領域9

23日　WS会場　23aWS　9:00～12:00

領域9
表面界面構造

1: Low temperature superstructure formation in gold atomic chains on high-index Si surfaces
東大物性研，名大工^A，KEK PF^B，SPring-8^C　W. Voegeli，高山透，白澤徹郎，久保公孝，阿部誠，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B，田尻寛男^C，坂田修身^C

2: GaAs(001)面上MBE成長モフォロジーとRHEED強度振動
山梨大　川村隆明

3: 二次電子角度分布に現れる内殻光電子回折のネガパターン
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A　松井文彦，橋本美絵，松下智裕^A，後藤謙太郎，前島尚行，松井公佑，加藤有香子^A，大門寛

4: Si(111)-√3×√3-Sn, -Pb表面の円偏光光電子回折リングの解析
奈良先端大物質創成，SPring-8/JASRI^A　橋本美絵，松井文彦，松下智裕^A，後藤謙太郎，前島尚行，松井公佑，大門寛

5: 反射高速陽電子回折によるアルカリ金属吸着Si(111)-√3×√3-B表面の相転移の研究
原子力機構先端基礎研　深谷有喜，河裾厚男

6: 反射高速陽電子回折によるPt/Ge(001)表面の一次元原子鎖の構造解析
原子力機構先端基礎研　望月出海，深谷有喜，河裾厚男

休憩　（10:30～10:45)

7: Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V －低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図－
大阪電通大，群馬大院工^A，NTT物性基礎研^B　阿久津典子，山本隆夫^A，日比野浩樹^B

8: Si(111)7×7表面ポテンシャルに束縛された(Ag)_n多原子状態の構造
東北大院理，Linko¨ping大^A，東北大学際セ^B　堀井広幸，芳賀健也，生田目謙，Jacek Osiecki^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

9: Sb安定化GaSb(001)-(2×5)表面の原子配列
物材機構，電通大^A　大竹晃浩，平山基^A，中村淳^A

10: GaN(0001)表面の清浄化手法
阪大産研，阪大院工^A，奈良先端大物質創成^B　服部梓，遠藤勝義^A，服部賢^B，大門寛^B

11: HCN水溶液による半導体表面清浄化：10¹⁰原子/cm²オーダーの銅の化学状態解析
阪大産研，科技振戦略基礎　高橋昌男，東裕子，岩佐仁雄，小林光

23日　WX会場　23aWX　9:30～11:45

領域9
表面界面電子物性

1: Ge(111)√3×√3-Au表面の電子状態 II
東大物性研　中辻寛，新倉涼太，元村勇也，柴田祐樹，山田正理，飯盛拓嗣，小森文夫

2: フェムト秒２光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学 III
阪大産研　金崎順一，谷村克己

3: Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移
阪大産研　谷村克己，金崎順一

4: Si(110)p型反転層中のサブバンドの分散構造
奈良先端大，STARC^A　武田さくら，山中佑一郎，田畑裕貴，松岡弘憲，森田誠，大門寛，吉丸正樹^A

休憩　（10:30～10:45)

5: 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO₂/Si構造の物性と電気特性
阪大産研，CREST-JST　田中峻介，趙惠淑，^○松本健俊，岩佐仁雄，小林光

6: 気相硝酸酸化法によるSiO₂/SiC 構造の低温創製
阪大産研，科技振戦略基礎　趙恵淑，松本健俊，岩佐仁雄，小林光

7: 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究
佐賀大院工，佐賀大SLセ^A　倉橋勇丞，^○高橋和敏^A，東純平^A，鎌田雅夫^A

8: チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析
横国大工，東大物性研^A　大野真也，市川雄一，中山史人，山崎紀明，首藤健一，田中正俊，奥田太一^A，原沢あゆみ^A，松田巌^A，柿崎明人^A

23日　WS会場　23pWS　13:30～15:00

領域9
表面界面構造

1: 分子動力学シミュレーションによるアルカリハライドクラスターの空孔エネルギーの動的評価
立命館大総合理工，立命館大理工^A，九州大情報基盤セ^B，関西学院大理工^C　新山友暁，渡辺将也^A，清水寧^A，小林泰三^B，澤田信一^C，池田研介^A

2: 計算機シミュレーションによる固液界面近傍の電解質水溶液の構造の解明
東北大WPI　赤木和人

3: I-V LEED法によるRh(100)表面上の酸化亜鉛超薄膜の構造解析
名大工^A，九大総理工^B　加藤大輔^A，柚原淳司^A，松井恒雄^A，水野清義^B

4: フェライト系ステンレス鋼単結晶(100)表面における偏析物の温度依存性
名大工　藤好大貴，松井恒雄，柚原淳司

5: 走査トンネル顕微鏡による磁鉄鉱(111)表面の構造とVerwey転移の検証
理研，東大新領域^A　清水智子，鄭載勲^A，金有洙，川合眞紀^A

6: 非接触領域におけるナノスケール摩擦の極大現象
慶應大理工　齋藤広大，柴山義行，白濱圭也

23日　WX会場　23pWX　13:30～16:15

領域9，領域7
表面界面電子物性

1: 分子ナノシステムの物性探索と素子応用
阪大工精密科学・応用物理　赤井恵

2: Pt(111)基板に接合したチオフェン，ビチオフェンの局所電子状態
東大院総合文化，横国大工^A　青木優，牛山翔太^A，十河真生，佐藤博史，首藤健一^A，増田茂

3: フッ化フラーレン単分子膜の金属界面での電子特性
東大新領域，理研^A　大谷徹也，清水智子^A，金有洙^A，川合眞紀

4: 極性溶媒による銅テトラターシャリーブチルフタロシアニンの表面構造制御
ワシントン州立大　高見知秀，Ursula Mazur，K.W. Hipps

5: 水素修飾Rh(111)表面における吸着シクロヘキサンの超構造形成
東大物性研　小板谷貴典，向井孝三，吉本真也，吉信淳

休憩　（15:00～15:15)

6: Scanning Tunneling Microscopy Investigation of tris(phthalocyaninato)yttrium triple-decker molecules deposited on Au(111)
Dep. of Chem.，Grad. Sch. of Sci.，Tohoku Univ.^A，Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials，Tohoku Univ.^B，CREST，JST.^C　Jie Liu^A，B，Hironari Isshiki^A，B，Keiichi Katoh1，Masahiro Yamashita^A，Hitoshi Miyasaka^A，Brian K. Breedlove^A，Shinya TakaishiA and Tadahiro Komeda^B，C*

7: Investigation of Heterojunction Interfaces in Organic Light Emitting Diodes by using Optical Second Harmonic Generation Measurements
School of Materials Sci.，Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (JAIST)　Ahmed Bakr El Basaty，Yoshihiro Miyauchi，Goro Mizutani，Toshinori Matsushima，and Hideyuki Murata

8: SrTiO₃：Nb表面の水素吸着による電気伝導変化
東大生研　武安光太郎，杉本敏樹，福谷克之

9: Feポルフィリン分子と金属電極表面との接合界面構造
阪大院工　中西寛，笠井秀明

24日　WX会場　24aWX　9:00～12:15

領域9
結晶成長

1: Ag(001)初期成長表面のRHEEDロッキング曲線：400×1 スーパーセルモデルによるシミュレーション
山梨大教　長島礼人

2: 放射光X線トポグラフィによるCZシリコン結晶ネック部の転位の三次元分布観察
富山大理，JASRI^A，九州シンクロトロン^B　飯田敏，梶原堅太郎^A，川戸清爾^B

3: ゲル中におけるCaCO₃の結晶成長
中大理工　倉繁正和，松下貢

4: ステップ前進速度のステップ間隔依存性：リゾチーム単斜晶系結晶上でのその場測定
中国科学院力学研，北大低温研^A，金沢大総合メディアセ^B，学習院大計算セ^C　Dai Guoliang，^○佐崎元^A，佐藤正英^B，横山悦郎^C，古川義純^A

5: 結晶平衡形の異常なシェイプエクスポーネントと微斜面におけるquasi-non-universal な振る舞い－p-RSOS模型の密度行列繰り込み群計算より－
大阪電通大工　阿久津典子

6: 高圧下における氷結晶成長の分子動力学シミュレーション
産総研　灘浩樹

休憩　（10:30～10:45)

7: 結晶成長におけるキラル対称性の破れ：ARSモデル
慶大理工　齋藤幸夫，日向裕幸

8: 粉砕による結晶カイラリティの転換メカニズムII
学習院大計セ，名大理^A　勝野弘康，上羽牧夫^A

9: モンテカルロシミュレーションによるSrTiO₃(001)表面緩和過程の研究
成蹊大，学習院大計セ^A，阪大工^B，名大理^C　勝野喜以子，入澤寿美^A，須藤孝一^B，岡野正和^B，上羽牧夫^C

10: 溶液から成長する微斜面の不安定化と流れの効果I
金沢大総合メディアセ，金沢大自然^A　佐藤正英，稲葉雅至^A

11: 溶液から成長する微斜面の不安定化と流れの効果II
金沢大自然，金沢大総合メディアセ^A　稲葉雅至，佐藤正英^A

12: Ga吸着中のSi(111)面でのステップパターン生成のモデルII
名大院理^A，金沢大総合メディアセ^B　近藤信二^A，佐藤正英^B，上羽牧夫^A

24日　PS会場　24aPS　10:00～12:00

領域9
領域9ポスターセッション

36: GaAs(001)表面上におけるCrおよびCrAs吸着
東工大院理工　柳生数馬，加来滋，吉野淳二

37: Si結晶の高角度入射－STEM像の定量解析
東工大理^A，JST-CREST^B，ルネサス^C，日本電子^D，東工大総合理^E，NIMS^F　金スヒョン，^○大島義文^B，E，橋川直人^C，朝山匡一郎^C，澤田英敬^B，D，近藤行人^B，D，竹口雅樹^F，中山佳子^F，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

38: 重クロム酸カリウムのらせん状結晶発現の条件
千葉大院理　佐久間祐介

39: Ag吸着によるBi(111)表面スピン電子状態への影響
広大院理^A，広大放射光セ^B　宮原寛和^A，宮本幸治^B，奥田太一^B，木村昭夫^A，叶丸孝治^A，黒田健太^A，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

40: Bi/Si(001) のスピン分解角度分解光電子分光
奈良先端大物質創成，広大放射光セ^A，広大院理^B　森田誠，武田さくら，田畑裕貴，松岡弘憲，橋本美絵，宮本幸治^A，奥田太一^A，木村昭夫^B，宮原和寛^B，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B，大門寛

41: 第一原理計算による貴金属表面上のNO分子の吸着構造に関する解析
阪大院工　岸浩史，Allan Abraham B. Padama，中西寛，笠井秀明

42: 半導体表面超構造上Ag超薄膜のREM-4PPによる量子井戸状態の研究II
農工大院工　澤田龍明，箕田弘喜

43: 高分解能角度分解光電子分光によるSi(001)4×3-In表面近傍の電子状態
奈良先端大物質創成　田畑裕貴，武田さくら，森田誠，松岡弘憲，大門寛

44: Br/Ge(111)表面のShockley状態とスピン軌道相互作用
京大院理^A，JST CREST^B　大坪嘉之^A，B，森亮順^A，矢治光一郎^A，B，八田振一郎^A，B，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

45: 高分解能角度分解光電子分光によるGe(110)表面の電子状態の観測
奈良先端大物性創成　松岡弘憲，武田さくら，森田誠，田畑裕貴，橋本美絵，服部賢，大門寛

46: Si(111)7×7表面へのアルカリ金属吸着過程の表面電気伝導度
奈良先端大物質創成　山口樹，武田さくら，酒井智香子，大門寛

47: Si(100)-p(2×2)表面のSTSスペクトルの理論解析
日大理工，東大院工^A　戸塚英臣，渡邉聡^A

48: 第一原理に基づくGe/GeO₂界面欠陥終端化原子種の機能予測
阪大院工　齊藤正一朗，小野倫也

49: Si(001)表面反転層ホールサブバンドの構造：歪みの効果
琉球大理　稲岡毅，松川憲司

50: 超伝導STMナノジャンクションによる分子の電気伝導計測
東大新領域^A，東北大(WPI-AIMR)^B　平岡諒一^A，八百篤史^A，白木将^B，高木紀明^A，川合眞紀^A

51: グラフェン表面上のC₇H₁₂ON⁺カチオン分子吸着に関する理論的研究
阪大院工，大塚化学^A　谷正則，坂上護，中西寛，笠井秀明，上谷昌稔^A，岡昭範^A

52: カーボンアロイ触媒における分光の理論解析
原子力機構，東工大^A，北陸先端大^B，東大工^C　池田隆司，Zhu-Feng Hou^A，Xian-Long Wang^A，Sheng-Feng Huang^B，寺倉清之^A，B，尾嶋正治^C，柿本雅明^A，宮田清藏^A

53: 第一原理計算によるビフェニル分子の電気伝導特性予測
長大院生産，長大先端計算セ^A　藤間大介，^○江上喜幸^A

54: DFT計算によるグラフェン上のMn原子吸着の研究
鳥大院工^A，鳥大工^B，JST-CREST^C　中田謙吾^A，C，三島圭一朗^B，石井晃^A，C

55: 取　　消

56: 金属表面上磁性原子対における近藤温度
阪大院工，阪大院理^A　南谷英美，Wilson Agerico Dino^A，中西寛，笠井秀明

57: Rh(111)表面上におけるBi-Sn二次元合金の創製と組成依存性
名大工　横山昌，松井恒雄，柚原淳司

58: Al-Cu-Co系2次元準結晶表面のSTM観察と第一原理計算
名大院工，東北大多元研^A　善久竜滋，蔡安邦^A，松井恒雄，柚原淳司

59: 電界誘起水エッチングにより先鋭化したタングステン電子源の研究
九大総理工^A，九大先導研^B　小野田穣，江口智史^A，水野清義^A，吾郷浩樹^B

60: Mo(112)表面上の酸化シリコン構造のLEEDによる解析
九大総理工　木下哲博，水野清義，栃原浩

61: Biナノリボンのエッジ状態
金沢大自然，NIMS^A　小鷹浩毅，斎藤峯雄，石井史之，長尾忠昭^A，柳沼晋^A

62: Si(111)-7×7表面上に低温で形成されるカリウムナノクラスターのSTM観察
横国大工，防衛大^A　百瀬辰哉，井上大輔，西岡広明，藤原賢一^A，北嶋武^A，大野真也，田中正俊，鈴木隆則^A

63: 水吸着Si(100)表面における酸化促進反応の解析
横国大工，防衛大応物^A　新江定憲，豊島弘明，大野真也，鈴木隆則^A，田中正俊

64: オリゴチオフェン超薄膜成長過程とSi表面終端構造との相関
横国大工，横市大^A，防衛大応物^B　豊島弘明，新江定憲，大野真也，横山崇^A，鈴木隆則^B，田中正俊

65: Structures formed by Pb deposition on high-index Si surfaces
東大物性研　W. Voegeli，廣江拓，白澤徹郎，高橋敏男

66: 表面X線回折法によるPb／Si(111)表面の再構成構造とその相転移
東大物性研，名大工^A，KEK PF^B　廣江拓，^○白澤徹郎，W. Voegeli，阿部誠，高橋敏男，秋本晃一^A，杉山弘^B

67: PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造
京大院理^A，JST-CREST^B，JASRI^C　岩田学^A，八田振一郎^A，B，矢治光一郎^A，B，河合宣彦^A，田尻寛男^C，坂田修身^C，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

68: 単結晶CuおよびCo薄膜上に合成したグラフェンのLEEDによる研究
九大総理工，九大先導研　水田典章，伊藤由人，胡宝山，吾郷浩樹，水野清義

69: O1s光電子およびO KLL Auger電子回折とO K-edge XANESによる SiON/SiC(0001)原子構造解析
奈良先端大物質創成^A，JASRI/SPring-8^B，九大工^C　前島尚行^A，松井文彦^A，後藤謙太郎^A，西嘉山徳之^A，松井公佑^A，橋本絵美^A，松下智裕^B，加藤有香子^B，田中悟^C，大門寛^A

70: Si(110) 面の酸化膜界面構造に関する研究：連続ランダムネットワークを用いたシミュレーション
産総研　美馬俊喜，西尾憲吾，三上益弘

71: Au/Ge(111)表面構造のDFT計算による研究
鳥取大院工　小田泰丈，石井晃

72: 偏光XAFS法によるZnOバッファー層上に作成されたMgB₂薄膜の局所構造解析
弘前大理工^A，岩手大院工^B　宮永崇史^A，管野友恵^A，荒明潤^B，藤根陽介^B，吉澤正人^B

73: 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析
奈良先端大物質創成，JASRI/SPring-8^A，阪大院工^B　松井公佑，松井文彦，後藤謙太郎，前島尚行，橋本美絵，西嘉山徳之，松下智裕^A，加藤有香子^A，岡本武志^B，服部梓^B，佐野泰久^B，山内和人^B，大門寛

74: 分子動力学法による氷Ih表面の擬似液体層のシミュレーション
新潟大院自然　久賀みづき，小川貴史，家富洋

75: Cr₂O₃(0001)表面構造の第一原理計算
三重大工　加藤雄大，中村浩次，秋山亨，伊藤智徳

76: 異性体を持つTPD分子のCu(110)上での配列の高分解能STM観察
横市大院生命ナノ　西村圭司，横山崇

77: グラファイト(0001)面における大環状アルカンの凝集構造・電子構造
東京農工大院工，東京農工大院BASE^A　松本圭司，山崎俊弥，末吉祐介，中村淳一郎，坪井基起，尾崎弘行，遠藤理，荻野賢司^A，土屋康佑^A

78: イオン結晶表面におけるマクロスケールの摩擦機構の研究
中央大理工　二木かおり，新藤斎

79: Ni₃Ge表面へのCO吸着に関する第一原理計算
中大理工　小倉雄太，野澤和生，石井靖

80: 時間依存密度汎関数法によるチタニア表面における水の光分解の研究
東大物性研　平井宏俊，杉野修

81: 第一原理計算による2層グラフェン上GaNの成長の研究
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　多谷孝明^A，B，中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

82: 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散
阪大院工^A，CREST-JST^B　稲垣耕司^A，B，広瀬喜久治^A，安武潔^A，B

83: 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着
奈良先端大物質創成，阪大工^A　服部賢，稲葉雄一，安居麻美，大門寛，柳澤将^A，森川良忠^A

84: フラーレンの熱拡散の分子動力学シミュレーション
東理大理　小村秀一，渡辺一之

85: 光熱励振機構を備えた液中原子間力顕微鏡による固液界面の観察
愛教大物理，東大生研^A　石川誠，大河内裕治，川勝英樹^A，三浦浩治

86: 取　　消

87: 不純物を付加したグラフェン表面における電子移動
成蹊大理工，埼玉大理^A　露木大祥，坂本昇一，富谷光良，荒井亮一^A

88: スピン偏極原子クラスターの形成と計測に向けて：レーザー冷却原子の高密度化
山梨大医工，東工大総理工^A　橋本智彦，野澤武志，田中政光，白木一郎，山田俊吾^A，佐藤智広^A，伊藤治彦^A，鳥養映子

89: 非磁性金属表面上の磁性原子格子系における電子相関効果
阪大院工　三輪邦之，松中大介，笠井秀明

90: Fabrication of STM tips for spin-polarized imaging of magnetic multilayer films
Int'l. Center for Materials Nanoarchitectonics，Nat'l. Inst. for Materials Sci.，Tsukuba　Puneet Mishra，Takashi Uchihashi，Tomonobu Nakayama

91: Ag(111)表面に吸着した鉄フタロシアニン分子におけるフェルミエネルギー近傍の電子状態
東大新領域　太田奈緒香，塚原規志，高木紀明，川合真紀

92: 金属表面の磁性原子吸着系における一粒子励起スペクトルに対する磁気異方性の影響
阪大工　小島一希，南谷英美，笠井秀明

93: In吸着Si(111)表面構造からの発光
東工大理工院^A，JST-CREST^B　湯原拓也^A，今田裕^A，山本直紀^A，B

94: 窒素吸着したCu(001)表面からのSH光の観測
NHK放送技研，東大物性研^A，横国大^B　河村紀一，飯盛拓爾^A，大野真也^B，小森文夫^A

95: 貫入型窓を用いた高分解能超高真空和周波顕微鏡の開発
北陸先端大マテリアル^A，JST-CREST^B　渡邊亮輔^A，B，宮内良広^A，B，広瀬博章^A，B，水谷五郎^A，B

96: カーボンナノチューブへのCOの物理吸着に関する研究
東大生研，東北大院環境^A　岩田晋弥，福谷克之，佐藤義倫^A，田路和幸^A

97: 金属単原子接点のRF信号伝達
京大工　水上裕輔，歳森悠人，黒川修，^○酒井明

98: Niナノコンタクトの極低温下磁場中電気伝導測定
九大院工，金沢大教育^A　中島尚也，家永紘一郎，稲垣祐次，河江達也，辻井宏之^A

99: ポリイン分子を用いた単一分子デバイスの電気伝導における分子振動の効果
神戸大院工　森原章博，小川真人，相馬聡文

100: 光照射されたグラフェンの電子状態に関する実時間シミュレーション
神戸大院工　佐伯和也，小川真人，相馬聡文

101: グラフェンにおけるアドアトム・空孔対の第一原理計算
金沢大自然　西田和永，浦元勇輝，斎藤峯雄

102: ファンデルワールス密度汎関数を用いた１次元鎖状有機物質の第一原理計算
東大生研^A，千葉大理^B，物材機構^C　小野裕己^A，中山隆史^B，大野隆央^A，C

103: カーボンナノチューブにおける、アドアトム・空孔対の安定構造
金沢大自然　林建波，斎藤峯雄

104: 取　　消

105: チオール単分子膜を用いた素子の伝導特性
熊大院自然，北大触媒セ^A　本村友識，金子京平，原賢二^A，伊藤喜久男，^○原正大

106: 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性
東大生研^A，物材機構^B　近藤恒^A，奈良純^B，大野隆央^B，A

107: 金属性ピーナッツ型フラーレンポリマーの電子状態
横国大院工　野田祐輔，大野かおる

108: 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測
京大院理^A，Max-Planc-Institute^B，JST-CREST^C，東北大WPI^D，阪大産研^E，富山大^F，DIPC^G　熊谷崇^A，B，奥山弘^A，八田振一郎^A，C，有賀哲也^A，C，濱田幾太郎^D，森川良忠^E，Thomas Frederiksen^F，G，上羽弘^F

109: 銀表面における水素分子のオルソ・パラ転換における共吸着酸素分子の影響の理論的研究
阪大院工，阪大院理^A，東大生研^B　國貞雄治，中西寛，Wilson Agerico Dino^A，笠井秀明，福谷克之^B

110: スピン偏極原子状水素源の開発
東大生研　小倉正平，武安光太郎，福谷克之

24日　WG会場　24pWG　13:30～16:40

領域9，領域12合同シンポジウム
主題：準安定結晶相の核形成　―そのメカニズムに潜む普遍性を探る―

1: はじめに
産総研　灘浩樹

2: オストワルド段階則での安定相の核形成と成長
京大理　北村雅夫

3: 包晶系における結晶の核形成と成長
物材機構　眞岩幸治

4: トレハロース水溶液凍結時に観測された氷Ic結晶相の形成過程
北大工　内田務

休憩　（15:00～15:15)

5: 動的経路の違いによるリン脂質膜の秩序化
高エネ研　瀬戸秀紀

6: 油脂の二次元球晶における準安定多形結晶化のその場観察
広大生物圏　上野聡

7: ナノ粒子に現れる準安定相
東北大理　木村勇気

24日　WS会場　24pWS　13:30～16:30

領域9
表面ダイナミクス・水素ダイナミクス

1: Ge(001)表面上の不純物ダイマーにおける振動励起
東大物性研　新倉涼太，中辻寛小，森文夫

2: レーザー誘起昇温脱離法によるXe原子の表面拡散係数の測定
東大生研　池田暁彦，松本益明，小倉正平，福谷克之，岡野達雄

3: 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン
東北大院理，理研^A，東北大学際セ^B　松井一記，加藤大樹，中矢博樹，松下ステファン悠，高田弘樹，田岡琢巳，山田太郎^A，粕谷厚生^B，須藤彰三

4: ¹³C-NMRによる酸化グラファイト層間内のC₇₀分子の運動状態の測定
電通大量子物質，電通大先進理工^A，分子研^B，愛教大物理^C　井上大輔，桑原大介^A，鈴木勝^A，中村敏和^B，石川誠^C，三浦浩治^C

5: グラフェンの引き剥がし過程でのダイナミクス
愛教大物理，成蹊大理工^A　石川誠，佐々木成朗^A，三浦浩治

6: ヘリウムイオン－金属Quasi-resonant系におけるISSスペクトルに対するバンド構造の寄与
長崎大工，立命館大理工^A　近藤慎一郎，山田耕作^A

休憩　（15:00～15:15)

7: アモルファス氷表面における水素分子のオルト-パラ転換：基板－吸着子間の核交換の検証
東大生研^A，JST-CREST^B　杉本敏樹^A，福谷克之^A，B

8: X線吸収分光で見るPd金属微粒子の水素吸蔵ダイナミクス
原子力機構量子ビーム　松村大樹，岡島由佳，西畑保雄，水木純一郎

9: 核反応法によるPd(110)サブサーフェス水素深さ分布の暴露条件依存性に関する研究
東大工　大野哲，Markus Wilde，福谷克之

10: レーザー補助電界蒸発の第一原理的研究
東北大WPI　田村宏之，Keith Mckenna，塚田捷

11: パルス計数計測法を用いた単一W原子上のHe-Ne電界吸着機構の研究II
阪市大院工　小林中，中村善典，谷野光平，熊谷寛

25日　WS会場　25aWS　9:15～12:00

領域9
表面界面構造

1: Ag/Si(111)√3×√3R30°-B界面における水素吸着
東工大総理工　青木悠樹，平山博之

2: Si(111)基板上にエピタキシャル成長したAg超薄膜表面上のBi原子吸着構造
東工大総理工　加藤千明，青木悠樹，^○平山博之

3: Rh/N/Cu(001)の構造(2)
東大物性研　岩崎悠真，山田正理，飯盛拓嗣，中辻寛，小森文夫

4: Cu(001)面上への窒素吸着に伴う応力の２種類の緩和機構
東大物性研　山田正理，大野真也，岩崎悠真，柳生数馬，中辻寛，小森文夫

5: 白金ステップ面における水分子のO K-NEXAFS
農工大工，千葉大工^A，高エ研^B　遠藤理，中村将志^A，隅井良平^B，雨宮健太^B

休憩　（10:30～10:45)

6: 金表面上の酸素・一酸化炭素の共吸着構造
阪大理，産総研ユビキタス^A　岡崎一行，香山正憲^A，奥村光隆

7: O₂導入によって形成されるAu/TiO₂界面のピラー構造の観察
東工大院総理工^A，東工大院理工^B，JST-CREST^C，日本電子^D　炭屋亜美^A，田中崇之^B，C，佐野健太郎^B，沢田英敬^C，D，近藤行人^C，D，高柳邦夫^B，C

8: 球面収差補正TEMによるアモルファスカーボン膜上での金単原子の動的観察
東工大院理工^A，JST-CREST^B　小柳聖^A，谷城康眞^A，B，高柳邦夫^A，B

9: MgOファセット化基板上Ptナノワイヤーの断面形状変化と光第二高調波発生の関係
北陸先端大マテリアル　尾形洋一，Nguyen Anh Tuan，水谷五郎

10: エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価
阪府大院工，産総研ユビキタス^A　田口昇，田中真悟^A，秋田知樹^A，香山正憲^A，堀史説

25日　WX会場　25aWX　9:15～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: Interference of Dirac electrons on the surface of Bi₂Se₃ studied by scanning tunneling microscopy
Grad. Sch. Sci.，Hiroshima Univ.^A，HSRC，Hiroshima Univ.^B，Kure NCT^C　M. Ye^A，K. Kuroda^A，S. Kim^A，A. Kimura^A，K. Miyamoto^B，M. Arita^B，M. Nakatake^B，T. Okuda^B，K. Shimada^B，Y. Ueda^C，H. Namatame^B，M. Taniguchi^A，B

2: W(110)表面におけるスピン軌道誘起バンドギャップ中のRashba型スピン偏極表面状態
広大放セ^A，広大院理^B，ミュンスター大^C，ミュンヘン大^D　宮本幸治^A，木村昭夫^B，Markus Donath^C，Ju¨rgen Braun^D，黒田健太^B，西村良祐^B，叶丸孝治^B，奥田太一^A，生天目博文^A，谷口雅樹^A，B

3: Bi(111)表面のスピン分解微細電子構造
東北大院理^A，東北大WPI^B，CREST-JST^C　高山あかり^A，高坂研一郎^A，菅原克明^B，相馬清吾^B，佐藤宇史^A，高橋隆^A，B，C

4: シリコン表面上のトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃超薄膜のスピン分解ARPES
東大理，東大物性研^A，分子研^B　坂本裕介，平原徹，武市泰男^A，宮崎秀俊^B，松田巌^A，木村真一^B，柿崎明人^A，長谷川修司

5: Si(557)-Auにおける一次元金属表面状態のスピン分解光電子分光
広大放射光セ，広大院理^A，東大物性研^B，広大院先端^C　奥田太一，宮本幸治，宮原寛和^A，武市泰男^B，小河愛実^B，原沢あゆみ^B，木村昭夫^A，松田巌^B，柿崎明人^B，獅子堂達也^C，小口多美夫^C

休憩　（10:30～10:45)

6: 三次元トポロジカル絶縁体Bi2Se3における異方的なフェルミ面
広大院理^A，広大放セ^B，ドノスティア国際物理セ^C，呉高専電^D　黒田健太^A，有田将司^B，宮本幸治^B，叶茂^A，木村昭夫^A，E.E. Krasovskii^C，E.V. Chulkov^C，姜健^A，岩澤英明^B，奥田太一^B，島田賢也^B，植田義文^D，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

7: Bi_1-xSb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性
東大理，東大物性研^A，慶応理工^B，INSP Paris^C，阪大産研^D　中村史一^A，小宇佐友香^B，武市泰男^A，Marie D’angelo^C，Alexy A. Taskin^D，中辻寛^A，小森文夫^A，柿崎明人^A，近藤寛^B，安藤陽一^D，松田巌^A

8: PbBi共吸着Ge(111)表面のスピン偏極した金属的ショックレー状態
京大院理^A，JST CREST^B，東大物性研^C　矢治光一郎^A，B，大坪嘉之^A，B，八田振一郎^A，B，武市泰男^C，奥山弘^A，有賀哲也^A，B

9: Bi₂Te₃およびBi₂Se₃表面ステップの電子状態
お茶大理　小林功佳

10: トポロジカル絶縁体 Bi₂Se₃ における表面－バルク電子散乱
広大院理^A，広大放射光^B，呉高専^C　金聖憲^A，黒田健太^A，叶茂^A，山田洋平^A，^○木村昭夫^A，宮本幸治^B，仲武昌史^B，奥田太一^B，植田義文^C，生天目博文^B，谷口雅樹^A，B

25日　WS会場　25pWS　13:30～17:00

領域9，領域7合同
グラフェン

1: 傾斜SiC上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性
九大院工，東大物性研^A　森田康平，上原直也，中辻寛^A，吉村継生^A，小森文夫^A，^○田中悟

2: 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光
東大物性研，九大院工^A　中辻寛，吉村継生，柴田祐樹，森田康平^A，上原直也^A，田中悟^A，小森文夫

3: 6H-SiC 上のグラフェンの回転および変調
福教大物理　三谷尚

4: SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と電気磁気効果
NTT物性基礎研　影島博之，日比野浩樹，永瀬雅夫，関根佳明，山口浩司

5: SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定
名大工　秋本晃一，持木健吾，山田尚明，胡海龍，中原仁，齋藤弥八

6: SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察
阪大院理　河野日出夫，森祐揮

休憩　（15:00～15:15)

7: グラフェンナノリボンの電子輸送におけるエッジ状態の効果
筑波大院数物　高木博和，小林伸彦

8: 単層,2層グラフェン境界における谷分極伝導
産総研，東工大理工^A　中西毅，越野幹人^A，安藤恒也^A

9: グラフェンのラマン分光における気体吸着効果
東工大理工　森貴紀，高井和之，榎敏明

10: ナノグラフェンおよび窒素ドープグラフェン上への酸素吸着
東大院理^A，東大院新領域^B　小幡誠司^A，斉木幸一朗^A，B

11: 金属基板上におけるヘテロ原子をドープしたグラフェンの成長と電子状態
東大院理^A，東大院新領域^B　今村岳^A，斉木幸一朗^A，B

12: 金属上の数層グラフェンの第一原理計算
筑波大計科セ^A，CREST^B　高木祥光^A，B，岡田晋^A，B

13: カーボンナノチューブおよびグラフェンの金属表面への吸着：電荷移動と表面再構成
岩手大工　長谷川正之，西館数芽

25日　WX会場　25pWX　13:30～16:15

領域9，領域3合同
表面磁性

1: 磁気トンネル接合における界面ノンコリニア磁気構造とその電気伝導に関する理論研究
東北大通研　三浦良雄，阿部和多加，白井正文

2: 取　　消

3: 取　　消

4: Ag(110)基板に展開した鉄フタロシアニン分子の磁気異方性
東大新領域^A，東北大WPI-AIMR^B，理研^C，JASRI^D　福嶋徹^A，^○酒井真利^A，能登健一^A，塚原規志^A，白木将^B，中村哲也^D，木下豊彦^D，高木紀明^A，川合眞紀^A，C

5: 分子吸着による配位子場操作を用いた鉄フタロシアニンの近藤状態の制御
東大新領域^A，理研^B，東北大WPI-AIMR^C　伊藤彩夏^A，太田奈緒香^A，塚原規志^A，白木将^C，高木紀明^A，川合眞紀^A，B

6: 2層フタロシアニン錯体における分子形状変化を用いたスピン制御：走査トンネル分光の近藤ピーク測定による
東北大理院，CREST JST^A，CIN2 Spain^B　一色弘成，Liu Jie，加藤恵一，山下正廣，米田忠弘^A，Nicolas Lorente^B

休憩　（15:00～15:15)

7: Cu/Ni/Cu(100)薄膜の界面および内部層における磁化の温度依存性
高エ研物構研，JST-CREST^A　雨宮健太^A，酒巻真粧子

8: Tb/Fe及びSm/Feにおける，RE 3d XPSスペクトルの膜厚依存性
群馬大教育　芹澤嘉彦，小山田健，飯島千尋，奥沢誠

9: Surface magnetism of rare-earth metal thin films
Nat'l. Inst. for Materials Sci.，Tsukuba^A，York Inst. for Materials Res.，Univ. of York，York，U.K.^B　Andrew Pratt^A，B，Mitsunori Kurahashi^A，Yasushi Yamauchi^A

10: Pd(001)上Fe超薄膜の構造および電子状態と磁性の研究
東大物性研　武市泰男，西出聡悟，Ran FanYong，原沢あゆみ，松田巌，柿崎明人

25日　XA会場　25pXA　13:30～17:30

領域6，領域9，領域10，領域11，領域12
領域6，9，11，12合同企画講演

1: 密度汎関数法に基づく構造不規則系の大規模分子動力学計算
熊大院自然　下條冬樹

休憩　（14:15～14:30)

液体

2: 超高圧下におけるナトリウムの融解曲線
広大院先端，熊大院自然^A，広大院総合科^B　山根阿樹，下條冬樹^A，^○星野公三^B

3: 第一原理分子動力学法による液体MgSiO₃の構造と電子状態の圧力依存性II
熊大院自然　吉村亮，大村訓史，下條冬樹

4: 高圧下でのイミダゾリウム系イオン液体のガラス状態
防大材料，防大応化^A　今井友亮，阿部洋，竹清貴浩^A，吉村幸浩^A

5: イオン液体－水混合系の階層構造
防大材料，防大応化^A　阿部洋，緒方陽介，今井友亮，青野祐美，竹清貴浩^A，吉村幸浩^A

6: EHD流体の電気二重層シミュレーション
防大材料　阿部洋，後藤竜之介，山下泰弘，今井友亮

休憩　（15:45～16:00)

7: 液体V族の圧力誘起構造変化
慶大理工　千葉文野，塚谷知也，辻和彦

8: ヨウ化錫のポリアモルフィズムIV
愛媛大理　渕崎員弘

9: ゆらぎに着目した液－液相転移研究II
広大院総合科，京大院理^A　梶原行夫，乾雅祝，松田和博^A

10: Se-GeSe混合液体の液体－液体１次転移
新潟大理　土屋良海

11: 液体Seにおける半導体－金属転移と体積収縮を伴う構造変化
新潟大理，広大総合科^A，新潟大自然^B，京大理^C，弘前大教育^D　丸山健二，乾雅祝^A，梶原行夫^A，佐藤慧^B，遠藤裕久^C，星野英興^D

12: 液体Seにおける圧力誘起構造変化の第一原理分子動力学シミュレーション
熊大院自然　大村訓史，下條冬樹

26日　WS会場　26aWS　9:00～12:00

領域9
表面界面電子物性

1: Pt(997)表面におけるNOの拡散
東北大多元研　高岡毅，米田忠弘

2: Rh(111)面におけるNO分子の反応性：第一原理電子構造計算
岩手大工，慶応大理工^A　西館数芽，荒木悠，近藤寛^A，長谷川正之

3: 拡散モンテカルロ法による銅表面への一酸化炭素の吸着に関する研究
北陸先端大情報，産総研計算科学　前園涼，グエン・タン・クン

4: TiO₂(110)及びAu/TiO₂(110)におけるCO酸化の反応パス
立命館大理工　光原圭，奥村英樹，松本悠志，A.Visikovkiy，滝沢優，城戸義明

5: 化学反応－エネルギー変換における素電圧の第一原理計算
東大院工　多田朋史，渡邉聡

6: 第一原理計算によるグラファイト基板表面上の窒化アルミニウムおよび窒化インジウムのエピタキシャル成長の研究
鳥取大院工^A，JST-CREST^B　平井翔^A，B，多谷孝明^A，B，中田謙吾^A，B，石井晃^A，B

休憩　（10:30～10:45)

7: TiO₂(110)表面の欠陥構造に関するGW近似による研究
阪大院工　柳澤将，森川良忠

8: Si表面√21×√21相の擬ポテンシャルモデルによるエネルギーの安定性と位相シフトの考察
東大理，東大物性研^A，お茶大理^B，名工大^C　中村史一^A，小林功佳^B，長谷川修司，一宮彪彦^C，松田巌^A

9: ケルビンプローブフォース顕微鏡のシミュレーション方法とその応用
東北大WPI，AAS^A　真砂啓，塚田捷，清水守^A

10: 固体表面からの二光子光電子放出における正孔散乱とファノ干渉の効果
阪大工^A，富山大工^B，阪大理^C　坂上護^A，上羽弘^B，宗像利明^C，笠井秀明^A

11: 量子領域間相互作用を考慮したハイブリッド量子古典シミュレーション法の精度評価
豊田中研^A，名工大院（創成シミュ）^B，JST-CREST^C，名工大(若手研究セ)^D　大庭伸子^A，B，C，尾形修司^B，C，小林亮^B，C，田村友幸^C，D，兵頭志明^A，C

26日　WX会場　26aWX　9:00～12:15

領域9
ナノチューブ・ナノワイヤ

1: プラズモン共振器としての原子ワイヤー
物材機構WPI，ハイデルベルグ大^A，MIT^B　長尾忠昭，韓貴，H.V.Chung^A，C.J.Kubber^B，A.Pucci^A，E.Enders

2: 銀原子ワイヤーの構造と電気伝導・機械的特性の解析
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

3: エレクトロマイグレーション中の銀ナノ接点の電気伝導・機械的特性
筑波大院数理　増田秀樹，木塚徳志

4: エレクトロマイグレーション中の白金ナノ接点の電気伝導・機械的特性
筑波大院数理　児玉智志，増田秀樹，木塚徳志

5: 金原子鎖における非断熱エレクトロマイグレーション
東北大WPI-AIMR^A，JST-CREST^B　洗平昌晃^A，B，塚田捷^A，B

6: その場電子顕微鏡法による酸化亜鉛ナノ接点の電流電圧特性の解析
筑波大院数理　加瀬俊一，木塚徳志

休憩　（10:30～10:45)

7: Ptナノ電極間に架橋したエチレン・アセチレン分子接合の構造およびその電気伝導特性
東工大院理工　中住友香，金子哲，木口学

8: ピラー型かご状単分子接合の電気伝導度の分子サイズ依存性
東工大院理工，東大院工^A　木口学，高橋拓也，高橋雄太，山内祥弘^A，村瀬隆史^A，藤田誠^A

9: 超伝導Al電極に架橋したC₆₀分子の電気伝導
筑波大数理，TIMS　大塚洋一，浦野敬太，幸坂健史

10: 時間依存波束拡散法を用いたナノカーボン系の大規模電気伝導計算
筑波大数物^A，NECナノエレ研^B　石井宏幸^A，小林伸彦^A，広瀬賢二^B

11: 貴金属表面上のカーボンナノチューブの電子状態における長周期変調
筑波大数物^A，理研^B　竹本整司^A，B，金有洙^B，小林伸彦^A

12: ファンデルワールス補正を入れた密度汎関数法によるナノチューブ／金属電極界面の構造と電子状態の研究
阪大院理，阪大院工^A　西郷登洋，柳澤将^A，森川良忠^A

26日　WX会場　26pWX　13:30～14:45

領域9
微粒子・ナノ構造

1: フェムト秒レーザー照射による金属表面周期構造自己形成機構
京大化研^A，京大院理^B　橋田昌樹^A，B，生田美延^A，B，宮坂泰弘^A，B，時田茂樹^A，B，阪部周二^A，B

2: 金属のフェムト秒レーザーナノアブレーション機構～イオン放射角度分布測定～
京大化研，京大院理　宮坂泰弘，橋田昌樹，生田美延，時田茂樹，阪部周二

3: Biナノ粒子のサイズに依存した構造変化
富山大理，弘前大理工^A，KEK-PF^B　池本弘之，前川仁志，宮永崇史^A，新田清文^B

4: ポリスチレン薄膜上におけるパラジウム錯体のナノ粒子化
関西学院大理工　子安直樹，大嶋悠司，古磯尚寛，寺内暉，橋本竹治，高橋功

5: ナノサイズGa液滴の表面張力の液滴サイズ依存性
関西学院大理工　増田俊平，澤田信一

6: 取　　消