B　長澤光晴，長澤時子，市村晃一^A，野村一成^B，宮城雄一，川島修平

9: 取　　消

休憩　（15:30～15:45)

10: 擬一次元系超伝導(TMTSF)₂ClO₄の比熱の磁場方向依存性
京大院理，Univ. Paris-Sud（フランス）^A，Univ. of Copenhagen（デンマーク）^B　米澤進吾，P. Auban-Senzier^A，C. Pasquier^A，前野悦輝，K. Bechgaard^C，D.Jerome^A

11: (TMTSF)₂ClO₄の磁場誘起スピン密度波相における極低温熱測定による温度磁場相図
東大物性研　鴻池貴子，内田和人，長田俊人

12: 擬１次元系でのフェルミ面のネスティングと帯磁率
兵庫県大物質理，熊本大教育^A　長谷川泰正，岸木敬太^B

13: 擬１次元系の磁場中の帯磁率と磁場誘起スピン密度波
熊本大教育，兵庫県大物質理^A　岸木敬太，長谷川泰正^A

14: 片側置換による (TMTSF)₂PF₆の¹³C-NMR
北大院理　三沢雅輝，木村佳敬，^○河本充司

15: 圧力下における(TMTSF)₂FSO₃の陰イオンダイナミクス：¹⁹F-NMR
学習院大理，物材機構^A，Ewha Womans Univ.^B，Sunchon Univ.^C　谷島章雄，薩川秀隆^A，開康一，高橋利宏，Haeyong Kang^B，Y.J. Jo^B，W. Kang^B，O.H. Chung^C

16: 8 GPaまでのTTF-TCNQの電気伝導度の異方性
阪市大院理^A，筑波大^B，理研^C　横川敬一^A，瀬能夕貴^A，小林賢介^A，安塚周磨^B，吉野治一^A，加藤礼三^C，村田惠三^A

17: HMTSF-TCNQの圧力下、強磁場磁気抵抗
阪大院理，東北大金研^A，パリ南大^B，フロリダ州立大^C，理研^D　村田惠三，横川敬一，小林賢介，増田耕育，瀬能夕貴，森嶋健太，佐々木孝彦^A，吉野治一，D.Jerome^B，J.S.Brooks^C，加藤礼三^D

20日　GV会場　20pGV　13:30～17:00

領域7，領域9合同シンポジウム
主題：有機半導体界面における電子状態プローブの新展開

1: はじめに
岡山大院理　久保園芳博

2: 角度分解光電子分光による有機半導体のバンド分散・電子/振動相互作用
千葉大院融合科学　上野信雄

3: Energy level pinning at interfaces with organic semiconductors: doping versus interface states
Humboldt大　Koch Norbert

4: 表面X線散乱法によるsub-Å分解能表面構造解析
阪大基礎工　若林裕助

休憩　（15:05～15:20)

5: 電場誘起ESRによる有機半導体界面の電子状態観測
筑波大院数物　丸本一弘

6: 電界誘起ESRを用いた局在状態密度分布解析
理研CMRG　Mishchenko Andrey

7: 過渡吸収分光で探る有機半導体の光キャリアダイナミクス
東大新領域　岡本博

8: 有機半導体界面の電荷変調分光
産総研PRI　長谷川達生

21日　GP会場　21aGP　9:00～12:30

領域9，領域7合同シンポジウム
主題：分子狭窄系の物理

1: はじめに
東大新領域　川合眞紀

2: 単一分子狭窄系の表面ダイナミックス
理研　金有洙

3: 単分子接合における電子輸送とフォノン散乱
東工大院理工　木口学

4: 単分子接合系の局所加熱
阪大産研　谷口正輝

5: 分子接合系における局所熱発生とエネルギー変換過程の理論
産総研計算科学　浅井美博

休憩　（10:40～10:55)

6: 単一分子のキャリア注入と輸送
阪大基礎工　多田博一

7: 低次元系金属構造体における局在光電場分布の可視化
分子研　岡本裕巳

8: 固体液体界面における2次元狭窄系の電界効果
阪大院理　竹谷純一

9: 分子狭窄系の課題と展望
東北大WPI　塚田捷

21日　GR会場　21aGR　9:00～12:30

領域7
分子性固体・高圧物性

1: 超高圧固体ネオンの状態方程式
物材機構，原子力機構^A，新潟大^B　竹村謙一，綿貫徹^A，大和田謙二^A，町田晃彦^A，大村彩子^B，青木勝敏^A

2: 固体水素II-III相転移のX線回折研究
兵庫県大院物質理，JASRI-SPring-8^A，物材機構物質研^B　赤浜裕一，川村春樹，平尾直久^A，大石泰生^A，竹村謙一^B

3: 高圧ハロゲンの新構造
阪大ナノサイエンスデザインセ，東理大工^A　下司雅章，向瀬紀一郎^A

4: メタンハイドレート“filled ice”相の高圧ラマン散乱II
岐阜大工　佐々木重雄，大谷拓，久米徹二，清水宏晏

5: 第一原理計算によるカルシウムVI相・VII相の構造探索
愛媛大地球深部セ，阪大基礎工^A，関西大システム理工^B　石河孝洋，長柄一誠^A，鈴木直^B

6: ダイヤ分子の誘電特性
東工大応セラ研^A，Stanford大^B，シェブロン^C　笹川崇男^A，B，Will A. Clay^B，Jeremy E. Dahl^B，Robert M. K. Carlson^C，Zhi-xun Shen^B

休憩　（10:30～10:45)

7: 有機強誘電体における長距離相互作用の効果
東大工　小泉匡弘，望月維人，永長直人

8: TTF-QCl₄における中性－イオン性転移の超高圧下NQR測定
東大工，分子研^A，東大新領域^B　細田雅之，宮川和也，鹿野田一司，岩瀬文達^A，岡本博^B

9: TTF-CAの超高圧下輸送測定
東大工，東大新領域^A，埼玉大^B，東大物性研^C　竹原陵介，宮川和也，鹿野田一司，岡本博^A，谷口弘三^B，松林和幸^C，上床美也^C

10: 光電子分光によるポタシウムドープピセンの電子状態
岡山大院自然^A，JST-CREST^B　岡崎宏之^A，B，脇田高徳^A，B，村岡祐治^A，B，平井正明^A，川崎菜穂子^A，加地由美子^A，久保園芳博^A，山成悠介^A，神戸高志^A，横谷尚睦^A，B

11: K_xpiceneの物性のドープ量依存性
岡山大院自然，岡山大理^A　山成悠介，三田村洋希，李雪松，鈴木雄太，高橋庸祐^A，加藤啓多^A，神戸高志，久保園芳博

12: Rb,Cs,Naをドープしたピセンの物性と構造
岡山大院自然，北陸先端大^A　三田村洋希，李雪松，山成悠介，神戸高志，池田直，藤原明比古^A，久保園芳博

13: Caをドープしたピセンの物性と構造
岡山大院自然，北陸先端大^A　李雪松，三田村洋希，山成悠介，神戸高志，池田直，藤原明比古^A，久保園芳博

21日　GS会場　21aGS　9:00～12:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 超伝導グラフェンのCaroli-deGennes-Matricon状態
東大理，東大総合文化^A　根本隼，永井佑紀，加藤雄介^A

2: グラファイト表面の欠陥部近傍における極低温STS計測
筑波大院数理　近藤剛弘，本間裕二郎，町田考洋，呉準杓，中村潤児

3: グラフェンのような形状で様々な元素から構成される単原子層物質の電子状態：エネルギーギャップエンジニアリングの可能性
都立産技高専^A，都立航空高専^B　鈴木達夫^A，B，横溝友志^B

4: 単層グラフェンの磁気抵抗ゆらぎとポテンシャルゆらぎ
広大先端，広大総科^A　八木隆多，深田誠也，新谷由美，荻田典男^A，宇田川真行^A

5: 数層グラフェンにおける超伝導近接効果
筑波大物理^A，物材機構^B，秋田大教育文化^C，奈良女大理^D，CREST(JST)^E　神田晶申^A，E，後藤秀徳^A，E，友利ひかり^A，E，田中翔^A，E，大塚洋一^A，塚越一仁^B，E，林正彦^C，吉岡英生^D

6: 極めて短いグラフェン接合の電界効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェン多層膜の高電界下における電気伝導
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，友利ひかり^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

8: グラフェン上のサイクロトロン共鳴における多体効果２－内部自由度の効果
阪大理，東工大理^A　浅野建一，安藤恒也^A

9: グラフェンの反磁性に対するギャップの効果－擬スピン常磁性から3次元ディラック系へ
東工大理工　越野幹人，安藤恒也

10: グラフェンn=0ランダウ準位における異常性とカイラル対称性
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

11: 平行磁場中のグラフェンの低温電気伝導
中大理工　佐野朋哉，石毛秀和，若林淳一

12: グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析
千葉大融合，ASU^A，SUNY^B　本岡正太郎，樋口真也，M.アカラム，青木伸之，D.K.フェリー^A，J.P.バード^B，落合勇一

13: グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測
理研，東大生研^A　河野行雄，増渕覚^A，石橋幸治，町田友樹^A

21日　GT会場　21aGT　9:00～12:15

領域7，領域5，領域6，領域8
単一分子金属・金属錯体・Dirac電子系

1: 単一成分分子性導体Au(tmdt)₂の圧力下NMR測定
東大工，日大文理^A　高木里奈，宮川和也，鹿野田一司，周彪^A，小林昭子^A，小林速男^A

2: 新単一分子性導体Cu(tmdt)₂の第一原理電子状態計算
産総研計算科学，北陸先端大融合院^A　石橋章司，寺倉清之^A

3: 単一成分分子性導体Cu(tmdt)₂の有効モデルとp-d混成
理研基幹研，JST-CREST，産総研計算科学^A，東理大理^B，北陸先端大融合院^C　妹尾仁嗣，石橋章司^A，福山秀敏^B，寺倉清之^C

4: 3角柱MX錯体におけるMott-Peierls絶縁相競合
横国大院工^A，北大院理^B　大原潤^A，山本昌司^B

5: 梯子型塩素架橋白金錯体における超高速時間分解発光
東大物性研，東北大院理^A，京大院理^B　中尾広行，中嶋誠，川上大輔^A，高石慎也^A，山下正廣^A，北川宏^B，末元徹

6: 分子ファスナー効果を用いた擬一次元Pd（III）モット絶縁体の創製
東北大院理　山下正廣

休憩　（10:45～11:00)

7: 分子性ディラック電子系における層間と層内磁気抵抗効果
理研，東邦大理^A，東理大理工^B　田嶋尚也，佐藤光幸^A，菅原滋晴^B，加藤礼三，西尾豊^A，梶田晃示^A

8: 層平行磁場下におけるα-(BEDT-TTF)₂I₃の層間磁気抵抗
東理大理工物^A，理研^B，東邦大理物^C　菅原滋晴^A，田嶋尚也^B，田村雅史^A，梶田晃示^C

9: 分子性導体α-(BEDT-TTF)₂I₃の抵抗率テンソルの非対角成分測定
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東理大理工^C，理研^D，阪市大院理^E　遠藤里実^A，佐藤光幸^A，B，三浦克哉^A，高山皓平^A，菅原滋晴^C，田嶋尚也^D，村田惠三^E，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B

10: 強磁場領域における有機ディラック電子系の面内磁気抵抗の理論
京大基研　森成隆夫，遠山貴巳

11: 多層Dirac粒子系の強磁場Hall効果
東大物性研　長田俊人

21日　GP会場　21pGP　13:30～17:30

領域7，領域9
グラフェン

1: SiC上に成長したエピタキシャルグラフェンの構造と電子特性の表面電子顕微鏡による解析
NTT物性基礎研　日比野浩樹

2: 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態
東大院工，筑波大計科セ^A　古家真之介，岩田潤一^A，押山淳

3: Liドープグラフェン／SiCの高分解能ARPES
東北大WPI^A，東北大院理^B　菅原克明^A，金谷康平^B，佐藤宇史^B，高橋隆^A，B

4: SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態
東大物性研，九大院工^A，九大院総合理工^B　中辻寛，柴田祐樹，森田康平^A，水野清義^B，田中悟^A，^○小森文夫

5: Substrate effect on the edge states of epitaxial graphenen grown on 4H-SiC(0001) studied by STM/STS
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，Dept. Phys.，Fudan Univ.^C　M. Ye^A，Y.T. Cui^B，Y. Nishimura^A，Y. Yamada^A，Qiao^C，A.Kimura^A，M. Nakatake^B，M. Sawada^B，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

6: Pt(111)上のPyridine重合で成長したグラフェンの構造解析
東大院理^A，東大院新領域^B　小幡誠司^A，今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

休憩　（15:15～15:30)

7: SiC上グラフェンの結晶学的特徴
名大エコ研^A，JFCC^B　乗松航^A，B，楠美智子^A，B

8: グラファイトの高圧における電気伝導特性
阪大産研　中江伸也，出倉春彦，白井光雲，柳瀬章

9: 宙づりにした単層及び二層グラフェンの超格子構造直接観察
東工大院理工^A，CREST-JST^B　安部悠介^A，田中崇之^A，B，高柳邦夫^A，B

10: 基板によるグラファイト電子構造変調
筑波大数理　岡田晋

11: DFT計算による二層グラフェン上の吸着子の電子構造
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

12: 金属基板上における窒素ドープされたグラフェンの成長
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

13: グラフェン剥がしのダイナミクス
愛教大物理，成蹊大理工^A　石川誠，佐々木成朗^A，三浦浩治

14: グラフェンナノリボンにおける多端子電気伝導
筑波大数物　高木博和，小林伸彦

21日　GQ会場　21pGQ　13:30～17:00

領域7
ナノチューブ

1: 単層カーボンナノチューブの超音波分散とラマンスペクトル
産総研ナノテク，JST-CREST^A　片浦弘道^A，渡辺衣世，羽後丸訓，劉華平，田中丈士

2: 高純度分離金属単層カーボンナノチューブ薄膜のTHz吸収スペクトル
甲南大自然^A，甲南大量子ナノ^B，情通機構^C，名大院理^D，首都大院理^E，産総研ナノテク^F　中野匡^A，市田正夫^A，B，齋藤伸吾^C，宮田耕充^D，柳和宏^E，馮叶^F，片浦弘道^F，安藤弘明^A，B

3: 高強度THzパルスによるカーボンナノチューブの励起子シュタルク効果
東大理^A，産総研ナノテク^B　小川俊明^A，渡邉紳一^A，南信次^B，島野亮^A

4: カーボンナノチューブにおける励起子微細構造間の緩和ダイナミクス
京大化研　松永隆佑，松田一成，金光義彦

5: ナノファイバー上にACCVD成長させた単層カーボンナノチューブの単分子計測
千葉大理　長能卓哉，岡田圭介，毛利真一郎，音賢一，室清文

6: カーボンナノチューブに内包されたペリレンおける分子配列に依存した発光スペクトル
産総研ナノチューブ応セ^A，JSTさきがけ^B　丹下将克^A，岡崎俊也^A，B，劉崢^A，末永和知^A，飯島澄男^A

7: 大型一巻きコイル法によるPFO単層カーボンナノチューブ超強磁場光吸収スペクトル
東大物性研，東大工^A，熊大自然^B　鈴木弘郁，沈睿，小嶋映二，松田康弘，村上陽一^A，丸山茂夫^A，横井浩之^B，嶽山正二郎

休憩　（15:15～15:30)

8: 有効質量近似によるナノチューブの励起子環境効果の考察
東工大院理工　安藤恒也

9: カーボンナノチューブ励起子エネルギーのスケーリング
東北大理，東大工^A　齋藤理一郎，A.R.T. Nugraha，佐藤健太郎

10: 半導体カーボンナノチューブにおけるスピン一重項励起子のエネルギー準位構造
北大工　大島剛志，鈴浦秀勝

11: ナノチューブのフォトルミネッセンスとラマン強度における環境効果
東大工，東北大理^A　佐藤健太郎，齋藤理一郎^A，丸山茂夫

12: 二層カーボンナノチューブのフェムト秒発光ダイナミクス
名大院工，名大院理^A　小山剛史，彦坂直輝，浅田有紀^A，篠原久典^A，岸田英夫，中村新男

13: 二層カーボンナノチューブの光吸収スペクトル
北大工，東工大理^A　冨尾祐，鈴浦秀勝，安藤恒也^A

21日　GR会場　21pGR　13:30～16:45

領域7
クラスレート

1: クラスレート物質における低温物性の異常性：キャリヤとフォノン
東北大WPI-AIMR 院理物理　谷垣勝己，Jung Tang，Jingtao Xu，佐藤一実，田邉洋一

2: 半導体クラスレートのラットリング振動とそのケージサイズ依存性
岐阜大工，京大院^A，山口大院^B，SPring8/JASRI^C　久米徹二，矢嶋一平，大野聡，佐々木重雄，清水宏晏，岡本範彦^A，田中克志^A，乾晴行^A，岸本堅剛^B，小柳剛^B，大石泰生^C

3: 放射光単結晶X線で見たクラスレート化合物Ba₈Ga₁₆Sn₃₀とBa₈Ga₁₆Ge₃₀のカゴ構造のn型p型の差
名大工，広大院先端物質^A　酒井理宇，澤博，西堀英治，青柳忍，高畠敏朗^A，末國晃一郎^A，M.A. Avila^A

4: I型クラスレート化合物Ba₈Ga₁₆Ge₃₀のoff-centerラットリングとケージ振動
聖マリ医大，広大院総合科^A，広大院先端物質^B，広大院先進機能物質セ^C　高須雄一，長谷川巧^A，荻田典男^A，宇田川眞行^A，M.A. Avila^B，末國晃一郎^B，高畠敏郎^B，C

5: Rattling Phonons in Type I clathrate compounds
WPI Tohoku Univ.　Jingtao Xu，Kazumi Sato，Jun Tang，Katsumi Tanigaki

6: クラスレート化合物Eu₈Ga₁₆Ge₃₀における超高速格子ダイナミクス
神戸大院理，広大院先端物質^A　山内崇弘，秦豪均，兒山友香，守安毅，岡村英一，河本敏郎，末國晃一郎^A，鬼丸孝博^A，高畠敏郎^A

休憩　（15:00～15:15)

7: I型クラスレートBa₈Ga₁₆Sn₃₀のテラヘルツ時間領域分光
東北大院理，広大院総合科^A，広大院先端物質^B，広大先進セ^C　森龍也，岩本慧，櫛引駿介，本多裕典，松本秀樹，豊田直樹，長谷川巧^A，荻田典男^A，宇田川眞行^A，末國晃一郎^B，Marcos A. Avila^B，高畠敏郎^B，C

8: I型クラスレートEu₈Ga₁₆Ge₃₀のラジオ波帯電気伝導
東北大院理，Univ. Stuttgart^A，広大院先端物質^B，広大先進セ^C　岩本慧，櫛引駿介，松井広志，森龍也，本多裕典，豊田直樹，Marc Scheffler^A，Katrin Steinberg^A，Martin Dressel^A，末國晃一郎^B，鬼丸孝博^B，Marcos A. Avila^B，高畠敏郎^B，C

9: I型クラスレートEu₈Ga₁₆Ge₃₀のテラヘルツ時間領域分光
東北大院理，広大院先端物質^A，広大先進セ^B　櫛引駿介，岩本慧，森龍也，本多裕典，豊田直樹，末國晃一郎^A，鬼丸孝博^A，Marcos A. Avila^A，高畠敏郎^A，B

10: クラスレート化合物Ba₈Ga₁₆Sn₃₀のNMRによる研究 IV
神戸大院理，広島大先端研^A　園田寛智，小手川恒，藤秀樹，末國晃一郎^A，高畠敏郎^A

11: P & N type carriers tuning in M8Ga16Ge30 (M=Ba and Sr)
WPI-AIMR，Tohoku Univ.^A，Dept. of Phys.，Tohoku Univ.^B　Jun Tang^A，Zhaofei Li^A，Kazumi Sato^B，Jingtao Xu^A，Katsumi Tanigaki^A，B

12: クラスレート超伝導体Ba₂₄Ge₁₀₀の圧力温度相図
阪大極限セ，東北大院理^A　三宅厚志，田中茂揮，加賀山朋子，清水克哉，谷垣勝己^A

21日　GS会場　21pGS　13:30～17:30

領域7
界面デバイス1

1: ルブレン単結晶価電子バンド分散の角度分解光電子分光法による直接観察
千葉大先進^A，千葉大融合科学^B　中山泰生^A，町田真一^B，Steffen Duhm^B，Qian Xin^B，舟越亮博^B，小川尚記^B，解良聡^B，上野信雄^B，野口裕^A，B，石井久夫^A，B

2: 表面X線散乱法によるルブレンFET界面の構造観測－ゲート電圧効果
阪大基礎工^A，阪大理^B　若林裕助^A，竹谷純一^B，木村剛^A

3: Tight-binding theory of polarons in two-dimensional organic FET materials
NRI-AIST　Jie Lei，Yukihiro Shimoi

4: 高移動度ジオクチルベンゾチエノベンゾチオフェン結晶性塗布膜のホール効果
阪大院理^A，広大院工^B　山岸正和^A，添田淳史^A，高槻有一^A，岡田悠悟^A，広瀬友里^A，植村隆文^A，難波直子^A，品村祥司^B，瀧宮和男^B，竹谷純一^A

5: 導電性高分子の電界効果トランジスタにおける4端子測定
名大院工応物　野崎智史，伊東裕，渡辺峻一郎，田中久暁，黒田新一

6: 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究
産総研ナノテク，筑波大院数物^A，名大院工^B　下位幸弘，丸本一弘^A，黒田新一^B

7: 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測
筑波大院数物^A，JSTさきがけ^B，阪大院理^C，産総研ナノテク^D，名大院工^E，東北大金研^F　丸本一弘^A，B，新井徳道^A，後藤博正^A，木島正志^A，村上浩一^A，富成征弘^C，竹谷純一^C，B，下位幸弘^D，田中久暁^E，黒田新一^E，嘉治寿彦^F，西川尚男^F，竹延大志^F，B，岩佐義宏^F

8: ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性
名大院工，筑波大院数物^A，東北大金研^B　黒田新一，金子和晃，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，丸本一弘^A，竹延大志^B，岩佐義宏^B

休憩　（15:30～15:45)

9: 電場誘起ESR観測による面内配向性を有する高分子FETの分子配向評価
名大院工応物，名大院工応化^A　渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，黒田新一，戸田章雄^A，永野修作^A，関隆広^A

10: 高移動度導電性高分子におけるキャリアの電場誘起ESR
名大院工，筑波大院数物^A　石原健二，渡辺峻一郎，田中久暁，伊東裕，丸本一弘^A，黒田新一

11: フルオレンおよびビチオフェンの共重合高分子F8T2の電場誘起ESR
名大院工　田中久暁，東健二郎，渡辺峻一郎，黒田新一

12: CT錯体単結晶における励起子電荷分離観測
産総研光技術　堤潤也，山田寿一，松井弘之，Simon HAAS，長谷川達生

13: 低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発
産総研PRI　山田寿一，池田光，長谷川達生

14: 低温ESRを用いたペンタセン薄膜トランジスタのトラップ分布解析II
産総研光技術^A，東大新領域^B，理研^C，RRC Kurchatov Inst.^D　松井弘之^A，B，Andrei S. Mishchenko^C，D，長谷川達生^A

15: Charge modulation spectroscopy of pi-electronic interfaces: Trap states in pentacene TFTs
Photonics Res. Inst./AIST　Simon Haas，Hiroyuki Matsui，Toshikazu Yamada，Tatsuo Hasegawa

21日　GT会場　21pGT　13:30～17:45

領域7，領域8，領域10
電荷秩序・誘電性

1: 三角格子複電荷鉄酸化物RFe₂O₄の極性な電荷秩序
岡山大大学自然科学研究科　（岡大自然）　池田直

2: 電子型誘電体における電気分極と電荷揺らぎ
千葉工大　渡邉　努

3: 電荷秩序による有機導体の強誘電相転移
分子科学研究所　山本薫

4: 分子導体の電荷秩序と誘電性
理研基幹研　妹尾仁嗣

休憩　（15:30～15:45)

5: α'-(BEDT-TTF)₂IBr₂の相転移と低温における構造の変化
東北大多元研，東北大工^A，分子研^B　玄知奉，渡邉真史^A，野田幸男，山本薫^B，薬師久彌^B

6: alpha-(BEDT-TTF)₂I₃における電荷秩序ゆらぎと光学電気伝導度
分子研，東京工芸大工^A，北大理^B　薬師久弥，楽悦，山本薫，売市幹大，比江島俊浩^A，河本充司^B

7: α-(BEDT-TTF)₂I₃ 電荷不均化状態の¹³C-NMR研究
東大院工，東理大理工^A　平田倫啓，石川恭平，宮川和也，田村雅史^A，鹿野田一司

8: 片側¹³C－BEDT-TTFを用いたα-(BEDT-TTF)₂I₃での圧力下¹³C‐NMR
北大理　廣瀬真史，河本充司

9: α-(BEDT-TTF)₂I₃の熱伝導度と熱電能の異方性
阪市大院理　吉野治一，村田惠三

10: トンネル分光による分子性導体の室温構造解析
首都大理工，北大理^A，京大理^B，埼玉大理^C　森英一，臼井英正，坂本浩一，溝口憲治，内藤俊雄^A，矢持秀起^B，谷口弘三^C

11: α-(BEDT-TTF)₂CsCd(SCN)₄のNMR研究 II
学習院大理，東大院総合^A　高橋遼平，開康一，高橋利宏，近藤隆祐^A，鹿児島誠一^A

12: α-[(S,S)-DMDH-TTP]₂AuI₂の第一原理バンド計算に基づく有効模型の構築
電通大量子物質工，兵庫県大院物質理^A　相澤啓仁，黒木和彦，市川俊^A，山田順一^A

21日　HQ会場　21pHQ　13:45～17:30

領域5，領域7合同
軟X線発光・放射光真空紫外分光/光誘起相転移

1: 軟X線吸収分光によるプルシアンブルー類似体電極の電子状態の研究
産総研，Advanced Light Source^A　朝倉大輔，大久保將史，本間格，Jeng-Lung Chen^A，Jinghua Guo^A

2: 遷移金属化合物の金属内殻励起における多体効果：フェロセンの場合
分子研・総研大，Univ. Saskatchewan^A　小杉信博，Edwige Otero^A，Stephen Urquhart^A

3: その場位相計測法を用いた定在波発光分光測定による埋もれたFe/Si界面の電子状態測定
東北大多元研　江島丈雄，後藤智宏，神野貴義，倉光康太，柳原美広

4: 共鳴X線発光分光によるBaTiO₃の正方晶－立方晶相転移
広大院理，弘前大院理工^A，広島大HiSOR^B　磯濱陽一，中島伸夫，渡辺剛基，圓山裕，手塚泰久^A，森本理^B

5: 分子間相互作用に依存した有機固体の局所電子状態と透過型軟X線発光分光器の現状
分子研^A，理研XFEL^B　山根宏之^A，初井宇記^B，小杉信博^A

休憩　（15:00～15:15)

6: BEDT-TTF塩における光電流
理研　田久保直子，田嶋尚也，川椙義高，山本浩史，加藤礼三

7: β”-(BEDT-TTF)(TCNQ)の電荷秩序状態における超高速光誘起現象
東工大院理工^A，JST-CREST^B，東工大院総理工^C，理研^D，JST-PRESTO^E　深澤直人^A，石川忠彦^A，沖本洋一^A，腰原伸也^A，B，恩田健^C，山本浩史^D，E，加藤礼三^D

8: 二次元有機伝導体における光誘起相転移の赤外10fs分光I
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C，分子研^D　深津猛^A，川上洋平^A，中屋秀貴^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^B，C，小林典男^C，山本薫^D，薬師久弥^D

9: 二次元有機伝導体における光誘起相転移の赤外10fs分光II
東北大院理^A，JST-CREST^B，東北大金研^C，分子研^D　川上洋平^A，深津猛^A，中屋秀貴^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，米山直樹^B，C，佐々木孝彦^B，C，小林典男^C，山本薫^D，薬師久弥^D

10: 二次元有機導体における電荷秩序の光誘起融解とドメイン形成ダイナミクス
分子研，総研大，CREST・JST　田中康寛，米満賢治

11: 15 fsレーザーパルスを用いたTTF-CAの光誘起イオン性-中性転移ダイナミクスの研究
東大院新領域^A，JST，CREST^B　上村紘崇^A，松崎弘幸^A，岡本博^A，B

12: TTF-CAの光誘起中性－イオン性転移における超高速分子振動ダイナミクス
東大院新領域^A，JST，CREST^B　上村紘崇^A，^○岡本博^A，B

13: (DMEDO-TTF)₂AsF₆の低温金属相の構造
東工大院理工，愛媛大院理工^A　白鳥啓太，白旗崇^A，川本正，森健彦

14: ポリアセンの光誘起構造相転移
北大院理　山本昌司

22日　GR会場　22pGR　13:30～17:30

領域7
ゼオライト・クラスレート

1: ゼオライトLSX中のNa-K合金クラスターにおけるフェリ磁性
阪大理　ズオン・ティ・ハン，中野岳仁，野末泰夫

2: 中性子回折で見たソーダライト中のNaクラスターの反強磁性秩序
阪大理，阪大極限セ^A　中野岳仁，花澤宏文，松浦直人，加賀山朋子^A，廣田和馬，野末泰夫

3: ゼオライトA中のKクラスターの圧力ドーピングによる構造変化
阪大理，阪大極限セ^A　田中邦明，下堂康太，中野岳仁，加賀山朋子^A，野末泰夫

4: Kを吸蔵したゼオライトAの低エネルギー有効模型の構築と計算
東大理，東大工^A　野原善郎，中村和磨^A，有田亮太郎^A

5: Naを飽和吸蔵したゼオライトLSXのNMR特性
群馬高専，阪大理^A，物材機構^B　五十嵐睦夫，中野岳仁^A，後藤敦^B，端健二郎^B，清水禎^B，水金貴裕^A，ファム・タン・ティ^A，野末泰夫^A

6: Naバーナサイトにおける閉ざされた水の構造
東北大院理　松井広志，Jing Ju，大平倫裕，豊田直樹

休憩　（15:00～15:15)

7: ペンタシアノニトロシル鉄錯体における格子の熱応答
筑波大数理，JASRI^A　松田智行，金延恩^A，守友浩

8: 高分解能EELSによるMgB₄の電子構造の研究II
東北大多元研，長岡技科大^A　土谷公平，佐藤庸平，寺内正己，武田雅敏^A

9: α正方晶型ホウ素の構造と電子状態の第一原理計算による研究
物材機構　速水渉，大谷茂樹

10: Liドープされたαホウ素の動的安定性
阪大産研，東北大^A，Ecole Polytechnique^B　出倉春彦，濱田幾太郎^A，柳瀬章，NathalieVast^B，白井光雲

11: ボロン正20面体クラスター固体へのLiイオン注入
産総研ナノテク，東大新領域^A，東理大基礎工^B，原子力機構^C　桐原和大，永地健紀^A，兵藤宏^B，山本春也^C，江坂文孝^C，山本博之^C，社本真一^C，木村薫^A

12: αボロンの高温高圧合成の可能性II
岡理大理　藤井竜也，江尻昌平，廣川裕規，^○森嘉久

13: Liドープα菱面体晶ボロンの超伝導
東大新領域，東理大基礎工^A，東北大多元研^B　永地健紀，兵藤宏^A，曽我公平^A，佐藤庸平^B，寺内正己^B，木村薫

14: B₄Cにおける高圧下での微細構造変化(2)
岡理大理，東大院新領域^A　藤井竜也，江尻昌平，廣川裕規，森嘉久，木村薫^A

15: 遷移金属内包Siクラスター凝集膜の構造解析
産総研－ナノ電子デバイスセ^A，産総研計算科学^B，筑波大数理物質^C　内田紀行^A，宮崎剛英^B，鮫島健一郎^A，C，松下祐介^A，C，金山敏彦^A，C，村上浩一^C

22日　GS会場　22pGS　13:30～17:45

領域7
界面デバイス2

1: Novel Structural Modifications for High Performance Light-Emitting Transistors and Its Spectrally Narrowed Emission
IMR-Tohoku Univ.^A，PRESTO-JST^B，Kyoto Inst. Tech.^C，CREST-JST^D　Satria Zulkarnaen Bisri^A，Kosuke Sawabe^A，Taishi Takenobu^A，B，Takeshi Yamao^C，Shu Hotta^C，Yoshihiro Iwasa^A，D

2: Ambipolar injection of carriers and its application to light emission in organic Field Effect Transistors
World Premier Int'l. Res. Center and Dept. of Phys.，Grad. of Sci.，Tohoku Univ.^A，State Key Lab. of Supramolecular Structure and Materials，Jilin Univ.，China^B　Yan Wang^A，Ryotaro Kumashiro^A，Susumu Ikeda^A，Yuguang Ma^B，Katsumi Tanigaki^A

3: κ型ET塩に対する静電キャリアドーピングIII
理研，さきがけ^A，埼玉大^B，物材機構^C　川椙義高^A，B，^○山本浩史^A，田嶋尚也，三成剛生^C，塚越一仁^C，加藤礼三^B

4: 電気二重層トランジスタによるInPのキャリア数制御
東北大金研，ERATO-NSEP^A，東北大院理^B　下谷秀和，西島崇裕，長瀬勝美^A，平山祥郎^A，B，岩佐義宏

5: グラフェン電気二重層トランジスタ
東北大金研，東大院工^A，Univ. of Geneva^B　J.T. Ye，H.T. Yuan，下谷秀和，岩佐義宏，M.F. Craciun^A，S. Russo^A，A.F. Morpurgo^B

6: Highly-Charged Electric-Double-Layer Interfaces: from Electrochemistry to Electrostatics
IMR Tohoku Univ.^A，CREST-JST^B，WPI-AIMR Tohoku Univ.^C　H.T. Yuan^A，B，H. Shimotani^A，B，J.T. Ye^A，A. Tsukazaki^A，A. Ohtomo^A，M. Kawasaki^B，C，Y. Iwasa^A，B

7: ルブレン単結晶トランジスタへの高密度キャリア注入と異常な電界効果
阪大院理　岡田悠悟，高槻有一，山岸正和，添田淳史，三輪一元，宇野真由美，竹谷純一

8: イオン液体を用いたルブレン単結晶トランジスタのホール効果
阪大理　高槻有一，山岸正和，岡田悠悟，添田淳史，三輪一元，宇野真由美，竹谷純一

休憩　（15:30～15:45)

9: ピセン薄膜FETデバイスのnチャネル動作
岡山大院自然，北陸先端大^A　川崎菜穂子，加地由美子，古村紀子，岡本秀毅，神戸高志，池田直，久保園芳博，藤原明比古^A

10: 種々の有機薄膜FETのイオン液体ゲートキャパシタによる低電圧駆動
岡山大理，岡山大院自然^A，北陸先端大^B　中田秀平，加地由美子^A，川崎菜穂子^A，久保園芳博^A，藤原明比古^B

11: イオン液体を用いたC₆₀およびpicene薄膜FETのESR測定
岡大院自然　神戸高志，加地由美子，川崎菜穂子，久保園芳博

12: 有機単結晶貼り合わせ界面における伝導層II
東北大院理，東北大WPI^A　渡辺裕樹，野内亮^A，谷垣勝己^A

13: 有機結晶接触界面におけるキャリヤ注入とその伝導特性
北大院理　高橋幸裕，早川渓，内藤俊雄，稲辺保

14: シアノ錯体接合体の機能性と膜形態
筑波大数理　柴田恭幸，守友浩

15: 電極エッジに起因する有機半導体薄膜の面内配向成長とFETへの応用
東北大理，東洋大学際融合^A，東大新領域^B　池田進，和田恭雄^A，斉木幸一朗^B

16: Quaterrylene有機薄膜における格子歪みの制御と成長過程に及ぼす影響
物材機構，マックスプランク金属研^A　早川竜馬，Ayse Turak^A，XueNa Zhang^A，Helmut Dosch^A，廣芝伸哉，知京豊裕，若山裕

22日　GT会場　22pGT　13:00～17:45

領域7
Mott系・三角格子

1: ダイマーモット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃の誘電異常
早大先進理工，東北大金研^A，JST-CREST^B，京産大理^C　M. Abdel-Jawad，寺崎一郎，^○佐々木孝彦^A，B，米山直樹^A，B，小林典男^A，上江洲由晃，堀田知佐^C

2: ダイマーモット系における量子ダイポール＝スピン相関
京産大理　堀田知佐

3: κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃のテラヘルツ分光；高速電荷揺らぎによるフォノン異常
東北大院理^A，JST-CREST^B，情通機構^C，東北大金研^D　伊藤桂介^A，中屋秀貴^A，川上洋平^A，伊藤弘毅^A，B，岩井伸一郎^A，B，齋藤伸吾^C，米山直樹^B，D，佐々木孝彦^B，D，小林典男^D

4: 三角格子モット絶縁体κ-(BEDT-TTF)₂Cu₂(CN)₃のモット転移近傍における物性測定
東大工　羽柴寛，小橋寿彦，黒崎洋輔，宮川和也，鹿野田一司

5: スピン液体的挙動を示す分子性固体の電荷および格子の揺らぎ
阪大院理，JASRI^A，理研^B，理科大理工^C，分子研^D　山本貴，吉元諒，村岡佑樹，山下智史，中澤康浩，森脇太郎^A，池本夕佳^A，加藤礼三^B，田村雅史^C，薬師久弥^D

6: 微小チップによるダイマー型Mott絶縁体の熱容量測定
阪大理，阪大院理^A　村岡佑樹，山下智史^A，山本貴^A，中澤康浩^A

7: 零磁場及び縦磁場μSRによるEtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の低温磁性
理研仁科セ，理研^A　石井康之，川股隆之，渡邊功雄，加藤礼三^A，松崎禎市郎

8: 三角格子スピン液体物質EtMe₃Sb[Pd(dmit)₂]₂の低磁場¹³C-NMR
京大人環，東北大院理^A，理研^B　久保田健朗，伊藤哲明，小山田明，西山昌秀，前川覚，久保和也^A，加藤礼三^B

9: ２次元等方的三角格子上の電子格子系の低温相におけるフォノン
阪市大工　三好健太，寺井章

休憩　（15:15～15:30)

10: EtMe₃X[Pd(dmit)₂]₂系におけるVB秩序化の熱的研究
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^D　高橋宏太朗^A，廣田敬幸^A，鈴木宏弥^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，D

11: HOMO-LUMO交叉を伴うダイマーモット系の超高圧下における電子状態
理研　加藤礼三，田嶋尚也，崔亨波

12: Et₂Me₂Sb[Pd(dmit)₂]₂の圧力下における電荷整列の熱的性質
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，JST-CREST^C　田中友樹^A，佐々木和彦^A，松崎祐介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C

13: エックス線照射したκ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brの赤外反射測定
東北大金研^A，JST-CREST^B　菅原洋紀^A，佐々木孝彦^A，B，米山直樹^A，B，小林典男^A

14: 有機超伝導体κ-(BEDT-TTF)₂Cu[N(CN)₂]Brのエックス線照射による絶縁体化
東北大金研^A，JST-CREST^B　佐野康一郎^A，佐々木孝彦^A，B，米山直樹^A，B，小林典男^A

15: ドープされたモット絶縁体κ-(ET)₄Hg_2.78Cl₈における圧力下非接触電気抵抗測定
東大工，埼玉大理^A，阪市大理^B　大池広志，宮川和也，鹿野田一司，谷口弘三^A，村田惠三^B

16: 有機超伝導体κ_H-(DMEDO-TSeF)₂[Au(CN)₄](THF)の超伝導特性
東工大院理工，NIMS^A，愛媛大院理工^B，長岡技科大工^C　川本正，森健彦，薩川秀隆^A，木俣基^A，宇治進也^A，白旗崇^B，今久保達郎^C

17: 超高圧下ESR装置の開発とβ'-(BEDT-TTF)₂ICl₂の電子状態II
首都大理工，産総研^A，埼玉大^B　谷口尚，坂本浩一，溝口憲治，竹下直^A，谷口弘三^B

18: λ-(BETS)₂GaCl₄の圧力印加によるフェルミ面の変化
東邦大理^A，東邦大複合物セ^B，東理大理工物^C，日大文理^D　鈴木勝博^A，戸井田靖宏^A，佐藤光幸^A，B，菅原滋晴^C，周彪^D，小林昭子^D，小林速男^D，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B

22日　GV会場　22pGV　13:30～17:00

領域7，領域4，領域6，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェンの生成・評価と物性－最前線と展望－

1: はじめに
東北大院理　齋藤理一郎

2: 金属基板上のグラフェンの成長と評価
早大理工　大島忠平

3: SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価
九大院工　田中悟

4: グラフェン端構造の直接観察
産総研　末永和知

休憩　（15:05～15:20)

5: ナノグラフェンおよびグラフェン端の電子物性
東工大院　榎敏明

6: SiC上グラフェンの光電子分光
東北大WPI　菅原克明

7: SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態
NTT物性基礎研　影島愽之

8: 今後の展開に期待すること
東工大院　安藤恒也

23日　GR会場　23aGR　10:15～12:00

領域7
分子デバイス

1: 電極間架橋オリゴチオフェンの非弾性トンネル分光
阪大産研，JST-さきがけ^A　横田一道，筒井真楠，谷口正輝^A，川合知二

2: 電流誘起局所加熱による単分子接合コンダクタンスの揺らぎ
阪大産研，JST-さきがけ^A　筒井真楠，谷口正輝^A，川合知二

3: 金属をドープしたDNAの光吸収
首都大理工　圓谷淳，臼井英正，伊吹依利子，坂本浩一，溝口憲治

4: ルブレン単結晶における励起子緩和とコヒーレントフォノン
東大工^A，東大新領域^B，阪大院理^C，産総研光技術^D，JST-CREST^E　大谷直也^A，田尾祥一^B，上村紘崇^B，松崎弘幸^B，三輪一元^C，植村隆文^C，竹谷純一^C，岡本博^B，D，E

5: Bleaching分光からみたP3HT/PCBM複合体光起電力素子の光キャリアダイナミクス
阪市大院理^A，CREST-JST^B　鐘本勝一^A，B，尾形明彦^A，小澄大輔^A，B，橋本秀樹^A，B，唐沢力^A

6: 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体サーフェスセルのキャリア4体再結合ダイナミクス
名大院工　伊東裕，西川裕貴，鈴木淳也，渡辺峻一郎，田中久暁，黒田新一

7: フタロシアニン/フラーレン系太陽電池の特性とデバイス制御
岡山大理，北陸先端大^A　河相暢幸，浜尾志乃，高橋庸祐，古村紀子，神戸高志，池田直，久保園芳博

23日　GS会場　23aGS　9:00～12:45

領域7
グラフェン

1: 取　　消

2: グラフェンのコーナーエッジにおける局所状態密度
広大先端研，物材機構^A，JSTさきがけ^B　下村祐司，高根美武，若林克法^A，B

3: グラフェンポイントコンタクトにおける電気伝導
物材機構^A，JSTさきがけ^B　山本真幸^A，若林克法^A，B

4: 第一原理計算を用いた多層グラフェンにおける電気伝導特性予測
長崎大工　土肥慶祐，榎木義晃，^○江上喜幸

5: トップゲートを用いたグラフェンFET素子の磁気輸送特性
東大物性研　中原大介，長田俊人，内田和人，鴻池貴子

6: 単層/２層グラフェン接合系の磁場中電気伝導
東大物性研　佃明，長田俊人，中原大介，内田和人，鴻池貴子

休憩　（10:30～10:45)

7: エネルギーギャップがあるグラフェンにおけるエッジ状態
物材研，東工大^A　佐々木健一，若林克法，榎敏明^A

8: グラフェンFETにおける金属電極からの電荷移動効果II
東北大WPI^A，東北大理^B　野内亮^A，齊藤達也^B，谷垣勝己^A，B

9: ゲート電場に依存したグラフェンFETへの酸素吸着
東工大理工　佐藤慶明，高井和之，榎敏明

10: Electrical characteristics of chemically-doped graphene
Tohoku Univ.　Xiaoyan Fan，Ryo Nouchi，Tatsuya Saito，Katsumi Tanigaki

11: 六方晶窒化ホウ素へのLiインターカレーションII
東大新領域　住吉篤郎，兵藤宏，木村薫

12: グラフェンと単層窒化ホウ素から成る層状超格子の電子構造と安定性
東工大理工　酒井佑規，是常隆，斎藤晋

13: NiFe強磁性電極グラフェンスピンバルブ素子におけるスピン伝導
東大生産研^A，東大ナノ量子機構^B，JSTさきがけ^C　山口健洋^A，増渕覚^A，守谷頼^A，荒井美穂^A，町田友樹^A，B，C

14: 非磁性基板上グラフェンナノリボンの磁性と電子構造
金沢大自然　澤田啓介，石井史之，斎藤峯雄

23日　GT会場　23aGT　9:00～12:45

領域7，領域3，領域6，領域8
π-d系

1: V_nBz_n+1化合物の1次元モデルによる磁性発現機構の研究
阪大基礎工　山口宏信，松浦弘泰，三宅和正

2: TPP[Fe(Pc)(CN)₂]₂における電荷秩序と磁気秩序
東大物性研，熊本大理^A，岡山大理^B，北大院理^C　森宏文，瀧川仁，松田真生^A，花咲徳亮^B，田島裕之，内藤俊雄^C，稲辺保^C

3: 一次元π-d系の有限温度相図
理研基幹研^A，JST-CREST^B，東大院工^C　大塚雄一^A，B，妹尾仁嗣^A，B，求幸年^C

4: Lithium Phthalocyanine Iodide（LiPcI_x）結晶の電子状態
和歌山大院シス工　小池功剛，小田将人，篠塚雄三

5: (DI-DCNQI)₂Cuの高圧相における¹³C NMR
東大工，学習院大理^A　宮川和也，中田智，鹿野田一司，開康一^A，高橋利宏^A

6: X線精密構造解析による(DBr-DCNQI)₂Cuの電子状態の研究
名大工，理研^A　真木祥千子，西堀英治，岡林弘卓，佐藤亮太，青柳忍，澤博，加藤礼三^A

休憩　（10:15～10:45)

7: 磁場誘起有機超伝導体λ-(BETS)₂ FeCl₄におけるFeと伝導電子の奇妙な関係
東邦大理　西尾豊

8: λ-(BETS)₂FeCl₄系における常磁性金属－反強磁性絶縁体転移
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，日大文理^C　松崎祐介^A，倉内彬雄^A，秋葉宙^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

9: 磁場誘起有機伝導体λ－(BETS)₂FeCl₄における反強磁性絶縁体状態
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，日大文理^D　秋葉宙^A，B，登健人^A，松崎祐介^A，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，周彪^D，小林昭子^D，小林速男^D

10: λ-(BETS)₂FeCl₄におけるGa置換系の熱測定
東邦大理^A，東邦大複合物性セ^B，理研^C，日大文理^D　登健人^A，秋葉宙^A，B，西尾豊^A，B，梶田晃示^A，B，加藤礼三^C，周彪^D，小林昭子^D，小林速男^D

11: スピン反転による磁場誘起超伝導の局所的破壊
理研，東北大金研^A，物材機構^B，NHMFL^C，日大文理^D　大島勇吾，野尻浩之^A，宇治進也^B，徳本貴久^C，J.S. Brooks^C，H.-B. Cui，加藤礼三，小林昭子^D，小林速男^D

12: λ-(BETS)₂Fe_1-xGa_xCl₄系の⁷⁷Se NMR研究
学習院大理，東邦大理^A，産総研^B，日大文理^C　開康一，北原昌嗣，高橋利宏，西尾豊^A，秋葉宙^A，田中寿^B，周彪^C，小林昭子^C，小林速男^C

13: κ-(BETS)₂FeBr₄の熱容量の磁場印加方向依存性
阪大院理，日大文理^A　福岡脩平，山本貴，中澤康浩，小林速男^A，小林昭子^A

23日　GT会場　23pGT　13:30～16:15

領域7
若手奨励賞講演・β型他

1: 2009年度領域7若手奨励賞受賞
東北大WPI-AIMR　谷垣勝己

2: 有機単結晶を用いた両極性および発光トランジスタの実現
東北大金研　竹延大志

3: 強相関電子系有機絶縁体における非線形伝導と巨大磁気抵抗の研究
物材機構　山口尚秀

4: グラフェン端の化学修飾による電子物性の制御
東工大院理　高井和之

休憩　（15:10～15:30)

5: β-(BDA-TTP)₂AsF₆のSTM分光
北大院理，北大院工^A，兵庫県大院理^B　白井望，野村一成，松永悟明，市村晃一^A，山田順一^B

6: 層状有機超伝導体β-(BDA-TTP)₂SbF₆におけるジョセフソン磁束フロー抵抗
筑波大院数物，物材機構^A，兵庫県大^B　安塚周磨，古賀弘晃，山村泰久，齋藤一弥，宇治進也^A，寺嶋太一^A，薩川秀隆^A，木俣基^A，圷広樹^B，山田順一^B

7: BEDT-TTF銀塩の不純物効果
岡大自然　大嶋孝吉，藤井光一

23日　HS会場　23pHS　13:30～16:00

領域10，領域3，領域7，領域8
誘電体

1: マルチフェロイクス研究のための、強誘電体の電気的測定の極意
明星大・理工　山口俊久

休憩　（14:15～14:30)

2: RbCoBr₃の磁場中逐次相転移のシミュレーション
芝浦工大工　中村統太

3: 歪んだ三角格子物質RbCoBr₃の磁場中誘電率測定
東京女医大物理，上智大理工^A，東大物性研^B，千葉大教育^C　西脇洋一，黒江晴彦^A，赤木暢^A，桑原英樹^A，関根智幸^A，徳永将史^B，加藤徹也^C

4: RFe_0.56Ti_0.44O₃（R=Lu,Yb）の結晶構造と磁気・誘電特性
阪府大院工，岡山大理^A，原研関西^B，物材機構^C　星山卓也，森茂生，松尾祥史^A，船江岳史^A，神戸高志^A，池田直^A，君塚昇^A，吉井賢治^B，道上勇一^C

5: 対称性から予想されるβ-R₂(MoO₄)₃のマルチフェロイック特性
無所属　鹿内文仁

6: 取　　消

7: 超高真空原子間力顕微鏡によるTSSGBaTiO₃結晶の分域観察
九大院理，学振^A　加来滋^A，中村昂史，渡部行男