領域4

20日　HV会場　20aHV　9:00～12:15

領域4
量子細線・量子ホール効果

1: インコヒーレント領域におけるジグザグ・グラフェンナノリボンの電気伝導度
広大院先端　高根美武

2: 強局在領域における位相緩和長と抵抗の温度変化
CNRS-Neel研（フランス）^A，東北大理^B，ERATO核スピンエレクトロニクス^C　新見康洋^A，B，平山祥郎^B，C，Laurent Saminadayar^A，Christopher Bauerle^A

3: 量子細線のスピン磁気特性
千葉大，理研^A，ニューヨーク州立大バッファロー校^B　遠藤孝，渋谷薫，湯本昇，森本崇宏^A，青木伸之，落合勇一，J.P.Bird^B

4: 半導体ポイント接合における表面弾性波ポテンシャルの時間分解測定
東工大極低温セ^A，NTT物性基礎研^B，東工大院理工^C　西尾啓太郎^A，長瀬友宏^A，B，橋坂昌幸^A，C，村木康二^B，藤澤利正^A

5: 伝導度および電流ゆらぎ測定による量子細線における動的核スピン偏極の観測
京大化研，東大生産研^A　知田健作，橋坂昌幸，山内祥晃，中村秀司，町田友樹^A，小林研介，小野輝男

6: メゾスコピック系における負の余剰雑音の測定
京大化研，東大物性研^A，東大理^B，IEMN-CNRS^C，スイス連邦工科大^D　中村秀司，山内祥晃，橋坂昌幸，知田健作，小野輝男，内海裕洋^A，齊藤圭司^B，R. Leturcq^C，K. Ensslin^D，小林研介

休憩　（10:30～10:45)

7: 量子ホール系の熱電能：対角成分と非対角成分の関係
横国大工，東大物性研^A，東大生研^B，核融合研^C　白崎良演，遠藤彰^A，羽田野直道^B，中村浩章^C

8: トンネル障壁を持つ量子ホールデバイスでの現象
静岡理工科大　佐々木祥介

9: ２層量子ホール励起子相境界の相互作用依存性
東大総合文化，東北大理^A　吉岡大二郎，柴田尚和^A

10: 分数量子ホール効果の場の理論による一次元定式化
東工大理^A，U.C. Berkeley^B　中村正明^A，笠真生^B

11: プラトー転移におけるコンダクタンスのマルチフラクタル性と共形不変性
京大理，Univ. of Chicago^A，Forschungszentrum Karlsruhe^B，UC Santa Barbara^C　小布施秀明，I.A. Gruzberg^A，B. Soumya^B，F. Evers^B，A.W.W. Ludwig^C

12: 高次ランダウ準位のプラトー転移における境界マルチフラクタル性
京大理，理研^A，UC Berkeley^B，Univ.of Chicago^C，PSI^D　小布施秀明，^○古崎昭^A，笠真生^B，I.A.Gruzberg^C，C. Mudry^D

20日　HW会場　20aHW　9:30～12:00

領域4
微小接合

1: ジョセフソン人工原子による動的カシミール効果の理論
広大院総合科^A，IIC^B，早大理工^C，ウィーン大物理^D　藤井敏之^A，高嶋耕司^A，B，松尾繁政^A，C，畠中憲之^A，栗原進^C，Anton Zeilinger^D

2: 強磁性物質と超伝導物質との接合系における状態密度の理論
名大工，Twente Univ.^A　吉崎大裕，田仲由喜夫^A，Alexander Golubov

3: 強磁性絶縁体/超伝導体ジョセフソン接合におけるπ接合の理論
産総研^A，CREST^B，北大工^C，名大工^D，Twente大^E　川畑史郎^A，B，浅野泰寛^C，田仲由喜夫^D，柏谷聡^A，Alexander A. Golubov^E

4: 強結合固有接合における協力的量子トンネル現象の理論
産総研^A，東北大金研^B，CREST^C　知崎陽一^A，柏谷裕美^A，柏谷聡^A，小山富男^B，C，川畑史郎^A，C

5: 超伝導マイクロ波共振器を用いた磁束量子ビットの非破壊読み出し
理研基幹研^A，NECナノエレ研^B　猪股邦宏^A，渡部道生^A，山本剛^A，B，中村泰信^A，B，蔡兆申^A，B

休憩　（10:45～11:00)

6: Bi2201固有ジョセフソン接合のセカンドスイッチの特性
産総研^A，名大工^B　柏谷裕美^A，松本哲朗^A，柴田肇^A，吉田良行^A，永崎洋^A，川畑史郎^A，田仲由喜夫^B，柏谷聡^A

7: Bi2212微小固有ジョセフソン接合におけるlong接合効果とMQT
青学大理工^A，東大院総合^B　石川一樹^A，糸井充穂^A，^○北野晴久^A，太田健介^B，前田京剛^B

8: 超伝導磁束量子ビットを介した共振器と二準位fulctuatorの結合
NTT物性基礎研　Alexander Kemp，^○齊藤志郎，仙場浩一

9: Fast tuning the gap of a superconducting flux qubit
NTT BRL　Xioabo Zhu，Alexander Kemp，Shiro Saito，Kouichi Semba

20日　HK会場　20pHK　13:30～17:00

領域5，領域4
微粒子・ナノ結晶

1: ワイドギャップ半導体微小構造の光学応答とその制御　Optical response and its manipulation in fine structures of wide-gap semiconductors
大阪大学大学院基礎工学研究科　伊藤正

2: CuCl量子ドット集合系における励起子分子発光の超蛍光的時間特性II
阪大院基礎工^A，JSTさきがけ^B，情通機構^C　宮島顕祐^A，B，前野浩介^A，角野翼^A，齋藤伸吾^C，芦田昌明^A，伊藤正^A

3: ZnOナノ微粒子の作製と光マニピュレーション
阪大基礎工　齋藤泰彦，岡本慎也，板東真一郎，^○芦田昌明，伊藤正

4: ZnOマイクロ微小球によるレーザー発振II
阪大院基礎工　岡本慎也，斎藤泰彦，板東真一郎，芦田昌明，伊藤正

休憩　（15:00～15:15)

5: 単一発光中心の精密分光によるGaP中NN発光の起源解明とその利用
筑波大物理，JSTさきがけ^A，物材機構^B　池沢道男^A，渡邉真人，佐久間芳樹^B，舛本泰章

6: チャージチューナブルInP量子ドットの時間分解カー回転測定
筑波大物理　川名啓介，冨本慎一，舛本泰章

7: Tuning the fine interaction in semiconductor quantum dot: role of geometry
NIMS　Marco Abbarchi，Takashi Kuroda，Takaaki Mano，Kazuaki Sakoda

8: CdSe/ZnSコア-シェル型量子ドットの発光寿命の粒子濃度依存性
東工大院理工　河田剛，嵐田雄介，小川佳宏，南不二雄

9: 単一ペリレンナノ結晶の顕微非線形吸収分光III
東理大理，電通大量子物質^A　石野平祐，岩井滋人，岩本俊二，奥村恒雄，小林孝嘉^A，徳永英司

10: 有機分子保護Siナノクラスターにおける発光と電子構造の相関
神戸大工，物材機構/SPring-8^A　今村真幸，中村純，藤正修司，保田英洋，上田茂典^A，山下良之^A，吉川英樹^A，小林啓介^A

11: ミリ波領域におけるε-Ga_xFe_2-xO₃ナノ磁性体の高い透磁率
東大院理^A，愛媛県産技研^B，宇部日東化成^C，DOWAエレクトロニクス^D　生井飛鳥^A，倉橋真司^B，蜂谷広志^A，冨田浩太郎^A，C，桜井俊介^A，松本和幸^D，後藤崇^D，大越慎一^A

20日　HV会場　20pHV　13:30～17:15

領域4
量子ホール効果

1: Kerr顕微鏡によるv＝1量子ホール状態の局所占有数と電流分布
千葉大院理，千葉大理^A，東北大院理^B，NTT物性基礎研^C，ERATO-JST^D　松田貴治，山田哲也，文堤會^A，音賢一，室清文，熊田倫雄^C，平山祥郎^B，D

2: ポッケルス効果によるGaAs量子ホール系の電位分布測定
千葉大院理　山田哲也，音賢一，室清文

3: Si/SiGe２次元金属相におけるサイクロトロン共鳴
東大理，都市大総研^A　枡富龍一，関根啓仁，佐々木恒平，安田一平，澤野憲太郎^A，白木靖寛^A，岡本徹

4: 量子ホール系におけるTHz周波数帯光学ホール効果の観測
東大理　池辺洋平，森本高裕，枡富龍一，岡本徹，青木秀夫，島野亮

5: ν=2/3スピン相転移の顕微フォトルミネッセンス
東北大理^A，NTT物性基礎研^B　早川純一朗^A，村木康二^B，遊佐剛^A

6: 近接場局所光照射による量子ホール端状態の観測
筑波大数理物質^A，産総研^B，NTT物性基礎研^C　伊藤宙陛^A，古谷景佑^A，柴田祐輔^A，大塚洋一^A，野村晋太郎^A-C，柏谷聡^B，山口真澄^C，田村浩之^C，赤崎達志^C

休憩　（15:00～15:15)

7: Al核スピンによるナノ構造の直接観察II
新潟大自然，新潟大工^A，JST-ERATO^B，東北大理^C　西森将志，長谷川広和，川中子隆^A，佐々木進^A，渡辺信嗣^B，平山祥郎^B，C

8: 量子ホール効果ブレークダウンにおける核スピン偏極極性の検出
東大生産研^A，理研^B，JSTさきがけ^C，東大物性研^D，東大ナノ量子機構^E　山下達也^A，川村稔^B，C，橋本義昭^D，勝本信吾^D，E，町田友樹^A，E

9: 量子ホール効果ブレークダウンによる動的核スピン偏極の電流方向依存性
理研^A，さきがけJST^B，東大物性研^C，東大生産研^D，東大ナノ量子機構^E　川村稔^A，B，河野公俊^A，橋本義昭^C，勝本信吾^C，E，町田友樹^D，E

10: 局所核スピン偏極の緩和測定によるSpin-Textured Edge状態の検出
東大総合文化　中島峻，小林泰子，小宮山進

11: 熱的偏極核スピンによる抵抗検出NMRスペクトルの測定
JST-ERATO^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C　渡辺信嗣^A，熊田倫雄^B，平山祥郎^A，C

12: 2層系ν=1粒子ホール系におけるスピン、擬スピン反転を含んだSU(4) skyrmionの観測
NTT物性基礎研　熊田倫雄，村木康二

13: Resistively Detected Nuclear Spin Polarization in InSb Single Quantum Well
ERATO-JST^A，ERATO-JST and Jilin Univ.^B，Oklahoma Univ.^C，Tohoku Univ.^D　K.F. Yang^A，H.W. Liu^B，T.D. Mishima^C，M.B. Santos^C，Y. Hirayama^A，D

14: Characterization of Individual Nuclear Spins in InSb/AlInSb Single Quantum Well
ERATO-JST and Jilin Univ.，ERATO-JST^A，Oklahoma Univ.^B，Tohoku Univ.^C　H.W. Liu，K.F. Yang^A，T.D. Mishima^B，M.B. Santos^B，Y. Hirayama^A，C

20日　HW会場　20pHW　13:30～17:00

領域4
量子ドット理論

1: 多端子量子ドット系におけるスピンホール効果の理論
慶大理工　江藤幹雄

2: 多端子量子ドット系における近藤共鳴とスピンホール効果の増大
慶大理工　横山知大，江藤幹雄

3: 開放型量子ドットにおける２重占有率：多電子散乱状態の厳密解によるアプローチ
東大先端研，東大生研^A　今村卓史，西野晃徳^A，羽田野直道^A

4: 量子ドット系における交差アンドレーエフ反射と電子相関効果II
京大理，理研^A　山田康博，田中洋一^A，川上則雄

5: 粒子－正孔対称下での軌道自由度のある近藤効果のショットノイズ
東大工^A，東大物性研^B　阪野塁^A，藤井達也^B

6: ２重量子ドットにおける揺らぎの定理と実時間電子計数の時間分解能
カールスルーエ大，東大物性研^A　M. Marthaler，D.S. Golubev，内海裕洋^A，Gerd Schoen

休憩　（15:00～15:15)

7: 3重量子ドット系の近藤効果：3角形配列の歪の影響II
阪市大理^A，ICORP-JST^B，Imperial College^C，東大工^D　小栗章^A，天羽真一^B，西川裕規^A，C，A.C. Hewson^C，樽茶清悟^B，D，沼田貴英^A

8: ABリング・ドット系におけるクーロン電子相関と近藤温度の磁束依存性
筑波大物理　谷口伸彦，磯崎健太

9: 量子ドット系のファノ近藤効果とスピン操作
筑波大物理　磯崎健太，谷口伸彦

10: ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤効果におけるリングサイズ依存性III
慶大理工　吉井涼輔，江藤幹雄

11: 分数量子Hall領域における量子ドット系の緩和抵抗
東大理，CPTマルセイユ^A，東大物性研^B　濱本雄治，Thibaut Jonckheere^A，加藤岳生^B，Thierry Martin^A

12: 強磁性および常磁性リードで量子ドットを挟んだ系の非平衡伝導特性
慶大理工　納谷尚吾，江藤幹雄

13: Type II半導体量子ドットにおけるバイエキシトンの数値的研究
慶大理工　奥山倫，江藤幹雄，日向裕幸

20日　PSB2会場　20pPSB　15:30～17:30

領域4
領域4ポスターセッション

46: 線幅を考慮したハニカム超伝導ネットワークの磁束
阪府高専，阪府大工^A　佐藤修，加藤勝^A

47: 一次元SQUID列におけるフラクソン対の運動
広大先端研，広大院総合科^A　中城貴哉，藤井敏之^A，西田宗弘

48: 取　　消

49: イオン液体を用いた高濃度電界ドーピング
筑波大数理物質　庄司裕，大塚洋一

50: Mn層状オキシプニクタイドの試料作成と物性
日大理工，広大院理^A　鬼澤愛美，加藤甲馬，平本尚三^A，吉田芙美子^A，森吉千佳子^A，黒岩芳弘^A，渡辺忠孝，高野良紀，高瀬浩一

51: 軌道自由度を持つ量子ドットと強磁性リードの接合系における近藤効果II
阪大工^A，NTT物性基礎研^B，兵庫県大工^C　善積仁志^A，稲葉謙介^B，北倫子^A，菅誠一郎^A，C

52: グラフェントランジスタの輸送特性おけるグラフェン/金属接合の影響
神戸大院工，東大院工^A，東理大理^B　相馬聡文，小川真人，山本貴博^A，渡辺一之^B

53: 量子ドット列における励起エネルギー移動の効率性
分子研　久保田陽二，信定克幸

54: ディスク状単層InAs量子ドットにおけるフォトンエコー
筑波大物理^A，物材機構^B　吉田清太郎^A，池沢道男^A，舛本泰章^A，佐久間芳樹^B

55: Electric field modulation of exciton recombination in GaAs quantum double rings
Tsukuba Univ.^A，Nat'l. Inst. Mat. Sci.^B　Yuanzhao Yao^A，B，Takaaki Mano^B，Takashi Kuroda^B，Kazuaki Sakoda^A，B

21日　GS会場　21aGS　9:00～12:30

領域7，領域4合同
グラフェン

1: 超伝導グラフェンのCaroli-deGennes-Matricon状態
東大理，東大総合文化^A　根本隼，永井佑紀，加藤雄介^A

2: グラファイト表面の欠陥部近傍における極低温STS計測
筑波大院数理　近藤剛弘，本間裕二郎，町田考洋，呉準杓，中村潤児

3: グラフェンのような形状で様々な元素から構成される単原子層物質の電子状態：エネルギーギャップエンジニアリングの可能性
都立産技高専^A，都立航空高専^B　鈴木達夫^A，B，横溝友志^B

4: 単層グラフェンの磁気抵抗ゆらぎとポテンシャルゆらぎ
広大先端，広大総科^A　八木隆多，深田誠也，新谷由美，荻田典男^A，宇田川真行^A

5: 数層グラフェンにおける超伝導近接効果
筑波大物理^A，物材機構^B，秋田大教育文化^C，奈良女大理^D，CREST(JST)^E　神田晶申^A，E，後藤秀徳^A，E，友利ひかり^A，E，田中翔^A，E，大塚洋一^A，塚越一仁^B，E，林正彦^C，吉岡英生^D

6: 極めて短いグラフェン接合の電界効果
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　友利ひかり^A，C，後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

休憩　（10:30～10:45)

7: グラフェン多層膜の高電界下における電気伝導
筑波大物理^A，物材機構^B，CREST(JST)^C　後藤秀徳^A，C，田中翔^A，C，友利ひかり^A，C，大塚洋一^A，塚越一仁^B，C，神田晶申^A，C

8: グラフェン上のサイクロトロン共鳴における多体効果２－内部自由度の効果
阪大理，東工大理^A　浅野建一，安藤恒也^A

9: グラフェンの反磁性に対するギャップの効果－擬スピン常磁性から3次元ディラック系へ
東工大理工　越野幹人，安藤恒也

10: グラフェンn=0ランダウ準位における異常性とカイラル対称性
東邦大理，筑波大物理^A，東大理^B　河原林透，初貝安弘^A，青木秀夫^B

11: 平行磁場中のグラフェンの低温電気伝導
中大理工　佐野朋哉，石毛秀和，若林淳一

12: グラフェン薄膜における低温磁気抵抗ゆらぎの解析
千葉大融合，ASU^A，SUNY^B　本岡正太郎，樋口真也，M.アカラム，青木伸之，D.K.フェリー^A，J.P.バード^B，落合勇一

13: グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴励起THz光伝導の観測
理研，東大生研^A　河野行雄，増渕覚^A，石橋幸治，町田友樹^A

21日　HV会場　21aHV　9:00～12:30

領域4
量子ドット

1: 直列3重ドットの電気伝導特性
ICORP-JST^A，東北大理^B，NRC Canada^C，理研^D，東大物理工^E　天羽真一^A，羽田野剛司^A，泉田渉^B，寺岡総一郎^A，J.A. Gupta^C，D.G. Austing^C，大野圭司^D，樽茶清悟^A，E

2: 静電結合した並列２重量子ドットにおける近藤効果
NTT物性基礎研^A，東北大理^B　岡崎雄馬^A，B，佐々木智^A，B，村木康二^A

3: 自己形成InAs量子ドットの軌道縮退点における軌道反交差のサイドゲート依存性
東大工^A，ICORP-JST^B，JST-CREST^C，東大生研^D，東大ナノ量子機構^E　金井康^A，R.S. Deacon^A，大岩顕^A，B，C，吉田勝治^B，柴田憲治^D，平川一彦^C，D，E，樽茶精悟^A，B，E

4: 近藤状態にある量子ドットのショットノイズ測定
京大化研　山内祥晃，関口康爾，知田健作，荒川智紀，中村秀司，小野輝男，小林研介

5: 半導体2重量子ドットにおける単一円偏光の検出実験
東大工^A，ソニー^B，ICORP-JST^C　浅山徹哉^A，B，藤田高文^A，木山治樹^A，大岩顕^A，C，樽茶清悟^A，C

6: 荷電励起子の自然放出光を用いた２電子エンタングルメント生成
JST-CREST^A，産総研ナノテク^B，東北大通研^C　余越伸彦^A，B，今村裕志^B，A，小坂英男^C，A

休憩　（10:30～10:45)

7: 横結合直列縦型二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード特性
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，NRC Canada^C，東大工^D　羽田野剛司^A，天羽真一^A，寺岡総一郎^A，久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，D.G. Austing^C，樽茶清悟^A，D

8: GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東北大通研^C，東大物理工^D　寺岡総一郎^A，天羽真一^A，羽田野剛司^A，久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，大野裕三^C，大野英男^C，樽茶清悟^A，D

9: 並列結合２重量子ドットを含むAharonov-Bohm干渉計における位相緩和
ICORP-JST^A，NTT物性基礎研^B，東大工^C　久保敏弘^A，都倉康弘^A，B，樽茶清悟^A，C

10: 零磁場スピン蓄積の超微細相互作用による検出
NTT物性基礎研^A，ICORP-JST^B，東大工^C　都倉康弘^A，B，久保敏弘^B，樽茶清悟^B，C

11: 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR
東工大理工^A，理研^B，東大物工^C，ICORP-JST^D，CREST-JST^E　高橋諒^A，B，河野公俊^A，B，樽茶清悟^C，D，大野圭司^B，E

12: 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析2
千葉大院融合，アリゾナ州立大^A，ICORP-JST^B　青木伸之，A. Burke^A，R. Brunner^B，R. Akis^A，D.K. Ferry^A，落合勇一

13: ２次元電子ガス－量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察
東北大学際セ，筑波大院数物^A，広大院先端研^B，兵庫県大院生命^C　村口正和，高田幸宏^A，櫻井蓉子^A，野村晋太郎^A，白石賢二^A，牧原克典^B，池田弥央^B，宮崎誠一^B，重田育照^C，遠藤哲郎

21日　HW会場　21aHW　9:15～12:00

領域4
量子井戸・超格子・光応答

1: ビスマス中ディラック電子の磁気光学応答
阪大基礎工，東大理^A，東理大総合研^B　伏屋雄紀，小形正男^A，福山秀敏^B

2: GaNの発光強度の温度依存性
大阪教育大教育　早瀬亮，中田博保

3: g因子制御された電界閉じ込め量子ドットにおける光応答特性
CREST-JST^A，東北大通研^B　久津輪武史^A，桑原真人^A，小坂英男^B，A

4: Si/SiO₂量子井戸内D^―イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性：valley-orbit相互作用効果
電通大電子　千葉朋，中村淳，名取晃子

5: InAlAs/InGaAs多重量子井戸ヘテロ界面の2次元電子ガスからの電界電子放射
東大生研，金沢工大^A　板倉祥哲，松本益明，福谷克之，岡野達雄，平川一彦，西川治^A

休憩　（10:30～10:45)

6: 半導体超格子のTHzブロッホ放射の励起スペクトル
東大生研^A，東大ナノ量子機構^B，Ecole Normale Superieure Paris^C　井原章之^A，B，平川一彦^A，B，J.R. Cardenas^C，R. Ferreira^C，G. Bastard^C

7: GaAs/AlAs多重量子井戸構造におけるサブバンド共鳴による発光のアップコンバージョン
兵庫県大院物質理，阪市大院工^A　長谷川尊之，岡本諭士^A，中山正昭^A

8: 高密度多層積層量子ドットにおける励起子緩和ダイナミクス
神戸大院工，情通機構^A　小島磨，狸塚正貴，喜多隆，和田修，赤羽浩一^A

9: T型量子細線の光吸収計測と一次元励起子線幅の温度依存性
東大物性研，プリンストン大^A　吉田正裕，岡野真人，秋山英文，Loren Pfeiffer^A，Ken West^A

10: 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトルの温度依存性
筑波大数理物質^A，NTT物性基礎研^B，東北大理^C，ERATO-JST^D　野村晋太郎^A，B，山口真澄^B，田村浩之^B，赤崎達志^B，平山祥郎^C，D

21日　HY会場　21aHY　10:00～12:15

領域6，領域4，領域3
領域6，領域4，領域3合同招待講演

1: 強磁性体/超伝導体接合の理論研究の新展開
東大院工　横山毅人

2: スピン3重項超伝導体/強磁性体接合におけるスピン流
北大工，TU Dresden^A　浅野泰寛，Philip Brydon^A

3: 擬一次元系における奇周波数超伝導の特性
名大工，名大VBL^A　重田啓介，大成誠一郎，矢田圭司^A，田仲由喜夫

4: Rashbaスピン軌道相互作用を持つ超伝導体接合における輸送現象
名大工，東大工^A，名大VBL^B　水野良泰，横山毅人^A，矢田圭司^B，田仲由喜夫

5: SrTiO₃/LaAlO₃ヘテロ界面における超伝導のエッジ状態
名大VBL，名大工^A　矢田圭司，水野良泰^A，大成誠一郎^A，田仲由喜夫^A，井上順一郎^A

6: 光で励起された超伝導体における超流体重みの変化についての理論
奈良先端大物質　重城貴信

7: 厳密なグリーン関数を用いた磁場中Gor'kov理論
千葉大総メディア，千葉大院自然^A　植田毅，日置亨^A

21日　GV会場　21pGV　13:30～17:00

領域5，領域4，領域8合同シンポジウム
主題：半導体のキャリアドーピングと光

1: 変調ドープおよび電流注入型１次元量子細線の光学応答
東大物性研　秋山英文

2: トリオンと量子ホール系の分光
東北大理　遊佐剛

3: トリオン-2次元電子ガスクロスオーバー領域の発光分光
NTT物性基礎研　山口真澄

4: 電荷不均衡電子正孔系の光物理
阪大理　小川哲生

休憩　（15:15～15:30)

5: SrTiO3の発光とキャリアドーピング
京大化研　金光義彦

6: 酸化物ヘテロ界面における内部電場と光
東大新領域　疋田育之

7: 強相関系光励起による物性制御とその展望
東大理　岡隆史

8: まとめ
京大理　中暢子

21日　HV会場　21pHV　13:30～16:45

領域4
若手奨励賞

1: (若手奨励賞）選考結果と受賞者の紹介
東北大学　平山祥郎

2: (若手奨励賞）多層グラフェンの電子物性の理論的研究
東京工業大学　越野幹人

3: （若手奨励賞）同位体制御したダイヤモンドにおけるスピンコヒーレンスの研究
筑波大学　水落憲和

休憩　（14:40～15:00)

量子ホール効果

4: ランダム磁場下のGaAs/AlGaAsヘテロ構造二次元電子系の磁気抵抗：相関長依存性
中大理工　廿楽雅和，梅鶯健太，若林淳一

5: １次元周期変調下の２次元電子系における高周波伝導率の測定
東大物性研　梶岡利之，遠藤彰，勝本信吾，家泰弘

6: 熱電効果で見る1次元平面超格子の整合性磁気抵抗振動
東大物性研　遠藤彰，家泰弘

7: 量子ホール系の熱電効果におけるモットの関係式の実験的検証
東大物性研　藤田和博，遠藤彰，家泰弘，勝本信吾

8: 量子ホール端状態におけるエッジマグネトプラズモンのマイクロ波伝搬特性
東工大極低温セ^A，東工大院理工^B，NTT物性基礎研^C　橋坂昌幸^A，B，鷲尾和久^A，鎌田大^A，C，村木康二^C，藤澤利正^A

9: 量子ホール効果崩壊現象における熱双安定性
東大総合文化　小宮山進，中島峻

10: 単層グラフェンにおける電荷中性点付近の磁気抵抗
千葉大院理　吉田高英，音賢一

21日　HW会場　21pHW　15:00～16:45

領域4
量子ドット・グラフェン

1: フラーレンへの電子線照射によるグラフェン生成
熊大自然　濱田真弘，宮本康生，久保田弘

2: グラフェン並列二重量子ドットにおける量子輸送現象
東大生産研^A，東大ナノ量子機構^B，JSTさきがけ^C　荒井美穂^A，増渕覚^A，山口健洋^A，町田友樹^A，B，C

3: グラフェンナノ構造の単一電子輸送特性
物材機構　森山悟士，津谷大樹，渡辺英一郎，宇治進也

4: Ni-Nb-Zr-H系金属ガラス室温電界効果型トランジスタ
東北大金研　福原幹夫，瀬戸美保子，井上明久

5: 自己成長InAs量子ドットを接合に用いたSQUIDの研究
東理大，物材機構^A，東大生研^B，JST-CREST^C　石黒亮輔，深川尚義，神尾充弥，中島翔，気谷卓，金鮮美^A，渡辺英一郎^A，津谷大樹^A，柴田憲治^B，平川一彦^B，C，高柳英明^，A，C

6: 高電圧を印加した近接量子ポイントコンタクトによる量子ドットのスピンに依存したクーロンピークの変化
東大工，ERATO-JST^A，ICORP-JST^B，JST-CREST^C，東大ナノ量子機構^D　井上敦文，山本倫久^A，大岩顕^B，C，樽茶清悟^B，D

7: ナノ粒子によるCdSe/ZnS単一量子ドットのBlinkingに対する効果
香大工，香大^A，産総研^B　濱田守彦，鶴町徳昭，中西俊介，伊藤寛^A，V. BIJU^B，石川満^B

21日　HX会場　21pHX　13:30～17:00

領域6，領域8，領域4合同シンポジウム
主題：トポロジカル凝縮系の最近の話題

1: はじめに
名大工　田仲由喜夫

2: トポロジカル超伝導体とエッジ状態
東大物性研　佐藤昌利

3: 空間反転対称性を破る超伝導体
岡山大自然　鄭国慶

4: 冷却原子気体におけるトポロジカル励起
東大理　上田正仁

休憩　（15:05～15:20)

5: 時間反転対称性を破る超伝導体・超流動体
京大理　前野悦輝

6: 超伝導におけるアンドレーエフ束縛状態とエッジ状態
産総研　柏谷聡

7: 超流動ヘリウム3におけるアンドレーエフ束縛状態の理論
広島大総合　東谷誠二

8: 超流動ヘリウム3表面アンドレーエフ束縛状態の境界条件依存性
東工大理　村川智

22日　GV会場　22pGV　13:30～17:00

領域7，領域4，領域6，領域9合同シンポジウム
主題：グラフェンの生成・評価と物性－最前線と展望－

1: はじめに
東北大院理　齋藤理一郎

2: 金属基板上のグラフェンの成長と評価
早大理工　大島忠平

3: SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価
九大院工　田中悟

4: グラフェン端構造の直接観察
産総研　末永和知

休憩　（15:05～15:20)

5: ナノグラフェンおよびグラフェン端の電子物性
東工大院　榎敏明

6: SiC上グラフェンの光電子分光
東北大WPI　菅原克明

7: SiC上エピタキシャルグラフェンの原子構造と電子状態
NTT物性基礎研　影島愽之

8: 今後の展開に期待すること
東工大院　安藤恒也

22日　HV会場　22pHV　13:30～16:40

領域4，領域3，領域9，領域6合同シンポジウム
主題：量子スピンホール系・トポロジカル絶縁体の物理とその発展

1: はじめに
東大理　枡富龍一

2: トポロジカル絶縁体研究の進展：理論
東工大理　村上修一

3: トポロジカル絶縁体研究の進展：実験
阪大産研　安藤陽一

休憩　（14:55～15:10)

4: ３次元トポロジカル絶縁体の表面に現れる質量ゼロのディラック粒子
東北大理　野村健太郎

5: 高分解能光電子分光法による３次元量子スピンホール相のスピン分解バンド構造の決定
東大物性研　松田巌

6: トポロジカル絶縁体と超伝導体の分類
カリフォルニア大学バークレー校　笠真生

23日　HV会場　23aHV　9:00～12:15

領域4
量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体

1: Z₂トポロジカル絶縁体の接合における乱れの効果
東北大理　山影相，井村健一郎，野村健太郎，倉本義夫

2: 量子スピンホール系におけるバルク／エッジ対応
東北大理　井村健一郎，山影相，堀田翔，倉本義夫

3: 量子スピンホール系の熱電輸送におけるエッジ状態とバルク状態の競合
東工大院理工^A，さきがけ，JST^B　高橋隆志^A，村上修一^A，B

4: 3次元量子スピンホール状態の表面量子ホール効果
東工大院理工^A，さきがけ-JST^B　和田真樹^A，村上修一^A，B

5: 量子スピンホール系のエッジ状態における近藤効果
理研　田中洋一，古崎昭

6: 蜂の巣格子模型に基づくグラフェン量子ホール系の光学ホール伝導度
東大理，筑波大物理^A　森本高裕，初貝安弘^A，青木秀夫

休憩　（10:30～10:45)

7: トポロジカル絶縁体における異常な磁気抵抗効果
東大工，名大工^A　横山毅人，田仲由喜夫^A，永長直人

8: トポロジカル絶縁体上の超伝導接合におけるマヨラナフェルミオン
名大工，東大工^A　田仲由喜夫，横山毅人^A，永長直人^A

9: スピンホール絶縁体候補物質PbSにおける表面電流存在の可能性
阪大産研　江藤数馬，瀬川耕司，Alexey Taskin，安藤陽一

10: Bi₂Se₃ 系の結晶育成とキャリア濃度制御：トポロジカル絶縁体から超伝導まで
東工大応セラ研　五十嵐九四郎，中島裕司，片桐隆雄，笹川崇男

11: 強磁性体を用いたトポロジカル絶縁体上のスピン偏極電流観測の試み
阪大産研　濱大祐，Alexey Taskin，佐々木聡，瀬川耕司，Nam-Goo Cha，神吉輝夫，田中秀和，安藤陽一

12: Pbドーピングによるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃のP-N制御
東大工^A，ERATOマルチフェロイックス^B，東大物性研^C，理研CMRG^D　日高剛朗^A，小野瀬佳文^A，B，石田行章^C，石坂香子^C，辛埴^C，十倉好紀^A，B，D

23日　HW会場　23aHW　9:15～12:00

領域4
半導体スピン物性

1: スピン軌道相互作用のあるカーボンナノチューブにおける量子伝導現象
名大工　加藤貴志，大成誠一郎，井上順一郎

2: 狭ギャップ半導体におけるスピンホール効果及びスピンネルンスト効果
慶大理工^A，東工大理^B，JSTさきがけ^C　北村有司^A，B，村上修一^B，C

3: ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性
北陸先端大ナノセ　森本幸作，^○赤堀誠志，韋威，岩瀬比宇麻，山田省二

4: 強磁性電極／InGaAs２次元電子ガス系新構造におけるスピン注入
北陸先端大ナノセ　日高志郎，新田峻介，赤堀誠志，^○山田省二

5: InGaAs２次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II
物材機構，北陸先端大ナノセ^A　今中康貴，高増正，新田峻介^A，山田省二^A

休憩　（10:30～10:45)

6: ミュオニウムスピン交換法による半導体（Si，GaAs）中の伝導電子スピン偏極測定
山梨大医工，理研^A，KEK物構研^B，UCRiverside^C，名大工^D，大同大工^E，RAL-ISIS^F　鳥養映子，白木一郎，永嶺謙忠^A，C，下村浩一郎^B，Pavel Bacule^A，石田勝彦^A，大石一城^A，竹田美和^D，宇治原徹^D，坂貴^E，加藤俊宏^E，横山浩司^C，A，Harry Tom^C，Roland Kawakami^C，Francis Pratt^F

7: 古典ビリヤードシミュレーションによる正方形ループ配列構造におけるジェネリックなスピン干渉パターン
北大工，北大院情報^A，北大創成^B　峰重俊介，ファニエルセバスチャン^A，松浦徹^B，古賀貴亮^A，B

8: InGaAs量子井戸におけるラシュバスピン軌道相互作用が大きい領域での反局在解析
北大創成^A，北大院情報^B，北大工^C，NTT-BRL^D　松浦徹^A，ファニエルセバスチャン^B，峰重俊介^C，関根佳明^D，古賀貴亮^A，B

9: InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用最小点での弱局在／反局在とスピン干渉効果
北大院情報，北大創成^A，北大工^B，NTT-BRL^C　ファニエルセバスチャン，^○古賀貴亮，松浦徹^A，峰重俊介^B，関根佳明^C

10: 二波長時間分解カー回転によるn-GaAs中の伝導電子スピン緩和の測定
理研^A，Dept. of Phys. and Astronomy，Univ. of California，Riverside^B　横山幸司^A，Harry W.K. Tom^B